JPH11274959A - 移動体通信端末 - Google Patents
移動体通信端末Info
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- JPH11274959A JPH11274959A JP7226998A JP7226998A JPH11274959A JP H11274959 A JPH11274959 A JP H11274959A JP 7226998 A JP7226998 A JP 7226998A JP 7226998 A JP7226998 A JP 7226998A JP H11274959 A JPH11274959 A JP H11274959A
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- circuit
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- controlled
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広範囲のアンテナ入力レベルに対して、かつ
増幅器のゲインのバラツキに影響されずに正確に出力信
号レベルを一定にし得るＡＧＣを有する移動体通信端末
を提供すること。 【解決手段】 高周波増幅器２３および減衰器２４を含
む高周波ブロック４３、電力増幅器３３および電圧増幅
器３９を有し、電力増幅器３３のゲインとともに電圧増
幅器３９のゲインを制御する。
増幅器のゲインのバラツキに影響されずに正確に出力信
号レベルを一定にし得るＡＧＣを有する移動体通信端末
を提供すること。 【解決手段】 高周波増幅器２３および減衰器２４を含
む高周波ブロック４３、電力増幅器３３および電圧増幅
器３９を有し、電力増幅器３３のゲインとともに電圧増
幅器３９のゲインを制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信端末に係
り、特に該端末の受信回路の自動利得制御（ＡＧＣ）に
関する。
り、特に該端末の受信回路の自動利得制御（ＡＧＣ）に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は移動体通信端末、特にＧＳＭ（Ｔ
ｈｅ ＧＳＭ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒＭｏｂｉｌｅ ｃ
ｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）の受信回路部を示す。こ
の受信回路部は、アンテナで受信された信号をフロント
部１１の高周波増幅器１２で増幅した後、電力増幅器１
３で電力増幅し、しかる後復調器１４で復調してベース
バンド信号を得た後、このベースバンド信号を電圧増幅
器１５で電圧増幅するように構成されており、電圧増幅
器１５の出力信号は図示しないＡ／Ｄ変換器に供給され
る。
ｈｅ ＧＳＭ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒＭｏｂｉｌｅ ｃ
ｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）の受信回路部を示す。こ
の受信回路部は、アンテナで受信された信号をフロント
部１１の高周波増幅器１２で増幅した後、電力増幅器１
３で電力増幅し、しかる後復調器１４で復調してベース
バンド信号を得た後、このベースバンド信号を電圧増幅
器１５で電圧増幅するように構成されており、電圧増幅
器１５の出力信号は図示しないＡ／Ｄ変換器に供給され
る。
【０００３】この受信回路部において、電圧増幅器１５
の出力、すなわちＡ／Ｄ変換器の入力では、アンテナか
らの信号入力レベルの大小に係わらず、常に信号レベル
を一定にしなければならない。そこで、自動利得制御
（ＡＧＣ）が行われており、通常は、アンテナ入力レベ
ルに応じて電力増幅器１３のゲインを調整することによ
り、Ａ／Ｄ変換器入力での信号レベルを一定にしてい
る。さらに、アンテナ入力レベルがより強くなったとき
は、フロント部１１の高周波増幅器１２のバイアス電流
を変えて、該高周波増幅器１２を減衰器として動作させ
ることによりＡ／Ｄ変換器入力での信号レベルを一定に
している。
の出力、すなわちＡ／Ｄ変換器の入力では、アンテナか
らの信号入力レベルの大小に係わらず、常に信号レベル
を一定にしなければならない。そこで、自動利得制御
（ＡＧＣ）が行われており、通常は、アンテナ入力レベ
ルに応じて電力増幅器１３のゲインを調整することによ
り、Ａ／Ｄ変換器入力での信号レベルを一定にしてい
る。さらに、アンテナ入力レベルがより強くなったとき
は、フロント部１１の高周波増幅器１２のバイアス電流
を変えて、該高周波増幅器１２を減衰器として動作させ
ることによりＡ／Ｄ変換器入力での信号レベルを一定に
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
な従来の受信回路部では、主として電力増幅器１３のゲ
イン制御によりＡＧＣが行われているが、１つの増幅器
のゲイン制御では広範囲のアンテナ入力レベルに対して
対応できず、信号レベル（Ａ／Ｄ変換器入力信号レベ
ル）を一定とし得るアンテナ入力レベル範囲が狭いとい
う問題点があった。また、電力増幅器１３は、ゲインの
制御量が大きくなると、ゲインのバラツキも大きくなる
ので、このバラツキにより、制御量の大きい範囲でＡ／
Ｄ変換器入力信号レベルが一定にならないという問題点
もあった。このバラツキの問題を解決するため、補助的
な補正手段を設けることも行われているが、回路構成を
複雑にしたり、補正作業が必要になるなどの問題点があ
る。
な従来の受信回路部では、主として電力増幅器１３のゲ
イン制御によりＡＧＣが行われているが、１つの増幅器
のゲイン制御では広範囲のアンテナ入力レベルに対して
対応できず、信号レベル（Ａ／Ｄ変換器入力信号レベ
ル）を一定とし得るアンテナ入力レベル範囲が狭いとい
う問題点があった。また、電力増幅器１３は、ゲインの
制御量が大きくなると、ゲインのバラツキも大きくなる
ので、このバラツキにより、制御量の大きい範囲でＡ／
Ｄ変換器入力信号レベルが一定にならないという問題点
もあった。このバラツキの問題を解決するため、補助的
な補正手段を設けることも行われているが、回路構成を
複雑にしたり、補正作業が必要になるなどの問題点があ
る。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
広範囲のアンテナ入力レベルに対して、かつ増幅器のゲ
インのバラツキに影響されずに正確に出力信号レベルを
一定にし得るＡＧＣを有する移動体通信端末を提供する
ことを目的とする。
広範囲のアンテナ入力レベルに対して、かつ増幅器のゲ
インのバラツキに影響されずに正確に出力信号レベルを
