JPH11307433A - Device and method for developing - Google Patents

Device and method for developing

Info

Publication number
JPH11307433A
JPH11307433A JP11396098A JP11396098A JPH11307433A JP H11307433 A JPH11307433 A JP H11307433A JP 11396098 A JP11396098 A JP 11396098A JP 11396098 A JP11396098 A JP 11396098A JP H11307433 A JPH11307433 A JP H11307433A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
developing solution
developing
developer
discharge nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11396098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Mimasaka
昌宏 美作
Seiichiro Okuda
誠一郎 奥田
Moritaka Yano
守隆 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11396098A priority Critical patent/JPH11307433A/en
Publication of JPH11307433A publication Critical patent/JPH11307433A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an developing device and method for improving the uniformity of pattern line width after development. SOLUTION: A developer jet nozzle 11 having a slit-shaped jet port is moved from one side position outside a substrate 100 held by a substrate holding part 1 in a static state through the substrate 100 to the other side position outside the substrate 100, and developer is supplied to the substrate 100. The substrate 100 held by the substrate holding part 1 is rotated the prescribed number of times after the lapse of a prescribed time since the end of the supply of the developer to the substrate 100 by the developer jet nozzle 11, and then the substrate 100 is held in a static state in a prescribed time by the substrate holding part 100. The rotation of the substrate 100 and the holding of the substrate 100 in the static state is repeated the prescribed number of times.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の感光性膜
に現像液を供給して現像処理を行う現像装置および現像
方法に関する。
The present invention relates to a developing apparatus and a developing method for performing a developing process by supplying a developing solution to a photosensitive film on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板上に形成された感光性膜に現像処理を行うために現
像装置が用いられる。
2. Description of the Related Art A developing device is used for developing a photosensitive film formed on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk.

【0003】例えば、回転式現像装置は、基板を水平に
保持して鉛直軸の周りで回転させる回転保持部と、基板
の表面に現像液を供給する現像液吐出ノズルとを備え
る。現像液吐出ノズルは、水平面内で回動自在に設けら
れたノズルアームの先端に取り付けられており、基板の
上方位置と待機位置との間を移動することができる。
[0003] For example, a rotary developing device includes a rotation holding unit that holds a substrate horizontally and rotates it around a vertical axis, and a developer discharge nozzle that supplies a developer to the surface of the substrate. The developer discharge nozzle is attached to the tip of a nozzle arm rotatably provided in a horizontal plane, and can move between a position above the substrate and a standby position.

【0004】現像処理時には、現像液吐出ノズルが待機
位置から基板の上方に移動した後、基板上のフォトレジ
スト等の感光性膜に現像液を供給する。供給された現像
液は、基板の回転によって基板の全面に塗り広げられ、
感光性膜と接触する。表面張力により基板上に現像液を
保持した状態(液盛り)で一定時間基板を静止させるこ
とにより感光性膜の現像が行われる。現像液の供給が終
了すると、現像液吐出ノズルはノズルアームの回動によ
り基板の上方から退いた待機位置に移動する。
[0004] During the developing process, the developer is supplied to a photosensitive film such as a photoresist on the substrate after the developer discharge nozzle moves from the standby position to above the substrate. The supplied developer is spread over the entire surface of the substrate by the rotation of the substrate,
Contact with photosensitive film. The development of the photosensitive film is performed by stopping the substrate for a certain period of time in a state in which the developer is held on the substrate by the surface tension (a liquid level). When the supply of the developer is completed, the developer discharge nozzle moves to a standby position retreated from above the substrate by the rotation of the nozzle arm.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の回転式現像装置では、回転する基板に吐出開始時
の現像液が当たることにより基板上の感光性膜が大きな
衝撃を受ける。その衝撃で現像液中に気泡が生じ、感光
性膜の表面に残留する微小な気泡が現像欠陥となる場合
がある。また、吐出開始時の現像液による衝撃で感光性
膜が損傷するおそれもある。
However, in the above-described conventional rotary developing device, the photosensitive film on the substrate is subjected to a large impact when the rotating substrate is exposed to the developing solution at the start of discharge. Bubbles are generated in the developer by the impact, and minute bubbles remaining on the surface of the photosensitive film may cause development defects. Further, the photosensitive film may be damaged by the impact of the developer at the start of the discharge.

【0006】近年、パターンの微細化に伴い、より精度
の高いレジストの性能が要求されるとともに、より精度
の高いレジスト現像方法が求められている。レジストの
性能に関しては、露光時における露光部と未露光部との
溶解速度の差(溶解コントラスト)が大きい程、現像後
に得られるレジストパターンの断面形状が良好になると
ともにレジストの解像度がより高くなり、微細なレジス
トパターンの形成が可能となる。したがって、現像時に
おける露光部と未露光部との溶解コントラストが大きい
ほど高性能のレジストであるとされている。
In recent years, along with miniaturization of patterns, more accurate resist performance has been demanded, and a more accurate resist developing method has been demanded. Regarding the performance of the resist, the larger the difference in dissolution rate between the exposed and unexposed parts during exposure (dissolution contrast), the better the cross-sectional shape of the resist pattern obtained after development and the higher the resolution of the resist. Thus, a fine resist pattern can be formed. Therefore, the higher the dissolution contrast between exposed and unexposed parts during development, the higher the performance of the resist.

【0007】溶解コントラストを向上させる手法の1つ
として、レジストの組成を調整することによりレジスト
に表面難溶化効果をもたせる方法がある。表面難溶化効
果とは、未露光部のレジストに現像液が接触すると、そ
の接触部分の溶解速度が極端に減少する効果である。
As one of the techniques for improving the dissolution contrast, there is a method of adjusting the composition of the resist so that the resist has a surface insolubilizing effect. The surface insolubilizing effect is an effect that when a developer contacts a resist in an unexposed portion, the dissolution rate of the contact portion is extremely reduced.

【0008】この表面難溶化効果は、レジストの表面へ
現像液を供給する初期段階における現像液の流動や物理
的衝撃により大きな影響を受けることが明らかとなっ
た。すなわち、現像液供給の初期段階で現像液の流動を
抑えると、表面難溶化効果が顕著に得られ、レジストの
パターン形状が向上することになる。また、基板の表面
に均一な衝撃力で現像液を供給することにより、表面難
溶化効果が基板の表面で均一に得られ、現像後のパター
ン線幅の均一性が向上する。
It has been clarified that the surface insolubilizing effect is greatly affected by the flow and physical impact of the developer in the initial stage of supplying the developer to the surface of the resist. That is, if the flow of the developing solution is suppressed in the initial stage of the supply of the developing solution, the effect of making the surface hardly soluble is obtained, and the pattern shape of the resist is improved. Further, by supplying the developing solution to the surface of the substrate with a uniform impact force, the effect of insolubilizing the surface is obtained uniformly on the surface of the substrate, and the uniformity of the pattern line width after development is improved.

【0009】そこで、本発明者は、スリット状吐出口を
有する現像液吐出ノズルから現像液を吐出しながら基板
上の一端から他端へ現像液吐出ノズルを直線状に移動さ
せることにより、現像液の供給の初期段階における基板
上の現像液の流動を抑えつつ基板上に均一な衝撃力で現
像液を供給する現像方法を提案している。
Therefore, the inventor of the present invention moves the developing solution discharging nozzle linearly from one end to the other end of the substrate while discharging the developing solution from the developing solution discharging nozzle having the slit-shaped discharging port. Has proposed a method of supplying a developer with a uniform impact force on a substrate while suppressing the flow of the developer on the substrate in an initial stage of supply of the developer.

【0010】しかしながら、本発明者のさらなる実験の
結果、上記の表面難溶化効果を有するレジストのうち、
ある特定の種類のレジストでは、スリット状吐出口を有
する現像液吐出ノズルにより現像液を供給した場合で
も、現像後のパターンの線幅が十分に均一にならないこ
とが判明した。
However, as a result of further experiments by the present inventors, among the resists having the surface insolubilizing effect described above,
It has been found that with a certain type of resist, the line width of the pattern after development is not sufficiently uniform even when the developer is supplied by a developer discharge nozzle having a slit-shaped discharge port.

【0011】本発明の目的は、現像後のパターン線幅の
均一性を向上させることができる現像装置および現像方
法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a developing apparatus and a developing method capable of improving the uniformity of a pattern line width after development.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
者は、ある特定の種類のレジストを用いた場合に現像後
のパターン線幅の均一性が十分でない現象が生じるのは
次の理由によるものと推測した。
The inventor of the present invention has found that when a certain kind of resist is used, the phenomenon that the uniformity of the pattern line width after development is insufficient is caused by the following reason. Guessed.

【0013】現像反応とは、レジストの感光剤の露光に
より現像液に可溶な反応基が生成され、その反応基と現
像液との中和反応によって感光剤とその周囲のレジスト
の樹脂成分とがともに現像液に溶解していく反応であ
る。樹脂成分は一般に数万以上の分子量をもつ高分子で
あり、溶解によっても液相と固相の区別が曖昧な状態、
すなわち一種の臨界状態で溶解反応が進行しているもの
と考えられる。一般に、溶液中では、輸送現象の1つで
ある濃度拡散により溶解物質は一様に散逸する方向に進
行するが、原理的に熱運動によるゆらぎの発生が避けら
れない。
The development reaction means that a reactive group soluble in a developing solution is generated by exposure of a resist to a photosensitive agent, and a neutralizing reaction between the reactive group and the developing solution causes a reaction between the photosensitive agent and a resin component of the resist around the photosensitive agent. Are both reactions that dissolve in the developer. The resin component is generally a polymer having a molecular weight of tens of thousands or more.
That is, it is considered that the dissolution reaction proceeds in a kind of critical state. Generally, in a solution, a dissolved substance uniformly disperses due to concentration diffusion, which is one of transport phenomena, but fluctuations due to thermal motion cannot be avoided in principle.

【0014】通常は、ゆらぎが発生しても熱運動中に崩
れていくが、特殊な外的条件下、たとえば臨界状態下で
は、ゆらぎが巨視的に観測可能な状態量まで成長しやす
いことが知られている。
Normally, even if a fluctuation occurs, it collapses during thermal motion, but under special external conditions, for example, under a critical state, the fluctuation may easily grow to a state quantity that can be macroscopically observed. Are known.

【0015】上記に理由により、レジストの溶解反応に
おいても、巨視的なゆらぎが成長して、溶解生成物の濃
度分布が一様でなく、部分的に凝集する部分が生じてい
る可能性がある。これにより、溶解生成物が凝集する部
分では、相対的に溶解反応のための現像液の濃度が低下
するため、この部分での現像後のパターン線幅にばらつ
きが生じ、パターン線幅の面内均一性が低下する現象を
引き起こしているものと考えられる。
[0015] For the above reason, macroscopic fluctuations may grow in the dissolution reaction of the resist, and the concentration distribution of the dissolved product may not be uniform, and there may be a portion that partially aggregates. . As a result, the concentration of the developing solution for the dissolution reaction relatively decreases in the portion where the dissolved product is aggregated, so that the pattern line width after development in this portion varies, and the in-plane pattern line width varies. It is considered that this causes a phenomenon that the uniformity is reduced.

【0016】このような現象は、現像反応がある程度進
行した時間的経過の後に発生するものであるので、現像
液の吐出過程、たとえば現像液の液盛り方式や現像液吐
出ノズルの改良等では有効な対策を講じることができな
い。
Since such a phenomenon occurs after a lapse of time after the development reaction has progressed to some extent, it is effective in the process of discharging the developing solution, for example, in the improvement of the developing solution filling method and the developing solution discharging nozzle. Measures cannot be taken.

【0017】そこで、本発明者は、溶解生成物の凝集が
現像反応がある程度進行した後に発生する点に着目し、
現像後のパターン線幅の均一性を向上させるべく以下の
発明を案出した。
Therefore, the present inventor has noticed that aggregation of the dissolved product occurs after the development reaction has progressed to some extent.
The following invention was devised to improve the uniformity of the pattern line width after development.

【0018】(1)第1の発明 第1の発明に係る現像装置は、基板を水平姿勢で保持す
る基板保持手段と、現像液を吐出する現像液吐出ノズル
と、基板保持手段に静止状態で保持された基板外の一方
側の位置から基板上を通過して基板外の他方側の位置ま
で現像液吐出ノズルを移動させる移動手段と、基板保持
手段を回転駆動する駆動手段と、現像液吐出ノズルによ
る基板上への現像液の供給終了から一定時間経過後、駆
動手段により基板保持手段に保持された基板を所定の回
転数で回転させた後に基板保持手段により基板を所定時
間静止状態で保持させる制御手段とを備えたものであ
る。
(1) First Invention A developing device according to a first invention comprises a substrate holding means for holding a substrate in a horizontal posture, a developing solution discharge nozzle for discharging a developing solution, and a stationary state on the substrate holding means. Moving means for moving the developer discharge nozzle from a position on one side outside the held substrate to a position on the other side outside the substrate from the position above the substrate, a driving means for rotating and driving the substrate holding means, After a lapse of a predetermined time from the end of the supply of the developing solution onto the substrate by the nozzle, the substrate held by the substrate holding unit is rotated at a predetermined rotation speed by the driving unit, and then the substrate is held stationary by the substrate holding unit for a predetermined time. And control means for causing the

【0019】本発明に係る現像装置においては、基板保
持手段に静止状態で保持された基板外の一方側の位置か
ら基板上を通過して基板外の他方側の位置まで現像液吐
出ノズルを移動させることにより、静止した基板上に現
像液が供給される。現像液吐出ノズルによる基板上への
現像液の供給終了から一定時間経過後、基板が所定の回
転数で回転し、その後基板が所定時間静止状態で保持さ
れる。
In the developing device according to the present invention, the developing solution discharge nozzle is moved from one position outside the substrate, which is held stationary by the substrate holding means, to the position on the other side outside the substrate by passing over the substrate. By doing so, the developer is supplied onto the stationary substrate. After a lapse of a predetermined time from the end of the supply of the developing solution onto the substrate by the developing solution discharge nozzle, the substrate is rotated at a predetermined number of revolutions, and then the substrate is kept stationary for a predetermined time.

【0020】現像液の供給終了から一定時間経過後に
は、現像の進行過程で溶解生成物が盛んに発生する。こ
の段階で、基板を所定の回転数で回転させ、その後静止
させることにより、ゆらぎの成長による溶解生成物の不
均一な凝集現象が物理的揺動により回避される。その結
果、現像後のパターン線幅の均一性が向上する。
After a certain period of time from the completion of the supply of the developer, dissolved products are actively generated in the course of development. At this stage, by rotating the substrate at a predetermined number of revolutions and then stopping, the non-uniform aggregation phenomenon of the dissolved product due to the growth of fluctuation is avoided by physical fluctuation. As a result, the uniformity of the pattern line width after development is improved.

【0021】(2)第2の発明 第2の発明に係る現像装置は、第1の発明に係る現像装
置の構成において、制御手段は、駆動手段による基板の
回転および基板保持手段による基板の静止状態での保持
を所定の回数繰り返すものである。
(2) Second Invention In a developing device according to a second aspect of the present invention, in the configuration of the developing device according to the first aspect of the present invention, the control means controls the rotation of the substrate by the driving means and the stationary state of the substrate by the substrate holding means. The holding in the state is repeated a predetermined number of times.

【0022】基板の回転および静止状態での保持を反復
することにより、ゆらぎの成長による溶解生成物の不均
一な凝集現象が効果的に回避される。したがって、現像
後のパターン線幅の均一性がさらに向上する。
By repeating the rotation of the substrate and the holding of the substrate in a stationary state, the phenomenon of non-uniform aggregation of dissolved products due to the growth of fluctuations can be effectively avoided. Therefore, the uniformity of the pattern line width after development is further improved.

【0023】(3)第3の発明 第3の発明に係る現像装置は、第1または第2の発明に
係る現像装置の構成において、制御手段は、駆動手段に
よる基板の回転ごとに回転方向を反転させるものであ
る。
(3) Third Invention In a developing device according to a third aspect of the present invention, in the configuration of the developing device according to the first or second aspect, the control means changes the rotation direction for each rotation of the substrate by the driving means. It is to reverse.

【0024】それにより、感光性膜に対する現像液の流
動の効果を均一化することができる。その結果、現像後
のパターン形状の対称性および矩形性が良好となる。
Thus, the effect of the flow of the developer on the photosensitive film can be made uniform. As a result, the symmetry and the rectangularity of the pattern shape after development are improved.

【0025】(4)第4の発明 第4の発明に係る現像装置は、第2または第3の発明に
係る現像装置の構成において、所定の回数は2回以上5
回以下であることを特徴する。これにより、ゆらぎの成
長による溶解生成物の不均一な凝集現象が十分に回避さ
れ、現像後のパターン線幅の均一性がより向上する。
(4) Fourth Invention In the developing device according to the fourth invention, in the configuration of the developing device according to the second or third invention, the predetermined number of times is two or more and five or more.
It is characterized by being less than times. Thereby, the phenomenon of non-uniform aggregation of dissolved products due to the growth of fluctuations is sufficiently avoided, and the uniformity of the pattern line width after development is further improved.

【0026】(5)第5の発明 第5の発明に係る現像装置は、第1〜第4のいずれかの
発明に係る現像装置の構成において、一定時間は1秒以
上5秒以下であることを特徴とする。これにより、ゆら
ぎの成長による溶解生成物の不均一な凝集現象が十分に
回避され、現像後のパターン線幅の均一性がより向上す
る。
(5) Fifth Invention In the developing device according to the fifth invention, in the configuration of the developing device according to any one of the first to fourth inventions, the fixed time is 1 second or more and 5 seconds or less. It is characterized by. Thereby, the phenomenon of non-uniform aggregation of dissolved products due to the growth of fluctuations is sufficiently avoided, and the uniformity of the pattern line width after development is further improved.

【0027】(6)第6の発明 第6の発明に係る現像装置は、第1〜第5のいずれかの
発明に係る現像装置の構成において、所定の回転数は5
rpm以上25rpm以下であることを特徴とする。こ
れにより、ゆらぎの成長による溶解生成物の不均一な凝
集現象が十分に回避され、現像後のパターン線幅の均一
性がより向上する。
(6) Sixth Invention According to a sixth aspect of the present invention, in the developing device according to any one of the first to fifth aspects, the predetermined number of rotations is 5 or more.
The rotation speed is not less than 25 rpm and not more than 25 rpm. Thereby, the phenomenon of non-uniform aggregation of dissolved products due to the growth of fluctuations is sufficiently avoided, and the uniformity of the pattern line width after development is further improved.

【0028】(7)第7の発明 第7の発明に係る現像装置は、第1〜第6のいずれかの
発明に係る現像装置の構成において、所定時間は0.5
秒以上5秒以下であることを特徴とする。これにより、
ゆらぎの成長による溶解生成物の不均一な凝集現象が十
分に回避され、現像後のパターン線幅の均一性がより向
上する。
(7) Seventh Invention In the developing device according to the seventh invention, in the configuration of the developing device according to any one of the first to sixth inventions, the predetermined time is 0.5.
It is characterized by being not less than seconds and not more than 5 seconds. This allows
The uneven aggregation phenomenon of the dissolved product due to the growth of fluctuation is sufficiently avoided, and the uniformity of the pattern line width after development is further improved.

【0029】(8)第8の発明 第8の発明に係る現像装置は、第1〜第7のいずれかの
発明に係る現像装置の構成において、現像液吐出ノズル
は、スリット状吐出口を有することを特徴とする。この
場合、現像液が一定幅の領域に同時に供給される。
(8) Eighth Invention In the developing device according to the eighth invention, in the configuration of the developing device according to any one of the first to seventh inventions, the developing solution discharge nozzle has a slit-shaped discharge port. It is characterized by the following. In this case, the developer is simultaneously supplied to a region having a constant width.

【0030】(9)第9の発明 第9の発明に係る現像装置は、第1〜第8のいずれかの
発明に係る現像装置の構成において、移動手段は、現像
液吐出ノズルをスリット状吐出口とほぼ垂直な方向に移
動させることを特徴とする。
(9) Ninth Invention According to a ninth aspect of the present invention, in the configuration of the developing device according to any one of the first to eighth aspects, the moving means includes a slit-shaped discharge nozzle for the developer discharging nozzle. It is characterized by being moved in a direction substantially perpendicular to the outlet.

【0031】この場合、現像液吐出ノズルのスリット状
吐出口が基板上を直線状に走査されるので、現像液を基
板上の広い面積に均一に供給することができる。
In this case, since the slit-shaped discharge port of the developing solution discharge nozzle is linearly scanned on the substrate, the developing solution can be uniformly supplied to a wide area on the substrate.

【0032】(10)第10の発明 第10の発明に係る現像方法は、基板保持手段に静止状
態で保持された基板外の一方側の位置から基板上を通過
して基板外の他方側の位置まで現像液吐出ノズルを移動
させつつ基板上に現像液を供給する工程と、現像液吐出
ノズルによる基板上への現像液の供給終了から一定時間
経過後、基板保持手段に保持された基板を所定の回転数
で回転させた後に基板保持手段により基板を所定時間静
止状態で保持させる工程とを備えたものである。
(10) Tenth Invention The developing method according to the tenth invention is directed to a developing method which passes over the substrate from one side outside the substrate and is held stationary by the substrate holding means, and the other side outside the substrate. Supplying the developing solution onto the substrate while moving the developing solution discharge nozzle to the position, and after a certain period of time from the end of the supply of the developing solution onto the substrate by the developing solution discharge nozzle, the substrate held by the substrate holding means is removed. Having the substrate held by the substrate holding means in a stationary state for a predetermined time after being rotated at a predetermined number of rotations.

【0033】本発明に係る現像方法においては、基板保
持手段に静止状態で保持された基板外の一方側の位置か
ら基板上を通過して基板外の他方側の位置まで現像液吐
出ノズルを移動させることにより、静止した基板上に現
像液が供給される。現像液吐出ノズルによる基板上への
現像液の供給終了から一定時間経過後、基板が所定の回
転数で回転し、その後基板が所定時間静止状態で保持さ
れる。
In the developing method according to the present invention, the developing solution discharge nozzle is moved from one position outside the substrate, which is held stationary by the substrate holding means, over the substrate to the other position outside the substrate. By doing so, the developer is supplied onto the stationary substrate. After a lapse of a predetermined time from the end of the supply of the developing solution onto the substrate by the developing solution discharge nozzle, the substrate is rotated at a predetermined number of revolutions, and then the substrate is kept stationary for a predetermined time.

【0034】現像液の供給終了から一定時間経過後に
は、現像の進行過程で溶解生成物が盛んに発生する。こ
の段階で、基板を所定の回転数で回転させ、その後静止
させることにより、ゆらぎの成長による溶解生成物の不
均一な凝集現象が物理的揺動により回避される。その結
果、現像後のパターン線幅の均一性が向上する。
After a certain period of time from the end of the supply of the developing solution, dissolved products are actively generated in the course of development. At this stage, by rotating the substrate at a predetermined number of revolutions and then stopping, the non-uniform aggregation phenomenon of the dissolved product due to the growth of fluctuation is avoided by physical fluctuation. As a result, the uniformity of the pattern line width after development is improved.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例における
現像装置の平面図、図2は図1の現像装置の主要部のX
−X線断面図、図3は図1の現像装置の主要部のY−Y
線断面図である。
FIG. 1 is a plan view of a developing device according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line X-Y of FIG.
It is a line sectional view.

【0036】図2および図3に示すように、現像装置
は、基板100を水平姿勢で吸引保持する基板保持部1
を備える。基板保持部1は、モータ2の回転軸3の先端
部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成さ
れている。基板保持部1の周囲には、基板100を取り
囲むように円形の内側カップ4が上下動自在に設けられ
ている。また、内側カップ4の周囲には、正方形の外側
カップ5が設けられている。
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the developing device includes a substrate holding section 1 for sucking and holding the substrate 100 in a horizontal posture.
Is provided. The substrate holding unit 1 is fixed to a tip of a rotating shaft 3 of a motor 2 and is configured to be rotatable around a vertical axis. Around the substrate holding portion 1, a circular inner cup 4 is provided so as to freely move up and down so as to surround the substrate 100. A square outer cup 5 is provided around the inner cup 4.

【0037】図1に示すように、外側カップ5の両側に
はそれぞれ待機ポット6,7が配置され、外側カップ5
の一方の側部側にはガイドレール8が配設されている。
また、ノズルアーム9がアーム駆動部10によりガイド
レール8に沿って走査方向Aおよびその逆方向に移動可
能に設けられている。外側カップ5の他方の側部側に
は、純水を吐出する純水吐出ノズル12が矢印Rの方向
に回動可能に設けられている。
As shown in FIG. 1, standby pots 6 and 7 are arranged on both sides of the outer cup 5, respectively.
A guide rail 8 is disposed on one side of the guide rail.
The nozzle arm 9 is provided so as to be movable in the scanning direction A and the opposite direction along the guide rail 8 by the arm driving unit 10. On the other side of the outer cup 5, a pure water discharge nozzle 12 for discharging pure water is provided rotatably in the direction of arrow R.

【0038】ノズルアーム9には、下端部にスリット状
吐出口15を有する現像液吐出ノズル11がガイドレー
ル8と垂直に取り付けられている。これにより、現像液
吐出ノズル11は、待機ポット6の位置から基板100
上を通過して待機ポット7の位置まで走査方向Aに沿っ
て直線状に平行移動可能となっている。
A developing solution discharge nozzle 11 having a slit-shaped discharge port 15 at the lower end thereof is attached to the nozzle arm 9 perpendicularly to the guide rail 8. As a result, the developer discharge nozzle 11 moves the substrate 100 from the position of the standby pot 6.
It is possible to move in a straight line parallel along the scanning direction A to the position of the standby pot 7 after passing through the upper side.

【0039】図2に示すように、現像液吐出ノズル11
には、現像液供給系14により現像液が供給される。制
御部13は、モータ2の回転動作、アーム駆動部10に
よる現像液吐出ノズル11の走査および現像液吐出ノズ
ル11からの現像液の吐出を制御する。
As shown in FIG. 2, the developing solution discharge nozzle 11
Is supplied with a developer by a developer supply system 14. The control unit 13 controls the rotation operation of the motor 2, the scanning of the developer discharge nozzle 11 by the arm drive unit 10, and the discharge of the developer from the developer discharge nozzle 11.

【0040】本実施例では、基板保持部1が基板保持手
段に相当し、アーム駆動部10が移動手段に相当し、モ
ータ2が駆動手段に相当し、制御部13が制御手段に相
当する。
In this embodiment, the substrate holding unit 1 corresponds to a substrate holding unit, the arm driving unit 10 corresponds to a moving unit, the motor 2 corresponds to a driving unit, and the control unit 13 corresponds to a control unit.

【0041】図4に示すように、スリット状吐出口15
は現像液吐出ノズル11の走査方向Aと垂直に配置され
る。スリット状吐出口15のスリット幅tは0.05〜
1.0mmであり、本実施例では0.2mmである。ま
た、スリット状吐出口15の吐出幅Lは、処理対象とな
る基板100の直径と同じかまたはそれよりも大きく設
定され、直径8インチの基板100を処理する場合に
は、本実施例では210mmに設定される。
As shown in FIG.
Are arranged perpendicular to the scanning direction A of the developer discharge nozzle 11. The slit width t of the slit-shaped discharge port 15 is 0.05 to
It is 1.0 mm, and in this embodiment, it is 0.2 mm. In addition, the discharge width L of the slit-shaped discharge port 15 is set to be equal to or larger than the diameter of the substrate 100 to be processed. When the substrate 100 having a diameter of 8 inches is processed, in this embodiment, 210 mm is used. Is set to

【0042】現像液吐出ノズル11は、底面が基板10
0の表面に対して平行な状態を保つように走査方向Aに
走査される。スリット状吐出口15と基板100の表面
との間隔は、0.2〜5mm、より好ましくは0.5〜
2mmであり、本実施例では1.5mmである。
The developing solution discharge nozzle 11 has a bottom surface
The scanning is performed in the scanning direction A so as to maintain a state parallel to the surface of the zero. The distance between the slit-shaped discharge port 15 and the surface of the substrate 100 is 0.2 to 5 mm, more preferably 0.5 to 5 mm.
It is 2 mm, and 1.5 mm in this embodiment.

【0043】次に、図5および図6を参照しながら図1
の現像装置の動作を説明する。図5(a)に示すよう
に、基板100は基板保持部1により静止状態で保持さ
れている。待機時には、現像液吐出ノズル11は、待機
ポット6内の位置P0に待機している。現像処理時に
は、現像液吐出ノズル11が上昇した後、走査方向Aに
移動し、外側カップ5内の走査開始位置P1で下降す
る。
Next, referring to FIGS. 5 and 6, FIG.
The operation of the developing device will be described. As shown in FIG. 5A, the substrate 100 is held by the substrate holding unit 1 in a stationary state. During standby, the developer discharge nozzle 11 is waiting at a position P <b> 0 in the standby pot 6. During the development processing, the developer discharge nozzle 11 moves up in the scanning direction A after rising, and then descends at the scanning start position P1 in the outer cup 5.

【0044】その後、現像液吐出ノズル11は、走査開
始位置P1から所定の走査速度で走査を開始する。この
時点では、現像液吐出ノズル11からまだ現像液の吐出
は行わない。本実施例では、走査速度は10〜500m
m/秒とする。
Thereafter, the developing solution discharge nozzle 11 starts scanning at a predetermined scanning speed from the scanning start position P1. At this time, the developer is not yet discharged from the developer discharge nozzle 11. In this embodiment, the scanning speed is 10 to 500 m
m / sec.

【0045】現像液吐出ノズル11の走査開始後、現像
液吐出ノズル11のスリット状吐出口15が基板100
上に到達する前に、吐出開始位置P2にて所定の流量で
現像液吐出ノズル11による現像液の吐出を開始する。
本実施例では、現像液の流量は1.2L/分とする。
After the scanning of the developing solution discharge nozzle 11 is started, the slit-shaped discharge port 15 of the developing solution discharging nozzle 11
Before reaching the upper side, the discharge of the developer by the developer discharge nozzle 11 is started at a predetermined flow rate at the discharge start position P2.
In this embodiment, the flow rate of the developer is set to 1.2 L / min.

【0046】現像液吐出ノズル11は、現像液を吐出し
ながら吐出開始位置P2から基板100上を走査方向A
に直線状に移動する(図6参照)。これにより、基板1
00の全面に現像液が連続的に供給される。供給された
現像液は、表面張力により基板100上に保持(液盛
り)される。
The developing solution discharge nozzle 11 scans the substrate 100 from the discharging start position P2 in the scanning direction A while discharging the developing solution.
(See FIG. 6). Thereby, the substrate 1
The developer is continuously supplied to the entire surface of No. 00. The supplied developer is held on the substrate 100 by the surface tension (a liquid level).

【0047】現像液吐出ノズル11が基板100上を通
過した後、基板100上から外れた吐出停止位置P3で
現像液吐出ノズル11による現像液の吐出を停止させ
る。そして、現像液吐出ノズル11が外側カップ5内の
走査停止位置P4に到達した時点で現像液吐出ノズル1
1の走査を停止させる。
After the developer discharge nozzle 11 has passed over the substrate 100, the discharge of the developer by the developer discharge nozzle 11 is stopped at the discharge stop position P3 off the substrate 100. When the developer discharge nozzle 11 reaches the scan stop position P4 in the outer cup 5, the developer discharge nozzle 1
1 is stopped.

【0048】その後、現像液吐出ノズル11は、走査停
止位置P4で上昇した後、他方の待機ポット7の位置P
5まで移動し、待機ポット7内に下降する。
Thereafter, the developing solution discharge nozzle 11 rises at the scanning stop position P4, and then moves to the position P of the other standby pot 7.
5 and descends into the standby pot 7.

【0049】図5(b)に示すように、液盛り終了後、
静止状態の基板100上に現像液が供給された状態を1
〜5秒、より望ましくは2〜4秒(本実施例では3秒)
維持する。
As shown in FIG. 5B, after completion of the liquid filling,
The state in which the developer is supplied to the stationary substrate 100 is defined as 1
~ 5 seconds, more preferably 2-4 seconds (3 seconds in this embodiment)
maintain.

【0050】その後、図5(c)に示すように、基板保
持部1により基板100を5〜25rpm、望ましくは
10〜20rpm(本実施例では15rpm)の回転速
度で回転させる。この場合の回転加速度は10〜300
rpm/秒、望ましくは20〜50rpm/秒(本実施
例では30rpm/秒)とする。基板100を1〜2秒
(本実施例では1.5秒)回転させた後、加速時と同様
の減速度で減速停止させる。
Thereafter, as shown in FIG. 5C, the substrate 100 is rotated by the substrate holder 1 at a rotation speed of 5 to 25 rpm, preferably 10 to 20 rpm (15 rpm in this embodiment). The rotational acceleration in this case is 10 to 300
rpm / sec, desirably 20 to 50 rpm / sec (30 rpm / sec in the present embodiment). After the substrate 100 is rotated for 1 to 2 seconds (1.5 seconds in this embodiment), the substrate 100 is decelerated and stopped at the same deceleration as during acceleration.

【0051】そして、図5(d)に示すように、基板1
00を0.5〜5秒(本実施例では2秒)静止状態で保
持する。
Then, as shown in FIG.
00 is kept in a stationary state for 0.5 to 5 seconds (2 seconds in this embodiment).

【0052】上記と同様の条件で図5(c)の基板10
0の回転および図5(d)の静止保持を2〜5回、望ま
しくは3回繰り返す。この際、基板100の回転ごとに
回転方向を反転させる。
Under the same conditions as above, the substrate 10 shown in FIG.
The rotation of 0 and the stationary holding of FIG. 5D are repeated 2 to 5 times, preferably 3 times. At this time, the rotation direction is reversed every time the substrate 100 rotates.

【0053】その後、たとえば回転数1000rpm程
度で基板100を回転させ、洗浄用のリンス液吐出ノズ
ル12から純水を基板100に供給し、現像の進行を停
止させるとともに純水でリンス処理を行う。
Thereafter, the substrate 100 is rotated, for example, at a rotation speed of about 1000 rpm, and pure water is supplied to the substrate 100 from the rinsing liquid discharge nozzle 12 for cleaning, the development is stopped, and a rinsing process is performed with pure water.

【0054】最後に、リンス液吐出ノズル12による純
水の供給を停止し、基板100をたとえば4000rp
mで回転させ、基板100から純水を振り切り、基板1
00を乾燥させる。その後、基板100の回転を停止
し、現像処理を終了する。
Finally, the supply of pure water by the rinsing liquid discharge nozzle 12 is stopped, and the substrate 100 is moved to, for example, 4000 rpm.
m, and shake off the pure water from the substrate 100.
Dry 00. After that, the rotation of the substrate 100 is stopped, and the developing process ends.

【0055】現像処理では、基板100への液盛りから
1〜5経過後に現像の進行過程で溶解生成物が盛んに発
生する。本実施例の現像方法によれば、液盛りから1〜
5秒経過後に基板100を複数回にわたって反復して低
速回転させることにより、ゆらぎの成長による溶解生成
物の不均一な凝縮現象を物理的揺動で効果的に回避する
ことができる。その結果、現像後のパターン線幅の面内
均一性が向上する。
In the development process, dissolved products are actively generated during the progress of the development after 1 to 5 lapses from the loading on the substrate 100. According to the developing method of the present embodiment, 1 to 1
By repeating the low-speed rotation of the substrate 100 a plurality of times after the lapse of 5 seconds, it is possible to effectively prevent the non-uniform condensation phenomenon of the dissolved product due to the growth of the fluctuation by physical fluctuation. As a result, the in-plane uniformity of the pattern line width after development is improved.

【0056】また、基板100の各回転ごとに回転方向
を反転させることにより、レジストパターンに対する現
像液の流動の効果を均一化することができる。その結
果、レジストパターン形状の対称性および矩形性が良好
となる。
Further, by inverting the direction of rotation for each rotation of the substrate 100, the effect of the flow of the developer on the resist pattern can be made uniform. As a result, the symmetry and the rectangularity of the resist pattern shape are improved.

【0057】以下、図5(c)の基板100の回転の工
程を攪拌工程と呼ぶ。ここで、図5(c)の攪拌工程の
回数、開始遅延時間、回転数、加速時間、減速時間およ
び時間間隔とパターン線幅の均一性との関係を測定し
た。その測定結果を表1〜表6および図7〜図12に示
す。図において、黒四角印は現像後のパターン線幅の平
均値を示し、黒丸印は3σを示す。σはパターン線幅の
標準偏差であり、3σは現像後のパターン線幅のばらつ
きの大きさを表す。各測定において、他の条件は現像後
のパターン線幅の均一性が最良となる条件を選択した。
Hereinafter, the step of rotating the substrate 100 in FIG. 5C is referred to as a stirring step. Here, the relationship between the number of times of the stirring step, the start delay time, the number of rotations, the acceleration time, the deceleration time, and the time interval of FIG. 5C and the uniformity of the pattern line width was measured. The measurement results are shown in Tables 1 to 6 and FIGS. In the figure, a black square indicates the average value of the pattern line width after development, and a black circle indicates 3σ. σ is the standard deviation of the pattern line width, and 3σ is the variation in the pattern line width after development. In each measurement, other conditions were selected such that the uniformity of the pattern line width after development was the best.

【0058】表1および図7に攪拌工程の回数と現像後
のパターン線幅および3σとの関係の測定結果を示す。
Table 1 and FIG. 7 show the measurement results of the relationship between the number of times of the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ.

【0059】[0059]

【表1】 [Table 1]

【0060】表1および図7に示すように、攪拌工程の
回数が3回のときに3σが最も小さくなっている。
As shown in Table 1 and FIG. 7, when the number of times of the stirring step is three, 3σ is the smallest.

【0061】表2および図8に攪拌工程の開始遅延時間
と現像後のパターン線幅および3σとの関係の測定結果
を示す。開始遅延時間とは、図5(b)において静止状
態の基板100上に現像液が供給された状態を維持する
時間である。
Table 2 and FIG. 8 show the measurement results of the relationship between the start delay time of the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ. The start delay time is a time during which the state in which the developing solution is supplied onto the substrate 100 in a stationary state in FIG. 5B is maintained.

【0062】[0062]

【表2】 [Table 2]

【0063】表2および図8に示すように、攪拌工程の
開始遅延時間が3.0秒の場合に3σが最小となってい
る。
As shown in Table 2 and FIG. 8, when the start delay time of the stirring step is 3.0 seconds, 3σ is minimum.

【0064】表3および図9に攪拌工程の回転数と現像
後のパターン線幅および3σとの関係の測定結果を示
す。
Table 3 and FIG. 9 show the measurement results of the relationship between the rotation speed in the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ.

【0065】[0065]

【表3】 [Table 3]

【0066】表3および図9に示すように、回転数が1
5rpmの場合に3σが最小となっている。
As shown in Table 3 and FIG.
In the case of 5 rpm, 3σ is minimum.

【0067】表4および図10に攪拌工程の加速時間と
現像後のパターン線幅および3σとの関係の測定結果を
示す。
Table 4 and FIG. 10 show the measurement results of the relationship between the acceleration time of the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ.

【0068】[0068]

【表4】 [Table 4]

【0069】表4および図10に示すように、加速時間
が0.50秒の場合に3σが最小となっている。
As shown in Table 4 and FIG. 10, when the acceleration time is 0.50 seconds, 3σ is minimum.

【0070】表5および図11に攪拌工程の減速時間と
現像後のパターン線幅および3σとの関係の測定結果を
示す。
Table 5 and FIG. 11 show the measurement results of the relationship between the deceleration time of the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ.

【0071】[0071]

【表5】 [Table 5]

【0072】表5および図11に示すように、減速時間
が0.50秒の場合に3σが最小となっている。
As shown in Table 5 and FIG. 11, when the deceleration time is 0.50 seconds, 3σ is minimum.

【0073】表6および図12に攪拌工程の時間間隔と
現像後のパターン線幅および3σとの関係の測定結果を
示す。攪拌工程の時間間隔とは、図5(d)において基
板100を静止保持する時間である。
Table 6 and FIG. 12 show the measurement results of the relationship between the time interval of the stirring step, the pattern line width after development, and 3σ. The time interval of the stirring step is a time during which the substrate 100 is kept stationary in FIG.

【0074】[0074]

【表6】 [Table 6]

【0075】表6および図12に示すように、攪拌工程
の時間間隔が1.00秒の場合に3σが最小となってい
る。
As shown in Table 6 and FIG. 12, when the time interval of the stirring step is 1.00 seconds, 3σ is minimum.

【0076】本実施例の現像方法によると、0.5μm
のラインパターンにおいてパターン線幅のばらつきを表
す3σが14nm以下になった。これに対して、図5
(c)の回転および図5(d)の静止保持の行わなかっ
た場合には、同様の0.5μmのラインパターンにおい
て3σが26〜32nm程度であった。このように、本
実施例の現像方法によれば、現像後のパターン線幅の面
内均一性が大幅に改善された。
According to the developing method of this embodiment, 0.5 μm
In the line pattern, 3σ representing the variation of the pattern line width became 14 nm or less. In contrast, FIG.
When the rotation shown in FIG. 5C and the stationary state shown in FIG. 5D were not performed, 3σ was about 26 to 32 nm in the same 0.5 μm line pattern. As described above, according to the developing method of the present embodiment, the in-plane uniformity of the pattern line width after the development was greatly improved.

【0077】また、本実施例の現像装置では、現像液吐
出ノズル11が静止した基板100上に到達する前に現
像液の吐出が開始されるので、吐出開始時の現像液が基
板100に衝撃を与えることが回避される。それによ
り、現像液中の気泡の発生が抑制され、現像欠陥の発生
が防止される。
Further, in the developing device of the present embodiment, the discharge of the developing solution is started before the developing solution discharging nozzle 11 reaches the stationary substrate 100, so that the developing solution at the start of the discharging may impact the substrate 100. Is avoided. Thereby, generation of bubbles in the developer is suppressed, and generation of development defects is prevented.

【0078】また、現像液吐出ノズル11の移動中に空
気に接触するスリット状吐出口15付近の現像液が基板
100外に廃棄され、現像液吐出ノズル11が基板10
0上に到達した時点で現像液吐出ノズル11から新しい
現像液が静止した基板100上に供給される。それによ
り、変質した現像液により現像欠陥が発生することが防
止されるとともに、現像液が乾燥することで発生するパ
ーティクルが基板100上の感光性膜の表面に付着する
ことが防止される。
Further, while the developing solution discharge nozzle 11 is moving, the developing solution near the slit-shaped discharge port 15 which comes into contact with the air is discarded outside the substrate 100, and the developing solution discharge nozzle 11
At the time when the developer reaches 0, a new developer is supplied from the developer discharge nozzle 11 onto the stationary substrate 100. This prevents development defects caused by the deteriorated developer solution and prevents particles generated by drying the developer solution from adhering to the surface of the photosensitive film on the substrate 100.

【0079】さらに、現像液吐出ノズル11が静止した
基板100上をスリット状吐出口15と基板100の上
面とが近接した状態で水平方向に直線状に平行移動し、
スリット状吐出口15に形成された帯状の現像液が基板
100の表面に連続的に接触するので、基板100の表
面に衝撃が加わることなく基板100の全面に現像液が
均一に供給される。
Further, the developing solution discharge nozzle 11 is horizontally and linearly moved in parallel with the slit-shaped discharge port 15 and the upper surface of the substrate 100 on the substrate 100 on which the developing solution discharge nozzle 11 is stationary.
Since the strip-shaped developer formed in the slit-shaped discharge port 15 continuously contacts the surface of the substrate 100, the developer is uniformly supplied to the entire surface of the substrate 100 without applying an impact to the surface of the substrate 100.

【0080】また、現像液吐出ノズル11が基板100
上を通過するまで現像液の供給が続けられるので、吐出
停止時の衝撃による液盛り中の現像液への悪影響が防止
される。その結果、現像欠陥の発生が抑制されるととも
に、現像後の感光性膜パターンの線幅均一性が向上す
る。
Further, the developing solution discharge nozzle 11 is
Since the supply of the developer is continued until the developer passes above, an adverse effect on the developer in the liquid pool due to the impact at the time of stopping the discharge is prevented. As a result, the occurrence of development defects is suppressed, and the line width uniformity of the photosensitive film pattern after development is improved.

【0081】また、現像液吐出ノズル11が基板100
上を通り過ぎた後に現像液の吐出が停止されるので、吐
出停止時の現像液の液だれにより基板100上の感光性
膜に衝撃が加わることが防止される。したがって、現像
欠陥の発生や感光性膜パターンの線幅均一性の劣化が防
止される。
Further, the developing solution discharge nozzle 11 is
Since the discharge of the developer is stopped after passing over, the impact of the dripping of the developer at the time of stopping the discharge on the photosensitive film on the substrate 100 is prevented. Therefore, occurrence of development defects and deterioration of line width uniformity of the photosensitive film pattern are prevented.

【0082】なお、上記実施例では、本発明をスリット
状吐出口を有する現像液吐出ノズルを用いた現像装置お
よび現像方法に適用した場合を説明したが、本発明は、
静止状態の基板上に現像液を供給し、基板上に保持され
た現像液で現像処理を行うパドル現像方式の現像装置お
よび現像方法であれば、他の現像液吐出ノズルを用いた
現像装置および現像方法にも適用することができる。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a developing apparatus and a developing method using a developing solution discharge nozzle having a slit-shaped discharge port has been described.
If a developing device and a developing method of a paddle developing method of supplying a developing solution to a substrate in a stationary state and performing a developing process with the developing solution held on the substrate, a developing device using another developing solution discharge nozzle and The present invention can be applied to a developing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における現像装置の平面図で
ある。
FIG. 1 is a plan view of a developing device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の現像装置の主要部のX−X線断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of a main part of the developing device of FIG.

【図3】図1の現像装置の主要部のY−Y線断面図であ
る。
FIG. 3 is a sectional view taken along line YY of a main part of the developing device of FIG.

【図4】現像液吐出ノズルのスリット状吐出口を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a slit-shaped discharge port of a developer discharge nozzle.

【図5】図1の現像装置の動作を説明するための図であ
る。
FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the developing device of FIG. 1;

【図6】基板上での現像液吐出ノズルの走査を示す平面
図である。
FIG. 6 is a plan view showing scanning of a developing solution discharge nozzle on a substrate.

【図7】攪拌工程の回数と現像後のパターン線幅および
そのばらつきとの関係の測定結果を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a measurement result of a relationship between the number of times of a stirring process and a pattern line width after development and a variation thereof.

【図8】攪拌工程の開始遅延時間と現像後のパターン線
幅およびそのばらつきとの関係の測定結果を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a measurement result of a relationship between a start delay time of a stirring process and a pattern line width after development and a variation thereof.

【図9】攪拌工程の回転数と現像後のパターン線幅およ
びそのばらつきとの関係の測定結果を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a measurement result of a relationship between the number of rotations in a stirring process and a pattern line width after development and a variation thereof.

【図10】攪拌工程の加速時間と現像後のパターン線幅
およびそのばらつきとの関係の測定結果を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a measurement result of a relationship between an acceleration time of a stirring process, a pattern line width after development, and a variation thereof.

【図11】攪拌工程の減速時間と現像後のパターン線幅
およびそのばらつきとの関係の測定結果を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a measurement result of a relationship between a deceleration time of a stirring process and a pattern line width after development and a variation thereof.

【図12】攪拌工程の時間間隔と現像後のパターン線幅
およびそのばらつきとの関係の測定結果を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing a measurement result of a relationship between a time interval of a stirring process, a pattern line width after development, and its variation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板保持部 8 ガイドレール 9 ノズルアーム 10 ノズル駆動部 11 現像液吐出ノズル 14 現像液供給系 13 制御部 15 スリット状吐出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate holding part 8 Guide rail 9 Nozzle arm 10 Nozzle drive part 11 Developer discharge nozzle 14 Developer supply system 13 Control part 15 Slit-shaped discharge port

フロントページの続き (72)発明者 矢野 守隆 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内Continuing from the front page (72) Inventor Moritaka Yano 4-chome Tenjin Kitamachi 1-chome, Horikawa-dori Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段
と、 現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、 前記基板保持手段に静止状態で保持された基板外の一方
側の位置から前記基板上を通過して基板外の他方側の位
置まで前記現像液吐出ノズルを移動させる移動手段と、 前記基板保持手段を回転駆動する駆動手段と、 前記現像液吐出ノズルによる基板上への現像液の供給終
了から一定時間経過後、前記駆動手段により前記基板保
持手段に保持された基板を所定の回転数で回転させた後
に前記基板保持手段により基板を所定時間静止状態で保
持させる制御手段とを備えたことを特徴とする現像装
置。
1. A substrate holding means for holding a substrate in a horizontal posture, a developing solution discharge nozzle for discharging a developing solution, and a position on one side outside the substrate which is held by the substrate holding means in a stationary state. Moving means for moving the developing solution discharge nozzle to a position on the other side outside the substrate, driving means for rotating and driving the substrate holding means, supply of the developing solution onto the substrate by the developing solution discharge nozzle Control means for rotating the substrate held by the substrate holding means by a predetermined number of revolutions after a lapse of a predetermined time from the end, and then holding the substrate in a stationary state for a predetermined time by the substrate holding means. A developing device, characterized in that:
【請求項2】 前記制御手段は、前記駆動手段による基
板の回転および前記基板保持手段による基板の静止状態
での保持を所定の回数繰り返すことを特徴とする請求項
1記載の現像装置。
2. The developing apparatus according to claim 1, wherein the control unit repeats the rotation of the substrate by the driving unit and the holding of the substrate in a stationary state by the substrate holding unit a predetermined number of times.
【請求項3】 前記制御手段は、前記駆動手段による基
板の回転ごとに回転方向を反転させることを特徴とする
請求項2記載の現像装置。
3. The developing device according to claim 2, wherein said control means reverses the direction of rotation each time the driving means rotates the substrate.
【請求項4】 前記所定の回数は2回以上5回以下であ
ることを特徴する請求項2または3記載の現像装置。
4. The developing device according to claim 2, wherein the predetermined number is two or more and five or less.
【請求項5】 前記一定時間は1秒以上5秒以下である
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の現像
装置。
5. The developing device according to claim 1, wherein the predetermined time is 1 second or more and 5 seconds or less.
【請求項6】 前記所定の回転数は5rpm以上25r
pm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
かに記載の現像装置。
6. The predetermined rotation speed is not less than 5 rpm and not more than 25 r.
pm or less.
【請求項7】 前記所定時間は0.5秒以上5秒以下で
あることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の
現像装置。
7. The developing device according to claim 1, wherein the predetermined time is 0.5 seconds or more and 5 seconds or less.
【請求項8】 前記現像液吐出ノズルは、スリット状吐
出口を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか
に記載の現像装置。
8. The developing device according to claim 1, wherein the developing solution discharge nozzle has a slit-shaped discharge port.
【請求項9】 前記移動手段は、前記現像液吐出ノズル
を前記スリット状吐出口とほぼ垂直な方向に移動させる
ことを特徴とする請求項8記載の現像装置。
9. The developing device according to claim 8, wherein said moving means moves said developing solution discharge nozzle in a direction substantially perpendicular to said slit-shaped discharge port.
【請求項10】 基板保持手段に静止状態で保持された
基板外の一方側の位置から基板上を通過して基板外の他
方側の位置まで現像液吐出ノズルを移動させつつ基板上
に現像液を供給する工程と、 前記現像液吐出ノズルによる基板上への現像液の供給終
了から一定時間経過後、前記基板保持手段に保持された
基板を所定の回転数で回転させた後に前記基板保持手段
により基板を所定時間静止状態で保持させる工程とを備
えたことを特徴とする現像方法。
10. A developing solution discharge nozzle is moved from one position outside the substrate, held stationary by the substrate holding means, over the substrate to the other position outside the substrate while moving the developing solution onto the substrate. Supplying the developing solution onto the substrate by the developing solution discharge nozzle, and after a lapse of a predetermined time, rotating the substrate held by the substrate holding device at a predetermined number of revolutions, and then rotating the substrate holding device. And holding the substrate in a stationary state for a predetermined period of time.
JP11396098A 1998-04-23 1998-04-23 Device and method for developing Pending JPH11307433A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11396098A JPH11307433A (en) 1998-04-23 1998-04-23 Device and method for developing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11396098A JPH11307433A (en) 1998-04-23 1998-04-23 Device and method for developing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11307433A true JPH11307433A (en) 1999-11-05

Family

ID=14625527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11396098A Pending JPH11307433A (en) 1998-04-23 1998-04-23 Device and method for developing

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11307433A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6579382B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
US7208262B2 (en) 1998-09-17 2007-04-24 Asml Holdings N.V. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
JP2007273567A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp Substrate-treating device, substrate treatment method, and manufacturing method of substrate
JP2016021597A (en) * 2015-10-05 2016-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, recording medium with computer program for execution of substrate processing method stored therein, and substrate processing apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208262B2 (en) 1998-09-17 2007-04-24 Asml Holdings N.V. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US7255975B2 (en) 1998-09-17 2007-08-14 Asml Holding N.V. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US7625692B2 (en) 1998-09-17 2009-12-01 Asml Holding N.V. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US6579382B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
US6709531B2 (en) 2000-02-17 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
US7067033B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate
JP2007273567A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp Substrate-treating device, substrate treatment method, and manufacturing method of substrate
JP2016021597A (en) * 2015-10-05 2016-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method, recording medium with computer program for execution of substrate processing method stored therein, and substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6265323B1 (en) Substrate processing method and apparatus
US7387455B2 (en) Substrate processing device, substrate processing method, and developing device
JP2002252167A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method using the same
US20090042149A1 (en) Rinsing method and developing method
TWI228755B (en) Chemical liquid processing apparatus and the method thereof
JPH11329960A (en) Substrate processing method and device therefor
JPH1116830A (en) Developing device and method and substrate treating device
JP6370282B2 (en) Development processing method and development processing apparatus
JP2008041722A (en) Method and device for processing substrate
US6632476B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP3580664B2 (en) Developing device and developing method
JPH11307433A (en) Device and method for developing
JP3811082B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6749351B2 (en) Apparatus for developing substrate
JPH11244760A (en) Substrate treating device
JP2000068188A (en) Apparatus and method for development
JP4024351B2 (en) Development device
JP2002184679A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4011040B2 (en) Developing apparatus and developing method
JPH09260278A (en) Resist developing method and resist developing equipment
JP4189279B2 (en) Substrate processing equipment
JP2011077120A (en) Method of developing resist film
JP4490555B2 (en) Photoresist layer development method
JP4723631B2 (en) Development processing method, program, computer storage medium, and development processing apparatus
JPH11145044A (en) Developing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040203

A521 Written amendment

Effective date: 20040319

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20040413

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20040727

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02