JPH1129589A - 第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法 - Google Patents
第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法Info
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- JPH1129589A JPH1129589A JP18684897A JP18684897A JPH1129589A JP H1129589 A JPH1129589 A JP H1129589A JP 18684897 A JP18684897 A JP 18684897A JP 18684897 A JP18684897 A JP 18684897A JP H1129589 A JPH1129589 A JP H1129589A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シクロペンタジエニル骨格からなる基を配位
子とする第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法の
提供。 【解決手段】 シクロペンタジエニル骨格からなる基を
配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化物とアルコキシ
ドとを不活性溶剤中で反応させることにより、一般式:
L(4-n) M(OR)n (Lは、置換または非置換のシク
ロペンタジエニル基を示し、置換基は環を形成してもよ
い。Mは第4属遷移金属を示し、Rはアルキル基または
置換あるいは非置換のアリール基を示す。)の第4属遷
移金属アルコキシ誘導体を製造する方法において、この
反応をアルコキシドの存在下で実施する。
子とする第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法の
提供。 【解決手段】 シクロペンタジエニル骨格からなる基を
配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化物とアルコキシ
ドとを不活性溶剤中で反応させることにより、一般式:
L(4-n) M(OR)n (Lは、置換または非置換のシク
ロペンタジエニル基を示し、置換基は環を形成してもよ
い。Mは第4属遷移金属を示し、Rはアルキル基または
置換あるいは非置換のアリール基を示す。)の第4属遷
移金属アルコキシ誘導体を製造する方法において、この
反応をアルコキシドの存在下で実施する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シクロペンタジエ
ニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロ
ゲン化物とアルコキシドとを反応させることにより、第
4属遷移金属アルコキシ誘導体の新規製造方法に関す
る。
ニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロ
ゲン化物とアルコキシドとを反応させることにより、第
4属遷移金属アルコキシ誘導体の新規製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】 一般式: L’(4-n) M’(OR’)n [式中、L' は置換シクロペンタジエニル基、M’は第
4属遷移金属、R’はアルキル基またはアリール基を示
す。]の置換シクロペンタジエニル基を配位子とする第
4属遷移金属アルコキシ化合物は、ハロゲンフリーの重
合触媒として利用されている。例えば、スチレンの立体
特異重合用の触媒系として有用であることが記載されて
いる(特願昭63−7465号公報)。
4属遷移金属、R’はアルキル基またはアリール基を示
す。]の置換シクロペンタジエニル基を配位子とする第
4属遷移金属アルコキシ化合物は、ハロゲンフリーの重
合触媒として利用されている。例えば、スチレンの立体
特異重合用の触媒系として有用であることが記載されて
いる(特願昭63−7465号公報)。
【0003】また、一般式: L’Ti(OR’)3 のチタン化合物の若干の製造方法が記載されている。C
hemical Abstract(CA):55:6
398g ;CA22273c;CA:68:1313
8eには、ジアルコキシチタンクロリドまたはトリアル
コキシチタンクロリドと、不活性溶剤の中で金属化した
シクロペンタジエニル誘導体とが反応し、以下の一般反
応式:
hemical Abstract(CA):55:6
398g ;CA22273c;CA:68:1313
8eには、ジアルコキシチタンクロリドまたはトリアル
コキシチタンクロリドと、不活性溶剤の中で金属化した
シクロペンタジエニル誘導体とが反応し、以下の一般反
応式:
【0004】
【化3】
【0005】[式中、L’はシクロペンタジエニル誘導
体、Q’はLi、Na、MgCl、R”はアルキル基ま
たはアリール基、aは2または3を示す。]でシクロペ
ンタジエニル骨格からなる配位子とする第4属遷移金属
アルコキシ誘導体を製造することが示されている。この
方法は、化合物Cl4-a Ti( OR”) a をTiCl4
およびTi( OR”) 4 から製造し、精製されなければ
ならないため、製造に多大な費用が必要となる等重大な
