JPH1127006A - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

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JPH1127006A
JPH1127006A JP22110297A JP22110297A JPH1127006A JP H1127006 A JPH1127006 A JP H1127006A JP 22110297 A JP22110297 A JP 22110297A JP 22110297 A JP22110297 A JP 22110297A JP H1127006 A JPH1127006 A JP H1127006A
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JP
Japan
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circuit
dielectric
pass filter
laminate
resonators
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JP22110297A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Ito
憲治 伊藤
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact dielectric filter which has high mechanical strength and also can easily set a circuit constant. SOLUTION: A circuit layered product 10a consisting of dielectric layers 11a to 11f placed on an open end face 8 of a dielectric ceramic block 2 is disposed. A coupled circuit L of the product 10a is connected to the necessary resonators 3A to 3C of a resonator circuit X. In such a constitution, a compact dielectric filter is obtained in a simple and even shape. As a result, the circuit designing is facilitated and also an optional circuit constant can be easily set since an LC coupled circuit consists of the product 10a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話、携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる、共振器を複数並
設してなる誘電体フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter having a plurality of resonators arranged side by side, which is used for mobile communication devices such as a mobile phone and a mobile phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11で示すように、誘電体磁器ブロッ
クaに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することにより
構成される共振器bを複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体c
を被覆すると共に、一端側の共振器tと結合する入力端
子パッドP1 をアース導体cと区画して側面に形成し、
他端側の共振器tと結合する出力端子パッドP2 をアー
ス導体cと区画して側面に形成してなる誘電体フィルタ
は種々提案されている。この構成は、同図で示すよう
に、開放端面で、各貫通孔の口端に形成したザグリdの
表面に導電被膜を被覆したり、該開放面にパターン導体
を印刷する等により、各共振器の内導体に接続する導電
層eを形成し、各導電層e相互を結合して、これにより
バンドパスフィルタを構成するようにしている。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 11, a plurality of resonators b formed by coating an inner conductor on an inner peripheral surface of a through hole are arranged in a dielectric ceramic block a in one direction. Ground conductor c on the required outer peripheral surface except the open end surface where the through hole opens
And an input terminal pad P 1 to be coupled to the resonator t on one end is formed on a side surface by dividing the input terminal pad P 1 from the ground conductor c.
Obtained by forming the side surface of the output terminal pad P 2, which binds to the other end of the resonator t and divides the grounding conductor c dielectric filter have been proposed. In this configuration, as shown in the figure, the surface of the counterbore d formed at the opening end of each through-hole is coated with a conductive coating on the open end surface, or a pattern conductor is printed on the open surface to form each resonance. A conductive layer e connected to the inner conductor of the container is formed, and the respective conductive layers e are connected to each other to form a band-pass filter.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、ザグリやパターンの形成によって、共振器相互を結
合するための結合回路を形成した場合には、得られる回
路定数に限界があり、設計に制約を生じる。そこで、こ
の問題を解決するために、コイルやコンデンサ等の集中
定数部品を使用したものが提案された。しかるにかかる
構成にあっては、設計に自由度が与えられる反面、組み
付け工数が増加し、かつ形態も直方体のような整一な形
状とならず、寸法が大きくなり、かつ雑然とした回路配
列となって、回路設計が複雑化し、さらには機械的強度
も低下する等の問題があった。本発明は、かかる問題点
を除去することを目的とするものである。
However, as described above, when a coupling circuit for coupling resonators is formed by forming a counterbore or a pattern, the circuit constant obtained is limited, and the design is limited. Causes restrictions. In order to solve this problem, a device using lumped constant components such as a coil and a capacitor has been proposed. However, in such a configuration, although the degree of freedom is given to the design, the number of assembling steps is increased, and the form is not a uniform shape like a rectangular parallelepiped, the dimensions are large, and a cluttered circuit arrangement is required. As a result, the circuit design becomes complicated, and the mechanical strength also decreases. An object of the present invention is to eliminate such a problem.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体磁器ブ
ロックに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することによ
り構成される共振器を複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体を
被覆してなる誘電体磁器ブロックの、その開放端面に、
複数の誘電体層を積層してなる回路積層体を配設し、該
回路積層体により結合回路を構成して、結合回路を所要
共振器と結合することにより所要濾波回路を構成するよ
うにしたことを特徴とする誘電体フィルタである。
According to the present invention, a plurality of resonators each formed by coating an inner conductor on an inner peripheral surface of a through-hole are arranged in a dielectric ceramic block in one direction, and a plurality of resonators are provided. On the open end face of the dielectric porcelain block in which the required outer peripheral surface except the open end face where the hole opens is covered with a ground conductor,
A circuit laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers is provided, a coupling circuit is configured by the circuit laminate, and a required filtering circuit is configured by coupling the coupling circuit to a required resonator. A dielectric filter characterized in that:

【0005】かかる構成にあって、誘電体磁器ブロック
の開口端面に誘電体層が配設された単純構成により、結
合回路が構成されることとなり、整一な形状の誘電体フ
ィルタが形成されると共に、回路積層体の構造を選定す
ることににより、任意の回路定数のものを構成すること
ができる。
In such a configuration, a coupling circuit is formed by a simple configuration in which a dielectric layer is disposed on an opening end surface of a dielectric ceramic block, and a dielectric filter having a uniform shape is formed. At the same time, by selecting the structure of the circuit laminate, an arbitrary circuit constant can be formed.

【0006】上述の構成にあって、前記誘電体磁器ブロ
ックの開放端面に、複数の誘電体層を積層して焼結し
て、1チップ構造とした回路積層体を接合したものが提
案される。このように、回路積層体を1チップ構造とす
ることにより、誘電体磁器ブロックの開口端面に、該チ
ップを接合するだけで、容易に誘電体フィルタを構成し
得ることとなる。
In the above structure, a circuit laminate having a one-chip structure formed by laminating a plurality of dielectric layers and sintering them on the open end face of the dielectric ceramic block is proposed. . Thus, by forming the circuit laminate into a one-chip structure, a dielectric filter can be easily formed only by bonding the chip to the opening end face of the dielectric ceramic block.

【0007】前記回路積層体により構成される結合回路
は、各共振器と結合して、ローパスフィルタを構成する
ローパスフィルタ結合回路,バンドパスフィルタを構成
するバンドパスフィルタ結合回路又はハイパスフィルタ
を構成するハイパスフィルタ結合回路を適用することが
できる。
The coupling circuit formed by the circuit laminate is coupled to each resonator to form a low-pass filter coupling circuit forming a low-pass filter, a band-pass filter coupling circuit forming a band-pass filter, or a high-pass filter. A high-pass filter coupling circuit can be applied.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1〜3は、本発明の第一実施例
を示し、酸化チタン系,酸化バリウム系等の誘電体セラ
ミック材料を焼結してなる扁平状の直方体形状誘電体磁
器ブロック2に、三つの共振器3A〜3C一方向に平行
に配設し、その開放端面8に回路積層体10aを接合し
てなる誘電体フィルタ1aを示す。この誘電体フィルタ
1aは、図4で示すローパスフィルタを構成するもので
ある。
1 to 3 show a first embodiment of the present invention, in which a flat rectangular parallelepiped dielectric ceramic made by sintering a dielectric ceramic material such as titanium oxide or barium oxide. Block 2 shows a dielectric filter 1a which is disposed in parallel with one direction of the three resonators 3A to 3C and has a circuit laminate 10a joined to the open end face 8 thereof. This dielectric filter 1a constitutes the low-pass filter shown in FIG.

【0009】この共振器3A〜3Cは、図3で示すよう
に、円管状の貫通孔5に夫々内導体6を塗着形成してな
り、さらに、その貫通孔5が開口する開放端面8を除く
所要外周面にアース導体7を被覆している。この共振器
3A〜3Cは、共振周波数のλ/4に相当する共振長寸
法にほぼ一致させている。そして、この共振器3A〜3
Cにより、図4で示す共振器回路Xが構成される。
As shown in FIG. 3, each of the resonators 3A to 3C is formed by coating an inner conductor 6 on a cylindrical through-hole 5 and further forming an open end face 8 through which the through-hole 5 opens. The ground conductor 7 is coated on the required outer peripheral surface except for that. The resonators 3A to 3C are made to substantially match the resonance length dimension corresponding to λ / 4 of the resonance frequency. Then, the resonators 3A to 3A
C constitutes the resonator circuit X shown in FIG.

【0010】前記開放端面8には、ローパスフィルタ結
合回路Lを構成する回路積層体10aが接合される。こ
の回路積層体10aは、ガラスセラミック,ガラスと誘
電体セラミック材料の複合材料、あるいは低融点酸化物
等の誘電体セラミック材料からなり、しかも誘電体磁器
ブロック2の開放端面8の形状と一致した長方形状の複
数の誘電体層11a〜11fを積層し、これを一体焼結
して、1チップ構造とすることにより形成される。ま
た、この回路積層体10aは、誘電体層11a〜11f
の積層により、ローパスフィルタ結合回路Lが共振器回
路Xの所要共振器3A〜3Cと結合して、ローパスフィ
ルタを構成している。このように、この回路積層体10
aは誘電体層11a〜11fを一体焼結して、1チップ
化されているため、開放端面8上への接合により、全体
が一様な直方体をなす、整一な誘電体フィルタ1aを容
易に構成し得ることとなる。
A circuit laminate 10a constituting a low-pass filter coupling circuit L is joined to the open end face 8. The circuit laminate 10a is made of a dielectric material such as glass ceramic, a composite material of glass and a dielectric ceramic material, or a low-melting oxide, and has a rectangular shape that matches the shape of the open end face 8 of the dielectric ceramic block 2. It is formed by laminating a plurality of dielectric layers 11a to 11f in a shape and sintering them integrally to form a one-chip structure. The circuit laminate 10a includes dielectric layers 11a to 11f.
, The low-pass filter coupling circuit L is coupled to the required resonators 3A to 3C of the resonator circuit X to form a low-pass filter. Thus, the circuit laminate 10
Since a is integrated into one chip by integrally sintering the dielectric layers 11a to 11f, it is easy to form a uniform dielectric filter 1a having a uniform rectangular parallelepiped by bonding on the open end face 8. Can be configured as follows.

【0011】各誘電体層11a〜11fは、その表面に
所要のパターン導体を印刷形成し、さらに、スルホール
を穿設してなるものであり、その具体的構成につき説明
する。
Each of the dielectric layers 11a to 11f is formed by printing a required pattern conductor on the surface thereof and further forming a through hole. The specific configuration will be described.

【0012】誘電体層11aの表面には、共振器3A〜
3Cに対向する部位に、電極層12a,12b,12c
が形成されると共に、スルホールが貫通状に形成され、
各共振器の内導体と接続される。
On the surface of the dielectric layer 11a, the resonators 3A to 3A
The electrode layers 12a, 12b, 12c
Is formed, and through holes are formed in a penetrating manner,
Connected to the inner conductor of each resonator.

【0013】また、誘電体層11bの表面にも、共振器
3A〜3Cに対向する部位に、電極層13a,13b,
13cが形成され、これにより、共振器3A〜3B、電
極層13a,13b,13c間で、誘電体層11bの厚
さと、電極層12a〜12e、13a〜13eの電極面
積により容量が定まるローパスフィルタ結合回路Lのコ
ンデンサC1 〜C3 (図4参照)が構成されることとな
る。
Further, on the surface of the dielectric layer 11b, the electrode layers 13a, 13b,
13c is formed, whereby the capacitance between the resonators 3A to 3B and the electrode layers 13a, 13b, 13c is determined by the thickness of the dielectric layer 11b and the electrode area of the electrode layers 12a to 12e, 13a to 13e. The capacitors C 1 to C 3 (see FIG. 4) of the coupling circuit L are configured.

【0014】さらに、誘電体層11cには、前記電極層
13a,13b,13cと接続するスルホールhが貫通
状に形成され、その表面で各スルホールh間に、蛇行状
の導電路からなるインダクタL1 ,L2 が形成される。
Further, through holes h are formed in the dielectric layer 11c so as to be connected to the electrode layers 13a, 13b and 13c, and an inductor L formed of a meandering conductive path is formed between the through holes h on the surface thereof. 1 and L 2 are formed.

【0015】誘電体層11dの表面には、前記電極層1
3aとスルホールhを介して接続される入出力延出路1
5aと、同じく前記電極層13cとスルホールhを介し
て接続される入出力延出路15bとが形成される。
The electrode layer 1 is provided on the surface of the dielectric layer 11d.
I / O extension path 1 connected to 3a via through hole h
5a and an input / output extension path 15b also connected to the electrode layer 13c via the through hole h.

【0016】誘電体層11eの表面には、電極層20
a,20b,20cが形成されて、夫々誘電体層11
c,11d,11eを貫通するスルホールhを介して電
極層13a,13b,13cと接続される。
An electrode layer 20 is formed on the surface of the dielectric layer 11e.
a, 20b, and 20c are formed, and the dielectric layers 11
The electrodes are connected to the electrode layers 13a, 13b, and 13c through through holes h passing through the holes c, 11d, and 11e.

【0017】さらに誘電体層11fは、その表面にアー
ス導体21が形成され、このアース導体21と、電極層
20a,20b,20cが誘電体層11fを介して対峙
してコンデンサC4 〜C6 を構成している。
Furthermore dielectric layer 11f is the grounding conductor 21 is formed on the surface, this grounding conductor 21, the electrode layer 20a, 20b, a capacitor C 4 20c is opposed with the dielectric layer 11f -C 6 Is composed.

【0018】かかる誘電体層11a〜11fが積層され
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路1
5aと接続する入出力端子パッド18aと、入出力延出
路15bと接続する入出力端子パッド18bと、さらに
回路積層体10aのアース導体21と誘電体ブロック2
のアース導体7を接続するアース導体19とが形成され
る。尚、誘電体層11a〜11fに、入出力端子パッド
18a,18b及びアース導体19をその積層により生
ずることとなる導電層をあらかじめ形成するようにして
も良い。
After the dielectric layers 11a to 11f are stacked, the input / output extension path 1
Input / output terminal pad 18a connected to input / output terminal 5a, input / output terminal pad 18b connected to input / output extension path 15b, and ground conductor 21 and dielectric block 2 of circuit laminate 10a.
And an earth conductor 19 for connecting the earth conductor 7 of FIG. Incidentally, a conductive layer which is formed by laminating the input / output terminal pads 18a, 18b and the ground conductor 19 on the dielectric layers 11a to 11f may be formed in advance.

【0019】而して、誘電体磁器ブロック2の開放端に
複数の誘電体層11a〜11fからなる回路積層体10
aを接合するだけで、コンデンサC1 〜C3 ,C4 〜C
6 ,インダクタL1 〜L3 からなるローパスフィルタ結
合回路Lが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Lが
共振器回路Xの所要共振器3A〜3Cと結合して、図6
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
Thus, a circuit laminate 10 comprising a plurality of dielectric layers 11a to 11f is provided on the open end of the dielectric ceramic block 2.
a, the capacitors C 1 to C 3 and C 4 to C
6, the low-pass filter coupling circuit L comprised of the inductor L 1 ~L 3 is formed, the low-pass filter coupling circuit L are linked with the desired resonator 3A~3C resonator circuit X, FIG. 6
Thus, a low-pass filter circuit indicated by.

【0020】図5,6は本発明の第二実施例に係る誘電
体フィルタ1bを示し、複数の誘電体層21a〜21e
を積層してなる回路積層体10bによりバンドパスフィ
ルタ結合回路Bを実現し、誘電体磁器ブロック2に回路
積層体10bを接合することにより、共振器回路Xの所
要共振器3A〜3Cと結合して、図7で示すバンドパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック2の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
FIGS. 5 and 6 show a dielectric filter 1b according to a second embodiment of the present invention, in which a plurality of dielectric layers 21a to 21e are provided.
A bandpass filter coupling circuit B is realized by a circuit laminated body 10b formed by laminating the resonators, and the circuit laminated body 10b is joined to the dielectric ceramic block 2 to couple with the required resonators 3A to 3C of the resonator circuit X. Thus, the band pass filter shown in FIG. 7 is configured. The structure of the dielectric porcelain block 2 is the same as that of the first embodiment.

【0021】ここで誘電体層21aには、共振器3A〜
3Cに対向する部位に、夫々スルホールhが形成され
る。
Here, the resonators 3A to 3A are provided on the dielectric layer 21a.
Through holes h are formed in the portions facing 3C, respectively.

【0022】誘電体層21bにも、共振器3A〜3Cに
対向する部位に、スルホールhが形成され、その表面に
各スルホールh間で、該スルホールhに接続するコ字状
電極を、夫々対向してなるコンデンサC12,C13が形成
される。
In the dielectric layer 21b, through holes h are formed at portions facing the resonators 3A to 3C, and U-shaped electrodes connected to the through holes h are formed between the through holes h on the surface thereof. Thus, capacitors C 12 and C 13 are formed.

【0023】また、誘電体層21cには、各誘電体層2
1a,21bに貫通形成したスルホールhを介して共振
器3A,3Cと接続する電極層22a,22bが形成さ
れる。
Each of the dielectric layers 2c has
Electrode layers 22a and 22b connected to resonators 3A and 3C via through holes h formed through holes 1a and 21b are formed.

【0024】さらに、誘電体層21dの表面には、電極
層22a,22bと対向して、電極層21dの厚みによ
りコンデンサC11,C14を構成する電極層23a,23
bが形成され、該電極層23aには入出力延出路26a
が延成され、同じく前記電極層23bには入出力延出路
26bが延成される。
Furthermore, the surface of the dielectric layer 21d, the electrode layer 22a, and 22b and the counter electrode layer 23a, 23 constituting the capacitor C 11, C 14 by the thickness of the electrode layer 21d
b is formed, and the input / output extension path 26a is formed in the electrode layer 23a.
The input / output extension path 26b is also extended to the electrode layer 23b.

【0025】そして、誘電体層21eには、その表面に
アース導体25が形成される。
An earth conductor 25 is formed on the surface of the dielectric layer 21e.

【0026】かかる誘電体層21a〜21eが積層され
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路2
6aと接続する入出力端子パッド27aと、入出力延出
路26bと接続する入出力端子パッド27bと、回路積
層体10bのアース導体25と誘電体ブロック2のアー
ス導体7を接続するアース導体28とが形成される。
尚、誘電体層21a〜21eに、入出力端子パッド27
a,27b及びアース導体28をその積層により生ずる
こととなる導電層をあらかじめ形成するようにしても良
い。
After the dielectric layers 21a to 21e are stacked, the input / output extension path 2
An input / output terminal pad 27a connected to the input / output terminal 6a, an input / output terminal pad 27b connected to the input / output extension path 26b, an earth conductor 28 connected to the earth conductor 25 of the circuit laminate 10b and the earth conductor 7 of the dielectric block 2, Is formed.
Note that the input / output terminal pads 27 are provided on the dielectric layers 21a to 21e.
a, 27b and the ground conductor 28 may be formed in advance with a conductive layer to be formed by lamination.

【0027】而して、誘電体磁器ブロック2の開放端に
複数の誘電体層21a〜21eからなる回路積層体10
bを接合するだけで、コンデンサC11〜C14からなるバ
ンドパスフィルタ結合回路Bを構成することができ、こ
れが共振器3A〜3Cと結合して、図7で示す構成のバ
ンドパスフィルタが構成されることとなる。
Thus, the circuit laminate 10 composed of a plurality of dielectric layers 21a to 21e is provided on the open end of the dielectric ceramic block 2.
simply joining b, it is possible to constitute a band-pass filter coupling circuit B comprising a capacitor C 11 -C 14, which is coupled to the resonator 3A-3C, configured band pass filter having the configuration shown in FIG. 7 Will be done.

【0028】図8〜10は本発明の第三実施例に係る誘
電体フィルタ1cを示し、複数の誘電体層31a〜31
fを積層してなる回路積層体10cによりハイパスフィ
ルタ結合回路Hを実現し、誘電体磁器ブロック2に回路
積層体10cを接合することにより、共振器回路Xの所
要共振器3A〜3Cと結合して、図10で示すハイパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック2の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
FIGS. 8 to 10 show a dielectric filter 1c according to a third embodiment of the present invention.
A high-pass filter coupling circuit H is realized by a circuit laminate 10c formed by laminating f, and the circuit laminate 10c is joined to the dielectric ceramic block 2 to couple with the required resonators 3A to 3C of the resonator circuit X. Thus, a high-pass filter shown in FIG. 10 is configured. The structure of the dielectric porcelain block 2 is the same as that of the first embodiment.

【0029】ここで誘電体層31aには、共振器3A〜
3Cの内導体に接続するスルホールhが貫通状に形成さ
れ、かつその表面に各スルホールhと絶縁させて、アー
ス導体32を形成している。
Here, the dielectric layers 31a have resonators 3A to 3A.
A through hole h connected to the 3C inner conductor is formed in a penetrating shape, and the ground conductor 32 is formed on the surface thereof so as to be insulated from each through hole h.

【0030】誘電体層31bの表面には、共振器3A〜
3Cに対向する部位に、電極層33a,33b,33c
が形成される。
The resonators 3A to 3A are provided on the surface of the dielectric layer 31b.
The electrode layers 33a, 33b, 33c
Is formed.

【0031】また、誘電体層31cの表面にも、共振器
3A〜3Cに対向する部位に、電極層34a,34b,
34cが形成され、これにより、電極層33a〜33c
と電極層34a〜34c間で、誘電体層31cの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路LのコンデンサC21〜C23(図10参
照)が構成されることとなる。また、電極層34a,3
4cは、電極層34bと間隔を置いて段間結合し、その
間で、コンデンサC24,C25を形成している。
The electrode layers 34a, 34b, and 34c are also provided on the surface of the dielectric layer 31c and at the portions facing the resonators 3A to 3C.
34c are formed, thereby forming the electrode layers 33a to 33c.
And between the electrode layer 34 a - 34 c, and the thickness of the dielectric layer 31c, and the capacitor C 21 -C 23 of the high-pass filter coupling circuit L capacity is determined by the electrode area of each electrode layer (see FIG. 10) is configured Become. The electrode layers 34a, 3
4c are joined interstage spaced electrode layer 34b and the spacing therebetween to form a capacitor C 24, C 25.

【0032】さらにまた、誘電体層31dには、前記電
極層34a,34b,34cと接続するスルホールhが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールhを介
して電極層34a,34cと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタL21,L23が形成されてい
る。そして、その一端を誘電体層31dの下側縁に形成
したアース導体37を構成する電極層と接続し、その他
端を誘電体層31dの上側縁に形成した入出力端子パッ
ド38a,38b(図10参照)を構成する導電層と接
続している。
Further, a through hole h connected to the electrode layers 34a, 34b, 34c is formed in the dielectric layer 31d in a penetrating manner, and the surface of the through hole h is electrically connected to the electrode layers 34a, 34c through the through holes h on both sides. The inductors L 21 and L 23 are formed of meandering conductive paths that are electrically connected. Then, one end thereof is connected to an electrode layer constituting the ground conductor 37 formed on the lower edge of the dielectric layer 31d, and the other end is formed on the input / output terminal pads 38a and 38b formed on the upper edge of the dielectric layer 31d (FIG. 10)).

【0033】誘電体層31eにも蛇行状の導電路からな
るインダクタL22が形成され、その一端を誘電体層31
d,31eに形成されたスルホールhを介して電極層3
4bと接続し、その他端を誘電体層31eの下側縁に形
成したアース導体37を構成する導電層と接続してい
る。
The inductor L 22 in the dielectric layer 31e made of meandering conductive path is formed, one end of the dielectric layer 31
d, 31e through the through hole h formed in the electrode layer 3
4b, and the other end is connected to a conductive layer constituting a ground conductor 37 formed on the lower edge of the dielectric layer 31e.

【0034】さらに誘電体層31fは、その表面にアー
ス導体39が形成されている。
Further, a ground conductor 39 is formed on the surface of the dielectric layer 31f.

【0035】かかる誘電体層31a〜31fが積層され
た状態で、図9で示すように、回路積層体10cの上側
面の両側には、インダクタL21と接続する入出力端子パ
ッド38aと、インダクタL23と接続する入出力端子パ
ッド38bが形成され、さらに回路積層体10cの上側
面の中央部及び下側面には、アース導体37が積層方向
に渡って形成され、アース導体39と誘電体ブロック2
のアース導体7を接続している。このアース導体37に
は、上述したように、インダクタL21,L22,L23の一
端が夫々接続される。
[0035] In the state according dielectric layer 31a~31f are stacked, as shown in Figure 9, on both sides of the upper surface of the circuit laminate 10c, and output terminal pads 38a to be connected to the inductor L 21, inductor output terminal pads 38b to be connected to L 23 are formed, and more circuits central portion and the lower surface of the upper surface of the laminate 10c, the ground conductor 37 is formed over the stacking direction, the ground conductor 39 and the dielectric block 2
Are connected. The grounding conductor 37, as described above, one end of the inductor L 21, L 22, L 23 are respectively connected.

【0036】而して、誘電体磁器ブロック2の開放端に
複数の誘電体層31a〜31fからなる回路積層体10
cを接合するだけで、コンデンサC21〜C25,インダク
タL21〜L23からなるハイパスフィルタ結合回路Hが形
成され、該ハイパスフィルタ結合回路Hが共振器回路X
の所要共振器3A〜3Cと結合して、図10で示すハイ
パスフィルタ回路が構成されることとなる。
Thus, the circuit laminate 10 composed of a plurality of dielectric layers 31a to 31f is provided at the open end of the dielectric ceramic block 2.
By simply joining the capacitor c, a high-pass filter coupling circuit H composed of capacitors C 21 to C 25 and inductors L 21 to L 23 is formed.
Are combined with the required resonators 3A to 3C to form the high-pass filter circuit shown in FIG.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明は、上述のように、誘電体磁器ブ
ロック2の開放端面8に、複数の誘電体層11a〜11
f,21a〜21e,31a〜31fを積層してなる回
路積層体10a,10b,10cを配設して、その結合
回路L,B,Hを共振器回路Xの所要共振器3A〜3C
と結合して、ローパスフィルタ,バンドパスフィルタま
たはハイパスフィルタを構成するようにしたものである
から、 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、小型
化が可能となって、省スペース化することができる。 2) 誘電体磁器ブロック及び誘電体層のみによるもので
あるから、機械的強度が向上する。 3) 結合回路L,B,Hが回路積層体10a,10b,
10c内に閉じ込められた構造となるため、外部雰囲気
と遮断され、湿度やメカニカルショック等の外部の影響
が受けにくくなり、特性上安定する。 4) 回路積層体10a,10b,10cにより、結合回
路を構成するものであるから、任意の回路定数のものを
容易に構成することができ、フィルタの設計に自由度が
与えられる。 5) 回路積層体10a,10b,10cを複数の誘電体
層11a〜11f,21a〜21e,31a〜31fを
積層して焼結することにより1チップ化した場合には、
誘電体磁器ブロック2の開放端面8に、回路積層体10
a,10b,10cを接合するだけで組み付けることが
でき、製造容易で量産性に優れる。
As described above, according to the present invention, a plurality of dielectric layers 11a to 11a are provided on the open end face 8 of the dielectric porcelain block 2.
f, 21a to 21e and 31a to 31f are laminated, and the circuit laminates 10a, 10b, and 10c are arranged, and the coupling circuits L, B, and H are connected to the required resonators 3A to 3C of the resonator circuit X.
To form a low-pass filter, a band-pass filter or a high-pass filter. 1) The entire structure can be formed into a simple and uniform shape. Space can be used. 2) The mechanical strength is improved because it is based only on the dielectric porcelain block and the dielectric layer. 3) The coupling circuits L, B, and H are the circuit laminates 10a, 10b,
Since the structure is confined within 10c, it is cut off from the external atmosphere, is less susceptible to external influences such as humidity and mechanical shock, and is stable in characteristics. 4) Since the circuit laminates 10a, 10b, and 10c form a coupling circuit, those having arbitrary circuit constants can be easily configured, and the degree of freedom in designing a filter is given. 5) When the circuit laminates 10a, 10b, and 10c are formed into one chip by laminating and sintering a plurality of dielectric layers 11a to 11f, 21a to 21e, and 31a to 31f,
A circuit laminate 10 is provided on the open end face 8 of the dielectric ceramic block 2.
a, 10b, and 10c can be assembled simply by joining them, and are easy to manufacture and excellent in mass productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一実施例に係る誘電体フィルタ1a
の分離斜視図である。
FIG. 1 shows a dielectric filter 1a according to a first embodiment of the present invention.
FIG.

【図2】本発明の第一実施例に係る誘電体フィルタ1a
の斜視図である。
FIG. 2 shows a dielectric filter 1a according to a first embodiment of the present invention.
It is a perspective view of.

【図3】誘電体磁器ブロック2の一部の縦断側面図であ
る。
FIG. 3 is a vertical sectional side view of a part of the dielectric porcelain block 2;

【図4】第一実施例に係るローパスフィルタの等価回路
図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter according to the first embodiment.

【図5】本発明の第二実施例に係る誘電体フィルタ1b
の分離斜視図である。
FIG. 5 shows a dielectric filter 1b according to a second embodiment of the present invention.
FIG.

【図6】本発明の第二実施例に係る誘電体フィルタ1b
の斜視図である。
FIG. 6 shows a dielectric filter 1b according to a second embodiment of the present invention.
It is a perspective view of.

【図7】第二実施例に係るバンドパスフィルタの等価回
路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter according to a second embodiment.

【図8】本発明の第三実施例に係る誘電体フィルタ1c
の分離斜視図である。
FIG. 8 shows a dielectric filter 1c according to a third embodiment of the present invention.
FIG.

【図9】本発明の第三実施例に係る誘電体フィルタ1c
の斜視図である。
FIG. 9 shows a dielectric filter 1c according to a third embodiment of the present invention.
It is a perspective view of.

【図10】第三実施例に係るハイパスフィルタの等価回
路図である。
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of a high-pass filter according to a third embodiment.

【図11】従来構成の誘電体フィルタDの斜視図であ
る。
FIG. 11 is a perspective view of a dielectric filter D having a conventional configuration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b,1c 誘電体フィルタ 2 誘電体磁器ブロック 3A〜3C 共振器 7 アース導体 8 開放端面 10a,10b,10c 回路積層体 11a〜11f 誘電体層 21a〜21e 誘電体層 31a〜31f 誘電体層 18a,18b 入出力端子パッド 27a,27b 入出力端子パッド 38a,38b 入出力端子パッド L ローパスフィルタ結合回路 B バンドパスフィルタ結合回路 H ハイパスフィルタ結合回路 1a, 1b, 1c Dielectric filter 2 Dielectric ceramic block 3A to 3C Resonator 7 Ground conductor 8 Open end face 10a, 10b, 10c Circuit laminate 11a to 11f Dielectric layer 21a to 21e Dielectric layer 31a to 31f Dielectric layer 18a, 18b I / O terminal pad 27a, 27b I / O terminal pad 38a, 38b I / O terminal pad L Low-pass filter coupling circuit B Band-pass filter coupling circuit H High-pass filter coupling circuit

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年12月26日[Submission date] December 26, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0019[Correction target item name] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0019】而して、誘電体磁器ブロック2の開放端に
複数の誘電体層11a〜11fからなる回路積層体10
aを接合するだけで、コンデンサC〜C,C〜C
,インダクタL〜Lからなるローパスフィルタ結
合回路Lが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Lが
共振器回路Xの所要共振器3A〜3Cと結合して、図
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
Thus, a circuit laminate 10 comprising a plurality of dielectric layers 11a to 11f is provided on the open end of the dielectric ceramic block 2.
a, the capacitors C 1 to C 3 , C 4 to C
6, the low-pass filter coupling circuit L comprised of the inductor L 1 ~L 3 is formed, the low-pass filter coupling circuit L are linked with the desired resonator 3A~3C resonator circuit X, FIG. 4
Thus, a low-pass filter circuit indicated by.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0031】また、誘電体層31cの表面にも、共振器
3A〜3Cに対向する部位に、電極層34a,34b,
34cが形成され、これにより、電極層33a〜33c
と電極層34a〜34c間で、誘電体層31cの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路のコンデンサC21〜C23(図10
参照)が構成されることとなる。また、電極層34a,
34cは、電極層34bと間隔を置いて段間結合し、そ
の間で、コンデンサC24,C25を形成している。
The electrode layers 34a, 34b, and 34c are also provided on the surface of the dielectric layer 31c and at the portions facing the resonators 3A to 3C.
34c are formed, thereby forming the electrode layers 33a to 33c.
An electrode layer between 34 a - 34 c, and the thickness of the dielectric layer 31c, the capacitor C 21 -C 23 of the high-pass filter coupling circuit H capacity is determined by the electrode area of each electrode layer (FIG. 10
Reference). Further, the electrode layers 34a,
34c is inter-stage coupled to the electrode layer 34b with a space therebetween, forming capacitors C 24 and C 25 therebetween.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0032[Correction target item name] 0032

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0032】さらにまた、誘電体層31dには、前記電
極層34a,34b,34cと接続するスルホールhが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールhを介
して電極層34a,34cと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタL21,L23が形成されて
いる。そして、その一端を誘電体層31dの下側縁の
ース導体37を構成する電極層と接続し、その他端を誘
電体層31dの上側縁に形成した入出力端子パッド38
a,38b(図10参照)を構成する導電層と接続して
いる。
Further, a through hole h connected to the electrode layers 34a, 34b, 34c is formed in the dielectric layer 31d in a penetrating manner, and the surface of the through hole h is electrically connected to the electrode layers 34a, 34c through the through holes h on both sides. The inductors L 21 and L 23 are formed of meandering conductive paths that are electrically connected. An input / output terminal pad 38 having one end connected to the electrode layer forming the ground conductor 37 on the lower edge of the dielectric layer 31d and the other end formed on the upper edge of the dielectric layer 31d.
a, 38b (see FIG. 10).

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図9[Correction target item name] Fig. 9

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図9】 FIG. 9

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体磁器ブロックに、貫通孔の内周面に
内導体を被覆することにより構成される共振器を複数個
一方向に並設し、かつ貫通孔が開口する開放端面を除く
所要外周面にアース導体を被覆してなる誘電体磁器ブロ
ックの、その開放端面に、複数の誘電体層を積層してな
る回路積層体を配設し、該回路積層体により結合回路を
構成して、結合回路を所要共振器と結合することにより
所要濾波回路を構成するようにしたことを特徴とする誘
電体フィルタ。
1. A plurality of resonators formed by coating an inner conductor on an inner peripheral surface of a through hole in a dielectric ceramic block in one direction and excluding an open end face in which the through hole is opened. A circuit laminate comprising a plurality of dielectric layers laminated on an open end face of a dielectric porcelain block having a required outer peripheral surface covered with a ground conductor is disposed, and a coupling circuit is formed by the circuit laminate. A dielectric filter having a required filtering circuit formed by coupling the coupling circuit to a required resonator.
【請求項2】前記誘電体磁器ブロックの開放端面に、複
数の誘電体層を積層して焼結して、1チップ構造とした
回路積層体を接合したことを特徴とする請求項1記載の
誘電体フィルタ。
2. The circuit laminate according to claim 1, wherein a plurality of dielectric layers are laminated and sintered on the open end face of said dielectric porcelain block to form a one-chip circuit laminate. Dielectric filter.
【請求項3】前記回路積層体により構成される結合回路
が、各共振器と結合するローパスフィルタ結合回路,バ
ンドパスフィルタ結合回路またはハイパスフィルタ結合
回路であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載
の誘電体フィルタ。
3. A coupling circuit formed by the circuit laminate is a low-pass filter coupling circuit, a band-pass filter coupling circuit, or a high-pass filter coupling circuit coupled to each resonator. Item 3. The dielectric filter according to Item 2.
JP22110297A 1997-05-07 1997-07-31 Dielectric filter Pending JPH1127006A (en)

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EP98303595A EP0877433A1 (en) 1997-05-07 1998-05-07 Dielectric filter device

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JP13434797 1997-05-07
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6570473B2 (en) 2000-08-30 2003-05-27 Tkd Corporation Band pass filter
KR101274661B1 (en) * 2008-09-18 2013-06-17 시티에스 코포레이션 Rf monoblock filter assembly with lid filter

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