JPH11312810A - Reflecting type liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
Reflecting type liquid crystal display device and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH11312810A JPH11312810A JP10118728A JP11872898A JPH11312810A JP H11312810 A JPH11312810 A JP H11312810A JP 10118728 A JP10118728 A JP 10118728A JP 11872898 A JP11872898 A JP 11872898A JP H11312810 A JPH11312810 A JP H11312810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- liquid crystal
- reflective
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】反射型液晶ディスプレイ（以下反射型Ｌ
ＣＤと呼ぶ）は、パネル前面より入射した外光を液晶パ
ネルにより変調し、パネル裏面に設けた反射板によって
反射させて、表示を行う方式である。このため透過型液
晶ディスプレイ（以下透過型ＬＣＤと呼ぶ）に不可欠な
バックライトが不要であり、消費電力の低減が可能であ
る。このため反射型ＬＣＤは、携帯情報端末や携帯機器
に最適である。2. Description of the Related Art A reflection type liquid crystal display (hereinafter referred to as a reflection type L).
The CD is a method in which external light incident from the front of the panel is modulated by a liquid crystal panel and reflected by a reflector provided on the back of the panel to perform display. Therefore, a backlight which is indispensable for a transmissive liquid crystal display (hereinafter, referred to as a transmissive LCD) is not required, and power consumption can be reduced. For this reason, the reflection type LCD is most suitable for portable information terminals and portable devices.
【０００３】しかし、反射ＬＣＤでは、外光の反射によ
り表示を行うために、入射光の調節機能がない。このた
め外光の照度が弱い場合、例えば、屋内や夜間使用する
場合では、入射する外光が少ないため、表示画面が非常
に暗くなり、視認性が劣化する欠点を有している。この
ため、反射型ＬＣＤでは、入射した外光をできるだけ効
率よく反射させるように、反射率を高める必要がある。[0003] However, the reflective LCD does not have a function of adjusting incident light because display is performed by reflection of external light. For this reason, when the illuminance of the external light is weak, for example, when the device is used indoors or at night, there is a defect that the display screen becomes very dark and visibility deteriorates because there is little incident external light. For this reason, in the reflection type LCD, it is necessary to increase the reflectance so as to reflect the incident external light as efficiently as possible.
【０００４】反射率を高める手段として、液晶セルや光
学部材での光の伝搬ロスを防ぐことと反射板での反射率
を高める事が上げられる。液晶セルや光学部材による光
の伝播ロスを低減する方法としては、偏光板での光の透
過損失がもっとも大きい事に着目して、偏光板を用いな
いゲストホスト型表示方式（特許公開公報：平７−１４
６４６９）や偏光板を１枚にした１枚偏光板方式（特許
公開公報：平７−８４２５２）などが知られている。[0004] As means for increasing the reflectivity, prevention of light propagation loss in a liquid crystal cell or an optical member and increase in the reflectivity of a reflection plate can be mentioned. As a method of reducing light propagation loss by a liquid crystal cell or an optical member, a guest-host type display method using no polarizing plate (Patent Publication: 7-14
6469) and a single-polarizing plate system using a single polarizing plate (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 7-84252) are known.
【０００５】また、反射板での反射率を高める方法とし
て、従来液晶セルの外側に設けていた反射板を液晶セル
の内部に設け、かつ反射板の構成材料として、反射率が
高く、電気抵抗値の低いアルミニュウムを用いて、反射
板としての機能と電極としての機能を兼ね備えた反射電
極を形成する方式（特許公開公報：平８−１０１３８
４）が知られている。[0005] As a method of increasing the reflectivity of the reflector, a reflector provided conventionally outside the liquid crystal cell is provided inside the liquid crystal cell, and as a constituent material of the reflector, the reflectivity is high and the electric resistance is high. A method of forming a reflection electrode having both a function as a reflection plate and a function as an electrode using aluminum having a low value (Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 8-10138).
4) is known.
【０００６】従来の反射型ＬＣＤは図８に示すように、
偏光板１とガラス基板３とカラーフィルター４と透明電
極５と液晶７と反射電極８と層間絶縁膜１７と薄膜トラ
ンジスター（以下ＴＦＴと呼ぶ）１３とガラス基板１０
とで構成されている。この反射型ＬＣＤは偏光板を１枚
にした１枚偏光板方式と反射電極を液晶セル内に設ける
方式を併用したものであり、反射率を高めたものであ
る。A conventional reflection type LCD is shown in FIG.
Polarizing plate 1, glass substrate 3, color filter 4, transparent electrode 5, liquid crystal 7, reflective electrode 8, interlayer insulating film 17, thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 13, and glass substrate 10.
It is composed of This reflection type LCD is a combination of a one-plate polarizing plate system in which a single polarizing plate is provided and a system in which a reflective electrode is provided in a liquid crystal cell, and has an improved reflectance.
【０００７】反射電極８は、層間絶縁膜１７上に形成さ
れ、層間絶縁膜１７に設けられたされた微小な孔（以
下、コンタクトホールと呼ぶ）１８を通して、ＴＦＴ１
３のドレイン電極１４と電気的に接続されいる。反射電
極８にはＴＦＴ１３のスイッチング動作により、電圧が
印加される。反射電極８は画素電極として液晶７に電圧
を印加する作用を行う。The reflective electrode 8 is formed on the interlayer insulating film 17, and passes through a minute hole (hereinafter, referred to as a contact hole) 18 provided in the interlayer insulating film 17.
3 is electrically connected to the drain electrode 14. A voltage is applied to the reflective electrode 8 by the switching operation of the TFT 13. The reflection electrode 8 acts as a pixel electrode to apply a voltage to the liquid crystal 7.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】反射電極とＴＦＴとが
電気的接続されない場合、反射電極には所定の電圧が印
加されない。このため、液晶が変調されず、その部分だ
けが表示欠陥になる場合がある。通常、ドレイン電極は
液晶へ電圧を加える信号線（以下ソース電極と呼ぶ）
と、ソース電極に電圧を供給する液晶駆動用ＬＳＩ（以
下ドライバーと呼ぶ）との接続用電極（以下実装電極と
呼ぶ）と同一の工程で形成される。接続抵抗及び配線抵
抗を低くする必要性から構成材料としてアルミニュウム
が用いられる。アルミニュウムは非常に酸化されやす
く、空気中での放置により容易に表面に酸化膜を形成す
る。アルミニュウムの酸化膜は絶縁性である。反射電極
とドレイン電極は同一工程で形成できないので、ドレイ
ン電極にはアルミニュウム酸化膜が形成され、酸化膜を
介してドレイン電極と反射電極が接続する事になる。こ
のためしばしば電気的接続不良による表示欠陥を引き起
こすという問題がある。When the reflective electrode and the TFT are not electrically connected, a predetermined voltage is not applied to the reflective electrode. For this reason, the liquid crystal may not be modulated, and only that portion may cause a display defect. Normally, the drain electrode is a signal line that applies a voltage to the liquid crystal (hereinafter referred to as a source electrode)
And a liquid crystal driving LSI (hereinafter, referred to as a driver) for supplying a voltage to the source electrode, in the same process as a connection electrode (hereinafter, referred to as a mounting electrode). Aluminum is used as a constituent material because of the necessity of reducing the connection resistance and the wiring resistance. Aluminum is very easily oxidized, and easily forms an oxide film on the surface when left in air. The aluminum oxide film is insulating. Since the reflection electrode and the drain electrode cannot be formed in the same process, an aluminum oxide film is formed on the drain electrode, and the drain electrode and the reflection electrode are connected via the oxide film. For this reason, there is a problem that display defects often occur due to poor electrical connection.
