JPH11281337A - Defect inspecting apparatus - Google Patents

Defect inspecting apparatus

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JPH11281337A
JPH11281337A JP26252098A JP26252098A JPH11281337A JP H11281337 A JPH11281337 A JP H11281337A JP 26252098 A JP26252098 A JP 26252098A JP 26252098 A JP26252098 A JP 26252098A JP H11281337 A JPH11281337 A JP H11281337A
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JP
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inspection
defect inspection
defect
wafer
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JP26252098A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidehisa Hashizume
Akifumi Imanishi
Hideo Katsumi
Tsutomu Morimoto
Shingo Suminoe
Hiroyuki Takamatsu
Yuji Yamamoto
Naoyuki Yoshida
顕史 今西
伸吾 住江
栄雄 勝見
尚幸 吉田
雄治 山本
勉 森本
英久 橋爪
弘行 高松
Original Assignee
Genesis Technology Kk
Kobe Steel Ltd
ジェネシス・テクノロジー株式会社
株式会社神戸製鋼所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable high speed inspection of a plurality of members under test at once for defects such as cracks and breaks of the edges of the members by rotating the members at the same time and radiating an inspecting light on their edges in bloc.
SOLUTION: A plurality of disc-like members 1 under test such as semiconductor wafers are supported coaxially by a support shaft 2, it is rotated by rotating means 3 such as a motor, an inspection light radiating means 5 radiates an inspection light 4 on the edge 1a of the member 1, a scattering light detecting means 7 detects a scattered light 6 at the irradiated edge 1a, a defect inspecting means 8 inspect the defects of the edge 1a of the member 1 under test, based on the irradiating position of the inspecting light 4 and intensity of the scattered light 6. This method enables quick defect inspection of the cracks, breaks, etc., of the edge 1a of the member 1 under test and avoidance of the yield reduction due to the defects of the edges 1a.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,欠陥検査装置に係り,詳しくは,半導体ウェハ等の外観検査に用いられる欠陥検査装置に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a defect inspection apparatus, more particularly, to a defect inspection apparatus for use in the visual inspection, such as a semiconductor wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】回路の最小線幅が著しく小さくなった近年の半導体装置では,製品の歩留りを低下させるような欠陥のサイズもごく微小なものとなっている。 In recent semiconductor devices minimum line width is significantly smaller BACKGROUND OF THE INVENTION circuit, the size of defects such as lowering the yield of the products has become a thing very small. この欠陥の多くは,半導体ウェハ等へのダストの付着によって誘発されるものである。 Many of these defects are those induced by the attachment of dust to the semiconductor wafers and the like. この微小な欠陥の検査を目視によって行うことは困難である。 It is difficult to perform by visual inspection of the minute defect. そのため,高輝度平行光線やレーザ光を用いて半導体ウェハの外観検査を行う各種の欠陥検査装置が実用化されている。 Therefore, various defect inspection apparatus for performing an appearance inspection of a semiconductor wafer using a high intensity parallel beam or laser light has been put to practical use. 例えば図18に示すように,鏡面特性を有する半導体ウェハ等の被検査部材41に高輝度平行光線等を照射すると,照射された光線42は,欠陥の存在しない部分では入射角度と同じ角度で反射されるのに対し(正反射光43),欠陥が存在する部分では正反射角とは異なる方向に光線が散乱される(散乱光44)。 For example, as shown in FIG. 18 is irradiated with high-intensity collimated beam or the like to be inspected member 41 such as a semiconductor wafer having a mirror surface characteristic, light 42 emitted is reflected at the same angle as the incidence angle in the absence portion of the defect is whereas the (regular reflection light 43), in a portion where a defect exists light in a direction different from the regular reflection angle is scattered (scattered light 44). 上記のような欠陥部における散乱を利用した欠陥検査装置は,Pedro Kilienfeld;Aerosol The defect inspection apparatus using the scattering in the defect portion as described above, Pedro Kilienfeld; Aerosol
Science Technology 5:p145-165(1986) 等に記載されている。 Science Technology 5: p145-165 (1986) are described in the like. 上記文献に記載された装置構成のうちの一つを図19に示す。 One of the a device configured according to the above document shown in FIG. 19. 図19に示した欠陥検査装置は,レーザ光を半導体ウェハ上で走査して半導体ウェハの外観検査を高速に行うものである。 Defect inspection apparatus shown in FIG. 19 is for performing high-speed visual inspection of the semiconductor wafer by scanning a laser beam on the semiconductor wafer. 上記欠陥検査装置において,レーザ光源51から照射された光線52は,ミラー53 In the defect inspection apparatus, a light beam 52 emitted from the laser light source 51, mirrors 53
a,53bやレンズ54a,54bを介して回転多角ミラー55に入射する。 a, 53b and the lens 54a, via 54b is incident on the rotary polygonal mirror 55. 回転多角ミラー55は所定の角速度で回転しており,上記光線52を半導体ウェハ56上で走査する。 Rotation polygonal mirror 55 is rotated at a predetermined angular velocity, scanning the light beam 52 on the semiconductor wafer 56. 半導体ウェハ56の欠陥が存在しない部分に照射された光線52は正反射されるが,欠陥が存在する部分では正反射角とは異なる方向に散乱される。 While defects in the semiconductor wafer 56 is rays 52 specular radiation to a portion that does not exist, in a portion where a defect exists is scattered in a direction different from the regular reflection angle. この散乱光57は,光電子増倍管58aを含む散乱光検出手段58によって検出され,欠陥の検査が行われる。 The scattered light 57 is detected by a scattered light detecting means 58 comprising a photomultiplier 58a, inspection of defects is performed. 上記散乱光検出手段58は正反射した光線59が直接入射しないように配置されるため,欠陥の存在する部分が欠陥の存在しない部分と較べて明るく検出される。 Since the scattered light detection means 58 arranged to beam 59 regularly reflected is not incident directly, is detected brightly compared with the existent parts of the defect portion in the presence of a defect.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで,上記半導体ウェハのエッジ部は他所に較べて,ハンドリングの際等に欠けが生じたりダストが付着し易く,このエッジ部のパーティクルによって半導体ウェハ表面に欠陥が誘発される場合がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, the edge portion of the semiconductor wafer is compared to elsewhere, easily chipped dust or cause to adhere to such time of handling, a defect in the semiconductor wafer surface by the edge portion of the particle there is a case to be induced. また,クラック等が生じている可能性もあり,半導体ウェハのエッジ部の検査を行うことは製品の歩留り向上の点で重要である。 Further, there is a possibility that cracks are generated, performing the inspection of the edge portion of the semiconductor wafer is important in terms of yield improvement of the product. しかし,上記のような欠陥検査装置は,半導体ウェハ表面に存在する欠陥を検出することを目的としており,半導体ウェハのエッジ部の欠陥を高速に検査することができない。 However, the defect inspection apparatus as described above is intended to detect defects present in the semiconductor wafer surface, it is not possible to inspect a defect of the edge portion of the semiconductor wafer at a high speed. 本発明は, The present invention,
このような従来の技術における課題を解決するために, In order to solve the problems in the conventional art,
欠陥検査装置を改良し,半導体ウェハ等のエッジ部を複数枚同時に短時間で検出することのできる欠陥検査装置を提供することを目的とするものである。 Improved defect inspection apparatus, it is an object to provide a defect inspecting apparatus which can detect an edge portion, such as a semiconductor wafer in a short period of time a plurality simultaneously.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は,円板状の被検査部材を同軸上に複数枚支持可能な支持軸と,上記支持軸を駆動して上記被検査部材を回転させる回転手段と,上記回転手段により回転される上記被検査部材のエッジ部に検査光を照射する検査光照射手段と,上記検査光照射手段により上記被検査部材のエッジ部に照射され散乱された散乱光を検出する散乱光検出手段と,上記検査光の照射位置及び上記散乱光の強度に基づいて上記被検査部材のエッジ部の欠陥を検査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置として構成されている。 Means for Solving the Problems The present invention to achieve the above object, a plurality supportable support shaft coaxially the disc-shaped inspection member, the inspection by driving the support shaft rotating means for rotating the member, and the inspection light irradiating means for irradiating inspection light on the edge portion of the inspection member is rotated by said rotating means, is irradiated to the edge portion of the inspection member by said inspection light irradiating means a scattered light detector for detecting the scattered scattered light, and and a defect inspection unit for inspecting a defect of the edge portion of the inspection member on the basis of the intensity of the irradiation position and the scattered light of the inspection light It is configured as a defect inspection apparatus. 上記欠陥検査装置では,複数枚の被検査部材を同時に回転させると共に,上記被検査部材のエッジ部に一括して検査光を照射するため,被検査部材のエッジ部におけるクラック,欠け等の欠陥検査を複数枚同時に高速に検査することが可能である。 The defect inspection apparatus rotates the plurality of the test member at the same time, in order to irradiate the inspection light collectively on the edge portion of the inspection member, defect inspection of cracks, chipping at the edges of the test element it is possible to inspect the plurality at the same time fast. 上記欠陥検査装置において,複数枚の被検査部材に一括して検査光を照射するには,上記検査光照射手段に,例えば上記支持軸に沿ったスリット光を複数枚の被検査部材に渡って照射するものが用いればよい。 In the defect inspection apparatus, to irradiate the inspection light collectively on a plurality of the test members, to the inspection light irradiating means, for example, across the slit light along the support shaft to the plurality of the test element it may be used those which irradiation. このとき,上記散乱光検出手段は,上記支持軸に支持される上記被検査部材毎に設けられる。 In this case, the scattered light detection means is provided for each of the inspection member supported by the support shaft. この場合,スリット光が複数の被検査部材の同じ位置に同じ角度で入射するため,各被検査部材のエッジ部を並行して検査することが可能となる。 In this case, since the slit light is incident at the same angle in the same position of a plurality of the inspection member, it is possible to inspect in parallel edge portions of each of the test element. また,近接する被検査部材からの散乱による影響を排除するために,各散乱光検出手段の間に遮光板を設けてよい。 Further, in order to eliminate the influence of scattering from the inspection member to close it may be provided a light shielding plate between the scattered light detection means. また,複数の被検査部材のエッジ部を並行して検査するために,上記検査光照射手段に,スポット光を複数枚の被検査部材に対して順次走査するものを用いてもよい。 Further, in order to inspect in parallel edge portions of a plurality of the inspection member, in the inspection light irradiating means may be used which sequentially scans the spot light to a plurality of the test member. この場合,スポット光の走査位置を特定することが可能となるため,上記散乱光検出手段を検査する被検査部材毎に設ける必要はない。 In this case, since it is possible to identify a scanned position of the spot light, there is no need to provide for each inspection member for inspecting the scattered light detecting means. 尚,上記被検査部材は,例えば半導体ウェハである。 Incidentally, the inspection member is, for example, a semiconductor wafer.

