JPH11298208A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JPH11298208A JPH11298208A JP10264598A JP10264598A JPH11298208A JP H11298208 A JPH11298208 A JP H11298208A JP 10264598 A JP10264598 A JP 10264598A JP 10264598 A JP10264598 A JP 10264598A JP H11298208 A JPH11298208 A JP H11298208A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、低電力時および高電力時の挿入損失
特性や相互混変調歪を改善した、パターン導体にスリッ
トを有する非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 パターン導体３にスリット９を有する非
可逆回路素子において、パターン導体３の特定の端子
６、７間のスリットをなくす。スリット９としてはパタ
ーン導体円周からほぼ中心方向に向かう第一スリット９
の他に第一スリット９の延長方向に対して片側又は両側
に延びる第二スリットがあってもよい。
特性や相互混変調歪を改善した、パターン導体にスリッ
トを有する非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 パターン導体３にスリット９を有する非
可逆回路素子において、パターン導体３の特定の端子
６、７間のスリットをなくす。スリット９としてはパタ
ーン導体円周からほぼ中心方向に向かう第一スリット９
の他に第一スリット９の延長方向に対して片側又は両側
に延びる第二スリットがあってもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波回路な
どに用いる非可逆回路素子に関する。
どに用いる非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波回路ではインピーダンス整合
や雑音指数の改善、あるいは発振や増幅の安定化などの
ために、サーキュレータやサーキュレータの一つの端子
を無反射終端したアイソレータなどの非可逆回路素子が
多く使用されている。
や雑音指数の改善、あるいは発振や増幅の安定化などの
ために、サーキュレータやサーキュレータの一つの端子
を無反射終端したアイソレータなどの非可逆回路素子が
多く使用されている。
【０００３】図８は、従来の一般的な非可逆回路素子で
あるマイクロストリップ線路型３端子サーキュレータを
斜視図で示す。１はフェライト基板で、フェライト基板
１の裏面には地導体２が形成され、またフェライト基板
１の表面にはパターン導体３が形成されている。パター
ン導体３の上方には磁石４が設けられ、パターン導体３
と磁石４の間には非磁性体のスペーサ５が配置されてい
る。また、パターン導体３の周辺にはほぼ１２０度の間
隔で３個の端子６、７、８が設けられている。なお、地
導体２やパターン導体３はフェライト基板１に密着して
いる。
あるマイクロストリップ線路型３端子サーキュレータを
斜視図で示す。１はフェライト基板で、フェライト基板
１の裏面には地導体２が形成され、またフェライト基板
１の表面にはパターン導体３が形成されている。パター
ン導体３の上方には磁石４が設けられ、パターン導体３
と磁石４の間には非磁性体のスペーサ５が配置されてい
る。また、パターン導体３の周辺にはほぼ１２０度の間
隔で３個の端子６、７、８が設けられている。なお、地
導体２やパターン導体３はフェライト基板１に密着して
いる。
【０００４】近年、マイクロ波半導体やその他の受動素
子、誘電体基板材料の著しい発達によってマイクロ波回
路の小形化が進み、平面回路によるマイクロ波集積回路
が主流になっている。非可逆回路素子はこのようなマイ
クロ波集積回路の中でも占有面積が大きく、従って小形
化が要求されている。
子、誘電体基板材料の著しい発達によってマイクロ波回
路の小形化が進み、平面回路によるマイクロ波集積回路
が主流になっている。非可逆回路素子はこのようなマイ
クロ波集積回路の中でも占有面積が大きく、従って小形
化が要求されている。
【０００５】非可逆回路素子の小形化の方法としては種
々の提案がなされ、集中定数化はその中の有力な提案の
一つである。しかし、集中定数型は周波数が高くなると
構造上の問題から耐電力性が低下するなどの問題があ
る。また、１〜２ＧＨｚの周波数帯は集中定数型か分布
定数型かの境界となる周波数帯であり、分布定数型にお
ける小形化が望まれている。
々の提案がなされ、集中定数化はその中の有力な提案の
一つである。しかし、集中定数型は周波数が高くなると
構造上の問題から耐電力性が低下するなどの問題があ
る。また、１〜２ＧＨｚの周波数帯は集中定数型か分布
定数型かの境界となる周波数帯であり、分布定数型にお
ける小形化が望まれている。
【０００６】このような事情から、分布定数型に対して
も小形化の提案がなされている。図９は小形化の例であ
り、IEEE TRANSACTION ON MICROWAVE THEORY AND TECHN
IQUES, VOL. MTT-28, NO.6, JUNE,1980, pp616-621に掲
載されている。平面図である図９において、符号３は半
径Ｒの円形のパターン導体で、パターン導体３の円周部
分に３個の入出力端子６、７、８が形成されている。そ
して、端子６、７、８それぞれに対面となる円周部分に
中心方向に向かう長さＳのスリット９が形成されてい
る。スリット９の長さＳが大きくなるほどパターン導体
３のモード共振周波数は低下することが示されている。
も小形化の提案がなされている。図９は小形化の例であ
り、IEEE TRANSACTION ON MICROWAVE THEORY AND TECHN
IQUES, VOL. MTT-28, NO.6, JUNE,1980, pp616-621に掲
載されている。平面図である図９において、符号３は半
径Ｒの円形のパターン導体で、パターン導体３の円周部
分に３個の入出力端子６、７、８が形成されている。そ
して、端子６、７、８それぞれに対面となる円周部分に
中心方向に向かう長さＳのスリット９が形成されてい
る。スリット９の長さＳが大きくなるほどパターン導体
３のモード共振周波数は低下することが示されている。
【０００７】また、同じような例として MICROWAVE SYS
TEM NEWS, JUNE/JULY, 1975, pp.50に発表されたものを
図１０に平面図で示した。さらに、上記例の電力特性を
改善した提案として特許出願番号 平成７年第３２６８
５０号の例を図１１に平面図で示す。図１１は、半径Ｒ
の円形のパターン導体３の円周部分に３個の端子６、
７、８が形成されている。そして、端子６、７、８それ
ぞれに対面となる円周部分に中心方向に向かう長さＳ、
幅ｄのスリット９が形成されている。パターン導体３の
中心に近いスリット９の端にはスリット１４がスリット
９と垂直にスリット９の両側に設けられている。
TEM NEWS, JUNE/JULY, 1975, pp.50に発表されたものを
図１０に平面図で示した。さらに、上記例の電力特性を
改善した提案として特許出願番号 平成７年第３２６８
５０号の例を図１１に平面図で示す。図１１は、半径Ｒ
の円形のパターン導体３の円周部分に３個の端子６、
７、８が形成されている。そして、端子６、７、８それ
ぞれに対面となる円周部分に中心方向に向かう長さＳ、
幅ｄのスリット９が形成されている。パターン導体３の
中心に近いスリット９の端にはスリット１４がスリット
９と垂直にスリット９の両側に設けられている。
【０００８】いずれも、円形パターン導体３の直径で決
まる従来の共振周波数がスリット９の形成によって低下
し、いいかえれば小形化が可能である。
まる従来の共振周波数がスリット９の形成によって低下
し、いいかえれば小形化が可能である。
【０００９】しかし、以上の図９、図１０および図１１
による小形化する方法は、スリットの長さがパターン導
体の中心に近づくと挿入損失が増加することが実験的に
確かめられている。図１２は、周波数２ＧＨｚにおいて
厚さ１ｍｍのフェライト基板に幅０．２５ｍｍのスリッ
トを施した直径１８ｍｍのパターン導体を設置した場合
の、スリットの長さＳ（横軸、ｍｍ）と非可逆回路素子
の挿入損失Ｌ（縦軸、ｄＢ）の関係を示す実験データで
ある。
による小形化する方法は、スリットの長さがパターン導
体の中心に近づくと挿入損失が増加することが実験的に
確かめられている。図１２は、周波数２ＧＨｚにおいて
厚さ１ｍｍのフェライト基板に幅０．２５ｍｍのスリッ
トを施した直径１８ｍｍのパターン導体を設置した場合
の、スリットの長さＳ（横軸、ｍｍ）と非可逆回路素子
の挿入損失Ｌ（縦軸、ｄＢ）の関係を示す実験データで
ある。
【００１０】このように挿入損失が増加する理由とし
て、スリットを設けたことにより入力端子から出力端子
へのマイクロ波信号の伝送距離が長くなることが原因と
考えられる。
て、スリットを設けたことにより入力端子から出力端子
へのマイクロ波信号の伝送距離が長くなることが原因と
考えられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１３は、スリットＳ
のないとき（Ｓ＝０）とあるとき（Ｓ）の挿入損失の電
力特性を示したグラフである。図１３の横軸は入力電力
Ｐi （Ｗ）であり、縦軸は挿入損失Ｌ（ｄＢ）である。
このグラフによりスリット９を設けるとその長さに関係
して低い入力電力で挿入損失が増加し始めることがわか
る。
のないとき（Ｓ＝０）とあるとき（Ｓ）の挿入損失の電
力特性を示したグラフである。図１３の横軸は入力電力
Ｐi （Ｗ）であり、縦軸は挿入損失Ｌ（ｄＢ）である。
このグラフによりスリット９を設けるとその長さに関係
して低い入力電力で挿入損失が増加し始めることがわか
る。
【００１２】この原因はやはりスリット９の近傍におけ
る高周波電流の集中によって高周波磁界強度が強まり、
非直線現象が生じていることによる。従って、低電力時
では挿入損失が低くても高電力時には挿入損失が増加
し、例えばマイクロ波増幅器に使用した場合、非可逆回
路素子の出力側における電力が低下する不具合が生じ
る。さらに、近年通信のディジタル化に伴う多周波増幅
器の使用において、非可逆回路素子に非直線現象が生じ
ると所望の信号の近傍に相互混変調による疑似信号が現
れ、通信の信頼性を損なう欠点が生じる。
る高周波電流の集中によって高周波磁界強度が強まり、
非直線現象が生じていることによる。従って、低電力時
では挿入損失が低くても高電力時には挿入損失が増加
し、例えばマイクロ波増幅器に使用した場合、非可逆回
路素子の出力側における電力が低下する不具合が生じ
る。さらに、近年通信のディジタル化に伴う多周波増幅
器の使用において、非可逆回路素子に非直線現象が生じ
ると所望の信号の近傍に相互混変調による疑似信号が現
れ、通信の信頼性を損なう欠点が生じる。
【００１３】本発明は、上記のような欠点を解決するも
ので、パターン導体にスリットを設けた場合の挿入損失
の増加や相互混変調特性の悪化を少なくした非可逆回路
素子を提供することを目的とする。
ので、パターン導体にスリットを設けた場合の挿入損失
の増加や相互混変調特性の悪化を少なくした非可逆回路
素子を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、フェライト基板と、前記フェライト基板の
一方の面に形成された地導体と、前記フェライト基板の
他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を有し、
所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けら
れたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁界を与
える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型の非可
逆回路素子において、前記パターン導体の特定の端子間
にはスリットのないことを特徴とする。
め本発明は、フェライト基板と、前記フェライト基板の
一方の面に形成された地導体と、前記フェライト基板の
他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を有し、
所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けら
れたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁界を与
える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型の非可
逆回路素子において、前記パターン導体の特定の端子間
にはスリットのないことを特徴とする。
【００１５】また、周辺に複数の端子を有し、かつ、所
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型のサーキュレータである非可逆回路素子におい
て、特定の端子間にはスリットのないことを特徴とす
る。
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型のサーキュレータである非可逆回路素子におい
て、特定の端子間にはスリットのないことを特徴とす
る。
【００１６】また、パターン導体が、送信モジュールが
接続された第一の端子と、アンテナが接続された第二の
端子と、受信モジュールが接続された第三の端子とを有
し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリットが
なく、他の端子間にはスリットがあることを特徴とす
る。
接続された第一の端子と、アンテナが接続された第二の
端子と、受信モジュールが接続された第三の端子とを有
し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリットが
なく、他の端子間にはスリットがあることを特徴とす
る。
【００１７】また、スリットの延長方向に対して両側に
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
【００１８】また、スリットの延長方向に対して片側に
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
【００１９】上記構成によれば、すべての端子間にスリ
ットが存在する構造の非可逆回路素子に比べ、小形化率
は極めてわずかに減少するが、特定の端子間が高電力を
取り扱う場合、スリットがなければ電流集中による非直
線現象が生じにくく、従って小さい挿入損失でマイクロ
波信号を伝送することができる。また、非直線現象が生
じない電力レベルにおいてもスリットのない端子間の挿
入損失はスリットが存在する端子間よりも小さくなる。
ットが存在する構造の非可逆回路素子に比べ、小形化率
は極めてわずかに減少するが、特定の端子間が高電力を
取り扱う場合、スリットがなければ電流集中による非直
線現象が生じにくく、従って小さい挿入損失でマイクロ
波信号を伝送することができる。また、非直線現象が生
じない電力レベルにおいてもスリットのない端子間の挿
入損失はスリットが存在する端子間よりも小さくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
を参照して説明する。図１は概略の斜視図である。
を参照して説明する。図１は概略の斜視図である。
【００２１】符号１はフェライト基板で、フェライト基
板１の裏面には地導体２が形成され、またフェライト基
板１の表面には半径Ｒの円形のパターン導体３が形成さ
れている。パターン導体３の上方には磁石４が設けら
れ、パターン導体３と磁石４の間には非磁性体のスペー
サ５が配置されている。また、パターン導体３の周辺に
はほぼ１２０度の間隔で３個の端子６、７、８が設けら
れている。なお、地導体２やパターン導体３はフェライ
ト基板１に密着している。
板１の裏面には地導体２が形成され、またフェライト基
板１の表面には半径Ｒの円形のパターン導体３が形成さ
れている。パターン導体３の上方には磁石４が設けら
れ、パターン導体３と磁石４の間には非磁性体のスペー
サ５が配置されている。また、パターン導体３の周辺に
はほぼ１２０度の間隔で３個の端子６、７、８が設けら
れている。なお、地導体２やパターン導体３はフェライ
ト基板１に密着している。
【００２２】また、端子６、７にほぼ対面するパターン
導体３の円周部分には、それぞれ長さＳの直線状のスリ
ット９が中心方向に向かって設けられている。端子８に
ほぼ対面するパターン導体３の円周部分にはスリットが
ない。また、設計パラメータも前述したものと同じにな
っている。
導体３の円周部分には、それぞれ長さＳの直線状のスリ
ット９が中心方向に向かって設けられている。端子８に
ほぼ対面するパターン導体３の円周部分にはスリットが
ない。また、設計パラメータも前述したものと同じにな
っている。
【００２３】ここで、図１のパターン導体を用いて非可
逆回路素子を構成した場合において、端子７、８間およ
び８、６間の伝送特性はスリット９のため低電力時の挿
入損失および高電力時の非直線現象による損失増加が現
れる。端子間にスリット９のない６、７の端子間はパタ
ーン導体３の中心部を流れる高周波電流の集中がなくな
り、端子６、７間の挿入損失の増加および高電力時の非
直線現象も抑制され、相互変調歪も改善される。
逆回路素子を構成した場合において、端子７、８間およ
び８、６間の伝送特性はスリット９のため低電力時の挿
入損失および高電力時の非直線現象による損失増加が現
れる。端子間にスリット９のない６、７の端子間はパタ
ーン導体３の中心部を流れる高周波電流の集中がなくな
り、端子６、７間の挿入損失の増加および高電力時の非
直線現象も抑制され、相互変調歪も改善される。
【００２４】図２は本発明の図１の構造による非可逆回
路素子の挿入損失の電力特性を示したもので、横軸は入
力電力（Ｗ）、縦軸は挿入損失（ｄＢ）である。破線は
端子７、８間の挿入損失、実線は端子６、７間の挿入損
失を表している。これからわかるようにスリット９のな
い端子６、７間の挿入損失は１５Ｗまでの低電力では非
直線現象は現れず、また、スリット９を有する端子７、
８および８、６間の挿入損失より小さい。端子７、８間
および８、６間の挿入損失は入力電力が約１０Ｗ位から
非直線現象のために増加し始め、かつ１０Ｗまでの低電
力でも端子６、７間の挿入損失より大きい。このような
特徴を持つ非可逆回路素子は、例えば小型レーダ用送受
信モジュールにおいて大きな利点を有する。
路素子の挿入損失の電力特性を示したもので、横軸は入
力電力（Ｗ）、縦軸は挿入損失（ｄＢ）である。破線は
端子７、８間の挿入損失、実線は端子６、７間の挿入損
失を表している。これからわかるようにスリット９のな
い端子６、７間の挿入損失は１５Ｗまでの低電力では非
直線現象は現れず、また、スリット９を有する端子７、
８および８、６間の挿入損失より小さい。端子７、８間
および８、６間の挿入損失は入力電力が約１０Ｗ位から
非直線現象のために増加し始め、かつ１０Ｗまでの低電
力でも端子６、７間の挿入損失より大きい。このような
特徴を持つ非可逆回路素子は、例えば小型レーダ用送受
信モジュールにおいて大きな利点を有する。
【００２５】図３は、端子６に送信モジュール１０を接
続し、端子７にはアンテナ１１を接続、端子８には受信
モジュール１２を接続した例を概略平面図で示す。この
ようにすると、大きな電力を伝送する端子６、７間は非
直線現象が生じることなく挿入損失を小さく抑えること
ができ、送信電力（図中の実線矢印）をわずかな損失で
アンテナ１１へ供給できる。目標物から反射したレーダ
電波信号（図中の破線矢印）はアンテナ１１から端子７
へ入り、端子８の受信モジュール１２に導かれる。この
受信信号の大きさは微弱であるため端子７、８間で非直
線現象を生じることなくわずかな損失で受信モジュール
に伝送される。特に数多くの小型レーダモジュールを数
百個から数千個集積したフェイズドアレイアンテナでは
非可逆回路素子の小形化によって装置全体の小型・軽量
化に著しい効果がある。
続し、端子７にはアンテナ１１を接続、端子８には受信
モジュール１２を接続した例を概略平面図で示す。この
ようにすると、大きな電力を伝送する端子６、７間は非
直線現象が生じることなく挿入損失を小さく抑えること
ができ、送信電力（図中の実線矢印）をわずかな損失で
アンテナ１１へ供給できる。目標物から反射したレーダ
電波信号（図中の破線矢印）はアンテナ１１から端子７
へ入り、端子８の受信モジュール１２に導かれる。この
受信信号の大きさは微弱であるため端子７、８間で非直
線現象を生じることなくわずかな損失で受信モジュール
に伝送される。特に数多くの小型レーダモジュールを数
百個から数千個集積したフェイズドアレイアンテナでは
非可逆回路素子の小形化によって装置全体の小型・軽量
化に著しい効果がある。
【００２６】図４は、第一スリット９の円形パターン導
体３の中心側に延びた先端の両側に第二のスリット１４
を設けた例を示す平面図で、第二スリット１４の小形化
効果によって同じ大きさの円形パターン導体３で同じ動
作周波数を得る場合に第一スリット９の長さは短くて済
む。スリット９および１４が存在しない端子６、７間と
存在する端子７、８および８、６間の挿入損失の大きさ
の違いは図２の例と同様である。
体３の中心側に延びた先端の両側に第二のスリット１４
を設けた例を示す平面図で、第二スリット１４の小形化
効果によって同じ大きさの円形パターン導体３で同じ動
作周波数を得る場合に第一スリット９の長さは短くて済
む。スリット９および１４が存在しない端子６、７間と
存在する端子７、８および８、６間の挿入損失の大きさ
の違いは図２の例と同様である。
【００２７】さらに図５は、図４における第二スリット
１４を第一スリット９の片側に延ばした例であり、図６
は第二スリットを第一スリットの先端ではなく、その途
中に設けた例であり、図２および図４と全く同様の効果
が得られる。
１４を第一スリット９の片側に延ばした例であり、図６
は第二スリットを第一スリットの先端ではなく、その途
中に設けた例であり、図２および図４と全く同様の効果
が得られる。
【００２８】以上の説明ではパターン導体３の形状が円
形であったが、対称的なほぼ円形でも、正三角形あるい
は正三角形に近い三角形でも同様である。
形であったが、対称的なほぼ円形でも、正三角形あるい
は正三角形に近い三角形でも同様である。
【００２９】以上の説明はマイクロストリップ線路型の
非可逆回路素子について述べたが、パターン導体を挟む
ように２枚のフェライト基板を配置し、この２枚のフェ
ライト基板面に地導体を形成し、そしてパターン導体部
分に磁石で磁界を与える構造の３導体ストリップ線路型
の非可逆回路素子に対しても、本発明を適用できる。ま
た、今までの説明では非可逆回路素子としてサーキュレ
ータを取り扱ってきたが、サーキュレータの一つの端子
を無反射終端したアイソレータでも同様な結果をもたら
す。図７は、端子６、７間にはスリットがなく、終端器
１３を挟む端子７、８および８、６間にスリット９を設
けた構造のアイソレータである。
非可逆回路素子について述べたが、パターン導体を挟む
ように２枚のフェライト基板を配置し、この２枚のフェ
ライト基板面に地導体を形成し、そしてパターン導体部
分に磁石で磁界を与える構造の３導体ストリップ線路型
の非可逆回路素子に対しても、本発明を適用できる。ま
た、今までの説明では非可逆回路素子としてサーキュレ
ータを取り扱ってきたが、サーキュレータの一つの端子
を無反射終端したアイソレータでも同様な結果をもたら
す。図７は、端子６、７間にはスリットがなく、終端器
１３を挟む端子７、８および８、６間にスリット９を設
けた構造のアイソレータである。
【００３０】このような配置にすると、例えばマイクロ
波増幅器の出力段に本アイソレータを適用した場合、入
出力間の伝送損失はその経路にスリットがないため非直
線現象の影響を緩和でき、かつ出力端子の負荷からの不
要な反射電力（最悪の場合には完全反射）に対してはそ
の経路のスリットによる非直線現象が積極的に動作すれ
ば終端器の耐電力を緩和できる利点がある。
波増幅器の出力段に本アイソレータを適用した場合、入
出力間の伝送損失はその経路にスリットがないため非直
線現象の影響を緩和でき、かつ出力端子の負荷からの不
要な反射電力（最悪の場合には完全反射）に対してはそ
の経路のスリットによる非直線現象が積極的に動作すれ
ば終端器の耐電力を緩和できる利点がある。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、小型で特性の優れた非
可逆回路素子を提供することができる。
可逆回路素子を提供することができる。
【図１】本発明を説明する斜視図である。
【図２】本発明を説明する線図である。
【図３】本発明を説明する平面図である。
【図４】本発明を説明する平面図である。
【図５】本発明を説明する平面図である。
【図６】本発明を説明する平面図である。
【図７】本発明を説明する平面図である。
【図８】従来例を説明する斜視図である。
【図９】従来例を説明する平面図である。
【図１０】従来例を説明する平面図である。
【図１１】従来例を説明する平面図である。
【図１２】従来例を説明する線図である。
【図１３】従来例を説明する線図である。
１…フェライト基板 ２…地導体 ３…パターン導体 ４…磁石 ５…スペーサ ６、７、８…端子（入出力端子） ９…第一スリット １０…送信モジュール １１…アンテナ １２…受信モジュール １３…終端器 １４…第二スリット
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年５月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、フェライト基板と、前記フェライト基板の
一方の面に形成された地導体と、前記フェライト基板の
他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を有し、
所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けら
れたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁界を与
える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型の非可
逆回路素子において、前記パターン導体は送信モジュー
ルが接続された第一の端子と、アンテナが接続された第
二の端子と、受信モジュールが接続された第三の端子と
を有し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリッ
トがなく、他の端子間にはスリットがあることを特徴と
する。
め本発明は、フェライト基板と、前記フェライト基板の
一方の面に形成された地導体と、前記フェライト基板の
他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を有し、
所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けら
れたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁界を与
える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型の非可
逆回路素子において、前記パターン導体は送信モジュー
ルが接続された第一の端子と、アンテナが接続された第
二の端子と、受信モジュールが接続された第三の端子と
を有し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリッ
トがなく、他の端子間にはスリットがあることを特徴と
する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、周辺に複数の端子を有し、かつ、所
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型のサーキュレータである非可逆回路素子におい
て、前記パターン導体は送信モジュールが接続された第
一の端子と、アンテナが接続された第二の端子と、受信
モジュールが接続された第三の端子とを有し、前記第一
の端子と第二の端子との間にはスリットがなく、他の端
子間にはスリットがあることを特徴とする。
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型のサーキュレータである非可逆回路素子におい
て、前記パターン導体は送信モジュールが接続された第
一の端子と、アンテナが接続された第二の端子と、受信
モジュールが接続された第三の端子とを有し、前記第一
の端子と第二の端子との間にはスリットがなく、他の端
子間にはスリットがあることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また、フェライト基板と、前記フェライト
基板の一方の面に形成された地導体と、前記フェライト
基板の他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を
有し、所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが
設けられたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁
界を与える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型
の非可逆回路素子において、前記パターン導体は第一及
び第二の端子と、終端器が接続された第三の端子とを有
し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリットが
なく、他の端子間にはスリットがあることを特徴とす
る。
基板の一方の面に形成された地導体と、前記フェライト
基板の他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を
有し、所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが
設けられたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁
界を与える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型
の非可逆回路素子において、前記パターン導体は第一及
び第二の端子と、終端器が接続された第三の端子とを有
し、前記第一の端子と第二の端子との間にはスリットが
なく、他の端子間にはスリットがあることを特徴とす
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】また、周辺に複数の端子を有し、かつ、所
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型である非可逆回路素子において、前記パターン導
体は第一及び第二の端子と、終端器が接続された第三の
端子とを有し、前記第一の端子と第二の端子との間には
スリットがなく、他の端子間にはスリットがあることを
特徴とする。
定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられ
たパターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置
された２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト
基板に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ
線路型である非可逆回路素子において、前記パターン導
体は第一及び第二の端子と、終端器が接続された第三の
端子とを有し、前記第一の端子と第二の端子との間には
スリットがなく、他の端子間にはスリットがあることを
特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】また、スリットの延長方向に対して両側に
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
また、スリットの延長方向に対して片側に伸びている第
二のスリットを有することを特徴とする。
伸びている第二のスリットを有することを特徴とする。
また、スリットの延長方向に対して片側に伸びている第
二のスリットを有することを特徴とする。
Claims (5)
- 【請求項１】 フェライト基板と、前記フェライト基板
の一方の面に形成された地導体と、前記フェライト基板
の他方の面に形成され、かつ、周辺に複数の端子を有
し、所定の端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設
けられたパターン導体と、前記パターン導体部分に磁界
を与える磁石とを具備したマイクロストリップ線路型の
非可逆回路素子において、前記パターン導体の特定の端
子間にはスリットのないことを特徴とする非可逆回路素
子。 - 【請求項２】 周辺に複数の端子を有し、かつ、所定の
端子間にほぼ中心方向に向かうスリットが設けられたパ
ターン導体と、前記パターン導体を挟むように配置され
た２枚のフェライト基板と、前記２枚のフェライト基板
に形成された地導体とを具備した３導体ストリップ線路
型のサーキュレータである非可逆回路素子において、特
定の端子間にはスリットのないことを特徴とする非可逆
回路素子。 - 【請求項３】 パターン導体が、送信モジュールが接続
された第一の端子と、アンテナが接続された第二の端子
と、受信モジュールが接続された第三の端子とを有し、
前記第一の端子と第二の端子との間にはスリットがな
く、他の端子間にはスリットがあることを特徴とする請
求項１又は請求項２記載の非可逆回路素子。 - 【請求項４】 スリットの延長方向に対して両側に伸び
ている第二のスリットを有することを特徴とする請求項
１又は請求項２記載の非可逆回路素子。 - 【請求項５】 スリットの延長方向に対して片側に伸び
ている第二のスリットを有することを特徴とする請求項
１又は請求項２記載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102645A JP3015774B2 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102645A JP3015774B2 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298208A true JPH11298208A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3015774B2 JP3015774B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=14332984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10102645A Expired - Fee Related JP3015774B2 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3015774B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013088618A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 日本電気株式会社 | 非可逆回路素子、その非可逆回路素子を含む回路を備えた通信装置及び非可逆回路素子の製造方法 |
| CN113300067A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-08-24 | 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 | 一种隔离器及其实现方法 |
| WO2023157069A1 (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-24 | Tdk株式会社 | 非可逆回路素子及び非可逆回路素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10102645A patent/JP3015774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013088618A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 日本電気株式会社 | 非可逆回路素子、その非可逆回路素子を含む回路を備えた通信装置及び非可逆回路素子の製造方法 |
| RU2580876C1 (ru) * | 2011-12-15 | 2016-04-10 | Нек Корпорейшн | Невзаимный схемный элемент, устройство связи, оснащенное схемой, включающей в себя невзаимный схемный элемент, и способ изготовления невзаимного схемного элемента |
| CN113300067A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-08-24 | 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 | 一种隔离器及其实现方法 |
| WO2023157069A1 (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-24 | Tdk株式会社 | 非可逆回路素子及び非可逆回路素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3015774B2 (ja) | 2000-03-06 |
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