JPH11251283A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
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- JPH11251283A JPH11251283A JP4677598A JP4677598A JPH11251283A JP H11251283 A JPH11251283 A JP H11251283A JP 4677598 A JP4677598 A JP 4677598A JP 4677598 A JP4677598 A JP 4677598A JP H11251283 A JPH11251283 A JP H11251283A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
するものであり、更に詳しくは、半導体基板を洗浄また
はウエット・エッチングするための半導体製造装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet etching a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造用のシリコン（Ｓｉ）基板や
石英（ＳｉＯ2 ）基板を薬液で洗浄する装置や、これら
の基板面に形成された例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
膜等を薬液でウエット・エッチングする半導体製造装置
は、従来は、例えばフッ酸（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ
3 ）、純水（Ｈ2 Ｏ）、その他、または、それらを混合
した薬液など、使用する薬液の種類ごとに異なる薬液処
理槽を使用しており、中間ないしは最終の水洗槽を含め
て多数の処理槽から構成されている。この多数の処理槽
からなる洗浄用やウエット・エッチング用の半導体製造
装置は、基板の大口径化に伴って大型化し設置面積が増
大するので設置面積を抑制するために、また基板が多数
の処理槽間を順次搬送される間に大気と接触する機会も
増大しているが、この大気との接触を可及的に避けるた
めにも、近年ではそれらの単槽化が図られている。すな
わち、一つの槽で複数の薬液による薬液処理と水洗とが
行なわれており、多くの場合、薬液は薬液処理毎に所定
の処方に従って処理の直前に混合されて薬液処理槽に供
給されている。そのほか、所定の処方に従ってあらかじ
め混合された薬液を循環させて薬液処理されている場合
もある。BACKGROUND ART Silicon for semiconductor production (Si) substrate or a quartz (SiO 2) and devices for cleaning a substrate with a chemical solution, for example, silicon oxide formed on these substrates surface (SiO 2)
Conventionally, a semiconductor manufacturing apparatus for wet-etching a film or the like with a chemical solution has conventionally used, for example, hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO
3 ) Different chemical treatment tanks are used for different types of chemicals, such as pure water (H 2 O), and others, or a mixture of them, and a large number of chemicals including intermediate or final washing tanks are used. It is composed of a processing tank. The semiconductor manufacturing equipment for cleaning and wet etching, which consists of a large number of processing tanks, increases in size and installation area as the diameter of the substrate increases. The chances of contact with the atmosphere while being sequentially transported between tanks are increasing, but in order to avoid contact with the atmosphere as much as possible, these tanks have recently been made into single tanks. That is, chemical treatment and washing with a plurality of chemicals are performed in one tank, and in many cases, chemicals are mixed and supplied to the chemical treatment tank immediately before the treatment according to a predetermined prescription for each chemical treatment. . In addition, there is a case where the chemical solution is processed by circulating a chemical solution mixed in advance according to a predetermined prescription.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、処理の直前に
薬液を混合する上記の方法では、薬液の濃度や温度が薬
液処理ごとに若干変動するためと思われるが、製造され
る半導体の特性が薬液処理毎に若干変動するという問題
を生じた。また、あらかじめ混合された薬液を循環させ
る場合であっても、薬液交換時おける濃度や温度の変
動、ないしは薬液処理後の水洗時の温度、流水量の違い
も製造される半導体の特性に影響を与えるという問題が
ある。However, in the above-described method of mixing a chemical solution immediately before processing, it is considered that the concentration and temperature of the chemical solution slightly fluctuate with each chemical solution processing, but the characteristics of the semiconductor to be manufactured are reduced. There was a problem that it fluctuated slightly for each chemical treatment. In addition, even when circulating a premixed chemical solution, fluctuations in concentration and temperature when changing the chemical solution, or differences in the temperature and water flow during washing after chemical solution treatment also affect the characteristics of the manufactured semiconductor. There is a problem of giving.
