JPH11271020A - Interference microscope apparatus - Google Patents

Interference microscope apparatus

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JPH11271020A
JPH11271020A JP7760898A JP7760898A JPH11271020A JP H11271020 A JPH11271020 A JP H11271020A JP 7760898 A JP7760898 A JP 7760898A JP 7760898 A JP7760898 A JP 7760898A JP H11271020 A JPH11271020 A JP H11271020A
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JP
Japan
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light
laser
interference
image
observation object
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7760898A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Eda
幸夫 江田
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11271020A publication Critical patent/JPH11271020A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an uneven image of an observation object surface, without mechanically moving a reference mirror. SOLUTION: A semiconductor laser capable of wavelength sweeping is used as a laser light source 1. A fringe scan control part 16 outputs a fringe scan signal generating phase change between an object light and a reference light to a laser control part 17, which controls the laser light source 1. Since the phase of a reference light 34 can be changed, it is unnecessary to move a reference mirror, and unevenness of an observation object surface 4 can be observed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光を用いて観察物
体面の凹凸を画像化する干渉顕微鏡装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an interference microscope apparatus for imaging irregularities on an observation object surface using light.

【0002】[0002]

【従来の技術】物体光と参照光を干渉させ、その光の位
相を利用して観察物体面の凹凸を観察する従来の装置と
しては、V.R.Tychinsky,I.N.Mas
alov,V.L.Pankov and D.V.U
blinsky:OPTICSComm.,Vol.7
4,(1989),pp.37−40.に記載された位
相干渉顕微鏡装置が知られている。
2. Description of the Related Art A conventional apparatus for causing an object light and a reference light to interfere with each other and observing irregularities on an observation object surface by using the phase of the light is disclosed in V.S. R. Tychinsky, I .; N. Mas
alov, V .; L. Pankov and D.C. V. U
Blinsky: OPTICSComm. , Vol. 7
4, (1989), p. 37-40. Is known.

【0003】図4は、この位相干渉顕微鏡装置を示し、
コヒーレントな一定の波長の平面波を発生するレーザ発
振器221と、レーザ発振器221から発生したレーザ
光を物体光240と参照光250とに分割するハーフミ
ラー222とが設けられている。ハーフミラー222で
反射された物体光240の光路内には第1のレンズ22
3が配置され、物体光240は第1のレンズ223を通
って観察物体224に入射する。観察物体224に入射
した物体光240が観察物体224の表面で反射し、再
び第1のレンズ223を通った反射光260の光路内に
は、第3のレンズ230を介して反射光が入射する例え
ばCCDのような光検出器225が設けられている。
FIG. 4 shows this phase interference microscope apparatus.
A laser oscillator 221 that generates a coherent plane wave of a constant wavelength, and a half mirror 222 that splits a laser beam generated from the laser oscillator 221 into an object beam 240 and a reference beam 250 are provided. The first lens 22 is located in the optical path of the object light 240 reflected by the half mirror 222.
The object light 240 is incident on the observation object 224 through the first lens 223. The object light 240 incident on the observation object 224 is reflected on the surface of the observation object 224, and the reflected light enters the optical path of the reflected light 260 that has passed through the first lens 223 again via the third lens 230. For example, a photodetector 225 such as a CCD is provided.

【0004】一方、ハーフミラー222を透過した参照
光250の光路内には第2のレンズ226が配置され、
参照光250は第2のレンズ226を通って基準平面ミ
ラー227に入射する。そして、基準平面ミラー227
で反射した参照光は、再び第2のレンズ226を通って
ハーフミラー222で反射され、光検出器225に入射
する。
On the other hand, a second lens 226 is disposed in the optical path of the reference light 250 transmitted through the half mirror 222,
The reference light 250 enters the reference plane mirror 227 through the second lens 226. Then, the reference plane mirror 227
Is reflected by the half mirror 222 again through the second lens 226, and enters the photodetector 225.

【0005】光検出器225は観察物体224の反射光
である物体光と基準平面ミラー227の反射光である参
照光が干渉した信号を検出する。この光検出器225に
は光検出器225で検出した結果を記憶するメモリ22
8が接続され、このメモリ228にはコンピュータ22
9が接続されている。コンピュータ229はメモリ22
8の干渉強度から位相像を算出する。
The photodetector 225 detects a signal in which object light, which is reflected light of the observation object 224, and reference light, which is reflected light of the reference plane mirror 227, interfere with each other. The photodetector 225 has a memory 22 for storing a result detected by the photodetector 225.
8 is connected to the memory 228 and the computer 22
9 is connected. The computer 229 has the memory 22
8, a phase image is calculated from the interference intensity.

【0006】このとき、レーザー発振器221が発生さ
せるレーザ光の波長をλ、位相の分解能をmとすると、
観察物体224の表面の凹凸の分解能Dは以下の式で求
められる。 D=m・λ/4π
At this time, if the wavelength of the laser beam generated by the laser oscillator 221 is λ and the phase resolution is m,
The resolution D of the irregularities on the surface of the observation object 224 is obtained by the following equation. D = m · λ / 4π

【0007】上式において、波長λ=633nm、位相
の分解能m=5°のときの凹凸の分解能は、D=4nm
となり、凹凸の分解能は非常に高くなる。観察物体22
4の表面に垂直な方向をZ軸、観察物体224の表面に
対して平行な2方向をX,Y軸とした場合、この方法で
はZ軸方向の分解能は非常に高くなるが、X,Y方向の
分解能は通常の光学顕微鏡と同じレーザ光の波長λ程度
の分解能となる。
In the above equation, when the wavelength λ = 633 nm and the phase resolution m = 5 °, the resolution of the unevenness is D = 4 nm
And the resolution of the unevenness becomes very high. Observation object 22
In the case where the direction perpendicular to the surface of No. 4 is the Z axis and the two directions parallel to the surface of the observation object 224 are the X and Y axes, the resolution in the Z axis direction is very high in this method. The resolution in the direction is the same as that of a normal optical microscope, which is about the wavelength λ of laser light.

【0008】このようなX,Y方向の分解能を高めるた
め、V.R.Tychinsky:OPTICS Co
mm.,Vol.74,(1989),pp.41−4
5に記載されているような位相を用いる方法が提案され
ている。この方法は、参照光を基準平面ミラー227で
反射させ、その位相を基準として観察物体224の位相
を測定するものである。この位相を得るためには、波長
の1/2の距離内を4〜5分割した距離分だけ基準平面
ミラー227を動かし、複数枚の干渉画像を得て、観察
物体は凹凸を位相像として測定する。次に、この計算の
最も基本的な方法の概略を説明する。
In order to increase the resolution in the X and Y directions, V.V. R. Tychinsky: OPTICS Co
mm. , Vol. 74, (1989), p. 41-4
A method using a phase as described in No. 5 has been proposed. In this method, the reference light is reflected by the reference plane mirror 227, and the phase of the observation object 224 is measured with reference to the phase. In order to obtain this phase, the reference plane mirror 227 is moved by a distance obtained by dividing the distance of 波長 of the wavelength by 4 to 5 to obtain a plurality of interference images. I do. Next, an outline of the most basic method of this calculation will be described.

【0009】光検出器225としてCCDからなる撮像
素子を使用した場合、このCCD上のある1つの画素は
観察物体上のある点(x,y)に対応している。基準平
面ミラー227の移動による参照光の位相変化をαと
し、観察物体224で反射した光の位相をθとする。観
察物体224のCCDの各画素の干渉光の強度Iは、参
照光の強度Ir、物体光の強度Imとして、式1から得
られる。 I=Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ+α)…式(1) この式において、γは0≦γ≦1の定数である。
In the case where an image pickup device comprising a CCD is used as the photodetector 225, one pixel on the CCD corresponds to a point (x, y) on the observation object. The phase change of the reference light due to the movement of the reference plane mirror 227 is α, and the phase of the light reflected by the observation object 224 is θ. The intensity I of the interference light of each pixel of the CCD of the observation object 224 is obtained from Expression 1 as the intensity Ir of the reference light and the intensity Im of the object light. I = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ + α) (1) In this expression, γ is a constant satisfying 0 ≦ γ ≦ 1.

【0010】例えば、基準平面ミラー227を移動させ
て、α=0、90、180、270°の位相変化を与え
た時の各位相変化に対する干渉光の強度I(α)は、そ
れぞれ式(2)〜式(5)となる。 I(0)=Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ+0) =Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(0)…式(2) I(90)=Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ+90) =Ir+Im−γ2(Im/Ir)1/2・sin(θ)…式(3) I(180)=Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ+180) =Ir+Im−γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ)…式(4) I(270)=Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ+270) =Ir+Im+γ2(Im/Ir)1/2・sin(θ)…式(5)
For example, when the reference plane mirror 227 is moved to give a phase change of α = 0, 90, 180, 270 °, the intensity I (α) of the interference light with respect to each phase change is given by the following equation (2). ) To (5). I (0) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ + 0) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (0) Equation (2) I (90) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ + 90) = Ir + Im−γ2 (Im / Ir) 1/2 · sin (θ) Equation (3) I (180) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ + 180) = Ir + Im−γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ) Equation (4) I (270) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2 · cos (θ + 270) = Ir + Im + γ2 (Im / Ir) 1/2・ Sin (θ) ... Equation (5)

【0011】ここで、cos成分である式(2)−式
(4)及びsin成分である式(5)−式(3)を計算
すると、 cos成分は、2・γ2(Im/Ir)1/2・cos(θ)…式(6) sin成分は、2・γ2(Im/Ir)1/2・sin(θ)…式(7) となる。従って、 sin成分/cos成分=sin(θ)/cos(θ)
=tan(θ) となる。以上の式を整理すると、式(8)が得られる。 tan(θ)=(I(270)−I(90))/(I(0)−I(180)) …式(8)
Here, when the equations (2)-(4), which is the cos component, and the equations (5)-(3), which are the sin components, are calculated, the cos component is 2 · γ2 (Im / Ir) 1 / 2 · cos (θ) Expression (6) The sin component is given by 2 · γ2 (Im / Ir) 1/2 · sin (θ) Expression (7). Therefore, sin component / cos component = sin (θ) / cos (θ)
= Tan (θ). By rearranging the above equations, equation (8) is obtained. tan (θ) = (I (270) −I (90)) / (I (0) −I (180)) Equation (8)

【0012】式(8)から、観察物体224の凹凸を反
映した各CCD画素ごとの位相がえられる。これは2次
元で考えれば観察物体224の凹凸を反映した位相像が
得られたことにほかならない。
From equation (8), the phase of each CCD pixel reflecting the unevenness of the observation object 224 is obtained. This is nothing but the fact that a two-dimensional phase image reflecting the unevenness of the observation object 224 is obtained.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常用
いる波長λは0.5μm程度であるところから、1回の
画像ごとの基準平面ミラー227の移動距離は0.05
μmと非常に微小な距離となる。正確に位相像を取るた
めには、この微小距離を正確に移動させる必要がある
が、これを実現するに圧電素子を利用したステージ(ピ
エゾステージ)などの高価なステージを使用する必要が
ある。ところが、位相像の測定中は機械的な振動を極力
避ける必要があり、上述のような高価なステージなどの
移動機構を用いても測定することが困難となっている。
However, since the wavelength λ normally used is about 0.5 μm, the moving distance of the reference plane mirror 227 for one image is 0.05.
It is a very small distance of μm. In order to accurately obtain a phase image, it is necessary to move this minute distance accurately, but to achieve this, it is necessary to use an expensive stage such as a stage using a piezoelectric element (piezo stage). However, during the measurement of the phase image, it is necessary to avoid mechanical vibrations as much as possible, and it is difficult to perform the measurement using a moving mechanism such as an expensive stage as described above.

【0014】本発明は、このような従来の問題点を考慮
してなされたものであり、ステージなどの移動機構を不
要とした構造であっても、観察観察面の凹凸を確実に求
めることができる干渉顕微鏡装置を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in consideration of such a conventional problem, and it is possible to reliably obtain the unevenness of the observation observation surface even in a structure that does not require a moving mechanism such as a stage. It is an object of the present invention to provide an interference microscope device capable of performing the above.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、波長が掃引可能なレーザ光源
と、このレーザ光源の波長掃引を制御するレーザ制御部
と、前記レーザ光源から射出したレーザ光を物体光と参
照光とに分割する光分割手段と、前記物体光が照射され
る観察物体面と、この観察物体面に前記物体光を照射す
る物体光照射手段と、前記光分割手段との距離が前記観
察物体面と光分割手段との距離と異なる位置に配置さ
れ、前記参照光が照射される基準ミラーと、この基準ミ
ラーに前記参照光を結像する参照光照射手段と、前記観
察物体面で反射した物体光及び前記基準ミラーで反射し
た参照光が前記光分割手段で合成された干渉光を照射さ
せる干渉光結像手段と、この干渉光結像手段の結像位置
に設置される撮像素子と、前記物体光と参照光との間に
所望の位相変化を与えるフリンジスキャン出力信号を前
記レーザ制御部に出力するフリンジスキャン制御部と、
このフリンジスキャン制御部に所望の複数の位相変化を
指令し、その複数の位相変化のそれぞれに対応する画像
を前記撮像素子から取り込む演算制御手段と、この演算
制御手段で得られた複数の画像を記憶する画像メモリ
と、この画像メモリに記憶された複数の画像から前記観
察物体面の凹凸に対応する位相像を演算する位相像演算
手段と、を備えていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention is directed to a laser light source capable of sweeping a wavelength, a laser controller for controlling a wavelength sweep of the laser light source, and a laser light source. Light splitting means for splitting the emitted laser light into object light and reference light, an observation object surface irradiated with the object light, object light irradiation means for irradiating the observation object surface with the object light, and the light A reference mirror whose distance to the splitting unit is different from the distance between the observation object surface and the light splitting unit, and which is irradiated with the reference light; and a reference light irradiating unit which forms the reference light on the reference mirror. Interference light imaging means for irradiating the object light reflected on the observation object surface and the reference light reflected on the reference mirror with interference light synthesized by the light splitting means, and imaging of the interference light imaging means With the image sensor installed at the position A fringe scanning control unit for outputting a fringe scan output signal to provide a desired phase change between the reference beam and the object beam to the laser control unit,
A plurality of desired phase changes are instructed to the fringe scan control unit, an arithmetic control unit that captures images corresponding to each of the plurality of phase changes from the image sensor, and a plurality of images obtained by the arithmetic control unit. It is characterized by comprising an image memory for storing, and a phase image calculating means for calculating a phase image corresponding to the unevenness of the observation object surface from a plurality of images stored in the image memory.

【0016】この発明では、演算制御手段がフリンジス
キャン制御部に対して位相変化を指令することにより、
フリンジスキャン制御部はフリンジスキャン出力信号を
レーザ制御部に出力する。これによりレーザ制御部は、
物体光と干渉光との間に位相変化ができるようにレーザ
光源からのレーザ光の波長を掃引する。従って、基準ミ
ラーをXY方向に移動させることなく、位相像を測定す
ることができる。このため、ステージなどの移動機構が
不要であっても、観察物体面の凹凸を画像化することが
できる。
According to the present invention, the arithmetic control means instructs the fringe scan control section to change the phase,
The fringe scan control unit outputs a fringe scan output signal to the laser control unit. This allows the laser control unit to:
The wavelength of the laser light from the laser light source is swept so as to change the phase between the object light and the interference light. Therefore, the phase image can be measured without moving the reference mirror in the X and Y directions. For this reason, even if a moving mechanism such as a stage is unnecessary, it is possible to image the unevenness of the observation object surface.

【0017】請求項2の発明は、請求項1記載の発明で
あって、前記干渉光を分割する干渉光分割手段が前記光
分割手段と前記干渉光結像手段との間に配置され、この
干渉光分割手段で分割された分割干渉光の光路内に、当
該分割干渉光を検出する光検出器及びこの光検出器で検
出される分割干渉光の位相変化と前記フリンジスキャン
出力信号との間の比例係数を予め検出し記憶して前記フ
リンジスキャン制御部に出力する比例係数検出部が配置
されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, an interference light splitting means for splitting the interference light is disposed between the light splitting means and the interference light imaging means. In the optical path of the split interference light split by the interference light splitting means, a photodetector that detects the split interference light and a phase change between the split interference light detected by the photodetector and the fringe scan output signal And a proportional coefficient detecting section for detecting and storing the proportional coefficient in advance and outputting the proportional coefficient to the fringe scan control section.

【0018】この発明では、フリンジスキャン出力信号
と光検出器で検出された分割干渉光との間の比例係数を
比例係数検出部が検出して記憶する。記憶した比例係数
はフリンジスキャン制御部に出力され、これ以降、フリ
ンジスキャン制御部は比例係数に基づいて補正されたフ
リンジスキャン出力信号をレーザ制御部に出力する。従
って、レーザ光源の波長掃引をリアルタイムで正確に制
御することができる。
According to the present invention, the proportional coefficient detector detects and stores the proportional coefficient between the fringe scan output signal and the divided interference light detected by the photodetector. The stored proportional coefficient is output to the fringe scan control unit, and thereafter, the fringe scan control unit outputs a fringe scan output signal corrected based on the proportional coefficient to the laser control unit. Therefore, the wavelength sweep of the laser light source can be accurately controlled in real time.

【0019】請求項3の発明は、請求項1又は2記載の
発明であって、前記レーザ光源は半導体レーザであり、
前記レーザ制御部は前記フリンジスキャン出力信号に基
づいて半導体レーザの温度制御を行うことを特徴とす
る。
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the laser light source is a semiconductor laser,
The laser control unit controls the temperature of the semiconductor laser based on the fringe scan output signal.

【0020】この発明では、半導体レーザの温度を制御
することにより、半導体レーザからのレーザ光の波長掃
引を行うため、波長掃引が正確に、しかも簡単となる。
According to the present invention, since the wavelength of the laser beam from the semiconductor laser is swept by controlling the temperature of the semiconductor laser, the wavelength sweep can be performed accurately and easily.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1は、本発明
の実施の形態1の干渉顕微鏡装置を示す。この干渉顕微
鏡装置は、波長が掃引可能なレーザ光源1と、レーザ光
源1の波長掃引を制御するレーザ制御部17と、レーザ
光源1から射出したレーザ光31を物体光32と参照光
33とに分割する光分割手段としてのハーフミラー2
と、物体光32が照射される観察物体面4と、観察物体
面4に物体光32を照射する物体光照射手段としての対
物レンズ3と、ハーフミラー2との距離が観察物体面4
とハーフミラー2との距離と異なる位置となるように配
置され、参照光33が照射される基準ミラー6と、基準
ミラー6に参照光33を照射する参照光照射手段として
の対物レンズ5と、観察物体面4で反射した物体光及び
基準ミラー6で反射した参照光がハーフミラー2で合成
された干渉光34を結像させる干渉光結像手段としての
結像レンズ10と、結像レンズ10の結像位置に設置さ
れた撮像素子11と、物体光32と参照光33との間に
所望の位相変化を与えるフリンジスキャン出力信号をレ
ーザ制御部17に出力するフリンジスキャン制御部16
と、フリンジスキャン制御部16に所望の複数の位相変
化を指令し、その複数の位相変化のそれぞれに対応する
画像を撮像素子11から取り込む演算制御手段としての
コンピュータ12と、コンピュータ12で得られた複数
の画像を記憶する画像メモリ13と、画像メモリ13に
記憶された複数の画像から観察物体面4の凹凸に対応す
る位相像を演算する位相像演算手段14とを備えてい
る。なお、位相像演算手段14には、位相像を表示する
表示部15が接続されている。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows an interference microscope apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. This interference microscope apparatus includes a laser light source 1 whose wavelength can be swept, a laser controller 17 for controlling the wavelength sweep of the laser light source 1, and a laser light 31 emitted from the laser light source 1 converted into an object light 32 and a reference light 33. Half mirror 2 as light splitting means for splitting
The distance between the observation object surface 4 to which the object light 32 is irradiated, the objective lens 3 as object light irradiation means for irradiating the observation object surface 4 with the object light 32, and the half mirror 2
A reference mirror 6, which is arranged at a position different from the distance between the reference mirror 33 and the half mirror 2 and is irradiated with the reference light 33, an objective lens 5 as reference light irradiation means for irradiating the reference mirror 6 with the reference light 33, An imaging lens 10 as interference light imaging means for imaging an interference light 34 synthesized by the half mirror 2 with the object light reflected by the observation object surface 4 and the reference light reflected by the reference mirror 6; And a fringe scan control unit 16 that outputs a fringe scan output signal for providing a desired phase change between the object light 32 and the reference light 33 to the laser control unit 17.
And a computer 12 as an arithmetic control unit for instructing the fringe scan control unit 16 to perform a plurality of desired phase changes and capturing images corresponding to each of the plurality of phase changes from the image sensor 11, and the computer 12. An image memory 13 for storing a plurality of images, and a phase image calculating means 14 for calculating a phase image corresponding to the unevenness of the observation object surface 4 from the plurality of images stored in the image memory 13 are provided. Note that a display unit 15 that displays a phase image is connected to the phase image calculation unit 14.

【0022】このような構成において、波長掃引可能な
レーザ光源1から出射したレーザ光31はーフミラー2
によって物体光32と参照光33とに分割される。物体
光32は対物レンズ3により観察物体面4に照射され
る。一方、参照光33は対物レンズ5を介して基準ミラ
ー6に照射される。観察物体面4および基準ミラー6で
それぞれ反射した物体光と参照光はハーフミラー2に戻
り、再び合成された干渉光が生成される。この干渉光3
4は結像レンズ10を介して撮像素子11に入射する。
撮像素子11は観察物体面4と共役な位置関係に設けら
れる。この撮像素子11としては、例えば2次元CCD
などを使用することができる。又、基準ミラー6は平面
ミラーであるため、撮像素子11では観察物体面4の凹
凸を反映した干渉像が得られる。
In such a configuration, the laser beam 31 emitted from the laser light source 1 capable of sweeping the wavelength is
As a result, the light is split into the object light 32 and the reference light 33. The object light 32 is applied to the observation object surface 4 by the objective lens 3. On the other hand, the reference light 33 is applied to the reference mirror 6 via the objective lens 5. The object light and the reference light respectively reflected by the observation object surface 4 and the reference mirror 6 return to the half mirror 2, and the combined interference light is generated again. This interference light 3
4 is incident on the image sensor 11 via the imaging lens 10.
The imaging element 11 is provided in a conjugate positional relationship with the observation object plane 4. As the imaging device 11, for example, a two-dimensional CCD
Etc. can be used. Further, since the reference mirror 6 is a plane mirror, the image pickup device 11 can obtain an interference image reflecting the unevenness of the observation object surface 4.

【0023】このような実施の形態では、ハーフミラー
2と観察物体面4までの光路長は、ハーフミラー2と基
準ミラー6までの光路長とnLだけ異なっている。nは
空気の屈折率である。図1において、基準ミラー6とn
Lだけ光路長が異なる位置に点線位置Aが観察物体面4
と等価な位置である。
In such an embodiment, the optical path length between the half mirror 2 and the observation object plane 4 differs from the optical path length between the half mirror 2 and the reference mirror 6 by nL. n is the refractive index of air. In FIG. 1, the reference mirror 6 and n
A dotted line position A corresponds to the observation object plane 4 at a position where the optical path length differs by L.
Is a position equivalent to

【0024】従って、撮像素子11に入射する物体光と
参照光の位相差Φは、レーザ光源1の波長λとして、式
(9)によって得ることができる。 Φ=2π・2nL/λ=4πnL/λ …式(9)
Therefore, the phase difference Φ between the object light and the reference light incident on the image sensor 11 can be obtained by the equation (9) as the wavelength λ of the laser light source 1. Φ = 2π · 2nL / λ = 4πnL / λ Equation (9)

【0025】この式(9)におけるnLの前の係数2は
光が往復することにより光路長差が2倍になっているこ
とを示している。ここで、式(9)においてnLを定
数、すなわち基準ミラー6は移動しないとして、λを変
数として微分すると、Φの微分dΦと式(1)のαは等
価と見ることができ、 α=dΦ=−(4πnL/λ2)dλ …式(10) となる。この式(10)において、波長λが僅かに変化
した場合、波長の変化量dλと物体光32と参照光33
の位相変化α(dΦ)が比例関係にあると見なすことが
できる。本実施の形態ではこの関係を利用するものであ
り、従って、物体光32と参照光33の光路長差2nL
が存在するために、レーザ光源1の波長を掃引すると、
基準ミラー6を機械的に移動させなくても干渉光34の
位相αを変化させることができる。
The coefficient 2 before nL in equation (9) indicates that the optical path length difference is doubled due to reciprocation of light. Here, in Expression (9), when nL is a constant, that is, the reference mirror 6 does not move, and when λ is a variable, the derivative dΦ of Φ and α in Expression (1) can be regarded as equivalent, and α = dΦ = − (4πnL / λ2) dλ Expression (10) In the equation (10), when the wavelength λ slightly changes, the change amount dλ of the wavelength, the object light 32 and the reference light 33
Can be regarded as proportional to the phase change α (dΦ). In the present embodiment, this relationship is used, and therefore, the optical path length difference between the object light 32 and the reference light 33 is 2 nL.
Sweeps the wavelength of the laser light source 1 because
The phase α of the interference light 34 can be changed without mechanically moving the reference mirror 6.

【0026】次に、この実施の形態における式(10)
を具体的な数値により説明する。波長が掃引できるレー
ザ光源1としては半導体レーザが使用することができ
る。半導体レーザは温度や注入電流によって波長を変化
させることができる性質を有しているためである。この
実施の形態では、半導体レーザとして可視レーザ(赤
色、λ=680nm程度)を用いて説明する。
Next, the equation (10) in this embodiment is
Will be described using specific numerical values. A semiconductor laser can be used as the laser light source 1 whose wavelength can be swept. This is because a semiconductor laser has a property that its wavelength can be changed by temperature or injection current. In this embodiment, a description will be given using a visible laser (red, about λ = 680 nm) as a semiconductor laser.

【0027】上述した式(1)〜(8)を適用して観察
物体面4の凹凸に対応した位相像を求めるため、位相変
化αは0〜2πの変化が必要である。半導体レーザの波
長掃引を温度変化で行う場合、波長680nmの半導体
レーザが1℃の温度変化で発生する波長変化(波長温度
特性)dλ/dTは、dλ/dT=0.068nm/℃
程度である。ここで、L=3.4mm、n=1、温度変
化△Tとした場合、式(10)は、 α=−(4πnL/λ2)dλ =−(4πnL/λ2)・(dλ/dT)・△T =−(4π・3.4mm/(680nm)2)・0.068nm/℃・△T =−2π・△T …式(11) となる。すなわち、L=3.4mmの条件下で半導体レ
ーザの温度を△T=1℃変化させることにより、位相変
化αを2π程度変化させることができる。
In order to obtain a phase image corresponding to the unevenness of the observation object surface 4 by applying the above-described equations (1) to (8), the phase change α needs to change from 0 to 2π. When the wavelength sweep of the semiconductor laser is performed by changing the temperature, the wavelength change (wavelength temperature characteristic) dλ / dT generated by the semiconductor laser having the wavelength of 680 nm by the temperature change of 1 ° C. is dλ / dT = 0.068 nm / ° C.
It is about. Here, when L = 3.4 mm, n = 1, and temperature change ΔT, Expression (10) is expressed as follows: α = − (4πnL / λ2) dλ = − (4πnL / λ2) · (dλ / dT) · ΔT = − (4π · 3.4 mm / (680 nm) 2) · 0.068 nm / ° C. ΔT = −2π · ΔT Expression (11) That is, by changing the temperature of the semiconductor laser by ΔT = 1 ° C. under the condition of L = 3.4 mm, the phase change α can be changed by about 2π.

【0028】なお、実際には半導体レーザの波長温度特
性dλ/dTはばらつきがあり、また対物レンズ3の交
換によりLが数mm変化する場合もあるため、式(1
1)の比例係数は必ずしも−2πとは限らず変化する。
これに対しての処置は後述する実施の形態2で説明し、
この実施の形態では、以下、比例係数を−2πとして説
明する。
Since the wavelength temperature characteristic dλ / dT of the semiconductor laser actually varies, and L may change by several mm due to the exchange of the objective lens 3, the equation (1)
The proportional coefficient of 1) is not always -2π and changes.
The treatment for this will be described in a second embodiment described below.
In this embodiment, a description will be given below on the assumption that the proportionality coefficient is -2π.

【0029】コンピュータ12からフリンジスキャン制
御部16に式(11)の位相変化αの指示値、例えばα
=0°、90°、180°、270°が送信される。フ
リンジスキャン制御部は式(11)に基づいて、位相変
化αの指示値に対応するフリンジスキャン出力信号、即
ち半導体レーザの設定温度をレーザ制御部17に送信す
る。
An instruction value of the phase change α of the equation (11), for example, α
= 0 °, 90 °, 180 °, 270 ° are transmitted. The fringe scan control unit transmits a fringe scan output signal corresponding to the indicated value of the phase change α, that is, the set temperature of the semiconductor laser, to the laser control unit 17 based on Expression (11).

【0030】レーザ制御部17はこの設定温度になるよ
うにレーザ光源1としての半導体レーザの温度を制御す
る。この半導体レーザの温度の制御は、半導体レーザ近
傍に設置された温度センサが設定温度になるようにペル
チェ素子などの加熱冷却素子により行うことができる。
半導体レーザが設定温度に安定化すると、レーザ制御部
17からフリンジスキャン制御部16を介してコンピュ
ータ12にトリガー信号が入力され、撮像素子11の干
渉像がコンピュータ12に取り込まれると共に、画像メ
モリ13に記憶される。この処理を各々の位相変化αに
対して実行することにより、画像メモリ13が複数の干
渉像を記憶する。
The laser controller 17 controls the temperature of the semiconductor laser as the laser light source 1 so as to reach the set temperature. The temperature of the semiconductor laser can be controlled by a heating / cooling element such as a Peltier element such that a temperature sensor installed near the semiconductor laser reaches a set temperature.
When the semiconductor laser is stabilized at the set temperature, a trigger signal is input from the laser control unit 17 to the computer 12 via the fringe scan control unit 16, and the interference image of the image sensor 11 is captured by the computer 12 and stored in the image memory 13. It is memorized. By executing this process for each phase change α, the image memory 13 stores a plurality of interference images.

【0031】位相像演算装置14は、上述した式(2)
〜式(8)の演算を行い、観察物体面4の凹凸を反映し
た位相像を得る。そして、表示部15はこの位相像を表
示する一方、図示を省略した外部記憶装置が位相像を記
憶する。
The phase image calculation device 14 calculates the above equation (2)
To (8) to obtain a phase image reflecting the unevenness of the observation object surface 4. The display unit 15 displays the phase image, and an external storage device (not shown) stores the phase image.

【0032】このような実施の形態では、フリンジスキ
ャン制御部16が位相変化αの指示値に対応するフリン
ジスキャン出力信号(半導体レーザの設定温度)をレー
ザ制御部17に出力して、レーザ光源1の波長掃引を行
うため、基準ミラー6を移動させることなく観察物体4
の位相像を得ることができる。
In such an embodiment, the fringe scan controller 16 outputs a fringe scan output signal (set temperature of the semiconductor laser) corresponding to the instruction value of the phase change α to the laser controller 17 and Of the observation object 4 without moving the reference mirror 6
Can be obtained.

【0033】(実施の形態2)この実施の形態2では、
実施の形態1における式(11)のαと△Tの比例係数
がばらついた場合の対処を行うものである。図2はこの
実施の形態の構成を示し、実施の形態1と同一の要素は
同一の符号により対応させてある。
(Embodiment 2) In this embodiment 2,
This is to deal with a case where the proportionality coefficient between α and ΔT in equation (11) in the first embodiment varies. FIG. 2 shows the configuration of this embodiment, and the same elements as those of the first embodiment are assigned the same reference numerals.

【0034】この実施の形態では、光分割手段としての
ハーフミラー2と干渉光結像手段としての結像レンズ1
0との間に干渉光を分割する干渉光分割手段としてのハ
ーフミラー7が配置されている。又、このハーフミラー
7で分割された分割干渉光35の光路内に、分割干渉光
35を検出する光検出器9及び光検出器9で検出される
分割干渉光の位相変化とフリンジスキャン出力信号との
間の比例係数を予め検出し、記憶してフリンジスキャン
制御部16に出力する比例係数検出部18が配置されて
いる。8は分割干渉光35を光検出器9に結像させる分
割干渉光結像手段としての結像レンズ、21はピンホー
ルである。
In this embodiment, a half mirror 2 as a light splitting means and an imaging lens 1 as an interference light imaging means
A half mirror 7 as interference light splitting means for splitting the interference light between 0 and 0 is arranged. In the optical path of the split interference light 35 split by the half mirror 7, a photodetector 9 for detecting the split interference light 35, a phase change of the split interference light detected by the photodetector 9, and a fringe scan output signal And a proportional coefficient detecting unit 18 that detects in advance the proportional coefficient between and stores the proportional coefficient and outputs the detected coefficient to the fringe scan control unit 16. Reference numeral 8 denotes an imaging lens serving as a division interference light imaging unit that forms the division interference light 35 on the photodetector 9, and reference numeral 21 denotes a pinhole.

【0035】式(11)における比例係数のばらつきの
原因は、Lとdλ/dTである。この内、Lは対物レン
ズ3を交換した場合にばらつきが発生し、dλ/dTは
半導体レーザの個々の特性のばらつきである。これに対
し、この実施の形態では、式(11)の比例係数を位相
像の測定前に直接求めることによって対処するものであ
る。
The causes of the variation of the proportional coefficient in the equation (11) are L and dλ / dT. Among them, L is a variation when the objective lens 3 is replaced, and dλ / dT is a variation in individual characteristics of the semiconductor laser. On the other hand, in the present embodiment, a measure is taken by directly obtaining the proportionality coefficient of Expression (11) before measuring the phase image.

【0036】この実施の形態1では、コンピュータ12
から比例係数の測定指示がフリンジスキャン制御部16
に送信される。これにより、フリンジスキャン制御部1
6からレーザ制御部17にフリンジスキャン出力信号
(設定温度)が出力され、リアルタイムで半導体レーザ
の温度情報がフリンジスキャン制御部16を介して比例
係数出力部18に入力される。同時に比例係数検出部1
8は光検出器9で受光される干渉信号の取り込みを行
う。この時、Lとdλ/dTのばらつきを考慮しても1
周期以上の干渉信号が光検出器9で受光できる程度の波
長掃引を行う。
In the first embodiment, the computer 12
From the fringe scan controller 16
Sent to. Thereby, the fringe scan control unit 1
A fringe scan output signal (set temperature) is output from 6 to the laser control unit 17, and the temperature information of the semiconductor laser is input to the proportional coefficient output unit 18 via the fringe scan control unit 16 in real time. At the same time, proportional coefficient detector 1
Reference numeral 8 captures an interference signal received by the photodetector 9. At this time, even if the variation between L and dλ / dT is considered, 1
Wavelength sweeping is performed to such an extent that an interference signal having a cycle or more can be received by the photodetector 9.

【0037】このとき比例係数検出部18で得られるデ
ータは図3に示すように、温度と干渉信号のグラフとし
て表わされる。干渉信号の振幅の最大値Imaxと最小
値Iminの平均値から干渉信号のオフセットが得られ
る。このオフセットとクロスする温度変化△T1(α=
π)を求めて、温度変化△Tとの間の比例係数を求める
ことができる。
At this time, the data obtained by the proportional coefficient detector 18 is represented as a graph of the temperature and the interference signal as shown in FIG. An offset of the interference signal is obtained from the average value of the maximum value Imax and the minimum value Imin of the amplitude of the interference signal. Temperature change ΔT1 (α =
π) can be obtained to obtain a proportional coefficient between the temperature change ΔT.

【0038】なお、オフセットとのクロス点が3個所あ
る場合は△T2(α=2π)も求めることができ、△T
1と△T2の比例係数の平均値を求めることもできる。
ここで求められた比例係数を比例係数検出部18が記憶
し、以後フリンジスキャン制御部16は記憶された比例
係数に基づいてレーザ制御部17に出力するフリンジス
キャン出力信号を補正する。
When there are three cross points with the offset, ΔT2 (α = 2π) can also be obtained.
The average value of the proportional coefficient between 1 and ΔT2 can also be obtained.
The proportional coefficient thus obtained is stored in the proportional coefficient detecting section 18, and thereafter the fringe scan control section 16 corrects the fringe scan output signal to be output to the laser control section 17 based on the stored proportional coefficient.

【0039】このような実施の形態では、式(11)の
比例係数を位相像の測定前に直接求めるため、Lとdλ
/dTとがばらつくことにより比例係数がばらついても
リアルタイムでの対処ができ、観察物体面4の凹凸を確
実に求めることができる。
In such an embodiment, since the proportional coefficient of equation (11) is directly obtained before measuring the phase image, L and dλ
Even if the proportional coefficient varies due to the variation of / dT, it is possible to deal with the variation in real time, and the unevenness of the observation object surface 4 can be reliably obtained.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、演算制御手段の指令によってフリンジスキャン
制御部がフリンジスキャン出力信号をレーザ制御部に出
力し、レーザ制御部は物体光と干渉光との間に位相変化
ができるようにレーザ光源からのレーザ光の波長を掃引
するため、観察物体面の凹凸を画像化することができ
る。このため、基準ミラーを機械的に移動させることな
くフリンジスキャンを行うことができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the fringe scan control unit outputs a fringe scan output signal to the laser control unit according to a command from the arithmetic control unit, and the laser control unit outputs the object light and the fringe scan signal. Since the wavelength of the laser light from the laser light source is swept so that the phase can be changed between the interference light and the interference light, the unevenness of the observation object surface can be imaged. Therefore, fringe scanning can be performed without mechanically moving the reference mirror.

【0041】請求項2の発明によれば、比例係数検出部
がフリンジスキャン出力信号と光検出器で検出された分
割干渉光との間の比例係数を検出して記憶し、フリンジ
スキャン制御部に出力するため、比例係数に基づいたレ
ーザ光の波長掃引をリアルタイムで正確に制御すること
ができる。
According to the second aspect of the present invention, the proportional coefficient detector detects and stores the proportional coefficient between the fringe scan output signal and the divided interference light detected by the photodetector, and stores the proportional coefficient in the fringe scan controller. Since the output is performed, the wavelength sweep of the laser light based on the proportional coefficient can be accurately controlled in real time.

【0042】請求項3の発明によれば、半導体レーザの
温度を制御することにより、半導体レーザからのレーザ
光の波長掃引を行うため、波長掃引が正確に、しかも簡
単となる。
According to the third aspect of the invention, since the wavelength of the laser beam from the semiconductor laser is swept by controlling the temperature of the semiconductor laser, the wavelength sweep can be performed accurately and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の構成を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】実施の形態2の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a second embodiment.

【図3】実施の形態2で得られる温度及び干渉信号の特
性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram of a temperature and an interference signal obtained in a second embodiment.

【図4】従来装置の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源 2 7 ハーフミラー 3 5 対物レンズ 4 観察物体面 6 基準ミラー 9 光検出器 10 結像レンズ 11 撮像素子 12 コンピュータ 13 画像メモリ 16 フリンジスキャン制御部 17 レーザ制御部 18 比例係数検出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser light source 2 7 Half mirror 3 5 Objective lens 4 Observation object plane 6 Reference mirror 9 Photodetector 10 Imaging lens 11 Image sensor 12 Computer 13 Image memory 16 Fringe scan controller 17 Laser controller 18 Proportional coefficient detector

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 波長が掃引可能なレーザ光源と、このレ
ーザ光源の波長掃引を制御するレーザ制御部と、前記レ
ーザ光源から射出したレーザ光を物体光と参照光とに分
割する光分割手段と、前記物体光が照射される観察物体
面と、この観察物体面に前記物体光を照射する物体光照
射手段と、前記光分割手段との距離が前記観察物体面と
光分割手段との距離と異なる位置に配置され、前記参照
光が照射される基準ミラーと、この基準ミラーに前記参
照光を照射する参照光照射手段と、前記観察物体面で反
射した物体光及び前記基準ミラーで反射した参照光が前
記光分割手段で合成された干渉光を結像させる干渉光結
像手段と、この干渉光結像手段の結像位置に設置される
撮像素子と、前記物体光と参照光との間に所望の位相変
化を与えるフリンジスキャン出力信号を前記レーザ制御
部に出力するフリンジスキャン制御部と、このフリンジ
スキャン制御部に所望の複数の位相変化を指令し、その
複数の位相変化のそれぞれに対応する画像を前記撮像素
子から取り込む演算制御手段と、この演算制御手段で得
られた複数の画像を記憶する画像メモリと、この画像メ
モリに記憶された複数の画像から前記観察物体面の凹凸
に対応する位相像を演算する位相像演算手段と、を備え
ていることを特徴とする干渉顕微鏡装置。
1. A laser light source capable of sweeping a wavelength, a laser control unit for controlling a wavelength sweep of the laser light source, and a light splitting unit for splitting laser light emitted from the laser light source into object light and reference light. The observation object surface irradiated with the object light, the object light irradiation unit that irradiates the observation object surface with the object light, and the distance between the light division unit and the distance between the observation object surface and the light division unit. A reference mirror disposed at a different position and illuminated with the reference light, reference light irradiating means for irradiating the reference mirror with the reference light, object light reflected on the observation object surface, and a reference reflected on the reference mirror Interference light imaging means for forming an image of the interference light in which the light is combined by the light splitting means; an image pickup device provided at an image forming position of the interference light imaging means; That gives the desired phase change to the A fringe scan control unit that outputs a scan output signal to the laser control unit, and commands a plurality of desired phase changes to the fringe scan control unit, and captures images corresponding to each of the plurality of phase changes from the image sensor. Arithmetic control means, an image memory for storing a plurality of images obtained by the arithmetic control means, and a phase image for calculating a phase image corresponding to the unevenness of the observation object surface from the plurality of images stored in the image memory An interference microscope apparatus comprising: a calculation unit.
【請求項2】 前記干渉光を分割する干渉光分割手段が
前記光分割手段と前記干渉光結像手段の間に配置され、
この干渉光分割手段で分割された分割干渉光の光路内
に、当該分割干渉光を検出する光検出器及びこの光検出
器で検出される分割干渉光の位相変化と前記フリンジス
キャン出力信号との間の比例係数を予め検出し、記憶し
て前記フリンジスキャン制御部に出力する比例係数検出
部が配置されていることを特徴とする請求項1記載の干
渉顕微鏡装置。
2. An interference light splitting means for splitting the interference light is disposed between the light splitting means and the interference light imaging means,
In the optical path of the split interference light split by the interference light splitting means, a photodetector that detects the split interference light and a phase change of the split interference light detected by the light detector and the fringe scan output signal 2. The interference microscope apparatus according to claim 1, further comprising a proportional coefficient detecting unit that detects, stores, and outputs the proportional coefficient between the fringe scan control units.
【請求項3】 前記レーザ光源は半導体レーザであり、
前記レーザ制御部は前記フリンジスキャン出力信号に基
づいて半導体レーザの温度制御を行うことを特徴とする
請求項1又は2記載の干渉顕微鏡装置。
3. The laser light source is a semiconductor laser,
The interference microscope apparatus according to claim 1, wherein the laser controller controls a temperature of the semiconductor laser based on the fringe scan output signal.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323660A (en) * 2001-04-07 2002-11-08 Carl Zeiss Jena Gmbh Method and apparatus for gaining optical understanding through deep part optical analysis of sample
JP2009030996A (en) * 2007-07-24 2009-02-12 Laser Gijutsu Sogo Kenkyusho Device for stabilizing interference fringe and non-destructive inspection device using it

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