JPH11265070A - Contact aligner - Google Patents
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- JPH11265070A JPH11265070A JP10069006A JP6900698A JPH11265070A JP H11265070 A JPH11265070 A JP H11265070A JP 10069006 A JP10069006 A JP 10069006A JP 6900698 A JP6900698 A JP 6900698A JP H11265070 A JPH11265070 A JP H11265070A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクト露光
機に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact exposure machine.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レジストパターニングの方法としては、
縮小露光、レーザビームによる直接描画、ＥＢ（エレク
ロトンビーム）による直接描画などが提案されている。
ＬＳＩの製造工程では、微細かつ高精度のパターン形成
として、縮小露光によるレジストパターニングが行われ
ている。しかし、縮小露光は、超高精度を要する大面積
素子へ適用することが難しい。このため、縮小露光は、
大面積であるにもかかわらず、ＬＳＩより高い寸法精度
が要求される素子（デバイス）、例えば、光導波路など
の製造工程におけるレジストパターニングとしては不適
当である。また、光導波路のような高い寸法精度が要求
される素子（デバイス）の製造工程に適用可能なレジス
トパターニングとしては、レーザビームなどによる直接
描画が挙げられる。しかし、直接描画は、パターンを転
写するのに長時間を要するため量産性の点で問題があ
る。2. Description of the Related Art As a method of resist patterning,
Reduction exposure, direct drawing by a laser beam, direct drawing by an EB (electron beam), and the like have been proposed.
In the LSI manufacturing process, resist patterning by reduced exposure is performed as fine and highly accurate pattern formation. However, it is difficult to apply reduced exposure to a large-area element requiring ultra-high accuracy. For this reason, reduction exposure
Despite having a large area, it is unsuitable for resist patterning in a manufacturing process of an element (device) requiring higher dimensional accuracy than an LSI, for example, an optical waveguide. In addition, as a resist pattern applicable to a manufacturing process of an element (device) requiring high dimensional accuracy, such as an optical waveguide, direct drawing by a laser beam or the like can be mentioned. However, direct writing has a problem in mass productivity because it takes a long time to transfer a pattern.
【０００３】このため、高い寸法精度が要求される素子
の製造工程におけるレジストパターンとして、高い寸法
精度を達成可能であり且つ量産性にも優れるコンタクト
露光が注目されている。[0003] For this reason, contact exposure, which can achieve high dimensional accuracy and is excellent in mass productivity, has attracted attention as a resist pattern in a manufacturing process of an element requiring high dimensional accuracy.
【０００４】従来のコンタクト露光では、上面に溝が形
成された金属ステージが用いられている。この金属ステ
ージの上面に基板を載置し、ステージ上面に設けられた
溝内を減圧することにより、基板を金属ステージに吸着
させる。この状態で、基板にガラスマスクを接触させ
て、紫外光を照射することで露光が行われる。[0004] In conventional contact exposure, a metal stage having a groove formed on the upper surface is used. A substrate is placed on the upper surface of the metal stage, and the pressure in a groove provided on the upper surface of the stage is reduced, whereby the substrate is attracted to the metal stage. In this state, exposure is performed by bringing a glass mask into contact with the substrate and irradiating the substrate with ultraviolet light.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ここで、コンタクト露
光では、高い寸法精度を達成すべく高解像度を得る必要
がある。したがって、コンタクト露光機では、マスク・
基板間の広い領域において、両者を密に接触させなけれ
ばならない。このためには、次のような技術が用いられ
る。（１）マスクの平坦性を正確に制御する、（２）ス
テージの平坦性を正確に制御する、（３）基板のそりを
強制する、（４）基板の厚さを均一にする、（５）コン
フォマブルマスクを使用する、（６）マスク−基板間を
真空引きする。Here, in contact exposure, it is necessary to obtain high resolution in order to achieve high dimensional accuracy. Therefore, in a contact exposure machine,
In a wide area between the substrates, both must be in close contact. For this purpose, the following technique is used. (1) accurately controlling the flatness of the mask; (2) accurately controlling the flatness of the stage; (3) forcing the substrate to warp; (4) making the thickness of the substrate uniform; (6) Use a conformable mask. (6) Evacuate the space between the mask and the substrate.
【０００６】しかしながら、（１）ないし（３）には特
別な技術が必要であり、実現が容易ではないという問題
があり、（４）には、数パーセントの厚さの誤差は不可
避であるという問題がある。また、（５）には、マスク
が破損し易く、洗浄が困難であるという問題があり、
（６）には、装置が複雑かつ高価になるという問題があ
る。[0006] However, (1) to (3) require a special technique and are difficult to realize, and (4) states that an error of several percent in thickness is inevitable. There's a problem. Further, (5) has a problem that the mask is easily damaged and cleaning is difficult.
(6) has a problem that the device becomes complicated and expensive.
【０００７】このため、従来のコンタクト露光機では、
安価かつ簡単な構成で、マスク・基板間の広い領域にお
いて、両者の密着を高めることができなかった。For this reason, in a conventional contact exposure machine,
With an inexpensive and simple configuration, the adhesion between the two could not be increased in a wide area between the mask and the substrate.
【０００８】したがって、安価かつ簡単な構成で、マス
ク・基板間の広い領域において、両者の密着性を高める
ことができるコンタクト露光機の出現が望まれている。[0008] Therefore, there is a demand for a contact exposure machine which can improve the adhesion between the mask and the substrate in a wide area between the mask and the substrate with a simple structure at a low cost.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明は、マスクとス
テージに載置された基板とを互いに押しつけた状態で露
光を行うコンタクト露光機を前提としている。この発明
のコンタクト露光機は、基板が載置される前記ステージ
の部分のヤング係数が１０００Ｎ／ｍｍ2 以下とされて
いる。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is based on the premise that a contact exposure apparatus performs exposure while a mask and a substrate placed on a stage are pressed against each other. In the contact exposure apparatus of the present invention, the stage on which the substrate is placed has a Young's modulus of 1000 N / mm 2 or less.
【００１０】このような構成によれば、基板とマスクと
の間にギャップが存在しているときに、ステージに載置
された基板とマスクとが互いに押しつけられると、ギャ
ップを形成していない（即ちマスクに接触している）基
板の部分が載置されているステージの部分が圧縮を受け
て変形する。これは、ヤング係数が１０００Ｎ／ｍｍ2
以下の材料でステージが構成されているためである。こ
の結果、このステージの部分は、それ以上、基板をマス
クに向かって押しつけない。そして、ギャップを形成し
ている基板の部分が載置されているステージの部分のみ
が、さらに、基板をマスクに向かって押し上げることに
なる。したがって、マスクの変形が抑えられ且つギャッ
プが小さくなり、基板とマスクとの大面積にわたる密な
接触が得られる。According to such a configuration, when a gap is present between the substrate and the mask and the substrate and the mask placed on the stage are pressed together, no gap is formed ( That is, the portion of the stage on which the portion of the substrate (which is in contact with the mask) is placed is deformed by compression. This is because the Young's modulus is 1000 N / mm 2
This is because the stage is composed of the following materials. As a result, this part of the stage does not press the substrate further towards the mask. Then, only the portion of the stage on which the portion of the substrate forming the gap is placed further pushes the substrate toward the mask. Therefore, deformation of the mask is suppressed and the gap is reduced, so that close contact between the substrate and the mask over a large area can be obtained.
【００１１】このことをモデルを用いて説明する。図１
は、モデルとした、ステージ、基板、マスクおよびギャ
ップの関係を模式的に示した概略的な部分断面図であ
る。図１に示されるように、ステージ１０上には、基板
１２が載置されている。さらに、基板１２の上側には、
マスク１４が配置されている。ステージ１０および基板
１２は、円筒形状を有している。図１中、点線Ｃは、ス
テージ１０、基板１２およびマスク１４の中心の延長線
であり、一点鎖線Ｅは、ステージ１０および基板１２の
端部の延長線である。This will be described with reference to a model. FIG.
FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view schematically showing a relationship between a stage, a substrate, a mask, and a gap as a model. As shown in FIG. 1, a substrate 12 is mounted on a stage 10. Further, on the upper side of the substrate 12,
A mask 14 is provided. The stage 10 and the substrate 12 have a cylindrical shape. In FIG. 1, a dotted line C is an extension of the center of the stage 10, the substrate 12 and the mask 14, and a dashed line E is an extension of an end of the stage 10 and the substrate 12.
【００１２】このモデルでは、ステージ１０がマスク１
４に向けて押しつけられていない状態で、基板１２とマ
スク１４の間には、ギャップＧが形成されている。図１
に示されているように、このギャップＧの高さｇは、基
板１２の中心点１２ａでは０である。そして、基板１２
の中心点１２ａから半径方向外方に向かって、中心点１
２ａからの距離に比例して大きくなり、基板１２の中心
点１２ａと端部１２ｂとの中間点１２ｃで最大値１０μ
ｍとなり、さらに、この中間点１２ｃから、半径方向外
方に向かって、中間点１２ｃからの距離に逆比例して小
さくなり、基板１２の端部１２ｂでは、再び０となって
いる。なお、図１においては、明確化のため、ギャップ
Ｇなどが著しく誇張して示されている。In this model, the stage 10 is the mask 1
A gap G is formed between the substrate 12 and the mask 14 in a state where the gap G is not pressed toward the substrate 4. FIG.
The height g of the gap G is zero at the center point 12a of the substrate 12, as shown in FIG. And the substrate 12
From the center point 12a toward the outside in the radial direction, the center point 1
It increases in proportion to the distance from 2a, and has a maximum value of 10 μm at an intermediate point 12c between the center 12a and the end 12b of the substrate 12.
m, and further decreases radially outward from the intermediate point 12c in inverse proportion to the distance from the intermediate point 12c, and becomes 0 again at the end 12b of the substrate 12. In FIG. 1, the gap G and the like are exaggerated for clarity.
【００１３】ステージ１０の下方には、シリンダ（図示
せず）が取付けられており、ステージ１０および基板１
２をマスク１４に向けて押し上げるように構成されてい
る。マスク１４は、マスクホルダ（図示せず）によっ
て、露光機本体に固定されている。したがって、ステー
ジ１０および基板１２をマスク１４に向って押し上げる
と、基板１２とマスク１４とは互いに押しつけられるこ
とになる。A cylinder (not shown) is mounted below the stage 10 and includes a stage 10 and a substrate 1.
2 is pushed up toward the mask 14. The mask 14 is fixed to the exposure apparatus main body by a mask holder (not shown). Therefore, when the stage 10 and the substrate 12 are pushed up toward the mask 14, the substrate 12 and the mask 14 are pressed against each other.
【００１４】このモデルでは、基板１２が載置されてい
るステージ１０を、厚さ５ｍｍであるとし、基板１２
を、直径３インチ、ヤング係数１．９ｘ１０7 Ｎ／ｍｍ
2 、ポアソン比０．４２、厚さ５００μｍであるとし、
マスク１４を、厚さ５ｍｍの４インチ角で、ヤング係数
７．３ｘ１０6 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比０．１７に設定
した。In this model, it is assumed that the stage 10 on which the substrate 12 is mounted has a thickness of 5 mm.
With a diameter of 3 inches and a Young's modulus of 1.9 × 10 7 N / mm
2. Assume that the Poisson's ratio is 0.42 and the thickness is 500 μm.
The mask 14 was 4 mm square with a thickness of 5 mm, the Young's modulus was set to 7.3 × 10 6 N / mm 2 , and the Poisson's ratio was set to 0.17.
【００１５】ここで、加重によりステージ１０を上方
に、即ち、露光機に固定されたマスク１４に向けて強制
変位させたとき、マスク１４が変化しなければ、基板１
２の中間点１２ｃとマスク１４の距離が、基板−マスク
間のギャップの最大値となる。また、このとき、基板１
２の中心点１２ａが移動していれば、マスク１４が変形
していることになる。したがって、中心点１２ａと中間
点１２ｃが、加重により、どのように移動するかを知れ
ば、ステージ１０に載置された基板１２とマスク１４と
の間に形成されていたギャップＧが、加重によりどのよ
うに変化するかを知ることができる。例えば、中間点１
２ｃが距離ｇだけマスク１４側に移動し且つ中心点１２
ａが移動していなければ、ギャップが無くなっているこ
となる。Here, when the stage 10 is forcibly displaced upward by weight, that is, toward the mask 14 fixed to the exposure apparatus, if the mask 14 does not change, the substrate 1
The distance between the intermediate point 12c and the mask 14 is the maximum value of the gap between the substrate and the mask. At this time, the substrate 1
If the center point 12a of the second has moved, the mask 14 has been deformed. Therefore, if it is known how the center point 12a and the intermediate point 12c move by the weight, the gap G formed between the substrate 12 mounted on the stage 10 and the mask 14 is changed by the weight. You can see how it changes. For example, midpoint 1
2c moves toward the mask 14 by a distance g and the center point 12
If a does not move, the gap has disappeared.
【００１６】ここでは、上述したような条件のモデルを
設定して、加重によりステージ１０をマスク１４に向け
て強制変位させたときの、基板１２の中心点１２ａと中
間点１２ｃの移動量が、ステージ１０のヤング係数によ
って、どのように変化するかを、非線型の有限要素法を
用いて計算した。その結果が、図２（Ａ）および（Ｂ）
に示されている。Here, the model under the above-described conditions is set, and when the stage 10 is forcibly displaced toward the mask 14 by weight, the movement amount of the center point 12a and the intermediate point 12c of the substrate 12 is: The change according to the Young's modulus of the stage 10 was calculated using a nonlinear finite element method. The results are shown in FIGS. 2 (A) and (B)
Is shown in
【００１７】図２（Ａ）は、ｇinで規格化されたｄmax
（即ちｄmax ／ｇin）が、ステージ１０を構成する材料
のヤング係数に応じてどのように変化するかを示すグラ
フである。縦軸にはｄmax ／ｇinをとり、横軸にはヤン
グ係数を対数でとってある。ここで、ｇinはギャップＧ
の高さ（上下方向の幅）の最大値であり、ｄmax は、ギ
ャップＧの高さが最大となっている基板１２の中間点１
２ｃの上方向（即ちマスク１４に向かう方向）への移動
量である。したがって、ｄmax ／ｇinの値が１であると
きには、中間点１２ｃがギャップの高さと同じ量だけ、
マスク１４に向かって移動したことになる。FIG. 2A shows d max normalized by g in.
6 is a graph showing how (i.e., d max / g in ) changes according to the Young's modulus of the material constituting the stage 10. The vertical axis indicates d max / g in , and the horizontal axis indicates the Young's coefficient in logarithm. Where g in is the gap G
Is the maximum value of the height (width in the vertical direction), and d max is the intermediate point 1 of the substrate 12 where the height of the gap G is the maximum.
2c is the amount of movement in the upward direction (that is, the direction toward the mask 14). Thus, when the value of d max / g in is one, the midpoint 12c is equal to the height of the gap,
This means that it has moved toward the mask 14.
【００１８】ここでは、強制変位を１．０、４．０、１
０．０の３通りに変化させ、それぞれに対して、ｄmax
／ｇinが、ステージ１０を構成する材料のヤング係数に
応じてどのように変化するか計算している。なお、強制
変位は、ｇinで規格化されたステージの上方への変位量
であり、強制変位１．０、４．０、１０．０とは、ステ
ージ１０の変位量（マスク１４方向への強制変位量）
が、それぞれ、ｇin、４ｇin、１０ｇinであることを示
す。図２（Ａ）では、強制変位を１．０としたときの計
算結果を丸印でプロットしてこれを実線で結び、強制変
位を４．０としたときの計算結果を四角印でプロットし
てこれを一点鎖線で結び、強制変位を１０．０としたと
きの計算結果を三角印でプロットしてこれを点線で結ん
で、それぞれ、示している。Here, the forced displacement is set to 1.0, 4.0, 1
0.0, and for each, d max
It is calculated how / g in changes according to the Young's modulus of the material constituting the stage 10. The forcible displacement is the amount of upward displacement of the stage standardized by g in , and the forcible displacement of 1.0, 4.0, and 10.0 is the amount of displacement of the stage 10 (toward the mask 14). Forced displacement)
But each, g in, 4g in, indicating that the 10 g in. In FIG. 2 (A), the calculation results when the forcible displacement is set to 1.0 are plotted with circles and connected with a solid line, and the calculation results when the forcible displacement is set to 4.0 are plotted with squares. The calculation results when the forced displacement is set to 10.0 are plotted with triangular marks, and the calculation results when the forcible displacement is set to 10.0 are connected by dotted lines, respectively.
【００１９】この計算によれば、強制変位を１０．０と
したとき、すなわち、ステージ１０を１０ｇinだけ強制
変位させるときには、ステージ１０を構成する材料のヤ
ング係数が５Ｎ／ｍｍ2 ないし１０００Ｎ／ｍｍ2 の範
囲内では、ｄmax ／ｇinの値が１となる（図２（Ａ））
ことが判る。According to this calculation, when the forced displacement of 10.0, i.e., when force displacing the stage 10 by 10 g in the to Young's modulus of the material constituting the stage 10 5N / mm 2 without 1000 N / mm In the range of 2 , the value of d max / g in is 1 (FIG. 2A).
You can see that.
【００２０】図２（Ｂ）は、ｇinで規格化されたｄ
c （即ちｄc ／ｇin）が、ステージ１０を構成する材料
のヤング係数に応じてどのように変化するかを示すグラ
フである。縦軸にはｄc ／ｇinをとり、横軸にはヤング
係数を対数でとってある。ここで、ｄc は、ステージ１
０に加重をかけて強制変位させたときの、マスク１４と
接触している基板１２の中心点１２ａの上方への移動量
である。したがって、ｄc／ｇinの値が０であるときに
は、ステージの加重によるマスクの変形が起こっていな
いことになる。FIG. 2B shows d normalized to g in.
6 is a graph showing how c (that is, d c / g in ) changes according to the Young's modulus of the material constituting the stage 10. The vertical axis indicates d c / g in , and the horizontal axis indicates the Young's coefficient in logarithm. Where d c is stage 1
This is the amount of upward movement of the center point 12a of the substrate 12 that is in contact with the mask 14 when the forcible displacement is performed by applying a weight to zero. Therefore, when the value of d c / g in is 0, it means that the deformation of the mask due to the weight of the stage has not occurred.
【００２１】ここでも、強制変位を１．０、４．０、１
０．０の３通りに変化させ、それぞれに対して、ｄc ／
ｇinが、ステージ１０を構成する材料のヤング係数に応
じてどのように変化するか計算している。図２（Ｂ）で
も、強制変位を１．０としたときの計算結果を丸印でプ
ロットしてこれを実線で結び、強制変位を４．０とした
ときの計算結果を四角印でプロットしてこれを一点鎖線
で結び、強制変位を１０．０としたときの計算結果を三
角印でプロットしてこれを点線で結んで、それぞれ、示
している。Also in this case, the forced displacement is 1.0, 4.0, 1
0.0, and for each, d c /
It is calculated how g in changes according to the Young's modulus of the material constituting the stage 10. Also in FIG. 2 (B), the calculation results when the forcible displacement is set to 1.0 are plotted with circles and connected with a solid line, and the calculation results for when the forcible displacement is set to 4.0 are plotted with squares. The calculation results when the forced displacement is set to 10.0 are plotted with triangular marks, and the calculation results when the forcible displacement is set to 10.0 are connected by dotted lines, respectively.
【００２２】この計算によれば、強制変位を１０．０と
したとき、すなわち、ステージ１０を１０ｇinだけ強制
変位させるときには、ステージ１０を構成する材料のヤ
ング係数が１０００Ｎ／ｍｍ2 より小さい範囲では、ｄ
c ／ｇinの値が０となる。即ち、マスク１４が変形しな
い。According to this calculation, when the forced displacement of 10.0, i.e., when force displacing the stage 10 by 10 g in, in Young's modulus is 1000 N / mm 2 is less than the range of the material constituting the stage 10 , D
The value of c / g in is 0. That is, the mask 14 does not deform.
【００２３】したがって、強制変位を１０．０としたと
き、すなわち、ステージ１０を１０ｇinだけ強制変位さ
せるときには、ステージ１０を構成する材料のヤング係
数が１０００Ｎ／ｍｍ2 より小さい範囲では、中間点１
２ｃがギャップの高さと同じ量だけ、マスク１４に向か
って移動し、かつ、マスク１４の変形が起こらないこと
がわかる。すなわち、この範囲内のヤング係数を有する
材料でステージを構成することにより、上述した条件に
おいては、基板とマスクとがほぼ完全に密着することが
判る。[0023] Thus, when the forced displacement of 10.0, i.e., in the Young's modulus of the material constituting the stage 10 1000 N / mm 2 smaller range when forcibly displace the stage 10 by 10 g in, the midpoint 1
It can be seen that 2c moves toward the mask 14 by the same amount as the height of the gap, and that no deformation of the mask 14 occurs. That is, it can be understood that the substrate and the mask are almost completely adhered to each other under the above-described conditions by forming the stage with a material having a Young's modulus within this range.
【００２４】したがって、少なくとも、上述した計算に
用いた条件下では、ステージの基板が載置される部分を
ヤング係数が５Ｎ／ｍｍ2 以上、且つ、１０００Ｎ／ｍ
ｍ2以下の材料で構成すると、基板とマスクとが効率よ
く密に接触することが判る。Therefore, at least under the conditions used in the above calculation, the portion of the stage on which the substrate is mounted has a Young's modulus of 5 N / mm 2 or more and 1000 N / m 2.
It can be seen that when the material is made of a material of m 2 or less, the substrate and the mask are efficiently and closely contacted.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態を説明する。なお、各図は、この発明を理解
できる程度に、各構成要素の大きさ、形状および配置関
係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この
発明は、図に示された実施の形態に限定されるものでは
ない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The drawings merely schematically show the sizes, shapes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood. Therefore, the present invention is not limited to the embodiment shown in the drawings.
【００２６】＜第１の実施の形態＞次に、図３および図
４に沿って、この発明の第１の実施の形態のコンタクト
露光機の説明をする。このコンタクト露光機は、光導波
路用のレジストパターニングを行うための露光機であ
り、基本構成は、従来のコンタクト露光機と同一であ
る。<First Embodiment> Next, a contact exposure machine according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. This contact exposure device is an exposure device for performing resist patterning for an optical waveguide, and has the same basic configuration as a conventional contact exposure device.
【００２７】図３は、第１の実施の形態のコンタクト露
光機のステージの上部の構成を示す概略的な分解斜視図
である。図４は、第１の実施の形態のコンタクト露光機
において、基板が載置されたステージがマスクに押しつ
けられている状態を示す概略的な断面図である。FIG. 3 is a schematic exploded perspective view showing the structure of the upper part of the stage of the contact exposure machine according to the first embodiment. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the stage on which the substrate is placed is pressed against the mask in the contact exposure machine of the first embodiment.
【００２８】図３および図４に示されるように、第１の
実施の形態のコンタクト露光機のステージ２０は、円筒
形状を有している。また、ステージ２０は、下方に配置
された第１ステージ部材２２と、第１ステージ部材２２
の上に載置された第２ステージ部材２４とを備えてい
る。As shown in FIGS. 3 and 4, the stage 20 of the contact exposure machine according to the first embodiment has a cylindrical shape. The stage 20 includes a first stage member 22 disposed below and a first stage member 22.
And a second stage member 24 placed on the second stage member.
【００２９】第１ステージ部材２２は、ヤング係数が
２．０ｘ１０7 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が０．３のステ
ンレス鋼で形成され、円筒形状を有している。また、第
１ステージ部材２２の頂面には、複数の環状の溝２２
ａ、２２ａが形成されている。この溝２２ａは、互いに
連結され、且つ、ステージ２０の下方で、図示しない吸
引装置に接続されている。したがって、このコンタクト
露光機は、溝２２ａ内を、減圧することができるように
構成されている。さらに、このコンタクト露光機は、第
１ステージ部材２２の下方に、図示しないシリンダ装置
が設けられ、第１ステージ部材２２を上方に向かって移
動させることができるように構成されている。The first stage member 22 is formed of stainless steel having a Young's modulus of 2.0 × 10 7 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.3, and has a cylindrical shape. The top surface of the first stage member 22 has a plurality of annular grooves 22.
a, 22a are formed. The grooves 22a are connected to each other and connected to a suction device (not shown) below the stage 20. Therefore, this contact exposure machine is configured so that the pressure inside the groove 22a can be reduced. Further, this contact exposure machine is provided with a cylinder device (not shown) below the first stage member 22, so that the first stage member 22 can be moved upward.
【００３０】第２ステージ部材２４は、ヤング係数５Ｎ
／ｍｍ2 、ポアソン比０．４６、厚さ約５ｍｍのシリコ
ン樹脂製の円盤状弾性体である。図３に示されているよ
うに、上下方向に貫通する貫通孔２４ａが複数形成され
ている。この貫通孔２４ａは、第２ステージ部材２４が
第１ステージ部材２２上に配置されたとき、第１ステー
ジ部材２２の頂面の環状溝２２ａのいずれかと整合する
位置に設けられている。したがって、第２ステージ部材
２４の上に載置された基板２６は、ステージ２０の下方
の吸引装置の吸引により、第２ステージ部材２４に吸着
されることになる（図４）。The second stage member 24 has a Young's modulus of 5N.
/ Mm 2 , a Poisson's ratio of 0.46, and a thickness of about 5 mm. As shown in FIG. 3, a plurality of through holes 24a penetrating vertically are formed. When the second stage member 24 is disposed on the first stage member 22, the through hole 24 a is provided at a position matching with any one of the annular grooves 22 a on the top surface of the first stage member 22. Therefore, the substrate 26 placed on the second stage member 24 is attracted to the second stage member 24 by suction of the suction device below the stage 20 (FIG. 4).
【００３１】ステージ２０の上方には、パターニング用
のマスク２８が配置されている。マスク２８は、ヤング
係数が７．３ｘ１０6 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が０．１
７の石英製であり、４インチ角で厚さ５ｍｍである。マ
スク２８は、枠状のマスクホルダ３０に取付けられて、
このマスクホルダ３０を介してコンタクト露光機に固定
されている。A mask 28 for patterning is arranged above the stage 20. The mask 28 has a Young's modulus of 7.3 × 10 6 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.1.
7 and 4 mm square and 5 mm thick. The mask 28 is attached to a frame-shaped mask holder 30,
It is fixed to a contact exposure machine via the mask holder 30.
【００３２】このような構成を有する第１の実施の形態
のコンタクト露光機では、図４に示されるように、ステ
ージ２０上に基板２６を載置し、吸引装置により基板２
６を第２ステージ部材２４に吸着させ、ステージ２０を
上方に移動させて、基板２６をマスク２８に密着させ
て、紫外線による露光が行われる。In the contact exposure apparatus of the first embodiment having such a configuration, as shown in FIG. 4, a substrate 26 is placed on a stage 20, and the substrate 2 is
The substrate 6 is attracted to the second stage member 24, the stage 20 is moved upward, and the substrate 26 is brought into close contact with the mask 28, and exposure with ultraviolet light is performed.
【００３３】上述した構成を有するコンタクト露光機に
おいて、ヤング係数１．９ｘ１０7Ｎ／ｍｍ2 、ポアソ
ン比が０．４２の材料で構成された直径３インチ、厚さ
５００μｍの基板をステージ２０に載置し、ステージ２
０を１００μｍだけ強制変位させたとき、ステージ２
０、基板２６、マスク２８がどのように非線型変形する
かを、有限要素法で計算し、その結果を、図５に示す。
ここでは、第１ステージ部材２２の上面には、高さ１０
μｍのギャップが存在し、第２ステージ部材２４および
基板２６は、このギャップに沿って第１ステージ部材２
２上に載置されているとした。すなわち、基板２６とマ
スク２８とを軽く当接させたとき、両者間に高さ１０μ
ｍのギャップが存在していることになる。In the contact exposure apparatus having the above-described configuration, a substrate having a diameter of 3 inches and a thickness of 500 μm made of a material having a Young's modulus of 1.9 × 10 7 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.42 is mounted on the stage 20. Place, stage 2
Stage 0 when 100 is forcibly displaced by 100 μm.
0, how the substrate 26 and the mask 28 undergo nonlinear deformation are calculated by the finite element method, and the results are shown in FIG.
Here, the upper surface of the first stage member 22 has a height of 10
μm, the second stage member 24 and the substrate 26 move along the first stage member 2 along the gap.
2 is mounted. That is, when the substrate 26 and the mask 28 are lightly abutted, a height of 10 μm
This means that a gap of m exists.
【００３４】ステージ２０を１００μｍ強制変位させる
と、図５に示されているように、基板２６が、マスク２
８にほぼ完全に密着する。When the stage 20 is forcibly displaced by 100 μm, as shown in FIG.
8 almost completely adhered.
【００３５】一方、比較例として、基板２６を、ヤング
係数２ｘ１０7 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が０．３のステ
ンレス鋼製のステージ３２に直接、載置し、他の条件を
図５の場合と同一にして、ステージ３２、基板２６、マ
スク２８がどのように非線型変形するかを、有限要素法
で計算した。その結果を、図６に示す。On the other hand, as a comparative example, the substrate 26 was directly mounted on a stainless steel stage 32 having a Young's modulus of 2 × 10 7 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.3, and the other conditions were as shown in FIG. In the same manner as described above, how the stage 32, the substrate 26, and the mask 28 are nonlinearly deformed was calculated by the finite element method. The result is shown in FIG.
【００３６】図６に示されているように、計算では、ス
テージ３２を１００μｍ強制変位させたとき、ステージ
３２は、ほとんど変形を起こさず、基板２６とマスク２
８の接触部分で、マスク２８が押し上げられるため、ギ
ャップが拡大する。As shown in FIG. 6, in the calculation, when the stage 32 is forcibly displaced by 100 μm, the stage 32 hardly deforms and the substrate 26 and the mask 2
At the contact portion 8, the mask 28 is pushed up, so that the gap is enlarged.
【００３７】また、このコンタクト露光機で、実際に露
光を行って、マスク−基板間の接触状態を観察したとこ
ろ、第１の実施の形態では、基板の表面の８０パーセン
ト以上がマスクと接触することが判った。一方、上記比
較例の場合には、基板の表面の１０パーセントが、マス
クと接触するに過ぎなかった。Further, when actual exposure was performed with this contact exposure machine to observe the state of contact between the mask and the substrate, in the first embodiment, 80% or more of the surface of the substrate was in contact with the mask. It turns out. On the other hand, in the case of the comparative example, only 10% of the surface of the substrate was in contact with the mask.
【００３８】以上のことから、シリコン樹脂製の円盤状
弾性体からなる第２ステージ部材をステージ上部に配置
し、この第２ステージ部材を基板が載置される部分とす
ることにより、マスク−基板間で大きな接触面積を得ら
れることが判る。In view of the above, the mask-substrate is formed by disposing a second stage member made of a silicon resin disk-shaped elastic body above the stage, and making the second stage member a portion on which the substrate is mounted. It can be seen that a large contact area can be obtained between them.
【００３９】＜第２の実施の形態＞次に、この発明の第
２の実施の形態のコンタクト露光機の説明をする。<Second Embodiment> Next, a contact exposure machine according to a second embodiment of the present invention will be described.
【００４０】第２の実施の形態のコンタクト露光機は、
上述した第１の実施の形態のコンタクト露光機の、第２
ステージ部材の構成を変更したものである。それ以外の
点は、第１の実施の形態のコンタクト露光機と同一の構
成を有する。The contact exposure machine of the second embodiment is
The second embodiment of the contact exposure machine of the first embodiment described above
This is a modification of the configuration of the stage member. Otherwise, it has the same configuration as the contact exposure machine of the first embodiment.
【００４１】第２の実施の形態のコンタクト露光機で
は、第２ステージ部材が、ヤング係数８．３ｘ１０2 Ｎ
／ｍｍ2 、ポアソン比０．４、厚さ約５ｍｍの２フッ化
樹脂の円盤状弾性体で構成されている。また、このコン
タクト露光機においても、第２ステージ部材には、第２
ステージ部材が第１ステージ部材上に配置されたとき、
第１ステージ部材の頂面の環状溝のいずれかと整合する
位置に上下方向に貫通する貫通孔が複数形成されてい
る。In the contact exposure apparatus of the second embodiment, the second stage member has a Young's modulus of 8.3 × 10 2 N.
/ Mm 2 , a Poisson's ratio of 0.4, and a thickness of about 5 mm. Also in this contact exposure machine, the second stage member has the second stage member.
When the stage member is placed on the first stage member,
A plurality of through-holes penetrating in the vertical direction are formed at positions matching with any of the annular grooves on the top surface of the first stage member.
【００４２】このような構成を有する第２の実施の形態
のコンタクト露光機においても、第１の実施の形態のコ
ンタクト露光機と同様に、ステージ上に基板を載置し、
吸引装置により基板を第２ステージ部材に吸着させ、ス
テージを上方に移動させて、基板をマスクに密着させ
て、紫外線による露光が行われる。In the contact exposure apparatus of the second embodiment having such a configuration, the substrate is placed on the stage similarly to the contact exposure apparatus of the first embodiment.
The substrate is attracted to the second stage member by the suction device, the stage is moved upward, the substrate is brought into close contact with the mask, and exposure with ultraviolet light is performed.
【００４３】このような構成を有する第２の実施の形態
のコンタクト露光機で実際に露光を行って、マスク−基
板間のギャップを観察したところ、９５パーセント以上
の接触面積が得られた。この値は、第１の実施の形態の
コンタクト露光機より高い値である。これは、以下のよ
うな理由によると考えられる。When exposure was actually performed with the contact exposure apparatus of the second embodiment having such a configuration and the gap between the mask and the substrate was observed, a contact area of 95% or more was obtained. This value is higher than that of the contact exposure machine of the first embodiment. This is considered for the following reasons.
【００４４】上述したように、第１および第２の実施の
形態のコンタクト露光機では、貫通孔を介して吸引を行
うことにより、基板をステージに吸着させている。した
がって、基板は、貫通孔に対応する位置において、上方
から一気圧でステージに向かって押し付けられているこ
とになる。このとき、第２ステージ部材のヤング係数が
非常に低いと、第２ステージ部材が変形してしまい、第
２ステージ部材に載置された基板を、マスクに効率よく
密着させることができなくなる。すなわち、基板を真空
吸引によりステージに吸着させる場合などには、ステー
ジの基板が載置される部分を構成する部材のヤング係数
が非常に低いと、基板−マスク間にギャップが生じてし
まい、基板とマスクとの間で大面積の接触が得られなく
なる。このため、基板が載置されている第２ステージ部
材のヤング係数が８．３ｘ１０2Ｎ／ｍｍ2 である第２
の実施の形態のコンタクト露光機のほうが、第１の実施
の形態のコンタクト露光機に比べ、大きな接触面積が得
られる。As described above, in the contact exposure machines of the first and second embodiments, the substrate is sucked to the stage by performing suction through the through-hole. Therefore, the substrate is pressed against the stage at one atmosphere from above at a position corresponding to the through hole. At this time, if the Young's modulus of the second stage member is very low, the second stage member is deformed, and the substrate mounted on the second stage member cannot be efficiently brought into close contact with the mask. That is, when the substrate is sucked to the stage by vacuum suction, if the Young's modulus of the member constituting the portion on which the substrate of the stage is mounted is very low, a gap is generated between the substrate and the mask, and A large area of contact between the mask and the mask cannot be obtained. For this reason, the second stage member on which the substrate is mounted has a Young's modulus of 8.3 × 10 2 N / mm 2 .
The contact exposure machine of the second embodiment can obtain a larger contact area than the contact exposure machine of the first embodiment.
【００４５】このことを計算によって示すと以下のよう
になる。This is shown by calculation as follows.
【００４６】第１または第２の実施の形態と同一の条件
のコンタクト露光機のステージに、ヤング係数１．９ｘ
１０7 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が０．４２の材料で構成
された直径３インチ、厚さ５００μｍの基板を載置し、
第２ステージ部材に５センチ間隔で配置された３つの貫
通孔から基板をステージに真空吸引したとき、３つの貫
通孔の真ん中の貫通孔の近傍に位置する第２ステージ部
材が、どれだけ下方に変位するかを、第２ステージ部材
を構成する材料のヤング係数を変化させて、計算した。
この計算により、第２ステージ部材を構成する材料のヤ
ング係数と、基板を真空吸引したことに起因する第２ス
テージ部材の変形（下方への変位）との関係が判る。そ
の計算結果を、図７のグラフに実線で示す。なお、縦軸
には変位量をとり、横軸にはヤング係数を対数でとって
ある。ここで、第２ステージ部材の変形は、下方への変
位であるため、変位量は負の値とされている。The stage of the contact exposure machine under the same conditions as in the first or second embodiment has a Young's coefficient of 1.9 ×
A substrate having a diameter of 3 inches and a thickness of 500 μm made of a material having a density of 10 7 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.42 is placed.
When the substrate is evacuated to the stage from three through holes arranged at 5 cm intervals in the second stage member by vacuum, the second stage member located near the middle through hole of the three through holes moves downward. The displacement was calculated by changing the Young's modulus of the material constituting the second stage member.
From this calculation, the relationship between the Young's modulus of the material forming the second stage member and the deformation (downward displacement) of the second stage member caused by vacuum suction of the substrate can be found. The calculation result is shown by a solid line in the graph of FIG. The vertical axis represents the displacement, and the horizontal axis represents the Young's coefficient in logarithm. Here, since the deformation of the second stage member is a downward displacement, the displacement amount is a negative value.
【００４７】図７のグラフから明らかなように、第２ス
テージ部材を構成する材料のヤング係数が小さいほど、
載置した基板を真空吸引したことに起因する第２ステー
ジ部材の変形（下方への変位）が大きいことがわかる。
例えば、第２ステージ部材を構成する材料のヤング係数
が１０Ｎ／ｍｍ2 であるときには、第２ステージ部材の
変形は、約５５μｍであるが、第２ステージ部材を構成
する材料のヤング係数が１００Ｎ／ｍｍ2 になると、第
２ステージ部材の変形はほぼ０となる。As is clear from the graph of FIG. 7, the smaller the Young's modulus of the material constituting the second stage member is,
It can be seen that the deformation (downward displacement) of the second stage member caused by vacuum suction of the mounted substrate is large.
For example, when the Young's modulus of the material forming the second stage member is 10 N / mm 2 , the deformation of the second stage member is about 55 μm, but the Young's modulus of the material forming the second stage member is 100 N / mm 2. In mm 2 , the deformation of the second stage member becomes almost zero.
【００４８】図７のグラフには、この計算結果に加え
て、強制変位によって矯正できる（なくせる）ギャップ
の幅の最大値と第２ステージ部材を構成する部材のヤン
グ係数との関係を示す線を、一点鎖線で記入してある。
なお、この最大値は、ステージの下方への変位量のグラ
フに重ねる都合上、正負を逆転させてある。この一点鎖
線の状態からわかるように、第２ステージ部材を構成す
る材料のヤング係数が１ないし１０００Ｎ／ｍｍ2 の範
囲では、強制変位によって強制できるギャップの幅の最
大値は、第２ステージ部材を構成する材料のヤング係数
が大きくなるほど、大きくなる。The graph of FIG. 7 shows, in addition to the calculation results, a line showing the relationship between the maximum value of the gap width that can be corrected (eliminated) by the forced displacement and the Young's modulus of the members constituting the second stage member. Is indicated by a dashed line.
Note that this maximum value is reversed between positive and negative for convenience of superimposition on the graph of the amount of displacement downward of the stage. As can be seen from the dashed line, when the Young's modulus of the material forming the second stage member is in the range of 1 to 1000 N / mm 2 , the maximum value of the gap width that can be forcibly forced by the forcible displacement is determined by the second stage member The larger the Young's modulus of the constituent material is, the larger it is.
【００４９】以上のように、吸引による第２ステージ部
材の変形（下方への変位）は、第２ステージ部材のヤン
グ係数が大きいほど小さくなる。また、ステージの強制
変位により矯正できるギャップの最大幅は、第２ステー
ジ部材のヤング係数が大きいほど大きくなる。そして、
吸引による第２ステージ部材の変形（下方への変位）を
示す実線と、ステージの強制変位により矯正できるギャ
ップの最大幅を示す一点鎖線は、ヤング係数の値が３０
Ｎ／ｍｍ2 であるときに交差する。したがって、ヤング
係数の値が、３０Ｎ／ｍｍ2 ないし１０００Ｎ／ｍｍ2
であるときには、ステージの強制変位により矯正できる
ギャップの最大幅が、吸引による第２ステージ部材の変
形（下方への変位）の値を超える。この結果、第２ステ
ージ部材の材料のヤング係数が、３０Ｎ／ｍｍ2 ないし
１０００Ｎ／ｍｍ2 であるときには、ステージの基板が
載置される部分を構成する部材のヤング係数が非常に低
いことに起因するマスク−基板間のギャップの発生を抑
制できる。As described above, the deformation (downward displacement) of the second stage member due to suction decreases as the Young's modulus of the second stage member increases. Further, the maximum width of the gap that can be corrected by the forced displacement of the stage increases as the Young's modulus of the second stage member increases. And
The solid line indicating the deformation (downward displacement) of the second stage member due to suction and the dashed line indicating the maximum width of the gap that can be corrected by the forced displacement of the stage have a Young's modulus value of 30.
Intersect when N / mm 2 . Therefore, the value of the Young's modulus is, 30 N / mm 2 to 1000 N / mm 2
When, the maximum width of the gap that can be corrected by the forced displacement of the stage exceeds the value of the deformation (downward displacement) of the second stage member due to suction. As a result, the Young's modulus of the material of the second stage member, when to 30 N / mm 2 without a 1000 N / mm 2 is due to the Young's modulus of the member constituting the portion in which the substrate stage is placed very low Generation of a gap between the mask and the substrate can be suppressed.
【００５０】このように、第１または第２の実施の形態
の構成のコンタクト露光機と同一の条件のコンタクト露
光機では、第２ステージ部材を、ヤング係数が３０Ｎ／
ｍｍ2 ないし１０００Ｎ／ｍｍ2 の材料で構成すると、
マスクと基板とを効率よく密着させることができること
がわかる。As described above, in the contact exposure machine under the same conditions as the contact exposure machine of the configuration of the first or second embodiment, the second stage member has a Young's modulus of 30 N /
When to mm 2 not constitute a material 1000 N / mm 2,
It is understood that the mask and the substrate can be efficiently brought into close contact with each other.
【００５１】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された事
項の範囲内で種々の変更、変形が可能である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and modifications can be made within the scope of the claims.
【００５２】上述した第１の実施の形態では、第２ステ
ージ部材を、ヤング係数が５Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が
０．４６のシリコン樹脂で構成した。しかしながら、第
２ステージ部材を、ヤング係数が１．５Ｎ／ｍｍ2 、ポ
アソン比が０．４５のブチルゴムで構成してもよい。こ
のような構成によれば、ステージに加重してマスクに向
けて強制変位させたとき、ステージの第２ステージ部材
に載置された基板は、その全面積の約５０パーセント
が、マスクに接触する。In the above-described first embodiment, the second stage member is made of a silicone resin having a Young's modulus of 5 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.46. However, the second stage member may be made of butyl rubber having a Young's modulus of 1.5 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.45. According to such a configuration, when the substrate is forcibly displaced toward the mask by weighting the stage, about 50% of the entire area of the substrate mounted on the second stage member of the stage comes into contact with the mask. .
【００５３】また、第２ステージ部材を、ヤング係数が
８．０ｘ１０2 Ｎ／ｍｍ2 、ポアソン比が０．３５のク
ロスリンク化合物ポリスチレンで構成してもよい。この
ような構成によれば、ステージに加重してマスクに向け
て強制変位させたとき、ステージの第２ステージ部材に
載置された基板は、その全面積の約９５パーセント以上
が、マスクに接触する。The second stage member may be made of a cross-linked compound polystyrene having a Young's modulus of 8.0 × 10 2 N / mm 2 and a Poisson's ratio of 0.35. According to such a configuration, when forcibly displaced toward the mask by weighting the stage, about 95% or more of the entire area of the substrate placed on the second stage member of the stage contacts the mask. I do.
【００５４】また、ヤング係数が１０００Ｎ／ｍｍ2 以
下の材料であれば、他の材料で第２ステージ部材を構成
してもよい。第２ステージ部材の厚さは、用途に応じ
て、適宜、変更可能である。The second stage member may be made of another material as long as it has a Young's modulus of 1000 N / mm 2 or less. The thickness of the second stage member can be appropriately changed depending on the application.
【００５５】さらに、上述した実施の形態のコンタクト
露光機は、光導波路用のレジストパターニングを行うた
めのコンタクト露光機であった。しかしながら、この発
明は、高分解像レジストパターニングが必要なデバイス
を製造する際に使用されるコンタクト露光機などの他の
コンタクト露光機にも適用可能である。Further, the contact exposure machine of the above-described embodiment is a contact exposure machine for performing resist patterning for an optical waveguide. However, the present invention is also applicable to other contact exposure machines such as a contact exposure machine used in manufacturing a device requiring high resolution image resist patterning.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、安価
かつ簡単な構成で、マスク・基板間の広い領域におい
て、両者の密着性を高めることができるコンタクト露光
機が提供される。As described above, according to the present invention, there is provided a contact exposure apparatus which can increase the adhesion between a mask and a substrate in a wide area between the mask and the substrate with an inexpensive and simple structure.
【図１】計算例のステージ、基板、マスクおよびギャッ
プの関係を模式的に示した概略的な部分断面図である。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view schematically showing the relationship among a stage, a substrate, a mask, and a gap in a calculation example.
【図２】（Ａ）は、ｄmax ／ｇinが、ステージを構成す
る材料のヤング係数に応じてどのように変化するかを示
すグラフであり、（Ｂ）は、ｄc ／ｇinが、ステージを
構成する材料のヤング係数に応じてどのように変化する
かを示すグラフである。FIG. 2A is a graph showing how d max / g in changes according to the Young's modulus of a material constituting the stage, and FIG. 2B is a graph showing that d c / g in 7 is a graph showing how the change is made according to the Young's modulus of the material constituting the stage.
【図３】この発明の第１の実施の形態のコンタクト露光
機のステージの上部の構成を示す概略的な分解斜視図で
ある。FIG. 3 is a schematic exploded perspective view showing a configuration of an upper portion of a stage of the contact exposure machine according to the first embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第１の実施の形態のコンタクト露光
機において、基板が載置されたステージがマスクに押し
つけられている状態を示す概略的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state where a stage on which a substrate is placed is pressed against a mask in the contact exposure machine according to the first embodiment of the present invention.
【図５】この発明の第１の実施の形態のコンタクト露光
機において、ステージを強制変位させたとき、ステー
ジ、基板、マスクがどのように非線型変形するかを、有
限要素法で計算した結果を表した図である。FIG. 5 shows a result of calculation by a finite element method on how a stage, a substrate, and a mask are non-linearly deformed when the stage is forcibly displaced in the contact exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG.
【図６】比較例において、ステージを強制変位させと
き、ステージ、基板、マスクがどのように非線型変形す
るかを、有限要素法で計算した結果を表した図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a result of calculating, by a finite element method, how a stage, a substrate, and a mask deform nonlinearly when a stage is forcibly displaced in a comparative example.
【図７】この発明の第２ステージ部材の変位量および強
制できるギャップの最大幅と、ヤング係数との関係を示
すグラフである。FIG. 7 is a graph showing a relationship between a displacement amount of a second stage member and a maximum width of a gap that can be forced, and a Young's modulus according to the present invention.
１０、２０、３２：ステージ １４、２８：マスク ２２：第１ステージ部材 ２２ａ：溝 ２４：第２ステージ部材 ２４ａ：貫通孔 ２６：基板 ３０：マスクホルダ 10, 20, 32: Stage 14, 28: Mask 22: First stage member 22a: Groove 24: Second stage member 24a: Through hole 26: Substrate 30: Mask holder
Claims (2)
互いに押しつけた状態で露光を行うコンタクト露光機に
おいて、 基板が載置される前記ステージの部分が、ヤング係数が
１０００Ｎ／ｍｍ2 以下の材料で構成されていることを
特徴とするコンタクト露光機。In a contact exposure apparatus for performing exposure while a mask and a substrate mounted on a stage are pressed against each other, a portion of the stage on which the substrate is mounted has a Young's modulus of 1000 N / mm 2 or less. A contact exposure machine comprising a material.
いて、 基板が載置される前記ステージの部分がヤング係数が３
０Ｎ／ｍｍ2 以上の材料で構成されていることを特徴と
するコンタクト露光機。2. The contact exposure apparatus according to claim 1, wherein the stage on which the substrate is mounted has a Young's modulus of 3
A contact exposure machine comprising a material of 0 N / mm 2 or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069006A JPH11265070A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Contact aligner |
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|---|---|---|---|
| JP10069006A JPH11265070A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Contact aligner |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10069006A Withdrawn JPH11265070A (en) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Contact aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265070A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075667A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Agilent Technol Inc | Columnar integrated circuit and manufacturing method for columnar integrated circuit |
| CN110850686A (en) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 深圳市矽电半导体设备有限公司 | Method for attaching photoetching plate and silicon wafer and photoetching machine |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP10069006A patent/JPH11265070A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075667A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Agilent Technol Inc | Columnar integrated circuit and manufacturing method for columnar integrated circuit |
| CN110850686A (en) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 深圳市矽电半导体设备有限公司 | Method for attaching photoetching plate and silicon wafer and photoetching machine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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