欠点を持っている。
体、Q’はLi、Na、MgCl、R”はアルキル基ま
たはアリール基、aは2または3を示す。]でシクロペ
ンタジエニル骨格からなる配位子とする第4属遷移金属
アルコキシ誘導体を製造することが示されている。この
方法は、化合物Cl4-a Ti( OR”) a をTiCl4
およびTi( OR”) 4 から製造し、精製されなければ
ならないため、製造に多大な費用が必要となる等重大な
欠点を持っている。
【0006】Wailes,Coutts,Weigo
ld:Organometallic Chemist
ry of Titanium,Zirkonium
and Hafnium,Academic Pres
s New York and London p.3
4〜39によると、シクロペンタジエニルチタントリク
ロリドを不活性溶剤中でアルコールと、第三アミンの存
在下に、一般反応式:
ld:Organometallic Chemist
ry of Titanium,Zirkonium
and Hafnium,Academic Pres
s New York and London p.3
4〜39によると、シクロペンタジエニルチタントリク
ロリドを不活性溶剤中でアルコールと、第三アミンの存
在下に、一般反応式:
【0007】
【化4】
【0008】[式中R"'はアルキル基であり、L’およ
びR”は上記のものを示す。]に基づいて合成する方法
が示されている。反応条件によってはたしかに所望の反
応生成物が良好な収率で得られるが、アミンヒドロクロ
リドの嵩密度が高く、反応制御ならびに分離および後処
理において容易ならぬ問題を引き起こす。
びR”は上記のものを示す。]に基づいて合成する方法
が示されている。反応条件によってはたしかに所望の反
応生成物が良好な収率で得られるが、アミンヒドロクロ
リドの嵩密度が高く、反応制御ならびに分離および後処
理において容易ならぬ問題を引き起こす。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、工業
的に有利な条件で、高い収率で、塩素を完全にアルコキ
シ基に置換できる、コストの安い方法を提供することで
ある。
的に有利な条件で、高い収率で、塩素を完全にアルコキ
シ基に置換できる、コストの安い方法を提供することで
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、シクロペ
ンタジエニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移
金属ハロゲン化合物とアルコキシドとを不活性溶剤中で
反応させることにより解決可能なことが分かった。すな
わち、本発明は、シクロペンタジエニル骨格からなる基
を配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化物とアルコキ
シドとを不活性溶剤中で反応させることにより、シクロ
ペンタジエニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷
移金属アルコキシ誘導体を製造する方法であり、反応を
アルコキシドの存在下に、一般反応式:
ンタジエニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移
金属ハロゲン化合物とアルコキシドとを不活性溶剤中で
反応させることにより解決可能なことが分かった。すな
わち、本発明は、シクロペンタジエニル骨格からなる基
を配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化物とアルコキ
シドとを不活性溶剤中で反応させることにより、シクロ
ペンタジエニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷
移金属アルコキシ誘導体を製造する方法であり、反応を
アルコキシドの存在下に、一般反応式:
【0011】
【化5】
【0012】[式中
【0013】
【化6】
【0014】Mは第4属遷移金属を示し、R1 ,Rは互
いに無関係に、アルキル基または置換あるいは非置換の
アリール基を示す。]に基づいて実施することを特徴と
する。好ましい態様としては、化合物L(4-n) TiXn
を不活性溶剤中で、−20℃〜100℃の温度でアルコ
キシドと反応させ、副生した塩および溶剤を除去し、反
応生成物を得る。
いに無関係に、アルキル基または置換あるいは非置換の
アリール基を示す。]に基づいて実施することを特徴と
する。好ましい態様としては、化合物L(4-n) TiXn
を不活性溶剤中で、−20℃〜100℃の温度でアルコ
キシドと反応させ、副生した塩および溶剤を除去し、反
応生成物を得る。
【0015】Rは炭素数4以上のアルキル基またアリー
ル基が好ましい。
ル基が好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明について、以下に詳細に説
明する。本発明の製造方法は、シクロペンタジエニル骨
格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化
物とアルコキシドとを不活性溶剤中で反応させることに
より、第4属遷移金属アルコキシ誘導体を製造する方法
において、反応をアルコキシドの存在下に、一般反応
式:
明する。本発明の製造方法は、シクロペンタジエニル骨
格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化
物とアルコキシドとを不活性溶剤中で反応させることに
より、第4属遷移金属アルコキシ誘導体を製造する方法
において、反応をアルコキシドの存在下に、一般反応
式:
【0017】
【化7】
【0018】[式中、
【0019】
【化8】
【0020】Mは第4属遷移金属を示し、R1 ,Rは、
互いに無関係に、アルキル基または置換あるいは非置換
のアリール基を示す。]に基づいて実施することを特徴
とするものである。一般式のMとしては、Ti、Zr、
Hfが挙げられ、工業上、Tiが好ましく、XはClが
好ましい。
互いに無関係に、アルキル基または置換あるいは非置換
のアリール基を示す。]に基づいて実施することを特徴
とするものである。一般式のMとしては、Ti、Zr、
Hfが挙げられ、工業上、Tiが好ましく、XはClが
好ましい。
【0021】上記のL(4-n) MXn の具体例としては、
シクロペンタジエニルチタントリクロリド;ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタントリクロリド;(t−ブ
チルアミド)ジメチル(テトラメチルη5 −シクロペン
タジエニル)シランチタンジクロリド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルジエチルアミドチタンジクロリド,
ペンタメチルシクロペンタジエニルジフェニルアミドチ
タンジクロリド,ペンタメチルシクロペンタジエニルジ
フェニルホスフィドチタンジクロリドなど、及びこれら
の化合物におけるチタンを、ジルコニウム又はハフニウ
ムに置換したものを挙げることができる。
シクロペンタジエニルチタントリクロリド;ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルチタントリクロリド;(t−ブ
チルアミド)ジメチル(テトラメチルη5 −シクロペン
タジエニル)シランチタンジクロリド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルジエチルアミドチタンジクロリド,
ペンタメチルシクロペンタジエニルジフェニルアミドチ
タンジクロリド,ペンタメチルシクロペンタジエニルジ
フェニルホスフィドチタンジクロリドなど、及びこれら
の化合物におけるチタンを、ジルコニウム又はハフニウ
ムに置換したものを挙げることができる。
【0022】また、4,5,6,7−テトラヒドロイン
デニルチタントリクロリド;1−メチル−4,5,6,
7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;2−
メチル−4,5,6,7−テトラヒドロインデニルチタ
ントリクロリド;1,2−ジメチル−4,5,6,7−
テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,3−
ジメチル−4,5,6,7−テトラヒドロインデニルチ
タントリクロリド;1,2,3−トリメチル−4,5,
6,7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;
1,2,3,4,5,6,7−ヘプタメチル−4,5,
6,7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;
1,2,4,5,6,7−ヘキサメチル−4,5,6,
7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,
3,4,5,6,7−ヘキサメチル−4,5,6,7−
テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,2,
3,4,5,6,7,8−オクタヒドロフルオレニルチ
タントリクロリド;1,2,3,4−テトラヒドロフル
オレニルチタントリクロリド;9−メチル−1,2,
3,4−テトラヒドロフルオレニルチタントリクロリ
ド;9−メチル−1,2,3,4,5,6,7,8−オ
クタヒドロフルオレニルチタントリクロリドなど、及び
これらの化合物におけるチタンを、ジルコニウム又はハ
フニウムに置換したものを挙げることができるが、もち
ろんこれらに限定されるものではない。
デニルチタントリクロリド;1−メチル−4,5,6,
7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;2−
メチル−4,5,6,7−テトラヒドロインデニルチタ
ントリクロリド;1,2−ジメチル−4,5,6,7−
テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,3−
ジメチル−4,5,6,7−テトラヒドロインデニルチ
タントリクロリド;1,2,3−トリメチル−4,5,
6,7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;
1,2,3,4,5,6,7−ヘプタメチル−4,5,
6,7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;
1,2,4,5,6,7−ヘキサメチル−4,5,6,
7−テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,
3,4,5,6,7−ヘキサメチル−4,5,6,7−
テトラヒドロインデニルチタントリクロリド;1,2,
3,4,5,6,7,8−オクタヒドロフルオレニルチ
タントリクロリド;1,2,3,4−テトラヒドロフル
オレニルチタントリクロリド;9−メチル−1,2,
3,4−テトラヒドロフルオレニルチタントリクロリ
ド;9−メチル−1,2,3,4,5,6,7,8−オ
クタヒドロフルオレニルチタントリクロリドなど、及び
これらの化合物におけるチタンを、ジルコニウム又はハ
フニウムに置換したものを挙げることができるが、もち
ろんこれらに限定されるものではない。
【0023】これらのものは、文献で公知の方法によっ
て製造可能である(J.Organometal.Ch
em.1967,Vol.8,p287ff;Ange
w.Chem.1962,74,p155;J.Org
anometal.Chem.1988,340,p3
7ff;Gmelin Handbuch derAn
organischen Chemie,Titan−
Organische Verbindungen,B
and 40 Teil1,p136〜156,Spr
inger−Verlag Berlin−Heide
lberg−New York 1977等)。
て製造可能である(J.Organometal.Ch
em.1967,Vol.8,p287ff;Ange
w.Chem.1962,74,p155;J.Org
anometal.Chem.1988,340,p3
7ff;Gmelin Handbuch derAn
organischen Chemie,Titan−
Organische Verbindungen,B
and 40 Teil1,p136〜156,Spr
inger−Verlag Berlin−Heide
lberg−New York 1977等)。
【0024】本発明におけるアルコキシド(RO) Qに
おいて、QはLi、Na、K、MgCl、MgBr、C
aCl等のアルカリ金属化合物であり、Naが工業的に
も好ましく、Rは炭素数が4以上のアルキル基またはア
リール基であり、メチル基、エチル基等が好ましい。こ
の具体例としては、ナトリウムメトキシド、ナトリウム
エトキシド、臭化マグネシウムメトキシド、リチウムプ
ロポキシド等を挙げることができる。これらの中では、
ナトリウムメトキシドが工業的にも好ましい。上記のア
ルコキシドは公知の方法で製造可能であり、また市販の
工業製品としても入手できる。
おいて、QはLi、Na、K、MgCl、MgBr、C
aCl等のアルカリ金属化合物であり、Naが工業的に
も好ましく、Rは炭素数が4以上のアルキル基またはア
リール基であり、メチル基、エチル基等が好ましい。こ
の具体例としては、ナトリウムメトキシド、ナトリウム
エトキシド、臭化マグネシウムメトキシド、リチウムプ
ロポキシド等を挙げることができる。これらの中では、
ナトリウムメトキシドが工業的にも好ましい。上記のア
ルコキシドは公知の方法で製造可能であり、また市販の
工業製品としても入手できる。
【0025】上記のアルコキシドには必要に応じて、ア
ルコールを併用してもよい。この併用されるアルコール
としては、例えばメタノール、エタノール、n−プロパ
ノール、i−プロパノールや6〜18個の炭素原子を有
する置換または非置換の芳香族アルコールが挙げられ
る。これらのアルコールは反応の前に通例の方法で脱水
する。
ルコールを併用してもよい。この併用されるアルコール
としては、例えばメタノール、エタノール、n−プロパ
ノール、i−プロパノールや6〜18個の炭素原子を有
する置換または非置換の芳香族アルコールが挙げられ
る。これらのアルコールは反応の前に通例の方法で脱水
する。
【0026】本発明において、アルコキシド(RO) Q
は、上記のL(4-n) MXn における置換すべきハロゲン
化物に対して、少なくとも化学量論的量で使用する。必
要に応じて、アルコールを用いる場合は、アルコール/
アルコキシド混合物の調合可能性の改善のために、過剰
のアルコールを使用することができる。過剰分は、調合
に必要な最適値に制限される。上記のシクロペンタジエ
ニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロ
ゲン化物と上記のアルコキシドとの反応は、化合物L
(4-n) MXn を芳香性炭化水素(例えば、トルエン、キ
シレン)、脂肪族炭化水素(例えば、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン)、エーテル(例えば、テトラヒドロフラ
ン、ブチルメチルエーテル、ジエチルエーテル)、特殊
な不活性ハロゲン化炭化水素(例えば、塩化メチレン)
等の不活性溶剤に溶解して行なってもよい。
は、上記のL(4-n) MXn における置換すべきハロゲン
化物に対して、少なくとも化学量論的量で使用する。必
要に応じて、アルコールを用いる場合は、アルコール/
アルコキシド混合物の調合可能性の改善のために、過剰
のアルコールを使用することができる。過剰分は、調合
に必要な最適値に制限される。上記のシクロペンタジエ
ニル骨格からなる基を配位子とする第4属遷移金属ハロ
ゲン化物と上記のアルコキシドとの反応は、化合物L
(4-n) MXn を芳香性炭化水素(例えば、トルエン、キ
シレン)、脂肪族炭化水素(例えば、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン)、エーテル(例えば、テトラヒドロフラ
ン、ブチルメチルエーテル、ジエチルエーテル)、特殊
な不活性ハロゲン化炭化水素(例えば、塩化メチレン)
等の不活性溶剤に溶解して行なってもよい。
【0027】この反応は不活性条件(保護ガス)の下で
行うのがよい。反応温度は、−20℃〜70℃が好まし
い。反応終了後、沈殿した塩QXn を分離し、溶剤を除
去し、かつ反応生成物を場合により、分留または再結晶
のような通常の方法で精製するのが好ましい。
行うのがよい。反応温度は、−20℃〜70℃が好まし
い。反応終了後、沈殿した塩QXn を分離し、溶剤を除
去し、かつ反応生成物を場合により、分留または再結晶
のような通常の方法で精製するのが好ましい。
【0028】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、これらの例によってなんら限定されるものではな
い。 〔実施例1〕1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリクロリド145g(0.50
1モル)をトルエン400mlの中にN2 雰囲気のもと
で溶解し、4℃に冷却し、パウダー状のナトリウムメト
キサイド85.4g(アルドリッチ社製)を添加した。
添加終了後反応を、室温で4時間続けた。
るが、これらの例によってなんら限定されるものではな
い。 〔実施例1〕1,2,3,4,5−ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリクロリド145g(0.50
1モル)をトルエン400mlの中にN2 雰囲気のもと
で溶解し、4℃に冷却し、パウダー状のナトリウムメト
キサイド85.4g(アルドリッチ社製)を添加した。
添加終了後反応を、室温で4時間続けた。
【0029】室温に冷却した後、沈殿したNaClを濾
別し、溶媒を減圧下で留去し、黄色の液体を得た。上記
の液体を1mmHg以下で減圧蒸留し、1,2,3,
4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメトキ
シチタンを124g得た(収率:90%)。このものの
分析値は以下の通りであった。
別し、溶媒を減圧下で留去し、黄色の液体を得た。上記
の液体を1mmHg以下で減圧蒸留し、1,2,3,
4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメトキ
シチタンを124g得た(収率:90%)。このものの
分析値は以下の通りであった。
【0030】1H−NMR:(CDCl3 ) 4. 04ppm( s,9H,MeO);2.02ppm
(s,15H,Me5Cp) Ti:(計算値;17.3%)実測値:17.3% Cl:<0.001% Na:検出限界以下
(s,15H,Me5Cp) Ti:(計算値;17.3%)実測値:17.3% Cl:<0.001% Na:検出限界以下
【0031】〔実施例2〕実施例1のナトリウムメトキ
サイドの代わりにナトリウムメトキサイド(アルドリッ
チ社製)の25重量%メタノール溶液362mlを添加
した以外は実施例1と同様にして合成を行って、1,
2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニルト
リメトキシチタンを119g得た(収率:86%)。こ
のものの分析値は以下の通りであった。1 H−NMR:実施例1に同じ Ti:(計算値:17 .3%)実測値:17.3% Cl:<0.001% Na:検出限界以下
サイドの代わりにナトリウムメトキサイド(アルドリッ
チ社製)の25重量%メタノール溶液362mlを添加
した以外は実施例1と同様にして合成を行って、1,
2,3,4,5−ペンタメチルシクロペンタジエニルト
リメトキシチタンを119g得た(収率:86%)。こ
のものの分析値は以下の通りであった。1 H−NMR:実施例1に同じ Ti:(計算値:17 .3%)実測値:17.3% Cl:<0.001% Na:検出限界以下
【0032】〔実施例3〕実施例1の1,2,3,4−
テトラメチルシクロペンタジエニルチタントリクロリド
の代わりにシクロペンタジエニルチタントリクロリド1
10gを用いた以外は実施例1と同様にして合成を行っ
て、シクロペンタジエニルチタントリメトキシドを5
8.4g(収率:80%)得た。
テトラメチルシクロペンタジエニルチタントリクロリド
の代わりにシクロペンタジエニルチタントリクロリド1
10gを用いた以外は実施例1と同様にして合成を行っ
て、シクロペンタジエニルチタントリメトキシドを5
8.4g(収率:80%)得た。
【0033】〔比較例〕1,2,3,4,5−ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタントリクロリド145g
(0.501モル)をトルエン400mlに装入し、メ
タノール81.2ml(2モル)とトリエチルアミン2
79ml(2モル)の混合物を−20℃において滴加
し、加えた。添加終了後、攪拌が充分に行われないた
め、攪拌翼をシングルヘリカル翼に変えて反応を行っ
た。副生したトリエチルアミンヒドロクロリドを反応生
成物から濾別しようとしたが収率が悪く、さらにヘキサ
ン300mlで10回洗浄しなければならなかった。ろ
液を濃縮し蒸留することで生成物を105g(収率:7
6%)得た。このものの分析値は以下の通りであった。
チルシクロペンタジエニルチタントリクロリド145g
(0.501モル)をトルエン400mlに装入し、メ
タノール81.2ml(2モル)とトリエチルアミン2
79ml(2モル)の混合物を−20℃において滴加
し、加えた。添加終了後、攪拌が充分に行われないた
め、攪拌翼をシングルヘリカル翼に変えて反応を行っ
た。副生したトリエチルアミンヒドロクロリドを反応生
成物から濾別しようとしたが収率が悪く、さらにヘキサ
ン300mlで10回洗浄しなければならなかった。ろ
液を濃縮し蒸留することで生成物を105g(収率:7
6%)得た。このものの分析値は以下の通りであった。
【0034】1H−NMR:(CDCl3 ) 4. 04ppm(s,9H,MeO) ;2. 02ppm
(s,15H,Me 5 Cp) Ti:(計算値;17.3%)実測値:17.1% Cl:0.4% Na:検出限界以下
(s,15H,Me 5 Cp) Ti:(計算値;17.3%)実測値:17.1% Cl:0.4% Na:検出限界以下
【0035】
【発明の効果】上記の方法によれば、工業的に有利な条
件で、高い収率で、高純度のアルコキシ誘導体が得られ
る。
件で、高い収率で、高純度のアルコキシ誘導体が得られ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 シクロペンタジエニル骨格からなる基を
配位子とする第4属遷移金属ハロゲン化物とアルコキシ
ドとを不活性溶剤中で反応させることにより、第4属遷
移金属アルコキシ誘導体を製造する方法において、反応
をアルコキシドの存在下に、一般反応式: 【化1】 [式中、 【化2】 Mは第4属遷移金属を示し、R1 ,Rは、互いに無関係
に、アルキル基または置換あるいは非置換のアリール基
を示す。]に基づいて実施することを特徴とする第4属
遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 上記の化合物L(4-n) MXn を不活性溶
剤中で、−20℃〜100℃の温度でアルコキシドと反
応させ、形成された塩および溶剤を除去し、反応生成物
を得る請求項1に記載の第4属遷移金属アルコキシ誘導
体の製造方法。 - 【請求項3】 Rが炭素数4以下のアルキル基またはア
リ−ル基である請求項1に記載の第4属遷移金属アルコ
キシ誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18684897A JPH1129589A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18684897A JPH1129589A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1129589A true JPH1129589A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16195710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18684897A Pending JPH1129589A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 第4属遷移金属アルコキシ誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1129589A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8962875B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-02-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal-enolate precursors for depositing metal-containing films |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18684897A patent/JPH1129589A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8962875B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-02-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal-enolate precursors for depositing metal-containing films |
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Effective date: 20041122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
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A977 | Report on retrieval |
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