【０００９】本発明は、上述したこのようなこのような
従来の反射型液晶表示装置およびその製造方法が有する
課題を考慮し、ドレイン電極と画素電極間での接続抵抗
の低抵抗化を図ることによって、接続不良による表示欠
陥を低減できる反射型液晶表示パネル装置およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。The present invention has been made to reduce the connection resistance between a drain electrode and a pixel electrode in view of the above-mentioned problems of the conventional reflection type liquid crystal display device and the method of manufacturing the same. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a reflective liquid crystal display panel device capable of reducing display defects due to poor connection and a method of manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項１の本発明は、マトリックス状に配置され
たゲート電極、ソース電極および薄膜トランジスターが
片面に形成され、その上に絶縁層を介して反射側電極が
形成されている反射基板と、前記反射基板と対向し、そ
の対向する面に、少なくとも透明電極が形成されている
対向基板と、前記対向基板と前記反射基板との間に形成
される空間に充填された液晶とを備え、前記反射側電極
と前記薄膜トランジスターのドレイン電極とが電気的に
接続されている反射型液晶表示装置において、前記ドレ
イン電極の前記反射側電極との接触部の全部または一部
は、チタンであることを特徴とする反射型液晶表示装置
である。According to a first aspect of the present invention, a gate electrode, a source electrode, and a thin film transistor arranged in a matrix are formed on one surface, and an insulating layer is formed thereon. A reflection substrate on which a reflection-side electrode is formed, a reflection substrate facing the reflection substrate, and a counter substrate on which at least a transparent electrode is formed on a surface facing the reflection substrate; and between the counter substrate and the reflection substrate. In a reflective liquid crystal display device comprising a liquid crystal filled in a space formed in the reflective electrode and the drain electrode of the thin film transistor are electrically connected, the reflective electrode of the drain electrode and All or some of the contact portions are made of titanium.
【００１１】請求項２の本発明は、前記ドレイン電極
は、チタン層の上にアルミニュウム層が積層されたもの
であり、前記反射側電極との接触部の前記アルミニュウ
ム層が除去されていることを特徴とする請求項１に記載
の反射型液晶表示装置である。According to a second aspect of the present invention, the drain electrode has a structure in which an aluminum layer is laminated on a titanium layer, and the aluminum layer in a contact portion with the reflection-side electrode is removed. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【００１２】請求項３の本発明は、前記絶縁層は、無機
絶縁膜と有機絶縁膜を積層したものであり、前記無機絶
縁膜が前記反射基板側に配置されており、前記反射側電
極は、全部または一部がアルミニュウムであるところ
の、反射電極であり、前記反射側電極と前記ドレイン電
極とは、前記絶縁層の前記ドレイン電極上に設けられた
コンタクトホールにおいて、電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の反射型液晶表
示装置である。According to a third aspect of the present invention, the insulating layer is formed by laminating an inorganic insulating film and an organic insulating film, the inorganic insulating film is disposed on the reflective substrate side, and the reflective electrode is A reflective electrode wherein all or a part is made of aluminum, wherein the reflective electrode and the drain electrode are electrically connected at a contact hole provided on the drain electrode of the insulating layer. 3. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【００１３】請求項４の本発明は、前記絶縁層は、無機
絶縁膜と有機絶縁膜との間に反射層を挟み込んで積層し
たものであり、前記無機絶縁膜が前記反射基板側に配置
されており、前記反射側電極は、全部または一部が酸化
インジュウム錫であるところの、透明電極であり、前記
反射側電極と前記ドレイン電極とは、前記絶縁層の前記
ドレイン電極上に設けられたコンタクトホールにおい
て、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１
または２に記載の反射型液晶表示装置である。According to a fourth aspect of the present invention, the insulating layer is formed by stacking a reflective layer between an inorganic insulating film and an organic insulating film, and the inorganic insulating film is disposed on the reflective substrate side. The reflection-side electrode is a transparent electrode in which all or a part is indium tin oxide, and the reflection-side electrode and the drain electrode are provided on the drain electrode of the insulating layer. 2. The electrical connection in the contact hole.
Or a reflective liquid crystal display device according to item 2.
【００１４】請求項５の本発明は、前記コンタクトホー
ルは、すり鉢状であることを特徴とする請求項３または
４に記載の反射型液晶表示装置である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the reflective liquid crystal display device according to the third or fourth aspect, wherein the contact hole has a mortar shape.
【００１５】なお、請求項３〜５のいずれかの本発明に
おいて、前記コンタクトホールの位置で、前記無機絶縁
膜が形成されていない部分の面積は、前記コンタクトホ
ール底面の面積より広いことを特徴とする反射型液晶表
示装置としてもよい。In the invention according to any one of claims 3 to 5, the area of the portion where the inorganic insulating film is not formed at the position of the contact hole is larger than the area of the bottom surface of the contact hole. Reflective liquid crystal display device.
【００１６】請求項６の本発明は、全部または一部がチ
タンであるドレイン電極を有する薄膜トランジスターが
片面に形成されている反射基板の前記片面上に無機絶縁
膜を形成する無機絶縁膜形成工程と、前記無機絶縁膜形
成工程の後、前記ドレイン電極上の前記無機絶縁膜の全
部または一部を除去して開口部を形成する開口部形成工
程と、前記開口部形成工程の後、前記無機絶縁膜上およ
び前記開口部に有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工
程と、前記有機絶縁膜形成工程の後、前記開口部の位置
の前記有機絶縁膜を除去し、前記ドレイン電極の前記チ
タンの部分の全部または一部を露出させることによっ
て、コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成
工程と、前記コンタクトホール形成工程の後、前記有機
絶縁膜上、前記コンタクトホールおよび前記露出したチ
タンの部分上に反射側電極を形成する反射側電極とを含
むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であ
る。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an inorganic insulating film forming step of forming an inorganic insulating film on one surface of a reflective substrate having a thin film transistor having a drain electrode entirely or partially formed on one surface thereof. And an opening forming step of forming an opening by removing all or a part of the inorganic insulating film on the drain electrode after the inorganic insulating film forming step; and An organic insulating film forming step of forming an organic insulating film on the insulating film and in the opening, and after the organic insulating film forming step, removing the organic insulating film at the position of the opening, the titanium of the drain electrode; A contact hole forming step of forming a contact hole by exposing all or a part of the portion, and after the contact hole forming step, on the organic insulating film, It is a manufacturing method of a reflection type liquid crystal display device which comprises a Kutohoru and the reflection side electrode forming the reflecting side electrode on the exposed upper part of the titanium.
【００１７】請求項７の本発明は、前記開口部形成工程
の前に、前記無機絶縁膜上に反射層を形成する反射層形
成工程と、前記開口部形成工程の前もしくは同時に、前
記開口部に対応する部分の前記反射層を除去する反射層
除去工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の反射
型液晶表示装置の製造方法である。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method according to the first aspect of the present invention, wherein the step of forming a reflective layer on the inorganic insulating film is performed before the step of forming the opening. 7. The method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 6, further comprising a reflective layer removing step of removing a portion of the reflective layer corresponding to the above.
【００１８】請求項８の本発明は、前記開口部形成工程
において、前記開口部の面積は、前記コンタクトホール
底面の面積より広いことを特徴とする請求項６または７
に記載の反射型液晶表示装置の製造方法である。According to the present invention, in the opening forming step, an area of the opening is larger than an area of a bottom surface of the contact hole.
4. The method for manufacturing a reflective liquid crystal display device according to (1).
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）まず、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る反射型液晶表示装置の構成を示す断面図である。本実
施の形態における反射型液晶表示装置は、図１に示すよ
うに、ゲート電極１１、ソース電極１２およびＴＦＴ素
子１３が片面に形成され、その上に無機の層間絶縁膜１
５（本発明の無機絶縁膜に対応するもの）と有機の層間
絶縁膜１７（本発明の有機絶縁膜に対応するもの）が積
層された絶縁層を介して反射電極８が形成され、その上
に配向膜６ｂが形成されている反射基板１０と、反射基
板１０と対向し、その対向する面に、カラーフィルター
４、透明電極５および配向膜６ａが形成され、反対側の
面に、高分子フィルム２および偏光フィルム１が形成さ
れている対向基板３と、対向基板３の配向膜６ａと反射
基板１０の配向膜６ｂとの間に形成される空間に充填さ
れた液晶７とを備えるものであり、反射電極８とＴＦＴ
素子１３のドレイン電極１４とは、ドレイン電極１４上
に設けられたコンタクトホール１８において、電気的に
接続されている。画素部分は反射基板１０上の反射電極
８と対向基板３上の透明電極５、液晶７とから構成され
ており、対向基板３側より入射した光を液晶層で変調
し、反射電極面で対向基板方向に反射させて表示を行う
ものである。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment has a gate electrode 11, a source electrode 12, and a TFT element 13 formed on one surface, and an inorganic interlayer insulating film 1 formed thereon.
5 (corresponding to the inorganic insulating film of the present invention) and an organic interlayer insulating film 17 (corresponding to the organic insulating film of the present invention), a reflective electrode 8 is formed via an insulating layer, A reflective substrate 10 having an alignment film 6b formed thereon, a color filter 4, a transparent electrode 5, and an alignment film 6a formed on the surface facing the reflective substrate 10; It comprises a counter substrate 3 on which the film 2 and the polarizing film 1 are formed, and a liquid crystal 7 filled in a space formed between the alignment film 6a of the counter substrate 3 and the alignment film 6b of the reflective substrate 10. Yes, reflective electrode 8 and TFT
The element 13 is electrically connected to the drain electrode 14 at a contact hole 18 provided on the drain electrode 14. The pixel portion is composed of a reflective electrode 8 on a reflective substrate 10, a transparent electrode 5 on a counter substrate 3, and a liquid crystal 7. Light incident from the counter substrate 3 is modulated by a liquid crystal layer, and is opposed on the reflective electrode surface. The display is performed by reflecting light in the direction of the substrate.
【００２１】また、ドレイン電極１４は、チタン層２２
の上にアルミニュウム層２１が積層されたものであり、
反射電極８との接触部のアルミニュウム層２１が除去さ
れている（図３、図４参照）。The drain electrode 14 is formed of a titanium layer 22
On which an aluminum layer 21 is laminated.
The aluminum layer 21 at the contact portion with the reflective electrode 8 has been removed (see FIGS. 3 and 4).
【００２２】なお、無機の層間絶縁膜１５は、ＴＦＴ素
子１３の層間絶縁膜として機能するとともに、ドライバ
ー実装部分での電極保護膜としても機能するものであ
る。The inorganic interlayer insulating film 15 functions not only as an interlayer insulating film of the TFT element 13 but also as an electrode protection film in a driver mounting portion.
【００２３】図２は、本発明の第１の実施の形態におけ
る反射型液晶表示装置のＴＦＴ素子等の配置を示す平面
図である。すなわち、図１の無機の層間絶縁膜１５より
上部を除去した状態を上方より見た図である。ゲート電
極１１およびソース電極１２がマトリックス状に配置さ
れており、その交差点付近にゲート電極１１およびソー
ス電極１２それぞれの枝が伸びてきており、これらとド
レイン電極１４はＴＦＴ素子１３を構成している。FIG. 2 is a plan view showing an arrangement of TFT elements and the like of the reflection type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. That is, FIG. 2 is a diagram showing a state in which an upper portion of the inorganic interlayer insulating film 15 in FIG. The gate electrode 11 and the source electrode 12 are arranged in a matrix, and the respective branches of the gate electrode 11 and the source electrode 12 extend near the intersection, and these and the drain electrode 14 constitute the TFT element 13. .
【００２４】次に、本実施の形態における反射型液晶表
示装置の製造方法について説明する。また、製造方法の
各工程において、本実施の形態における反射型液晶表示
装置の構成の詳細についても説明する。Next, a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment will be described. In addition, in each step of the manufacturing method, details of the configuration of the reflective liquid crystal display device in this embodiment will be described.
【００２５】図１に示す対向基板３には無アルカリガラ
スを用い、この対向基板３上に顔料分散レジストからな
る赤、緑、青のストライプ状のカラーフィルター４を形
成する。The counter substrate 3 shown in FIG. 1 is made of non-alkali glass, and a red, green and blue striped color filter 4 made of a pigment-dispersed resist is formed on the counter substrate 3.
【００２６】その後、カラーフィルター４上に酸化イン
ジュウム錫（以下、ＩＴＯと呼ぶ）膜を成膜し透明電極
５を形成する。Thereafter, an indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) film is formed on the color filter 4 to form a transparent electrode 5.
【００２７】次に、無アルカリガラスを用いた反射基板
１０の上に所定の方法により、アルミニュウムとタンタ
ルからなるゲート電極１１，チタンとアルミニュウムか
らなるソース電極１２およびドレイン電極１４を、図２
に示すように、マトリックス状に配置し、ゲート電極１
１とソース電極１２との各交差部にアモルファスシリコ
ンからなるＴＦＴ素子１３を形成する。Next, a gate electrode 11 made of aluminum and tantalum, a source electrode 12 made of titanium and aluminum, and a drain electrode 14 are formed on a reflective substrate 10 made of non-alkali glass by a predetermined method.
As shown in FIG.
A TFT element 13 made of amorphous silicon is formed at each intersection between the first electrode 1 and the source electrode 12.
【００２８】次に、反射基板１０上に窒化シリコンから
なる無機の層間絶縁膜１５を形成する。本工程は、本発
明の無機絶縁膜形成工程に対応するものである。Next, an inorganic interlayer insulating film 15 made of silicon nitride is formed on the reflective substrate 10. This step corresponds to the inorganic insulating film forming step of the present invention.
【００２９】次に、フォトレジストと所定のフォトマス
クを用いて紫外線を照射し、その後ドライエッチングに
より無機の層間絶縁膜１５の窒化シリコンをエッチング
し、ドレイン電極上１４に開口１６を形成する。このと
き、開口１６は、例えば、直径１６μｍの円とする。本
工程は、本発明の開口部形成工程に対応するものであ
る。Next, ultraviolet rays are irradiated using a photoresist and a predetermined photomask, and thereafter, the silicon nitride of the inorganic interlayer insulating film 15 is etched by dry etching, and an opening 16 is formed on the drain electrode 14. At this time, the opening 16 is, for example, a circle having a diameter of 16 μm. This step corresponds to the opening forming step of the present invention.
【００３０】さらに、図３に示すように、リン酸系のエ
ッチング液を用いて、開口１６部分のドレイン電極１４
のアルミニュウム層２１を除去して、チタン層２２を露
出させる。Further, as shown in FIG. 3, a drain electrode 14 at the opening 16 is formed by using a phosphoric acid-based etching solution.
The aluminum layer 21 is removed to expose the titanium layer 22.
【００３１】次に、反射基板１０の片側全面に（無機の
層間絶縁膜１５上および開口部１６に）、感光性アクリ
ル樹脂（例えば，ＦＶＲ：富士薬品工業（株）製）を塗
布して有機の層間絶縁膜１７を形成する。本工程は、本
発明の有機絶縁膜形成工程に対応するものである。Next, a photosensitive acrylic resin (for example, FVR: manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.) is applied to the entire surface of one side of the reflective substrate 10 (on the inorganic interlayer insulating film 15 and the opening 16), and the organic resin is applied. Is formed. This step corresponds to the organic insulating film forming step of the present invention.
【００３２】その後、所定のフォトマスクを用いて紫外
線を照射した後、２００℃のクリーンオーブンの中で熱
処理を行う。これによって、ドレイン電極１４上の開口
１６と同じ位置に、底部にチタン層２２が露出したコン
タクトホール１８が形成される。このとき、図４に示す
ように、コンタクトホール１８は、開口１６の内側で、
しかもすり鉢状の形状になるように形成する。また、コ
ンタクトホール１８の底面の面積をＳ２とすると（図４
に二次元的に示す）、Ｓ２は、開口１６の面積Ｓ１（図
４に二次元的に示す）より小さくなるようにする。例え
ば、開口１６を直径１６μｍの円とすると、コンタクト
ホール１８の底面は、直径８μｍの円とするものであ
る。本工程は、本発明のコンタクトホール形成工程に対
応するものである。Then, after irradiating ultraviolet rays using a predetermined photomask, heat treatment is performed in a clean oven at 200 ° C. As a result, a contact hole 18 with the titanium layer 22 exposed at the bottom is formed at the same position as the opening 16 on the drain electrode 14. At this time, as shown in FIG.
Moreover, it is formed so as to have a mortar shape. If the area of the bottom surface of the contact hole 18 is S2 (FIG. 4)
And S2 are made smaller than the area S1 of the opening 16 (shown two-dimensionally in FIG. 4). For example, when the opening 16 is a circle having a diameter of 16 μm, the bottom surface of the contact hole 18 is a circle having a diameter of 8 μm. This step corresponds to the contact hole forming step of the present invention.
【００３３】次に、有機の層間絶縁膜１７上、コンタク
トホール１８および露出したチタン層２２上にアルミニ
ュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスク
を用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング液
を用いて、反射電極８形成する。本工程は、本発明の反
射側電極形成工程に対応するものである。Next, an aluminum film is formed on the organic interlayer insulating film 17, the contact hole 18, and the exposed titanium layer 22, and is irradiated with ultraviolet rays using a photoresist and a predetermined photomask. The reflective electrode 8 is formed using an etching solution. This step corresponds to the reflection-side electrode forming step of the present invention.
【００３４】次に、透明電極５および反射電極８上に、
固形分濃度５重量％のポリアミック酸溶液（ＳＥ−７２
１１：日産化学工業（株））を印刷し、２２０℃で硬化
し、ＴＮ配向になるようにレーヨン布を用いて回転ラビ
ングして配向処理を行い、ポリイミドからなる膜厚１２
０ｎｍの配向膜６ａ，６ｂを形成する。Next, on the transparent electrode 5 and the reflective electrode 8,
A polyamic acid solution having a solid concentration of 5% by weight (SE-72)
11: printed by Nissan Chemical Industry Co., Ltd., cured at 220 ° C., and subjected to an alignment treatment by rotating rubbing using a rayon cloth so as to have a TN alignment, and a film thickness of polyimide 12
The alignment films 6a and 6b having a thickness of 0 nm are formed.
【００３５】次に、対向基板３の周辺部に熱硬化型のシ
ール材（例えばストラクトボンド：三井東圧化学（株）
製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、反射電極基板１
０上に、例えば、直径４．５umのプラスチックからなる
球状のスペーサを１５０〜２００個／ｍｍ2 を分散し
て、対向基板３と反射基板１０とを互いに貼り合わせ、
１５０℃でシール材を硬化する。Next, a thermosetting sealing material (for example, Struct Bond: Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) is provided around the opposing substrate 3.
Is formed by providing a liquid crystal injection port, and the reflection electrode substrate 1 is formed.
For example, 150 to 200 spherical spacers made of plastic having a diameter of 4.5 μm / mm 2 are dispersed on 0, and the opposing substrate 3 and the reflecting substrate 10 are bonded to each other.
The sealant is cured at 150 ° C.
【００３６】次に、屈折率異方性が０．０９７であるフ
ッ素系ネマチック液晶組成物にカイラル組成物を添加し
た液晶７を真空注入して、紫外線硬化樹脂により注入口
を封口して、液晶セルを作製する。Next, a liquid crystal 7 obtained by adding a chiral composition to a fluorine-based nematic liquid crystal composition having a refractive index anisotropy of 0.097 is vacuum-injected, and the injection port is closed with an ultraviolet curable resin. Create a cell.