一定にし得るＡＧＣを有する移動体通信端末を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、アンテナで受信された信号が供給され、
アンテナ入力レベルにより所定のゲインまたはそれより
一定レベル低下したゲインに制御される第１の回路と、
この第１の回路を通して受信信号が供給され、アンテナ
入力レベルによりゲインが制御される第２の回路と、こ
の第２の回路を通して受信信号が供給され、受信信号を
復調する復調器と、この復調器からの復調信号が供給さ
れ、アンテナ入力レベルによりゲインが制御される第３
の回路とを具備することを特徴とする移動体通信端末と
する。
決するために、アンテナで受信された信号が供給され、
アンテナ入力レベルにより所定のゲインまたはそれより
一定レベル低下したゲインに制御される第１の回路と、
この第１の回路を通して受信信号が供給され、アンテナ
入力レベルによりゲインが制御される第２の回路と、こ
の第２の回路を通して受信信号が供給され、受信信号を
復調する復調器と、この復調器からの復調信号が供給さ
れ、アンテナ入力レベルによりゲインが制御される第３
の回路とを具備することを特徴とする移動体通信端末と
する。
【０００７】このような構成において、制御は一具体例
として次のようにすることができる。アンテナ入力レベ
ルを最小から最大方向に３つの範囲に分割し、第１の範
囲では、第２の回路のゲインが制御され、その際第１の
回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲインに設定さ
れ、第２の範囲では、第３の回路のゲインが制御され、
その際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路は固定ゲイ
ンに設定され、第３の範囲では、第１の回路が低下ゲイ
ンに設定され、第２の回路または第３の回路のゲインが
制御される。
として次のようにすることができる。アンテナ入力レベ
ルを最小から最大方向に３つの範囲に分割し、第１の範
囲では、第２の回路のゲインが制御され、その際第１の
回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲインに設定さ
れ、第２の範囲では、第３の回路のゲインが制御され、
その際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路は固定ゲイ
ンに設定され、第３の範囲では、第１の回路が低下ゲイ
ンに設定され、第２の回路または第３の回路のゲインが
制御される。
【０００８】制御は次のようにすることもできる。アン
テナ入力レベルを最小から最大方向に４つの範囲に分割
し、第１の範囲では、第２の回路のゲインが制御され、
その際第１の回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲイ
ンに設定され、第２の範囲では、第３の回路のゲインが
制御され、その際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路
は固定ゲインに設定され、第３の範囲では、第２の回路
のゲインが制御され、その際第１の回路は所定ゲイン、
第３の回路は固定ゲインに設定され、第４の範囲では、
第１の回路が低下ゲインに設定され、第２の回路または
第３の回路のゲインが制御される。
テナ入力レベルを最小から最大方向に４つの範囲に分割
し、第１の範囲では、第２の回路のゲインが制御され、
その際第１の回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲイ
ンに設定され、第２の範囲では、第３の回路のゲインが
制御され、その際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路
は固定ゲインに設定され、第３の範囲では、第２の回路
のゲインが制御され、その際第１の回路は所定ゲイン、
第３の回路は固定ゲインに設定され、第４の範囲では、
第１の回路が低下ゲインに設定され、第２の回路または
第３の回路のゲインが制御される。
【０００９】また、前記第１の回路、第２の回路、第３
の回路のゲイン設定は、予想される回路全体のトータル
バラツキに応じて予めＣＰＵ内の記憶部にゲイン配分の
設定値が記憶され、その設定値に基づいて行うことがで
きる。
の回路のゲイン設定は、予想される回路全体のトータル
バラツキに応じて予めＣＰＵ内の記憶部にゲイン配分の
設定値が記憶され、その設定値に基づいて行うことがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる移動体通信端末の実施の形態を詳細に説明する。図
１は本発明の実施の形態の移動体通信端末（ＧＳＭ）の
受信回路部を示す。この受信回路部においては、アンテ
ナ２１で受信された信号がデュプレクサ２２を介して高
周波増幅器２３に供給され増幅される。この高周波増幅
器２３で増幅された受信信号は、ＣＰＵ４２からの信号
によりオン、オフ制御される減衰器（ＡＴＴ）２４を介
して、さらにはフィルタ２５を介して、第１局部発振器
２６の出力信号（第１局部発振器２６の出力にはバッフ
ァ２７が接続される）とともに周波数変換器２８に供給
され、２４６ＭＨｚの中間周波数に変換される。中間周
波数に変換された受信信号は２４６ＭＨｚのＩＦフィル
タ２９、中間周波増幅器３０、不平衡−平衡変換器３１
を順次通過する。ここで、デュプレクサ２２、高周波増
幅器２３、減衰器２４、フィルタ２５、周波数変換器２
８、ＩＦフィルタ２９、中間周波増幅器３０、および不
平衡−平衡変換器３１は高周波ブロック４３を構成す
る。この高周波ブロック４３は、通常は減衰器２４がオ
フで、そのとき所定の通常ゲインで動作する。一方、Ｃ
ＰＵ４２からの信号で減衰器２４がオンすると、高周波
ブロック４３は前記通常ゲインから２０ｄＢ低下したゲ
インなる。なお、この高周波ブロック４３が第１の回路
であるが、第１の回路は、高周波ブロック４３内の高周
波増幅器２３と減衰器２４の２つ、あるいはその他の回
路を追加した複数の回路と考えることもできる。
よる移動体通信端末の実施の形態を詳細に説明する。図
１は本発明の実施の形態の移動体通信端末（ＧＳＭ）の
受信回路部を示す。この受信回路部においては、アンテ
ナ２１で受信された信号がデュプレクサ２２を介して高
周波増幅器２３に供給され増幅される。この高周波増幅
器２３で増幅された受信信号は、ＣＰＵ４２からの信号
によりオン、オフ制御される減衰器（ＡＴＴ）２４を介
して、さらにはフィルタ２５を介して、第１局部発振器
２６の出力信号（第１局部発振器２６の出力にはバッフ
ァ２７が接続される）とともに周波数変換器２８に供給
され、２４６ＭＨｚの中間周波数に変換される。中間周
波数に変換された受信信号は２４６ＭＨｚのＩＦフィル
タ２９、中間周波増幅器３０、不平衡−平衡変換器３１
を順次通過する。ここで、デュプレクサ２２、高周波増
幅器２３、減衰器２４、フィルタ２５、周波数変換器２
８、ＩＦフィルタ２９、中間周波増幅器３０、および不
平衡−平衡変換器３１は高周波ブロック４３を構成す
る。この高周波ブロック４３は、通常は減衰器２４がオ
フで、そのとき所定の通常ゲインで動作する。一方、Ｃ
ＰＵ４２からの信号で減衰器２４がオンすると、高周波
ブロック４３は前記通常ゲインから２０ｄＢ低下したゲ
インなる。なお、この高周波ブロック４３が第１の回路
であるが、第１の回路は、高周波ブロック４３内の高周
波増幅器２３と減衰器２４の２つ、あるいはその他の回
路を追加した複数の回路と考えることもできる。
【００１１】不平衡−平衡変換器３１から出力された信
号は復調部ＩＣ３２の電力増幅器（第２の回路）３３に
供給され、電力増幅される。電力増幅された信号は、復
調部ＩＣ３２外部の第２局部発振器３４からの信号とと
もに復調器３５に供給され復調される。その際、第２局
部発振器３４からの信号は、不平衡−平衡変換器４４お
よび２分周のデバイダ４５を経て復調器３５に供給され
る。復調器３５で入力信号が復調されると、ベースバン
ド信号を得ることができる。ベースバンド信号はドライ
バ３６、ベースバンドＩＣ３７のバッファ３８を経て電
圧増幅器（第３の回路）３９に供給され、電圧増幅され
る。そして、電圧増幅されたベースバンド信号は１１ビ
ットのＡ／Ｄ変換器４０に供給され、Ａ／Ｄ変換され、
その結果得られたデジタル信号はデジタルフィルタ４１
を介して図示しない後段の回路に供給される。なお、Ｇ
ＳＭにおいては、受信信号を復調すると、９０°位相の
異なる２つの信号（Ｉ，Ｑ成分）が出力される。したが
って、復調器３５以降のドライバ３６、バッファ３８、
電圧増幅器３９、Ａ／Ｄ変換器４０およびデジタルフィ
ルタ４１は２つずつ設けられている。
号は復調部ＩＣ３２の電力増幅器（第２の回路）３３に
供給され、電力増幅される。電力増幅された信号は、復
調部ＩＣ３２外部の第２局部発振器３４からの信号とと
もに復調器３５に供給され復調される。その際、第２局
部発振器３４からの信号は、不平衡−平衡変換器４４お
よび２分周のデバイダ４５を経て復調器３５に供給され
る。復調器３５で入力信号が復調されると、ベースバン
ド信号を得ることができる。ベースバンド信号はドライ
バ３６、ベースバンドＩＣ３７のバッファ３８を経て電
圧増幅器（第３の回路）３９に供給され、電圧増幅され
る。そして、電圧増幅されたベースバンド信号は１１ビ
ットのＡ／Ｄ変換器４０に供給され、Ａ／Ｄ変換され、
その結果得られたデジタル信号はデジタルフィルタ４１
を介して図示しない後段の回路に供給される。なお、Ｇ
ＳＭにおいては、受信信号を復調すると、９０°位相の
異なる２つの信号（Ｉ，Ｑ成分）が出力される。したが
って、復調器３５以降のドライバ３６、バッファ３８、
電圧増幅器３９、Ａ／Ｄ変換器４０およびデジタルフィ
ルタ４１は２つずつ設けられている。
【００１２】以上の構成において、電圧増幅器３９の出
力、すなわちＡ／Ｄ変換器４０の入力では、アンテナか
らの信号入力レベルの大小に係わらず、常に信号レベル
を一定にしなければならない。高周波ブロック４３にお
ける利得は、標準利得２０ｄＢに対しバラツキが＋−８
ｄＢ考えられる。この高周波ブロック４３がバラツいた
場合も、Ａ／Ｄ変換器４０の入力では常に信号レベルを
一定にしなければならない。そこで、自動利得制御（Ａ
ＧＣ）が行われている。このＡＧＣは、ＣＰＵ４２によ
り、アンテナ入力レベルに応じて、電力増幅器３３およ
び電圧増幅器３９のゲインを制御することと、高周波ブ
ロック４３内の減衰器２４をオン、オフ制御することに
より行われる。ＣＰＵ４２内にはメモリが設けられ、こ
のメモリに前記高周波ブロック４３および増幅器３３，
３９のゲイン配分の設定値（アンテナ入力レベルに応じ
た制御データ）が記憶されている。ＣＰＵ４２は、レベ
ル検出部とＡ／Ｄ変換部などからなる通常のレベル検出
手段で検出されたアンテナ入力レベルに応じて前記設定
値で電力増幅器３３、電圧増幅器３９および減衰器２４
を制御する。
力、すなわちＡ／Ｄ変換器４０の入力では、アンテナか
らの信号入力レベルの大小に係わらず、常に信号レベル
を一定にしなければならない。高周波ブロック４３にお
ける利得は、標準利得２０ｄＢに対しバラツキが＋−８
ｄＢ考えられる。この高周波ブロック４３がバラツいた
場合も、Ａ／Ｄ変換器４０の入力では常に信号レベルを
一定にしなければならない。そこで、自動利得制御（Ａ
ＧＣ）が行われている。このＡＧＣは、ＣＰＵ４２によ
り、アンテナ入力レベルに応じて、電力増幅器３３およ
び電圧増幅器３９のゲインを制御することと、高周波ブ
ロック４３内の減衰器２４をオン、オフ制御することに
より行われる。ＣＰＵ４２内にはメモリが設けられ、こ
のメモリに前記高周波ブロック４３および増幅器３３，
３９のゲイン配分の設定値（アンテナ入力レベルに応じ
た制御データ）が記憶されている。ＣＰＵ４２は、レベ
ル検出部とＡ／Ｄ変換部などからなる通常のレベル検出
手段で検出されたアンテナ入力レベルに応じて前記設定
値で電力増幅器３３、電圧増幅器３９および減衰器２４
を制御する。
【００１３】図２は上記制御の第１の具体例を示す図で
あり、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン
として２０ｄＢ（高周波ブロック４３全体のトータルバ
ラツキ分考慮）あるときのゲインコントロールを示す。
なお、電圧および温度などで各ブロックの利得レベルが
変動することも考えられるが、温度や電圧を検知する手
段を設け、その変動分に応じた各増幅段ブロック毎のゲ
イン設定値をＥＥＰＲＯＭに書き込んでおき、その変動
分に基づいて更にゲイン設定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変
換器入力レベルがより一定になるようにゲイン配分が可
能である。なお、図２においては、電力増幅器３３のゲ
インに代えて、この電力増幅器３３のゲインに対応して
増減する復調部ＩＣ３２のゲインを示す。同様に、電圧
増幅器３９のゲインに代えて、この電圧増幅器３９のゲ
インに対応して増減するベースバンドＩＣ３７のゲイン
を示す。
あり、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン
として２０ｄＢ（高周波ブロック４３全体のトータルバ
ラツキ分考慮）あるときのゲインコントロールを示す。
なお、電圧および温度などで各ブロックの利得レベルが
変動することも考えられるが、温度や電圧を検知する手
段を設け、その変動分に応じた各増幅段ブロック毎のゲ
イン設定値をＥＥＰＲＯＭに書き込んでおき、その変動
分に基づいて更にゲイン設定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変
換器入力レベルがより一定になるようにゲイン配分が可
能である。なお、図２においては、電力増幅器３３のゲ
インに代えて、この電力増幅器３３のゲインに対応して
増減する復調部ＩＣ３２のゲインを示す。同様に、電圧
増幅器３９のゲインに代えて、この電圧増幅器３９のゲ
インに対応して増減するベースバンドＩＣ３７のゲイン
を示す。
【００１４】図２の第１の具体例では、アンテナ入力レ
ベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を３つの範囲に
分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜−５
８ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３が通常ゲインとし
て２０ｄＢあるとき、電圧増幅器３９のゲインを固定し
てＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状態
でアンテナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて電
力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ
３２のゲインを６２ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２の
範囲（−５６ｄＢｍ〜−４２ｄＢｍ）でも、高周波ブロ
ック４３は２０ｄＢの通常ゲインがあり、電力増幅器３
３のゲインを固定してＩＣ３２のゲインを１０ｄＢの固
定ゲインに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２
ｄＢｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２
ｄＢステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜
２ｄＢに制御する。第３の範囲（−４０ｄＢｍ〜−２２
ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３の減衰器２４をオン
して高周波ブロック４３を通常ゲインより２０ｄＢ低く
動作させ、その状態で入力レベル−４０ｄＢｍ〜−３８
ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては電力増幅器３３
を２ｄＢステップで可変してＩＣ３２を１２ｄＢ〜１０
ｄＢ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３７は１８ｄＢ固
定）に制御し、入力レベル−３６ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ
（２ｄＢｍステップ）においては電圧増幅器３９を２ｄ
Ｂステップで可変してＩＣ３７を１６ｄＢ〜２ｄＢ（電
力増幅器３３すなわちＩＣ３２は１０ｄＢ固定）に制御
する。
ベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を３つの範囲に
分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜−５
８ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３が通常ゲインとし
て２０ｄＢあるとき、電圧増幅器３９のゲインを固定し
てＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状態
でアンテナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて電
力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ
３２のゲインを６２ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２の
範囲（−５６ｄＢｍ〜−４２ｄＢｍ）でも、高周波ブロ
ック４３は２０ｄＢの通常ゲインがあり、電力増幅器３
３のゲインを固定してＩＣ３２のゲインを１０ｄＢの固
定ゲインに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２
ｄＢｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２
ｄＢステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜
２ｄＢに制御する。第３の範囲（−４０ｄＢｍ〜−２２
ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３の減衰器２４をオン
して高周波ブロック４３を通常ゲインより２０ｄＢ低く
動作させ、その状態で入力レベル−４０ｄＢｍ〜−３８
ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては電力増幅器３３
を２ｄＢステップで可変してＩＣ３２を１２ｄＢ〜１０
ｄＢ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３７は１８ｄＢ固
定）に制御し、入力レベル−３６ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ
（２ｄＢｍステップ）においては電圧増幅器３９を２ｄ
Ｂステップで可変してＩＣ３７を１６ｄＢ〜２ｄＢ（電
力増幅器３３すなわちＩＣ３２は１０ｄＢ固定）に制御
する。
【００１５】このような方法によれば、電力増幅器３３
と電圧増幅器３９の２つの増幅器を用いて−１１０ｄＢ
ｍ〜−２２ｄＢｍの広範囲のアンテナ入力レベル範囲に
おいてＡ／Ｄ変換器４０の入力レベルを−１０ｄＢ（図
２）の一定に制御することができる。また、図５は電力
増幅器３３のゲインのバラツキを示す特性図であるが、
前述のように電圧増幅器３９を併用する動作とすれば、
電力増幅器３３を比較的バラツキの少ない１０ｄＢまで
の範囲で使用することが可能となるので、電力増幅器３
３のゲインのバラツキによる影響も除去することがで
き、Ａ／Ｄ変換器４０の入力レベルを一定にすることが
できる。また、補助的な補正手段（可変抵抗等）を設
け、回路全体のゲインをそれぞれの増幅器毎に前記補正
手段により調整し、バラツキ分を少なくする必要がな
く、回路構成を簡単にし得るとともに、製造作業（ゲイ
ン調整工程）も容易となる。なお、電力増幅器３３を含
む復調部ＩＣ３２としては型番ＰＭＢ２４０７（シーメ
ンス製Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｉ
Ｃｓ）のＩＣが使用され、電圧増幅器３９を含むベース
バンドＩＣ３７としては型番ＣＳＰ１０８９（ルーセン
トテクノロジ−（ＡＴ＆Ｔ）製ＧＳＭ ｃｏｎｖｅｒｓ
ｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）のＩＣが
使用される。型番ＣＳＰ１０８９のベースバンドＩＣ３
７、すなわち電圧増幅器３９はそもそもゲインのバラツ
キは少ない。一方、電力増幅器３３はゲインのバラツキ
が多い。
と電圧増幅器３９の２つの増幅器を用いて−１１０ｄＢ
ｍ〜−２２ｄＢｍの広範囲のアンテナ入力レベル範囲に
おいてＡ／Ｄ変換器４０の入力レベルを−１０ｄＢ（図
２）の一定に制御することができる。また、図５は電力
増幅器３３のゲインのバラツキを示す特性図であるが、
前述のように電圧増幅器３９を併用する動作とすれば、
電力増幅器３３を比較的バラツキの少ない１０ｄＢまで
の範囲で使用することが可能となるので、電力増幅器３
３のゲインのバラツキによる影響も除去することがで
き、Ａ／Ｄ変換器４０の入力レベルを一定にすることが
できる。また、補助的な補正手段（可変抵抗等）を設
け、回路全体のゲインをそれぞれの増幅器毎に前記補正
手段により調整し、バラツキ分を少なくする必要がな
く、回路構成を簡単にし得るとともに、製造作業（ゲイ
ン調整工程）も容易となる。なお、電力増幅器３３を含
む復調部ＩＣ３２としては型番ＰＭＢ２４０７（シーメ
ンス製Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｉ
Ｃｓ）のＩＣが使用され、電圧増幅器３９を含むベース
バンドＩＣ３７としては型番ＣＳＰ１０８９（ルーセン
トテクノロジ−（ＡＴ＆Ｔ）製ＧＳＭ ｃｏｎｖｅｒｓ
ｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）のＩＣが
使用される。型番ＣＳＰ１０８９のベースバンドＩＣ３
７、すなわち電圧増幅器３９はそもそもゲインのバラツ
キは少ない。一方、電力増幅器３３はゲインのバラツキ
が多い。
【００１６】図３は制御法の第２の具体例を示す図であ
り、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン２
０ｄＢに対して低い方にばらついた場合に予想される最
も低いレベル（１２ｄＢ）のゲインで動作したときのゲ
インコントロールを示す。なお、電圧および温度などで
各ブロックの利得レベルが変動することも考えられる
が、温度や電圧を検知する手段を設け、その変動分に応
じた各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ
に書き込んでおき、その変動分に基づいて更にゲイン設
定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定
になるようにゲイン配分が可能である。なお、図３にお
いても、電力増幅器３３のゲインに代えて、この電力増
幅器３３のゲインに対応して増減する復調部ＩＣ３２の
ゲインを示す。同様に、電圧増幅器３９のゲインに代え
て、この電圧増幅器３９のゲインに対応して増減するベ
ースバンドＩＣ３７のゲインを示す。
り、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン２
０ｄＢに対して低い方にばらついた場合に予想される最
も低いレベル（１２ｄＢ）のゲインで動作したときのゲ
インコントロールを示す。なお、電圧および温度などで
各ブロックの利得レベルが変動することも考えられる
が、温度や電圧を検知する手段を設け、その変動分に応
じた各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ
に書き込んでおき、その変動分に基づいて更にゲイン設
定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定
になるようにゲイン配分が可能である。なお、図３にお
いても、電力増幅器３３のゲインに代えて、この電力増
幅器３３のゲインに対応して増減する復調部ＩＣ３２の
ゲインを示す。同様に、電圧増幅器３９のゲインに代え
て、この電圧増幅器３９のゲインに対応して増減するベ
ースバンドＩＣ３７のゲインを示す。
【００１７】この図３の第２の具体例では、アンテナ入
力レベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を３つの範
囲に分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜
−５０ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３は１２ｄＢの
ゲインで動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定
してＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状
態でアンテナ入力レベル（２ｄＢステップ）に応じて電
力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ
３２のゲインを７０ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２の
範囲（−４８ｄＢｍ〜−４２ｄＢｍ）でも、高周波ブロ
ック４３は１２ｄＢのゲインで動作しており、電力増幅
器３３のゲインを固定してＩＣ３２を１０ｄＢの固定ゲ
インに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２ｄＢ
ｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２ｄＢ
ステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜１０
ｄＢに制御する。第３の範囲（−４０ｄＢｍ〜−２２ｄ
Ｂｍ）では、高周波ブロック４３の減衰器２４をオンし
て高周波ブロック４３を通常ゲインより２０ｄＢ低く動
作させ、その状態で入力レベル−４０ｄＢｍ〜−３０ｄ
Ｂｍ（２ｄＢｍステップ）においては電力増幅器３３を
２ｄＢステップで可変してＩＣ３２を２０ｄＢ〜１０ｄ
Ｂ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３７は１８ｄＢ固定）
に制御し、入力レベル−２８ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ（２
ｄＢｍステップ）においては電圧増幅器３９を２ｄＢス
テップで可変してＩＣ３７を１６ｄＢ〜１０ｄＢ（電力
増幅器３３すなわちＩＣ３２は１０ｄＢ固定）に制御す
る。この方法でも、第１の具体例と同一の効果を得るこ
とができる。
力レベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を３つの範
囲に分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜
−５０ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３は１２ｄＢの
ゲインで動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定
してＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状
態でアンテナ入力レベル（２ｄＢステップ）に応じて電
力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ
３２のゲインを７０ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２の
範囲（−４８ｄＢｍ〜−４２ｄＢｍ）でも、高周波ブロ
ック４３は１２ｄＢのゲインで動作しており、電力増幅
器３３のゲインを固定してＩＣ３２を１０ｄＢの固定ゲ
インに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２ｄＢ
ｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２ｄＢ
ステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜１０
ｄＢに制御する。第３の範囲（−４０ｄＢｍ〜−２２ｄ
Ｂｍ）では、高周波ブロック４３の減衰器２４をオンし
て高周波ブロック４３を通常ゲインより２０ｄＢ低く動
作させ、その状態で入力レベル−４０ｄＢｍ〜−３０ｄ
Ｂｍ（２ｄＢｍステップ）においては電力増幅器３３を
２ｄＢステップで可変してＩＣ３２を２０ｄＢ〜１０ｄ
Ｂ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３７は１８ｄＢ固定）
に制御し、入力レベル−２８ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ（２
ｄＢｍステップ）においては電圧増幅器３９を２ｄＢス
テップで可変してＩＣ３７を１６ｄＢ〜１０ｄＢ（電力
増幅器３３すなわちＩＣ３２は１０ｄＢ固定）に制御す
る。この方法でも、第１の具体例と同一の効果を得るこ
とができる。
【００１８】図４は制御法の第３の具体例を示す図であ
り、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン２
０ｄＢに対して高い方にばらついた場合に予想される最
も高いレベル（２８ｄＢ）のゲインで動作したときのゲ
インコントロールを示す。なお、電圧および温度などで
各ブロックの利得レベルが変動することも考えられる
が、温度や電圧を検知する手段を設け、その変動分に応
じた各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ
に書き込んでおき、その変動分に基づいて更にゲイン設
定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定
になるようにゲイン配分が可能である。なお、図４にお
いても、電力増幅器３３のゲインに代えて、この電力増
幅器３３のゲインに対応して増減する復調部ＩＣ３２の
ゲインを示す。同様に、電圧増幅器３９のゲインに代え
て、この電圧増幅器３９のゲインに対応して増減するベ
ースバンドＩＣ３７のゲインを示す。
り、高周波ブロック４３におけるゲインが通常ゲイン２
０ｄＢに対して高い方にばらついた場合に予想される最
も高いレベル（２８ｄＢ）のゲインで動作したときのゲ
インコントロールを示す。なお、電圧および温度などで
各ブロックの利得レベルが変動することも考えられる
が、温度や電圧を検知する手段を設け、その変動分に応
じた各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ
に書き込んでおき、その変動分に基づいて更にゲイン設
定値を補正すれば、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定
になるようにゲイン配分が可能である。なお、図４にお
いても、電力増幅器３３のゲインに代えて、この電力増
幅器３３のゲインに対応して増減する復調部ＩＣ３２の
ゲインを示す。同様に、電圧増幅器３９のゲインに代え
て、この電圧増幅器３９のゲインに対応して増減するベ
ースバンドＩＣ３７のゲインを示す。
【００１９】この図４の第３の具体例では、アンテナ入
力レベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を４つの範
囲に分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜
−６６ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３は２８ｄＢの
ゲインで動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定
してＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状
態でアンテナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて
電力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩ
Ｃ３２のゲインを５４ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２
の範囲（−６４ｄＢｍ〜−４８ｄＢｍ）でも、高周波ブ
ロック４３は２８ｄＢのゲインで動作しており、電力増
幅器３３のゲインを固定してＩＣ３２を１０ｄＢの固定
ゲインに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２ｄ
Ｂｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２ｄ
Ｂステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜０
ｄＢに制御する。第３の範囲（−４６ｄＢｍ〜−４２ｄ
Ｂｍ）でも、高周波ブロック４３は２８ｄＢのゲインで
動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定してＩＣ
３７を０ｄＢの固定ゲインに設定し、その状態でアンテ
ナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて電力増幅器
３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ３２のゲ
インを８ｄＢ〜４ｄＢに制御する。第４の範囲（−４０
ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３の減
衰器２４をオンして高周波ブロック４３を通常ゲインよ
り２０ｄＢ低く動作させ、その状態で入力レベル−４０
ｄＢｍ〜−２８ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては
電圧増幅器３９を２ｄＢステップで可変してＩＣ３７の
ゲインを１２ｄＢ〜０ｄＢ（電力増幅器３３すなわちＩ
Ｃ３２は１０ｄＢ固定）に制御し、入力レベル−２６ｄ
Ｂｍ〜−２２ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては電
力増幅器３３を２ｄＢステップで可変してＩＣ３２のゲ
インを８ｄＢ〜４ｄＢ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３
７は０ｄＢ固定）に制御する。
力レベル（−１１０ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）を４つの範
囲に分割する。そして、第１の範囲（−１１０ｄＢｍ〜
−６６ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３は２８ｄＢの
ゲインで動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定
してＩＣ３７を１８ｄＢの固定ゲインに設定し、その状
態でアンテナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて
電力増幅器３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩ
Ｃ３２のゲインを５４ｄＢ〜１０ｄＢに制御する。第２
の範囲（−６４ｄＢｍ〜−４８ｄＢｍ）でも、高周波ブ
ロック４３は２８ｄＢのゲインで動作しており、電力増
幅器３３のゲインを固定してＩＣ３２を１０ｄＢの固定
ゲインに設定し、その状態でアンテナ入力レベル（２ｄ
Ｂｍステップ）に応じて電圧増幅器３９のゲインを２ｄ
Ｂステップで可変してＩＣ３７のゲインを１６ｄＢ〜０
ｄＢに制御する。第３の範囲（−４６ｄＢｍ〜−４２ｄ
Ｂｍ）でも、高周波ブロック４３は２８ｄＢのゲインで
動作しており、電圧増幅器３９のゲインを固定してＩＣ
３７を０ｄＢの固定ゲインに設定し、その状態でアンテ
ナ入力レベル（２ｄＢｍステップ）に応じて電力増幅器
３３のゲインを２ｄＢステップで可変してＩＣ３２のゲ
インを８ｄＢ〜４ｄＢに制御する。第４の範囲（−４０
ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍ）では、高周波ブロック４３の減
衰器２４をオンして高周波ブロック４３を通常ゲインよ
り２０ｄＢ低く動作させ、その状態で入力レベル−４０
ｄＢｍ〜−２８ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては
電圧増幅器３９を２ｄＢステップで可変してＩＣ３７の
ゲインを１２ｄＢ〜０ｄＢ（電力増幅器３３すなわちＩ
Ｃ３２は１０ｄＢ固定）に制御し、入力レベル−２６ｄ
Ｂｍ〜−２２ｄＢｍ（２ｄＢｍステップ）においては電
力増幅器３３を２ｄＢステップで可変してＩＣ３２のゲ
インを８ｄＢ〜４ｄＢ（電圧増幅器３９すなわちＩＣ３
７は０ｄＢ固定）に制御する。
【００２０】このような方法でも第１および第２の具体
例と同一の効果を得ることができる。なお、この方法
（第３の具体例）においては、電力増幅器３３のゲイン
を可変してＩＣ３２の利得を１０ｄＢ〜４ｄＢに設定し
た場合、図５（電力増幅器３３のゲインとそのバラツキ
量との関係を示す図）に示すように、多少ゲインのバラ
ツキが大きい範囲で動作することになるが、上記の動作
法によれば、そしてＧＳＭの規格（アンテナ入力レベル
２０ｄＢの範囲で増幅器のバラツキを考慮すればよいと
いう規格）によれば、その部分のバラツキについては１
０ｄＢを始点、４ｄＢを終点としてその２つの間でバラ
ツキを考えればよく、そのように考えると、図５で最も
バラツキが大きい温度８０°Ｃの特性においても図５に
Ｄで示すようにやはりバラツキは少ないので、バラツキ
の影響を除去できる。
例と同一の効果を得ることができる。なお、この方法
（第３の具体例）においては、電力増幅器３３のゲイン
を可変してＩＣ３２の利得を１０ｄＢ〜４ｄＢに設定し
た場合、図５（電力増幅器３３のゲインとそのバラツキ
量との関係を示す図）に示すように、多少ゲインのバラ
ツキが大きい範囲で動作することになるが、上記の動作
法によれば、そしてＧＳＭの規格（アンテナ入力レベル
２０ｄＢの範囲で増幅器のバラツキを考慮すればよいと
いう規格）によれば、その部分のバラツキについては１
０ｄＢを始点、４ｄＢを終点としてその２つの間でバラ
ツキを考えればよく、そのように考えると、図５で最も
バラツキが大きい温度８０°Ｃの特性においても図５に
Ｄで示すようにやはりバラツキは少ないので、バラツキ
の影響を除去できる。
【００２１】さらに、上述した第１ないし第３の具体例
における電力増幅器３３のゲイン設定は、図５に示す温
度等によってもあまりバラツキ量のない７０ｄＢ〜１０
ｄＢの範囲内で殆どゲインコントロールされており、し
たがって本発明の受信回路の自動利得制御（ＡＧＣ）に
おいては、広範囲のアンテナ入力レベルに対してより正
確に出力信号レベル（Ａ／Ｄ変換器入力レベル）を一定
に得られることが裏付けられる。ここで、上記バラツキ
が許容範囲を越える場合は、バラツキの大きい設定ゲイ
ンの領域において回路全体のゲイン配分を設定し直すこ
とによって、Ａ／Ｄ変換器入力レベルを一定にすること
ができる。
における電力増幅器３３のゲイン設定は、図５に示す温
度等によってもあまりバラツキ量のない７０ｄＢ〜１０
ｄＢの範囲内で殆どゲインコントロールされており、し
たがって本発明の受信回路の自動利得制御（ＡＧＣ）に
おいては、広範囲のアンテナ入力レベルに対してより正
確に出力信号レベル（Ａ／Ｄ変換器入力レベル）を一定
に得られることが裏付けられる。ここで、上記バラツキ
が許容範囲を越える場合は、バラツキの大きい設定ゲイ
ンの領域において回路全体のゲイン配分を設定し直すこ
とによって、Ａ／Ｄ変換器入力レベルを一定にすること
ができる。
【００２２】以上本発明の実施の形態（高周波ブロック
４３が通常ゲインのとき、最も低いレベルのゲインのと
き、最も高いレベルのゲインのとき）を詳細に説明した
が、高周波ブロック４３の１ｄＢずつのバラツキに対し
て各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ等
に書込むことで、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定に
なるようにゲイン配分ができる。しかし、上記の実施の
形態は一具体例にすぎず、受信回路部の具体的構成や具
体的制御法は種々の変更が可能である。例えば周波数に
より高周波ブロック４３や電力増幅器３３等のバラツキ
が大きい場合、周波数毎の回路全体のトータルバラツキ
を判別し、その判別値に基づきＡ／Ｄ変換器入力レベル
が一定となるようにゲインコントロール（ゲイン配分）
することにより、周波数に係わらずＡ／Ｄ変換器入力レ
ベルを一定に設定することができる。また、周波数毎の
回路全体のトータルバラツキの平均値を用いてゲイン配
分することも考えられる。
４３が通常ゲインのとき、最も低いレベルのゲインのと
き、最も高いレベルのゲインのとき）を詳細に説明した
が、高周波ブロック４３の１ｄＢずつのバラツキに対し
て各増幅段ブロック毎のゲイン設定値をＥＥＰＲＯＭ等
に書込むことで、Ａ／Ｄ変換器入力レベルがより一定に
なるようにゲイン配分ができる。しかし、上記の実施の
形態は一具体例にすぎず、受信回路部の具体的構成や具
体的制御法は種々の変更が可能である。例えば周波数に
より高周波ブロック４３や電力増幅器３３等のバラツキ
が大きい場合、周波数毎の回路全体のトータルバラツキ
を判別し、その判別値に基づきＡ／Ｄ変換器入力レベル
が一定となるようにゲインコントロール（ゲイン配分）
することにより、周波数に係わらずＡ／Ｄ変換器入力レ
ベルを一定に設定することができる。また、周波数毎の
回路全体のトータルバラツキの平均値を用いてゲイン配
分することも考えられる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の移動
体通信端末によれば、複数の増幅器でゲイン制御を行う
ようにしたので、広範囲のアンテナ入力レベルに対し
て、かつ増幅器のゲインのバラツキに影響されずに正確
に出力信号レベルを一定にし得る。したがって、補助的
な補正手段を設ける必要もなく、回路構成を簡単にし得
るとともに、製造作業も容易となる。
体通信端末によれば、複数の増幅器でゲイン制御を行う
ようにしたので、広範囲のアンテナ入力レベルに対し
て、かつ増幅器のゲインのバラツキに影響されずに正確
に出力信号レベルを一定にし得る。したがって、補助的
な補正手段を設ける必要もなく、回路構成を簡単にし得
るとともに、製造作業も容易となる。
【図１】本発明による移動体通信端末の実施の形態を示
す回路図。
す回路図。
【図２】本発明の実施の形態での制御の第１の具体例を
示す図。
示す図。
【図３】本発明の実施の形態での制御の第２の具体例を
示す図。
示す図。
【図４】本発明の実施の形態での制御の第３の具体例を
示す図。
示す図。
【図５】本発明の実施の形態で使用した電力増幅器のゲ
インのバラツキを示す特性図。
インのバラツキを示す特性図。
【図６】従来の移動体通信端末の受信回路部を示す回路
図。
図。
２３ 高周波増幅器 ２４ 減衰器 ３３ 電力増幅器 ３９ 電圧増幅器 ４３ 高周波ブロック
Claims (4)
- 【請求項１】 アンテナで受信された信号が供給され、
アンテナ入力レベルにより所定のゲインまたはそれより
一定レベル低下したゲインに制御される第１の回路と、 この第１の回路を通して受信信号が供給され、アンテナ
入力レベルによりゲインが制御される第２の回路と、 この第２の回路を通して受信信号が供給され、受信信号
を復調する復調器と、この復調器からの復調信号が供給
され、アンテナ入力レベルによりゲインが制御される第
３の回路とを具備することを特徴とする移動体通信端
末。 - 【請求項２】 アンテナ入力レベルを最小から最大方向
に３つの範囲に分割し、 第１の範囲では、第２の回路のゲインが制御され、その
際第１の回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲインに
設定され、 第２の範囲では、第３の回路のゲインが制御され、その
際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路は固定ゲインに
設定され、 第３の範囲では、第１の回路が低下ゲインに設定され、
第２の回路または第３の回路のゲインが制御されること
を特徴とする請求項１記載の移動体通信端末。 - 【請求項３】 アンテナ入力レベルを最小から最大方向
に４つの範囲に分割し、 第１の範囲では、第２の回路のゲインが制御され、その
際第１の回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲインに
設定され、 第２の範囲では、第３の回路のゲインが制御され、その
際第１の回路は所定ゲイン、第２の回路は固定ゲインに
設定され、 第３の範囲では、第２の回路のゲインが制御され、その
際第１の回路は所定ゲイン、第３の回路は固定ゲインに
設定され、 第４の範囲では、第１の回路が低下ゲインに設定され、
第２の回路または第３の回路のゲインが制御されること
を特徴とする請求項１記載の移動体通信端末。 - 【請求項４】 前記第１の回路、第２の回路、第３の回
路のゲイン設定は、予想される回路全体のトータルバラ
ツキに応じて予めＣＰＵ内の記憶部にゲイン配分の設定
値が記憶され、その設定値に基づいて行われることを特
徴とする請求項１記載の移動体通信端末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226998A JPH11274959A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 移動体通信端末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226998A JPH11274959A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 移動体通信端末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274959A true JPH11274959A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13484406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226998A Pending JPH11274959A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 移動体通信端末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295363A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 受信レベル測定装置 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP7226998A patent/JPH11274959A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295363A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 受信レベル測定装置 |
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