JPH11281722A - Optical fiber sensor - Google Patents

Optical fiber sensor

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JPH11281722A
JPH11281722A JP10080853A JP8085398A JPH11281722A JP H11281722 A JPH11281722 A JP H11281722A JP 10080853 A JP10080853 A JP 10080853A JP 8085398 A JP8085398 A JP 8085398A JP H11281722 A JPH11281722 A JP H11281722A
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JP
Japan
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optical fiber
light
magnetic field
optical
magneto
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Withdrawn
Application number
JP10080853A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Minemoto
尚 峯本
Nobuki Ito
伸器 伊藤
Onori Ishikawa
大典 石河
Satoshi Ishizuka
石塚  訓
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an unexpensive optical fiber sensor with superior linearity in low magnetic field and temperature characteristics. SOLUTION: At least, a light modulation part comprising a polarizer 11, a magnetooptic element 12, and an analyzer 14, a light incidence part 101 for introducing the light transferred from a light source through an incidence optical fiber 103, a light out-going part 102 wherein the light modulated at the light modulation part is taken out, an outgoing optical fiber 104 which guides the signal light to a light-receiving element, and a signal processing circuit where the signal obtained with the light-receiving element is processed, are provided. In addition, the magnetooptic element 12 is entirely non-saturated by a permanent magnet 13. With a magnetooptic element 12 made into a single magnetic domain by the permanent magnet 12, problem of drop in the linearity due to immobile domain wall in a low magnetic field. In addition, the ratio between Faraday rotation angle and biased magnetic field is almost constant in an operating temperature range.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁気光学素子を用い
た光方式の磁界又は電流計測用センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical magnetic field or current measuring sensor using a magneto-optical element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来光方式磁界(電流)センサは、その
電気絶縁性、耐電磁誘導ノイズに強い事から電力用電流
計測装置としてすでに実用化されている(例えばNAtion
al Technical Report 第38巻 No.2(199
2))。また光ファイバセンサの計測精度向上のため、
磁気光学素子であるガーネットのドメイン構造に起因す
る回折光を高次まで受光することにより直線性の良好な
センサが実現出来る事がし示されている(例えば特開平
7−209397、日本応用磁気学会誌 Vol.N
o.2、PP.209−212(1995)やIEE
E、Trans.Magn.Vol.31,No.6
(1995))。また、温度特性の向上のため、光ファ
イバセンサの測定磁界に平行または斜めにDCバイアス
磁界を印加する方法が検討されている(例えば特開平2
−293680)。
2. Description of the Related Art Conventionally, an optical magnetic field (current) sensor has been already put into practical use as a current measuring device for electric power because of its electrical insulation property and resistance to electromagnetic induction noise (for example, NAtion).
al Technical Report Vol. 2 (199
2)). Also, to improve the measurement accuracy of optical fiber sensors,
It has been shown that a sensor having good linearity can be realized by receiving diffracted light caused by a domain structure of a garnet, which is a magneto-optical element, to a high order (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-209397, Japan Society of Applied Magnetics). Magazine Vol.N
o. 2, PP. 209-212 (1995) and IEEE
E, Trans. Magn. Vol. 31, No. 6
(1995)). Further, in order to improve the temperature characteristics, a method of applying a DC bias magnetic field in parallel or obliquely to the measurement magnetic field of the optical fiber sensor has been studied (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 2 (1990) -210).
-293680).

【0003】また光源・受光素子と磁気光学素子を一体
化した高感度磁界センサや光源から光を光ファイバによ
り入射する光ファイバセンサも考案されている。(例え
ばJ.APPl.Phys.,Vol.53,No.1
1,PP.8263−8265(1982)、米国特許
公報4、516、073)
Further, a high-sensitivity magnetic field sensor in which a light source / light receiving element and a magneto-optical element are integrated, and an optical fiber sensor in which light is incident from a light source through an optical fiber have been devised. (For example, J. APPl. Phys., Vol. 53, No. 1)
1, PP. 8263-8265 (1982), U.S. Patent Publication 4,516,073).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】強磁性体であるガーネ
ット材料を磁気光学素子に用いた場合、低磁界でも直線
性のよい光ファイバセンサを実現させるためには一般に
以下のような課題がある。すなわちガーネットの磁区
が、非常に小さな低磁界では、磁壁抗磁力のため動けな
くなりその結果低磁界では磁界が変化しても磁区が動け
ないので直線性が劣化することである。この課題を解決
するための方法として、磁気光学素子に、測定磁界と直
交する方向からDC磁界を印加しかつ比測定磁界方向に
も既知の交流磁界を印加して非常に低磁界でも高感度に
磁界を計測する方法が考案されている。(例えばJ.A
ppl.Phys.,Vol.53,No.11,p
p.8263−8265(1982))。しかし、これ
らの従来例においては、光源、受光素子及び磁気光学素
子が一体化されており、従ってセンサヘッド部まで電
源、信号線などの電気的な線を結線する必要があり、セ
ンサ部と信号処理部の電気的な絶縁が保てないという課
題がある。
When a garnet material, which is a ferromagnetic material, is used for a magneto-optical element, there are generally the following problems to realize an optical fiber sensor having good linearity even in a low magnetic field. That is, the magnetic domain of the garnet cannot move at a very small low magnetic field due to the domain wall coercive force. As a result, the magnetic domain cannot move even at a low magnetic field even if the magnetic field changes, so that the linearity deteriorates. As a method for solving this problem, a DC magnetic field is applied to the magneto-optical element from a direction orthogonal to the measurement magnetic field, and a known AC magnetic field is also applied in the direction of the specific measurement magnetic field to achieve high sensitivity even in a very low magnetic field. Methods for measuring magnetic fields have been devised. (For example, J.A.
ppl. Phys. , Vol. 53, No. 11, p
p. 8263-8265 (1982)). However, in these conventional examples, the light source, the light receiving element, and the magneto-optical element are integrated, so that it is necessary to connect an electric line such as a power supply and a signal line to the sensor head. There is a problem that electrical insulation of the processing unit cannot be maintained.