【0005】また,上記欠陥検査装置において,上記散乱光検出手段に,上記被検査部材の回転方向と厚み方向の上記エッジ部表面に関する2次元的な画像を撮像するものを用いてもよい。 [0005] In the defect inspection apparatus, in the scattered light detection means, it may also be used for imaging a two-dimensional image associated with the direction of rotation and the thickness direction of the edge portion surface of the inspection member. この場合,上記被検査部材のエッジ部のどの位置に欠陥があるのかをより詳細に検査することが可能となり,さらに欠陥の形状等をも欠陥検査の基準とすることができ,欠陥検査の精度を向上させることができる。 In this case, it is possible to check whether there is a defect in any position of the edge portion of the inspection member in more detail, it can also be used as a reference for defect inspection to further shape such as defects, the accuracy of the defect inspection it is possible to improve the. 上記2次元的な画像を撮像するには,例えば上記散乱光検出手段に,少なくとも上記被検査部材のエッジ部の厚み分を撮像範囲とするCCDカメラを用いてればよい。 To image a two-dimensional image described above, for example, in the scattered light detection means, it is sufficient with a CCD camera for the imaging range corresponding to the thickness of the edge portion of at least the inspection member. また,例えば上記エッジ部の一点から散乱される散乱光を検出する散乱光検出手段を,上記被検査部材のエッジ部の厚み方向に移動可能に設けることによって,上記2次元的な画像を撮像することも可能である。 Further, for example, a scattered light detector for detecting scattered light scattered from one point of the edge portion, by providing movable in the thickness direction of the edge portion of the inspection member, to image the two-dimensional image described above it is also possible. また,上記欠陥検査装置において,上記被検査部材のエッジ部で散乱された散乱光は,例えば光ファイバにより上記散乱光検出手段へ導くことが可能である。 In the above defect inspection apparatus, the scattered light scattered by the edge portion of the inspection member, for example by an optical fiber can be guided to the scattering light detecting means. また,レンズ及びミラーを用いて導くことも可能である。 It is also possible to direct with lenses and mirrors.
さらに,上記光ファイバの入光部を,上記被検査部材のエッジ部の表面側及び裏面側それぞれに設けることによって,上記被検査部材のエッジ部をより詳細に検査することが可能となる。 Furthermore, the light incident portion of the optical fiber, by providing each first surface and the second surface of the edge portion of the inspection member, it is possible to inspect the edge portion of the inspection member in more detail. また,上記欠陥検査装置において, In the above defect inspection apparatus,
上記欠陥検査手段が,上記散乱光検出手段により撮像された複数枚の被検査部材のエッジ部表面の画像が合成された合成画像に基づいて,上記被検査部材の欠陥を検査するものである場合,各被検査部材の欠陥の相関関係に基づいた精度の良い総合的な検査を行うことが可能となる。 If the defect inspection unit, based on the composite image which the image of the imaged edge surfaces of a plurality of the test element was synthesized by the scattered light detecting means, is to inspect a defect of the inspection member , it is possible to perform a comprehensive test good accuracy based on the correlation between the defect in the inspection member. また,上記欠陥検査装置において,上記欠陥検査手段が,上記散乱光検出手段により撮像された複数枚のウェハのエッジ部表面の撮像画像を互いに比較してウェハの欠陥を検査するものである場合,例えば各撮像画像のうち選択された2つの撮像画像に対して位置合わせを行い,位置合わせされた2つの撮像画像の画素毎の差からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより,各ウェハの相関に基づいた精度の良い検査を行うことができる。 In the above defect inspection apparatus, if the defect inspection unit, in which by comparing a captured image of the imaged plurality of wafer edge surface each other for inspecting defects of a wafer by the scattering light detecting means, for example performs positioning with respect to the two captured image selected among the captured images to generate a difference image composed of the difference for each pixel of the two captured images that are aligned, the threshold of the difference image given by evaluated using a value, it is possible to perform an accurate inspection based on the correlation of each wafer.

【0006】また,他の発明は,外周端部に傾斜面を備えた複数のウェハを載置する載置手段と,上記載置手段に載置された各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように上記載置手段を位置決めする位置決め手段と,上記位置決め手段により位置決めされた上記載置手段を駆動してウェハを回転させる回転手段と,上記回転手段により回転させられる各ウェハの傾斜面の画像を撮像する撮像手段と,上記撮像手段により撮像された各ウェハの傾斜面の画像について画像処理を行って欠陥を検査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置として構成されている。 Further, another invention includes a mounting means for mounting a plurality of wafers having an inclined surface on the outer peripheral edge portion, a predetermined line corresponding inclined surface of the wafer placed on the placing means a positioning means for positioning the upper the placing means to include a rotating means for rotating the wafer to drive the said placing means after being positioned by the positioning means, the inclined surface of each wafer which is rotated by said rotating means imaging means for capturing an image, and is configured as a defect inspection apparatus comprising; and a defect inspection unit for inspecting defects by performing image processing on the image of the inclined surface of each wafer imaged by the image pickup means . 上記他の発明に係る欠陥検査装置によれば,各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように載置手段が位置決め手段により位置決めされるため,ウェハに傾斜面が設けられている場合でも,撮像手段が複数のウェハの傾斜面を一括して撮像することが可能となり,検査を迅速に行うことができる。 According to the defect inspection apparatus according to the other invention, since the corresponding inclined surface of the wafer is placed means to include a predetermined line is positioned by the positioning means, even if the inclined surface is provided on the wafer , it is possible to image pickup means is collectively inclined surfaces of the plurality of wafers can be quickly inspected. また,上記欠陥検査装置において,上記撮像手段を,ウェハの表面と裏面とについてそれぞれ設けらることにより,ウェハの表面と裏面とを同時に検査することができるため,さらに検査を迅速に行うことができる。 In the above defect inspection apparatus, the imaging means, by respectively Mokeraru for the front surface and the back surface of the wafer, it is possible to inspect the front and back surfaces of the wafer at the same time, be performed rapidly more tests it can. また,上記欠陥検査装置において,上記欠陥検査手段が,上記撮像手段により撮像された複数のウェハについての画像に基づき,例えば各ウェハについての画像のうち選択された2つの画像の位置合わせを行い,位置合わせされた2つの画像の画素毎の差の絶対値からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより,ウェハの欠陥を検査するものであれば,検査を迅速に行うことができるとともに,各ウェハの相関関係をもとに精度のよい検査を行うことができる。 Also conducted in the defect inspection apparatus, the defect inspection unit based on the image for a plurality of wafers picked up by the image pickup means, for example, the alignment of two images selected among the images for each wafer, generating a difference image composed of the absolute value of the difference for each pixel aligned two images, by evaluating with a predetermined threshold difference image, as long as for inspecting defects of the wafer , it is possible to perform the test quickly, the correlation of each wafer can be performed with good accuracy examined under.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】以下,添付図面を参照して,本発明の実施の形態につき説明し,本発明の理解に供する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, described embodiments of the present invention will provide an understanding of the present invention.
尚,以下の実施の形態は,本発明を具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。 The following embodiments are merely examples embodying the present invention, not intended to limit the technical scope of the present invention. ここに,図1は本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の概略構成を示す図である。 Here, FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示すように, As shown in FIG. 1,
本実施の形態に係る欠陥検査装置0は,例えば半導体ウェハ等の円板状の被検査部材1を同軸上に複数枚支持可能な支持軸2と,上記支持軸2を駆動して上記被検査部材1を回転させるモータ等の回転手段3と,上記回転手段3により回転される上記被検査部材1のエッジ部1a Defect inspection apparatus according to the embodiment 0, for example, a plurality supportable support shaft 2 coaxially the disc-shaped inspection member 1 such as a semiconductor wafer, the object to be inspected by driving the support shaft 2 and rotating means 3 such as a motor for rotating the member 1, the edge portion 1a of the rotating means 3 the inspection member is rotated by 1
に検査光4を照射する検査光照射手段5と,上記検査光照射手段5により上記被検査部材1のエッジ部1aに照射され散乱された散乱光6を検出する散乱光検出手段7 Scattered light detection means for detecting the inspection light irradiating means 5 for irradiating the scattered light 6 which is scattered is irradiated to the edge portion 1a of the inspection member 1 by the inspection light irradiating means 5 inspection light 4 to 7
と,上記検査光4の照射位置及び上記散乱光6の強度に基づいて上記被検査部材1のエッジ部1aの欠陥を検査する欠陥検査手段8とを具備する。 When, comprising a defect inspection unit 8 for inspecting a defect of the edge portion 1a of the inspection member 1 based on the intensity of the irradiation position and the scattered light 6 the inspection light 4.

【0008】上記欠陥検査装置0において,例えば半導体ウェハ等の被検査部材1は,複数枚同時にウェハカセット9に格納される。 [0008] In the defect inspection apparatus 0, for example, the inspection member 1 such as a semiconductor wafer is stored in the plurality at the same time the wafer cassette 9. このウェハカセット9に格納された複数枚の被検査部材1のエッジ部1aには,ウェハカセット9外部に設けられた検査光照射手段5によって一括して光線が照射される。 The edge portion 1a of the inspection member 1 of a plurality stored in the wafer cassette 9, light is emitted collectively by the inspection light irradiating means 5 provided on the wafer cassette 9 outside. 上記検査光照射手段5は,レーザ光源5aと,該レーザ光源5aからの光線5bをスリット光(検査光)4に成形するための円筒レンズ5c The inspection light irradiating means 5 comprises a laser light source 5a and a cylindrical lens 5c for forming the beam 5b slit light (inspection light) 4 from the laser light source 5a
を有しており,スリット光4を各被検査部材1の同じ位置に同じ角度で照射する。 The has is irradiated at the same angle of the slit light 4 at the same position of each of the test element 1. 上記エッジ部1aで欠陥がない箇所では,上記スリット光4は入射角度と同じ角度で正反射される。 In places free from defects in the edge portion 1a, the slit light 4 is specularly reflected at the same angle as the incident angle. 上記ウェハカセット9の上部には,被検査部材1のエッジ部1aからの散乱光6を検出する例えばシリコンフォトダイオード等の散乱光検出手段7が設けられている。 At the top of the wafer cassette 9, and the scattered light detecting means 7, such detection is for example a silicon photodiode light scattered 6 from the inspected member 1 of the edge portion 1a is provided. シリコンフォトダイオードは,可視光に対して高感度,小型,安価という特長を有し,さらに受光量に比例した電流を直接検出できる等の理由から上記散乱光検出手段7に好適である。 Silicon photodiodes have features high sensitivity, small size, that inexpensive to visible light, it is further preferable from the reasons such that a current proportional to the amount of received light can be detected directly in the scattered light detection means 7. 尚,この散乱光検出手段7は,被検査部材1のエッジ部1aからの正反射光1 Note that the scattered light detector 7, specular reflection light 1 from the edge portion 1a of the test element 1
0が直接入射しない位置に配置されている。 0 is arranged at a position not directly incident. また,上記散乱光検出手段7は,空間的に分割されており,各被検査部材1からの散乱光6は別々の検出器によって受光される構造となっている。 Further, the scattering light detecting means 7 is spatially divided, the scattered light 6 from each of the test element 1 has a structure that is received by separate detectors. さらに,各検出器の間には,近接する被検査部材1からの散乱光の影響を排除するために遮光板11が設けられている。 Further, between each detector, the light shielding plate 11 is provided in order to eliminate the influence of the scattered light from the inspection member 1 adjacent. 上記散乱光検出手段7 Said scattered light detection means 7
は信号処理回路12を介してコンピュータ等の欠陥検査手段8に接続されている。 It is connected to the defect inspection unit 8 such as a computer through a signal processing circuit 12. また,上記ウェハカセット9 In addition, the wafer cassette 9
の下部には,格納された複数枚の被検査部材1を同軸上に支持する支持軸2が設けられている。 At the bottom of the support shaft 2 is provided for supporting a plurality of the inspection member 1 stored coaxially. この支持軸2には,モータ等の回転手段3が接続されており,所定の方向,速度で上記被検査部材1を回転させることが可能である。 The support shaft 2, the rotation means 3 such as a motor is connected, it is possible to rotate the inspection member 1 in a predetermined direction, speed. 上記回転手段3は,モータドライバ13を介して上記欠陥検査手段8に接続され制御される。 It said rotation means 3 is via a motor driver 13 is connected to the defect inspection unit 8 is controlled. 上記欠陥検査手段8からの制御信号により上記回転手段3は回転し,ウェハカセット9内の複数の被検査部材1が同時に回転する。 The control signal from the defect inspection unit 8 the rotation means 3 is rotated, a plurality of the inspection member 1 in the wafer cassette 9 is rotated at the same time.

【0009】また,上記散乱光検出手段7からの信号は,上記欠陥検査手段8に取り込まれ,その演算結果はモニタ8aに出力される。 [0009] The signal from the scattered light detection means 7 is taken into the defect inspection unit 8, the operation result is output to the monitor 8a. ここに,図2はある被検査部材1に対して得られた上記欠陥検査装置0の出力例を示す図である。 Here, a diagram showing an output example of the defect inspection apparatus 0 obtained for 2 inspection member 1 in the. 尚,横軸には時間が,縦軸には散乱光強度が示される。 The time is the horizontal axis, the scattered light intensity on the vertical axis is shown. 図2の信号は,被検査部材1を回転させながら取り込まれた信号であるから,横軸(時間軸)は, Signal of FIG. 2, since a signal that has been taken while rotating the inspection member 1, the horizontal axis (time axis),
被検査部材1の回転角に対応する。 Corresponding to the rotation angle of the inspection member 1. 従って,散乱光6の増加部分を検出することにより,被検査部材1のエッジ部1aにおける欠陥の有無及び位置を含む検査を行うことができる。 Therefore, by detecting the increase portion of the scattered light 6, it is possible to perform examination including the presence and location of defects in the inspected member 1 of the edge portion 1a. 尚,欠陥であるか否かの判定は,例えば上記散乱光6の強度が所定のしきい値Thを上回ったか否かによって行われる。 The determination of whether a defect, for example, the intensity of the scattered light 6 is performed by whether exceeds a predetermined threshold value Th. 上記欠陥検査装置0では,図2のような出力がウェハカセット9に格納された全ての被検査部材1に対して同時に得られるため,被検査部材1のエッジ部1aについて一括した高速な検査を行うことが可能である。 In the defect inspection apparatus 0, for simultaneously obtained for all of the test elements 1 whose output is stored in the wafer cassette 9, as in FIG. 2, a high-speed inspection collectively the edge portion 1a of the test element 1 it is possible to do.

【0010】 [0010]

【実施例】上記実施の形態では,スリット光4によって被検査部材1のエッジ部1aにおける欠陥検査を一括して行ったが,例えば図3に示すように,レーザ光源5d EXAMPLES In the above embodiment has been performed together a defect inspection in the inspection member 1 of the edge portion 1a by the slit light 4, for example, as shown in FIG. 3, the laser light source 5d
からのスポット光を回転多角ミラー5eにより走査することによって,ウェハカセット9に格納された複数の被検査部材1に対して一括して欠陥検査を行うことも可能である。 By scanning the rotating polygonal mirror 5e spot light from, it is also possible to perform the defect inspection collectively for a plurality of the inspection member 1 stored in the wafer cassette 9. この場合,回転多角ミラー5eの回転角の検出によってレーザの照射位置を同定することができるから,上記散乱光検出手段7を被検査部材1毎に設ける必要はなくなる。 In this case, since it is possible to identify the laser irradiation position of the detection of the rotation angle of the rotary polygonal mirror 5e, it is unnecessary to provide the scattering light detecting means 7 for each inspection member 1. また,上記実施の形態では,被検査部材1に半導体ウェハを用いたが,磁気ディスク等の他の円板状被検査部材を用いてもよい。 Further, in the above embodiment, a semiconductor wafer to be inspected member 1 may be used other disc-shaped object to be inspected member such as a magnetic disk. また,上記実施の形態では,近接する被検査部材1からの散乱光の影響を排除するために,各検出器の間に遮光板11を設けたが,これに限らず散乱光検出手段7を被検査部材1に近づける等して上記近接する被検査部材1からの散乱光の影響を排除してもよい。 Further, in the above embodiment, in order to eliminate the influence of the scattered light from the inspection member 1 adjacent, although the light shielding plate 11 provided between each detector, a scattered light detector 7 is not limited thereto and the like closer to the inspection member 1 may eliminate the influence of scattered light from the inspection member 1 to the near. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention.

【0011】また,上記実施の形態では,散乱光検出手段7にシリコンフォトダイオードを用いたが,これに代えて被検査部材1の回転方向と厚み方向のエッジ部1a [0011] In the above embodiment, silicon is used photodiode scattering light detecting means 7, the rotation direction and the thickness direction edge portion 1a of the inspection member 1 in place of this
に関する2次元的な画像を撮像する例えばCCDカメラ等の撮像手段を用いてもよい。 2-dimensional image concerning may be using an imaging means such as an imaging for example CCD camera. 図4に上記撮像手段を用いた欠陥検査装置の一例を示す。 Figure 4 shows an example of the defect inspection apparatus using the imaging unit. 図4に示した欠陥検査装置0'が,上記実施の形態に係る欠陥検査装置0と異なる部分は,複数枚の被検査部材1のエッジ部1aで散乱されて散乱光が,光ファイバー14によりそれぞれガイドされて,CCDカメラ等の撮像手段7'により撮像される部分であり,その他の部分はほぼ同様の構成である。 Defect inspection apparatus 0 'shown in FIG. 4, parts different from the defect inspection apparatus 0 according to the above embodiment, the scattered light is scattered by the plurality of the test elements 1 of the edge portion 1a, respectively via an optical fiber 14 is guided, a portion to be imaged by the imaging means 7 ', such as a CCD camera, other portions are substantially the same structure. 上記欠陥検査装置0'では,各被検査部材1の表面と裏面とについて光ファイバー14がそれぞれ設けられている。 In the defect inspection apparatus 0 ', the optical fiber 14 are respectively provided on the front surface and the back surface of each of the test element 1. これは,図5(a)に示すように,厚み中央部が表面部より突出した被検査部材1のエッジ部1aを詳細に検査するためである。 This is because, as shown in FIG. 5 (a), in order to inspect the edge portion 1a of the inspection member 1 having a thickness center portion is projected from the surface portion in detail. 各光ファイバー14の入光部14aは,エッジ部1aの表面側又は裏面側に近接して設けられ,エッジ部1aの表面側又は裏面側で散乱された散乱光がそれぞれ入射するように配置されている。 Light incident portion 14a of the optical fibers 14 is provided near the front side or back side of the edge portion 1a, the scattered light scattered by the surface side or back side of the edge portion 1a is arranged to be incident respectively there. 光ファイバーによってガイドされた各被検査部材1のエッジ部1aの画像は,レンズ15により結合されてから, Image of the edge portion 1a of each of the test element 1, which is guided by the optical fiber, after being coupled by the lens 15,
例えばCCDカメラ等の撮像手段7'により撮像される。 For example, captured by the imaging means 7 ', such as a CCD camera. もちろん,各光ファイバー14毎にCCDカメラ等の撮像手段7'を設け,光ファイバー14それぞれによって伝送された画像を別々の撮像手段により撮像することも可能であるが,上記欠陥検査装置0'では,装置小型化等も考慮して単体の撮像手段7'により複数枚の被検査部材1について撮像が行われる。 Of course, the imaging device 7 such as a CCD camera for each optical fiber 14 'and is provided, the optical fiber 14 but can be imaged by a separate imaging means images transmitted by each, the defect inspection apparatus 0', the device imaging is performed for a plurality of the inspection member 1 by simple imaging means 7 'miniaturization be considered. 上記撮像手段7' It said image pickup means 7 '
に用いられるCCDカメラは,少なくとも被検査部材1 CCD camera used, at least the inspection member 1
のエッジ部1aの厚み分の画素が配列されたものであり,ある回転位置の被検査部材1のエッジ部1aの画像を一度に撮像することが可能である。 Pixels of the thickness of the edge portion 1a are those are arranged, it is possible to capture an image of the edge portion 1a of the inspection member 1 of the rotational position where a time. そして,支持軸2 Then, the support shaft 2
及び回転手段3により被検査部材1を回転させることにより,被検査部材1の全周についてエッジ部1aの画像を得ることができる。 And by rotating the inspection member 1 by the rotation means 3, it is possible to obtain an image of the edge portion 1a for the entire circumference of the inspection member 1. ここで,図5(b)は上記撮像手段7'によって撮像されたエッジ部1aの画像の一例である。 Here, FIG. 5 (b) is an example of an image of the edge portion 1a picked up by the image pickup means 7 '.

【0012】図5(b)に示された画像の一例は,3枚の被検査部材1A,1B,1Cの表面及び裏面においてそれぞれ散乱された画像が,レンズ15により合成されてから,撮像手段7'により撮像されたものである。 [0012] An example of the image shown in FIG. 5 (b), three of the test members 1A, 1B, image scattered respectively in the front and back surfaces of the 1C is, after being synthesized by the lens 15, the imaging means 7 are those captured by '. この合成画像では,横列に被検査部材1A,1B,1Cの画像が配置され,縦列に各表面と裏面のエッジ部1aにおける画像が配置されている。 In this composite image, the inspected member 1A, 1B, the 1C images are arranged in rows, the image is arranged in each front and back surface of the edge portion 1a in tandem. また,上記合成画像において,明るい部分は,エッジ部1aにおける面取り部分である。 In the above composite image, the bright portion is chamfered portion at the edges 1a. 例えば,被検査部材1Aの裏面側の画像には, For example, the image of the back side of the test element. 1A,
面取り部分の一部に暗い部分があるが,この部分が欠け等の欠陥を示す。 There are some dark areas of the chamfer, but shows a defect such as chipping this part. 撮像手段7'によって撮像された合成画像は,信号処理回路12を介して欠陥検査手段8に供給される。 Synthesized image captured by the imaging means 7 'is supplied to the defect inspection unit 8 via the signal processing circuit 12. 欠陥検査手段8では,例えば面取り部の明るい部分に暗い部分が存在するか否かが画像処理によって判別され,各被検査部材1のエッジ部1aの表面と裏面とについて検査が行われる。 In the defect inspection unit 8, for example, whether dark portion to a bright portion of the chamfered portion is present is determined by the image processing, inspection for the front surface and the back surface of each of the test elements 1 of the edge portion 1a is performed. この画像処理による欠陥検査は,例えば画像の面取り部分の明度について所定のしきい値を設定し,そのしきい値で画像を2値化することにより行われる。 The image processing defect inspection by, for example lightness of the chamfered portion of the image to set the predetermined threshold value is performed by binarizing the image at that threshold. この他,欠陥の無い正常画像との差画像によって欠陥検査を行うことも可能である。 In addition, it is also possible to perform the defect inspection by the difference image between normal images free from defects. また,面取り部分のように予め画像に表れるパターンがわかっている場合には,合成画像に含まれる他の被検査部材1や部位についての画像と比較することにより欠陥検査を行うことも可能である。 Further, when a pattern previously represented by the image as the chamfered portion has been found, it is also possible to perform the defect inspection by comparing the image of the other of the test elements 1 and site contained in the synthesized image . 他の被検査部材1の画像と比較すれば,欠陥の存在がより明確になり,検査誤差を低減することが可能である。 In comparison with other inspection member 1 of the image, the presence of defects become clearer, it is possible to reduce the inspection error. さらに,例えば予め用意した画像に含まれる欠陥の形状と比較することによって,欠け, Furthermore, by comparing the shape of the defects contained in the image which is prepared for example in advance, chipping,
割れ等の欠陥の種類を判別することも可能である。 It is also possible to determine the type of defects such as cracks. このように上記欠陥検査装置0'によれば,撮像された画像に基づいて,エッジ部1aの厚み方向のどの位置に欠陥が存在するかを特定したり,欠陥の形状を特定する等の詳細な欠陥検査を行うことが可能となる。 Thus, according to the defect inspection apparatus 0 ', on the basis of the captured image, or to identify whether a defect in any position in the thickness direction of the edge portion 1a is present, details such as specifying the shape of the defect it is possible to perform a defect inspection. また,上記欠陥検査装置0'において,撮像手段7'に用いられるC Further, 'in the imaging means 7' the defect inspection apparatus 0 used in C
CDカメラの画素が,測定精度との関係等から被検査部材1の厚み分より少なくなる場合には,移動可能に設けられた光ファイバー14の入光部14aを被検査部材1 Pixels CD camera, if the relationships of the measurement accuracy is less than the thickness of the inspection member 1 to be inspected and the light incident portion 14a of the optical fiber 14 that is movable members 1
の厚み方向に走査し,当該部位について複数枚画像を撮像することにより検査を行うことが可能である。 Of scanning the thickness direction, it is possible to carry out inspection by imaging a plurality images on the site. また, Also,
図6に示すように,光ファイバー14に代えて,各被検査部材1毎にレンズ16及びミラー17を配したリレーレンズ光学系を用いることも可能である。 As shown in FIG. 6, in place of the optical fiber 14, it is also possible to use a relay lens optical system arranged lens 16 and the mirror 17 in each of the test elements each. また,上記欠陥検査装置0'における検査光照射手段5には,上記実施の形態と同様に面状光源を用いてもよいし,図3に示したようなレーザ光源5d及び回転多角ミラー5eを有する光源を用いてもよい。 Further, the inspection light irradiating means 5 in the defect inspection apparatus 0 'may be used planar light source as in the above embodiment, the laser light source 5d and the rotary polygonal mirror 5e as shown in FIG. 3 it may be used a light source having. 被検査部材1のエッジ部1a Of the inspected member first edge portion 1a
の表面と裏面とにそれぞれ検査光を照射するには,例えば図7に示すように,表面と裏面とについてそれぞれレーザ光源5d及び回転多角ミラー5eを設ければよい。 To the surface of and the backside illuminated each inspection light, for example, as shown in FIG. 7, respectively may be provided a laser light source 5d and the rotary polygonal mirror 5e for the front and back surfaces.
このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention.

【0013】ここで,ある被検査部材1についての画像を他の被検査部材1についての画像と比較して欠陥の検査を行う欠陥検査装置の具体的構成例を図8及び図9に示す。 [0013] Here, a certain specific configuration of the image another image defect inspection apparatus for inspecting defects compared for inspection member 1 for inspection member 1 in FIGS. 尚,図9(a)は上記欠陥検査装置が備えるセンサ部の側面図,図9(b)は上記欠陥装置が備えるセンサ部の正面図である。 Incidentally, FIG. 9 (a) a side view of a sensor unit provided in the defect inspection apparatus, FIG. 9 (b) is a front view of a sensor unit which the defect apparatus. 図8及び図9に示す如く,上記欠陥検査装置0''は,ウェハカセット18に格納されたウェハ(被検査部材の一例)1'を同軸上に複数枚支持可能な支持軸2と,上記支持軸2を駆動してウェハ1' As shown in FIGS. 8 and 9, the defect inspection apparatus 0 'is stored wafer (an example of the inspection member) 1 in the wafer cassette 18' and the plurality supportable support shaft 2 coaxially, the the support shaft 2 is driven wafer 1 '
を回転させるモータ等の回転手段3と,上記回転手段3 And rotating means 3 such as a motor for rotating said rotation means 3
により回転されるウェハ1'のエッジ部1aに検査光を照射する照射用LEDアレイ(検査光照射手段に相当) Illumination LED array which irradiates an inspection light to an edge portion 1a of the wafer 1 'is rotated by (corresponding to inspection light irradiation means)
5'と上記照明用LEDアレイ5'によりウェハ1'のエッジ部1aに照射された散乱光を検出するラインCC 5 'and the illumination LED array 5' lines to detect the scattered light emitted to the edge portion 1a of the wafer 1 'by CC
Dセンサ(散乱光検出手段に相当)7''とを備えたセンサ部19と,上記検査光の照射位置及び上記散乱光の強度に基づいてウェハ1'のエッジ部1aの欠陥を検査する欠陥検査手段8'とを具備する。 Defects' and sensor unit 19 that includes a wafer 1 based on the intensity of the irradiation position and the scattered light of the inspection light '7' (corresponding to the scattered light detecting means) D sensors for inspecting defects of the edge portion 1a of the It includes an inspection means 8 '. 上記欠陥検査装置0''において,複数枚のウェハ1'はウェハカセット18に格納された状態で,支持軸2により支持されている。 'In, a plurality of wafers 1' the defect inspection apparatus 0 'is in a state of being stored in the wafer cassette 18 is supported by the support shaft 2. この支持軸2には,回転角度制御が行われるモータ等の回転手段3が接続されており,複数のウェハ1'を上記ウェハカセット18内で所定速度で回転させる。 The support shaft 2, the rotation angle control has rotating means 3 such as a motor is connected to be performed, is rotated at a predetermined speed a plurality of wafers 1 'within the wafer cassette 18. また,上記ウェハカセット18の上部には,ウェハカセット18の長手方向に沿ってレール20が配設されており,照明用LEDアレイ5'やラインCCDセンサ7''を備えたセンサ部19が,そのレール20上を走行する。 Further, the upper portion of the wafer cassette 18, the sensor portion 19 with a longitudinal rail 20 along is disposed, lighting LED array 5 'and the line CCD sensor 7' 'of the wafer cassette 18, traveling on the rail 20 above. 上記照明用LEDアレイ5'により照射された検査光4は,ウェハ1'のエッジ部1aで散乱され,円筒レンズ21により収束されたのち,ラインCCDセンサ7''上で結像される。 The illumination LED array 5 'inspection light 4 emitted by the wafer 1' is scattered at the edge portion 1a of, after being converged by a cylindrical lens 21 and is imaged on the line CCD sensor 7 ''. ラインCCDセンサ7''の出力は,A/D変換器22を経て量子化され,計算機により実現される欠陥検査手段8'にディジタル情報として保持される。 Line CCD sensor 7 '' output is quantized through an A / D converter 22, and the defect inspection unit 8 implemented by computer 'is held as digital information.

