JPH11258065A - Temperature detecting circuit - Google Patents
Temperature detecting circuitInfo
- Publication number
- JPH11258065A JPH11258065A JP7643298A JP7643298A JPH11258065A JP H11258065 A JPH11258065 A JP H11258065A JP 7643298 A JP7643298 A JP 7643298A JP 7643298 A JP7643298 A JP 7643298A JP H11258065 A JPH11258065 A JP H11258065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- temperature
- output
- reference voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、バンドギャップリ
フアレンス回路から得られる基準電圧を用いた温度検出
回路に関するものである。The present invention relates to a temperature detecting circuit using a reference voltage obtained from a band gap reference circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】バンドギャップリフアレンス回路（以
下、バンドギャップ回路という）から得られる基準電圧
を用いた温度検出回路の従来例は、図６の回路図に示し
てある。オペアンプ４、抵抗Ｒ１０、抵抗Ｒ１１により
非反転増幅回路が形成され、オペアンプ４にバンドギャ
ップ回路ＢＧの電圧が加えられており、オペアンプ４の
出力端子２にこの電圧を増幅した電圧が基準電圧ＶREF
として得られる。このような非反転増幅回路の構成は、
基準電圧発生回路の役割をする。出力端子２は、直列接
続されたダイオードＤ５、Ｄ６を経て定電流源Ｓ１に接
続しており、ダイオードＤ５、Ｄ６により基準電圧Ｖ
REF を下げた電圧がオペアンプ３に加えられる。2. Description of the Related Art A conventional example of a temperature detecting circuit using a reference voltage obtained from a band gap reference circuit (hereinafter referred to as a band gap circuit) is shown in a circuit diagram of FIG. Operational amplifier 4, resistors R10, the resistor non-inverting amplifier circuit is formed by R11, the voltage of the band gap circuit BG operational amplifier 4 has been added, the output terminal 2 to the amplified voltage is the reference voltage V REF to the voltage of the operational amplifier 4
Is obtained as The configuration of such a non-inverting amplifier circuit is as follows:
Serves as a reference voltage generating circuit. The output terminal 2 is connected to a constant current source S1 via diodes D5 and D6 connected in series.
The voltage whose REF has been lowered is applied to the operational amplifier 3.
【０００３】オペアンプ３、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７は別の
非反転増幅回路を形成しており、この回路は出力回路の
役割をする。バンドギャップ回路ＢＧの電圧は温度変化
の影響が少ないので、出力端子２の基準電圧ＶREF も温
度の影響が少ない。電流が一定のダイオードの両端電圧
は温度によって変化し、温度の上昇と共に小さくなる。
したがって、ダイオードＤ５、Ｄ６により基準電圧Ｖ
REF を下げることにより得られる電圧は温度の上昇と共
に高くなり、その電圧を加えられるオペアンプ３の出力
端子１に温度に対応する出力電圧ＶTEM が得られる。[0005] The operational amplifier 3, the resistor R6, and the resistor R7 form another non-inverting amplifier circuit, and this circuit serves as an output circuit. Since the voltage of the bandgap circuit BG is less affected by a temperature change, the reference voltage VREF of the output terminal 2 is also less affected by the temperature. The voltage across a diode with a constant current varies with temperature and decreases with increasing temperature.
Therefore, the reference voltage V is set by the diodes D5 and D6.
The voltage obtained by lowering REF increases as the temperature rises, and an output voltage V TEM corresponding to the temperature is obtained at the output terminal 1 of the operational amplifier 3 to which the voltage is applied.
【０００４】なお、図６で簡単に表示してあるバンドギ
ャップ回路ＢＧの具体的な回路図は図７に示してあり、
トランジスタＱ５、Ｑ６、Ｑ７、Ｑ８、Ｑ９、抵抗Ｒ１
２、Ｒ１３から形成されている。１０は電源電圧ＶCCが
加えられる電源端子、ＮはトランジスタＱ８のエミッタ
の数である。トランジスタＱ７とトランジスタＱ８のコ
レクタ電流が等しい場合、端子１１には（１）式に示す
バンドギャップ電圧ＶG が得られ、この電圧ＶG がオペ
アンプ４に加えられる。 ＶG ＝ＶR12 ＋ＶBE9 ＝｛Ｒ１２（ＶBE7 −ＶBE8 ）／Ｒ１３｝＋ＶBE9 ＝｛Ｒ１２・ＶT ・Ｌｎ（Ｎ）／Ｒ１３｝＋ＶBE9 （１） ただし、Ｒ１２、Ｒ１３は夫々抵抗Ｒ１２、Ｒ１３の抵
抗値、ＶBE7 、ＶBE8、ＶBE9 は夫々トランジスタＱ
７、Ｑ８、Ｑ９のベース・エミッタ間電圧、ＶTは熱電
圧、Ｌｎは自然対数、ＮはトランジスタＱ８のエミッタ
の数である。熱電圧ＶT の温度係数は(0.085mV/ ℃) で
正、ベース・エミッタ間電圧ＶBE9の温度係数は(-2mV/
℃) 程度で負であるので、（１）式における抵抗値Ｒ１
２、Ｒ１３を適当に選ぶことにより温度変化の影響の少
ないバンドギャップ電圧ＶGが得られる。[0004] A specific circuit diagram of the bandgap circuit BG, which is simply shown in FIG. 6, is shown in FIG.
Transistors Q5, Q6, Q7, Q8, Q9, resistor R1
2, R13. Reference numeral 10 denotes a power supply terminal to which the power supply voltage V CC is applied, and N denotes the number of emitters of the transistor Q8. If the collector current of the transistor Q7 and the transistor Q8 is equal, the terminal 11 obtained bandgap voltage V G shown in the expression (1), the voltage V G is applied to the operational amplifier 4. V G = V R12 + V BE9 = {R12 (V BE7 -V BE8) / R13} + V BE9 = {R12 · V T · Ln (N) / R13} + V BE9 (1) However, R12, R13 are each resistor R12 , R13, and V BE7 , V BE8 , and V BE9 are transistors Q, respectively.
7, Q8, Q9 base-emitter voltage of, V T is the thermal voltage, Ln is the natural logarithm, N is the number of the emitter of the transistor Q8. The temperature coefficient of the thermal voltage V T is (0.085mV / ° C) and positive, and the temperature coefficient of the base-emitter voltage V BE9 is (-2mV /
° C), the resistance R1 in the equation (1)
2, a small bandgap voltage V G of the influence of the temperature change is obtained by choosing R13 appropriately.
【０００５】しかしながら、バンドギャップ電圧ＶG か
ら完全に温度変化の影響を除くことは難しい。これは、
トランジスタＱ９のベース・エミッタ間電圧ＶBE9 が温
度変化に対してほぼ二乗特性に従ってわずかに変化する
ことによる。したがって、実際の基準電圧ＶREF と出力
電圧ＶTEM は図８と図９の特性図に示すように変化す
る。図８においては、基準電圧ＶREF が点線で表す一定
の電圧に対して高温側と低温側で低くなり、温度変化の
影響が現れる。図９においては、温度に対応する出力電
圧ＶTEM が点線で表すような直線に沿って変化するので
はなく、高温側と低温側で直線よりも上側、中央部分で
下側になるように湾曲して変化する。[0005] However, it is difficult to remove the effect of completely temperature change from the band gap voltage V G. this is,
This is because the base-emitter voltage V BE9 of the transistor Q9 slightly changes according to the temperature change according to the square characteristic. Therefore, the actual reference voltage V REF and the output voltage V TEM change as shown in the characteristic diagrams of FIGS. In FIG. 8, the reference voltage V REF becomes lower on a high temperature side and a low temperature side with respect to a constant voltage represented by a dotted line, and the influence of a temperature change appears. In FIG. 9, the output voltage V TEM corresponding to the temperature does not change along a straight line represented by a dotted line, but is curved so as to be higher than the straight line on the high temperature side and the low temperature side and lower on the center part. And change.
【０００６】なお、図８と図９の横軸の温度Ｔの範囲は
ほぼ−４０℃から１２０℃の範囲を表している。Ｔ1 は
基準電圧ＶREF が下がり始める近傍の温度である。出力
電圧ＶTEM が直線に沿って変化しないことは、基準電圧
ＶREF の変化とダイオードＤ５、Ｄ６の両端電圧が二乗
特性によって変化することの両方の影響を受ける。ダイ
オードＤ５、Ｄ６は通常はダイオード接続されたトラン
ジスタにより形成されるので、トランジスタのベース・
エミッタ間電圧の温度変化と同様の変化をすることはい
うまでもない。このように、従来のバンドギャップ回路
を用いた温度検出回路は出力電圧ＶTEM が直線性を維持
して変化しないので正確な温度を検出できない欠点があ
った。また、この種の温度検出回路は、サーモスタット
回路と称される設定された温度で出力の反転する回路の
一部を構成する場合が多いが、その際サーモスタット回
路の基準電圧を供給する。基準電圧ＶREF が温度の影響
を受けることはサーモスタット回路の動作の信頼性を低
くする欠点もあった。The range of the temperature T on the horizontal axis in FIGS. 8 and 9 represents a range of approximately -40.degree. C. to 120.degree. T 1 is the temperature near start lower the reference voltage V REF. The fact that the output voltage V TEM does not change along a straight line is affected by both the change in the reference voltage V REF and the change in the voltage across the diodes D5 and D6 due to the square characteristic. Since the diodes D5 and D6 are usually formed by diode-connected transistors, the bases of the transistors
Needless to say, the same change as the temperature change of the voltage between the emitters occurs. As described above, the conventional temperature detection circuit using the band gap circuit has a drawback that the output voltage V TEM does not change while maintaining the linearity, so that an accurate temperature cannot be detected. This type of temperature detection circuit often constitutes a part of a circuit called a thermostat circuit whose output is inverted at a set temperature, and at this time, supplies a reference voltage of the thermostat circuit. The fact that the reference voltage V REF is affected by the temperature also has a disadvantage that the reliability of the operation of the thermostat circuit is lowered.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、温度
変化に対してほぼ直線性を維持して変化する出力電圧を
得ることができ、正確な温度を検出できる温度検出回路
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a temperature detecting circuit which can obtain an output voltage which changes while maintaining substantially linearity with respect to a temperature change and can detect an accurate temperature. It is in.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の温度検出回路
は、バンドギャップリフアレンス回路を用いた基準電圧
発生回路、電流ミラー回路、出力回路を有しており、基
準電圧発生回路の出力側は並列接続された第１の抵抗並
びに第２の抵抗及び第１のダイオードの直列回路を経て
電流ミラー回路の入力側、第２のダイオードを経て出力
側に夫々接続し、第２のダイオードにより得られた電圧
が加えられる出力回路から温度に対応する出力電圧を得
ることを特徴とする。A temperature detecting circuit according to the present invention has a reference voltage generating circuit using a band gap reference circuit, a current mirror circuit, and an output circuit. It is connected to the input side of the current mirror circuit via the series circuit of the first resistor and the second resistor and the first diode connected in parallel, and to the output side via the second diode, respectively, and is obtained by the second diode. And obtaining an output voltage corresponding to the temperature from an output circuit to which the applied voltage is applied.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明では、基準電圧発生回路の
役割をする第１の非反転増幅回路と出力回路の役割をす
る第２の非反転増幅回路間に電流ミラー回路を接続し、
温度が上昇して基準電圧ＶREF が下がり始める近傍の温
度で第１の非反転増幅回路から電流ミラー回路の入力側
に第２の抵抗と第１のダイオードを経た電流を供給す
る。第２の抵抗の両端電圧が上がることにより、基準電
圧ＶREF の変化を阻止できる。また、電流ミラー回路の
入力側の電流が増加するので出力側の電流も増加し、第
２のダイオードによる電圧降下も大きくなるので、基準
電圧ＶREF から得られる電圧は下がる。この両方の作用
によって、出力電圧ＶTEM が直線から逸れることを防
ぎ、ほぼ直線に沿って増加するように補正することがで
きる。In the present invention, a current mirror circuit is connected between a first non-inverting amplifier circuit serving as a reference voltage generating circuit and a second non-inverting amplifier circuit serving as an output circuit,
At a temperature near the point where the temperature rises and the reference voltage V REF starts to fall, a current via the second resistor and the first diode is supplied from the first non-inverting amplifier circuit to the input side of the current mirror circuit. By increasing the voltage across the second resistor, the change in the reference voltage V REF can be prevented. Further, since the current on the input side of the current mirror circuit increases, the current on the output side also increases, and the voltage drop due to the second diode also increases, so that the voltage obtained from the reference voltage V REF decreases. By both actions, the output voltage V TEM can be prevented from deviating from the straight line, and can be corrected so as to increase substantially along the straight line.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の温度検出回路の実施例を示す
回路図である図１を参照しながら説明する。なお、図６
と同一部分は同じ符号を付与してある。図１において、
オペアンプ４の非反転入力端子にはバンドギャップ回路
ＢＧの電圧が加えられ、反転入力端子には抵抗Ｒ３が接
続されている。また、オペアンプ４の出力端子２と反転
入力端子は、直列接続された抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２を経て
接続される。このようなオペアンプ４、抵抗Ｒ１、抵抗
Ｒ２、抵抗Ｒ３は第１の非反転増幅回路を形成してお
り、基準電圧発生回路の役割をする。エミッタを接地さ
れたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２から電流ミラ
ー回路が形成されており、ダイオード接続された入力側
のトランジスタＱ１のコレクタは第１の抵抗Ｒ５を経て
出力端子２に接続する。また、トランジスタＱ１のコレ
クタは、直列接続されたダイオードＤ１、ダイオードＤ
２、さらに抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ１を経て出力端子２に接続
する。電流方向を一致させてあるダイオードＤ１、ダイ
オードＤ２は第１のダイオード、抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ１は
第２の抵抗を構成する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a temperature detecting circuit according to the present invention. FIG.
The same reference numerals are given to the same parts. In FIG.
The voltage of the bandgap circuit BG is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 4, and the resistor R3 is connected to the inverting input terminal. Further, the output terminal 2 and the inverting input terminal of the operational amplifier 4 are connected via the resistors R1 and R2 connected in series. The operational amplifier 4, the resistor R1, the resistor R2, and the resistor R3 form a first non-inverting amplifier circuit, and serve as a reference voltage generating circuit. A current mirror circuit is formed by the transistor Q1 and the transistor Q2 whose emitters are grounded. The collector of the diode-connected transistor Q1 on the input side is connected to the output terminal 2 via the first resistor R5. The collector of the transistor Q1 is connected to a diode D1 and a diode D1 connected in series.
2, and further connected to the output terminal 2 via the resistors R4 and R1. Diodes D1 and D2 having the same current direction constitute a first diode, and resistors R4 and R1 constitute a second resistor.
【００１１】つまり、電流ミラー回路の入力側の電流は
並列接続された抵抗Ｒ５並びにダイオードＤ１、Ｄ２及
び抵抗Ｒ１、Ｒ４の直列回路を経て供給される。出力側
のトランジスタＱ２のコレクタは直列接続されたダイオ
ードＤ３、ダイオードＤ４を経て出力端子２に接続す
る。電流方向を一致させたダイオードＤ３、ダイオード
Ｄ４は、第２のダイオードを構成する。ダイオードＤ４
のカソードがオペアンプ３の非反転入力端子に接続す
る。オペアンプ３は、その出力端子１と反転入力端子間
が抵抗Ｒ６を経て接続され、また反転入力端子が抵抗Ｒ
７を経て接地されており、第２の非反転増幅回路を形成
する。第２の非反転増幅回路は出力回路の役割をする。
なお、出力端子１はオペアンプ３の出力端子であると共
に温度検出回路の出力端子でもある。That is, the current on the input side of the current mirror circuit is supplied via a resistor R5 connected in parallel and a series circuit of diodes D1, D2 and resistors R1, R4. The collector of the transistor Q2 on the output side is connected to the output terminal 2 via the diodes D3 and D4 connected in series. The diode D3 and the diode D4 whose current directions are matched constitute a second diode. Diode D4
Is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3. The operational amplifier 3 has an output terminal 1 connected to an inverting input terminal via a resistor R6, and an inverting input terminal connected to a resistor R6.
7 and grounded to form a second non-inverting amplifier circuit. The second non-inverting amplifier serves as an output circuit.
The output terminal 1 is an output terminal of the operational amplifier 3 and an output terminal of the temperature detection circuit.
【００１２】次に、このように構成された温度検出回路
の動作を説明する。基準電圧ＶREF が比較的に温度の影
響を受けることのない温度範囲、つまり図８の中央部分
の温度範囲では、電流ミラー回路の入力側には抵抗Ｒ５
を経て一定の電流が供給される。基準電圧ＶREF が変化
しないし、オペアンプ３の非反転入力端子にはダイオー
ドＤ３とダイオードＤ４の夫々の両端電圧の和だけ基準
電圧ＶREF よりも低い電圧が加えられており、しかもそ
の両端電圧は温度により直線性を維持しながら低下する
温度範囲にある。したがって、非反転入力端子の電圧は
温度が上昇するにつれて高くなり、出力電圧ＶTEM も同
じように変化する。Next, the operation of the temperature detection circuit thus configured will be described. In a temperature range in which the reference voltage V REF is relatively unaffected by temperature, that is, in the temperature range in the central part of FIG. 8, the resistor R5 is connected to the input side of the current mirror circuit.
, A constant current is supplied. The reference voltage V REF does not change, and a voltage lower than the reference voltage V REF is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3 by the sum of the voltages at both ends of the diode D3 and the diode D4. It is in a temperature range that decreases while maintaining linearity with temperature. Therefore, the voltage at the non-inverting input terminal increases as the temperature increases, and the output voltage V TEM changes similarly.
【００１３】しかし、温度が上昇して従来の回路で基準
電圧ＶREF が下がり始める近傍の温度である温度Ｔ1 で
は、ダイオードＤ１のアノードとダイオードＤ２のカソ
ード間の電圧が両方のダイオードのしきい値電圧の和を
越えるようにしてある。このことにより、温度Ｔ1 を越
えると、電流ミラー回路の入力側には抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ
４、ダイオードＤ１、Ｄ２の直列回路を経て供給される
電流が抵抗Ｒ５を経て供給されていた電流に加わる。そ
して、第１の抵抗を構成するオペアンプ４の帰還用の抵
抗Ｒ１の両端電圧を大きくする。これらの様子は、図２
の抵抗Ｒ４を流れる電流ＩR4の特性図、図３の抵抗Ｒ１
の両端電圧ＶR1の特性図として示してある。抵抗Ｒ１の
両端電圧ＶR1が大きくなることにより、基準電圧ＶREF
の低下を阻止できる。また、出力側に接続されたダイオ
ードＤ３、Ｄ４の電流も増加するので、両方のダイオー
ドによる電圧降下は大きくなる。このことにより、オペ
アンプ３の非反転入力端子の電圧が直線を離れて上がる
ことを阻止できる。[0013] However, the temperatures T 1 is a temperature near start lower the reference voltage V REF in the conventional circuit the temperature rises, the voltage between the cathode of the anode and the diode D2 of the diode D1 of both diode threshold It exceeds the sum of the voltage values. Thus, if it exceeds the temperature T 1, resistors on the input side of the current mirror circuit R1, the resistor R
4. The current supplied through the series circuit of the diodes D1 and D2 is added to the current supplied through the resistor R5. Then, the voltage across the feedback resistor R1 of the operational amplifier 4 forming the first resistor is increased. These are shown in Figure 2
Of the current I R4 flowing through the resistor R4 of FIG.
Is shown as a characteristic diagram of the voltage V R1 between both ends. When the voltage V R1 across the resistor R1 increases, the reference voltage V REF
Can be prevented from decreasing. Further, the current of the diodes D3 and D4 connected to the output side also increases, so that the voltage drop due to both diodes increases. This prevents the voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3 from rising off the straight line.
【００１４】本発明では、このようにして基準電圧Ｖ
REF の温度による変化をほぼ完全に阻止し、また出力回
路の役割をする第２の非反転増幅回路の入力電圧を温度
変化に対して直線性を維持して変化させることにより、
出力電圧ＶTEM も温度変化に対して直線性を維持して変
化するようにできる。図４と図５は、本発明における温
度変化に対する基準電圧ＶREF と出力電圧ＶTEM を示す
特性図である。なお、基準電圧発生回路と出力回路は非
反転増幅回路により形成したが、他の回路を用いること
もできる。In the present invention, the reference voltage V
By substantially completely preventing the change of REF due to the temperature, and changing the input voltage of the second non-inverting amplifier circuit serving as the output circuit while maintaining the linearity with respect to the temperature change,
The output voltage V TEM can be changed while maintaining the linearity with respect to the temperature change. 4 and 5 are characteristic diagrams showing the reference voltage V REF and the output voltage V TEM with respect to a temperature change in the present invention. Although the reference voltage generating circuit and the output circuit are formed by a non-inverting amplifier circuit, other circuits can be used.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上述べたように本発明の温度検出回路
は、基準電圧発生回路と出力回路間に電流ミラー回路を
接続してあり、出力電圧が直線から離れて上昇する温度
ではその入力側の電流を増加して基準電圧の変化を阻止
し、同時に出力回路の入力電圧の上昇を防ぐことにより
出力電圧の直線性を維持できるようにしてある。電流ミ
ラー回路の入力側の電流の増加は、並列接続された第１
の抵抗並びに第２の抵抗及び第１のダイオードの直列回
路により入力側の電流を供給し、温度の上昇により直列
回路からの電流が加わることにより行われる。このこと
により、温度に対応する出力電圧を直線性を維持した状
態で得ることができ、正確な温度の検出が可能になる。
また、基準電圧の温度による変化を阻止できることによ
り、サーモスタット回路等の基準電圧を供給される回路
の動作の信頼性を向上できる利点もある。As described above, in the temperature detecting circuit of the present invention, the current mirror circuit is connected between the reference voltage generating circuit and the output circuit. To prevent the reference voltage from changing, and at the same time prevent the input voltage of the output circuit from rising, thereby maintaining the linearity of the output voltage. The increase in the current on the input side of the current mirror circuit is caused by the first connected in parallel.
And a series circuit of the second resistor and the first diode supplies a current on the input side, and the current from the series circuit is added due to a rise in temperature. As a result, an output voltage corresponding to the temperature can be obtained while maintaining the linearity, and accurate temperature detection can be performed.
Further, since the change in the reference voltage due to the temperature can be prevented, there is an advantage that the reliability of operation of a circuit to which the reference voltage is supplied, such as a thermostat circuit, can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】 本発明の温度検出回路の実施例を示す回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a temperature detection circuit according to the present invention.
【図２】 本発明の温度検出回路の電流を示す特性図で
ある。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a current of the temperature detection circuit of the present invention.
【図３】 本発明の温度検出回路の電圧を示す特性図で
ある。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a voltage of a temperature detection circuit according to the present invention.
【図４】 本発明の温度検出回路の基準電圧を示す特性
図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a reference voltage of the temperature detection circuit of the present invention.
【図５】 本発明の温度検出回路の出力電圧を示す特性
図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing an output voltage of the temperature detection circuit of the present invention.
【図６】 従来の温度検出回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional temperature detection circuit.
【図７】 バンドギャップ回路の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a band gap circuit.
【図８】 従来の温度検出回路の基準電圧を示す特性図
である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing a reference voltage of a conventional temperature detection circuit.
【図９】 従来の温度検出回路の出力電圧を示す特性図
である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing an output voltage of a conventional temperature detection circuit.
１ 出力端子 ２ 端子 ３ オペアンプ ４ オペアンプ ＢＧ バンドギャップ回路 1 output terminal 2 terminal 3 operational amplifier 4 operational amplifier BG band gap circuit
Claims (3)
た基準電圧発生回路、電流ミラー回路、出力回路を有し
ており、基準電圧発生回路の出力側は並列接続された第
１の抵抗並びに第２の抵抗及び第１のダイオードの直列
回路を経て電流ミラー回路の入力側、第２のダイオード
を経て出力側に夫々接続し、第２のダイオードにより得
られた電圧が加えられる出力回路から温度に対応する出
力電圧を得ることを特徴とする温度検出回路。1. A reference voltage generating circuit using a band gap reference circuit, a current mirror circuit, and an output circuit, wherein the output side of the reference voltage generating circuit has a first resistor and a second resistor connected in parallel. The input side of the current mirror circuit is connected through a series circuit of a resistor and a first diode, and the output side is connected through a second diode, respectively, and the voltage obtained by the second diode corresponds to the temperature from the output circuit to which the voltage is applied. A temperature detection circuit for obtaining an output voltage.
準電圧を得る第１の非反転増幅回路、電流ミラー回路、
第２の非反転増幅回路を有しており、第１の非反転増幅
回路の出力側は並列接続された第１の抵抗並びに第２の
抵抗及び第１のダイオードの直列回路を経て電流ミラー
回路の入力側、第２のダイオードを経て出力側に夫々接
続し、第２のダイオードにより得られた電圧が加えられ
る第２の非反転増幅回路から温度に対応する出力電圧を
得ることを特徴とする温度検出回路。2. A first non-inverting amplifier circuit for obtaining a reference voltage from a band gap reference circuit, a current mirror circuit,
An output side of the first non-inverting amplifier circuit is connected to a current mirror circuit via a first resistor connected in parallel and a series circuit of the second resistor and the first diode; And an output voltage corresponding to the temperature is obtained from a second non-inverting amplifier circuit to which a voltage obtained by the second diode is applied, respectively, which is connected to an input side and an output side via a second diode. Temperature detection circuit.
第１の非反転増幅回路の帰還抵抗が兼用されている請求
項２の温度検出回路。3. As part of a first resistor of the series circuit,
3. The temperature detection circuit according to claim 2, wherein the feedback resistance of the first non-inverting amplifier circuit is also used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7643298A JP3315921B2 (en) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Temperature detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7643298A JP3315921B2 (en) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Temperature detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258065A true JPH11258065A (en) | 1999-09-24 |
| JP3315921B2 JP3315921B2 (en) | 2002-08-19 |
Family
ID=13605004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7643298A Expired - Fee Related JP3315921B2 (en) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Temperature detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315921B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187558A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Ricoh Co Ltd | Temperature detection circuit |
| JP2007187559A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Ricoh Co Ltd | Temperature detection circuit |
| JP2009257790A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Nec Electronics Corp | Temperature sensor circuit |
| JP2010203978A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | Temperature sensor, and oscillation circuit having the same |
| JP2011232831A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | Reference voltage generation circuit, and driving device, print head and image formation device using the same |
| US8061894B2 (en) | 2006-08-02 | 2011-11-22 | Renesas Electronics Corporation | Temperature detection circuit and semiconductor device |
| JP2013183595A (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| CN111240391A (en) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | Low-power-supply-voltage large-slope temperature sensor circuit |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP7643298A patent/JP3315921B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187558A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Ricoh Co Ltd | Temperature detection circuit |
| JP2007187559A (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Ricoh Co Ltd | Temperature detection circuit |
| US8061894B2 (en) | 2006-08-02 | 2011-11-22 | Renesas Electronics Corporation | Temperature detection circuit and semiconductor device |
| JP2009257790A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Nec Electronics Corp | Temperature sensor circuit |
| JP2010203978A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | Temperature sensor, and oscillation circuit having the same |
| JP2011232831A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | Reference voltage generation circuit, and driving device, print head and image formation device using the same |
| US8451306B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-05-28 | Oki Data Corporation | Reference voltage generation circuit, drive device, print head, and image forming apparatus |
| JP2013183595A (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| US9300198B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-03-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, including temperature sensing circut |
| CN111240391A (en) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | Low-power-supply-voltage large-slope temperature sensor circuit |
| CN111240391B (en) * | 2020-01-16 | 2021-09-07 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | Low-power-supply-voltage large-slope temperature sensor circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3315921B2 (en) | 2002-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003076886A1 (en) | Semiconductor device, temperature sensor, and electronic apparatus comprising it | |
| JP3315921B2 (en) | Temperature detection circuit | |
| JPH0522929B2 (en) | ||
| JPS62191907A (en) | Semiconductor circuit | |
| KR20040086217A (en) | Voltage detection circuit | |
| JP4395412B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| TW202303330A (en) | Reference current/ voltage generator and circuit system | |
| JPH09105763A (en) | Comparator circuit | |
| JPH05100757A (en) | Reference voltage generating circuit | |
| JP2000065872A (en) | Voltage detection circuit | |
| JP2729071B2 (en) | Constant current circuit | |
| JP3091520B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| JP3400354B2 (en) | Current source circuit | |
| JP3526484B2 (en) | High input impedance circuit | |
| JP2754824B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| JPH0588767A (en) | Band gap reference circuit | |
| JP2000293244A (en) | Dc stabilization power unit | |
| JP3403054B2 (en) | Temperature characteristic correction circuit | |
| JP4163861B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2980783B2 (en) | Current detection circuit and constant voltage power supply circuit using the same | |
| JPH04366737A (en) | Temperature sensor circuit | |
| JP4729099B2 (en) | Semiconductor device, temperature sensor, and electronic apparatus using the same | |
| JPH0435776Y2 (en) | ||
| JPH022545B2 (en) | ||
| JPH0789304B2 (en) | Reference voltage circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |