JPH11263975A

JPH11263975A - フェリ誘電性液晶組成物

Info

Publication number: JPH11263975A
Application number: JP10068358A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Matsumoto; 隆宏松本; Masahiro Kino; 正博城野; Tomoyuki Yui; 知之油井
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1998-03-18
Filing date: 1998-03-18
Publication date: 1999-09-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】自発分極が小さく応答性に優れた新規なフェ
リ誘電性液晶組成物を得る。【解決手段】下記式(1) で示されるフェリ誘電性液晶
化合物から選ばれた２種類以上の混合物からなるフェリ
誘電性液晶に、下記式(2) で示される化合物から選ばれ
た１種類または２種以上を混合してなるフェリ誘電性液
晶組成物。（式(1) 中、R¹は炭素数 6〜12の直鎖アルキル基、X¹、
X²は共に水素原子又は一方が水素原子で他方がフッ素原
子、ｍ、ｎは 1〜3 の整数。式(2) 中、R²は直鎖アルキ
ル基もしくはアルコキシアルキレン基、Ａは -, -O- ま
たは -COO-、Ｂは -O-または -COO-、Y¹、Y²は共に水素
原子または一方が水素原子で他方がフッ素原子、Z¹、Z²
は共に水素原子または一方が水素原子で他方がフッ素原
子、ｐは０又は１、R³はフッ素置換していてもよいアル
キル基またはアルコキシアルキル基。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なフェリ誘電性液
晶組成物に関する。本発明の新規なフェリ誘電性液晶組
成物は、自発分極が小さく応答性に優れている。そのた
め表示品質の高いフェリ誘電性液晶表示素子を実現でき
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子（ＬＣＤ）は、従来のブラ
ウン管ディスプレイに代わるフラットパネルディスプレ
イとして、既にポータブル機器を中心に普及しつつあ
る。最近のパーソナルコンピュータやワードプロセッサ
の機能拡大、および処理情報の大量化にともない、ＬＣ
Ｄにもより高い機能、すなわち、大表示容量化、フルカ
ラー表示、広視野角、高速応答、高コントラスト化等が
要求されている。

【０００３】この様な要求に応える液晶表示方式（液晶
駆動方式）として、画面の各画素毎に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）あるいはダイオード（ＭＩＭ）を形成し、各
画素毎に独立して液晶を駆動する方式であるアクティブ
マトリクス（ＡＭ）表示素子が提案実施されている。こ
の表示方式は、製造歩留まりが低いため低コスト化が困
難である、大画面化が困難であるなどの問題はあるが、
表示品質の高さにより従来主流であったＳＴＮ表示方式
を凌駕し、ＣＲＴに迫る勢いになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＡＭ表示素子において、液晶材料としてＴＮ（ツイ
ステッドネマチック）液晶を用いているため、次のよう
な問題が生じている。 (1) ＴＮ液晶はネマチック液晶であり、応答速度が一般
的に遅く（数十ｍｓ）、動画表示を行うとき良好な画質
が得られない。 (2) 液晶分子のねじれ状態（ツイスト配向）を利用して
表示するため、視野角が狭い。特に階調表示を行うと、
視野角が急激に狭くなる。すなわち、ディスプレイを見
る角度によって、コントラスト比、色などが変わってし
まう。

【０００５】これらの問題を解決するため、ＴＮ液晶に
代えて、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を採用したＡＭ
パネルの提案も近年行われているが（特開平5-249502、
同5-150257、同6-95080 等）、これらの液晶にも次のよ
うな問題点があり実用化の壁は厚いのが現状である。

【０００６】(A) 強誘電性液晶は自発分極を有している
が、自発分極が常に存在するため画面の焼き付きが起こ
りやすく駆動が困難となる。また、強誘電性液晶は表面
安定化型モードで表示する場合、黒、白の２値表示しか
できないため、階調表示は極めて困難である。階調表示
を行うとするときには特別な工夫が必要（例えば、単安
定を使用した強誘電性液晶素子；KeiichiNITO et.al, S
ID'94、Preprint, p48)であり、高度な実用化技術の開
発が必要とされる。

【０００７】(B) 反強誘電性液晶は、永久自発分極が存
在しないため上記(A) で述べられている焼き付の問題は
回避されている。ＡＭ駆動においては、少なくとも10Ｖ
以下で駆動する液晶材料が必要である。しかし、反強誘
電性液晶は一般にしきい値電圧が大きく、低電圧駆動は
困難である。また、光学応答に履歴（ヒステリシス）が
あるため階調表示が困難であるなどの問題を有してい
る。本発明の目的は、以上のような問題点を解決できる
ＡＭ駆動に適した新しい材料を提供することにあるが、
この新しい材料としてフェリ誘電相を有する液晶が考え
られる。

【０００８】フェリ誘電相 (SCγ* 相）を有する液晶化
合物は、1989年、 4-(1-メチルヘプチロキシカルボニ
ル）フェニル＝4-(4'-オクチルオキシビフェニル）カル
ボキシレート (略称 MHPOBC)において初めて発見された
（Japanese Journal of Applied Physics, Vol.29, No.
1, 1990, pp.L131-137）。

【０００９】MHPOBCの構造式ならびに相転移温度（℃）
を次に示した。構造式 : C₈H₁₇-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH₃)-C₆H₁₃ 但し、Phは1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を表す。相系列 : I(147)SA(122)SCα*(121)SC*(119)SCγ*(11
8)SCA*(65)SIA*(30)Cr 但し、I は等方相、SAはスメクチックＡ相、SCα* はカ
イラルスメクチックＣα相、SC* はカイラルスメクチッ
クＣ相（強誘電相）、SCγ* はカイラルスメクチックＣ
γ相（フェリ誘電相）、SCA*はカイラルスメクチックＣ
Ａ相（反強誘電相）、SIA*はカイラルスメクチックＩＡ
相、Crは結晶相を示す。

【００１０】フェリ誘電性液晶を説明するために、図１
にフェリ誘電相における分子配列状態を、図２にフェリ
誘電相の三角波に対する光学応答を示した。フェリ誘電
相では図１の FI(+)（印加電圧が正の場合）あるいはFI
(-)(印加電圧が負の場合）の分子配列をしている。電場
のない状態では、 FI(+)とFI(-) とは等価であるので共
存している。従って、平均的な光軸は層法線方向とな
り、図１に示した偏光板の条件下では暗状態となる。こ
の状態は、図２において電圧０で透過光強度が０のとこ
ろに相当する。

【００１１】また、 FI(+)およびFI(-) は、分子配列状
態から明らかなようにそれぞれ自発分極を有するが、こ
れらの共存状態では自発分極を打ち消し合うため、平均
的な自発分極は零となる。このことから、フェリ誘電性
液晶は、反強誘電性液晶と同様に強誘電性液晶に見られ
る焼き付き現象から逃れられる。

【００１２】フェリ誘電性液晶に電圧を印加していく
と、強誘電状態に達するよりも低い電圧で、消光位を持
つ領域（ドメイン）が現れる。この領域は、強誘電状態
ほどではないが、法線方向より傾いた方向に光軸を有し
ていることを示している。この中間的な状態が FI(+)ま
たはFI(-) と考えられる。なお、この場合、図２におい
て、電圧 0Ｖと 4Ｖの間で連続的な透過光強度の変化で
はなく、階段上の透過光強度が観測されるはずである。
しかし、図２では連続的な透過光強度が観測された。こ
れは FI(+)→FO(+) 、または FI(-)→FO(-) へのしきい
値電圧が明確でないことによると考えられる。本発明で
は、以上説明した中間状態が必ず観測される液晶相をフ
ェリ誘電相と、該フェリ誘電相がその相系列中で最も広
い液晶化合物をフェリ誘電性液晶と呼ぶ。

【００１３】さらに、印加電圧を高くすると、電場の向
きに応じ安定な状態である強誘電相ＦO(+) またはFO
(-) に相転移する。すなわち、図２において透過光強度
が飽和状態（左右の平坦部）となったものが FO(+)また
はFO(-) である。この強誘電状態 FO(+)またはFO(-) で
は、フェリ誘電状態 FI(+)またはFI(-)より更に大きな
自発分極が発現することが図１より分かる。以上のよう
に、フェリ誘電相では、 FI(+)とFI(-) の共存状態を
暗、強誘電状態FO(+) およびFO(-) を明として使用でき
る。

【００１４】従来の強誘電性液晶は、FO(+) 、FO(-) 間
のスイッチングであったのに対し、フェリ誘電性液晶で
は FO(+)、 FI(+)、FI(-) および FO(-)の４状態間でス
イッチングをするという大きな特徴を有している。ま
た、その表示原理はいずれも液晶の複屈折性を利用した
ものであり、視角依存性の小さな表示素子の作製が可能
である。

【００１５】フェリ誘電相は図２に示されているよう
に、一般的にフェリ誘電状態から強誘電状態へ変化する
電圧と、強誘電状態からフェリ誘電状態へ変化する電圧
の差が小さい、即ちヒステリシスの幅が非常にせまい傾
向が強く、Ｖ字形の光学応答性を示すのが特徴で、ＡＭ
駆動及びＡＭ駆動における階調表示に適した性質を持っ
ている。また、フェリ誘電性液晶の電圧による変化に於
て、フェリ誘電状態から強誘電状態へ変化する電圧であ
るしきい値電圧は、反強誘電性液晶に比べてはるかに小
さい傾向を有し、フェリ誘電性液晶はＡＭ駆動に適して
いるといえる。

【００１６】しかしながら現在まで合成されたフェリ誘
電性液晶の数はきわめて少ない。更に従来知られていた
フェリ誘電性液晶はＡＭ駆動素子への応用を考えたと
き、ヒステリシス、フェリ状態から強誘電状態へ相転移
するときの電圧の面で満足すべきものは多くない。更
に、アクティブマトリックス駆動素子においては、フェ
リ誘電性液晶が有する自発分極の大小が、実用上の駆動
に当たっては大きな問題となる。J.Funfscillingらはア
クティブマトリックス駆動において、自発分極を持った
液晶の駆動のために必要な電圧の大きさは、自発分極に
比例する事を示している（Jpn.J.Appl.Phy.Vol.33(199
4)pp.4950) 。従って、駆動電圧の面からいえば、でき
るだけ自発分極は小さい事が望ましい。しかし一方、フ
ェリ誘電状態から強誘電状態へ転移するときの速度( 応
答速度) は、大略自発分極の大きさに比例すると考えら
れている。従って、自発分極が小さくてかつ応答速度の
速いフェリ誘電性液晶を見出せれば、実用上極めて有益
である。

【００１７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記一般式(1) で示されるフェリ誘電性液晶化合物から選
ばれた２種類以上の混合物からなるフェリ誘電性液晶
に、下記一般式(2) で示される化合物から選ばれた１種
類または２種以上を混合してなるフェリ誘電性液晶組成
物である。

【００１８】

【化２】（式(1) 中、R¹は炭素数 6〜12の直鎖アルキル基、X¹、
X²は共に水素原子又は一方が水素原子で他方がフッ素原
子であり、ｍ、ｎは 1〜3 の整数である。式(2) 中、R²
は直鎖アルキル基もしくはアルコキシアルキレン基、Ａ
は -, -O- または -COO-、Ｂは -O-または -COO-であ
り、Y¹、Y²は共に水素原子または一方が水素原子で他方
がフッ素原子、Z¹、Z²は共に水素原子または一方が水素
原子で他方がフッ素原子であり、ｐは０又は１であり、
R³はフッ素置換していてもよいアルキル基またはアルコ
キシアルキル基である。）

【００１９】本発明において、該一般式(1) において、
R¹は炭素数は、より好ましくは 6〜10であり、特に９で
あるフェリ誘電性液晶化合物が望ましい。また、X¹が水
素原子、X²がフッ素原子であること、ｍが２であるが望
ましい。本発明の一般式(2) の化合物は、上記一般式
(1) で示されるフェリ誘電性液晶化合物の２種以上の組
成物に配合して、その特性を改良する成分である。該一
般式(2) において、該一般式(1) のフェリ誘電性液晶組
成物との相溶性の点から、特にｐが０の場合、Ａおよび
Ｂが共に -COO-であることが好ましい。また、R²として
は直鎖アルキル基が好ましく、炭素数 8〜10、特に炭素
数９のものが好適である。また、Y¹、Y²およびZ¹が水素
原子、Z²がフッ素原子であるものが好ましい。

【００２０】また、R³は、フッ素置換していてもよいア
ルキル基またはアルコキシアルキル基であり、具体的に
は、下記式 (w1〜w7) で示される基、すなわち、直鎖ア
ルキル基(w1)、末端に等鎖長の分岐鎖を有する直鎖アル
キル基(w2)、フッ素置換された直鎖アルキル基(w3)、フ
ッ素置換されていてもよいアルコキシアルキル基(w4)、
不斉炭素上にメチル基或いはトリフルオロメチル基を有
する光学活性基(w5)、末端に等鎖長の分岐鎖を有し、不
斉炭素上にメチル基或いはトリフルオロメチル基を有す
る光学活性基(w6)、フッ素置換されていてもよいアルコ
キシを有し、不斉炭素上にメチル基或いはトリフルオロ
メチル基を有する光学活性基(w7)が挙げられ、式w5,w6,
w7の基の場合、ラセミ置換基として用いることができ、
好適である。

【００２１】 w1 : -(CH₂)_qCH₃ (q＝1-11) w2 : -(CH₂)_qCH(C_rH_2r+1)₂ (q＝1-4, r＝1-4) w3 : -(CH₂)_qC_rF_2r+1 (q＝1-2, r＝1-2) w4 : -(CH₂)_q-O-(CH₂)_rCH_3-sF_s (q＝1-7, r＝1-2, s＝0-3) w5 : -C*H(D)-(CH₂)_qCH_3-sF_s (D＝-CH₃ or-CF₃, q＝1-2, s＝0-3) w6 : -C*H(D)-(CH₂)_qCH(C_rH_2r+1)₂(D＝-CH₃ or-CF₃, q＝1-4, r＝1-4) w7 : -C*H(D)-(CH₂)_q-O-(CH₂)_rCH_3-sF_s (D＝-CH₃ or-CF₃, q＝1-7, r＝1-2, s＝0-3)

【００２２】本発明のフェリ誘電性液晶組成物における
該一般式(2) で示される化合物の添加量が組成物の 1〜
50モル％が好ましく、より好ましくは１〜30モル％であ
り、該フェリ誘電相の高温側の転移温度が40℃以上で、
低温側の転移温度が 0℃以下であり、該フェリ誘電相よ
りも高温側にスメクチックＡ相を有することが好まし
い。そして、本発明のフェリ誘電性液晶液晶組成物は、
各画素毎に薄膜トランジスタあるいはダイオード等の非
線形能動素子を設置した基板間に狭持して、アクティブ
マトリクス液晶表示素子とされ、それは非線形能動素子
を用いた液晶の電圧による駆動を２つのフェリ誘電状態
と２つの強誘電状態、及びその中間状態へのスイッチン
グにて行われる。

【００２３】本発明におけるフェリ誘電性液晶は、本発
明者らの特願平8-91235 号によって容易に製造できる。
その製造法の概略を一般式( １) において m＝2, n＝1
である化合物について示せば、次の通りである。 (1) AcO-Ph(3X)-COOH + SOCl₂ → AcO-Ph(3X)-COCl (2) (1) + CF₃C*H(CH₂)₂CH(CH₃)₂ → AcO-Ph(3X)-COO-C*H(CF₃)(CH₂)₂CH(CH₃)₂ (3) (2) + (Ph-CH₂NH₂) → HO-Ph(3X)-COO-C*H(CF₃)(CH₂)₂CH(CH₃)₂ (4) R-O-Ph-Ph-COOH + SOCl₂ → R-O-Ph-Ph-COCl (5) (3) + (4) → 目的フェリ誘電性液晶式中、AcO はアセチル基、Phは1,4-フェニレン基、Ph(3
X)は、３位置へのＦ置換していてもよい1,4-フェニレン
基、C*は不斉炭素を示す。

【００２４】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(1) はフッ素置換あるいは無置換のp-アセトキシ
安息香酸の塩化チオニルによる塩素化反応である。(2)
は塩化物(1) と光学活性アルコールとの反応によるエス
テルの生成である。(3) はエステル(2) の脱アセチル化
である。(4) は 4'-アルキルオキシビフェニル−4-カル
ボン酸の塩素化である。(5) はフェノール(3) と塩化物
(4) との反応による液晶の製造である。

【００２５】また、一般式(2) 示される化合物は、本発
明者らの特願平9-217317によって容易に製造できる。そ
の製造法の概略を一般式(2) において R²＝C₉H₁₉,
Ａ，Ｂ＝-COO-, p＝1, Y¹,Y²,Z¹＝Ｈ, Z²＝Ｆ, R³＝CH
₂CF₃である化合物について示せば次の通りである。 (1) AcO-Ph(3F)-COOH + SOCl₂ → AcO-Ph(3X)-COCl (2) (1) + CF₃CH₂OH → AcO-Ph(3F)-COO-CH₂CF₃ (3) (2) + (Ph-CH₂NH₂) → HO-Ph(3F)-COO-CH₂CF₃ (4) C₉H₁₉COCl + HO-Ph-COOH → C₉H₁₉COOPhCOOH (5) C₉H₁₉COOPhCOOH + SOCl₂ → C₉H₁₉COOPhCOCl (6) (3) + (5) → 目的化合物式中、AcO はアセチル基、Phは1,4-フェニレン基、Ph(3
F)は、３位置へのＦ置換した1,4-フェニレン基、C*は不
斉炭素を示す。

【００２６】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(1) はフッ素置換あるいは無置換のp-アセトキシ
安息香酸の塩化チオニルによる塩素化反応である。(2)
は塩化物(1) とアルコールとの反応によるエステルの生
成である。(3) はエステル(2) の脱アセチル化である。
(4) はデカノイルクロライドとp-ヒドロキシ安息香酸と
の反応である。(5) は(4) で得られた安息香酸の塩素化
である。(6) はフェノール(3) と塩化物(5) との反応に
よる液晶の製造である。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、新規なフェリ誘電性液晶組成
物を提供する。そして、本発明により提供された新規な
フェリ誘電性液晶組成物は、自発分極が小さく応答性に
優れている。そのため表示品質の高いフェリ誘電性液晶
表示素子を実現できる。

【００２８】

【実施例】次に、実施例及び比較例を掲げて本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定さ
れるものではない。実施例１一般式(1) に相当する下記フェリ誘電性液晶(1A,1B) の
混合物と一般式(2) に相当する下記化合物(2A)とを下記
したモル比で混合してフェリ誘電性液晶組成物を調製し
た。 1A ：C₉H₁₉O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF₃)(CH₂)₂CH(CH₃)₂ 42モル％ 1B ：C₉H₁₉O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF₃)(CH₂)₂CH(C₂H₅)₂ 28 〃 2A ：C₉H₁₉-COO-Ph-COO-CH₂CF₃ 30 〃

【００２９】フェリ誘電性液晶(1A,1B) 、得られたフェ
リ誘電性液晶組成物の液晶相の相系列、相転移電圧、応
答速度および自発分極を測定した結果を表１に示した。
液晶相の同定は、テクスチャー観察、コノスコープ像の
観察及びDSC(示差走差熱量計）の測定により行なった。
コノスコープ像の観察はフェリ誘電相の同定に有力な手
段である。コノスコープ像の観察は文献(J. Appl. Phy
s. 31, 793, (1992))に従って行った。

【００３０】光学応答を調べた。セルは以下の手順で作
製した。絶縁膜(SiO₂,膜厚 50nm)、ITO 電極付きのガラ
ス基板をポリイミドコーティング（膜厚約80nm）後、一
対のガラス基板の片方のみをラビング処理した。粒径
1.6μｍのスペーサを介し、一対のガラス基板を貼り合
わせテストセルとした。セル厚は２μｍであった。液晶
が等方相となる温度まで加熱し、毛細管現象によりテス
トセル中に液晶を注入した。その後、１℃／分の速度で
徐冷し液晶を平行配向させた。

【００３１】光透過率は、透過光強度が最低を光透過率
0％、最高を光透過率 100％と定義した。相転移電圧
は、光透過率が90％における電圧とした。℃において、
テストセルに± V, Hzの三角波電圧を印加し、フェリ
誘電相から強誘電相へ転移するときの電圧（相転移電圧
I ) および強誘電相からフェリ誘電相へ転移するときの
電圧（相転移電圧II) を求めた。30℃において、テスト
セルに±5V、10 Hz のステップ電圧を印加して透過光強
度が90％変化するに要する時間を応答時間と定義して応
答時間を測定した。また、自発分極は、50℃において、
テストセルに10Ｖの三角波電圧を印加して分極反転電流
を測定する事によって求めた。

【００３２】

【表１】相転移電圧応答時間自発分極相系列 (Ｖ) (μ秒) (nC/cm²) 実施例１ Cr(<-20)SCγ*(75)I 2.5 240 134 液晶1A Cr(57)SCγ*(114)I 2.8 313 249液晶1B Cr(26)SCγ*(95)I 2.4 257 209 表において、相系列中の () 内の数値は転移温度 (℃)
、Crは結晶相、SCγ*はカイラルスメクチックＣγ相
（フェリ誘電相）、Ｉは等方相をそれぞれ示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】フェリ誘電相における分子配列状態を示す。FI
(+), FI(-)はフェリ誘電状態、FO(+), FO(-)は強誘電状
態を表す。

【図２】フェリ誘電相における三角波電圧に対する光学
応答を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０２Ｆ 1/137 Ｇ０２Ｆ 1/137

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式(1) で示されるフェリ誘電性
液晶化合物から選ばれた２種類以上の混合物からなるフ
ェリ誘電性液晶に、下記一般式(2) で示される化合物か
ら選ばれた１種類または２種以上を混合してなるフェリ
誘電性液晶組成物。【化１】（式(1) 中、R¹は炭素数 6〜12の直鎖アルキル基、X¹、
X²は共に水素原子又は一方が水素原子で他方がフッ素原
子であり、ｍ、ｎは 1〜3 の整数である。式(2) 中、R²
は直鎖アルキル基もしくはアルコキシアルキレン基、Ａ
は -, -O- または -COO-、Ｂは -O-または -COO-であ
り、Y¹、Y²は共に水素原子または一方が水素原子で他方
がフッ素原子、Z¹、Z²は共に水素原子または一方が水素
原子で他方がフッ素原子であり、ｐは０又は１であり、
R³はフッ素置換していてもよいアルキル基またはアルコ
キシアルキル基である。）
【請求項２】該一般式(1) において、R¹の炭素数が 6
〜10である請求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項３】該一般式(1) において、R¹の炭素数が９
である請求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項４】該一般式(1) において、X¹が水素原子、
X²がフッ素原子である請求項１記載のフェリ誘電性液晶
組成物。
【請求項５】該一般式(1) において、ｍが２である請
求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項６】該一般式(2) において、R²の炭素数が 8
〜10である請求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項７】該一般式(2) において、R²の炭素数が９
である請求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項８】該一般式(2) において、ｐが０である請
求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項９】該一般式(2) において、ＡおよびＢが共
に -COO-である請求項１記載のフェリ誘電性液晶組成
物。
【請求項１０】該一般式(2) において、Y¹、Y²および
Z¹が水素原子、Z²がフッ素原子である請求項１記載のフ
ェリ誘電性液晶組成物。
【請求項１１】該一般式(2) で示される化合物の添加
量が組成物の 1〜50モル％である請求項１記載のフェリ
誘電性液晶組成物。
【請求項１２】該フェリ誘電相の高温側の転移温度が
40℃以上で、低温側の転移温度が 0℃以下であり、該フ
ェリ誘電相よりも高温側にスメクチックＡ相を有する請
求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物。
【請求項１３】各画素ごとに薄膜トランジスタ或いは
ダイオードなどの非線型能動素子を設置した基板間に請
求項１記載のフェリ誘電性液晶組成物を挟持することを
特徴とするアクテイブマトリクス液晶表示素子。
【請求項１４】電圧によって、２つのフェリ誘電状
態、2 つの強誘電状態およびそれらの中間状態の間でス
イッチングすることを特徴とする請求項１３記載のアク
テイブマトリクス液晶表示素子。