JPH11287825A - Method for inspecting wafer - Google Patents
Method for inspecting waferInfo
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- JPH11287825A JPH11287825A JP9033298A JP9033298A JPH11287825A JP H11287825 A JPH11287825 A JP H11287825A JP 9033298 A JP9033298 A JP 9033298A JP 9033298 A JP9033298 A JP 9033298A JP H11287825 A JPH11287825 A JP H11287825A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ検査用プ
ローブ及びウェーハ検査方法に関し、特にフリップチッ
プ用の半導体素子が形成されたウェーハの検査用プロー
ブ及びウェーハ検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer inspection probe and a wafer inspection method, and more particularly to an inspection probe and a wafer inspection method for a wafer having flip-chip semiconductor elements formed thereon.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置の製造時、
ウェーハ上で半導体集積回路装置の電気的特性などを評
価し、良品、不良品の選別が行われる。この種の性能試
験では、先端がとがった針（プローブ）を用いプロービ
ング（触針）することで試験を行うという手法が採用さ
れている。2. Description of the Related Art Generally, when manufacturing a semiconductor integrated circuit device,
The electrical characteristics and the like of the semiconductor integrated circuit device are evaluated on the wafer, and non-defective products and defective products are selected. In this type of performance test, a method of performing a test by probing (a stylus) using a pointed needle (probe) is adopted.
【０００３】従来、フリップチップ用の半導体素子が形
成されたウェーハを試験する場合、例えば特開平１−２
９５４４４号公報等に示されるように、金属バンプ上、
最上層配線上、電極パッド上のいずれかでのプロービン
グが行われている。以下図面を用いて説明する。Conventionally, when testing a wafer having flip-chip semiconductor elements formed thereon, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As shown in Japanese Patent No. 95444 or the like, on a metal bump,
Probing is performed on either the uppermost wiring or the electrode pad. This will be described below with reference to the drawings.
【０００４】半田や金等からなる金属バンプ上にプロー
ビングした場合、金属バンプとプローブとの間に確実な
導通をとるためにある定めた力でプロービングすること
になる。その際、金属バンプが脱落したり、また金属バ
ンプが変形して、外部回路との接続が一様に良好に得ら
れないという問題点がある。When probing is performed on a metal bump made of solder, gold, or the like, the probing is performed with a predetermined force in order to ensure reliable conduction between the metal bump and the probe. At this time, there is a problem that the metal bumps fall off or the metal bumps are deformed, and connection to an external circuit cannot be obtained uniformly.
【０００５】また、金属バンプの脱落、変形を防ぐため
に図３（ａ）に示すように、Ａｌ等からなる最上層配線
４にプロービングした場合、図３（ｂ）に示すように、
この最上層配線４の表面にプローブ６によってキズ７が
形成される。このキズ７上に例えばＴｉ／ＴｉＮ等から
なるバリアメタル層３をスパッタリングにより形成する
と、キズ痕の段差部のバリアメタル層３に特別薄い部分
や欠陥部を生じる。このバリア性が損なわれたバリアメ
タル層３上に電極パッドを介して金属バンプを形成する
と、最上層配線４と金属バンプが反応し、金属バンプが
脱落しやすくなるという問題を生ずる。In order to prevent the metal bumps from dropping and deforming, as shown in FIG. 3A, when probing is performed on the uppermost layer wiring 4 made of Al or the like, as shown in FIG.
A flaw 7 is formed on the surface of the uppermost layer wiring 4 by the probe 6. When the barrier metal layer 3 made of, for example, Ti / TiN or the like is formed on the flaw 7 by sputtering, an extra thin portion or a defect is generated in the barrier metal layer 3 at the step portion of the flaw. If a metal bump is formed on the barrier metal layer 3 with the impaired barrier property via an electrode pad, the uppermost layer wiring 4 reacts with the metal bump, and a problem arises that the metal bump is likely to fall off.
【０００６】さらに、図４に示すように、バリアメタル
層３上に形成された銅等からなる電極パッド１に直接プ
ロービングする場合、プローブ６によってバリアメタル
層３が破壊されてクラック８が発生し、バリア機能を失
うことになる。バリア機能を失うと、最上層配線４と金
属バンプが反応しバンプ脱落の障害を生ずる。この対策
として、特開平１−２９５４４４号公報では、図５
（ａ）、（ｂ）の平面図及び断面図で説明しているよう
に、最上層配線４をバンプ接続部１０とプロービングす
るパッド部１１を含むように形成し、プロービングによ
って傷ついたパッド部１１をパッシベーション膜５で覆
い、バンプ接続のためにパッシベーション膜を開孔しこ
の開孔部にバリアメタル層やバンプ１２を形成する方法
を用いている。Further, as shown in FIG. 4, when directly probing the electrode pad 1 made of copper or the like formed on the barrier metal layer 3, the probe 6 breaks the barrier metal layer 3 and cracks 8 are generated. , You will lose the barrier function. When the barrier function is lost, the uppermost layer wiring 4 reacts with the metal bumps, causing an obstacle for bump dropping. As a countermeasure against this, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
As described in the plan view and the cross-sectional view of (a) and (b), the uppermost layer wiring 4 is formed so as to include the pad portion 11 for probing with the bump connection portion 10, and the pad portion 11 damaged by probing. Is covered with a passivation film 5, a hole is formed in the passivation film for bump connection, and a barrier metal layer and a bump 12 are formed in the hole.
【０００７】この技術は、最上層配線４上でプロービン
グし検査を行い、プロービングによって傷ついたパッド
部１１をパッシベーション膜５で覆い、バンプ接続のた
めにパッシベーション膜５を開孔しバンプ１２を形成し
ている。従って、バンプ接続部にプロービングすること
が無く、バンプ接続部のバリアメタル層を破壊すること
が無い。このためバリア機能の点において一応の効果を
奏している。According to this technique, a probing is performed on the uppermost wiring 4 to perform an inspection, a pad portion 11 damaged by the probing is covered with a passivation film 5, and the bump 12 is formed by opening the passivation film 5 for bump connection. ing. Therefore, no probing is performed on the bump connection part, and the barrier metal layer of the bump connection part is not broken. For this reason, a certain effect is obtained in the point of the barrier function.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１−２９５４４４号公報での方法は、逆に高密度実装の
点において新たな問題をもたらしている。すなわち、プ
ロービング用とバンプ形成用のパッド領域を別々に備え
ているため、プロービング用とバンプ形成用の両パッド
の面積が必要になるからである。However, the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-295444 has a new problem in terms of high-density mounting. That is, since the pad regions for probing and bump formation are separately provided, the area of both pads for probing and bump formation is required.
【０００９】しかも、高密度実装が利点であるフリップ
チップへの適応を考えてみると、バンプ形成とプロービ
ング用のパッドが別々に備えられているために、プロー
ビング用パッド領域の面積を余分に必要とするという問
題を発生する。Furthermore, considering the application to a flip chip in which high-density mounting is advantageous, extra areas for the probing pad area are required because the bump formation and the probing pads are separately provided. A problem occurs.
【００１０】本発明の主な目的の一つは、バリアメタル
層およびパッシベーション膜を損傷させることの無いウ
ェーハ検査用プローブおよびウェーハの検査方法を提供
することにある。One of the main objects of the present invention is to provide a wafer inspection probe and a wafer inspection method which do not damage a barrier metal layer and a passivation film.
【００１１】本発明の主な他の目的は、プロービング用
に余分な面積を必要としない高密度実装に適したフリッ
プチップ用の半導体素子が形成されたウェーハ検査用プ
ローブおよびウェーハの検査方法を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a wafer inspection probe and a wafer inspection method in which a flip-chip semiconductor element suitable for high-density mounting and requiring no extra area for probing is formed. Is to do.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明によるウェーハ検
査用プローブおよびウェーハの検査方法は、電極パッド
と接触するプローブ先端を平坦とし、このプローブを、
電極パッドの凸部に均一にプロービングすることを特徴
としている。SUMMARY OF THE INVENTION A probe for wafer inspection and a method for inspecting a wafer according to the present invention flatten the tip of the probe which is in contact with the electrode pad, and
It is characterized in that the protruding portion of the electrode pad is uniformly probed.
【００１３】さらに、本発明によれば、先端が平坦なプ
ローブを、電極パッドの凸部に均一にプロービングする
ことを特徴として有しているので、プローブと電極パッ
ドの接触面積を広く取ることが出来、少ない荷重でも安
定した接触が得られる。さらに電極パッドに対する単位
面積当たりの荷重を軽減することが出来るので、電極パ
ッド、バリアメタル層、パッシベーション膜および下層
の層間膜に与える損傷を軽減することが出来る。Further, according to the present invention, a probe having a flat tip is uniformly probed on the convex portion of the electrode pad, so that the contact area between the probe and the electrode pad can be widened. Stable contact can be obtained even with a small load. Further, since the load per unit area on the electrode pad can be reduced, damage to the electrode pad, the barrier metal layer, the passivation film, and the lower interlayer film can be reduced.
【００１４】このように本発明は、先端が平坦なプロー
ブを、電極パッドの凸部に均一にプロービングしている
ため、プローブと電極パッドの接触面積を広くできると
いう効果が得られる。As described above, according to the present invention, since the probe having a flat tip is uniformly probed on the convex portion of the electrode pad, the effect of increasing the contact area between the probe and the electrode pad can be obtained.
【００１５】また、プローブと電極パッドの接触面積が
広くなった結果として、少ない荷重で安定した接触を得
ることが出来、電極パッドに対するプロービングによる
単位面積当たりの荷重が減り、プロービングによるダメ
ージを軽減することができる。Further, as a result of an increase in the contact area between the probe and the electrode pad, stable contact can be obtained with a small load, the load per unit area due to probing on the electrode pad is reduced, and damage due to probing is reduced. be able to.
【００１６】また万が一、プロービングによってバリア
メタル層に多少の損傷を与えたとしても、電極パッド凸
部の下はパッシベーション膜になっているので、金属バ
ンプと最上層配線が反応することが無く、バンプ形成後
の信頼性が向上するという効果を奏する。Even if the barrier metal layer is slightly damaged by probing, the metal bump and the uppermost layer wiring do not react with each other because the passivation film is formed under the protruding portion of the electrode pad. This has the effect of improving the reliability after formation.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を用いて
説明する。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１８】図１は、本発明の実施の形態を説明する為
のフリップチップの電極パッドに直接プロービングする
場合のプローブと電極パッド部との斜視図であり、図２
は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。尚、図１に
おいて、プローブ２は見易くする為に破線で示してあ
る。FIG. 1 is a perspective view of a probe and an electrode pad portion for directly probing a flip chip electrode pad for explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1. In FIG. 1, the probe 2 is shown by a broken line for easy viewing.
【００１９】図１、図２を参照すると、フリップチップ
用のウェーハとしての素子が形成された半導体基板上に
は、アルミ等からなる最上層配線４が形成されており、
この最上層配線４上に形成されたパッシベーション膜５
のバンプ形成領域には、例えば８角形の開孔部１４が設
けられている。この開孔部１４とその周辺部上には、Ｔ
ｉ／ＴｉＮ等からなるバリアメタル層３と銅等からなる
電極パッド１が形成されている。Referring to FIGS. 1 and 2, an uppermost layer wiring 4 made of aluminum or the like is formed on a semiconductor substrate on which elements as a wafer for flip chips are formed.
Passivation film 5 formed on this uppermost wiring 4
For example, an octagonal opening 14 is provided in the bump forming region. On the opening 14 and its surroundings, T
A barrier metal layer 3 made of i / TiN or the like and an electrode pad 1 made of copper or the like are formed.
【００２０】そして、この開孔部周辺のパッシベーショ
ン膜５上の電極パッド１の凸部１３に、電極パッド１と
接触する先端の部分が全面にわたって平坦化されたプロ
ーブ２を均一に接触させている。プローブ２の平坦部の
径は開孔部１４に形成された電極パッド１の凹部より大
きく、１１０μｍ以上に形成してある。Then, the probe 2 whose tip portion in contact with the electrode pad 1 is flattened over the entire surface is uniformly contacted with the projection 13 of the electrode pad 1 on the passivation film 5 around the opening. . The diameter of the flat portion of the probe 2 is larger than the concave portion of the electrode pad 1 formed in the opening portion 14 and is formed to be 110 μm or more.
【００２１】フリップチップに形成されるバンプの大き
さは、一般に直径が１５０μｍ以下で、パッシベーショ
ン膜５に形成される開孔部１４の径は５０〜１００μ
ｍ、パッシベーション膜５上に延在する電極パッド１の
凸部１３の幅は１０〜２５μｍである。図１、２に示し
たように、開孔部１４を８角形に形成し、対向する辺間
の距離Ｌを１００μｍとした場合、開孔部１４内にプロ
ーブ２が落ちずに、電極パッド１の凸部１３に容易にプ
ローブ２を接触させる場合、プローブ２の先端の平坦部
の径は、少なくとも１１０μｍとする必要がある。The size of the bump formed on the flip chip is generally 150 μm or less in diameter, and the diameter of the opening 14 formed in the passivation film 5 is 50-100 μm.
m, the width of the protrusion 13 of the electrode pad 1 extending on the passivation film 5 is 10 to 25 μm. As shown in FIGS. 1 and 2, when the opening 14 is formed in an octagon and the distance L between opposing sides is 100 μm, the probe 2 does not fall into the opening 14 and the electrode pad 1 When the probe 2 is easily brought into contact with the protruding portion 13, the diameter of the flat portion at the tip of the probe 2 needs to be at least 110 μm.
【００２２】このように本実施の形態によれば、先端が
平坦化されたプローブ２を電極パッド１の凸部１３に均
一にプロービングするため、プローブ２と電極パッド１
の接触面積が広くなり、少ない荷重で安定した接触を得
ることが出来る。また、プローブ２と電極パッド１の接
触面積が広くなったため、電極パッド１に対するプロー
ブ２による単位面積当たりの荷重が減り、プローブによ
る損傷を軽減することができ、バンプ形成後の信頼性が
向上するという効果がもたらされる。According to the present embodiment, the probe 2 having the flattened tip is uniformly probed on the projection 13 of the electrode pad 1.
, The contact area is increased, and stable contact can be obtained with a small load. Further, since the contact area between the probe 2 and the electrode pad 1 is increased, the load per unit area of the electrode pad 1 by the probe 2 is reduced, the damage by the probe can be reduced, and the reliability after bump formation is improved. The effect is brought about.
【００２３】このことを図６および図７を用いて詳細に
説明する。これら図はそれぞれ、プローブと電極パッド
の接触抵抗値、オーバードライブ量、及びバリアメタル
層の損傷発生頻度の関係を示している。試験を行う際
は、プローブとウェーハとの間に確実な導通をとるため
にある定めた力でプロービングする必要があり、ここで
はオーバードライブという量で表す。オーバードライブ
量とは、プローブとウェーハをどれだけ近づけるかとい
う量で、１番長いプローブがウェーハに接触した点をゼ
ロとして、長さの単位で表す。つまり、オーバードライ
ブが大きくなると、複数のプローブがウェーハに接触す
る為、ウェーハにかかる力は大きくなる。This will be described in detail with reference to FIGS. These figures respectively show the relationship between the contact resistance value between the probe and the electrode pad, the overdrive amount, and the frequency of occurrence of damage to the barrier metal layer. When conducting a test, it is necessary to perform probing with a certain force in order to ensure reliable conduction between the probe and the wafer, and here, it is represented by an amount called overdrive. The overdrive amount is an amount of how close the probe and the wafer are brought together, and is expressed in units of length, with the point at which the longest probe contacts the wafer being zero. That is, when the overdrive increases, a plurality of probes come into contact with the wafer, so that the force applied to the wafer increases.
【００２４】まず、本発明の実施の形態による先端が平
坦な形状のプローブ２を電極パッドの凸部１３に均一に
プロービングした場合を図６に示す。先端が平坦な形状
のプローブを電極パッドの凸部に均一にプロービングし
たことにより、プローブと電極パッドの接触面積が４４
７０μｍ2 になった。接触抵抗値のばらつきが小さく、
安定した接触が得られている。また、オーバードライブ
量を８０μｍまで落としても、接触抵抗値は１オーム前
後であるので、実用可能な値である。また、オーバード
ライブ量が２００μｍ迄はバリアメタル層３、パシベー
ション膜５および下層層間膜に損傷が無いことを確認し
ている。First, FIG. 6 shows a case where the probe 2 having a flat tip is uniformly probed on the projection 13 of the electrode pad according to the embodiment of the present invention. By uniformly probing the probe having a flat tip on the convex portion of the electrode pad, the contact area between the probe and the electrode pad becomes 44
It was 70 μm 2 . Small variation in contact resistance value,
Stable contact is obtained. Further, even if the overdrive amount is reduced to 80 μm, the contact resistance value is around 1 ohm, so that it is a practicable value. Further, it was confirmed that the barrier metal layer 3, the passivation film 5, and the lower interlayer film were not damaged up to an overdrive amount of 200 μm.
【００２５】また、従来のプローブ（プローブと電極パ
ッドの接触面積１１０μｍ2 ）の場合を図７に示す。図
７に示したように、従来のプローブでは接触抵抗のばら
つきが大きく、また値も１．５Ω前後で本発明の実施の
形態の場合より高い。さらに、バリアメタル層の損傷発
生頻度は、オーバードライブ量１００μｍで１５％、１
５０μｍにおいては８０％となっている。従って、本発
明によればプローブの電極パッドへの安定した接触及び
プロービングによるバリアメタル層の損傷の点が格段に
向上していることが分かる。FIG. 7 shows the case of a conventional probe (the contact area between the probe and the electrode pad is 110 μm 2 ). As shown in FIG. 7, in the conventional probe, the variation in the contact resistance is large, and the value is around 1.5Ω, which is higher than that in the embodiment of the present invention. Furthermore, the frequency of occurrence of damage to the barrier metal layer is 15% at an overdrive amount of 100 μm, and 1%.
At 50 μm, it is 80%. Therefore, according to the present invention, it is found that the stable contact of the probe with the electrode pad and the damage of the barrier metal layer due to the probing are remarkably improved.
【００２６】次に図８に電極パッドとプローブの接触面
積と、バリアメタル層の損傷発生頻度の相関を示す。接
触面積が２００μｍ2 以上あれば、オーバードライブ量
が１５０μｍでも、バリアメタル層に損傷を与えずにプ
ロービングすることが可能であることが分かる。従って
プロービングの際は、プローブと電極パッドとの接触面
積を２００μｍ2 以上とする必要がある。FIG. 8 shows the correlation between the contact area between the electrode pad and the probe and the frequency of occurrence of damage to the barrier metal layer. It can be seen that if the contact area is 200 μm 2 or more, probing can be performed without damaging the barrier metal layer even when the overdrive amount is 150 μm. Therefore, at the time of probing, the contact area between the probe and the electrode pad needs to be 200 μm 2 or more.
【００２７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態
は適宜変更され得ることは明らかである。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is clear that each embodiment can be appropriately changed within the scope of the technical idea of the present invention.
【００２８】[0028]
【発明の効果】第１の効果は、プローブと電極パッドの
接触面積を広く取ることが可能で、少ない荷重でも安定
した接触が得られることである。この結果、電極パッド
に対する単位面積当たりの荷重を軽減することが出来る
ので、電極パッド、バリアメタル層、パッシベーション
膜および下層層間膜に与える損傷を軽減することが出来
る。The first effect is that the contact area between the probe and the electrode pad can be made large and stable contact can be obtained even with a small load. As a result, the load per unit area on the electrode pad can be reduced, so that damage to the electrode pad, the barrier metal layer, the passivation film, and the lower interlayer film can be reduced.
【００２９】その理由は、先端が平坦なプローブを、電
極パッドの凸部に均一にプロービングするためである。The reason is that a probe having a flat tip is uniformly probed on the convex portion of the electrode pad.
【００３０】第２の効果は、万が一プローブにより電極
パッドに損害を与えたとしても、最上層配線と金属バン
プが反応することが無く、バンプ脱落の障害を生じない
ことである。The second effect is that even if the electrode pad is damaged by the probe, the uppermost wiring and the metal bump do not react with each other, so that there is no obstacle of dropping the bump.
【００３１】その理由は、電極パッドの凸部にプロービ
ングするため、バリアメタル層が損傷を受けたとして
も、パッシベーション膜があるため、金属バンプに対す
るバリア性を失うことが無いためである。The reason is that even if the barrier metal layer is damaged due to probing on the convex portion of the electrode pad, the barrier property against the metal bump is not lost due to the passivation film.
【図１】本発明の実施の形態を説明する為の電極パッド
部とプローブの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of an electrode pad portion and a probe for describing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態を説明する為の電極パッド
部とプローブの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of an electrode pad and a probe for describing an embodiment of the present invention.
【図３】従来の技術を説明する為の電極パッド部の断面
図。FIG. 3 is a cross-sectional view of an electrode pad section for explaining a conventional technique.
【図４】従来の技術を説明する為の電極パッド部の断面
図。FIG. 4 is a cross-sectional view of an electrode pad section for explaining a conventional technique.
【図５】従来の技術を説明する為の電極パッド部の平面
図及び断面図。FIG. 5 is a plan view and a cross-sectional view of an electrode pad section for explaining a conventional technique.
【図６】本発明の実施の形態による接触抵抗値、オーバ
ードライブ量、損傷発生頻度の相関図。FIG. 6 is a correlation diagram of a contact resistance value, an overdrive amount, and a damage occurrence frequency according to the embodiment of the present invention.
【図７】従来例の接触抵抗値、オーバードライブ量、損
傷発生頻度の相関図。FIG. 7 is a correlation diagram of a contact resistance value, an overdrive amount, and a damage occurrence frequency in a conventional example.
【図８】本発明の実施の形態による電極パッドとプロー
ブの接触面積と、損傷発生頻度の相関図。FIG. 8 is a diagram showing a correlation between a contact area between an electrode pad and a probe and a damage occurrence frequency according to the embodiment of the present invention.
１ 電極パッド ２ プローブ ３ バリアメタル層 ４ 最上層配線 ５ パッシベーション膜 ６ プローブ ７ キズ ８ クラック １０ バンプ接続部 １１ パッド部 １２ バンプ １３ 電極パッドの凸部 １４ 開孔部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrode pad 2 Probe 3 Barrier metal layer 4 Top layer wiring 5 Passivation film 6 Probe 7 Flaw 8 Crack 10 Bump connection part 11 Pad part 12 Bump 13 Protrusion part of electrode pad 14 Opening part
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年３月３日[Submission date] March 3, 1999
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【発明の名称】 ウェーハの検査方法 Patent application title: Wafer inspection method
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１０】本発明の主な目的の一つは、バリアメタル
層およびパッシベーション膜を損傷させることの無いウ
ェーハの検査方法を提供することにある。[0010] One of the main objectives of the present invention, without damaging the barrier metal layer and a passivation film c
An object of the present invention is to provide a wafer inspection method .
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１１[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１１】本発明の主な他の目的は、プロービング用
に余分な面積を必要としない高密度実装に適したフリッ
プチップ用の半導体素子が形成されたウェーハの検査方
法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a method of inspecting a wafer on which a semiconductor element for a flip chip is formed which is suitable for high-density mounting without requiring an extra area for probing.
Is to provide a law .
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明によるウェーハの
検査方法は、パッシベーション膜のバンプ形成領域に形
成された開孔部とその周辺部上に設けられた電極パッド
の凸部の上に、先端が平坦に形成されたプローブを接触
させプローブと電極パッドとの接触面積を２００平方ミ
クロン以上としてプロービングする事を特徴とするもの
である。Means for Solving the Problems The present invention according to the wafer
The inspection method is applied to the bump formation area of the passivation film.
Openings formed and electrode pads provided on the periphery
A probe with a flat tip on the convex part of
The contact area between the probe and the electrode pad to 200 square meters.
It is characterized by probing as cron or more .
【手続補正６】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１３[Correction target item name] 0013
【補正方法】削除[Correction method] Deleted
【手続補正７】[Procedure amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２９[Correction target item name] 0029
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２９】その理由は、先端が平坦なプローブを電極
パッドの凸部に均一にプローブし、そのプローブと電極
パッドとの接触面積を２００平方ミクロン以上としてい
るためである。 The reason is that a probe having a flat tip is uniformly probed on the projection of the electrode pad , and the probe and the electrode
The contact area with the pad is more than 200 square microns
That's because.
Claims (6)
分の形状が平坦に形成されていることを特徴とするウェ
ーハ検査用プローブ。1. A wafer inspection probe, wherein a shape of a portion at the tip of the probe that comes into contact with an electrode pad is formed flat.
の凹部より大きく形成されている請求項１記載のウェー
ハ検査用プローブ。2. The wafer inspection probe according to claim 1, wherein the diameter of the flat portion at the tip of the probe is formed larger than the recess of the electrode pad.
ロン以上である請求項１記載のウェーハ検査用プロー
ブ。3. The wafer inspection probe according to claim 1, wherein the flat portion at the tip of the probe has a diameter of 110 μm or more.
形成された開孔部とその周辺部上に設けられた電極パッ
ドの凸部の上に、先端が平坦に形成されたプローブを接
触させプロービングする事を特徴とするウェーハの検査
方法。4. A probing method in which a probe having a flat tip is brought into contact with an opening formed in a bump formation region of a passivation film and a projection of an electrode pad provided on a peripheral portion thereof. A wafer inspection method characterized by the above-mentioned.
く形成されているプローブを用いる請求項４記載のウェ
ーハの検査方法。5. The wafer inspection method according to claim 4, wherein a probe having a flat portion having a diameter larger than that of the concave portion of the electrode pad is used.
００平方ミクロン以上とする請求項４記載のウェーハの
検査方法。6. A contact area between a probe and an electrode pad is 2
5. The method for inspecting a wafer according to claim 4, wherein the thickness is not less than 00 square microns.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033298A JPH11287825A (en) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Method for inspecting wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033298A JPH11287825A (en) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Method for inspecting wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11287825A true JPH11287825A (en) | 1999-10-19 |
Family
ID=13995573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9033298A Pending JPH11287825A (en) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | Method for inspecting wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11287825A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151684A (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | Electrical connection apparatus and its usage |
-
1998
- 1998-04-02 JP JP9033298A patent/JPH11287825A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151684A (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | Electrical connection apparatus and its usage |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000418 |