【0014】上記欠陥検査装置0''において,欠陥検査が行われる場合,その動作は図10に示すフローチャートに従って行われる。 [0014] In the defect inspection apparatus 0 ', if the defect inspection is carried out, the operation is performed based on the flowchart shown in FIG. 10. まず,回転手段3を静止させた状態で,センサ部19の図示しないモータが駆動され, First, in a state in which the rotating means 3 is stationary, the motor (not shown) of the sensor unit 19 is driven,
ウェハカセット18の長手方向端部,例えば図8上のa Longitudinal end of the wafer cassette 18, for example a on FIG. 8
点に,センサ部19が配置される(S101)。 Point, the sensor unit 19 is arranged (S101). そして,センサ部19に備えられた照明用LEDアレイ5' The illumination LED array 5 provided in the sensor section 19 '
から検査光4がウェハ1'のエッジ部1aに照射され, Inspection light 4 is irradiated to the edge portion 1a of the wafer 1 ',
その散乱光6がラインCCDセンサ7''により受光される。 The scattered light 6 is received by the line CCD sensor 7 ''. 上記ラインCCDセンサ7''は,その長手方向がウェハ1'に沿って上記センサ部19に設けられており,エッジ部1aの所定範囲が一度に撮像される。 The line CCD sensor 7 '' has its longitudinal direction the wafer 1 'is provided to the sensor unit 19 along a predetermined range of the edge portion 1a is imaged at a time. ラインCCDセンサ7''により光電変換された画像信号は,A/D変換器22を経て量子化され,欠陥検査手段8'にディジタル情報として保持される(S102)。 Line CCD sensor 7 '' image signal photoelectrically converted by is quantized through an A / D converter 22, the defect inspection unit 8 'is held as digital information (S102).
次に,必要な分解能に応じて,ウェハカセット18の長手方向他端部に向けて所定量だけセンサ部19が移動させられ,静止状態となった後,ウェハ1'のエッジ部1 Then, depending on the required resolution, longitudinal in the direction other end portion by a predetermined amount sensor unit 19 is moved in the wafer cassette 18, after a stationary state, the edge portion of the wafer 1 '1
aの撮像が行われる(S103)。 Imaging a is performed (S103). そして,ウェハカセット18の長手方向他端部のb点の位置にセンサ部19 The sensor unit 19 to the position of the point b in the longitudinal direction other end portion of the wafer cassette 18
が到達するまで,上記したセンサ部19の移動と撮像とが繰り返され(S104),ウェハカセット18に格納された全てのウェハ1'についてエッジ部1aの一部の撮像が行われ,欠陥検査手段8'に画像信号が保持される。 There to reach the mobile and the imaging sensor unit 19 described above is repeated (S104), for all the wafers 1 'stored in the wafer cassette 18 is performed in the imaging of edge portions 1a, the defect inspection means image signal is held in the 8 '. センサ部19がb点まで到達すると,センサ部19 When the sensor unit 19 reaches the point b, the sensor unit 19
はa点に移動させられる(S105)。 It is moved to a point (S105). また,欠陥検査手段8'に保持された画像信号は,例えば図11に示すような2次元信号として構成される(S106)。 The image signal held in the defect inspection unit 8 'is configured as, for example, a 2-dimensional signal shown in FIG. 11 (S106). 上記図11では,横方向がセンサ部19の移動方向であって,縦方向がラインCCDセンサ7''の長手方向である。 In FIG 11, the horizontal direction is a moving direction of the sensor unit 19, the vertical direction is the longitudinal direction of the line CCD sensor 7 ''. 次に,上記処理S101〜S106により構成された2次元画像に対して欠陥の検査が行われる(S10 Next, the inspection of defects is performed for the two-dimensional image constituted by the process S101-S106 (S10
7)。 7). 上記2次元画像に対する欠陥の検査では,まず, In the inspection of the defects with respect to the two-dimensional image, first,
上記2次元画像から各ウェハ毎に画像が切り出される(S1071)。 Image is cut out for each wafer from the 2-dimensional image (S1071). この切り出しは,例えばウェハ1'の載置位置に基づいて行うことが可能である。 This cut-out is, for example, can be performed based on the placement position of the wafer 1 '. 図12 Figure 12
(a),(b),(c)に切り出された画像の例を示す。 (A), shows an example of (b), the image cut out in (c). 例えば図12(a)は,a点から数えて2番目にあるウェハ1'(#2)のエッジ部の画像であり,図12 For example, FIG. 12 (a) is an image of the edge portion of the wafer 1 '(# 2) in the second counted from a point 12
(b)は,a点から数えて3番目にあるウェハ1'(# (B) the wafer 1 in the third counted from a point '(#
3)のエッジ部の画像であり,図12(c)は,a点から数えて4番目にあるウェハ1'(#4)のエッジ部の画像である。 3) an image of the edge portion, FIG. 12 (c), an image of the edge portion of the wafer 1 '(# 4) in the fourth counted from a point. 次に,複数の切り出された画像信号を用いて欠陥の検査が行われる。 Next, the inspection of defects is performed using a plurality of cut-out image signal. 例えば図12(b)に切り出し画像を示す#3のウェハ1'について欠陥検査を行う場合に,図12(a)に切り出し画像を示す#2のウェハ1'を参照画像として用いるとすると,はじめに2つの画像の位置合わせが行われる。 For example 'when performing defect inspection for, 12 wafer 1 # 2 showing an image cut out (a)' cut wafer 1 # 3 showing the image in FIG. 12 (b) When used as a reference image, first alignment of the two images is performed. この位置合わせは,例えば正規相関演算により画像の位置ずれを検知し,位置ずれ分だけ一方の画像をシフトさせることにより行われる。 This alignment, for example, by normalized correlation operation to detect the positional deviation of the image is carried out by shifting one of the images by positional shift amount. 位置合わせが行われると,2画像間の差の絶対値が求められ,絶対値差画像が生成される(S1072)。 If alignment is performed, 2 absolute value of the difference between images is determined and the absolute value difference image is generated (S1072).
尚,2画像間の差とは,画像中の位置が同じ画素同士の差の演算を意味する。 Note that the difference between the two images, the position in the image means a calculation of the difference between the same pixel together.

【0015】この時,2つの画像に輝度異常部がなければ,基本的に画像の全ての画素はほぼ0となる。 [0015] At this time, if there is no brightness abnormal portion in the two images, all the pixels of the basic image is substantially zero. 一方, on the other hand,
切り出し画像に輝度異常部がある場合には,絶対値差画像に明るい画像領域が生じる。 When there is luminance abnormal portion in the clipped image, bright image areas occurs in absolute value difference image. このため,適当なしきい値をもって,上記絶対値差画像が2値化され,例えば図12(d)に示すような2値化画像が生成される(S1 Therefore, with the appropriate threshold, the absolute value difference image is binarized above, for example, binarized image as shown in FIG. 12 (d) is generated (S1
073)。 073). 次に,上記2値化画像に上記しきい値を越える画素が存在するか否かの判別が行われる(S107 Then, whether a pixel exceeding the threshold value to the binary image is present determination is made (S107
4)。 4). 上記しきい値を越える画像が存在しないとの判別が行われた場合には,上記#3のウェハ1'のエッジ部の撮像した部分については,欠陥が存在しない,異常なしとの判定が行われる(S1075)。 If the determination of the image that exceeds the threshold is not present is performed for the imaging portion of the edge portion of the wafer 1 in the # 3 ', there is no defect, it is determined that no abnormality row divided by (S1075). 一方,上記絶対値差画像に上記しきい値を越える画素が存在すると判別された場合,その部分,即ち図12(d)における明るい部分が欠陥部分であると判定されるが,この段階では,絶対値差画像を生成するのに用いた2つの画像のどちらに欠陥が存在するのか不明である。 On the other hand, when the pixel exceeding the threshold to the absolute value difference image is determined to be present, that portion, i.e., a bright portion in FIG. 12 (d) is determined to be a defective portion, at this stage, a whether either a defect in the two images using the absolute value difference image to generate exists unknown is. このため,上記参照画像に,異なるウェハ1'の切り出し画像を用いて,上記のような処理が繰り返される。 Therefore, in the reference image by using the clipped images of different wafers 1 ', the above processing is repeated. 例えば参照画像に図12(c)に示す#4のウェハ1'の切り出し画像が用いられる。 For example clipped image shown in FIG. 12 (c) to the wafer 1 and # 4 shown 'in the reference image is used. この場合にも,まず,#3のウェハ1' Also in this case, first of all, wafer 1 of # 3 '
の切り出し画像と,#4のウェハ1'の切り出し画像との位置合わせが行われ,絶対値の差画像が求められる(S1076)。 And clipped image, alignment of the clipped image # wafer 1 4 'is performed, the difference image of the absolute value is determined (S1076). 次に,上記処理S1076において求めた絶対値差画像が所定のしきい値により2値化され, Next, the absolute value difference image obtained in the processing S1076 is binarized by a predetermined threshold value,
例えば図12(e)に示すような2値化画像が得られる(S1077)。 For example binarized image as shown in FIG. 12 (e) is obtained (S1077). 次に,上記2値化画像について上記しきい値を越える画素が存在するか否かの判別が行われ(S1078),存在しない場合には,上記#3のウェハ1'のエッジ部の撮像した部分については,欠陥が存在しないとの判定が行われ(S1075),存在する場合には,#3のウェハ1のエッジ部の撮像した部分に異常があるとの判定が行われる(S1079)。 Next, when the binary image whether a pixel exceeding the threshold value is present determination is performed for (S1078), does not exist, and imaging the edge portion of the wafer 1 in the # 3 ' the part, a decision is made with no defects (S1075), if present, it is determined that there is an abnormality takes place in the imaging portion of the edge portion of the wafer 1 # 3 (S1079). 上記処理S1071〜S1079が,ウェハカセット18に収納されたウェハ1'全てについて繰り返され,終了すると,次に,欠陥があったウェハ番号,例えば#3等を含む欠陥に関する情報が欠陥検査手段8'に保持され,欠陥検査手段8'に保持されていたディジタルデータが廃棄される(S108)。 The process S1071~S1079 is, wafer 1 stored in the wafer cassette 18 'is repeated for all, when finished, the wafer number there is a defect, for example, information about the defects including # 3 and the like defect inspection means 8' is held in, the digital data held in the defect inspection unit 8 'is discarded (S108). これにより,上記ラインCCD Thus, the line CCD
センサ7''を用いて一度に撮像可能な範囲でウェハカセット18に収納されたウェハ1'全てについて欠陥の検査が行われたので,ウェハ1'のエッジ部の欠陥の検査が行われていない部分を撮像するために,支持軸2が回転手段3により駆動され,ウェハカセット18に収納されたウェハ1'がその円周方向に所定量だけ回転させられる(S109)。 The sensor 7 'all' wafers 1 accommodated in the wafer cassette 18 in an imageable range at one time by using the 'test of the defect is performed, not performed the inspection of defects in the edge portion of the wafer 1' for imaging portion, the support shaft 2 is driven by the rotation means 3, the wafer 1 stored in the wafer cassette 18 'is rotated by a predetermined amount in the circumferential direction (S109). 次に,ウェハ1'が1回転したか否かの判別,即ちウェハ1'の円周方向全ての検査が終了したか否かの判別が行われ(S110),ウェハ1' Next, 'determination of whether or not one rotation, i.e., the wafer 1' wafer 1 performed a determination is made whether the circumferential direction all the inspection has been completed in (S110), the wafer 1 '
が1回転していないと判別された場合には,上記した処理S102〜S109が繰り返され,ウェハ1'が1回転していると判別された場合には,欠陥があったウェハ番号等の欠陥に関する情報が欠陥検査手段を実現する計算機に接続された表示装置に表示される(S111)。 If but it is determined not to be one rotation, the process described above S102~S109 is repeated, if it is determined that the wafer 1 'is rotated 1, defects such as a wafer number was defective information is displayed on the display device connected to the computer to realize the defect inspection unit about (S 111).
このように,上記欠陥検査装置0''では,複数のウェハのエッジ部が同時に検査されるため,検査に要する時間を短縮することができる。 Thus, in the defect inspection apparatus 0 '', since the edge portion of the plurality of wafers are tested simultaneously, it is possible to shorten the time required for the inspection. また,複数のウェハについての撮像画像を比較することによって欠陥部分を強調し,判別を容易にすることができる。 Further, it is possible to emphasize the defect portion by comparing the captured images of the plurality of wafers to facilitate discrimination. 尚,上記欠陥検査装置0''では,ウェハ1'の撮像手段にラインCCD Incidentally, ', the wafer 1' the defect inspection apparatus 0 'line CCD in the image pickup means
センサ7''を用いたが,これに限られるものではなく,例えば2次元CCDセンサを用いるようにしてもよい。 Although using the sensor 7 '' is not limited to this, for example, it may be used a two-dimensional CCD sensor. この場合,画像の切り出しは,2次元CCD単位で行うことが可能であるため,必ずしも行う必要はない。 In this case, cut-out image, since it is possible to perform a two-dimensional CCD unit is not necessarily performed.

【0016】また,上記欠陥検査装置0''では,センサ部19をレール20上で走行させることによってウェハカセット18に収納された全てのウェハ1'について欠陥の検査が行われたが,これに限られるものではなく,例えばセンサ部19を固定し,ウェハカセット18 Moreover, 'the all wafers 1 accommodated in the wafer cassette 18 by moving the sensor unit 19 on the rail 20' the defect inspection apparatus 0 ', but inspection of the defect on is performed, in which not limited, to fix the example sensor unit 19, the wafer cassette 18
とその中のウェハ1'を移動させるようにしてもよい。 And the wafer 1 'may be moved therein.
また,上記欠陥検査装置0''では,支持軸2により複数のウェハ1'を一括してその円周方向に回転させているが,複数の駆動手段を同期させて各ウェハ1'毎に回転させるようにしてもよい。 Further, 'the plurality of wafers 1 by a support shaft 2' the defect inspection apparatus 0 'but is rotated in its circumferential direction to collectively, rotation synchronizes the plurality of drive means for each wafer 1' it may be allowed to. また,上記欠陥検査装置0''では,ウェハ1'の円周方向の全ての点について欠陥の検査が行われているが,ウェハ1'の方向を示すためのノッチ,またはオリエンテーションフラット(いわゆるオリフラ)を検知する機構を設け,ノッチ部,又はオリフラ部の欠陥検出を省略するようにしてもよい。 Further, 'the wafer 1' the defect inspection apparatus 0 ', but inspection of defects is performed for all points in the circumferential direction, a notch for indicating the direction of the wafer 1' or the orientation flat (so-called orientation flat, ) provided a mechanism for detecting a notch, or a defect detection of the orientation flat portion may be omitted.
このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention.

【0017】また,上記欠陥検査装置0'では,複数の被検査部材1のエッジ部を同時に撮像するために複数の光ファイバーが用いられていたが,例えばラインCCD Further, in the defect inspection apparatus 0 ', a plurality of optical fibers have been used to simultaneously capturing a plurality of edge portions of the inspection member 1, for example, a line CCD
センサを用いて直接上記エッジ部の欠陥を検査することも可能である。 It is also possible to directly inspecting defects of the edge portion by using the sensor. 但し,ウェハを同軸上に支持した場合, However, when supporting the wafer coaxially,
図5(a)に示したように,ウェハのエッジ部には傾斜した面取り部分が設けられているため,ラインCCDセンサからの距離が面取り部分の場所によって多少異なり,ピンボケが生じてしまう。 As shown in FIG. 5 (a), since the chamfered portion inclined to the edge portion of the wafer is provided, slightly different distances from the line CCD sensor on the location of the chamfer, defocusing occurs. そこで,全てのウェハの面取り部分が所定線を含むようにラインセンサと各ウェハとの位置関係を設定することにより,全てのウェハの面取り部分をラインセンサの焦点位置に一致させる。 Therefore, by the chamfered portion of all the wafer setting the positional relationship between the line sensor and the wafer to include the predetermined line, to match the chamfered portion of all the wafers in the focal position of the line sensor. このような欠陥検査装置の全体的な構成を図13(a) FIG overall construction of such a defect inspection apparatus 13 (a)
に,上記欠陥検査装置が備える回転テーブルの構成例を図13(b)に示す。 To show a configuration example of a rotary table which the defect inspection apparatus comprising in Figure 13 (b). 図13(a)及び(b)に示す如く,上記欠陥検査装置130は,エッジ部(外周端部) As shown in FIG. 13 (a) and (b), the defect inspection apparatus 130 includes an edge portion (outer peripheral end)
に面取り部分(傾斜面)を備えた複数のウェハ131を載置するための回転テーブル(載置手段の一例)132 To (an example of the mounting means) rotating table for mounting a plurality of wafers 131 having a chamfered portion (inclined surface) 132
と,上記回転テーブル132に載置された各ウェハ13 If, each wafer 13 placed on the turntable 132
1の対応する傾斜面が所定線を含むように上記回転テーブル132を位置決めする位置決め機構(位置決め手段に相当)133と,上記位置決め機構133により位置決めされた上記回転テーブル132を駆動してウェハ1 And 133 (corresponding to the positioning means) positioning mechanism for positioning the corresponding inclined surfaces of the 1 to the rotary table 132 to include a predetermined line, the wafer 1 by driving the rotary table 132 which is positioned by the positioning mechanism 133
31をその水平面内で回転させる回転手段134と,上記回転手段により回転させられる各ウェハの傾斜面の画像を撮像するラインCCDセンサ(撮像手段)135 31 and rotating means 134 for rotating in the horizontal plane, the line CCD sensor (imaging means) for capturing an image of the inclined surface of each wafer which is rotated by said rotating means 135
と,上記ラインCCDセンサ135により撮像された各ウェハの傾斜面の画像について画像処理を行って欠陥を検査する画像処理装置(欠陥検査手段に相当)136とを具備する。 When, comprising an image processing apparatus (corresponding to the defect inspection means) 136 for inspecting defects by performing the image processing for the image of the inclined surface of each wafer imaged by the line CCD sensor 135.

【0018】上記欠陥検査装置130は,例えば10枚のウェハ131のエッジ部を同時に検査することができる装置である。 [0018] The defect inspection apparatus 130 is an apparatus capable of inspecting for example, 10 sheets of the edge portion of the wafer 131 at the same time. 検査される10枚のウェハ131は,図示しない搬送機構によりウェハカセットから,それぞれ回転テーブル132の所定位置に移載される。 10 sheets of wafers 131 to be examined is transferred from the wafer cassette by the transfer mechanism (not shown), a predetermined position of each rotary table 132. 各回転テーブル132の位置は,ステッピングモータ1331等により駆動される位置決め機構133により,調整が可能である。 The position of each rotary table 132, the positioning mechanism 133 that is driven by a stepping motor 1331 or the like, can be adjusted. 上記位置決め機構133には,予め検査されるウェハ131の面取り部分の傾斜角度等が入力されており,エンコーダ等の位置検出器1332により検出される各回転テーブル132の現在位置に基づいて,図1 The aforementioned positioning mechanism 133, are inputted inclination angle of the chamfered portion of the wafer 131 to be pre-inspected, based on the current position of each rotating table 132 is detected by the position detector 1332 such as an encoder, Fig. 1
4に示す如く,各ウェハ131の面取り部分131Aが所定線L1を含むようステッピングモータ1331等の制御が行われる。 As shown in 4, the chamfered portion 131A of the wafer 131 is controlled, such as a stepping motor 1331 to include a predetermined line L1 is performed. また,各回転テーブル132には,ウェハ131をその水平面内で回転させるために,ベルト1341,駆動モータ1342等を含む回転手段134 In each rotary table 132, in order to rotate the wafer 131 in its horizontal plane, rotating means comprises a belt 1341, the drive motor 1342 such as 134
が接続されている。 There has been connected. 各回転テーブル132に接続される回転手段134は,それぞれ同期されており,各回転テーブル132を所定速度で回転させて,各回転テーブル132上に載置されたウェハ131をその水平面内で回転させる。 Rotation means 134 is connected to the rotation table 132 is synchronized respectively, each rotary table 132 is rotated at a predetermined speed to rotate the wafer 131 placed on the respective rotary table 132 in the horizontal plane . 上記回転テーブル132上に載置されたウェハ131のエッジ部の面取り部分131Aは,ラインC Chamfer 131A of the edge portion of the wafer 131 placed on the rotating table 132, line C
CDセンサ135により撮像される。 It is taken by the CD sensor 135. このラインCCD The line CCD
センサ135の焦点位置は,上記所定線L1上に合わされており,複数のウェハ131について,そのエッジ部の面取り部分131Aを一括して撮像することが可能である。 The focal position of the sensor 135 has been fitted on the predetermined line L1, the plurality of wafers 131 can be captured in a lump chamfer 131A of the edge portion. また,上記エッジ部の面取り部分131Aは,ウェハ131の表側と裏側とに設けられいるため,それぞれを同時に検査し得るように,上記ラインCCDセンサ135も表側と裏側にそれぞれ設けられている。 Also, the chamfered portion 131A of the edge portion, since the provided the front and back sides of the wafer 131, as may be inspected each time, the line CCD sensor 135 are also provided on each of the front and back sides. 上記ラインCCDセンサ135により撮像された1次元の画像信号は画像処理装置136に供給される。 One-dimensional image signal sensed by the line CCD sensor 135 is supplied to the image processing apparatus 136. この画像信号は,上記回転手段134による各回転テーブル132の回転によって,ウェハ131の円周方向に対して走査され,ウェハ131の表側又は裏側に対して,例えば図1 The image signal, by the rotation of the rotary table 132 by the rotating means 134, is scanned with respect to the circumferential direction of the wafer 131, with respect to the front side or back side of the wafer 131, for example, FIG. 1
5に示すような2次元画像が構築される。 5 is a two-dimensional image as shown in the building. 尚,図15に示された画像の縦方向はウェハの円周方向を示し,横方向は上記所定線方向を示す。 The vertical direction of the image shown in FIG. 15 indicates the circumferential direction of the wafer, the horizontal direction indicates the predetermined line direction. これらの画像信号は,ディスプレイに表示され,検査担当者は,このディスプレイをモニタすることにより欠陥の目視検査を行うことも可能である。 These image signals are displayed on a display, inspector, it is also possible to perform a visual inspection of the defect by monitoring the display. 上記ラインCCDセンサ135により撮像される面取り部分には,図示しない照明器により照明があてられているため,基本的に面取り部分131Aが明るい部分となり,その他の部分が暗い部分となる。 The chamfered portion to be imaged by the line CCD sensor 135, for illuminating the illumination device (not shown) is addressed, basically becomes chamfer 131A bright portion, other parts become dark portion. ここで,図16に欠陥の撮像例を示す。 Here, an imaging example of defect in Fig. 16. 図16に示すように,例えば欠け等の凹状欠陥は,正常な面取り部分に対して暗く検出され,突起等の凸状欠陥は,正常な面取り部分に対して明るく検出される。 Concave defects, for example chipping as shown in FIG. 16 is detected dark to normal chamfer, convex defects such as projections are detected bright to normal chamfer. 上記ラインCCDセンサ135により撮像された上記のような画像は,画像処理装置136により所定の画像処理が施され,欠陥の検査が行われる。 The above-described image captured by the line CCD sensor 135, predetermined image processing is performed by the image processing apparatus 136, the inspection of defects is performed. 例えば面取り部分131Aの線幅がしきい値以下に狭くなったり,暗い部分(暗点)や明るい部分(輝点)の面積が所定値以上になるとその部分が欠陥として検出される。 For example or the line width of the chamfered portion 131A narrows below the threshold, the dark portion when the area of ​​the (scotoma) or bright portions (bright points) is equal to or greater than a predetermined value portion thereof is detected as a defect. これらのしきい値は,例えば欠陥の検査前に,テスト用のウェハの撮像画像を用いて予め設定される。 These thresholds, for example, a defect before inspection, is set in advance by using the captured image of the wafer for testing. このように,本実施例に係る欠陥検査装置では,複数のウェハとラインCCDセンサとの位置関係が,各ウェハの面取り部分が所定線を含むように設定されるため,面取り部分の欠陥検査をラインセンサを用いて一括して行うことができ,検査に要する時間を短縮することができる。 Thus, the defect inspection apparatus according to the present embodiment, the positional relationship between the plurality of wafers and the line CCD sensor, since the chamfered portion of each wafer is set to include a predetermined line, the defect inspection of the chamfer can be performed collectively using a line sensor, it is possible to shorten the time required for the inspection.

【0019】また,上記欠陥検査装置130では,エッジ部の面取り部分131Aを撮像するのにラインCCD Further, in the defect inspection apparatus 130, the line CCD to image the chamfered portion 131A of the edge portion
センサ135を用いたが,これに限られるものではなく,エリアセンサ等の他の撮像手段を用いることも可能である。 With sensor 135 but not limited thereto, it is also possible to use other imaging means such as an area sensor. 例えばエリアセンサを用いた場合には,所定線L1近傍にある面取り部分131Aをエリアセンサにより撮像する。 For example in the case of using an area sensor captures a chamfered portion 131A in the vicinity predetermined line L1 by the area sensor. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention. また,上記欠陥検査装置1 Further, the defect inspection apparatus 1
30では,画像処理装置136内で2次元画像を構築した後,検査処理を行ったが,これに限られるものではなく,例えば図17に示すような1次元信号の状態で欠陥検査を行うようにしてもよい。 In 30, after building a two-dimensional image in the image processing apparatus 136 has been subjected to inspection processing is not limited thereto, for example, to perform a defect inspection in the state of one-dimensional signal as shown in FIG. 17 it may be. 例えば欠けの部分は面取り部分の通常輝度レベルよりも小さいため,適当なしきい値を設定することにより,欠陥の検査を行うことができる。 For example chipping portion is smaller than the normal luminance level of the chamfered portion, by setting an appropriate threshold value, it is possible to inspect the defects. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention. また,上記欠陥検査装置130では,ウェハ131両面を同時に検査するために,ウェハ131の表側と裏側それぞれに対応してラインCCDセンサ135を設けたが,これに限られるものではなく, Further, in the defect inspection apparatus 130, in order to inspect both sides wafer 131 at the same time, is provided with the line CCD sensor 135 in correspondence with the front side and the back side of the wafer 131 is not limited thereto,
表側又は裏側のみにラインCCDセンサ等の撮像手段を設けるようにしてもよい。 May be only the front side or back side provided with image pickup means such as a line CCD sensor. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention. また,上記欠陥検査装置130では,面取り部分の幅や,暗点や輝点の面積に基づいて欠陥の検査を行ったが,これに限られるものではなく,例えば暗点・輝点の形状や輝度分布, Further, in the defect inspection apparatus 130, the width and the chamfer has been inspected for defects based on the area of ​​the dark spot and the bright spot is not limited thereto, for example, Ya shape scotoma-bright spot brightness distribution,
検出位置等に基づいて欠陥の検査を行うようにしてもよい。 It may be inspected for defects on the basis of the detected position or the like. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention. また,上記欠陥検査装置0''と同様に,上記欠陥検査装置130においてもあるウェハの撮像画像と他のウェハの撮像画像とを比較して欠陥の検査を行うことも可能である。 Further, similarly to the defect inspection apparatus 0 ', it is also possible to inspect the defects by comparing the captured image of the captured image and the other wafer of the wafer is also in the defect inspection apparatus 130. このような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例である。 Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection apparatus of the present invention.

【0020】 [0020]

【発明の効果】上記のように本発明に係る欠陥検査装置は,同時に回転される複数の被検査部材のエッジ部に対して一括して検査光を照射するため,被検査部材のエッジ部におけるクラック,欠け等の欠陥検査を迅速に行うことが可能であり,エッジ部の欠陥による歩留り低下を抑制することができる。 Defect inspection apparatus according to the present invention as described above according to the present invention, in order to irradiate the inspection light collectively to the edge portion of the plurality of the test element to be rotated simultaneously, at the edges of the test element crack, it is possible to quickly perform the defect inspection of chipping, it is possible to suppress a decrease in yield due to defects of the edge portion. また,散乱光検出手段を複数設けた場合には,例えば各散乱光検出手段の間に遮光板を設けることにより,近接する被検査部材からの散乱光の影響を排除することができる。 In the case where a plurality of scattered light detector means, for example by providing a light shielding plate between the scattered light detection means, it is possible to eliminate the influence of the scattered light from the inspection member adjacent. また,散乱光検出手段に,被検査部材の回転方向と厚み方向のエッジ部表面に関する2次元的な画像を撮像するものを用いた場合には,被検査部材のエッジ部のどの位置に欠陥があるのかをより詳細に検査することが可能となり,さらに欠陥の形状等をも欠陥検査の基準とすることができ,欠陥検査の精度を向上させることができる。 Further, the scattering light detecting means, in the case of using the imaging the two-dimensional image associated with the direction of rotation and the thickness direction of the edge portion surface of the inspection member, a defect in which the position of the edge portion of the test element located in either the it becomes possible to inspect in more detail, further also be a reference for defect inspection of the shape of the defect, it is possible to improve the accuracy of the defect inspection. また,被検査部材のエッジ部で散乱された散乱光を散乱光検出手段に導く光ファイバを被検査部材のエッジ部の表面側及び裏面側それぞれに設けることによって,被検査部材のエッジ部をより詳細に検査することが可能となる。 Further, by providing the optical fiber for guiding the scattered light detection means scattered light scattered by the edge portion of the inspection member on each first surface and the second surface of the edge portion of the inspection member, more edge portions of the test element it is possible to examine in detail. また,欠陥検査手段が,散乱光検出手段により撮像された複数枚の被検査部材のエッジ部表面の画像が合成された合成画像に基づいて,被検査部材の欠陥を検査するものである場合, Further, if the defect inspection unit, based on the composite image which the image of the imaged edge surfaces of a plurality of the test element was synthesized by the scattering light detecting means is for inspecting a defect of the inspection member,
各被検査部材の欠陥の相関関係に基づいた精度の良い総合的な検査を行うことが可能となる。 It becomes possible to perform accurate overall inspection based on the correlation between the defect in the inspection member. また,欠陥検査手段が,上記散乱光検出手段により撮像された複数枚のウェハのエッジ部表面の撮像画像を互いに比較してウェハの欠陥を検査するものである場合,例えば各撮像画像のうち選択された2つの撮像画像に対して位置合わせを行い,位置合わせされた2つの撮像画像の画素毎の差の絶対値からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより,各ウェハの相関に基づいた精度の良い検査を行うことができる。 Further, the defect inspection unit, if it is intended to inspect the defects of the wafer by comparing the captured images of a plurality of wafer edge surface imaged by the scattered light detecting means to each other, for example, among the captured images selected It has been aligns to the two captured images to generate a difference image composed of the absolute value of the difference for each pixel of the two captured images that are aligned, the difference image using a predetermined threshold value by evaluation, it is possible to perform an accurate inspection based on the correlation of each wafer. また,他の発明に係る欠陥検査装置によれば,各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように載置手段が位置決め手段により位置決めされるため,ウェハに傾斜面が設けられている場合でも,撮像手段が複数のウェハの傾斜面を一括して撮像することが可能となり,検査を迅速に行うことができる。 Further, according to the defect inspection apparatus according to another invention, because the corresponding inclined surface of the wafer is placed means to include a predetermined line is positioned by the positioning means, if the inclined surface is provided on the wafer But, it is possible to image pickup means is collectively inclined surfaces of the plurality of wafers can be quickly inspected. また,上記欠陥検査装置において,上記撮像手段を,ウェハの表面と裏面とについてそれぞれ設けらることにより,ウェハの表面と裏面とを同時に検査することができるため,さらに検査を迅速に行うことができる。 In the above defect inspection apparatus, the imaging means, by respectively Mokeraru for the front surface and the back surface of the wafer, it is possible to inspect the front and back surfaces of the wafer at the same time, be performed rapidly more tests it can. また,上記欠陥検査装置において,上記欠陥検査手段が,上記撮像手段により撮像された複数のウェハについての画像に基づき,例えば各ウェハについての画像のうち選択された2つの画像の位置合わせを行い,位置合わせされた2つの画像の画素毎の差からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより,ウェハの欠陥を検査するものであれば,検査を迅速に行うことができるとともに,各ウェハの相関関係をもとに精度のよい検査を行うことができる。 Also conducted in the defect inspection apparatus, the defect inspection unit based on the image for a plurality of wafers picked up by the image pickup means, for example, the alignment of two images selected among the images for each wafer, generating a difference image composed of the difference for each pixel aligned two images, by evaluating with a predetermined threshold difference image, as long as for inspecting defects of a wafer, an inspection it is possible to quickly perform the correlation of each wafer can be performed with good accuracy examined under.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の概略構成を示す図。 Diagram showing a schematic configuration of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図2】 上記欠陥検査装置の検査結果の一例を示す図。 Figure 2 is a diagram illustrating an example of a test result of the defect inspection apparatus.

【図3】 本発明の一実施例に係る欠陥検査装置の簡略構成を示す図。 It shows a simplified configuration of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図4】 本発明の他の実施例に係る欠陥検査装置の概略構成を示す図。 Diagram showing a schematic configuration of a defect inspection apparatus according to another embodiment of the present invention; FIG.

【図5】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置により撮像された検査画像の一例を示す図。 5 is a diagram showing an example of a test image captured by the other embodiments the defect inspection apparatus according to.

【図6】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置の一変形例を示す図。 6 shows a modification of the defect inspection apparatus according to the another embodiment.

【図7】 上記他の実施例に係る欠陥検査装置の他の変形例を示す図。 7 is a view showing another modified example of the other defect inspection apparatus according to the embodiment.

【図8】 本発明のさらに他の実施例に係る欠陥検査装置0''の概略構成を示す図。 Furthermore diagram showing a schematic configuration of another defect inspection apparatus 0 according to the embodiment of '' of the present invention; FIG.

【図9】 上記欠陥検査装置0''が備えるセンサ部を詳細に説明するための図。 Figure 9 is a view for explaining a sensor unit for the defect inspection apparatus 0 'is provided in detail.

【図10】 上記欠陥検査装置0''の動作を説明するためのフローチャート。 10 is a flowchart for explaining the operation of the defect inspection apparatus 0 ''.

【図11】 上記欠陥検査装置0''による撮像画像を説明するための図。 11 is a diagram for explaining a captured image by the defect inspection apparatus 0 ''.

【図12】 上記欠陥検査装置0''における欠陥検査のための画像処理を説明するための図。 Figure 12 is a diagram for explaining the image processing for defect inspection in the defect inspection apparatus 0 ''.

【図13】 本発明のさらに他の実施例に係る欠陥検査装置130の概略構成を示す図。 [13] Furthermore diagram showing a schematic configuration of a defect inspection apparatus 130 according to another embodiment of the present invention.

【図14】 上記欠陥検査装置130が備える位置決め機構の動作を説明するための図。 Figure 14 is a diagram for explaining the operation of the positioning mechanism the defect inspection apparatus 130 is provided.

【図15】 上記欠陥検査装置130による撮像画像を説明するための図。 Figure 15 is a view for explaining an image captured by the defect inspection apparatus 130.

【図16】 上記欠陥検査装置130における欠陥検出例を説明するための図。 Figure 16 is a diagram for explaining a defect detection example in the defect inspection apparatus 130.

【図17】 上記欠陥検査装置130の変形例を説明するための図。 Figure 17 is a diagram for explaining a modification of the defect inspection apparatus 130.

【図18】 従来の半導体ウェハの欠陥検査装置の基本的な構成を示す図。 FIG. 18 is a diagram showing a basic configuration of a defect inspection apparatus of a conventional semiconductor wafer.

【図19】 従来の欠陥検査装置の他の例を示す図。 FIG. 19 shows another example of a conventional defect inspection apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…被検査部材 1',131…ウェハ 2…支持軸 3.134…回転手段 4…検査光 5…検査光照射手段 6…散乱光 7…散乱光検出手段 8,8'…欠陥検査手段 11…遮光板 132…回転テーブル 133…位置決め機構 135…ラインCCDセンサ 136…画像処理装置 1 ... inspection member 1 ', 131 ... wafer 2 ... support shaft 3.134 ... rotating means 4 ... inspection light 5 ... inspection light irradiating means 6 ... scattered light 7 ... scattered light detection means 8, 8' ... defect inspection means 11 ... light shielding plate 132 ... rotary table 133 ... positioning mechanism 135 ... line CCD sensor 136 ... image processing apparatus

フロントページの続き (72)発明者 住江 伸吾 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸本社内 (72)発明者 勝見 栄雄 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 今西 顕史 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 橋爪 英久 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 神戸製鋼5号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 (72)発明者 山本 雄治 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 神戸製鋼5号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 Of the front page Continued (72) inventor Sumie Shingo Kobe City, Hyogo Prefecture, Nishi-ku, Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel, Ltd. Kobe in the Head Office (72) inventor Hideo Katsumi Kobe City, Hyogo Prefecture, Nishi-ku, Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel, Ltd. Kobe technology in the Laboratory (72) inventor Tsutomu Morimoto Kobe City, Hyogo Prefecture, Nishi-ku, Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel, Ltd. Kobe technology in the Laboratory (72) inventor Imanishi represents Hyogo prefecture Nishi-ku, Kobe Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel, Ltd. Kobe technology in the Laboratory (72) inventor Hidehisa Hashizume Kobe City, Hyogo Prefecture, Nishi-ku, Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel Building 5 Genesis technology over within Co., Ltd. (72) inventor Yuji Yamamoto Kobe City, Hyogo Prefecture, Nishi-ku, Takatsukadai 1-chome No. 5 No. 5 Kobe Steel Building 5 Genesis technology over the Corporation

Claims (19)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 円板状の被検査部材を同軸上に複数枚支持可能な支持軸と,上記支持軸を駆動して上記被検査部材を回転させる回転手段と,上記回転手段により回転される上記被検査部材のエッジ部に検査光を照射する検査光照射手段と,上記検査光照射手段により上記被検査部材のエッジ部に照射され散乱された散乱光を検出する散乱光検出手段と,上記検査光の照射位置及び上記散乱光の強度に基づいて上記被検査部材のエッジ部の欠陥を検査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置。 A plurality supportable support shaft 1. A disc-like object to be inspected member coaxially and rotating means for driving said support shaft for rotating the inspection member is rotated by said rotating means an inspection light irradiating means for irradiating inspection light on the edge portion of the inspection member, and scattered light detection means for detecting the scattered light is irradiated scattered at the edge of the inspection member by said inspection light irradiation means, the irradiation position and the defect inspection apparatus comprising; and a defect inspection unit for inspecting a defect of the edge portion of the inspection member on the basis of the intensity of the scattered light of the inspection light.
  2. 【請求項2】 上記検査光照射手段が,上記支持軸に沿ったスリット光を複数枚の被検査部材に渡って照射するものである請求項1記載の欠陥検査装置。 Wherein said inspection light irradiation means, the defect inspection apparatus according to claim 1 in which irradiates over the slit light along the support shaft to the plurality of the test element.
  3. 【請求項3】 上記散乱光検出手段が,上記支持軸に支持される上記被検査部材毎に設けられてなる請求項2記載の欠陥検査装置。 Wherein said scattered light detection means, the defect inspection apparatus provided comprising according to claim 2, wherein for each of the inspection member supported by the support shaft.
  4. 【請求項4】 各散乱光検出手段の間に遮光板を設けてなる請求項3記載の欠陥検査装置。 4. The defect inspection apparatus according to claim 3, wherein formed by providing a light shielding plate between the scattered light detection means.
  5. 【請求項5】 上記検査光照射手段が,スポット光を複数枚の被検査部材に対して順次走査するものである請求項1記載の欠陥検査装置。 Wherein said inspection light irradiation means, the defect inspection apparatus according to claim 1 in which sequentially scans the spot light to a plurality of the test member.
  6. 【請求項6】 上記被検査部材が半導体ウェハである請求項1〜5のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。 6. The defect inspection apparatus according to any one of claims 1 to 5, the inspection member is a semiconductor wafer.
  7. 【請求項7】 上記散乱光検出手段が,上記被検査部材の回転方向と厚み方向の上記エッジ部表面に関する2次元的な画像を撮像するものである請求項1〜6のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。 7. The scattered light detection means, to any one of claims 1 to 6 is intended for capturing a two-dimensional image associated with the direction of rotation and the thickness direction of the edge portion surface of the inspection member defect inspection apparatus according.
  8. 【請求項8】 上記散乱光検出手段が,少なくとも上記被検査部材のエッジ部の厚み分を撮像範囲とするCCD 8. The scattered light detection means, the imaging range of the thickness of the edge portion of at least the inspection member CCD
    カメラである請求項7に記載の欠陥検査装置。 Defect inspection apparatus according to claim 7 is a camera.
  9. 【請求項9】 上記散乱光検出手段が,上記被検査部材のエッジ部の厚み方向に移動可能に設けられてなる請求項7に記載の欠陥検査装置。 9. The scattered light detecting means, a defect inspection apparatus according to claim 7 comprising movable in the thickness direction of the edge portion of the inspection member.
  10. 【請求項10】 上記被検査部材のエッジ部で散乱された散乱光が,光ファイバにより上記散乱光検出手段へ導かれてなる請求項7〜9のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。 10. A scattered light scattered by the edge portion of the inspection member, a defect inspection apparatus according to any one of claims 7 to 9 by the optical fiber becomes guided to the scattering light detecting means.
  11. 【請求項11】 上記光ファイバの入光部が,上記被検査部材のエッジ部の表面側及び裏面側それぞれに設けられてなる請求項10に記載の欠陥検査装置。 11. The light entering part of the optical fiber, the defect inspection apparatus according to claim 10 thus provided for the respective first surface and the second surface of the edge portion of the inspection member.
  12. 【請求項12】 上記被検査部材のエッジ部で散乱された散乱光が,レンズ及びミラーを用いて上記散乱光検出手段へ導かれてなる請求項7〜9のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。 12. A defect of any one of the scattered light scattered by the edge portion of the inspection member, according to claim 7-9 comprising guided to the scattered light detection means using a lens and a mirror inspection equipment.
  13. 【請求項13】 上記欠陥検査手段が,上記散乱光検出手段により撮像された複数枚の被検査部材のエッジ部表面の画像が合成された合成画像に基づいて,上記被検査部材の欠陥を検査してなる請求項7〜12のいずれか1 13. The defect inspection unit, based on the synthesized image by the image of the edge portion surface of the plurality of the test element which is imaged by the scattered light detecting means is synthesized, inspecting defects of the inspection member claim 7 to 12 and comprising 1
    項に記載の欠陥検査装置。 Defect inspection apparatus according to claim.
  14. 【請求項14】 上記欠陥検査手段が,上記散乱光検出手段により撮像された複数枚のウェハのエッジ部表面の撮像画像を互いに比較して,各ウェハの欠陥を検査してなる請求項7〜12のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。 14. The defect inspection unit compares the captured image of the edge portion surface of the plurality of wafers taken by the scattered light detecting means to each other, according to claim 7 obtained by inspecting defects of each wafer defect inspection apparatus according to any one of 12.
  15. 【請求項15】 上記欠陥検査手段が,各撮像画像のうち選択された2つの撮像画像に対して位置合わせを行い,位置合わせされた2つの撮像画像の画素毎の差からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより各ウェハの欠陥の検査をしてなる請求項14に記載の欠陥検査装置。 15. The defect inspection means performs alignment for the two captured images selected among the captured images, generating a difference image composed of the difference for each pixel of the two captured images in alignment and, a defect inspection apparatus according to claim 14 formed by the inspection of defects in each wafer by evaluating with a predetermined threshold difference image.
  16. 【請求項16】 外周端部に傾斜面を備えた複数のウェハを載置する載置手段と,上記載置手段に載置された各ウェハの対応する傾斜面が所定線を含むように上記載置手段を位置決めする位置決め手段と,上記位置決め手段により位置決めされた上記載置手段を駆動してウェハを回転させる回転手段と,上記回転手段により回転させられる各ウェハの傾斜面の画像を撮像する撮像手段と,上記撮像手段により撮像された各ウェハの傾斜面の画像について画像処理を行って欠陥を検査する欠陥検査手段とを具備してなる欠陥検査装置。 16. The upper as a means for mounting a plurality of wafers having an inclined surface on the outer peripheral edge, the corresponding inclined surfaces of the wafer placed on the placing means comprises a predetermined line imaging and positioning means, rotating means for rotating the wafer to drive the said placing means after being positioned by the positioning means, the image of the inclined surface of each wafer which is rotated by the rotation means for positioning said placing means imaging means and a defect inspection apparatus comprising; and a defect inspection unit for inspecting defects by performing image processing on the image of the inclined surface of each wafer imaged by the imaging means.
  17. 【請求項17】 上記撮像手段が,ウェハの表面と裏面とについてそれぞれ設けられてなる請求項16に記載の欠陥検査装置。 17. the imaging means, the defect inspection apparatus according to claim 16 comprising respectively provided for the front and back surfaces of the wafer.
  18. 【請求項18】 上記欠陥検査手段が,上記撮像手段により撮像された複数のウェハについての画像に基づいて,ウェハの欠陥を検査してなる請求項14又は15に記載の欠陥検査装置。 18. The defect inspection unit based on the image for a plurality of wafers picked up by the image pickup means, the defect inspection apparatus according to claim 14 or 15 formed by inspecting defects of a wafer.
  19. 【請求項19】 上記欠陥検査手段が,各ウェハについての画像のうち選択された2つの画像に対して位置合わせを行い,位置合わせされた2つの画像の画素毎の差の絶対値からなる差画像を生成し,該差画像を所定のしきい値を用いて評価することにより各ウェハの欠陥の検査をしてなる請求項18に記載の欠陥検査装置。 19. The defect inspection means performs alignment for the two images selected among the images for each wafer, consisting of the absolute value of the difference for each pixel of the two images aligned generating an image defect inspection apparatus according to claim 18 formed by the inspection of defects in each wafer by evaluating with a predetermined threshold difference image.
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