JPH1127007A - 半同軸共振器形ｂｐｆ - Google Patents
半同軸共振器形ｂｐｆInfo
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- JPH1127007A JPH1127007A JP19514997A JP19514997A JPH1127007A JP H1127007 A JPH1127007 A JP H1127007A JP 19514997 A JP19514997 A JP 19514997A JP 19514997 A JP19514997 A JP 19514997A JP H1127007 A JPH1127007 A JP H1127007A
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- loop
- frequency
- semi
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Abstract
(57)【要約】
【課題】円筒状の半同軸共振器を用いたＢＰＦの温度に
よる中心周波数の変化を補償する。 【解決手段】外部導体１の内壁面に“コ”の字状の金属
ループ２２をスイッチングダイオード２３でオン／オフ
する周波数可変ループ２０を複数個取付ける。外部導体
１の外面と内部導体２の開放端内部に設けた温度センサ
１１，１２，１３，１４の検出値を比較器１５に入力し
て得た温度情報を制御回路１６に与える。制御回路１６
は予め温度情報に対応するオン／オフ制御出力を記憶し
ており、スイッチングダイオード２３を制御して金属ル
ープ２２を閉ループとし、温度によるフィルタの中心周
波数のずれを補償するように構成した。
よる中心周波数の変化を補償する。 【解決手段】外部導体１の内壁面に“コ”の字状の金属
ループ２２をスイッチングダイオード２３でオン／オフ
する周波数可変ループ２０を複数個取付ける。外部導体
１の外面と内部導体２の開放端内部に設けた温度センサ
１１，１２，１３，１４の検出値を比較器１５に入力し
て得た温度情報を制御回路１６に与える。制御回路１６
は予め温度情報に対応するオン／オフ制御出力を記憶し
ており、スイッチングダイオード２３を制御して金属ル
ープ２２を閉ループとし、温度によるフィルタの中心周
波数のずれを補償するように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信システ
ムの基地局及び簡易基地局装置に用いられる半同軸共振
器形ＢＰＦ（ドンドパスフィルタ）に関し、特に、その
周波数温度特性の改善に関するものである。
ムの基地局及び簡易基地局装置に用いられる半同軸共振
器形ＢＰＦ（ドンドパスフィルタ）に関し、特に、その
周波数温度特性の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は本発明を適用しようとする従来の
半同軸共振器形ＢＰＦの部分切断斜視図である。この従
来のＢＰＦは３個の共振器で構成された３段のＢＰＦで
ある。図において、１は密閉箱状の金属製外部導体、２
は円筒状半同軸空洞共振器形の内部導体であり、外部導
体１の内部床面に所定の間隔をおいて１列に垂直固定さ
れている。３は各共振器２の間を仕切り、段間のエネル
ギ結合用の結合窓を有する結合窓部である。４は内部導
体２の開放端との静電容量を調整して同調をとるための
同調ねじである。５は入出力コネクタであり、外部導体
１の入力側と出力側の両端面に設けられ、内部には金属
製の整合ループ６が接続されている。
半同軸共振器形ＢＰＦの部分切断斜視図である。この従
来のＢＰＦは３個の共振器で構成された３段のＢＰＦで
ある。図において、１は密閉箱状の金属製外部導体、２
は円筒状半同軸空洞共振器形の内部導体であり、外部導
体１の内部床面に所定の間隔をおいて１列に垂直固定さ
れている。３は各共振器２の間を仕切り、段間のエネル
ギ結合用の結合窓を有する結合窓部である。４は内部導
体２の開放端との静電容量を調整して同調をとるための
同調ねじである。５は入出力コネクタであり、外部導体
１の入力側と出力側の両端面に設けられ、内部には金属
製の整合ループ６が接続されている。
【０００３】円筒状の半同軸空洞共振器（以下、半同軸
共振器という）を用いた上記従来のＢＰＦの第一の問題
として、その材料が全て金属で構成されているため、金
属材料の正の線膨張係数（ｐｐｍ／℃）により、環境周
囲温度の低い時は中心周波数ｆ0 が高くなり、環境周囲
温度の高い時は中心周波数が低くなるという問題があ
る。これにより、フィルタの伝送（減衰）特性が常温時
に比べて劣化することになる。
共振器という）を用いた上記従来のＢＰＦの第一の問題
として、その材料が全て金属で構成されているため、金
属材料の正の線膨張係数（ｐｐｍ／℃）により、環境周
囲温度の低い時は中心周波数ｆ0 が高くなり、環境周囲
温度の高い時は中心周波数が低くなるという問題があ
る。これにより、フィルタの伝送（減衰）特性が常温時
に比べて劣化することになる。
【０００４】図８は従来のＢＰＦの温度特性例であり、
（Ｂ）は（Ａ）のレスポンスを示す縦軸を拡大した図で
ある。図において、ｆ0 は公称中心周波数、Δｆは使用
周波数帯域幅（規格値）、ｆ1 はその下限周波数、ｆ2
はその上限周波数を示す。ｆ3 とｆ4 は３０ｄＢ減衰点
の周波数の規格値である。実線は常温（＋２５℃）の特
性、破線は低温（−１０℃）の特性、２点鎖線は高温
（＋６０℃）の特性を示す。図に示すように、使用周波
数帯域Δｆ内の挿入損失は、環境周囲温度の低い時はＢ
ＰＦの中心周波数が高くなるため低域下限周波数ｆ1 側
の損失が増加し、温度が高い時は中心周波数が低くなる
ため高域上限周波数ｆ2 側の損失が増加する。
（Ｂ）は（Ａ）のレスポンスを示す縦軸を拡大した図で
ある。図において、ｆ0 は公称中心周波数、Δｆは使用
周波数帯域幅（規格値）、ｆ1 はその下限周波数、ｆ2
はその上限周波数を示す。ｆ3 とｆ4 は３０ｄＢ減衰点
の周波数の規格値である。実線は常温（＋２５℃）の特
性、破線は低温（−１０℃）の特性、２点鎖線は高温
（＋６０℃）の特性を示す。図に示すように、使用周波
数帯域Δｆ内の挿入損失は、環境周囲温度の低い時はＢ
ＰＦの中心周波数が高くなるため低域下限周波数ｆ1 側
の損失が増加し、温度が高い時は中心周波数が低くなる
ため高域上限周波数ｆ2 側の損失が増加する。
【０００５】この問題を解決するために、従来は線膨張
係数の小さい金属材料を使用したり、外部導体１と内部
導体２を互いに異なる材料を組合せて構成していた。し
かし、この方法では、材料自体が高価であったり、特殊
金属の加工費用が高価であったりするという新たな問題
が生ずる。
係数の小さい金属材料を使用したり、外部導体１と内部
導体２を互いに異なる材料を組合せて構成していた。し
かし、この方法では、材料自体が高価であったり、特殊
金属の加工費用が高価であったりするという新たな問題
が生ずる。
【０００６】また、従来のＢＰＦの第二の問題として、
大電力の無線機に搭載されたとき、共振器（内部導体
２）の開放端に高電圧がかかるため、内部導体２の先端
部分の温度が局部的に上昇して伝送特性の劣化を招くこ
とがある。この問題を解決するために、従来は、内部導
体２に熱伝導率の良い銅材やアルミニウム材を使用し
て、先端部分の熱を固定端部分からケース（外部導体
１）に伝わり易いようにしていた。
大電力の無線機に搭載されたとき、共振器（内部導体
２）の開放端に高電圧がかかるため、内部導体２の先端
部分の温度が局部的に上昇して伝送特性の劣化を招くこ
とがある。この問題を解決するために、従来は、内部導
体２に熱伝導率の良い銅材やアルミニウム材を使用し
て、先端部分の熱を固定端部分からケース（外部導体
１）に伝わり易いようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記２つ
の問題はそれぞれに解決するのは可能であるが、第一の
問題においては、材料費及び加工費が高くなる欠点があ
る。第二の問題を解決しようとすると、第一の問題点が
解決されない。従って、両者を同時に解決することがで
きず、予め、常温でのフィルタ伝送特性に、温度変化に
よる共振周波数シフト分を考慮して帯域幅を広くしてい
た。そのために、フィルタの次数をあげて共振器の数を
増やし、さらに、挿入損失増加を少なくするため共振器
のＱを上げていた。このことはフィルタの大型化とコス
ト高を招くこととなった。
の問題はそれぞれに解決するのは可能であるが、第一の
問題においては、材料費及び加工費が高くなる欠点があ
る。第二の問題を解決しようとすると、第一の問題点が
解決されない。従って、両者を同時に解決することがで
きず、予め、常温でのフィルタ伝送特性に、温度変化に
よる共振周波数シフト分を考慮して帯域幅を広くしてい
た。そのために、フィルタの次数をあげて共振器の数を
増やし、さらに、挿入損失増加を少なくするため共振器
のＱを上げていた。このことはフィルタの大型化とコス
ト高を招くこととなった。
【０００８】本発明の目的は、従来技術の問題点の半同
軸共振器を用いたＢＰＦの大型化をしないで温度による
伝送特性の劣化を解決した半同軸共振器形ＢＰＦを提供
することにある。