【００３７】上記により形成した液晶セルの対向基板上
に、高分子フィルム２として所定の大きさの複屈折性を
持つポリカーボネートフィルムを所定の角度で貼り付
け、更にニュートラルグレーの偏光フィルム１を吸収軸
が所定の方向になるように貼り付けることによって、ア
クティブマトリックスタイプの反射型ＬＣＤが得られ
る。On a counter substrate of the liquid crystal cell formed as described above, a polycarbonate film having a predetermined size and a birefringence as a polymer film 2 is stuck at a predetermined angle, and a neutral gray polarizing film 1 is further attached to an absorption axis. Are attached in a predetermined direction, whereby an active matrix type reflection type LCD is obtained.
【００３８】上記反射型ＬＣＤを駆動して、正面でのパ
ネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．５
％、白状態で反射率が１６．３％であり、反射率の高い
良好なパネル反射特性が実現できることが確認された。
また、ドレイン電極１４と反射電極８との接続不良が発
生すると、十分な黒が得られず、点状の輝点が見られる
が、本実施の形態における反射型液晶表示装置ではその
ような輝点は見られず、接続不良による表示不良はほと
んど発生しないことが確認された。When the above-mentioned reflective LCD was driven and the panel reflectance at the front was measured, the reflectance was 1.5 in the black state.
%, The reflectance in the white state was 16.3%, and it was confirmed that good panel reflection characteristics with high reflectance could be realized.
In addition, when a poor connection between the drain electrode 14 and the reflective electrode 8 occurs, sufficient black is not obtained, and dot-like bright spots are observed. However, in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, such a bright type is used. No spots were found, and it was confirmed that display defects due to poor connection hardly occurred.
【００３９】また、コンタクトホール形成工程におい
て、コンタクトホール１８の形状をすり鉢状にすること
によって、図８に示す従来のコンタクトホールに比べ
て、コンタクトホール１８側壁部での反射電極８の断線
を防止できることが確認された。なお、開口部形成工程
において、開口１６の面積を、コンタクトホール１８の
底面の面積より広くすることは、これによって、コンタ
クトホール１８をすり鉢状に形成しやすくするものであ
る。Further, in the contact hole forming step, the shape of the contact hole 18 is formed in a mortar shape, thereby preventing disconnection of the reflective electrode 8 at the side wall of the contact hole 18 as compared with the conventional contact hole shown in FIG. It was confirmed that it was possible. It should be noted that making the area of the opening 16 larger than the area of the bottom surface of the contact hole 18 in the opening forming step makes it easier to form the contact hole 18 in a mortar shape.
【００４０】なお、本実施の形態においては、反射電極
８の構成材料として、アルミニュウムを用いるとして説
明したが、チタンとアルミニュウムの積層構造を用いて
も同様の効果が得られる。Although the present embodiment has been described on the assumption that aluminum is used as a constituent material of the reflective electrode 8, a similar effect can be obtained by using a laminated structure of titanium and aluminum.
【００４１】また、本発明の開口部およびコンタクトホ
ールの断面形状は、本実施の形態においては、円である
として説明したが、開口部が四角形で、コンタクトホー
ルが四角錐台を逆さにした形状であるとしてもよい。こ
のとき、開口部の面積を、コンタクトホール底面の面積
より広くする必要がある。The cross-sectional shape of the opening and the contact hole according to the present invention has been described as being circular in the present embodiment. However, the opening has a square shape, and the contact hole has a shape in which a truncated pyramid is inverted. It may be. At this time, the area of the opening needs to be larger than the area of the bottom of the contact hole.
【００４２】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図面を参照して説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
An embodiment will be described with reference to the drawings.
【００４３】図５は、本発明の第２の実施の形態におけ
る反射型液晶表示装置の構成を示す断面図である。本実
施の形態における反射型液晶表示装置は、本発明の反射
側電極が透明電極であり、本発明の絶縁層が反射層を有
することに関する点以外は、上述した第１の実施の形態
における反射型液晶表示装置と同様である。したがっ
て、本実施の形態において、第１の実施の形態と基本的
に同様のものについては、同一符号を付与し、説明を省
略する。また、特に説明のないものについては、第１の
実施の形態と同じとする。FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. The reflection-type liquid crystal display device according to the present embodiment is different from the reflection-type liquid crystal display device according to the above-described first embodiment except that the reflection-side electrode of the invention is a transparent electrode and the insulating layer of the invention has a reflection layer. It is the same as that of the liquid crystal display device. Therefore, in the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Unless otherwise described, it is the same as the first embodiment.
【００４４】図５は、本発明の第２の実施の形態におけ
る反射型液晶表示装置の構成を示す断面図である。本実
施の形態における反射型液晶表示装置は、図５に示すよ
うに、ゲート電極１１、ソース電極１２およびＴＦＴ素
子１３が片面に形成され、その上に無機の層間絶縁膜１
５（本発明の無機絶縁膜に対応するもの）と反射層１９
と有機の層間絶縁膜１７（本発明の有機絶縁膜に対応す
るもの）が積層された絶縁層を介して透明電極２０が形
成され、その上に配向膜６ｂが形成されている反射基板
１０と、反射基板１０と対向し、その対向する面に、カ
ラーフィルター４、透明電極５および配向膜６ａが形成
され、反対側の面に、高分子フィルム２および変更フィ
ルム１が形成されている対向基板３と、対向基板３の配
向膜６ａと反射基板１０の配向膜６ｂとの間に形成され
る空間に充填された液晶７とを備えるものであり、透明
電極２０とＴＦＴ素子１３のドレイン電極１４とは、ド
レイン電極１４上に設けられたコンタクトホール１８に
おいて、電気的に接続されている。FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment has a gate electrode 11, a source electrode 12, and a TFT element 13 formed on one surface, and an inorganic interlayer insulating film 1 thereon.
5 (corresponding to the inorganic insulating film of the present invention) and the reflective layer 19
A transparent electrode 20 is formed via an insulating layer in which an organic interlayer insulating film 17 (corresponding to the organic insulating film of the present invention) is laminated, and a reflective substrate 10 on which an alignment film 6b is formed. A color filter 4, a transparent electrode 5, and an alignment film 6a are formed on a surface facing the reflection substrate 10, and a polymer film 2 and a modification film 1 are formed on the opposite surface. 3 and a liquid crystal 7 filled in a space formed between the alignment film 6a of the counter substrate 3 and the alignment film 6b of the reflection substrate 10. The transparent electrode 20 and the drain electrode 14 of the TFT element 13 are provided. Is electrically connected to a contact hole 18 provided on the drain electrode 14.
【００４５】本実施の形態における反射型液晶表示装置
のＴＦＴ素子等の平面的な配置は、図２で示した第１の
実施の形態における反射型液晶表示装置と同様である。The planar arrangement of the TFT elements and the like of the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment is the same as that of the reflection type liquid crystal display device according to the first embodiment shown in FIG.
【００４６】次に、本実施の形態における反射型液晶表
示装置の製造方法について説明する。また、製造方法の
各工程において、本実施の形態における反射型液晶表示
装置の構成の詳細についても説明する。Next, a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment will be described. In addition, in each step of the manufacturing method, details of the configuration of the reflective liquid crystal display device in this embodiment will be described.
【００４７】反射基板１０上に無機の層間絶縁膜１５を
形成する工程（本発明の無機絶縁膜形成工程に対応する
もの）までは、第１の実施の形態における反射型液晶表
示装置の製造方法と同様である。Up to the step of forming the inorganic interlayer insulating film 15 on the reflective substrate 10 (corresponding to the step of forming the inorganic insulating film of the present invention), the method of manufacturing the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment. Is the same as
【００４８】次に、アルミニュウムからなる反射層１９
を形成する。本工程は、本発明の反射層形成工程に対応
するものである。Next, the reflection layer 19 made of aluminum is used.
To form This step corresponds to the reflective layer forming step of the present invention.
【００４９】次に、フォトレジストと所定のフォトマス
クを用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング
液により反射層１９のアルミニュウムのエッチングを行
い、さらにドライエッチングにより無機の層間絶縁膜１
５の窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極上１４
に開口１６を形成する。このとき、開口１６は、例え
ば、直径１６μｍの円とする。本工程は、本発明の反射
層除去工程および開口部形成工程に対応するものであ
る。Next, ultraviolet rays are irradiated using a photoresist and a predetermined photomask, then aluminum of the reflection layer 19 is etched with a phosphoric acid-based etchant, and furthermore, the inorganic interlayer insulating film 1 is etched by dry etching.
The silicon nitride of No. 5 was etched and 14
The opening 16 is formed. At this time, the opening 16 is, for example, a circle having a diameter of 16 μm. This step corresponds to the reflective layer removing step and the opening forming step of the present invention.
【００５０】さらに、図６に示すように、リン酸系のエ
ッチング液を用いて、開口１６部分のドレイン電極１４
のアルミニュウム層２１を除去して、チタン層２２を露
出させる。Further, as shown in FIG. 6, a drain electrode 14 at the opening 16 is formed by using a phosphoric acid-based etching solution.
The aluminum layer 21 is removed to expose the titanium layer 22.
【００５１】次に、反射基板１０の片側全面に（反射層
１９上および開口部１６に）、感光性アクリル樹脂（例
えば，ＦＶＲ：富士薬品工業（株）製）を塗布して有機
の層間絶縁膜１７を形成する。本工程は、本発明の有機
絶縁膜形成工程に対応するものである。Next, a photosensitive acrylic resin (for example, FVR: manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.) is applied to the entire surface of one side of the reflective substrate 10 (on the reflective layer 19 and the opening 16) to form an organic interlayer insulating film. A film 17 is formed. This step corresponds to the organic insulating film forming step of the present invention.
【００５２】その後、所定のフォトマスクを用いて紫外
線を照射した後、２００℃のクリーンオーブンの中で熱
処理を行う。これによって、ドレイン電極１４上の開口
１６と同じ位置に、底部にチタン層２２が露出したコン
タクトホール１８が形成される。このとき、図５に示す
ように、コンタクトホール１８は、開口１６の内側で、
しかもすり鉢状の形状になるように形成する。また、コ
ンタクトホール１８の底面の面積をＳ２とすると（図５
に二次元的に示す）、Ｓ２は、開口１６の面積Ｓ１（図
５に二次元的に示す）より小さくなるようにする。例え
ば、開口１６を直径１６μｍの円とすると、コンタクト
ホール１８の底面は、直径８μｍの円とするものであ
る。本工程は、本発明のコンタクトホール形成工程に対
応するものである。Then, after irradiating with ultraviolet rays using a predetermined photomask, heat treatment is performed in a clean oven at 200 ° C. As a result, a contact hole 18 with the titanium layer 22 exposed at the bottom is formed at the same position as the opening 16 on the drain electrode 14. At this time, as shown in FIG.
Moreover, it is formed so as to have a mortar shape. If the area of the bottom surface of the contact hole 18 is S2 (FIG. 5)
And S2 are made smaller than the area S1 of the opening 16 (shown two-dimensionally in FIG. 5). For example, when the opening 16 is a circle having a diameter of 16 μm, the bottom surface of the contact hole 18 is a circle having a diameter of 8 μm. This step corresponds to the contact hole forming step of the present invention.
【００５３】次に、有機の層間絶縁膜１７上、コンタク
トホール１８および露出したチタン層２２上にＩＴＯを
成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて
紫外線を照射し、その後沃化水素系のエッチング液を用
いて、透明電極２０を形成する。本工程は、本発明の反
射側電極形成工程に対応するものである。Next, an ITO film is formed on the organic interlayer insulating film 17, the contact hole 18, and the exposed titanium layer 22, and is irradiated with ultraviolet rays using a photoresist and a predetermined photomask. The transparent electrode 20 is formed using a system etching solution. This step corresponds to the reflection-side electrode forming step of the present invention.
【００５４】その後、第１の実施の形態と同様の工程手
順を行うにより、アクティブマトリックスタイプの反射
型ＬＣＤが得られる。Thereafter, by performing the same process procedure as in the first embodiment, an active matrix type reflection type LCD is obtained.
【００５５】上記反射型ＬＣＤを駆動して、正面でのパ
ネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が１．５
％、白状態で反射率が１８．５％であり、反射率の高い
良好なパネル反射特性が実現できることが確認された。
また、第１の実施の形態と同様に、ドレイン電極と透明
電極との接続不良による表示不良はほとんど発生しない
ことが確認された。When the reflective LCD was driven and the panel reflectance at the front was measured, the reflectance was 1.5 in the black state.
%, The reflectance in the white state was 18.5%, and it was confirmed that good panel reflection characteristics with high reflectance could be realized.
Also, as in the first embodiment, it was confirmed that display failure due to poor connection between the drain electrode and the transparent electrode hardly occurred.
【００５６】また、第１の実施の形態と同様に、コンタ
クトホール形成工程において、コンタクトホール１８の
形状をすり鉢状にすることによって、図８に示す従来の
コンタクトホールに比べて、コンタクトホール１８側壁
部での反射電極８の断線を防止できることが確認され
た。なお、開口部形成工程において、開口１６の面積
を、コンタクトホール１８の底面の面積より広くするこ
とは、これによって、コンタクトホール１８をすり鉢状
に形成しやすくするものである。Also, as in the first embodiment, in the contact hole forming step, the shape of the contact hole 18 is made mortar-shaped, so that the side wall of the contact hole 18 can be formed as compared with the conventional contact hole shown in FIG. It was confirmed that disconnection of the reflective electrode 8 at the portion could be prevented. It should be noted that making the area of the opening 16 larger than the area of the bottom surface of the contact hole 18 in the opening forming step makes it easier to form the contact hole 18 in a mortar shape.
【００５７】なお、上述した第１の実施の形態および第
２の実施の形態では、１枚偏光板構成の反射型液晶表示
装置についての例を示したが、これに限定されるもので
はなく、偏光板を用いない方式にも適用できる。In the above-described first and second embodiments, an example of a reflection type liquid crystal display device having a single polarizing plate has been described. However, the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to a method that does not use a polarizing plate.
【００５８】また、上述した第１の実施の形態および第
２の実施の形態では、本発明の反射側電極とドレイン電
極とは、絶縁層の前記ドレイン電極上に設けられたコン
タクトホールにおいて、電気的に接続されているとして
説明したが、これに限るものではなく、反射側電極とド
レイン電極とが電気的に接続されており、前記ドレイン
電極の前記反射側電極との接触部の全部または一部がチ
タンであれば、ドレイン電極と画素電極間での接続抵抗
の低抵抗化を図ることによって、接続不良による表示欠
陥を低減できるという効果は得られる。In the first and second embodiments described above, the reflection side electrode and the drain electrode of the present invention are electrically connected to each other in the contact hole provided on the insulating layer on the drain electrode. However, the present invention is not limited to this, and the reflection-side electrode and the drain electrode are electrically connected, and all or one of the contact portions of the drain electrode with the reflection-side electrode are connected. If the portion is titanium, the effect of reducing display defects due to poor connection can be obtained by reducing the connection resistance between the drain electrode and the pixel electrode.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、ドレイン電極と画素電極間での接続抵抗
の低抵抗化を図ることによって、接続不良による表示欠
陥を低減できる反射型液晶表示パネル装置およびその製
造方法を提供することができる。As is apparent from the above description, the present invention reduces the connection resistance between the drain electrode and the pixel electrode, thereby reducing the display defects due to poor connection. A panel device and a method for manufacturing the same can be provided.
【図１】本発明の第１の実施の形態における反射型液晶
表示装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態における反射型液晶
表示装置のＴＦＴ素子等の配置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an arrangement of TFT elements and the like of the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施の形態における反射型液晶
表示装置の開口部を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an opening of the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施の形態における反射型液晶
表示装置のコンタクトホールを示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a contact hole of the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施の形態における反射型液晶
表示装置の構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施の形態における反射型液晶
表示装置の開口部を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing an opening of a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１の実施の形態における反射型液晶
表示装置のコンタクトホールを示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a contact hole of the reflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図８】従来の反射型液晶表示装置の構成を示す断面図
である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional reflective liquid crystal display device.
【符号の説明】 １ 偏光フィルム ２ 高分子フィルム ３ 対向基板 ４ カラーフィルタ ５ 透明電極 ６ａ、６ｂ 配向膜 ７ 液晶層 ８ 反射電極 ９ 絶縁膜 １０ 反射基板 １１ ゲート電極 １２ ソース電極 １３ ＴＦＴ素子 １４ ドレイン電極 １５ 無機の層間絶縁膜 １６ 開口 １７ 有機の層間絶縁膜 １８ コンタクトホール １９ 反射層 ２０ 透明電極 ２１ アルミニュウム層 ２２ チタン層[Description of Signs] 1 Polarizing film 2 Polymer film 3 Counter substrate 4 Color filter 5 Transparent electrode 6a, 6b Alignment film 7 Liquid crystal layer 8 Reflection electrode 9 Insulation film 10 Reflection substrate 11 Gate electrode 12 Source electrode 13 TFT element 14 Drain electrode Reference Signs List 15 inorganic interlayer insulating film 16 opening 17 organic interlayer insulating film 18 contact hole 19 reflective layer 20 transparent electrode 21 aluminum layer 22 titanium layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｂ 21/336 29/78 ６１２Ｚ ６１６Ｋ (72)発明者 山口 久典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 鉄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI G09F 9/30 330 G09F 9/30 330Z H01L 21/768 H01L 21/90 B 21/336 29/78 612Z 616K (72) Hisanori Yamaguchi 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) The inventor Ogawa Tetsudo 1006 Odaka Kadoma Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (8)
極、ソース電極および薄膜トランジスターが片面に形成
され、その上に絶縁層を介して反射側電極が形成されて
いる反射基板と、前記反射基板と対向し、その対向する
面に、少なくとも透明電極が形成されている対向基板
と、前記対向基板と前記反射基板との間に形成される空
間に充填された液晶とを備え、前記反射側電極と前記薄
膜トランジスターのドレイン電極とが電気的に接続され
ている反射型液晶表示装置において、前記ドレイン電極
の前記反射側電極との接触部の全部または一部は、チタ
ンであることを特徴とする反射型液晶表示装置。1. A reflective substrate having a gate electrode, a source electrode, and a thin film transistor arranged in a matrix on one surface and a reflective electrode formed thereon with an insulating layer interposed therebetween. And, on the opposing surface, at least a counter substrate on which a transparent electrode is formed, and a liquid crystal filled in a space formed between the counter substrate and the reflective substrate, and the reflective electrode and the reflective electrode are provided. In a reflection type liquid crystal display device in which a drain electrode of a thin film transistor is electrically connected, all or a part of a contact portion of the drain electrode with the reflection side electrode is made of titanium. Liquid crystal display.
ルミニュウム層が積層されたものであり、前記反射側電
極との接触部の前記アルミニュウム層が除去されている
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装
置。2. The drain electrode according to claim 1, wherein an aluminum layer is laminated on a titanium layer, and the aluminum layer in a contact portion with the reflection side electrode is removed. 3. The reflection type liquid crystal display device according to item 1.
を積層したものであり、前記無機絶縁膜が前記反射基板
側に配置されており、前記反射側電極は、全部または一
部がアルミニュウムであるところの、反射電極であり、
前記反射側電極と前記ドレイン電極とは、前記絶縁層の
前記ドレイン電極上に設けられたコンタクトホールにお
いて、電気的に接続されていることを特徴とする請求項
１または２に記載の反射型液晶表示装置。3. The insulating layer is formed by laminating an inorganic insulating film and an organic insulating film, wherein the inorganic insulating film is disposed on the reflection substrate side, and the reflection-side electrode is entirely or partially formed. It is a reflective electrode, which is aluminum
The reflective liquid crystal according to claim 1, wherein the reflective electrode and the drain electrode are electrically connected to each other in a contact hole provided on the drain electrode of the insulating layer. Display device.
との間に反射層を挟み込んで積層したものであり、前記
無機絶縁膜が前記反射基板側に配置されており、前記反
射側電極は、全部または一部が酸化インジュウム錫であ
るところの、透明電極であり、前記反射側電極と前記ド
レイン電極とは、前記絶縁層の前記ドレイン電極上に設
けられたコンタクトホールにおいて、電気的に接続され
ていることを特徴とする請求項１または２に記載の反射
型液晶表示装置。4. The insulating layer is formed by laminating a reflective layer between an inorganic insulating film and an organic insulating film, wherein the inorganic insulating film is disposed on the reflective substrate side, The electrode is a transparent electrode in which all or a part is indium tin oxide, and the reflection side electrode and the drain electrode are electrically connected to each other in a contact hole provided on the drain electrode of the insulating layer. 3. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflection type liquid crystal display device is connected to the liquid crystal display device.
ることを特徴とする請求項３または４に記載の反射型液
晶表示装置。5. The reflective liquid crystal display device according to claim 3, wherein the contact hole has a mortar shape.
電極を有する薄膜トランジスターが片面に形成されてい
る反射基板の前記片面上に無機絶縁膜を形成する無機絶
縁膜形成工程と、前記無機絶縁膜形成工程の後、前記ド
レイン電極上の前記無機絶縁膜の全部または一部を除去
して開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部形
成工程の後、前記無機絶縁膜上および前記開口部に有機
絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、前記有機絶縁
膜形成工程の後、前記開口部の位置の前記有機絶縁膜を
除去し、前記ドレイン電極の前記チタンの部分の全部ま
たは一部を露出させることによって、コンタクトホール
を形成するコンタクトホール形成工程と、前記コンタク
トホール形成工程の後、前記有機絶縁膜上、前記コンタ
クトホールおよび前記露出したチタンの部分上に反射側
電極を形成する反射側電極形成工程とを含むことを特徴
とする反射型液晶表示装置の製造方法。6. An inorganic insulating film forming step of forming an inorganic insulating film on one surface of a reflective substrate having a thin film transistor having a drain electrode entirely or partially formed on one surface thereof, and the inorganic insulating film An opening forming step of forming an opening by removing all or a part of the inorganic insulating film on the drain electrode after the forming step, and an opening on the inorganic insulating film and the opening after the opening forming step. An organic insulating film forming step of forming an organic insulating film in the portion, and after the organic insulating film forming step, the organic insulating film at the position of the opening is removed, and all or one of the titanium portions of the drain electrode is removed. A contact hole forming step of forming a contact hole by exposing a portion, and after the contact hole forming step, on the organic insulating film, the contact hole and Forming a reflection-side electrode on the exposed portion of titanium. A method for manufacturing a reflection-type liquid crystal display device, comprising:
縁膜上に反射層を形成する反射層形成工程と、前記開口
部形成工程の前もしくは同時に、前記開口部に対応する
部分の前記反射層を除去する反射層除去工程を含むこと
を特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製
造方法。7. A reflecting layer forming step of forming a reflecting layer on the inorganic insulating film before the opening forming step, and before or simultaneously with the opening forming step, a portion corresponding to the opening is formed. 7. The method according to claim 6, further comprising the step of removing the reflective layer.
部の面積は、前記コンタクトホール底面の面積より広い
ことを特徴とする請求項６または７に記載の反射型液晶
表示装置の製造方法。8. The method according to claim 6, wherein, in the opening forming step, an area of the opening is larger than an area of a bottom surface of the contact hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11872898A JP3754558B2 (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Reflective liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11872898A JP3754558B2 (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Reflective liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312810A true JPH11312810A (en) | 1999-11-09 |
| JP3754558B2 JP3754558B2 (en) | 2006-03-15 |
Family
ID=14743617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11872898A Expired - Fee Related JP3754558B2 (en) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | Reflective liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3754558B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833883B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-12-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for reflective and transflective liquid crystal display devices and manufacturing method for the same |
| KR100470020B1 (en) * | 2001-06-01 | 2005-02-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | A Transflective LCD and method for fabricating thereof |
| JP2006093220A (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | Active matrix type display device and manufacturing method thereof |
| US7317208B2 (en) | 2002-03-07 | 2008-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with contact structure and manufacturing method thereof |
| CN100405189C (en) * | 2000-02-02 | 2008-07-23 | 三洋电机株式会社 | Reflection type liquid crystal display device |
| CN100420035C (en) * | 2004-07-27 | 2008-09-17 | 三菱电机株式会社 | Thin film transistor array substrate and method of producing the same |
| WO2012017584A1 (en) * | 2010-08-03 | 2012-02-09 | シャープ株式会社 | Thin film transistor substrate |
-
1998
- 1998-04-28 JP JP11872898A patent/JP3754558B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405189C (en) * | 2000-02-02 | 2008-07-23 | 三洋电机株式会社 | Reflection type liquid crystal display device |
| US6833883B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-12-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for reflective and transflective liquid crystal display devices and manufacturing method for the same |
| US7450200B2 (en) | 2001-02-13 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for reflective and transflective liquid crystal display devices and manufacturing method for the same |
| KR100470020B1 (en) * | 2001-06-01 | 2005-02-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | A Transflective LCD and method for fabricating thereof |
| US7317208B2 (en) | 2002-03-07 | 2008-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with contact structure and manufacturing method thereof |
| US7972964B2 (en) | 2002-03-07 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with contact structure and manufacturing method thereof |
| CN100420035C (en) * | 2004-07-27 | 2008-09-17 | 三菱电机株式会社 | Thin film transistor array substrate and method of producing the same |
| US7470571B2 (en) | 2004-07-27 | 2008-12-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor array substrate and method of producing the same |
| JP2006093220A (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | Active matrix type display device and manufacturing method thereof |
| WO2012017584A1 (en) * | 2010-08-03 | 2012-02-09 | シャープ株式会社 | Thin film transistor substrate |
| JP5269254B2 (en) * | 2010-08-03 | 2013-08-21 | シャープ株式会社 | Thin film transistor substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3754558B2 (en) | 2006-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2812851B2 (en) | Reflective liquid crystal display | |
| US5418635A (en) | Liquid crystal device with a reflective substrate with bumps of photosensitive resin which have 2 or more heights and random configuration | |
| US7751014B2 (en) | Liquid-crystal display device | |
| JP5536986B2 (en) | Liquid crystal display | |
| KR100769505B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2793076B2 (en) | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR20050048561A (en) | Transflective type lcd and method for manufacturing the same | |
| JPH0627481A (en) | Reflective active matrix substrate, its production and liquid crystal display device | |
| KR20000035668A (en) | Reflection type liquid crystal display device | |
| JP3369502B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| JP2000089217A (en) | Reflective liquid crystal display device and its manufacture | |
| US20090079920A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| JP3564358B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP3754558B2 (en) | Reflective liquid crystal display | |
| JP3012421B2 (en) | Reflective liquid crystal display | |
| JP2005148745A (en) | Array substrate and its manufacturing method, and liquid crystal display having same | |
| JP3219391B2 (en) | Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| JP2740401B2 (en) | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JP2002341342A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2007240544A (en) | Liquid crystal display element | |
| JP4107047B2 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
| JP3074101B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP2000187208A (en) | Reflective liquid crystal display device and its manufacture | |
| JP2001281650A (en) | Reflection-type liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JPH11258589A (en) | Liquid crystal display element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051017 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |