JP2003012679A - トリアリールホスホニウム塩の製造法 - Google Patents
トリアリールホスホニウム塩の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】炭化水素基の導入試薬として有用なトリアリー
ルホスホニウム塩を容易に高収率で製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 一般式（１）のハロゲン化炭化水素と一
般式（２）のトリアリールホスフィンを、一般式（１）
のハロゲン化炭化水素と同一の炭化水素基を有する一般
式（３）のアルコール系溶媒［一般式（１）と（３）の
Ｒは同一のもの］、またはこれと炭化水素系溶媒との混
合溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（４）
のトリアリールホスホニウム塩の製造法。 【化１】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アラルキル基を示し、Ａｒはアリール基を示し、Ｘ
はハロゲンを示す。）
ルホスホニウム塩を容易に高収率で製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 一般式（１）のハロゲン化炭化水素と一
般式（２）のトリアリールホスフィンを、一般式（１）
のハロゲン化炭化水素と同一の炭化水素基を有する一般
式（３）のアルコール系溶媒［一般式（１）と（３）の
Ｒは同一のもの］、またはこれと炭化水素系溶媒との混
合溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（４）
のトリアリールホスホニウム塩の製造法。 【化１】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アラルキル基を示し、Ａｒはアリール基を示し、Ｘ
はハロゲンを示す。）
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、炭化水素基の導入
試薬として有用なトリアリールホスホニウム塩を容易に
高収率で製造するに方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、炭化水素化トリアリールホスホニ
ウム塩の製造法としては、次の方法が知られている。 【０００３】イ）アルキルアルコールとトリフェニルホ
スフィンを臭化水素酸中で反応させる方法（Ｐｈｏｓｐ
ｈｏｒｕｓ Ｓｕｌｆｕｒ， Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｌ
ａｔ．Ｅｌｅｍ．，第４８巻，１９９０年，２７９
頁）。 【０００４】ロ）ハロゲン化アルキルとトリアリールホ
スフィンを、有機溶媒の存在下あるいは不在下で反応さ
せる方法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，第８２巻，
１９６０年，３９１９頁） この文献中には、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム
ブロマイドの合成方法が記載されている。また、ｎ−ブ
タノールの使用についても記載されているが、使用理由
などは示されていない。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前述した従来の技術で
は次のような問題点があった。すなわち、イ）の方法で
は、使用される臭化水素酸は強い腐食作用をもつため、
特殊な製造装置を必要とする。また、ロ）の方法では、
ハロゲン化炭化水素の分解がおこるので、反応を完結さ
せるために、過剰のハロゲン化炭化水素を用いる必要が
ある。また、ハロゲン化炭化水素の分解で発生する酸に
より、イ）の方法と同様の問題が生ずる。 【０００６】したがって、これらの技術に代わるホスホ
ニウム塩の新しい製造法の開発が望まれている。本発明
は、このような要望に合致した、トリアリールホスホニ
ウム塩の新規な製造法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決して、高収率で高純度のトリアリールホスホ
ニウム塩を製造する方法について検討した。その結果、
下記の反応式で示されるように、一般式（１）のハロゲ
ン化炭化水素と一般式（２）のトリアリールホスフィン
を、５０〜１５０℃の温度範囲で、一般式（３）のアル
コール系溶媒の単独、またはこのアルコール系溶媒と炭
化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させることにより、
一般式（４）のトリアリールホスホニウム塩を安定に結
晶化することができ、かつ高収率に得られることを見出
し、本発明を完成した。 【化２】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、またはアラルキル基を示し、Ａｒはアリール基を示
し、Ｘはハロゲンを示す。） 【０００８】一般式（１）中の、アルキル基としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基，ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｉｓｏ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基などを挙げることができる。また、アルケニル基とし
てはアリル基を、アルキニル基としてはプロパルギル基
を挙げることができる。また、アラルキル基としては、
ベンジル基、フェネチル基などを挙げることができる。 【０００９】また、Ｘはハロゲンを示し、塩素、臭素あ
るいはヨウ素のいずれかを示す。 【００１０】一般式（１）の化合物の具体例としては、
臭化メチル、臭化エチル、臭化ｎ−プロピル、臭化ｎ−
ブチル、臭化ｎ−アミル、臭化ｉｓｏ−アミル、塩化ベ
ンジル、塩化アリル、塩化プロパルギルなどを挙げるこ
とができる。 【００１１】前記の一般式中Ａｒはアリール基であり、
具体例を挙げると、フェニル基，ｐ−トリル基、ｐ−メ
トキシフェニル基、メシチル基、キシリル基などであ
る。 【００１２】また、３つのアリール基はそれぞれ同一で
あっても、異なっていてもよい。 【００１３】反応溶媒としては、一般式（３）で表され
るアルコール系溶媒の単独か炭化水素系溶媒との混合溶
媒が使用される。炭化水素系溶媒の具体例としては、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。一般式
（３）で表されるアルコール系溶媒としては、一般式
（１）と同一の炭化水素基を有するアルコールを使用し
なければならない。一般式（３）で表されるアルコール
系溶媒は、ハロゲン化炭化水素の分解で副生するハロゲ
ン化水素と下式の反応により、ハロゲン化炭化水素へと
再生される。そのため、従来法のように過剰のハロゲン
化炭化水素を使用しなくても、高い収率で一般式（４）
のトリアリールホスホニウム塩を得ることができる。 【００１４】 【化３】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、またはアラルキル基を示す） 【００１５】仮に、一般式（１）の炭化水素基と異なる
アルコールを用いた場合には、ハロゲン化炭化水素の分
解で発生するハロゲン化水素により、原料と異なるハロ
