JPH11295748A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH11295748A
JPH11295748A JP9611198A JP9611198A JPH11295748A JP H11295748 A JPH11295748 A JP H11295748A JP 9611198 A JP9611198 A JP 9611198A JP 9611198 A JP9611198 A JP 9611198A JP H11295748 A JPH11295748 A JP H11295748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal wiring
terminal
liquid crystal
crystal display
scanning signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9611198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichiro Ashizawa
啓一郎 芦沢
Masayuki Hikiba
正行 引場
Kazuhiko Yanagawa
和彦 柳川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9611198A priority Critical patent/JPH11295748A/en
Publication of JPH11295748A publication Critical patent/JPH11295748A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow the contact with a signal wiring of a terminal formed on the signal wiring to have reliability by forming a conductive layer for the contact connected to the area where an anodized film is not formed of the signal wiring and also connected to the terminal. SOLUTION: A scanning signal wiring 3 is formed on a TFT substrate 1. The scanning signal wiring 3 is composed of an aluminum layer 3a and the anodized film 3b is formed on the surface by anodizing. The scanning signal wiring 3 is provided with the area where the anodized film 3b is not formed on the end part. Then, on the scanning signal wiring 3 where the anodized film 3b is formed separately from the area to a liquid crystal display part side, the conductive layer for constituting the terminal 3D for a gate inspection is formed. Further, the conductive layer 7 for the contact connected to the area where the anodized film 3b is not formed of the scanning signal wiring 3 and also connected to the terminal 3D for the gate inspection is superimposed on the scanning signal wiring 3 and formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、その信号配線として陽極化成膜が表面に形成
されたアルミニュウムを用いた液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device using aluminum having an anodized film formed on its surface as a signal wiring.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえばアクティブ・マトリックス型の
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、そのx方
向に延在しy方向に並設される走査信号配線とy方向に
延在しx方向に並設される映像信号配線とで囲まれた領
域に画素領域を構成するようになっている。
2. Description of the Related Art For example, in an active matrix type liquid crystal display device, one of the transparent substrates disposed opposite to each other via a liquid crystal extends on the liquid crystal side surface thereof in the x direction and extends in the y direction. The pixel region is formed in a region surrounded by the scanning signal wirings arranged in parallel and the video signal wirings extending in the y direction and arranged in the x direction.

【0003】そして、これら各画素領域には、走査信号
配線からの走査信号の供給によってオンされるスイッチ
ング素子と、このスイッチング素子を介して映像信号配
線からの映像信号が供給される画素電極とを備えてい
る。
In each of these pixel regions, a switching element which is turned on by the supply of a scanning signal from the scanning signal wiring and a pixel electrode to which a video signal from the video signal wiring is supplied via the switching element are provided. Have.

【0004】この場合、層間絶縁膜を介して映像信号配
線より下層に形成される走査信号配線の材料としてアル
ミニュウムを用い、かつ、このアルミニュウムのヒロッ
クによる前記映像信号配線との短絡を防止するために、
その表面に陽極化成方法による陽極化成膜(絶縁膜)を
形成したものが知られている。
In this case, aluminum is used as a material of the scanning signal wiring formed below the video signal wiring via the interlayer insulating film, and a short circuit with the video signal wiring due to the hillock of aluminum is prevented. ,
An anodized film (insulating film) formed on the surface by an anodizing method is known.

【0005】そして、このような構成からなる走査信号
配線に端子を形成する場合、該走査信号配線の端部にお
いて該走査信号配線に沿って陽極化成膜の被覆されてい
ない領域を比較的長く形成し、この領域の端部に接続さ
せて端子を構成する導電層(たとえばITO膜)を形成
するとともに、この導電層を跨るようにして前記走査信
号配線の陽極化成膜の被覆されていない部分にコンタク
ト用の導電層(たとえばクロム層等)を形成している。
When a terminal is formed on a scanning signal wiring having such a configuration, a region that is not covered with an anodized film is relatively long along an end of the scanning signal wiring along the scanning signal wiring. A conductive layer (for example, an ITO film) forming a terminal is formed by being connected to an end of this region, and the scan signal wiring is not covered with anodized film so as to straddle the conductive layer. A conductive layer (for example, a chromium layer) for contact is formed in the portion.

【0006】端子を構成する導電層は機械的強度に比較
的優れた材料が用いられ、それのみではアルミニュウム
層と該導電層との界面に酸化膜(絶縁成膜)が形成され
易いことから、前記コンタクト用の導電層を介してアル
ミニュウム層と端子との良好なコンタクトを図らんとし
ている。
For the conductive layer constituting the terminal, a material having relatively excellent mechanical strength is used, and if it is used alone, an oxide film (insulating film) is easily formed at the interface between the aluminum layer and the conductive layer. Good contact between the aluminum layer and the terminal is intended via the conductive layer for contact.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような端
子を形成する場合、その形成場所によっては、コンタク
ト用の導電層を介してアルミニュウム層とたとえばIT
O膜とのコンタクトが充分にとれないことが往々にして
あることが指摘されるに到った。そして、この原因を追
及した結果、次のことが判明した。
However, when such a terminal is formed, an aluminum layer and an IT layer may be interposed via a conductive layer for contact, depending on the place where the terminal is formed.
It has been pointed out that the contact with the O film is often not sufficiently obtained. Then, as a result of investigating this cause, the following was found.

【0008】たとえば、前記端子が検査用端子である場
合、該検査用端子は画素領域の集合体である液晶表示部
と対向して配置される他の透明基板との間に形成される
シール材との間の狭いスペース内に形成されることにな
る。
For example, when the terminal is a terminal for inspection, the terminal for inspection is a sealing material formed between a liquid crystal display portion, which is an aggregate of pixel regions, and another transparent substrate disposed opposite to the terminal. Is formed in a narrow space between them.

【0009】そして、信号配線の該検査用端子を形成す
る部分は、その近傍部をも含めて、陽極化成膜が形成さ
れていない領域を形成しなければならず、このため、そ
れら部分をフォトレジスト膜で覆った状態で陽極化成を
する方法が採用されている。
The portion of the signal wiring on which the inspection terminal is to be formed, including the vicinity thereof, must be formed with a region where no anodized film is formed. A method of performing anodization while covering with a photoresist film has been adopted.

【0010】この場合、該フォトレジスト膜は液晶表示
部から一定の距離をおいて配置されなければならない
が、往々にしてその位置がずれて陽極化成膜が形成され
ない領域が狭くなる結果、この領域の部分においてコン
タクト用の導電層との接続が充分でなくなってしまう。
In this case, the photoresist film must be arranged at a certain distance from the liquid crystal display unit. However, the position of the photoresist film is often shifted and the area where the anodized film is not formed is narrowed. In the region, the connection with the conductive layer for contact becomes insufficient.

【0011】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、信号配線に形成された端子
の該信号配線とのコンタクトに信頼性をもたせた液晶表
示装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which terminals formed on a signal wiring have reliable contacts with the signal wiring. It is in.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、液晶を介して互いに対
向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の
面に、陽極化成膜が表面に形成されたアルミニュウムか
らなる信号配線を備え、この信号配線に信号を供給する
端子が設けられている液晶表示装置において、前記信号
配線はその端部に前記陽極化成膜が形成されていない領
域を有し、この領域から離間されて前記陽極化成膜が形
成されている信号配線上に前記端子を構成する導電層が
形成されているとともに、信号配線の陽極化成膜が形成
されていない前記領域に接続され、かつ前記端子に接続
されるコンタクト用導電層が形成されていることを特徴
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows. That is, a signal wiring made of aluminum having an anodized film formed on the surface is provided on the liquid crystal side surface of one of the transparent substrates disposed opposite to each other via the liquid crystal, and a signal is transmitted to the signal wiring. In a liquid crystal display device provided with a supply terminal, the signal wiring has an area where the anodized film is not formed at an end thereof, and the anodized film is formed separately from the area. A conductive layer forming the terminal is formed on the signal wiring, and a contact conductive layer connected to the region where the anodized film of the signal wiring is not formed, and connected to the terminal, It is characterized by being formed.

【0013】このように構成された液晶表示装置は、そ
の信号配線に形成された端子が該信号線の延在途中に配
置され、かつ、該信号線の陽極化成膜が形成されていな
い領域は該端子に対して実際に信号線として機能しない
側の部分となっている。
In the liquid crystal display device having such a configuration, the terminal formed on the signal line is arranged in the middle of the extension of the signal line, and the anodized film of the signal line is not formed. Is a portion on the side that does not actually function as a signal line with respect to the terminal.

【0014】このことは、端子の形成は陽極化成膜が形
成されている領域においてなされることを意味し、同一
のスペース面で考えた場合、陽極化成膜が形成されてい
ない領域であって該端子とのコンタクトをとる領域を大
きくすることができる。
This means that the terminal is formed in the region where the anodized film is formed, and when considered in the same space, it is the region where the anodized film is not formed. As a result, the area for contact with the terminal can be increased.

【0015】したがって、信号線の陽極化成膜が形成さ
れていない領域をフォトレジスト膜の被着によって形成
する場合において、たとえ、該フォトレジスト膜がずれ
て配置されても、陽極化成膜が形成されていない領域が
大幅に狭くなってしまうことがなくなる。
Therefore, in the case where the region where the anodized film of the signal line is not formed is formed by applying a photoresist film, even if the photoresist film is displaced, the anodized film is formed. It is possible to prevent the area where no part is formed from being significantly reduced.

【0016】このことから、信号線と端子とのコンタク
を図る導電層は陽極化成膜が形成されていない領域にて
アルミニュウムと充分な接続ができるようになる。
Thus, the conductive layer for making contact between the signal line and the terminal can be sufficiently connected to aluminum in a region where the anodized film is not formed.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】実施例1. 〔TFT基板〕図2は、本発明による液晶表示装置の、
液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方
の透明基板1(TFT基板)の液晶側の面の構成を示す
概略的な平面図である。
Embodiment 1 FIG . [TFT Substrate] FIG. 2 shows a liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal side surface of one transparent substrate 1 (TFT substrate) among transparent substrates arranged to face each other via a liquid crystal.

【0019】同図のTFT基板1は、液晶表示装置に組
み立てる際には、図中点線2で示す部分から周辺がカッ
トされて使用されるようになっている。後述するよう
に、カットされるTFT基板1の周辺部には、該TFT
基板1に形成した各種の信号配線の断線あるいは短絡の
検査をするための検査用共通端子(ゲート検査用共通端
子3C、ドレイン検査用共通端子4C、4E)が形成さ
れ、液晶表示装置に組み立てる際には、それらが不要と
なるからである。
When the TFT substrate 1 shown in FIG. 1 is assembled into a liquid crystal display device, the periphery thereof is cut off from the portion indicated by the dotted line 2 in the figure. As described later, the TFT substrate 1 is cut around the periphery of the TFT substrate 1 to be cut.
Inspection common terminals (common terminals for gate inspection 3C, common terminals for drain inspection 4C, 4E) for inspecting disconnection or short-circuit of various signal wirings formed on the substrate 1 are formed, and are assembled in a liquid crystal display device. Are unnecessary.

【0020】同図において、TFT基板1の主表面(液
晶側の面)に、そのx方向に延在しy方向に並設される
走査信号配線3が形成され、また、これら走査信号配線
3と絶縁されて、y方向に延在しx方向に並設される映
像信号配線4が形成されている。
In FIG. 1, scanning signal wirings 3 extending in the x direction and juxtaposed in the y direction are formed on the main surface (surface on the liquid crystal side) of the TFT substrate 1. And a video signal wiring 4 extending in the y direction and juxtaposed in the x direction is formed.

【0021】これら走査信号配線3と映像信号配線4に
よって囲まれた矩形状の領域はそれぞれ画素領域を構成
し、これら各画素領域の集合体で液晶表示部10を構成
するようになっている。これら各画素領域の構成につい
ては、後に詳述する。
Each of the rectangular areas surrounded by the scanning signal wiring 3 and the video signal wiring 4 constitutes a pixel area, and the liquid crystal display unit 10 is constituted by an aggregate of these pixel areas. The configuration of each of these pixel regions will be described later in detail.

【0022】そして、各走査信号配線3の液晶表示部1
0から図中左側へ延在される一端は、それぞれゲート外
部端子3Aを介してゲート検査用共通端子3Cに接続さ
れている。ゲート外部端子3AはTFT基板1のカット
部分(点線2)の内側に配置され、ゲート検査用共通端
子3CはTFT基板1のカット部分の外側に配置されて
いる。
The liquid crystal display unit 1 of each scanning signal wiring 3
One end extending from 0 to the left in the figure is connected to the gate inspection common terminal 3C via the gate external terminal 3A. The gate external terminal 3A is disposed inside the cut portion (dotted line 2) of the TFT substrate 1, and the gate inspection common terminal 3C is disposed outside the cut portion of the TFT substrate 1.

【0023】また、各走査信号配線3の液晶表示部10
から図中右側へ延在される他端には、それぞれゲート検
査用端子3Dが形成されている。ここで、各走査信号配
線3の液晶表示部10から図中右側へ延在される部分は
TFT基板のカット部分(点線2)に近接して形成され
ているのに対し、前記検査用端子3Dは液晶表示部10
に近接して設けられている。この検査用端子3Dについ
ては後に詳述する。
The liquid crystal display section 10 of each scanning signal wiring 3
Gate inspection terminals 3D are formed at the other ends extending from the right side to the right side in the drawing. Here, the portion of each scanning signal line 3 extending from the liquid crystal display section 10 to the right side in the figure is formed close to the cut portion (dotted line 2) of the TFT substrate, whereas the inspection terminal 3D Is the liquid crystal display section 10
Is provided in the vicinity. This inspection terminal 3D will be described later in detail.

【0024】さらに、映像信号配線4も走査信号配線3
と同様に共通検査用端子、外部端子、および検査用端子
が形成された構成となっているが、その奇数番目の映像
信号配線4と偶数番目の映像信号配線はそれぞれ外部端
子が図面上側と下側に形成されることから、それに応じ
て共通検査用端子、検査用端子も形成されている。
Further, the video signal wiring 4 is also connected to the scanning signal wiring 3.
The common terminal, the external terminal, and the terminal for inspection are formed in the same manner as described above, but the odd-numbered video signal wiring 4 and the even-numbered video signal wiring have external terminals on the upper side and lower side in the drawing, respectively. Since they are formed on the side, a common inspection terminal and an inspection terminal are also formed accordingly.

【0025】すなわち、たとえば奇数番目の映像信号配
線4の液晶表示部10から図中下側へ延在される他端
は、それぞれドレイン外部端子4Aを介してドレイン検
査用共通端子4Cに接続されている。ドレイン外部端子
4AはTFT基板1のカット部分(点線2)の内側に配
置され、ドレイン検査用共通端子4CはTFT基板1の
カット部分の外側に配置されている。
That is, for example, the other ends of the odd-numbered video signal wirings 4 extending downward from the liquid crystal display section 10 in the figure are connected to a common drain inspection terminal 4C via a drain external terminal 4A. I have. The drain external terminal 4A is arranged inside the cut portion (dotted line 2) of the TFT substrate 1, and the drain inspection common terminal 4C is arranged outside the cut portion of the TFT substrate 1.

【0026】そして、奇数番目の映像信号配線4の液晶
表示部10から図中上側へ延在される他端にはそれぞれ
ドレイン検査用端子4Dが設けられている。
Drain inspection terminals 4D are provided at the other ends of the odd-numbered video signal wirings 4 extending upward from the liquid crystal display section 10 in the drawing.

【0027】また、偶数番目の映像信号配線4の液晶表
示10から図中上側へ延在される他端は、それぞれドレ
イン外部端子4Bを介してドレイン検査用共通端子4E
に接続されている。ドレイン外部端子4BはTFT基板
1のカット部分(点線2)の内側に配置され、ドレイン
検査用共通端子4EはTFT基板1のカット部分の外側
に配置されている。
The other ends of the even-numbered video signal wires 4 extending upward from the liquid crystal display 10 in the figure are connected to a common drain test terminal 4E via a drain external terminal 4B.
It is connected to the. The drain external terminal 4B is arranged inside the cut portion (dotted line 2) of the TFT substrate 1, and the drain inspection common terminal 4E is arranged outside the cut portion of the TFT substrate 1.

【0028】そして、偶数番目の映像信号配線4の液晶
表示部10から図中下側に延在される他端にはそれぞれ
ドレイン検査用端子4Fが設けられている。
Drain inspection terminals 4F are provided at the other ends of the even-numbered video signal wirings 4 extending downward from the liquid crystal display section 10 in the figure.

【0029】このように、奇数番目および偶数番目のそ
れぞれの映像信号配線4において端子の位置が異なるの
は、各走査信号配線3の間隔よりも映像信号配線4の間
隔が狭められて形成されているからである。
As described above, the positions of the terminals in the odd-numbered and even-numbered video signal wirings 4 are different from each other in that the spacing between the video signal wirings 4 is smaller than the spacing between the scanning signal wirings 3. Because there is.

【0030】走査信号配線3および映像信号配線4を形
成した後は、それら信号配線に断線が生じているか否か
等の検査がなされ、たとえば次のようにしてなされる。
After the formation of the scanning signal wiring 3 and the video signal wiring 4, an inspection is performed as to whether or not the signal wiring is disconnected, for example, as follows.

【0031】まず、走査信号配線3のそれぞれが断線し
ているか否かは、ゲート検査用共通端子3Cに一方のプ
ローブを当接するとともに、それぞれの各走査信号配線
のゲート検査用端子3Dに他方のプローブを当接させ、
これらのプローブの間に流れる電流値によって判断され
る。映像信号配線4の場合においても同様である。
First, whether or not each of the scanning signal wirings 3 is disconnected is determined by contacting one of the probes to the common gate inspection terminal 3C and the other to the gate inspection terminal 3D of each scanning signal wiring. Abut the probe,
It is determined by the value of the current flowing between these probes. The same applies to the case of the video signal wiring 4.

【0032】そして、走査信号配線3と映像信号配線4
とが短絡しているか否かは、ゲート検査用共通端子3C
に一方のプローブを当接するとともに、ドレイン検査用
共通端子4C(あるいは4E)に他方のプローブを当接
させ、これらのプローブの間に流れる電流値によって判
断される。
The scanning signal wiring 3 and the video signal wiring 4
Is short-circuited with the common terminal 3C for gate inspection.
And the other probe is brought into contact with the drain inspection common terminal 4C (or 4E), and the determination is made based on the current value flowing between these probes.

【0033】なお、図示していないが、このようなTF
T基板1と液晶を介して対向配置される他の透明基板に
は、各画素領域を画するようにして形成されるブラック
マトリックス、各画素領域に応じた色を呈するカラーフ
ィルタ、および各画素領域に共通な透明の共通電極等が
形成されたものとなっている。
Although not shown, such a TF
A black matrix formed so as to define each pixel area, a color filter which exhibits a color corresponding to each pixel area, and each pixel area A transparent common electrode and the like common to the above are formed.

【0034】この場合、他の透明基板は、その周辺を図
2の一点鎖線20に示す個所に一致づけるようにして配
置され、該個所に介在されたシール材によってTFT基
板1に固定されるようになっている。
In this case, the other transparent substrate is arranged so that its periphery coincides with the location shown by the dashed line 20 in FIG. 2, and is fixed to the TFT substrate 1 by the sealing material interposed at the location. It has become.

【0035】〔画素領域〕図3は、前記画素領域の構成
の一実施例を示す平面図である。同図において、図中x
方向に延在されy方向に並設される走査信号配線3があ
り、この走査信号配線3はアルミニュウムからなり、そ
の表面は陽極化成法によって陽極化成膜(アルミニュウ
ム酸化膜)が形成されている。
[Pixel Region] FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of the configuration of the pixel region. In FIG.
There is a scanning signal line 3 extending in the direction and juxtaposed in the y direction. The scanning signal line 3 is made of aluminum, and the surface thereof is formed with an anodized film (aluminum oxide film) by an anodizing method. .

【0036】このように陽極化成膜を形成している理由
は、熱処理によってアルミニュウム特有のヒロックが、
後に形成される映像信号配線4との交差部において層間
絶縁膜を貫通して発生してしまい、各信号配線間の短絡
の原因となるのを防止するためである。
The reason why the anodized film is formed is that the hillock peculiar to aluminum is formed by heat treatment.
This is to prevent the occurrence of a short circuit between the signal lines, which is generated by penetrating the interlayer insulating film at the intersection with the video signal line 4 to be formed later.

【0037】そして、この走査信号配線4をも被って基
板表面の全域には絶縁膜が形成されている。
An insulating film is formed on the entire surface of the substrate so as to cover the scanning signal wiring 4.

【0038】この絶縁膜は、後に形成される映像信号配
線4に対する走査信号配線3の層間絶縁膜として機能
し、また、薄膜トランジスタTFTの形成領域において
はそのゲート絶縁膜として機能し、さらには、付加容量
素子Caddの形成領域においては誘電体膜として機能
するようになっている。
This insulating film functions as an interlayer insulating film of the scanning signal wiring 3 with respect to the video signal wiring 4 to be formed later, and also functions as a gate insulating film in a region where the thin film transistor TFT is formed. The region where the capacitive element Cadd is formed functions as a dielectric film.

【0039】そして、この絶縁膜の表面には画素電極5
が形成され、この画素電極5はたとえばITO(Indium
-Tin-Oxide)膜からなる透明の電極から構成されてい
る。この画素電極5は、その一部が、一方の走査信号配
線3(図中上側の信号配線)に重畳するようにして形成
され、それらの間に配置される絶縁膜を誘電体膜とする
付加容量素子Caddを構成している。
The pixel electrode 5 is provided on the surface of the insulating film.
Is formed, and the pixel electrode 5 is made of, for example, ITO (Indium).
-Tin-Oxide) film. The pixel electrode 5 is formed such that a part thereof overlaps one of the scanning signal lines 3 (the upper signal line in the drawing), and an insulating film disposed therebetween is used as a dielectric film. This constitutes a capacitive element Cadd.

【0040】薄膜トランジスタTFTの形成領域は一方
の走査信号配線3(図中下側の信号配線)に重畳するよ
うにして形成され、この領域に島状のたとえばアモルフ
ァスSiからなる半導体層6が形成されている。この半
導体層6の表面にドレイン電極4dおよびソース電極4
sが形成されることにより前記走査信号配線3の一部を
ゲート電極とするMIS型のトランジスタが形成される
が、これらドレイン電極4dおよびソース電極4sは映
像信号配線とともに形成されるようになっている。
The formation region of the thin film transistor TFT is formed so as to overlap with one of the scanning signal lines 3 (the lower signal line in the figure), and an island-like semiconductor layer 6 made of, for example, amorphous Si is formed in this region. ing. The drain electrode 4d and the source electrode 4
By forming s, an MIS transistor having a part of the scanning signal wiring 3 as a gate electrode is formed. The drain electrode 4d and the source electrode 4s are formed together with the video signal wiring. I have.

【0041】すなわち、y方向に延在しx方向に並設さ
れる映像信号配線4が形成されている。この映像信号配
線4はたとえばCrの上層にAlを積層させた二層構造
で構成されている。
That is, the video signal lines 4 extending in the y direction and juxtaposed in the x direction are formed. The video signal wiring 4 has, for example, a two-layer structure in which Al is stacked on Cr.

【0042】この映像信号配線4の一部は前記薄膜トラ
ンジスタTFTの形成領域の半導体層6の表面にまで延
在されてドレイン電極4dを形成するようになってい
る。
A part of the video signal wiring 4 extends to the surface of the semiconductor layer 6 in the region where the thin film transistor TFT is formed to form a drain electrode 4d.

【0043】そして、この際に同時に形成されるソース
電極4sは画素領域側に延在され、予め形成されている
画素電極5と接続が図れるようになっている。
At this time, the source electrode 4s formed simultaneously extends to the pixel region side, and can be connected to the pixel electrode 5 formed in advance.

【0044】さらに、このように加工された基板の表面
の全域には、たとえばシリコン窒化膜なる保護膜が形成
され、この保護膜の上面には液晶の配向を規制させるた
めの配向膜が形成されている。
Further, a protective film made of, for example, a silicon nitride film is formed on the entire surface of the substrate thus processed, and an alignment film for regulating the alignment of the liquid crystal is formed on the upper surface of the protective film. ing.

【0045】このように形成された画素領域は、走査信
号配線3から走査信号が供給されることによって薄膜ト
ランジスタTFTが駆動され、この薄膜トランジスタT
FTを介して映像信号配線からの映像信号が画素電極5
に供給されるようになっている。
In the pixel region thus formed, the thin film transistor TFT is driven by the supply of the scanning signal from the scanning signal line 3, and the thin film transistor T
The video signal from the video signal wiring via the FT is
It is supplied to.

【0046】薄膜トランジスタTFTがオフした際に
は、画素電極5に供給された映像信号を付加容量素子C
addによって長く蓄積させるようになっている。
When the thin film transistor TFT is turned off, the video signal supplied to the pixel electrode 5 is applied to the additional capacitive element C
The data is accumulated for a long time by add.

【0047】〔ゲート検査用端子〕図1は、ゲート検査
端子3Dの一実施例を示す構成図であり、同図(b)は
平面図である同図(a)のa−a線における断面図であ
る。
[Gate Inspection Terminal] FIG. 1 is a structural view showing an embodiment of the gate inspection terminal 3D, and FIG. 1B is a plan view, and is a cross section taken along line aa of FIG. FIG.

【0048】同図において、まず、TFT基板1上に走
査信号配線3が形成されている。この走査信号配線3は
アルミニュウム層3aからなるとともに、その表面には
陽極化成によって陽極化成膜3b(酸化アルミニュウム
層)が形成されている。
In the figure, first, a scanning signal wiring 3 is formed on a TFT substrate 1. The scanning signal wiring 3 is made of an aluminum layer 3a, and an anodized film 3b (aluminum oxide layer) is formed on the surface by anodization.

【0049】そして、このような構成からなる走査信号
配線3はその端部(液晶表示部10からの延在端部)に
前記陽極化成膜3bが形成されていない領域を有し、こ
の領域から液晶表示部10側へ離間されて、前記陽極化
成膜3bが形成されている走査信号配線3上にゲート検
査用端子3Dを構成する導電層がたとえばITO膜によ
って形成されている。
The scanning signal wiring 3 having such a structure has a region where the anodized film 3b is not formed at its end (the end extending from the liquid crystal display unit 10). A conductive layer constituting the gate inspection terminal 3D is formed of, for example, an ITO film on the scanning signal wiring 3 on which the anodized film 3b is formed, separated from the liquid crystal display unit 10 side.

【0050】さらに、走査信号配線3の陽極化成膜3b
が形成されていない前記領域に接続されかつ前記ゲート
検査用端子3Dに接続されるコンタクト用導電層7が該
走査信号配線3に重畳されて形成されている。
Further, the anodized film 3b of the scanning signal wiring 3 is formed.
The contact conductive layer 7 connected to the region where no is formed and connected to the gate inspection terminal 3D is formed so as to overlap the scanning signal wiring 3.

【0051】このコンタクト用導電層7はたとえばCr
の上層にAlが形成された二層構造の導電層からなって
いる。
The contact conductive layer 7 is made of, for example, Cr.
Of a two-layer structure in which Al is formed on the upper layer.

【0052】〔ゲート検査用端子の製造方法〕図4は、
前記ゲート検査用端子の製造方法の一実施例を示す工程
図である。
[Method of Manufacturing Gate Inspection Terminal] FIG.
FIG. 4 is a process diagram showing one embodiment of a method for manufacturing the gate inspection terminal.

【0053】工程1(同図(a)) TFT基板1の表面の全域にアルミニュウム膜3aを被
膜し、このアルミニュウム膜を周知のフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチング方法によって、走査信号配
線3のパターンに形成する。
Step 1 (FIG. 7A) An aluminum film 3a is coated on the entire surface of the TFT substrate 1, and this aluminum film is formed into a pattern of the scanning signal wiring 3 by a selective etching method using a well-known photolithography technique. I do.

【0054】そして、この走査信号配線3にゲート検査
用端子3Dを形成する側の端部に周知のフォトリソグラ
フィ技術によってフォトレジスト膜30を形成する。
Then, a photoresist film 30 is formed on the scanning signal wiring 3 at the end on the side where the gate inspection terminal 3D is to be formed by a known photolithography technique.

【0055】この場合、TFT基板1の全体的な平面図
を図5に示す。走査信号配線3のゲート検査用端子3D
が設けられる部分は、該走査信号配線3の一方の一端側
に全て位置づけられることから、該フォトレジスト膜3
0は各走査信号配線3とクロスする帯状のパターンとし
て形成する。
FIG. 5 shows an overall plan view of the TFT substrate 1 in this case. Gate inspection terminal 3D of scanning signal wiring 3
Is provided on one end side of the scanning signal wiring 3, so that the photoresist film 3
0 is formed as a band-shaped pattern crossing each scanning signal wiring 3.

【0056】工程2(同図(b)) 走査信号配線3の他端側に形成されているゲート検査用
共通端子3Cを電極として、それぞれの走査信号配線3
に陽極化成を行い、アルミニュウム層3aからなる走査
信号配線3の表面に陽極化成膜3bを形成する。この場
合、走査信号配線3のうちフォトレジスト膜に被われた
部分には陽極化成膜が形成されることはない。
Step 2 (FIG. 10B) Each scanning signal wiring 3 is formed by using the gate inspection common terminal 3C formed on the other end of the scanning signal wiring 3 as an electrode.
To form an anodized film 3b on the surface of the scanning signal wiring 3 made of the aluminum layer 3a. In this case, an anodized film is not formed on the portion of the scanning signal wiring 3 covered with the photoresist film.

【0057】工程3(同図(c)) フォトレジスト膜30を剥離する。これにより、走査信
号配線3に陽極化成膜が形成されていない領域を露呈さ
せる。
Step 3 (FIG. 3C) The photoresist film 30 is peeled off. As a result, a region where the anodized film is not formed is exposed on the scanning signal wiring 3.

【0058】その後、前記領域から離間されて陽極化成
膜3bが形成されている走査信号配線3上にゲート検査
用端子3Dを構成するITO膜を形成する。
Thereafter, an ITO film constituting a gate inspection terminal 3D is formed on the scanning signal wiring 3 on which the anodized film 3b is formed so as to be separated from the region.

【0059】このITO膜は、画素電極5を形成する際
に同時に形成するようにする。製造工程の増大を回避せ
んがためである。
This ITO film is formed at the same time when the pixel electrode 5 is formed. This is to avoid an increase in the number of manufacturing steps.

【0060】そして、走査信号配線3の陽極化成膜3b
が形成されていない前記領域に接続され、かつゲート検
査用端子3Dに接続されるコンタクト用導電層を形成す
る。
Then, the anodized film 3b of the scanning signal wiring 3 is formed.
A conductive layer for contact connected to the region where is not formed and connected to the gate inspection terminal 3D is formed.

【0061】このコンタクト用導電層はCrおよびその
上層のAlからなる二層構造で、映像信号配線を形成す
る際に同時に形成するようにする。製造工程の増大を回
避せんがためである。
The contact conductive layer has a two-layer structure composed of Cr and Al thereon, and is formed at the same time when the video signal wiring is formed. This is to avoid an increase in the number of manufacturing steps.

【0062】このようにして形成されるゲート検査用端
子3Dは、走査信号配線3の延在途中に配置され、か
つ、該走査信号配線3の陽極化成膜が形成されていない
領域は該ゲート検査用端子3Dに対して実際に走査信号
配線3として機能しない側の部分となっている。
The gate inspection terminal 3D thus formed is disposed in the middle of the extension of the scanning signal wiring 3, and the region where the anodized film of the scanning signal wiring 3 is not formed is the gate inspection terminal 3D. This is a portion on the side that does not actually function as the scanning signal wiring 3 with respect to the inspection terminal 3D.

【0063】このことは、ゲート検査用端子3Dの形成
は陽極化成膜が形成されている領域においてなされるこ
とを意味し、同一のスペース面で考えた場合、陽極化成
膜が形成されていない領域であって該端子とのコンタク
トをとる領域を大きくすることができる。
This means that the gate inspection terminal 3D is formed in the region where the anodized film is formed, and when considered in the same space, the anodized film is formed. It is possible to increase the area where no contact is made with the terminal.

【0064】比較のため、従来のゲート検査用端子の構
成であって図5と対応する図を図6に示す。
For comparison, FIG. 6 shows a configuration of a conventional gate inspection terminal corresponding to FIG.

【0065】したがって、走査信号配線3の陽極化成膜
が形成されていない領域をフォトレジスト膜30の被着
によって形成する場合において、たとえ、該フォトレジ
スト膜30がずれて配置されても、陽極化成膜が形成さ
れていない領域が大幅に狭くなってしまうことがなくな
る。
Therefore, when the region where the anodized film of the scanning signal wiring 3 is not formed is formed by depositing the photoresist film 30, even if the photoresist film 30 is displaced, The region where the chemical film is not formed is not significantly reduced.

【0066】このことから、走査信号配線3とゲート検
査用端子3Dとのコンタクトを図る導電層7は陽極化成
膜が形成されていない領域にてアルミニュウムと充分な
接続ができるようになる。
Thus, the conductive layer 7 for making contact between the scanning signal wiring 3 and the gate inspection terminal 3D can be sufficiently connected to aluminum in a region where the anodized film is not formed.

【0067】〔ゲート外部端子〕図2は、ゲート外部端
子3Aの一実施例を示す構成図で、同図(b)は平面
図、同図(a)は同図(b)のa−a線における断面図
である。
[Gate External Terminal] FIG. 2 is a structural view showing an embodiment of the gate external terminal 3A. FIG. 2 (b) is a plan view, and FIG. 2 (a) is aa of FIG. 2 (b). It is sectional drawing in a line.

【0068】このゲート外部端子3Aは、それがカット
されるTFT基板1の周辺に位置づけられることから、
走査信号配線3のアルミニュウム層3aとの接続に要す
るコンタクト用導電層7は該ゲート外部端子3Aに対し
て走査信号配線3の側に設けられるようになっている。
Since the gate external terminal 3A is positioned around the TFT substrate 1 from which it is cut,
The contact conductive layer 7 required for connecting the scanning signal wiring 3 to the aluminum layer 3a is provided on the scanning signal wiring 3 side with respect to the gate external terminal 3A.

【0069】すなわち、走査信号配線3の延在端に陽極
化成膜が形成されていない領域を有し、これによりアル
ミニュウム層3aが露出されている一端においてITO
膜からなるゲート外部端子3Aの一部が重畳されてい
る。
That is, there is a region where no anodized film is formed at the extending end of the scanning signal wiring 3, so that the one end where the aluminum layer 3 a is exposed is ITO.
A part of the gate external terminal 3A made of a film is overlapped.

【0070】そして、アルミニュウム層3aが露出され
ている走査信号配線3に重畳されてコンタクト用導電層
7が形成され、その一端において、前記ゲート外部端子
3Aに重畳されるようにして構成されている。
Then, a contact conductive layer 7 is formed so as to overlap the scanning signal wiring 3 where the aluminum layer 3a is exposed, and one end of the conductive layer 7 is overlapped with the gate external terminal 3A. .

【0071】〔ドレイン検査用端子〕図8は、前記ドレ
イン検査用端子4D、4Fの一実施例を示す断面図であ
る。同図において、TFT基板1の表面に、ITO膜か
らなるドレイン検査用端子4D、4Fがある。このドレ
イン検査用端子4D、4Fは画素電極5と同時に形成さ
れるようになっている。
[Drain Inspection Terminal] FIG. 8 is a sectional view showing an embodiment of the drain inspection terminals 4D and 4F. In the figure, on the surface of the TFT substrate 1, there are drain inspection terminals 4D and 4F made of an ITO film. The drain inspection terminals 4D and 4F are formed simultaneously with the pixel electrode 5.

【0072】そして、映像信号配線4がこのドレイン検
査用端子4D、4Fにまで延在され、その一端が該ドレ
イン検査用端子4D、4Fの一部に重畳されるようにし
て形成されている。
The video signal wiring 4 extends to the drain inspection terminals 4D and 4F, and one end thereof is formed so as to overlap a part of the drain inspection terminals 4D and 4F.

【0073】なお、ドレイン外部端子4A、4Bの場合
もこのドレイン検査用端子と全く同様の構成となってい
る。
The drain external terminals 4A and 4B have exactly the same configuration as the drain inspection terminal.

【0074】実施例2. 図9は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
平面図である。同図はいわゆるCOG(Chip On glas
s)方式と称される液晶表示装置であって、走査信号配
線に接続されるゲート外部端子に半導体ICの出力側の
電極が形成されるとともに、該半導体ICの入力側の電
極と接続される配線もTFT基板1面に形成されている
構成のものである。
Embodiment 2 FIG . FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. The figure shows the so-called COG (Chip On glass)
s) A liquid crystal display device referred to as a method, wherein an output electrode of a semiconductor IC is formed at a gate external terminal connected to a scanning signal line and connected to an input electrode of the semiconductor IC. The wiring is also formed on the TFT substrate 1 surface.

【0075】すなわち、液晶駆動用の半導体ICがTF
T基板上に搭載される構造となっている。
That is, the semiconductor IC for driving the liquid crystal is TF
It has a structure mounted on a T substrate.

【0076】図9のX−X線における断面図を図10に示
す。同図において、走査信号配線3に接続されるゲート
外部端子3D’は、上述したゲート検査用外部端子3D
と同様な構成となっており、該走査信号配線3のアルミ
ニュウム層と該ゲート外部端子との接続を図るコンタク
ト用導電層7’は、半導体IC40の搭載領域に設けら
れるようになっている。
FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. In the figure, the gate external terminal 3D ′ connected to the scanning signal wiring 3 is the above-described gate inspection external terminal 3D.
The contact conductive layer 7 ′ for connecting the aluminum layer of the scanning signal wiring 3 to the gate external terminal is provided in the mounting area of the semiconductor IC 40.

【0077】このように構成した、ゲート外部端子3D
は、いわゆるデッドペースとなりやすい半導体ICの搭
載領域を有効に利用し、ここにコンタクト用導電層7’
を設けることにより、走査信号配線3とゲート外部端子
3D’との信頼性あるコンタクトを図るようにしてい
る。
The thus configured gate external terminal 3D
Effectively utilizes the mounting area of a semiconductor IC, which tends to be a so-called dead pace, and includes a contact conductive layer 7 ′
Is provided, a reliable contact between the scanning signal wiring 3 and the gate external terminal 3D 'is achieved.

【0078】なお、半導体ICの入力側の電極と接続さ
れる配線の外部端子3D’’は、上述のような構成とな
っていないが、該外部端子3D’’はその数が極めて少
なく、該外部端子3D’’の線幅を比較的大きく形成す
ることができるようになる。
Although the external terminals 3D ″ of the wiring connected to the electrodes on the input side of the semiconductor IC are not configured as described above, the number of the external terminals 3D ″ is extremely small. The line width of the external terminal 3D ″ can be formed relatively large.

【0079】このことは、コンタクト用導電層7’によ
る配線と外部端子のコンタクトの信頼性は比較的高く、
上述のような構成とする必要が乏しいことに基づくもの
である。
This means that the reliability of the contact between the wiring formed by the contact conductive layer 7 ′ and the external terminal is relatively high.
This is based on the fact that the configuration described above is not necessary.

【0080】上述した各実施例では、そのいずれも走査
信号配線がアルミニュウム層でその表面に陽極化成膜が
形成されたものである。しかし、映像信号配線におい
て、このような構成とすることもできる。
In each of the above-described embodiments, the scanning signal wiring is made of an aluminum layer and an anodized film is formed on the surface thereof. However, such a configuration can be adopted in the video signal wiring.

【0081】この場合、それに形成されるドレイン検査
用端子あるいはドレイン外部端子において本発明を適用
できることはいうまでもない。
In this case, it goes without saying that the present invention can be applied to the drain inspection terminal or the drain external terminal formed on the terminal.

【0082】[0082]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、信号配線に形成さ
れた端子の該信号配線とのコンタクトに信頼性をもたせ
ることができるようになる。
As is apparent from the above description,
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the liquid crystal display device by this invention, the contact of the terminal formed in the signal wiring with the said signal wiring can be given reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要
部構成図である。
FIG. 1 is a main part configuration diagram showing one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置のTFT基板の一実
施例を示す概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing one embodiment of a TFT substrate of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】本発明による液晶表示装置の画素領域の一実施
例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one embodiment of a pixel region of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す要部工程図である。
FIG. 4 is a main part process view showing one embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】本発明による液晶表示装置の製造方法における
一工程の一実施例を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing one embodiment of one step in a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】従来の液晶表示装置の製造方法における一工程
の一例を示す平面図で、図5に対応した図である。
6 is a plan view showing an example of one process in a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device, and is a diagram corresponding to FIG.

【図7】本発明による液晶表示装置のゲート外部端子の
一実施例を示す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram showing one embodiment of a gate external terminal of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】本発明による液晶表示装置のドレイン検査用端
子の一実施例を示す構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram showing one embodiment of a drain inspection terminal of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図9】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
要部平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a principal part showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図10】図9のX−X線における断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…TFT基板、3…走査信号配線、3a…アルミニュ
ウム層、3b…陽極化成膜、3D…ゲート検査用端子、
7…コンタクト用導電層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate, 3 ... scanning signal wiring, 3a ... aluminum layer, 3b ... anodized film formation, 3D ... gate inspection terminal,
7 ... Contact conductive layer.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、陽極化成膜
が表面に形成されたアルミニュウムからなる信号配線を
備え、この信号配線に信号を供給する端子が設けられて
いる液晶表示装置において、 前記信号配線はその端部に前記陽極化成膜が形成されて
いない領域を有し、この領域から離間されて前記陽極化
成膜が形成されている信号配線上に前記端子を構成する
導電層が形成されているとともに、 信号配線の陽極化成膜が形成されていない前記領域に接
続され、かつ前記端子に接続されるコンタクト用導電層
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A signal wiring made of aluminum having an anodized film formed on a surface thereof, on a liquid crystal side surface of one of the transparent substrates disposed opposite to each other with a liquid crystal interposed therebetween. In the liquid crystal display device provided with a terminal for supplying a signal to the liquid crystal display device, the signal wiring has a region where the anodized film is not formed at an end thereof, and is separated from the region to form the anodized film. A conductive layer constituting the terminal is formed on the signal wiring on which the terminal is formed, and the contact is connected to the region where the anodized film of the signal wiring is not formed, and is connected to the terminal. A liquid crystal display device comprising a conductive layer.
【請求項2】 端子を構成する導電層はITO膜からな
ることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive layer forming the terminal is made of an ITO film.
【請求項3】 前記端子は信号配線の検査用の端子であ
ることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the terminal is a terminal for testing a signal wiring.
【請求項4】 前記端子は信号配線へ液晶駆動用の信号
を供給するための端子であることを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置。
4. The terminal according to claim 1, wherein the terminal is a terminal for supplying a signal for driving a liquid crystal to a signal wiring.
The liquid crystal display device as described in the above.
【請求項5】 前記端子は半導体ICの出力電極が接続
され、かつコンタクト用導電層は該半導体ICの搭載領
域に形成されていることを特徴とする請求項4記載の液
晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the terminal is connected to an output electrode of a semiconductor IC, and the contact conductive layer is formed in a mounting area of the semiconductor IC.
JP9611198A 1998-04-08 1998-04-08 Liquid crystal display device Pending JPH11295748A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9611198A JPH11295748A (en) 1998-04-08 1998-04-08 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9611198A JPH11295748A (en) 1998-04-08 1998-04-08 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11295748A true JPH11295748A (en) 1999-10-29

Family

ID=14156289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9611198A Pending JPH11295748A (en) 1998-04-08 1998-04-08 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11295748A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8294839B2 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100374435B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6028652A (en) Array substrate for display device and manufacturing method thereof
KR100244449B1 (en) Liquid crystal display having shorting bar for testing thin-film transistor and manufacturing method thereof
US20030197181A1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
US6798442B1 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same
US6646694B2 (en) Method of repairing LCD data lines
KR100308367B1 (en) Active matrix substrate
JP3272625B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and pixel defect repair method
JP2002091342A (en) Matrix array board
KR20010025862A (en) Liquid crystal display
JP3713197B2 (en) Liquid crystal display device
JPH07113728B2 (en) Active matrix substrate
KR100386458B1 (en) array panel of liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR100686235B1 (en) A panel for liquid crystal display
US6621536B1 (en) Matrix wiring substrate having an auxiliary line connected to a bundling line
JPH11295760A (en) Array substrate for display device and manufacture thereof
JPH11295748A (en) Liquid crystal display device
JP3294509B2 (en) Liquid crystal display
JP2002090775A (en) Matrix array substrate
JP3429443B2 (en) Active matrix substrate and liquid crystal display
JPH09230376A (en) Liquid crystal display device and its manufacturing method
JPH04338728A (en) Active matrix substrate
JPH08236777A (en) Semiconductor device
JP2008032855A (en) Liquid crystal display