JPH11273063A - Texturing method of magnetic disk substrate - Google Patents

Texturing method of magnetic disk substrate

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JPH11273063A
JPH11273063A JP7941098A JP7941098A JPH11273063A JP H11273063 A JPH11273063 A JP H11273063A JP 7941098 A JP7941098 A JP 7941098A JP 7941098 A JP7941098 A JP 7941098A JP H11273063 A JPH11273063 A JP H11273063A
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JP
Japan
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polishing
polishing tape
substrate
roller
slurry
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JP7941098A
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Japanese (ja)
Inventor
Masataka Yokoyama
正孝 横山
Tomoo Shigeru
智雄 茂
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To process a substrate in high product yield while preventing production of comets (bites of abrasive grain into the substrate) by adjusting the position to drop an abrasive slurry to a polishing tape according to the water holding rate of the polishing tape. SOLUTION: An abrasive slurry is dropped between a polishing tape 2 and a first guide roller 7. A second guide roller 8 is disposed just under the first guide roll 7 so that the distance L between the center axes of both guide rollers 7, 8 is preferably <=20 mm and the stretching angle of the polishing tape between the guide rollers 7, 8 to the horizontal line is <=60. Thus, the polishing tape 2 is enough in contact with the guide roller 7. When the polishing tape 2 has a high water holding rate, the abrasive liquid nozzle 4 is disposed near a contact roller 3. When the polishing tape 2 has a low water holding rate, the abrasive liquid nozzle 4 is disposed far from the contact roller 3. Thus, the water absorption and the dispersion state of free abrasive grains on the polishing tape 2 are controlled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク用基板
のテクスチャ加工方法に係り、特に、磁気ディスク用基
板の表面を遊離砥粒のスラリーと研磨テープとを用いる
スラリー研削でテクスチャ加工する方法において、磁気
ディスク用基板表面への遊離砥粒の食い込みを防止し
て、製品歩留りを飛躍的に向上させる方法に関する。
The present invention relates to a method for texturing a magnetic disk substrate, and more particularly to a method for texturing a surface of a magnetic disk substrate by slurry grinding using a slurry of loose abrasive grains and a polishing tape. The present invention relates to a method for preventing free abrasive grains from digging into the surface of a magnetic disk substrate and dramatically improving product yield.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータ等の外部記憶装置として用
いられる磁気ディスクとしては、一般に、アルミニウム
合金基板にアルマイト処理やNi−Pメッキ等の非磁性
メッキ処理を施した後に、Cr等の下地層を形成し、次
いでCo系合金の磁性層を形成し、更に炭素質の保護層
を形成されたものが使用されている。
2. Description of the Related Art Generally, a magnetic disk used as an external storage device of a computer or the like is formed by subjecting an aluminum alloy substrate to a non-magnetic plating treatment such as alumite treatment or Ni-P plating and then forming an underlayer such as Cr. Then, a magnetic layer of a Co-based alloy is formed, and a carbonaceous protective layer is further formed.

【0003】近年、このような磁気ディスクについては
高密度化が図られ、それに伴ない、磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち浮上量は益々小さくなり、最近で
は0.10μm以下(フライングハイト1.0μ”以
下)が要求されている。このように磁気ヘッドの浮上量
が著しく小さいため、磁気ディスク面に突起があるとヘ
ッドクラッシュを招き、ディスク表面を傷つけることが
ある。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小な
突起でも情報の読み書きの際の種々のエラーの原因とな
り易い。このため、磁気ディスクの製造においては、基
板へのゴミ等の異物(パーティクル)付着による表面欠
陥を低減することが重要となっている。
In recent years, the density of such a magnetic disk has been increased, and accordingly, the distance between the magnetic disk and the magnetic head, that is, the flying height has become smaller and smaller. 0.0μ ”or less. As described above, since the flying height of the magnetic head is extremely small, if there is a projection on the magnetic disk surface, a head crash may be caused and the disk surface may be damaged. Even small protrusions that cannot be reached tend to cause various errors in reading and writing information, and therefore, in the manufacture of magnetic disks, it is necessary to reduce surface defects due to the attachment of foreign matter (particles) such as dust to a substrate. Is important.

【0004】一方、磁気ディスクは大容量化、高密度化
と並行して小型化も進められており、スピンドル回転用
のモーター等も益々小さくなっている。このため、モー
ターのトルクが不足し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に
固着したまま浮上しないという現象が生じ易い。この磁
気ヘッドの固着を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との
接触を小さくすることにより防止する手段として、磁気
ディスクの基板表面に微細な溝を形成する、テクスチャ
加工と称する表面加工を施す処理が行われている。
On the other hand, the size of magnetic disks has been reduced in parallel with the increase in capacity and density, and motors for rotating spindles and the like have become smaller. For this reason, a phenomenon in which the torque of the motor is insufficient and the magnetic head does not fly while being fixed to the magnetic disk surface is likely to occur. As means for preventing the sticking of the magnetic head by reducing the contact between the magnetic head and the surface of the magnetic disk, a process of forming a fine groove on the substrate surface of the magnetic disk and performing a surface process called texture processing is performed. Have been done.

【0005】従来、基板のテクスチャ加工方法として
は、例えば、固定砥粒式の研磨テープを用いるテープ研
削(特開平1−86320号公報等)や遊離砥粒を懸濁
させた研磨スラリーを研磨テープ表面に付着させて行う
スラリー研削(特開平3−147518号公報)等が知
られている。
Conventionally, as a method of texturing a substrate, for example, tape grinding using a fixed abrasive type polishing tape (Japanese Patent Laid-Open No. 1-86320) or a polishing slurry in which free abrasive grains are suspended is applied to a polishing tape. Slurry grinding performed by adhering to a surface (JP-A-3-147518) is known.

【0006】以下に、図6を参照して、従来のテクスチ
ャ加工方法のうち、スラリー研削による方法を説明す
る。
Referring to FIG. 6, a description will be given of a slurry grinding method among conventional texture processing methods.

【0007】図6(a)は従来のスラリー研削によるテ
クスチャ加工方法を説明する概略的な平面図であり、図
6(b)は同側面図である。
FIG. 6A is a schematic plan view for explaining a conventional texture processing method by slurry grinding, and FIG. 6B is a side view of the same.

【0008】図示の如く、板面が鉛直方向となるように
支持され、矢印Aの方向に回転しているディスク状基板
1の表裏両面に、各々2本ずつ、計4本の研磨テープ2
をコンタクトローラ3で押し付けると共に、研磨テープ
2の研磨面側に研磨液ノズル4より、遊離砥粒を懸濁さ
せてなる研磨スラリーを供給してスラリー研削を行う。
コンタクトローラ3はローラ押えシリンダ(図示せず)
により基板1の表面に研磨テープ2を所定の力で押圧し
ている。研磨テープ2はガイドローラ5,6により案内
されて矢印Bの方向に走行しており、基板1の面には常
に新しいテープ面が接触する状態で研磨され、研磨スラ
リーはこのガイドローラ5,6のうち、内側のガイドロ
ーラ5による研磨テープ2のガイド面に対して、上方よ
り滴下される。また、研磨テープ2はコンタクトローラ
3の往復動により矢印Cの方向に往復動(振動)して基
板1の全面を研磨できると共に、基板1上に研磨テープ
2により研磨されて形成される条痕の交差する角度(ク
ロス角度)が所定の角度を有するように構成されてい
る。
As shown in the figure, a total of four polishing tapes 2 are provided on each of the front and back surfaces of a disk-shaped substrate 1 which is supported so that the plate surface is in a vertical direction and is rotating in the direction of arrow A.
Is pressed by a contact roller 3 and a polishing slurry in which free abrasive grains are suspended is supplied from a polishing liquid nozzle 4 to the polishing surface side of the polishing tape 2 to perform slurry grinding.
The contact roller 3 is a roller holding cylinder (not shown)
The polishing tape 2 is pressed against the surface of the substrate 1 with a predetermined force. The polishing tape 2 is guided by the guide rollers 5 and 6 and travels in the direction of arrow B. The polishing tape 2 is polished with the surface of the substrate 1 always in contact with a new tape surface. Of these, it is dropped from above onto the guide surface of the polishing tape 2 by the inner guide roller 5. The polishing tape 2 reciprocates (oscillates) in the direction of arrow C by reciprocating the contact roller 3 so that the entire surface of the substrate 1 can be polished, and at the same time, stripes formed by polishing the substrate 1 with the polishing tape 2. (Cross angle) has a predetermined angle.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】テープ研削又はスラリ
ー研削により、低浮上特性と耐摩耗性等の要求特性を満
足すべく基板表面処理(基板表面粗さを低下させたり、
仕上げ加工を強化したりする方法等)を行う場合、最近
の急激な高容量化に伴う磁気ヘッド浮上量の低減に対応
するために、従来は問題視されていなかったテクスチャ
加工時に生じる砥粒の食い込み(以下「コメット」と称
す。)がその後のグライド検査における欠陥となり、製
品歩留りを低下させるようになってきた。
The substrate surface treatment (reducing the substrate surface roughness or reducing the surface roughness to meet the required characteristics such as low flying characteristics and abrasion resistance) by tape grinding or slurry grinding.
In order to cope with the reduction of the flying height of the magnetic head due to the recent rapid increase in capacity, it is necessary to reduce the amount of abrasive grains generated during texture processing, which has not been regarded as a problem in the past. The bite (hereinafter referred to as “comet”) becomes a defect in the subsequent glide inspection, and the product yield has been reduced.

【0010】本発明は上記従来の問題点を解決し、スラ
リー研削による磁気ディスク用基板のテクスチャ加工に
当り、コメットの発生を防止して高い製品歩留りにてテ
クスチャ加工を行う方法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a method of performing texturing with a high product yield while preventing the occurrence of comet in texturing a magnetic disk substrate by slurry grinding. Aim.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク用
基板のテクスチャ加工方法は、磁気ディスク用基板の表
面を遊離砥粒を懸濁させた研磨スラリーと研磨テープと
を用いてスラリー研削することによりテクスチャ加工を
施す方法であって、該研磨テープの保水率に応じて、該
研磨テープに前記研磨スラリーを滴下する位置を調整す
ることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method for texturing a substrate for a magnetic disk, comprising: polishing the surface of the substrate for a magnetic disk with a polishing slurry in which free abrasive grains are suspended and a polishing tape. Wherein the position at which the polishing slurry is dropped onto the polishing tape is adjusted in accordance with the water retention of the polishing tape.

【0012】即ち、本発明者等は上記従来の問題点を解
決すべく鋭意検討を重ねた結果、研磨テープ上の遊離砥
粒の分散性、ガイドローラへの研磨テープの密着性がコ
メット発生の重要な要因であること、そして、これらの
要因が、研磨テープの保水率と研磨スラリーの滴下位置
との関係に左右されることを見出し、本発明を完成する
に至った。
In other words, the present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned conventional problems, and as a result, the dispersibility of free abrasive grains on the polishing tape and the adhesion of the polishing tape to the guide roller have caused comet formation. They have found that they are important factors, and that these factors depend on the relationship between the water retention of the polishing tape and the dropping position of the polishing slurry, and have completed the present invention.

【0013】前述の如く、フライングハイト1.0μ”
以下の高容量磁気ディスクでは、通常のテクスチャ条件
の場合、研磨砥粒による過剰研磨や残留砥粒の影響で基
板に砥粒が食い込み、とれなくなって浮上高が下がらな
くなる。
As described above, the flying height is 1.0 μ ″.
In the following high-capacity magnetic disks, under normal texture conditions, the abrasive grains bite into the substrate due to the excessive polishing by the abrasive grains and the influence of the residual abrasive grains, and cannot be removed, so that the flying height does not decrease.

【0014】一方、スラリー研削に使用される研磨テー
プはその材質により保水率が異なり、従って研磨スラリ
ーの分散状況も大きく異なってくる。
On the other hand, a polishing tape used for slurry grinding has a different water retention ratio depending on the material, and therefore, the dispersion state of the polishing slurry also greatly differs.

【0015】図2にテクスチャ加工時の研磨テープ保水
率と研磨スラリー滴下距離(コンタクトローラによる押
圧で、研磨テープが基板に接する点と研磨スラリーが滴
下される点との間の研磨テープ長さ)との関係を、図3
にコメット発生数と研磨スラリー滴下距離との関係を、
図4に研削速度と研磨スラリー滴下距離との関係をそれ
ぞれ示すが、これらのグラフより、次のことがわかる。
FIG. 2 shows the water retention of the polishing tape and the polishing slurry dropping distance during texture processing (the length of the polishing tape between the point where the polishing tape comes into contact with the substrate and the point where the polishing slurry is dropped by pressing with the contact roller). Fig. 3
The relationship between the number of comet generation and the polishing slurry dripping distance
FIG. 4 shows the relationship between the grinding speed and the polishing slurry dropping distance, respectively. From these graphs, the following can be understood.

【0016】即ち、図4から、研削速度は研磨滴下位置
が遠い程大きくなることがわかるが、これが遠くなりす
ぎると図3に示す如く、コメット発生数が増加してく
る。これは滴下距離が余り大きくなると、研磨テープへ
の吸水が進行しすぎて、研磨テープ表面が遊離砥粒だけ
となり、基板と研磨テープとがドライコンタクト状態と
なるためと推定される。
That is, from FIG. 4, it can be seen that the grinding speed increases as the polishing drop position increases, but if the grinding speed is too far, the number of comets increases as shown in FIG. This is presumed to be because if the dropping distance becomes too large, water absorption into the polishing tape proceeds too much, the surface of the polishing tape becomes only free abrasive grains, and the substrate and the polishing tape come into a dry contact state.

【0017】また、保水率の大きい研磨テープは遊離砥
粒保持量、研削速度共大きく、コメットの発生数も多く
なる可能性がある。
In addition, a polishing tape having a large water retention rate has a large amount of free abrasive grains and a large grinding speed, and may increase the number of comets.

【0018】従って、図2に示す如く、保水率の高い研
磨テープほど研磨スラリーの滴下距離を小さく、即ち、
滴下位置をコンタクトローラに近づけ、保水時間を短か
くし、ドライコンタクトを防止して、コメット発生数を
低減する。
Accordingly, as shown in FIG. 2, the polishing tape having a higher water retention rate has a smaller dropping distance of the polishing slurry.
The drip position is brought closer to the contact roller, shortening the water retention time, preventing dry contact, and reducing the number of comets.

【0019】逆に、保水率の小さい研磨テープは、研磨
スラリーの滴下距離を大きく、即ち、滴下位置をコンタ
クトローラから遠くし、保水状態、分散状態を良好に保
つようにすることでコメットの発生を防止する。
Conversely, a polishing tape having a small water retention rate has a large dropping distance of the polishing slurry, that is, a position where the polishing slurry is dropped far from the contact roller to maintain a good water retention state and a good dispersion state, thereby generating a comet. To prevent

【0020】また、本発明者らの検討により、研磨テー
プとガイドローラとの関係については、次のことが判明
した。即ち、通常、研磨スラリーは研磨テープとガイド
ローラとの間に滴下されているが、研磨テープとガイド
ローラがしっかり密着していない場合、研磨スラリーが
これらの間隙を通過したり、研磨テープへの研磨スラリ
ーの分散、保水が不十分となって研磨テープ表面に正常
な研磨砥粒層が形成されない場合がある。
Further, from the study of the present inventors, the following has been found regarding the relationship between the polishing tape and the guide roller. That is, usually, the polishing slurry is dropped between the polishing tape and the guide roller, but when the polishing tape and the guide roller are not tightly adhered, the polishing slurry passes through these gaps or is applied to the polishing tape. In some cases, the dispersion and water retention of the polishing slurry become insufficient, and a normal polishing abrasive layer is not formed on the polishing tape surface.

【0021】しかし、請求項2で記述の如く、ガイドロ
ーラの上下間隔と研磨テープの張り角度を確保すること
により、研磨テープとガイドローラとに良好な密着面が
形成され、研磨テープへの研磨スラリーの良好な分散、
保水状態が確保され、均一なテクスチャ加工が可能とな
る。
However, as described in the second aspect, by ensuring the vertical spacing of the guide rollers and the tension angle of the polishing tape, a good contact surface is formed between the polishing tape and the guide rollers, and the polishing on the polishing tape is performed. Good dispersion of the slurry,
The water retention state is secured, and uniform texture processing becomes possible.

【0022】更に、本発明者らの検討により、コンタク
トローラについては、次のような知見を得た。即ち、コ
ンタクトローラは一般に、金属製のローラ本体の外周面
にゴム等の弾性材よりなる表面層(以下、「ゴム層」と
称す。)を巻き付けて構成され、研磨テープを基板に押
し付ける役割を果しているが、この押付力のバランスが
テクスチャ加工条件に微妙に関係する。このコンタクト
ローラの金属部分(ローラ本体)が厚すぎるとゴム層の
ソフトタッチ力が相殺されハードタッチとなり、逆に、
ゴム層が厚すぎるとタッチ力が弱くなり、いずれの場合
も良好なテクスチャ加工を行うことはできない。
Further, as a result of the study by the present inventors, the following findings were obtained for the contact roller. That is, a contact roller is generally formed by winding a surface layer (hereinafter, referred to as a “rubber layer”) made of an elastic material such as rubber around the outer peripheral surface of a metal roller body, and has a role of pressing a polishing tape against a substrate. However, the balance of the pressing force is delicately related to the texture processing conditions. If the metal part (roller body) of this contact roller is too thick, the soft touch force of the rubber layer is canceled out, resulting in a hard touch.
If the rubber layer is too thick, the touch force becomes weak, and good texture processing cannot be performed in any case.

【0023】これに対して、請求項3で規定した条件を
採用することで、最適のタッチ力を得ることができ、良
好なテクスチャ加工を行える。
On the other hand, by adopting the conditions defined in claim 3, an optimal touch force can be obtained, and good texture processing can be performed.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下に本発明の磁気ディスク用基
板のテクスチャ加工方法の実施の形態を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for texturing a magnetic disk substrate according to the present invention will be described below.

【0025】本発明における磁気ディスク用基板として
は、一般にアルミニウム合金からなる基板が用いられ、
通常、該アルミニウム合金基板を所定の厚さに加工した
後、その表面を鏡面加工してから、基板表面に非磁性金
属、例えばNi−P合金又はNi−Cu−P合金等を無
電解メッキ処理等により約5〜20μm程度の膜厚に成
膜して表面層を形成したものが用いられる。この基板
は、その表面層上にポリッシュ加工を施した後、テクス
チャ加工を施し、特定の凹凸と条痕パターンを形成する
のが一般的である。
As the magnetic disk substrate in the present invention, a substrate made of an aluminum alloy is generally used.
Usually, after processing the aluminum alloy substrate to a predetermined thickness, the surface thereof is mirror-finished, and then a nonmagnetic metal, for example, a Ni-P alloy or a Ni-Cu-P alloy is electroless-plated on the substrate surface. For example, a film having a thickness of about 5 to 20 μm to form a surface layer is used. In general, this substrate is polished on its surface layer and then textured to form specific irregularities and streak patterns.

【0026】ポリッシュ加工は、例えば、表面に遊離砥
粒を付着して浸み込ませたポリッシュパッドの間に基板
を挟み込み、界面活性剤水溶液等の研磨液を補給しなが
ら実施される。通常の場合、このようなポリッシュ加工
により、基板の表面層を2〜5μm程度ポリッシュして
その表面を平均粗さRaが50Å以下、望ましくは30
Å以下に鏡面仕上げする。
The polishing is carried out, for example, by sandwiching a substrate between polishing pads having free abrasive grains attached to and impregnated on the surface thereof and supplying a polishing liquid such as an aqueous solution of a surfactant. In a normal case, the surface layer of the substrate is polished by about 2 to 5 μm by such polishing, and the surface thereof has an average roughness Ra of 50 ° or less, preferably 30 ° or less.
鏡 Mirror finish below.

【0027】本発明の磁気ディスク用基板のテクスチャ
加工方法では、このような磁気ディスク用基板のテクス
チャ加工に当り、遊離砥粒のスラリーと研磨テープとを
用いたスラリー研削を行う。好ましくは、遊離砥粒のス
ラリーを研磨テープに付着させて行うスラリー研削で第
1段のテクスチャ加工を行い、この第1段のテクスチャ
加工後の仕上げ処理としての第2段のテクスチャ加工を
行う。
In the method for texturing a magnetic disk substrate of the present invention, in such texturing of a magnetic disk substrate, slurry grinding using a slurry of loose abrasive grains and a polishing tape is performed. Preferably, the first-stage texture processing is performed by slurry grinding performed by attaching a slurry of loose abrasive grains to a polishing tape, and the second-stage texture processing is performed as a finishing process after the first-stage texture processing.

【0028】以下に、このような本発明のテクスチャ加
工について、図面を参照して詳細に説明する。
Hereinafter, such texture processing of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0029】図1(a)は本発明に係るテクスチャ加工
方法を説明する概略的な平面図であり、図1(b)は同
側面図である。図1において、図6に示す部材と同一機
能を奏する部材には同一符号を付してある。
FIG. 1A is a schematic plan view for explaining a texture processing method according to the present invention, and FIG. 1B is a side view of the same. 1, members having the same functions as the members shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.

【0030】第1段のテクスチャ加工では、図1の如
く、矢印Aの方向に回転しているディスク状基板1の表
裏両面に、各々2本ずつ、計4本の研磨テープ2をコン
タクトローラ3で押し付けると共に、研磨テープ2の研
磨面側に研磨液ノズル4より、遊離砥粒を懸濁させてな
る研磨スラリーを供給してスラリー研削を行う。コンタ
クトローラ3はローラ押えシリンダ(図示せず)により
基板1の表面に研磨テープ2を所定の力で押圧してい
る。研磨テープ2はガイドローラ7,8(第1のガイド
ローラ7,第2のガイドローラ8)で案内されて矢印B
の方向に走行しており、基板1の面には常に新しいテー
プ面が接触する状態で研磨される。研磨スラリーは研磨
液ノズル4より、第1のガイドローラ7と研磨テープ2
との会合部に滴下される。また、研磨テープ2はコンタ
クトローラ3の往復動により矢印Cの方向に往復動(振
動)して基板1の全面を研磨できると共に、基板1上に
研磨テープ2により研磨されて形成される条痕の交差す
る角度(クロス角度)が2〜10°程度の角度を有する
ように構成されている。
In the first stage of texturing, as shown in FIG. 1, a total of four polishing tapes 2, two on each of the front and back surfaces of the disk-shaped substrate 1 rotating in the direction of arrow A, are contact rollers 3. And a polishing slurry in which free abrasive grains are suspended is supplied from the polishing liquid nozzle 4 to the polishing surface side of the polishing tape 2 to perform slurry grinding. The contact roller 3 presses the polishing tape 2 against the surface of the substrate 1 with a predetermined force by a roller pressing cylinder (not shown). The polishing tape 2 is guided by guide rollers 7 and 8 (first guide roller 7 and second guide roller 8) and
, And the substrate 1 is polished in such a manner that the surface of the substrate 1 always comes into contact with a new tape surface. The polishing slurry is supplied from the polishing liquid nozzle 4 to the first guide roller 7 and the polishing tape 2.
It is dripped at the meeting part with. The polishing tape 2 reciprocates (oscillates) in the direction of arrow C by reciprocating the contact roller 3 so that the entire surface of the substrate 1 can be polished, and at the same time, stripes formed by polishing the substrate 1 with the polishing tape 2. (Cross angle) has an angle of about 2 to 10 °.

【0031】本発明においては、このようなテクスチャ
加工において、研磨テープ2がコンタクトローラ3によ
り押圧されて基板1に接触する点と、研磨スラリーを研
磨テープ2に滴下する点との間の滴下距離を、テクスチ
ャ加工に用いる研磨テープ2の保水率に応じて調整す
る。
In the present invention, in such a texturing process, a drop distance between a point at which the polishing tape 2 is pressed by the contact roller 3 and comes into contact with the substrate 1 and a point at which the polishing slurry is dropped on the polishing tape 2. Is adjusted according to the water retention rate of the polishing tape 2 used for texture processing.

【0032】即ち、前述の如く、保水率の高い研磨テー
プは、研磨スラリー中の水分(潤滑剤水溶液)の吸液率
が高いために、研磨スラリーを滴下してから研削するま
での時間が長いと研磨スラリー中の水分を多く吸水し
て、研磨テープの表面には水分が不足し、基板と研磨テ
ープとの接触状態がドライコンタクトとなって、コメッ
トが発生し易くなる。従って、保水率の高い研磨テープ
を用いる場合は、研磨スラリーの滴下距離を小さくす
る。即ち、研磨液ノズル4の設置位置をコンタクトロー
ラ3に近づける。
That is, as described above, a polishing tape having a high water retention has a high absorption rate of water (aqueous lubricant solution) in the polishing slurry, so that a long time is required from dropping of the polishing slurry to grinding. The polishing slurry absorbs a large amount of water in the polishing slurry, and the surface of the polishing tape is insufficient in water, and the contact state between the substrate and the polishing tape becomes dry contact, so that comet easily occurs. Therefore, when a polishing tape having a high water retention rate is used, the drop distance of the polishing slurry is reduced. That is, the installation position of the polishing liquid nozzle 4 is brought closer to the contact roller 3.

【0033】逆に、保水率の低い研磨テープは、研磨ス
ラリー中の水分の吸液率が低いため、研磨テープの吸水
状態、遊離砥粒の分散状態を均一かつ良好に調整するた
めに、研磨スラリーとの接触時間を比較的長くする方が
好ましい。従って、保水率の低い研磨テープを用いる場
合は、研磨スラリーの滴下距離を大きくする。即ち、研
磨液ノズル4の設置位置をコンタクトローラ3から遠ざ
ける。
On the other hand, a polishing tape having a low water retention rate has a low water absorption rate of water in the polishing slurry. Therefore, in order to uniformly and satisfactorily adjust the water absorption state of the polishing tape and the dispersion state of free abrasive grains, the polishing tape is required. It is preferable to make the contact time with the slurry relatively long. Therefore, when a polishing tape having a low water retention rate is used, the drop distance of the polishing slurry is increased. That is, the installation position of the polishing liquid nozzle 4 is kept away from the contact roller 3.

【0034】一般に、研磨テープの保水率に対する滴下
距離は、用いる研磨スラリーの濃度やその他のテクスチ
ャ加工条件によっても異なり具体的な数値で示すことは
困難であるが、例えば、次のような目安で滴下距離を決
定するのが好ましい。
In general, the drop distance with respect to the water retention of the polishing tape depends on the concentration of the polishing slurry to be used and other texturing conditions, and it is difficult to show a specific numerical value. Preferably, the drop distance is determined.

【0035】 研磨テープの保水率が100%以下の場合 :滴下距
離130〜150mm 研磨テープの保水率が100〜300%の場合:滴下距
離 80〜120mm 研磨テープの保水率が400〜600%の場合:滴下距
離130〜150mm また、前述の如く、研磨スラリーは研磨テープ2とガイ
ドローラ(第1のガイドローラ7)との間に滴下される
が、この研磨スラリー滴下位置で、研磨テープ2とガイ
ドローラ7とが十分な密着状態にないと、研磨スラリー
の研磨テープへの分散、吸水が十分に行われず、研磨テ
ープ表面に正常な研磨砥粒層が形成されなくなるため
に、やはりコメットが発生し易くなる。
When the water retention of the polishing tape is 100% or less: dropping distance 130 to 150 mm When the water retention of the polishing tape is 100 to 300%: dropping distance 80 to 120 mm When the water retention of the polishing tape is 400 to 600% : Dropping distance 130 to 150 mm As described above, the polishing slurry is dropped between the polishing tape 2 and the guide roller (first guide roller 7). If the roller 7 is not in close contact with the roller 7, the polishing slurry is not sufficiently dispersed into the polishing tape and water is not sufficiently absorbed, and a normal polishing abrasive layer is not formed on the surface of the polishing tape. It will be easier.

【0036】このような不具合を防止するために、本発
明では、図1に示す如く、研磨スラリーを滴下する第1
のガイドローラ7の直下に第2のガイドローラ8を設
け、この第1のガイドローラ7の中心軸と第2のガイド
ローラ8の中心軸との距離Lを短く例えば20mm以下
とすると共に、この第1のガイドローラ7と第2のガイ
ドローラ8との間の研磨テープの水平に対する張り角度
(以下、単に「張り角度」と称す。)θを60°以下と
するのが好ましい。ここで、張り角度θは、ガイドロー
ラ8と研磨テープ2とが接する上方側の接点を通る水平
な軸をとったとき、該軸と研磨テープ2とがなす角度で
ある。
In order to prevent such a problem, in the present invention, as shown in FIG.
A second guide roller 8 is provided immediately below the guide roller 7 of the first embodiment, and the distance L between the center axis of the first guide roller 7 and the center axis of the second guide roller 8 is reduced to, for example, 20 mm or less. It is preferable that the tension angle θ of the polishing tape between the first guide roller 7 and the second guide roller 8 with respect to the horizontal (hereinafter, simply referred to as “tension angle”) is 60 ° or less. Here, the tension angle θ is an angle formed between the axis and the polishing tape 2 when a horizontal axis passing through an upper contact point where the guide roller 8 contacts the polishing tape 2 is taken.

【0037】このようにすることで、研磨テープ2と第
1のガイドローラ7とがしっかりと密着し、滴下された
研磨スラリーが研磨テープに均一に吸水、分散すること
で、研磨テープ表面に良好な研磨砥粒層が形成されるよ
うになり、コメットの発生が防止される。
In this way, the polishing tape 2 and the first guide roller 7 are firmly adhered to each other, and the dropped polishing slurry is uniformly absorbed and dispersed in the polishing tape, so that the polishing tape has a good surface. A sharp abrasive grain layer is formed, and the occurrence of comet is prevented.

【0038】上記第1のガイドローラ7の中心軸と第2
のガイドローラ8の中心軸との距離Lやこれらのガイド
ローラ7,8間の研磨テープの張り角度θを、過度に小
さくすることは装置構成上困難であることから、上記距
離Lは好ましくは13〜20mm、上記張り角度θは好
ましくは50〜60°とする。
The center axis of the first guide roller 7 and the second axis
The distance L from the center axis of the guide roller 8 and the tension angle θ of the polishing tape between the guide rollers 7 and 8 are too small in terms of the configuration of the apparatus. 13 to 20 mm, and the tension angle θ is preferably 50 to 60 °.

【0039】また、コンタクトローラ3は、その断面の
拡大図である図5に示す如く、金属製のローラ本体3A
と、この外周面に形成されたゴム層3B等の弾性材層と
で構成されるが、このローラ本体3Aの径とゴム層3B
との厚さとのバランスが良好に保たれていないと、研磨
テープ2の基板1へのタッチ力に過不足が生じ、良好な
テクスチャ加工を行えなくなる。
The contact roller 3 has a metal roller body 3A as shown in FIG.
And an elastic material layer such as a rubber layer 3B formed on the outer peripheral surface of the roller body 3A.
If the balance with the thickness of the polishing tape 2 is not kept well, the touch force of the polishing tape 2 on the substrate 1 becomes excessive or insufficient, and good texture processing cannot be performed.

【0040】本発明では、好ましくはコンタクトローラ
3の外径D1と金属製のローラ本体3Aの外径D2との比
1/D2(以下「径比D1/D2」と称す。)を1.75
〜1.85の範囲とすることで、上記タッチ力を最適範
囲に調整し、コメットを防止した上でテクスチャ加工効
果を高める。
[0040] In the present invention, referred to as preferably the outer diameter D 1 and the ratio of the outer diameter D 2 of the metal roller body 3A D 1 / D 2 (hereinafter "diameter ratio D 1 / D 2" of the contact roller 3 .) To 1.75
By setting the range of ~ 1.85, the above-mentioned touch force is adjusted to the optimum range, and the comet is prevented, and the texture processing effect is enhanced.

【0041】本発明に係るテクスチャ加工のその他の条
件について更に詳述するに、第1段のテクスチャ加工の
スラリー研削条件としては、遊離砥粒を懸濁した研磨ス
ラリーの砥粒濃度が0.01〜1.0重量%、研磨スラ
リーの供給量が9.0〜21.0ml/分、基板の回転
数が通常50〜5000回/分、好ましくは800〜1
500回/分、研磨テープの基板の径方向への往復動数
(オシレーション振動数)が50回/分以上、好ましく
は100〜5000回/分、シリンダの押付圧力が1.
0〜3.0kg/cm2、研磨時間が5〜30秒、テー
プの送り速度が1〜10mm/秒の範囲内である。
The other conditions of the texturing according to the present invention will be described in more detail. The slurry grinding conditions for the first-stage texturing are as follows. 1.0 to 2% by weight, the supply amount of the polishing slurry is 9.0 to 21.0 ml / min, and the number of rotations of the substrate is usually 50 to 5000 times / min, preferably 800 to 1 / min.
The number of reciprocations (oscillation frequency) of the polishing tape in the radial direction of the polishing tape is 500 times / minute or more, preferably 100 to 5000 times / minute, and the pressing pressure of the cylinder is 1.
0 to 3.0 kg / cm 2 , the polishing time is 5 to 30 seconds, and the tape feeding speed is in the range of 1 to 10 mm / sec.

【0042】本発明においては、上記第1段のテクスチ
ャ加工を施すことにより、基板表面の平均粗さRaが3
0Å以下で、最大突起高さRpが300Å以下の凹凸を
形成し、かつ、形成された条痕の交差する角度(クロス
角度)が0.5〜40°、好ましくは1〜10°の条痕
パターンの表面形状を、基板表面に形成するのが望まし
い。なお、ここで基板の表面形状は、JIS表面粗さ
(B0601)により規定された定義を用いる。
In the present invention, by performing the first-stage texture processing, the average roughness Ra of the substrate surface is 3
At 0 ° or less, irregularities having a maximum protrusion height Rp of 300 ° or less are formed, and the formed lines cross at an angle (cross angle) of 0.5 to 40 °, preferably 1 to 10 °. It is desirable to form the surface shape of the pattern on the substrate surface. Here, the definition of the surface shape of the substrate is defined by JIS surface roughness (B0601).

【0043】このような表面平均粗さRa及び最大突起
高さRpは、上記スラリー研削条件、特に砥粒径、基板
回転数、テープ送り速度、研磨テープの往復動数(オシ
レーション振動数)、シリンダの押付圧力、研磨時間を
上記範囲内で適宜調整することにより達成できる。
The surface average roughness Ra and the maximum protrusion height Rp are determined by the above-mentioned slurry grinding conditions, particularly the abrasive grain size, the substrate rotation speed, the tape feed speed, the reciprocating number of the polishing tape (oscillation frequency), This can be achieved by appropriately adjusting the pressing pressure of the cylinder and the polishing time within the above ranges.

【0044】一方、テクスチャの条痕が交差する角度
(クロス角度)は、特に基板回転数と研磨テープの往復
動数(オシレーション振動数)を上記範囲内で調整する
ことにより達成することができる。
On the other hand, the angle at which the texture streaks intersect (cross angle) can be achieved by adjusting the number of rotations of the substrate and the number of reciprocating movements of the polishing tape (oscillation frequency) in the above range. .

【0045】第1段のテクスチャ加工の研磨テープとし
ては、例えばナイロン、アクリル、セルロース、ポリエ
ステル、レーヨン、或いはこれらを組み合わせた材質よ
りなる不織布テープ、織布テープが用いられる。
As the first-stage textured polishing tape, for example, a non-woven fabric tape or a woven fabric tape made of nylon, acrylic, cellulose, polyester, rayon, or a combination thereof is used.

【0046】また、研磨テープと共に用いる遊離砥粒と
しては、例えば、WA(ホワイトアルミナ)系、SiC
(シリコンカーバイト)系、ダイヤモンド系等を用いる
ことができ、砥粒径0.01〜10μmの砥粒が好適に
用いられる。このような遊離砥粒は、液体(水又は水を
ベースとする液体)中に分散剤と共に懸濁させた研磨ス
ラリーとして用いられる。
Examples of the free abrasive used together with the polishing tape include WA (white alumina), SiC
A (silicon carbide) -based or diamond-based abrasive can be used, and abrasive grains having an abrasive particle diameter of 0.01 to 10 μm are preferably used. Such loose abrasives are used as a polishing slurry suspended in a liquid (water or water-based liquid) with a dispersant.

【0047】上記テクスチャ加工後の基板表面に、更に
第2段のテクスチャ仕上げ加工処理を施してもよく、こ
れにより浮上特性等を更に改善することができる。この
第2段のテクスチャ仕上げ加工の処理方法は特に限定さ
れるものではなく、WA系、GC(グリーンカーボン)
系等の固定砥粒式の研磨テープ、又はWA系、SiC
系、ダイヤモンド等の遊離砥粒を用いた研磨テープ等が
使用される。
The textured substrate surface may be further subjected to a second-stage texture finishing process, whereby the floating characteristics and the like can be further improved. The processing method of the second-stage texture finishing is not particularly limited, and may be WA-based, GC (green carbon).
-Type abrasive tape of fixed abrasive type, or WA-type, SiC
A polishing tape or the like using free abrasive grains such as a system or diamond is used.

【0048】第2段のテクスチャ仕上げ加工処理は、上
記第1段のテクスチャ加工処理において形成された、表
面平均粗さRaやクロス角度を実質的に変化させること
なく、基板表面のバリやカエリ等の突起を研磨により選
択的に除去し、該表面の最大突起高さRpを30〜25
0Å、望ましくは30〜100Å程度とするように実施
される。
The second-stage texture finishing process is performed without substantially changing the surface average roughness Ra or the cross angle formed in the first-stage texture processing process. Are selectively removed by polishing, and the maximum projection height Rp of the surface is 30 to 25.
0 °, preferably about 30-100 °.

【0049】第2段のテクスチャ仕上げ加工処理として
遊離砥粒と研磨テープとを用いる場合、研磨テープとし
てはセルロース、ナイロン、レーヨン等の不織布テープ
及び織布テープが好適に用いられ、また遊離砥粒として
は例えば、砥粒径0.1〜6μmのWA系、SiC系、
ダイヤ系等の砥粒が用いられ、水をベースとする液体中
に分散剤と共に懸濁させた液体スラリーの形態で用いら
れる。第2段のテクスチャ装置としては図1に示したも
のと同様の装置が用いられる。第2段のテクスチャ加工
におけるスラリー研削条件としては、特に制限されるも
のではなく、通常、研磨スラリーの砥粒濃度0.01〜
5.0重量%、研磨スラリーの供給量9.0〜21.0
ml/分、基板回転数50〜300rpm、研磨テープ
の往復動数(オシレーション振動数)50〜400回/
分、シリンダの押付圧力1.0〜3.0kg/cm2
研磨時間3〜30秒、テープの送り速度0.5〜5mm
/秒の範囲内で実施される。
In the case where free abrasive grains and a polishing tape are used in the second stage of the texture finishing treatment, non-woven tapes and woven tapes such as cellulose, nylon and rayon are preferably used as the polishing tape. For example, a WA-based or SiC-based abrasive having an abrasive particle size of 0.1 to 6 μm,
A diamond-based abrasive or the like is used, and is used in the form of a liquid slurry suspended in a water-based liquid together with a dispersant. As the second stage texture device, the same device as that shown in FIG. 1 is used. The slurry grinding conditions in the second-stage texture processing are not particularly limited, and usually, the abrasive grain concentration of the polishing slurry is 0.01 to 0.01.
5.0% by weight, supply amount of polishing slurry 9.0 to 21.0
ml / min, substrate rotation speed 50 to 300 rpm, polishing tape reciprocating frequency (oscillation frequency) 50 to 400 times /
Minute, cylinder pressing pressure 1.0-3.0 kg / cm 2 ,
Polishing time 3-30 seconds, tape feed rate 0.5-5mm
Per second.

【0050】このようなテクスチャ加工を施した後は常
法に従って洗浄、乾燥し、下地層、磁性層及び保護層を
形成して磁気ディスクを製造する。
After performing such a texture processing, the magnetic disk is manufactured by washing and drying according to a conventional method to form an underlayer, a magnetic layer and a protective layer.

【0051】下地層は、通常の場合、Crをスパッタリ
ングして形成する。このCr下地層の膜厚は通常50〜
2000Åの範囲とされる。
The underlayer is usually formed by sputtering Cr. The thickness of the Cr underlayer is usually 50 to
The range is 2000 mm.

【0052】磁性層としては、Co−Cr,Co−N
i、或いは、Co−Cr−X,Co−Ni−X,Co−
W−X等で表わされるCo系合金の薄膜層が好適であ
る。なお、ここでXとしては、Li,Si,Ca,T
i,V,Cr,Ni,As,Y,Zr,Nb,Mo,R
u,Rh,Ag,Sb,Hf,Ta,W,Re,Os,
Ir,Pt,Au,La,Ce,Pr,Nd,Pm,S
m、及び、Euよりなる群から選ばれる1種又は2種以
上の元素が挙げられる。
As the magnetic layer, Co—Cr, Co—N
i, or Co-Cr-X, Co-Ni-X, Co-
A thin film layer of a Co-based alloy represented by WX or the like is preferable. Here, X is Li, Si, Ca, T
i, V, Cr, Ni, As, Y, Zr, Nb, Mo, R
u, Rh, Ag, Sb, Hf, Ta, W, Re, Os,
Ir, Pt, Au, La, Ce, Pr, Nd, Pm, S
m and one or more elements selected from the group consisting of Eu.

【0053】このようなCo系合金からなる磁性層は、
通常、スパッタリング等の手段によって基板の下地層上
に被着形成され、その膜厚は、通常、100〜1000
Åの範囲とされる。
The magnetic layer made of such a Co-based alloy is
Usually, it is formed on the base layer of the substrate by means such as sputtering.
範 囲 range.

【0054】この磁性層上に形成される保護層としては
炭素質膜が好ましく、炭素質保護層は、通常、アルゴ
ン、He等の希ガスの雰囲気下又は少量の水素の存在下
で、カーボンをターゲットとしてスパッタリングにより
アモルフィス状カーボン膜や水素化カーボン膜として被
着形成される。この保護層の膜厚は、通常、50〜50
0Åの範囲とされる。なお、保護層上に、摩擦係数を小
さくするために、更に潤滑膜を形成しても良い。
As the protective layer formed on the magnetic layer, a carbonaceous film is preferable. The carbonaceous protective layer is usually made of carbon under an atmosphere of a rare gas such as argon or He or in the presence of a small amount of hydrogen. A target is formed by sputtering as an amorphous carbon film or a hydrogenated carbon film. The thickness of the protective layer is usually 50 to 50.
0 ° range. Note that a lubricating film may be further formed on the protective layer in order to reduce the coefficient of friction.

【0055】[0055]

【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples unless it exceeds the gist thereof.

【0056】なお、以下において、用いた研磨テープの
材質と保水率は次の通りである。
In the following, the material and the water retention of the used polishing tape are as follows.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】実施例1 アルミニウム合金基板の表面にNi−P合金メッキ層を
形成した後、ポリッシュ加工を施した磁気ディスク用基
板(直径95mm)を、図1に示す装置により本発明に
従ってテクスチャ加工した。第1段のテクスチャ加工及
び第2段のテクスチャ加工の処理条件は次の通りであ
る。なお、図1において、第1のガイドローラ7の中心
軸と第2のガイドローラ8の中心軸との距離Lは20m
mとし、この第1,第2のガイドローラ7,8間の研磨
テープの張り角度θは、60°とした。また、コンタク
トローラとしては、径比D1/D2=1.75のものを用
いた。また、研磨スラリーの滴下距離は、10〜200
mmの間で変えた。
Example 1 After a Ni-P alloy plating layer was formed on the surface of an aluminum alloy substrate, a polished magnetic disk substrate (diameter: 95 mm) was textured by the apparatus shown in FIG. 1 according to the present invention. . The processing conditions of the first-stage texture processing and the second-stage texture processing are as follows. In FIG. 1, the distance L between the center axis of the first guide roller 7 and the center axis of the second guide roller 8 is 20 m.
m, and the tension angle θ of the polishing tape between the first and second guide rollers 7 and 8 was 60 °. As the contact roller, a roller having a diameter ratio D 1 / D 2 = 1.75 was used. The dropping distance of the polishing slurry is 10 to 200.
mm.

【0059】第1段のテクスチャ加工(4本の研磨テー
プ共通) 基板回転数:1200rpm 研磨スラリー:平均粒径0.10μmのダイヤモンド系
砥粒の0.08重量%水スラリー 研磨スラリー供給量:576ml/分 研磨テープ:研磨テープNo.II(織布テープ) 研磨テープ送り速度:2mm/秒 研磨テープのオシレーション振動数:1900回/分 シリンダの押付圧力:2.0kg/cm2 研磨時間:研削速度に応じて5〜20秒第2段のテクスチャ加工 基板回転数:1200rpm 研磨スラリー:水(砥粒含有せず) 研磨スラリー供給量:576ml/分 研磨テープ材質:研磨テープNo.II 研磨テープ送り速度:2mm/秒 研磨テープのオシレーション振動数:1900回/分 シリンダの押付圧力:2.0kg/cm2 研磨時間:研削速度に応じて5〜20秒 上記テクスチャ加工は、第1段のテクスチャ加工によ
り、クロス角度30°の条痕パターンを形成し、基板の
表面粗さ(Ra)50Å、最大突起高さRp250Åと
し、第2段のテクスチャ加工によりこのRaやクロス角
度を実質的に変えることなく、Rp200Åとするもの
である。
The first stage of texturing (four polishing tables)
Flop common) substrate rotational frequency: 1200 rpm Polishing Slurry: average particle diamond system size 0.10μm abrasive 0.08 wt% aqueous slurry polishing slurry supply amount: 576ml / min Polishing tape: abrasive tape No. II (woven tape) polishing tape feed speed: 2 mm / sec oscillation frequency of the abrasive tape: 1900 times / min cylinder pressing pressure: 2.0 kg / cm 2 Polishing time: first according to the grinding speed 5 to 20 seconds Number of rotations of textured substrate in two stages : 1200 rpm Polishing slurry: water (does not contain abrasive grains) Polishing slurry supply: 576 ml / min. II Polishing tape feed speed: 2 mm / sec Oscillation frequency of polishing tape: 1900 times / min Cylinder pressing pressure: 2.0 kg / cm 2 Polishing time: 5 to 20 seconds depending on grinding speed A streak pattern having a cross angle of 30 ° is formed by one-stage texture processing, and the surface roughness (Ra) of the substrate is set to 50 ° and the maximum projection height Rp is set to 250 °. Rp 200 ° without any change.

【0060】テクスチャ加工後の基板について、研磨ス
ラリーの滴下距離に対するコメット発生数及び研削速度
を調べ、結果を図3,4にそれぞれ示した。
With respect to the substrate after the texture processing, the number of comets generated and the grinding speed with respect to the dropping distance of the polishing slurry were examined, and the results are shown in FIGS.

【0061】実施例2 実施例1において、ウレタンロールを使用し、第1段の
テクスチャ加工の研磨テープとして研磨テープNo.I
〜IIIをそれぞれ用いたこと以外は同様に行って、研磨
スラリーの滴下距離の最適位を求め、結果を図2に示し
た。
Example 2 In Example 1, a polishing tape No. 1 was used as a first-stage textured polishing tape using a urethane roll. I
In the same manner as above except that each of Nos. To III was used, the optimum position of the dropping distance of the polishing slurry was obtained, and the results are shown in FIG.

【0062】図2より、研磨テープの保水率が高いほ
ど、研磨スラリーの滴下位置をコンタクトローラ寄りに
する方が好ましく、逆に、研磨テープの保水率が小さい
場合には、研磨スラリーの滴下位置をコンタクトローラ
から遠くするのが好ましいことがわかる。
From FIG. 2, it is preferable that the higher the water retention of the polishing tape is, the more the polishing slurry dropping position is closer to the contact roller. Conversely, if the water retention of the polishing tape is low, the polishing slurry is dropped. It is understood that it is preferable to make the distance from the contact roller.

【0063】実施例3〜5,比較例1,2 実施例1において、第1段のテクスチャ加工の研磨テー
プとして研磨テープNo.IIを用い、研磨スラリーの滴
下距離をこの研磨テープに最適な100mmとし、第1
のガイドローラ7の中心軸と第2のガイドローラ8の中
心軸との距離L及び第1,第2のガイドローラ7,8間
の研磨テープの張り角度θを表2に示す通り、種々変更
したこと以外は同様にしてテクスチャ加工を行い、テク
スチャ加工後の基板について、コメット発生数を調べ、
結果を表2に示した。
Examples 3 to 5, Comparative Examples 1 and 2 In Example 1, polishing tape No. 1 was used as the first-stage textured polishing tape. Using II, the dropping distance of the polishing slurry was set to 100 mm, which is optimal for this polishing tape.
The distance L between the center axis of the guide roller 7 and the center axis of the second guide roller 8 and the tension angle θ of the polishing tape between the first and second guide rollers 7 and 8 are variously changed as shown in Table 2. Texture processing was performed in the same manner except that the number of comet occurrences was examined for the substrate after the texture processing.
The results are shown in Table 2.

【0064】[0064]

【表2】 [Table 2]

【0065】表2より、ガイドローラ間距離Lは20m
m以下、研磨テープ張り角度θは60°以下が好適であ
ることがわかる。
According to Table 2, the distance L between the guide rollers is 20 m.
m or less, and the polishing tape tension angle θ is preferably 60 ° or less.

【0066】実施例6〜8,比較例3〜5 実施例1において、第1段のテクスチャ加工の研磨テー
プとして研磨テープNo.IIを用い、研磨スラリーの滴
下距離をこの研磨テープに最適な100mmとし、表3
に示す径比D1/D2のコンタクトローラを用いたこと以
外は同様にしてテクスチャ加工を行い、テクスチャ加工
後の基板についてコメット発生数を調べ、結果を表3に
示した。
Examples 6 to 8 and Comparative Examples 3 to 5 In Example 1, the polishing tape No. 1 was used as the first-stage textured polishing tape. Using II, the dropping distance of the polishing slurry was set to 100 mm, which is optimal for this polishing tape.
The texture processing was performed in the same manner except that a contact roller having a diameter ratio D 1 / D 2 was used, and the number of comets generated on the substrate after the texture processing was examined. The results are shown in Table 3.

【0067】[0067]

【表3】 [Table 3]

【0068】表3より、コンタクトローラの径比D1
2は1.75〜1.85が好適であることがわかる。
According to Table 3, the diameter ratio D 1 /
D 2 it can be seen that 1.75 to 1.85 is preferable.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気ディス
ク用基板のテクスチャ加工方法によれば、テクスチャ加
工時のコメットの発生を防止して、良好なテクスチャ加
工を行うことができる。このため、本発明の方法に従っ
てテクスチャ加工を施すことにより、磁気ディスク用基
板の表面特性を有効に改善し、浮上特性及び耐摩耗特性
に優れ、良好な磁気特性を有する磁気ディスクを高い製
品歩留りで製造することが可能となる。
As described in detail above, according to the method for texturing a magnetic disk substrate of the present invention, it is possible to prevent the occurrence of comet during texturing and to perform good texturing. For this reason, by performing texture processing according to the method of the present invention, the surface characteristics of the magnetic disk substrate are effectively improved, and the magnetic disk having excellent flying characteristics and abrasion resistance characteristics and excellent magnetic characteristics is obtained with a high product yield. It can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)は本発明のスラリー研削によるテク
スチャ加工方法の実施の形態を説明する概略的な平面図
であり、図1(b)は同側面図である。
FIG. 1A is a schematic plan view illustrating an embodiment of a texture processing method by slurry grinding according to the present invention, and FIG. 1B is a side view of the same.

【図2】研磨テープ保水率と研磨スラリー滴下距離との
関係を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing a relationship between a water retention rate of a polishing tape and a polishing slurry dropping distance.

【図3】コメット発生数と研磨スラリー滴下距離との関
係を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the number of comets generated and the polishing slurry dropping distance.

【図4】研削速度と研磨スラリー滴下距離との関係を示
すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a relationship between a grinding speed and a polishing slurry dropping distance.

【図5】コンタクトローラの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a contact roller.

【図6】図6(a)は従来のスラリー研削によるテクス
チャ加工方法を説明する概略的な平面図であり、図6
(b)は同側面図である。
FIG. 6 (a) is a schematic plan view for explaining a conventional texture processing method by slurry grinding.
(B) is the same side view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 磁気ディスク用基板 2 研磨テープ 3 コンタクトローラ 3A ローラ本体 3B ゴム層 4 研磨液ノズル 5,6,7,8 ガイドローラ Reference Signs List 1 magnetic disk substrate 2 polishing tape 3 contact roller 3A roller body 3B rubber layer 4 polishing liquid nozzle 5, 6, 7, 8 guide roller

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気ディスク用基板の表面を遊離砥粒を
懸濁させた研磨スラリーと研磨テープとを用いてスラリ
ー研削することによりテクスチャ加工を施す方法であっ
て、該研磨テープの保水率に応じて、該研磨テープに前
記研磨スラリーを滴下する位置を調整することを特徴と
する磁気ディスク用基板のテクスチャ加工方法。
1. A method for performing a texturing process by subjecting a surface of a magnetic disk substrate to a slurry polishing using a polishing slurry in which free abrasive grains are suspended and a polishing tape, wherein the water retention of the polishing tape is reduced. A method for texturing a substrate for a magnetic disk, comprising: adjusting a position at which the polishing slurry is dropped onto the polishing tape accordingly.
【請求項2】 請求項1の方法において、該研磨テープ
を第1のガイドローラと該第1のガイドローラの直下に
設けた第2のガイドローラとで案内するようにした方法
であって、該第1のガイドローラの上側にて前記研磨ス
ラリーを滴下し、該第1のガイドローラと第2のガイド
ローラとの中心軸の距離を20mm以下とし、該第1の
ガイドローラと第2のガイドローラとの間の研磨テープ
の水平に対する張り角度を60°以下とすることを特徴
とする磁気ディスク用基板のテクスチャ加工方法。
2. The method according to claim 1, wherein the polishing tape is guided by a first guide roller and a second guide roller provided immediately below the first guide roller. The polishing slurry is dropped on the upper side of the first guide roller, the distance between the center axis of the first guide roller and the second guide roller is set to 20 mm or less, and the distance between the first guide roller and the second guide roller is reduced. A method for texturing a substrate for a magnetic disk, wherein a tension angle between a polishing roller and a guide roller with respect to a horizontal direction is 60 ° or less.
【請求項3】 請求項1又は2の方法において、研磨テ
ープを磁気ディスク用基板に押圧するコンタクトローラ
として、金属製のローラ本体の外周面に弾性材よりなる
表面層が形成されたローラを用いる方法であって、該コ
ンタクトローラの外径D1と金属製のローラ本体の外径
2との比D1/D2が1.75〜1.85であることを
特徴とする磁気ディスク用基板のテクスチャ加工方法。
3. The method according to claim 1, wherein a roller having a surface layer made of an elastic material formed on an outer peripheral surface of a metal roller body is used as the contact roller for pressing the polishing tape against the magnetic disk substrate. a method, for a magnetic disk ratio D 1 / D 2 between the outer diameter D 2 of the outer diameter D 1 and the metallic roller body of the contact roller, characterized in that a 1.75 to 1.85 Substrate texture processing method.
JP7941098A 1998-03-26 1998-03-26 Texturing method of magnetic disk substrate Pending JPH11273063A (en)

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