【０００４】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、半導
体基板の洗浄やウエット・エッチングに際して常に一定
の薬液処理が可能であり、半導体の特性が安定して得ら
れる半導体製造装置を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of constantly performing a constant chemical treatment during cleaning or wet etching of a semiconductor substrate and stably obtaining semiconductor characteristics. Make it an issue.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１の
構成によって解決されるが、その解決手段を説明すれ
ば、半導体基板の洗浄またはウエット・エッチングに使
用される本発明の半導体製造装置は、洗浄用またはウエ
ット・エッチング用の薬液供給ラインまたは薬液処理槽
に少なくとも薬液濃度計と薬液温度計との何れか一方が
備えられており、それらの計測値と、薬液処理時におけ
る薬液濃度と薬液温度に付いての規定値とに差がある場
合、あらかじめ設定されている基準に従って薬液処理槽
における薬液処理時間を増減することによって薬液処理
の度合いが調整されるようになっている。従って、製造
される半導体の特性が洗浄やウエット・エッチングの薬
液処理毎に変動することなく一定に保たれる。The above-mentioned object is achieved by the structure of the first aspect. To solve the problem, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention used for cleaning or wet etching of a semiconductor substrate is described. Is provided with at least one of a chemical concentration meter and a chemical solution thermometer in a chemical solution supply line for cleaning or wet etching or a chemical solution treatment tank, and the measured values thereof and the chemical solution concentration during the chemical solution treatment. When there is a difference between the prescribed value for the chemical solution temperature and the chemical solution treatment time in the chemical solution treatment tank in accordance with a preset reference, the degree of the chemical solution treatment is adjusted. Therefore, the characteristics of the semiconductor to be manufactured are kept constant without being changed for each chemical treatment such as cleaning or wet etching.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】半導体基板の洗浄またはウエット
・エッチングに使用される本発明の半導体製造装置は、 複数の薬液を混合して薬液処理槽に送り込み、薬液
処理を終えた薬液は薬液処理槽から排出する非循環方式
の半導体製造装置と、 あらかじめ混合され薬液処理槽に供給された薬液を
循環ラインによって循環させて薬液処理する循環方式の
半導体製造装置とが含まれる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor manufacturing apparatus of the present invention used for cleaning or wet etching of a semiconductor substrate mixes a plurality of chemicals and sends the mixed chemicals to a chemical processing tank. And a circulation type semiconductor manufacturing apparatus that circulates, through a circulation line, a chemical solution preliminarily mixed and supplied to a chemical solution processing tank to perform chemical solution processing.
【０００７】の非循環方式の場合には、使用する薬液
の各供給ラインは少なくとも流量制御の可能なバルブを
介して混合薬液供給ラインに接続されており、混合薬液
供給ラインで各薬液は所定の割合で混合され、混合薬液
供給ラインによって薬液処理槽へ供給される。そして、
混合薬液供給ラインまたは薬液処理槽に、少なくとも薬
液濃度計と薬液温度計との何れか一方が備えられてお
り、薬液濃度計および／または薬液温度計による計測値
と、薬液処理時における薬液濃度および／または薬液温
度に付いての規定値とに差がある場合に、あらかじめ設
定されている基準に従って薬液処理槽における薬液処理
時間を増減し薬液処理の度合いが調整されるようになっ
ている。なお、薬液温度に関しては、薬液が十分に混合
された後の混合薬液供給ラインに自動制御の加熱冷却ユ
ニットを設置して、薬液の温度を規定値の温度に維持さ
せるようにしてもよい。なお、上記の薬液濃度計にはｐ
Ｈメーターも含まれ、以降においても同様である。In the case of the non-circulation type, each supply line of the chemical used is connected to the mixed chemical supply line via at least a valve capable of controlling the flow rate. The mixture is mixed at a ratio and supplied to the chemical treatment tank by the mixed chemical supply line. And
At least one of a chemical concentration meter and a chemical solution thermometer is provided in the mixed chemical solution supply line or the chemical solution treatment tank, and the measured value by the chemical solution concentration meter and / or the chemical solution thermometer, If there is a difference between the prescribed value and / or the prescribed value of the temperature of the chemical solution, the degree of the chemical solution treatment is adjusted by increasing or decreasing the chemical treatment time in the chemical treatment tank according to a preset standard. Regarding the temperature of the chemical solution, an automatically controlled heating / cooling unit may be installed in the mixed chemical solution supply line after the chemical solution is sufficiently mixed, and the temperature of the chemical solution may be maintained at a specified value. It should be noted that p.
An H meter is also included, and the same applies hereinafter.
【０００８】この非循環方式の場合においては、混合さ
れた薬液は処理槽の底部へ供給し、処理を終えた薬液は
処理槽の上部から排出することによって、薬液処理前の
薬液と処理を終えた薬液とが混ざり合うことを避けるこ
とができる。In this non-circulation system, the mixed chemical is supplied to the bottom of the processing tank, and the processed chemical is discharged from the upper part of the processing tank to finish the processing with the chemical before the chemical processing. It is possible to avoid mixing with the used chemical solution.
【０００９】の循環方式の場合には、あらかじめ混合
され薬液処理槽内へ供給されている薬液を循環して使用
するが、薬液処理を終えた薬液を循環ポンプによって循
環ラインへ抜き出して自動制御の加熱冷却ユニットで温
度調節し、不純物等をフィルターで除去した後に、薬液
処理槽内へ戻している。そして、循環ラインまたは薬液
処理槽には少なくとも薬液濃度計が取り付けられてお
り、それによる計測値と、薬液処理時における薬液濃度
に付いての規定値とに差がある場合に、あらかじめ設定
されている基準に従って薬液処理槽における薬液処理時
間を増減して薬液処理の度合いが調整されるようになっ
ている。薬液温度は加熱冷却ユニットの自動制御機能が
働いて規定の温度に維持しているので、薬液処理時間へ
のフィードバックはあえて必要としないが、自動制御さ
れる温度に幅がある場合には、薬液温度計を取り付け
て、その計測温度と規定値とに差がある場合に薬液処理
時間を増減するようにしてもよい。勿論、加熱冷却ユニ
ットをはぶいて薬液温度計を取り付け、その計測値と規
定値とに差がある場合に、薬液処理時間を増減するよう
にしてもよい。また、循環ラインに流量調整バルブを設
けて薬液流量を制御することにより、薬液処理の度合い
は更に一定化される。In the case of the circulation system, the chemical solution which has been mixed in advance and supplied to the chemical solution processing tank is circulated and used. The chemical solution after the chemical solution treatment is drawn out to a circulation line by a circulation pump to perform automatic control. The temperature is adjusted by a heating / cooling unit, and impurities and the like are removed by a filter, and then returned to the chemical treatment tank. At least a chemical concentration meter is attached to the circulation line or the chemical treatment tank, and if there is a difference between the measured value and the prescribed value for the chemical concentration at the time of chemical treatment, it is set in advance. The degree of chemical treatment is adjusted by increasing or decreasing the chemical treatment time in the chemical treatment tank according to a certain standard. The chemical temperature is maintained at the specified temperature by the automatic control function of the heating / cooling unit, so there is no need to provide feedback to the chemical processing time.However, if the temperature to be automatically controlled has a wide range, A thermometer may be attached, and when there is a difference between the measured temperature and the specified value, the chemical solution processing time may be increased or decreased. Of course, the heating / cooling unit may be peeled off to attach a chemical solution thermometer, and when there is a difference between the measured value and the specified value, the solution processing time may be increased or decreased. Further, by providing a flow rate adjusting valve in the circulation line to control the flow rate of the chemical solution, the degree of chemical solution processing is further stabilized.
【００１０】この循環方式の場合においても、薬液は薬
液処理槽の底部へ供給し、薬液処理を終えた薬液は薬液
処理槽の上部から排出することが好ましいが、更には薬
液処理槽に外槽を付して二重槽とし、薬液は薬液処理槽
の底部へ供給し、処理を終えた薬液は薬液処理槽の上部
から外槽へ導き、外槽の底部から抜き出すような循環ラ
インを設けることにより、薬液処理前の薬液と処理を終
えた薬液との分離が確実になる。In this circulation system, it is preferable that the chemical is supplied to the bottom of the chemical processing tank and the chemical after the chemical processing is discharged from the upper part of the chemical processing tank. A chemical line is to be supplied to the bottom of the chemical treatment tank, and the processed chemical is guided from the top of the chemical treatment tank to the outer tank and drawn out from the bottom of the outer tank. Thereby, the separation between the chemical solution before the chemical solution treatment and the chemical solution after the treatment is ensured.
【００１１】以下、半導体基板の洗浄またはウエット・
エッチングに使用される本発明の半導体製造装置を、実
施例によって図面を参照して具体的に説明する。Hereinafter, cleaning or wet cleaning of a semiconductor substrate will be described.
The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention used for etching will be specifically described with reference to the drawings by way of examples.
【００１２】[0012]
【実施例】（実施例１）図１は非循環方式による洗浄用
またはウエット・エッチング用の半導体製造装置の配管
ラインを示す図である。薬液Ａ（例えばフッ酸）供給ラ
イン１、薬液Ｂ（例えば過酸化水素）供給ライン２と、
純水供給ライン３がそれぞれ混合薬液供給ライン４に接
続されており、混合薬液供給ライン４は半導体基板が浸
漬され薬液処理される薬液処理槽１０の底部の供給管５
と接続され、薬液処理槽１０の上部に排出管７が設けら
れてる。すなわち、薬液Ａ、薬液Ｂ、純水が混合薬液供
給ライン４で所定の割合に混合されて、薬液処理槽１０
の底部の供給管５から供給され、処理を終えた薬液は上
部の排出管７から排出され、図示せずとも排液処理装置
へ送られるようになっている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a view showing a piping line of a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet etching by a non-circulation method. A chemical solution A (for example, hydrofluoric acid) supply line 1, a chemical solution B (for example, hydrogen peroxide) supply line 2,
Each of the pure water supply lines 3 is connected to a mixed chemical supply line 4, and the mixed chemical supply line 4 is connected to a supply pipe 5 at the bottom of a chemical treatment tank 10 in which the semiconductor substrate is immersed and subjected to chemical treatment.
And a discharge pipe 7 is provided above the chemical solution treatment tank 10. That is, the chemical solution A, the chemical solution B, and the pure water are mixed at a predetermined ratio in the mixed chemical solution supply line 4 and
The chemical liquid supplied from the supply pipe 5 at the bottom and subjected to the treatment is discharged from the discharge pipe 7 at the upper part, and is sent to a drainage treatment device (not shown).
【００１３】薬液Ａ供給ライン１には、上流側から供給
圧トランスデューサ１１Ａ、供給流量調整バルブ１２
Ａ、ミキシング・バルブ１３Ａが組み込まれている。供
給流量調整バルブ１２Ａは流量を大幅に調整するバルブ
であり、精度の高い流量制御は供給圧トランスデューサ
１１Ａからの圧力信号が入力される図示しない制御部に
よって開度が調整されるミキシング・バルブ１３Ａによ
って行なわれる。同様に、薬液Ｂ供給ライン２には供給
圧トランスデューサ１１Ｂ、供給流量調整バルブ１２
Ｂ、ミキシング・バルブ１３Ｂが組み込まれている。ま
た、純水供給ライン３には、上流側から純水レギュレー
タ１４、純水流量計１５、供給圧トランスデューサ１１
Ｃ、ミキシング・バルブ１３Ｃが組み込まれている。純
水レギュレータ１４は純水の圧力を大幅に調整するレギ
ュレータであり、精度の高い流量制御は、上述したと同
様に、供給圧トランスデューサ１１Ｃからの圧力信号に
基づき図示しない制御部によって開度が調整されるミキ
シング・バルブ１３Ｃによって行なわれる。A supply pressure transducer 11A, a supply flow control valve 12
A, a mixing valve 13A is incorporated. The supply flow rate adjusting valve 12A is a valve for largely adjusting the flow rate, and highly accurate flow rate control is performed by a mixing valve 13A whose opening is adjusted by a control unit (not shown) to which a pressure signal from the supply pressure transducer 11A is input. Done. Similarly, a supply pressure transducer 11B and a supply flow control valve 12
B, a mixing valve 13B is incorporated. The pure water supply line 3 has a pure water regulator 14, a pure water flow meter 15, a supply pressure transducer 11
C, a mixing valve 13C is incorporated. The pure water regulator 14 is a regulator that largely adjusts the pressure of pure water, and the high-precision flow control is performed by controlling the opening degree by a control unit (not shown) based on the pressure signal from the supply pressure transducer 11C, as described above. This is performed by the mixing valve 13C.
【００１４】そして、薬液処理の処方に従って、薬液
Ａ、薬液Ｂ、純水がそれぞれ開度の調節されたミキシン
グ・バルブ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを経由して混合薬液
供給ライン４で所定の処方に従った混合割合で混合され
る。当然のことながら、薬液Ａまたは薬液Ｂの何れかが
混合されない場合もあり、純水のみが使用される場合も
ある。Then, according to the prescription of the chemical treatment, the chemical A, the chemical B, and the pure water follow the predetermined prescription in the mixed chemical supply line 4 via the mixing valves 13A, 13B, and 13C whose openings are respectively adjusted. The mixing ratio is determined. As a matter of course, there is a case where either the drug solution A or the drug solution B is not mixed, or a case where only pure water is used.
【００１５】混合薬液供給ライン４には、濃度計１６、
熱電対１７が組み込まれて薬液の濃度と温度とが計測さ
れている。計測濃度、計測温度は図示しない制御部へ入
力されており、これらの計測値と薬液処理時における薬
液濃度、薬液温度についての規定値とに差がある場合に
は、薬液処理槽１０での処理時間にフィードバックされ
るようになっている。例えば、ウエット・エッチングに
ついて言えば、一般的には、薬液濃度が高いほど、また
薬液温度が高いほどエッチング量は増大する。すなわ
ち、濃度計１６による計測濃度が規定値より高い場合に
は、あらかじめ設定されている基準に従って処理時間を
短くし、計測濃度が規定値より低い場合には処理時間を
長くするようにフィードバックが掛けられる。同様にし
て、熱電対１７による計測温度が規定値より高い場合に
は処理時間を短くし、計測温度が規定値より低い場合に
は処理時間を長くするようにフィードバックが掛けられ
る。従って、洗浄またはウエット・エッチングされる半
導体基板は常に一定の状態で処理され、得られる半導体
の特性が洗浄やウエット・エッチングの薬液処理毎に変
動するようなトラブルが解消される。In the mixed chemical supply line 4, a concentration meter 16,
A thermocouple 17 is incorporated to measure the concentration and temperature of the chemical solution. The measured concentration and the measured temperature are input to a control unit (not shown). If there is a difference between these measured values and the specified values for the chemical solution concentration and the chemical solution temperature at the time of the chemical solution processing, the processing in the chemical solution processing tank 10 is performed. Feedback is provided on time. For example, in the case of wet etching, generally, the higher the concentration of the chemical solution and the higher the temperature of the chemical solution, the greater the amount of etching. That is, when the density measured by the densitometer 16 is higher than the specified value, the processing time is shortened according to a preset standard, and when the measured density is lower than the specified value, feedback is performed so as to lengthen the processing time. Can be Similarly, when the temperature measured by the thermocouple 17 is higher than a specified value, the processing time is shortened, and when the measured temperature is lower than the specified value, feedback is performed to increase the processing time. Therefore, the semiconductor substrate to be cleaned or wet-etched is always processed in a constant state, and the trouble that the characteristics of the obtained semiconductor fluctuates each time the cleaning or wet-etching chemical treatment is eliminated.
【００１６】（実施例２）図２は循環方式による洗浄用
またはウエット・エッチング用の半導体製造装置の配管
ラインを示す図である。半導体基板が浸漬され薬液処理
される薬液処理槽２０は外槽２１が取り付けられて二重
槽になっており、薬液処理槽２０の底部に供給管２２、
上部に外槽２１への排出管２４が設けられ、外槽２１の
底部に抜出し管２５が取り付けられている。また熱電対
３９の検出端３９ａが薬液処理槽２０内の薬液中に浸漬
されている。そして所定の処方に従ってあらかじめ混合
された薬液が薬液処理槽２０と外槽２１へ供給される
が、薬液処理時には薬液処理槽２０および外槽２１中の
薬液は、循環ライン３１に組み込まれている循環ポンプ
３４によって、外槽２１の抜出し管２５から循環ライン
３１へ抜き出され、薬液処理槽２０の供給管２２へ送り
込まれて循環される。(Embodiment 2) FIG. 2 is a view showing a piping line of a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet etching by a circulation system. A chemical treatment tank 20 in which a semiconductor substrate is immersed and subjected to chemical treatment is provided with an outer tank 21 to form a double tank, and a supply pipe 22 is provided at the bottom of the chemical treatment tank 20.
A discharge pipe 24 to the outer tub 21 is provided at the upper part, and a withdrawal pipe 25 is attached to the bottom of the outer tub 21. The detection end 39 a of the thermocouple 39 is immersed in the chemical in the chemical treatment tank 20. Then, a chemical solution mixed in advance according to a predetermined prescription is supplied to the chemical solution processing tank 20 and the outer tank 21, and the chemical solution in the chemical solution processing tank 20 and the outer tank 21 is circulated in the circulation line 31 during the chemical solution processing. The liquid is extracted from the extraction pipe 25 of the outer tank 21 to the circulation line 31 by the pump 34, sent to the supply pipe 22 of the chemical liquid treatment tank 20, and circulated.
【００１７】循環ライン３１には、薬液の流れの方向の
順に、濃度計３２、大きい異物を取り除くためのポンプ
ガード３３、循環ポンプ３４、ポンプによる薬液の脈動
を緩和するためのパルスダンパー３５、自動制御の加熱
冷却ユニット３６、圧力計３７、循環フィルタ３８が組
み込まれている。そして、濃度計３２によって薬液の濃
度が計測されており、その計測濃度は熱電対３９による
薬液処理槽２０内の薬液の計測温度と共に図示しない制
御部へ入力されている。In the circulation line 31, in order of the flow direction of the chemical solution, a densitometer 32, a pump guard 33 for removing large foreign matter, a circulation pump 34, a pulse damper 35 for alleviating the pulsation of the chemical solution by the pump, an automatic A control heating / cooling unit 36, a pressure gauge 37, and a circulation filter 38 are incorporated. The concentration of the chemical solution is measured by the concentration meter 32, and the measured concentration is input to a control unit (not shown) together with the measured temperature of the chemical solution in the chemical solution processing tank 20 by the thermocouple 39.
【００１８】そして、濃度計３２による計測濃度が薬液
処理時の薬液濃度に付いての規定値より高い場合には、
あらかじめ設定されている基準に従って薬液処理時間を
短くし、計測濃度が規定値より低い場合には薬液処理時
間を長くするようにフィードバックがかけられる。同様
に熱電対３９による計測温度が規定値より高い場合には
薬液処理時間を短くし、計測温度が規定値より低い場合
には薬液処理時間を長くするようにフィードバックが掛
けられる。また、薬液温度は加熱冷却ユニット３６の自
動制御機能が働いて常に一定の温度幅に維持されるので
薬液処理の効果の変動を抑制するように作用する。従っ
て場合によっては熱電対３９を省略することも可能であ
る。従って、洗浄またはウエット・エッチングされる半
導体基板は常に一定の状態で薬液処理され、得られる半
導体の特性が洗浄やウエット・エッチングの薬液処理毎
に変動するような問題が解消される。If the concentration measured by the densitometer 32 is higher than the prescribed value for the chemical concentration at the time of chemical treatment,
Feedback is applied to shorten the chemical processing time according to a preset standard, and to lengthen the chemical processing time when the measured concentration is lower than a specified value. Similarly, when the temperature measured by the thermocouple 39 is higher than the specified value, feedback is performed so as to shorten the chemical processing time, and when the measured temperature is lower than the specified value, the chemical processing time is lengthened. Further, the chemical solution temperature is always maintained at a constant temperature range by the automatic control function of the heating / cooling unit 36, so that the effect of suppressing the fluctuation of the effect of the chemical solution treatment is exerted. Therefore, in some cases, the thermocouple 39 can be omitted. Therefore, the semiconductor substrate to be cleaned or wet-etched is always subjected to the chemical treatment in a constant state, and the problem that the characteristics of the obtained semiconductor fluctuates every time the cleaning or wet-etching chemical treatment is solved is solved.
【００１９】本実施の形態の半導体製造装置は以上の様
に構成され作用するが、勿論、本発明はこれに限られる
ことなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が
可能である。The semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment is constructed and operates as described above. Of course, the present invention is not limited to this, and various modifications are possible based on the technical idea of the present invention. .
【００２０】例えば本実施の形態の実施例１において
は、薬液処理槽１０が薬液Ａ、薬液Ｂ、および純水の計
３本の薬液供給ラインを備えている半導体装置を例示し
たが、本発明の半導体製造装置は４本以上の薬液供給ラ
インを備えている場合も含まれる。For example, in the first embodiment of the present embodiment, a semiconductor device in which the chemical solution treatment tank 10 is provided with a total of three chemical solution supply lines for the chemical solution A, the chemical solution B, and pure water has been described. The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a case in which four or more chemical supply lines are provided.
【００２１】また本実施の形態の実施例１においては、
薬液温度を混合薬液供給ライン４に設置した熱電対１７
によって計測したが、熱電対１７を薬液処理槽１０内に
設置にしてもよい。同様に、濃度計１６を薬液処理槽１
０内に設置してもよい。In Example 1 of the present embodiment,
Thermocouple 17 installed in mixed chemical supply line 4 for chemical temperature
However, the thermocouple 17 may be provided in the chemical treatment tank 10. Similarly, the concentration meter 16 is connected to the chemical treatment tank 1.
It may be set within 0.
【００２２】また本実施の形態の実施例１においては特
に設けなかったが、混合薬液供給ライン４の途中に、自
動制御の加熱冷却ユニットを設置して、それよりも下流
側の薬液温度を一定に維持するようにしてもよい。Although not particularly provided in the first embodiment of the present embodiment, an automatically controlled heating / cooling unit is provided in the middle of the mixed chemical supply line 4 so that the temperature of the chemical at a downstream side thereof is kept constant. May be maintained.
【００２３】また本実施の形態の実施例１においては特
に設けなかったが、混合薬液供給ライン４の途中に、薬
液Ａ、薬液Ｂ、純水を混合させるための混合槽を別に設
置してもよい。Although not particularly provided in Example 1 of the present embodiment, a mixing tank for mixing the chemical solution A, the chemical solution B, and pure water may be separately provided in the middle of the mixed chemical solution supply line 4. Good.
【００２４】また本実施の形態の実施例２においては特
に設けなかったが、循環ライン３１に別に流量制御バル
ブを設置して薬液の流量を一定に維持するようにしても
よい。Although not particularly provided in the second embodiment of the present embodiment, a separate flow control valve may be provided in the circulation line 31 to keep the flow rate of the chemical solution constant.
【００２５】また本実施の形態の実施例２においては、
循環ライン３１に自動制御の加熱冷却ユニット３６を設
置して薬液温度を一定に維持するようにしたが、加熱冷
却ユニット３６を取り外し、例えば熱電対を取り付け
て、その計測温度と、薬液処理時の温度に付いての規定
値とに差がある場合に、薬液処理槽２０での処理時間に
フィードバックさせるようにしてもよい。In Example 2 of the present embodiment,
The heating / cooling unit 36 of automatic control is installed in the circulation line 31 to keep the temperature of the chemical solution constant. However, the heating / cooling unit 36 is removed, for example, a thermocouple is attached, and the measured temperature and the temperature at the time of chemical solution processing When there is a difference between the temperature and a specified value, the processing time in the chemical solution processing tank 20 may be fed back.
【００２６】また本実施の形態の実施例１、実施例２に
おいては、薬液処理槽１０または薬液処理槽２０が単独
である場合を説明したが、例えば実施例１の場合におけ
る混合薬液供給ライン４を分岐させて薬液処理槽１０を
並列に複数に設けてもよい。勿論、実施例２のような薬
液処理槽２０と循環ライン３１を有する半導体製造装置
を複数並べてもよいことは言うまでもない。In the first and second embodiments of the present embodiment, the case where the chemical treatment tank 10 or the chemical treatment tank 20 is used alone has been described. For example, the mixed chemical supply line 4 in the case of the first embodiment is used. May be branched and a plurality of chemical solution treatment tanks 10 may be provided in parallel. Needless to say, a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses having the chemical solution treatment tank 20 and the circulation line 31 as in the second embodiment may be arranged.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明の半導体製造装置は上記したよう
な形態で実施され、次に述べるような効果を奏する。The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is implemented in the above-described embodiment, and has the following effects.
【００２８】半導体基板の洗浄またはウエット・エッチ
ングに使用される本発明の半導体製造装置は、薬液供給
ラインまたは薬液処理槽に少なくとも薬液濃度計と薬液
温度計との何れか一方を備えており、これらの計測値
と、薬液処理時の濃度と温度に付いての規定値とに差が
ある場合には、あらかじめ設定されている基準に従って
薬液処理時間が調整されるので、洗浄またはウエット・
エッチングにおける薬液処理の度合いが一定化され、製
造される半導体の特性が洗浄やウエット・エッチングの
処理毎に変動する現象が解消される。The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention used for cleaning or wet etching of a semiconductor substrate has at least one of a chemical concentration meter and a chemical thermometer in a chemical supply line or a chemical treatment tank. If there is a difference between the measured value of and the specified values for the concentration and temperature during chemical treatment, the chemical treatment time is adjusted according to the preset criteria, so that cleaning or wet
The degree of chemical solution treatment in etching is made constant, and the phenomenon that the characteristics of the semiconductor to be manufactured fluctuate with each cleaning or wet etching treatment is eliminated.
【図１】非循環方式による洗浄用またはウエット・エッ
チング用の半導体製造装置の配管ラインを示す図であ
る。FIG. 1 is a view showing a piping line of a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet etching by a non-circulation method.
【図２】循環方式による洗浄用またはウエット・エッチ
ング用の半導体製造装置の配管ラインを示す図である。FIG. 2 is a view showing a piping line of a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet etching by a circulation system.
１……薬液Ａ供給ライン、２……薬液Ｂ供給ライン、３
……純水供給ライン、４……混合薬液供給ライン、１０
……薬液処理槽、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ……供給圧ト
ランスデューサ、１２Ａ、１２Ｂ……供給流量調整バル
ブ、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ……ミキシング・バルブ、
１４……純水レギュレータ、１５……純水流量計、１６
……濃度計、１７……熱電対、２０……薬液処理槽、２
１……外槽、３１……循環ライン、３２……濃度計、３
３……ポンプガード、３４……循環ポンプ、３５……パ
ルスダンパー、３６……加熱冷却ユニット、３７……圧
力計、３８……循環フィルター。1 ... Chemical solution A supply line, 2 ... Chemical solution B supply line, 3
... Pure water supply line, 4 ... Mixed chemical liquid supply line, 10
... Chemical treatment tank, 11A, 11B, 11C ... Supply pressure transducer, 12A, 12B ... Supply flow rate adjustment valve, 13A, 13B, 13C ... Mixing valve,
14: pure water regulator, 15: pure water flow meter, 16
... concentration meter, 17 ... thermocouple, 20 ... chemical treatment tank, 2
1 ... outer tank, 31 ... circulation line, 32 ... concentration meter, 3
3 ... pump guard, 34 ... circulation pump, 35 ... pulse damper, 36 ... heating and cooling unit, 37 ... pressure gauge, 38 ... circulation filter.
Claims (5)
供給される薬液処理槽内で半導体基板を洗浄またはウエ
ット・エッチングする半導体製造装置において、 薬液供給ラインまたは前記薬液処理槽に少なくとも薬液
濃度計と薬液温度計との何れか一方が備えられており、 前記薬液濃度計および／または前記薬液温度計による計
測値と薬液処理時における薬液濃度および／または薬液
温度に付いての規定値とに差がある場合に、あらかじめ
設定されている基準に従って前記薬液処理槽における薬
液処理時間を増減して薬液処理の度合いが調整されるこ
とを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus for cleaning or wet-etching a semiconductor substrate in a chemical solution processing tank to which a plurality of types of chemical solutions including pure water are supplied at a predetermined ratio, wherein at least a chemical solution supply line or the chemical solution processing tank is provided. Either a chemical concentration meter or a chemical solution thermometer is provided, and a measured value of the chemical solution concentration meter and / or a prescribed value of the chemical concentration and / or a chemical solution temperature at the time of treatment with the chemical solution. A semiconductor manufacturing apparatus wherein the degree of chemical solution processing is adjusted by increasing or decreasing the chemical solution processing time in the chemical solution processing tank according to a preset reference when there is a difference between the above and the above.
液を前記薬液処理槽から排出する非循環方式薬液処理槽
であり、使用する前記薬液の各供給ラインが少なくとも
流量制御の可能なバルブを介して混合薬液供給ラインに
接続され、所定の割合で混合された前記薬液が前記混合
薬液供給ラインから前記非循環方式薬液処理槽へ供給さ
れる場合において、 前記混合薬液供給ラインまたは前記非循環方式薬液処理
槽に、少なくとも前記薬液濃度計と前記薬液温度計との
何れか一方が設置されており、 前記薬液濃度計および／または前記薬液温度計による計
測値と薬液処理時における薬液濃度および／または薬液
温度に付いての前記規定値とに差がある場合に、あらか
じめ設定されている前記基準に従って前記非循環方式薬
液処理槽における薬液処理時間を増減して薬液処理の度
合いが調整されることを特徴とする請求項１に記載の半
導体製造装置。2. The chemical treatment tank is a non-circulation type chemical treatment tank for discharging the chemical after the chemical treatment from the chemical treatment tank, and each supply line of the chemical used is a valve capable of controlling at least a flow rate. Is connected to the mixed chemical liquid supply line via the liquid chemical supply line, and when the chemical liquid mixed at a predetermined ratio is supplied from the mixed chemical liquid supply line to the non-circulating type chemical liquid processing tank, the mixed chemical liquid supply line or the non-circulating liquid In the chemical treatment tank, at least one of the chemical concentration meter and the chemical thermometer is installed, and the measurement value of the chemical concentration meter and / or the chemical concentration and / or the chemical concentration and / or Or, when there is a difference between the prescribed value for the chemical solution temperature and the chemical solution in the non-circulation type chemical solution treatment tank in accordance with the preset reference. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, by increasing or decreasing the physical time, characterized in that the degree of chemical treatment are adjusted.
ラインによって前記非循環方式薬液処理槽の底部へ導入
され、前記非循環方式薬液処理槽の上部から排出される
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。3. The mixed chemical liquid supply line is introduced into the bottom of the non-circulation type chemical processing tank by the mixed chemical liquid supply line, and is discharged from the upper part of the non-circulation type chemical processing tank. 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to 2.
で混合され供給されている前記薬液を循環ポンプによっ
て循環させる循環ラインを備えた循環方式薬液処理槽で
あって、前記循環ラインまたは前記循環方式薬液処理槽
に少なくとも前記薬液濃度計が設置され、かつ前記循環
ラインには少なくとも自動制御の加熱冷却ユニットが組
み込まれており、 前記薬液の温度は前記加熱冷却ユニットによって薬液処
理時における薬液温度に付いての前記規定値に維持さ
れ、前記薬液濃度計による計測値と薬液処理時における
薬液濃度に付いての前記規定値とに差がある場合に、あ
らかじめ設定されている前記基準に従って前記循環方式
薬液処理槽における薬液処理時間を増減して薬液処理の
度合いが調整されることを特徴とする請求項１に記載の
半導体製造装置。4. A circulation type chemical solution treatment tank comprising a circulation line for circulating the chemical solution, which is previously mixed and supplied at a predetermined ratio, by a circulation pump, wherein the circulation line or the circulation method is provided. At least the chemical concentration meter is installed in the chemical treatment tank, and at least a heating and cooling unit of automatic control is incorporated in the circulation line, and the temperature of the chemical is attached to the temperature of the chemical at the time of chemical treatment by the heating and cooling unit. Is maintained at all the prescribed values, and when there is a difference between the measured value by the chemical concentration meter and the prescribed value for the chemical concentration at the time of chemical treatment, the circulating chemical according to the preset reference. 2. The half of claim 1, wherein the degree of chemical treatment is adjusted by increasing or decreasing the chemical treatment time in the treatment tank. Body manufacturing equipment.
二重槽とされ、混合されている前記薬液が前記循環ライ
ンによって前記循環方式薬液処理槽の底部へ供給されて
前記循環方式薬液処理槽の上部から前記外槽へ排出さ
れ、前記外槽の底部から前記循環ラインへ抜き出されて
循環されることを特徴とする請求項４に記載の半導体製
造装置。5. The circulation-type chemical liquid treatment tank is a double tank with an outer tank, and the mixed chemical liquid is supplied to the bottom of the circulation-type chemical liquid treatment tank through the circulation line, The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the semiconductor tank is discharged from an upper portion of the processing tank to the outer tank, extracted from the bottom of the outer tank to the circulation line, and circulated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4677598A JPH11251283A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4677598A JPH11251283A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251283A true JPH11251283A (en) | 1999-09-17 |
Family
ID=12756713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4677598A Pending JPH11251283A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251283A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816213B1 (en) | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Wet etcher for wafer and a method therefor |
| JP2010232520A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Processing liquid feeder and method for feeding processing liquid |
| US11610467B2 (en) | 2020-10-08 | 2023-03-21 | Ecolab Usa Inc. | System and technique for detecting cleaning chemical usage to control cleaning efficacy |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4677598A patent/JPH11251283A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816213B1 (en) | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Wet etcher for wafer and a method therefor |
| JP2010232520A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Processing liquid feeder and method for feeding processing liquid |
| US11610467B2 (en) | 2020-10-08 | 2023-03-21 | Ecolab Usa Inc. | System and technique for detecting cleaning chemical usage to control cleaning efficacy |
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