ゲン化炭化水素を生成するため、異種の炭化水素基を含
むトリアリールホスホニウム塩が副生し、目的物の純度
が低下する。その結果、比較例２のように温度幅の広い
異常な融点を示す。したがって、常に一般式（１）と一
般式（３）の炭化水素基は同一のものを使用する必要が
ある。このようなアルコール類としては、一般式（１）
のＲに対応して、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉｓ
ｏ−ブタノール、ｎ−アミルアルコール、ｉｓｏ−アミ
ルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチル
アルコール、アリルアルコール、プロパルギルアルコー
ル、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールなどが
挙げられる。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明の目的物である一般式
（４）のトリアリールホスホニウム塩の製造法の特徴
は、反応溶媒として、一般式（１）のハロゲン化炭化水
素と同一の炭化水素基を有する一般式（３）のアルコー
ル系溶媒を用いることにある。 【００１７】より具体的な反応について述べると次のと
おりである。すなわち、反応容器に一般式（１）のハロ
ゲン化炭化水素と一般式（２）のトリアリールホスフィ
ンを一般式（３）のアルコール系溶媒の単独またはこれ
と炭化水素系溶媒との混合溶媒に加える。そして、この
混合物を撹拌しながら加熱して反応させることにより目
的とする一般式（４）の炭化水素化トリアリールホスホ
ニウム塩が反応液中に析出する。反応温度および反応時
間は、用いるハロゲン化炭化水素とトリアリールホスフ
ィンの種類により反応性が異なるので、一定ではない
が、一般的には５０〜１５０℃および３〜１２時間反応
させるのがよい。また、一般式（１）のハロゲン化炭化
水素と一般式（２）のトリアリールホスフィンとはほぼ
等モル比で反応させればよい。 【００１８】反応終了後、反応液を室温に冷却し、析出
した沈殿を濾取する。そしてその結晶をトルエンなどで
洗浄した後、乾燥することにより、目的とする一般式
（４）の炭化水素化トリアリールホスホニウム塩の結晶
が得られる。 【００１９】 【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 【００２０】なお、化合物の同定は、融点、１Ｈ核磁気
共鳴スペクトル、赤外スペクトルなどにより行い、目的
物の生成を確認した。 【００２１】（実施例１）ｎ−プロピルトリフェニルホ
スホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−プロピルブロマイド（１２．３
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）およびキシレン／ｎ−プロピルア
ルコール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込
む。この反応溶液を１１０〜１１５℃の温度範囲で８時
間撹拌する。反応終了後、反応混合溶液にキシレン（２
５ｍｌ）を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に
冷却して、ｎ−プロピルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取
し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）
から収率（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２２】（実施例２）ｎ−ブチルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−ブチルブロマイド（１３．７ｇ、
０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．２
ｇ、０．１ｍｏｌ）およびキシレン／ｎ−ブチルアルコ
ール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込む。こ
の反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で５時間撹拌
する。反応終了後、反応混合液にキシレン（２５ｍｌ）
を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に冷却し
て、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイドの
結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取し、キシ
レン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）から収率
（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２３】（実施例３）ｎ−アミルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−アミルブロマイド（１５．１ｇ、
０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．２
ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｎ−アミルアル
コール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込む。
この反応液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８時間撹拌
する。反応終了後、反応混合液にキシレン（５０ｍｌ）
を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に冷却し
て、ｎ−アミルトリフェニルホスホニウムブロマイドの
結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取し、キシ
レン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）から収率
（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２４】（実施例４）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１５．１
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｉｓｏ−アミ
ルアルコール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕
込む。この反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８
時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン（５
０ｍｌ）を追加する。この反応混合液を３０℃以下に冷
却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取
し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）
から収率（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２５】（比較例１）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１５．１
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン（２５ｍｌ）を
仕込む。この反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で
８時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン
（２５ｍｌ）を追加する。そして反応混合液を３０℃以
下に冷却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウ
ムブロマイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶
を濾取し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量
（ｇ）から収率（％）を求めた。その結果を表１に示
す。 【００２６】（比較例２）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１３．７
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｎ−ブチルア
ルコール［２５ｍｌ、４／１（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込
む。この反応混合液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８
時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン（２
０ｍｌ）を追加する。そしてこの反応混合液を３０℃以
下に冷却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウ
ムブロマイドの結晶を完全に析出させた。得られた結晶
を濾取し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量
（ｇ）から収率（％）を求めた。その結果を表１に示
す。 【００２７】 【表１】 【００２８】（注）：表中でＰｒはプロピル基を、Ｂｕ
はブチル基を、Ａｍはアミル基を示す。 【００２９】 【発明の効果】本発明によれば、トリアリールホスホニ
ウム塩を収率よく製造することができる。特に本発明に
よれば、ハロゲン化炭化水素の分解により発生するハロ
ゲン化水素は溶媒として用いたアルコールとの反応によ
りハロゲン化炭化水素に再生されるため、ハロゲン化炭
化水素を過剰に用いる必要はない。
試薬として有用なトリアリールホスホニウム塩を容易に
高収率で製造するに方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、炭化水素化トリアリールホスホニ
ウム塩の製造法としては、次の方法が知られている。 【０００３】イ）アルキルアルコールとトリフェニルホ
スフィンを臭化水素酸中で反応させる方法（Ｐｈｏｓｐ
ｈｏｒｕｓ Ｓｕｌｆｕｒ， Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｌ
ａｔ．Ｅｌｅｍ．，第４８巻，１９９０年，２７９
頁）。 【０００４】ロ）ハロゲン化アルキルとトリアリールホ
スフィンを、有機溶媒の存在下あるいは不在下で反応さ
せる方法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，第８２巻，
１９６０年，３９１９頁） この文献中には、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム
ブロマイドの合成方法が記載されている。また、ｎ−ブ
タノールの使用についても記載されているが、使用理由
などは示されていない。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前述した従来の技術で
は次のような問題点があった。すなわち、イ）の方法で
は、使用される臭化水素酸は強い腐食作用をもつため、
特殊な製造装置を必要とする。また、ロ）の方法では、
ハロゲン化炭化水素の分解がおこるので、反応を完結さ
せるために、過剰のハロゲン化炭化水素を用いる必要が
ある。また、ハロゲン化炭化水素の分解で発生する酸に
より、イ）の方法と同様の問題が生ずる。 【０００６】したがって、これらの技術に代わるホスホ
ニウム塩の新しい製造法の開発が望まれている。本発明
は、このような要望に合致した、トリアリールホスホニ
ウム塩の新規な製造法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決して、高収率で高純度のトリアリールホスホ
ニウム塩を製造する方法について検討した。その結果、
下記の反応式で示されるように、一般式（１）のハロゲ
ン化炭化水素と一般式（２）のトリアリールホスフィン
を、５０〜１５０℃の温度範囲で、一般式（３）のアル
コール系溶媒の単独、またはこのアルコール系溶媒と炭
化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させることにより、
一般式（４）のトリアリールホスホニウム塩を安定に結
晶化することができ、かつ高収率に得られることを見出
し、本発明を完成した。 【化２】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、またはアラルキル基を示し、Ａｒはアリール基を示
し、Ｘはハロゲンを示す。） 【０００８】一般式（１）中の、アルキル基としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基，ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｉｓｏ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基などを挙げることができる。また、アルケニル基とし
てはアリル基を、アルキニル基としてはプロパルギル基
を挙げることができる。また、アラルキル基としては、
ベンジル基、フェネチル基などを挙げることができる。 【０００９】また、Ｘはハロゲンを示し、塩素、臭素あ
るいはヨウ素のいずれかを示す。 【００１０】一般式（１）の化合物の具体例としては、
臭化メチル、臭化エチル、臭化ｎ−プロピル、臭化ｎ−
ブチル、臭化ｎ−アミル、臭化ｉｓｏ−アミル、塩化ベ
ンジル、塩化アリル、塩化プロパルギルなどを挙げるこ
とができる。 【００１１】前記の一般式中Ａｒはアリール基であり、
具体例を挙げると、フェニル基，ｐ−トリル基、ｐ−メ
トキシフェニル基、メシチル基、キシリル基などであ
る。 【００１２】また、３つのアリール基はそれぞれ同一で
あっても、異なっていてもよい。 【００１３】反応溶媒としては、一般式（３）で表され
るアルコール系溶媒の単独か炭化水素系溶媒との混合溶
媒が使用される。炭化水素系溶媒の具体例としては、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。一般式
（３）で表されるアルコール系溶媒としては、一般式
（１）と同一の炭化水素基を有するアルコールを使用し
なければならない。一般式（３）で表されるアルコール
系溶媒は、ハロゲン化炭化水素の分解で副生するハロゲ
ン化水素と下式の反応により、ハロゲン化炭化水素へと
再生される。そのため、従来法のように過剰のハロゲン
化炭化水素を使用しなくても、高い収率で一般式（４）
のトリアリールホスホニウム塩を得ることができる。 【００１４】 【化３】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、またはアラルキル基を示す） 【００１５】仮に、一般式（１）の炭化水素基と異なる
アルコールを用いた場合には、ハロゲン化炭化水素の分
解で発生するハロゲン化水素により、原料と異なるハロ
ゲン化炭化水素を生成するため、異種の炭化水素基を含
むトリアリールホスホニウム塩が副生し、目的物の純度
が低下する。その結果、比較例２のように温度幅の広い
異常な融点を示す。したがって、常に一般式（１）と一
般式（３）の炭化水素基は同一のものを使用する必要が
ある。このようなアルコール類としては、一般式（１）
のＲに対応して、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉｓ
ｏ−ブタノール、ｎ−アミルアルコール、ｉｓｏ−アミ
ルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチル
アルコール、アリルアルコール、プロパルギルアルコー
ル、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールなどが
挙げられる。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明の目的物である一般式
（４）のトリアリールホスホニウム塩の製造法の特徴
は、反応溶媒として、一般式（１）のハロゲン化炭化水
素と同一の炭化水素基を有する一般式（３）のアルコー
ル系溶媒を用いることにある。 【００１７】より具体的な反応について述べると次のと
おりである。すなわち、反応容器に一般式（１）のハロ
ゲン化炭化水素と一般式（２）のトリアリールホスフィ
ンを一般式（３）のアルコール系溶媒の単独またはこれ
と炭化水素系溶媒との混合溶媒に加える。そして、この
混合物を撹拌しながら加熱して反応させることにより目
的とする一般式（４）の炭化水素化トリアリールホスホ
ニウム塩が反応液中に析出する。反応温度および反応時
間は、用いるハロゲン化炭化水素とトリアリールホスフ
ィンの種類により反応性が異なるので、一定ではない
が、一般的には５０〜１５０℃および３〜１２時間反応
させるのがよい。また、一般式（１）のハロゲン化炭化
水素と一般式（２）のトリアリールホスフィンとはほぼ
等モル比で反応させればよい。 【００１８】反応終了後、反応液を室温に冷却し、析出
した沈殿を濾取する。そしてその結晶をトルエンなどで
洗浄した後、乾燥することにより、目的とする一般式
（４）の炭化水素化トリアリールホスホニウム塩の結晶
が得られる。 【００１９】 【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 【００２０】なお、化合物の同定は、融点、１Ｈ核磁気
共鳴スペクトル、赤外スペクトルなどにより行い、目的
物の生成を確認した。 【００２１】（実施例１）ｎ−プロピルトリフェニルホ
スホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−プロピルブロマイド（１２．３
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）およびキシレン／ｎ−プロピルア
ルコール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込
む。この反応溶液を１１０〜１１５℃の温度範囲で８時
間撹拌する。反応終了後、反応混合溶液にキシレン（２
５ｍｌ）を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に
冷却して、ｎ−プロピルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取
し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）
から収率（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２２】（実施例２）ｎ−ブチルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−ブチルブロマイド（１３．７ｇ、
０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．２
ｇ、０．１ｍｏｌ）およびキシレン／ｎ−ブチルアルコ
ール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込む。こ
の反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で５時間撹拌
する。反応終了後、反応混合液にキシレン（２５ｍｌ）
を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に冷却し
て、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイドの
結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取し、キシ
レン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）から収率
（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２３】（実施例３）ｎ−アミルトリフェニルホス
ホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｎ−アミルブロマイド（１５．１ｇ、
０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．２
ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｎ−アミルアル
コール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込む。
この反応液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８時間撹拌
する。反応終了後、反応混合液にキシレン（５０ｍｌ）
を追加する。そして反応混合液を３０℃以下に冷却し
て、ｎ−アミルトリフェニルホスホニウムブロマイドの
結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取し、キシ
レン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）から収率
（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２４】（実施例４）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１５．１
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｉｓｏ−アミ
ルアルコール［２５ｍｌ、７／３（ｗｔ／ｗｔ）］を仕
込む。この反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８
時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン（５
０ｍｌ）を追加する。この反応混合液を３０℃以下に冷
却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶を濾取
し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量（ｇ）
から収率（％）を求めた。その結果を表１に示す。 【００２５】（比較例１）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１５．１
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン（２５ｍｌ）を
仕込む。この反応溶液を１２５〜１３０℃の温度範囲で
８時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン
（２５ｍｌ）を追加する。そして反応混合液を３０℃以
下に冷却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウ
ムブロマイドの結晶を完全に析出させる。得られた結晶
を濾取し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量
（ｇ）から収率（％）を求めた。その結果を表１に示
す。 【００２６】（比較例２）ｉｓｏ−アミルトリフェニル
ホスホニウムブロマイドの合成 四径フラスコに、ｉｓｏ−アミルブロマイド（１３．７
ｇ、０．１ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２６．
２ｇ、０．１ｍｏｌ）、およびキシレン／ｎ−ブチルア
ルコール［２５ｍｌ、４／１（ｗｔ／ｗｔ）］を仕込
む。この反応混合液を１２５〜１３０℃の温度範囲で８
時間撹拌する。反応終了後、反応混合液にキシレン（２
０ｍｌ）を追加する。そしてこの反応混合液を３０℃以
下に冷却して、ｉｓｏ−アミルトリフェニルホスホニウ
ムブロマイドの結晶を完全に析出させた。得られた結晶
を濾取し、キシレン（２０ｍｌ）で洗浄して、乾燥重量
（ｇ）から収率（％）を求めた。その結果を表１に示
す。 【００２７】 【表１】 【００２８】（注）：表中でＰｒはプロピル基を、Ｂｕ
はブチル基を、Ａｍはアミル基を示す。 【００２９】 【発明の効果】本発明によれば、トリアリールホスホニ
ウム塩を収率よく製造することができる。特に本発明に
よれば、ハロゲン化炭化水素の分解により発生するハロ
ゲン化水素は溶媒として用いたアルコールとの反応によ
りハロゲン化炭化水素に再生されるため、ハロゲン化炭
化水素を過剰に用いる必要はない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 一般式（１）のハロゲン化炭化水素と一
般式（２）のトリアリールホスフィンを、一般式（１）
のハロゲン化炭化水素と同一の炭化水素基を有する一般
式（３）のアルコール系溶媒［一般式（１）と（３）の
Ｒは同一］、または一般式（３）のアルコール系溶媒と
炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させることを特徴
とする、一般式（４）のトリアリールホスホニウム塩の
製造法。 【化１】 （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、またはアラルキル基を示し、Ａｒはアリール基を示
し、Ｘはハロゲンを示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191009A JP2003012679A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | トリアリールホスホニウム塩の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191009A JP2003012679A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | トリアリールホスホニウム塩の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003012679A true JP2003012679A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19029698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001191009A Pending JP2003012679A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | トリアリールホスホニウム塩の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003012679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104478930A (zh) * | 2014-11-19 | 2015-04-01 | 上海泰坦科技股份有限公司 | 磷配体类化合物的合成工艺 |
| CN105330696A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-02-17 | 山东维天精细化工科技有限公司 | 一种三苯基丁基溴化膦的合成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11124388A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-05-11 | Nippon Chem Ind Co Ltd | ホスホニウム塩の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191009A patent/JP2003012679A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11124388A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-05-11 | Nippon Chem Ind Co Ltd | ホスホニウム塩の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104478930A (zh) * | 2014-11-19 | 2015-04-01 | 上海泰坦科技股份有限公司 | 磷配体类化合物的合成工艺 |
| CN105330696A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-02-17 | 山东维天精细化工科技有限公司 | 一种三苯基丁基溴化膦的合成方法 |
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