JPH11295560A - Module for optical communication and inspection method therefor - Google Patents
Module for optical communication and inspection method thereforInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】光信号を光ファイバで双方向
に伝送する光伝送システムに使用される光通信用モジュ
ール及びその検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical communication module used in an optical transmission system for transmitting an optical signal bidirectionally through an optical fiber, and a method of inspecting the module.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、センター局からデータや多チャン
ネルの映像情報等の光信号を加入者である一般家庭又は
その付近(電柱又は数戸の住宅の間)まで光ファイバを
用いて伝送する光加入者システムが提案され、検討され
ている。この光加入者システムに用いられる光通信用モ
ジュールは屋内だけでなく電柱等の屋外でも使用される
と考えられる。従って、屋内と比較して厳しい屋外の温
度条件下でも、光通信用モジュールを安定して動作させ
る必要がある。光通信用モジュールの光出力特性は温度
依存性が大きいので、環境温度に関係なく安定した光出
力特性を得るためには、光通信用モジュールの温度を一
定に保つ必要がある。2. Description of the Related Art In recent years, optical signals for transmitting optical signals, such as data and multi-channel image information, from a center station to a subscriber's home or its vicinity (between telephone poles or several houses) using an optical fiber. A subscriber system has been proposed and considered. The optical communication module used in this optical subscriber system is considered to be used not only indoors but also outdoors such as telephone poles. Therefore, it is necessary to stably operate the optical communication module even under severe outdoor temperature conditions compared to indoor conditions. Since the optical output characteristics of the optical communication module have a large temperature dependency, it is necessary to keep the temperature of the optical communication module constant in order to obtain stable optical output characteristics regardless of the environmental temperature.
【0003】従って、光加入者システムに用いられる光
通信用モジュールにおいては、レーザ光を出射する半導
体レーザ素子の温度をパッケージの外部から制御できる
ことが好ましい。Therefore, in an optical communication module used in an optical subscriber system, it is preferable that the temperature of a semiconductor laser device that emits laser light can be controlled from outside the package.
【0004】そこで、光加入者システムに用いられる光
通信用モジュールとして、特開平9−21929号に記
載され、図11に示す構造のものが提案されている。Therefore, as an optical communication module used in an optical subscriber system, a module having a structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-21929 and shown in FIG. 11 has been proposed.
【0005】以下、従来の光通信用モジュールについて
図11を参照しながら説明する。Hereinafter, a conventional optical communication module will be described with reference to FIG.
【0006】パッケージ10の底部にはペルチェ素子1
1が設けられており、該ペルチェ素子11の上には金属
製のレンズマウント12が載置されている。レンズマウ
ント12の上における中央部にはレーザマウント13が
固定され、該レーザマウント13は半導体レーザ素子1
4を保持している。レンズマウント12におけるレーザ
マウント13の右側には、半導体レーザ素子14から出
射されるレーザ光を集光する非球面レンズ15が設けら
れている。A Peltier device 1 is provided at the bottom of the package 10.
1, a metal lens mount 12 is mounted on the Peltier element 11. A laser mount 13 is fixed to the center of the lens mount 12, and the laser mount 13 is
4 is held. On the right side of the laser mount 13 in the lens mount 12, an aspheric lens 15 for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element 14 is provided.
【0007】パッケージ10の出射部10aには光アイ
ソレータ16が設けられていると共に、パッケージ10
の出射部10aにおける光アイソレータ16の内側には
気密用ガラス板17が固定されている。また、パッケー
ジ10の出射部10aには円筒状のファイバ固定部材1
8が固定され、該ファイバ固定部材18は光ファイバ1
9の一端に固定されたフェルール20を保持している。[0007] An optical isolator 16 is provided at an emission portion 10 a of the package 10.
A glass plate 17 for airtightness is fixed inside the optical isolator 16 in the light emitting portion 10a of the light emitting device. In addition, a cylindrical fiber fixing member 1 is provided at the emission portion 10a of the package 10.
The fiber fixing member 18 is fixed to the optical fiber 1.
9 holds a ferrule 20 fixed to one end.
【0008】レンズマウント12の上におけるレーザマ
ウント13の左側にはモニターマウント21が固定さ
れ、該モニターマウント21は、半導体レーザ素子14
から出射されるレーザ光をモニターするモニター用受光
素子22を保持している。また、レーザマウント12の
上におけるモニターマウント21の左側には、レンズマ
ウント12の温度を検出する温度検出器23が設けられ
ている。A monitor mount 21 is fixed on the lens mount 12 on the left side of the laser mount 13, and the monitor mount 21 is mounted on the semiconductor laser device 14.
Holding the monitoring light receiving element 22 for monitoring the laser light emitted from the light emitting device. On the left side of the monitor mount 21 on the laser mount 12, a temperature detector 23 for detecting the temperature of the lens mount 12 is provided.
【0009】パッケージ10は前述した各部材が収納さ
れた状態でキャップ24によって気密封止される。この
場合、パッケージ10の内部を長期間に亘って気密状態
に保つためにパッケージ10とキャップ24とは溶接さ
れていると共に、気密用ガラス17の周囲には金属膜が
形成され、該金属膜とパッケージ10とは半田により固
定されている。また、光アイソレータ16とパッケージ
10の出射部10aとの間も気密封止されている。The package 10 is hermetically sealed by a cap 24 in a state where the above-described members are stored. In this case, the package 10 and the cap 24 are welded to keep the inside of the package 10 airtight for a long period of time, and a metal film is formed around the airtight glass 17. The package 10 is fixed with solder. Further, the space between the optical isolator 16 and the emission section 10a of the package 10 is also hermetically sealed.
【0010】前記従来の光通信用モジュールにおいて
は、半導体レーザ素子14から出射されたレーザ光は非
球面レンズ15により光ファイバ19の一端部に結合し
た後、光ファイバ19を伝搬して該光ファイバ19の他
端部から出力信号光として出力される。In the conventional optical communication module, the laser light emitted from the semiconductor laser element 14 is coupled to one end of an optical fiber 19 by an aspheric lens 15, and then propagates through the optical fiber 19 to be transmitted to the optical fiber. The other end of the signal 19 is output as output signal light.
【0011】また、半導体レーザ素子14から出射され
るレーザ光の光出力をモニター用受光素子22によりモ
ニターすることによって、半導体レーザ素子14の光出
力が制御されると共に、レンズマウント12の温度は温
度検出器23及びペルチェ素子11によって制御され
る。The optical output of the laser beam emitted from the semiconductor laser element 14 is monitored by the monitoring light receiving element 22 so that the optical output of the semiconductor laser element 14 is controlled and the temperature of the lens mount 12 is controlled by the temperature. It is controlled by the detector 23 and the Peltier element 11.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、光加入者システムに用いられる光通信用モジュー
ルにおいては、レーザ光を出射する半導体レーザ素子の
温度をパッケージの外部から制御できることが好ましい
と共に、光加入者システムの普及に伴って、光通信用モ
ジュールの低価格化及び小型化が望まれる。As described above, in the optical communication module used in the optical subscriber system, it is preferable that the temperature of the semiconductor laser device that emits laser light can be controlled from outside the package. With the spread of optical subscriber systems, it is desired to reduce the cost and size of optical communication modules.
【0013】ところが、前記従来の光通信用モジュール
においては、部品点数が多いので、低価格化及び小型化
が制約されるという問題がある。However, since the conventional optical communication module has a large number of components, there is a problem that reduction in cost and size are restricted.
【0014】前記に鑑み、本発明は、半導体レーザ素子
の温度をパッケージの外部から制御できると共に、光通
信用モジュールの低価格化及び小型化を実現できるよう
にすることを目的とする。In view of the above, it is an object of the present invention to control the temperature of a semiconductor laser device from outside a package and to realize a low-cost and compact optical communication module.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る光通信用モジュールは、内部が気密に
保持されるパッケージと、パッケージの底部に固定さ
れ、外部から温度制御される冷却手段と、冷却手段の上
に固定されたベースと、ベースの上に固定され、レーザ
光を出射する半導体レーザ素子と、ベースの上に固定さ
れ、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光出力
を検出するモニター用受光素子と、ベースの上に固定さ
れ、一端部に半導体レーザ素子から出射されたレーザ光
が入射され、他端部から出力信号光を出力する光ファイ
バとを備えている。In order to achieve the above-mentioned object, an optical communication module according to the present invention has a package whose inside is kept airtight, and is fixed to the bottom of the package, and the temperature is controlled from the outside. Cooling means, a base fixed on the cooling means, a semiconductor laser element fixed on the base and emitting laser light, and a light of the laser light fixed on the base and emitted from the semiconductor laser element A monitor light receiving element for detecting an output; and an optical fiber fixed on the base, the laser light emitted from the semiconductor laser element being incident on one end, and an output signal light being output from the other end. .
【0016】本発明の光通信用モジュールによると、冷
却手段の上に固定されたベースの上に半導体レーザ素子
が直接に固定されているため、半導体レーザ素子に発生
した熱はベースを介して冷却手段に直接に伝わると共に
ベースと半導体レーザ素子との間に半導体レーザ素子を
保持するレーザマウントが不要になる。また、半導体レ
ーザ素子から出射されたレーザ光は光ファイバに直接に
入射するため、半導体レーザ素子から出射されたレーザ
光を集光する集光レンズが不要になる。According to the optical communication module of the present invention, since the semiconductor laser device is directly fixed on the base fixed on the cooling means, the heat generated in the semiconductor laser device is cooled via the base. This eliminates the need for a laser mount that directly transmits to the means and holds the semiconductor laser device between the base and the semiconductor laser device. Further, since the laser light emitted from the semiconductor laser element is directly incident on the optical fiber, a condenser lens for condensing the laser light emitted from the semiconductor laser element becomes unnecessary.
【0017】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバの他端部から入力された後、光フ
ァイバ内を伝搬する入力信号光を上方へ導く光分岐器
と、ベースの上に固定され、光分岐器により上方へ導か
れた入力信号光を受ける受信用受光素子とをさらに備え
ていることが好ましい。An optical communication module according to the present invention is provided on a base, and an optical splitter for guiding an input signal light propagating in the optical fiber after being input from the other end of the optical fiber, and an optical splitter on the base. And a receiving light receiving element for receiving the input signal light guided upward by the optical splitter.
