JPH11251490A - Semiconductor device and semiconductor package - Google Patents

Semiconductor device and semiconductor package

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JPH11251490A
JPH11251490A JP5077998A JP5077998A JPH11251490A JP H11251490 A JPH11251490 A JP H11251490A JP 5077998 A JP5077998 A JP 5077998A JP 5077998 A JP5077998 A JP 5077998A JP H11251490 A JPH11251490 A JP H11251490A
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JP
Japan
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signal
connector
hole
input
electromagnetic waves
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Application number
JP5077998A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Miyagi
武史 宮城
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH11251490A publication Critical patent/JPH11251490A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device for suppressing the radiation of unwanted electromagnetic waves from a connector without causing increase in the price of the connector. SOLUTION: A semiconductor package is provided with a high-speed signal wiring 4 that is formed on a printed circuit board 1, and a connector that is formed on the printed circuit board 1 and has the first, a first connector terminal 3a connected to the high-speed wiring 4 and has a second connector 3b formed adjacent to the first, first connector terminal 3a. A high-speed inversion signal is inputted to the second, the first connector terminal 3a is inputted to the second, second connector terminal 3b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、不要電磁波の放射
抑制を図った半導体装置および半導体パッケージに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a semiconductor package for suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチメディアの発展に伴い、高速デー
タ処理やデータ通信の要求が増している。これらの要求
に対し、ハードウエア、ソフトウエアの両面で研究開発
が活発に行われ、著しい性能の向上がなされている。
2. Description of the Related Art With the development of multimedia, demands for high-speed data processing and data communication are increasing. In response to these demands, research and development are being actively conducted in both hardware and software, and remarkable performance improvements have been made.

【0003】特に、半導体技術の分野では、コンピュー
タの核となるマイクロプロセッサの高速化・高機能化や
メモリセルの高速化・大容量化が進み、安価なパーソナ
ルコンピュータでも高速なデータ処理やデータ通信が可
能となっている。
In particular, in the field of semiconductor technology, the speed and function of microprocessors, which are the core of computers, and the speed and capacity of memory cells are increasing, and high-speed data processing and data communication are possible even with inexpensive personal computers. Is possible.

【0004】ところがLSIの高速化・高機能化によ
り、電子機器から放射される不要電磁波も強度、周波数
とともに増加し、他の電子機器へ悪影響を与えるばかり
でなく、人体への影響も懸念されている。
[0004] However, as the speed and function of LSIs increase, unnecessary electromagnetic waves radiated from electronic devices also increase with intensity and frequency, not only adversely affecting other electronic devices, but also affecting the human body. I have.

【0005】不要電磁波の放射の多くは、配線基板にL
SIや受動部品などの電子部品類を搭載した回路基板
で、信号反射や配線間クロストーク、半導体素子のスイ
ッチングなどにより、信号配線や電源層とグランド層間
に誘起されるノイズが原因である。このノイズにより不
要電磁波が回路基板から放射され、さらに筐体の放熱用
穴などから機器外部に放射される。
[0005] Most of the unnecessary electromagnetic wave radiation
In circuit boards on which electronic components such as SI and passive components are mounted, noise induced between signal wiring, power supply layers, and ground layers due to signal reflection, crosstalk between wirings, switching of semiconductor elements, and the like is caused. Unnecessary electromagnetic waves are radiated from the circuit board due to this noise, and further radiated outside the device through heat dissipation holes or the like of the housing.

【0006】電源層とグランド層との間での共振現象に
よる電磁波放射に関しては、回路実装学会第11回回路
実装技術講演大会講演論文集「ブリント配線基板の電源
・グランド層に起因する不要輻射低減手法」に記載され
ているように、電源層の両面に絶縁層を介してグランド
層を形成することで抑制できる。
[0006] Regarding the electromagnetic wave radiation due to the resonance phenomenon between the power supply layer and the ground layer, see the 11th Circuit Packaging Technology Lecture Meeting of the Japan Institute of Circuit Packaging, “Reduction of unnecessary radiation caused by the power supply / ground layer of the printed wiring board”. As described in “Technique”, it can be suppressed by forming a ground layer on both sides of the power supply layer via an insulating layer.

【0007】回路パターンが形成された表面からの不要
電磁波の放射は、例えば特開平8−228055号公報
に記載されているように、回路パターン表面上に絶縁体
を介して銅ペーストを塗布し、この銅ペーストをグラン
ドに接続してシールドする方法が知られている。
The radiation of the unnecessary electromagnetic wave from the surface on which the circuit pattern is formed can be obtained by applying a copper paste to the surface of the circuit pattern via an insulator as described in, for example, JP-A-8-228055. There is known a method of connecting the copper paste to the ground for shielding.

【0008】また、特開平9−18099号公報に記載
されているように、配線をグランド配線で挟んで対称に
配置し、それぞれの配線から誘起される電磁波を相互に
キャンセルすることによって不要電磁波の発生自体を防
ぐ方法も知られている。
Further, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-18099, wirings are arranged symmetrically with ground wiring interposed therebetween, and electromagnetic waves induced from the respective wirings are mutually canceled to thereby reduce unnecessary electromagnetic waves. Methods for preventing the occurrence itself are also known.

【0009】一方、プリント基板に実装されるコネクタ
などの電子部品からも不要電磁波が放射される。これ
は、プリント基板上の配線とプリント基板に対してほぼ
直角に形成されているコネクタ内のピン構造とによりア
ンテナが構成されることが主な原因である。
On the other hand, unnecessary electromagnetic waves are also emitted from electronic components such as connectors mounted on a printed circuit board. This is mainly because the antenna is constituted by the wiring on the printed board and the pin structure in the connector formed substantially at right angles to the printed board.

【0010】この対策として、特開平9−199235
号公報に開示されているように、コネクタ内部に環形コ
アを挿入してノイズ放射を抑制したり、あるいは特開平
9−82420号公報に記載されているように、コネク
タ外壁に導電性カバーを形成してグランドと接続するこ
とにより、コネクタ内部のピンをシールドして電磁波の
漏洩、放射を抑制する方法が提案されている。
As a countermeasure against this, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-199235
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-82420, a ring-shaped core is inserted inside the connector to suppress noise emission, or a conductive cover is formed on the outer wall of the connector as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-82420. A method has been proposed in which a pin inside the connector is shielded by connecting to a ground to suppress leakage and emission of electromagnetic waves.

【0011】しかしながら、この種の従来技術では、コ
ネクタの構造が特殊なものとなるため、コネクタの価格
が増大する。コネクタは半導体装置内で多数使用される
ため、コネクタの価格の増加は半導体装置の価格の増加
を招くことになる。
However, in this kind of conventional technology, the structure of the connector is special, so that the price of the connector increases. Since many connectors are used in a semiconductor device, an increase in the price of the connector causes an increase in the price of the semiconductor device.

【0012】また、プリント配線基板から放射される不
要電磁波の他の原因としては、スルーホール部(スルー
ホール内に信号伝送路が形成されてなるもの)があげら
れる。すなわち、スルーホール部とそのスルーホール部
に接続された基板表面の配線パターンとで作られた構造
体がマイクロストリップ型アンテナと同構造であること
から、スルーホール部から電磁波が放射される。
Another cause of the unnecessary electromagnetic wave radiated from the printed wiring board is a through-hole portion (a signal transmission path is formed in the through-hole). That is, since the structure formed by the through-hole portion and the wiring pattern on the substrate surface connected to the through-hole portion has the same structure as the microstrip antenna, the through-hole portion radiates the electromagnetic wave.

【0013】しかしながら、従来の技術では、スルーホ
ール部からの不要電磁波を抑制することは困難であっ
た。一方、半導体部品の実装構造から放射される不要電
磁波に関しては、例えば1997年電子情報通信学会通
信ソサエティ大会講演論文集B−4−17でピン部から
の放射問題が報告されている。
However, in the conventional technique, it has been difficult to suppress unnecessary electromagnetic waves from the through-hole portion. On the other hand, as for the unnecessary electromagnetic wave radiated from the mounting structure of the semiconductor component, a problem of radiation from the pin portion has been reported in, for example, the 1997 IEICE Communication Society Conference Paper Collection B-4-17.

【0014】しかしながら、環境電磁工学専門雑誌EM
Cの114号( 72〜77ページ)で指摘されているよ
うに、現在の半導体パッケージ構造は電磁波放射を抑制
する構造とはなっておらず、具体的な改善案の報告や特
許出願もないことから今後の課題とされている。
However, EM magazine for environmental electromagnetic engineering
As pointed out in C No. 114 (pages 72 to 77), the current semiconductor package structure is not designed to suppress electromagnetic wave radiation, and there are no reports of specific improvement plans or patent applications. Has been considered as an issue for the future.

【0015】ところで、半導体パッケージから放射され
る不要電磁波の原因は、配線基板に形成された配線と半
導体パッケージのリードとで作られる構造体がアンテナ
となるからである。
By the way, unnecessary electromagnetic waves radiated from the semiconductor package are caused by a structure formed by wiring formed on the wiring board and leads of the semiconductor package serving as an antenna.

【0016】ここで、リード形状を変更することで不要
電磁波の放射を低減することは技術的に可能であるが、
リード形状を含む半導体部品の規格は世界標準で定めら
れているため、リード構造の変更は極めて困難であり、
時間が必要である。
Here, it is technically possible to reduce the emission of unnecessary electromagnetic waves by changing the lead shape.
Since the standards for semiconductor components including lead shapes are defined by global standards, it is extremely difficult to change the lead structure,
Time is needed.

【0017】しかしながら、環境問題として世界各国で
不要電磁波放射に対する規制が進んでいるため、現状の
標準規格においても電磁波放射を抑制できる方法が求め
られている。
[0017] However, regulations on unnecessary electromagnetic wave radiation are being promoted in various countries around the world as an environmental problem. Therefore, a method capable of suppressing electromagnetic wave radiation is required even in the current standard.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、特開平9
−199235号公報や特開平9−82420号公報に
開示された、コネクタから放射される不要電磁波の抑制
技術は、コネクタの価格の増加を招くという問題があっ
た。
As described above, as described above,
The technology for suppressing unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector disclosed in JP-A-199235 and JP-A-9-82420 has a problem that the price of the connector is increased.

【0019】また、スルーホール部とそのスルーホール
部に接続された基板表面の配線パターンとで作られる構
造体がマイクロストリップ型アンテナと同構造であるこ
とから、スルーホール部から不要電磁波が放射されると
いう問題があった。
Since the structure formed by the through hole and the wiring pattern on the substrate surface connected to the through hole has the same structure as the microstrip antenna, unnecessary electromagnetic waves are radiated from the through hole. Problem.

【0020】また、配線基板の配線と半導体パッケージ
のリードとで作られる構造体がアンテナとなるため、配
線基板に実装した半導体パッケージから不要電磁波が放
射されるという問題があった。
Further, since the structure formed by the wiring of the wiring board and the leads of the semiconductor package serves as an antenna, there is a problem that unnecessary electromagnetic waves are radiated from the semiconductor package mounted on the wiring board.

【0021】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、コネクタの価格の増加
を招くことなく、コネクタからの不要電磁波の放射を抑
制できる半導体装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of suppressing the emission of unnecessary electromagnetic waves from a connector without increasing the price of the connector. It is in.

【0022】本発明の他の目的は、スルーホール部から
の電磁波の放射を抑制できる半導体装置を提供すること
にある。本発明のさらに別の目的は、不要電磁波の放射
を抑制できる半導体パッケージおよびそれを用いた半導
体装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of suppressing the emission of an electromagnetic wave from a through hole. Still another object of the present invention is to provide a semiconductor package capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves and a semiconductor device using the same.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】[構成]上記目的を達成
するために、本発明(請求項1)に係る半導体装置は、
基板上に形成された信号配線と、前記基板に形成され、
かつ前記信号配線と接続する第1のコネクタ端子および
この第1のコネクタ端子の隣りに形成された第2のコネ
クタ端子を有するコネクタとを備えており、前記第2の
コネクタ端子には前記第1のコネクタ端子に入力される
入力信号の反転信号が入力されることを特徴とする。
Means for Solving the Problems [Structure] To achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention (claim 1)
Signal wiring formed on the substrate, and formed on the substrate,
A first connector terminal connected to the signal wiring; and a connector having a second connector terminal formed adjacent to the first connector terminal, wherein the second connector terminal includes the first connector terminal. Characterized in that an inverted signal of the input signal input to the connector terminal is input.

【0024】ここで、反転信号の電圧振幅は、入力信号
の電圧振幅とは異なっていることが好ましい。また、本
発明(請求項2)に係る他の半導体装置は、基板に形成
された第1のスルーホール部と、前記基板に形成され、
かつ前記第1のスルーホール部の隣り形成された第2の
スルーホール部とを備えており、前記第2のスルーホー
ル部には前記第1のスルーホール部に入力される入力信
号の反転信号が入力されることを特徴とする。
Here, the voltage amplitude of the inverted signal is preferably different from the voltage amplitude of the input signal. Further, another semiconductor device according to the present invention (claim 2) includes a first through-hole portion formed in the substrate, and a first through-hole portion formed in the substrate.
And a second through hole formed adjacent to the first through hole. The second through hole has an inverted signal of an input signal input to the first through hole. Is input.

【0025】ここで、スルーホール部は、例えばスルー
ホール内を突起状電極で埋め込んだものである。また、
突起状電極は、例えば銀ペースト、銅ペースト等のペー
ストで形成されたものである。
Here, the through-hole portion is, for example, one in which the inside of the through-hole is buried with a protruding electrode. Also,
The protruding electrodes are formed of a paste such as a silver paste or a copper paste.

【0026】また、スルーホール部には、例えばクロッ
ク配線、データ配線等の高速信号が伝搬される配線が接
続される。また、本発明(請求項3)に係る他の半導体
パッケージは、半導体チップを搭載する半導体パッケー
ジであって、第1の信号が入力される第1の信号入力部
と、この第1の信号入力部の隣りに設けられ、前記第1
の信号の反転信号が入力される第2の信号入力部とを備
えていることを特徴とする。
In addition, wirings through which high-speed signals are propagated, such as clock wirings and data wirings, are connected to the through-holes. Another semiconductor package according to the present invention (claim 3) is a semiconductor package on which a semiconductor chip is mounted, wherein a first signal input section to which a first signal is input and a first signal input section are provided. Part is provided next to the first part.
And a second signal input unit to which an inverted signal of the above signal is input.

【0027】ここで、反転信号の電圧振幅は、入力信号
の電圧振幅よりも大きいことが好ましい。また、本発明
(請求項4)に係る他の半導体装置は、配線基板上に形
成された本発明(請求項3)に係る半導体パッケージ
と、この半導体パッケージに搭載された半導体チップと
を備えていることを特徴とする。
Here, the voltage amplitude of the inverted signal is preferably larger than the voltage amplitude of the input signal. Further, another semiconductor device according to the present invention (claim 4) includes a semiconductor package according to the present invention (claim 3) formed on a wiring board, and a semiconductor chip mounted on the semiconductor package. It is characterized by being.

【0028】[作用]本発明(請求項1)によれば、第
2のコネクタ端子には第1のコネクタ端子に入力される
入力信号の反転信号が入力され、第1および第2のコネ
クタ端子から放射される不要電磁波が互いに打ち消し合
うので、コネクタから放射される不要電磁波を抑制でき
るようになる。
According to the present invention (claim 1), an inverted signal of the input signal inputted to the first connector terminal is inputted to the second connector terminal, and the first and second connector terminals are inputted. Since unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector cancel each other, unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector can be suppressed.

【0029】また、このような不要電磁波の放射抑制技
術であれば、基本的にはコネクタ端子および信号源の追
加だけ済み、特殊なコネクタ構造を採用する必要がない
ので、コネクタの価格の増加を抑制できる。
In addition, with such a technique for suppressing the emission of unnecessary electromagnetic waves, only connector terminals and signal sources are basically added, and it is not necessary to employ a special connector structure. Can be suppressed.

【0030】したがって、本発明(請求項1)によれ
ば、コネクタの価格の増加を招くことなく、コネクタか
らの不要電磁波の放射を抑制できる半導体装置を実現で
きるようになる。
Therefore, according to the present invention (claim 1), it is possible to realize a semiconductor device capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from the connector without increasing the price of the connector.

【0031】また、本発明(請求項2)によれば、第2
のスルーホール部には第1のスルーホール部に入力され
る入力信号の反転信号が入力され、第1および第2のス
ルーホール部から放射される不要電磁波が互いに打ち消
し合うので、スルーホール部から放射される不要電磁波
を抑制できるようになる。
According to the present invention (claim 2), the second
An inverted signal of the input signal input to the first through-hole is input to the through-hole, and unnecessary electromagnetic waves radiated from the first and second through-holes cancel each other. The emitted unnecessary electromagnetic waves can be suppressed.

【0032】したがって、本発明(請求項2)によれ
ば、スルーホール部からの不要電磁波の放射を抑制でき
る半導体装置を実現できるようになる。また、本発明
(請求項3,4)によれば、半導体パッケージの第2の
信号入力部には第1の信号入力部に入力される入力信号
の反転信号が入力され、第1および第2の信号入力部か
ら放射される不要電磁波が互いに打ち消し合うので、信
号入力部から放射される不要電磁波を抑制できるように
なる。
Therefore, according to the present invention (claim 2), it is possible to realize a semiconductor device capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from the through-hole portion. According to the present invention (claims 3 and 4), an inverted signal of the input signal input to the first signal input unit is input to the second signal input unit of the semiconductor package, and the first and second signals are input to the second signal input unit of the semiconductor package. Unnecessary electromagnetic waves radiated from the signal input unit cancel each other, so that unnecessary electromagnetic waves radiated from the signal input unit can be suppressed.

【0033】したがって、本発明(請求項3,4)によ
れば、信号入力部からの不要電磁波の放射を抑制できる
半導体パッケージおよびそれを用いた半導体装置を実現
できるようになる。
Therefore, according to the present invention (claims 3 and 4), it is possible to realize a semiconductor package capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from a signal input portion and a semiconductor device using the same.

【0034】また、このような不要電磁波の放射抑制技
術であれば、基本的には信号入力部および信号源の追加
だけ済み、信号入力部の形状を変更せずに済む。そのた
め、本発明によれば、信号入力部が例えば半導体パッケ
ージのリードの規格のように世界標準で定められている
場合であっても、不要電磁波の放射を抑制できる。
With such a technique for suppressing unnecessary electromagnetic wave radiation, basically only the signal input section and the signal source need to be added, and the shape of the signal input section does not need to be changed. Therefore, according to the present invention, even when the signal input unit is defined by a global standard such as a standard of a lead of a semiconductor package, emission of unnecessary electromagnetic waves can be suppressed.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に
係る半導体装置を示す模式図である。
Embodiments of the present invention (hereinafter, referred to as embodiments) will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【0036】図中、1はプリント基板を示しており、こ
のプリント基板1上にはフラットケーブルコネクタ2が
実装されている。このフラットケーブルコネクタ2は複
数のコネクタ端子を有し、そのうちの第1の第1のコネ
クタ端子3aは高速信号配線4に接続している。この高
速信号配線4にはクロック信号等の高速信号が入力され
る。
Referring to FIG. 1, reference numeral 1 denotes a printed board on which a flat cable connector 2 is mounted. The flat cable connector 2 has a plurality of connector terminals, of which a first first connector terminal 3 a is connected to a high-speed signal wiring 4. A high-speed signal such as a clock signal is input to the high-speed signal wiring 4.

【0037】第1のコネクタ端子3aの隣りの第2のコ
ネクタ端子3bは反転信号配線5に接続している。この
反転信号配線5には高速信号配線4に入力される高速信
号の反転信号が入力される。
The second connector terminal 3b adjacent to the first connector terminal 3a is connected to the inverted signal wiring 5. An inverted signal of the high-speed signal input to the high-speed signal wiring 4 is input to the inverted signal wiring 5.

【0038】図1には、1個の第1の第1のコネクタ端
子3aに1個の第2のコネクタ端子3bを設けた様子が
示されているが、1個の第1の第1のコネクタ端子3a
に2個の第2のコネクタ端子3bを設けても良い。
FIG. 1 shows a state in which one first connector terminal 3a is provided with one second connector terminal 3b, but one first first connector terminal 3a is provided. Connector terminal 3a
May be provided with two second connector terminals 3b.

【0039】すなわち、第1の第1のコネクタ端子3a
の両隣にそれぞれ1個の第2のコネクタ端子3bを設け
ても良い。また、コネクタの種類によっては、1個の第
1のコネクタ端子3aに3個以上の第2のコネクタ端子
3bを設けることも可能である。
That is, the first first connector terminal 3a
One second connector terminal 3b may be provided on both sides of the connector. Further, depending on the type of the connector, it is possible to provide three or more second connector terminals 3b for one first connector terminal 3a.

【0040】また、第1のコネクタ端子3aは2個以上
でも良く、その場合にも、各第1のコネクタ端子3aの
隣りに少なくとも1個以上の第2のコネクタ端子3bを
設ける。
The number of the first connector terminals 3a may be two or more. In this case, at least one second connector terminal 3b is provided adjacent to each first connector terminal 3a.

【0041】図2に、第1のコネクタ端子3a(3b)
と高速信号配線4(反転信号配線5)との接続部を拡大
した図を示す。プリント基板1にはスルーホール6が形
成されている。また、高速信号配線4(反転信号配線
5)の端部(接続箇所)7は環状に形成されている。ス
ルーホールの内壁は図示しない導電膜で被覆されてい
る。第1のコネクタ端子3a(3b)はスルーホール6
および環状の端部7を連通しているとともに、スルーホ
ール6の内壁を被覆する図示しない導電膜および環状の
端部7にハンダ等により電気的に接続している。
FIG. 2 shows the first connector terminals 3a (3b).
FIG. 4 is an enlarged view of a connection portion between the high-speed signal wiring 4 and the high-speed signal wiring 4 (inverted signal wiring 5). A through hole 6 is formed in the printed circuit board 1. Further, an end portion (connection portion) 7 of the high-speed signal wiring 4 (inverted signal wiring 5) is formed in a ring shape. The inner wall of the through hole is covered with a conductive film (not shown). The first connector terminal 3a (3b) has a through hole 6
The annular end 7 communicates with the conductive film (not shown) covering the inner wall of the through hole 6 and the annular end 7 by soldering or the like.

【0042】本実施形態によれば、第2のコネクタ端子
3bには第1のコネクタ端子3aに入力される入力信号
の反転信号が入力され、第1のコネクタ端子3a,3b
から放射される不要電磁波が互いに打ち消し合うので、
フラットケーブルコネクタ2から放射される不要電磁波
を抑制できるようになる。
According to this embodiment, an inverted signal of the input signal input to the first connector terminal 3a is input to the second connector terminal 3b, and the first connector terminals 3a, 3b
Unnecessary electromagnetic waves radiating from each other cancel each other out,
Unnecessary electromagnetic waves radiated from the flat cable connector 2 can be suppressed.

【0043】また、このような不要電磁波の放射抑制技
術であれば、基本的には第2のコネクタ端子3bおよび
反転信号の信号源の追加だけ済み、特殊なコネクタ構造
を採用する必要がないので、コネクタの価格の増加を抑
制できる。
With such a technique for suppressing unnecessary electromagnetic wave radiation, basically only the second connector terminal 3b and the signal source of the inverted signal need to be added, and there is no need to adopt a special connector structure. Thus, an increase in the price of the connector can be suppressed.

【0044】したがって、本実施形態によれば、フラッ
トケーブルコネクタ2の価格の増加を招くことなく、フ
ラットケーブルコネクタ2からの不要電磁波の放射を抑
制できるようになる。
Therefore, according to the present embodiment, emission of unnecessary electromagnetic waves from the flat cable connector 2 can be suppressed without increasing the price of the flat cable connector 2.

【0045】図3に、図1のコネクタ構造から放射され
る不要電磁波を調べるために用いた回路モジュールのブ
ロック図を示す。図中、14は図1のコネクタ構造に対
応するものであって、10ピンのフラットケーブル用コ
ネクタをプリント基板に実装してなる電磁波測定用コネ
クタを示している。プリント基板上の配線信号は50Ω
に制御されている。
FIG. 3 is a block diagram of a circuit module used for checking unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector structure of FIG. In the figure, reference numeral 14 corresponds to the connector structure of FIG. 1, and indicates an electromagnetic wave measurement connector in which a 10-pin flat cable connector is mounted on a printed circuit board. Wiring signal on printed circuit board is 50Ω
Is controlled.

【0046】また、図中、11は信号源であるクリスタ
ル・オシレータを示しており、このクリスタル・オシレ
ータ11からは30MHzの矩形信号が出力される。こ
の矩形信号は、タイミング回路13を介して、電磁波測
定用コネクタ14の中央のコネクタ端子15に入力され
るようになっている。さらに、信号反転回路12で反転
された矩形信号の反転信号が、タイミング回路13を介
して、コネクタ端子15の両側のコネクタ端子16,1
7に入力されるようになっている。矩形信号と反転信号
の位相差は180度±1度に制御されている。
In the figure, reference numeral 11 denotes a crystal oscillator which is a signal source, and this crystal oscillator 11 outputs a rectangular signal of 30 MHz. This rectangular signal is input to the central connector terminal 15 of the electromagnetic wave measurement connector 14 via the timing circuit 13. Further, the inverted signal of the rectangular signal inverted by the signal inverting circuit 12 is supplied to the connector terminals 16, 1 on both sides of the connector terminal 15 via the timing circuit 13.
7 is input. The phase difference between the rectangular signal and the inverted signal is controlled to 180 degrees ± 1 degree.

【0047】電磁波の測定は、3つのコネクタ端子15
〜17の近傍電界をスペクトルアナライザで測定するこ
とにより行った。図4(a)に、回路モジュールを動作
させ、両端のコネクタ端子16,17に反転信号を与え
ない場合、つまり両端のコネクタ端子16,17がグラ
ンド電位の場合(従来)の実験結果を示す。また、図4
(b)に、回路モジュールを動作させ、両端のコネクタ
端子16,17に反転信号を与えた場合( 本発明) の実
験結果を示す。なお、図4において、横軸は周波数、縦
軸はノイズレベルを示している。
The measurement of the electromagnetic wave is performed by using three connector terminals 15.
The measurement was performed by measuring the electric field near to 17 with a spectrum analyzer. FIG. 4A shows an experimental result when the circuit module is operated and no inversion signal is applied to the connector terminals 16 and 17 at both ends, that is, when the connector terminals 16 and 17 at both ends are at the ground potential (conventional). FIG.
(B) shows an experimental result when the circuit module is operated and inverted signals are given to the connector terminals 16 and 17 at both ends (the present invention). In FIG. 4, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents noise level.

【0048】図4から、本発明に係るコネクタ構造は、
従来のそれに比べて略すべての周波数帯でノイズレベル
が低減していることが分かり、特に従来では多く発生す
る低周波数領域の不要電磁波が激減していることが分か
る。 この実験結果より、図1のコネクタ構造は、不要電
磁波を低減するために適した構造であることが明らかに
なった。
FIG. 4 shows that the connector structure according to the present invention
It can be seen that the noise level is reduced in almost all frequency bands as compared with the conventional case, and in particular, it can be seen that unnecessary electromagnetic waves, which often occur in the low frequency region in the related art, are drastically reduced. From this experimental result, it has been clarified that the connector structure of FIG. 1 is a structure suitable for reducing unnecessary electromagnetic waves.

【0049】次に、高速信号の電圧振幅に対する反転信
号の電圧振幅の割合が、不要電磁波の放射抑制に及ぼす
影響についての実験結果について説明する。実験には、
図3に示した回路モジュールを用いた。そして、高速信
号の電圧振幅を5.0Vに固定し、反転信号の振幅電圧
を0Vから6Vの範囲で変化させて放射された電磁波を
測定した。
Next, a description will be given of an experimental result on the effect of the ratio of the voltage amplitude of the inverted signal to the voltage amplitude of the high-speed signal on suppressing the emission of unnecessary electromagnetic waves. For the experiment,
The circuit module shown in FIG. 3 was used. Then, the voltage amplitude of the high-speed signal was fixed at 5.0 V, and the radiated electromagnetic wave was measured while changing the amplitude voltage of the inverted signal in the range of 0 V to 6 V.

【0050】図5に、その測定結果を示す。図5から、
ノイズレベルが最小となる電圧振幅は2.3Vと高速信
号の5Vに対し小さくなることが分かる。図5の場合、
反転信号を入力しないときのノイズレベルを100%と
しているので、適切な電圧振幅を選択するとノイズレベ
ルを2%まで低減することができる。
FIG. 5 shows the measurement results. From FIG.
It can be seen that the voltage amplitude at which the noise level is minimum is 2.3 V, which is smaller than 5 V of the high-speed signal. In the case of FIG.
Since the noise level when no inverted signal is input is set to 100%, the noise level can be reduced to 2% by selecting an appropriate voltage amplitude.

【0051】したがって、図1の装置において、反転信
号配線5に入力する反転信号の電圧振幅を最適化するこ
とにより、非常に効果の高いEMI対策が可能となる。
なお、本実施形態ではフラットケーブルコネクタを用い
た場合について説明したが、本発明はピン状端子が形成
されているさまざまなコネクタに適用でき、特にコネク
タを実装した際に基板表面に対してコネクタのピンが略
垂直になる場合に大きな効果が得られる。 ( 第2の実施形態)図6は、本発明の第2の実施形態に
係る半導体装置のスルーホール構造を示す断面図であ
る。
Therefore, in the apparatus shown in FIG. 1, by optimizing the voltage amplitude of the inverted signal input to the inverted signal wiring 5, a very effective EMI measure can be taken.
In the present embodiment, the case where a flat cable connector is used has been described. However, the present invention can be applied to various connectors having pin-shaped terminals, and particularly when the connector is mounted, the connector is attached to the surface of the board. A great effect is obtained when the pins are substantially vertical. (Second Embodiment) FIG. 6 is a sectional view showing a through-hole structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0052】図中、21は両面プリント基板を示してお
り、この両面プリント基板21には第1のスルーホール
22が開口されている。この第1のスルーホール22の
内壁には第1の導電膜23が形成されている。また、第
1の導電膜23は、両面プリント基板21上に形成され
た、クロック信号等の高速信号が伝搬する高速信号配線
24と電気的に接続している。これらの第1のスルーホ
ール22と第1の導電膜23とは、第1のスルーホール
部を構成している。
In the figure, reference numeral 21 denotes a double-sided printed circuit board. The double-sided printed circuit board 21 has a first through hole 22 formed therein. On the inner wall of the first through hole 22, a first conductive film 23 is formed. Further, the first conductive film 23 is electrically connected to a high-speed signal wiring 24 formed on the double-sided printed circuit board 21 and through which a high-speed signal such as a clock signal propagates. The first through hole 22 and the first conductive film 23 constitute a first through hole.

【0053】また、両面プリント基板21には第2のス
ルーホール25が第1のスルーホール22に近接して開
口されている。この第2のスルーホール25の内壁には
第2の導電膜26が形成されている。また、第2の導電
膜26は、両面プリント基板21上に形成された、クロ
ック信号等の高速信号の反転信号が伝搬する反転信号配
線27と電気的に接続している。これらの第2のスルー
ホール25と第2の導電膜26とは第2のスルーホール
部を構成している。
Further, a second through hole 25 is opened in the double-sided printed circuit board 21 close to the first through hole 22. A second conductive film 26 is formed on the inner wall of the second through hole 25. Further, the second conductive film 26 is electrically connected to an inverted signal wiring 27 formed on the double-sided printed circuit board 21 and through which an inverted signal of a high-speed signal such as a clock signal propagates. The second through hole 25 and the second conductive film 26 constitute a second through hole.

【0054】本実施形態によれば、第1のスルーホール
部には第2のスルーホール部に入力される入力信号の反
転信号が入力され、第1および第2のスルーホール部か
ら放射される不要電磁波が互いに打ち消し合うので、ス
ルーホール部から放射される不要電磁波を抑制できるよ
うになる。
According to this embodiment, an inverted signal of the input signal input to the second through-hole is input to the first through-hole, and is radiated from the first and second through-holes. Since the unnecessary electromagnetic waves cancel each other, the unnecessary electromagnetic waves radiated from the through-hole portions can be suppressed.

【0055】したがって、本実施形態によれば、スルー
ホール部からの不要電磁波の放射を抑制できる半導体装
置を実現できるようになる。図7に、ガラスエポキシを
用いて作成された両面プリント基板に従来および本実施
形態のスルーホール構造を形成し、不要電磁波の低減効
果を調べた実験結果を示す。
Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize a semiconductor device capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from the through-hole portion. FIG. 7 shows an experimental result of examining the effect of reducing unnecessary electromagnetic waves by forming the through-hole structures of the related art and the present embodiment on a double-sided printed circuit board made of glass epoxy.

【0056】図7( a) は、従来のスルーホール構造
(図7の第1のスルーホール部しかないもの)近傍の電
界強度をスペクトルアナライザで測定した結果を示して
いる。また、図7( b) は、図7の本実施形態のスルー
ホール構造を持つ両面プリント基板を図7( a) と同様
にして測定した結果を示している。なお、図7におい
て、横軸は周波数、縦軸はノイズレベルを示している。
図7から、本実施形態のスルーホール構造は不要電磁波
の低減効果が高いことが分かる。 ( 第3の実施形態)図8は、本発明の第3の実施形態に
係る半導体装置のスルーホール構造を示す断面図であ
る。なお、図6と対応する部分には図6と同一符号を付
してあり、詳細な説明は省略する。
FIG. 7A shows the result of measuring the electric field intensity near the conventional through-hole structure (only the first through-hole portion in FIG. 7) with a spectrum analyzer. FIG. 7B shows the result of measurement of the double-sided printed circuit board having the through-hole structure of the present embodiment in FIG. 7 in the same manner as in FIG. 7A. In FIG. 7, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents noise level.
FIG. 7 shows that the through-hole structure of the present embodiment has a high effect of reducing unnecessary electromagnetic waves. (Third Embodiment) FIG. 8 is a sectional view showing a through-hole structure of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. Parts corresponding to those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 6, and detailed description is omitted.

【0057】本実施形態が第2の実施形態と主として異
なる点は、スルーホール部における信号伝搬路が銀ペー
ストなどの金属ペーストからなるバンプ28で構成され
ていることにある。
The main difference between this embodiment and the second embodiment is that the signal propagation path in the through-hole portion is formed by a bump 28 made of a metal paste such as a silver paste.

【0058】図8には、3個のバンプ28がランド29
を介して積層された構造の信号伝送路が示されている。
そして、本実施形態では、多層プリント配線基板21a
を用いており、その異なる層に形成された配線間の接続
にバンプ28が用いられている。
In FIG. 8, three bumps 28 are lands 29
1 shows a signal transmission path having a structure stacked through the layers.
In the present embodiment, the multilayer printed wiring board 21a
Are used, and bumps 28 are used for connection between wirings formed in the different layers.

【0059】本実施形態でも、第3の実施形態と同様
に、スルーホール部から放射される不要電磁波を大幅に
低減できる。なお、第2、第3の実施形態では、プリン
ト基板の表から裏まで貫通したスルーホール部の場合に
ついて説明したが、本発明は、例えばヴィア(接続部
材)が基板内部に埋まっているIVH構造にも適用でき
る。
In the present embodiment, as in the third embodiment, unnecessary electromagnetic waves radiated from the through holes can be greatly reduced. In the second and third embodiments, the case of the through-hole portion penetrating from the front to the back of the printed circuit board has been described. Also applicable to

【0060】さらに、本発明はプリント基板に限らず、
例えばマルチチップモジュール用の薄膜多層基板、圧膜
技術によるハイブリッド基板、ビルトアップ型プリント
基板、セラミックパッケージ、樹脂パッケージまたは導
体チップなど、層間接続のためのスルーホール、コンタ
クトホールまたはコンタクト柱が形成されている他の構
造体にも適用できる。 ( 第4の実施形態)図9は、本発明の第4の実施形態に
係る半導体装置を示す断面図である。
Further, the present invention is not limited to a printed circuit board,
For example, through-holes, contact holes or contact pillars for interlayer connection are formed, such as thin-film multilayer substrates for multi-chip modules, hybrid substrates by pressure film technology, built-up printed circuit boards, ceramic packages, resin packages or conductive chips. Other structures. (Fourth Embodiment) FIG. 9 is a sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【0061】図中、31は配線基板を示しており、この
配線基板31上には、半導体チップ(不図示)が実装さ
れたピングリッドアレイパッケージ( PGA) 32が搭
載されている。
In the figure, reference numeral 31 denotes a wiring board, on which a pin grid array package (PGA) 32 on which a semiconductor chip (not shown) is mounted is mounted.

【0062】PGA32は、電源の供給や信号の入出力
を行うための複数のピン状リードを有し、そのうちの第
1のピン状リード33(第1の信号入力部)はクロック
信号等の高速信号が入力されるリードである。この第1
のピン状リード33の隣りには、上記高速信号の反転信
号が入力される第2のピン状リード34(第2の信号入
力部)が形成されている。
The PGA 32 has a plurality of pin-shaped leads for supplying power and inputting / outputting a signal. Among them, a first pin-shaped lead 33 (first signal input section) has a high-speed signal such as a clock signal. This is a lead to which a signal is input. This first
A second pin-shaped lead 34 (a second signal input portion) to which an inverted signal of the high-speed signal is input is formed adjacent to the pin-shaped lead 33.

【0063】なお、第1のピン状リード33は複数でも
良い。この場合も、各第1のピン状リード33の隣りに
第2のピン状リード34を形成する。また、各第1のピ
ン状リード33の隣りに複数の第2のピン状リード34
を形成しても良い。例えば、第1のピン状リード33の
両隣にそれぞれ1個の第2のピン状リード34を形成
し、計2個のピン状リード34を形成する。
The number of the first pin-shaped leads 33 may be plural. Also in this case, a second pin-shaped lead 34 is formed adjacent to each first pin-shaped lead 33. A plurality of second pin-shaped leads 34 are provided next to each first pin-shaped lead 33.
May be formed. For example, one second pin-shaped lead 34 is formed on both sides of the first pin-shaped lead 33, and a total of two pin-shaped leads 34 are formed.

【0064】ここで、反転信号が伝搬する反転信号配線
は、半導体チップまでは接続されず、PGA32内部で
終端されるか、または開放される。例えば図10に示す
ように、反転信号配線36は半導体チップ35までは接
続されず、抵抗体37で終端される。この場合、反転信
号配線36の特性インピーダンスと同じ抵抗値を持つ抵
抗体37で終端することが望ましい。
Here, the inverted signal wiring through which the inverted signal propagates is not connected to the semiconductor chip, but is terminated or opened inside the PGA 32. For example, as shown in FIG. 10, the inverted signal wiring 36 is not connected to the semiconductor chip 35 but is terminated by a resistor 37. In this case, it is desirable to terminate with a resistor 37 having the same resistance value as the characteristic impedance of the inverted signal wiring 36.

【0065】なお、図10において、38は高速信号配
線、39はグランド線もしくは電源線、40はボンディ
ングワイヤをそれぞれ示している。本実施形態によれ
ば、PGA32の第2のピン状リード34には第1のピ
ン状リード33の入力される高速信号の反転信号が入力
され、第1および第2のピン状リード33,34から放
射される不要電磁波が互いに打ち消し合うので、第1の
ピン状リード33から放射される不要電磁波を抑制でき
るようになる。
In FIG. 10, reference numeral 38 denotes a high-speed signal wiring, 39 denotes a ground line or a power supply line, and 40 denotes a bonding wire. According to the present embodiment, the inverted signal of the high-speed signal input to the first pin-shaped lead 33 is input to the second pin-shaped lead 34 of the PGA 32, and the first and second pin-shaped leads 33, 34 are provided. Unnecessary electromagnetic waves radiated from the first pin-shaped lead 33 can be suppressed because the unnecessary electromagnetic waves radiated from the first cancel each other.

【0066】したがって、本実施形態によれば、ピン状
リードからの不要電磁波の放射を抑制できるPGA32
を用いた半導体装置を実現できるようになる。また、本
発明者の研究によれば、反転信号を高速信号に対し18
0度±5度の位相差に収まると、大きな不要電磁波の低
減効果が得られることが分かった。
Therefore, according to the present embodiment, the PGA 32 that can suppress the emission of the unnecessary electromagnetic wave from the pin-shaped lead is provided.
Semiconductor device using the same can be realized. Also, according to the research of the present inventor, the inverted signal is set to 18
It has been found that when the phase difference falls within the range of 0 degrees ± 5 degrees, a large effect of reducing unnecessary electromagnetic waves can be obtained.

【0067】図11に、図9のパッケージ構造から放射
される不要電磁波を調べるために用いた回路モジュール
のブロック図を示す。なお、図3と対応する部分には図
3と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
FIG. 11 is a block diagram of a circuit module used for examining unnecessary electromagnetic waves radiated from the package structure of FIG. Parts corresponding to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and detailed description is omitted.

【0068】この回路モジュールの構成は、被測定物の
違いを除いて、図3の回路モジュールと同じである。こ
こでは、被測定物として、リード端子15a〜17aが
平行して並んで形成されているCMOS・IC( 74A
C11P) をプリント基板に実装してなる電磁波測定用
IC14aを用いている。その他の構成は、図3と同じ
である。
The configuration of this circuit module is the same as that of the circuit module of FIG. Here, as an object to be measured, a CMOS IC (74A) in which lead terminals 15a to 17a are formed side by side in parallel.
C11P) is mounted on a printed circuit board using an electromagnetic wave measurement IC 14a. Other configurations are the same as those in FIG.

【0069】電磁波の測定は、3つのリード端子15a
〜17aの近傍電界をスペクトルアナライザで測定する
ことにより行った。図12(a)に、回路モジュールを
動作させ、両端のリード端子16a,17aに反転信号
を与えない場合、つまり両端のリード端子16a,17
aがグランド電位の場合( 従来) の結果を示す。また、
図12(b)に、回路モジュールを動作させ、両端のリ
ード端子16a,17aに反転信号を与えた場合( 本発
明) の結果を示す。なお、図12において、横軸は周波
数、縦軸はノイズレベルを示している。
The measurement of the electromagnetic wave is performed by the three lead terminals 15a.
The measurement was performed by measuring the electric field near to 17a with a spectrum analyzer. FIG. 12A shows a case where the circuit module is operated and no inversion signal is given to the lead terminals 16a and 17a at both ends, that is, the lead terminals 16a and 17 at both ends.
The results when a is the ground potential (conventional) are shown. Also,
FIG. 12B shows the result when the circuit module is operated and inverted signals are applied to the lead terminals 16a and 17a at both ends (the present invention). In FIG. 12, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents noise level.

【0070】図12から、本発明に係る半導体パッケー
ジは、従来のそれに比べて略全ての周波数でノイズレベ
ルが低減していることが分かり、特にピーク値は60%
以上減少していことが分かる。この結果より、図9の半
導体パッケージ構造は、不要電磁波を低減するために適
した構造であることが明らかになった。
From FIG. 12, it can be seen that the semiconductor package according to the present invention has a reduced noise level at almost all frequencies as compared with the conventional semiconductor package.
It turns out that it has decreased above. From this result, it has been clarified that the semiconductor package structure of FIG. 9 is a structure suitable for reducing unnecessary electromagnetic waves.

【0071】次に、高速信号の電圧振幅に対する反転信
号の電圧振幅の割合が、電磁波放射抑制に及ぼす影響に
ついての実験結果について説明する。実験には、図11
に示した回路モジュールを用いた。そして、高速信号の
電圧振幅を5.0Vに固定し、反転信号の振幅電圧を0
Vから10Vの範囲で変化させて放射された電磁波を測
定した。
Next, a description will be given of an experimental result on the influence of the ratio of the voltage amplitude of the inverted signal to the voltage amplitude of the high-speed signal on the suppression of electromagnetic wave radiation. In the experiment, FIG.
Was used. Then, the voltage amplitude of the high-speed signal is fixed to 5.0 V, and the amplitude voltage of the inverted signal is set to 0.
Electromagnetic waves radiated while changing the voltage from V to 10 V were measured.

【0072】図13に、その測定結果を示す。図から、
ノイズレベルが最小となる電圧振幅は7.6Vと高速信
号の5Vに対し大きくなることが分かる。これはDIP
を用いた場合の結果であるが、この現象はPGAやQF
Pなどリードやピンが形成された半導体パッケージ全て
で確認された。
FIG. 13 shows the measurement results. From the figure,
It can be seen that the voltage amplitude at which the noise level is minimum is 7.6 V, which is larger than 5 V of the high-speed signal. This is DIP
This is a result of using PGA, but this phenomenon is caused by PGA and QF
This was confirmed in all semiconductor packages on which leads and pins such as P were formed.

【0073】図13では、反転信号を入力しないときの
ノイズレベルを100%としているので、適切な電圧振
幅を選択するとノイズレベルを3%まで低減することが
できる。
In FIG. 13, since the noise level when no inverted signal is input is set to 100%, the noise level can be reduced to 3% by selecting an appropriate voltage amplitude.

【0074】したがって、図9の装置において、第2の
ピン状リード34に入力する反転信号の電圧振幅を最適
化することにより、非常に効果の高いEMI対策が可能
となる。
Therefore, in the device shown in FIG. 9, by optimizing the voltage amplitude of the inverted signal input to the second pin-shaped lead 34, a very effective EMI measure can be taken.

【0075】図14〜図16に本実施形態の変形例を示
す。図14はバンプグリッドアレイ( BGA) 、図15
はDIP、図16はQFPをそれぞれ用いた場合の変形
例を示している。なお、図9と対応する部分には図9と
同一符号を付してある。
FIGS. 14 to 16 show modified examples of the present embodiment. FIG. 14 shows a bump grid array (BGA), and FIG.
FIG. 16 shows a modified example using a DIP, and FIG. 16 shows a modified example using a QFP. Note that parts corresponding to FIG. 9 are denoted by the same reference numerals as in FIG.

【0076】なお、本発明は、さまざまな半導体パッケ
ージに適用でき、実施形態および変形例で示したPG
A、BGA、DIP、QFP以外にも、例えばピン状リ
ードやテープ状リード等のリード、または突起状電極が
使用されている半導体パッケージにも適用できる。
The present invention can be applied to various semiconductor packages, and can be applied to the PGs shown in the embodiments and the modifications.
In addition to A, BGA, DIP, and QFP, the present invention can be applied to, for example, a lead such as a pin-shaped lead or a tape-shaped lead, or a semiconductor package using a protruding electrode.

【0077】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、例えばコネクタから放射される不要電磁
波の抑制技術に特徴がある第1の実施形態と、スルーホ
ール部から放射される不要電磁波の抑制技術に特徴があ
る第2、第3の実施形態と、半導体パッケージから放射
される不要電磁波の抑制技術に特徴がある第4の実施形
態を適宜組み合わせても良い。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the first embodiment which is characterized by a technique for suppressing unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector and the unnecessary electromagnetic waves radiated from the through-hole portion The second and third embodiments, which are characterized by the above suppression technique, and the fourth embodiment, which is characterized by the technique of suppressing unnecessary electromagnetic waves radiated from the semiconductor package, may be appropriately combined. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上詳説したように本発明(請求項1)
によれば、第2のコネクタ端子を形成し、この第2のコ
ネクタ端子に第1のコネクタ端子に入力する入力信号の
反転信号を入力して、第1および第2のコネクタ端子か
ら放射される不要電磁波を互いに打ち消し合わせること
により、コネクタの価格の増加を招くことなく、コネク
タからの不要電磁波の放射を抑制できる半導体装置を実
現できるようになる。
As explained in detail above, the present invention (claim 1)
According to the first aspect, a second connector terminal is formed, an inverted signal of an input signal input to the first connector terminal is input to the second connector terminal, and the signal is radiated from the first and second connector terminals. By canceling unnecessary electromagnetic waves from each other, it is possible to realize a semiconductor device capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from the connector without increasing the price of the connector.

【0079】また、本発明(請求項2)によれば、第2
のスルーホール部を設け、この第2のスルーホール部に
第1のスルーホール部に入力する入力信号の反転信号を
入力して、第1および第2のスルーホール部から放射さ
れる不要電磁波を互いに打ち消し合わせることにより、
スルーホール部からの不要電磁波の放射を抑制できる半
導体装置を実現できるようになる。
According to the present invention (claim 2), the second
And an inverted signal of an input signal input to the first through-hole is input to the second through-hole, and unnecessary electromagnetic waves radiated from the first and second through-holes are supplied to the second through-hole. By canceling each other out,
A semiconductor device capable of suppressing emission of unnecessary electromagnetic waves from the through-hole portion can be realized.

【0080】また、本発明(請求項3,4)によれば、
半導体パッケージに第2の信号入力部を形成し、この第
2の信号入力部に第1の信号入力部に入力する入力信号
の反転信号を入力して、第1および第2の信号入力部か
ら放射される不要電磁波を互いに打ち消し合わせること
により、信号入力部からの不要電磁波の放射を抑制でき
る半導体パッケージおよびそれを用いた半導体装置を実
現できるようになる。
According to the present invention (claims 3 and 4),
A second signal input portion is formed in the semiconductor package, and an inverted signal of an input signal input to the first signal input portion is input to the second signal input portion, and the second signal input portion receives the inverted signal from the first and second signal input portions. By canceling the emitted unnecessary electromagnetic waves, a semiconductor package capable of suppressing the emission of the unnecessary electromagnetic waves from the signal input unit and a semiconductor device using the same can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を示
す模式図
FIG. 1 is a schematic view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の半導体装置のコネクタ端子と高速信号配
線との接続部の拡大図
FIG. 2 is an enlarged view of a connection portion between a connector terminal and high-speed signal wiring of the semiconductor device of FIG. 1;

【図3】従来および本発明のコネクタ構造から放射され
る不要電磁波を調べるために用いた回路モジュールのブ
ロック図
FIG. 3 is a block diagram of a circuit module used for examining unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector structures of the related art and the present invention.

【図4】図3の回路モジュールを用いて調べた従来およ
び本発明のコネクタ構造から放射される不要電磁波を示
す図
FIG. 4 is a diagram showing unnecessary electromagnetic waves radiated from the connector structure of the related art and the present invention examined using the circuit module of FIG. 3;

【図5】図3の回路モジュールを用いて調べた高速信号
の電圧振幅に対する反転信号の電圧振幅の割合が、電磁
波放射抑制に及ぼす影響についての実験結果を示す図
FIG. 5 is a diagram showing an experimental result on the effect of the ratio of the voltage amplitude of the inverted signal to the voltage amplitude of the high-speed signal, which is examined using the circuit module of FIG.

【図6】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置のス
ルーホール構造を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing a through-hole structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention;

【図7】両面プリント基板に従来および第2の実施形態
のスルーホール構造を形成し、不要電磁波の低減効果を
実験した結果を示す図
FIG. 7 is a diagram showing the results of experiments on the effect of reducing unnecessary electromagnetic waves by forming the through-hole structures of the conventional and second embodiments on a double-sided printed circuit board.

【図8】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置のス
ルーホール構造を示す断面図
FIG. 8 is a sectional view showing a through-hole structure of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention;

【図9】本発明の第4の実施形態に係る半導体装置を示
す断面図
FIG. 9 is a sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】PGA内部における高速信号配線の様子を示
す図
FIG. 10 is a diagram showing a state of high-speed signal wiring inside PGA;

【図11】図9のパッケージ構造から放射される不要電
磁波を調べるために用いた回路モジュールのブロック図
FIG. 11 is a block diagram of a circuit module used for examining unnecessary electromagnetic waves radiated from the package structure of FIG. 9;

【図12】図11の回路モジュールを用いて調べた従来
および本発明の半導体パッケージコネクタから放射され
る不要電磁波を示す図
FIG. 12 is a diagram showing unnecessary electromagnetic waves radiated from the semiconductor package connectors of the related art and the present invention, which are examined using the circuit module of FIG. 11;

【図13】図11の回路モジュールを用いて調べた高速
信号の電圧振幅に対する反転信号の電圧振幅の割合が、
電磁波放射抑制に及ぼす影響についての実験結果を示す
FIG. 13 is a graph showing the ratio of the voltage amplitude of the inverted signal to the voltage amplitude of the high-speed signal measured using the circuit module of FIG.
Diagram showing experimental results on effects on suppression of electromagnetic radiation

【図14】第4の実施形態の変形例を示す図FIG. 14 shows a modification of the fourth embodiment.

【図15】第4の実施形態の他の変形例を示す図FIG. 15 is a view showing another modification of the fourth embodiment;

【図16】第4の実施形態のさらに別の変形例を示す図FIG. 16 is a view showing still another modification of the fourth embodiment;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…プリント基板 2…フラットケーブルコネクタ 3a…第1のコネクタ端子 3b…第2のコネクタ端子 4…高速信号配線 5…反転信号配線 6…スルーホール 7…接続箇所 11…クリスタル・オシレータ 12…信号反転回路 13…タイミング回路 14…電磁波測定用コネクタ 15〜17…コネクタ端子 21…両面プリント基板 22…第1のスルーホール(第1のスルーホール部) 23…第1の導電膜(第1のスルーホール部) 24…高速信号配線 25…第2のスルーホール(第2のスルーホール部) 26…第2の導電膜(第2のスルーホール部) 27…反転信号配線 28…バンプ(スルーホール部) 29…ランド(スルーホール部) 31…配線基板 32…PGA 33…第1のピン状リード(第1の信号入力部) 34…第2のピン状リード(第2の信号入力部) 35…半導体チップ 36…反転信号配線 37…抵抗体 38…高速信号配線 39…グランド線 40…ボンディングワイヤ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Printed circuit board 2 ... Flat cable connector 3a ... 1st connector terminal 3b ... 2nd connector terminal 4 ... High-speed signal wiring 5 ... Inversion signal wiring 6 ... Through-hole 7 ... Connection place 11 ... Crystal oscillator 12 ... Signal inversion Circuit 13 Timing circuit 14 Electromagnetic wave measurement connector 15-17 Connector terminal 21 Double-sided printed circuit board 22 First through hole (first through hole) 23 First conductive film (first through hole) 24) High-speed signal wiring 25 ... Second through-hole (second through-hole) 26 ... Second conductive film (second through-hole) 27 ... Inverted signal wiring 28 ... Bump (through-hole) 29 land (through-hole portion) 31 wiring board 32 PGA 33 first pin-shaped lead (first signal input portion) 34 second pin Lead (second signal input section) 35 semiconductor chip 36 inverted signal wiring 37 resistor 38 high-speed signal wiring 39 ground line 40 bonding wire

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された信号配線と、 前記基板に形成され、かつ前記信号配線と接続する第1
のコネクタ端子およびこの第1のコネクタ端子の隣りに
形成された第2のコネクタ端子を有するコネクタとを具
備してなり、 前記第2のコネクタ端子には前記第1のコネクタ端子に
入力される入力信号の反転信号が入力されることを特徴
とする半導体装置。
A signal wiring formed on the substrate; and a first wiring formed on the substrate and connected to the signal wiring.
And a connector having a second connector terminal formed adjacent to the first connector terminal, wherein the second connector terminal has an input input to the first connector terminal. A semiconductor device to which an inverted signal of a signal is input.
【請求項2】基板に形成された第1のスルーホール部
と、 前記基板に形成され、かつ前記第1のスルーホール部の
隣り形成された第2のスルーホール部とを具備してな
り、 前記第2のスルーホール部には前記第1のスルーホール
部に入力される入力信号の反転信号が入力されることを
特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device comprising: a first through-hole formed in a substrate; and a second through-hole formed in the substrate and adjacent to the first through-hole. The semiconductor device according to claim 1, wherein an inverted signal of an input signal input to the first through hole is input to the second through hole.
【請求項3】半導体チップを搭載する半導体パッケージ
であって、第1の信号が入力される第1の信号入力部
と、この第1の信号入力部の隣りに設けられ、前記第1
の信号の反転信号が入力される第2の信号入力部とを具
備してなることを特徴とする半導体パッケージ。
3. A semiconductor package on which a semiconductor chip is mounted, wherein the first signal input section receives a first signal, and the first signal input section is provided adjacent to the first signal input section.
And a second signal input unit to which an inverted signal of the above signal is input.
【請求項4】配線基板上に形成された請求項3に記載の
半導体パッケージと、 この半導体パッケージに搭載された半導体チップとを具
備してなることを特徴とする半導体装置。
4. A semiconductor device comprising: the semiconductor package according to claim 3 formed on a wiring board; and a semiconductor chip mounted on the semiconductor package.
JP5077998A 1998-03-02 1998-03-03 Semiconductor device and semiconductor package Pending JPH11251490A (en)

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JP5077998A JPH11251490A (en) 1998-03-03 1998-03-03 Semiconductor device and semiconductor package
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619489B2 (en) 1999-09-20 2009-11-17 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit
JP2012174126A (en) * 2011-02-23 2012-09-10 Toshiba Corp Semiconductor device

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