JPH11269179A - 1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導体の製造法およびその中間体 - Google Patents
1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導体の製造法およびその中間体Info
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- JPH11269179A JPH11269179A JP10303120A JP30312098A JPH11269179A JP H11269179 A JPH11269179 A JP H11269179A JP 10303120 A JP10303120 A JP 10303120A JP 30312098 A JP30312098 A JP 30312098A JP H11269179 A JPH11269179 A JP H11269179A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】抗菌剤用化合物の製造中間体である一般式2の
1−アルキルイソインドソン−5−ボロン酸誘導体の製
造法およびそのさらに製造中間体である一般式6の2−
アミノアルキル−5−ハロゲノベンジルアルコール誘導
体を提供する。 【解決手段】 [R1はアルキル基;R2は水素、アミノ保護基、置換
されてもよいアルキル、シクロアルキル、アルキルスル
ホニル、アリールスルホニル、アシルまたはアリール
基;R4とR5は水素もしくは低級アルキル基または一
緒になってホウ素を含有する環;Xはハロゲンを示
す。]
1−アルキルイソインドソン−5−ボロン酸誘導体の製
造法およびそのさらに製造中間体である一般式6の2−
アミノアルキル−5−ハロゲノベンジルアルコール誘導
体を提供する。 【解決手段】 [R1はアルキル基;R2は水素、アミノ保護基、置換
されてもよいアルキル、シクロアルキル、アルキルスル
ホニル、アリールスルホニル、アシルまたはアリール
基;R4とR5は水素もしくは低級アルキル基または一
緒になってホウ素を含有する環;Xはハロゲンを示
す。]
Description
【0001】
【発明に属する技術分野】本発明は、抗菌剤として有用
な一般式[1]
な一般式[1]
【化7】 「式中、R1は、アルキル基を;R2は、水素原子、ア
ミノ保護基、置換されていてもよいアルキル、シクロア
ルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ア
シルまたはアリール基を;R6は、水素原子、ハロゲン
原子、置換されていてもよいアルキル、アルコキシもし
くはアルキルチオ基、保護されていてもよいヒドロキシ
ルもしくはアミノ基またはニトロ基を;R7は、水素原
子またはカルボキシル保護基を;R8は、置換されてい
てもよいアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリ
ールまたは複素環式基を;Aは、CHまたはC−Y(Y
は、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル、ア
ルコキシもしくはアルキルチオ基または保護されていて
もよいヒドロキシ基を示す。)を、それぞれ示す。」で
表されるキノロンカルボン酸またはその塩を製造するた
めの有用な中間体の製造法およびその中間体自体に関す
るものである。
ミノ保護基、置換されていてもよいアルキル、シクロア
ルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ア
シルまたはアリール基を;R6は、水素原子、ハロゲン
原子、置換されていてもよいアルキル、アルコキシもし
くはアルキルチオ基、保護されていてもよいヒドロキシ
ルもしくはアミノ基またはニトロ基を;R7は、水素原
子またはカルボキシル保護基を;R8は、置換されてい
てもよいアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリ
ールまたは複素環式基を;Aは、CHまたはC−Y(Y
は、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル、ア
ルコキシもしくはアルキルチオ基または保護されていて
もよいヒドロキシ基を示す。)を、それぞれ示す。」で
表されるキノロンカルボン酸またはその塩を製造するた
めの有用な中間体の製造法およびその中間体自体に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般式[1]の化合物の製造法として、
WO97/29102に記載の方法が知られている。
WO97/29102に記載の方法が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般式[1]の化合物
の中で、T−3811と名付けられたつぎの化合物は、
抗菌剤としてとりわけ優れた化合物であり、このものの
工業的製造法の開発が求められていた。
の中で、T−3811と名付けられたつぎの化合物は、
抗菌剤としてとりわけ優れた化合物であり、このものの
工業的製造法の開発が求められていた。
【化8】
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者らは鋭意研究を行った結果、一般式[2]
め、本発明者らは鋭意研究を行った結果、一般式[2]
【化9】 「式中、R1およびR2は、上記と同じ意味を有し、R
4およびR5は、水素原子もしくは低級アルキル基また
は一緒になって形成されるホウ素原子を含有する環を示
す。」で表される1−アルキルイソインドリン−5−ボ
ロン酸誘導体が、一般式[1]のキノロンカルボン酸を
工業的に製造する際の優れた中間体であることを見出
し、その製造法を種々検討し、本発明を完成した。さら
に、本発明者らは、一般式[6]
4およびR5は、水素原子もしくは低級アルキル基また
は一緒になって形成されるホウ素原子を含有する環を示
す。」で表される1−アルキルイソインドリン−5−ボ
ロン酸誘導体が、一般式[1]のキノロンカルボン酸を
工業的に製造する際の優れた中間体であることを見出
し、その製造法を種々検討し、本発明を完成した。さら
に、本発明者らは、一般式[6]
【化10】 「式中、R1およびR2は、上記と同じ意味を有し、X
は、ハロゲン原子を示す。」で表される2−アミノアル
キル−5−ハロゲノベンジルアルコール誘導体またはそ
の塩が一般式[1]のキノロンカルボン酸を工業的に製
造する際の優れた中間体であることを見出し、本発明を
完成した。
は、ハロゲン原子を示す。」で表される2−アミノアル
キル−5−ハロゲノベンジルアルコール誘導体またはそ
の塩が一般式[1]のキノロンカルボン酸を工業的に製
造する際の優れた中間体であることを見出し、本発明を
完成した。
【0005】以下、本発明を詳細に説明する。本明細書
において特に断らない限り、ハロゲン原子とは、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を;アルキ
ル基とは、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、te
rt−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオク
チルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−10アルキル基
を;低級アルキル基とは、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s
ec−ブチル、tert−ブチルおよびペンチルなどの直鎖状
または分枝鎖状C1−5アルキル基を;アルケニル基と
は、例えば、ビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニ
ル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニルおよびオクテ
ニルなどの直鎖状または分枝鎖状C2−10アルケニル
基を;低級アルケニル基とは、例えば、ビニルおよびア
リルなどの直鎖状または分枝鎖状C2−5アルケニル基
を;シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルな
どのC 3−6シクロアルキル基を;
において特に断らない限り、ハロゲン原子とは、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を;アルキ
ル基とは、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、te
rt−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオク
チルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−10アルキル基
を;低級アルキル基とは、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s
ec−ブチル、tert−ブチルおよびペンチルなどの直鎖状
または分枝鎖状C1−5アルキル基を;アルケニル基と
は、例えば、ビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニ
ル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニルおよびオクテ
ニルなどの直鎖状または分枝鎖状C2−10アルケニル
基を;低級アルケニル基とは、例えば、ビニルおよびア
リルなどの直鎖状または分枝鎖状C2−5アルケニル基
を;シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルな
どのC 3−6シクロアルキル基を;
【0006】アルコキシ基とは、例えば、メトキシ、エ
トキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキ
シ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシおよ
びオクチルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状C
1−10アルコキシ基を;低級アルコキシ基とは、例え
ば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポ
キシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、te
rt−ブトキシおよびペンチルオキシなどの直鎖状または
分枝鎖状C1−5アルコキシ基を;低級アルコキシカル
ボニル基とは、例えば、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、n−ブトキシカルボニル、イソブトキシ
カルボニル、sec−ブトキシカルボニル、tert−ブトキ
シカルボニルおよびペンチルオキシカルボニルなどの低
級アルコキシ−CO−基(低級アルコキシは、上記した
直鎖状または分枝鎖状C1−5アルコキシ基を示す。)
を;低級アルキルアミノ基とは、例えば、メチルアミ
ノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペ
ンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピルアミノ、
ジブチルアミノおよびジペンチルアミノなどの直鎖状ま
たは分枝鎖状C1−5アルキル基で置換されたアミノ基
を;
トキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキ
シ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシおよ
びオクチルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状C
1−10アルコキシ基を;低級アルコキシ基とは、例え
ば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポ
キシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、te
rt−ブトキシおよびペンチルオキシなどの直鎖状または
分枝鎖状C1−5アルコキシ基を;低級アルコキシカル
ボニル基とは、例えば、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、n−ブトキシカルボニル、イソブトキシ
カルボニル、sec−ブトキシカルボニル、tert−ブトキ
シカルボニルおよびペンチルオキシカルボニルなどの低
級アルコキシ−CO−基(低級アルコキシは、上記した
直鎖状または分枝鎖状C1−5アルコキシ基を示す。)
を;低級アルキルアミノ基とは、例えば、メチルアミ
ノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペ
ンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピルアミノ、
ジブチルアミノおよびジペンチルアミノなどの直鎖状ま
たは分枝鎖状C1−5アルキル基で置換されたアミノ基
を;
【0007】アルキルチオ基とは、例えば、メチルチ
オ、エチルチオ、n−プロピルチオ、イソプロピルチ
オ、n−ブチルチオ、イソブチルチオ、sec−ブチルチ
オ、tert−ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、
ヘプチルチオおよびオクチルチオなどの直鎖状または分
枝鎖状C1−10アルキルチオ基を;低級アルキルチオ
基とは、例えば、メチルチオ、エチルチオ、n−プロピ
ルチオ、イソプロピルチオ、n−ブチルチオ、イソブチ
ルチオ、sec−ブチルチオ、tert−ブチルチオおよびペ
ンチルチオなどの直鎖状または分枝鎖状C1−5アルキ
ルチオ基を;アルキルスルホニル基とは、例えば、メチ
ルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルスルホ
ニル、イソプロピルスルホニル、n−ブチルスルホニ
ル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホニル、t
ert−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシ
ルスルホニル、ヘプチルスルホニルおよびオクチルスル
ホニルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−10アルキル
スルホニル基を;低級アルキルスルホニル基とは、例え
ば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピ
ルスルホニル、イソプロピルスルホニル、n−ブチルス
ルホニル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホ
ニル、tert−ブチルスルホニルおよびペンチルスルホニ
ルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−5アルキルスルホ
ニル基を;アシル基とは、例えば、ホルミル基、アセチ
ルおよびエチルカルボニルなどの直鎖状または分枝鎖状
C2−5アルカノイル基並びにベンゾイルおよびナフチ
ルカルボニルなどのアロイル基を;アリール基とは、例
えば、フェニルおよびナフチル基を;アリールスルホニ
ル基とは、例えば、フェニルスルホニルおよびナフチル
スルホニル基を;複素環式基とは、該環を形成する異項
原子として酸素原子、窒素原子および硫黄原子から選ば
れる1つ以上の異項原子を含む4員、5員もしくは6員
環またはそれらの縮合環、例えば、オキセタニル、チエ
タニル、アゼチジニル、フリル、ピロリル、チエニル、
オキサゾリル、イソオキサゾリル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソチアゾリル、ピロリジニル、ベンゾフラニ
ル、ベンゾチアゾリル、ピリジル、キノリル、ピリミジ
ニルおよびモルホリニル基を、それぞれ意味する。
オ、エチルチオ、n−プロピルチオ、イソプロピルチ
オ、n−ブチルチオ、イソブチルチオ、sec−ブチルチ
オ、tert−ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、
ヘプチルチオおよびオクチルチオなどの直鎖状または分
枝鎖状C1−10アルキルチオ基を;低級アルキルチオ
基とは、例えば、メチルチオ、エチルチオ、n−プロピ
ルチオ、イソプロピルチオ、n−ブチルチオ、イソブチ
ルチオ、sec−ブチルチオ、tert−ブチルチオおよびペ
ンチルチオなどの直鎖状または分枝鎖状C1−5アルキ
ルチオ基を;アルキルスルホニル基とは、例えば、メチ
ルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルスルホ
ニル、イソプロピルスルホニル、n−ブチルスルホニ
ル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホニル、t
ert−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシ
ルスルホニル、ヘプチルスルホニルおよびオクチルスル
ホニルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−10アルキル
スルホニル基を;低級アルキルスルホニル基とは、例え
ば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピ
ルスルホニル、イソプロピルスルホニル、n−ブチルス
ルホニル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホ
ニル、tert−ブチルスルホニルおよびペンチルスルホニ
ルなどの直鎖状または分枝鎖状C1−5アルキルスルホ
ニル基を;アシル基とは、例えば、ホルミル基、アセチ
ルおよびエチルカルボニルなどの直鎖状または分枝鎖状
C2−5アルカノイル基並びにベンゾイルおよびナフチ
ルカルボニルなどのアロイル基を;アリール基とは、例
えば、フェニルおよびナフチル基を;アリールスルホニ
ル基とは、例えば、フェニルスルホニルおよびナフチル
スルホニル基を;複素環式基とは、該環を形成する異項
原子として酸素原子、窒素原子および硫黄原子から選ば
れる1つ以上の異項原子を含む4員、5員もしくは6員
環またはそれらの縮合環、例えば、オキセタニル、チエ
タニル、アゼチジニル、フリル、ピロリル、チエニル、
オキサゾリル、イソオキサゾリル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソチアゾリル、ピロリジニル、ベンゾフラニ
ル、ベンゾチアゾリル、ピリジル、キノリル、ピリミジ
ニルおよびモルホリニル基を、それぞれ意味する。
【0008】アミノ基および低級アルキルアミノ基の保
護基としては、通常のアミノ基の保護基として使用し得
るすべての基を含み、例えば、トリクロロエトキシカル
ボニル、トリブロモエトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、o
−ブロモベンジルオキシカルボニル、(モノ−、ジ−、
トリ−)クロロアセチル、トリフルオロアセチル、フェ
ニルアセチル、ホルミル、アセチル、ベンゾイル、tert
−アミルオキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニ
ル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジ
メトキシベンジルオキシカルボニル、4−(フェニルア
ゾ)ベンジルオキシカルボニル、2−フルフリルオキシ
カルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、1,1−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、フタロイル、スクシニル、アラニル、ロイシル、
1−アダマンチルオキシカルボニル、8−キノリルオキ
シカルボニルおよびピバロイルなどのアシル基;ベンジ
ル、ジフェニルメチルおよびトリチルなどのアル−低級
アルキル基;2−ニトロフェニルチオおよび2,4−ジ
ニトロフェニルチオなどのアリールチオ基;メタンスル
ホニルおよびp−トルエンスルホニルなどのアルキル−
もしくはアリール−スルホニル基;N,N−ジメチルア
ミノメチレンなどのジ−低級アルキルアミノ−低級アル
キリデン基;ベンジリデン、2−ヒドロキシベンジリデ
ン、2−ヒドロキシ−5−クロロベンジリデンおよび2
−ヒドロキシ−1−ナフチルメチレンなどのアル−低級
アルキリデン基;3−ヒドロキシ−4−ピリジルメチレ
ンなどの含窒素複素環式アルキリデン基;シクロヘキシ
リデン、2−エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、
2−エトキシカルボニルシクロペンチリデン、2−アセ
チルシクロヘキシリデンおよび3,3−ジメチル−5−
オキシシクロヘキシリデンなどのシクロアルキリデン
基;ジフェニルホスホリルおよびジベンジルホスホリル
などのジアリール−もしくはジアル−低級アルキルホス
ホリル基;5−メチル−2−オキソ−2H−1,3−ジ
オキソール−4−イル−メチルなどの含酸素複素環式ア
ルキル基;並びにトリメチルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
護基としては、通常のアミノ基の保護基として使用し得
るすべての基を含み、例えば、トリクロロエトキシカル
ボニル、トリブロモエトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、o
−ブロモベンジルオキシカルボニル、(モノ−、ジ−、
トリ−)クロロアセチル、トリフルオロアセチル、フェ
ニルアセチル、ホルミル、アセチル、ベンゾイル、tert
−アミルオキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニ
ル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジ
メトキシベンジルオキシカルボニル、4−(フェニルア
ゾ)ベンジルオキシカルボニル、2−フルフリルオキシ
カルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、1,1−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、フタロイル、スクシニル、アラニル、ロイシル、
1−アダマンチルオキシカルボニル、8−キノリルオキ
シカルボニルおよびピバロイルなどのアシル基;ベンジ
ル、ジフェニルメチルおよびトリチルなどのアル−低級
アルキル基;2−ニトロフェニルチオおよび2,4−ジ
ニトロフェニルチオなどのアリールチオ基;メタンスル
ホニルおよびp−トルエンスルホニルなどのアルキル−
もしくはアリール−スルホニル基;N,N−ジメチルア
ミノメチレンなどのジ−低級アルキルアミノ−低級アル
キリデン基;ベンジリデン、2−ヒドロキシベンジリデ
ン、2−ヒドロキシ−5−クロロベンジリデンおよび2
−ヒドロキシ−1−ナフチルメチレンなどのアル−低級
アルキリデン基;3−ヒドロキシ−4−ピリジルメチレ
ンなどの含窒素複素環式アルキリデン基;シクロヘキシ
リデン、2−エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、
2−エトキシカルボニルシクロペンチリデン、2−アセ
チルシクロヘキシリデンおよび3,3−ジメチル−5−
オキシシクロヘキシリデンなどのシクロアルキリデン
基;ジフェニルホスホリルおよびジベンジルホスホリル
などのジアリール−もしくはジアル−低級アルキルホス
ホリル基;5−メチル−2−オキソ−2H−1,3−ジ
オキソール−4−イル−メチルなどの含酸素複素環式ア
ルキル基;並びにトリメチルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
【0009】カルボキシル保護基としては、通常のカル
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、1,1ジメチルプロピル、ブチルおよびtert−ブチ
ルなどの低級アルキル基;フェニルおよびナフチルなど
のアリール基;ベンジル、ジフェニルメチル、トリチ
ル、p−ニトロベンジル、p−メトキシベンジルおよびビ
ス(p−メトキシフェニル)メチルなどのアル低級アル
キル基;アセチルメチル、ベンゾイルメチル、p−ニト
ロベンゾイルメチル、p−ブロモベンゾイルメチルおよ
びp−メタンスルホニルベンゾイルメチルなどのアシル
−低級アルキル基;2−テトラヒドロピラニルおよび2
−テトラヒドロフラニルなどの含酸素複素環式基;2,
2,2−トリクロロエチルなどのハロゲノ−低級アルキ
ル基;2−(トリメチルシリル)エチルなどの低級アル
キルシリル−低級アルキル基;アセトキシメチル、プロ
ピオニルオキシメチルおよびピバロイルオキシメチルな
どのアシルオキシ−低級アルキル基;フタルイミドメチ
ルおよびスクシンイミドメチルなどの含窒素複素環式−
低級アルキル基;シクロヘキシルなどのシクロアルキル
基;メトキシメチル、メトキシエトキシメチルおよび2
−(トリメチルシリル)エトキシメチルなどの低級アル
コキシ−低級アルキル基;ベンジルオキシメチルなどの
アル−低級アルコキシ−低級アルキル基;メチルチオメ
チルおよび2−メチルチオエチルなどの低級アルキルチ
オ−低級アルキル基;フェニルチオメチルなどのアリー
ルチオ−低級アルキル基;1,1−ジメチル−2−プロ
ペニル、3−メチル−3−ブテニルおよびアリルなどの
低級アルケニル基;並びにトリメチルシリル、トリエチ
ルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソプロ
ピルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチ
ルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよびte
rt−ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、1,1ジメチルプロピル、ブチルおよびtert−ブチ
ルなどの低級アルキル基;フェニルおよびナフチルなど
のアリール基;ベンジル、ジフェニルメチル、トリチ
ル、p−ニトロベンジル、p−メトキシベンジルおよびビ
ス(p−メトキシフェニル)メチルなどのアル低級アル
キル基;アセチルメチル、ベンゾイルメチル、p−ニト
ロベンゾイルメチル、p−ブロモベンゾイルメチルおよ
びp−メタンスルホニルベンゾイルメチルなどのアシル
−低級アルキル基;2−テトラヒドロピラニルおよび2
−テトラヒドロフラニルなどの含酸素複素環式基;2,
2,2−トリクロロエチルなどのハロゲノ−低級アルキ
ル基;2−(トリメチルシリル)エチルなどの低級アル
キルシリル−低級アルキル基;アセトキシメチル、プロ
ピオニルオキシメチルおよびピバロイルオキシメチルな
どのアシルオキシ−低級アルキル基;フタルイミドメチ
ルおよびスクシンイミドメチルなどの含窒素複素環式−
低級アルキル基;シクロヘキシルなどのシクロアルキル
基;メトキシメチル、メトキシエトキシメチルおよび2
−(トリメチルシリル)エトキシメチルなどの低級アル
コキシ−低級アルキル基;ベンジルオキシメチルなどの
アル−低級アルコキシ−低級アルキル基;メチルチオメ
チルおよび2−メチルチオエチルなどの低級アルキルチ
オ−低級アルキル基;フェニルチオメチルなどのアリー
ルチオ−低級アルキル基;1,1−ジメチル−2−プロ
ペニル、3−メチル−3−ブテニルおよびアリルなどの
低級アルケニル基;並びにトリメチルシリル、トリエチ
ルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソプロ
ピルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチ
ルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよびte
rt−ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
【0010】ヒドロキシル保護基としては、通常のヒド
ロキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、例えば、ベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル、4−ブロモベンジルオキシカ
ルボニル、4−メトキシベンジルオキシカルボニル、
3,4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、tert−ブトキシカ
ルボニル、1,1−ジメチルプロポキシカルボニル、イ
ソプロポキシカルボニル,イソブチルオキシカルボニ
ル、ジフェニルメトキシカルボニル、2,2,2−トリク
ロロエトキシカルボニル、2,2,2−トリブロモエトキ
シカルボニル、2−(トリメチルシリル)エトキシカル
ボニル、2−(フェニルスルホニル)エトキシカルボニ
ル、2−(トリフェニルホスホニオ)エトキシカルボニ
ル、2−フルフリルオキシカルボニル、1−アダマンチ
ルオキシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、S−ベンジルチオカルボニル、4−
エトキシ−1−ナフチルオキシカルボニル、8−キノリ
ルオキシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基;メチ
ル、tert−ブチル、2,2,2−トリクロロエチルおよび
2−トリメチルシリルエチルなどの低級アルキル基;ア
リルなどの低級アルケニル基;ベンジル、p−メトキシ
ベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、ジフェニルメ
チルおよびトリチルなどのアル−低級アルキル基;テト
ラヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒ
ドロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄複素環式
基;メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキ
シメチル、2−メトキシエトキシメチル、2,2,2−ト
リクロロエトキシメチル、2−(トリメチルシリル)エ
トキシメチル、1−エトキシエチルおよび1−メチル−
1−メトキシエチルなどの低級アルザキシ−および低級
アルキルチオ−低級アルキル基;メタンスルホニルおよ
びp−トルエンスルホニルなどの低級アルキル−および
アリール−スルホニル基;並びにトリメチルシリル、ト
リエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイ
ソプロピルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert
−ブチルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルお
よびtert−ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シ
リル基などが挙げられる
ロキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、例えば、ベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル、4−ブロモベンジルオキシカ
ルボニル、4−メトキシベンジルオキシカルボニル、
3,4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、tert−ブトキシカ
ルボニル、1,1−ジメチルプロポキシカルボニル、イ
ソプロポキシカルボニル,イソブチルオキシカルボニ
ル、ジフェニルメトキシカルボニル、2,2,2−トリク
ロロエトキシカルボニル、2,2,2−トリブロモエトキ
シカルボニル、2−(トリメチルシリル)エトキシカル
ボニル、2−(フェニルスルホニル)エトキシカルボニ
ル、2−(トリフェニルホスホニオ)エトキシカルボニ
ル、2−フルフリルオキシカルボニル、1−アダマンチ
ルオキシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、S−ベンジルチオカルボニル、4−
エトキシ−1−ナフチルオキシカルボニル、8−キノリ
ルオキシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基;メチ
ル、tert−ブチル、2,2,2−トリクロロエチルおよび
2−トリメチルシリルエチルなどの低級アルキル基;ア
リルなどの低級アルケニル基;ベンジル、p−メトキシ
ベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、ジフェニルメ
チルおよびトリチルなどのアル−低級アルキル基;テト
ラヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒ
ドロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄複素環式
基;メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキ
シメチル、2−メトキシエトキシメチル、2,2,2−ト
リクロロエトキシメチル、2−(トリメチルシリル)エ
トキシメチル、1−エトキシエチルおよび1−メチル−
1−メトキシエチルなどの低級アルザキシ−および低級
アルキルチオ−低級アルキル基;メタンスルホニルおよ
びp−トルエンスルホニルなどの低級アルキル−および
アリール−スルホニル基;並びにトリメチルシリル、ト
リエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイ
ソプロピルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert
−ブチルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルお
よびtert−ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シ
リル基などが挙げられる
【0011】R2aおよびR2におけるアルキル、シク
ロアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニ
ル、アシルまたはアリール基;R6におけるアルキル、
アルコキシまたはアルキルチオ基;R8におけるアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリールまたは複素
環式基;Yにおけるアルキル、アルコキシまたはアルキ
ルチオ基は、ハロゲン原子、シアノ基、保護されていて
もよいカルボキシル基、保護されていてもよいヒドロキ
シル基、保護されていてもよいアミノ基、保護されてい
てもよい低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、ハロゲン原
子で置換された低級アルキル基などの一つ以上の基で置
換されていてもよい。
ロアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニ
ル、アシルまたはアリール基;R6におけるアルキル、
アルコキシまたはアルキルチオ基;R8におけるアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリールまたは複素
環式基;Yにおけるアルキル、アルコキシまたはアルキ
ルチオ基は、ハロゲン原子、シアノ基、保護されていて
もよいカルボキシル基、保護されていてもよいヒドロキ
シル基、保護されていてもよいアミノ基、保護されてい
てもよい低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、ハロゲン原
子で置換された低級アルキル基などの一つ以上の基で置
換されていてもよい。
【0012】R4およびR5が一緒になって形成される
ホウ素原子を含有する環としては、該環を形成する異項
原子として酸素原子および窒素原子から選ばれる1つ以
上の異項原子を含む5員〜8員環またはそれらの縮合
環、例えば、1,3,2−ジオキサボロラン、1,3,2−ジオキ
サボリナン、1,3,5,2−ジオキサアザボリナン、1,3,5,2
−トリキサボリナン、1,3,6,2−トリオキサボロカン、
1,3,6,2−ジオキサアザボロカンなどが挙げられる。つ
ぎに、本発明の製造方法について説明する。
ホウ素原子を含有する環としては、該環を形成する異項
原子として酸素原子および窒素原子から選ばれる1つ以
上の異項原子を含む5員〜8員環またはそれらの縮合
環、例えば、1,3,2−ジオキサボロラン、1,3,2−ジオキ
サボリナン、1,3,5,2−ジオキサアザボリナン、1,3,5,2
−トリキサボリナン、1,3,6,2−トリオキサボロカン、
1,3,6,2−ジオキサアザボロカンなどが挙げられる。つ
ぎに、本発明の製造方法について説明する。
【0013】
【式1】
【0014】[式中、R1、R2、R2a、R3、
R4、R5およびXは、上記と同じ意味を有する。] 一般式[2]、[3]、[4]、[5]、[6]、
[7]および[8]の化合物は、塩とすることもでき、
それらの塩としては、通常知られているアミノ基などの
塩基性基またはヒドロキシルもしくはカルボキシル基な
どの酸性基における塩を挙げることができる。塩基性基
における塩としては、例えば、塩酸、臭化水素酸および
硫酸などの鉱酸との塩;酒石酸、ギ酸、乳酸、クエン
酸、トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機
カルボン酸との塩;並びにメタンスルホン酸、ベンゼン
スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メシチレンスル
ホン酸およびナフタレンスルホン酸などのスルホン酸と
の塩を、また、酸性基における塩としては、例えば、ナ
トリウムおよびカリウムなどのアルカリ金属との塩;カ
ルシウムおよびマグネシウムなどのアルカリ土類金属と
の塩;アンモニウム塩;並びにトリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、N,N−
ジメチルアニリン、N−メチルピペリジン、N−メチル
モルホリン、ジエチルアミン、ジシクロヘキシルアミ
ン、プロカイン、ジベンジルアミン、N−ベンジル−β
−フェネチルアミン、1−エフェナミンおよびN,N'−
ジベンジルエチレンジアミンなどの含窒素有機塩基との
塩などを挙げることができる。
R4、R5およびXは、上記と同じ意味を有する。] 一般式[2]、[3]、[4]、[5]、[6]、
[7]および[8]の化合物は、塩とすることもでき、
それらの塩としては、通常知られているアミノ基などの
塩基性基またはヒドロキシルもしくはカルボキシル基な
どの酸性基における塩を挙げることができる。塩基性基
における塩としては、例えば、塩酸、臭化水素酸および
硫酸などの鉱酸との塩;酒石酸、ギ酸、乳酸、クエン
酸、トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機
カルボン酸との塩;並びにメタンスルホン酸、ベンゼン
スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メシチレンスル
ホン酸およびナフタレンスルホン酸などのスルホン酸と
の塩を、また、酸性基における塩としては、例えば、ナ
トリウムおよびカリウムなどのアルカリ金属との塩;カ
ルシウムおよびマグネシウムなどのアルカリ土類金属と
の塩;アンモニウム塩;並びにトリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、N,N−
ジメチルアニリン、N−メチルピペリジン、N−メチル
モルホリン、ジエチルアミン、ジシクロヘキシルアミ
ン、プロカイン、ジベンジルアミン、N−ベンジル−β
−フェネチルアミン、1−エフェナミンおよびN,N'−
ジベンジルエチレンジアミンなどの含窒素有機塩基との
塩などを挙げることができる。
【0015】(1)一般式[4]の化合物またはその塩
の製法 一般式[3]の化合物またはその塩に塩基を反応させ、
ついで二酸化炭素、ハロゲン化ギ酸エステルまたは炭酸
エステルを反応することにより、一般式[4]の化合物
またはその塩を製造することができる。この反応に使用
される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさないもので
あればよく、例えば、n−ヘキサンおよびシクロヘキサ
ンなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエーテル、1,2
−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランおよびジオキ
サンなどのエーテル類などが挙げられ、これらの溶媒は
混合して使用してもよい。この反応に使用される塩基と
しては、例えば、n−ブチルリチウム、tert−ブチルリ
チウム、フェニルリチウムおよびメチルリチウムなどの
アルキル金属試薬、またはリチウムジイソプロピルアミ
ドおよびリチウムビストリメチルシリルアミドなどのア
ミド塩基が挙げられる。ハロゲン化ギ酸エステルとして
は、例えば、クロルギ酸メチルおよびクロルギ酸エチル
などが挙げられる。炭酸エステルとしては、例えば、炭
酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸ジフェニルなどが
挙げられる。塩基並びに二酸化炭素、ハロゲン化ギ酸エ
ステルまたは炭酸エステルの使用量は、一般式[3]の
化合物またはその塩に対して、2モル以上、好ましく
は、2〜3モルである。この反応は通常、−70〜20
℃、好ましくは、−50〜0℃で、10分〜24時間実
施すればよい。得られた一般式[4]の化合物またはそ
の塩は、単離せずにそのままつぎの反応に用いてもよ
い。
の製法 一般式[3]の化合物またはその塩に塩基を反応させ、
ついで二酸化炭素、ハロゲン化ギ酸エステルまたは炭酸
エステルを反応することにより、一般式[4]の化合物
またはその塩を製造することができる。この反応に使用
される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさないもので
あればよく、例えば、n−ヘキサンおよびシクロヘキサ
ンなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエーテル、1,2
−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランおよびジオキ
サンなどのエーテル類などが挙げられ、これらの溶媒は
混合して使用してもよい。この反応に使用される塩基と
しては、例えば、n−ブチルリチウム、tert−ブチルリ
チウム、フェニルリチウムおよびメチルリチウムなどの
アルキル金属試薬、またはリチウムジイソプロピルアミ
ドおよびリチウムビストリメチルシリルアミドなどのア
ミド塩基が挙げられる。ハロゲン化ギ酸エステルとして
は、例えば、クロルギ酸メチルおよびクロルギ酸エチル
などが挙げられる。炭酸エステルとしては、例えば、炭
酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸ジフェニルなどが
挙げられる。塩基並びに二酸化炭素、ハロゲン化ギ酸エ
ステルまたは炭酸エステルの使用量は、一般式[3]の
化合物またはその塩に対して、2モル以上、好ましく
は、2〜3モルである。この反応は通常、−70〜20
℃、好ましくは、−50〜0℃で、10分〜24時間実
施すればよい。得られた一般式[4]の化合物またはそ
の塩は、単離せずにそのままつぎの反応に用いてもよ
い。
【0016】(2)一般式[5]の化合物またはその塩
の製法 一般式[4]の化合物またはその塩をハロゲン化反応に
付すことにより、一般式[5]の化合物またはその塩を
製造することができる。この反応に使用される溶媒とし
ては、反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例
えば、酢酸などのカルボン酸類;四塩化炭素などのハロ
ゲン化炭化水素;硫酸および塩酸などの無機酸並びに水
などが挙げられ、これらの溶媒は混合して使用してもよ
い。この反応に使用されるハロゲン化剤としては、例え
ば、塩素、臭素およびヨウ素などのハロゲン元素、また
はN−ブロモコハク酸イミドおよびN−ブロモイソシア
ヌル酸ナトリウムなどのイソシアヌル酸のハロゲン体な
どの有機ハロゲン化合物が挙げられる。ハロゲン化剤の
使用量は、一般式[4]の化合物またはその塩に対し
て、等モル以上、好ましくは、1〜1.5モルである。こ
の反応は通常、−10〜100℃、好ましくは、0〜3
0℃で、10分〜24時間実施すればよい。得られた一
般式[5]の化合物またはその塩は、単離せずにそのま
まつぎの反応に用いてもよい。
の製法 一般式[4]の化合物またはその塩をハロゲン化反応に
付すことにより、一般式[5]の化合物またはその塩を
製造することができる。この反応に使用される溶媒とし
ては、反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例
えば、酢酸などのカルボン酸類;四塩化炭素などのハロ
ゲン化炭化水素;硫酸および塩酸などの無機酸並びに水
などが挙げられ、これらの溶媒は混合して使用してもよ
い。この反応に使用されるハロゲン化剤としては、例え
ば、塩素、臭素およびヨウ素などのハロゲン元素、また
はN−ブロモコハク酸イミドおよびN−ブロモイソシア
ヌル酸ナトリウムなどのイソシアヌル酸のハロゲン体な
どの有機ハロゲン化合物が挙げられる。ハロゲン化剤の
使用量は、一般式[4]の化合物またはその塩に対し
て、等モル以上、好ましくは、1〜1.5モルである。こ
の反応は通常、−10〜100℃、好ましくは、0〜3
0℃で、10分〜24時間実施すればよい。得られた一
般式[5]の化合物またはその塩は、単離せずにそのま
まつぎの反応に用いてもよい。
【0017】(3)一般式[8]の化合物またはその塩
の製法 一般式[5]の化合物またはその塩を、還元することに
よって一般式[6]の化合物またはその塩とした後、閉
環反応に付すか、または閉環することによって一般式
[7]の化合物またはその塩とした後、還元反応に付す
ことにより、一般式[8]の化合物またはその塩を製造
することができる。この還元反応に使用される溶媒とし
ては、反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例
えば、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール
などのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、1,2−ジメトキシエタンおよびジエチレングリコ
ールジメチルエーテルなどのエーテル類;アセトニトリ
ルなどのニトリル類;N,N−ジメチルホルムアミドなど
のアミド類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、並びに水などが挙げられ、これらの溶媒は混合して
使用してもよい。この反応に使用される還元剤として
は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウムなどのア
ルカリ金属;マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ
土類金属;亜鉛、アルミニウム、クロム、チタン、鉄、
サマリウム、セレン、ハイドロサルファイトナトリウム
などの金属およびそれらの金属塩;水素化ジイソブチル
アルミニウム、水素化トリアルキルアルミニウム、水素
化スズ化合物、ヒドロシランなどの金属水素化物;水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホ
ウ素カリウム、水素化ホウ素カルシウムなどの水素化ホ
ウ素錯化合物;水素化アルミニウムリチウムなどの水素
化アルミニウム錯化合物;ボラン、アルキルボランなど
が挙げられる。この反応に用いられる還元剤の使用量
は、還元剤の種類により異なるが、0.25モル以上必
要であり、例えば、水素化ホウ素錯化合物の場合、一般
式[5]の化合物もしくは一般式[7]の化合物または
それらの塩に対して、0.25モル以上、好ましくは0.
25〜2モルである。この反応は、通常、−20〜10
0℃、好ましくは、0〜50℃で、10分〜24時間実
施すればよい。
の製法 一般式[5]の化合物またはその塩を、還元することに
よって一般式[6]の化合物またはその塩とした後、閉
環反応に付すか、または閉環することによって一般式
[7]の化合物またはその塩とした後、還元反応に付す
ことにより、一般式[8]の化合物またはその塩を製造
することができる。この還元反応に使用される溶媒とし
ては、反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例
えば、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール
などのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、1,2−ジメトキシエタンおよびジエチレングリコ
ールジメチルエーテルなどのエーテル類;アセトニトリ
ルなどのニトリル類;N,N−ジメチルホルムアミドなど
のアミド類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド
類、並びに水などが挙げられ、これらの溶媒は混合して
使用してもよい。この反応に使用される還元剤として
は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウムなどのア
ルカリ金属;マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ
土類金属;亜鉛、アルミニウム、クロム、チタン、鉄、
サマリウム、セレン、ハイドロサルファイトナトリウム
などの金属およびそれらの金属塩;水素化ジイソブチル
アルミニウム、水素化トリアルキルアルミニウム、水素
化スズ化合物、ヒドロシランなどの金属水素化物;水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホ
ウ素カリウム、水素化ホウ素カルシウムなどの水素化ホ
ウ素錯化合物;水素化アルミニウムリチウムなどの水素
化アルミニウム錯化合物;ボラン、アルキルボランなど
が挙げられる。この反応に用いられる還元剤の使用量
は、還元剤の種類により異なるが、0.25モル以上必
要であり、例えば、水素化ホウ素錯化合物の場合、一般
式[5]の化合物もしくは一般式[7]の化合物または
それらの塩に対して、0.25モル以上、好ましくは0.
25〜2モルである。この反応は、通常、−20〜10
0℃、好ましくは、0〜50℃で、10分〜24時間実
施すればよい。
【0018】この閉環反応に使用される溶媒としては、
反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例えば、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシ
エタンおよびジエチレングリコールジメチルエーテルな
どのエーテル類;アセトニトリルなどのニトリル類;N,
N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類;ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類;ベンゼン、トルエン
およびキシレンなどの芳香族炭化水素類などが挙げら
れ、これらの溶媒は混合して使用してもよい。一般式
[5]の化合物またはその塩を閉環反応に付し一般式
[7]の化合物またはその塩に導く場合、または一般式
[6]の化合物またはその塩のヒドロキシル基を活性化
した後閉環反応に付し一般式[8]の化合物またはその
塩に導く場合、所望に応じて用いられる塩基としては、
例えば、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−
ブトキシドおよび水素化ナトリウムなどが挙げられ、そ
の使用量は、一般式[5]の化合物もしくは一般式
[6]の化合物またはそれらの塩に対して、等モル以
上、好ましくは、1〜1.5モルである。この反応は通
常、0〜100℃、好ましくは、0〜30℃で、10分
〜24時間実施すればよい。このようにして得られた一
般式[8]の化合物またはその塩は、単離せずにそのま
まつぎの反応に用いてもよい。
反応に悪影響を及ぼさないものであればよく、例えば、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシ
エタンおよびジエチレングリコールジメチルエーテルな
どのエーテル類;アセトニトリルなどのニトリル類;N,
N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類;ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類;ベンゼン、トルエン
およびキシレンなどの芳香族炭化水素類などが挙げら
れ、これらの溶媒は混合して使用してもよい。一般式
[5]の化合物またはその塩を閉環反応に付し一般式
[7]の化合物またはその塩に導く場合、または一般式
[6]の化合物またはその塩のヒドロキシル基を活性化
した後閉環反応に付し一般式[8]の化合物またはその
塩に導く場合、所望に応じて用いられる塩基としては、
例えば、ナトリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−
ブトキシドおよび水素化ナトリウムなどが挙げられ、そ
の使用量は、一般式[5]の化合物もしくは一般式
[6]の化合物またはそれらの塩に対して、等モル以
上、好ましくは、1〜1.5モルである。この反応は通
常、0〜100℃、好ましくは、0〜30℃で、10分
〜24時間実施すればよい。このようにして得られた一
般式[8]の化合物またはその塩は、単離せずにそのま
まつぎの反応に用いてもよい。
【0019】(4)一般式[2]の化合物またはその塩
の製法 一般式[8]の化合物またはその塩をホウ酸化反応に付
すことにより、一般式[2]の化合物またはその塩を製
造することができる。具体的には、例えば、第4版実験
化学講座、24巻、第61〜90頁(1992年)に記載の方法に
準じて、一般式[8]の化合物またはその塩をリチオ化
あるいはグリニャール反応に付した後、ホウ酸トリアル
キルと反応させることによって得ることができる。この
反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさ
ないものであればよく、例えば、n−ヘキサンおよびシ
クロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエーテ
ル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランお
よびジオキサンなどのエーテル類などが挙げられ、これ
らの溶媒は混合して使用してもよい。この反応に使用さ
れるリチオ化剤としては、例えば、n−ブチルリチウ
ム、tert−ブチルリチウム、フェニルリチウムおよびメ
チルリチウムなどのアルキル金属試薬、またはリチウム
ジイソプロピルアミドおよびリチウムビストリメチルシ
リルアミドなどのアミド塩基が挙げられ、また、グリニ
ャール試薬は金属マグネシウムを反応させることにより
得ることができる。この反応に使用されるホウ酸トリア
ルキルとしては、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ酸ト
リエチル、ホウ酸トリイソプロピルおよびホウ酸トリブ
チルなどが挙げられる。リチオ化剤、金属マグネシウム
およびホウ酸トリアルキルの使用量は、一般式[8]の
化合物またはその塩に対して、等モル以上、好ましく
は、1〜2モルである。この反応は通常、−70〜50
℃、好ましくは、−60〜0℃で、10分〜24時間実
施すればよい。得られた一般式[2]の化合物またはそ
の塩は、単離せずにそのままつぎの反応に用いてもよ
い。このようにして得られた一般式[2]の化合物また
はその塩を、例えば、保護、脱保護することによって、
他の一般式[2]の化合物またはその塩に誘導すること
ができる。
の製法 一般式[8]の化合物またはその塩をホウ酸化反応に付
すことにより、一般式[2]の化合物またはその塩を製
造することができる。具体的には、例えば、第4版実験
化学講座、24巻、第61〜90頁(1992年)に記載の方法に
準じて、一般式[8]の化合物またはその塩をリチオ化
あるいはグリニャール反応に付した後、ホウ酸トリアル
キルと反応させることによって得ることができる。この
反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさ
ないものであればよく、例えば、n−ヘキサンおよびシ
クロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエーテ
ル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランお
よびジオキサンなどのエーテル類などが挙げられ、これ
らの溶媒は混合して使用してもよい。この反応に使用さ
れるリチオ化剤としては、例えば、n−ブチルリチウ
ム、tert−ブチルリチウム、フェニルリチウムおよびメ
チルリチウムなどのアルキル金属試薬、またはリチウム
ジイソプロピルアミドおよびリチウムビストリメチルシ
リルアミドなどのアミド塩基が挙げられ、また、グリニ
ャール試薬は金属マグネシウムを反応させることにより
得ることができる。この反応に使用されるホウ酸トリア
ルキルとしては、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ酸ト
リエチル、ホウ酸トリイソプロピルおよびホウ酸トリブ
チルなどが挙げられる。リチオ化剤、金属マグネシウム
およびホウ酸トリアルキルの使用量は、一般式[8]の
化合物またはその塩に対して、等モル以上、好ましく
は、1〜2モルである。この反応は通常、−70〜50
℃、好ましくは、−60〜0℃で、10分〜24時間実
施すればよい。得られた一般式[2]の化合物またはそ
の塩は、単離せずにそのままつぎの反応に用いてもよ
い。このようにして得られた一般式[2]の化合物また
はその塩を、例えば、保護、脱保護することによって、
他の一般式[2]の化合物またはその塩に誘導すること
ができる。
【0020】上で述べた製造法における一般式[2]〜
[8]の化合物またはそれらの塩において、異性体(例
えば、光学異性体、幾何異性体および互変異性体など)
が存在する場合、これらの異性体を使用することがで
き、また、溶媒和物、水和物および種々の形状の結晶を
使用することができる。また、一般式[3]〜[8]の
化合物またはそれらの塩において、アミノ基、ヒドロキ
シル基またはカルボキシル基を有する化合物は、あらか
じめこれらの基を通常の保護基で保護しておき、反応
後、自体公知の方法でこれらの保護基を脱離することも
できる。
[8]の化合物またはそれらの塩において、異性体(例
えば、光学異性体、幾何異性体および互変異性体など)
が存在する場合、これらの異性体を使用することがで
き、また、溶媒和物、水和物および種々の形状の結晶を
使用することができる。また、一般式[3]〜[8]の
化合物またはそれらの塩において、アミノ基、ヒドロキ
シル基またはカルボキシル基を有する化合物は、あらか
じめこれらの基を通常の保護基で保護しておき、反応
後、自体公知の方法でこれらの保護基を脱離することも
できる。
【0021】つぎに、一般式[2]の化合物またはその
塩を原料とした一般式[1]の化合物またはその塩の製
造法について説明する。
塩を原料とした一般式[1]の化合物またはその塩の製
造法について説明する。
【0022】
【式2】
【0023】「式中、R1、R2、R4、R5、R6、
R7、R8およびAは、上記と同じ意味を有し、Zは、
塩素、臭素またはヨウ素原子を示す。」
R7、R8およびAは、上記と同じ意味を有し、Zは、
塩素、臭素またはヨウ素原子を示す。」
【0024】一般式[1]の化合物またはその塩は、塩
基の存在下または不存在下、パラジウム錯体触媒を用い
て、一般式[9]の化合物またはその塩と一般式[2]
の化合物またはその塩をカップリング反応に付すことに
よって得ることができる。この反応で使用される溶媒と
しては、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限
定されないが、例えば、水;メタノール、エタノールお
よびプロパノールなどのアルコール類;ベンゼン、トル
エンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類;塩化メチ
レン、クロロホルムおよびジクロロエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素類;ジオキサン、テトラヒドロフラン、ア
ニソール、ジエチレングリコールジエチルエーテルおよ
びジメチルセロソルブなどのエーテル類;酢酸エチルお
よび酢酸ブチルなどのエステル類;アセトンおよびメチ
ルエチルケトンなどのケトン類;アセトニトリルなどの
ニトリル類;N,N−ジメチルホルムアミドおよびN,N
−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;並びにジメチ
ルスルホキシドなどのスルホキシド類などが挙げられ、
これらの溶媒は混合して使用してもよい。この反応で所
望に応じて用いられる塩基としては、例えば、炭酸水素
ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチ
ルアミンなどが挙げられる。この反応で用いられるパラ
ジウム錯体触媒としては、例えば、PdCl2(PPh3)2、P
d(PPh3)4、PdCl2[P(o−tolyl)3]2、PdCl2+2P(OE
t)3およびPdCl2(PhCN)2[但し、Phはフェニル基、Et
はエチル基およびtolylはトリル基を、それぞれ示
す。]などが挙げられる。一般式[2]の化合物または
その塩の使用量は、一般式[9]の化合物またはその塩
に対して、等モル以上、好ましくは、1.0〜1.5倍モルで
ある。このカップリング反応は、通常、不活性気体(例
えば、アルゴン、窒素)雰囲気下、50〜170℃で、1分
〜24時間実施すればよい。一般式[1]の化合物の塩と
しては、上記した一般式[2]〜[8]の化合物の塩と
同様の塩が挙げられる。一般式[9]の化合物またはそ
の塩は、例えば、WO97/29102に記載の方法で
製造することができる。
基の存在下または不存在下、パラジウム錯体触媒を用い
て、一般式[9]の化合物またはその塩と一般式[2]
の化合物またはその塩をカップリング反応に付すことに
よって得ることができる。この反応で使用される溶媒と
しては、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限
定されないが、例えば、水;メタノール、エタノールお
よびプロパノールなどのアルコール類;ベンゼン、トル
エンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類;塩化メチ
レン、クロロホルムおよびジクロロエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素類;ジオキサン、テトラヒドロフラン、ア
ニソール、ジエチレングリコールジエチルエーテルおよ
びジメチルセロソルブなどのエーテル類;酢酸エチルお
よび酢酸ブチルなどのエステル類;アセトンおよびメチ
ルエチルケトンなどのケトン類;アセトニトリルなどの
ニトリル類;N,N−ジメチルホルムアミドおよびN,N
−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;並びにジメチ
ルスルホキシドなどのスルホキシド類などが挙げられ、
これらの溶媒は混合して使用してもよい。この反応で所
望に応じて用いられる塩基としては、例えば、炭酸水素
ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチ
ルアミンなどが挙げられる。この反応で用いられるパラ
ジウム錯体触媒としては、例えば、PdCl2(PPh3)2、P
d(PPh3)4、PdCl2[P(o−tolyl)3]2、PdCl2+2P(OE
t)3およびPdCl2(PhCN)2[但し、Phはフェニル基、Et
はエチル基およびtolylはトリル基を、それぞれ示
す。]などが挙げられる。一般式[2]の化合物または
その塩の使用量は、一般式[9]の化合物またはその塩
に対して、等モル以上、好ましくは、1.0〜1.5倍モルで
ある。このカップリング反応は、通常、不活性気体(例
えば、アルゴン、窒素)雰囲気下、50〜170℃で、1分
〜24時間実施すればよい。一般式[1]の化合物の塩と
しては、上記した一般式[2]〜[8]の化合物の塩と
同様の塩が挙げられる。一般式[9]の化合物またはそ
の塩は、例えば、WO97/29102に記載の方法で
製造することができる。
【0025】
【実施例】つぎに、本発明を参考例、実施例および製造
例を挙げて説明するが本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
例を挙げて説明するが本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
【0026】参考例1 水酸化ナトリウム130gを水1300mlに溶解し、これに
(1R)−1−フェニルエチルアミン188gを懸濁させた
後、ピバロイルクロリド287mlを20℃で40分間を要して
滴下する。同温度で1時間30分攪拌し、析出結晶を濾取
すれば、N−[(1R)−1−フェニルエチル]−2,2−
ジメチルプロパンアミド289gを得る。 [α]D=97(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1637 NMR(CDCl3)δ値:1.20(9H,s),1.48(3H,d,J=6.8Hz),5.1
1(1H,m),5.8(1H,brs),7.31(5H,s)
(1R)−1−フェニルエチルアミン188gを懸濁させた
後、ピバロイルクロリド287mlを20℃で40分間を要して
滴下する。同温度で1時間30分攪拌し、析出結晶を濾取
すれば、N−[(1R)−1−フェニルエチル]−2,2−
ジメチルプロパンアミド289gを得る。 [α]D=97(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1637 NMR(CDCl3)δ値:1.20(9H,s),1.48(3H,d,J=6.8Hz),5.1
1(1H,m),5.8(1H,brs),7.31(5H,s)
【0027】実施例1 N−[(1R)−1−フェニルエチル]−2,2−ジメチル
プロパンアミド77.7gをテトラヒドロフラン466mlに溶解
し、この溶液に−30℃でn−ブチルリチウムのn−ヘキサ
ン溶液(1.6モル溶液)500mlを30分間を要して滴下する。
滴下後0℃に昇温し同温度で1時間30分攪拌後、再び−30
℃まで冷却した後、二酸化炭素を導入する。導入後反応
混合物を酢酸エチル500mlおよび水932mlの混合溶媒に加
え、水層を分取する。水層に塩化メチレン200mlを加え
た後6N塩酸でpH3に調整し、有機層を分取する。有機層
から減圧下に溶媒を留去して得られた残留物をメタノー
ル310mlに溶解し、この溶液にメタンスルホン酸72.6g
を加え、3時間加熱還流する。40℃に冷却後水777mlを滴
下して晶出した結晶を濾取すれば、無色結晶の2−
{(1R)−1−[(2,2−ジメチルプロパノイル)
アミノ]エチル}安息香酸メチル77.2gを得る。 [α]D=52(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1722,1639 NMR(CDCl3)δ値:1.17(9H,s),1.47(3H,d,J=7.1Hz),3.9
3(3H,s),5,4-5.6(1H,m),7.1-7.6(4H,m),7.86(1H,dd,J=
7.1,1.2Hz)
プロパンアミド77.7gをテトラヒドロフラン466mlに溶解
し、この溶液に−30℃でn−ブチルリチウムのn−ヘキサ
ン溶液(1.6モル溶液)500mlを30分間を要して滴下する。
滴下後0℃に昇温し同温度で1時間30分攪拌後、再び−30
℃まで冷却した後、二酸化炭素を導入する。導入後反応
混合物を酢酸エチル500mlおよび水932mlの混合溶媒に加
え、水層を分取する。水層に塩化メチレン200mlを加え
た後6N塩酸でpH3に調整し、有機層を分取する。有機層
から減圧下に溶媒を留去して得られた残留物をメタノー
ル310mlに溶解し、この溶液にメタンスルホン酸72.6g
を加え、3時間加熱還流する。40℃に冷却後水777mlを滴
下して晶出した結晶を濾取すれば、無色結晶の2−
{(1R)−1−[(2,2−ジメチルプロパノイル)
アミノ]エチル}安息香酸メチル77.2gを得る。 [α]D=52(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1722,1639 NMR(CDCl3)δ値:1.17(9H,s),1.47(3H,d,J=7.1Hz),3.9
3(3H,s),5,4-5.6(1H,m),7.1-7.6(4H,m),7.86(1H,dd,J=
7.1,1.2Hz)
【0028】実施例2 2−{(1R)−1−[(2,2−ジメチルプロパノイ
ル)アミノ]エチル}安息香酸メチル70gを硫酸560mlに
溶解し、この溶液に0℃でN−ブロモイソシアヌル酸ナ
トリウム64.2gを加え、氷冷下で3時間攪拌する。反応混
合物を塩化メチレン420mlおよび水1050mlの混合溶媒に
加え、不溶物を濾過した後有機層を分取する。得られた
有機層を0.5N水酸化ナトリウム水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去する。得られ
た残留物をシクロヘキサンで再結晶すれば、無色結晶の
5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジメチ
ルプロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メチル74.2g
を得る。 [α]D=53(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1726,1709,1637 NMR(CDCl3)δ値:1.16(9H,s),1.45(3H,d,J=7.1Hz),3.9
3(3H,s),5.3-5.7(1H,m),6.8-7.0(1H,m),7.28(1H,d,J=8.
3Hz),7.59(1H,dd,J=8.3,2.2Hz),8.00(1H,d,J=2.2Hz)
ル)アミノ]エチル}安息香酸メチル70gを硫酸560mlに
溶解し、この溶液に0℃でN−ブロモイソシアヌル酸ナ
トリウム64.2gを加え、氷冷下で3時間攪拌する。反応混
合物を塩化メチレン420mlおよび水1050mlの混合溶媒に
加え、不溶物を濾過した後有機層を分取する。得られた
有機層を0.5N水酸化ナトリウム水で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去する。得られ
た残留物をシクロヘキサンで再結晶すれば、無色結晶の
5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジメチ
ルプロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メチル74.2g
を得る。 [α]D=53(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1726,1709,1637 NMR(CDCl3)δ値:1.16(9H,s),1.45(3H,d,J=7.1Hz),3.9
3(3H,s),5.3-5.7(1H,m),6.8-7.0(1H,m),7.28(1H,d,J=8.
3Hz),7.59(1H,dd,J=8.3,2.2Hz),8.00(1H,d,J=2.2Hz)
【0029】実施例3 エタノール420mlに、氷冷下で水素化ホウ素ナトリウム1
3.4gおよび5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2
−ジメチルプロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メ
チル70.0gを懸濁させ、0℃で塩化カルシウム19.6gを加
えた後、氷冷下で4時間攪拌する。反応液を1N塩酸359ml
に滴下した後、塩化メチレン840mlおよび水231mlを加
え、有機層を分取する。得られた有機層を水で洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残留物をジエチレングリコールモノメチル
エーテル250mlに溶解し、トリエチルアミン32.4mlを添
加した後、氷冷下で塩化メタンスルホニル16.7mlを30分
間を要して滴下し、さらに氷冷下30分攪拌する。反応液
を水1120mlに滴下して晶出した結晶を濾取すれば、無色
結晶の5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジ
メチルプロパノイル)アミノ]エチル}ベンジルメタン
スルホネート70gを得る。 [α]D=26(26℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1646 NMR(CDCl3)δ値:1.16(9H,s),1.47(3H,d,J=6.8Hz),3.0
4(3H,s),5.0-5.3(1H,m),5.22(1H,d,J=11.8Hz),5.60(1H,
d,J=11.8Hz)5.8-6.0(1H,m),7.20(1H,d,J=9.0Hz),7.5−
7.6(2H,m)
3.4gおよび5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2
−ジメチルプロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メ
チル70.0gを懸濁させ、0℃で塩化カルシウム19.6gを加
えた後、氷冷下で4時間攪拌する。反応液を1N塩酸359ml
に滴下した後、塩化メチレン840mlおよび水231mlを加
え、有機層を分取する。得られた有機層を水で洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残留物をジエチレングリコールモノメチル
エーテル250mlに溶解し、トリエチルアミン32.4mlを添
加した後、氷冷下で塩化メタンスルホニル16.7mlを30分
間を要して滴下し、さらに氷冷下30分攪拌する。反応液
を水1120mlに滴下して晶出した結晶を濾取すれば、無色
結晶の5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジ
メチルプロパノイル)アミノ]エチル}ベンジルメタン
スルホネート70gを得る。 [α]D=26(26℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1646 NMR(CDCl3)δ値:1.16(9H,s),1.47(3H,d,J=6.8Hz),3.0
4(3H,s),5.0-5.3(1H,m),5.22(1H,d,J=11.8Hz),5.60(1H,
d,J=11.8Hz)5.8-6.0(1H,m),7.20(1H,d,J=9.0Hz),7.5−
7.6(2H,m)
【0030】実施例4 5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジメチル
プロパノイル)アミノ]エチル}ベンジルメタンスルホ
ネート25gをジエチレングリコールジメチルエーテル200
mlに溶解し、この溶液に0℃でナトリウムtert−ブトキ
シド6.73gを加え、5℃で2時間攪拌する。反応混合物
に水150mlを滴下して晶出した結晶を濾取すれば、無色
結晶の1−[(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3
−ジヒドロ−1H−2−イソインドリル]−2,2−ジメ
チル−1−プロパノン16.9gを得る。 [α]D=3(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1616 NMR(CDCl3)δ値:1.32(9H,s),1.44(3H,d,J=6.4Hz),4.8
3(1H,d,J=14.5Hz),5.04(1H,d,J=14.5Hz),5.38(1H,q,J=
6.4Hz),7.0-7.5(3H,m)
プロパノイル)アミノ]エチル}ベンジルメタンスルホ
ネート25gをジエチレングリコールジメチルエーテル200
mlに溶解し、この溶液に0℃でナトリウムtert−ブトキ
シド6.73gを加え、5℃で2時間攪拌する。反応混合物
に水150mlを滴下して晶出した結晶を濾取すれば、無色
結晶の1−[(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3
−ジヒドロ−1H−2−イソインドリル]−2,2−ジメ
チル−1−プロパノン16.9gを得る。 [α]D=3(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1616 NMR(CDCl3)δ値:1.32(9H,s),1.44(3H,d,J=6.4Hz),4.8
3(1H,d,J=14.5Hz),5.04(1H,d,J=14.5Hz),5.38(1H,q,J=
6.4Hz),7.0-7.5(3H,m)
【0031】実施例5 1−[(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−ジヒ
ドロ−1H−2−イソインドリル]−2,2−ジメチル−
1−プロパノン16.5gを6N塩酸130ml中5時間加熱還流す
る。反応混合物を室温まで冷却後、反応液をトルエンで
洗浄した後、5N水酸化ナトリウム水で中和し、塩化メチ
レン81mlで抽出する。抽出液を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、トリエチルアミン8mlを加え、さらに塩化
トリチル15.25g添加して室温で1時間攪拌する。反応混
合物を水で洗浄した後、減圧下に溶媒を留去して得られ
た残留物をイソプロピルアルコールで再結晶すれば、淡
紫色結晶の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2−ト
リチル−2,3−ジヒドロ−1H−イソインドール16.7g
を得る。 [α]D=92(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1596NMR(CDCl3)δ値:1.37
(3H,d,J=6.4Hz),3.99(1H,d,J=16.8Hz),4.3-4.6(2H,m),
6.5-7.6(18H,m)
ドロ−1H−2−イソインドリル]−2,2−ジメチル−
1−プロパノン16.5gを6N塩酸130ml中5時間加熱還流す
る。反応混合物を室温まで冷却後、反応液をトルエンで
洗浄した後、5N水酸化ナトリウム水で中和し、塩化メチ
レン81mlで抽出する。抽出液を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、トリエチルアミン8mlを加え、さらに塩化
トリチル15.25g添加して室温で1時間攪拌する。反応混
合物を水で洗浄した後、減圧下に溶媒を留去して得られ
た残留物をイソプロピルアルコールで再結晶すれば、淡
紫色結晶の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2−ト
リチル−2,3−ジヒドロ−1H−イソインドール16.7g
を得る。 [α]D=92(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1596NMR(CDCl3)δ値:1.37
(3H,d,J=6.4Hz),3.99(1H,d,J=16.8Hz),4.3-4.6(2H,m),
6.5-7.6(18H,m)
【0032】実施例6 5−ブロモ−2−{(1R)−1−[(2,2−ジメチル
プロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メチル10.0gを
トルエン100mlに溶解させ、ナトリウムtert−ブトキシ
ド3.1gを加えた後、氷冷下で15分間攪拌する。反応液を
水150mlおよび酢酸エチル100mlの混合溶媒に加え、2N塩
酸で中和した後、有機層を分取する。得られた有機層を
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下に溶媒を留去する。得られた残留物をイソプロピ
ルアルコールで再結晶すれば、無色結晶の(3R)−6
−ブロモ−3−メチル−2,3−ジヒドロ−1H−1−
イソインドロン5.7gを得る。 [α]D=17.7(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1702,1655 NMR(CDCl3)δ値:1.51(3H,d,J=6.8Hz),4.68(1H,q,J=6.
8Hz),7.31(1H,d,J=7.8Hz),7.69(1H,dd,J=7.8,1.7Hz),7.
95(1H,d,J=1.7Hz)
プロパノイル)アミノ]エチル}安息香酸メチル10.0gを
トルエン100mlに溶解させ、ナトリウムtert−ブトキシ
ド3.1gを加えた後、氷冷下で15分間攪拌する。反応液を
水150mlおよび酢酸エチル100mlの混合溶媒に加え、2N塩
酸で中和した後、有機層を分取する。得られた有機層を
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下に溶媒を留去する。得られた残留物をイソプロピ
ルアルコールで再結晶すれば、無色結晶の(3R)−6
−ブロモ−3−メチル−2,3−ジヒドロ−1H−1−
イソインドロン5.7gを得る。 [α]D=17.7(29℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1702,1655 NMR(CDCl3)δ値:1.51(3H,d,J=6.8Hz),4.68(1H,q,J=6.
8Hz),7.31(1H,d,J=7.8Hz),7.69(1H,dd,J=7.8,1.7Hz),7.
95(1H,d,J=1.7Hz)
【0033】実施例7 テトラヒドロフラン1200mlに、氷冷下で水素化ホウ素ナ
トリウム60.3gおよび(3R)−6−ブロモ−3−メチル
−2,3−ジヒドロ−1H−1−イソインドロン40.0gを
懸濁させ、0℃で三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体3
01gを加えた後、3時間加熱還流する。反応液を冷却後、
水2000mlおよび塩化メチレン700mlの混合溶媒に加え、5
N水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調整し、有機層を分
取する。得られた有機層を水で洗浄後、減圧下に溶媒を
留去してその残留物を6N塩酸200mlに溶解し、トルエン1
00mlを加えて5分間加熱還流する。反応液を冷却後、水
層を5N水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調整して、塩化
メチレン200mlで抽出する。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去すれば、赤色油状物
の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−ジヒド
ロ−1H−イソインドール30gを得る。 NMR(CDCl3)δ値:1.41(3H,d,J=6.3Hz),2.27(1H,s),3.8
-4.6(3H,m),7.0-7.6(3H,m)
トリウム60.3gおよび(3R)−6−ブロモ−3−メチル
−2,3−ジヒドロ−1H−1−イソインドロン40.0gを
懸濁させ、0℃で三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体3
01gを加えた後、3時間加熱還流する。反応液を冷却後、
水2000mlおよび塩化メチレン700mlの混合溶媒に加え、5
N水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調整し、有機層を分
取する。得られた有機層を水で洗浄後、減圧下に溶媒を
留去してその残留物を6N塩酸200mlに溶解し、トルエン1
00mlを加えて5分間加熱還流する。反応液を冷却後、水
層を5N水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調整して、塩化
メチレン200mlで抽出する。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去すれば、赤色油状物
の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−ジヒド
ロ−1H−イソインドール30gを得る。 NMR(CDCl3)δ値:1.41(3H,d,J=6.3Hz),2.27(1H,s),3.8
-4.6(3H,m),7.0-7.6(3H,m)
【0034】実施例8 (1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−ジヒドロ
−1H−イソインドール30gをエタノール120mlに溶解
し、濃塩酸12mlを加え減圧下に溶媒を留去する。得られ
た残留物をイソプロピルアルコールで再結晶すれば、赤
色結晶の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−
ジヒドロ−1H−イソインドール塩酸塩27.7gを得る。 [α]D=12.8(27℃,c=1.00,CHCl3) IR(KBr)cm−1:1602,1593
−1H−イソインドール30gをエタノール120mlに溶解
し、濃塩酸12mlを加え減圧下に溶媒を留去する。得られ
た残留物をイソプロピルアルコールで再結晶すれば、赤
色結晶の(1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−
ジヒドロ−1H−イソインドール塩酸塩27.7gを得る。 [α]D=12.8(27℃,c=1.00,CHCl3) IR(KBr)cm−1:1602,1593
【0035】実施例9 (1R)−5−ブロモ−1−メチル−2,3−ジヒドロ
−1H−イソインドール塩酸塩3.2gを塩化メチレン32ml
に懸濁させ、トリエチルアミン3.94mlを加えた後、塩化
トリチル3.95gを塩化メチレン10mlに溶解して添加し室
温で2時間攪拌する。反応混合物を水で洗浄した後、減
圧下に溶媒を留去して得られた残留物をイソプロピルア
ルコールで再結晶すれば、淡紫色結晶の(1R)−5−
ブロモ−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ
−1H−イソインドール4.83gを得る。本化合物の物性
値は、先の実施例5で得られた化合物の物性値と一致し
た。
−1H−イソインドール塩酸塩3.2gを塩化メチレン32ml
に懸濁させ、トリエチルアミン3.94mlを加えた後、塩化
トリチル3.95gを塩化メチレン10mlに溶解して添加し室
温で2時間攪拌する。反応混合物を水で洗浄した後、減
圧下に溶媒を留去して得られた残留物をイソプロピルア
ルコールで再結晶すれば、淡紫色結晶の(1R)−5−
ブロモ−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ
−1H−イソインドール4.83gを得る。本化合物の物性
値は、先の実施例5で得られた化合物の物性値と一致し
た。
【0036】実施例10 (1R)−5−ブロモ−1−メチル−2−トリチル−
2,3−ジヒドロ−1H−イソインドール13.5gをテトラ
ヒドロフラン67.5mlに溶解し、この溶液に−50℃でn−
ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(1.66モル溶液)19.7m
lを10分間を要して滴下する。同温度で45分攪拌後ホウ
酸トリイソプロピル5.87gを15分間を要して滴下し、さ
らに同温度で1時間攪拌する。反応液を水67.5mlに加え1
0℃で1時間攪拌後、酢酸でpH7に調整し有機層を分取
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒
を留去する。得られた残留物をシクロヘキサンで再結晶
すれば、茶灰色結晶の(1R)−1−メチル−2−トリ
チル−2,3−ジヒドロ−1H−5−イソインドリルボ
ロン酸8.6gを得る。 [α]D=59(28℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νB−O 1356 NMR(CDCl3)δ値:1.40(3H,d,J=6.3Hz),4.1-4.8(3H,m),
6.6-7.8(18H,m)
2,3−ジヒドロ−1H−イソインドール13.5gをテトラ
ヒドロフラン67.5mlに溶解し、この溶液に−50℃でn−
ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(1.66モル溶液)19.7m
lを10分間を要して滴下する。同温度で45分攪拌後ホウ
酸トリイソプロピル5.87gを15分間を要して滴下し、さ
らに同温度で1時間攪拌する。反応液を水67.5mlに加え1
0℃で1時間攪拌後、酢酸でpH7に調整し有機層を分取
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒
を留去する。得られた残留物をシクロヘキサンで再結晶
すれば、茶灰色結晶の(1R)−1−メチル−2−トリ
チル−2,3−ジヒドロ−1H−5−イソインドリルボ
ロン酸8.6gを得る。 [α]D=59(28℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νB−O 1356 NMR(CDCl3)δ値:1.40(3H,d,J=6.3Hz),4.1-4.8(3H,m),
6.6-7.8(18H,m)
【0037】実施例11 (1R)−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒド
ロ−1H−5−イソインドリルボロン酸1gを、テトラヒ
ドロフラン4mlおよびヘキサン1.5mlの混合溶媒に懸濁さ
せ、ジエタノールアミン0.24gを加えて20分間攪拌す
る。晶出した結晶を濾取すれば、無色結晶の2−[(1
R)−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ−
1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−ジオキサ
アザボロカン0.88gを得る。 [α]D=57.2(25℃,c=0.33,CHCl3) IR(KBr)cm−1:1490,1446 NMR(CDCl3)δ値:1.18(3H,d,J=6.1Hz),2.4-4.6(12H,
m),6.5-7.8(18H,m)
ロ−1H−5−イソインドリルボロン酸1gを、テトラヒ
ドロフラン4mlおよびヘキサン1.5mlの混合溶媒に懸濁さ
せ、ジエタノールアミン0.24gを加えて20分間攪拌す
る。晶出した結晶を濾取すれば、無色結晶の2−[(1
R)−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ−
1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−ジオキサ
アザボロカン0.88gを得る。 [α]D=57.2(25℃,c=0.33,CHCl3) IR(KBr)cm−1:1490,1446 NMR(CDCl3)δ値:1.18(3H,d,J=6.1Hz),2.4-4.6(12H,
m),6.5-7.8(18H,m)
【0038】製造例1 2−[(1R)−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジ
ヒドロ−1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−
ジオキサアザボロカン1.34gを水2mlおよび酢酸エチル5m
lの混合溶媒に懸濁し、これに7−ブロモ−1−シクロ
プロピル−8−ジフルオロメトキシ−1,4−ジヒドロ
−4−オキソキノリン−3−カルボン酸エチルエステル
1.0g、炭酸ナトリウム0.55gおよびビス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(II)クロリド0.05gを加えた
後、窒素雰囲気下、3時間加熱還流する。反応混合物を
塩化メチレン10mlおよび水10mlの混合溶媒に加え、有機
層を分取する。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留
去する。得られた残留物をエタノールで再結晶すれば、
1−シクロプロピル−8−ジフルオロメトキシ−7−
[(1R)1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ
−1H−5−イソインドリル]−4−オキソ−1,4−ジ
ヒドロ−3−キノリンカルボン酸エチルエステル1.55g
を得る。 [α]D=32(27℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1734,1690 NMR(CDCl3)δ値:0.8-1.9(10H,m),3.9-4.9(6H,m),5.51
(1H,t,J=75Hz),6.7-8.0(19H,m),8.35(1H,d,J=8.0Hz),8.
66(1H,s)
ヒドロ−1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−
ジオキサアザボロカン1.34gを水2mlおよび酢酸エチル5m
lの混合溶媒に懸濁し、これに7−ブロモ−1−シクロ
プロピル−8−ジフルオロメトキシ−1,4−ジヒドロ
−4−オキソキノリン−3−カルボン酸エチルエステル
1.0g、炭酸ナトリウム0.55gおよびビス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(II)クロリド0.05gを加えた
後、窒素雰囲気下、3時間加熱還流する。反応混合物を
塩化メチレン10mlおよび水10mlの混合溶媒に加え、有機
層を分取する。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留
去する。得られた残留物をエタノールで再結晶すれば、
1−シクロプロピル−8−ジフルオロメトキシ−7−
[(1R)1−メチル−2−トリチル−2,3−ジヒドロ
−1H−5−イソインドリル]−4−オキソ−1,4−ジ
ヒドロ−3−キノリンカルボン酸エチルエステル1.55g
を得る。 [α]D=32(27℃,c=1.0,CHCl3) IR(KBr)cm−1:νc=o 1734,1690 NMR(CDCl3)δ値:0.8-1.9(10H,m),3.9-4.9(6H,m),5.51
(1H,t,J=75Hz),6.7-8.0(19H,m),8.35(1H,d,J=8.0Hz),8.
66(1H,s)
【0039】製造例2 2−[(1R)−1−メチル−2−トリチル−2,3−ジ
ヒドロ−1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−
ジオキサアザボロカン13.5gを水50.6mlおよびジエチレ
ングリコールジメチルエーテル50.6mlの混合溶媒に懸濁
し、これに酢酸1.58mlを加えて30分間攪拌する。さらに
7−ブロモ−1−シクロプロピル−8−ジフルオロメト
キシ−1,4−ジヒドロ−4−オキソキノリン−3−カ
ルボン酸エチルエステル10.1g、炭酸ナトリウム5.59gお
よびビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)
クロリド0.088gを加えた後、窒素雰囲気下、2時間加熱
還流する。反応混合物を40℃に冷却後、有機層を分取
する。得られた有機層にエタノール30mlを加え、晶出す
る結晶を濾過すれば、1−シクロプロピル−8−ジフル
オロメトキシ−7−[(1R)1−メチル−2−トリチル
−2,3−ジヒドロ−1H−5−イソインドリル]−4−
オキソ−1,4−ジヒドロ−3−キノリンカルボン酸エ
チルエステル17.3gを得る。本化合物の物性値は、製造
例1で得られた化合物の物性値と一致した。
ヒドロ−1H−5−イソインドリル]−1,3,6,2−
ジオキサアザボロカン13.5gを水50.6mlおよびジエチレ
ングリコールジメチルエーテル50.6mlの混合溶媒に懸濁
し、これに酢酸1.58mlを加えて30分間攪拌する。さらに
7−ブロモ−1−シクロプロピル−8−ジフルオロメト
キシ−1,4−ジヒドロ−4−オキソキノリン−3−カ
ルボン酸エチルエステル10.1g、炭酸ナトリウム5.59gお
よびビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)
クロリド0.088gを加えた後、窒素雰囲気下、2時間加熱
還流する。反応混合物を40℃に冷却後、有機層を分取
する。得られた有機層にエタノール30mlを加え、晶出す
る結晶を濾過すれば、1−シクロプロピル−8−ジフル
オロメトキシ−7−[(1R)1−メチル−2−トリチル
−2,3−ジヒドロ−1H−5−イソインドリル]−4−
オキソ−1,4−ジヒドロ−3−キノリンカルボン酸エ
チルエステル17.3gを得る。本化合物の物性値は、製造
例1で得られた化合物の物性値と一致した。
【0040】
【発明の効果】本発明の製造法は、抗菌剤として有用な
一般式[1]の化合物の中間体である一般式[2]の化
合物またはその塩を工業的製造法として有用である。さ
らに、一般式[6]の化合物は一般式[1]の中間体と
して有用である。
一般式[1]の化合物の中間体である一般式[2]の化
合物またはその塩を工業的製造法として有用である。さ
らに、一般式[6]の化合物は一般式[1]の中間体と
して有用である。
Claims (3)
- 【請求項1】一般式 【化1】 「式中、R1は、アルキル基を;R2aは、アミノ保護
基、置換されていてもよいアルキル、シクロアルキル、
アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アシルまた
はアリール基を、それぞれ示す。」で表されるフェニル
アルキルアミン誘導体に、塩基の存在下、二酸化炭素、
ハロゲン化ギ酸エステルまたは炭酸エステルを反応さ
せ、一般式 【化2】 「式中、R1は上記と同じ意味を有し、R2は、水素原
子、アミノ保護基、置換されていてもよいアルキル、シ
クロアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニ
ル、アシルまたはアリール基を;R3は、水素原子また
はカルボキシル保護基を、それぞれ示す。」で表される
2−アミノアルキル安息香酸誘導体またはその塩を得、
ついでハロゲン化反応に付し、一般式 【化3】 「式中、R1、R2およびR3は、上記と同じ意味を有
し、Xは、ハロゲン原子を示す。」で表される2−アミ
ノアルキル−5−ハロゲノ安息香酸誘導体またはその塩
を得、ついで、還元反応後、閉環反応に付すか、または
閉環反応後、還元反応に付し、一般式 【化4】 「式中、R1、R2およびXは、上記と同じ意味を有す
る。」で表される1−アルキル−5−ハロゲノイソイン
ドリン誘導体またはその塩を得、ついで、ホウ酸化反応
に付すことを特徴とする一般式 【化5】 「式中、R1およびR2は、上記と同じ意味を有し、R
4およびR5は、水素原子もしくは低級アルキル基また
は一緒になって形成されるホウ素原子を含有する環を示
す。」で表される1−アルキルイソインドリン−5−ボ
ロン酸誘導体またはその塩の製造法。 - 【請求項2】R1が低級アルキル基;R2aがアミノ保護
基;R2が水素原子またはアミノ保護基である請求項1
記載の1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導
体またはその塩の製造法。 - 【請求項3】一般式 【化6】 「式中、R1は、アルキル基を;R2は、水素原子、ア
ミノ保護基、置換されていてもよいアルキル、シクロア
ルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ア
シルまたはアリール基を;Xは、ハロゲン原子を、それ
ぞれ示す。」で表される2−アミノアルキル−5−ハロ
ゲノベンジルアルコール誘導体またはその塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10303120A JPH11269179A (ja) | 1997-10-27 | 1998-10-26 | 1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導体の製造法およびその中間体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31137697 | 1997-10-27 | ||
JP9-311376 | 1997-10-27 | ||
JP10303120A JPH11269179A (ja) | 1997-10-27 | 1998-10-26 | 1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導体の製造法およびその中間体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11269179A true JPH11269179A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=26563401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10303120A Pending JPH11269179A (ja) | 1997-10-27 | 1998-10-26 | 1−アルキルイソインドリン−5−ボロン酸誘導体の製造法およびその中間体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11269179A (ja) |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP10303120A patent/JPH11269179A/ja active Pending
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---|---|---|---|
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A02 | Decision of refusal |
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