【0018】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバ内を伝搬する入力信号光が半導体
レーザ素子に進入することを阻止するインライン型の光
アイソレータをさらに備えていることが好ましい。The optical communication module of the present invention preferably further includes an in-line optical isolator provided on the base and for preventing input signal light propagating in the optical fiber from entering the semiconductor laser device. .
【0019】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバの半導体レーザ素子に対する位置
を規制する光ファイバ位置決め手段をさらに備えている
ことが好ましい。It is preferable that the optical communication module of the present invention further includes an optical fiber positioning means provided on the base and for regulating a position of the optical fiber with respect to the semiconductor laser device.
【0020】この場合、光ファイバ位置決め手段は、ベ
ースに光軸方向へ延びるように形成され、光ファイバが
嵌合されることにより光ファイバの光軸と垂直な方向の
位置を規制する凹状溝と、ベースに光軸と垂直な方向へ
延びるように形成され、半導体レーザ素子側の壁面に光
ファイバの一端部が当接することにより光ファイバの光
軸方向の位置を規制する切り込み溝とを有していること
が好ましい。In this case, the optical fiber positioning means is formed on the base so as to extend in the optical axis direction, and has a concave groove for regulating the position of the optical fiber in a direction perpendicular to the optical axis by fitting the optical fiber. A cut groove formed in the base so as to extend in a direction perpendicular to the optical axis, and restricting the position of the optical fiber in the optical axis direction by contacting one end of the optical fiber with the wall surface on the semiconductor laser element side. Is preferred.
【0021】本発明の光通信用モジュールは、冷却手段
に設けられ、ベースの冷却手段に対する位置を規制する
ベース位置決め手段をさらに備えていることが好まし
い。It is preferable that the optical communication module of the present invention further includes a base positioning means provided on the cooling means and for regulating a position of the base with respect to the cooling means.
【0022】この場合、ベース位置決め手段は、冷却手
段の上面に形成され、ベースが嵌合可能な形状を有する
凹部であることが好ましい。In this case, the base positioning means is preferably a recess formed on the upper surface of the cooling means and having a shape to which the base can be fitted.
【0023】また、この場合、ベース位置決め手段は、
冷却手段の上面に形成されたアライメントマークである
ことが好ましい。In this case, the base positioning means is
Preferably, it is an alignment mark formed on the upper surface of the cooling means.
【0024】本発明の光通信用モジュールにおいて、冷
却手段はペルチェ素子であることが好ましい。In the optical communication module according to the present invention, the cooling means is preferably a Peltier device.
【0025】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子は、分布帰還型のレーザ素子、ポンプレ
ーザ、狭放射角レーザ素子又はスポットサイズ変換レー
ザ素子であることが好ましい。In the optical communication module of the present invention, the semiconductor laser device is preferably a distributed feedback laser device, a pump laser, a narrow radiation angle laser device or a spot size conversion laser device.
【0026】本発明の光通信用レーザ素子において、光
ファイバは、半導体レーザ素子のスポット径とほぼ等し
いコア径を有する単一モードの光ファイバであることが
好ましい。In the laser element for optical communication according to the present invention, the optical fiber is preferably a single mode optical fiber having a core diameter substantially equal to the spot diameter of the semiconductor laser element.
【0027】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子はベースに、鉛を有しない鉛フリー半田
によって固定されていることが好ましい。In the optical communication module according to the present invention, it is preferable that the semiconductor laser element is fixed to the base by lead-free solder having no lead.
【0028】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースは冷却手段に、鉛を有しない熱伝導性ペーストによ
って固定されていることが好ましい。In the optical communication module of the present invention, the base is preferably fixed to the cooling means by a lead-free heat conductive paste.
【0029】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースの下面には金属蒸着層が形成されていることが好ま
しい。In the optical communication module of the present invention, it is preferable that a metal deposition layer is formed on the lower surface of the base.
【0030】本発明の光通信用モジュールは、ベースの
上面に形成されており、ベースの上面に形成され半導体
レーザ素子の下部電極と直接に接続された第1の外部電
極と電気的に接続されている第1の検査用電極と、ベー
スの上面に形成されており、ベースの上面に形成され半
導体レーザ素子の上部電極とボンディングワイヤにより
接続された第2の外部電極と電気的に接続されている第
2の検査用電極と、ベースの上面に形成されており、ベ
ースの上面に形成されモニター用受光素子の下部電極と
直接に接続された第3の外部電極と電気的に接続されて
いる第3の検査用電極と、ベースの上面に形成されてお
り、ベースの上面に形成されモニター用受光素子の上部
電極とボンディングワイヤにより接続された第4の外部
電極と電気的に接続されている第4の検査用電極とをさ
らに備えていることが好ましい。The optical communication module of the present invention is formed on the upper surface of the base and is electrically connected to a first external electrode formed on the upper surface of the base and directly connected to the lower electrode of the semiconductor laser device. And a second external electrode formed on the upper surface of the base and connected to the upper electrode of the semiconductor laser device by a bonding wire and formed on the upper surface of the base. The second inspection electrode is formed on the upper surface of the base and is electrically connected to the third external electrode formed on the upper surface of the base and directly connected to the lower electrode of the light receiving element for monitoring. A third inspection electrode formed on the upper surface of the base and electrically connected to a fourth external electrode formed on the upper surface of the base and connected to the upper electrode of the light receiving element for monitoring by a bonding wire; Preferably further includes a fourth inspection electrodes being.
【0031】本発明に係る光通信用モジュールの検査方
法は、ベースの上に固定され、レーザ光を出射する半導
体レーザ素子と、ベースの上に固定され、半導体レーザ
素子から出射されたレーザ光の光出力を検出するモニタ
ー用受光素子と、ベースの上に固定され、一端部に半導
体レーザ素子から出射されたレーザ光が入射され、他端
部から出力信号光を出力する光ファイバと、ベースの上
面に形成され、半導体レーザ素子の下部電極と電気的に
接続された第1の検査用電極と、ベースの上に形成さ
れ、半導体レーザ素子の上部電極と電気的に接続された
第2の検査用電極と、ベースの上面に形成され、モニタ
ー用受光素子の下部電極と電気的に接続された第3の検
査用電極と、モニター用受光素子の上部電極と電気的に
接続された第4の検査用電極とを有する光通信用モジュ
ールの検査方法であって、第1の検査用電極に第1のプ
ローブ針を接触させると共に第2の検査用電極に第2の
プローブ針を接触させ、第1のプローブ針と第2のプロ
ーブ針との間に検査用電流を印加する電流印加工程と、
第3の検査用電極に第3のプローブ針を接触させると共
に第4の検査用電極に第4のプローブ針を接触させ、第
3のプローブ針と第4のプローブ針との間に流れる電流
を検出する電流検出工程と、電流検出工程において検出
された電流に基づき、半導体レーザ素子の電気特性を検
査する検査工程とを備えている。According to the method for inspecting an optical communication module according to the present invention, a semiconductor laser device fixed on a base and emitting laser light, and a semiconductor laser device fixed on the base and emitted from the semiconductor laser device are provided. A monitor light-receiving element for detecting light output, an optical fiber fixed on the base, laser light emitted from the semiconductor laser element being incident on one end, and outputting output signal light from the other end, A first inspection electrode formed on the upper surface and electrically connected to the lower electrode of the semiconductor laser device; and a second inspection electrode formed on the base and electrically connected to the upper electrode of the semiconductor laser device A third inspection electrode formed on the upper surface of the base and electrically connected to the lower electrode of the monitor light receiving element; and a fourth inspection electrode electrically connected to the upper electrode of the monitor light receiving element. Inspection A method for inspecting an optical communication module having a first probe electrode and a second probe electrode in contact with a first probe electrode and a second probe electrode. A current applying step of applying an inspection current between the probe needle and the second probe needle;
A third probe needle is brought into contact with the third inspection electrode, and a fourth probe needle is brought into contact with the fourth inspection electrode, so that a current flowing between the third probe needle and the fourth probe needle is generated. The method includes a current detection step for detecting, and an inspection step for inspecting electrical characteristics of the semiconductor laser element based on the current detected in the current detection step.
【0032】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
よると、第1のプローブ針と第2のプローブ針との間に
検査用電流を印加することにより、第1の検査用電極と
第2の検査用電極との間ひいては半導体レーザ素子の下
部電極と上部電極との間に検査用電流を印加することが
できると共に、第3のプローブ端子と第4のプローブ端
子との間の電流を検出することにより、第3の検査用電
極と第4の検査用電極との間に流れる電流ひいてはモニ
ター用受光素子の下部電極と上部電極との間に流れる電
流を検出することができる。According to the optical communication module inspection method of the present invention, the first inspection electrode and the second inspection needle are applied by applying an inspection current between the first probe needle and the second probe needle. Inspection current can be applied between the inspection electrode and thus between the lower electrode and the upper electrode of the semiconductor laser device, and the current between the third probe terminal and the fourth probe terminal is detected. Thus, the current flowing between the third inspection electrode and the fourth inspection electrode, that is, the current flowing between the lower electrode and the upper electrode of the monitoring light receiving element can be detected.
【0033】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
おいて、第1の検査用電極は、ベースの上に形成され半
導体レーザ素子の下部電極と直接に接続された第1の外
部電極と電気的に接続されており、第2の検査用電極
は、ベースの上に形成され半導体レーザ素子の上部電極
とボンディングワイヤにより接続された第2の外部電極
と電気的に接続されており、第3の検査用電極は、ベー
スの上に形成されモニター用受光素子の下部電極と直接
に接続された第3の外部電極と電気的に接続されてお
り、第4の検査用電極は、ベースの上に形成されモニタ
ー用受光素子の上部電極とボンディングワイヤにより接
続された第4の外部電極と電気的に接続されていること
が好ましい。In the optical communication module inspection method of the present invention, the first inspection electrode is electrically connected to a first external electrode formed on the base and directly connected to the lower electrode of the semiconductor laser device. The second inspection electrode is electrically connected to a second external electrode formed on the base and connected to an upper electrode of the semiconductor laser device by a bonding wire, and is connected to the second inspection electrode. The test electrode is electrically connected to a third external electrode formed on the base and directly connected to the lower electrode of the monitor light receiving element, and the fourth test electrode is formed on the base. Further, it is preferable to be electrically connected to the fourth external electrode connected to the upper electrode of the monitoring light receiving element by a bonding wire.
【0034】[0034]
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態に係る光通信用モジュールについて図
1〜図4を参照しながら説明する。図1は光通信用モジ
ュールの側方断面図、図2はキャップを取り除いた状態
の光通信用モジュールの平面図、図3は図1におけるII
I−III 線の断面図、図4は図1におけるVI−VI線の断
面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) An optical communication module according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 is a side sectional view of the optical communication module, FIG. 2 is a plan view of the optical communication module with a cap removed, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG. 1.
【0035】パッケージ100の底部には冷却手段とし
てのペルチェ素子101が設けられており、該ペルチェ
素子101の上には方形板状のベース102が固定され
ている。ベース102をペルチェ素子101に固定する
方法としては、半田付け又は樹脂等の接着剤が挙げられ
が、鉛が含まれていない鉛フリー半田又は鉛フリーペー
ストを用いると、人体に対する悪影響を防止できる。A Peltier device 101 as a cooling means is provided at the bottom of the package 100, and a rectangular plate-like base 102 is fixed on the Peltier device 101. As a method for fixing the base 102 to the Peltier element 101, soldering or an adhesive such as a resin may be used. However, if lead-free solder or lead-free paste containing no lead is used, an adverse effect on the human body can be prevented.
【0036】また、ベース102をペルチェ素子101
に熱伝導性ペーストによって固定したり、ベース102
の下面に金属蒸着層を形成したりすると、ベース102
とペルチェ素子101との間の熱伝導性を向上させるこ
とができる。The base 102 is connected to the Peltier device 101.
To the base 102,
When a metal deposition layer is formed on the lower surface of
And the Peltier element 101 can be improved in thermal conductivity.
【0037】ベース102の上における図1及び図2の
左側には、例えば波長1.3μm帯のレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子103と、該半導体レーザ素子10
3から出射されるレーザ光の強度をモニターするフォト
ダイオードからなるモニター用受光素子104とが画像
認識により高精度に搭載されている。On the left side of FIGS. 1 and 2 on the base 102, for example, a semiconductor laser device 103 for emitting a laser beam in a wavelength band of 1.3 μm, and the semiconductor laser device 10
A monitoring light receiving element 104 composed of a photodiode for monitoring the intensity of the laser light emitted from the laser light 3 is mounted with high accuracy by image recognition.
【0038】ベース102の上面における半導体レーザ
素子103が搭載されている部分よりも右側には、図4
に示すように、断面V字状の凹状溝が光軸方向に延びる
ように形成されており、該凹状溝には単一モードの光フ
ァイバ105の入射部105aが嵌め込まれている。On the right side of the upper surface of the base 102 on which the semiconductor laser element 103 is mounted, FIG.
As shown in FIG. 7, a concave groove having a V-shaped cross section is formed so as to extend in the optical axis direction, and the incident portion 105a of the single mode optical fiber 105 is fitted into the concave groove.
【0039】ベース102の中央部の上側には、断面台
形状の凹状溝を有するファイバ押さえ部材106が固定
されており、光ファイバ105の入射部105aは、ベ
ース102の凹状溝の両壁面とファイバ押さえ部材10
6の底面との3点によって狭持されている。A fiber pressing member 106 having a concave groove having a trapezoidal cross section is fixed above the central portion of the base 102. The incident portion 105a of the optical fiber 105 is connected to both wall surfaces of the concave groove of the base 102 and the fiber. Holding member 10
6 and 3 points.
【0040】ベース102における半導体レーザ素子1
03が搭載されている部分の右側には、光軸と垂直な方
向に延びる切欠き部107が形成されている。切欠き部
107の半導体レーザ素子103側の壁面に光ファイバ
105の左端面(入射端面)が当接しており、これによ
って、半導体レーザ素子103と光ファイバ105の左
端面(入射端面)との距離が規制されている。Semiconductor laser device 1 on base 102
A cutout portion 107 extending in a direction perpendicular to the optical axis is formed on the right side of the portion where 03 is mounted. The left end face (incident end face) of the optical fiber 105 is in contact with the wall surface of the cutout portion 107 on the semiconductor laser element 103 side, and thereby the distance between the semiconductor laser element 103 and the left end face (incident end face) of the optical fiber 105 is increased. Is regulated.
【0041】光ファイバ105の入射部105aが3点
によって狭持されていること及び光ファイバ105の入
射端面が切欠き部107の壁面に当接していることによ
って、パッシブアライメント方式でサブミクロンオーダ
ーの光軸調整が可能になっている。Since the incident portion 105a of the optical fiber 105 is sandwiched by three points and the incident end face of the optical fiber 105 is in contact with the wall surface of the notch 107, a sub-micron order passive alignment method is used. The optical axis can be adjusted.
【0042】ベース102の上面における切欠き部10
7よりも左側には、半導体レーザ素子103に電流を印
加したり又はモニター用受光素子104に生じる電流を
検出したりするための外部電極108が設けられてお
り、該外部電極108は外部リード109とボンディン
グワイヤ110によって電気的に接続されている。ま
た、ペルチェ素子101と外部リード109ともボンデ
ィングワイヤ110によって電気的に接続されている。Notch 10 on the upper surface of base 102
7, an external electrode 108 for applying a current to the semiconductor laser element 103 or detecting a current generated in the monitoring light receiving element 104 is provided. The external electrode 108 is connected to an external lead 109. Are electrically connected to each other by a bonding wire 110. Further, the Peltier element 101 and the external lead 109 are also electrically connected by the bonding wire 110.
【0043】パッケージ100における右側の壁部には
光ファイバ105を保持するための筒状部111がパッ
ケージ100と一体に設けられており、該筒状部111
に挿通されている光ファイバ105のジャケット部10
5bは筒状部111に固定用樹脂112によって固定さ
れている。尚、パッケージ100の内部の気密性を向上
させるためには、光ファイバ105のジャケット105
bの表面に金属層(図示は省略している。)を形成し、
該金属層と筒状部111とを半田によって固定すること
が好ましい。A cylindrical portion 111 for holding the optical fiber 105 is provided integrally with the package 100 on the right wall of the package 100.
Jacket portion 10 of optical fiber 105 inserted through
5b is fixed to the cylindrical portion 111 by a fixing resin 112. In order to improve the airtightness inside the package 100, the jacket 105 of the optical fiber 105 is required.
forming a metal layer (not shown) on the surface of b.
It is preferable that the metal layer and the cylindrical portion 111 be fixed by soldering.
【0044】モジュール100の内部に前述した各部材
を搭載した後、モジュール100の上部開口部はキャッ
プ113によって気密封止されている。キャップ113
をモジュール100に固定する手段としては、溶接、半
田付け又は樹脂等の接着剤が挙げられ、溶接、半田付け
及び接着剤の順に、気密性は劣るがコスト的には有利に
なる。この場合、鉛が含まれていない鉛フリー半田又は
鉛フリーペーストを用いると、人体に対する悪影響を防
止できる。After mounting each of the above-described members inside the module 100, the upper opening of the module 100 is hermetically sealed with a cap 113. Cap 113
As a means for fixing the module to the module 100, an adhesive such as welding, soldering, or resin may be used. The order of welding, soldering, and the adhesive is inferior in airtightness but is advantageous in cost. In this case, the use of lead-free solder or lead-free paste containing no lead can prevent adverse effects on the human body.
【0045】ところで、ベース102の上に半導体レー
ザ素子103、モニター用受光素子104及び光ファイ
バ105を高精度に実装するために、ベース102の上
には画像認識用のアライメントマーク(図示は省略して
いる。)及び断面V字状の凹状溝を高精度に加工する必
要がある。また、半導体レーザ素子103から発生する
熱をベース102を介してペルチェ素子101に効率良
く放散させる必要がある。By the way, in order to mount the semiconductor laser element 103, the light receiving element 104 for monitoring, and the optical fiber 105 on the base 102 with high accuracy, alignment marks for image recognition (not shown) are provided on the base 102. And a concave groove having a V-shaped cross section must be machined with high precision. Further, it is necessary to efficiently dissipate heat generated from the semiconductor laser element 103 to the Peltier element 101 via the base 102.
【0046】従って、ベース102を構成する材料とし
ては、加工が容易で且つ熱伝導率の良いシリコンの単結
晶が好ましい。シリコンの単結晶は、フォトリソグラフ
ィー、異方性エッチング及び金属蒸着等の半導体プロセ
スを駆使して非常に高精度な形状に加工することができ
る。また、シリコンの単結晶は熱伝導性が良いため、半
導体レーザ素子103のヒートシンクとしても十分な役
割を果たすことができる。Therefore, the material constituting the base 102 is preferably a single crystal of silicon which is easy to process and has good thermal conductivity. The silicon single crystal can be processed into a very high-precision shape by utilizing semiconductor processes such as photolithography, anisotropic etching, and metal deposition. In addition, since silicon single crystal has good thermal conductivity, it can play a sufficient role as a heat sink of the semiconductor laser element 103.
【0047】半導体レーザ素子103としては、レーザ
光を光ファイバ105の入射端面に高い結合効率で結合
するために、狭放射角レーザ素子のようにスポットサイ
ズが大きいものが好ましい。As the semiconductor laser device 103, a device having a large spot size such as a narrow radiation angle laser device is preferable in order to couple the laser beam to the incident end face of the optical fiber 105 with high coupling efficiency.
【0048】通常のスポットサイズを持つ半導体レーザ
素子103を用いる場合には、半導体レーザ素子103
のスポットサイズと同程度のコア径を持つ光ファイバ1
05を使用して、レーザ光を光ファイバ105の入射部
105aに直接に結合させることにより、高い結合効率
を得ることができる。例えば、光ファイバ105のコア
部の径と半導体レーザ素子103のスポットサイズとの
差を約3.0μm以下にすると、80%程度の結合効率
が得られる。When the semiconductor laser device 103 having a normal spot size is used, the semiconductor laser device 103
Optical fiber 1 with a core diameter about the same as the spot size
By using the laser beam 05 to directly couple the laser beam to the incident portion 105a of the optical fiber 105, high coupling efficiency can be obtained. For example, when the difference between the diameter of the core of the optical fiber 105 and the spot size of the semiconductor laser element 103 is set to about 3.0 μm or less, a coupling efficiency of about 80% can be obtained.
【0049】また、半導体レーザ素子103としては、
光通信用モジュールが波長多重システムの光信号出力源
として用いられ単一波長で発振する必要がある場合に
は、狭放射角機能を有するDFB(分布帰還型)レーザ
素子が好ましく、光通信用モジュールがファイバアンプ
等のように非常に高い出力が求められる場合には、長い
共振器長を有するポンプレーザ素子が好ましい。Further, as the semiconductor laser element 103,
When the optical communication module is used as an optical signal output source of a wavelength division multiplexing system and needs to oscillate at a single wavelength, a DFB (distributed feedback) laser element having a narrow radiation angle function is preferable. When a very high output is required as in the case of a fiber amplifier, a pump laser element having a long cavity length is preferable.
【0050】モニター用受光素子104としては、導波
路型又はエッチング面取ミラー型等の端面入射型のフォ
トダイオードを用いることが好ましい。As the light receiving element 104 for monitoring, it is preferable to use an end face incident type photodiode such as a waveguide type or an etching chamfered mirror type.
【0051】(第1の実施形態の第1変形例)ところ
で、パッケージ100の内部の気密性を向上させるため
には、筒状部111と光ファイバ105のジャケット1
05bとの隙間は小さい方が好ましく、該隙間を小さく
するためには、ベース102を高精度でペルチェ素子1
01に実装する必要がある。(First Modification of First Embodiment) In order to improve the airtightness of the interior of the package 100, the cylindrical portion 111 and the jacket 1 of the optical fiber 105 are required.
The gap between the base 102 and the Peltier element 05b is preferably adjusted with high precision in order to reduce the gap.
01 must be implemented.
【0052】そこで、第1の変形例においては、図5に
示すように、ペルチェ素子101の上部にベース102
が嵌合可能な大きさの位置決め用凹部120が設けられ
ていると共に、位置決め用凹部120の底面に画像認識
用のアライメントマーク121が形成されている。Therefore, in a first modification, as shown in FIG.
A positioning recess 120 having a size that can be fitted is provided, and an alignment mark 121 for image recognition is formed on the bottom surface of the positioning recess 120.
【0053】尚、図示は省略したが、パッケージ100
の底部にペルチェ素子101が嵌合可能な大きさの位置
決め用凹部を設けたり、画像認識用のアライメントマー
クを設けたりしてもよい。Although not shown, the package 100
May be provided at the bottom with a positioning recess having a size to which the Peltier element 101 can be fitted, or an alignment mark for image recognition may be provided.
【0054】このようにすると、ベース102のパッケ
ージ100に対する位置精度が向上するため、パッケー
ジ100の筒状部111と光ファイバ105のジャケッ
ト105bとの隙間を小さくして、パッケージ100の
内部の気密性を向上させることができる。With this arrangement, the positional accuracy of the base 102 with respect to the package 100 is improved. Therefore, the gap between the cylindrical portion 111 of the package 100 and the jacket 105b of the optical fiber 105 is reduced, and the airtightness inside the package 100 is reduced. Can be improved.
【0055】(第1の実施形態の第2変形例)ところ
で、第1の実施形態に係る光通信用モジュールにおいて
は、光ファイバ105のピッグテールがパッケージ10
0から突出している。このため、光ファイバ105のピ
ッグテールがパッケージ100から突出した状態で、光
ファイバ105の入射部105aをベース102に固定
する作業が必要になるので、生産性が損なわれたり、ま
た、光通信用モジュールの占有面積が大きくなって量産
性が損なわれる等の問題がある。(Second Modification of First Embodiment) In the optical communication module according to the first embodiment, the pigtail of the optical fiber 105 is
It protrudes from zero. Therefore, it is necessary to fix the incident portion 105a of the optical fiber 105 to the base 102 in a state where the pigtail of the optical fiber 105 protrudes from the package 100, so that the productivity is impaired, and the optical communication module is reduced. However, there is a problem that the occupied area becomes large and mass productivity is impaired.
【0056】そこで、第2変形例においては、図6に示
すように、ジャケット105bを有しない第1の光ファ
イバ105A(光通信用モジュールを構成する光ファイ
バ)におけるパッケージ100の筒状部111に挿入さ
れる部分に第1のフェルール131を固定すると共に、
ジャケット105bを有する第2の光ファイバ105B
(光伝送路を構成する光ファイバ)におけるジャケット
105bが取り除かれた先端部に第2のフェルール13
2を固定し、第1のフェルール131と第2のフェルー
ル132とを割スリーブ133によって固定している。
また、第2の光ファイバ105Bと第2のフェルール1
32とは筒状の連結部材134によって一体化されてい
る。Therefore, in the second modification, as shown in FIG. 6, the cylindrical portion 111 of the package 100 in the first optical fiber 105A (the optical fiber constituting the optical communication module) having no jacket 105b is provided. While fixing the first ferrule 131 to the part to be inserted,
Second optical fiber 105B having jacket 105b
The second ferrule 13 is provided at the end of the (optical fiber constituting the optical transmission line) from which the jacket 105b has been removed.
2 is fixed, and the first ferrule 131 and the second ferrule 132 are fixed by the split sleeve 133.
Further, the second optical fiber 105B and the second ferrule 1
32 is integrated with a cylindrical connecting member 134.
【0057】このようにすると、第1の光ファイバ10
5Aの入射部105aをベース102に固定する際に
は、第1の光ファイバ105Aと第2の光ファイバ10
5Bとを分離しておくことができるため、生産性が向上
すると共に、光通信用モジュールの占有面積が小さくな
るので量産性も向上する。In this way, the first optical fiber 10
When the 5A incident portion 105a is fixed to the base 102, the first optical fiber 105A and the second optical fiber 10A are fixed.
5B can be separated, so that the productivity is improved, and the area occupied by the optical communication module is reduced, so that the mass productivity is also improved.
【0058】また、第1の光ファイバ105Aに固定さ
れた第1のフェルール131と第2の光ファイバ105
Bに固定された第2のフェルール132とは割スリーブ
133によって一体化されているため、0.3dB以下
の低い損失で第1の光ファイバ105Aと第2の光ファ
イバ105Bとを接続することができる。Further, the first ferrule 131 and the second optical fiber 105 fixed to the first optical fiber 105A.
Since the second ferrule 132 fixed to B is integrated with the split sleeve 133, the first optical fiber 105A and the second optical fiber 105B can be connected with a low loss of 0.3 dB or less. it can.
【0059】従って、第2変形例によると、光通信用モ
ジュールの生産ラインの省スペース化が可能になると共
に、光通信用モジュールのハンドリングが容易になるた
め生産ラインの自動化率を向上させることができる。Therefore, according to the second modification, the space for the production line of the optical communication module can be saved, and the handling of the optical communication module becomes easy, so that the automation rate of the production line can be improved. it can.
【0060】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る光通信用モジュールについて図7を参照
しながら説明する。図7は光通信用モジュールの側方断
面図であるが、図7においては、パッケージ及びキャッ
プは図示を省略している。(Second Embodiment) An optical communication module according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 7 is a side sectional view of the optical communication module. However, in FIG. 7, the package and the cap are not shown.
【0061】第2の実施形態に係る光通信用モジュール
は、信号光を出力する光送信機能と信号光が入力される
光受信機能とを併せ持つ複合機能型の光通信用モジュー
ルである。The optical communication module according to the second embodiment is a multifunctional optical communication module having both an optical transmission function of outputting signal light and an optical reception function of receiving signal light.
【0062】第2の実施形態においても、第1の実施形
態と同様、ペルチェ素子201の上には方形板状の送信
用ベース202が設けられており、該送信用ベース20
2の上には半導体レーザ素子203及びモニター用受光
素子204が高精度に搭載されている。また、送信用ベ
ース202の上面には断面V字状の凹状溝が光軸方向に
延びるように形成されており、該凹状溝には単一モード
の光ファイバ205が嵌め込まれている。送信用ベース
202の中央部の上側には、断面台形状の凹状溝を有す
るファイバ押さえ部材206が固定されており、光ファ
イバ205は送信用ベース202の凹状溝の両壁面とフ
ァイバ押さえ部材206の底面との3点によって狭持さ
れている。さらに、送信用ベース202における半導体
レーザ素子203が搭載されている部分の右側には、光
軸と垂直な方向に延びる切欠き部207が形成されてお
り、該切欠き部207の半導体レーザ素子203側の壁
面に光ファイバ205の左端面(入射端面)が当接して
いる。In the second embodiment, as in the first embodiment, a transmission base 202 having a rectangular plate shape is provided on the Peltier element 201.
A semiconductor laser element 203 and a light receiving element for monitoring 204 are mounted on the device 2 with high accuracy. Further, a concave groove having a V-shaped cross section is formed on the upper surface of the transmitting base 202 so as to extend in the optical axis direction, and a single mode optical fiber 205 is fitted into the concave groove. A fiber holding member 206 having a concave groove having a trapezoidal cross section is fixed above the central portion of the transmitting base 202, and the optical fiber 205 is connected to both wall surfaces of the concave groove of the transmitting base 202 and the fiber holding member 206. It is sandwiched by three points with the bottom. Further, a cutout portion 207 extending in a direction perpendicular to the optical axis is formed on the transmission base 202 on the right side of the portion where the semiconductor laser device 203 is mounted, and the semiconductor laser device 203 of the cutout portion 207 is formed. The left end surface (incident end surface) of the optical fiber 205 is in contact with the side wall surface.
【0063】第2の実施形態の特徴として、ペルチェ素
子201の上には受信用ベース210が搭載されてお
り、該受信用ベース210の中央部には光ファイバ20
5に対して所定角度を持つように光分岐器211が挿入
されている。光分岐器211は、半導体レーザ素子20
3から出射された後、光ファイバ205のコア部を左方
から右方に伝搬する出力信号光を通過させる一方、光フ
ァイバ205の右端部から入射された後、光ファイバ2
05のコア部を右方から左方に伝搬する入力信号光を上
方に導く。受信用ベース210の上面における光分岐器
211の上側には、光分岐器211によって上方へ導か
れた入力信号光を受光する受信用受光素子212が設け
られている。As a feature of the second embodiment, a receiving base 210 is mounted on the Peltier element 201, and an optical fiber 20 is provided at the center of the receiving base 210.
The optical splitter 211 is inserted so as to have a predetermined angle with respect to 5. The optical splitter 211 is provided for the semiconductor laser device 20.
3, the output signal light propagating from the left to the right through the core of the optical fiber 205 is passed therethrough.
The input signal light propagating from the right to the left in the core portion 05 is guided upward. Above the optical splitter 211 on the upper surface of the receiving base 210, a receiving light receiving element 212 for receiving the input signal light guided upward by the optical splitter 211 is provided.
【0064】また、受信用ベース202における右側部
分にはインライン型の小型アイソレータ213が挿入さ
れており、光ファイバ205を伝搬する入力信号光が半
導体レーザ素子203に進入することが防止されてい
る。光ファイバ205の伝送経路にインライン型の小型
アイソレータ213を挿入することは、半導体レーザ素
子203として、外部から入射する光の影響を受けやす
いDFBレーザ素子を用いる場合に特に有効である。A small in-line isolator 213 is inserted into the right side of the receiving base 202 to prevent the input signal light propagating through the optical fiber 205 from entering the semiconductor laser element 203. Inserting the small in-line isolator 213 into the transmission path of the optical fiber 205 is particularly effective when a DFB laser element that is easily affected by light incident from the outside is used as the semiconductor laser element 203.
【0065】第2の実施形態においては、入力信号光の
波長、出力信号光の波長及び光分岐器211の種類を選
択することによって、各種の用途に対応できる光通信用
モジュールを実現することができる。以下、光通信用モ
ジュールの用途、入力信号光及び出力信号光の波長並び
に光分岐器211の種類について説明する。In the second embodiment, by selecting the wavelength of the input signal light, the wavelength of the output signal light, and the type of the optical splitter 211, it is possible to realize an optical communication module that can support various uses. it can. Hereinafter, the use of the optical communication module, the wavelength of the input signal light and the output signal light, and the type of the optical splitter 211 will be described.
【0066】(1) 波長1.3μm帯の信号光を送信する
送信機機能と、波長1.55μm帯の信号光を受信する
受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、
半導体レーザ素子203の発振波長を1.3μm帯と
し、受信用受光素子212の受信波長を1.55μm帯
とし、光分岐器212としては1.3μm帯の光を通過
させる一方、1.55μm帯の光を反射させるWDM型
フィルター(多重伝送型フィルター)を用い、小型アイ
ソレータ213としては半導体レーザ素子203から出
射される光が外部に出射されるような透過方向を有して
おればよい。また、受信用受光素子212としては、
1.55μm帯の光を感じないパスバンド型であること
が好ましい。(1) In the case of an optical communication module having both a transmitter function for transmitting signal light in the 1.3 μm wavelength band and a receiving function for receiving signal light in the 1.55 μm band,
The oscillation wavelength of the semiconductor laser element 203 is set to the 1.3 μm band, the reception wavelength of the light receiving element for reception 212 is set to the 1.55 μm band, and the optical splitter 212 allows light of the 1.3 μm band to pass therethrough, while the 1.55 μm band It is sufficient that the small isolator 213 has a transmission direction such that the light emitted from the semiconductor laser element 203 is emitted to the outside, using a WDM filter (multiplex transmission filter) that reflects the light. Further, as the light receiving element 212 for reception,
It is preferably a pass band type that does not sense light in the 1.55 μm band.
【0067】(2) 波長1.55μm帯の信号光を送信す
る送信機機能と、波長1.3μm帯の信号光を受信する
受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、
半導体レーザ素子203の発振波長を1.55μm帯と
し、受信用受光素子212の受信波長を1.3μm帯と
し、光分岐器212としては1.55μm帯の光を通過
させる一方、1.3μm帯の光を反射させるWDM型フ
ィルターを用い、小型アイソレータ213としては半導
体レーザ素子203から出射される光が外部に出射され
るような透過方向を有しておればよい。(2) In the case of an optical communication module having both a transmitter function of transmitting signal light in the wavelength band of 1.55 μm and a receiving function of receiving signal light in the wavelength band of 1.3 μm,
The oscillation wavelength of the semiconductor laser element 203 is set to the 1.55 μm band, the reception wavelength of the reception light-receiving element 212 is set to the 1.3 μm band, and the optical splitter 212 allows the light of the 1.55 μm band to pass therethrough, while the 1.3 μm band It is sufficient that the small isolator 213 has a transmission direction such that the light emitted from the semiconductor laser element 203 is emitted to the outside.
【0068】(3) 波長1.3μm帯の信号光を送信する
送信機機能と、波長1.3μm帯の信号光を受信する受
信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、半
導体レーザ素子203の発振波長を1.3μm帯とし、
受信用受光素子212の受信波長も1.3μm帯とし、
光分岐器212としては1.3μm帯の光を所定割合だ
け通過させ且つ所定割合だけ反射するハーフミラーを用
い、小型アイソレータ213としては半導体レーザ素子
203から出射される光が外部に出射されるような透過
方向を有しておればよい。(3) In the case of an optical communication module having both a transmitter function for transmitting a 1.3 μm wavelength signal light and a receiving function for receiving a 1.3 μm wavelength signal light, a semiconductor laser device The oscillation wavelength of 203 is set to 1.3 μm band,
The receiving wavelength of the receiving light receiving element 212 is also set to 1.3 μm band,
As the optical branching device 212, a half mirror that allows 1.3 μm band light to pass at a predetermined ratio and reflects the light at a predetermined ratio is used. As the small isolator 213, light emitted from the semiconductor laser element 203 is emitted to the outside. What is necessary is just to have a suitable transmission direction.
【0069】(4) 波長1.55μm帯の信号光を送信す
る送信機機能と、波長1.55μm帯の信号光を受信す
る受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合に
は、半導体レーザ素子203の発振波長を1.55μm
帯とし、受信用受光素子212の受信波長も1.55μ
m帯とし、光分岐器212としては1.55μm帯の光
を所定割合だけ通過させ且つ所定割合だけ反射するハー
フミラーを用い、小型アイソレータ213としては半導
体レーザ素子203から出射される光が外部に出射され
るような透過方向を有しておればよい。(4) In the case of an optical communication module having both a transmitter function of transmitting signal light in the wavelength band of 1.55 μm and a receiving function of receiving signal light in the wavelength band of 1.55 μm, the semiconductor laser element The oscillation wavelength of 203 is 1.55 μm
Band, and the receiving wavelength of the receiving light receiving element 212 is 1.55 μm.
The light splitter 212 uses a half mirror that transmits 1.55 μm band light at a predetermined ratio and reflects the light at a predetermined ratio as the optical splitter 212, and the light emitted from the semiconductor laser element 203 is externally used as the small isolator 213. What is necessary is just to have the transmission direction which is emitted.
【0070】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る光通信用モジュールの検査方法について
図8〜図10を参照しながら説明する。図8は光通信用
モジュールの部分平面図、図9は検査方法を示す部分拡
大斜視図、図10は検査方法を示す全体斜視図である。(Third Embodiment) An inspection method for an optical communication module according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 8 is a partial plan view of the optical communication module, FIG. 9 is a partially enlarged perspective view showing an inspection method, and FIG. 10 is an overall perspective view showing the inspection method.
【0071】まず、第3の実施形態に係る検査方法が適
用される光通信用モジュールの平面構造について説明す
る。First, a planar structure of an optical communication module to which the inspection method according to the third embodiment is applied will be described.
【0072】第3の実施形態においても、第1の実施形
態と同様、図示を省略したペルチェ素子の上に設けられ
た方形板状のベース302の上には半導体レーザ素子3
03及びモニター用受光素子304が高精度に搭載され
ている。また、ベース302の上面には断面V字状の凹
状溝305が光軸方向に延びるように形成されており、
該凹状溝305には図示しない単一モードの光ファイバ
が嵌め込まれる。ベース302における半導体レーザ素
子303が搭載されている部分の右側には、光軸と垂直
な方向に延びる切欠き部307が形成されており、該切
欠き部307の半導体レーザ素子303側の壁面には図
示しない単一モードの光ファイバの左端面が当接する。In the third embodiment, as in the first embodiment, the semiconductor laser device 3 is mounted on a rectangular base 302 provided on a Peltier device (not shown).
03 and the monitor light receiving element 304 are mounted with high precision. Further, a concave groove 305 having a V-shaped cross section is formed on the upper surface of the base 302 so as to extend in the optical axis direction.
A single-mode optical fiber (not shown) is fitted into the concave groove 305. A cutout portion 307 extending in a direction perpendicular to the optical axis is formed on the right side of the portion of the base 302 where the semiconductor laser element 303 is mounted, and a cutout 307 is formed on the wall surface of the cutout portion 307 on the semiconductor laser element 303 side. Is in contact with the left end face of a single mode optical fiber not shown.
【0073】ベース302の上面における切欠き部30
7よりも左側には、半導体レーザ素子303の下部電極
に直接に接続された第1の外部電極308A、半導体レ
ーザ素子303の上部電極に第1のボンディングワイヤ
309により接続された第2の外部電極308B、モニ
ター用受光素子304の下部電極に直接に接続された第
3の外部電極308C及びモニター用受光素子304の
上部電極に第1のボンディングワイヤ309により接続
された第4の外部電極308Dがそれぞれ設けられてい
る。Notch 30 on the upper surface of base 302
7, a first external electrode 308A directly connected to the lower electrode of the semiconductor laser element 303, and a second external electrode connected to the upper electrode of the semiconductor laser element 303 by the first bonding wire 309. 308B, a third external electrode 308C directly connected to the lower electrode of the monitoring light receiving element 304, and a fourth external electrode 308D connected to the upper electrode of the monitoring light receiving element 304 by the first bonding wire 309, respectively. Is provided.
【0074】第3の実施形態の特徴として、ベース30
2の上面における切欠き部307よりも右側には、第1
の外部電極308Aと第2のボンディングワイヤ311
により接続された第1の検査用電極310A及び第2の
外部電極308Bと第2のボンディングワイヤ311に
より接続された第2の検査用電極310Bがそれぞれ設
けられ、ベース302の上面における第3の外部電極3
08Cの外側には該第3の外部電極308Cと第2のボ
ンディングワイヤ311により接続された第3の検査用
電極310Cが設けられ、ベース302の上面における
第4の外部電極308Dの外側には該第4の外部電極3
08Dと第2のボンディングワイヤ311により接続さ
れた第4の検査用電極310Dが設けられている。As a feature of the third embodiment, the base 30
On the right side of the notch 307 on the upper surface of
External electrode 308A and second bonding wire 311
A first inspection electrode 310A and a second external electrode 308B connected by a second bonding wire 311 are provided respectively, and a third external electrode 310B on the upper surface of the base 302 is provided. Electrode 3
08C, a third inspection electrode 310C connected to the third external electrode 308C by a second bonding wire 311 is provided, and on the upper surface of the base 302, outside the fourth external electrode 308D. Fourth external electrode 3
A fourth inspection electrode 310 </ b> D connected to the second bonding wire 311 is provided.
【0075】以下、第3の実施形態に係る光通信用モジ
ュールの検査方法について図9及び図10を参照しなが
ら説明する。Hereinafter, a method for inspecting an optical communication module according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
【0076】図9及び図10に示すように、検査用基板
320にはベース302が挿入可能な大きさの位置決め
用凹部321が形成されており、該位置決め用凹部32
1にはベース302が配置されている。尚、図10にお
いては位置決め用凹部321は一次元的に形成されてい
るが、位置決め用凹部321は二次元的に形成されてい
てもよい。As shown in FIGS. 9 and 10, the inspection substrate 320 is formed with a positioning recess 321 large enough to allow the base 302 to be inserted.
1 is provided with a base 302. Although the positioning concave portion 321 is formed one-dimensionally in FIG. 10, the positioning concave portion 321 may be formed two-dimensionally.
【0077】図示を省略した検査装置(スクリーニング
装置)の所定の位置に検査用基板320をセットした
後、スクリーニング用のフォトディテクタ322を該フ
ォトディテクタ322の受光部322aが半導体レーザ
素子303の光軸と一致するように接近させる。次に、
半導体レーザ素子303に検査用電流を印加する駆動用
回路に接続された第1のプローブ針323A及び第2の
プローブ針323Bを第1の検査用電極310A及び第
2の検査用電極310Bにそれぞれ接触させると共に、
モニター用受光素子304から出力されるモニター電流
を検出する検査用回路に接続された第3のプローブ針3
23C及び第4のプローブ針323Dを第3の検査用電
極310C及び第4の検査用電極310Dにそれぞれ接
触させる。次に、第1のプローブ針323A及び第2の
プローブ針323Bから半導体レーザ素子303の下部
電極及び上部電極の間に検査用電流を印加した状態で、
第3のプローブ針323Cと第4のプローブ針324D
との間に流れる電流を検出し、検出された電流に基づい
て半導体レーザ素子303の電気的特性を検査する。こ
のようにすると、光通信用モジュールの構造の複雑化を
招くことなく、半導体レーザ素子303の電気的特性を
検査することができる。After setting the inspection substrate 320 at a predetermined position of an inspection device (screening device) not shown, the photodetector 322 for screening is adjusted so that the light receiving portion 322 a of the photodetector 322 coincides with the optical axis of the semiconductor laser element 303. As close as you can. next,
A first probe needle 323A and a second probe needle 323B connected to a drive circuit for applying a test current to the semiconductor laser element 303 are brought into contact with the first test electrode 310A and the second test electrode 310B, respectively. Let me
Third probe needle 3 connected to an inspection circuit for detecting a monitor current output from monitor light receiving element 304
23C and the fourth probe needle 323D are brought into contact with the third inspection electrode 310C and the fourth inspection electrode 310D, respectively. Next, in a state where a test current is applied between the lower electrode and the upper electrode of the semiconductor laser element 303 from the first probe needle 323A and the second probe needle 323B,
Third probe needle 323C and fourth probe needle 324D
Is detected, and the electrical characteristics of the semiconductor laser element 303 are inspected based on the detected current. In this way, the electrical characteristics of the semiconductor laser element 303 can be inspected without complicating the structure of the optical communication module.
【0078】尚、第3の実施形態においては、半導体レ
ーザ素子303から出射されるレーザ光の出力をモニタ
ー用受光素子304により検出したが、半導体レーザ素
子303から出射されるレーザ光の出力をモニター用受
光素子304及びフォトディテクタ322により検出し
てもよい。このようにすると、半導体レーザ素子303
及びモニター用受光素子304の電気的特性を同時に検
査することができる。In the third embodiment, the output of the laser light emitted from the semiconductor laser element 303 is detected by the monitoring light receiving element 304. However, the output of the laser light emitted from the semiconductor laser element 303 is monitored. It may be detected by the light receiving element 304 and the photo detector 322. By doing so, the semiconductor laser element 303
In addition, the electrical characteristics of the monitor light receiving element 304 can be inspected at the same time.
【0079】[0079]
【発明の効果】本発明の光通信用モジュールによると、
半導体レーザ素子に発生した熱はベースを介して冷却手
段に直接に伝わるので、放熱性が向上すると共に半導体
レーザ素子の温度を冷却手段によって直接に制御するこ
とができる。また、ベースと半導体レーザ素子との間に
半導体レーザ素子を保持するレーザマウントが不要にな
ると共に半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集
光する集光レンズが不要になるため、光通信用モジュー
ルの低価格化及び小型化を図ることができる。According to the optical communication module of the present invention,
Since the heat generated in the semiconductor laser element is directly transmitted to the cooling means via the base, the heat dissipation is improved and the temperature of the semiconductor laser element can be directly controlled by the cooling means. In addition, since a laser mount for holding the semiconductor laser element between the base and the semiconductor laser element is not required, and a condenser lens for condensing laser light emitted from the semiconductor laser element is not required, an optical communication module is provided. Can be reduced in cost and size.
【0080】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバの他端部から入力された後、光フ
ァイバ内を伝搬する入力信号光を上方へ導く光分岐器
と、ベースの上に固定され、光分岐器により上方へ導か
れた入力信号光を受ける受信用受光素子とを備えている
と、光分岐器により上方へ導かれた入力信号光を受信用
受光素子により受信できるので、双方向伝送システムに
用いられる光通信用モジュールの小型化を図ることがで
きる。An optical communication module according to the present invention is provided on a base, an optical splitter for guiding an input signal light propagating through an optical fiber after being input from the other end of the optical fiber, and an optical splitter on the base. And a receiving light receiving element for receiving the input signal light guided upward by the optical branching device, the input signal light guided upward by the optical branching device can be received by the receiving light receiving device. In addition, the size of the optical communication module used in the bidirectional transmission system can be reduced.
【0081】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバ内を伝搬する入力信号光が半導体
レーザ素子に進入することを阻止するインライン型の光
アイソレータを備えていると、光ファイバの他端部から
入力された入力信号光は半導体レーザ素子に進入しな
い。従って、半導体レーザ素子として、外部から入射す
る光の影響を受けやすいDFBレーザ素子を用いること
が可能になる。When the optical communication module of the present invention includes an in-line optical isolator provided on the base and for preventing input signal light propagating in the optical fiber from entering the semiconductor laser device, the optical fiber The input signal light input from the other end does not enter the semiconductor laser device. Therefore, it is possible to use a DFB laser element that is easily affected by light incident from the outside as the semiconductor laser element.
【0082】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバの半導体レーザ素子に対する位置
を規制する光ファイバ位置決め手段を備えていると、光
ファイバの半導体レーザ素子に対する位置を光軸調整を
行なうことなく機械的な精度のみで規制できるので、パ
ッシブアライメント方式により光ファイバを実装するこ
とができる。When the optical communication module of the present invention is provided on the base and includes optical fiber positioning means for regulating the position of the optical fiber with respect to the semiconductor laser element, the position of the optical fiber with respect to the semiconductor laser element is adjusted with respect to the optical axis. Therefore, the optical fiber can be mounted by the passive alignment method because it can be regulated only by the mechanical accuracy without performing.
【0083】この場合、光ファイバ位置決め手段が、ベ
ースに光軸方向へ延びるように形成され、光ファイバが
嵌合されることにより光ファイバの光軸と垂直な方向の
位置を規制する凹状溝と、ベースに光軸と垂直な方向へ
延びるように形成され、半導体レーザ素子側の壁面に光
ファイバの一端部が当接することにより光ファイバの光
軸方向の位置を規制する切り込み溝とを有していると、
半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光軸と光フ
ァイバのコア部の中心軸とを一致させることが容易にな
ると共に半導体レーザ素子と光ファイバの一端部との距
離を規制することができるので、パッシブアライメント
方式により実装された光ファイバの一端部における結合
効率を一層向上させることができる。In this case, the optical fiber positioning means is formed on the base so as to extend in the optical axis direction, and has a concave groove for regulating the position of the optical fiber in the direction perpendicular to the optical axis by fitting the optical fiber. A cut groove formed in the base so as to extend in a direction perpendicular to the optical axis, and restricting the position of the optical fiber in the optical axis direction by contacting one end of the optical fiber with the wall surface on the semiconductor laser element side. You have
Since the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser element and the central axis of the core of the optical fiber can be easily matched, and the distance between the semiconductor laser element and one end of the optical fiber can be regulated. Further, the coupling efficiency at one end of the optical fiber mounted by the passive alignment method can be further improved.
【0084】本発明の光通信用モジュールが、冷却手段
に設けられ、ベースの冷却手段に対する位置を規制する
ベース位置決め手段を備えていると、ベースの冷却手段
に対する位置を正確に規制することができる。If the optical communication module of the present invention is provided with the cooling means and includes a base positioning means for regulating the position of the base with respect to the cooling means, the position of the base with respect to the cooling means can be regulated accurately. .
【0085】ベース位置決め手段が、冷却手段の上面に
形成され、ベースが嵌合可能な形状を有する凹部である
と、ベースの冷却手段に対する位置を簡易且つ正確に規
制することができる。When the base positioning means is formed on the upper surface of the cooling means and is a recess having a shape in which the base can be fitted, the position of the base with respect to the cooling means can be easily and accurately regulated.
【0086】また、ベース位置決め手段が、冷却手段の
上面に形成されたアライメントマークであると、画像認
識によってベースの冷却手段に対する位置を一層に規制
することができる。When the base positioning means is an alignment mark formed on the upper surface of the cooling means, the position of the base with respect to the cooling means can be further restricted by image recognition.
【0087】本発明の光通信用モジュールにおいて、冷
却手段がペルチェ素子であると、ベースの温度ひいては
半導体レーザ素子の温度を外部から容易且つ正確に制御
することができる。In the optical communication module according to the present invention, if the cooling means is a Peltier device, the temperature of the base and thus the temperature of the semiconductor laser device can be easily and accurately controlled from the outside.
【0088】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子が分布帰還型のレーザ素子であると、出
力信号光の波長及び出力を広い温度範囲において安定さ
せるさせることができ、半導体レーザ素子がポンプレー
ザであると、出力信号光の出力を増大することができ、
半導体レーザ素子が狭放射角レーザ素子又はスポットサ
イズ変換レーザ素子であると、半導体レーザ素子から出
射されるレーザ光を高い結合効率で光ファイバの一端部
に結合させることができる。In the optical communication module of the present invention, if the semiconductor laser element is a distributed feedback type laser element, the wavelength and output of the output signal light can be stabilized in a wide temperature range, and the semiconductor laser element can be pumped. With a laser, the output of the output signal light can be increased,
When the semiconductor laser element is a narrow radiation angle laser element or a spot size conversion laser element, laser light emitted from the semiconductor laser element can be coupled to one end of the optical fiber with high coupling efficiency.
【0089】本発明の光通信用レーザ素子において、光
ファイバが、半導体レーザ素子のスポット径とほぼ等し
いコア径を有する単一モードの光ファイバであると、半
導体レーザ素子から出射されるレーザ光を高い結合効率
で光ファイバの一端部に結合させることができる。In the optical communication laser device of the present invention, if the optical fiber is a single mode optical fiber having a core diameter substantially equal to the spot diameter of the semiconductor laser device, the laser light emitted from the semiconductor laser device is emitted. The optical fiber can be coupled to one end of the optical fiber with high coupling efficiency.
【0090】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子がベースに鉛フリー半田によって固定さ
れていると、製造工程における人体への悪影響を防止す
ることができる。In the optical communication module according to the present invention, if the semiconductor laser element is fixed to the base by lead-free solder, it is possible to prevent the human body from being adversely affected in the manufacturing process.
【0091】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースは冷却手段に熱伝導性ペーストによって固定されて
いると、半導体レーザ素子に発生する熱をベースを介し
て冷却手段に効率良く放散することができる。In the optical communication module according to the present invention, if the base is fixed to the cooling means by a heat conductive paste, the heat generated in the semiconductor laser device can be efficiently radiated to the cooling means via the base. .
【0092】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースの下面に金属蒸着層が形成されていると、ベースと
冷却手段との間の熱交換効率が向上するので、半導体レ
ーザ素子に発生する熱をベースを介して冷却手段に効率
良く放散することができる。本発明の光通信用モジュー
ルが第1、第2、第3及び第4の検査用電極を備えてい
ると、第1の検査用電極と第2の検査用電極との間に検
査用電流を印加すると共に、第3の検査用電極と第4の
検査用電極との間に流れる電流を検出することにより、
半導体レーザ素子の電気特性を容易に検査することがで
きる。この場合、第1〜第4の検査用電極はベースの上
面に形成されているので、光通信用モジュールの小型化
を妨げることなく、半導体レーザ素子の電気特性を検査
することができる。In the optical communication module of the present invention, if a metal deposition layer is formed on the lower surface of the base, the efficiency of heat exchange between the base and the cooling means is improved, so that the heat generated in the semiconductor laser device is reduced. The heat can be efficiently dissipated to the cooling means via the base. When the optical communication module of the present invention includes the first, second, third, and fourth inspection electrodes, an inspection current flows between the first inspection electrode and the second inspection electrode. By applying the current and detecting the current flowing between the third inspection electrode and the fourth inspection electrode,
The electrical characteristics of the semiconductor laser device can be easily inspected. In this case, since the first to fourth inspection electrodes are formed on the upper surface of the base, the electrical characteristics of the semiconductor laser device can be inspected without hindering the miniaturization of the optical communication module.
【0093】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
よると、第1のプローブ針と第2のプローブ針との間に
検査用電流を印加することにより、半導体レーザ素子の
下部電極と上部電極との間に検査用電流を印加すること
ができると共に、第3のプローブ端子と第4のプローブ
端子との間の電流を検出することにより、モニター用受
光素子の下部電極と上部電極との間に流れる電流を検出
することができるので、半導体レーザ素子の電気的特性
を容易且つ確実に検査することができる。According to the optical communication module inspection method of the present invention, by applying an inspection current between the first probe needle and the second probe needle, the lower electrode and the upper electrode of the semiconductor laser device are connected to each other. The inspection current can be applied during the measurement, and the current between the third probe terminal and the fourth probe terminal is detected. Since the flowing current can be detected, the electrical characteristics of the semiconductor laser device can be easily and reliably inspected.
【0094】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
おいて、第1の検査用電極と第1の外部電極、第2の検
査用電極と第2の外部電極、第3の検査用電極と第3の
外部電極、及び第4の検査用電極と第4の外部電極とが
それぞれ電気的に接続されていると、第1及び第2の検
査用電極と半導体レーザ素子の下部電極及び上部電極と
の電気的接続並びに第3及び第4の検査用電極とモニタ
ー用受光素子の下部電極及び上部電極との電気的接続を
簡易に行なうことができるので、光通信用モジュールの
小型化を妨げることなく、半導体レーザ素子の電気特性
を検査することができる。In the optical communication module inspection method according to the present invention, the first inspection electrode and the first external electrode, the second inspection electrode and the second external electrode, the third inspection electrode and the third Of the first and second inspection electrodes and the lower electrode and the upper electrode of the semiconductor laser device, when the first external electrode and the fourth inspection electrode and the fourth external electrode are electrically connected to each other. Since the electrical connection and the electrical connection between the third and fourth inspection electrodes and the lower electrode and the upper electrode of the monitoring light receiving element can be easily performed, without reducing the size of the optical communication module, The electrical characteristics of the semiconductor laser device can be inspected.
【図1】第1の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す側方断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an optical communication module according to a first embodiment.
【図2】第1の実施形態に係る光通信用モジュールのキ
ャップを取り除いた状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a cap of the optical communication module according to the first embodiment is removed.
【図3】第1の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す、図1におけるIII −III 線の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the optical communication module according to the first embodiment, taken along line III-III in FIG. 1;
【図4】第1の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す、図1におけるVI−VI線の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of the optical communication module according to the first embodiment, taken along line VI-VI in FIG. 1;
【図5】第1の実施形態の第1変形例に係る光通信用モ
ジュールの組立工程を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing an assembling process of an optical communication module according to a first modification of the first embodiment.
【図6】第1の実施形態の第2変形例に係る光通信用モ
ジュールを示す側方断面図である。FIG. 6 is a side sectional view showing an optical communication module according to a second modification of the first embodiment.
【図7】第2の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す側方断面図である。FIG. 7 is a side sectional view showing an optical communication module according to a second embodiment.
【図8】第3の実施形態に係る光通信用モジュールの検
査方法を示す部分平面図である。FIG. 8 is a partial plan view showing a method for inspecting an optical communication module according to a third embodiment.
【図9】第3の実施形態に係る光通信用モジュールの検
査方法を示す部分拡大斜視図である。FIG. 9 is a partially enlarged perspective view illustrating a method for inspecting an optical communication module according to a third embodiment.
【図10】第3の実施形態に係る光通信用モジュールの
検査方法を示す全体斜視図である。FIG. 10 is an overall perspective view showing a method for inspecting an optical communication module according to a third embodiment.
【図11】従来の光通信用モジュールを示す側方断面図
である。FIG. 11 is a side sectional view showing a conventional optical communication module.
100 パッケージ 101 ペルチェ素子 102 ベース 103 半導体レーザ素子 104 モニター用受光素子 105 光ファイバ 105A 第1の光ファイバ 105B 第2の光ファイバ 105a 入射部 105b ジャケット部 106 ファイバ押さえ部材 107 切欠き部 108 外部電極 109 外部リード 110 ボンディングワイヤ 111 筒状部 112 固定用樹脂 113 キャップ 120 位置決め用凹部 121 アライメントマーク 131 第1のフェルール 132 第2のフェルール 133 割スリーブ 134 連結部材 201 ペルチェ素子 202 送信用ベース 203 半導体レーザ素子 204 モニター用受光素子 205 光ファイバ 206 ファイバ押さえ部材 207 切欠き部 210 受信用ベース 211 光分岐器 212 受信用受光素子 213 小型アイソレータ 302 ベース 303 半導体レーザ素子 304 モニター用受光素子 305 凹状溝 307 切欠き部 308A 第1の外部電極 308B 第2の外部電極 308C 第3の外部電極 308D 第4の外部電極 309 第1のボンディングワイヤ 310A 第1の検査用電極 310B 第2の検査用電極 310C 第3の検査用電極 310D 第4の検査用電極 320 検査用基板 321 位置決め用凹部 322 フォトディテクタ 322a 受光部 323A 第1のプローブ針 323B 第2のプローブ針 323C 第3のプローブ針 323D 第4のプローブ針 REFERENCE SIGNS LIST 100 Package 101 Peltier element 102 Base 103 Semiconductor laser element 104 Monitor light receiving element 105 Optical fiber 105A First optical fiber 105B Second optical fiber 105a Incident part 105b Jacket part 106 Fiber pressing member 107 Notch part 108 External electrode 109 External Lead 110 Bonding wire 111 Cylindrical part 112 Fixing resin 113 Cap 120 Positioning recess 121 Alignment mark 131 First ferrule 132 Second ferrule 133 Split sleeve 134 Connecting member 201 Peltier element 202 Transmission base 203 Semiconductor laser element 204 Monitor Light receiving element 205 optical fiber 206 fiber pressing member 207 notch 210 receiving base 211 optical splitter 212 receiving Light receiving element 213 Small isolator 302 Base 303 Semiconductor laser element 304 Light receiving element for monitoring 305 Concave groove 307 Notch 308A First external electrode 308B Second external electrode 308C Third external electrode 308D Fourth external electrode 309 First Bonding wire 310A First inspection electrode 310B Second inspection electrode 310C Third inspection electrode 310D Fourth inspection electrode 320 Inspection substrate 321 Positioning recess 322 Photodetector 322a Light receiving portion 323A First probe needle 323B Second probe needle 323C Third probe needle 323D Fourth probe needle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 賢一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kenichi Matsuda 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (17)
れる冷却手段と、 前記冷却手段の上に固定されたベースと、 前記ベースの上に固定され、レーザ光を出射する半導体
レーザ素子と、 前記ベースの上に固定され、前記半導体レーザ素子から
出射されたレーザ光の光出力を検出するモニター用受光
素子と、 前記ベースの上に固定され、一端部に前記半導体レーザ
素子から出射されたレーザ光が入射され、他端部から出
力信号光を出力する光ファイバとを備えていることを特
徴とする光通信用モジュール。A package having an airtight interior; a cooling unit fixed to a bottom of the package and temperature-controlled from the outside; a base fixed on the cooling unit; A semiconductor laser device that is fixed and emits a laser beam; a light receiving device for monitoring that is fixed on the base and detects an optical output of laser light emitted from the semiconductor laser device; and that is fixed on the base. An optical fiber for receiving laser light emitted from the semiconductor laser element at one end and outputting output signal light from the other end.
の他端部から入力された後、前記光ファイバ内を伝搬す
る入力信号光を上方へ導く光分岐器と、 前記ベースの上に固定され、前記光分岐器により上方へ
導かれた入力信号光を受ける受信用受光素子とをさらに
備えていることを特徴とする請求項1に記載の光通信用
モジュール。2. An optical splitter provided on the base and guiding input signal light propagating through the optical fiber after being input from the other end of the optical fiber, and fixed on the base. The optical communication module according to claim 1, further comprising: a light receiving element for receiving an input signal light guided upward by the optical splitter.
内を伝搬する入力信号光が前記半導体レーザ素子に進入
することを阻止するインライン型の光アイソレータをさ
らに備えていることを特徴とする請求項2に記載の光通
信用モジュール。3. An in-line type optical isolator provided on the base and for preventing input signal light propagating in the optical fiber from entering the semiconductor laser device. 3. The optical communication module according to item 2.
の前記半導体レーザ素子に対する位置を規制する光ファ
イバ位置決め手段をさらに備えていることを特徴とする
請求項1に記載の光通信用モジュール。4. The optical communication module according to claim 1, further comprising an optical fiber positioning means provided on said base for regulating a position of said optical fiber with respect to said semiconductor laser device.
ファイバが嵌合されることにより前記光ファイバの光軸
と垂直な方向の位置を規制する凹状溝と、 前記ベースに光軸と垂直な方向へ延びるように形成さ
れ、前記半導体レーザ素子側の壁面に前記光ファイバの
一端部が当接することにより前記光ファイバの光軸方向
の位置を規制する切り込み溝とを有している請求項4に
記載の光通信用モジュール。5. The optical fiber positioning means is formed so as to extend in the optical axis direction on the base, and regulates the position of the optical fiber in a direction perpendicular to the optical axis by fitting the optical fiber. A concave groove, formed in the base so as to extend in a direction perpendicular to the optical axis, and restricting the position of the optical fiber in the optical axis direction by contacting one end of the optical fiber with a wall surface on the semiconductor laser element side. The optical communication module according to claim 4, further comprising:
前記冷却手段に対する位置を規制するベース位置決め手
段をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載
の光通信用モジュール。6. The optical communication module according to claim 1, further comprising a base positioning means provided on said cooling means for regulating a position of said base with respect to said cooling means.
段の上面に形成され、前記ベースが嵌合可能な形状を有
する凹部であることをことを特徴とする請求項6に記載
の光通信用モジュール。7. The optical communication module according to claim 6, wherein the base positioning means is a recess formed on an upper surface of the cooling means and having a shape to which the base can be fitted. .
段の上面に形成されたアライメントマークであることを
特徴とする請求項6に記載の光通信用モジュール。8. The optical communication module according to claim 6, wherein said base positioning means is an alignment mark formed on an upper surface of said cooling means.
を特徴とする請求項1に記載の光通信用モジュール。9. The optical communication module according to claim 1, wherein said cooling means is a Peltier device.
のレーザ素子、ポンプレーザ、狭放射角レーザ素子又は
スポットサイズ変換レーザ素子であることを特徴とする
請求項1に記載の光通信用レーザ素子。10. The laser device for optical communication according to claim 1, wherein said semiconductor laser device is a distributed feedback laser device, a pump laser, a narrow radiation angle laser device, or a spot size conversion laser device. .
素子のスポット径とほぼ等しいコア径を有する単一モー
ドの光ファイバであることを特徴とする請求項1に記載
の光通信用モジュール。11. The optical communication module according to claim 1, wherein the optical fiber is a single mode optical fiber having a core diameter substantially equal to a spot diameter of the semiconductor laser device.
に、鉛を有しない鉛フリー半田によって固定されている
ことを特徴とする請求項1に記載の光通信用モジュー
ル。12. The optical communication module according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is fixed to the base by lead-free solder having no lead.
有しない熱伝導性ペーストによって固定されていること
を特徴とする請求項1に記載の光通信用モジュール。13. The optical communication module according to claim 1, wherein the base is fixed to the cooling means with a lead-free heat conductive paste.
成されていることを特徴とする請求項1に記載の光通信
用モジュール。14. The optical communication module according to claim 1, wherein a metal deposition layer is formed on a lower surface of the base.
前記ベースの上面に形成され前記半導体レーザ素子の下
部電極と直接に接続された第1の外部電極と電気的に接
続されている第1の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
に形成され前記半導体レーザ素子の上部電極とボンディ
ングワイヤにより接続された第2の外部電極と電気的に
接続されている第2の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
に形成され前記モニター用受光素子の下部電極と直接に
接続された第3の外部電極と電気的に接続されている第
3の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
に形成され前記モニター用受光素子の上部電極とボンデ
ィングワイヤにより接続された第4の外部電極と電気的
に接続されている第4の検査用電極とをさらに備えてい
ることを特徴とする請求項1に記載の光通信用モジュー
ル。15. Formed on the upper surface of the base,
A first inspection electrode formed on an upper surface of the base and electrically connected to a first external electrode directly connected to a lower electrode of the semiconductor laser element; and a first inspection electrode formed on the upper surface of the base. A second inspection electrode formed on the upper surface of the base and electrically connected to a second external electrode connected to an upper electrode of the semiconductor laser device by a bonding wire; and a second inspection electrode formed on the upper surface of the base. A third inspection electrode formed on the upper surface of the base and electrically connected to a third external electrode directly connected to the lower electrode of the light receiving element for monitoring; A fourth inspection electrode formed on the upper surface of the base and electrically connected to a fourth external electrode connected to an upper electrode of the monitor light-receiving element by a bonding wire; Optical communication module according to claim 1, characterized by further comprising and.
射する半導体レーザ素子と、前記ベースの上に固定さ
れ、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光
出力を検出するモニター用受光素子と、前記ベースの上
に固定され、一端部に前記半導体レーザ素子から出射さ
れたレーザ光が入射され、他端部から出力信号光を出力
する光ファイバと、前記ベースの上面に形成され、前記
半導体レーザ素子の下部電極と電気的に接続された第1
の検査用電極と、前記ベースの上に形成され、前記半導
体レーザ素子の上部電極と電気的に接続された第2の検
査用電極と、前記ベースの上面に形成され、前記モニタ
ー用受光素子の下部電極と電気的に接続された第3の検
査用電極と、前記モニター用受光素子の上部電極と電気
的に接続された第4の検査用電極とを有する光通信用モ
ジュールの検査方法であって、 前記第1の検査用電極に第1のプローブ針を接触させる
と共に前記第2の検査用電極に第2のプローブ針を接触
させ、前記第1のプローブ針と前記第2のプローブ針と
の間に検査用電流を印加する電流印加工程と、 前記第3の検査用電極に第3のプローブ針を接触させる
と共に前記第4の検査用電極に第4のプローブ針を接触
させ、前記第3のプローブ針と前記第4のプローブ針と
の間に流れる電流を検出する電流検出工程と、 前記電流検出工程において検出された電流に基づき、前
記半導体レーザ素子の電気特性を検査する検査工程とを
備えていることを特徴とする光通信用モジュールの検査
方法。16. A semiconductor laser device fixed on a base and emitting laser light, and a monitor light receiving device fixed on the base and detecting an optical output of the laser light emitted from the semiconductor laser device. An optical fiber fixed on the base, the laser light emitted from the semiconductor laser element is incident on one end, and an output signal light is output from the other end, and the optical fiber is formed on the upper surface of the base, A first electrode electrically connected to a lower electrode of the semiconductor laser device;
A second inspection electrode formed on the base and electrically connected to an upper electrode of the semiconductor laser device; and a second inspection electrode formed on the upper surface of the base and An inspection method for an optical communication module, comprising: a third inspection electrode electrically connected to a lower electrode; and a fourth inspection electrode electrically connected to an upper electrode of the monitor light receiving element. Contacting a first probe needle with the first inspection electrode and bringing a second probe needle into contact with the second inspection electrode, wherein the first probe needle and the second probe needle A current applying step of applying a test current during the test, and bringing a third probe needle into contact with the third test electrode, and bringing a fourth probe needle into contact with the fourth test electrode, The third probe needle and the fourth probe A light detection step of detecting a current flowing between the needle and a needle; and an inspection step of inspecting electrical characteristics of the semiconductor laser element based on the current detected in the current detection step. Inspection method for communication modules.
の上に形成され前記半導体レーザ素子の下部電極と直接
に接続された第1の外部電極と電気的に接続されてお
り、前記第2の検査用電極は、前記ベースの上に形成さ
れ前記半導体レーザ素子の上部電極とボンディングワイ
ヤにより接続された第2の外部電極と電気的に接続され
ており、前記第3の検査用電極は、前記ベースの上に形
成され前記モニター用受光素子の下部電極と直接に接続
された第3の外部電極と電気的に接続されており、前記
第4の検査用電極は、前記ベースの上に形成され前記モ
ニター用受光素子の上部電極とボンディングワイヤによ
り接続された第4の外部電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項16に記載の光通信用モジュー
ルの検査方法。17. The semiconductor device according to claim 17, wherein the first inspection electrode is electrically connected to a first external electrode formed on the base and directly connected to a lower electrode of the semiconductor laser device. The second inspection electrode is electrically connected to a second external electrode formed on the base and connected to an upper electrode of the semiconductor laser device by a bonding wire, and the third inspection electrode is A third external electrode formed on the base and directly connected to a lower electrode of the monitor light-receiving element, and the fourth inspection electrode is provided on the base. 17. The method for inspecting an optical communication module according to claim 16, wherein the optical communication module is electrically connected to a fourth external electrode formed and connected to an upper electrode of the light receiving element for monitoring by a bonding wire.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9751298A JPH11295560A (en) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Module for optical communication and inspection method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JPH11295560A true JPH11295560A (en) | 1999-10-29 |
Family
ID=14194320
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JP9751298A Withdrawn JPH11295560A (en) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Module for optical communication and inspection method therefor |
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