【0005】また図7に別の従来例(例えば米国特許公
報4、516、073)の課題を説明するための光ファ
イバセンサの構成を示す。光ファイバを用いて光を伝送
する光ファイバセンサにおいても、光センサ部で光変調
部75に既知の交流磁界を印加するため(コイル702
に電流を流すため)、センサ部への電気的な結線が必要
となる。また米国特許公報4、516、073やJ.A
ppl.Phys.,Vol.53,No.11,P
P.8263−8265(1982)に示される反射型
のセンサに於いては、光入射用ファイバと光出射用ファ
イバが同一(図の720)であり、信号処理部に高価な
光分岐器75が必要になるという課題がある。さらに、
反射戻り光により発振が不安定になる半導体レーザ71
を光源として用いるため、反射戻り光を阻止するため非
常に高価な光アイソレータ72が必要になるという課題
がある。さらに上記従来例に於いては、従来の光ファイ
バセンサは温度特性が考慮されていなかった。このため
コイルに既知の変調電流を流さない構成では温度特性が
悪く屋外などで使用する光ファイバセンサには適さない
という課題があった。
FIG. 7 shows a configuration of an optical fiber sensor for explaining a problem of another conventional example (for example, US Pat. No. 4,516,073). Also in an optical fiber sensor that transmits light using an optical fiber, a known AC magnetic field is applied to the light modulator 75 by the optical sensor (coil 702).
Therefore, an electric connection to the sensor unit is required. Also, U.S. Patent Publications 4,516,073 and J.P. A
ppl. Phys. , Vol. 53, No. 11, P
P. 8263-8265 (1982), the fiber for light incidence and the fiber for light emission are the same (720 in the figure), and an expensive optical splitter 75 is required in the signal processing unit. There is a problem of becoming. further,
Semiconductor laser 71 whose oscillation becomes unstable due to reflected return light
As a light source, there is a problem that an extremely expensive optical isolator 72 is required to block reflected return light. Further, in the above conventional example, the temperature characteristics of the conventional optical fiber sensor were not considered. For this reason, there has been a problem that a configuration in which a known modulation current does not flow through the coil has poor temperature characteristics and is not suitable for an optical fiber sensor used outdoors or the like.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は少なくとも偏光子、磁気光学素子及び検光
子からなる光変調部と、光源から第1の光ファイバによ
り伝送された光を前記光変調部に入射するための光入射
部と、前記光変調部で変調された信号光を取り出し第2
の光ファイバに導くための光出射部と、前記磁気光学素
子にDCバイアス磁界を印加するための永久磁石と、前
記第2の光ファイバを透過してきた光を受光するための
受光素子と、受光素子で得られた信号を処理する信号処
理回路からなり、前記磁気光学素子はガーネット材料か
らなり、前記磁気光学素子が前記DCバイアス磁界によ
り磁気的に飽和している事を特徴とする光ファイバセン
サを用いる事であり、また望むべきは磁気光学素子の単
位長さあたりのファラデー回転角θFとDCバイアス磁
界Hbとの比 θF/Hbが使用温度範囲に対して実質
的に一定である事を特徴とする光ファイバセンサを用い
る事である。より望ましくは前記DCバイアス磁界Hb
の方向が比測定磁界Hmの方向と実質上直交している光
ファイバセンサを用いることである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an optical modulator comprising at least a polarizer, a magneto-optical element and an analyzer, and light transmitted from a light source through a first optical fiber. A light incident part for entering the light modulating part, and a signal light modulated by the light modulating part.
A light emitting portion for guiding the optical fiber, a permanent magnet for applying a DC bias magnetic field to the magneto-optical element, a light receiving element for receiving light transmitted through the second optical fiber, An optical fiber sensor comprising a signal processing circuit for processing a signal obtained by the element, wherein the magneto-optical element is made of a garnet material, and the magneto-optical element is magnetically saturated by the DC bias magnetic field. It is desirable that the ratio θ F / Hb between the Faraday rotation angle θ F per unit length of the magneto-optical element and the DC bias magnetic field Hb be substantially constant over the operating temperature range. The use of an optical fiber sensor characterized by the following. More preferably, the DC bias magnetic field Hb
Is to use an optical fiber sensor whose direction is substantially orthogonal to the direction of the ratio measurement magnetic field Hm.

【0007】また、本発明は所望の形状の光ファイバ
と、前記光ファイバを固定するための光ファイバ固定用
溝を有する基板と、偏光子、磁気光学素子、検光子が前
記光ファイバからなる光路途中に挿入されている事であ
り、より望ましくは前記所望の形状が底面がフラットな
U字型光ファイバである事を特徴とする光ファイバセン
サを用いることである。さらに望ましくは磁気光学材料
がBi置換型ガーネットからなる事であり、また望まし
くは前記永久磁石がSm-Co系磁石である光ファイバ
センサを用いるか、又は前記永久磁石が酸化物系磁石で
ある事を特徴とする光ファイバセンサを用いることであ
り、より望ましくは前記永久磁石が作る磁気回路は、D
Cバイアス磁界を与える空間以外で実質上閉じている事
を特徴とする光ファイバセンサを用いることである。
The present invention also provides an optical fiber having a desired shape, a substrate having an optical fiber fixing groove for fixing the optical fiber, and an optical path in which a polarizer, a magneto-optical element, and an analyzer comprise the optical fiber. It is inserted in the middle, and more preferably, an optical fiber sensor characterized in that the desired shape is a U-shaped optical fiber having a flat bottom surface. More preferably, the magneto-optical material is made of a Bi-substituted garnet, and more preferably, an optical fiber sensor in which the permanent magnet is an Sm-Co-based magnet, or the permanent magnet is an oxide-based magnet. It is preferable to use an optical fiber sensor characterized by the following:
An optical fiber sensor characterized in that it is substantially closed in a space other than the space where the C bias magnetic field is applied.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0009】本発明は入射用光ファイバ、出射用光ファ
イバ、光源、受光素子、信号処理回路、そして検光子、
磁気光学素子、検光子からなる光変調部、及び光変調部
に光を導入するための光入射部、光変調部で変調された
変調光を出射光ファイバに導入するための光出射部及
び、磁気光学素子にDCバイアス磁界を印加するための
永久磁石からなる。光入射用光ファイバ、出射用光ファ
イバを用いることにより、従来入射用光ファイバと出射
用光ファイバを兼ねて1本の光ファイバでセンサを構成
していた場合に不可欠である高価な光分岐機器が不要と
なる。さらに、半導体レーザ光源を用いた場合に必要に
なる、光源への反射戻り光を阻止するための光アイソレ
ータが不要になる。
The present invention relates to an optical fiber for incidence, an optical fiber for emission, a light source, a light receiving element, a signal processing circuit, an analyzer,
Magneto-optical element, a light modulating section comprising an analyzer, and a light incident section for introducing light into the light modulating section, a light emitting section for introducing the modulated light modulated by the light modulating section into an output optical fiber, It consists of a permanent magnet for applying a DC bias magnetic field to the magneto-optical element. The use of an optical fiber for light incidence and an optical fiber for emission makes an expensive optical branching device indispensable in the case where a single optical fiber conventionally serves as both an optical fiber for incidence and an optical fiber for emission. Becomes unnecessary. Further, an optical isolator for preventing reflected return light to the light source, which is required when a semiconductor laser light source is used, becomes unnecessary.

【0010】以下図2を用いてDCバイアス磁界を用い
て単一磁区を形成し、その磁気光学素子を光ファイバセ
ンサに応用した場合の動作原理を説明する。DCバイア
ス磁界の大きさは磁気光学素子であるガーネットの飽和
磁界よりも大きな磁界Hbを印加し単一磁区構造とす
る。この時の飽和磁化の大きさをMsとする。以下の説
明をわかりやすくするため、光の透過方向と被測定磁界
Hm方向は平行、被測定磁界とバイアス磁界Hbは垂直
とする。なお、実際には被測定磁界とバイアス磁界は必
ずしも直交している必要はないが90度±10度程度の
範囲で直交していると、磁界や電流値の換算が容易にな
るという特徴がある。。図2(a)は上記条件を模式的
に表した図である。被測定磁界Hmを印加した場合、D
Cバイアス磁界Hbと被測定磁界Hmのベクトルを合成
した方向に磁化Msが回転する(図2b参照)。この磁
化の回転は磁壁抗磁力の影響をうけないので、低磁界か
らでも外部磁界に対応して磁化が回転する。この結果低
磁界でも直線性のよい光ファイバセンサを実現出来る。
磁化Msの向きはDCバイアス磁界Hbと被測定磁界H
mの合成ベクトルHの方向となる。光の透過方向と合成
した磁界Hのなす確度をγとするとcosγは以下の
(数1)で表される。
The principle of operation when a single magnetic domain is formed using a DC bias magnetic field and the magneto-optical element is applied to an optical fiber sensor will be described below with reference to FIG. The magnitude of the DC bias magnetic field is larger than the saturation magnetic field of the garnet, which is a magneto-optical element, to form a single magnetic domain structure by applying a magnetic field Hb. The magnitude of the saturation magnetization at this time is Ms. In order to make the following description easy to understand, it is assumed that the direction of light transmission and the direction of the measured magnetic field Hm are parallel, and the measured magnetic field and the bias magnetic field Hb are perpendicular. In practice, the magnetic field to be measured and the bias magnetic field need not be perpendicular to each other, but if they are perpendicular to each other in a range of about 90 ° ± 10 °, the magnetic field and the current value can be easily converted. . . FIG. 2A is a diagram schematically showing the above conditions. When a measured magnetic field Hm is applied, D
The magnetization Ms rotates in a direction in which the vector of the C bias magnetic field Hb and the vector of the measured magnetic field Hm are combined (see FIG. 2B). Since the rotation of the magnetization is not affected by the domain wall coercive force, the magnetization rotates in response to an external magnetic field even from a low magnetic field. As a result, an optical fiber sensor having good linearity can be realized even in a low magnetic field.
The direction of the magnetization Ms is determined by the DC bias magnetic field Hb and the measured magnetic field H.
The direction is the direction of the composite vector H of m. Assuming that the accuracy of the magnetic field H combined with the light transmission direction is γ, cos γ is represented by the following (Equation 1).

【0011】[0011]

【数1】 (Equation 1)

【0012】光の透過方向のファラデー回転角θは結晶
の厚みをtとすると、以下の(数2)で表される。
The Faraday rotation angle θ in the light transmission direction is represented by the following (Equation 2), where t is the thickness of the crystal.

【0013】[0013]

【数2】 (Equation 2)

【0014】ここでθFは光透過方向と磁化の方向が一
致し、磁気光学素子が完全に飽和した時の単位長さあた
りのファラデー回転角である。
[0014] Here theta F the direction of magnetization light transmission direction coincides, a Faraday rotation angle per unit length when the magneto-optical element is completely saturated.

【0015】一般に偏光子と検光子の透過偏光面が互い
に45度回転しており単一磁区の磁気光学素子のファラ
デー回転角がθである場合(光学バイアスがかかってい
る場合)、透過した光の強度は以下の(数3)で表され
る。
In general, when the transmission polarization planes of the polarizer and the analyzer are rotated by 45 degrees with each other and the Faraday rotation angle of the magneto-optical element of a single magnetic domain is θ (when an optical bias is applied), the transmitted light Is expressed by the following (Equation 3).

【0016】[0016]

【数3】 (Equation 3)

【0017】ここでPoは透過光強度の最大値である。
光ファイバセンサの感度は、透過光パワーの変化を被測
定磁界Hmで除した値である。従ってファイバ出力光と
してはSIN(2θ)に比例した出力光が得られる。ま
たSIN(2θ)は2θの値が小さい時には2θと近似
出来るので結局センサの感度Sは以下の(数4)で表さ
れる。
Here, Po is the maximum value of the transmitted light intensity.
The sensitivity of the optical fiber sensor is a value obtained by dividing the change in transmitted light power by the measured magnetic field Hm. Therefore, output light proportional to SIN (2θ) is obtained as fiber output light. When the value of 2IN is small, SIN (2θ) can be approximated to 2θ, so that the sensitivity S of the sensor is eventually expressed by the following (Equation 4).

【0018】[0018]

【数4】 (Equation 4)

【0019】ここでθFは磁気気光学材料に固有の温度
の関数であり、Hmはバイアス永久磁石が発生する磁界
の温度特性である。センサの使用条件は通常Hm≪Hb
の条件で使用るするので、θF/Hbの値を光ファイバ
センサの使用温度範囲で一定になるように、磁気光学素
子及びDCバイアス発生用の永久磁石を選べば、温度特
性の良好な光ファイバセンサを実現できる。
Here, θ F is a function of temperature inherent to the magneto-optical material, and Hm is a temperature characteristic of a magnetic field generated by the bias permanent magnet. The operating condition of the sensor is usually Hm≪Hb
Therefore, if the magneto-optical element and the permanent magnet for generating the DC bias are selected so that the value of θ F / Hb becomes constant in the operating temperature range of the optical fiber sensor, light having good temperature characteristics can be obtained. A fiber sensor can be realized.

【0020】永久磁石の材料としては、θFの温度変化
の大きな磁気光学素子には酸化物系(例えばフェライ
ト)の温度変化の大きな永久磁石が適当であり、θF
温度変化の小さな磁気光学素子にはSm-Co系の発生
磁界の温度変化の小さな永久磁石が適している。
As a material of the permanent magnet, a permanent magnet of an oxide type (for example, ferrite) having a large temperature change is suitable for a magneto-optical element having a large temperature change of θ F, and a magneto-optical element having a small temperature change of θ F is suitable. An Sm-Co-based permanent magnet with a small temperature change in the generated magnetic field is suitable for the element.

【0021】永久磁石の作る磁気回路をバイアス磁界を
与える部分以外で出来る限り閉じた系とすることによ
り、外部磁界の影響が小さくなること及び永久磁石とし
て発生磁界が減少する減磁効果(不可逆減磁)が小さく
なり、長期間安定した光ファイバセンサを実現出来る。
By making the magnetic circuit formed by the permanent magnet as closed as possible except for the portion to which the bias magnetic field is applied, the effect of the external magnetic field is reduced, and the demagnetizing effect of reducing the magnetic field generated as the permanent magnet (irreversible reduction). Magnetism) is reduced, and a long-term stable optical fiber sensor can be realized.

【0022】以下本発明の具体的実施の形態を用いてさ
らに本発明の説明を行う。なお、以下の説明では、説明
を簡素化するために、DCバイアス磁界の方向とひ測定
磁界の方向を直交する場合について説明するが、バイア
ス磁界により磁気光学素子が完全に飽和しており、測定
磁界により磁化の方向が回転する事を利用する方式であ
れば光ファイバセンサとして機能する。
Hereinafter, the present invention will be further described with reference to specific embodiments of the present invention. In the following description, for the sake of simplicity, the case where the direction of the DC bias magnetic field and the direction of the measurement magnetic field are orthogonal to each other will be described. However, the bias magnetic field completely saturates the magneto-optical element. If it is a system utilizing the rotation of the direction of magnetization by a magnetic field, it functions as an optical fiber sensor.

【0023】(実施の形態1)本発明の第1の実施の形
態を図1を用いて説明する。以下の説明では磁気光学素
子12としてはフローティンゾーン法を用いて成長した
3Fe512(以下YIGと略す)結晶を所望の大きさ
に切り出して用いた。波長1.3μmのLED光源より
入射用光ファイバ103を伝搬した光は、レンズ16、
レンズホルダ17、フェルール18などからなる光入射
部を経て平行光となる。この平行光は偏光子11を透過
し、直線偏光の光が取り出される。直線偏光の光は磁気
光学素子12を透過し、(数2)で表される偏光面の回
転を受ける。
(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the following description, a Y 3 Fe 5 O 12 (hereinafter abbreviated as YIG) crystal grown by using the floating zone method is cut into a desired size and used as the magneto-optical element 12. The light that has propagated through the incident optical fiber 103 from the LED light source having a wavelength of 1.3 μm
The light is converted into parallel light through a light incident portion including the lens holder 17 and the ferrule 18. The parallel light passes through the polarizer 11, and linearly polarized light is extracted. The linearly polarized light passes through the magneto-optical element 12 and undergoes rotation of the polarization plane represented by (Equation 2).

【0024】ここで、磁気光学素子12は永久磁石13
によるDCバイアス磁界Hbにより飽和させられている
ため、磁壁による光の回折は発生しない。偏光面の回転
を受けた光は検光子14を透過することにより光強度の
変化として観測できるようになる。この強度変調された
光はミラーで90度確度を折り曲げ、レンズ等の光出射
部102を透過して出射用光ファイバ104に集光され
る。出射用光ファイバを透過した光は光検出器で光電変
換され、さらに信号処理回路で増幅・信号処理され磁界
強度又は電流強度に換算される。入射用光ファイバと出
射用光ファイバを完全に分けたため、効果な光分岐器を
用いる必要がない。また光源に半導体レーザ光源を用い
た場合でも信号光が光源に戻る事がないため、高価な光
アイソレータが不要であった。つぎの図1の光ファイバ
センサを用いて、磁界を印加し、光ファイバセンサの直
線性を評価した結果を図3に示す。本発明の光ファイバ
線センサを用いた場合、0.1〜10Oeの低磁界に於
いても、非誤差(直線性からのずれ)が1%以下の良好
な直線性を示している。
Here, the magneto-optical element 12 is a permanent magnet 13
, The light is not diffracted by the domain wall. The light whose polarization plane has been rotated can be observed as a change in light intensity by transmitting through the analyzer 14. The intensity-modulated light is bent at 90 degrees accuracy by a mirror, passes through a light emitting unit 102 such as a lens, and is focused on an emitting optical fiber 104. The light transmitted through the emission optical fiber is photoelectrically converted by a photodetector, further amplified and signal-processed by a signal processing circuit, and converted into a magnetic field intensity or a current intensity. Since the input optical fiber and the output optical fiber are completely separated, it is not necessary to use an effective optical splitter. Further, even when a semiconductor laser light source is used as the light source, the signal light does not return to the light source, so that an expensive optical isolator is not required. FIG. 3 shows the results of evaluating the linearity of the optical fiber sensor by applying a magnetic field using the optical fiber sensor of FIG. When the optical fiber line sensor of the present invention is used, even in a low magnetic field of 0.1 to 10 Oe, non-error (deviation from linearity) shows good linearity of 1% or less.

【0025】比較として、DCバイアス磁界がない場合
の、図1と同様の光ファイバセンサを作製しその直線性
を評価した結果を示す。0.1〜10Oeの磁界範囲で
は、非誤差は最大20%も低下しており、特に低磁界で
の直線性が悪かった。
For comparison, there is shown a result of producing an optical fiber sensor similar to that shown in FIG. 1 in the case where there is no DC bias magnetic field, and evaluating the linearity thereof. In the magnetic field range of 0.1 to 10 Oe, the non-error was reduced by as much as 20% at the maximum, and the linearity was particularly poor at low magnetic fields.

【0026】次に図1に示す構成のセンサヘッドを用い
て光ファイバ電流センサを構成した例を図4に示す。電
線43の回りの間隙を設けた磁性体コア(ソフト材料)
43を配置する。磁性体コアの材料としては、方向性ケ
イ素鋼を用いた。光源45から出た光は入射用光ファイ
バ403を透過し図1と同じ構成のセンサヘッド41に
入射する。センサヘッド41で強度変調された光は光出
射部を通り出射用光ファイバ404を透過し受光器46
で光電変換される。その電気信号は信号処理回路で増幅
・信号処理されて、磁性コア42の間隙に発生した磁界
に比例した変調信号をえる。磁性コア間隙に発生する磁
界は電線を流れる電流に比例するため、電線を流れる電
流値を知る事が出来る。本構成の光ファイバセンサは、
入射用光ファイバ、出射用光ファイバを用いることによ
り、従来入射用光ファイバと出射用光ファイバを兼ねて
1本の光ファイバでセンサを構成していた場合に不可欠
である光分岐機器や、半導体レーザ光源を用いた場合に
必要になる光源への反射戻り光を阻止するための光アイ
ソレータが不要であった。電線43に流す電流値を種々
変化させ直線性を評価したところ0.5〜1000Aで
非誤差±1%以下の良好な直線性を示した。
Next, FIG. 4 shows an example in which an optical fiber current sensor is constructed using the sensor head having the construction shown in FIG. Magnetic core (soft material) with a gap around electric wire 43
43 is arranged. Directional silicon steel was used as a material for the magnetic core. The light emitted from the light source 45 passes through the incident optical fiber 403 and enters the sensor head 41 having the same configuration as in FIG. The light whose intensity has been modulated by the sensor head 41 passes through the light emitting section, passes through the emitting optical fiber 404, and is
Is photoelectrically converted. The electric signal is amplified and signal-processed by a signal processing circuit to obtain a modulated signal proportional to the magnetic field generated in the gap between the magnetic cores 42. Since the magnetic field generated in the magnetic core gap is proportional to the current flowing through the electric wire, the value of the current flowing through the electric wire can be known. The optical fiber sensor of this configuration is
By using the input optical fiber and the output optical fiber, the optical branching device and the semiconductor, which are indispensable when the sensor is constituted by a single optical fiber that serves both as the input optical fiber and the output optical fiber in the past, There is no need for an optical isolator for blocking reflected return light to the light source, which is required when a laser light source is used. When the linearity was evaluated by variously changing the value of the current flowing through the electric wire 43, a good linearity with a non-error of ± 1% or less was obtained at 0.5 to 1000A.

【0027】比較として、通常のバイアス磁界を用い、
平行光学系を採用したセンサヘッドを用いた場合、上記
範囲では-20〜+2%の大きな非誤差特性を示し、特
に低磁界側での非誤差の低下が大きかった。
As a comparison, using a normal bias magnetic field,
When a sensor head employing a parallel optical system was used, large non-error characteristics of -20% to + 2% were exhibited in the above range, and the reduction of non-error on the low magnetic field side was particularly large.

【0028】(実施の形態2)本発明による第2の実施
の形態を図5を用いて説明する。
(Embodiment 2) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0029】本実施の形態では、DCバイアス磁界発生
用の永久磁石53がつくる磁気回路が、磁気光学素子5
2にバイアス磁界を印加するための間隙以外は実質上閉
じた構成となっている。入射用光ファイバ503、光入
射部501、偏光子51、磁気光学素子52、検光子5
4、ミラー55、光出射部502、出射用光ファイバ5
04は実施の形態1と同様の構成である。
In this embodiment, the magnetic circuit formed by the permanent magnet 53 for generating a DC bias magnetic field is a magneto-optical element 5
2 is substantially closed except for a gap for applying a bias magnetic field. Incident optical fiber 503, light incident section 501, polarizer 51, magneto-optical element 52, analyzer 5
4, mirror 55, light emitting portion 502, optical fiber for emission 5
04 has the same configuration as in the first embodiment.

【0030】図2を約80度に約半年放置した後、セン
サヘッドを室温の戻しその感度を測定したところ、その
変化は±0.5%以下であり、測定精度内で一致した。
After leaving the sensor head in FIG. 2 at about 80 degrees for about half a year, the sensor head was returned to room temperature and its sensitivity was measured. The change was ± 0.5% or less, which was consistent within the measurement accuracy.

【0031】比較として、図1の構成によるセンサヘッ
ドを用いて同様に実験したところ、センサ出力は1±
0.5%であり、わずかに増加した。これはDCバイア
ス用永久磁石の不可逆減磁(発生磁界が弱くなる)こと
による。なお、不可逆減磁を低減する方法としては、永
久磁石の形状のほかに、予めアニールにより初期減磁を
行った永久磁石によってもても、長期間安定性のよいセ
ンサを実現できた。
As a comparison, a similar experiment was conducted using the sensor head having the configuration shown in FIG.
0.5%, a slight increase. This is due to the irreversible demagnetization of the permanent magnet for DC bias (the generated magnetic field becomes weaker). As a method of reducing the irreversible demagnetization, a sensor with good long-term stability can be realized by using a permanent magnet that has been subjected to initial demagnetization by annealing in addition to the shape of the permanent magnet.

【0032】(実施の形態3)本発明による第3の実施
の形態を図6を用いて説明する。ここでは、基板上に偏
光、磁気光学素子、検光子、光ファイバそしてバイアス
用の永久磁石等をハイブリッドに集積化した集積型の光
ファイバセンサについての例を示す。基板の材料として
は、ガラス、セラミックス、樹脂など、絶縁性の材料で
あればいずれの材料でもよいが、とくに絶縁性の高く加
工性の優れたガラスエポキシ基板を用いた。また、基板
69には予めバイアス用の永久磁石601を設置するた
めの孔を形成してある物を用いた。基板69の上に回転
式ブレードソーを用いて光ファイバ固定用溝68を作製
する。次に両端にフェルール603が取り付けられた光
ファイバ心線を用意する。この光ファイバの一部の被覆
を除去し光ファイバ素線部が見える状態とし、光ファイ
バ固定用溝に接着固定する。この状態で再び回転式ブレ
ードソーを用いて、光学素子挿入用溝67を3本形成す
る。この時光ファイバも同時に切断する。この溝に偏光
子63、磁気光学素子64、検光子64を設置する。最
後にフェライト磁石からなるバイアス用の永久磁石60
1を2個設置して光ファイバセンサヘッド部を完成す
る。このフェライト磁石の発生する磁界の温度特性は−
0.2%/℃である。また非測定磁界の方向は光ファイ
バの長手方向、バイアス磁界の方向は図6に示すように
それに垂直な方向である。
(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, an example of an integrated optical fiber sensor in which polarization, a magneto-optical element, an analyzer, an optical fiber, a permanent magnet for bias, and the like are integrated in a hybrid manner on a substrate will be described. As the material for the substrate, any material may be used as long as it is an insulating material such as glass, ceramics, and resin. In particular, a glass epoxy substrate having high insulating properties and excellent workability was used. The substrate 69 used had a hole in which a permanent magnet 601 for bias was previously installed. An optical fiber fixing groove 68 is formed on the substrate 69 using a rotary blade saw. Next, an optical fiber core wire having ferrules 603 attached to both ends is prepared. A part of the coating of the optical fiber is removed to make the optical fiber portion visible, and the optical fiber is bonded and fixed to the optical fiber fixing groove. In this state, three optical element insertion grooves 67 are formed again using the rotary blade saw. At this time, the optical fiber is also cut at the same time. A polarizer 63, a magneto-optical element 64, and an analyzer 64 are provided in these grooves. Finally, a permanent magnet for bias 60 made of a ferrite magnet
2 are installed to complete the optical fiber sensor head. The temperature characteristic of the magnetic field generated by this ferrite magnet is-
0.2% / ° C. The direction of the non-measurement magnetic field is the longitudinal direction of the optical fiber, and the direction of the bias magnetic field is a direction perpendicular to the direction as shown in FIG.

【0033】磁気光学素子としては置換型GGG基板の
上にGaを多量に置換したLPE成長した(BiR)3
(FeGa)512を用た。結晶を厚み500〜800
μm成長した。その後、磁気異方性を低減するため以下
の2つの処理を行った。得られた結晶の基板を研磨・エ
ッチングなどで完全に除去した。そしてこの結晶を所望
の大きさに切断た。さらにこのチップ結晶を900〜1
050℃で数日〜数百日程度アニールを行い、結晶チッ
プ(約1×1×0.5mm)を磁気光学素子64として
用いた。この磁気光学素子64を完全に飽和させて測定
したθFの絶対値の温度変化率は、−0.2%/℃であ
り、フェライト磁石601が発生するバイアス磁界の温
度特性と一致した。
As a magneto-optical element, LPE was grown on a substitution-type GGG substrate with a large amount of Ga substituted (BiR) 3.
(FeGa) 5 O 12 was used. Crystal thickness 500-800
μm growth. Thereafter, the following two processes were performed to reduce magnetic anisotropy. The obtained crystal substrate was completely removed by polishing, etching or the like. Then, the crystal was cut into a desired size. Furthermore, this chip crystal is 900-1
Annealing was performed at 050 ° C. for several days to several hundred days, and a crystal chip (about 1 × 1 × 0.5 mm) was used as the magneto-optical element 64. Temperature change rate of the absolute value of the magneto-optical element 64 was measured by fully saturate theta F is -0.2% / ° C., it was consistent with the temperature characteristics of the bias magnetic field ferrite magnet 601 is generated.

【0034】得られたセンサヘッドの直線性は−0.0
1〜50Oeまで非誤差±2%と良好な結果を示した。
さらにこのセンサの温度特性を測定した所−20〜+8
0℃の温度範囲で±2%以下の良好な温度特性を示し
た。
The linearity of the obtained sensor head is -0.0.
From 1 to 50 Oe, non-error ± 2%, showing good results.
Further, when the temperature characteristic of this sensor was measured, it was found that -20 to +8
Excellent temperature characteristics of ± 2% or less in a temperature range of 0 ° C.

【0035】なお、本実施の形態では、本発明は光ファ
イバが直線状形状の場合を説明したが、同様にして、特
開平8−219825のような光ファイバが底面がフラ
ットなU字型形状の光ファイバセンサにも用いられる事
はもちろんである。
In this embodiment, the present invention has been described in connection with the case where the optical fiber has a linear shape. Similarly, the optical fiber has a U-shape having a flat bottom surface as disclosed in JP-A-8-219825. Of course, it can also be used for optical fiber sensors.

【0036】以上、本発明によれば以下の効果がある。 (1)光入射部と光出射部を有する光ファイバセンサ構
成とすることにより、高価な光学部品(光アイソレータ
や光分岐器)を用いないで光ファイバセンサを実現出来
る。さらに電線の回りの鉄心コアギャップに簡単にセン
サを設置出来る。
As described above, the present invention has the following effects. (1) By using an optical fiber sensor configuration having a light incident portion and a light emitting portion, an optical fiber sensor can be realized without using expensive optical components (optical isolators and optical splitters). Furthermore, the sensor can be easily installed in the core gap around the electric wire.

【0037】(2)磁気光学素子の磁区構造に起因する
光の回折及び磁壁抗磁力による低磁界の非線形性がなく
なり、特に微小磁界や微小電流を高精度の観測可能とな
る。
(2) The non-linearity of a low magnetic field due to light diffraction and domain wall coercive force due to the magnetic domain structure of the magneto-optical element is eliminated, and particularly a minute magnetic field and a minute current can be observed with high accuracy.

【0038】(3)単位長さあたりのファラデー回転角
θFとDCバイアス磁界Hbの比θF/Hbを使用温度範
囲でほぼ一定になるように設計することにより、温度特
性の良好な光ファイバセンサを実現出来る。
(3) By designing the ratio of the Faraday rotation angle θ F per unit length to the ratio θ F / Hb of the DC bias magnetic field Hb to be substantially constant in the operating temperature range, an optical fiber having good temperature characteristics can be obtained. A sensor can be realized.

【0039】(4)DCバイアス磁界印加用磁石の作る
磁気回路を、バイアス磁界を印加する部分をのぞいてほ
ぼ完全に閉じた系にすることにより外部磁界の影響の小
さな、かつ長期安定性にすぐれた光ファイバセンサを実
現できる。
(4) By making the magnetic circuit formed by the DC bias magnetic field applying magnet almost completely closed except for the part to which the bias magnetic field is applied, the influence of the external magnetic field is small and the long-term stability is excellent. Optical fiber sensor can be realized.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上本発明によれば、低磁界の直線性に
優れた、かつ温度特性の良好な光ファイバセンサを安価
に提供でき、その工業的価値は高い。
As described above, according to the present invention, an optical fiber sensor having excellent linearity in a low magnetic field and excellent temperature characteristics can be provided at low cost, and its industrial value is high.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態による光ファイバセ
ンサの構成を示す図
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an optical fiber sensor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の光ファイバセンサの原理を説明する図FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of the optical fiber sensor according to the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態による非誤差と、従
来例による非誤差の測定例を示すグラフ
FIG. 3 is a graph showing a non-error measurement example according to the first embodiment of the present invention and a non-error measurement example according to a conventional example.

【図4】本発明の光ファイバセンサ全体の構成を示す図FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the entire optical fiber sensor of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施の形態による光ファイバセ
ンサの構成を示す図
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an optical fiber sensor according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施の形態による光ファイバセ
ンサの構成を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of an optical fiber sensor according to a third embodiment of the present invention.

【図7】従来の光ファイバセンサの構成概略を示す図FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional optical fiber sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,501,608 光入射部 102,502,609 光出射部 13,53,605,701 永久磁石 11,51,63 偏光子 12,52,64 磁気光学素子 14,54,65 検光子 15,55 ミラー 103,403,503 入射光ファイバ 104,404,504 出射光ファイバ 16 レンズ 17 ホルダー 18 フェルール 41 センサヘッド 42 磁気コア 43 電線 45 光源 46 受光素子 47 信号処理回路 61 光ファイバ素線 62 光ファイバ心線 68 光ファイバ固定用溝 69 基板 603 フェルール 31 光源 71 レーザ光源 72 光アイソレータ 75 分岐器 79 受光素子 720 入射兼出射光ファイバ 702 コイル 703 反射ミラー 75 光変調部 101,501,608 Light incidence part 102,502,609 Light emission part 13,53,605,701 Permanent magnet 11,51,63 Polarizer 12,52,64 Magneto-optical element 14,54,65 Analyzer 15,55 Mirror 103, 403, 503 Incident optical fiber 104, 404, 504 Outgoing optical fiber 16 Lens 17 Holder 18 Ferrule 41 Sensor head 42 Magnetic core 43 Electric wire 45 Light source 46 Light receiving element 47 Signal processing circuit 61 Optical fiber strand 62 Optical fiber core 68 Optical fiber fixing groove 69 Substrate 603 Ferrule 31 Light source 71 Laser light source 72 Optical isolator 75 Splitter 79 Light receiving element 720 Incident / emitted optical fiber 702 Coil 703 Reflector mirror 75 Light modulator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石塚 訓 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor: Nori Ishizuka 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも偏光子、磁気光学素子及び検
光子からなる光変調部と、光源から第1の光ファイバに
より伝送された光を前記光変調部に入射するための光入
射部と、前記光変調部で変調された信号光を第2の光フ
ァイバを透過させて取り出すための光出射部と、前記磁
気光学素子にDCバイアス磁界を印加するための永久磁
石と前記第2の光ファイバを透過してきた光を受光する
ための受光素子と、受光素子で得られた信号を処理する
信号処理回路からなり、前記磁気光学素子がガーネット
材料からなり、前記磁気光学素子が前記DCバイアス磁
界により磁気的に飽和している事を特徴とする光ファイ
バセンサ。
An optical modulator including at least a polarizer, a magneto-optical element, and an analyzer; a light incident unit configured to input light transmitted from a light source via a first optical fiber to the optical modulator; A light emitting unit for transmitting the signal light modulated by the light modulating unit through the second optical fiber and extracting the signal light; a permanent magnet for applying a DC bias magnetic field to the magneto-optical element; and the second optical fiber. A light-receiving element for receiving the transmitted light; a signal processing circuit for processing a signal obtained by the light-receiving element; the magneto-optical element is made of a garnet material; and the magneto-optical element is magnetically driven by the DC bias magnetic field. An optical fiber sensor characterized by being substantially saturated.
【請求項2】 磁気光学素子の単位長さあたりのファラ
デー回転角θFとDCバイアス磁界Hbの比θF/Hbが
使用温度範囲に対してほぼ一定である事を特徴とする請
求項1記載の光ファイバセンサ。
2. The method according to claim 1, wherein the ratio θ F / Hb of the Faraday rotation angle θ F per unit length of the magneto-optical element to the DC bias magnetic field Hb is substantially constant over the operating temperature range. Optical fiber sensor.
【請求項3】 前記DCバイアス磁界Hbの方向が比測
定磁界Hmの方向と90度±10度の範囲で実質上直交
している事を特徴とする請求項1記載の光ファイバセン
サ。
3. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the direction of the DC bias magnetic field Hb is substantially orthogonal to the direction of the ratio measurement magnetic field Hm within a range of 90 degrees ± 10 degrees.
【請求項4】 所望の形状の光ファイバと、前記光ファ
イバを固定するための光ファイバ固定用溝を有する基板
と、偏光子、磁気光学素子、検光子が前記光ファイバか
らなる光路途中に挿入されている事を特徴とする請求項
1記載の光ファイバセンサ。
4. An optical fiber having a desired shape, a substrate having an optical fiber fixing groove for fixing the optical fiber, and a polarizer, a magneto-optical element, and an analyzer are inserted in an optical path including the optical fiber. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the optical fiber sensor is used.
【請求項5】 前記所望の形状が底面がフラットなU字
型光ファイバである事を特徴とする光ファイバセンサ。
5. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the desired shape is a U-shaped optical fiber having a flat bottom.
【請求項6】 磁気光学材料がBi置換型ガーネットか
らなる事を特徴とする請求項1記載の光ファイバセン
サ。
6. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the magneto-optical material is made of a Bi-substituted garnet.
【請求項7】 前記永久磁石がSm-Co系磁石である
事を特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
7. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the permanent magnet is an Sm—Co magnet.
【請求項8】 前記永久磁石が酸化物系磁石である事を
特徴とする請求項1記載の光ファイバセンサ。
8. The optical fiber sensor according to claim 1, wherein the permanent magnet is an oxide magnet.
【請求項9】 前記永久磁石が作る磁気回路は、DCバ
イアス磁界を与える空間以外で実質上閉じている事を特
徴とする請求項7又は請求項8記載の光ファイバセン
サ。
9. The optical fiber sensor according to claim 7, wherein the magnetic circuit formed by the permanent magnet is substantially closed except for a space for applying a DC bias magnetic field.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017115623A1 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 株式会社日立製作所 Current sensor, and measuring device and measuring method employing same
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