JPH1127071A - Waveform slicing circuit - Google Patents

Waveform slicing circuit

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JPH1127071A
JPH1127071A JP9177107A JP17710797A JPH1127071A JP H1127071 A JPH1127071 A JP H1127071A JP 9177107 A JP9177107 A JP 9177107A JP 17710797 A JP17710797 A JP 17710797A JP H1127071 A JPH1127071 A JP H1127071A
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JP
Japan
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circuit
slice
slicing
input signal
waveform
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Application number
JP9177107A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Takano
陽一 高野
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waveform slicing circuit which can surely slice even a high frequency input signal waveform at its upper and lower limit levels. SOLUTION: This slicing circuit 110 consists of a 1st slicing circuit 120 which slices the lower limit side of an input signal waveform at a prescribed level, an inverter circuit 130 which inverts the signal waveform that is sliced by the circuit 120, and a 2nd slicing circuit 140 which has the same constitution as the circuit 120 and slices the lower limit side of the signal waveform inverted by the circuit 130 at a prescribed level.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は波形スライス回路に
係り、特に、高周波の入力信号波形を上下限でスライス
する波形スライス回路に関する。
The present invention relates to a waveform slicing circuit, and more particularly to a waveform slicing circuit for slicing a high-frequency input signal waveform at upper and lower limits.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に従来の波形スライス機能を有する
広帯域アンプの回路構成図を示す。従来の広帯域アンプ
1は、広帯域増幅回路部10、スライス回路部20、出
力回路部30を同一の半導体基板上に形成した構成とさ
れている。広帯域増幅回路部10は、NPNトランジス
タQ11,Q12、抵抗R11〜R13、基準電圧源11、定電
流源12,13により非反転増幅回路を構成しており、
入力端子Tinに供給された入力信号を抵抗R12とトラン
ジスタQ12のコレクタとの接続点から非反転増幅して出
力する。広帯域増幅回路部10で非反転増幅された入力
信号は、スライス回路部20に供給される。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows a circuit diagram of a conventional wideband amplifier having a waveform slicing function. The conventional wideband amplifier 1 has a configuration in which a wideband amplifier circuit section 10, a slice circuit section 20, and an output circuit section 30 are formed on the same semiconductor substrate. The broadband amplifier circuit section 10 comprises a non-inverting amplifier circuit including NPN transistors Q11 and Q12, resistors R11 to R13, a reference voltage source 11, and constant current sources 12 and 13.
The input signal supplied to the input terminal Tin is non-inverted amplified from the connection point between the resistor R12 and the collector of the transistor Q12 and output. The input signal that has been non-inverted and amplified by the broadband amplifier circuit unit 10 is supplied to the slice circuit unit 20.

【0003】スライス回路部20は、入力信号の下限側
でスライスを行う下限スライス回路21と入力信号の上
限側でスライスを行う上限スライス回路22から構成さ
れる。下限スライス回路21は、NPNトランジスタQ
21,Q22、抵抗R21、定電流源23,24から構成さ
れ、抵抗R21と定電流源24とで設定されるスライスレ
ベルに応じて入力信号の下限側のスライスを行う。
The slicing circuit section 20 comprises a lower limit slicing circuit 21 for slicing on the lower limit side of the input signal and an upper limit slicing circuit 22 for slicing on the upper limit side of the input signal. The lower limit slice circuit 21 includes an NPN transistor Q
21 and Q22, a resistor R21, and constant current sources 23 and 24. The slice on the lower limit side of the input signal is performed according to a slice level set by the resistor R21 and the constant current source 24.

【0004】下限スライス回路22で下限側のスライス
が行われた信号は、上限スライス回路23に供給され
る。上限スライス回路22は、下限スライス回路21を
構成するトランジスタの極性とは反対の極性のPNPト
ランジスタQ23,Q24、抵抗R22、定電流源25,26
から構成され、抵抗R21と定電流源26とで設定される
スライスレベルに応じて入力信号の上限側のスライスを
行う。
The signal sliced on the lower limit side by the lower limit slice circuit 22 is supplied to an upper limit slice circuit 23. The upper limit slice circuit 22 includes a PNP transistor Q23, Q24 having a polarity opposite to the polarity of the transistor constituting the lower limit slice circuit 21, a resistor R22, and constant current sources 25, 26.
And slices the upper limit side of the input signal in accordance with the slice level set by the resistor R21 and the constant current source 26.

【0005】下限スライス回路21と上限スライス回路
22とはトランジスタの極性を互いに反対にして電源電
圧Vccに対して対称に構成することにより、上限と下限
とのスライスを行う。スライス回路20で上下限のスラ
イスが行われた信号は出力回路部30に供給される。出
力回路部30は、NPNトランジスタQ31、及び、定電
流源31から構成され、スライスされた信号を出力端子
Tout から出力する。
The lower limit slicing circuit 21 and the upper limit slicing circuit 22 are configured so that the polarities of the transistors are opposite to each other and are symmetrical with respect to the power supply voltage Vcc, thereby slicing the upper limit and lower limit. The signal on which the upper and lower limits have been sliced by the slice circuit 20 is supplied to the output circuit unit 30. The output circuit section 30 includes an NPN transistor Q31 and a constant current source 31, and outputs a sliced signal from an output terminal Tout.

【0006】図4に従来の一例の動作波形図を示す。図
4(A)は広帯域増幅回路部10の出力点、すなわち、
下限スライス回路21の入力点aの波形、図4(B)は
下限スライス回路21の出力点、すなわち、上限スライ
ス回路22の入力点bの波形、図4(C)は上限スライ
ス回路22の出力点、すなわち、出力回路部30の入力
点cの波形図を示す。
FIG. 4 shows an operation waveform diagram of an example of the related art. FIG. 4A shows the output point of the broadband amplifier circuit section 10, that is,
4B is a waveform at the input point a of the lower limit slice circuit 21, FIG. 4B is an output point of the lower limit slice circuit 21, that is, a waveform at the input point b of the upper limit slice circuit 22, and FIG. The waveform diagram of a point, that is, an input point c of the output circuit unit 30 is shown.

【0007】広帯域増幅回路部10から図2(A)に示
すように時刻t1 で、スライスレベルLL より下方に突
出した信号S1 が供給されると、下限スライス回路21
で信号S1 が下限スライスレベルLL でスライスされ、
図2(B)に示すようにスライスレベルLL より下方が
カットされた信号S1 ’が得られる。また、時刻t2
で、スライスレベルLH より上方に突出した信号S2
供給されると、上限スライス回路22で信号S2 が上限
スライスレベルLH でスライスされ、図2(C)に示す
ようにスライスレベルLH より上方がカットされた信号
S2 ’が得られる。
[0007] from the broadband amplifier circuit 10 at time t1 as shown in FIG. 2 (A), when the signal S1 projecting downward from the slice level L L is supplied, the lower limit slicing circuit 21
In signal S1 is sliced at the lower slice level L L,
Figure 2 (B) is cut below the slice level L L As shown in the signal S1 'is obtained. Also, at time t2
In the signal S 2 that protrudes upward than the slice level L H is supplied, the signal S2 at the upper slice circuit 22 is sliced at the upper limit slice level L H, the slice level as shown in FIG. 2 (C) L H The signal S2 'with the upper portion cut off is obtained.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、スライス回
路20がIC化すると、PNPトランジスタは一般にラ
テラル構造とされる。ラテラル構造のPNPトランジス
タは、構造上ベース幅が広く、また、電流増幅率をかせ
ぐためにエミッタ、コレクタ領域を大きくするため、接
合容量、浮遊容量が大きくなり、かつ、ベース,コレク
タの直列抵抗が大きいため、高周波特性が通常のNPN
トランジスタに比べて劣化する。
However, when the slice circuit 20 is formed into an IC, the PNP transistor generally has a lateral structure. A PNP transistor having a lateral structure has a wide base width due to its structure. In addition, since the emitter and collector regions are enlarged in order to increase the current amplification factor, the junction capacitance and the stray capacitance are increased, and the series resistance of the base and collector is large. Therefore, the high frequency characteristics are
Deterioration compared to transistors.

【0009】このため、上限スライス回路22で周波数
特性が劣化することになる。ここで、入力信号として高
周波の信号が供給されると、下限スライス回路21は、
追従して確実にスライスを行えるが、上限スライス回路
22は、入力信号に追従できず、スライスが不完全とな
る。図5に従来の一例の課題を説明するための図であ
る。図5(A)はスライス回路20への入力波形、図5
(B)はスライス回路20の出力波形を示す。
For this reason, the frequency characteristic is degraded in the upper limit slice circuit 22. Here, when a high-frequency signal is supplied as an input signal, the lower limit slice circuit 21
Although slicing can be performed reliably by following, the upper limit slicing circuit 22 cannot follow the input signal, resulting in incomplete slicing. FIG. 5 is a diagram for explaining a problem of an example of the related art. FIG. 5A shows an input waveform to the slice circuit 20, and FIG.
(B) shows the output waveform of the slice circuit 20.

【0010】入力信号が高周波である場合、図5(A)
に示すようなスライスレベルLL より下方に突出した信
号S1 は、図5(B)に信号S1 ’で示すように下限ス
ライス回路21により確実にスライスされるが、図5
(A)に示すようなスライスレベルLH より上方に突出
した信号S2 は、上限スライス回路22が入力信号に追
従できず、図5(B)に信号S2 ’で示すようにオーバ
ーシュートが発生した波形とされ、確実にスライスでき
ない。
When the input signal has a high frequency, FIG.
The signal S1 protruding below the slice level L L as shown in FIG. 5 is surely sliced by the lower limit slice circuit 21 as shown by the signal S1 'in FIG.
Signal protruding upward from the slice level L H as shown in (A) S2 can not follow the upper slice circuit 22 is an input signal, an overshoot as shown by the signal S2 'in FIG. 5 (B) has occurred It is a waveform and cannot be sliced reliably.

【0011】このように、従来の波形スライス回路は、
入力信号の上限をスライスする上限スライス回路21と
入力信号の下限をスライスする下限スライス回路22と
から構成され、上限スライス回路21と下限スライス回
路22とは極性の反対のトランジスタで構成されてお
り、半導体チップ化する場合、PNPトランジスタは一
般にラテラルPNPトランジスタとして形成されおり、
ラテラルPNPトランジスタはNPNトランジスタに比
較して周波数特性が悪いので、入力信号が高周波のとき
には、ラテラルNPNトランジスタで構成される下限ス
ライス回路23の周波数特性が劣化し、入力信号のスラ
イスが不確実になる等の問題点があった。
As described above, the conventional waveform slicing circuit is
The upper limit slice circuit 21 slices the upper limit of the input signal and the lower limit slice circuit 22 slices the lower limit of the input signal. The upper limit slice circuit 21 and the lower limit slice circuit 22 are composed of transistors having opposite polarities. When a semiconductor chip is formed, the PNP transistor is generally formed as a lateral PNP transistor.
Since the frequency characteristics of the lateral PNP transistor are lower than that of the NPN transistor, when the input signal has a high frequency, the frequency characteristics of the lower limit slice circuit 23 composed of the lateral NPN transistor deteriorate, and the slicing of the input signal becomes uncertain. And so on.

【0012】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、高周波の入力信号でも確実のスライスできる波形ス
ライス回路を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a waveform slicing circuit capable of reliably slicing even a high-frequency input signal.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、入
力信号波形の上下限をスライスする波形スライス回路に
おいて、前記入力信号波形の上限又は下限のいずれか一
方の側をスライスする第1のスライス回路と、前記第1
のスライス回路でスライスされた前記入力信号を反転す
る反転回路と、前記第1のスライス回路と同一の構成と
され、前記反転回路で反転された反転入力信号の上限又
は下限のいずれか一方の側をスライスする第2のスライ
ス回路とを有することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a waveform slicing circuit for slicing the upper and lower limits of an input signal waveform. The slice circuit and the first
An inverting circuit for inverting the input signal sliced by the slicing circuit, and one of an upper limit and a lower limit of the inverted input signal which has the same configuration as the first slice circuit and is inverted by the inverting circuit And a second slicing circuit for slicing.

【0014】請求項1によれば、第1のスライス回路に
より入力信号の上限又は下限のいずれか一方をスライス
し、第1のスライス回路で信号の上限又は下限の一方が
スライスされた入力信号を反転回路により反転させて、
第1のスライス回路と同一構成で、第1のスライス回路
と同一の側をスライスする第2のスライス回路で、反転
入力信号をスライスすることにより、第1のスライス回
路でスライスされる側とは反対側をスライスすることが
でき、よって、入力信号の上下限の両方を同一構成のス
ライス回路でスライスできる。
According to the first aspect, either the upper limit or the lower limit of the input signal is sliced by the first slice circuit, and the input signal having one of the upper limit or the lower limit of the signal sliced by the first slice circuit is processed. Invert by an inverting circuit,
The second slice circuit, which has the same configuration as that of the first slice circuit and slices the same side as the first slice circuit, slices the inverted input signal to obtain a side sliced by the first slice circuit. The opposite side can be sliced, so that both the upper and lower limits of the input signal can be sliced by the slice circuit having the same configuration.

【0015】請求項2は、前記第1及び第2のスライス
回路は、前記入力信号がベースに供給され、エミッタか
ら前記入力信号に応じた電流を出力する第1のNPNト
ランジスタと、スライスレベルを設定するスライスレベ
ル設定手段と、前記スライスレベル設定手段で設定され
た前記スライスレベルがベースに供給され、エミッタか
らスライスレベルに応じた電流を出力する第2のNPN
トランジスタと、前記第1及び第2のNPNトランジス
タのエミッタから定電流を引き込む定電流源とを有する
ことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, the first and second slice circuits include a first NPN transistor to which the input signal is supplied to a base and which outputs a current corresponding to the input signal from an emitter, and a slice level. A slice level setting unit to be set; and a second NPN that supplies the slice level set by the slice level setting unit to a base and outputs a current according to the slice level from an emitter.
It has a transistor and a constant current source that draws a constant current from the emitters of the first and second NPN transistors.

【0016】請求項2によれば、第1及び第2のスライ
ス回路を比較的周波数特性の優れたNPNトランジスタ
で構成できるので、高周波の入力信号が供給されても、
確実にスライスを行うことができる。請求項3は、前記
第1及び第2のスライス回路、前記反転回路は、同一の
半導体チップ上に集積して形成されたことを特徴とす
る。
According to the second aspect, since the first and second slice circuits can be constituted by NPN transistors having relatively excellent frequency characteristics, even if a high-frequency input signal is supplied,
Slicing can be performed reliably. A third aspect of the present invention is characterized in that the first and second slice circuits and the inverting circuit are formed integrally on the same semiconductor chip.

【0017】請求項3によれば、第1及び第2のスライ
ス回路、反転回路を同一の半導体チップ上に集積して形
成した場合、半導体チップ化した場合に周波数特性の優
れたNPNトランジスタで構成できるので、高周波の入
力信号が供給されても、確実にスライスを行うことがで
き、広帯域の入力信号に対応できる。
According to the third aspect, when the first and second slice circuits and the inverting circuit are integrated and formed on the same semiconductor chip, they are constituted by NPN transistors having excellent frequency characteristics when formed into a semiconductor chip. Therefore, even when a high-frequency input signal is supplied, slicing can be performed reliably, and a wide-band input signal can be handled.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】ここでは、本発明のクランプ回路
を広帯域アンプに適用した場合について説明する。図1
に本発明の一実施例の回路構成図を示す。同図中、図3
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Here, a case where the clamp circuit of the present invention is applied to a wide band amplifier will be described. FIG.
1 shows a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention. In FIG.
The same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0019】本実施例の広帯域アンプ100は、1チッ
プの半導体基板上に形成されており、広帯域増幅回路部
10と出力回路部30との間に設けられ、入力信号を上
下限の両方の側でスライスするスライス回路110の構
成が図3の従来の広帯域アンプ1とは相違する。本実施
例のスライス回路110は、広帯域増幅回路部10で増
幅された入力信号が供給され、入力信号を予め設定され
た下限レベルでスライスする第1のスライス回路12
0、第1のスライス回路120でスライスされた信号を
反転する反転回路130、反転回路130で反転された
信号を予め設定された下限値でスライスする第2のスラ
イス回路から構成される。
The wide-band amplifier 100 of this embodiment is formed on a one-chip semiconductor substrate, is provided between the wide-band amplifier circuit section 10 and the output circuit section 30, and converts input signals to both upper and lower sides. The configuration of the slicing circuit 110 for slicing is different from the conventional wideband amplifier 1 of FIG. The slicing circuit 110 of the present embodiment is supplied with the input signal amplified by the wideband amplification circuit unit 10 and slices the input signal at a preset lower limit level.
0, an inverting circuit 130 for inverting the signal sliced by the first slice circuit 120, and a second slice circuit for slicing the signal inverted by the inverting circuit 130 at a preset lower limit.

【0020】第1のスライス回路120は、NPNトラ
ンジスタQ121 ,Q122 、抵抗R121 、定電流源12
1,122から構成される。トランジスタQ121 は、ベ
ースが広帯域増幅回路部10の出力端子である抵抗R12
とトランジスタQ121 のコレクタとの接続点に接続さ
れ、コレクタには電源電圧Vccが印加され、エミッタは
電流源121を介して接地される。
The first slice circuit 120 includes NPN transistors Q121 and Q122, a resistor R121, a constant current source 12
1,122. The transistor Q121 has a resistor R12 whose base is the output terminal of the broadband amplifier circuit 10.
And a collector of the transistor Q121, the power supply voltage Vcc is applied to the collector, and the emitter is grounded via the current source 121.

【0021】抵抗R121 と定電流源122は、電源電圧
と接地間に直列に接続され、スライスレベルに応じた電
位を抵抗R121 と定電流源122との接続点に発生し、
トランジスタQ122 のベースに供給する。トランジスタ
Q122 は、ベースが抵抗R121 と定電流源122との接
続点に接続され、コレクタには電源電圧Vccが印加さ
れ、エミッタはトランジスタQ121 と定電流源121と
の接続点に接続される。トランジスタQ121 ,Q122 の
エミッタと定電流源121との接続点が第1のスライス
回路120の出力端子とされ、反転回路130に接続さ
れる。
The resistor R121 and the constant current source 122 are connected in series between the power supply voltage and the ground, and generate a potential corresponding to the slice level at a connection point between the resistor R121 and the constant current source 122.
Supply to the base of transistor Q122. The transistor Q122 has a base connected to a connection point between the resistor R121 and the constant current source 122, a power supply voltage Vcc applied to the collector, and an emitter connected to a connection point between the transistor Q121 and the constant current source 121. A connection point between the emitters of the transistors Q121 and Q122 and the constant current source 121 is used as an output terminal of the first slice circuit 120 and is connected to the inversion circuit 130.

【0022】第1のスライス回路120では、定電流源
121によりトランジスタQ121 ,Q122 のエミッタか
ら定電流I0 が引き込まれており、トランジスタQ121
,Q122 のエミッタ電流に応じて出力が決定される。
また、トランジスタQ122 のエミッタ電流は、抵抗R12
1 及び定電流源122によって所定値に設定されてい
る。
In the first slice circuit 120, the constant current source 121 draws a constant current I0 from the emitters of the transistors Q121 and Q122.
, Q122, the output is determined according to the emitter current.
The emitter current of the transistor Q122 is equal to the resistance of the resistor R12.
1 and a predetermined value by the constant current source 122.

【0023】このため、広帯域増幅回路部10の出力信
号が減少し、トランジスタQ121 がオフすると、トラン
ジスタQ122 から一定の電流が定電流源121に供給さ
れ、トランジスタQ122 のエミッタと定電流源121と
の接続点が一定の電位とされる。すなわち、入力信号の
下限を所定のレベルでスライスした信号が得られること
になる。
For this reason, when the output signal of the broadband amplifier circuit 10 decreases and the transistor Q121 turns off, a constant current is supplied from the transistor Q122 to the constant current source 121, and the current between the emitter of the transistor Q122 and the constant current source 121 is reduced. The connection point is set to a constant potential. That is, a signal obtained by slicing the lower limit of the input signal at a predetermined level is obtained.

【0024】第1のスライス回路120で下限がスライ
スされた信号は、反転回路130に供給される。反転回
路130は、NPNトランジスタQ131 ,Q132 、抵抗
R131 〜R133、基準電圧源131、定電流源132,
133から構成され、差動増幅回路を構成している。ト
ランジスタQ131 は、ベースが第1のスライス回路12
0の出力となるトランジスタQ121 ,Q122 のエミッタ
と定電流源121との接続点に接続され、また、コレク
タには抵抗R131 を介して電源電圧Vccが印加され、エ
ミッタは、定電流源132を介して接地される。
The signal whose lower limit has been sliced by the first slicing circuit 120 is supplied to an inverting circuit 130. The inverting circuit 130 includes NPN transistors Q131 and Q132, resistors R131 to R133, a reference voltage source 131, a constant current source 132,
133 to form a differential amplifier circuit. The transistor Q131 has a base connected to the first slice circuit 12
The output of the transistor Q121 is connected to a connection point between the emitters of the transistors Q121 and Q122 and the constant current source 121. The collector is supplied with the power supply voltage Vcc via the resistor R131, and the emitter is connected via the constant current source 132. Grounded.

【0025】一方、トランジスタQ132 は、ベースに基
準電圧源131から基準電圧が印加され、コレクタには
抵抗R132 を介して電源電圧Vccが印加され、エミッタ
は定電流源133を介して設定される。トランジスタQ
131 と定電流源132との接続点とトランジスタQ132
と定電流源133との接続点との間には抵抗R133 が接
続され、抵抗R133 に基準電圧と第1のスライス回路と
の差に応じた電圧が発生する。
On the other hand, the transistor Q132 has a base to which a reference voltage is applied from a reference voltage source 131, a collector to which a power supply voltage Vcc is applied via a resistor R132, and an emitter which is set via a constant current source 133. Transistor Q
131 and the connection point between the constant current source 132 and the transistor Q132
A resistor R133 is connected between the node and the connection point of the constant current source 133, and a voltage corresponding to the difference between the reference voltage and the first slice circuit is generated in the resistor R133.

【0026】なお、出力を抵抗R131 とトランジスタQ
131 のコレクタとの接続点とすることにより、トランジ
スタQ131 のコレクタ電位はベース電位を反転した電位
となるので、反転回路130の出力信号は、第1のスラ
イス回路120の出力信号を反転した信号となる。反転
回路130の出力信号は、第2のスライス回路140に
供給される。
It should be noted that the output is a resistor R131 and a transistor Q
131, the collector potential of the transistor Q131 becomes a potential obtained by inverting the base potential. Therefore, the output signal of the inverting circuit 130 is different from the signal obtained by inverting the output signal of the first slice circuit 120. Become. The output signal of the inverting circuit 130 is supplied to the second slice circuit 140.

【0027】第2のスライス回路140は、第1のスラ
イス回路120と同一の構成とされており、NPNトラ
ンジスタQ141 ,Q142 、抵抗R141 、定電流源14
1,142から構成される。トランジスタQ141 は、ベ
ースが反転回路140の出力端子である抵抗R141 とト
ランジスタQ141 のコレクタとの接続点に接続され、コ
レクタには電源電圧Vccが印加され、エミッタは定電流
源141を介して接地される。
The second slice circuit 140 has the same configuration as the first slice circuit 120, and includes NPN transistors Q141 and Q142, a resistor R141, and a constant current source 14.
1,142. The transistor Q141 has a base connected to a connection point between the resistor R141, which is an output terminal of the inverting circuit 140, and the collector of the transistor Q141. The power supply voltage Vcc is applied to the collector, and the emitter is grounded via the constant current source 141. You.

【0028】抵抗R141 と定電流源142は、電源電圧
Vccと接地間に直列に接続され、スライスレベルに応じ
た電位を抵抗R141 と定電流源142との接続点に発生
し、トランジスタQ142 のベースに供給する。トランジ
スタQ142 は、ベースが抵抗R141 と定電流源142と
の接続点に接続され、コレクタには電源電圧Vccが印加
され、エミッタはトランジスタQ141 と定電流源141
との接続点に接続される。トランジスタQ141 ,Q142
のエミッタと定電流源141との接続点が第2のスライ
ス回路140の出力端子とされ、出力回路部30に接続
される。
The resistor R141 and the constant current source 142 are connected in series between the power supply voltage Vcc and the ground, and generate a potential corresponding to the slice level at a connection point between the resistor R141 and the constant current source 142, and connect the base of the transistor Q142. To supply. The transistor Q142 has a base connected to the connection point between the resistor R141 and the constant current source 142, a power supply voltage Vcc applied to the collector, and an emitter connected to the transistor Q141 and the constant current source 141.
Is connected to the connection point. Transistors Q141, Q142
A connection point between the emitter and the constant current source 141 is used as an output terminal of the second slice circuit 140 and is connected to the output circuit unit 30.

【0029】第1のスライス回路120では、定電流源
121によりトランジスタQ121 ,Q122 のエミッタか
ら定電流I0 が引き込まれており、トランジスタQ121
,Q122 のエミッタ電流に応じて出力が決定される。
また、トランジスタQ122 のエミッタ電流は、抵抗R12
1 及び定電流源122によって所定値に設定されてい
る。
In the first slice circuit 120, the constant current source 121 draws a constant current I0 from the emitters of the transistors Q121 and Q122.
, Q122, the output is determined according to the emitter current.
The emitter current of the transistor Q122 is equal to the resistance of the resistor R12.
1 and a predetermined value by the constant current source 122.

【0030】このため、反転回路部130の出力信号が
減少し、トランジスタQ141 がオフすると、トランジス
タQ142 から一定の電流が定電流源141に供給され、
トランジスタQ142 のエミッタと定電流源141との接
続点が一定の電位とされる。すなわち、入力信号の下限
を所定のレベルでスライスした信号が得られることにな
る。第2のスライス回路140で下限がスライスされた
信号は、出力回路部30に供給される。
Therefore, when the output signal of the inverting circuit 130 decreases and the transistor Q141 turns off, a constant current is supplied from the transistor Q142 to the constant current source 141,
The connection point between the emitter of the transistor Q142 and the constant current source 141 is set at a constant potential. That is, a signal obtained by slicing the lower limit of the input signal at a predetermined level is obtained. The signal whose lower limit is sliced by the second slice circuit 140 is supplied to the output circuit unit 30.

【0031】次に、スライス回路110の動作を図面と
共に説明する。図2に本発明の一実施例のスライス回路
の動作波形図を示す。図2(A)は広帯域増幅回路部1
0の出力信号、すなわち、第1のスライス回路120の
入力信号a’の波形、図2(B)は第1のスライス回路
120の出力信号、すなわち、反転回路130の入力信
号b’の波形、図2(C)は反転回路130の出力信
号、すなわち、第2のスライス回路140の入力信号
c’の波形、図2(D)は第2のスライス回路140の
出力信号、すなわち、出力回路部30の入力信号d’の
波形図を示す。
Next, the operation of the slice circuit 110 will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows an operation waveform diagram of the slice circuit according to one embodiment of the present invention. FIG. 2A shows a broadband amplifier circuit unit 1.
0, that is, the waveform of the input signal a ′ of the first slice circuit 120, FIG. 2B shows the output signal of the first slice circuit 120, that is, the waveform of the input signal b ′ of the inversion circuit 130, 2C shows the output signal of the inverting circuit 130, that is, the waveform of the input signal c ′ of the second slice circuit 140, and FIG. 2D shows the output signal of the second slice circuit 140, that is, the output circuit section. 30 shows a waveform diagram of 30 input signals d ′.

【0032】図2(A)に示すように時刻t11で信号S
11が基準電圧V0 からスライスレベルL1 より下方に立
ち下がり、時刻t12で信号S21が基準電圧V0 より上方
に立ち上がると、第1のスライス回路120により、信
号S11がスライスレベルL1で、スライスされ、図2
(B)に示す信号S12とされる。このとき、時刻t12で
基準電圧V0 より上方に立ち上がった信号S21はスライ
スレベルL1 より上方なので、何の影響も受けない。
As shown in FIG. 2A, at time t11, the signal S
11 falls from the reference voltage V0 below the slice level L1, and at time t12 the signal S21 rises above the reference voltage V0, the signal S11 is sliced by the first slice circuit 120 at the slice level L1. 2
This is the signal S12 shown in FIG. At this time, the signal S21 rising above the reference voltage V0 at time t12 is above the slice level L1 and is not affected at all.

【0033】図2(B)に示すように信号S11がスライ
スレベルL1 でスライスされた信号波形c’は反転回路
130に供給され、図2(C)に示すように基準電圧V
0 を中心に反転され、信号S13のように基準電圧V0 よ
り上方に突出する。また、反転回路130で図2(C)
に示すように反転された波形c’ではスライスされた信
号S21は基準電圧V0 を中心に反転され、信号S22に示
すように、基準電圧V0 より下方に突出する。
As shown in FIG. 2B, a signal waveform c 'obtained by slicing the signal S11 at the slice level L1 is supplied to the inverting circuit 130, and as shown in FIG.
It is inverted around 0 and protrudes above the reference voltage V0 as in the signal S13. Further, the inverting circuit 130 shown in FIG.
In the inverted waveform c ', the sliced signal S21 is inverted around the reference voltage V0, and protrudes below the reference voltage V0, as shown in the signal S22.

【0034】図2(C)に示す波形c’は、第2のスラ
イス回路140によりスライスレベルL2 でスライスさ
れる。このとき、信号S22がスライスレベルL2 より下
方に突出しているので、信号S22のスライスレベルL2
より下方に突出した分が、スライスされ、図2(D)に
示す信号S23とされる。このとき、信号S13は基準電圧
V0 より上方に突出しており、スライスレベルL2 より
上方なので、何の影響も受けない。
The waveform c 'shown in FIG. 2C is sliced by the second slice circuit 140 at the slice level L2. At this time, since the signal S22 protrudes below the slice level L2, the slice level L2
The portion protruding further downward is sliced and used as a signal S23 shown in FIG. At this time, since the signal S13 protrudes above the reference voltage V0 and is above the slice level L2, it is not affected at all.

【0035】図2(D)に示すように基準電圧V0 を中
心に上限及び下限方向でスライスレベルより外側に突出
した信号S11、S21が共にスライスされ、信号S13,S
23とされて出力回路部30に供給される。以上のように
本実施例によれば、スライス回路110を同一の極性の
NPNトランジスタQ121 ,Q122 ,Q131 ,Q132 ,
Q141 ,Q142 で構成できる。NPNトランジスタは、
半導体チップ化した場合、半導体チップでPNPトラン
ジスタとして一般に用いられる構造のラテラルPNPト
ランジスタに比べて高周波特性が優れているので、高周
波の入力信号が供給されても、充分に動作を追従させる
ことができる。よって、高周波の入力信号でも確実にス
ライス可能とな、図5(B)に示すようなオーバーシュ
ートを防止できる。
As shown in FIG. 2D, signals S11 and S21 projecting outside the slice level in the upper and lower limits around the reference voltage V0 are both sliced, and the signals S13 and S
It is supplied to the output circuit section 30 as 23. As described above, according to the present embodiment, the slice circuit 110 includes the NPN transistors Q121, Q122, Q131, Q132,
It can be composed of Q141 and Q142. The NPN transistor is
When a semiconductor chip is used, since the semiconductor chip has higher high-frequency characteristics than a lateral PNP transistor having a structure generally used as a PNP transistor, even if a high-frequency input signal is supplied, the operation can be sufficiently followed. . Therefore, overshooting as shown in FIG. 5B, which can reliably slice even a high-frequency input signal, can be prevented.

【0036】[0036]

【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項1によれ
ば、第1のスライス回路により入力信号の上限又は下限
のいずれか一方をスライスし、第1のスライス回路で信
号の上限又は下限の一方がスライスされた入力信号を反
転回路により反転させて、第1のスライス回路と同一構
成で、第1のスライス回路と同一の側をスライスする第
2のスライス回路で、反転入力信号をスライスすること
により、第1のスライス回路でスライスされる側とは反
対側をスライスすることができ、よって、入力信号の上
下限の両方を同一構成のスライス回路でスライスできる
等の特長を有する。
As described above, according to the first aspect of the present invention, either the upper or lower limit of the input signal is sliced by the first slice circuit, and the upper or lower limit of the signal is sliced by the first slice circuit. One of the sliced input signals is inverted by an inverting circuit, and the inverted input signal is sliced by a second slice circuit having the same configuration as the first slice circuit and slicing the same side as the first slice circuit. By doing so, the side opposite to the side sliced by the first slice circuit can be sliced, and therefore, both the upper and lower limits of the input signal can be sliced by the slice circuit having the same configuration.

【0037】請求項2によれば、第1及び第2のスライ
ス回路を比較的周波数特性の優れたNPNトランジスタ
で構成できるので、高周波の入力信号が供給されても、
確実にスライスを行うことができる等の特長を有する。
請求項3によれば、第1及び第2のスライス回路、反転
回路を同一の半導体チップ上に集積して形成した場合、
半導体チップ化した場合に周波数特性の優れたNPNト
ランジスタで構成できるので、高周波の入力信号が供給
されても、確実にスライスを行うことができ、広帯域の
入力信号に対応できる等の特長を有する。
According to the second aspect, since the first and second slice circuits can be composed of NPN transistors having relatively excellent frequency characteristics, even if a high-frequency input signal is supplied,
It has features such as reliable slicing.
According to claim 3, when the first and second slice circuits and the inversion circuit are integrated and formed on the same semiconductor chip,
When a semiconductor chip is used, it can be composed of NPN transistors having excellent frequency characteristics. Therefore, even when a high-frequency input signal is supplied, slicing can be performed reliably, and a wide-band input signal can be handled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の動作波形図である。FIG. 2 is an operation waveform diagram of one embodiment of the present invention.

【図3】従来の一例のブロック構成図である。FIG. 3 is a block configuration diagram of an example of a related art.

【図4】従来の一例の動作波形図である。FIG. 4 is an operation waveform diagram of a conventional example.

【図5】従来の一例の課題を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a problem of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 アンプ回路部 11 基準電圧源 12,13 定電流源 20 出力回路部 100 広帯域アンプ 110 スライス回路部 120 第1のスライス回路 121,122,132,133,141,142 定
電流源 130 反転回路 131 基準電圧源 140 第2のスライス回路 Q121 ,Q122 ,Q131 ,Q132 ,Q141 ,Q142 N
PNトランジスタ R121 ,R131 ,R132 ,R133 ,R141 抵抗
Reference Signs List 10 amplifier circuit section 11 reference voltage source 12, 13 constant current source 20 output circuit section 100 wideband amplifier 110 slice circuit section 120 first slice circuit 121, 122, 132, 133, 141, 142 constant current source 130 inverting circuit 131 reference Voltage source 140 Second slice circuit Q121, Q122, Q131, Q132, Q141, Q142N
PN transistor R121, R131, R132, R133, R141 Resistance

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号波形の上下限をスライスする波
形スライス回路において、 前記入力信号波形の一方の側をスライスする第1のスラ
イス回路と、 前記第1のスライス回路でスライスされた前記入力信号
を反転する反転回路と、 前記第1のスライス回路と同一の構成とされ、前記反転
回路で反転された前記入力信号の一方の側をスライスす
る第2のスライス回路とを有することを特徴とする波形
スライス回路。
1. A waveform slicing circuit for slicing upper and lower limits of an input signal waveform, a first slice circuit for slicing one side of the input signal waveform, and the input signal sliced by the first slice circuit. And a second slice circuit having the same configuration as that of the first slice circuit and slicing one side of the input signal inverted by the inversion circuit. Waveform slicing circuit.
【請求項2】 前記第1及び第2のスライス回路は、前
記入力信号がベースに供給され、エミッタから前記入力
信号に応じた電流を出力する第1のNPNトランジスタ
と、 スライスレベルを設定するスライスレベル設定手段と、 前記スライスレベル設定手段で設定された前記スライス
レベルがベースに供給され、エミッタからスライスレベ
ルに応じた電流を出力する第2のNPNトランジスタ
と、 前記第1及び第2のNPNトランジスタのエミッタから
定電流を引き込む定電流源とを有することを特徴とする
請求項1記載の波形スライス回路。
2. The first and second slicing circuits include a first NPN transistor to which the input signal is supplied to a base and output a current according to the input signal from an emitter, and a slice for setting a slice level. Level setting means, a second NPN transistor which is supplied to the base with the slice level set by the slice level setting means, and outputs a current according to the slice level from an emitter, and the first and second NPN transistors 2. A waveform slicing circuit according to claim 1, further comprising: a constant current source for drawing a constant current from said emitter.
【請求項3】 前記第1及び第2のスライス回路、前記
反転回路は、同一の半導体チップ上に集積して形成され
たことを特徴とする請求項1又は2記載の波形スライス
回路。
3. The waveform slice circuit according to claim 1, wherein the first and second slice circuits and the inversion circuit are formed integrally on a same semiconductor chip.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107276553A (en) * 2016-04-06 2017-10-20 综合器件技术公司 Single-ended signal limiter with wide input voltage range

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107276553A (en) * 2016-04-06 2017-10-20 综合器件技术公司 Single-ended signal limiter with wide input voltage range
CN107276553B (en) * 2016-04-06 2019-01-11 综合器件技术公司 Single-ended signal limiter with wide input voltage range

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