JPH11266073A - Forming and mounting method of solder bump - Google Patents

Forming and mounting method of solder bump

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JPH11266073A
JPH11266073A JP6659298A JP6659298A JPH11266073A JP H11266073 A JPH11266073 A JP H11266073A JP 6659298 A JP6659298 A JP 6659298A JP 6659298 A JP6659298 A JP 6659298A JP H11266073 A JPH11266073 A JP H11266073A
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solder bump
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忠彦 境
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憲 前田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming and mounting solder bumps of high bonding reliability. SOLUTION: A solder ball 15 is soldered to a circuit electrode 13 via a through-hole 12 provided to an insulating board 11 for forming a solder bump 16 on the surface of the insulating board 11 opposite to its other surface which confronts the circuit electrode 13. In this case, the solder ball 15 is mounted on the through-hole 12, whose diameter is smaller than that of the solder ball 15 after a cream soldery 14 whose liquidus line temperature is higher than that of the solder ball 15 is fed into the through-hole 12. Then, the insulating board 11 is heated to melt the solder ball 15 and to evaporate a solvent component of the flux inside the through-hole 12 at the same time. With this setup, dispersing of solvent vapor contained in flux is facilitated, whereby voids can be prevented from being formed due to the solvent vapor staying in melted solder, while a solder bonding operation is being carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や基板の
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法および半田バンプを電子部品や基板に実装する半田バ
ンプの実装方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a solder bump on a circuit electrode of an electronic component or a substrate and a method of mounting a solder bump on an electronic component or a substrate. .

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品の実装方法として半田バンプを
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より半田ボールを電子部品などの回路電極上に搭載する
方法が知られている。
2. Description of the Related Art As a method for mounting electronic components, a method using solder bumps is known. In this method, a solder bump, which is a protruding electrode of solder, is previously formed on a circuit electrode of an electronic component, and the solder bump is soldered to a circuit electrode such as a substrate. As a method of forming a solder bump, a method of mounting a solder ball on a circuit electrode such as an electronic component has been conventionally known.

【0003】ところでCSP(Chip Size P
ackage)などでは、回路電極が形成される面と半
田バンプが形成される面が基板の同一面でない場合があ
る。すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片
側の面に回路電極が形成され、この回路電極が形成され
た面の反対側に半田ボールが搭載される。そしてこの半
田ボールを溶融させ、回路電極位置に設けられた基板の
貫通孔を介して溶融半田を回路電極に導通させて半田バ
ンプが形成される。ここで、電子部品の小型化に伴う回
路電極のファインピッチ化により前孔の貫通孔も小径化
し、搭載される半田ボールの径よりも小さい貫通孔を用
いる場合が増加している。
[0003] By the way, CSP (Chip Size P)
In some cases, the surface on which the circuit electrodes are formed and the surface on which the solder bumps are formed are not the same surface of the substrate. That is, circuit electrodes are formed on one surface of a tape-shaped substrate constituting a package, and solder balls are mounted on the opposite side of the surface on which the circuit electrodes are formed. Then, the solder ball is melted, and the molten solder is conducted to the circuit electrode through a through hole of the substrate provided at the position of the circuit electrode to form a solder bump. Here, the through-hole of the front hole is also reduced due to the fine pitch of the circuit electrodes accompanying the miniaturization of electronic components, and the use of a through-hole smaller than the diameter of the solder ball to be mounted is increasing.

【0004】以下、このような場合の従来の半田バンプ
形成方法について図面を参照して説明する。図3
(a),(b),(c)は従来のテープ状基板の部分断
面図である。図3(a)において、テープ状の絶縁基板
1の下面には回路電極2が形成されている。絶縁基板1
の回路電極2の位置には貫通孔3が設けられており、貫
通孔3内には半田粒子4aとフラックスを混合したクリ
ーム半田4が供給されている。貫通孔3上には半田ボー
ル5が搭載されている。ここで、貫通孔3の径は搭載さ
れる半田ボール5の径よりも小さく、半田ボール5は貫
通孔3の内部には入り込まずに貫通孔3の上部を塞ぐ形
となっている。
A conventional solder bump forming method in such a case will be described below with reference to the drawings. FIG.
(A), (b), (c) is a partial sectional view of a conventional tape-shaped substrate. In FIG. 3A, a circuit electrode 2 is formed on a lower surface of a tape-shaped insulating substrate 1. Insulating substrate 1
A through-hole 3 is provided at the position of the circuit electrode 2 in which the cream solder 4 in which the solder particles 4a and the flux are mixed is supplied into the through-hole 3. A solder ball 5 is mounted on the through hole 3. Here, the diameter of the through hole 3 is smaller than the diameter of the solder ball 5 to be mounted, and the solder ball 5 blocks the upper portion of the through hole 3 without entering the inside of the through hole 3.

【0005】またクリーム半田4中に含まれる半田粒子
としては、鉛、錫の共晶型の液相線温度が183°Cの
ものが使用され、これに対して半田ボール5を構成する
半田は、バンプ形成時の加熱工程で溶融しない高い液相
線温度を有するものが使用されていた。これは半田バン
プ形成後のバンプ高さをできるだけ高く確保する目的
で、加熱工程では半田ボール5を溶融させないようにし
たものである。
As the solder particles contained in the cream solder 4, a eutectic type of lead and tin having a liquidus temperature of 183 ° C. is used, whereas the solder forming the solder balls 5 is In addition, a material having a high liquidus temperature that does not melt in a heating step at the time of forming a bump has been used. This is to prevent the solder balls 5 from melting in the heating step in order to ensure the bump height after forming the solder bumps as high as possible.

【0006】この後絶縁基板1をリフローに送って加熱
することにより、クリーム半田4が加熱されるが、この
ときクリーム半田4中のフラックスの溶剤成分が温度上
昇に伴って気化して気泡4bが発生する(図3
(b))。そして気泡4bは半田粒子4aが溶融した後
は溶融半田中で凝集してある大きさの気泡となり、溶融
半田中を上昇して外部に放散される。
[0006] Thereafter, the cream solder 4 is heated by sending the insulating substrate 1 to reflow and heating. At this time, the solvent component of the flux in the cream solder 4 evaporates as the temperature rises and bubbles 4b are generated. Occurs (Fig. 3
(B)). After the solder particles 4a are melted, the bubbles 4b are aggregated in the molten solder to form bubbles of a certain size, rise in the molten solder and are radiated to the outside.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ここで、半田ボール5
はこの加熱工程で溶融しないため貫通孔3の上部を塞い
だままとなっている。ところが、溶剤蒸気の気泡4bは
溶融半田中に表面張力によりある大きさのままで閉じこ
められた形となっているため、貫通孔3の上部の半田ボ
ール5との隙間から脱出することができない。その結果
これらの気泡状態の溶剤蒸気4cが溶融半田4a’中に
残留し(図3(c))、溶融半田4a’の固化後にはこ
れらの溶剤蒸気によって形成された空隙が半田接合部内
のボイドとして残留する。このようなボイドは半田接合
部の信頼性を大きく損なう重大な欠陥であり、品質上許
容されないものである。
Here, the solder ball 5
Is not melted in this heating step, so that the upper portion of the through hole 3 is closed. However, since the bubbles 4b of the solvent vapor are trapped in the molten solder while maintaining a certain size due to surface tension, they cannot escape from the gap between the solder ball 5 above the through hole 3. As a result, the solvent vapor 4c in a bubble state remains in the molten solder 4a '(FIG. 3C), and after solidification of the molten solder 4a', voids formed by these solvent vapors form voids in the solder joint. As a residue. Such voids are serious defects that greatly impair the reliability of the solder joints and are unacceptable in quality.

【0008】しかしながら前述の従来の半田バンプ形成
方法では、半田ボール5およびクリーム半田4の材質種
類の組み合わせに起因して、上記の重大欠陥を防止でき
ず、接合信頼性の高い半田バンプを形成することができ
ないという問題があった。また上記の問題は、球状の半
田バンプを基板の回路電極に実装する場合、すなわち回
路電極を覆ったレジストに半田バンプの径より小さい貫
通孔を設け、この貫通孔内にクリーム半田を供給して球
状の半田バンプを実装する場合にも共通するものであっ
た。
However, in the above-mentioned conventional solder bump forming method, the above-mentioned serious defects cannot be prevented due to the combination of the material types of the solder ball 5 and the cream solder 4, and a solder bump having high joining reliability is formed. There was a problem that it was not possible. Further, the above problem is caused when a spherical solder bump is mounted on a circuit electrode of a substrate, that is, a through hole smaller than the diameter of the solder bump is provided in a resist covering the circuit electrode, and cream solder is supplied into the through hole. This is also common when mounting spherical solder bumps.

【0009】そこで本発明は、接合信頼性の高い半田バ
ンプの形成方法および半田バンプの実装方法を提供する
ことを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a solder bump having high bonding reliability and a method for mounting a solder bump.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の半田バン
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
半田ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回
路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形
成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設けら
れた前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第1の
半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第2の
半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上
に前記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加
熱して第1の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内
のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁
基板をさらに加熱して第2の半田を溶融させることによ
り、第1の半田および第2の半田を構造的に一体化させ
て前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of forming a solder bump, comprising: soldering a solder ball to a circuit electrode via a through hole provided in an insulating substrate; A method of forming a solder bump on a surface, wherein a temperature of a liquidus temperature of a first solder, which is a material of the solder ball, is higher in a through hole provided with a smaller diameter than the solder ball. Supplying a second solder and a flux having a liquidus temperature, mounting the solder balls on the through holes, heating the insulating substrate to melt the first solder, and Evaporating the solvent component of the flux in the holes, and further heating the insulating substrate to melt the second solder, thereby structurally integrating the first solder and the second solder to form the circuit. On the electrode And a step of fields joined.

【0011】請求項2記載の半田バンプの形成方法は、
請求項1記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of forming a solder bump.
The method for forming a solder bump according to claim 1, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold, silver, copper, antimony,
Solder particles containing either indium or bismuth, and supplied in the form of cream solder mixed with a flux containing a solvent.

【0012】請求項3記載の半田バンプの形成方法は、
請求項1記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of forming a solder bump.
The method for forming a solder bump according to claim 1, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold, silver, copper, antimony,
It contains either indium or bismuth, and is supplied after being precoated on the circuit board.

【0013】請求項4記載の半田バンプの実装方法は、
電子部品に形成された半田バンプを基板の回路電極を覆
う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記回路電極に半
田接合して、前記半田バンプを基板に実装する半田バン
プの実装方法であって、前記半田バンプより小さい径で
設けられた前記貫通孔内にこの半田バンプの材料である
第1の半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する
第2の半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫
通孔上に前記半田バンプを搭載する工程と、前記基板を
加熱して第1の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔
内のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記基
板をさらに加熱して第2の半田を溶融させることによ
り、第1の半田および第2の半田を構造的に一体化させ
前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of mounting a solder bump.
A solder bump mounting method of soldering a solder bump formed on an electronic component to the circuit electrode via a through hole provided in an insulating film covering a circuit electrode of the board, and mounting the solder bump on the board. Supplying a second solder and a flux having a liquidus temperature higher than the liquidus temperature of the first solder, which is the material of the solder bump, into the through hole provided with a smaller diameter than the solder bump. Performing the step of mounting the solder bumps on the through-holes, heating the substrate to melt the first solder, and vaporizing a solvent component of the flux in the through-holes; Is further heated to melt the second solder, so that the first solder and the second solder are structurally integrated and soldered to the circuit electrode.

【0014】請求項5記載の半田バンプの実装方法は、
請求項4記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of mounting a solder bump, comprising:
5. The method of claim 4, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold, silver, copper, antimony,
Solder particles containing either indium or bismuth, and supplied in the form of cream solder mixed with a flux containing a solvent.

【0015】請求項6記載の半田バンプの実装方法は、
請求項4記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of mounting a solder bump, comprising:
5. The method of claim 4, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold, silver, copper, antimony,
It contains either indium or bismuth, and is supplied after being precoated on the circuit board.

【0016】各請求項記載の発明によれば、半田ボール
もしくは半田バンプを回路電極と半田接合させる貫通孔
内に供給される第2の半田の液相線温度を、第1の半田
である半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度より
も高くなるように第1および第2の半田の種類を組合せ
ることにより、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の
放散を容易にして半田接合中に溶剤蒸気が溶融半田中に
残留することによるボイドの発生を防止することができ
る。
According to the present invention, the liquidus temperature of the second solder supplied into the through-hole for solder-bonding the solder ball or the solder bump to the circuit electrode is set to the solder which is the first solder. By combining the first and second types of solder so as to be higher than the liquidus temperature of the ball or the solder bump, it is easy to dissipate the solvent vapor in the flux in the heating process, and the solvent The generation of voids due to the vapor remaining in the molten solder can be prevented.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1(a),
(b),(c),(d),(e),(f)は本発明の実
施の形態1の半田バンプの形成方法の工程説明図であ
り、半田バンプの形成方法を工程順に示すものである。
図1(a)において、絶縁基板11はポリイミドテープ
やガラエポ樹脂などの絶縁材料から成り、絶縁基板11
には貫通孔13が形成されている。貫通孔13は絶縁基
板11の下面に形成された回路電極12の位置に対応し
て設けられ、絶縁基板11の回路電極12の反対面(図
1では貫通孔13側の面)に半田バンプを形成するため
のものである。ここで、貫通孔13の径は回路電極12
の狭ピッチ化により小径化し、半田バンプ形成のために
搭載される半田ボールの径よりも小さいものとなってい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) FIG.
(B), (c), (d), (e), and (f) are process explanatory diagrams of the method of forming a solder bump according to the first embodiment of the present invention, and show the method of forming a solder bump in the order of processes. It is.
In FIG. 1A, an insulating substrate 11 is made of an insulating material such as a polyimide tape or glass epoxy resin.
Is formed with a through hole 13. The through-hole 13 is provided corresponding to the position of the circuit electrode 12 formed on the lower surface of the insulating substrate 11, and a solder bump is formed on the surface of the insulating substrate 11 opposite to the circuit electrode 12 (the surface on the side of the through-hole 13 in FIG. 1). It is for forming. Here, the diameter of the through hole 13 is
The diameter is reduced due to the narrow pitch, and is smaller than the diameter of the solder ball mounted for forming the solder bump.

【0018】次に図1(b)に示すように、貫通孔13
内に第2の半田であるクリーム半田14が供給される。
クリーム半田14は溶剤成分を含むフラックス中に銀と
錫の共晶半田の半田粒子14aを混合したものであり、
液相線温度は220°Cとなっている。これにより、貫
通孔12内には、第2の半田とフラックスが同時に供給
される。
Next, as shown in FIG.
The cream solder 14 as the second solder is supplied into the inside.
The cream solder 14 is obtained by mixing solder particles 14a of eutectic solder of silver and tin in a flux containing a solvent component,
The liquidus temperature is 220 ° C. Thereby, the second solder and the flux are simultaneously supplied into the through-hole 12.

【0019】次に図1(c)に示すように、クリーム半
田14が供給された貫通孔13上に半田ボール15を搭
載する。前述のように半田ボール15の径は貫通孔13
の径より大きく、半田ボール15は貫通孔13の底の回
路電極12に当接する位置までは入り込まず、貫通孔1
3の上部を塞ぐ形となっている。半田ボール15の材質
は第1の半田である鉛と錫の共晶半田であり、その液晶
点温度は183°Cである。すなわち前述の第2の半田
の液相線温度は、この第1の半田の液相線温度より高い
ものとなっている。
Next, as shown in FIG. 1C, a solder ball 15 is mounted on the through hole 13 to which the cream solder 14 has been supplied. As described above, the diameter of the solder ball 15 is
And the solder ball 15 does not enter the bottom of the through hole 13 until it comes into contact with the circuit electrode 12.
3 is closed. The material of the solder ball 15 is eutectic solder of lead and tin, which is the first solder, and its liquid crystal point temperature is 183 ° C. That is, the liquidus temperature of the second solder is higher than the liquidus temperature of the first solder.

【0020】この後、絶縁基板11はリフロー工程に送
られ加熱される。温度上昇に伴いクリーム半田14中の
フラックスの溶剤成分が気化を開始し、また加熱温度が
半田ボール15の液相線温度である183°Cを超える
と、図1(d)に示すように半田ボール15は溶融し、
溶融半田15’となる。これにより貫通孔12内で気化
した溶剤蒸気14bは、第2の半田がまだ溶融しない状
態で、すなわち溶融半田中で気泡を形成することなく貫
通孔13内を上昇して外部へ放散される。このとき貫通
孔13の上部を塞いだ溶融半田15’は、単に表面張力
により球形状を保っている状態であるので、僅かな力で
変形する。したがって貫通孔13内の溶剤蒸気14b
は、貫通孔13の上端部と溶融半田15’の隙間部分の
溶融半田15’を容易に排除しながら外部に放散され
る。
Thereafter, the insulating substrate 11 is sent to a reflow step and heated. As the temperature rises, the solvent component of the flux in the cream solder 14 starts to evaporate, and when the heating temperature exceeds 183 ° C., which is the liquidus temperature of the solder ball 15, the solder becomes as shown in FIG. The ball 15 melts,
It becomes molten solder 15 '. As a result, the solvent vapor 14b vaporized in the through-hole 12 rises inside the through-hole 13 without being melted, that is, without forming bubbles in the molten solder, and is diffused to the outside. At this time, the molten solder 15 'that has closed the upper portion of the through hole 13 is deformed by a slight force because the molten solder 15' is simply kept in a spherical shape by surface tension. Therefore, the solvent vapor 14b in the through hole 13
Is dissipated to the outside while easily removing the molten solder 15 'in the gap between the upper end of the through hole 13 and the molten solder 15'.

【0021】この後更に温度が上昇して第2の半田の液
相線温度220°Cを超えると、クリーム半田14中の
半田粒子が溶融する。これにより図1(e)に示すよう
に、溶融半田15’とクリーム半田14が溶融した溶融
半田14’は構造的に一体化して回路電極12に半田接
合され、その後固化することにより、図1(f)に示す
ように半田バンプ16が形成される。このとき、前述の
ように半田ボール15が溶融した後クリーム半田14が
溶融するまでの間に、貫通孔13中のクリーム半田14
に含まれる溶剤成分は気化して半田ボール15によって
阻害されることなく放散されるので、溶剤蒸気が気泡状
態で残留することによる接合部内のボイドの発生が防止
され、信頼性の高い半田バンプが形成される。なお、気
化して放散されるのはフラックス中の溶剤成分であり、
フラックス中の活性成分はそのまま残留するので半田接
合時のフラックスの作用が損なわれることはない。
Thereafter, when the temperature further rises and exceeds the liquidus temperature of the second solder of 220 ° C., the solder particles in the cream solder 14 melt. As a result, as shown in FIG. 1E, the molten solder 15 'and the molten solder 14' in which the cream solder 14 is melted are structurally integrated and soldered to the circuit electrode 12, and then solidified, thereby obtaining As shown in (f), the solder bumps 16 are formed. At this time, as described above, after the solder ball 15 is melted and before the cream solder 14 is melted, the cream solder 14 in the through-hole 13 is melted.
Is vaporized and dissipated without being disturbed by the solder balls 15, so that the occurrence of voids in the joints due to the solvent vapor remaining in a bubble state is prevented, and a highly reliable solder bump is formed. It is formed. It is the solvent component in the flux that is vaporized and emitted,
Since the active component in the flux remains as it is, the effect of the flux at the time of soldering is not impaired.

【0022】(実施の形態2)図2(a),(b),
(c),(d),(e)は本発明の実施の形態2の半田
バンプの実装方法の工程説明図であり、半田バンプの実
装方法を工程順に示すものである。
(Embodiment 2) FIGS. 2 (a), (b),
(C), (d), and (e) are process explanatory diagrams of the solder bump mounting method according to the second embodiment of the present invention, and show the solder bump mounting method in the order of processes.

【0023】図2(a)において、基板21の表面には
回路電極22が形成されている。基板21および回路電
極22を覆って、エポキシやアクリルなどの樹脂材料よ
り成る絶縁膜としてのソルダーレジスト23が形成され
ている。ソルダーレジスト23の回路電極22に対応し
た位置には貫通孔24が設けられている。ここで貫通孔
24の径は回路電極22の狭ピッチ化により小径化し、
実装される半田バンプの径よりも小さいものとなってい
る。次に図2(b)に示すように、貫通孔24内に第2
の半田であるクリーム半田25が供給される。クリーム
半田25は、実施の形態1におけるクリーム半田14と
同様のものである。
In FIG. 2A, a circuit electrode 22 is formed on a surface of a substrate 21. A solder resist 23 as an insulating film made of a resin material such as epoxy or acrylic is formed so as to cover the substrate 21 and the circuit electrodes 22. A through hole 24 is provided at a position corresponding to the circuit electrode 22 of the solder resist 23. Here, the diameter of the through hole 24 is reduced by narrowing the pitch of the circuit electrode 22,
The diameter is smaller than the diameter of the solder bump to be mounted. Next, as shown in FIG.
Is supplied. The cream solder 25 is similar to the cream solder 14 in the first embodiment.

【0024】次に図2(c)に示すように、基板21上
に球状の半田バンプ26が形成された電子部品27を搭
載する。前述のように半田バンプ26の径は貫通孔24
の径より大きく、したがって半田バンプ26は貫通孔2
4の底の回路電極22に当接する位置までは入り込ま
ず、上部を塞ぐ形となっている。半田バンプ26の材質
は第1の半田であり、実施の形態1における半田ボール
15と同様である。
Next, as shown in FIG. 2C, an electronic component 27 having a spherical solder bump 26 formed on the substrate 21 is mounted. As mentioned above, the diameter of the solder bump 26 is
Is larger than the diameter of the solder bump 26, so that the solder bump 26
4 does not enter into the position where it contacts the circuit electrode 22 at the bottom, but is closed at the top. The material of the solder bump 26 is the first solder, which is the same as that of the solder ball 15 in the first embodiment.

【0025】この後基板21はリフロー工程に送られ、
加熱される。これにより、図2(d)に示すようにまず
半田バンプ26が溶融して溶融半田26’となり、クリ
ーム半田25中のフラックス溶剤成分が気化する。さら
に加熱することにより図2(e)に示すようにクリーム
半田25も溶融して溶融半田25’となり、溶融半田2
6’、25’が構造的に一体化して回路電極22に半田
接合され、これにより半田バンプ26は基板21に実装
される。このとき、実施の形態1と同様に、加熱工程に
おいてクリーム半田25中の溶剤成分の放散が半田バン
プ26によって阻害されることがなく、接合部内のボイ
ドの発生を予防して信頼性の高い半田バンプの実装を行
うことができる。
Thereafter, the substrate 21 is sent to a reflow process,
Heated. As a result, as shown in FIG. 2D, the solder bumps 26 are first melted into molten solder 26 ', and the flux solvent component in the cream solder 25 is vaporized. By further heating, the cream solder 25 is melted as shown in FIG.
6 ′ and 25 ′ are structurally integrated and soldered to the circuit electrode 22, whereby the solder bumps 26 are mounted on the substrate 21. At this time, as in the first embodiment, in the heating step, the dissipation of the solvent component in the cream solder 25 is not hindered by the solder bumps 26, and the generation of voids in the joints is prevented so that a highly reliable solder can be obtained. Mounting of bumps can be performed.

【0026】なお、上記各実施の形態では、第2の半田
をクリーム半田としてフラックスとともに供給する例を
示しているが、これ以外の方法、たとえばまず回路電極
上に半田をプリコートし、この後に溶剤を含んだフラッ
クスをプリコートされた半田上に供給するようにしても
よい。また、第2の半田として、銀、錫の共晶半田以外
に、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、インジウム、ビスマス
などの成分を含んだものを用いてもよい。
In each of the above embodiments, an example is shown in which the second solder is supplied together with the flux as a cream solder. However, other methods, such as first pre-coating the solder on the circuit electrode and then applying the solvent, May be supplied onto the pre-coated solder. As the second solder, a solder containing components such as tin, lead, zinc, gold, silver, copper, indium, and bismuth in addition to the eutectic solder of silver and tin may be used.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、半田ボールもしくは半
田バンプを回路電極と半田接合するための貫通孔内に供
給される第2の半田の液相線温度を、第1の半田である
半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度よりも高く
なるように第1および第2の半田の種類を組合せるよう
にしたので、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の放
散を容易にして半田接合中の溶剤蒸気の残留によるボイ
ドの発生を防止することができる。したがって半田接合
部の欠陥の発生を防いで、信頼性の高い半田バンプの形
成および半田バンプの実装を行うことができる。
According to the present invention, the liquidus temperature of the second solder supplied into the through-hole for solder-joining the solder ball or the solder bump to the circuit electrode is adjusted by the solder which is the first solder. Since the first and second solder types are combined so as to be higher than the liquidus temperature of the balls or the solder bumps, it is easy to dissipate the solvent vapor in the flux in the heating step and to perform solder bonding. The generation of voids due to residual solvent vapor can be prevented. Therefore, it is possible to form a solder bump with high reliability and mount the solder bump while preventing the occurrence of a defect in the solder joint.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明の実施の形態1の半田バンプの形
成方法の工程説明図 (b)本発明の実施の形態1の半田バンプの形成方法の
工程説明図 (c)本発明の実施の形態1の半田バンプの形成方法の
工程説明図 (d)本発明の実施の形態1の半田バンプの形成方法の
工程説明図 (e)本発明の実施の形態1の半田バンプの形成方法の
工程説明図 (f)本発明の実施の形態1の半田バンプの形成方法の
工程説明図
FIG. 1A is a process explanatory view of a solder bump forming method according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a process explanatory view of a solder bump forming method according to a first embodiment of the present invention. Process description diagram of the solder bump forming method of the first embodiment (d) Process description diagram of the solder bump forming method of the first embodiment of the present invention (e) Method of forming the solder bump of the first embodiment of the present invention (F) Process explanatory diagram of the method for forming a solder bump according to the first embodiment of the present invention

【図2】(a)本発明の実施の形態2の半田バンプの実
装方法の工程説明図 (b)本発明の実施の形態2の半田バンプの実装方法の
工程説明図 (c)本発明の実施の形態2の半田バンプの実装方法の
工程説明図 (d)本発明の実施の形態2の半田バンプの実装方法の
工程説明図 (e)本発明の実施の形態2の半田バンプの実装方法の
工程説明図
FIG. 2A is a process explanatory view of a solder bump mounting method according to a second embodiment of the present invention. FIG. 2B is a process explanatory view of a solder bump mounting method according to a second embodiment of the present invention. Process description diagram of solder bump mounting method according to Embodiment 2 (d) Process description diagram of solder bump mounting method according to Embodiment 2 of the present invention (e) Method of mounting solder bump according to Embodiment 2 of the present invention Process description diagram

【図3】(a)従来のテープ状基板の部分断面図 (b)従来のテープ状基板の部分断面図 (c)従来のテープ状基板の部分断面図3A is a partial cross-sectional view of a conventional tape-shaped substrate. FIG. 3B is a partial cross-sectional view of a conventional tape-shaped substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11 絶縁基板 2、12、22 回路電極 3、13、24 貫通孔 4、14、25 クリーム半田 5、15 半田ボール 16、26 半田バンプ 21 基板 23 ソルダーレジスト 27 電子部品 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 11 Insulating substrate 2, 12, 22 Circuit electrode 3, 13, 24 Through-hole 4, 14, 25 Cream solder 5, 15 Solder ball 16, 26 Solder bump 21 Substrate 23 Solder resist 27 Electronic component

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板に設けられた貫通孔を介して半田
ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回路電
極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法であって、前記半田ボールより小さい径で設けられた
前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第1の半田
の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第2の半田
およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上に前
記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加熱し
て第1の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内のフ
ラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁基板
をさらに加熱して第2の半田を溶融させることにより、
第1の半田および第2の半田を構造的に一体化させて前
記回路電極に半田接合する工程とを含むことを特徴とす
る半田バンプの形成方法。
1. A method of forming a solder bump, comprising: soldering a solder ball to a circuit electrode via a through hole provided in an insulating substrate to form a solder bump on a surface of the insulating substrate opposite to the circuit electrode; A step of supplying a second solder and a flux having a liquidus temperature higher than the liquidus temperature of the first solder, which is the material of the solder ball, into the through hole provided with a smaller diameter than the solder ball; Mounting the solder ball on the through-hole, heating the insulating substrate to melt the first solder, and vaporizing a solvent component of the flux in the through-hole; Is further heated to melt the second solder,
A step of structurally integrating the first solder and the second solder and joining them to the circuit electrode by soldering.
【請求項2】前記第2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含む半田粒子であり、溶剤を含むフラックスと混
合されたクリーム半田の形態で供給されることを特徴と
する請求項1記載の半田バンプの形成方法。
2. The method according to claim 2, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold,
2. The method of claim 1, wherein the solder bumps are solder particles containing any of silver, copper, antimony, indium, and bismuth, and are supplied in the form of cream solder mixed with a flux containing a solvent. .
【請求項3】前記第2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含み、前記回路基板にプリコートされて供給され
ることを特徴とする請求項1記載の半田バンプの形成方
法。
3. The method of claim 2, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold,
2. The method for forming a solder bump according to claim 1, wherein the circuit board is provided with one of silver, copper, antimony, indium, and bismuth and is precoated on the circuit board.
【請求項4】電子部品に形成された半田バンプを基板の
回路電極を覆う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記
回路電極に半田接合して、前記半田バンプを基板に実装
する半田バンプの実装方法であって、前記半田バンプよ
り小さい径で設けられた前記貫通孔内にこの半田バンプ
の材料である第1の半田の液相線温度よりも高い液相線
温度を有する第2の半田およびフラックスを供給する工
程と、前記貫通孔上に前記半田バンプを搭載する工程
と、前記基板を加熱して第1の半田を溶融させるととも
に、前記貫通孔内のフラックスの溶剤成分を気化させる
工程と、前記基板をさらに加熱して第2の半田を溶融さ
せることにより、第1の半田および第2の半田を構造的
に一体化させ前記回路電極に半田接合する工程とを含む
ことを特徴とする半田バンプの実装方法。
4. A solder bump for mounting a solder bump on a substrate by soldering a solder bump formed on an electronic component to the circuit electrode via a through hole provided in an insulating film covering the circuit electrode on the substrate. Wherein the second soldering material has a liquidus temperature higher than the liquidus temperature of the first solder, which is the material of the solder bump, in the through hole provided with a smaller diameter than the solder bump. Supplying solder and flux, mounting the solder bump on the through-hole, heating the substrate to melt the first solder, and vaporizing a solvent component of the flux in the through-hole. And a step of further heating the substrate to melt the second solder, thereby structurally integrating the first solder and the second solder and solder-joining to the circuit electrode. And half Implementation of the bump.
【請求項5】前記第2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含む半田粒子であり、溶剤を含むフラックスと混
合されたクリーム半田の形態で供給されることを特徴と
する請求項4記載の半田バンプの実装方法。
5. The method according to claim 1, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold,
5. The solder bump mounting method according to claim 4, wherein the solder bumps are solder particles containing any of silver, copper, antimony, indium and bismuth, and are supplied in the form of cream solder mixed with a flux containing a solvent. .
【請求項6】前記第2の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含み、前記回路基板にプリコートされて供給され
ることを特徴とする請求項4記載の半田バンプの実装方
法。
6. The method according to claim 1, wherein the second solder is tin, lead, zinc, gold,
5. The solder bump mounting method according to claim 4, wherein the circuit board is supplied by containing one of silver, copper, antimony, indium, and bismuth and pre-coated on the circuit board.
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WO2009150759A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 株式会社日本スペリア社 Solder bonding method and solder joint

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