JPH11260769A - 半導体ウェハの研磨クロスの評価方法およびそれを用いた製造方法 - Google Patents

半導体ウェハの研磨クロスの評価方法およびそれを用いた製造方法

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JPH11260769A
JPH11260769A JP10057992A JP5799298A JPH11260769A JP H11260769 A JPH11260769 A JP H11260769A JP 10057992 A JP10057992 A JP 10057992A JP 5799298 A JP5799298 A JP 5799298A JP H11260769 A JPH11260769 A JP H11260769A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
polishing
polishing cloth
lpd
measured
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JP10057992A
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English (en)
Inventor
Naotaka Yamada
田 直 貴 山
Yuichi Nakayoshi
吉 雄 一 中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨クロスにより研磨して得られた半導体ウ
ェハの低ＬＰＤ測定値を維持することができる半導体ウ
ェハの研磨クロスの評価方法およびそれを用いた製造方
法を提供する。 【解決手段】 研磨された半導体ウェハを洗浄する。洗
浄された半導体ウェハを乾燥する。乾燥された半導体ウ
ェハのＬＰＤを設定粒子径以上のものについて測定す
る。測定の設定粒子径を０．１２μｍとする。ＬＰＤ値
が規定値を越えた場合は研磨クロスを交換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハを研磨す
る研磨クロスの評価、およびその研磨クロスにより研磨
して得られる半導体ウェハについて、研磨後の半導体ウ
ェハ表面の研磨を起因とする清浄度を管理して研磨する
半導体ウェハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】研磨クロスによって研磨して得られる半
導体ウェハについて、その品質を特定するものとして、
その形状品質を示すＴＴＶやＬＴＶといった厚さムラ測
定やＰ−Ｖ値といったマイクロラフネス測定、表面の清
浄度を示すパーティクル測定などがある。近年、このパ
ーティクルの測定においては、その設定粒子径が年々小
さいものが要求されるようになり、Ｃ０Ｐ(Crystal Ori
ginal Pit)と区別がつかなくなってきている。このた
め、パーティクルとＣＯＰとを合わせたＬＰＤ(Light P
ointDefect)として表されるようになってきている。こ
のＬＰＤ測定技術は半導体ウェハ表面にレーザー光を照
射して、パーティクルまたはＣ０Ｐが存在した場合にそ
の反射光が散乱するため、その散乱光を受光器により集
光してパーティクルまたはＣ０Ｐの存在を検出するもの
である。このＬＰＤ測定にあたっては、その粒子径を設
定し、その設定粒子径以上のパーティクルおよびＣ０Ｐ
の合計数を測定する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＬ
ＰＤ測定値はあくまで測定結果であって、品質を向上さ
せるためにはこの測定値に影響を与える原因を改善しな
くてはならない。発明者らは鋭意研究の結果、その原因
の一つが研磨に使用する研磨クロスの状態にあることを
突き止めた。ところが、従来の研磨クロスの状態を判断
する指標としては研磨における取代を測定し、研磨クロ
スの研磨力を評価していただけであった。したがって、
研磨取代が安定して得られていれば研磨クロスは交換さ
れないため、必ずしもそれによって低ＬＰＤ測定値を維
持できるわけではなく、測定の結果研磨クロスの使用回
数が嵩むにしたがって、ＬＰＤ測定値のばらつきが大き
くなり、低ＬＰＤ測定値を安定して維持できなかった。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、研磨クロ
スにより研磨して得られた半導体ウェハの低ＬＰＤ測定
値を維持することができる半導体ウェハの研磨クロスの
評価方法およびそれを用いた製造方法を提供することを
目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、研
磨クロスにより研磨して得られる半導体ウェハの製造方
法であって、研磨後の半導体ウェハを洗浄して乾燥した
後に、その研磨表面のＬＰＤ(Light Point Defect)を設
定粒子径以上のものについて測定し、その測定値が規定
値以上であった場合、次の研磨をする前に研磨クロスを
交換するようにしたものである。
【０００５】また、半導体ウェハの研磨クロスを評価す
るにあたり、該研磨クロスによる研磨を終了した半導体
ウェハについて、その研磨表面のＬＰＤ(Light Point D
efect)を設定粒子径以上のものについて測定し、その測
定値を指標として研磨クロスを評価するようにしたもの
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】研磨クロスにより研磨して得られ
た半導体ウェハの低ＬＰＤ測定値を維持するために、従
来の研磨クロスの交換がその研磨取代だけを基準として
判断されていたものを、ＬＰＤ測定も組み入れて、その
測定値をもう一つの判断基準とするものである。
【０００７】さらに具体的には、研磨を終了した半導体
ウェハについて、洗浄および乾燥をされた半導体ウェハ
の表面についてＬＰＤを測定する。測定においては粒子
径を設定し、その設定した粒子径について測定値が規定
値以上の分布になった場合に研磨クロスを交換するもの
である。
【０００８】この設定される粒子径については、ＬＰＤ
測定器の測定精度の向上、誤評価の防止または低ＬＰＤ
測定値を維持する等の目的を考慮すると、０．１２〜
０．１６μｍとすることが望ましい。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本実施例の半導体ウェハの製造方法を示す
フローチャート、図２は本発明に係る製造方法と従来技
術の製造方法によって得られる半導体ウェハのＬＰＤ値
の分布を比較するグラフである。図１に示すように、本
実施例の製造方法においては、まず研磨された半導体ウ
ェハを洗浄する。
【００１０】洗浄された半導体ウェハを乾燥させた後
に、ＬＰＤを測定する。この測定に当たってはその設定
粒子径を０．１２μｍとしている。次にその測定結果を
判断するにあたっては、たとえばその級数４を規定値と
し、これを越えた場合は研磨クロスを交換するものとす
る。
【００１１】ＬＰＤ測定値が規定値に達しなかった場合
は、従来と同様の半導体ウェハの研磨取代を測定して研
磨力を判断する。この研磨取代による判断は従来と同様
であり、研磨取代が規定値以下となった場合には研磨ク
ロスを交換するものとする。
【００１２】ＬＰＤ測定に使用された半導体ウェハにつ
いては、必要に応じて再洗浄および乾燥を行い製品とす
る。
【００１３】したがって、本実施例の製造方法によって
得られる半導体ウェハについては、図２に示すようにＬ
ＰＤ測定値を常に級数４以下に維持することができ、低
ＬＰＤの製品を安定して供給できる。
【００１４】尚、本実施例では洗浄工程後でこのＬＰＤ
測定をしていたが、本洗浄前に簡易洗浄をして、ＬＰＤ
測定を研磨後すぐに行うことにより、より速くＬＰＤ値
を知ることも可能である。
【００１５】また、本実施例では研磨クロスを交換する
時期の判断材料としてＬＰＤ値を使用していたが、新規
に使用する研磨クロスなどの良否を判断する半導体ウェ
ハの研磨クロスの評価手段としても有効である。
【００１６】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
研磨クロスにより研磨して得られる半導体ウェハのＬＰ
Ｄを常に低レベルに維持でき、高品質な半導体ウェハを
安定して供給できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の半導体ウェハの製造方法を示すフロ
ーチャートである。
【図２】本発明に係る製造方法と従来技術の製造方法に
よって得られる半導体ウェハのＬＰＤ値の分布を比較す
るグラフである。
【符号の説明】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 研磨クロスにより研磨して得られる半導
    体ウェハの製造方法であって、研磨後の半導体ウェハを
    洗浄して乾燥した後に、その研磨表面のＬＰＤ(Light P
    oint Defect)を設定粒子径以上のものについて測定し、
    その測定値が規定値以上であった場合、次の研磨をする
    前に研磨クロスを交換することを特徴とする半導体ウェ
    ハの製造方法。
  2. 【請求項２】 ＬＰＤ測定の設定粒子径が0.12μm 〜0.
    16μm であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
    ェハの製造方法。
  3. 【請求項３】 半導体ウェハの研磨クロスを評価するに
    あたり、該研磨クロスによる研磨を終了した半導体ウェ
    ハについて、その研磨表面のＬＰＤ(Light Point Defec
    t)を設定粒子径以上のものについて測定し、その測定値
    を指標として研磨クロスを評価することを特徴とする半
    導体ウェハの研磨クロスの評価方法
  4. 【請求項４】 ＬＰＤ測定の設定粒子径が0.12μm 〜0.
    16μm であることを特徴とする請求項３記載の半導体ウ
    ェハの研磨クロスの評価方法。
JP10057992A 1998-03-10 1998-03-10 半導体ウェハの研磨クロスの評価方法およびそれを用いた製造方法 Pending JPH11260769A (ja)

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US09/266,051 US6495465B2 (en) 1998-03-10 1999-03-10 Method for appraising the condition of a semiconductor polishing cloth

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TW408361B (en) 2000-10-11

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