軸共振器を用いたＢＰＦの大型化をしないで温度による
伝送特性の劣化を解決した半同軸共振器形ＢＰＦを提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半同軸共振器形
ＢＰＦは、密閉箱状の外部導体と、該外部導体の内部床
面に所定の間隔で１列に垂直固定され上端を開放端とす
る円筒状半同軸共振器形の複数の内部導体と、該複数の
内部導体をそれぞれ仕切り結合窓を有する結合窓部と、
前記外部導体の入出力側の壁面にそれぞれ設けられ内部
に整合ループが取付けられた入出力コネクタとが備えら
れた半同軸共振器形ＢＰＦにおいて、前記外部導体の長
さ方向の側壁の内側面の複数箇所に取付けられスイッチ
ングダイオードによって金属ループがオン／オフ制御さ
れ、オンにより該金属ループが閉ループとなったとき、
前記内部導体に対応した取付け位置と取付け方向により
フィルタの中心周波数を高くまたは低くに変化させる周
波数可変ループと、前記内部導体の開放端近傍の内壁に
取り付けられ開放端部の温度を検出する第１の温度セン
サと、前記外部導体の表面に取り付けられ周囲温度を検
出する第２の温度センサと、前記第１の温度センサと前
記第２の温度センサの検出信号を比較しその絶対値およ
び差を２値情報にした温度情報を出力する比較器と、前
記第１，第２の温度センサ取付部の温度変化に対する周
波数温度特性及び内部と外部の温度差をパラメータとし
た周波数温度特性を予め実験的に求めて予測した２値温
度情報に対応する周波数温度補償値と前記複数の周波数
可変ループのオン／オフ制御データをテーブルとして予
め記憶させ、前記比較器から２値温度情報が入力された
とき、入力データに対応するオン／オフ制御データを読
み出して前記複数の周波数可変ループに与える制御回路
とが備えられ、フィルタの中心周波数温度特性を補償す
るように構成したことを特徴とするものである。
ＢＰＦは、密閉箱状の外部導体と、該外部導体の内部床
面に所定の間隔で１列に垂直固定され上端を開放端とす
る円筒状半同軸共振器形の複数の内部導体と、該複数の
内部導体をそれぞれ仕切り結合窓を有する結合窓部と、
前記外部導体の入出力側の壁面にそれぞれ設けられ内部
に整合ループが取付けられた入出力コネクタとが備えら
れた半同軸共振器形ＢＰＦにおいて、前記外部導体の長
さ方向の側壁の内側面の複数箇所に取付けられスイッチ
ングダイオードによって金属ループがオン／オフ制御さ
れ、オンにより該金属ループが閉ループとなったとき、
前記内部導体に対応した取付け位置と取付け方向により
フィルタの中心周波数を高くまたは低くに変化させる周
波数可変ループと、前記内部導体の開放端近傍の内壁に
取り付けられ開放端部の温度を検出する第１の温度セン
サと、前記外部導体の表面に取り付けられ周囲温度を検
出する第２の温度センサと、前記第１の温度センサと前
記第２の温度センサの検出信号を比較しその絶対値およ
び差を２値情報にした温度情報を出力する比較器と、前
記第１，第２の温度センサ取付部の温度変化に対する周
波数温度特性及び内部と外部の温度差をパラメータとし
た周波数温度特性を予め実験的に求めて予測した２値温
度情報に対応する周波数温度補償値と前記複数の周波数
可変ループのオン／オフ制御データをテーブルとして予
め記憶させ、前記比較器から２値温度情報が入力された
とき、入力データに対応するオン／オフ制御データを読
み出して前記複数の周波数可変ループに与える制御回路
とが備えられ、フィルタの中心周波数温度特性を補償す
るように構成したことを特徴とするものである。
【００１０】さらに、前記周波数可変ループは、前記外
部導体への取付板と、該取付板に固定され外部からのバ
イアス電圧を通す貫通形コンデンサと、該貫通形コンデ
ンサの内部端子に一端が接続され他端が前記取付板に固
定されたスイッチングダイオードと“コ”の字状の線状
または平板状の金属ループの直列回路とからなり、前記
スイッチングダイオードがオフのとき前記金属ループは
開ループとなり、オンのとき該金属ループが閉ループと
なってフィルタの中心周波数を変化させるように構成さ
れたことを特徴とするものである。
部導体への取付板と、該取付板に固定され外部からのバ
イアス電圧を通す貫通形コンデンサと、該貫通形コンデ
ンサの内部端子に一端が接続され他端が前記取付板に固
定されたスイッチングダイオードと“コ”の字状の線状
または平板状の金属ループの直列回路とからなり、前記
スイッチングダイオードがオフのとき前記金属ループは
開ループとなり、オンのとき該金属ループが閉ループと
なってフィルタの中心周波数を変化させるように構成さ
れたことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の基本構成の概略を図１に
示す。図において、１は外部導体、２は内部導体、３は
結合窓部である。この構成は２つの半同軸共振器を内部
導体２として用いた３段のＢＰＦである。但し、入出力
コネクタ部分と同調ねじ部分の図示は省略した。図１に
おいて、１１，１２，１３，１４は温度センサ、１５は
比較器、１６は制御器である。また、２０は周波数可変
ループであり、外部導体１の側壁面の２箇所に２つずつ
設けられ、それぞれ線状または細板状の金属ループ２
２、ピンダイオードなどのスイッチングダイオード２
３、貫通形コンデンサ２４からなっている。
示す。図において、１は外部導体、２は内部導体、３は
結合窓部である。この構成は２つの半同軸共振器を内部
導体２として用いた３段のＢＰＦである。但し、入出力
コネクタ部分と同調ねじ部分の図示は省略した。図１に
おいて、１１，１２，１３，１４は温度センサ、１５は
比較器、１６は制御器である。また、２０は周波数可変
ループであり、外部導体１の側壁面の２箇所に２つずつ
設けられ、それぞれ線状または細板状の金属ループ２
２、ピンダイオードなどのスイッチングダイオード２
３、貫通形コンデンサ２４からなっている。
【００１２】この図１では、説明の都合上、ＢＰＦの入
出力側の壁面に周波数可変ループ２０が取付けられてい
るが、実際は、図３以降の実施例に示したように、外部
導体１の長さ方向の側壁面に取付けられる。
出力側の壁面に周波数可変ループ２０が取付けられてい
るが、実際は、図３以降の実施例に示したように、外部
導体１の長さ方向の側壁面に取付けられる。
【００１３】図２は、本発明の要部をなし、フィルタの
中心周波数を変化させるための周波数可変ループ２２の
構造例図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図であ
る。上述の金属ループ２２，スイッチングダイオード２
３，貫通形コンデンサ２４は取付板２１に取付けられて
周波数可変ループ２０を構成している。なお、スイッチ
ングダイオード２３の位置は金属ループ２２の貫通形コ
ンデンサ２３側でもケースへの固定端側でもよい。
中心周波数を変化させるための周波数可変ループ２２の
構造例図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図であ
る。上述の金属ループ２２，スイッチングダイオード２
３，貫通形コンデンサ２４は取付板２１に取付けられて
周波数可変ループ２０を構成している。なお、スイッチ
ングダイオード２３の位置は金属ループ２２の貫通形コ
ンデンサ２３側でもケースへの固定端側でもよい。
【００１４】この周波数可変ループ２０は、外部導体１
の側壁内面に金属ループ２２が突出するように取付けら
れ、スイッチングダイオード２３をオン／オフして金属
ループ２２を閉／開することにより共振周波数を微小に
変化させることができる。共振周波数の高／低の変化
は、その取付位置と向き（金属ループ２２の向き）によ
って設定することができる。
の側壁内面に金属ループ２２が突出するように取付けら
れ、スイッチングダイオード２３をオン／オフして金属
ループ２２を閉／開することにより共振周波数を微小に
変化させることができる。共振周波数の高／低の変化
は、その取付位置と向き（金属ループ２２の向き）によ
って設定することができる。
【００１５】例えば、取付位置と向きを、内部導体２の
上部の開放端部に対応する位置に内部導体２と平行にし
たとき、金属ループ２２を「閉」とすると周波数が低く
なり、内部導体２の下部の短絡端部に対応する位置に平
行にしたとき、金属ループ２２を「閉」とすると周波数
が高く変化する。
上部の開放端部に対応する位置に内部導体２と平行にし
たとき、金属ループ２２を「閉」とすると周波数が低く
なり、内部導体２の下部の短絡端部に対応する位置に平
行にしたとき、金属ループ２２を「閉」とすると周波数
が高く変化する。
【００１６】各内部導体２の開放端に、開放端部分の温
度を検出するセンサ１２，１４を設け、外部導体１に周
囲温度を検出するセンサ１１，１３を設けて、内部の開
放端部分の温度と外部の温度を検出して比較器１５で比
較し、内部と外部の温度、及びその差を２値情報にして
制御回路１６に与える。
度を検出するセンサ１２，１４を設け、外部導体１に周
囲温度を検出するセンサ１１，１３を設けて、内部の開
放端部分の温度と外部の温度を検出して比較器１５で比
較し、内部と外部の温度、及びその差を２値情報にして
制御回路１６に与える。
【００１７】制御回路１６は、内外の温度差がないとき
の周波数温度特性、内外の温度差、特に、内部温度が高
いときの、その差をパラメータとした周波数温度特性
を、予め実験的に求めて、予測した２値温度情報に対応
する周波数温度補償値から、ＢＰＦの各部に取付けた周
波数可変ループ２０のオン／オフ制御データをテーブル
として記憶させておき、比較器１５から温度情報が入力
されると、それに対応するオン／オフ制御データを出力
して、外部導体１の各部に設けた金属ループ２２、貫通
形コンデンサ２４，スイッチングダイオード２３からな
る周波数可変ループ２０のスイッチングダイオード２３
のバイアス電圧をオン／オフ制御して金属ループ２２閉
／開するように構成されている。
の周波数温度特性、内外の温度差、特に、内部温度が高
いときの、その差をパラメータとした周波数温度特性
を、予め実験的に求めて、予測した２値温度情報に対応
する周波数温度補償値から、ＢＰＦの各部に取付けた周
波数可変ループ２０のオン／オフ制御データをテーブル
として記憶させておき、比較器１５から温度情報が入力
されると、それに対応するオン／オフ制御データを出力
して、外部導体１の各部に設けた金属ループ２２、貫通
形コンデンサ２４，スイッチングダイオード２３からな
る周波数可変ループ２０のスイッチングダイオード２３
のバイアス電圧をオン／オフ制御して金属ループ２２閉
／開するように構成されている。
【００１８】これにより、環境周囲温度の変化や、入力
電力による内部導体２の局部的な温度変化でＢＰＦの中
心周波数が低くなったり、高くなったりした時、その逆
方向にＢＰＦの中心周波数を変化させて補償することに
より、使用帯域内の損失特性を一定に維持することがで
きる。
電力による内部導体２の局部的な温度変化でＢＰＦの中
心周波数が低くなったり、高くなったりした時、その逆
方向にＢＰＦの中心周波数を変化させて補償することに
より、使用帯域内の損失特性を一定に維持することがで
きる。
【００１９】図２に示した周波数可変ループ２０の基本
動作を説明する。周波数可変ループ２０は、コの字状の
平板状金属ループ２２，スイッチングダイオード２３及
び貫通形コンデンサ２４より構成され、金属ループ２２
の片端に取り付けられたスイッチングダイオード２３に
正のバイアス電圧をかけることにより、金属ループ２２
の両端が短絡され閉ループ状態となる。
動作を説明する。周波数可変ループ２０は、コの字状の
平板状金属ループ２２，スイッチングダイオード２３及
び貫通形コンデンサ２４より構成され、金属ループ２２
の片端に取り付けられたスイッチングダイオード２３に
正のバイアス電圧をかけることにより、金属ループ２２
の両端が短絡され閉ループ状態となる。
【００２０】この閉ループを、内部導体２の開放端付近
に対面する外部導体１の壁面に内部導体２と平行に配置
すると中心周波数が低くなり、短絡端付近に内部導体２
と平行に配置すると中心周波数が高くなる。また、開放
端付近に内部導体２と直角をなすように配置すると中心
周波数が高くなり、短絡端付近に内部導体と直角をなす
ように配置すると中心周波数が低くなる。
に対面する外部導体１の壁面に内部導体２と平行に配置
すると中心周波数が低くなり、短絡端付近に内部導体２
と平行に配置すると中心周波数が高くなる。また、開放
端付近に内部導体２と直角をなすように配置すると中心
周波数が高くなり、短絡端付近に内部導体と直角をなす
ように配置すると中心周波数が低くなる。
【００２１】
【実施例】以上の基本的な原理を用いた本発明の実施例
について説明する。図３は本発明の第１の実施例を示す
断面概要を示す回路ブロック図であり、内部導体２の短
絡端付近に周波数可変ループ２０を内部導体２と平行に
配置したもの（ｂ）と、直角に配置したもの（ａ）をそ
れぞれ１つずつ設けたものである。符号は、図１，図７
と同じ部分に同符号を付してある。この場合、例えば、
温度が上昇した時は（ｂ）のスイッチングダイオードに
正のバイアス電圧をかけて閉ループとすることにより中
心周波数が高くなるようにし、温度が下降した時は
（ａ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて閉ループ状態にして中心周波数が低くなるように
構成されている。この周波数可変ループ２０と、その平
板状金属ループ２２の平板の幅及び高さが異なるものを
複数個配置すれば、複数通りの制御ができる。
について説明する。図３は本発明の第１の実施例を示す
断面概要を示す回路ブロック図であり、内部導体２の短
絡端付近に周波数可変ループ２０を内部導体２と平行に
配置したもの（ｂ）と、直角に配置したもの（ａ）をそ
れぞれ１つずつ設けたものである。符号は、図１，図７
と同じ部分に同符号を付してある。この場合、例えば、
温度が上昇した時は（ｂ）のスイッチングダイオードに
正のバイアス電圧をかけて閉ループとすることにより中
心周波数が高くなるようにし、温度が下降した時は
（ａ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて閉ループ状態にして中心周波数が低くなるように
構成されている。この周波数可変ループ２０と、その平
板状金属ループ２２の平板の幅及び高さが異なるものを
複数個配置すれば、複数通りの制御ができる。
【００２２】図４は本発明の第２の実施例を示す要部断
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）の開放端
（ｃ）及び短絡端（ｄ）付近に対応する外部導体１の内
面にそれぞれ周波数可変ループ２０を平行に１つずつ配
置したものである。但し、温度センサと比較器，制御回
路は図示を省略した。この場合、温度が上昇したときは
（ｄ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて閉ループ状態とし中心周波数が高くなるように
し、温度が下降した時は（ｃ）のスイッチングダイオー
ドに正のバイアス電圧をかけて閉ループとして中心周波
数が低くなるようにする。この場合も、その平板状金属
ループ２２の幅および高さが異なるものを複数個ずつ配
置すれば、複数通りの制御ができる。
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）の開放端
（ｃ）及び短絡端（ｄ）付近に対応する外部導体１の内
面にそれぞれ周波数可変ループ２０を平行に１つずつ配
置したものである。但し、温度センサと比較器，制御回
路は図示を省略した。この場合、温度が上昇したときは
（ｄ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて閉ループ状態とし中心周波数が高くなるように
し、温度が下降した時は（ｃ）のスイッチングダイオー
ドに正のバイアス電圧をかけて閉ループとして中心周波
数が低くなるようにする。この場合も、その平板状金属
ループ２２の幅および高さが異なるものを複数個ずつ配
置すれば、複数通りの制御ができる。
【００２３】図５は本発明の第３の実施例を示す要部断
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）の開放端
（ｆ）及び短絡端（ｅ）付近にそれぞれ周波数可変ルー
プ２０を直角に１つずつ配置したものである。但し、温
度センサと比較器，制御回路は図示を省略した。この場
合、温度が上昇したときは（ｆ）のスイッチングダイオ
ードに正のバイアス電圧をかけて閉ループとし中心周波
数が高くなるようにし、温度が下降した時は（ｅ）のス
イッチングダイオードに正のバイアス電圧をかけて閉ル
ープとし中心周波数が低くなるようにする。この場合も
平板状金属ループ２２の幅および高さが異なるものを複
数個ずつ配置すれば、複数通りの制御ができる。
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）の開放端
（ｆ）及び短絡端（ｅ）付近にそれぞれ周波数可変ルー
プ２０を直角に１つずつ配置したものである。但し、温
度センサと比較器，制御回路は図示を省略した。この場
合、温度が上昇したときは（ｆ）のスイッチングダイオ
ードに正のバイアス電圧をかけて閉ループとし中心周波
数が高くなるようにし、温度が下降した時は（ｅ）のス
イッチングダイオードに正のバイアス電圧をかけて閉ル
ープとし中心周波数が低くなるようにする。この場合も
平板状金属ループ２２の幅および高さが異なるものを複
数個ずつ配置すれば、複数通りの制御ができる。
【００２４】図６は本発明の第４の実施例を示す要部断
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）に沿って平行
に配置した３つの周波数可変ループを一体に形成したも
のである。但し、温度センサと比較器，制御回路は図示
を省略した。この場合、温度が上昇したときは（ｈ）と
（ｉ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて中心周波数が高くなるようにし、温度が下降した
時は（ｇ）と（ｈ）のスイッチングダイオードに正のバ
イアス電圧をかけて中心周波数が低くなるようにする。
これも平板状金属ループ２２の幅および高さが異なる一
体成形した閉ループを複数個ずつ配置すれば、複数通り
の制御ができる。
面図であり、半同軸共振器（内部導体２）に沿って平行
に配置した３つの周波数可変ループを一体に形成したも
のである。但し、温度センサと比較器，制御回路は図示
を省略した。この場合、温度が上昇したときは（ｈ）と
（ｉ）のスイッチングダイオードに正のバイアス電圧を
かけて中心周波数が高くなるようにし、温度が下降した
時は（ｇ）と（ｈ）のスイッチングダイオードに正のバ
イアス電圧をかけて中心周波数が低くなるようにする。
これも平板状金属ループ２２の幅および高さが異なる一
体成形した閉ループを複数個ずつ配置すれば、複数通り
の制御ができる。
【００２５】以上の実施例は２次のＢＰＦの例である
が、半同軸共振器を複数個用いたｎ次のＢＰＦでも本発
明を適用することができ、同様の効果を得ることができ
る。
が、半同軸共振器を複数個用いたｎ次のＢＰＦでも本発
明を適用することができ、同様の効果を得ることができ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明を実
施することにより、次の効果がある。 （１）線膨張率の小さい高価な材料を用いなくてよいた
め、材料費の上昇を避けることができる。 （２）熱伝導率が大きく、加工の難しい銅材を用いなく
てもよいため、加工費の上昇を避けることができる。 （３）共振器の数を増してフィルタの次数を上げること
なく温度特性が改善され、使用帯域の損失の劣化を防ぐ
ことができる。 （４）温度を細かく検出すれば、さらに温度変化に対す
る伝送特性の劣化を少なくすることができる。
施することにより、次の効果がある。 （１）線膨張率の小さい高価な材料を用いなくてよいた
め、材料費の上昇を避けることができる。 （２）熱伝導率が大きく、加工の難しい銅材を用いなく
てもよいため、加工費の上昇を避けることができる。 （３）共振器の数を増してフィルタの次数を上げること
なく温度特性が改善され、使用帯域の損失の劣化を防ぐ
ことができる。 （４）温度を細かく検出すれば、さらに温度変化に対す
る伝送特性の劣化を少なくすることができる。
【図１】本発明の基本構成の概略図である。
【図２】本発明の要部をなす周波可変ループの構造例図
である。
である。
【図３】本発明の第１の実施例を示す断面概要と回路ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す要部断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施例を示す要部断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の第４の実施例を示す要部断面図であ
る。
る。
【図７】従来のＢＰＦの部分切断斜視図である。
【図８】従来のＢＰＦの温度特性例図である。
１ 外部導体 ２ 内部導体 ３ 結合窓部 ４ 同調ねじ ５ 入出力コネクタ ６ 整合ループ １１，１２，１３，１４ 温度センサ １５ 比較器 １６ 制御回路 ２０ 周波数可変ループ ２１ 取付板 ２２ 金属ループ ２３ スイッチングダイオード ２４ 貫通形コンデンサ
Claims (2)
- 【請求項１】 密閉箱状の外部導体と、該外部導体の内
部床面に所定の間隔で１列に垂直固定され上端を開放端
とする円筒状半同軸共振器形の複数の内部導体と、該複
数の内部導体をそれぞれ仕切り結合窓を有する結合窓部
と、前記外部導体の入出力側の壁面にそれぞれ設けられ
内部に整合ループが取付けられた入出力コネクタとが備
えられた半同軸共振器形ＢＰＦにおいて、 前記外部導体の長さ方向の側壁の内側面の複数箇所に取
付けられスイッチングダイオードによって金属ループが
オン／オフ制御され、オンにより該金属ループが閉ルー
プとなったとき、前記内部導体に対応した取付け位置と
取付け方向によりフィルタの中心周波数を高くまたは低
くに変化させる周波数可変ループと、 前記内部導体の開放端近傍の内壁に取り付けられ開放端
部の温度を検出する第１の温度センサと、 前記外部導体の表面に取り付けられ周囲温度を検出する
第２の温度センサと、 前記第１の温度センサと前記第２の温度センサの検出信
号を比較しその絶対値および差を２値情報にした温度情
報を出力する比較器と、 前記第１，第２の温度センサ取付部の温度変化に対する
周波数温度特性及び内部と外部の温度差をパラメータと
した周波数温度特性を予め実験的に求めて予測した２値
温度情報に対応する周波数温度補償値と前記複数の周波
数可変ループのオン／オフ制御データをテーブルとして
予め記憶させ、前記比較器から２値温度情報が入力され
たとき、入力データに対応するオン／オフ制御データを
読み出して前記複数の周波数可変ループに与える制御回
路とが備えられ、 フィルタの中心周波数温度特性を補償するように構成し
たことを特徴とする半同軸共振器形ＢＰＦ。 - 【請求項２】 前記周波数可変ループは、前記外部導体
への取付板と、該取付板に固定され外部からのバイアス
電圧を通す貫通形コンデンサと、該貫通形コンデンサの
内部端子に一端が接続され他端が前記取付板に固定され
たスイッチングダイオードと“コ”の字状の線状または
平板状の金属ループの直列回路とからなり、前記スイッ
チングダイオードがオフのとき前記金属ループは開ルー
プとなり、オンのとき該金属ループが閉ループとなって
フィルタの中心周波数を変化させるように構成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の半同軸共振器形ＢＰＦ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514997A JPH1127007A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半同軸共振器形ｂｐｆ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514997A JPH1127007A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半同軸共振器形ｂｐｆ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1127007A true JPH1127007A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16336257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19514997A Pending JPH1127007A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半同軸共振器形ｂｐｆ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1127007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894587B2 (en) | 2000-05-25 | 2005-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coaxial resonator, filter, duplexer, and communication device |
| JP2007300252A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 共振器結合型フィルタ |
| KR101237008B1 (ko) | 2012-05-31 | 2013-02-25 | 주식회사 이너트론 | 원통 구조의 바이어스 티를 구비하는 공진기 필터 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP19514997A patent/JPH1127007A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894587B2 (en) | 2000-05-25 | 2005-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coaxial resonator, filter, duplexer, and communication device |
| JP2007300252A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 共振器結合型フィルタ |
| KR101237008B1 (ko) | 2012-05-31 | 2013-02-25 | 주식회사 이너트론 | 원통 구조의 바이어스 티를 구비하는 공진기 필터 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040624 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051213 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060530 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |