JPH11289204A

JPH11289204A - マイクロ波装置

Info

Publication number: JPH11289204A
Application number: JP80002791A
Authority: JP
Inventors: Paul Cornlunf William; ウィリアム・ポール・コーンルンフ; Allen Bates David; デビッド・アレン・ベイツ
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1991-08-21
Filing date: 1991-08-21
Publication date: 1999-10-19

Abstract

(57)【要約】【目的】マイクロ波部品の動作特性を調節する。【構成】マイクロ波回路１０の電気的な動作特性が、
回路のオーバーレー応答部分１８の電気特性を変更する
パターンで、回路の上に誘電体層３０を設けることによ
って変更される。動作特性の調節は、特性を測定し、誘
電体材料の分布を変更し、そして動作特性を再び測定す
ることを、満足し得る動作特性が得られるまで繰返すこ
とによって行なうことが出来る。この代りに、回路に電
力及び適当な信号を供給し、誘電体材料を選択的に除去
する過程の間、その動作特性を監視する対話形で調節す
ることが出来る。この除去過程が、現在の電気的な動作
特性に従って制御され、所望の組の動作特性が達成され
た時に終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波部品の分
野、更に具体的に云えばマイクロ波チップ部品の分野に
関する。

【０００２】（関連出願との関係）この発明は、何れもこの出願と同日に出願され、発明者
Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他、発明の名称「マイクロ波モジ
ュールに対する建築ブロック方式」の係属中の米国特許
出願第号（出願人控え番号ＲＤ−１９，８７９）、同
じ発明者で発明の名称「高密度相互接続マイクロ波回路
集成体」の同第号（出願人控え番号ＲＤ−１９，８８
０）及び同じ発明者で発明の名称「マイクロ波部品試験
方法及び装置」の同第号（出願人控え番号ＲＤ−１
９，９０７）と技術的に関連を有する。これらの出願も
全体的にここで援用する。

【０００３】

【従来の技術】半導体マイクロ波部品の分野に於ける主
な問題は、部品の試験である。部品の試験結果は、実際
の装置に於ける試験された部品の動作との相関性が悪
い。この相関性が低いのは、１つには、試験装置と、試
験装置には結合されていないマイクロ波部品との間の品
質の高い再現性のある接続部を得るのが困難である結果
である。試験の為に部品を試験装置に仮に結合すること
は、こう云う結合部を加工し直すことが出来ず、試験さ
れた部品は、試験の後、装置内で使うことが出来ないの
で、実現性がない。

【０００４】別の問題は、実際に仕様に合う部品の歩留
りが低いことである。この様に歩留りが低いことには多
数の原因がある。主な原因の１つは、半導体チップに構
成されるマイクロ波装置の寸法が小さいことと、こう云
う装置の構造の小さな変動がこう云う部品の電気的な動
作特性に持つ影響である。

【０００５】普通砒化ガリウムで作られるモノリシック
・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）は複数個の装置を含
んでいて、それらが一緒になってマイクロ波装置で役立
つ全体的な伝達関数又はその他の電気的な動作特性を作
る。製造上の許容公差並びにその他の影響の為、ＭＭＩ
Ｃの歩留りは比較的小さい。多くの場合、ＭＭＩＣは作
用はするが、こう云うＭＭＩＣから組立てられた装置が
それ自身の仕様で動作する為に要求される動作特性のか
なり厳しい仕様に合致しない。これは、最終的な装置に
組込む前に、こう云う部品の動作特性を正確に測定する
ことが出来ないと云う問題とは別個の問題である。

【０００６】マイクロ波部品全般に伴う別の問題は、そ
れを配置する環境によってその動作特性が大いに左右さ
れることである。こう云う装置、特にＧａＡｓ装置及び
部品の動作は、その表面の上又はその直ぐ近くにある誘
電率の高い材料の存在に極めて影響される。この影響は
非常に大きく、多数のマイクロ波装置の製造業者は、Ｇ
ａＡｓ装置の面の上にどんなものであっても（硝子の不
活性化層であっても）誘電体材料を配置することを拒否
している。

【０００７】関連する係属中の米国特許出願第号（出
願人控え番号ＲＤ−１９，９０７）は、こう云う部品を
関連する係属中の米国特許出願第号（出願人控え番号
ＲＤ−１９，８８０）に従って装置に組込む時又は関連
する係属中の米国特許出願第号（出願人控え番号ＲＤ
−１９，８７９）に従ってパッケージする時、マイクロ
波部品を試験する問題に対する解決策を提供している。
これらの関連出願は、実際に所望の動作特性を持つか、
又はそれらの装置がそれと一緒にパッケージされている
高密度相互接続構造の導体を修正することによって、仕
様の範囲内に持ってくることの出来る様な動作特性を持
つ部品を選択すると云う過程を通じて、かなりよい歩留
りをもって、マイクロ波部品を試験してそれを装置に組
込むと云う問題を解決している。このやり方は、試験の
際に測定された、仕様からの装置の特性の偏差を補償す
る。都合の悪いことに、こう云う方式は、その特性が仕
様から大きくはずれたマイクロ波部品を救済することは
出来ない。更に、こう云う方式は厄介であることがあ
り、修正可能な高密度相互接続構造のパッケージ内に含
められるかどうかに左右される。動作はするが、仕様に
合わないマイクロ波部品を救済する手段を設ける必要が
ある。

【０００８】ゼネラル・エレクトリック・カンパニイが
開発した高密度相互接続（ＨＤＩ）構造又は装置は、電
子装置をコンパクトに組立てる点で多くの利点を提供し
ている。例えば３０乃至５０個のチップを用いたマイク
ロコンピュータの様な電子装置は、長さ２吋、幅２吋、
厚さ０．０５０吋の１枚の基板の上に完全に組立てて相
互接続することが出来る。更に重要なことは、不良の部
品の修理又は交換の為に、この相互接続構造を分解し、
その後再び組立てても、装置内に用いられた良好な部品
に目立ったリスクがないことである。これは、夫々２，
０００ドルものコストがかかる５０個ものチップが１つ
の基板上の１つの装置内に用いられる様な場合、特に重
要である。この様に修理が可能であることは、損傷を受
けた部品を取替える為に装置の再加工をすることが不可
能であるか、或いは良好な部品にかなりのリスクを伴う
様な従来の接続方式に較べて、実質的な進歩である。

【０００９】簡単に云うと、この高密度相互接続構造で
は、厚さ２５乃至１００ミリであって、装置全体にとっ
て適切な寸法及び強度を持つアルミナの様なセラミック
基板を用意する。この寸法は典型的には２吋平方未満で
ある。一旦種々のチップの位置が特定されたら、個々の
空所、又は相異なるチップの所期の位置に適切な深さを
持つ１つの大きな空所を調製する。これを行なうには、
一様な厚さ及び所望の寸法を持つ裸の基板から出発す
る。普通の超音波又はレーザによるフライス加工を利用
して、その中に種々のチップ及びその他の部品を位置ぎ
めする空所を形成する。チップの縁を合わせて配置する
のが望ましい多くの装置では、１個の大きな空所で満足
し得る。この大きな空所は、半導体チップが略一様な厚
さを持つ場合、典型的には一様な深さを持つ。特別に厚
手又は特別に薄手の部品を配置する場合には、空所の底
を夫々一層深く又は一層浅くして、対応する部品の上面
を他の部品、並びにその空所を取巻く基板の部分の上面
と略同じ平面にする。その後、空所の底に熱可塑性接着
剤層を設ける。これは、ゼネラル・エレクトリック・カ
ンパニイからＵＬＴＥＭ（登録商標）の商品名で入手し
得るポリエーテルイミド樹脂であることが好ましい。そ
の後、種々の部品を空所内の所望の場所に配置し、構造
全体をＵＬＴＥＭポリエーテルイミドの軟化点（使う組
成物に応じて２１７℃乃至２３５℃近辺）まで加熱し、
その後冷却して、個々の部品を基板に熱可塑的に結合す
る。その後、Ｅ．Ｉ．デュポン・ドゥ・ネムアース・カ
ンパニイから入手し得るカプトン（登録商標）ポリイミ
ドであってよいが、厚さ約０．０００５−０．００３吋
（約１２．５−７５ミクロン）のポリイミド膜を予め接
着をよくする様に処理し、片側にＵＬＴＥＭポリエーテ
ルイミド樹脂又は別の熱可塑性物質を被覆し、チップ、
任意の他の部品及び基板の頂部に積層する。ＵＬＴＥＭ
樹脂がカプトンを所定位置に保持する熱可塑性接着剤と
して作用する。その後、バイア孔を、接触させようとす
る電子部品上の接点パッドと整合して、カプトン及びＵ
ＬＴＥＭ層にレーザドリル加工する。カプトン層の上に
沈積したメタライズ層がバイア孔に入込み、その下に配
置された接点パッドと電気的に接触する。このメタライ
ズ層をパターンぎめして、それを沈積する過程の際に個
々の導体を形成してもよいし、或いは連続層として沈積
して、その後フォトレジスト及びエッチングを用いてパ
ターンぎめしてもよい。フォトレジストはレーザを用い
て露出を行ない、この過程の終りに、正確に整合した導
体パターンを設けることが好ましい。

【００１０】チップの間の全ての所望の電気接続を施す
為に、必要に応じて、追加の誘電体材料及びメタライズ
層を設ける。個々の電子部品並びにその接点パッドの位
置外れがあっても、それは適応形レーザ製版装置によっ
て補償される。この装置は、以下に述べる幾つかの米国
特許及び米国特許出願の対象とする所である。こうして
相互接続構造全体は約８乃至１２時間と云う短い間に終
りから初めまで（所要の導体パターンの決定及び電子部
品の受取りの後）製造することが出来る。

【００１１】この高密度相互接続構造は多くの利点があ
る。その幾つかを上げると、現在利用し得るこの様な電
子装置の内で重量が最も軽く、容積が最も小さいパッケ
ージになる。この高密度相互接続構造の別の、場合によ
ってはもっと重要と考えられる利点は、この高密度相互
接続構造を使う装置を設計及び製造するのに要する時間
が短いことである。従来の方法は、典型的には、各々の
半導体チップを予めパッケージし又はフリップ・チップ
形に取付け、種々のパッケージ済みチップを相互接続す
る為の多層配線板を設計すること等を必要とする。多層
配線板は高価であって、それを製造するにはかなりの先
行時間を必要とする。これと対照的に、ＨＤＩ装置で特
別に予め作らなければならないのは、その上に個々の半
導体チップを取付ける基板だけである。この基板は、種
々のチップ及び基板の相互接続面が単一平面になる様
に、半導体チップを配置する為にその中に適切な空所を
基板が持つことを必要とすること以外は、標準的な原材
料である。ＨＤＩ方法では、必要な空所は焼成済みのセ
ラミック基板内に、普通の超音波又はレーザによる平削
りによって形成することが出来る。両立性を持つこの他
の基板材料も使うことが出来る。この平削りは簡単でか
なり敏速であり、その結果、基板に対する所望の形が一
旦決まれば、対応する物理的な基板は、１日と云う僅か
の内に、そして大量生産に先立つ設計を確認する為の研
究用又はプロトタイプ装置の場合の様に少量の場合は典
型的に４時間以内に、半導体チップを取付ける為に用意
することが出来る。

【００１２】１個の高密度相互接続基板上で電子装置の
全てのチップ及び部品を相互接続する為の相互接続パタ
ーンを設計する過程は、１週間乃至５週間かかるのが普
通である。一旦この相互接続構造が決ったら、基板上で
の装置の組立てを開始することが出来る。最初に、チッ
プを基板の上に取付け、チップ及び基板の上に、一度に
１層ずつ、オーバーレー構造を組立てる。典型的には、
この過程全体は１日で終わることが出来、優先度の高い
急ぎ仕事の場合、４時間で完了することが出来る。従っ
て、この高密度相互接続構造により、電子装置が大幅に
軽量で更にコンパクトなパッケージになるだけでなく、
他のパッケージ方式で必要とするよりもずっと短い時間
内に、装置のプロトタイプを作って試験することが出来
る。

【００１３】この高密度相互接続構造、その製法、及び
それを製造する為の道具が、発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバ
ーナ他の発明の名称「多重チップ集積回路パッケージ形
式及び方法」と云う米国特許第４，７８３，６９５号、
同じ発明者の発明の名称「高密度相互接続を施す為の適
応形製版装置」と云う同第４，８３５，７０４号、同じ
発明者の発明の名称「多重電子回路チップパッケージ用
の重合体誘電体にバイア孔を作る方法」と云う同第４，
７１４，５１６号、発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロースキー
他の発明の名称「新規なレジストのエキシマ・レーザに
よるパターンぎめ」と云う同第４，７８０，１７７号、
１９８９年９月２７日に発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロース
キー他によって出願された発明の名称「基板に結合され
た部品を除去する方法と装置」と云う係属中の米国特許
出願第２４９，９２７号、１９８９年２月１４日に発明
者Ｃ．Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された発明の
名称「重合体材料にバイア孔を形成する為のレーザ・ビ
ーム走査方法」と云う同第３１０，１４９号、１９８９
年２月２１日に発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロースキー他に
よって出願された発明の名称「高密度相互接続熱可塑性
ダイス取付け材料及び溶媒ダイス取付け処理」と云う同
第３１２，７９８号、１９８８年１２月１２日に発明者
Ｃ．Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された発明の名
称「高密度相互接続回路を修理する為の簡単な方法」と
云う同第２８３，０９５号、１９８９年２月３日に発明
者Ｈ．Ｓ．コール他によって出願された発明の名称「製
造方法及び集積回路試験構造」と云う同第３０５，３１
４号、１９８８年９月２７日に発明者Ｃ．Ｗ．アイケル
バーナ他によって出願された発明の名称「容積効率の高
い高密度相互接続」と云う同第２５０，０１０号、１９
８９年３月２８日に発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロースキー
他によって出願された発明の名称「高密度相互接続集成
体に使うダイス取付け方法」と云う同第３２９，４７８
号、１９８８年１０月４日に発明者Ｈ．Ｓ．コール他に
よって出願された発明の名称「レーザ相互製造方法」と
云う同第２５３，０２０号、１９８８年８月５日に発明
者Ｃ．Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された発明の
名称「着脱自在のオーバーレー層を用いて電子回路及び
集積回路チップを試験する方法と形式」と云う同第２３
０，６５４号、１９８８年８月８日に発明者Ｙ．Ｓ．リ
ュ他によって出願された発明の名称「集積回路装置に使
う金属パターンの直接的な沈積」と云う同第２３３，９
６５号、１９８８年８月２３日に発明者Ｙ．Ｓ．リュ他
によって出願された発明の名称「活性剤のＵＶレーザ摩
削によるメタライズの光パターンぎめ方法」と云う同第
２３７，６３８号、１９８８年８月２５日に発明者Ｙ．
Ｓ．リュ他によって出願された発明の名称「集積回路装
置に使う耐高温金属線の直接的な書込み」と云う同第２
３７，６８５号、１９８８年８月３０日に発明者Ｃ．
Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された発明の名称
「重合体被膜オーバーレー層を用いて集積回路チップを
パッケージする方法と装置」と云う同第２４０，３６７
号、１９８９年４月２４日に発明者Ｈ．Ｓ．コール他に
よって出願された発明の名称「電子パッケージ用のシロ
キサン−ポリイミドの処理方法」と云う同第３４２，１
５３号、１９８８年１２月２７日に発明者Ｙ．Ｓ．リュ
他によって出願された発明の名称「導電及び非導電基板
上の選択的な電解沈積」と云う同第２８９，９４４号、
１９８９年２月１７日に発明者Ｒ．Ｊ．ウォジナロース
キーによって出願された発明の名称「熱可塑性材料に熱
硬化性被膜を結合して結合可能な積層体を形成する方
法」と云う同第３１２，５３６号、１９８９年６月８日
に発明者Ｃ．Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された
発明の名称「敏速な注文設計及び独特の試験能力の為の
集積回路パッケージ形式」と云う同第３６３，６４６
号、１９９０年１月２日に発明者Ｈ．Ｓ．コール他によ
って出願された発明の名称「区域選択性メタライズ方
法」と云う同第０７／４５９，８４４号、１９８９年１
２月２６日に発明者Ｔ．Ｒ．ホーラ他によって出願され
た発明の名称「局部的に向きを特定した配送方式」と云
う同第０７／４５７，０２３号、１９８９年１２月２６
日に発明者Ｈ．Ｓ．コール他によって出願された発明の
名称「レーザによって摩削可能な重合体誘電体及び方
法」と云う同第４５６，４２１号、１９８９年１２月２
１日に発明者Ｗ．Ｐ．コルンルンプ他によって出願され
た発明の名称「気密高密度相互接続電子装置」と云う同
第４５４，５４６号、１９８９年１２月２６日に発明者
Ｈ．Ｓ．コール他によって出願された発明の名称「強化
蛍光重合体及びそれを用いた相互接続構造」と云う同第
０７／４５７，１２７号、１９８９年１２月２１日に発
明者Ｃ．Ｗ．アイケルバーナ他によって出願された発明
の名称「エポキシ／ポリイミド共重合体混合誘電体及び
それを用いた層状回路」と云う同第４５４，５４５号に
記載されている。これらの米国特許及び米国特許出願が
ここに援用される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従って、この発明の主
な目的はマイクロ波部品の動作特性を調節してそれを仕
様に合わせる方式を提供することである。この発明の別
の目的は、その動作特性を厳密な許容公差の範囲内の所
望の状態に調節したマイクロ波部品を提供することであ
る。この発明の別の目的は、試験の際、マイクロ波部品
の動作特性を調整する手段を提供することである。この
発明の別の目的は、部品にオーバーレーが存在すること
並びのその特性が、部品の動作特性を調節するのに役立
つ様な、オーバーレー応答形動作特性を持つマイクロ波
部品を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上に述べた目的並びに図
面を含めて以下の説明全体から明らかになるその他の目
的が、この発明では、マイクロ波部品の表面の上に誘電
体層を設け、その部品の電気的な動作特性を所望の仕様
から許容公差の範囲内に持ってくる為に、この誘電体材
料の形を調節することによって達成される。別の実施例
では、誘電体材料の上に導電材料を配置し、部品の電気
的な動作特性を更に調節する様に形を定める。

【００１６】この発明の要旨は特許請求の範囲に具体的
に且つ明確に記載してあるが、この発明の構成、作用及
びその他の目的並びに利点は、以下図面について詳しく
説明する所から最もよく理解されよう。

【００１７】

【実施例】図１には、マイクロ波回路の一部分１０が簡
略斜視図で示されている。回路１０が基板、本体、又は
その中又はその上に少なくとも１つのマイクロ波部品又
は装置２０を持っている半導体チップ１２を含む。装置
２０は、この構造の素子２０を構成し得る相異なるマイ
クロ波部品又は装置が非常に広い範囲に及ぶ為、空の矩
形で示されている。本体１２の中には本体１２の上面１
４のオーバーレー感応部分１８が４個存在している。領
域１８は、面１４の内、その誘電体及び導電特性が、マ
イクロ波回路の部分１０の動作に影響を与える様な部分
である。特に、１よりも大きな相対誘電率を持つ材料が
こう云う１つの領域に存在すると、この材料がない時の
動作特性に較べて、回路１０の動作特性が変更される。
図１に示す様に、回路又はチップ１２のオーバーレー感
応部分が能動装置からずれていても、誘電体材料がその
場所に存在することが、その誘電体と能動部品に関連す
る電磁界との相互作用の為に、能動部品の動作特性を変
えると云う意味で、それと依然として関係を持つことが
出来る。他方、オーバーレー感応部分が能動装置から十
分離れていて、能動装置とオーバーレー感応部分との間
の相互作用が、オーバーレー相と部品の動作に関連する
電磁界との直接的な相互作用ではなく、同調回路の同調
又はフィルタの様な回路作用の結果であってもよい。更
に、この構造のオーバーレー感応部分は半導体チップの
一部分でなく、別個に作られた部品又は構造であっても
よい。

【００１８】典型的には、この様なオーバーレー感応部
分１８は、この領域の上に配置された誘電体の上に導電
層を配置した場合、回路１０の動作特性に一層の変化を
示す。領域１８は、本体１２の中に埋設したか、或いは
本体１２の上面１４に配置され或いはその上に配置され
る（但し図１には示してない）様な装置又は部品に付設
することが出来る。オーバーレー感応部分１８は、広い
範囲の種々の特定のマイクロ波部品のどれで構成しても
よい。こう云う部品としては、電極、導体、キャパシ
タ、誘導子、抵抗、伝送線路、くし形（Ｌａｎｇｅ）カ
ップラ、フィルタ、組合せ装置、分割器、変圧器等の様
な受動部品を含んでいてよい。更に、トランジスタ、ダ
イオード、特にゲート絶縁形電解効果トランジスタのゲ
ート領域、増幅器、能動形アッテネータ等の様な能動装
置で構成してもよいし、この中にはそれ程複雑でない複
数個の受動及び能動部品を含む更に複雑なサブシステム
も含まれる。

【００１９】本体１２は半導体チップで構成することが
出来、回路１０はモノリシック・マイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）又はその他のマイクロ波回路又はサブシス
テムを構成することが出来る。この様なシステムでは、
マイクロ波の分野では、回路１０の正しい動作の妨げと
なるのを避ける為に、オーバーレー感応部分１８の近辺
で、本体１２に追加の層を設けるのを避けるのが普通で
ある。

【００２０】この発明では、誘電体層、導電層、又は誘
電体層と導電層の組合せが、本体１２の面１４の１つ又
は更に多くのオーバーレー感応部分の上に配置される。
以下明細書ではオーバーレー感応部分をオーバーレー応
答部分と呼ぶが、これは、この発明が従来問題であった
この様なオーバーレー感応部分を、部品の動作特性を所
望の様に調節する手段に変換するからである。

【００２１】この発明のオーバーレー制御構造は、回路
１０の動作特性を所望の形で変更する所定のパターンと
して形成されるか、或いはパターンぎめしない形もしく
はパターンぎめの程度の少ない形で適用され、その後、
回路１０の動作特性を所望の形で変更する様に形を決め
又はパターンぎめする。これは種々の方法で行なうこと
が出来る。

【００２２】１番目の代替方法では、追加の誘電体又は
導電層をその上に沈積する前に、試験によって回路１０
の動作特性が決定される。この動作特性から、回路１０
が所望の組の動作特性を持つ結果が得られる様な、誘電
体材料、導電材料、又は誘電体及び導電材料の組合せの
パターンを決定する。

【００２３】特定のオーバーレー・パターンのこの決定
は種々の方式で行なうことが出来る。測定された動作特
性を、所望の組の最終的な動作特性が得られるオーバー
レー制御構造と関係づけたテーブル・ルックアップ方式
を使うことが出来る。これは、測定された動作特性を所
望の組の動作特性と比較し、その比較結果から、所望の
動作特性が得られる様なオーバーレー制御構造のパター
ンを決定することによって行なわれる。その後、このパ
ターンをチップ又は部品の上に形成する。

【００２４】この代りに、図２に示す様な誘電体層３０
を、回路１０の動作特性を測定する前に、本体１２の上
面１４の上に配置することが出来る。誘電体層３０をそ
の上に配置した状態で回路の動作特性を測定した後に、
回路１０に所望の動作特性を持たせる為に誘電体材料を
除去すべきパターンは、テーブル・ルックアップとか、
実際と所望との動作特性の比較とか、所望の組の動作特
性が得られるまで、現在の動作特性を決定する為の部品
の再試験と交互に誘電体材料の除去を系統的に（又は試
行錯誤によって）行なうこととかによって、決定するこ
とが出来る。

【００２５】誘電体層３０の選択的な除去は、使われる
特定の誘電体材料を摩削するのに有効な周波数を持つ、
電磁スペクトルの紫外線部分を放出するレーザを使っ
て、レーザによる摩削（ａｂｌａｔｉｏｎ）で行なうこ
とが好ましい。誘電体層３０は、商品名カプトン（登録
商標）の名前で入手し得る熱硬化性ポリイミド層で構成
することが好ましく、これは、ゼネラル・エレクトリッ
ク・カンパニイから商品名（ＵＬＴＥＭ）で入手し得る
ポリエーテルイミド樹脂の様な熱可塑性接着剤により、
本体１２の上面１４に結合される。この場合、２１７℃
乃至２４０℃の比較的高い積層温度が望ましいか又は許
容し得るものであり、処理温度を１５０℃未満に抑えた
い場合は、ポリエステルの様な更に温度の低い熱可塑性
誘電体材料を使ってもよい。熱可塑性接着剤としてポリ
エステルを使う場合、接着剤層及びカプトン層の両方を
３５１nmで動作するレーザによって摩削することが出来
る様にする為、発明者Ｈ．Ｓ．コール他の発明の名称
「レーザによって摩削可能な重合体誘電体及び方法」と
云う係属中の米国特許出願第０７／４５６，４２１号に
記載される様に、ポリエステルにレーザ摩削促進染料を
含めることが好ましい。この係属中の米国特許出願もこ
こに援用する。

【００２６】更に別の案として、誘電体３０を除去する
パターンを決定する代りに、図３に示す様に、誘電体層
３０の上に金属層３２を選択的に沈積するパターンを決
定してもよい。この様な選択的な沈積は、金属有機化合
物からの金属のレーザ誘導沈積によって行なって、所望
の導電層を直接的に形成するか、或いは触媒を形成し
て、適当な無電気金属めっき浴に部品１０を挿入した結
果として、所望の金属層が沈積される様にしてもよい。
更に別の案として、一様な金属層３２を誘電体層３０の
上に沈積し、その金属層を選択的に除去して、所望の場
所にだけ金属が残る様にしてもよい。

【００２７】一様な金属層を沈積する場合、その上にフ
ォトレジストを適用し、適当なマスクを使うことによっ
てレーザでフォトレジストをパターンぎめすることによ
り、又はスポット寸法の小さいレーザ・ビームで適当に
走査することによって、この層を選択的に除去すること
が好ましい。その後、フォトレジストの現像及び金属層
のエッチングにより、本体１２の上に所望の金属パター
ンが残る。

【００２８】誘電体層の成形又は除去の為に、能動形の
実時間の連続的な又は相互作用形の調整、成形又は除去
方法を用いることが出来る。この方法では、回路１０を
適当な電源及び信号源に接続し、レーザが層３０の誘電
体材料を選択的に摩削する間、その動作特性を能動的に
監視する。このレーザによる摩削は、誘電体材料が存在
することの既知の効果に従って行なわれるのが普通であ
り、経験の示す所によると、極く少量の材料を除去した
ことに応答して、動作特性が突然に変化しないと云う意
味で、材料の除去速度に対して動作特性の適当な感度を
持つ様にしながら、調節が完了した後、安定度が最大に
なる様な形で回路の動作特性を変更する様に行なう。

【００２９】使われる特定の除去方法に従って、所望の
動作特性が達成される前に、選択的な除去工程を停止す
るのが望ましいことがある。参考として掲げた米国特許
及び米国特許出願に記載される種類のレーザ摩削方法と
して、誘電体材料をレーザによる摩削にかけて、材料の
バルクを除去し、このレーザによる摩削の後に、ＣＦ_４
及びＯ_２の組合せを使ったプラズマ・エッチングを行な
って、レーザによる摩削過程の終りに本体１２の上に残
る摩削した層の薄い残留部分或いはかけらを除去する。
この様な後に続くプラズマ・エッチングでは、このプラ
ズマ・エッチング工程の結果として起る誘電体パターン
のその後の変化により、実際の動作特性を所望の動作特
性を越えて過剰補正することがない様にする為に、所望
の特性が達成される前に、選択的な除去過程を停止する
のが望ましいことがある。

【００３０】この対話形除去過程並びにプラズマ・エッ
チングの様なその後の任意の清掃工程の完了した後、回
路１０を再び試験して、所望の動作特性が実際に達成さ
れていることを確かめることが好ましい。過剰補正があ
った場合、動作特性を所望の状態に戻す為に多数の方法
を使うことが出来る。その中には、誘電体材料の置換と
同じ向きに回路の特性を変更する効果を持つ様な場所
で、誘電体層の上に金属層を選択的に追加することが挙
げられる。別の案は、より多くの誘電体材料を適用し
て、選択的な除去過程を繰返すことである。回路１０が
複数個のオーバーレー応答部分を持つ場合の３番目の代
案は、除去が、最初のオーバーレー応答部分の除去が動
作特性に影響したのとは反対向きに動作特性に影響する
様な異なるオーバーレー応答部分から、選択的に誘電体
材料を除去することである。例えば、２つの相異なるオ
ーバーレー応答部分が何れも静電容量を構成し、これら
の静電容量の所望の釣合いによって正しい回路の動作が
得られる場合、最初のオーバーレー応答部分で誘電体材
料を過剰に除去したことは、２番目のオーバーレー応答
部分に過剰の誘電体材料が存在するかの様に回路を動作
させる効果を持つ。この為、２番目のオーバーレー応答
部分から誘電体材料を除去すれば、動作特性は所望の状
態に向けて変更される。４番目の代案は、部品の１個の
オーバーレー応答部分の異なる部分から誘電体材料を除
去することが、動作特性に反対の効果を持つことであ
る。その場合、中和作用をする除去は、異なるオーバー
レー応答部分ではなく、部品の同じオーバーレー応答部
分から行なうことが出来る。

【００３１】種々の異なる構造が回路１０のオーバーレ
ー応答部分を構成することが出来る。図４は、オーバー
レー応答部分が、ソース領域１２２、ドレイン領域１２
８、ゲート電極１２４及びチャンネル領域１２６を持つ
電界効果トランジスタ１２０で構成される回路１１０を
示す。この電界効果トランジスタの上に重合体誘電体層
１３０を設けることは、このトランジスタに対する負荷
を増加する効果を持ち、こうしてマイクロ波周波数に於
けるその利得並びにそのカットオフ周波数を下げる効果
を持つ。１乃至２dBの利得の減少が達成された。誘電体
層１３０を設けた後、回路１１０が所望の動作特性を持
つまで、レーザによる摩削によって、誘電体層１３０を
選択的に除去することが出来る。然し、これはＭＭＩＣ
又はその他の部品の動作特性を変更するのに使うには好
ましい構造ではない。ＦＥＴは典型的には回路内の最も
傷つき易い部品であって、誘電体のオーバーレーは、幾
つかの装置の特性を同時に変えて、ＦＥＴの性能を劣化
させるからである。従って、可能な場合、回路の動作を
調節する為に、回路の他の部分の特性を変更するのが好
ましいと考えられる。

【００３２】図５では、回路２１０が、回路のオーバー
レー応答部分として作用するキャパシタ２２０を含む。
キャパシタ２２０は第１及び第２の金属電極２２２，２
２４を有する。これらの電極は互いに略平行に配置され
ていて、小さなすき間で隔てられている。これらの電極
の上に誘電体層２２６が存在しない時、キャパシタ２２
０は特定の静電容量を持つ。誘電体層２２６を追加した
ことにより、キャパシタの誘電体の誘電率の方が高い為
に、キャパシタ２２０の静電容量が増加する。この静電
容量の値は、誘電体材料２２６の一部分を選択的に除去
して、キャパシタ２２０の実効誘電率を変えることによ
って調節することが出来る。

【００３３】図６には、回路２１０の別の形２１０′が
示されている。この形では、キャパシタ２２０′が、キ
ャパシタ２２０の電極２２２，２２４と、キャパシタ２
２０の誘電体材料２２６とを有するが、更に両方の電極
２２２，２２４に重なる電極２２８を有する。電極２２
８は２つの直列接続のキャパシタの共通電極として作用
する。１番目のキャパシタは電極２２２、誘電体材料２
２６及び電極２２８の組合せで構成され、２番目のキャ
パシタは電極２２８、誘電体２２６及び電極２２４で構
成される。このキャパシタの直列接続と並列に、誘電体
材料２２６と組合せた電極２２２，２２４で構成される
キャパシタが接続されている。この構造の静電容量は、
電極２２８の一部分を選択的に除去して、電極２２８と
電極２２２又は２２４との間の重なりを減少することに
より、直列キャパシタの一方又は両方の寸法を減少する
ことによって、調節することが出来る。この他の構造的
な変更も用いることが出来る。

【００３４】図７では、回路３００がマイクロストリッ
プ伝送線路３２０を持ち、これは本体３１２の下面にあ
る導電層３２２と、本体３１２の上面３１４の上に配置
された信号導体３２４と組合せで構成される。このマイ
クロストリップ伝送線路のインピーダンスが、信号導体
３２４の上並びに本体３１２の上面３１４の隣接部分の
上に重合体誘電体層３３０を配置することによって変更
される。誘電体層３３０が存在することは、マイクロス
トリップ伝送線路３２０を埋込みマイクロストリップ伝
送線路にする効果を持ち、伝送線路のインピーダンスを
下げ、又はその伝搬定数を変更する。

【００３５】図８には、図７の回路３００の変形３０
０′が示されている。この変形では、伝送線路３２０′
が、伝送線路３２０と同じ部品を持つと共に、上側電極
３２８が追加されている。この電極が伝送線路を埋込み
マイクロストリップ伝送線路からストリップライン伝送
線路に変換する。この形式では、上側導体３２８は普通
は下側導体３２２に接続される。この代りに、上側導体
３２８が２番目の信号導体を構成していて、構造３２
０′が単純な伝送線路でなく、カップラになってもよ
い。この場合、上側導体３２８を切詰めて、導体３２
８，３２４の間の重なりの程度を減少することにより、
係合係数を減少することが出来る。

【００３６】重なる導体３２８が、（１）導体３２４に
対して平行ではなく、それに対してある角度に配置さ
れ、且つ（２）導体３２８がバイア孔を介して信号導体
３２４に接続される場合、導体３２８、接地導体３２２
及び中間の誘電体が本来のマイクロ波伝送線路を構成す
る。この伝送線路は開路のままにして、開路伝送線路ス
タブにすることが出来る。この代りに、導体３２４か
ら、本体３１２の上面にある下側接地導体へ適当な距離
の所でバイア接続部を設けることによって、短絡伝送線
路スタブにすることが出来る。更に代案として、導体３
２８は、バイア孔を介して接続された部品又は回路素子
と並列の分路リアクタンスとなる様な形にすることが出
来る。導体３２８は、その形状を適当に制御することに
より、容量性分路リアクタンスとしても誘導性リアクタ
ンスとしても作用し得る。この様なリアクタンス同調を
用いることの重要な利点は、その特性を補正又は調節す
る必要のある部品に対して直接的に接続することが出来
ることである。この為、回路の利得、回路の帯域幅又は
その両方に悪影響を持つ惧れのある望ましくない又は本
来意図しないインダクタンス、静電容量及び回路の遅延
が最小限に抑えられる。マイクロ波回路の同調又は調整
の融通性を最大にする為、調整部品と調整部品以外の部
品との間の望ましくない相互作用を最小限にする様な、
調整部品に対する場所を設ける様に設計すべきである。

【００３７】こう云うバイア孔接続部の形は、構造を製
造するのに、最初に誘電体層をその下にある構造に結合
し、次に、上からのレーザ「ドリル加工」によって誘電
体にバイア孔を形成し、その後誘電体の上並びにバイア
孔の中に導体３２８の金属を沈積し、このバイア孔の所
でのその下にある接点パッド又はその他のメタライズ部
とオーミック接触する様にする時、特別の特徴を有す
る。特に、バイア孔にある金属の外形は、最初に金属を
形成し、その周りを誘電体で埋めた場合とは逆に、バイ
ア孔の形を持つ。上からのドリル加工によってバイア孔
を形成する為に使われるレーザ・ドリル加工過程の性質
により、典型的には、バイア孔は頂部が底部よりも幅が
広くなる。このバイア孔の形は、バイア孔の底に配置さ
れる導体の部分と、バイア孔の外側にある部分との間の
金属の連続性をよくする。これは、金属をその上に沈積
するバイア孔の壁面が上向き且つ外向きに傾斜した形を
持ち、その結果、半導体の分野で公知の様に、段が垂直
の壁面を持つ場合に達成されるよりも一層良好な段被覆
が達成される沈積金属層が得られるからである。段被覆
と云う言葉は、沈積面が１つの平面状の表面区域（バイ
ア孔の底）から別の平面状の表面区域（誘電体層の頂
部）へレベルが変化する時に覆う金属の一様性を指す言
葉である。前に引用した米国特許及び係属中の米国特許
出願に記載されている好ましい態様で導体が形成される
時、金属導体の上面はバイア孔の所で凹みを持つのが典
型的である。これは、導体の金属が、（誘電体層の平面
状の面を横切って金属を沈積する前に埋められていな
い）バイア孔を含めて、至る所で略一様な厚さに沈積さ
れるからである。この結果、メタライズの表面形状は、
それを沈積した層の表面形状と同様になる。

【００３８】図９では、回路４００が導電材料の平面状
渦巻きの形をした誘電子４２０を持ち、その両端が本体
４１２の構造の内部部分に接続されている。この代り
に、この誘導子の両端は誘電体層４３０の上に配置した
外部導体に接続してもよい。図９に示すように、誘電体
層４３０が本体４１２の上面全体の上に配置され、その
後この図で見て本体の前側部分から選択的に除去され
る。誘電体層４３０が存在すると、誘導子４２０内の巻
線の間の静電容量が増加する。これは、渦巻き形導体の
上に存在する空気又は真空に較べて、誘電体４３０の誘
電率が一層高い為である。この静電容量が増加したこと
によって、誘導子のインピーダンスが下がり、その共振
周波数が低下して、それを接続した回路全体の動作にそ
れに応じた効果をもたらす。

【００３９】図９に示す構造の動作特性は、パターンぎ
めしていない誘電体層４３０の上面の上に第２の誘導子
を形成し、誘導子４２０とこの別の誘導子とが結合され
る様にすることによって、更に変更することが出来る。
結合度は、誘電体層４３０の上に誘導子を配置する場所
によって制御することが出来る。

【００４０】この代りに、１以外の透磁率を持つ材料
（即ち、磁界変更材料）を誘導子４２０の上又はその近
辺で、誘電体層４３０の（好ましくはパターンぎめして
いない）上面の上に配置することが出来る。こうして透
磁率の高い材料を配置した場合には、誘導子４２０のイ
ンダクタンスをかなり高めることが出来る。この透磁率
の高い材料のパターンぎめによって、誘導子４２０のイ
ンダクタンスを調節することが出来る。同様に、誘電体
層４３０の上に配置される材料が１未満の透磁率を持つ
場合、インダクタンスに対して反対の効果が得られる

【００４１】誘電体層４３０の上に１以外の透磁率を持
つ材料を沈積する場合について云うと、この様な透磁率
の高い材料の損失は、周知の様に、周波数と共に変化す
るから、その材料の周波数特性を考慮に入れなければな
らない。

【００４２】図１０には、くし形又はランゲ形カップラ
４２０を含む回路５１０が示されている。ランゲ形カッ
プラ５２０は４つの導電ストリップ５２１乃至５２５で
構成され、交互の導電ストリップの中心をそれに重ねた
導体５２６，５２７で接続する。導体５２２の「自由」
端が、それと重なる高密度の相互接続導体５２８によっ
て、結合ポートの所で導体５２４に接続され、導体５２
４の「自由」端が、それと重なる高密度相互接続導体５
２９によって、隔離ポートの所で導体５２２に接続され
る。これらの重なる導体は誘電体層５３０の上に配置さ
れるが、図には上側に配置される導体５２６乃至５２９
を徐いて、構造全体を重ねて示されている。導体ストリ
ップの間の静電容量の大きさがこのランゲ形カップラの
動作特性に影響を与え、その結果、このカップラの動作
特性は、導電ストリップ５２１乃至５２５の上から選択
的に誘電体材料５３０を除去することによって、調整す
ることが出来る。このカップラの動作は米国特許第４，
６３６，７５４号に記載されている。

【００４３】本体１２に取入れることの出来るこの他の
多くの装置又は構造がオーバーレー応答形であることが
理解されよう。モノリシック・マイクロ波集積回路の場
合、回路の特に感度のよいオーバーレー応答部分は、能
動装置の出力からその入力へ伸びる回路のフィードバッ
ク通路である。これは、フィードバック通路の伝達関数
と、フィードバック通路が能動装置に対して持つ全体的
な伝達関数との間の関係が逆になる為に、そのフィード
バック伝送路の特性が、構造の能動部分の順方向伝達関
数を直接的に制御するからである。

【００４４】多数の具体的なオーバーレー応答部分を図
面に示して説明したが、この発明に従って、その動作特
性を単純に調節することの出来る様なこの他の非常に多
数のオーバーレー応答構造があることは明らかである。
この発明の好ましい実施例を詳しく説明したが、当業者
には種々の変更が考えられよう。従って、特許請求の範
囲は、この発明の範囲内に含まれるこの様な全ての変更
を包括するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロ波回路の一部分の簡略斜視図。

【図２】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図３】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図４】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図５】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図６】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図７】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図８】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図９】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜視
図。

【図１０】この発明のマイクロ波回路の一部分の簡略斜
視図。

【符号の説明】

１２基板１４上面１８オーバーレー応答部分２０部品

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロ波部品を含む本体を有し、該本
体の第１の面はオーバーレー応答部分を持ち、回路の電
気的な動作特性は、前記面の前記オーバーレー応答部分
の上に誘電体材料が存在することによって影響を受け、
更に、前記本体の前記第１の面上に配置されたパターン
ぎめされた重合体誘電体材料を有し、該重合体誘電体材
料のパターンは前記第１の面の前記オーバーレー応答部
分上に存在する重合体誘電体材料を含んでいるマイクロ
波装置。
【請求項２】前記本体が半導体チップを有する請求項
１記載のマイクロ波装置。
【請求項３】前記マイクロ波部品が能動装置を含む請
求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項４】前記オーバーレー応答部分が半導体チッ
プと関連している請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項５】前記オーバーレー応答部分が能動装置と
関連している請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項６】前記オーバーレー応答部分が任意の半導
体チップから隔たっている請求項１記載のマイクロ波装
置。
【請求項７】前記本体が前記第１の面に配置された複
数個の接点パッドを含み、前記パターンは、外部導体を
結合する為に、前記接点パツッドを前記重合体誘電体材
料が十分存在しない状態に残す様になっている請求項１
記載のマイクロ波装置。
【請求項８】前記重合体誘電体材料が層を構成してい
る請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項９】前記重合体誘電体材料が、第２の重合体
誘電体材料の層によって前記本体に結合された第１の重
合体誘電体材料の層で構成される請求項１記載のマイク
ロ波装置。
【請求項１０】前記重合体誘電体材料が前記オーバー
レー応答部分の一部分の上にだけ配置されている請求項
１記載のマイクロ波装置。
【請求項１１】前記重合体誘電体材料が前記オーバー
レー応答部分の全部の上に配置されているが、その深さ
により、前記動作特性が、前記オーバーレー応答部分の
上に重合体誘電体材料が全く存在しない時の特性と、前
記オーバーレー応答部分の上に一層大きな深さの重合体
誘電体材料が存在する時の特性の中間になる様にした請
求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項１２】前記オーバーレー応答部分がキャパシ
タ電極を構成している請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項１３】前記オーバーレー応答部分が誘導子を
含む請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項１４】前記オーバーレー応答部分が電界効果
装置のゲート電極を構成している請求項１記載のマイク
ロ波装置。
【請求項１５】前記オーバーレー応答部分がマイクロ
ストリップ伝送線路を構成している請求項１記載のマイ
クロ波装置。
【請求項１６】前記部品がフィードバック伝送線路を
含むモノリシック・マイクロ波集積回路を構成してお
り、前記オーバーレー応答部分が前記フィードバック伝
送線路を構成している請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項１７】前記オーバーレー応答部分が信号導体
を構成している請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項１８】前記重合体誘電体材料の露出面上に導
電材料が配置され、前記重合体誘電体材料、前記導電材
料及び前記信号導体が一緒になって、前記マイクロ波部
品の動作特性を制御する様に選ばれた形を持つ伝送線路
を形成している請求項１７記載のマイクロ波装置。
【請求項１９】前記オーバーレー応答部分がマイクロ
波カップラを構成している請求項１記載のマイクロ波装
置。
【請求項２０】前記マイクロ波カップラがくし形カッ
プラである請求項１９記載のマイクロ波装置。
【請求項２１】前記重合体誘電体材料の露出面の上に
導電材料が配置され、該導電材料は、該導電材料が存在
しない時の動作特性とは異なる動作特性を前記部品に持
たせる様に選ばれた形を有する請求項１記載のマイクロ
波装置。
【請求項２２】前記導電材料が前記本体の導電部分と
オーミック接触する様に配置されている請求項２１記載
のマイクロ波装置。
【請求項２３】前記導電材料が前記本体の相異なる２
つの導電部分を接続するフィードバック導体を構成して
いる請求項２２記載のマイクロ波装置。
【請求項２４】前記チップの導電部分が接点パッドを
構成している請求項２２記載のマイクロ波装置。
【請求項２５】前記オーバーレー応答部分がキャパシ
タの電極を構成している請求項２１記載のマイクロ波装
置。
【請求項２６】前記オーバーレー応答部分が誘導子を
構成している請求項２１記載のマイクロ波装置。
【請求項２７】前記オーバーレー応答部分が電界効果
装置のゲート電極を構成している請求項２１記載のマイ
クロ波装置。
【請求項２８】前記オーバーレー応答部分がマイクロ
ストリップ伝送線路を構成している請求項２１記載のマ
イクロ波装置。
【請求項２９】前記部品がフィードバック伝送線路を
含むモノリシック・マイクロ波集積回路を構成し、前記
オーバーレー応答部分が前記フィードバック伝送線路を
構成している請求項２１記載のマイクロ波装置。
【請求項３０】前記オーバーレー応答部分が信号導体
を構成している請求項２１記載のマイクロ波装置。
【請求項３１】前記オーバーレー応答部分が第１及び
第２の電極を構成し、前記導電材料が前記第１及び第２
の電極の両方に重なって、第１及び第２のキャパシタの
直列接続を形成する請求項２１記載のマイクロ波装置。
【請求項３２】前記オーバーレー応答部分がくし形マ
イクロ波カップラを構成している請求項２１記載のマイ
クロ波装置。
【請求項３３】前記重合体誘電体材料の露出面の上に
導電材料が配置され、該重合体誘電体材料及び前記導電
材料は、該導電材料が存在しない時の動作特性とは異な
る動作特性を前記部品に持たせる様に選ばれた形を有す
る請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項３４】マイクロ波部品を含むと共にマイクロ
波信号導体を構成している本体と、該本体の第１の面上
に配置された重合体誘電体材料と、前記誘電体材料上に
配置されたパターンぎめ導電材料とを有し、該導電材料
は前記誘電体材料中のバイア孔を介して前記マイクロ波
信号導体にオーミックに接続されると共に、マイクロ波
回路の動作特性を調節する様にパターンぎめされている
マイクロ波装置。
【請求項３５】前記導電材料が開路伝送線路スタブを
構成している請求項３４記載のマイクロ波装置。
【請求項３６】前記導電材料が短絡伝送線路スタブを
構成している請求項３４記載のマイクロ波装置。
【請求項３７】前記導電材料が分路静電容量となって
いる請求項３４記載のマイクロ波装置。
【請求項３８】前記導電材料が同調分路リアクタンス
となる様な形になっている請求項３４記載のマイクロ波
装置。
【請求項３９】前記同調リアクタンスが前記回路の
内、前記分路リアクタンスがその特性を同調させる様な
形にした部分に密に隣接して配置されている請求項３８
記載のマイクロ波装置。
【請求項４０】前記同調分路リアクタンスが容量性リ
アクタンスである請求項３９記載のマイクロ波装置。
【請求項４１】前記同調分路リアクタンスが誘導性リ
アクタンスである請求項３９記載のマイクロ波装置。
【請求項４２】マイクロ波部品を持つと共にマイクロ
波信号導体を構成している本体と、該本体の第１の面上
に配置された重合体誘電体材料と、前記信号導体の近辺
で前記誘電体材料上に配置されたパターンぎめした磁界
変更材料とを有し、該磁界変更材料は１以外の透磁率を
持っていて、マイクロ波回路の動作特性を変更する様な
形になっているマイクロ波装置。
【請求項４３】マイクロ波装置を含んでいて、その第
１の面に配置された接点パッドを持つ半導体チップと、
該チップの前記第１の面上に配置された重合体誘電体材
料とを有し、該重合体誘電体材料は前記第１の面の内、
該重合体誘電体材料が存在することによってマイクロ波
部品の電気的な動作特性が、該重合体誘電体材料が前記
第１の面の当該第１の部分に存在しなかった場合の動作
特性に較べて変更される様な第１の部分に存在してお
り、前記重合体誘電体材料は前記第１の面の内、該重合
体誘電体材料が存在することによって、前記マイクロ波
部品の電気的な動作特性を、該重合体誘電体材料が前記
第１の面の当該第２の部分に存在しなかった時の動作特
性に較べて変更するような第２の部分には存在していな
いマイクロ波部品。
【請求項４４】その上に電子部品を配置した基板を持
ち、該部品が接点パッドを持ち、１つ又は更に多くの重
合体誘電体材料層がその上に配置されると共にその中に
開口を持っており、１つ又は更に多くのパターンぎめ導
電層が選ばれた誘電体層に重なっていて選ばれた開口に
入込んで選ばれた接点パッド又はその他の導電層とオー
ミック接触する様な高密度相互接続構造に於て、該高密
度相互接続構造に物理的並びに電気的に埋設されたマイ
クロ波部品を有し、前記高密度相互接続構造の誘電体の
一部分が前記マイクロ波部品の上に配置されていて、該
マイクロ波部品の電気的な動作特性を所望の状態に調整
する様な形になっている高密度相互接続構造。
【請求項４５】マイクロ波部品の電気的な動作特性を
調節する方法に於て、該部品の面上に誘電体材料層を配
置し、該誘電体材料を選択的に除去して、それが存在す
ると前記部品の電気的な動作特性が、該誘電体材料が存
在しない時の特性に較べて変更される様な選ばれた場所
に前記誘電体材料を残す工程を含む方法。
【請求項４６】選択的に除去する工程を実施する間、
前記部品を動作させ、該部品の電気的な特性を監視する
ことを含む請求項４５記載の方法。
【請求項４７】選択的に除去する工程と、前記部品を
動作させて該部品の電気的な特性を監視する工程との間
で切換えることを含む請求項４５記載の方法。
【請求項４８】選択的に除去する工程と、該部品の電
気的な特性を監視する工程とを交互に行なうことを含む
請求項４５記載の方法。
【請求項４９】選択的に除去する工程が、前記部品に
対して予め得られた電気的な試験結果に従って決定され
た予定のパターンで、前記重合体誘電体材料を除去する
ことを含む請求項４５記載の方法。
【請求項５０】前記電気的な試験結果が、前記重合体
誘電体材料を前記部品の上に配置する前に得られる請求
項４９記載の方法。
【請求項５１】前記電気的な試験結果が、前記重合体
誘電体材料を前記部品の上に配置した後に得られる請求
項４９記載の方法。
【請求項５２】前記誘電体材料が重合体で構成される
請求項４５記載の方法。
【請求項５３】前記電気的な動作特性を変更する様な
形で、前記部品上に導電材料を選択的に配置することを
含む請求項４５記載の方法。
【請求項５４】前記選択的に配置する工程が、前記導
電材料の配置を前記重合体誘電体材料上にある様に制限
することを含む請求項５３記載の方法。
【請求項５５】マイクロ波部品の電気的な動作特性を
調節する方法に於て、イ）前記部品の面上に誘電体材料
の層を配置し、ロ）前記部品を電気的に試験し、ハ）前
記誘電体材料を選択的に除去して、それが存在すると前
記部品の電気的な動作特性が、前記誘電体材料が存在し
ない時の動作特性に較べて変更される様な選ばれた場所
に前記誘電体材料を残し、ニ）前記部品を電気的に再び
試験し、ホ）前記動作特性が所望の属性を示すまで、前
記ハ）及びニ）の工程を繰返す工程を含む方法。
【請求項５６】工程ロ）の後並びに工程ニ）を毎回繰
返した後、前記部品の試験によって決定された電気的な
動作特性を基準の電気的な動作特性と比較する工程を含
む請求項５５記載の方法。
【請求項５７】前記電気的な動作特性を変更する様な
形で、導電材料を前記部品上に選択的に沈積する工程を
含む請求項５５記載の方法。
【請求項５８】選択的に沈積する工程が、前記導電材
料の沈積を前記重合体誘電体材料上にある様に制限する
ことを含む請求項５７記載の方法。
【請求項５９】選択的に沈積する工程が、選択的に除
去する工程の後に実施される請求項５７記載の方法。
【請求項６０】マイクロ波部品の動作特性を調節する
方法に於て、該部品の面上に重合体誘電体材料を設け、
前記部品の動作特性を監視し、動作特性が特定の属性を
示すまで、前記マイクロ波部品から重合体誘電体の一部
分を選択的に除去する工程を含む方法。
【請求項６１】選択的に除去する工程が、動作特性を
監視しながら、重合体誘電体材料の一部分を選択的に除
去し、動作特性が前記特定の属性を示す時、選択的に除
去することを停止することを含む請求項６０記載の方
法。
【請求項６２】前記電気的な動作特性を所望の形で変
更する様なパターンで、導電材料を前記部品上に選択的
に沈積する工程を含む請求項６０記載の方法。
【請求項６３】マイクロ波部品の動作特性を調節する
方法に於て、前記部品の面上に重合体誘電体材料を設
け、前記重合体誘電体材料をその上に置いて前記部品を
電気的に試験して、その電気的な動作特性を決定し、試
験によって決定された動作特性を既に確立された所望の
動作特性と比較し、この比較から、部品の電気的な動作
特性を確立された所望の動作特性に近付ける為に、前記
部品から重合体誘電体材料を除去すべきパターンを決定
し、該パターンに従って前記重合体誘電体材料の一部分
を選択的に除去して、前記部品に特定の所望の動作特性
を持たせる工程を含む方法。
【請求項６４】選択的に除去する工程の後に、部品を
電気的に再び試験する工程を含む請求項６３記載の方
法。
【請求項６５】選択的に除去する工程の後に、前記部
品を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性
が前記特定の動作特性から許容公差以上異なる場合、更
に重合体誘電体材料を選択的に除去する工程を含む請求
項６３記載の方法。
【請求項６６】電気的な動作特性を変更する様に選ば
れた形で、導電材料を前記部品上に設ける工程を含む請
求項６３記載の方法。
【請求項６７】導電材料を設ける工程が、前記導電材
料の沈積を前記重合体誘電体材料上に制限することを含
む請求項６６記載の方法。
【請求項６８】導電材料を設ける工程が、選択的に除
去する工程の後に実施される請求項６６記載の方法。
【請求項６９】マイクロ波部品の動作特性を調節する
方法に於て、その電気的な動作特性を決定する為に前記
部品を電気的に試験し、試験によって決定された動作特
性を基準の動作特性と比較し、予定の形で重合体誘電体
材料を前記部品の面上に設け、前記比較から、前記部品
の電気的な動作特性を確立された所望の組の動作特性の
許容公差の範囲内に持ってくる為に重合体誘電体材料を
選択的に除去すべきパターンを決定し、該パターンに従
って重合体誘電体材料の一部分を選択的に除去して、前
記確立された所望の組の電気的な動作特性の許容公差の
範囲内にある電気的な動作特性を前記部品に持たせる工
程を含む方法。
【請求項７０】選択的に除去する工程の後に前記部品
を電気的に再び試験する工程を含む請求項６９記載の方
法。
【請求項７１】選択的に除去する工程の後に前記部品
を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性
が、前記確立された所望の組の電気的な動作特性から許
容公差以上異なる場合、更に重合体誘電体材料を選択的
に除去する工程を含む請求項６９記載の方法。
【請求項７２】選択的に除去する工程の後に前記部品
を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性
が、前記確立された所望の組の電気的な動作特性から、
追加の重合体誘電体材料の存在が望ましい様な方向に、
許容公差以上異なる場合、追加の重合体誘電体材料を前
記部品上に配置する工程を含む請求項６９記載の方法。
【請求項７３】追加の重合体誘電体材料を配置する工
程の後、前記部品を電気的に再び試験し、前記部品の電
気的な動作特性が前記確立された所望の組の電気的な動
作特性から許容公差以上異なる場合、より多くの重合体
誘電体材料を選択的に除去する工程を含む請求項７２記
載の方法。
【請求項７４】マイクロ波部品の動作特性を調節する
方法に於て、前記部品の面上に重合体誘電体材料を設
け、該重合体誘電体材料の上に導電材料を配置し、前記
重合体誘電体材料及び導電材料がその上にある状態で前
記部品を電気的に試験して、その電気的な動作特性を決
定し、試験によって決定された動作特性を確立された所
望の動作特性と比較し、該比較から、前記部品の電気的
な動作特性を前記確立された所望の動作特性に近付ける
為に、前記部品から導電材料を除去すべきパターンを決
定し、該パターンに従って前記導電材料の一部分を選択
的に除去して、前記部品に特定の所望の動作特性を持た
せる工程を含む方法。
【請求項７５】選択的に除去する工程の後に、前記部
品を電気的に再び試験する工程を含む請求項７４記載の
方法。
【請求項７６】選択的に除去する工程の後に、前記部
品を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性
が前記特定の動作特性から許容公差以上異なる場合、一
層の導電材料を選択的に除去する工程を含む請求項７４
記載の方法。
【請求項７７】マイクロ波部品の動作特性を調節する
方法に於て、前記部品を電気的に試験してその電気的な
動作特性を決定し、試験によって決定された動作特性を
基準の動作特性と比較し、予定の誘電体形体で重合体誘
電体材料を前記部品の面上に設け、予定の導電形体で導
電材料を前記重合体誘電体材料の露出面上に配置し、前
記比較から、前記部品の電気的な動作特性を確立された
所望の組の動作特性の許容公差の範囲内に持ってくる為
に、前記予定の導電形体から前記導電材料を選択的に除
去すべきパターンを決定し、該パターンに従って前記導
電材料の一部分を選択的に除去して、前記確立された所
望の組の電気的な動作特性の許容公差の範囲内にある電
気的な動作特性を前記部品に持たせる工程を含む方法。
【請求項７８】選択的に除去する工程の後に、前記部
品を電気的に再び試験する工程を含む請求項７７記載の
方法。
【請求項７９】選択的に除去する工程の後に、前記部
品を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性
が前記確立された所望の組の電気的な動作特性から許容
公差以上異なる場合、一層の導電材料を選択的に除去す
る工程を含む請求項７７記載の方法。
【請求項８０】選択的に除去する工程の後に前記部品
を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性が
前記確立された所望の組の電気的な動作特性から、許容
公差以上異なる場合、誘電体材料を選択的に除去する工
程を含む請求項７９記載の方法。
【請求項８１】選択的に除去する工程の後に前記部品
を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動作特性が
前記確立された所望の組の電気的な動作特性から、追加
の導電材料が存在することが望ましい様な方向に許容公
差以上異なる場合、追加の導電材料を前記部品上の前記
重合体誘電体材料の上に配置する工程を含む請求項７７
記載の方法。
【請求項８２】追加の導電材料を配置する工程の後に
前記部品を電気的に再び試験し、前記部品の電気的な動
作特性が前記確立された所望の組の電気的な動作特性か
ら許容公差以上異なる場合、より多くの導電材料を選択
的に除去する工程を含む請求項８１記載の方法。