JPH11252465A - 固体撮像装置とその駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置とその駆動方法Info
- Publication number
- JPH11252465A JPH11252465A JP10050381A JP5038198A JPH11252465A JP H11252465 A JPH11252465 A JP H11252465A JP 10050381 A JP10050381 A JP 10050381A JP 5038198 A JP5038198 A JP 5038198A JP H11252465 A JPH11252465 A JP H11252465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- output
- solid
- photoelectric conversion
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 283
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 136
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 60
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換素子に照射された光量を、高速に且
つ正確に読み出すことができる構成のＭＯＳ型固体撮像
装置およびその駆動方法とを提供する。 【解決手段】 マトリックス状に配列された光電変換素
子セルアレイ１０を有する固体撮像装置１００であっ
て、第１及び第２の信号線１５、１９の何れか一方の信
号線と信号線を駆動する所定の選択回路１７又は２７と
の間に、各信号線毎に、他方の信号線に於ける選択され
た複数の信号線に接続される複数個の光電変換素子セル
１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）のそれぞれの光
受光量情報を個別に読み出す光受光量検出手段５０を含
む複数信号線光受光量値記憶手段３０及び検出された光
受光量情報を個別に出力手段３５に選択的に伝達するス
イッチ手段５２とが設けられている固体撮像装置１０
０。
つ正確に読み出すことができる構成のＭＯＳ型固体撮像
装置およびその駆動方法とを提供する。 【解決手段】 マトリックス状に配列された光電変換素
子セルアレイ１０を有する固体撮像装置１００であっ
て、第１及び第２の信号線１５、１９の何れか一方の信
号線と信号線を駆動する所定の選択回路１７又は２７と
の間に、各信号線毎に、他方の信号線に於ける選択され
た複数の信号線に接続される複数個の光電変換素子セル
１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）のそれぞれの光
受光量情報を個別に読み出す光受光量検出手段５０を含
む複数信号線光受光量値記憶手段３０及び検出された光
受光量情報を個別に出力手段３５に選択的に伝達するス
イッチ手段５２とが設けられている固体撮像装置１０
０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は撮像装置、更に詳
しくはＭＯＳ型固体撮像装置に於ける、マトリックス状
に配列された光電変換素子から照射された光量を読み出
す回路と、その読み出し方法に特徴があり、特に詳しく
は、高速に光電変換素子からの照射された光量を読み出
す必要のある、視角センサー、高速撮影用カメラ等に用
いるのに適したＭＯＳ型固体撮像装置と、その駆動方法
に関するものである。
しくはＭＯＳ型固体撮像装置に於ける、マトリックス状
に配列された光電変換素子から照射された光量を読み出
す回路と、その読み出し方法に特徴があり、特に詳しく
は、高速に光電変換素子からの照射された光量を読み出
す必要のある、視角センサー、高速撮影用カメラ等に用
いるのに適したＭＯＳ型固体撮像装置と、その駆動方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来のＭＯＳ型固体撮像装置の回
路図である。また図１０は、図９に示すＭＯＳ型固体撮
像装置の、マトリックス状に配列された光電変換素子か
らの照射された光量を読み出すための信号タイミング図
である。まず図９を用いて、従来のＭＯＳ型固体撮像装
置の回路について説明する。
路図である。また図１０は、図９に示すＭＯＳ型固体撮
像装置の、マトリックス状に配列された光電変換素子か
らの照射された光量を読み出すための信号タイミング図
である。まず図９を用いて、従来のＭＯＳ型固体撮像装
置の回路について説明する。
【０００３】図９に示す従来のＭＯＳ型固体撮像装置１
００は、マトリックス状に配列されたｍ行、ｎ列の光電
変換素子セル１４（ｍ，ｎ）から構成されており、それ
ぞれの光電変換素子セル１４（ｍ，ｎ）は、光電変換素
子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…
ｎ）と、これらの光電変換素子１１（ｉ，ｊ）のそれぞ
れに、ソースが接続されている垂直スイッチ用の第１の
エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ１
３（ｉ，ｊ）( ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）
とから構成されている。
００は、マトリックス状に配列されたｍ行、ｎ列の光電
変換素子セル１４（ｍ，ｎ）から構成されており、それ
ぞれの光電変換素子セル１４（ｍ，ｎ）は、光電変換素
子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…
ｎ）と、これらの光電変換素子１１（ｉ，ｊ）のそれぞ
れに、ソースが接続されている垂直スイッチ用の第１の
エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ１
３（ｉ，ｊ）( ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）
とから構成されている。
【０００４】そして、当該ｍ行、ｎ列の光電変換素子セ
ル１４（ｍ，ｎ）によって光電変換素子セルアレイ１０
が構成されている。この垂直スイッチ用第１のＭＯＳト
ランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、
第１の信号線１５（ｉ）（ｉ＝１，２，…ｍ）つまり垂
直ゲート線１５（ｉ）によって１行ごとに共通接続さ
れ、各第１の信号線１５（ｉ）は垂直シフトレジスタ回
路１７、つまり垂直走査回路１７に接続されている。
ル１４（ｍ，ｎ）によって光電変換素子セルアレイ１０
が構成されている。この垂直スイッチ用第１のＭＯＳト
ランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、
第１の信号線１５（ｉ）（ｉ＝１，２，…ｍ）つまり垂
直ゲート線１５（ｉ）によって１行ごとに共通接続さ
れ、各第１の信号線１５（ｉ）は垂直シフトレジスタ回
路１７、つまり垂直走査回路１７に接続されている。
【０００５】また、垂直スイッチ用の第１のエンハンス
メント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，
ｊ）のそれぞれのドレイン端子は、第２の信号線１９
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）、つまり垂直信号線１９
（ｊ）によって、１列ごとに共通接続されている。さら
に第２の信号線１９（ｊ）つまり垂直信号線１９（ｊ）
は、それぞれ、水平スイッチ用の第２のエンハンスメン
ト型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）（ｊ＝
１，２，…ｎ）のソースに接続し、この水平スイッチ用
の第２のＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）のドレインは全
て共通の、水平信号出力線である第３の信号線２３に接
続している。
メント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，
ｊ）のそれぞれのドレイン端子は、第２の信号線１９
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）、つまり垂直信号線１９
（ｊ）によって、１列ごとに共通接続されている。さら
に第２の信号線１９（ｊ）つまり垂直信号線１９（ｊ）
は、それぞれ、水平スイッチ用の第２のエンハンスメン
ト型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）（ｊ＝
１，２，…ｎ）のソースに接続し、この水平スイッチ用
の第２のＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）のドレインは全
て共通の、水平信号出力線である第３の信号線２３に接
続している。
【０００６】水平スイッチ用の第２のＭＯＳトランジス
タ２１（ｊ）のそれぞれのゲート端子は、水平ゲート線
である第４の接続線２５（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）を
介して水平走査回路である、水平シフトレジスタ回路２
７に接続している。又、水平信号出力線である第３の信
号線２３は、信号増幅器２９の入力と、読み出し用負荷
抵抗３１の一端と接続し、読み出し用負荷抵抗３１のも
う一端は、定電圧ＶＭの電源３３と接続する。信号増幅
器２９の出力は、出力信号線３５に接続している。
タ２１（ｊ）のそれぞれのゲート端子は、水平ゲート線
である第４の接続線２５（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）を
介して水平走査回路である、水平シフトレジスタ回路２
７に接続している。又、水平信号出力線である第３の信
号線２３は、信号増幅器２９の入力と、読み出し用負荷
抵抗３１の一端と接続し、読み出し用負荷抵抗３１のも
う一端は、定電圧ＶＭの電源３３と接続する。信号増幅
器２９の出力は、出力信号線３５に接続している。
【０００７】次に、第９図を用いてこのＭＯＳ型固体撮
像装置に照射された光量を読み出す動作について説明す
る。まず、このＭＯＳ型固体撮像装置に照射された光量
を読み出す前に各光電変換素子１１（ｉ，ｊ）と、各第
１のＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のソース接続点
の電位は、定電圧ＶＭに固定されている。
像装置に照射された光量を読み出す動作について説明す
る。まず、このＭＯＳ型固体撮像装置に照射された光量
を読み出す前に各光電変換素子１１（ｉ，ｊ）と、各第
１のＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のソース接続点
の電位は、定電圧ＶＭに固定されている。
【０００８】この状態で、光が照射されると、各光電変
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため各第１のＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，
ｊ）のソースの電位が光の量に比例して定電圧ＶＭより
下がる。次に、垂直走査回路である、垂直シフトレジス
タ回路１７により、垂直ゲート線である第１の信号線１
５（１）〜１５（ｍ）のうち、ｉ＝１のみに正電圧を加
えると、ｎ個の第１のＭＯＳトランジスタ１３（１，
１）〜１３（１，ｎ）がＯＮして導通するため、ｎ個の
当該第１のＭＯＳトランジスタ１３（１，１) 〜１３
（１，ｎ）のソース電位が、それぞれｎ本の垂直信号線
である第２の信号線１９（１）〜１９（ｎ）に現れる。
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため各第１のＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，
ｊ）のソースの電位が光の量に比例して定電圧ＶＭより
下がる。次に、垂直走査回路である、垂直シフトレジス
タ回路１７により、垂直ゲート線である第１の信号線１
５（１）〜１５（ｍ）のうち、ｉ＝１のみに正電圧を加
えると、ｎ個の第１のＭＯＳトランジスタ１３（１，
１）〜１３（１，ｎ）がＯＮして導通するため、ｎ個の
当該第１のＭＯＳトランジスタ１３（１，１) 〜１３
（１，ｎ）のソース電位が、それぞれｎ本の垂直信号線
である第２の信号線１９（１）〜１９（ｎ）に現れる。
【０００９】次に、水平走査回路である水平シフトレジ
スタ回路２７により、ｎ個の水平ゲート線である第４の
接続線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧パルスを
与えると、ｎ個の水平スイッチ用の第２のＭＯＳトラン
ジスタ２１（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦ
の動作を行い、ｎ個の垂直スイッチ用の第１のＭＯＳト
ランジスタ１３（１，１）〜１３（１，ｎ）のソース電
位は、垂直信号線である第２の信号線１９（１）〜１９
（ｎ）より、第２のＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２
１（ｎ）を介して順番に水平信号出力線である第３の信
号線２３に現れる。
スタ回路２７により、ｎ個の水平ゲート線である第４の
接続線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧パルスを
与えると、ｎ個の水平スイッチ用の第２のＭＯＳトラン
ジスタ２１（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦ
の動作を行い、ｎ個の垂直スイッチ用の第１のＭＯＳト
ランジスタ１３（１，１）〜１３（１，ｎ）のソース電
位は、垂直信号線である第２の信号線１９（１）〜１９
（ｎ）より、第２のＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２
１（ｎ）を介して順番に水平信号出力線である第３の信
号線２３に現れる。
【００１０】このとき、第３の信号線２３には読み出し
用負荷抵抗３１を介して、定電圧ＶＭの電源３３と接続
しているので、光の照射によって降下した電圧に比例し
た電流が流れ込む。この電流は、読み出し用負荷抵抗３
１にて電圧変換され、第３の信号線２３に接続されてい
る信号増幅器２９により増幅され、出力信号線３５へ出
力される。このようにして各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を電圧値として
知ることができる。
用負荷抵抗３１を介して、定電圧ＶＭの電源３３と接続
しているので、光の照射によって降下した電圧に比例し
た電流が流れ込む。この電流は、読み出し用負荷抵抗３
１にて電圧変換され、第３の信号線２３に接続されてい
る信号増幅器２９により増幅され、出力信号線３５へ出
力される。このようにして各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を電圧値として
知ることができる。
【００１１】次に、垂直シフトレジスタ回路１７によ
り、第１の信号線１５（１）〜１５（ｎ）のうち、ｉ＝
２のみに正電圧を加えてｎ個の垂直スイッチ用の第１の
ＭＯＳトランジスタ１３（２，１）〜１３（２，ｎ）を
導通させて、上記の手順を繰り返すことにより、ｎ個の
光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射さ
れた光量を知ることができる。
り、第１の信号線１５（１）〜１５（ｎ）のうち、ｉ＝
２のみに正電圧を加えてｎ個の垂直スイッチ用の第１の
ＭＯＳトランジスタ１３（２，１）〜１３（２，ｎ）を
導通させて、上記の手順を繰り返すことにより、ｎ個の
光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射さ
れた光量を知ることができる。
【００１２】このように、垂直トランジスタ回路１７か
ら順次にｍ個の正電圧のパルスを第１の信号線１５
（ｉ）へ出力し、このそれぞれのパルスが正電圧の間
に、水平シフトレジスタ回路２７より、順次にｎ個の正
電圧のパルスを出力することで、すべての光電変換素子
１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を知
ることができる。
ら順次にｍ個の正電圧のパルスを第１の信号線１５
（ｉ）へ出力し、このそれぞれのパルスが正電圧の間
に、水平シフトレジスタ回路２７より、順次にｎ個の正
電圧のパルスを出力することで、すべての光電変換素子
１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を知
ることができる。
【００１３】第１０図は、上述の光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を読み出
す場合の動作タイミングを説明する図である。上述した
動作を第１０図を用いて説明する。垂直シフトレジスタ
回路１７より、パルス幅Ｔｖ３７の正電位パルスが、垂
直ゲート線である第１の信号線１５（１）に出力され
る。
（１，１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を読み出
す場合の動作タイミングを説明する図である。上述した
動作を第１０図を用いて説明する。垂直シフトレジスタ
回路１７より、パルス幅Ｔｖ３７の正電位パルスが、垂
直ゲート線である第１の信号線１５（１）に出力され
る。
【００１４】この第１の信号線１５（１）がハイレベル
であるＴｖ３７の期間に、水平走査回路である水平シフ
トレジスタ回路２７より、周期Ｗｈ４０の時間でロウレ
ベルからハイレベルになり、再びロウレベルへと変化す
る正電位パルス幅Ｔｈ３９のパルスが、水平ゲート線で
ある第４の信号線２５（１）〜２５（ｎ）に順次出力さ
れる。
であるＴｖ３７の期間に、水平走査回路である水平シフ
トレジスタ回路２７より、周期Ｗｈ４０の時間でロウレ
ベルからハイレベルになり、再びロウレベルへと変化す
る正電位パルス幅Ｔｈ３９のパルスが、水平ゲート線で
ある第４の信号線２５（１）〜２５（ｎ）に順次出力さ
れる。
【００１５】信号増幅回路２９の入力である第３の信号
線２３には、各水平ゲート線である第４の信号線２５
（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってから、Ｔａ４
１時間後に各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，
ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧があらわれる。
そして信号増幅回路２９の出力信号線３５に出力され、
光電変換素子に照射された光量を読み出しする。
線２３には、各水平ゲート線である第４の信号線２５
（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってから、Ｔａ４
１時間後に各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，
ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧があらわれる。
そして信号増幅回路２９の出力信号線３５に出力され、
光電変換素子に照射された光量を読み出しする。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＯＳ型固体撮
像装置は上述したように構成されて、光電変換素子に照
射された光量を読み出しており、光電変換素子１１
（ｉ，ｊ）に照射された光量に比例した電流が、垂直ス
イッチ用第２のＭＯＳトランジスタ２１（ｉ）が順次オ
ンし、更に水平スイッチ用の第２のＭＯＳトランジスタ
２１（ｉ）が順番にＯＮすることにより、読み出し用負
荷抵抗３１と順次接続されて電圧変換される。
像装置は上述したように構成されて、光電変換素子に照
射された光量を読み出しており、光電変換素子１１
（ｉ，ｊ）に照射された光量に比例した電流が、垂直ス
イッチ用第２のＭＯＳトランジスタ２１（ｉ）が順次オ
ンし、更に水平スイッチ用の第２のＭＯＳトランジスタ
２１（ｉ）が順番にＯＮすることにより、読み出し用負
荷抵抗３１と順次接続されて電圧変換される。
【００１７】つまり、１個の光電変換素子１１（ｉ，
ｊ）の光量に比例した電流が電圧変換される読み出しス
ピードをＴａ４１とすると、１行の光電変換素子１１
（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）の、光量に比例した電流が
電圧変換される読み出し時間は、Ｔａ４１×ｎ時間とな
る。つまり、ＭＯＳ型固体撮像装置の全光電変換素子１
１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を読み
出す時間は、（Ｔａ４１×ｎ）×ｍ時間以上必要とな
る。
ｊ）の光量に比例した電流が電圧変換される読み出しス
ピードをＴａ４１とすると、１行の光電変換素子１１
（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）の、光量に比例した電流が
電圧変換される読み出し時間は、Ｔａ４１×ｎ時間とな
る。つまり、ＭＯＳ型固体撮像装置の全光電変換素子１
１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を読み
出す時間は、（Ｔａ４１×ｎ）×ｍ時間以上必要とな
る。
【００１８】ここで、Ｔａ４１＜Ｔｈ３９となるように
設定しなければならないので、全光電変換素子１１
（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を読み出
す時間は、（Ｔｈ３９×ｎ）×ｍ時間以上必要となる。
Ｔａ４１は、垂直スイッチ用第１のＭＯＳトランジスタ
１３（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために、時間が長くな
り、このためＭＯＳ型固体撮像装置１００すべての光電
変換素子１１（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）に照射された
光量を読み出すには、非常に時間がかかるという問題が
あった。
設定しなければならないので、全光電変換素子１１
（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照射された光量を読み出
す時間は、（Ｔｈ３９×ｎ）×ｍ時間以上必要となる。
Ｔａ４１は、垂直スイッチ用第１のＭＯＳトランジスタ
１３（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために、時間が長くな
り、このためＭＯＳ型固体撮像装置１００すべての光電
変換素子１１（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）に照射された
光量を読み出すには、非常に時間がかかるという問題が
あった。
【００１９】そこで、本発明の目的は、上記した従来技
術の欠点を改良し、固体撮像装置、特にはＭＯＳ型固体
撮像装置に於けるすべての光電変換素子に照射された光
量を、高速にかつ正確に読み出すことができる固体撮像
装置、特にはＭＯＳ型固体撮像装置を提供するものであ
り、更には、ＭＯＳ型固体撮像装置に於けるすべての光
電変換素子に照射された光量を、高速にかつ正確に読み
出すことができる固体撮像装置の駆動方法を提供するも
のである。
術の欠点を改良し、固体撮像装置、特にはＭＯＳ型固体
撮像装置に於けるすべての光電変換素子に照射された光
量を、高速にかつ正確に読み出すことができる固体撮像
装置、特にはＭＯＳ型固体撮像装置を提供するものであ
り、更には、ＭＯＳ型固体撮像装置に於けるすべての光
電変換素子に照射された光量を、高速にかつ正確に読み
出すことができる固体撮像装置の駆動方法を提供するも
のである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る当該固体撮像装置の
第１の態様としては、第１の信号線、当該第１の信号線
と交差してマトリックス状に配置されている第２の信号
線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択
回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選
択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部
近傍に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複
数個の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの
個々の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから
構成された固体撮像装置であって、当該第１及び第２の
信号線の何れか一方の信号線と当該信号線を駆動する所
定の当該選択回路との間に、当該各信号線毎に、他方の
信号線に於ける選択された複数の信号線に接続される当
該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報
を個別に読みだす光受光量検出手段を含む複数信号線光
受光量値記憶手段及び当該検出された当該光受光量情報
を個別に当該出力手段に選択的に伝達するスイッチ手段
とが設けられている固体撮像装置である。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る当該固体撮像装置の
第１の態様としては、第１の信号線、当該第１の信号線
と交差してマトリックス状に配置されている第２の信号
線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択
回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選
択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部
近傍に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複
数個の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの
個々の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから
構成された固体撮像装置であって、当該第１及び第２の
信号線の何れか一方の信号線と当該信号線を駆動する所
定の当該選択回路との間に、当該各信号線毎に、他方の
信号線に於ける選択された複数の信号線に接続される当
該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報
を個別に読みだす光受光量検出手段を含む複数信号線光
受光量値記憶手段及び当該検出された当該光受光量情報
を個別に当該出力手段に選択的に伝達するスイッチ手段
とが設けられている固体撮像装置である。
【００２１】又本発明に係る固体撮像装置の第２の態様
としては、第１の信号線、当該第１の信号線と交差して
マトリックス状に配置されている第２の信号線、当該第
１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、当該
第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回路、当
該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍に設け
られ、当該両信号線に接続された複数個の光電変換素子
セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を個別に出力しえる出力手段とから構成された固体撮像
装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線の何れか
一方の信号線の一部を選択する事によって、当該選択さ
れた一方の信号線に接続されている複数の当該光電変換
素子セルの個々の光受光量情報を読み出すと共に、他方
の信号線を順次に走査させる事によって、当該読み出さ
れた当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を、当
該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構成された
固体撮像装置に於て、当該一方の信号線の一つの信号線
が選択され、当該選択された一方の信号線に接続されて
いる複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
が、当該出力手段に出力されている間に、当該一方の信
号線に於ける他の信号線が選択される事によって、当該
他の信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報を読み出す様に構成されている
固体撮像装置である。
としては、第１の信号線、当該第１の信号線と交差して
マトリックス状に配置されている第２の信号線、当該第
１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、当該
第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回路、当
該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍に設け
られ、当該両信号線に接続された複数個の光電変換素子
セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を個別に出力しえる出力手段とから構成された固体撮像
装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線の何れか
一方の信号線の一部を選択する事によって、当該選択さ
れた一方の信号線に接続されている複数の当該光電変換
素子セルの個々の光受光量情報を読み出すと共に、他方
の信号線を順次に走査させる事によって、当該読み出さ
れた当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を、当
該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構成された
固体撮像装置に於て、当該一方の信号線の一つの信号線
が選択され、当該選択された一方の信号線に接続されて
いる複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
が、当該出力手段に出力されている間に、当該一方の信
号線に於ける他の信号線が選択される事によって、当該
他の信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報を読み出す様に構成されている
固体撮像装置である。
【００２２】又、本発明に係る当該固体撮像装置に関す
る第３の態様としては、第１の信号線、当該第１の信号
線と交差してマトリックス状に配置されている第２の信
号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選
択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の
選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差
部近傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の
光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の
光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成さ
れた固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信
号線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によっ
て、当該選択された一方の信号線に接続されている複数
の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出
すと共に、他方の信号線を順次に走査させる事によっ
て、当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置に於て、当該出力手段を
並列的に複数段形成すると共に、当該一方の信号線の一
つの信号線が選択され、当該選択された一方の信号線に
接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を読み出した後、当該一方の信号線に於ける
他の信号線を選択する事によって、当該他の信号線に接
続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を読み出す様に構成し、当該一方の信号線の一
つの信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報と、当該一方の信号線に於ける
他の信号線に接続されている別の複数の当該光電変換素
子セルの個々の光受光量情報とを同時に当該複数の出力
手段のそれぞれに個別に出力されるように構成されてい
る固体撮像装置である。
る第３の態様としては、第１の信号線、当該第１の信号
線と交差してマトリックス状に配置されている第２の信
号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選
択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の
選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差
部近傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の
光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の
光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成さ
れた固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信
号線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によっ
て、当該選択された一方の信号線に接続されている複数
の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出
すと共に、他方の信号線を順次に走査させる事によっ
て、当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置に於て、当該出力手段を
並列的に複数段形成すると共に、当該一方の信号線の一
つの信号線が選択され、当該選択された一方の信号線に
接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を読み出した後、当該一方の信号線に於ける
他の信号線を選択する事によって、当該他の信号線に接
続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を読み出す様に構成し、当該一方の信号線の一
つの信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報と、当該一方の信号線に於ける
他の信号線に接続されている別の複数の当該光電変換素
子セルの個々の光受光量情報とを同時に当該複数の出力
手段のそれぞれに個別に出力されるように構成されてい
る固体撮像装置である。
【００２３】一方、本発明に於ける第４の態様として
は、例えば、第１の信号線、当該第１の信号線と交差し
てマトリックス状に配置されている第２の信号線、当該
第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、当
該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回路、
当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍に設
けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複数個の光
電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成され
た固体撮像装置であって、当該第１及び第２の信号線の
何れか一方の信号線のそれぞれを走査する事により、他
方の信号線に於ける選択された信号線に接続されている
当該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情
報を個別に読み出す操作と共にその読出し結果を当該出
力手段に出力する出力操作が実行される方法に於いて、
当該一方の信号線のそれぞれを走査する一走査期間内に
於いて、当該他方の信号線に於ける選択された少なくと
も２本の信号線にそれぞれ接続されている当該複数個の
光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報に対する当
該読み出す操作若しくは当該出力操作から選択された一
方の操作が同時に、或いは当該読み出す操作と当該出力
操作が逐次的に実行する様に構成されている固体撮像装
置の駆動方法である。
は、例えば、第１の信号線、当該第１の信号線と交差し
てマトリックス状に配置されている第２の信号線、当該
第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、当
該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回路、
当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍に設
けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複数個の光
電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成され
た固体撮像装置であって、当該第１及び第２の信号線の
何れか一方の信号線のそれぞれを走査する事により、他
方の信号線に於ける選択された信号線に接続されている
当該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情
報を個別に読み出す操作と共にその読出し結果を当該出
力手段に出力する出力操作が実行される方法に於いて、
当該一方の信号線のそれぞれを走査する一走査期間内に
於いて、当該他方の信号線に於ける選択された少なくと
も２本の信号線にそれぞれ接続されている当該複数個の
光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報に対する当
該読み出す操作若しくは当該出力操作から選択された一
方の操作が同時に、或いは当該読み出す操作と当該出力
操作が逐次的に実行する様に構成されている固体撮像装
置の駆動方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明に係る固体撮像装置は、上
記した様な技術構成を採用しているので、従来、例え
ば、図９に示す様なＭＯＳ型固体撮像装置１００に於い
て、例えば、垂直ゲート線である第１の信号線１５
（ｉ）の一つが選択され、当該選択された第１の信号線
１５（ｉ）に接続されている当該複数個の光電変換素子
セル１４（ｉ，１）〜１４（ｉ，ｎ）のそれぞれの光受
光量情報を個別に読み出すと共にその読出し結果を当該
出力手段に出力する出力操作が完全に完了しない内は、
次の第１の信号線１５（ｉ＋１）を選択して当該複数個
の光電変換素子セル１４（ｉ＋１，１）〜１４（ｉ＋
１，ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個別に読み出すと
共にその読出し結果を当該出力手段に出力する出力操作
を実行する事が不可能であったのに対し、本発明に於い
ては、例えば、垂直ゲート線である第１の信号線１５
（ｉ）の一つが選択され、当該選択された第１の信号線
１５（ｉ）に接続されている当該複数個の光電変換素子
セル１４（ｉ，１）〜１４（ｉ，ｎ）のそれぞれの光受
光量情報を個別に読み出すと共にその読出し結果を当該
出力手段に出力する出力操作が実行されている間に、次
の第１の信号線１５（ｉ＋１）を選択して当該複数個の
光電変換素子セル１４（ｉ＋１，１）〜１４（ｉ＋１，
ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個別に読み出す操作若
しくは当該出力操作を同時に実行させる事が可能であ
り、又上記の様に隣接する第１の信号線１５（ｉ）と第
１の信号線１５（ｉ＋１）に対する当該複数個の光電変
換素子セル１４の光受光量情報を同時に読み出す操作も
可能となるので、当該複数個の光電変換素子セルの光受
光量情報を検出し且つ出力する操作に要する時間を大幅
に短縮する事が可能となる。
記した様な技術構成を採用しているので、従来、例え
ば、図９に示す様なＭＯＳ型固体撮像装置１００に於い
て、例えば、垂直ゲート線である第１の信号線１５
（ｉ）の一つが選択され、当該選択された第１の信号線
１５（ｉ）に接続されている当該複数個の光電変換素子
セル１４（ｉ，１）〜１４（ｉ，ｎ）のそれぞれの光受
光量情報を個別に読み出すと共にその読出し結果を当該
出力手段に出力する出力操作が完全に完了しない内は、
次の第１の信号線１５（ｉ＋１）を選択して当該複数個
の光電変換素子セル１４（ｉ＋１，１）〜１４（ｉ＋
１，ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個別に読み出すと
共にその読出し結果を当該出力手段に出力する出力操作
を実行する事が不可能であったのに対し、本発明に於い
ては、例えば、垂直ゲート線である第１の信号線１５
（ｉ）の一つが選択され、当該選択された第１の信号線
１５（ｉ）に接続されている当該複数個の光電変換素子
セル１４（ｉ，１）〜１４（ｉ，ｎ）のそれぞれの光受
光量情報を個別に読み出すと共にその読出し結果を当該
出力手段に出力する出力操作が実行されている間に、次
の第１の信号線１５（ｉ＋１）を選択して当該複数個の
光電変換素子セル１４（ｉ＋１，１）〜１４（ｉ＋１，
ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個別に読み出す操作若
しくは当該出力操作を同時に実行させる事が可能であ
り、又上記の様に隣接する第１の信号線１５（ｉ）と第
１の信号線１５（ｉ＋１）に対する当該複数個の光電変
換素子セル１４の光受光量情報を同時に読み出す操作も
可能となるので、当該複数個の光電変換素子セルの光受
光量情報を検出し且つ出力する操作に要する時間を大幅
に短縮する事が可能となる。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明に係る固体撮像装置の一具体
例の構成を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、
図１は、本発明に係る固体撮像装置の一具体例の構成を
示すダイアグラムであり、図中、第１の信号線１５、当
該第１の信号線１５と交差してマトリックス状に配置さ
れている第２の信号線１９、当該第１の信号線１５を順
次に駆動選択する第１の選択回路１７、当該第２の信号
線１９を順次に駆動選択する第２の選択回路２７、当該
第１の信号線１５と第２の信号線１９との各交差部Ｐ
１、Ｐ２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両信号線
１５、１９にそれぞれ接続された複数個の光電変換素子
セル１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とから構成
された光電変換素子セルアレイ１０を有する固体撮像装
置１００であって、当該第１及び第２の信号線１５、１
９の何れか一方の信号線と当該信号線を駆動する所定の
当該選択回路１７又は２７との間に、当該各信号線毎
に、他方の信号線に於ける選択された複数の信号線に接
続される当該複数個の光電変換素子セル１４（１，１）
・・・・１４（ｍ，ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個
別に読みだす光受光量検出手段５０を含む複数信号線光
受光量値記憶手段３０及び当該検出された当該光受光量
情報を個別に当該出力手段３５に選択的に伝達するスイ
ッチ手段５２とが設けられている固体撮像装置１００が
示されている。
例の構成を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、
図１は、本発明に係る固体撮像装置の一具体例の構成を
示すダイアグラムであり、図中、第１の信号線１５、当
該第１の信号線１５と交差してマトリックス状に配置さ
れている第２の信号線１９、当該第１の信号線１５を順
次に駆動選択する第１の選択回路１７、当該第２の信号
線１９を順次に駆動選択する第２の選択回路２７、当該
第１の信号線１５と第２の信号線１９との各交差部Ｐ
１、Ｐ２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両信号線
１５、１９にそれぞれ接続された複数個の光電変換素子
セル１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とから構成
された光電変換素子セルアレイ１０を有する固体撮像装
置１００であって、当該第１及び第２の信号線１５、１
９の何れか一方の信号線と当該信号線を駆動する所定の
当該選択回路１７又は２７との間に、当該各信号線毎
に、他方の信号線に於ける選択された複数の信号線に接
続される当該複数個の光電変換素子セル１４（１，１）
・・・・１４（ｍ，ｎ）のそれぞれの光受光量情報を個
別に読みだす光受光量検出手段５０を含む複数信号線光
受光量値記憶手段３０及び当該検出された当該光受光量
情報を個別に当該出力手段３５に選択的に伝達するスイ
ッチ手段５２とが設けられている固体撮像装置１００が
示されている。
【００２６】本発明に於いて使用される当該光受光量検
出手段５０は、選択され当該他方の所定の信号線、例え
ば１５（１）に接続されている当該光電変換素子セル１
４（１，１）・・・・１４（１，ｎ）に於ける光受光量
に応じて当該光電変換素子セル１４に発生する電流量を
電圧値に変換する電圧変換手段で構成されているもので
あり、例えば、当該電圧検出手段５０は、他端部が共通
の定電圧源３３に接続されている抵抗体３１（ｊ）で構
成されている事が望ましい。
出手段５０は、選択され当該他方の所定の信号線、例え
ば１５（１）に接続されている当該光電変換素子セル１
４（１，１）・・・・１４（１，ｎ）に於ける光受光量
に応じて当該光電変換素子セル１４に発生する電流量を
電圧値に変換する電圧変換手段で構成されているもので
あり、例えば、当該電圧検出手段５０は、他端部が共通
の定電圧源３３に接続されている抵抗体３１（ｊ）で構
成されている事が望ましい。
【００２７】更に、本発明に於いて使用される当該複数
信号線光受光量値記憶手段３０は、当該他方の信号線、
例えば１５（ｍ）に於ける選択された複数本の信号線、
例えば１５（１）と１５（２）・・等に接続される当該
個々の光電変換素子セル１４に対応して、当該電圧変換
手段である光受光量検出手段５０からなる電圧値検出手
段により検出された電圧値を個別に記憶しておく複数個
の電圧値記憶手段５５（ｊ）及び５７（ｊ）を有してい
る事が好ましい。
信号線光受光量値記憶手段３０は、当該他方の信号線、
例えば１５（ｍ）に於ける選択された複数本の信号線、
例えば１５（１）と１５（２）・・等に接続される当該
個々の光電変換素子セル１４に対応して、当該電圧変換
手段である光受光量検出手段５０からなる電圧値検出手
段により検出された電圧値を個別に記憶しておく複数個
の電圧値記憶手段５５（ｊ）及び５７（ｊ）を有してい
る事が好ましい。
【００２８】然かも、本発明に於いて使用される当該複
数信号線光受光量値記憶手段３０に於ける当該複数個の
電圧値記憶手段５５（ｊ）及び５７（ｊ）は、当該複数
本の他方の信号線例えば１５（１）と１５（２）・・等
のそれぞれに対応して個別に設けられているものであ
る。本発明に於いて使用される当該電圧値記憶手段５５
（ｊ）及び５７（ｊ）は、例えば、その一端部が当該一
方の信号線、例えば１９（ｊ）に接続されており、その
他端部が接地されている容量Ｃ１、Ｃ２から構成されて
いるものである事が望ましい。
数信号線光受光量値記憶手段３０に於ける当該複数個の
電圧値記憶手段５５（ｊ）及び５７（ｊ）は、当該複数
本の他方の信号線例えば１５（１）と１５（２）・・等
のそれぞれに対応して個別に設けられているものであ
る。本発明に於いて使用される当該電圧値記憶手段５５
（ｊ）及び５７（ｊ）は、例えば、その一端部が当該一
方の信号線、例えば１９（ｊ）に接続されており、その
他端部が接地されている容量Ｃ１、Ｃ２から構成されて
いるものである事が望ましい。
【００２９】本発明に於いて使用される当該光電変換素
子セル１４は、例えば、少なくとも一つの光電変換素子
１１（ｍ，ｎ）と少なくとも一つのトランジスタ１３
（ｍ，ｎ）で構成されているものである。更に、本発明
に於いて使用される当該トランジスタ１３（ｍ，ｎ）
は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタで有っても良い。
子セル１４は、例えば、少なくとも一つの光電変換素子
１１（ｍ，ｎ）と少なくとも一つのトランジスタ１３
（ｍ，ｎ）で構成されているものである。更に、本発明
に於いて使用される当該トランジスタ１３（ｍ，ｎ）
は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタで有っても良い。
【００３０】又、本発明に於いて使用される当該スイッ
チ手段５２は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２１（ｊ）で
構成されている事が望ましい。又、本発明に於いては、
当該第１の信号線１５が、例えば、行信号線１５（ｍ）
であり、当該第２の信号線１９が例えば列信号線１９
（ｎ）である。本発明に於いては、当該出力手段３５
は、一つで構成されているもので有っても良く、又後述
する具体例に於いては、複数個の出力手段３５（ａ）、
３５（ｂ）・・・・とが並列的に設けられているもので
有っても良い。
チ手段５２は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２１（ｊ）で
構成されている事が望ましい。又、本発明に於いては、
当該第１の信号線１５が、例えば、行信号線１５（ｍ）
であり、当該第２の信号線１９が例えば列信号線１９
（ｎ）である。本発明に於いては、当該出力手段３５
は、一つで構成されているもので有っても良く、又後述
する具体例に於いては、複数個の出力手段３５（ａ）、
３５（ｂ）・・・・とが並列的に設けられているもので
有っても良い。
【００３１】本発明に於いては、当該複数信号線光受光
量値記憶手段３０は、入力信号切換手段３２、３４と出
力信号切換手段３６、３８とがそれぞれ対となっている
複数組の制御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３
８）・・・を有している事が望ましい。当該各制御手段
Ｓ１Ｓ２は、後述する様に、それぞれ個別の入力切換え
信号線と出力切換え信号線と組から構成されており、そ
れぞれの各信号線は、適宜の制御手段（図示せず）から
の制御信号に応答してＯＮ又はＯＦＦの状態を採ること
が可能となっている。
量値記憶手段３０は、入力信号切換手段３２、３４と出
力信号切換手段３６、３８とがそれぞれ対となっている
複数組の制御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３
８）・・・を有している事が望ましい。当該各制御手段
Ｓ１Ｓ２は、後述する様に、それぞれ個別の入力切換え
信号線と出力切換え信号線と組から構成されており、そ
れぞれの各信号線は、適宜の制御手段（図示せず）から
の制御信号に応答してＯＮ又はＯＦＦの状態を採ること
が可能となっている。
【００３２】つまり、本発明に於いては、当該複数信号
線光受光量値記憶手段３０は、例えば後述する様な回路
構成を採用するものであるから、当該複数組の当該制御
手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）の何れか
が選択される事によって、当該他方の信号線に於ける何
れか一つの信号線１５（ｍ）に接続された個々の光電変
換素子セル１４（１）〜１４（ｎ）の電圧値が、当該複
数個の複数信号線光受光量値記憶手段３０内の選択され
た電圧値記憶手段５５（ｊ）或いは５７（ｊ）に格納さ
れる様に構成されている。
線光受光量値記憶手段３０は、例えば後述する様な回路
構成を採用するものであるから、当該複数組の当該制御
手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）の何れか
が選択される事によって、当該他方の信号線に於ける何
れか一つの信号線１５（ｍ）に接続された個々の光電変
換素子セル１４（１）〜１４（ｎ）の電圧値が、当該複
数個の複数信号線光受光量値記憶手段３０内の選択され
た電圧値記憶手段５５（ｊ）或いは５７（ｊ）に格納さ
れる様に構成されている。
【００３３】つまり、例えば、第１の信号線１５に於け
る一つの信号線１５（１）が選択された場合に、例え
ば、制御手段Ｓ１（３２、３６）が選択され、且つ当該
第１の入力切換え信号線３２がＯＮとなる様に制御する
事によって、信号線１５（１）に接続された個々の光電
変換素子セル１４（１，１）〜１４（１，ｎ）の電圧値
のそれぞれが、当該複数個の複数信号線光受光量値記憶
手段３０内の選択された電圧値記憶手段５５（１）〜５
５（ｎ）にそれぞれ格納される様に構成されている。
る一つの信号線１５（１）が選択された場合に、例え
ば、制御手段Ｓ１（３２、３６）が選択され、且つ当該
第１の入力切換え信号線３２がＯＮとなる様に制御する
事によって、信号線１５（１）に接続された個々の光電
変換素子セル１４（１，１）〜１４（１，ｎ）の電圧値
のそれぞれが、当該複数個の複数信号線光受光量値記憶
手段３０内の選択された電圧値記憶手段５５（１）〜５
５（ｎ）にそれぞれ格納される様に構成されている。
【００３４】同様に、当該複数組の制御手段Ｓ１（３
２、３６）とＳ２（３４、３８）を切り換える事によっ
て、当該他の信号線に於ける別の信号線、例えば１５
（２）に接続された個々の別の光電変換素子セル１４
（２，１）〜１４（２，ｎ）の各電圧値が、当該複数信
号線光受光量値記憶手段３０の内の別の電圧値記憶手
段、例えば５７（ｊ）に格納される様に構成されてい
る。
２、３６）とＳ２（３４、３８）を切り換える事によっ
て、当該他の信号線に於ける別の信号線、例えば１５
（２）に接続された個々の別の光電変換素子セル１４
（２，１）〜１４（２，ｎ）の各電圧値が、当該複数信
号線光受光量値記憶手段３０の内の別の電圧値記憶手
段、例えば５７（ｊ）に格納される様に構成されてい
る。
【００３５】つまり、例えば、第１の信号線１５に於け
る別の信号線１５（２）が選択された場合に、例えば、
制御手段Ｓ２（３４、３８）が選択され、且つ当該第１
の入力切換え信号線３４がＯＮとなる様に制御する事に
よって、信号線１５（２）に接続された個々の光電変換
素子セル１４（２，１）〜１４（２，ｎ）の電圧値のそ
れぞれが、当該複数個の複数信号線光受光量値記憶手段
３０内の選択された電圧値記憶手段５７（１）〜５７
（ｎ）にそれぞれ格納される様に構成されている。
る別の信号線１５（２）が選択された場合に、例えば、
制御手段Ｓ２（３４、３８）が選択され、且つ当該第１
の入力切換え信号線３４がＯＮとなる様に制御する事に
よって、信号線１５（２）に接続された個々の光電変換
素子セル１４（２，１）〜１４（２，ｎ）の電圧値のそ
れぞれが、当該複数個の複数信号線光受光量値記憶手段
３０内の選択された電圧値記憶手段５７（１）〜５７
（ｎ）にそれぞれ格納される様に構成されている。
【００３６】その後、本発明に於いては、当該複数信号
線光受光量値記憶手段３０に於ける当該複数組の制御手
段の何れかが選択される事によって、当該複数個の電圧
値記憶手段５５（ｊ）若しくは５７（ｊ）の内から選択
された当該電圧値記憶手段に記憶された電圧値を、当該
スイッチ手段５２を介して当該出力手段３５に出力する
様に構成されているものである。
線光受光量値記憶手段３０に於ける当該複数組の制御手
段の何れかが選択される事によって、当該複数個の電圧
値記憶手段５５（ｊ）若しくは５７（ｊ）の内から選択
された当該電圧値記憶手段に記憶された電圧値を、当該
スイッチ手段５２を介して当該出力手段３５に出力する
様に構成されているものである。
【００３７】つまり、例えば、第１の信号線１５に於け
る一つの信号線１５（１）が選択された場合で、当該制
御手段Ｓ１（３２、３６）が選択され、且つ当該第１の
出力切換え信号線３６がＯＮとなる様に制御する事によ
って、当該電圧値記憶手段５５（１）〜５５（ｎ）にそ
れぞれ格納される電圧値が、当該スイッチ手段５２を介
して当該出力手段３５に出力する様に構成され、又、第
１の信号線１５に於ける別の信号線１５（２）が選択さ
れた場合で、制御手段Ｓ２（３４、３８）が選択され、
且つ当該第１の入力切換え信号線３８がＯＮとなる様に
制御する事によって、当該電圧値記憶手段５７（１）〜
５７（ｎ）にそれぞれ格納されている電圧値が、当該ス
イッチ手段５２を介して当該出力手段３５に出力する様
に構成されているものである。
る一つの信号線１５（１）が選択された場合で、当該制
御手段Ｓ１（３２、３６）が選択され、且つ当該第１の
出力切換え信号線３６がＯＮとなる様に制御する事によ
って、当該電圧値記憶手段５５（１）〜５５（ｎ）にそ
れぞれ格納される電圧値が、当該スイッチ手段５２を介
して当該出力手段３５に出力する様に構成され、又、第
１の信号線１５に於ける別の信号線１５（２）が選択さ
れた場合で、制御手段Ｓ２（３４、３８）が選択され、
且つ当該第１の入力切換え信号線３８がＯＮとなる様に
制御する事によって、当該電圧値記憶手段５７（１）〜
５７（ｎ）にそれぞれ格納されている電圧値が、当該ス
イッチ手段５２を介して当該出力手段３５に出力する様
に構成されているものである。
【００３８】本発明に於ける当該複数組の当該制御手段
Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）は、当該一方
の信号線にそれぞれ設けられた、各複数信号線光受光量
値記憶手段３０のそれぞれに共通的に設けられているも
のである事が望ましい。又、本発明に於いては、当該ス
イッチ手段５２は、例えばＭＯＳＦＥＴ２１（ｊ）から
構成されており、当該選択された一方の信号線、例えば
第２の信号線１９（ｎ）を順次に駆動選択する該選択回
路２７からの出力信号により駆動制御されるものである
事が好ましい。
Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）は、当該一方
の信号線にそれぞれ設けられた、各複数信号線光受光量
値記憶手段３０のそれぞれに共通的に設けられているも
のである事が望ましい。又、本発明に於いては、当該ス
イッチ手段５２は、例えばＭＯＳＦＥＴ２１（ｊ）から
構成されており、当該選択された一方の信号線、例えば
第２の信号線１９（ｎ）を順次に駆動選択する該選択回
路２７からの出力信号により駆動制御されるものである
事が好ましい。
【００３９】本発明に於ける当該スイッチ手段５２と当
該複数信号線光受光量値記憶手段３０とは、当該複数信
号線光受光量値記憶手段３０に於けるインピーダンス変
換手段或いはバッファー手段５４を介して互いに接続さ
れている事が望ましい。本発明に於ける当該電圧検出手
段５０の一端部が、当該選択された一方の各信号線、例
えば第２の信号線である信号線１９（ｊ）に接続されて
おり、且つ当該スイッチ手段５２の出力端部が該共通の
出力手段３５に接続されている信号線２３に接続され、
且つ当該スイッチ手段５２の制御端子が当該信号線１９
（ｊ）群を順次選択駆動する選択回路２７の制御信号出
力端子部と接続されているものである。
該複数信号線光受光量値記憶手段３０とは、当該複数信
号線光受光量値記憶手段３０に於けるインピーダンス変
換手段或いはバッファー手段５４を介して互いに接続さ
れている事が望ましい。本発明に於ける当該電圧検出手
段５０の一端部が、当該選択された一方の各信号線、例
えば第２の信号線である信号線１９（ｊ）に接続されて
おり、且つ当該スイッチ手段５２の出力端部が該共通の
出力手段３５に接続されている信号線２３に接続され、
且つ当該スイッチ手段５２の制御端子が当該信号線１９
（ｊ）群を順次選択駆動する選択回路２７の制御信号出
力端子部と接続されているものである。
【００４０】本発明に係る固体撮像装置１００の構成を
要約するならば、以下の様になる。即ち、第１の信号線
１５、当該第１の信号線１５と交差してマトリックス状
に配置されている第２の信号線１９、当該第１の信号線
１５を順次に駆動選択する第１の選択回路１７、当該第
２の信号線１９を順次に駆動選択する第２の選択回路２
７、当該第１の信号線１５と第２の信号線１９との各交
差部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両
信号線１５、１９にそれぞれ接続された複数個の光電変
換素子セル１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とか
ら構成された光電変換素子セルアレイ１０を有する固体
撮像装置１００であって、且つ当該第１及び第２の信号
線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、
当該選択された一方の信号線１５（ｍ）に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・
１４（ｍ，ｎ）の個々の光受光量情報を読み出すと共
に、他方の信号線１９を順次に走査させる事によって、
当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光
量情報を、当該出力手段３５に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置１００に於て、当該一方
の信号線１５の一つの信号線１５（ｍ）が選択され、当
該選択された一方の信号線１５（ｍ）に接続されている
複数の当該光電変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・１
４（ｍ，ｎ）の個々の光受量情報が、当該出力手段３５
に出力されている間に、当該一方の信号線に於ける他の
信号線１５（ｍ＋１）が選択される事によって、当該他
の信号線１５（ｍ＋１）に接続されている複数の当該光
電変換素子セル１４（ｍ＋１，１）・・・・１４（ｍ＋
１，ｎ）の個々の光受量情報を読み出す様に構成されて
いる固体撮像装置１００である。
要約するならば、以下の様になる。即ち、第１の信号線
１５、当該第１の信号線１５と交差してマトリックス状
に配置されている第２の信号線１９、当該第１の信号線
１５を順次に駆動選択する第１の選択回路１７、当該第
２の信号線１９を順次に駆動選択する第２の選択回路２
７、当該第１の信号線１５と第２の信号線１９との各交
差部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両
信号線１５、１９にそれぞれ接続された複数個の光電変
換素子セル１４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とか
ら構成された光電変換素子セルアレイ１０を有する固体
撮像装置１００であって、且つ当該第１及び第２の信号
線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、
当該選択された一方の信号線１５（ｍ）に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・
１４（ｍ，ｎ）の個々の光受光量情報を読み出すと共
に、他方の信号線１９を順次に走査させる事によって、
当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光
量情報を、当該出力手段３５に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置１００に於て、当該一方
の信号線１５の一つの信号線１５（ｍ）が選択され、当
該選択された一方の信号線１５（ｍ）に接続されている
複数の当該光電変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・１
４（ｍ，ｎ）の個々の光受量情報が、当該出力手段３５
に出力されている間に、当該一方の信号線に於ける他の
信号線１５（ｍ＋１）が選択される事によって、当該他
の信号線１５（ｍ＋１）に接続されている複数の当該光
電変換素子セル１４（ｍ＋１，１）・・・・１４（ｍ＋
１，ｎ）の個々の光受量情報を読み出す様に構成されて
いる固体撮像装置１００である。
【００４１】つまり、本発明に於ける具体例に於いて
は、当該複数信号線光受光量値記憶手段３０は、当該複
数個の当該制御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、
３８）の何れかが選択される事によって、当該他の信号
線に於ける何れか一つの信号線に接続された個々の光電
変換素子セルの電圧値が、当該複数個の電圧値記憶手段
５５（ｊ）と５７（ｊ）の内の選択された一つの電圧値
記憶手段例えば５５（ｊ）に格納される様に構成されて
いるものである。
は、当該複数信号線光受光量値記憶手段３０は、当該複
数個の当該制御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、
３８）の何れかが選択される事によって、当該他の信号
線に於ける何れか一つの信号線に接続された個々の光電
変換素子セルの電圧値が、当該複数個の電圧値記憶手段
５５（ｊ）と５７（ｊ）の内の選択された一つの電圧値
記憶手段例えば５５（ｊ）に格納される様に構成されて
いるものである。
【００４２】更に、本発明に於いては、当該複数個の制
御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）を切り
換える事によって、当該他の信号線に於ける別の信号線
に接続された個々の別の光電変換素子セルの電圧値が、
当該複数個の電圧値記憶手段の内の別の電圧値記憶手段
例えば５７（ｊ）に格納される様に構成されているもの
である。
御手段Ｓ１（３２、３６）とＳ２（３４、３８）を切り
換える事によって、当該他の信号線に於ける別の信号線
に接続された個々の別の光電変換素子セルの電圧値が、
当該複数個の電圧値記憶手段の内の別の電圧値記憶手段
例えば５７（ｊ）に格納される様に構成されているもの
である。
【００４３】本発明に於ける上記具体例に於て使用され
る当該複数信号線光受光量値記憶手段３０の構成の具体
例を図２を参照しながら詳細に説明する。即ち、当該複
数信号線光受光量値記憶手段３０は、当該第１の信号線
１５と当該第２の信号線１９から選択された何れか一方
の信号線、例えば第２の信号線１９から選択された一つ
の信号線１９（ｊ）に、当該電圧検出手段５０が接続さ
れていると共に、少なくとも２個の入力切り替えスイッ
チ用トランジスタ５１（ｊ）及び５３（ｊ）のソース端
子が接続され、且つ当該２つの入力切り替えスイッチ用
トランジスタ５１（ｊ）及び５３（ｊ）のドレイン端子
には、それぞれ１つのコンデンサ５５（ｊ）及び５７
（ｊ）が個別に接続されていると共に、個別に設けられ
た出力切り替えスイッチ用トランジスタ５９（ｊ）及び
６１（ｊ）のソース端子のそれぞれに接続せしめられて
おり、更に、当該各コンデンサ５５（ｊ）及び５７
（ｊ）のもう一方の端子は接地されているものであり、
且つ、少なくとも当該２つの出力切り替えスイッチ用ト
ランジスタ５９（ｊ）及び６１（ｊ）のドレイン端子は
共通に接続され、インピーダンス変換回路５４（ｊ）を
介してスイッチ手段５２と接続されており、更に、当該
２つの入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）
及び５３（ｊ）の片方５１（ｊ）のゲート端子には、第
１の入力切り替え信号線３２が接続し、もう片方の入力
切り替えスイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のゲート端
子には、第２の入力切り替え信号線３４が接続し、第１
の入力切り替え信号線３２が接続している入力切り替え
スイッチ用トランジスタ５１（ｊ）のドレインと接続し
ている出力切り替えスイッチ用トランジスタ５９（ｊ）
のゲート端子には、第１の出力切り替え信号線３６が接
続し、第２の入力切り替え信号線３４が接続している入
力切り替えスイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のドレイ
ンと接続している出力切り替えスイッチ用トランジスタ
６１（ｊ）のゲート端子には、第２の出力切り替え信号
線３８が接続する構成を有しているものである。
る当該複数信号線光受光量値記憶手段３０の構成の具体
例を図２を参照しながら詳細に説明する。即ち、当該複
数信号線光受光量値記憶手段３０は、当該第１の信号線
１５と当該第２の信号線１９から選択された何れか一方
の信号線、例えば第２の信号線１９から選択された一つ
の信号線１９（ｊ）に、当該電圧検出手段５０が接続さ
れていると共に、少なくとも２個の入力切り替えスイッ
チ用トランジスタ５１（ｊ）及び５３（ｊ）のソース端
子が接続され、且つ当該２つの入力切り替えスイッチ用
トランジスタ５１（ｊ）及び５３（ｊ）のドレイン端子
には、それぞれ１つのコンデンサ５５（ｊ）及び５７
（ｊ）が個別に接続されていると共に、個別に設けられ
た出力切り替えスイッチ用トランジスタ５９（ｊ）及び
６１（ｊ）のソース端子のそれぞれに接続せしめられて
おり、更に、当該各コンデンサ５５（ｊ）及び５７
（ｊ）のもう一方の端子は接地されているものであり、
且つ、少なくとも当該２つの出力切り替えスイッチ用ト
ランジスタ５９（ｊ）及び６１（ｊ）のドレイン端子は
共通に接続され、インピーダンス変換回路５４（ｊ）を
介してスイッチ手段５２と接続されており、更に、当該
２つの入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）
及び５３（ｊ）の片方５１（ｊ）のゲート端子には、第
１の入力切り替え信号線３２が接続し、もう片方の入力
切り替えスイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のゲート端
子には、第２の入力切り替え信号線３４が接続し、第１
の入力切り替え信号線３２が接続している入力切り替え
スイッチ用トランジスタ５１（ｊ）のドレインと接続し
ている出力切り替えスイッチ用トランジスタ５９（ｊ）
のゲート端子には、第１の出力切り替え信号線３６が接
続し、第２の入力切り替え信号線３４が接続している入
力切り替えスイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のドレイ
ンと接続している出力切り替えスイッチ用トランジスタ
６１（ｊ）のゲート端子には、第２の出力切り替え信号
線３８が接続する構成を有しているものである。
【００４４】次に、本発明に於ける固体撮像装置の他の
具体例の構成に付いて図１及び図５を参照しながら詳細
に説明する。即ち、本発明に係る当該固体撮像装置１０
０の他の具体例としては、第１の信号線１５、当該第１
の信号線１５と交差してマトリックス状に配置されてい
る第２の信号線１９、当該第１の信号線１５を順次に駆
動選択する第１の選択回路１７、当該第２の信号線１９
を順次に駆動選択する第２の選択回路２７、当該第１の
信号線１５と第２の信号線１９との各交差部Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両信号線１５、
１９にそれぞれ接続された複数個の光電変換素子セル１
４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とから構成された
光電変換素子セルアレイ１０を有する固体撮像装置１０
０であって、且つ当該第１及び第２の信号線の何れかの
信号線の一部を選択する事によって、当該選択された一
方の信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該光電
変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）の
個々の光受光量情報を読み出すと共に、他方の信号線１
９を順次に走査させる事によって、当該読み出された当
該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を、当該出力
手段３５に順次に且つ個別に出力する様に構成された固
体撮像装置１００に於て、当該一方の信号線１５の一つ
の信号線１５（ｍ）が選択され、当該選択された一方の
信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該光電変換
素子セル１４（ｍ，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）の個々
の光受量情報が読み出され、所定の記憶手段５５（ｊ）
に格納した後、当該一方の信号線に於ける他の信号線１
５（ｍ＋１）を選択する事によって、当該他の信号線１
５（ｍ＋１）に接続されている複数の当該光電変換素子
セルの個々の光受光量情報を読み出し且つ所定の記憶手
段５７（ｊ）に格納する様に構成し、当該一方の信号線
の一つの信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受量情報と、当該一方の信
号線に於ける他の信号線１５（ｍ＋１）に接続されてい
る別の複数の当該光電変換素子セルの個々の光受量情報
とを同時に当該複数の出力手段３５ａ、３５ｂのそれぞ
れに個別に出力されるように構成されている固体撮像装
置１００である。
具体例の構成に付いて図１及び図５を参照しながら詳細
に説明する。即ち、本発明に係る当該固体撮像装置１０
０の他の具体例としては、第１の信号線１５、当該第１
の信号線１５と交差してマトリックス状に配置されてい
る第２の信号線１９、当該第１の信号線１５を順次に駆
動選択する第１の選択回路１７、当該第２の信号線１９
を順次に駆動選択する第２の選択回路２７、当該第１の
信号線１５と第２の信号線１９との各交差部Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３・・・・近傍に設けられ、当該両信号線１５、
１９にそれぞれ接続された複数個の光電変換素子セル１
４（１，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）とから構成された
光電変換素子セルアレイ１０を有する固体撮像装置１０
０であって、且つ当該第１及び第２の信号線の何れかの
信号線の一部を選択する事によって、当該選択された一
方の信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該光電
変換素子セル１４（ｍ，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）の
個々の光受光量情報を読み出すと共に、他方の信号線１
９を順次に走査させる事によって、当該読み出された当
該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を、当該出力
手段３５に順次に且つ個別に出力する様に構成された固
体撮像装置１００に於て、当該一方の信号線１５の一つ
の信号線１５（ｍ）が選択され、当該選択された一方の
信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該光電変換
素子セル１４（ｍ，１）・・・・１４（ｍ，ｎ）の個々
の光受量情報が読み出され、所定の記憶手段５５（ｊ）
に格納した後、当該一方の信号線に於ける他の信号線１
５（ｍ＋１）を選択する事によって、当該他の信号線１
５（ｍ＋１）に接続されている複数の当該光電変換素子
セルの個々の光受光量情報を読み出し且つ所定の記憶手
段５７（ｊ）に格納する様に構成し、当該一方の信号線
の一つの信号線１５（ｍ）に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受量情報と、当該一方の信
号線に於ける他の信号線１５（ｍ＋１）に接続されてい
る別の複数の当該光電変換素子セルの個々の光受量情報
とを同時に当該複数の出力手段３５ａ、３５ｂのそれぞ
れに個別に出力されるように構成されている固体撮像装
置１００である。
【００４５】本具体例に於いて、前記した具体例と共通
の部分に関しては、上記具体例に於ける構成がそのまま
適用されるものである事は言うまでもない。次に、本発
明に於て使用される当該複数信号線光受光量値記憶手段
３０の具体例に付いて図５を参照しながら詳細に説明す
る。即ち、本発明に於ける他の具体例に於いて使用され
る、当該複数信号線光受光量値記憶手段３０の構成例と
しては、当該複数個の電圧値記憶手段５５（ｊ）と５７
（ｊ）のそれぞれに記憶された電圧値は、当該スイッチ
手段５２を介して当該複数個の出力手段３５ａと３５ｂ
のそれぞれに同時に出力する様に構成されているもので
ある。
の部分に関しては、上記具体例に於ける構成がそのまま
適用されるものである事は言うまでもない。次に、本発
明に於て使用される当該複数信号線光受光量値記憶手段
３０の具体例に付いて図５を参照しながら詳細に説明す
る。即ち、本発明に於ける他の具体例に於いて使用され
る、当該複数信号線光受光量値記憶手段３０の構成例と
しては、当該複数個の電圧値記憶手段５５（ｊ）と５７
（ｊ）のそれぞれに記憶された電圧値は、当該スイッチ
手段５２を介して当該複数個の出力手段３５ａと３５ｂ
のそれぞれに同時に出力する様に構成されているもので
ある。
【００４６】係る具体例に於いては、図５に示す様に、
例えば、当該第１の信号線１５と当該第２の信号線１９
から選択された何れか一方の信号線、例えば第２の信号
線１９から選択された一つの信号線１９（ｊ）に、当該
電圧検出手段５０が接続されていると共に、少なくとも
２個の入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）
及び５３（ｊ）のソース端子が接続され、且つ当該２つ
の入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）及び
５３（ｊ）のドレイン端子には、それぞれ１つのコンデ
ンサ５５（ｊ）及び５７（ｊ）が個別に接続されている
と共に、個別に並列的に設けられた複数個のインピーダ
ンス変換手段５４ａ、５４ｂを介して、当該スイッチ手
段５２を構成する個別に並列的に設けられた複数個のス
イッチ手段２１ａと２１ｂの入力部にそれぞれ個別に接
続せしめられており、且つ当該複数個のスイッチ手段２
１ａと２１ｂの出力は、当該個別的に設けられた複数個
の出力手段３５ａと３５ｂのそれぞれに接続せしめられ
ており、更に当該複数個のスイッチ手段２１ａと２１ｂ
は共通の制御手段２５（ｊ）によって同時に作動する様
に構成されているものである。
例えば、当該第１の信号線１５と当該第２の信号線１９
から選択された何れか一方の信号線、例えば第２の信号
線１９から選択された一つの信号線１９（ｊ）に、当該
電圧検出手段５０が接続されていると共に、少なくとも
２個の入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）
及び５３（ｊ）のソース端子が接続され、且つ当該２つ
の入力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）及び
５３（ｊ）のドレイン端子には、それぞれ１つのコンデ
ンサ５５（ｊ）及び５７（ｊ）が個別に接続されている
と共に、個別に並列的に設けられた複数個のインピーダ
ンス変換手段５４ａ、５４ｂを介して、当該スイッチ手
段５２を構成する個別に並列的に設けられた複数個のス
イッチ手段２１ａと２１ｂの入力部にそれぞれ個別に接
続せしめられており、且つ当該複数個のスイッチ手段２
１ａと２１ｂの出力は、当該個別的に設けられた複数個
の出力手段３５ａと３５ｂのそれぞれに接続せしめられ
ており、更に当該複数個のスイッチ手段２１ａと２１ｂ
は共通の制御手段２５（ｊ）によって同時に作動する様
に構成されているものである。
【００４７】更に、本具体例に於いては、当該２つの入
力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）及び５３
（ｊ）の片方５１（ｊ）のゲート端子には、第１の入力
切り替え信号線３２が接続し、もう片方の入力切り替え
スイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のゲート端子には、
第２の入力切り替え信号線３４が接続し、当該第１と第
２の入力切り替え信号線３２、３４は、適宜の制御手段
Ｓ３（３２、３４）により駆動制御される様に構成され
ているものである。
力切り替えスイッチ用トランジスタ５１（ｊ）及び５３
（ｊ）の片方５１（ｊ）のゲート端子には、第１の入力
切り替え信号線３２が接続し、もう片方の入力切り替え
スイッチ用トランジスタ５３（ｊ）のゲート端子には、
第２の入力切り替え信号線３４が接続し、当該第１と第
２の入力切り替え信号線３２、３４は、適宜の制御手段
Ｓ３（３２、３４）により駆動制御される様に構成され
ているものである。
【００４８】上記した何れの本具体例に於いても、当該
一方の選択された信号線、例えば１５（ｍ）に於いて、
選択された一つの信号線１５（１）に対する別の信号線
としては、例えば１５（２）である事が望ましく、つま
り、本発明に於いては、当該他の信号線を選択するに際
して、最初に選択された一つの信号線に対して、それに
隣接する信号線である事が好ましい。
一方の選択された信号線、例えば１５（ｍ）に於いて、
選択された一つの信号線１５（１）に対する別の信号線
としては、例えば１５（２）である事が望ましく、つま
り、本発明に於いては、当該他の信号線を選択するに際
して、最初に選択された一つの信号線に対して、それに
隣接する信号線である事が好ましい。
【００４９】以下に本発明に於ける当該固体撮像装置１
００の具体例を図面を参照しながらより詳細に説明す
る。以下の具体例に於いては、選択されるべき一方の信
号線つまり第１の信号線は、第１の選択回路手段つまり
垂直走査回路１７によって走査選択される行信号線、つ
まり垂直ゲート線１５と選定し、又選択されるべき他方
の信号線つまり第２の信号線は、第２の選択回路手段つ
まり水平走査回路２７によって走査選択される列信号
線、つまり垂直信号線１９と選定した場合を例にとって
その構成及び動作、タイミング等に付いて説明するが、
本発明に於いては、係る具体例に特定されるものではな
く、異なる選択組み合わせであっても良い事は言うまで
もない。
００の具体例を図面を参照しながらより詳細に説明す
る。以下の具体例に於いては、選択されるべき一方の信
号線つまり第１の信号線は、第１の選択回路手段つまり
垂直走査回路１７によって走査選択される行信号線、つ
まり垂直ゲート線１５と選定し、又選択されるべき他方
の信号線つまり第２の信号線は、第２の選択回路手段つ
まり水平走査回路２７によって走査選択される列信号
線、つまり垂直信号線１９と選定した場合を例にとって
その構成及び動作、タイミング等に付いて説明するが、
本発明に於いては、係る具体例に特定されるものではな
く、異なる選択組み合わせであっても良い事は言うまで
もない。
【００５０】図１は本発明の第１の実施例を示す回路構
成図である。図２は、図１の回路構成を実現するための
詳細な回路実施例であり、図３は図１の実施例の駆動方
法を説明するためのタイミングを示す図である。また図
４は本発明の第２の実施例を示す回路構成図である。図
５は、図４の回路構成を実現するための詳細な回路実施
例であり、図６は図１の実施例の駆動方法を説明するた
めのタイミングを示す図である。まず、本発明の第１の
実施例を図１を用いて回路の構成について説明する。
成図である。図２は、図１の回路構成を実現するための
詳細な回路実施例であり、図３は図１の実施例の駆動方
法を説明するためのタイミングを示す図である。また図
４は本発明の第２の実施例を示す回路構成図である。図
５は、図４の回路構成を実現するための詳細な回路実施
例であり、図６は図１の実施例の駆動方法を説明するた
めのタイミングを示す図である。まず、本発明の第１の
実施例を図１を用いて回路の構成について説明する。
【００５１】本発明のＭＯＳ型固体撮像装置１００の光
電変換素子アレイ１０は、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）
（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に垂直スイッ
チ用エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジス
タ１３（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…
ｎ）のソースが接続された光電変換素子セル１４（ｉ，
ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）が、ｍ
行、ｎ列のマトリックス状に配列されている。
電変換素子アレイ１０は、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）
（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に垂直スイッ
チ用エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジス
タ１３（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…
ｎ）のソースが接続された光電変換素子セル１４（ｉ，
ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）が、ｍ
行、ｎ列のマトリックス状に配列されている。
【００５２】この垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１
３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、光電変換素子
アレイ１０の中で１行ごとに垂直ゲート線１５（ｉ）
（ｉ＝１，２…ｍ）に共通接続され、それぞれ垂直走査
回路１７に接続されている。また、垂直スイッチ用ＭＯ
Ｓトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのドレイン端
子は、垂直信号線１９（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）に１
列ごとに共通接続されている。そして各垂直信号線１９
（ｊ）は、複数信号線光受光量値記憶手段３０を介して
それぞれ水平スイッチ用エンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）
のソースに接続し、この水平スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ２１（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号出
力線２３に接続している。
３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、光電変換素子
アレイ１０の中で１行ごとに垂直ゲート線１５（ｉ）
（ｉ＝１，２…ｍ）に共通接続され、それぞれ垂直走査
回路１７に接続されている。また、垂直スイッチ用ＭＯ
Ｓトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのドレイン端
子は、垂直信号線１９（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）に１
列ごとに共通接続されている。そして各垂直信号線１９
（ｊ）は、複数信号線光受光量値記憶手段３０を介して
それぞれ水平スイッチ用エンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ２１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）
のソースに接続し、この水平スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ２１（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号出
力線２３に接続している。
【００５３】複数信号線光受光量値記憶手段３０には、
第１の入力切り替え信号線３２と、第２の入力切り替え
信号線３４と、第１の出力切り替え信号線３６と、第２
の出力切り替え信号線３８が接続している。上記具体例
に於て、当該第１の入力切り替え信号線３２と第１の出
力切り替え信号線３６とは、例えば第１の制御手段Ｓ１
を構成し、当該第２の入力切り替え信号線３４と第２の
出力切り替え信号線３８とは、例えば第２の制御手段Ｓ
２を構成するものである。
第１の入力切り替え信号線３２と、第２の入力切り替え
信号線３４と、第１の出力切り替え信号線３６と、第２
の出力切り替え信号線３８が接続している。上記具体例
に於て、当該第１の入力切り替え信号線３２と第１の出
力切り替え信号線３６とは、例えば第１の制御手段Ｓ１
を構成し、当該第２の入力切り替え信号線３４と第２の
出力切り替え信号線３８とは、例えば第２の制御手段Ｓ
２を構成するものである。
【００５４】水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（ｊ）のそれぞれのゲート端子は、水平ゲート線２５
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）を介して第２の選択回路で
ある水平走査回路２７に接続している。水平信号出力線
２３は信号増幅器２９へ入力し、信号増幅器２９の出力
は、出力信号線３５に接続している。次に、複数信号線
光受光量値記憶手段３０の詳細な回路実施例について図
２を用いて説明する。
（ｊ）のそれぞれのゲート端子は、水平ゲート線２５
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）を介して第２の選択回路で
ある水平走査回路２７に接続している。水平信号出力線
２３は信号増幅器２９へ入力し、信号増幅器２９の出力
は、出力信号線３５に接続している。次に、複数信号線
光受光量値記憶手段３０の詳細な回路実施例について図
２を用いて説明する。
【００５５】各垂直信号線１９（ｉ）には、複数信号線
光受光量値記憶手段３０（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）が
１つずつ接続している。垂直信号線１９（ｊ）は、読み
出し用負荷抵抗３１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、入
力切り換え用第１のスイッチ手段を構成するエンハンス
メント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）
（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子と、入力切り換え用
第２のスイッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）（ｊ＝１，２，
…ｎ）のソース端子に接続する。
光受光量値記憶手段３０（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）が
１つずつ接続している。垂直信号線１９（ｊ）は、読み
出し用負荷抵抗３１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、入
力切り換え用第１のスイッチ手段を構成するエンハンス
メント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）
（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子と、入力切り換え用
第２のスイッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）（ｊ＝１，２，
…ｎ）のソース端子に接続する。
【００５６】また読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）のもう
一端には、定電圧ＶＭの電源３３に接続する。そして定
電圧ＶＭの電源３３のもう一端は、ＧＮＤレベルに接地
している。当該読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）と当該定
電圧ＶＭの電源３３とで本発明に於ける電圧検出手段５
０を形成している。
一端には、定電圧ＶＭの電源３３に接続する。そして定
電圧ＶＭの電源３３のもう一端は、ＧＮＤレベルに接地
している。当該読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）と当該定
電圧ＶＭの電源３３とで本発明に於ける電圧検出手段５
０を形成している。
【００５７】当該定電圧ＶＭの電源３３は、複数信号線
光受光量値記憶手段３０（ｊ）内で、全て共通である。
ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のドレイン端子は、コン
デンサ５５（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と出力切り換え
用第１のスイッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎ
チャンネルＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）（ｊ＝１，
２，…ｎ）のソース端子に接続し、又当該ＭＯＳトラン
ジスタ５３（ｊ）のドレイン端子は、コンデンサ５７
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と出力切り換え用第２のス
イッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）の
ソース端子に接続している。
光受光量値記憶手段３０（ｊ）内で、全て共通である。
ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のドレイン端子は、コン
デンサ５５（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と出力切り換え
用第１のスイッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎ
チャンネルＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）（ｊ＝１，
２，…ｎ）のソース端子に接続し、又当該ＭＯＳトラン
ジスタ５３（ｊ）のドレイン端子は、コンデンサ５７
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と出力切り換え用第２のス
イッチ手段を構成するエンハンスメント型ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）の
ソース端子に接続している。
【００５８】そしてコンデンサ５５（ｊ）のもう一端
と、コンデンサ５７（ｊ）のもう一端は、グランドレベ
ルに接地している。ＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）のド
レイン端子と、ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）のドレイ
ン端子は、共通に接続し、インピーダンス変換回路５４
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）へ入力する。
と、コンデンサ５７（ｊ）のもう一端は、グランドレベ
ルに接地している。ＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）のド
レイン端子と、ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）のドレイ
ン端子は、共通に接続し、インピーダンス変換回路５４
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）へ入力する。
【００５９】そしてインピーダンス変換回路５４（ｊ）
の出力は、複数信号線光受光量値記憶手段３０（ｊ）の
出力として水平スイッチ手段５２を構成するＭＯＳトラ
ンジスタ２１（ｊ）のドレイン端子に接続する。一方、
ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のゲート端子は第１の入
力切り替え信号線３２へ接続し、ＭＯＳトランジスタ５
３（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り替え信号線３４
へ接続し、又、ＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）のゲート
端子は第１の出力切り替え信号線３６へ接続し、ＭＯＳ
トランジスタ６１（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り
替え信号線３８へ接続する。
の出力は、複数信号線光受光量値記憶手段３０（ｊ）の
出力として水平スイッチ手段５２を構成するＭＯＳトラ
ンジスタ２１（ｊ）のドレイン端子に接続する。一方、
ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のゲート端子は第１の入
力切り替え信号線３２へ接続し、ＭＯＳトランジスタ５
３（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り替え信号線３４
へ接続し、又、ＭＯＳトランジスタ５９（ｊ）のゲート
端子は第１の出力切り替え信号線３６へ接続し、ＭＯＳ
トランジスタ６１（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り
替え信号線３８へ接続する。
【００６０】当該第１の入力切り替え信号線３２と第１
の出力切り替え信号線３６とは、上記した様に第１の制
御手段Ｓ１を構成し、又当該第２の入力切り替え信号線
３４と第２の出力切り替え信号線３８とは、第２の制御
手段Ｓ２を構成するものであって、図示しない適宜の制
御回路手段から出力される適宜の制御信号によって、第
１の制御手段Ｓ１又は第２の制御手段Ｓ２が任意に選択
されると同時に、入力切り換え信号手段と出力切り換え
信号手段の何れかが同時に選択される様に構成されてい
る。
の出力切り替え信号線３６とは、上記した様に第１の制
御手段Ｓ１を構成し、又当該第２の入力切り替え信号線
３４と第２の出力切り替え信号線３８とは、第２の制御
手段Ｓ２を構成するものであって、図示しない適宜の制
御回路手段から出力される適宜の制御信号によって、第
１の制御手段Ｓ１又は第２の制御手段Ｓ２が任意に選択
されると同時に、入力切り換え信号手段と出力切り換え
信号手段の何れかが同時に選択される様に構成されてい
る。
【００６１】ここでインピーダンス変換回路５１（ｊ）
は、とくに増幅作用は必要なく、低インピーダンス出力
を提供すればよく、一般的なバッファ回路で例えば、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルトランジスタとデプレッ
ション型ｎチャンネルトランジスタを直列に接続した一
般的なソースフォロワ構成の様なバッファ回路でよい。
は、とくに増幅作用は必要なく、低インピーダンス出力
を提供すればよく、一般的なバッファ回路で例えば、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルトランジスタとデプレッ
ション型ｎチャンネルトランジスタを直列に接続した一
般的なソースフォロワ構成の様なバッファ回路でよい。
【００６２】また信号増幅回路２９はアナログ増幅作用
があればよく、一般的なアナログ増幅器であるＯＰアン
プ回路等を用いればよい。またＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）、ＭＯＳトラン
ジスタ５９（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）は、
単なるスイッチであり、エンハンスメント型ｐチャンネ
ルＭＯＳトランジスタとエンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタを組み合わせた一般的なトランス
ミッションゲート回路等のスイッチ回路でもよい。
があればよく、一般的なアナログ増幅器であるＯＰアン
プ回路等を用いればよい。またＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）、ＭＯＳトラン
ジスタ５９（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ６１（ｊ）は、
単なるスイッチであり、エンハンスメント型ｐチャンネ
ルＭＯＳトランジスタとエンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタを組み合わせた一般的なトランス
ミッションゲート回路等のスイッチ回路でもよい。
【００６３】また本発明の説明で用いたＭＯＳ型固体撮
像装置の光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）と、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）から構成されている一般的なパッシ
ブ方式であるが、本発明のＭＯＳ型固体撮像装置でもち
いる光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、１つの光電変
換素子と１つ以上のＭＯＳトランジスタで構成される各
光電変換セルに増幅器をそなえたアクティブ方式の光電
変換セルでもよい。
像装置の光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）と、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）から構成されている一般的なパッシ
ブ方式であるが、本発明のＭＯＳ型固体撮像装置でもち
いる光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、１つの光電変
換素子と１つ以上のＭＯＳトランジスタで構成される各
光電変換セルに増幅器をそなえたアクティブ方式の光電
変換セルでもよい。
【００６４】次に図７のフローチャートを参照しなが
ら、本発明に於ける固体撮像装置の駆動方法の概要を説
明する。まず、各光電変換セル１４の「読み出しが開
始」ステップ（７１）がスタートし、水平走査回路２
７、垂直走査回路１７の「初期値設定ｉ＝０，ｊ＝０に
セット」が行われる（ステップ（７３））。
ら、本発明に於ける固体撮像装置の駆動方法の概要を説
明する。まず、各光電変換セル１４の「読み出しが開
始」ステップ（７１）がスタートし、水平走査回路２
７、垂直走査回路１７の「初期値設定ｉ＝０，ｊ＝０に
セット」が行われる（ステップ（７３））。
【００６５】次に、ステップ（７５）に於て、「ｉ行目
のデータを各々の複数信号線光受光量値記憶手段３０の
コンデンサへ充電」走査が実行される。そしてステップ
（７７）に於て、「水平走査回路２７より、ｊ列目の列
信号線１９（ｊ）を選択するパルスを出力」が実行さ
れ、ステップ（７９）に進んで、「出力信号線３５にデ
ータ出力」の操作が実行される。
のデータを各々の複数信号線光受光量値記憶手段３０の
コンデンサへ充電」走査が実行される。そしてステップ
（７７）に於て、「水平走査回路２７より、ｊ列目の列
信号線１９（ｊ）を選択するパルスを出力」が実行さ
れ、ステップ（７９）に進んで、「出力信号線３５にデ
ータ出力」の操作が実行される。
【００６６】当該ステップ（７９）の操作が実行されて
いる間に、ステップ（８１）に於て、「ｉ＝ｍかチェッ
ク」の操作が１回だけ行われ、ｉ＝ｍに達していない場
合には、ステップ（８３）に於て「ｉ＝ｉ＋１」のイン
クレメント操作が実行されて、ステップ（７５）に戻
り、上記した「ｉ行目のデータを多行選択回路のコンデ
ンサへ充電」の操作以下の各操作が繰り返される。
いる間に、ステップ（８１）に於て、「ｉ＝ｍかチェッ
ク」の操作が１回だけ行われ、ｉ＝ｍに達していない場
合には、ステップ（８３）に於て「ｉ＝ｉ＋１」のイン
クレメント操作が実行されて、ステップ（７５）に戻
り、上記した「ｉ行目のデータを多行選択回路のコンデ
ンサへ充電」の操作以下の各操作が繰り返される。
【００６７】つまりｉ行目のデータを読み出している間
に、次のｉ＋１行目のデータを、当該複数信号線光受光
量値記憶手段３０のコンデンサへ充電しておく。そし
て、ステップ（８１）に於て、ｉ＝ｍと判断された場合
には、ステップ（８５）に進んで、「ｊ＝ｎ×ｍかチェ
ック」を判断する操作が実行される。つまり、水平シフ
ト回路２７から連続して全光電変換セルの個数であるｎ
×ｍ個のパルスを出力する。
に、次のｉ＋１行目のデータを、当該複数信号線光受光
量値記憶手段３０のコンデンサへ充電しておく。そし
て、ステップ（８１）に於て、ｉ＝ｍと判断された場合
には、ステップ（８５）に進んで、「ｊ＝ｎ×ｍかチェ
ック」を判断する操作が実行される。つまり、水平シフ
ト回路２７から連続して全光電変換セルの個数であるｎ
×ｍ個のパルスを出力する。
【００６８】当該ステップ（８５）に於て、ｊ＝ｎ×ｍ
に達してない場合には、ステップ（８７）に於て「ｊ＝
ｊ＋１」のインクレメント操作を実行してステップ（７
７）に戻り、上記した各操作が繰り返される。そして、
ステップ（８５）に於てｊ＝ｎ×ｍの判断が出される
と、全ての光電変換セルの読み出しが終了し、当該ルー
チンは終了する事になる。
に達してない場合には、ステップ（８７）に於て「ｊ＝
ｊ＋１」のインクレメント操作を実行してステップ（７
７）に戻り、上記した各操作が繰り返される。そして、
ステップ（８５）に於てｊ＝ｎ×ｍの判断が出される
と、全ての光電変換セルの読み出しが終了し、当該ルー
チンは終了する事になる。
【００６９】次に、１図と２図と３図を用いて、このＭ
ＯＳ型固体撮像装置１００の読みだし駆動方法につい
て、さらに詳細に説明する。まず、固体撮像装置１００
から光電変換素子１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照
射された光量を読み出す前に各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（ｍ，ｎ）と垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）のソース接続点の
電位は、定電圧ＶＭ３３に固定しておく。
ＯＳ型固体撮像装置１００の読みだし駆動方法につい
て、さらに詳細に説明する。まず、固体撮像装置１００
から光電変換素子１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照
射された光量を読み出す前に各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（ｍ，ｎ）と垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）のソース接続点の
電位は、定電圧ＶＭ３３に固定しておく。
【００７０】この状態で、光が照射されると、各光電変
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のソース電位が、光の量に比例して定電圧Ｖ
Ｍ３３より下がる。次に、垂直走査回路１７により、垂
直ゲート線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝１で
ある垂直ゲート線１５（１）に正電圧のパルスを印加す
ると、ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（１，１）〜１３（１，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ
個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１，１）
〜１３（１，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のソース電位が、光の量に比例して定電圧Ｖ
Ｍ３３より下がる。次に、垂直走査回路１７により、垂
直ゲート線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝１で
ある垂直ゲート線１５（１）に正電圧のパルスを印加す
ると、ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（１，１）〜１３（１，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ
個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１，１）
〜１３（１，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
【００７１】さらに第１の入力切り替え信号線３２に正
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５１（１）
〜５１（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５１（１）
〜５１（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
【００７２】そして、この電流は読み出し用負荷抵抗３
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１
（ｎ）を介してコンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電される。
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１
（ｎ）を介してコンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電される。
【００７３】次に、垂直ゲート線１５（１）と第１の入
力切り替え信号線３２のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１）〜１３（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１（ｎ）をいっ
せいにＯＦＦさせて、コンデンサ５５（１）〜５５
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す、そして第１の出力切り替え信号線３６に正電
圧のパルスを印加して、ＭＯＳトランジスタ５９（１）
〜５９（ｎ）をＯＦＦからＯＮにし、コンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）の一端をインピーダンス変換回路５
４（１）〜５４（ｎ）に接続させる。
力切り替え信号線３２のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１）〜１３（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１（ｎ）をいっ
せいにＯＦＦさせて、コンデンサ５５（１）〜５５
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す、そして第１の出力切り替え信号線３６に正電
圧のパルスを印加して、ＭＯＳトランジスタ５９（１）
〜５９（ｎ）をＯＦＦからＯＮにし、コンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）の一端をインピーダンス変換回路５
４（１）〜５４（ｎ）に接続させる。
【００７４】コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電
された電位はそれぞれインピーダンス変換回路５４
（１）〜５４（ｎ）の出力を介して、水平スイッチ用Ｍ
ＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）のソース端子
に出力される。さらに第１の出力切り替え信号線３６を
正電圧にしたままで、水平走査回路２７から水平ゲート
線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印
加すると、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を行
い、インピーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の
出力が順次に、信号増幅器２９の入力である水平信号出
力線２３に入力され、信号増幅器２９により増幅され、
出力信号線３５へ出力される。
された電位はそれぞれインピーダンス変換回路５４
（１）〜５４（ｎ）の出力を介して、水平スイッチ用Ｍ
ＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）のソース端子
に出力される。さらに第１の出力切り替え信号線３６を
正電圧にしたままで、水平走査回路２７から水平ゲート
線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印
加すると、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を行
い、インピーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の
出力が順次に、信号増幅器２９の入力である水平信号出
力線２３に入力され、信号増幅器２９により増幅され、
出力信号線３５へ出力される。
【００７５】このようにして各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を電圧値として
知ることができる。さらに上述の、第１の出力切り替え
信号線３６を正電圧にしたままで水平走査回路２７から
水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧の
パルスを印加している間に、垂直走査回路１７により、
垂直ゲート信号線１５（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）のうちのｉ
＝２と、第２の入力切り替え信号線３４に正電圧のパル
スを印加して垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（２，１）〜１３（２，ｎ）と、ＭＯＳトランジスタ５
３（１）〜５３（ｎ）を導通させる。
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を電圧値として
知ることができる。さらに上述の、第１の出力切り替え
信号線３６を正電圧にしたままで水平走査回路２７から
水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧の
パルスを印加している間に、垂直走査回路１７により、
垂直ゲート信号線１５（ｉ）（ｉ＝１〜ｍ）のうちのｉ
＝２と、第２の入力切り替え信号線３４に正電圧のパル
スを印加して垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（２，１）〜１３（２，ｎ）と、ＭＯＳトランジスタ５
３（１）〜５３（ｎ）を導通させる。
【００７６】垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、
それぞれ読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）の
一端が接続してあり、この各読み出し用負荷抵抗３１
（１）〜３１（ｎ）のもう一端には、定電圧ＶＭの電源
３３が接続しているので、垂直信号線１９（１）〜１９
（ｎ）には、光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，
ｎ）の、光の照射によって降下した電圧に比例した電流
が流れ込む。
それぞれ読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）の
一端が接続してあり、この各読み出し用負荷抵抗３１
（１）〜３１（ｎ）のもう一端には、定電圧ＶＭの電源
３３が接続しているので、垂直信号線１９（１）〜１９
（ｎ）には、光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，
ｎ）の、光の照射によって降下した電圧に比例した電流
が流れ込む。
【００７７】そして、この電流は読み出し用負荷抵抗３
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（２，
１）〜１１（２，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３
（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電される。
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（２，
１）〜１１（２，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３
（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電される。
【００７８】次に、垂直ゲート線１５（２）と第２の入
力切り替え信号線３４のパルスを接地レベルとして、垂
直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１）〜１３
（ｎ）とＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３（ｎ）を
いっせいにＯＦＦさせて、コンデンサ５７（１）〜５７
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す。
力切り替え信号線３４のパルスを接地レベルとして、垂
直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１）〜１３
（ｎ）とＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３（ｎ）を
いっせいにＯＦＦさせて、コンデンサ５７（１）〜５７
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す。
【００７９】そして水平走査回路２７からｎ個の正電圧
パルスが水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）に出力さ
れ終わり、光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，
ｎ）に照射された光量を電圧値として水平信号出力線２
３に出力し終わった後、第１の出力切り替え信号線３６
は、正電位からグランドレベルに接地され、ＭＯＳトラ
ンジスタ５９（１）〜５９（ｎ）はＯＦＦしてコンデン
サ５５（１）〜５５（ｎ）はインピーダンス変換回路５
１（１）〜５１（ｎ）と切り離される。
パルスが水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）に出力さ
れ終わり、光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，
ｎ）に照射された光量を電圧値として水平信号出力線２
３に出力し終わった後、第１の出力切り替え信号線３６
は、正電位からグランドレベルに接地され、ＭＯＳトラ
ンジスタ５９（１）〜５９（ｎ）はＯＦＦしてコンデン
サ５５（１）〜５５（ｎ）はインピーダンス変換回路５
１（１）〜５１（ｎ）と切り離される。
【００８０】次に第２の出力切り替え信号線３８に正電
圧のパルスを印加して、ＭＯＳトランジスタ６１（１）
〜６１（ｎ）をＯＦＦからＯＮにし、コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）の一端をインピーダンス変換回路５
４（１）〜５４（ｎ）に接続させる。コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電された電位はそれぞれインピ
ーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の出力を介し
て、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２
１（ｎ）のソース端子に出力される。
圧のパルスを印加して、ＭＯＳトランジスタ６１（１）
〜６１（ｎ）をＯＦＦからＯＮにし、コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）の一端をインピーダンス変換回路５
４（１）〜５４（ｎ）に接続させる。コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電された電位はそれぞれインピ
ーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の出力を介し
て、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２
１（ｎ）のソース端子に出力される。
【００８１】第２の出力切り替え信号線３８を正電圧に
したままで、水平走査回路２７から水平ゲート線２５
（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印加する
と、ｎ個の水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を行
い、インピーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の
出力が順次に、信号増幅器２９の入力である水平信号出
力線２３に入力され、信号増幅器２９により増幅され、
出力信号線３５へ出力される。
したままで、水平走査回路２７から水平ゲート線２５
（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印加する
と、ｎ個の水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（１）〜２１（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を行
い、インピーダンス変換回路５４（１）〜５４（ｎ）の
出力が順次に、信号増幅器２９の入力である水平信号出
力線２３に入力され、信号増幅器２９により増幅され、
出力信号線３５へ出力される。
【００８２】このようにして光電変換素子アレイ１０の
２行目の光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）
に照射された光量を電圧値として知ることができる。上
記の手順を繰り返すことにより、光電変換素子アレイ１
０の全ての光電変換素子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，
…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に照射された光量を知ること
ができる。
２行目の光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）
に照射された光量を電圧値として知ることができる。上
記の手順を繰り返すことにより、光電変換素子アレイ１
０の全ての光電変換素子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，
…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に照射された光量を知ること
ができる。
【００８３】次に本発明の光電変換素子アレイ１０に照
射された光量を読み出す際の回路動作タイミングについ
て、図３の動作タイミング図をもちいて詳細に説明す
る。まず、垂直走査回路１７より、正電位のパルスが、
パルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５（１）に出力さ
れる。この垂直ゲート線１５（１）がハイレベルの期間
Ｔｖ５５に、第１の入力切り替え信号線３２はパルス幅
Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。
射された光量を読み出す際の回路動作タイミングについ
て、図３の動作タイミング図をもちいて詳細に説明す
る。まず、垂直走査回路１７より、正電位のパルスが、
パルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５（１）に出力さ
れる。この垂直ゲート線１５（１）がハイレベルの期間
Ｔｖ５５に、第１の入力切り替え信号線３２はパルス幅
Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。
【００８４】この垂直ゲート線１５（１）がハイレベル
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（１，１）
〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電される。
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（１，１）
〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電される。
【００８５】コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に光電
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（１）はグランド
レベルに接地される。次に第１の出力切り替え信号３６
がパルス幅Ｔｖ３７の期間だけ正電位パルスとなり、こ
のＴｖ３７時間内に水平走査回路２７よりＷｈ５４周期
で、パルス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲー
ト線２５（１）〜２５（ｎ）に順次出力される。
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（１）はグランド
レベルに接地される。次に第１の出力切り替え信号３６
がパルス幅Ｔｖ３７の期間だけ正電位パルスとなり、こ
のＴｖ３７時間内に水平走査回路２７よりＷｈ５４周期
で、パルス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲー
ト線２５（１）〜２５（ｎ）に順次出力される。
【００８６】信号増幅回路２９の入力である水平信号出
力線２３には、水平走査回路２７からの各信号線２５
（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５１
時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電さ
れた各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に
流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そして
信号増幅回路２９により増幅され、出力信号線３５に出
力される。
力線２３には、水平走査回路２７からの各信号線２５
（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５１
時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電さ
れた各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に
流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そして
信号増幅回路２９により増幅され、出力信号線３５に出
力される。
【００８７】出力信号線３５に各光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例
する電圧が出力されているＴｖ３７の期間中に、垂直走
査回路１７より、正電位のパルスが、パルス幅Ｔｖ５５
にて垂直ゲート線１５（２）に出力される。この垂直ゲ
ート線１５（２）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、第２
の入力切り替え信号線３４はパルス幅Ｔｄ４９の期間だ
けハイレベルとなる。
（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例
する電圧が出力されているＴｖ３７の期間中に、垂直走
査回路１７より、正電位のパルスが、パルス幅Ｔｖ５５
にて垂直ゲート線１５（２）に出力される。この垂直ゲ
ート線１５（２）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、第２
の入力切り替え信号線３４はパルス幅Ｔｄ４９の期間だ
けハイレベルとなる。
【００８８】この垂直ゲート線１５（２）がハイレベル
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（２，１）
〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第２の入力切り替え信号線３４がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５３（１）〜５３（ｎ）を介してコンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電される。
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（２，１）
〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第２の入力切り替え信号線３４がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５３（１）〜５３（ｎ）を介してコンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電される。
【００８９】コンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に光電
変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。第１の出力切り替え信号３６が正
電位パルスとなっているパルス幅Ｔｖ３７の期間が終了
し、水平走査回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔ
ｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）
〜２５（ｎ）に順次出力し終わると、第１の出力切り替
え信号３６はグランドベルに接地されてＭＯＳトランジ
スタ５９（１）〜５９（ｎ）がＯＦＦとなるので、コン
デンサ５５（１）〜５５（ｎ）はインピーダンス変換回
路５４（１）〜５４（ｎ）から切り離される。
変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。第１の出力切り替え信号３６が正
電位パルスとなっているパルス幅Ｔｖ３７の期間が終了
し、水平走査回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔ
ｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）
〜２５（ｎ）に順次出力し終わると、第１の出力切り替
え信号３６はグランドベルに接地されてＭＯＳトランジ
スタ５９（１）〜５９（ｎ）がＯＦＦとなるので、コン
デンサ５５（１）〜５５（ｎ）はインピーダンス変換回
路５４（１）〜５４（ｎ）から切り離される。
【００９０】次に第２の出力切り替え信号３８がパルス
幅Ｔｖ３７の期間だけ正電位パルスとなり、このＴｖ３
７時間内に水平走査回路２７よりＷｈ５４周期で、パル
ス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２５
（１）〜２５（ｎ）に順次出力される。信号増幅回路２
９の入力である水平信号出力線２３には、水平走査回路
２７からの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベ
ルになってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１
（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例
する電圧が出力される。そして信号増幅回路２９により
増幅され、出力信号線３５に出力される。
幅Ｔｖ３７の期間だけ正電位パルスとなり、このＴｖ３
７時間内に水平走査回路２７よりＷｈ５４周期で、パル
ス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２５
（１）〜２５（ｎ）に順次出力される。信号増幅回路２
９の入力である水平信号出力線２３には、水平走査回路
２７からの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベ
ルになってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７
（１）〜５７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１
（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例
する電圧が出力される。そして信号増幅回路２９により
増幅され、出力信号線３５に出力される。
【００９１】つまりＷｈ５４の周期にて、連続して水平
走査回路２７より水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に、Ｔｈ５３のパルスが、ｎ×ｍ個出力される。ここで
Ｔａ４１は、垂直ゲート線１５（ｉ）により垂直スイッ
チ用ＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）がＯＮしてか
ら、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）に流れ込んだ電流量が
読み出し用負荷抵抗３１（ｉ）により電圧変換され、こ
の電圧がコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５７
（ｊ）に充電されるまでの時間である。
走査回路２７より水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に、Ｔｈ５３のパルスが、ｎ×ｍ個出力される。ここで
Ｔａ４１は、垂直ゲート線１５（ｉ）により垂直スイッ
チ用ＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）がＯＮしてか
ら、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）に流れ込んだ電流量が
読み出し用負荷抵抗３１（ｉ）により電圧変換され、こ
の電圧がコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５７
（ｊ）に充電されるまでの時間である。
【００９２】また一方、Ｔｂ５１は、水平ゲート線２５
（ｉ）により、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（ｉ）がＯＮしてから、インピーダンス変換回路５１
（ｉ）の出力が水平信号出力線２３に出力するまでの時
間である。Ｔａ４１は、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために電流電圧変
換の時間が長く、またコンデンサ５５（ｊ）またはコン
デンサ５７（ｊ）に充電するまでに時間がかかるが、選
択したｉ行の各光電変換素子１１（ｉ，１）〜１１
（ｉ，ｎ）に流れ込んだ電流量を読み出すには、垂直ゲ
ート線１５（ｉ）に一回だけ、Ｔａ４１より長いＴｖ５
５のハイレベルパルスを出力し、この期間内に第１の入
力切り替え信号線３２または第２の入力切り替え信号線
３４へＴｄ４９の期間ハイレベルにするパルスを出力す
ればよい。
（ｉ）により、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
（ｉ）がＯＮしてから、インピーダンス変換回路５１
（ｉ）の出力が水平信号出力線２３に出力するまでの時
間である。Ｔａ４１は、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために電流電圧変
換の時間が長く、またコンデンサ５５（ｊ）またはコン
デンサ５７（ｊ）に充電するまでに時間がかかるが、選
択したｉ行の各光電変換素子１１（ｉ，１）〜１１
（ｉ，ｎ）に流れ込んだ電流量を読み出すには、垂直ゲ
ート線１５（ｉ）に一回だけ、Ｔａ４１より長いＴｖ５
５のハイレベルパルスを出力し、この期間内に第１の入
力切り替え信号線３２または第２の入力切り替え信号線
３４へＴｄ４９の期間ハイレベルにするパルスを出力す
ればよい。
【００９３】また一方、インピーダンス変換回路５４
（１）〜５４（ｎ）の出力インピーダンスは低いので、
水平信号出力線２３に現れるインピーダンス変換回路５
１（１）〜５１（ｎ）の出力信号は、水平スイッチ用Ｍ
ＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）がＯＮする
と、Ｔｂ５１時間で非常にすばやく、水平信号出力線２
３に出力される。
（１）〜５４（ｎ）の出力インピーダンスは低いので、
水平信号出力線２３に現れるインピーダンス変換回路５
１（１）〜５１（ｎ）の出力信号は、水平スイッチ用Ｍ
ＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）がＯＮする
と、Ｔｂ５１時間で非常にすばやく、水平信号出力線２
３に出力される。
【００９４】したがってＴａ４１＞＞Ｔｂ５１であり、
Ｔｄ４９＞＞Ｔｈ５３とすることができる。従って、全
各光電変換素子を読み出すには、Ｔｄ４９＋（Ｔｈ５３
×ｎ）ｍ時間以上必要となる。Ｔｈ５３は、従来のＭＯ
Ｓ型固体撮像装置における光電変換素子読み出し動作タ
イミングを説明する図６のＴｈ３９と比較すると、Ｔｈ
３９＞＞Ｔｈ５３であるので、本発明により、全光電変
換素子に照射された光量を読み出す時間はきわめて非常
に短くなる。
Ｔｄ４９＞＞Ｔｈ５３とすることができる。従って、全
各光電変換素子を読み出すには、Ｔｄ４９＋（Ｔｈ５３
×ｎ）ｍ時間以上必要となる。Ｔｈ５３は、従来のＭＯ
Ｓ型固体撮像装置における光電変換素子読み出し動作タ
イミングを説明する図６のＴｈ３９と比較すると、Ｔｈ
３９＞＞Ｔｈ５３であるので、本発明により、全光電変
換素子に照射された光量を読み出す時間はきわめて非常
に短くなる。
【００９５】次に本発明の第２の実施例を図４及び図５
を用いて回路の構成について説明する。本発明のＭＯＳ
型固体撮像装置の光電変換素子アレイ１０は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，
…ｎ）に垂直スイッチ用エンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…
ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子が接続された光電
変換素子セル１４（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝
１，２，…ｎ）が、ｍ行、ｎ列のマトリックス状に配列
されている。
を用いて回路の構成について説明する。本発明のＭＯＳ
型固体撮像装置の光電変換素子アレイ１０は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，
…ｎ）に垂直スイッチ用エンハンスメント型ｎチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…
ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子が接続された光電
変換素子セル１４（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝
１，２，…ｎ）が、ｍ行、ｎ列のマトリックス状に配列
されている。
【００９６】この垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１
３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、光電変換素子
アレイ１０の中で１行ごとに垂直ゲート線１５（ｉ）
（ｉ＝１，２…ｍ）に共通接続され、それぞれ垂直走査
回路１７に接続されている。また、垂直スイッチ用ＭＯ
Ｓトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのドレイン端
子は、垂直信号線１９（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）に１
列ごとに共通接続されている。
３（ｉ，ｊ）のそれぞれのゲート端子は、光電変換素子
アレイ１０の中で１行ごとに垂直ゲート線１５（ｉ）
（ｉ＝１，２…ｍ）に共通接続され、それぞれ垂直走査
回路１７に接続されている。また、垂直スイッチ用ＭＯ
Ｓトランジスタ１３（ｉ，ｊ）のそれぞれのドレイン端
子は、垂直信号線１９（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）に１
列ごとに共通接続されている。
【００９７】そして各垂直信号線１９（ｊ）は、複数信
号線光受光量値記憶手段３０を介してそれぞれ水平スイ
ッチ用エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジ
スタ２１ａ（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、２１ｂ
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）のそれぞれのソース端子に
接続し、この水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１ａ
（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号出力線２３
ａに接続し、もう一方の水平スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ２１ｂ（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号
出力線２３ｂに接続している。
号線光受光量値記憶手段３０を介してそれぞれ水平スイ
ッチ用エンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジ
スタ２１ａ（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、２１ｂ
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）のそれぞれのソース端子に
接続し、この水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１ａ
（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号出力線２３
ａに接続し、もう一方の水平スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ２１ｂ（ｊ）のドレイン端子は全て共通の水平信号
出力線２３ｂに接続している。
【００９８】複数信号線光受光量値記憶手段３０には、
第１の入力切り替え信号線３２と、第２の入力切り替え
信号線３４とが接続している。水平スイッチ用ＭＯＳト
ランジスタ２１ａ（ｊ）と、もうひとつの水平スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ２１ｂ（ｊ）のゲート端子は共通
に接続され、水平ゲート線２５（ｊ）（ｊ＝１，２，…
ｎ）を介して水平走査回路２７に接続している。
第１の入力切り替え信号線３２と、第２の入力切り替え
信号線３４とが接続している。水平スイッチ用ＭＯＳト
ランジスタ２１ａ（ｊ）と、もうひとつの水平スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ２１ｂ（ｊ）のゲート端子は共通
に接続され、水平ゲート線２５（ｊ）（ｊ＝１，２，…
ｎ）を介して水平走査回路２７に接続している。
【００９９】水平信号出力線２３ａは信号増幅器２９ａ
へ入力し、信号増幅器２９ａの出力は、出力信号線３５
ａに接続している。また水平信号出力線２３ｂは信号増
幅器２９ｂへ入力し、信号増幅器２９ｂの出力は、出力
信号線３５ｂに接続している。次に、複数信号線光受光
量値記憶手段３０の詳細な回路実施例について図５をも
ちいて説明する。
へ入力し、信号増幅器２９ａの出力は、出力信号線３５
ａに接続している。また水平信号出力線２３ｂは信号増
幅器２９ｂへ入力し、信号増幅器２９ｂの出力は、出力
信号線３５ｂに接続している。次に、複数信号線光受光
量値記憶手段３０の詳細な回路実施例について図５をも
ちいて説明する。
【０１００】各垂直信号線１９（ｉ）には、複数信号線
光受光量値記憶手段３０（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）が
１つずつ接続している。垂直信号線１９（ｊ）は、読み
出し用負荷抵抗３１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子と、エンハン
スメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）
（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子に接続する。
光受光量値記憶手段３０（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）が
１つずつ接続している。垂直信号線１９（ｊ）は、読み
出し用負荷抵抗３１（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）と、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子と、エンハン
スメント型ｎチャンネルＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）
（ｊ＝１，２，…ｎ）のソース端子に接続する。
【０１０１】また読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）のもう
一端には、定電圧ＶＭの電源３３に接続する。そして定
電圧ＶＭの電源３３のもう一端は、ＧＮＤレベルに接地
している。定電圧ＶＭの電源３３は、当該複数信号線光
受光量値記憶手段３０（ｊ）ないで、全て共通である。
尚、当該読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）と当該定電圧Ｖ
Ｍの電源３３で、電圧検出回路５０が構成されている。
一端には、定電圧ＶＭの電源３３に接続する。そして定
電圧ＶＭの電源３３のもう一端は、ＧＮＤレベルに接地
している。定電圧ＶＭの電源３３は、当該複数信号線光
受光量値記憶手段３０（ｊ）ないで、全て共通である。
尚、当該読み出し用負荷抵抗３１（ｊ）と当該定電圧Ｖ
Ｍの電源３３で、電圧検出回路５０が構成されている。
【０１０２】更に、ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のド
レイン端子は、コンデンサ５５（ｊ）（ｊ＝１，２，…
ｎ）とインピーダンス変換回路５４ａ（ｊ）（ｊ＝１，
２，…ｎ）の入力端子に接続し、ＭＯＳトランジスタ５
３（ｊ）のドレイン端子は、コンデンサ５７（ｊ）（ｊ
＝１，２，…ｎ）とインピーダンス変換回路５４ｂ
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）の入力端子に接続してい
る。
レイン端子は、コンデンサ５５（ｊ）（ｊ＝１，２，…
ｎ）とインピーダンス変換回路５４ａ（ｊ）（ｊ＝１，
２，…ｎ）の入力端子に接続し、ＭＯＳトランジスタ５
３（ｊ）のドレイン端子は、コンデンサ５７（ｊ）（ｊ
＝１，２，…ｎ）とインピーダンス変換回路５４ｂ
（ｊ）（ｊ＝１，２，…ｎ）の入力端子に接続してい
る。
【０１０３】そしてコンデンサ５５（ｊ）のもう一端
と、コンデンサ５７（ｊ）のもう一端は、グランドレベ
ルに接地している。インピーダンス変換回路５４ａ
（ｊ）の出力は、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２
１ａ（ｊ）のソース端子に接続し、インピーダンス変換
回路５４ｂ（ｊ）の出力は、水平スイッチ用ＭＯＳトラ
ンジスタ２１ｂ（ｊ）のソース端子に接続する。
と、コンデンサ５７（ｊ）のもう一端は、グランドレベ
ルに接地している。インピーダンス変換回路５４ａ
（ｊ）の出力は、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２
１ａ（ｊ）のソース端子に接続し、インピーダンス変換
回路５４ｂ（ｊ）の出力は、水平スイッチ用ＭＯＳトラ
ンジスタ２１ｂ（ｊ）のソース端子に接続する。
【０１０４】ＭＯＳトランジスタ５１（ｊ）のゲート端
子は第１の入力切り替え信号線３２へ接続し、ＭＯＳト
ランジスタ５３（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り替
え信号線３４へ接続する。ここでインピーダンス変換回
路５４ａ（ｊ）とインピーダンス変換回路５４ｂ（ｊ）
は、全く同じ特性をもつ同一のインピーダンス変換回路
で、とくに増幅作用は必要なく、低インピーダンス出力
を提供すればよく、一般的なバッファ回路で例えば、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルトランジスタとデプレッ
ション型ｎチャンネルトランジスタを直列に接続した一
般的なソースフォロワ構成の様なバッファ回路でよい。
子は第１の入力切り替え信号線３２へ接続し、ＭＯＳト
ランジスタ５３（ｊ）のゲート端子は第２の入力切り替
え信号線３４へ接続する。ここでインピーダンス変換回
路５４ａ（ｊ）とインピーダンス変換回路５４ｂ（ｊ）
は、全く同じ特性をもつ同一のインピーダンス変換回路
で、とくに増幅作用は必要なく、低インピーダンス出力
を提供すればよく、一般的なバッファ回路で例えば、エ
ンハンスメント型ｎチャンネルトランジスタとデプレッ
ション型ｎチャンネルトランジスタを直列に接続した一
般的なソースフォロワ構成の様なバッファ回路でよい。
【０１０５】また信号増幅回路２９はアナログ増幅作用
があればよく、一般的なアナログ増幅器であるＯＰアン
プ回路等を用いればよい。またＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）、単なるスイッ
チであり、エンハンスメント型ｐチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタとエンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタを組み合わせた一般的なトランスミッションゲ
ート回路等のスイッチ回路でもよい。
があればよく、一般的なアナログ増幅器であるＯＰアン
プ回路等を用いればよい。またＭＯＳトランジスタ５１
（ｊ）、ＭＯＳトランジスタ５３（ｊ）、単なるスイッ
チであり、エンハンスメント型ｐチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタとエンハンスメント型ｎチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタを組み合わせた一般的なトランスミッションゲ
ート回路等のスイッチ回路でもよい。
【０１０６】また本発明の説明で用いたＭＯＳ型固体撮
像装置の光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）と、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）から構成されている一般的なパッシ
ブ方式であるが、本発明のＭＯＳ型固体撮像装置で用い
る光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、１つの光電変換
素子と１つ以上のＭＯＳトランジスタで構成される各光
電変換セルに増幅器をそなえたアクティブ方式の光電変
換セルでもよい。
像装置の光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、光電変換
素子１１（ｉ，ｊ）と、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジ
スタ１３（ｉ，ｊ）から構成されている一般的なパッシ
ブ方式であるが、本発明のＭＯＳ型固体撮像装置で用い
る光電変換素子セル１４（ｉ，ｊ）は、１つの光電変換
素子と１つ以上のＭＯＳトランジスタで構成される各光
電変換セルに増幅器をそなえたアクティブ方式の光電変
換セルでもよい。
【０１０７】次に図８に示すフローチャートを参照しな
がら、本具体例に於ける当該固体撮像装置の駆動方法の
概要を説明する。まず、ステップ（７１）に於て、各光
電変換セル１４の「読み出しが開始」の操作が開始さ
れ、ステップ（７３）に於て、水平走査回路、垂直走査
回路の「初期値設定ｉ＝０，ｊ＝０にセット」の為の操
作が実行される。
がら、本具体例に於ける当該固体撮像装置の駆動方法の
概要を説明する。まず、ステップ（７１）に於て、各光
電変換セル１４の「読み出しが開始」の操作が開始さ
れ、ステップ（７３）に於て、水平走査回路、垂直走査
回路の「初期値設定ｉ＝０，ｊ＝０にセット」の為の操
作が実行される。
【０１０８】次に、ステップ（７５）に於て、「ｉ行目
のデータを複数信号線光受光量値記憶手段３０のコンデ
ンサへ充電」する操作が実行され、ステップ（７６）に
進んで、「ｉ＋１行目のデータを複数信号線光受光量値
記憶手段３０のコンデンサへ充電」する操作が実行され
る。その後、ステップ（７７）に於て、「水平走査回路
より、ｊ列目を選択するパルスを出力」する操作が行わ
れた後、ステップ（７９）に於て、「出力信号線にデー
タ出力」の操作が実行される。
のデータを複数信号線光受光量値記憶手段３０のコンデ
ンサへ充電」する操作が実行され、ステップ（７６）に
進んで、「ｉ＋１行目のデータを複数信号線光受光量値
記憶手段３０のコンデンサへ充電」する操作が実行され
る。その後、ステップ（７７）に於て、「水平走査回路
より、ｊ列目を選択するパルスを出力」する操作が行わ
れた後、ステップ（７９）に於て、「出力信号線にデー
タ出力」の操作が実行される。
【０１０９】次いでステップ（８６）に進んで、「ｊ＝
ｎかチェック」の判断操作が行われ、ｊ＝ｎに達してい
ない場合にはステップ（８７）に於て「ｊ＝ｊ＋１」の
インクレメント操作が実行された後、ステップ（７７）
に戻り再び「水平走査回路より、ｊ列目を選択するパル
スを出力」の操作が実行される。一方、ステップ（８
６）に於て、ｊ＝ｎの場合には、ステップ（８１）に進
み、「ｉ＝ｍかチェック」を行い、ｉ＝ｍに達していな
い場合には、ステップ（８３）に於て「ｉ＝ｉ＋１」の
操作を行ってステップ（７５）に戻り、上記した各工程
が繰り返される。
ｎかチェック」の判断操作が行われ、ｊ＝ｎに達してい
ない場合にはステップ（８７）に於て「ｊ＝ｊ＋１」の
インクレメント操作が実行された後、ステップ（７７）
に戻り再び「水平走査回路より、ｊ列目を選択するパル
スを出力」の操作が実行される。一方、ステップ（８
６）に於て、ｊ＝ｎの場合には、ステップ（８１）に進
み、「ｉ＝ｍかチェック」を行い、ｉ＝ｍに達していな
い場合には、ステップ（８３）に於て「ｉ＝ｉ＋１」の
操作を行ってステップ（７５）に戻り、上記した各工程
が繰り返される。
【０１１０】一方、ステップ（８１）に於てｉ＝ｍの場
合には、ステップ（８９）に於て「読み出し終了」とな
り全ての光電変換セルの読み出しが終了する。次に、図
４、図５及び図６を用いて、この具体例に於けるＭＯＳ
型固体撮像装置回路１００の読み出し駆動方法につい
て、さらに詳細に説明する。まず、固体撮像装置１００
から光電変換素子１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照
射された光量を読み出す前に、各光電変換素子１１
（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）と垂直スイッチ用ＭＯＳト
ランジスタ１３（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）のソース接
続点の電位は、定電圧ＶＭ３３に固定しておく。
合には、ステップ（８９）に於て「読み出し終了」とな
り全ての光電変換セルの読み出しが終了する。次に、図
４、図５及び図６を用いて、この具体例に於けるＭＯＳ
型固体撮像装置回路１００の読み出し駆動方法につい
て、さらに詳細に説明する。まず、固体撮像装置１００
から光電変換素子１１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）に照
射された光量を読み出す前に、各光電変換素子１１
（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）と垂直スイッチ用ＭＯＳト
ランジスタ１３（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）のソース接
続点の電位は、定電圧ＶＭ３３に固定しておく。
【０１１１】この状態で、光が照射されると、各光電変
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のソース電位が、光の量に比例して定電圧Ｖ
Ｍ３３より下がる。次に、垂直走査回路１７により、垂
直ゲート線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝１で
ある垂直ゲート線１５（１）に正電圧のパルスを印加す
ると、ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（１，１）〜１３（１，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ
個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１，１）
〜１３（１，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
換素子１１（ｉ，ｊ）内に光の量に比例した光電流が生
じ、このため垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のソース電位が、光の量に比例して定電圧Ｖ
Ｍ３３より下がる。次に、垂直走査回路１７により、垂
直ゲート線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝１で
ある垂直ゲート線１５（１）に正電圧のパルスを印加す
ると、ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（１，１）〜１３（１，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ
個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（１，１）
〜１３（１，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
【０１１２】さらに第１の入力切り替え信号線３２に正
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５１（１）
〜５１（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５１（１）
〜５１（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（１，１）〜１１（１，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
【０１１３】そして、この電流は読み出し用負荷抵抗３
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１
（ｎ）を介してコンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電され、同
時にインピーダンス変換回路５４ａ（１）〜５４ａ
（ｎ）に入力され、さらに水平スイッチ用ＭＯＳトラン
ジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）のソース端子に出力
される。
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１
（ｎ）を介してコンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電され、同
時にインピーダンス変換回路５４ａ（１）〜５４ａ
（ｎ）に入力され、さらに水平スイッチ用ＭＯＳトラン
ジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）のソース端子に出力
される。
【０１１４】そして垂直ゲート線１５（１）と第１の入
力切り替え信号線３２のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ３１（１）〜３１（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を一斉
にＯＦＦさせて、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）の
一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を切り離
す。
力切り替え信号線３２のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ３１（１）〜３１（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を一斉
にＯＦＦさせて、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）の
一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を切り離
す。
【０１１５】次に、垂直走査回路１７により、垂直ゲー
ト線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝２である垂
直ゲート線１５（２）に正電圧のパルスを印加すると、
ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（２，
１）〜１３（２，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ個の垂
直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（２，１）〜１３
（２，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
ト線１５（１）〜１５（ｍ）のうちの、ｉ＝２である垂
直ゲート線１５（２）に正電圧のパルスを印加すると、
ｎ個の垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（２，
１）〜１３（２，ｎ）がＯＮし導通するため、ｎ個の垂
直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（２，１）〜１３
（２，ｎ）のソース電位が、ｎ本の垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）に一斉に現れる。
【０１１６】さらに第２の入力切り替え信号線３４に正
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５３（１）
〜５３（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（２，１）〜１１（２，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
電圧のパルスを印加し、ＭＯＳトランジスタ５３（１）
〜５３（ｎ）をＯＦＦからＯＮさせる。垂直信号線１９
（１）〜１９（ｎ）には、それぞれ読み出し用負荷抵抗
３１（１）〜３１（ｎ）の一端が接続してあり、この各
読み出し用負荷抵抗３１（１）〜３１（ｎ）のもう一端
には、定電圧ＶＭの電源３３が接続しているので、垂直
信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、光電変換素子１１
（２，１）〜１１（２，ｎ）の、光の照射によって降下
した電圧に比例した電流が流れ込む。
【０１１７】そして、この電流は読み出し用負荷抵抗３
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（２，
１）〜１１（２，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３
（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電され、イ
ンピーダンス変換回路５４ｂ（１）〜５４ｂ（ｎ）に入
力され、さらに水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子に出力される。
１（１）〜３１（ｎ）にて電圧変換され、垂直信号線１
９（１）〜１９（ｎ）には各光電変換素子１１（２，
１）〜１１（２，ｎ）の光の照射に比例した電位があら
われる。そしてＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３
（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）は垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）の電位に充電され、イ
ンピーダンス変換回路５４ｂ（１）〜５４ｂ（ｎ）に入
力され、さらに水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子に出力される。
【０１１８】そして垂直ゲート線１５（２）と第２の入
力切り替え信号線３４のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ３１（１）〜３１（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３（ｎ）をいっ
せいにＯＦＦさせて、コンデンサ５７（１）〜５７
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す。
力切り替え信号線３４のパルスを接地レベルとして垂直
スイッチ用ＭＯＳトランジスタ３１（１）〜３１（ｎ）
と、ＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５３（ｎ）をいっ
せいにＯＦＦさせて、コンデンサ５７（１）〜５７
（ｎ）の一端と、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）を
切り離す。
【０１１９】それから水平走査回路２７から水平ゲート
線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印
加すると、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１ａ
（１）〜２１ａ（ｎ）とＭＯＳトランジスタ２１ｂ
（１）〜２１ｂ（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を
行い、インピーダンス変換回路５４ａ（１）〜５４ａ
（ｎ）の出力が順次に、信号増幅器２９ａの入力である
水平信号出力線２３ａに入力され、信号増幅器２９ａに
より増幅され、出力信号線３５ａへ出力される。
線２５（１）〜２５（ｎ）に順番に正電圧のパルスを印
加すると、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１ａ
（１）〜２１ａ（ｎ）とＭＯＳトランジスタ２１ｂ
（１）〜２１ｂ（ｎ）が順番にＯＮからＯＦＦの動作を
行い、インピーダンス変換回路５４ａ（１）〜５４ａ
（ｎ）の出力が順次に、信号増幅器２９ａの入力である
水平信号出力線２３ａに入力され、信号増幅器２９ａに
より増幅され、出力信号線３５ａへ出力される。
【０１２０】これと同時にインピーダンス変換回路５１
ｂ（１）〜５１ｂ（ｎ）の出力が順次に、信号増幅器２
９ｂの入力である水平信号出力線２３ｂに入力され、信
号増幅器２９ｂにより増幅され、出力信号線３５ｂへ出
力される。このようにして各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を出力信号線３
５ａより電圧値として知ることができ、同時に各光電変
換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射された光
量を出力信号線３５ｂより電圧値として知ることができ
る。
ｂ（１）〜５１ｂ（ｎ）の出力が順次に、信号増幅器２
９ｂの入力である水平信号出力線２３ｂに入力され、信
号増幅器２９ｂにより増幅され、出力信号線３５ｂへ出
力される。このようにして各光電変換素子１１（１，
１）〜１１（１，ｎ）に照射された光量を出力信号線３
５ａより電圧値として知ることができ、同時に各光電変
換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射された光
量を出力信号線３５ｂより電圧値として知ることができ
る。
【０１２１】そして水平走査回路２７からｎ個の正電圧
パルスが水平ゲート線２５ａ（１）〜２５ａ（ｎ）と２
５ｂ（１）〜２５ｂ（ｎ）に出力され終わり、光電変換
素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）と光電変換素子１
１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射された光量を電圧
値として水平信号出力線２３ａと水平信号出力線２３ｂ
に出力し終わった後、上記の手順を繰り返すことによ
り、光電変換素子アレイ１０の全ての光電変換素子１１
（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に
照射された光量を知ることができる。
パルスが水平ゲート線２５ａ（１）〜２５ａ（ｎ）と２
５ｂ（１）〜２５ｂ（ｎ）に出力され終わり、光電変換
素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）と光電変換素子１
１（２，１）〜１１（２，ｎ）に照射された光量を電圧
値として水平信号出力線２３ａと水平信号出力線２３ｂ
に出力し終わった後、上記の手順を繰り返すことによ
り、光電変換素子アレイ１０の全ての光電変換素子１１
（ｉ，ｊ）（ｉ＝１，２，…ｍ、ｊ＝１，２，…ｎ）に
照射された光量を知ることができる。
【０１２２】次に本発明の固体撮像装置１００に於ける
光電変換素子アレイ１０に照射された光量を読み出す際
の回路動作タイミングについて、図６の動作タイミング
図をもちいて詳細に説明する。まず、垂直走査回路１７
より、正電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲー
ト線１５（１）に出力される。この垂直ゲート線１５
（１）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、第１の入力切り
替え信号線３２はパルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベ
ルとなる。
光電変換素子アレイ１０に照射された光量を読み出す際
の回路動作タイミングについて、図６の動作タイミング
図をもちいて詳細に説明する。まず、垂直走査回路１７
より、正電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲー
ト線１５（１）に出力される。この垂直ゲート線１５
（１）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、第１の入力切り
替え信号線３２はパルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベ
ルとなる。
【０１２３】この垂直ゲート線１５（１）がハイレベル
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（１，１）
〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電され、インピーダンス変換回
路５４ａ（１）〜５４ａ（ｎ）の出力から水平スイッチ
回路ＭＯＳトランジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）の
ソース端子へ入力される。
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（１，１）
〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電され、インピーダンス変換回
路５４ａ（１）〜５４ａ（ｎ）の出力から水平スイッチ
回路ＭＯＳトランジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）の
ソース端子へ入力される。
【０１２４】コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に光電
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（１）はグランド
レベルに接地される。次に、垂直走査回路１７より、正
電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５
（２）に出力される。
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（１）はグランド
レベルに接地される。次に、垂直走査回路１７より、正
電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５
（２）に出力される。
【０１２５】この垂直ゲート線１５（２）がハイレベル
の期間Ｔｖ５５に、第２の入力切り替え信号線３４はパ
ルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。この垂直
ゲート線１５（２）がハイレベルになることにより、垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、Ｔａ４１時間後
に各光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流
れ込んだ電流量に比例する電圧が現れ、さらに第１の入
力切り替え信号線３２がハイレベルになることにより、
この電圧はそれぞれＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５
３（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に
充電され、インピーダンス変換回路５４ｂ（１）〜５４
ｂ（ｎ）の出力から水平スイッチ回路ＭＯＳトランジス
タ２１ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子へ入力され
る。
の期間Ｔｖ５５に、第２の入力切り替え信号線３４はパ
ルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。この垂直
ゲート線１５（２）がハイレベルになることにより、垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、Ｔａ４１時間後
に各光電変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流
れ込んだ電流量に比例する電圧が現れ、さらに第１の入
力切り替え信号線３２がハイレベルになることにより、
この電圧はそれぞれＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５
３（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に
充電され、インピーダンス変換回路５４ｂ（１）〜５４
ｂ（ｎ）の出力から水平スイッチ回路ＭＯＳトランジス
タ２１ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子へ入力され
る。
【０１２６】コンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に光電
変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。そこでＴｖ３７時間内に水平走査
回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔｈ５３の正電
位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に順次出力される。
変換素子１１（２，１）〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。そこでＴｖ３７時間内に水平走査
回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔｈ５３の正電
位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に順次出力される。
【０１２７】信号増幅回路２９ａの入力である水平信号
出力線２３ａには、水平走査回路２７からの各信号線２
５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５
１時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電
された各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）
に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そし
て信号増幅回路２９ａにより増幅され、出力信号線３５
ａに出力される。
出力線２３ａには、水平走査回路２７からの各信号線２
５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５
１時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電
された各光電変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）
に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そし
て信号増幅回路２９ａにより増幅され、出力信号線３５
ａに出力される。
【０１２８】これと同時的にて信号増幅回路２９ｂの入
力である水平信号出力線２３ｂには、水平走査回路２７
からの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルに
なってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７（１）〜
５７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１（２，１）
〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
出力される。そして信号増幅回路２９ｂにより増幅さ
れ、出力信号線３５ｂに出力される。
力である水平信号出力線２３ｂには、水平走査回路２７
からの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルに
なってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７（１）〜
５７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１（２，１）
〜１１（２，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
出力される。そして信号増幅回路２９ｂにより増幅さ
れ、出力信号線３５ｂに出力される。
【０１２９】水平走査回路２７よりＷｈ５４周期で、パ
ルス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２
５（１）〜２５（ｎ）に順次出力され終わると、今度は
垂直走査回路１７より、正電位のパルスがパルス幅Ｔｖ
５５にて垂直ゲート線１５（３）に出力される。この垂
直ゲート線１５（３）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、
第１の入力切り替え信号線３２はパルス幅Ｔｄ４９の期
間だけハイレベルとなる。
ルス幅Ｔｈ５３の正電位パルスがｎ個、水平ゲート線２
５（１）〜２５（ｎ）に順次出力され終わると、今度は
垂直走査回路１７より、正電位のパルスがパルス幅Ｔｖ
５５にて垂直ゲート線１５（３）に出力される。この垂
直ゲート線１５（３）がハイレベルの期間Ｔｖ５５に、
第１の入力切り替え信号線３２はパルス幅Ｔｄ４９の期
間だけハイレベルとなる。
【０１３０】この垂直ゲート線１５（３）がハイレベル
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（３，１）
〜１１（３，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電され、インピーダンス変換回
路５４ａ（１）〜５４ａ（ｎ）の出力から水平スイッチ
回路ＭＯＳトランジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）の
ソース端子へ入力される。
になることにより、垂直信号線１９（１）〜１９（ｎ）
には、Ｔａ４１時間後に各光電変換素子１１（３，１）
〜１１（３，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が
現れ、さらに第１の入力切り替え信号線３２がハイレベ
ルになることにより、この電圧はそれぞれＭＯＳトラン
ジスタ５１（１）〜５１（ｎ）を介してコンデンサ５５
（１）〜５５（ｎ）に充電され、インピーダンス変換回
路５４ａ（１）〜５４ａ（ｎ）の出力から水平スイッチ
回路ＭＯＳトランジスタ２１ａ（１）〜２１ａ（ｎ）の
ソース端子へ入力される。
【０１３１】コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に光電
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（３）はグランド
レベルに接地される。次に、垂直走査回路１７より、正
電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５
（４）に出力される。
変換素子１１（１，１）〜１１（１，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第１の入力切
り替え信号線３２と垂直ゲート線１５（３）はグランド
レベルに接地される。次に、垂直走査回路１７より、正
電位のパルスがパルス幅Ｔｖ５５にて垂直ゲート線１５
（４）に出力される。
【０１３２】この垂直ゲート線１５（４）がハイレベル
の期間Ｔｖ５５に、第２の入力切り替え信号線３４はパ
ルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。この垂直
ゲート線１５（４）がハイレベルになることにより、垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、Ｔａ４１時間後
に各光電変換素子１１（４，１）〜１１（４，ｎ）に流
れ込んだ電流量に比例する電圧が現れ、さらに第１の入
力切り替え信号線３２がハイレベルになることにより、
この電圧はそれぞれＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５
３（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に
充電され、インピーダンス変換回路５１ｂ（１）〜５１
ｂ（ｎ）の出力から水平スイッチ回路ＭＯＳトランジス
タ２１ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子へ入力され
る。
の期間Ｔｖ５５に、第２の入力切り替え信号線３４はパ
ルス幅Ｔｄ４９の期間だけハイレベルとなる。この垂直
ゲート線１５（４）がハイレベルになることにより、垂
直信号線１９（１）〜１９（ｎ）には、Ｔａ４１時間後
に各光電変換素子１１（４，１）〜１１（４，ｎ）に流
れ込んだ電流量に比例する電圧が現れ、さらに第１の入
力切り替え信号線３２がハイレベルになることにより、
この電圧はそれぞれＭＯＳトランジスタ５３（１）〜５
３（ｎ）を介してコンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に
充電され、インピーダンス変換回路５１ｂ（１）〜５１
ｂ（ｎ）の出力から水平スイッチ回路ＭＯＳトランジス
タ２１ｂ（１）〜２１ｂ（ｎ）のソース端子へ入力され
る。
【０１３３】コンデンサ５７（１）〜５７（ｎ）に光電
変換素子１１（４，１）〜１１（４，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。そこでＴｖ３７時間内に水平走査
回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔｈ５３の正電
位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に順次出力される。
変換素子１１（４，１）〜１１（４，ｎ）に流れ込んだ
電流量に比例する電圧が充電し終わると、第２の入力切
り替え信号線３４と垂直ゲート線１５（２）はグランド
レベルに接地される。そこでＴｖ３７時間内に水平走査
回路２７よりＷｈ５４周期で、パルス幅Ｔｈ５３の正電
位パルスがｎ個、水平ゲート線２５（１）〜２５（ｎ）
に順次出力される。
【０１３４】信号増幅回路２９ａの入力である水平信号
出力線２３ａには、水平走査回路２７からの各信号線２
５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５
１時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電
された各光電変換素子１１（３，１）〜１１（３，ｎ）
に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そし
て信号増幅回路２９ａにより増幅され、出力信号線３５
ａに出力される。
出力線２３ａには、水平走査回路２７からの各信号線２
５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルになってからＴｂ５
１時間後に、コンデンサ５５（１）〜５５（ｎ）に充電
された各光電変換素子１１（３，１）〜１１（３，ｎ）
に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出力される。そし
て信号増幅回路２９ａにより増幅され、出力信号線３５
ａに出力される。
【０１３５】これと同時的に信号増幅回路２９ｂの入力
である水平信号出力線２３ｂには、水平走査回路２７か
らの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルにな
ってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７（１）〜５
７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１（４，１）〜
１１（４，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出
力される。そして信号増幅回路２９ｂにより増幅され、
出力信号線３５ｂに出力される。
である水平信号出力線２３ｂには、水平走査回路２７か
らの各信号線２５（１）〜２５（ｎ）がハイレベルにな
ってからＴｂ５１時間後に、コンデンサ５７（１）〜５
７（ｎ）に充電された各光電変換素子１１（４，１）〜
１１（４，ｎ）に流れ込んだ電流量に比例する電圧が出
力される。そして信号増幅回路２９ｂにより増幅され、
出力信号線３５ｂに出力される。
【０１３６】つまり水平走査回路２７より水平ゲート線
２５（１）〜２５（ｎ）に順次ｎ個の正電位のパルスを
印加する事により、出力信号線３５ａと出力信号線３５
ｂに同時に各光電変換素子アレイ１０の中の２行に流れ
込んだ電流量に比例する電圧がそれぞれ出力される。こ
こでＴａ４１は、垂直ゲート線１５（ｉ）により垂直ス
イッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）がＯＮして
から、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）に流れ込んだ電流量
が読み出し用負荷抵抗３１（ｉ）により電圧変換され、
この電圧がコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５７
（ｊ）に充電されるまでの時間である。
２５（１）〜２５（ｎ）に順次ｎ個の正電位のパルスを
印加する事により、出力信号線３５ａと出力信号線３５
ｂに同時に各光電変換素子アレイ１０の中の２行に流れ
込んだ電流量に比例する電圧がそれぞれ出力される。こ
こでＴａ４１は、垂直ゲート線１５（ｉ）により垂直ス
イッチ用ＭＯＳトランジスタ１３（ｉ，ｊ）がＯＮして
から、光電変換素子１１（ｉ，ｊ）に流れ込んだ電流量
が読み出し用負荷抵抗３１（ｉ）により電圧変換され、
この電圧がコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５７
（ｊ）に充電されるまでの時間である。
【０１３７】また一方、Ｔｂ５１は、水平ゲート線２５
（ｉ）により、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
ａ（ｉ）、２１ａ（ｉ）がＯＮしてから、インピーダン
ス変換回路５４ａ（ｉ）、５４ｂ（ｉ）の出力が水平信
号出力線２３ａ、２３ｂに出力するまでの時間である。
Ｔａ４１は、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために電流電圧変換の時間
が長く、またコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５
７（ｊ）に充電するまでに時間がかかるが、選択したｉ
行の各光電変換素子１１（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）に
流れ込んだ電流量を読み出すには、垂直ゲート線１５
（ｉ）に一回だけ、Ｔａ４１より長いＴｖ５５のハイレ
ベルパルスを出力し、この期間内に第１の入力切り替え
信号線３２または第２の入力切り替え信号線３４へＴｄ
４９の期間ハイレベルにするパルスを出力すればよい。
（ｉ）により、水平スイッチ用ＭＯＳトランジスタ２１
ａ（ｉ）、２１ａ（ｉ）がＯＮしてから、インピーダン
ス変換回路５４ａ（ｉ）、５４ｂ（ｉ）の出力が水平信
号出力線２３ａ、２３ｂに出力するまでの時間である。
Ｔａ４１は、垂直スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１３
（ｉ，ｊ）のオン抵抗が高いために電流電圧変換の時間
が長く、またコンデンサ５５（ｊ）またはコンデンサ５
７（ｊ）に充電するまでに時間がかかるが、選択したｉ
行の各光電変換素子１１（ｉ，１）〜１１（ｉ，ｎ）に
流れ込んだ電流量を読み出すには、垂直ゲート線１５
（ｉ）に一回だけ、Ｔａ４１より長いＴｖ５５のハイレ
ベルパルスを出力し、この期間内に第１の入力切り替え
信号線３２または第２の入力切り替え信号線３４へＴｄ
４９の期間ハイレベルにするパルスを出力すればよい。
【０１３８】また一方、インピーダンス変換回路５４ａ
（ｊ）、５４ｂ（ｊ）の出力インピーダンスは低いの
で、水平信号出力線２３に現れるインピーダンス変換回
路５４ａ（ｊ）、５４ｂ（ｊ）の出力信号は、水平スイ
ッチ用ＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）がＯ
ＮするとＴｂ５１時間で非常にすばやく、水平信号出力
線２３ａ、２３ｂに出力される。
（ｊ）、５４ｂ（ｊ）の出力インピーダンスは低いの
で、水平信号出力線２３に現れるインピーダンス変換回
路５４ａ（ｊ）、５４ｂ（ｊ）の出力信号は、水平スイ
ッチ用ＭＯＳトランジスタ２１（１）〜２１（ｎ）がＯ
ＮするとＴｂ５１時間で非常にすばやく、水平信号出力
線２３ａ、２３ｂに出力される。
【０１３９】したがってＴａ４１＞＞Ｔｂ５１であり、
Ｔｄ４９＞＞Ｔｈ５３とすることができる。従って、全
各光電変換素子を読み出すには、（（Ｔａ４１×２）＋
Ｔｂ５１×ｎ）×（ｍ÷２）以上の時間が必要となる。
Ｔｈ５３は、従来のＭＯＳ型固体撮像装置における光電
変換素子読み出し動作タイミングを説明する図８のＴｈ
３９と比較すると、Ｔｈ３９＞＞Ｔｈ５３であるので、
本発明により、全光電変換素子に照射された光量を読み
出す時間はきわめて非常に短くなる。
Ｔｄ４９＞＞Ｔｈ５３とすることができる。従って、全
各光電変換素子を読み出すには、（（Ｔａ４１×２）＋
Ｔｂ５１×ｎ）×（ｍ÷２）以上の時間が必要となる。
Ｔｈ５３は、従来のＭＯＳ型固体撮像装置における光電
変換素子読み出し動作タイミングを説明する図８のＴｈ
３９と比較すると、Ｔｈ３９＞＞Ｔｈ５３であるので、
本発明により、全光電変換素子に照射された光量を読み
出す時間はきわめて非常に短くなる。
【０１４０】上記した本発明に係る固体撮像装置１００
の駆動方法としては、例えば、第１の信号線、当該第１
の信号線と交差してマトリックス状に配置されている第
２の信号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第
１の選択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する
第２の選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との
各交差部近傍に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続
された複数個の光電変換素子セル、及び当該光電変換素
子セルの個々の光受光量情報を個別に出力しえる出力手
段とから構成された固体撮像装置であって、当該第１及
び第２の信号線の何れか一方の信号線のそれぞれを走査
する事により、他方の信号線に於ける選択された信号線
に接続されている当該複数個の光電変換素子セルのそれ
ぞれの光受光量情報を個別に読み出す操作と共にその読
出し結果を当該出力手段に出力する出力操作が実行され
る方法に於いて、当該一方の信号線のそれぞれを走査す
る一走査期間内に於いて、当該他方の信号線に於ける選
択された少なくとも２本の信号線にそれぞれ接続されて
いる当該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光
量情報に対する当該読み出す操作若しくは当該出力操作
から選択された一方の操作が同時に、或いは当該読み出
す操作と当該出力操作が逐次的に実行する様に構成され
ているものである。
の駆動方法としては、例えば、第１の信号線、当該第１
の信号線と交差してマトリックス状に配置されている第
２の信号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第
１の選択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する
第２の選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との
各交差部近傍に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続
された複数個の光電変換素子セル、及び当該光電変換素
子セルの個々の光受光量情報を個別に出力しえる出力手
段とから構成された固体撮像装置であって、当該第１及
び第２の信号線の何れか一方の信号線のそれぞれを走査
する事により、他方の信号線に於ける選択された信号線
に接続されている当該複数個の光電変換素子セルのそれ
ぞれの光受光量情報を個別に読み出す操作と共にその読
出し結果を当該出力手段に出力する出力操作が実行され
る方法に於いて、当該一方の信号線のそれぞれを走査す
る一走査期間内に於いて、当該他方の信号線に於ける選
択された少なくとも２本の信号線にそれぞれ接続されて
いる当該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光
量情報に対する当該読み出す操作若しくは当該出力操作
から選択された一方の操作が同時に、或いは当該読み出
す操作と当該出力操作が逐次的に実行する様に構成され
ているものである。
【０１４１】そして、当該固体撮像装置の駆動方法の一
具体例としては、例えば、第１の信号線、当該第１の信
号線と交差してマトリックス状に配置されている第２の
信号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の
選択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２
の選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交
差部近傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個
の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成
された固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の
信号線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によっ
て、当該選択された一方の信号線に接続されている複数
の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出
すと共に、他方の信号線を順次に走査させる事によっ
て、当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置に於て、当該一方の信号
線の一つの信号線を選択し、当該選択された一方の信号
線に接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報が、当該出力手段に出力されている間
に、当該他方の信号線に於ける他の信号線を選択する事
によって、当該他の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出す様に
構成されている事が望ましい。
具体例としては、例えば、第１の信号線、当該第１の信
号線と交差してマトリックス状に配置されている第２の
信号線、当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の
選択回路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２
の選択回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交
差部近傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個
の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成
された固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の
信号線の何れか一方の信号線の一部を選択する事によっ
て、当該選択された一方の信号線に接続されている複数
の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出
すと共に、他方の信号線を順次に走査させる事によっ
て、当該読み出された当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力す
る様に構成された固体撮像装置に於て、当該一方の信号
線の一つの信号線を選択し、当該選択された一方の信号
線に接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報が、当該出力手段に出力されている間
に、当該他方の信号線に於ける他の信号線を選択する事
によって、当該他の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出す様に
構成されている事が望ましい。
【０１４２】又、当該固体撮像装置の駆動方法の他の具
体例としては、第１の信号線、当該第１の信号線と交差
してマトリックス状に配置されている第２の信号線、当
該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、
当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回
路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍
に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電変
換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受光
量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された固
体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線の
何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当該
選択された一方の信号線に接続されている複数の当該光
電変換素子セルの個々の光受光情報を読み出すと共に、
他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該読み
出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構成
された固体撮像装置に於て、当該出力手段を並列的に複
数段形成すると共に、当該一方の信号線の一つの信号線
を選択し、当該選択された一方の信号線に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を
読み出し、次いで当該一方の信号線に於ける他の信号線
を選択する事によって、当該他の信号線に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を
読み出し、更に、当該一方の信号線の一つの信号線に接
続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報と、当該一方の信号線に於ける他の信号線に接
続されている別の複数の当該光電変換素子セルの個々の
光受光量情報とを同時に当該複数の出力手段のそれぞれ
に個別に出力するように構成されている事が望ましい。
体例としては、第１の信号線、当該第１の信号線と交差
してマトリックス状に配置されている第２の信号線、当
該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、
当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回
路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍
に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電変
換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受光
量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された固
体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線の
何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当該
選択された一方の信号線に接続されている複数の当該光
電変換素子セルの個々の光受光情報を読み出すと共に、
他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該読み
出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構成
された固体撮像装置に於て、当該出力手段を並列的に複
数段形成すると共に、当該一方の信号線の一つの信号線
を選択し、当該選択された一方の信号線に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を
読み出し、次いで当該一方の信号線に於ける他の信号線
を選択する事によって、当該他の信号線に接続されてい
る複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を
読み出し、更に、当該一方の信号線の一つの信号線に接
続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報と、当該一方の信号線に於ける他の信号線に接
続されている別の複数の当該光電変換素子セルの個々の
光受光量情報とを同時に当該複数の出力手段のそれぞれ
に個別に出力するように構成されている事が望ましい。
【０１４３】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置は、上記した
様な技術構成を採用しているので、従来の固体撮像装置
に比べて、当該光電変換素子に照射された光量を読み出
す時間を大幅に短縮する事が可能であるから、当該固体
撮像装置に於ける画像処理を高速に実行する事が可能と
なる。
様な技術構成を採用しているので、従来の固体撮像装置
に比べて、当該光電変換素子に照射された光量を読み出
す時間を大幅に短縮する事が可能であるから、当該固体
撮像装置に於ける画像処理を高速に実行する事が可能と
なる。
【図１】図１は、本発明に係る固体撮像装置の一具体例
の構成を示すブロックダイアグラムである。
の構成を示すブロックダイアグラムである。
【図２】図２は、本発明に於ける当該固体撮像装置に使
用される複数信号線光受光量値記憶手段の一具体例の構
成を示すブロックダイアグラムである。
用される複数信号線光受光量値記憶手段の一具体例の構
成を示すブロックダイアグラムである。
【図３】図３は、本発明に係る当該固体撮像装置の駆動
方法を説明するタイミングチャートである。
方法を説明するタイミングチャートである。
【図４】図４は、本発明に係る固体撮像装置の他の具体
例の構成を示すブロックダイアグラムである。
例の構成を示すブロックダイアグラムである。
【図５】図５は、本発明に於ける当該固体撮像装置の他
の具体例に使用される複数信号線光受光量値記憶手段の
一具体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
の具体例に使用される複数信号線光受光量値記憶手段の
一具体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
【図６】図６は、本発明に係る当該固体撮像装置の他の
具体例に於ける駆動方法を説明するタイミングチャート
である。
具体例に於ける駆動方法を説明するタイミングチャート
である。
【図７】図７は、本発明に係る固体撮像装置の一具体例
に於ける操作手順を説明するフローチャートである。
に於ける操作手順を説明するフローチャートである。
【図８】図８は、本発明に係る固体撮像装置の他の具体
例に於ける操作手順を説明するフローチャートである。
例に於ける操作手順を説明するフローチャートである。
【図９】図９は、従来の固体撮像装置の一例の構成を示
すブロックダイアグラムである。
すブロックダイアグラムである。
【図１０】図１０は、従来の固体撮像装置に於ける駆動
方法を説明するタイミングチャートである。
方法を説明するタイミングチャートである。
１０…光電変換素子アレイ １１（１，１）〜１１（ｍ，ｎ）…光電変換素子 １３（１，１）〜１３（ｍ，ｎ）…垂直スイッチ用ＭＯ
Ｓトランジスタ １４（１，１）〜１４（ｍ，ｎ）…光電変換素子セル １５（１）〜１５（ｍ）…第１の信号線、垂直ゲート
線、行信号線 １７…第１の選択駆動回路、垂直走査回路 １９（１）〜１９（ｎ）…第２の信号線、垂直信号線、
列信号線 ２１（１）〜２１（ｎ）…スイッチ手段、水平スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ ２３…水平信号出力線 ２５（１）〜２５（ｎ）…制御手段、第４の信号線、水
平ゲート線 ２７…第２の選択駆動回路、水平走査回路 ２９…信号増幅回路 ３０…複数信号線光受光量値記憶手段 ３１…読み出し用負荷抵抗 ３２…第１の入力切り替え信号線 ３３…定電圧電源 ３４…第２の入力切り替え信号線 ３５…出力信号線 ３６…第１の出力切り替え信号線 ３７…パルス幅Ｔｖ ３８…第２の出力切り替え信号線 ３９…パルス幅Ｔｈ ４０…パルス幅Ｗｈ ４１…パルス幅Ｔａ ４７…選択信号線 ４９…パルス幅Ｔｄ ５１…パルス幅Ｔｂ ５３…パルス幅Ｔｈ ５４…パルス幅Ｗｈ ５５…パルス幅Ｔｖ ５５（１）〜５５（ｎ）…コンデンサ ５７（１）〜５７（ｎ）…コンデンサ ５４（１）〜５４（ｎ）…インピーダンス変換回路
Ｓトランジスタ １４（１，１）〜１４（ｍ，ｎ）…光電変換素子セル １５（１）〜１５（ｍ）…第１の信号線、垂直ゲート
線、行信号線 １７…第１の選択駆動回路、垂直走査回路 １９（１）〜１９（ｎ）…第２の信号線、垂直信号線、
列信号線 ２１（１）〜２１（ｎ）…スイッチ手段、水平スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ ２３…水平信号出力線 ２５（１）〜２５（ｎ）…制御手段、第４の信号線、水
平ゲート線 ２７…第２の選択駆動回路、水平走査回路 ２９…信号増幅回路 ３０…複数信号線光受光量値記憶手段 ３１…読み出し用負荷抵抗 ３２…第１の入力切り替え信号線 ３３…定電圧電源 ３４…第２の入力切り替え信号線 ３５…出力信号線 ３６…第１の出力切り替え信号線 ３７…パルス幅Ｔｖ ３８…第２の出力切り替え信号線 ３９…パルス幅Ｔｈ ４０…パルス幅Ｗｈ ４１…パルス幅Ｔａ ４７…選択信号線 ４９…パルス幅Ｔｄ ５１…パルス幅Ｔｂ ５３…パルス幅Ｔｈ ５４…パルス幅Ｗｈ ５５…パルス幅Ｔｖ ５５（１）〜５５（ｎ）…コンデンサ ５７（１）〜５７（ｎ）…コンデンサ ５４（１）〜５４（ｎ）…インピーダンス変換回路
Claims (43)
- 【請求項１】 第１の信号線、当該第１の信号線と交差
してマトリックス状に配置されている第２の信号線、当
該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回路、
当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択回
路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近傍
に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複数個
の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成
された固体撮像装置であって、当該第１及び第２の信号
線の何れか一方の信号線と当該信号線を駆動する所定の
当該選択回路との間に、当該各信号線毎に、他方の信号
線に於ける選択された複数の信号線に接続される当該複
数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報を個
別に読みだす光受光量検出手段を含む複数信号線光受光
量値記憶手段及び当該検出された当該光受光量情報を個
別に当該出力手段に選択的に伝達するスイッチ手段とが
設けられている事を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 当該光受光量検出手段は、選択され当該
他方の所定の信号線に接続されている当該光電変換素子
セルに於ける光受光量に応じて当該光電変換素子セルに
発生する電流量を電圧値に変換する電圧変換手段で構成
されているものである事を特徴とする請求項１記載の固
体撮像装置。 - 【請求項３】 当該複数信号線光受光量値記憶手段は、
当該他方の信号線に於ける選択された複数本の信号線に
接続される当該個々の光電変換素子セルに対応して、当
該電圧変換手段からなる電圧値検出手段により検出され
た電圧値を個別に記憶しておく複数個の電圧値記憶手段
を有している事を特徴とする請求項１又は２に記載の固
体撮像装置。 - 【請求項４】 当該複数信号線光受光量値記憶手段に於
ける当該複数個の電圧値記憶手段は、当該複数本の他方
の信号線のそれぞれに対応して個別に設けられている事
を特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 当該電圧値記憶手段は、その一端部が当
該一方の信号線に接続されており、その他端部が接地さ
れている容量から構成されている事を特徴とする請求項
１乃至４の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 当該電圧検出手段は、他端部が共通の定
電圧源に接続されている抵抗体で構成されている事を特
徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の固体撮像装
置。 - 【請求項７】 当該光電変換素子セルは、少なくとも一
つの光電変換素子と少なくとも一つのトランジスタで構
成されている事を特徴とする請求項１乃至６の何れかに
記載の固体撮像装置。 - 【請求項８】 当該トランジスタは、ＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタである事を特徴とする請求項７記載の固体撮像
装置。 - 【請求項９】 当該スイッチ手段は、ＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタで構成されている事を特徴とする請求項１乃至
８の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項１０】 当該第１の信号線が行信号線であり、
当該第２の信号線が列信号線である事を特徴とする請求
項１乃至９の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項１１】 当該出力手段は一つで構成されている
事を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の固体
撮像装置。 - 【請求項１２】 当該出力手段は、少なくとも２個、並
列的に設けられている事を特徴とする請求項１乃至１０
の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項１３】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、入力信号切換手段と出力信号切換手段とが対となっ
ている複数組の制御手段を有している事を特徴とする請
求項１１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項１４】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該複数組の当該制御手段の何れかが選択される事
によって、当該他の信号線に於ける何れか一つの信号線
に接続された個々の光電変換素子セルの電圧値が、当該
複数個の電圧値記憶手段の内の選択された電圧値記憶手
段に格納される様に構成されている事を特徴とする請求
項１３記載の固体撮像装置。 - 【請求項１５】 当該複数組の制御手段を切り換える事
によって、当該他の信号線に於ける別の信号線に接続さ
れた個々の別の光電変換素子セルの電圧値が、当該複数
個の電圧値記憶手段の内の別の電圧値記憶手段に格納さ
れる様に構成されている事を特徴とする請求項１４記載
の固体撮像装置。 - 【請求項１６】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該複数組の制御手段の何れかが選択される事によ
って、当該複数個の電圧値記憶手段の内から選択された
当該電圧値記憶手段に記憶された電圧値を、当該スイッ
チ手段を介して当該出力手段に出力する様に構成されて
いる事を特徴とする請求項１３乃至１５の何れかに記載
の固体撮像装置。 - 【請求項１７】 当該複数組の当該制御手段は、当該一
方の信号線にそれぞれ設けられた各複数信号線光受光量
値記憶手段のそれぞれに共通的に設けられているもので
ある事を特徴とする請求項１３乃至１６に記載の固体撮
像装置。 - 【請求項１８】 当該スイッチ手段は、当該選択された
一方の信号線を順次に駆動選択する該選択回路からの出
力信号により駆動制御されるものである事を特徴とする
請求項１乃至１１及び１３乃至１７の何れかに記載の固
体撮像装置。 - 【請求項１９】 当該スイッチ手段と当該複数信号線光
受光量値記憶手段とは、当該複数信号線光受光量値記憶
手段に於けるインピーダンス変換手段或いはバッファー
手段を介して互いに接続されている事を特徴とする請求
項１乃至１１若しくは請求項１３乃至１８の何れかに記
載の固体撮像装置。 - 【請求項２０】 当該電圧検出手段の一端部が、当該選
択された一方の各信号線に接続されており、且つ当該ス
イッチ手段の出力端部が該共通の出力手段に接続され、
且つ当該スイッチ手段の制御端子が当該信号線群を順次
選択駆動する選択回路の制御信号出力端子部と接続され
ている事を特徴とする請求項１乃至１１及び１３乃至１
９の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項２１】 第１の信号線、当該第１の信号線と交
差してマトリックス状に配置されている第２の信号線、
当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回
路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択
回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近
傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電
変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された
固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線
の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当
該選択された一方の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出すと共
に、他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該
読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情
報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構
成された固体撮像装置に於て、当該一方の信号線の一つ
の信号線が選択され、当該選択された一方の信号線の一
つの信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報が、当該出力手段に出力されて
いる間に、当該一方の信号線に於ける他の信号線が選択
される事によって、当該他の信号線に接続されている複
数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み
出す様に構成されている事を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２２】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、複数個の入力信号切換手段及び複数個の出力信号切
り換え手段とからなる制御手段を有している事を特徴と
する請求項２１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項２３】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該複数個の当該制御手段の何れかが選択される事
によって、当該一方の信号線に於ける何れか一つの信号
線に接続された個々の光電変換素子セルの電圧値が、当
該複数個の電圧値記憶手段の内の選択された一つの電圧
値記憶手段に格納される様に構成されている事を特徴と
する請求項２２記載の固体撮像装置。 - 【請求項２４】 当該複数個の制御手段を切り換える事
によって、当該一方の信号線に於ける別の信号線に接続
された個々の別の光電変換素子セルの電圧値が、当該複
数個の電圧値記憶手段の内の別の電圧値記憶手段に格納
される様に構成されている事を特徴とする請求項２３記
載の固体撮像装置。 - 【請求項２５】 当該複数信号線光受光量値記憶手段の
当該複数個の電圧値記憶手段のそれぞれに記憶された電
圧値は、当該スイッチ手段を介して当該出力手段に選択
的に且つ逐次的に出力する様に構成されている事を特徴
とする請求項１１又は、２２乃至２４の何れかに記載の
固体撮像装置。 - 【請求項２６】 当該複数組の当該制御手段は、当該一
方の信号線にそれぞれ設けられた各複数信号線光受光量
値記憶手段のそれぞれに共通的に設けられているもので
ある事を特徴とする請求項１１又は２２乃至２５の何れ
かに記載の固体撮像装置。 - 【請求項２７】 当該複数個の電圧値記憶手段のそれぞ
れは、個別に並列的に設けられた複数個の出力切り換え
スイッチ手段を介して共通のインピーダンス変換手段に
接続されており、且つ当該共通のインピーダンス変換手
段は当該スイッチ手段を介して当該出力手段にそれぞれ
に接続せしめられており、更に当該複数個の切り換えス
イッチ手段は共通の制御手段によって上記何れかの電圧
値記憶手段に記憶されている電圧値を選択的に出力する
様に同時に作動する様に構成されている事を特徴とする
請求項１１或いは２２乃至２６の何れかに記載の固体撮
像装置。 - 【請求項２８】 当該スイッチ手段の制御手段は、当該
選択された一方の信号線を順次に駆動選択する該選択回
路からの出力信号により駆動制御されるものである事を
特徴とする請求項２７に記載の固体撮像装置。 - 【請求項２９】 当該一方の信号線に於ける別の信号線
は、当該一方の信号線を選択するに際して最初に選択さ
れた一つの信号線に隣接する信号線である事を特徴とす
る請求項１３乃至２８の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項３０】 第１の信号線、当該第１の信号線と交
差してマトリックス状に配置されている第２の信号線、
当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回
路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択
回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近
傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電
変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された
固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線
の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当
該選択された一方の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出すと共
に、他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該
読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情
報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構
成された固体撮像装置に於て、当該出力手段を並列的に
複数段形成すると共に、当該一方の信号線の一つの信号
線が選択され、当該選択された一方の信号線に接続され
ている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情
報を読み出し所定の記憶手段に格納した後、当該一方の
信号線に於ける他の信号線を選択する事によって、当該
他の信号線に接続されている複数の当該光電変換素子セ
ルの個々の光受光量情報を読み出し且つ所定の記憶手段
に格納する様に構成し、当該一方の信号線の一つの信号
線に接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々
の光受量情報と、当該一方の信号線に於ける他の信号線
に接続されている別の複数の当該光電変換素子セルの個
々の光受量情報とを同時に当該複数の出力手段のそれぞ
れに個別に出力されるように構成されている事を特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項３１】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、複数個の入力信号切換手段からなる制御手段を有し
ている事を特徴とする請求項３０に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項３２】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該複数個の入力手段の何れかが選択される事によ
って、当該一方の信号線に於ける何れか一つの信号線に
接続された個々の光電変換素子セルの電圧値が、当該複
数個の電圧値記憶手段の内の選択された一つの電圧値記
憶手段に格納される様に構成されている事を特徴とする
請求項３１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３３】 当該制御手段を切り換える事によっ
て、当該一方の信号線に於ける別の信号線に接続された
個々の別の光電変換素子セルの電圧値が、当該複数個の
電圧値記憶手段の内の別の電圧値記憶手段に格納される
様に構成されている事を特徴とする請求項３２記載の固
体撮像装置。 - 【請求項３４】 当該複数信号線光受光量値記憶手段の
当該複数個の電圧値記憶手段のそれぞれに記憶された電
圧値は、単一のスイッチ手段を介して当該複数個の出力
手段のそれぞれに選択的に且つ同時に出力する様に構成
されている事を特徴とする請求項１２又は、３０乃至３
３の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項３５】 当該制御手段は、当該一方の信号線に
それぞれ設けられた各複数信号線光受光量値記憶手段の
それぞれに共通的に設けられているものである事を特徴
とする請求項１２又は３０乃至３４の何れかに記載の固
体撮像装置。 - 【請求項３６】 当該複数個の電圧値記憶手段のそれぞ
れは、個別に並列的に設けられた複数個の入力切り換え
スイッチ手段を介して、当該一方の信号線の何れかと接
続されていると共に、個別に並列的に設けられた複数個
のインピーダンス変換手段に接続されており、且つ当該
インピーダンス変換手段のそれぞれは個別に並列的に設
けられた複数個の当該スイッチ手段を介して当該出力手
段のそれぞれに接続せしめられており、更に当該スイッ
チ手段は共通のスイッチ制御信号によって当該複数の電
圧値記憶手段に記憶されている電圧値を同時に出力する
様に同時に作動する事を特徴とする請求項１２或いは３
０乃至３５の何れかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項３７】 当該スイッチ手段の共通のスイッチ制
御信号は、当該選択された他方の信号線を順次に駆動選
択する該選択回路からの出力されるものである事を特徴
とする請求項３６に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３８】 当該一方の信号線に於ける別の信号線
は、当該一方の信号線を選択するに際して最初に選択さ
れた一つの信号線に隣接する信号線である事を特徴とす
る請求項１２又は３０乃至３５の何れかにに記載の固体
撮像装置。 - 【請求項３９】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該第１の信号線と当該第２の信号線から選択され
た何れか一方の信号線に、当該電圧検出手段が接続され
ていると共に、少なくとも２個の入力切り替えスイッチ
用トランジスタのソース端子が接続され、且つ当該２つ
の入力切り替えスイッチ用トランジスタのドレイン端子
には、それぞれ１つのコンデンサが個別に接続されてい
ると共に、個別に設けられた出力切り替えスイッチ用ト
ランジスタのソース端子のそれぞれに接続せしめられて
おり、更に、当該各コンデンサのもう一方の端子は接地
されているものであり、且つ、少なくとも当該２つの出
力切り替えスイッチ用トランジスタのドレイン端子は共
通に接続され、インピーダンス変換回路を介してスイッ
チ手段と接続されており、更に、当該２つの入力切り替
えスイッチ用トランジスタの片方のゲート端子には、第
１の入力切り替え信号線が接続し、もう片方の入力切り
替えスイッチ用トランジスタのゲート端子には、第２の
入力切り替え信号線が接続し、第１の入力切り替え信号
線が接続している入力切り替えスイッチ用トランジスタ
のドレインと接続している出力切り替えスイッチ用トラ
ンジスタのゲート端子には、第１の出力切り替え信号が
接続し、第２の入力切り替え信号線が接続している入力
切り替えスイッチ用トランジスタのドレインと接続して
いる出力切り替えスイッチ用トランジスタのゲート端子
には、第２の出力切り替え信号が接続する構成を有して
いる事を特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項４０】 当該複数信号線光受光量値記憶手段
は、当該第１の信号線と当該第２の信号線から選択され
た何れか一方の信号線に、当該電圧検出手段が接続され
ていると共に、少なくとも２個の入力切り替えスイッチ
用トランジスタのソース端子が接続され、且つ当該２つ
の入力切り替えスイッチ用トランジスタのそれぞれのド
レイン端子には、それぞれ１つのコンデンサが個別に接
続されていると共に、当該各コンデンサのもう一方の端
子は接地されており、且つ、当該それぞれのドレイン端
子には、少なくとも２個のインピーダンス変換回路に個
別的に接続されており、且つ当該インピーダンス変換回
路の出力は、複数個の出力手段に個別に接続され、共通
のスイッチ制御信号によって当該複数の電圧値記憶手段
に記憶されている電圧値を同時に且つ当該個別の出力手
段のそれぞれに出力する当該スイッチ手段の入力部に接
続されている構成を有している事を特徴とする請求項１
記載の固体撮像装置。 - 【請求項４１】 第１の信号線、当該第１の信号線と交
差してマトリックス状に配置されている第２の信号線、
当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回
路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択
回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近
傍に設けられ、当該両信号線にそれぞれ接続された複数
個の光電変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個
々の光受光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構
成された固体撮像装置であって、当該第１及び第２の信
号線の何れか一方の信号線のそれぞれを走査する事によ
り、他方の信号線に於ける選択された信号線に接続され
ている当該複数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受
光量情報を個別に読み出す操作と共にその読出し結果を
当該出力手段に出力する出力操作が実行される方法に於
いて、当該一方の信号線のそれぞれを走査する一走査期
間内に於いて、当該他方の信号線に於ける選択された少
なくとも２本の信号線にそれぞれ接続されている当該複
数個の光電変換素子セルのそれぞれの光受光量情報に対
する当該読み出す操作若しくは当該出力操作から選択さ
れた一方の操作が同時に、或いは当該読み出す操作と当
該出力操作が逐次的に実行する様に構成されている事を
特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項４２】 第１の信号線、当該第１の信号線と交
差してマトリックス状に配置されている第２の信号線、
当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回
路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択
回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近
傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電
変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された
固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線
の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当
該選択された一方の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光量情報を読み出すと共
に、他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該
読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情
報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構
成された固体撮像装置に於て、当該一方の信号線の一つ
の信号線を選択し、当該選択された一方の信号線に接続
されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光
量情報が、当該出力手段に出力されている間に、当該他
方の信号線に於ける他の信号線を選択する事によって、
当該他の信号線に接続されている複数の当該光電変換素
子セルの個々の光受光量情報を読み出す様に構成されて
いる事を特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項４３】 第１の信号線、当該第１の信号線と交
差してマトリックス状に配置されている第２の信号線、
当該第１の信号線を順次に駆動選択する第１の選択回
路、当該第２の信号線を順次に駆動選択する第２の選択
回路、当該第１の信号線と第２の信号線との各交差部近
傍に設けられ、当該両信号線に接続された複数個の光電
変換素子セル、及び当該光電変換素子セルの個々の光受
光量情報を個別に出力しえる出力手段とから構成された
固体撮像装置であって、且つ当該第１及び第２の信号線
の何れか一方の信号線の一部を選択する事によって、当
該選択された一方の信号線に接続されている複数の当該
光電変換素子セルの個々の光受光情報を読み出すと共
に、他方の信号線を順次に走査させる事によって、当該
読み出された当該光電変換素子セルの個々の光受光量情
報を、当該出力手段に順次に且つ個別に出力する様に構
成された固体撮像装置に於て、当該出力手段を並列的に
複数段形成すると共に、当該一方の信号線の一つの信号
線を選択し、当該選択された一方の信号線に接続されて
いる複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を読み出し、次いで当該一方の信号線に於ける他の信号
線を選択する事によって、当該他の信号線に接続されて
いる複数の当該光電変換素子セルの個々の光受光量情報
を読み出し、更に、当該一方の信号線の一つの信号線に
接続されている複数の当該光電変換素子セルの個々の光
受光量情報と、当該一方の信号線に於ける他の信号線に
接続されている別の複数の当該光電変換素子セルの個々
の光受光量情報とを同時に当該複数の出力手段のそれぞ
れに個別に出力するように構成されている事を特徴とす
る固体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050381A JPH11252465A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| US09/258,842 US6697113B1 (en) | 1998-03-03 | 1999-02-26 | Solid-state image pick-up device and drive method for same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050381A JPH11252465A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11252465A true JPH11252465A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12857305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10050381A Pending JPH11252465A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6697113B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11252465A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307756A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
| WO2007000879A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | 固体撮像素子及びその信号読み出し方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0576104B1 (en) * | 1985-11-15 | 1998-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducer apparatus |
| US4959723A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal |
| JP3385760B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2003-03-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JPH0946597A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| JP4035194B2 (ja) * | 1996-03-13 | 2008-01-16 | キヤノン株式会社 | Ｘ線検出装置及びｘ線検出システム |
| KR970072990A (ko) * | 1996-04-10 | 1997-11-07 | 이데이 노부유끼 | 고체 화상 장치 |
| JP3347625B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP10050381A patent/JPH11252465A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-26 US US09/258,842 patent/US6697113B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6697113B1 (en) | 2004-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100502474C (zh) | 固态成像装置、驱动固态成像装置的方法和图像拾取设备 | |
| JP3138957B2 (ja) | 画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレー | |
| US7920194B2 (en) | Image sensors with pixel reset | |
| US9129879B2 (en) | Solid state imaging device and camera system | |
| US20090185044A1 (en) | Image Sensor and Method with Multiple Scanning Modes | |
| JPH10257392A (ja) | 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法 | |
| JPH11112018A (ja) | 固体撮像装置と信号検出装置と信号蓄積装置 | |
| JP2004274721A (ja) | 超音波トランスデューサ・アレイのための集積型高電圧スイッチング回路 | |
| EP0569202B1 (en) | Solid state imaging device with electronic shutter | |
| JP3873165B2 (ja) | シフトレジスタ及び電子装置 | |
| US5909247A (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
| US6980243B2 (en) | Photoelectric conversion device providing advantageous readout of two-dimensional array of transistors | |
| US4413283A (en) | Solid-state imaging device | |
| US5883668A (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
| US20040245434A1 (en) | Image sensor | |
| US7821557B2 (en) | High speed sampling of signals in active pixel sensors using buffer circuitry | |
| JPH11275468A (ja) | サンプリング制御機構搭載型イメージセンサ | |
| US5856666A (en) | Multiplexer circuit | |
| JPH11252465A (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| WO2002102061A1 (fr) | Detecteur d'images | |
| JP3513996B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6784932B1 (en) | Hierarchical pixel readout multiplexer with switched capacitors for cancelling buffer offsets | |
| JP3795211B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| US7760260B2 (en) | Solid state imaging apparatus, method for driving the same and camera using the same | |
| US6952226B2 (en) | Stray-insensitive, leakage-independent image sensing with reduced sensitivity to device mismatch and parasitic routing capacitance |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |