JPH1126518A - Thermal bonding apparatus - Google Patents

Thermal bonding apparatus

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JPH1126518A
JPH1126518A JP17981897A JP17981897A JPH1126518A JP H1126518 A JPH1126518 A JP H1126518A JP 17981897 A JP17981897 A JP 17981897A JP 17981897 A JP17981897 A JP 17981897A JP H1126518 A JPH1126518 A JP H1126518A
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flexible film
semiconductor chip
stage
thermocompression bonding
pressure
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Keiichiro Ho
慶一郎 方
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To adhere a plurality of semiconductor chips to a flexible film at the same time, without generating air bubbles in a thermal bonding machine under pressure adhering semiconductor chips to a flexible film. SOLUTION: A flexible film 22 is sandwiched and held between a pressure head 1, having a pressure chamber 3 and a stage 2 having a deaerating chamber 4. Then the pressure chamber 3 and deaerating chamber 4 are separated by a partition, and the air between the semiconductor chip 21 to be adhered to the flexible film 22 in the deaerating chamber 4 is vacuum exhausted, while the flexible film 22 and the semiconductor chip 21 are being heated. Then a high pressure gas is introduced to a pressure chamber 3 and the flexible film 22 is adhered by uniformly pressing it to the semiconductor chip 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの端
子部と接続する配線パターンが形成されるフレキシブル
フィルムに半導体チップを貼付ける熱圧着装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermocompression bonding apparatus for attaching a semiconductor chip to a flexible film on which a wiring pattern to be connected to a terminal portion of the semiconductor chip is formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の熱圧着装置の一例における
構成を示す図である。従来、このフレキシブルフィルム
に半導体チップを貼付ける熱圧着装置は、例えば、図3
に示すように、ねじ送り機構により下降し、ステージ1
7上に載置され吸着口16aの吸引力で保持された半導
体チップとフレキシブルフィルムを押し付ける加圧ヘッ
ド16を備えている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a view showing the structure of an example of a conventional thermocompression bonding apparatus. Conventionally, a thermocompression bonding apparatus for attaching a semiconductor chip to this flexible film is, for example, shown in FIG.
As shown in the figure, it is lowered by the screw feed mechanism, and the stage 1
And a pressure head 16 for pressing the flexible film against the semiconductor chip placed on the substrate 7 and held by the suction force of the suction port 16a.

【0003】また、この熱圧着装置は、ステージ17お
よび加圧ヘッド16は、高温状態に維持するためにヒー
タブロック18a,18bに取付けられている。そし
て、フレシキブルフィルム22および半導体チップ21
を加熱し、フレキシブルフィルムの表面に形成された樹
脂接着層を溶融し半導体チップにフレキシブルフィルム
22を押し付け接着していた。なお、加圧ヘッド16の
押し付け力は、荷重計19によって予じめ調整してい
た。さらに、半導体チップ21の面に均一に押圧するよ
うに、加圧ヘッド16の面とステージ17の面とが平行
になるように、レベル調整機20a,20bを調整して
いた。
In this thermocompression bonding apparatus, a stage 17 and a pressure head 16 are mounted on heater blocks 18a and 18b in order to maintain a high temperature state. Then, the flexible film 22 and the semiconductor chip 21
Was heated to melt the resin adhesive layer formed on the surface of the flexible film, and pressed and bonded the flexible film 22 to the semiconductor chip. The pressing force of the pressure head 16 was adjusted in advance by the load meter 19. Further, the level adjusters 20a and 20b are adjusted so that the surface of the pressure head 16 and the surface of the stage 17 are parallel so that the surface of the semiconductor chip 21 is uniformly pressed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の熱圧着
装置による半導体チップへのフレキシブルフィルムの熱
圧着では、精度の高い平坦度をもつ加圧ヘッドおよびス
テージの平行度調整を行ない熱圧着しても、図4に示す
ように、フィルム基体24をもつフレキシブルフイルム
の樹脂接着層25と半導体チップ21との界面に介在す
る空気や加熱によって発生する樹脂接着層25のガスが
十分抜けきらずに残りそのまま接着されるので、気泡2
3として残ることが多々ある。この気泡23が運用中に
周囲の温度上昇に伴ない膨張し接着面が剥離するという
品質の欠陥をもたらす問題があった。特に、配線26の
段差部のようなガスや空気のポケットになる場所ではで
生じ易い。
In the thermocompression bonding of a flexible film to a semiconductor chip by the above-described conventional thermocompression bonding apparatus, the parallelism adjustment of a pressure head and a stage having high flatness is performed by thermocompression bonding. Also, as shown in FIG. 4, the air existing at the interface between the resin adhesive layer 25 of the flexible film having the film base 24 and the semiconductor chip 21 and the gas of the resin adhesive layer 25 generated by heating cannot be sufficiently removed and remain as it is. Air bubbles 2
It often remains as 3. There has been a problem that the air bubbles 23 expand during the operation with an increase in the ambient temperature and the adhesive surface is peeled off, resulting in a quality defect. In particular, it is likely to occur in places where pockets of gas or air are present, such as steps of the wiring 26.

【0005】また、生産性を図るために、複数の半導体
チップをステージに載置しても、半導体チップの厚みに
ばらつきがあり、厚さの薄い半導体チップなどはフレキ
シブルフィルムに接着されなくなる。さらに、半導体チ
ップが一個にしても、加圧ヘッドとステージの平行度を
精密に調整しなければならず、この調整作業には熟練を
必要とし多大な時間を浪費するという欠点があった。
In addition, even if a plurality of semiconductor chips are mounted on a stage in order to improve the productivity, the thickness of the semiconductor chips varies, and the thin semiconductor chips are not bonded to the flexible film. Further, even with a single semiconductor chip, the parallelism between the pressure head and the stage must be precisely adjusted, and this adjustment operation requires skill and consumes a great deal of time.

【0006】従って、本発明の目的は、気泡が発生せず
複数の半導体チップを同時にフレキシブルフィルムに貼
付けることができる熱圧着装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a thermocompression bonding apparatus capable of simultaneously attaching a plurality of semiconductor chips to a flexible film without generating bubbles.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、配線パ
ターンが形成されるとともに熱接着樹脂層が施されるフ
レキシブルフィルムに予じめ前記配線パターンと接続さ
れた複数の半導体チップを前記熱接着樹脂層を介して接
着する熱圧着装置において、周辺部が突出してなる第1
の枠状部材を有し前記半導体チップとともに前記フレキ
シブルフイルムを載置しかつ第1の加熱用ヒータを内蔵
するステージと、このステージに載置される前記フレキ
シブルフイルムの周辺部を前記第1の枠状部材と協働し
挟み込む第2の枠状部材が周辺部に形成されるとともに
第2の加熱用ヒータを内蔵する加圧ヘッドと、前記ステ
ージに載置される前記フレキシブルフイルムと前記加圧
ヘッドとの空間部に高圧ガスを供給するガス供給装置
と、前記ステージに載置される前記フレキシブルフィル
ムと前記半導体チップとの間の空間部を真空排気する真
空排気装置と、前記フレキシブルフィルムを挟み込むた
めに前記加圧ヘッドと前記ステージとを移動させる押圧
手段とを備える熱圧着装置である。また、表面を所定の
高さだけ突出させ前記半導体チップが入り込む窪みが前
記ステージに形成されていることが望ましい。さらに、
必要に応じて、前記加圧ヘッドと前記フレキシブルフィ
ルムとの間に該フレキシブルフィルムと同質のフィルム
状部材が介在させることである。なお、前記フレキシブ
ルフィルムや前記半導体チップなどの接着部材をより効
果的に加熱するために、前記高圧ガスを加熱する加熱手
段を備えることが望ましい。
A feature of the present invention is that a plurality of semiconductor chips connected to the wiring pattern are formed on a flexible film on which a wiring pattern is formed and a thermal adhesive resin layer is formed. In a thermocompression bonding device for bonding via an adhesive resin layer, a first portion having a peripheral portion protruding is provided.
A stage on which the flexible film is mounted together with the semiconductor chip and in which a first heater is built, and a peripheral portion of the flexible film mounted on the stage is formed by the first frame. A second frame-shaped member formed in the periphery in cooperation with the second member and a pressurizing head having a second heater therein, the flexible film mounted on the stage, and the pressurizing head A gas supply device for supplying a high-pressure gas to the space portion, a vacuum exhaust device for evacuating a space portion between the flexible film mounted on the stage and the semiconductor chip, and a device for sandwiching the flexible film. And a pressing means for moving the pressure head and the stage. Further, it is preferable that a recess is formed in the stage so that a surface thereof protrudes by a predetermined height and the semiconductor chip enters. further,
If necessary, a film-like member of the same quality as the flexible film may be interposed between the pressure head and the flexible film. In order to more effectively heat the adhesive member such as the flexible film or the semiconductor chip, it is desirable to provide a heating means for heating the high-pressure gas.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】図1は本発明の一実施の形態における熱圧
着装置の構成を示す図である。この熱圧着装置は、図1
に示すように、フレキシブルフィルム22が覆うように
被される半導体チップ21を載置し半導体チップ21を
加熱するヒータ12bを内蔵するとともに半導体チップ
21の周囲とフレキシブルフィルム22との間の空間部
を構成する脱気室4を有するステージ2と、エアシリン
ダ11の押圧力によりステージ2の周縁の枠部13aと
協働し枠部13bでフレキシブルフィルムを挟み込むと
ともに挟み込まれるフレシブルフイルム上面に一様にガ
ス圧を与えるためにガス導入口10からガスが供給され
る加圧室3を有しかつフレキシブルフィルム22を加熱
するヒータ12aを具備する加圧ヘッド1と、ステージ
2の脱気室4をバルブ8を介して真空排気する真空ポン
プ5と、加圧ヘッド1の加圧室3にガス導入口10から
バルブ9を介して高圧ガスを供給するガス供給装置6と
を備えている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a thermocompression bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. This thermocompression bonding apparatus is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a heater 12b for mounting the semiconductor chip 21 covered by the flexible film 22 and heating the semiconductor chip 21 is built in, and a space between the periphery of the semiconductor chip 21 and the flexible film 22 is formed. The stage 2 having the deaeration chamber 4 and the pressing force of the air cylinder 11 cooperate with the frame 13a on the peripheral edge of the stage 2 to sandwich the flexible film between the frames 13b and uniformly on the upper surface of the flexible film. A pressurizing head 1 having a pressurizing chamber 3 to which gas is supplied from a gas inlet 10 for applying a gas pressure and having a heater 12a for heating a flexible film 22; A vacuum pump 5 for evacuating via a pressure 8 and a pressurizing chamber 3 of the pressurizing head 1 from a gas inlet 10 via a valve 9 And a gas supply device 6 for supplying a pressurized gas.

【0010】また、フレキシブルフィルム22は、基体
はポリイミド樹脂で製作され表面(ステージ側面)には
熱可塑性のポリイミド樹脂層が形成されている。そし
て、熱圧時には、フレキシブルフィルム22が破れない
ように、ステージ2の枠部13bと内部の面と段差は低
くし、半導体チップ21がずれないように、内部の面よ
り低い窪み14a,14bにし半導体チップ21の位置
決めを行なうと同時に半導体チップ21の面との段差を
低くしている。また、これらの窪み14a,14bは、
次工程である樹脂ポッティング装置のステージに適合す
るように複数列に複数個並べてステージ2の内部面に設
けている。すなわち、半導体チップ21が貼付けられた
フレキシブルフィルム22をそのまま樹脂ポッティング
装置のステージに乗せることができるという利点があ
る。
The base of the flexible film 22 is made of a polyimide resin, and a thermoplastic polyimide resin layer is formed on the surface (side surface of the stage). At the time of hot pressing, the step between the frame portion 13b of the stage 2 and the inner surface is made low so that the flexible film 22 is not broken, and the recesses 14a and 14b are made lower than the inner surface so that the semiconductor chip 21 does not shift. At the same time as the positioning of the semiconductor chip 21, the step with respect to the surface of the semiconductor chip 21 is reduced. Also, these depressions 14a and 14b
A plurality of rows are arranged in a plurality of rows and provided on the inner surface of the stage 2 so as to match the stage of the resin potting apparatus which is the next step. That is, there is an advantage that the flexible film 22 to which the semiconductor chip 21 is stuck can be directly put on the stage of the resin potting apparatus.

【0011】なお、ガス供給装置6は、工場内の窒素ガ
ス供給管からさらに圧力を上げるためにコンプレッサを
備えるガス供給部7bと、コンプレッサで圧力が上げら
れた窒素ガスを蓄えるリザーブタンク7aと備えてい
る。また、バルブ9を開いて加圧室3に供給するガス圧
は、図示していない圧力調整器で一平方センチメートル
当り4〜25kgに調整できる。一方、ヒータ12a、
12bは300°c程度まで周辺部の温度を上げること
ができる。
The gas supply device 6 includes a gas supply section 7b having a compressor for further increasing the pressure from a nitrogen gas supply pipe in the factory, and a reserve tank 7a for storing the nitrogen gas whose pressure has been increased by the compressor. ing. The gas pressure supplied to the pressurizing chamber 3 by opening the valve 9 can be adjusted to 4 to 25 kg per square centimeter by a pressure regulator (not shown). On the other hand, the heater 12a,
12b can raise the temperature of the peripheral part to about 300 ° C.

【0012】次に、この熱圧着装置の動作を説明する。
まず、エアシリンダ11を動作させ加圧ヘッド1を上昇
させる。次に、半導体チップ21のパッドとフレキシブ
ルフィルム22の配線パターンと接続され構成されるシ
ート状部材をステージ2に乗せながら、半導体チップ2
1がステージ2の内面の窪み14a,14bに入れる。
Next, the operation of the thermocompression bonding apparatus will be described.
First, the air cylinder 11 is operated to raise the pressure head 1. Next, the semiconductor chip 2 is placed on the stage 2 while the sheet-like member connected to the pad of the semiconductor chip 21 and the wiring pattern of the flexible film 22 is placed on the stage 2.
1 is inserted into the depressions 14a and 14b on the inner surface of the stage 2.

【0013】次に、エアシリンダ11を作動させ加圧ヘ
ッド1を下降し、枠部13aと枠部13bとでフレキシ
ブルフィルム22を挟み込み、気密に保持するとともに
ガスの押圧力によってフレキシブルフィルム22がステ
ージ2内部に引き込まれないようにする。次に、バルブ
8を開き、脱気室4を真空ポンプ5により真空排気す
る。このことにより、フレキシブルフィルム22と半導
体チップ21との間に介在する残留空気あるいは加熱に
より発生するガスが完全に排気され、フレキシブルフィ
ルム22は、点線で示すように、半導体チップ21の面
あるいはステージ2の内部の面に密着する。このときの
脱気室4の真空度は、例えば、0.1Torr程度であ
る。
Next, the air cylinder 11 is operated to lower the pressurizing head 1, and the flexible film 22 is sandwiched between the frame portions 13a and 13b. 2. Make sure that it does not get inside. Next, the valve 8 is opened, and the evacuation chamber 4 is evacuated by the vacuum pump 5. As a result, the residual air existing between the flexible film 22 and the semiconductor chip 21 or the gas generated by heating is completely exhausted, and the flexible film 22 is removed from the surface of the semiconductor chip 21 or the stage 2 as shown by the dotted line. Adhere to the inner surface of the The degree of vacuum in the degassing chamber 4 at this time is, for example, about 0.1 Torr.

【0014】この程度の真空度に排気すると、フレキシ
ブルフィルム22の樹脂接着層が溶け接着が進む、そし
て、より接着を強固するとともに配線パターンの段差に
僅に残る残留空気あるいはガスを樹脂接着層内に拡散さ
せるために、バルブ9を開き、リザーブタンク7aに蓄
えられた高圧ガスを加圧室3に供給し、フレキシブルフ
ィルム22の表面に一様にガス圧で押さえる。例えば、
一平方センチメートル当り10kg以上の圧力で押さえ
る。押さえられたフレキシブルフイルム22は半導体チ
ップ21面に馴染み残留するガスや空気は樹脂接着層に
拡散させる。このことにより、半導体チップ21は気泡
の発生することなくフレキシブルフィルム22に完全に
密着し貼り付けられる。
When the air is evacuated to such a degree of vacuum, the resin adhesive layer of the flexible film 22 melts and adheres. Further, the residual air or gas remaining on the step of the wiring pattern is further strengthened and the residual air or gas in the resin adhesive layer is removed. The valve 9 is opened to supply the high-pressure gas stored in the reserve tank 7 a to the pressurizing chamber 3, and is uniformly pressed on the surface of the flexible film 22 by the gas pressure. For example,
Press with a pressure of 10 kg or more per square centimeter. The pressed flexible film 22 adapts to the surface of the semiconductor chip 21 and the remaining gas and air diffuse into the resin adhesive layer. As a result, the semiconductor chip 21 is completely adhered to and adhered to the flexible film 22 without generating bubbles.

【0015】貼り付けが終了したら、バルブ9を閉じ、
加圧室3にベントバルブ(図示せず)から高圧ガスを排
出させ大気にしフレキシブルフィルム22を冷す。そし
て加圧ヘッド1をエアシリンダ11により上昇させる。
引続き脱気室4のベントバルブ(図示せず)が開き脱気
室4が大気となる。半導体チップ21が貼り付けられた
フレキシブルフィルム22をステージ2から取出す。
When the attachment is completed, the valve 9 is closed,
A high-pressure gas is discharged from a vent valve (not shown) into the pressurizing chamber 3 to make it into the atmosphere, and the flexible film 22 is cooled. Then, the pressure head 1 is raised by the air cylinder 11.
Subsequently, a vent valve (not shown) of the degassing chamber 4 is opened, and the degassing chamber 4 becomes the atmosphere. The flexible film 22 to which the semiconductor chip 21 is attached is taken out of the stage 2.

【0016】図2は本発明の他の実施の形態における熱
圧着装置の主要部の構成を示す図である。フレキシブル
フィルム22の製品規格によっては、穴がある場合があ
る。このような場合は、図2に示すように、フレキシブ
ルフィルム22の上に同材質であるポリイミド樹脂製の
フレキシブルフィルム22aを乗せ重ねることである。
そして、枠部13aと枠部13bとで気密に挟み保持し
前述と同様に熱圧着すれば良い。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a main part of a thermocompression bonding apparatus according to another embodiment of the present invention. Depending on the product standard of the flexible film 22, there may be a hole. In such a case, as shown in FIG. 2, a flexible film 22a made of polyimide resin, which is the same material, is placed on the flexible film 22.
Then, what is necessary is just to airtightly sandwich and hold between the frame portion 13a and the frame portion 13b and perform thermocompression bonding in the same manner as described above.

【0017】また、このフレキシブルフィルム22aを
フレキシブルフィルム22に乗せ重ねることにより、フ
レキシブルフィルム22へのガスの圧力の伝達が一様と
なり、熱圧着時に発生する半導体チップを貼り付けるフ
レキシブルフィルム22に皺や破れが皆無となった。
Further, by stacking the flexible film 22a on the flexible film 22, the transmission of the gas pressure to the flexible film 22 becomes uniform, and wrinkles or wrinkles are formed on the flexible film 22 to which the semiconductor chip generated during thermocompression bonding is attached. There was no tear.

【0018】一方、熱圧着時に、フレキシブルフィルム
22や半導体チップ21の温度を早く立ち上るように、
リザーブタンク7aにヒータ15を設け、高圧ガスを常
に高温状態に保つことが望ましい。
On the other hand, at the time of thermocompression bonding, the temperature of the flexible film 22 and the semiconductor chip 21 rises quickly.
It is desirable that a heater 15 be provided in the reserve tank 7a to keep the high-pressure gas at a high temperature at all times.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、加圧室を
もつ加圧ヘッドと脱気室をもつステージとでフレキシブ
ルフィルムを挟み保持し加圧室と脱気室とを仕切り、フ
レキシブルフィルムと貼り付けられる半導体チップとを
加熱しながら脱気室にあるフレキシブルフィルムと半導
体チップとの間を真空排気するとともに加圧室に高圧ガ
スを導入しフレキシブルフィルムを半導体チップに一様
に押さえることによって、フレキシブルフィルムと半導
体チップとの間に気泡が発生することなく熱圧着できる
ので、信頼性の高い品質が得られるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the flexible film is sandwiched and held between the pressurizing head having the pressurizing chamber and the stage having the degassing chamber, and the pressurizing chamber and the degassing chamber are partitioned. While heating the semiconductor chip to be attached and vacuuming the space between the flexible film and the semiconductor chip in the degassing chamber and introducing high-pressure gas into the pressurizing chamber, the flexible film is pressed down uniformly on the semiconductor chip. Since thermocompression bonding can be performed without generating bubbles between the flexible film and the semiconductor chip, there is an effect that highly reliable quality can be obtained.

【0020】また、半導体チップへの押圧部材に高圧ガ
スにより変形する可撓なフレキシブルフィルム自体を用
いることによって、複数の半導体チップをステージに乗
せることができるし、さらに、半導体チップのそれぞれ
の高さに応じてフレキシブルフィルムが変形し圧力を伝
えるので、従来の熱圧着装置のように加圧ヘッドとステ
ージとの平行度調整を行なうことなく、生産性の向上を
図れるという効果もある。
Further, by using a flexible film itself deformed by high-pressure gas as a pressing member for the semiconductor chip, a plurality of semiconductor chips can be mounted on the stage, and the height of each of the semiconductor chips can be increased. As a result, the flexible film is deformed according to the pressure and transmits the pressure, so that the productivity can be improved without adjusting the parallelism between the pressing head and the stage as in a conventional thermocompression bonding apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における熱圧着装置の構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a thermocompression bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施の形態における熱圧着装置の
主要部の構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a main part of a thermocompression bonding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図3】従来の熱圧着装置の一例における構成を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an example of a conventional thermocompression bonding apparatus.

【図4】従来の課題を説明するための接着状態を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a bonding state for explaining a conventional problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,16 加圧ヘッド 2,17 ステージ 3 加圧室 4 脱気室 5 真空ポンプ 6 ガス供給装置 7a リザーブタンク 7b ガス供給部 8,9 バルブ 10 ガス導入口 11 エアシリンダ 12a,12b,15 ヒータ 13a,13b 枠部 14a,14b 窪み 18a,18b ヒータブロック 19 荷重計 20a,20b レベル調整機 21 半導体チップ 22,22a フレキシブルフィルム 23 気泡 24 フィルム基体 25 樹脂接着層 26 配線 1, 16 pressure head 2, 17 stage 3 pressure chamber 4 deaeration chamber 5 vacuum pump 6 gas supply device 7a reserve tank 7b gas supply unit 8, 9 valve 10 gas inlet 11 air cylinder 12a, 12b, 15 heater 13a , 13b Frame portion 14a, 14b recess 18a, 18b Heater block 19 Load cell 20a, 20b Level adjuster 21 Semiconductor chip 22, 22a Flexible film 23 Bubbles 24 Film base 25 Resin adhesive layer 26 Wiring

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線パターンが形成されるとともに熱接
着樹脂層が施されるフレキシブルフィルムに予じめ前記
配線パターンと接続された複数の半導体チップを前記熱
接着樹脂層を介して接着する熱圧着装置において、周辺
部が突出してなる第1の枠状部材を有し前記半導体チッ
プとともに前記フレキシブルフイルムを載置しかつ第1
の加熱用ヒータを内蔵するステージと、このステージに
載置される前記フレキシブルフイルムの周辺部を前記第
1の枠状部材と協働し挟み込む第2の枠状部材が周辺部
に形成されるとともに第2の加熱用ヒータを内蔵する加
圧ヘッドと、前記ステージに載置される前記フレキシブ
ルフイルムと前記加圧ヘッドとの空間部に高圧ガスを供
給するガス供給装置と、前記ステージに載置される前記
フレキシブルフィルムと前記半導体チップとの間の空間
部を真空排気する真空排気装置と、前記フレキシブルフ
ィルムを挟み込むために前記加圧ヘッドと前記ステージ
とを移動させる押圧手段とを備えることを特徴とする熱
圧着装置。
1. A thermocompression bonding method in which a plurality of semiconductor chips connected to the wiring pattern are previously bonded to the flexible film on which a wiring pattern is formed and to which a thermal adhesive resin layer is applied, via the thermal adhesive resin layer. A first frame-shaped member having a peripheral portion protruding, the flexible film being placed together with the semiconductor chip, and
And a second frame-shaped member which sandwiches the peripheral portion of the flexible film mounted on the stage in cooperation with the first frame-shaped member is formed in the peripheral portion. A pressure head having a second heating heater therein, a gas supply device for supplying a high pressure gas to a space between the flexible film and the pressure head mounted on the stage, and a gas supply device mounted on the stage. A vacuum exhaust device for evacuating a space between the flexible film and the semiconductor chip, and pressing means for moving the pressure head and the stage to sandwich the flexible film. Thermocompression bonding equipment.
【請求項2】 表面を所定の高さだけ突出させ前記半導
体チップが入り込む窪みが前記ステージに形成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の熱圧着装置。
2. The thermocompression bonding apparatus according to claim 1, wherein a recess is formed in the stage so that a surface thereof protrudes by a predetermined height and the semiconductor chip enters.
【請求項3】 前記加圧ヘッドと前記フレキシブルフィ
ルムとの間に該フレキシブルフィルムと同質のフィルム
状部材が介在していることを特徴とする請求項1および
2記載の熱圧着装置。
3. The thermocompression bonding apparatus according to claim 1, wherein a film-like member of the same quality as the flexible film is interposed between the pressure head and the flexible film.
【請求項4】 前記高圧ガスを加熱する加熱手段を備え
ることを特徴とする請求項1および2ならびに3記載の
熱圧着装置。
4. The thermocompression bonding apparatus according to claim 1, further comprising heating means for heating the high-pressure gas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767799A (en) * 2019-11-11 2020-02-07 南京航空航天大学 Packaging method of interdigital electrode type piezoelectric fiber composite material

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