JPH11249293A - Manufacture of photosensitive paste and plasma display - Google Patents
Manufacture of photosensitive paste and plasma displayInfo
- Publication number
- JPH11249293A JPH11249293A JP10055177A JP5517798A JPH11249293A JP H11249293 A JPH11249293 A JP H11249293A JP 10055177 A JP10055177 A JP 10055177A JP 5517798 A JP5517798 A JP 5517798A JP H11249293 A JPH11249293 A JP H11249293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- photosensitive
- photosensitive paste
- oxide
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明の感光性ペーストは、
プラズマディスプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプ
レイなどの隔壁のパターン加工およびその形成に用いら
れる。TECHNICAL FIELD The photosensitive paste of the present invention is
It is used for patterning and forming partition walls of plasma displays, plasma addressed liquid crystal displays, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、回路材料やディスプレイにおい
て、小型・高精細化が進んでおり、それに伴って、パタ
ーン加工の技術が望まれている。特に、プラズマディス
プレイの隔壁形成には、ガラスなどの無機材料を高精度
かつ高アスペクト比でパターン加工ができる材料が望ま
れている。2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and high definition of circuit materials and displays have been advanced, and accordingly, a technique of pattern processing has been desired. In particular, a material capable of patterning an inorganic material such as glass with high precision and a high aspect ratio is desired for forming a partition of a plasma display.
【0003】従来、無機材料のパターン加工を行う場
合、無機粉末と有機バインダからなるペーストによるス
クリーン印刷が多く用いられている。しかしながら、ス
クリーン印刷は精度の高いパターンが形成できないとい
う欠点があった。Conventionally, when patterning an inorganic material, screen printing using a paste composed of an inorganic powder and an organic binder is often used. However, screen printing has a drawback that a pattern with high accuracy cannot be formed.
【0004】この問題を改良する方法として、特開平1
−296534号公報、特開平2−165538号公
報、特開平5−342992号公報では、感光性ペース
トを用いてフォトリソグラフィ技術でパターンを形成す
る方法が提案されている。As a method for solving this problem, Japanese Patent Laid-Open No.
Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 296534/1990, 165538/1993, and 354292/1993 propose a method of forming a pattern by a photolithography technique using a photosensitive paste.
【0005】ところが、感光性ペーストの大部分は、表
面層のみが露光(架橋)され、下層が硬化不足となり、
現像後のパターンが蛇行したり、パターン頭部の線幅が
大きくなったりする問題があった。However, in most of the photosensitive paste, only the surface layer is exposed (cross-linked), and the lower layer is insufficiently cured.
There has been a problem that the developed pattern meanders and the line width of the pattern head becomes large.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、かか
る従来技術の欠点を解消せしめ、露光機の改造が不要で
あるとともに、パターン形状および解像度を確実に向上
できる感光性ペーストを提供することにある。また本発
明の目的は、高精度かつ高アスペクト比の隔壁を形成し
たプラズマディスプレイを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a photosensitive paste which solves the drawbacks of the prior art, does not require remodeling of an exposure machine, and can surely improve the pattern shape and resolution. It is in. Another object of the present invention is to provide a plasma display in which partition walls having high accuracy and a high aspect ratio are formed.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
(a)300〜400nmの波長領域に吸収極大を持つ
紫外線吸収剤、(b)酸化防止剤、(c)無機微粒子、
(d)感光性化合物を含むことを特徴とする感光性ペー
ストによって達成される。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is as follows.
(A) an ultraviolet absorber having an absorption maximum in a wavelength region of 300 to 400 nm, (b) an antioxidant, (c) inorganic fine particles,
(D) This is achieved by a photosensitive paste containing a photosensitive compound.
【0008】また本発明の目的は、前記感光性ペースト
を基板上に塗布後、フォトリソグラフィ法で隔壁パター
ンを形成し、該隔壁パターンを焼成して隔壁を形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法によ
って達成される。Another object of the present invention is to provide a plasma display wherein the photosensitive paste is applied onto a substrate, and a partition pattern is formed by photolithography, and the partition pattern is baked to form a partition. This is achieved by a manufacturing method.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の感光性ペーストは、
(a)紫外線吸収剤、(b)酸化防止剤、(c)無機微
粒子、(d)感光性化合物を含有することを特徴とする
感光性ペーストからなり、フォトリソグラフィを用いた
パターン形成後に焼成を行って、無機物のパターンを形
成するものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The photosensitive paste of the present invention comprises
It consists of a photosensitive paste containing (a) an ultraviolet absorber, (b) an antioxidant, (c) inorganic fine particles, and (d) a photosensitive compound, and is baked after pattern formation using photolithography. To form an inorganic pattern.
【0010】本発明における紫外線吸収剤とは、300
〜400nmの波長を吸収し、吸収した光エネルギーを
不活性な輻射線(熱エネルギー)として放出するものを
いう。通常、フォトリソグラフィ技術に用いられる露光
は、超高圧水銀灯のg線(436nm)、h線(405
nm)、i線(365nm)を利用して露光がなされて
いるが、h線およびi線は、感光性化合物(光重合開始
剤や増感剤)による吸収が大きすぎ、表面層のみが露光
され、下層が硬化不足となる。紫外線吸収剤をペースト
中に添加することによって、h線とi線付近の波長の光
を吸収させることにより、g線の透過率を上げ、感光性
ペーストの塗膜の下層まで十分硬化させることができ
る。In the present invention, the ultraviolet absorber is 300
Absorbs a wavelength of about 400 nm and emits the absorbed light energy as inactive radiation (heat energy). Usually, exposure used for the photolithography technique is performed by g-line (436 nm) and h-line (405
nm) and i-line (365 nm), but the h-line and i-line have too large absorption by the photosensitive compound (photopolymerization initiator or sensitizer), and only the surface layer is exposed. And the lower layer is insufficiently cured. By adding an ultraviolet absorber to the paste, the light having a wavelength near the h-line and the i-line is absorbed, thereby increasing the transmittance of the g-line and sufficiently curing the photosensitive paste to the lower layer. it can.
【0011】紫外線吸収剤は、h線とi線付近の波長の
吸光性が優れていれば特に効果があり、具体例として
は、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化
合物、サリチル酸系化合物、ベンゾトリアゾール系化合
物、インドール系化合物、無機系の微粒子酸化金属など
が挙げられる。これらの中でもベンゾフェノン系化合
物、シアノアクリレート系化合物、ベンゾトリアゾール
系化合物、インドール系化合物が特に有効である。これ
らの具体例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、
2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノ
ン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベ
ンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジ
メトキシ−5−スルホベンゾフェノン、2−ヒドロキシ
−4−メトキシ−2’−カルボキシベンゾフェノン、2
−ヒドロキシ−4−メトキシ−5−スルホベンゾフェノ
ントリヒドレート、2−ヒドロキシ−4−n−オクトキ
シベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクタデシロ
キシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、4−ドデシロキシ−2−ヒドロ
キシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−(2−ヒド
ロキシ−3−メタクリロキシ)プロポキシベンゾフェノ
ン、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)
ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,
5’−ジ−t−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、
2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メ
チルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−
(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェ
ニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−
ヒドロキシ−4’−n−オクトキシフェニル)ベンゾト
リアゾール、2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,3
−ジフェニルアクリレート、2−エチル−2−シアノ−
3,3−ジフェニルアクリレート、インドール系の吸収
剤であるBONASORB UA−3901(オリエン
ト化学社製)、BONASORB UA−3902(オ
リエント化学社製)SOM−2−0008(オリエント
化学社製)などが挙げられるがこれらに限定されない。
さらに、これら紫外線吸収剤の骨格にメタクリル基など
を導入し反応型として用いてもよい。本発明では、これ
らを1種または2種以上使用することができる。The ultraviolet absorber is particularly effective if it has excellent absorbance at wavelengths near the h-line and the i-line. Specific examples include benzophenone-based compounds, cyanoacrylate-based compounds, salicylic acid-based compounds, and benzotriazole-based compounds. Compounds, indole compounds, inorganic fine metal oxide particles, and the like. Of these, benzophenone-based compounds, cyanoacrylate-based compounds, benzotriazole-based compounds, and indole-based compounds are particularly effective. Specific examples of these include 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone,
2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxy-5-sulfobenzophenone, 2-hydroxy- 4-methoxy-2'-carboxybenzophenone, 2
-Hydroxy-4-methoxy-5-sulfobenzophenone trihydrate, 2-hydroxy-4-n-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octadecyloxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 4-dodecyloxy-2-hydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- (2-hydroxy-3-methacryloxy) propoxybenzophenone, 2- (2'-hydroxy-5'-methylphenyl)
Benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3 ′,
5′-di-t-butylphenyl) benzotriazole,
2- (2'-hydroxy-3'-t-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2-
(2′-hydroxy-3 ′, 5′-di-tert-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2′-
(Hydroxy-4′-n-octoxyphenyl) benzotriazole, 2-ethylhexyl-2-cyano-3,3
-Diphenyl acrylate, 2-ethyl-2-cyano-
3,3-diphenyl acrylate, BONASORB UA-3901 (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) which is an indole-based absorbent, BONASORB UA-3902 (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.), and SOM-2-0008 (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.). Are not limited to these.
Further, a methacryl group or the like may be introduced into the skeleton of these ultraviolet absorbers and used as a reaction type. In the present invention, one or more of these can be used.
【0012】紫外線吸収剤は、添加量によって感光性ペ
ースト被膜の透過限界波長および波長傾斜幅が変化する
ので注意を要する。透過限界波長および波長傾斜幅は、
JIS B7113に準じて次のように定める。膜厚5
0μmにおける感光性ペースト被膜の透過率が72%以
上になる波長を高透過域、その限界に該当する波長を透
過限界波長、膜厚50μmにおける感光性ペースト被膜
の透過率が5%以下になる波長領域を吸収域、その限界
に該当する波長を吸収限界波長とする。この透過限界波
長と吸収限界波長との間隔を波長傾斜幅、波長傾斜幅の
中点に該当する波長を透過限界波長とする。透過限界波
長および波長傾斜幅は、一般の分光光度計を用いて測定
することができる。It is necessary to pay attention to the ultraviolet absorber, since the transmission limit wavelength and the wavelength gradient width of the photosensitive paste film change depending on the amount of the ultraviolet absorber added. The transmission limit wavelength and wavelength slope width are
It is determined as follows according to JIS B7113. Film thickness 5
A wavelength at which the transmittance of the photosensitive paste film at 0 μm is 72% or more is a high transmission region, a wavelength corresponding to the limit is a transmission limit wavelength, and a wavelength at which the transmittance of the photosensitive paste film at a film thickness of 50 μm is 5% or less. A region is defined as an absorption region, and a wavelength corresponding to the limit is defined as an absorption limit wavelength. The interval between the transmission limit wavelength and the absorption limit wavelength is defined as the wavelength gradient width, and the wavelength corresponding to the middle point of the wavelength gradient width is defined as the transmission limit wavelength. The transmission limit wavelength and the wavelength gradient width can be measured using a general spectrophotometer.
【0013】透過限界波長は400nm以上であること
が好ましい。より好ましくは、400nm以上436n
m以下である。透過限界波長がこの範囲にあることによ
り、本発明のh線とi線付近の波長を選択して吸収する
効果が大きくなる。また、透過限界波長がこの範囲にあ
り、かつ、波長傾斜幅が50nm以下であると、g線付
近の波長のみの透過率を上げることができ、さらに好ま
しい。The transmission limit wavelength is preferably 400 nm or more. More preferably, 400 nm or more and 436 n
m or less. When the transmission limit wavelength is in this range, the effect of selecting and absorbing wavelengths near the h-line and the i-line of the present invention is increased. Further, when the transmission limit wavelength is in this range and the wavelength gradient width is 50 nm or less, the transmittance at only the wavelength near the g-line can be increased, which is more preferable.
【0014】紫外線吸収剤の添加量は、ペースト中に
0.001〜10重量%、より好ましくは、0.005
〜5%の範囲である。これらの範囲を外れると、透過限
界波長および波長傾斜幅が変化し、h線、i線の吸収能
力が不足したり、g線の透過率が下がり、感光性ペース
トの感度が低下するので注意を要する。The amount of the ultraviolet absorber added is 0.001 to 10% by weight in the paste, more preferably 0.005 to 10% by weight.
55%. Beyond these ranges, the transmission limit wavelength and the wavelength gradient range change, the absorption capacity of h-line and i-line becomes insufficient, the transmittance of g-line decreases, and the sensitivity of the photosensitive paste decreases. It costs.
【0015】本発明における酸化防止剤とは、ラジカル
連鎖禁止作用、三重項の消去作用、ハイドロパーオキサ
イドの分解作用の何れかをもつものである。The antioxidant in the present invention has one of a radical chain inhibiting action, a triplet eliminating action, and a hydroperoxide decomposing action.
【0016】感光性ペーストは多くの無機微粒子成分を
分散状態で含有するので、露光光によるペースト内部の
光散乱は避け難く、それに原因すると考えられるパター
ン形状の太りやパターン間の埋まり(残膜形成)が発生
しやすい。パターンの壁は垂直に切り立ち、矩形になる
ことが望ましい。理想的には、ある露光量以下では現像
液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となることであ
る。つまり、光散乱によって低い露光量で硬化しても現
像液に溶解し、パターン形状の太りやパターン間の埋ま
りが解消され、露光量を多くしても解像できる範囲が広
がる。Since the photosensitive paste contains many inorganic fine particle components in a dispersed state, light scattering inside the paste due to exposure light is unavoidable. ) Is easy to occur. The walls of the pattern are desirably vertically cut and rectangular. Ideally, it is dissolved in the developer below a certain exposure amount, and insoluble in the developer above it. In other words, even when cured at a low exposure amount due to light scattering, it is dissolved in a developing solution, the thickening of the pattern shape and filling between the patterns are eliminated, and the range of resolution can be increased even when the exposure amount is increased.
【0017】発明者等は、有機染料を紫外線吸収剤とし
て用い、散乱光を吸収することによってパターン形状の
太りやパターン間の埋まりを解消する技術についても検
討を行った。しかしながら、有機染料は400nmより
長い波長領域に吸収ピークを持つため、前記のような波
長を選択して吸収する効果が小さく、また、感光性ペー
ストの感度が低下しやすかった。The present inventors have also studied a technique for using an organic dye as an ultraviolet absorber to absorb the scattered light to eliminate the thickening of the pattern shape and the burying between the patterns. However, since the organic dye has an absorption peak in a wavelength region longer than 400 nm, the effect of selecting and absorbing the above-described wavelength is small, and the sensitivity of the photosensitive paste is easily reduced.
【0018】本発明においては、前記のように波長を選
択して光を吸収すると共に、さらに感光性ペーストに酸
化防止剤を添加することにより、酸化防止剤がラジカル
を捕獲したり、励起された光重合開始剤や増感剤のエネ
ルギー状態を基底状態に戻したりすることにより散乱光
による余分な光反応が抑制され、酸化防止剤で抑制でき
なくなる露光量で急激に光反応が起こることにより、現
像液への溶解、不溶のコントラストを高くすることがで
きる。In the present invention, as described above, light is absorbed by selecting a wavelength, and an antioxidant is further added to the photosensitive paste, so that the antioxidant captures radicals or is excited. By returning the energy state of the photopolymerization initiator and the sensitizer to the ground state, an extra light reaction due to scattered light is suppressed, and a sudden light reaction occurs at an exposure amount that cannot be suppressed by the antioxidant, The contrast between dissolution and insolubility in the developer can be increased.
【0019】具体的には、p−ベンゾキノン、ナフトキ
ノン、パラ−キシロキノン、パラ−トルキノン、2,6
−ジクロロキノン、2,5−ジアセトキシ−p−ベンゾ
キノン、2,5−ジカプロキシ−p−ベンゾキノン、ヒ
ドロキノン、p−t−ブチルカテコール、2,5−ジブ
チルヒドロキノン、モノ−t−ブチルヒドロキノン、
2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、ジ−t−ブチル
・パラクレゾール、ヒドロキノンモノメチルエーテル、
α−ナフトール、ヒドラジン塩酸塩、トリメチルベンジ
ルアンモニウムクロリド、トリメチルベンジルアンモニ
ウムオキザレート、フェニル−β−ナフチルアミン、パ
ラベンジルアミノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフ
ェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、トリニトロベン
ゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、シクロヘキサノ
ンオキシム、ピロガロール、タンニン酸、トリエチルア
ミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペロン、
(2,2’−チオビス(4−t−オクチルフェノレー
ト)−2−エチルヘキシルアミノニッケル−(II)、
4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフ
ェノール)、2,2’−メチレンビス−(4−メチル−
6−t−ブチルフェノール)、2,2’−チオビス−
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエチ
レングリコール−ビス[3−(t−ブチル−5−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6
−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]などが挙
げられるがこれらに限定されない。本発明では、これら
を1種または2種使用することができる。Specifically, p-benzoquinone, naphthoquinone, para-xyloquinone, para-toluquinone, 2,6
-Dichloroquinone, 2,5-diacetoxy-p-benzoquinone, 2,5-dicaproxy-p-benzoquinone, hydroquinone, pt-butylcatechol, 2,5-dibutylhydroquinone, mono-t-butylhydroquinone,
2,5-di-t-amylhydroquinone, di-t-butyl paracresol, hydroquinone monomethyl ether,
α-naphthol, hydrazine hydrochloride, trimethylbenzylammonium chloride, trimethylbenzylammonium oxalate, phenyl-β-naphthylamine, parabenzylaminophenol, di-β-naphthylparaphenylenediamine, dinitrobenzene, trinitrobenzene, picric acid, quinone Dioxime, cyclohexanone oxime, pyrogallol, tannic acid, triethylamine hydrochloride, dimethylaniline hydrochloride, cuperone,
(2,2′-thiobis (4-t-octylphenolate) -2-ethylhexylaminonickel- (II),
4,4'-thiobis- (3-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis- (4-methyl-
6-t-butylphenol), 2,2'-thiobis-
(4-methyl-6-t-butylphenol), triethylene glycol-bis [3- (t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6
-Hexanediol-bis [(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and the like, but are not limited thereto. In the present invention, one or two of these can be used.
【0020】酸化防止剤の添加量は、ペースト中に0.
01〜30重量%、より好ましくは、0.05〜20%
の範囲である。これらの範囲より少ない場合、現像液へ
の溶解、不溶のコントラストができにくく、また、これ
らの範囲より多い場合、感光性ペーストの感度が低下
し、多くの露光量を必要としたり、重合度が上がらずパ
ターン形状が維持できなくなる。The amount of the antioxidant to be added is 0.1% in the paste.
01 to 30% by weight, more preferably 0.05 to 20%
Range. When the amount is less than these ranges, it is difficult to form a contrast of dissolution or insolubility in the developer, and when the amount is more than these ranges, the sensitivity of the photosensitive paste is reduced, and a large amount of exposure is required, or the degree of polymerization is reduced. As a result, the pattern shape cannot be maintained.
【0021】本発明における無機微粒子とは、ガラスや
セラミックスの微粒子であり、特に有用となるのは、ガ
ラス粉末を用いた場合である。The inorganic fine particles in the present invention are fine particles of glass or ceramics, and are particularly useful when glass powder is used.
【0022】ガラス粉末としては、ガラス転移点430
〜500℃、ガラス軟化点が470〜580℃のガラス
粉末をペースト中に50重量%以上含有することによっ
て、通常のディスプレイに用いられる基板上にパターン
加工ができる。As the glass powder, the glass transition point 430
By containing 50% by weight or more of glass powder having a glass softening point of 470 to 580 ° C. in a paste at 50 to 500 ° C., pattern processing can be performed on a substrate used for a normal display.
【0023】このようなガラス転移点およびガラス軟化
点を有し、かつガラス微粒子の屈折率が1.5〜1.6
5になるように金属酸化物成分の配合を行うことで、有
機成分の屈折率と整合させることができ、光散乱抑制に
よる高精度のパターン加工が可能になる。例えば、酸化
ケイ素:22、酸化アルミニウム:23、酸化硼素:3
3、酸化リチウム:9、酸化マグネシウム:7、酸化バ
リウム:4および酸化亜鉛2(重量%)からなるガラス
粉末は、ガラス転移点:490℃、ガラス軟化点:52
8℃そしてg線波長(436nm)においての屈折率:
1.59であり、本発明の無機微粒子として使用する条
件を満足するものである。It has such a glass transition point and a glass softening point, and the refractive index of the glass fine particles is 1.5 to 1.6.
By mixing the metal oxide component so as to be 5, the refractive index of the organic component can be matched, and high-precision pattern processing by suppressing light scattering becomes possible. For example, silicon oxide: 22, aluminum oxide: 23, boron oxide: 3
Glass powder composed of 3, lithium oxide: 9, magnesium oxide: 7, barium oxide: 4, and zinc oxide 2 (% by weight) has a glass transition point of 490 ° C and a glass softening point of 52.
Refractive index at 8 ° C. and g-line wavelength (436 nm):
1.59, which satisfies the conditions for use as the inorganic fine particles of the present invention.
【0024】本発明の感光性ペーストとして好ましいガ
ラス粉末は下記の組成を含むものである。The glass powder preferable as the photosensitive paste of the present invention has the following composition.
【0025】 酸化リチウム : 3〜10重量% 酸化ケイ素 :10〜30重量% 酸化硼素 :20〜40重量% 酸化バリウム : 2〜15重量% 酸化アルミニウム :10〜25重量% 酸化リチウムを3〜10重量%含有するガラス粉末を用
いることによって、熱軟化温度、熱膨脹係数のコントロ
ールが容易になるだけでなく、ガラスの平均屈折率を低
くできるため、有機成分との屈折率差を小さくすること
が容易になる。アルカリ金属の酸化物の添加量はペース
トの安定性を向上させるためには、10重量%以下が好
ましく、より好ましくは8重量%以下である。Lithium oxide: 3 to 10% by weight Silicon oxide: 10 to 30% by weight Boron oxide: 20 to 40% by weight Barium oxide: 2 to 15% by weight Aluminum oxide: 10 to 25% by weight Lithium oxide: 3 to 10% by weight By using a glass powder containing 0.1% by weight, not only the control of the thermal softening temperature and the thermal expansion coefficient becomes easy, but also the average refractive index of the glass can be lowered, so that the refractive index difference with the organic component can be easily reduced. Become. The addition amount of the alkali metal oxide is preferably 10% by weight or less, more preferably 8% by weight or less, in order to improve the stability of the paste.
【0026】上記の組成において、酸化リチウムの代わ
りに、酸化ナトリウム、酸化カリウムを用いてもよい
が、ペーストの安定性の点で酸化リチウムが好ましい。
酸化カリウムを用いた場合は、比較的少量の添加でも屈
折率の制御ができる利点があることから、アルカリ金属
酸化物の中でも、酸化リチウムと酸化カリウムの添加が
有効である。その場合、アルカリ金属酸化物を合計で3
〜10重量%含有するガラス粉末を用いることが好まし
い。In the above composition, sodium oxide or potassium oxide may be used in place of lithium oxide, but lithium oxide is preferred from the viewpoint of paste stability.
In the case of using potassium oxide, there is an advantage that the refractive index can be controlled with a relatively small amount of addition. Therefore, among the alkali metal oxides, addition of lithium oxide and potassium oxide is effective. In that case, alkali metal oxides should be 3
It is preferable to use glass powder containing from 10 to 10% by weight.
【0027】酸化ケイ素は10〜30重量%の範囲で配
合することが好ましく、10重量%未満の場合はガラス
層の緻密性、強度や安定性が低下し、また熱膨脹係数が
所望の値から外れ、ガラス基板とのミスマッチが起こり
やすい。また、30重量%以下にすることによって、熱
軟化点が低くなり、ガラス基板への焼き付けが可能にな
るなどの利点がある。It is preferable that silicon oxide is blended in the range of 10 to 30% by weight, and if it is less than 10% by weight, the denseness, strength and stability of the glass layer are reduced, and the thermal expansion coefficient is out of a desired value. , A mismatch with a glass substrate is likely to occur. Further, by setting the content to 30% by weight or less, there is an advantage that the thermal softening point is lowered and baking on a glass substrate becomes possible.
【0028】酸化硼素は20〜40重量%の範囲で配合
することが好ましい。40重量%を越えるとガラスの安
定性が低下する。酸化硼素はガラス粉末を800〜12
00℃付近の温度で溶解するため、およびガラスペース
トの焼き付け温度を酸化ケイ素が多い場合でも電気絶縁
性、強度、熱膨脹係数、絶縁層の緻密性などの電気、機
械および熱的特性を損なうことないように焼き付け温度
を540〜610℃の範囲に制御するために配合され
る。20重量%未満では絶縁層の強度が低下し、ガラス
の安定性が低下する。It is preferable that boron oxide is blended in the range of 20 to 40% by weight. If it exceeds 40% by weight, the stability of the glass will be reduced. Boron oxide is glass powder of 800 to 12
Since it is melted at a temperature around 00 ° C and the baking temperature of the glass paste is high even when silicon oxide is large, it does not impair the electrical, mechanical and thermal properties such as electrical insulation, strength, coefficient of thermal expansion and denseness of the insulating layer. To control the baking temperature in the range of 540 to 610 ° C. If it is less than 20% by weight, the strength of the insulating layer is reduced, and the stability of the glass is reduced.
【0029】酸化バリウムは2〜15重量%の範囲で配
合することが好ましい。2重量%未満では、ガラス焼き
付け温度および電気絶縁性を制御するのが難しくなる。
また、15重量%を越えるとガラス層の安定性や緻密性
が低下する。The barium oxide is preferably blended in the range of 2 to 15% by weight. If it is less than 2% by weight, it is difficult to control the glass baking temperature and the electrical insulation.
On the other hand, if the content exceeds 15% by weight, the stability and the denseness of the glass layer decrease.
【0030】酸化アルミニウムは10〜25重量%の範
囲で配合するのが好ましい。酸化アルミニウムはガラス
の歪み点を高めるために添加される。10重量%未満で
はガラス層の強度が低下する。25重量%を越えるとガ
ラスの耐熱温度が高くなり過ぎてガラス基板上に焼き付
けが難しくなる。また、緻密な絶縁層が600℃以下の
温度で得られ難くなる。It is preferable that aluminum oxide is blended in the range of 10 to 25% by weight. Aluminum oxide is added to increase the strain point of the glass. If it is less than 10% by weight, the strength of the glass layer is reduced. If it exceeds 25% by weight, the heat resistance temperature of the glass becomes too high, and it is difficult to bake the glass on the glass substrate. Further, it becomes difficult to obtain a dense insulating layer at a temperature of 600 ° C. or lower.
【0031】酸化亜鉛は1.5〜10重量%の範囲で配
合することが好ましい。1.5重量%未満では、絶縁層
の緻密性向上に効果がない。10重量%を越えるとガラ
ス基板上に焼き付けする温度が低くなり過ぎて制御でき
なくなり、また絶縁抵抗が低くなるので好ましくない。It is preferable that zinc oxide is blended in the range of 1.5 to 10% by weight. If it is less than 1.5% by weight, there is no effect on improving the denseness of the insulating layer. If it exceeds 10% by weight, the temperature for baking on the glass substrate becomes too low to control, and the insulation resistance is undesirably low.
【0032】酸化カルシウムは2〜10重量%の範囲で
配合するのが好ましい。ガラスを溶融し易くするととも
に熱膨脹係数を制御するのに添加される。2重量%より
少ないと歪み点が低くなり過ぎる。It is preferable that calcium oxide is added in the range of 2 to 10% by weight. Added to help melt the glass and control the coefficient of thermal expansion. If it is less than 2% by weight, the strain point becomes too low.
【0033】酸化マグネシウムは1〜10重量%の範囲
で配合するのが好ましい。酸化マグネシウムは、ガラス
を溶融し易くするとともに熱膨脹係数を制御するために
添加される。10重量%を越えるとガラスが失透し易く
なりよくない。It is preferable that magnesium oxide is blended in the range of 1 to 10% by weight. Magnesium oxide is added to facilitate melting of the glass and to control the coefficient of thermal expansion. If it exceeds 10% by weight, the glass tends to be devitrified, which is not good.
【0034】ガラス粉末には、プラズマの放電特性を劣
化させる酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化イットリ
ウムなどを含まないことが好ましい。含有した場合にも
5重量%以下である。It is preferable that the glass powder does not contain sodium oxide, potassium oxide, yttrium oxide, etc., which deteriorate the discharge characteristics of the plasma. Even when it is contained, it is at most 5% by weight.
【0035】また、ガラス粉末中に、酸化チタン、酸化
ジルコニウムなどを含有することができるが、その量は
2重量%未満であることが好ましい。酸化ジルコニウム
はガラスの軟化点、転移点および電気絶縁性を制御する
のに効果がある。The glass powder may contain titanium oxide, zirconium oxide and the like, but the amount is preferably less than 2% by weight. Zirconium oxide is effective in controlling the softening point, transition point and electrical insulation of glass.
【0036】ガラス粉末の作製法としては、例えば原料
である酸化リチウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、
酸化硼素、酸化バリウムおよび酸化亜鉛などを所定の配
合組成となるように混合し、900〜1200℃で溶融
後、急冷し、ガラスフリットにしてから粉砕して1〜5
μmの微細な粉末にする。原料は高純度の炭酸塩、酸化
物、水酸化物などを使用できる。また、ガラス粉末の種
類や組成によっては99.99%以上の超高純度なアル
コキシドや有機金属の原料を使用し、ゾル・ゲル法で均
質化に作製した粉末を使用すると高電気抵抗で緻密な気
孔の少ない、高強度な絶縁層が得られるので好ましい。As a method for producing glass powder, for example, raw materials such as lithium oxide, silicon oxide, aluminum oxide,
Boron oxide, barium oxide, zinc oxide, and the like are mixed so as to have a predetermined composition, melted at 900 to 1200 ° C., quenched, glass frit, and pulverized.
Make a fine powder of μm. As a raw material, a high-purity carbonate, oxide, hydroxide, or the like can be used. In addition, depending on the type and composition of the glass powder, ultra-high purity alkoxide or organometallic raw material of 99.99% or more is used. It is preferable because a high-strength insulating layer having few pores can be obtained.
【0037】上記において使用されるガラス粉末粒子径
は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれ
るが、粉末は、50重量%粒子径(平均粒子径)が2〜
3.5μm、トップサイズ15μm以下であることが必
要である。さらに、10重量%粒子径が0.6〜1.5
μm、90重量%粒子径が4〜8μm、比表面積1.5
〜2.5m2/gを有していることが好ましい。より好
ましくは平均粒子径2.5〜3.5μm、比表面積1.
7〜2.4m2/gである。この範囲にあると紫外線露
光時に光が十分透過し、上下で線幅差の少ない隔壁パタ
ーンが得られる。平均粒子径2.0μm以下、比表面積
2.5m2/gを越えると粉末が細かくなり過ぎて露光
時において光が散乱されて非露光部分を硬化するように
なるので好ましくない。The particle diameter of the glass powder used in the above is selected in consideration of the shape of the pattern to be produced, and the powder has a particle diameter of 50% by weight (average particle diameter) of 2 to 2.
It is necessary that the thickness be 3.5 μm and the top size be 15 μm or less. Further, when the 10% by weight particle size is 0.6 to 1.5.
μm, 90% by weight particle size 4-8 μm, specific surface area 1.5
It preferably has a density of up to 2.5 m 2 / g. More preferably, the average particle size is 2.5 to 3.5 μm, and the specific surface area is 1.
7 to 2.4 m 2 / g. Within this range, light is sufficiently transmitted at the time of ultraviolet exposure, and a partition pattern with a small line width difference between the upper and lower portions can be obtained. If the average particle size is 2.0 μm or less and the specific surface area exceeds 2.5 m 2 / g, the powder becomes too fine and light is scattered at the time of exposure to cure the unexposed portion, which is not preferable.
【0038】本発明において使用される有機成分とは、
感光性ペースト中の有機成分(ペーストから無機成分を
除いた部分)のことであり、ペースト中の5〜50重量
%含有することが好ましい。The organic components used in the present invention include:
It refers to an organic component (a portion obtained by removing the inorganic component from the paste) in the photosensitive paste, and preferably contains 5 to 50% by weight of the paste.
【0039】有機成分は、感光性モノマ、感光性オリゴ
マ、感光性ポリマのうち少なくとも1種類から選ばれた
感光性成分およびバインダ、上記紫外線吸収剤と酸化防
止剤、有機染料、光重合開始剤、増感剤、増感助剤、可
塑剤、増粘剤、有機溶媒、分散剤、有機あるいは無機の
沈殿防止剤などの添加剤成分を必要に応じて加えること
で構成されている。The organic component is a photosensitive component selected from at least one of a photosensitive monomer, a photosensitive oligomer, and a photosensitive polymer, and a binder, the ultraviolet absorber and the antioxidant, an organic dye, a photopolymerization initiator, It is constituted by adding an additive component such as a sensitizer, a sensitization aid, a plasticizer, a thickener, an organic solvent, a dispersant, and an organic or inorganic suspending agent as required.
【0040】感光性モノマとしては、活性な炭素−炭素
2重結合を有する化合物が多く用いられている。官能基
として、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタク
リレート基、アクリルアミド基を有する単官能および多
官能化合物が応用できる。本発明では、多官能アクリレ
ート化合物および/またはメタクリレート化合物を有機
成分中に10〜80重量%含有させることを特徴として
いる。アクリレートまたはメタクリレート官能基を有す
る多官能化合物には多様な種類の化合物が開発されてい
るので、それらから反応性、屈折率などを考慮して選択
することが可能である。As the photosensitive monomer, a compound having an active carbon-carbon double bond is often used. As the functional group, monofunctional and polyfunctional compounds having a vinyl group, an allyl group, an acrylate group, a methacrylate group, and an acrylamide group can be applied. The present invention is characterized in that a polyfunctional acrylate compound and / or a methacrylate compound are contained in an organic component in an amount of 10 to 80% by weight. Since various kinds of compounds have been developed for the polyfunctional compound having an acrylate or methacrylate functional group, it is possible to select the compound in consideration of reactivity, refractive index, and the like.
【0041】感光性ペースト中に含まれる有機成分の屈
折率を制御する方法として、感光性モノマの屈折率を制
御する方法が簡便である。特に、屈折率1.55〜1.
8の感光性モノマを用いることによって、有機成分の屈
折率を高めることができる。As a method of controlling the refractive index of the organic component contained in the photosensitive paste, a method of controlling the refractive index of the photosensitive monomer is simple. In particular, the refractive index is 1.55-1.
By using the photosensitive monomer of No. 8, the refractive index of the organic component can be increased.
【0042】用いる感光性モノマとしては、ベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環や硫黄原子を含有するア
クリレートモノマもしくはメタクリレートモノマを用い
ることが高屈折率化に有効である。特に、光反応により
硬化時の架橋密度を高くし、パターン形成性を向上する
ためには、多官能アクリレートモノマもしくはメタクリ
レートモノマを用いることが高屈折率化に有効である。As the photosensitive monomer to be used, it is effective to use an acrylate monomer or a methacrylate monomer containing an aromatic ring such as a benzene ring or a naphthalene ring or a sulfur atom to increase the refractive index. In particular, in order to increase the crosslink density at the time of curing by photoreaction and to improve the pattern formability, it is effective to use a polyfunctional acrylate monomer or methacrylate monomer to increase the refractive index.
【0043】具体的には、ペンタエリスリトールのトリ
アクリレートまたはテトラアクリレート、ビスフェノー
ルAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールA−エチ
レンオキサイド付加物のジ(メタ)アクリレート、ビス
フェノールA−プロピレンオキサイド付加物のジ(メ
タ)アクリレート、チオフェノール(メタ)アクリレー
ト、ベンジルメルカプタン(メタ)アクリレートまたは
これらの芳香環中の1〜5個の水素原子を塩素または臭
素原子に置換した化合物などを用いることができる。Specifically, pentaerythritol triacrylate or tetraacrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, bisphenol A-ethylene oxide adduct di (meth) acrylate, bisphenol A-propylene oxide adduct di (meth) acrylate ) Acrylates, thiophenol (meth) acrylates, benzylmercaptan (meth) acrylates or compounds in which 1 to 5 hydrogen atoms in their aromatic rings have been replaced by chlorine or bromine atoms can be used.
【0044】また、分子内に、硫黄原子を含有するモノ
マとしては、チオール(メタ)アクリレート基を有する
モノマやフェニルスルフィド構造を含有するモノマを用
いることができる。これらの屈折率を向上させるモノマ
に、種々の感光性モノマを組み合わせて用いることもで
きる。As the monomer containing a sulfur atom in the molecule, a monomer having a thiol (meth) acrylate group or a monomer having a phenyl sulfide structure can be used. Various monomers can be used in combination with these monomers for improving the refractive index.
【0045】感光性ペーストを構成する有機成分とし
て、光反応で形成される硬化物の物性の向上やペースト
の粘度の調整などの役割を果たす成分としてオリゴマま
たはポリマが用いられる。そのオリゴマまたはポリマ
は、炭素−炭素2重結合を有する化合物から選ばれた成
分の重合または共重合により得られる。As an organic component constituting the photosensitive paste, an oligomer or a polymer is used as a component that plays a role in improving the physical properties of a cured product formed by photoreaction and adjusting the viscosity of the paste. The oligomer or polymer is obtained by polymerization or copolymerization of a component selected from compounds having a carbon-carbon double bond.
【0046】共重合するモノマとしては、不飽和カルボ
ン酸などの不飽和酸を共重合することによって、感光後
にアルカリ水溶液での現像性を向上することができる。
不飽和カルボン酸の具体的な例として、アクリル酸、メ
タクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フ
マル酸、ビニル酢酸またはこれらの酸無水物などが挙げ
られる。As a monomer to be copolymerized, developability with an aqueous alkali solution after exposure can be improved by copolymerizing an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid.
Specific examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.
【0047】こうして得られた側鎖にカルボキシル基な
どの酸性基を有するポリマもしくはオリゴマの酸価(A
V)は50〜180、さらには70〜140の範囲が好
ましい。酸価が180を越えると、現像許容幅が狭くな
る。また、酸価が50以下になると未露光部の現像液に
対する溶解性が低下するようになるため現像液濃度を濃
くすることになり露光部まで剥がれが発生し、高精細な
パターンが得られにくくなる。The acid value (A) of the polymer or oligomer having an acidic group such as a carboxyl group in the side chain thus obtained is obtained.
V) is preferably in the range of 50 to 180, more preferably 70 to 140. When the acid value exceeds 180, the allowable development width becomes narrow. Further, when the acid value is 50 or less, the solubility of the unexposed portion in the developing solution is reduced, so that the developing solution concentration is increased, peeling occurs up to the exposed portion, and it is difficult to obtain a high-definition pattern. Become.
【0048】以上に示したポリマもしくはオリゴマに対
して、光反応性基を側鎖または分子末端に付加させるこ
とによって、感光性をもつ感光性ポリマや感光性オリゴ
マとして用いることができる。By adding a photoreactive group to a side chain or a molecular terminal to the above-described polymer or oligomer, it can be used as a photosensitive polymer or a photosensitive oligomer having photosensitivity.
【0049】好ましい光反応性基は、エチレン性不飽和
基を有するものである。エチレン性不飽和基としては、
ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などが
挙げられる。Preferred photoreactive groups are those having an ethylenically unsaturated group. As the ethylenically unsaturated group,
Examples include a vinyl group, an allyl group, an acryl group, and a methacryl group.
【0050】このような側鎖をオリゴマやポリマに付加
させる方法は、ポリマ中のメルカプト基、アミノ基、水
酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシ
アネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル
酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルク
ロライドを付加反応させて作る方法がある。A method for adding such a side chain to an oligomer or a polymer is based on a method in which an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group or an acrylic acid is added to a mercapto group, an amino group, a hydroxyl group or a carboxyl group in the polymer. There is a method in which chloride, methacrylic chloride or allyl chloride is added to make an addition reaction.
【0051】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどが挙げられる。Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, glycidyl ether crotonic acid, glycidyl ether isocrotonic acid, and the like. .
【0052】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアナー
ト、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネートなどが
ある。Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate.
【0053】また、グリシジル基やイソシアネート基を
有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライ
ド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド
は、ポリマ中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカル
ボキシル基に対して0.05〜1モル等量付加させるこ
とが好ましい。The ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is used in an amount of 0.05 to 0.05 to the mercapto group, amino group, hydroxyl group and carboxyl group in the polymer. It is preferable to add 1 molar equivalent.
【0054】本発明では、分子内にカルボキシル基と不
飽和2重結合を含有する重量平均分子量500〜10万
のオリゴマもしくはポリマを10〜90重量%を有機成
分中に含有させることを特徴とする。The present invention is characterized in that an organic component contains 10 to 90% by weight of an oligomer or a polymer having a carboxyl group and an unsaturated double bond in the molecule and having a weight average molecular weight of 500 to 100,000. .
【0055】バインダ成分が必要な場合にはポリマとし
て、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メ
タクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合
体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合
体、ブチルメタクリレート樹脂などを用いることができ
る。このバインダ成分の高屈折率化を行うことも、感光
性有機成分の高屈折率化に効果的である。When a binder component is required, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylate polymer, acrylate polymer, acrylate-methacrylate copolymer, butyl methacrylate resin, etc. may be used as the polymer. Can be. It is also effective to increase the refractive index of the binder component to increase the refractive index of the photosensitive organic component.
【0056】本発明の感光性ペーストの有機成分は、感
光性モノマ、感光性オリゴマ、感光性ポリマあるいはバ
インダを含有するが、これらの成分はいずれも活性光線
のエネルギー吸収能力はないので、光反応を開始するた
めには光重合開始剤や増感剤を加える必要がある。The organic component of the photosensitive paste of the present invention contains a photosensitive monomer, a photosensitive oligomer, a photosensitive polymer, or a binder, but none of these components has an energy absorbing ability for actinic rays. It is necessary to add a photopolymerization initiator and a sensitizer in order to start the reaction.
【0057】感光性ペーストによるパターン形成は、露
光された部分の感光性成分(モノマ、オリゴマ、ポリ
マ)を重合および架橋させて溶剤不溶性にすることであ
り、上記のように感光性を示す官能基はラジカル重合性
であるため、その光重合開始剤はラジカル種を発生する
ものから選んで用いられる。特に400nm以上の光で
ラジカル種を発生させるものが好ましいが、400nm
以下の光でラジカル種を発生させる光重合開始剤でも増
感剤との組み合わせで、400nm以上の光を吸収し、
ラジカル種を発生することもあるので注意を要する。The pattern formation by the photosensitive paste is to polymerize and crosslink the photosensitive components (monomers, oligomers, and polymers) in the exposed portions to make them insoluble in a solvent. Is a radical polymerizable, and its photopolymerization initiator is selected from those generating radical species. In particular, those which generate radical species by light of 400 nm or more are preferable.
In combination with a sensitizer, a photopolymerization initiator that generates a radical species with the following light absorbs light of 400 nm or more,
Care must be taken because radical species may be generated.
【0058】光重合開始剤の具体的な例として、ベンゾ
フェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビ
ス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジクロロ
ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルフェニル
ケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,3−ジ
エトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フ
ェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ
−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロ
ロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキ
サントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピ
ルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジ
ル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチ
ルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−
t−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノ
ン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズア
ントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4
−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−
アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス
(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサ
ノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−
メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニルプロパン
ジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、
1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(o−エト
キシカルボニル)オキシム、2−メチル−[4−(メチ
ルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノ
ン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスル
ホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,
4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフ
ィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホ
スフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロ
モフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシ
ン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビ
ン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせ
などが挙げられる。Specific examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, and 4,4-dichlorobenzophenone. , 4-benzoyl-4-methylphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone , Pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethylketal, benzylmethoxyethylacetal, benzo Emissions, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-
t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibensuberone, methyleneanthrone, 4
-Azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-
(Azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadione-2- (o-
Methoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime,
1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, N-phenyl Thioacridone, 4,
Photoreducing dyes such as 4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzothiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenyl sulfone, benzoyl peroxide and eosin, methylene blue, and ascorbic acid And a combination of reducing agents such as triethanolamine.
【0059】本発明では、これらを1種または2種以上
使用することができる。光重合開始剤は、感光性成分に
対し、0.05〜10重量%の範囲で添加され、より好
ましくは、0.1〜10重量%である。重合開始剤の量
が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始剤の
量が多すぎる場合には、露光部の残存率が小さくなるお
それがある。In the present invention, one or more of these can be used. The photopolymerization initiator is added in a range of 0.05 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, based on the photosensitive component. If the amount of the polymerization initiator is too small, the photosensitivity becomes poor, and if the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual ratio of the exposed portion may be reduced.
【0060】光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度
を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大すること
ができる。By using a sensitizer together with the photopolymerization initiator, the sensitivity can be improved and the wavelength range effective for the reaction can be extended.
【0061】増感剤の具体例としては、2,4−ジエチ
ルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,
3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタ
ノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シ
クロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベ
ンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケト
ン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビ
ス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシ
ンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリ
デンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビ
ニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジ
メチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾー
ル、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセ
トン、1,3−カルボニルビス(4−ジエチルアミノベ
ンザル)アセトン、3,3−カルボニルビス(7−ジエ
チルアミノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエタ
ノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−ト
リルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソ
アミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェ
ニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、1−フェニル
−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げ
られる。Specific examples of the sensitizer include 2,4-diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone,
3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone,
4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) iso Naphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonylbis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 3-phenyl-5 -Benzoi Thiotetrazole, such as 1-phenyl-5-ethoxycarbonyl-thiotetrazole the like.
【0062】本発明ではこれらを1種または2種以上使
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感
光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性成分
に対して通常0.05〜10重量%、より好ましくは
0.1〜10重量%である。増感剤の量が少なすぎれば
光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多
すぎれば露光部の残存率が小さくなる恐れがある。In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. When a sensitizer is added to the photosensitive paste of the present invention, the amount is usually 0.05 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, based on the photosensitive component. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be reduced.
【0063】本発明では、露光、現像の目印として有機
染料を添加することができる。染料を添加して着色する
ことにより視認性が良くなり、現像時にペーストが残存
している部分と除去された部分との区別が容易になる。
有機染料としては、特に限定はされないが、焼成後の絶
縁膜中に残存しないものが好ましい。具体的には、アゾ
系染料、アントラキノン系染料、インジゴイド系染料、
フタロシアニン系染料、カルボニウム系染料、キノンイ
ミン系染料、メチン系染料、キノリン系染料、ニトロ系
染料、ニトロソ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキ
ノン系染料、フタルイミド系染料、ペリノン系染料など
が使用できる。特に、h線とi線付近の波長の光を吸収
するもの、例えばベーシックブルー等のカルボニウム系
染料、を選択すると、本発明の効果がより出やすくなり
好ましい。有機染料の添加量は0.001〜1重量%で
あることが好ましい。In the present invention, an organic dye can be added as a mark for exposure and development. By adding a dye and coloring, visibility is improved, and it becomes easy to distinguish a portion where the paste remains and a portion where the paste has been removed during development.
The organic dye is not particularly limited, but preferably does not remain in the insulating film after firing. Specifically, azo dyes, anthraquinone dyes, indigoid dyes,
Phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinone imine dyes, methine dyes, quinoline dyes, nitro dyes, nitroso dyes, benzoquinone dyes, naphthoquinone dyes, phthalimide dyes, and perinone dyes can be used. In particular, it is preferable to select a material that absorbs light having wavelengths near the h-line and the i-line, for example, a carbonium-based dye such as basic blue, because the effects of the present invention can be more easily achieved. The added amount of the organic dye is preferably 0.001 to 1% by weight.
【0064】感光性ペーストを基板に塗布する時の粘度
を塗布方法に応じて調整するために有機溶媒が使用され
る。このとき使用される有機溶媒としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
エチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスル
フォキシド、γ−ブチルラクトン、プロピレンカーボネ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベン
ゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息
香酸などやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒
混合物が用いられる。An organic solvent is used to adjust the viscosity when applying the photosensitive paste to the substrate according to the application method. Examples of the organic solvent used at this time include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyl lactone, and propylene carbonate. For example, propylene glycol monomethyl ether acetate, bromobenzene, chlorobenzene, dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid, and an organic solvent mixture containing at least one of these are used.
【0065】感光性ペーストは、通常、紫外線吸収剤、
酸化防止剤、無機微粒子、感光性有機成分、有機染料、
分散剤、吸光剤、および溶媒などの各種成分を所定の組
成となるように調合した後、3本ローラや混練機で均質
に混合分散し作製する。The photosensitive paste is usually made of an ultraviolet absorber,
Antioxidants, inorganic fine particles, photosensitive organic components, organic dyes,
Various components such as a dispersant, a light absorbing agent, and a solvent are blended so as to have a predetermined composition, and then uniformly mixed and dispersed with a three-roller or a kneader to produce.
【0066】ペーストの粘度は無機微粒子、増粘剤、有
機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤など添加割合によって
適宜調整されるが、その範囲は2000〜20万cps
(センチ・ポイズ)である。例えば、基板への塗布をス
ピンコート法で行う場合は、2000〜5000cps
が好ましい。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10
〜20μmを得るには、5万〜20万cpsが好まし
い。ブレードコーター法やダイコーター法などを用いる
場合は、1万〜5万cpsが好ましい。The viscosity of the paste is appropriately adjusted by the addition ratio of inorganic fine particles, a thickener, an organic solvent, a plasticizer, a suspending agent and the like.
(Centipoise). For example, when the coating on the substrate is performed by the spin coating method, 2000 to 5000 cps
Is preferred. Coated once by screen printing method to obtain a film thickness of 10
In order to obtain 2020 μm, 50,000 to 200,000 cps is preferable. When using a blade coater method, a die coater method, or the like, 10,000 to 50,000 cps is preferable.
【0067】感光性ペーストを用いてパターン加工を行
う一例について説明するが、本発明はこれに限定されな
い。An example in which pattern processing is performed using a photosensitive paste will be described, but the present invention is not limited to this.
【0068】基板上に、感光性ペーストを全面塗布、も
しくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリー
ン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコータ
ー、ブレードコーターなどの方法を用いることができ
る。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペ
ーストの粘度を選ぶことによって調整できる。On the substrate, the photosensitive paste is applied entirely or partially. As a coating method, a method such as a screen printing method, a bar coater, a roll coater, a die coater, or a blade coater can be used. The coating thickness can be adjusted by selecting the number of coatings, the screen mesh, and the viscosity of the paste.
【0069】ここでペーストを基板上に塗布する場合、
基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面処理
を行うことができる。表面処理液としては、シランカッ
プリング剤、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリ
ス(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロ
キシプロピル)トリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロ
ロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシランなど、あるいは有機金属例えば、有機チタン、
有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどである。シラ
ンカップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒、例え
ば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、メチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコー
ルなどで0.1〜5%の濃度に希釈したものを用いる。
次にこの表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗
布した後に80〜140℃で10〜60分間乾燥するこ
とによって表面処理ができる。Here, when applying the paste on the substrate,
Surface treatment of the substrate can be performed to enhance the adhesion between the substrate and the coating film. Examples of the surface treatment liquid include silane coupling agents such as vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, tris (2-methoxyethoxy) vinylsilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ- (methacrylic acid). Roxypropyl) trimethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, and the like, or an organic metal such as , Organic titanium,
Organic aluminum, organic zirconium and the like. A silane coupling agent or an organic metal diluted with an organic solvent such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, or butyl alcohol to a concentration of 0.1 to 5% is used. Used.
Next, this surface treatment liquid is uniformly applied on a substrate by a spinner or the like, and then dried at 80 to 140 ° C. for 10 to 60 minutes to perform surface treatment.
【0070】塗布した後、露光装置を用いて露光を行
う。露光装置としては、プロキシミティ露光機などを用
いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、
基板上に感光性ペーストを塗布した後に、搬送しながら
露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で、
大きな面積を露光することができる。After application, exposure is performed using an exposure device. As an exposure apparatus, a proximity exposure machine or the like can be used. Also, when performing large area exposure,
After applying the photosensitive paste on the substrate, by performing exposure while transporting, with an exposure machine with a small exposure area,
A large area can be exposed.
【0071】露光後、露光部分と非露光部分の現像液に
対する溶解度差を利用して、現像を行うが、この場合、
浸漬法やスプレー法、ブラシ法で行う。現像液には、感
光性ペースト中の有機成分が溶解可能である有機溶媒を
用いる。また、該有機溶媒にその溶解力が失われない範
囲で水を添加してもよい。感光性ペースト中にカルボキ
シル基などの酸性基をもつ化合物が存在する場合、アル
カリ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液としては水酸
化ナトリウムや炭酸ナトリウム、水酸化カルシウム水溶
液などが使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いた方
が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好ましい。After the exposure, development is performed by utilizing the difference in solubility between the exposed portion and the non-exposed portion in the developing solution.
It is performed by a dipping method, a spray method, or a brush method. An organic solvent in which an organic component in the photosensitive paste can be dissolved is used as the developer. In addition, water may be added to the organic solvent as long as its solvent power is not lost. When a compound having an acidic group such as a carboxyl group is present in the photosensitive paste, development can be performed with an aqueous alkali solution. As the alkaline aqueous solution, sodium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide aqueous solution and the like can be used, but it is preferable to use an organic alkaline aqueous solution since an alkaline component can be easily removed during firing.
【0072】有機アルカリとしては、一般的なアミン化
合物を用いることができる。具体的には、テトラメチル
アンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアン
モニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミンなどが挙げられる。As the organic alkali, a general amine compound can be used. Specific examples include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, diethanolamine and the like.
【0073】アルカリ水溶液の濃度は通常0.05〜5
重量%、より好ましくは0.1〜1重量%である。アル
カリ濃度が低すぎれば可溶部が除去されず、アルカリ濃
度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また非可溶部
を腐食させるおそれがあり良くない。また、現像時の現
像温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好まし
い。The concentration of the aqueous alkali solution is usually 0.05 to 5
%, More preferably 0.1 to 1% by weight. If the alkali concentration is too low, the soluble portion is not removed, and if the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the non-soluble portion may be corroded, which is not good. The development temperature during development is preferably from 20 to 50 ° C. from the viewpoint of process control.
【0074】次に焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や
温度は、ペーストや基板の種類によって異なるが、空気
中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉とし
ては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用
いることができる。Next, firing is performed in a firing furnace. The firing atmosphere and temperature vary depending on the type of paste or substrate, but firing is performed in an atmosphere such as air, nitrogen, or hydrogen. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used.
【0075】焼成温度は400〜1000℃で行う。ガ
ラス基板上にパターン加工する場合は、520〜610
℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行う。The firing is performed at a temperature of 400 to 1000 ° C. When processing a pattern on a glass substrate, 520 to 610
The firing is carried out at a temperature of 10 ° C. for 10 to 60 minutes.
【0076】[0076]
【実施例】以下に、本発明を実施例により具体的に説明
する。ただし、本発明はこれに限定されるものではな
い。実施例中の濃度(%)は重量%である。The present invention will be described below in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to this. The concentration (%) in the examples is% by weight.
【0077】実施例1 感光性ペーストは、感光性ポリマ(スチレン/アクリル
酸共重合体、重量組成比60/40、重量平均分子量1
0,000):15重量部、感光性モノマ(ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート):15重量部を主体
とし、それに光重合開始剤(2−ベンジル−2−ジメチ
ルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン
−1):6.0重量部、増感剤(2,4−ジエチルチオ
キサントン):1.2重量部、酸化防止剤(1,6−ヘ
キサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]):3.0重
量部、紫外線吸収剤(2−エチルヘキシル−2−シアノ
−3,3−ジフェニルアクリレート、吸収極大波長:3
20nm):0.5重量部および有機染料(ベーシック
ブルー26、吸収極大波長:592nm)0.01重量
部の各成分を50℃に加熱しながら溶解し、その後、下
記の無機微粒子70重量部を添加し、混練機で混練する
という手順で作成した。粘度はγ−ブチロラクトンの量
で調整したが、ペースト中の溶媒量は10〜40%にな
るように調整した。膜厚50μmにおけるペーストの透
過限界波長は420nm、波長傾斜幅は30nmであっ
た。Example 1 The photosensitive paste was a photosensitive polymer (styrene / acrylic acid copolymer, weight composition ratio 60/40, weight average molecular weight 1).
000): 15 parts by weight, photosensitive monomer (dipentaerythritol hexaacrylate): 15 parts by weight, and a photopolymerization initiator (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) ) Butanone-1): 6.0 parts by weight, sensitizer (2,4-diethylthioxanthone): 1.2 parts by weight, antioxidant (1,6-hexanediol-bis [(3,5-di- t-butyl-4
-Hydroxyphenyl) propionate]): 3.0 parts by weight, ultraviolet absorber (2-ethylhexyl-2-cyano-3,3-diphenylacrylate, maximum absorption wavelength: 3)
20 nm): 0.5 parts by weight and 0.01 parts by weight of an organic dye (Basic Blue 26, maximum absorption wavelength: 592 nm) are dissolved while heating to 50 ° C., and then 70 parts by weight of the following inorganic fine particles are dissolved. It was prepared by the procedure of adding and kneading with a kneader. The viscosity was adjusted by the amount of γ-butyrolactone, but the amount of the solvent in the paste was adjusted to 10 to 40%. The transmission limit wavelength of the paste at a film thickness of 50 μm was 420 nm, and the wavelength gradient width was 30 nm.
【0078】無機微粒子としては、組成が、Li2O:
9%、SiO2:22%、Al2O3:23%、B2O3:
33%、BaO:4%、ZnO:2%、MgO:7%で
あるガラス微粒子を用いた。このガラス微粒子の平均屈
折率は1.586、ガラス転移点、軟化点はそれぞれ4
76℃、519℃、平均粒子径は2.6μmである。The composition of the inorganic fine particles is Li 2 O:
9%, SiO 2: 22% , Al 2 O 3: 23%, B 2 O 3:
Glass fine particles of 33%, BaO: 4%, ZnO: 2%, and MgO: 7% were used. The glass particles have an average refractive index of 1.586, a glass transition point and a softening point of 4 respectively.
76 ° C., 519 ° C., the average particle size is 2.6 μm.
【0079】ソーダガラス基板上に、スクリーン印刷に
より、感光性ペーストを均一に塗布した。塗布膜にピン
ホールなどの発生を回避するために塗布、乾燥を数回以
上繰り返し行い、乾燥厚みが180μmになるように塗
布した。途中の乾燥は80℃で10分間行った。その
後、80℃で60分乾燥した。A photosensitive paste was uniformly applied on a soda glass substrate by screen printing. Coating and drying were repeated several times or more in order to avoid pinholes or the like on the coating film, and coating was performed so that the dry thickness became 180 μm. Drying was performed at 80 ° C. for 10 minutes. Then, it dried at 80 degreeC for 60 minutes.
【0080】プラズマディスプレイ用の隔壁パターン形
成を目的としたフォトマスク(ストライプ状パターン、
パターンピッチ130μm、線幅20μm)を介して露
光を行った。露光は、50mW/cm2の出力の超高圧
水銀灯で1.0J/cm2の紫外線露光を行った。この
時、該マスクが汚染されるのを防ぐため、マスクと塗膜
面に100μmのギャップを設けた。その後、35℃に
保持したモノエタノールアミンの0.3重量%水溶液を
シャワーで180秒間かけることにより現像し、その後
シャワースプレーを用いて水洗浄し、光硬化していない
スペース部分を除去してガラス基板上にストライプ状の
隔壁パターンを形成した。A photomask (striped pattern,
Exposure was performed through a pattern pitch of 130 μm and a line width of 20 μm). Exposure was performed with an ultra-high pressure mercury lamp having an output of 50 mW / cm 2 to perform an ultraviolet exposure of 1.0 J / cm 2 . At this time, in order to prevent the mask from being contaminated, a gap of 100 μm was provided between the mask and the coating film surface. Thereafter, a 0.3% by weight aqueous solution of monoethanolamine kept at 35 ° C. is developed by spraying with a shower for 180 seconds, and then washed with water using a shower spray to remove a space portion that has not been photocured and glass. A stripe-shaped partition pattern was formed on the substrate.
【0081】隔壁パターンの加工を終了したガラス基板
を80℃で15分乾燥した後、560℃で15分焼成し
隔壁を形成した。焼成により約30%程度の収縮が生じ
る。The glass substrate after the processing of the partition pattern was dried at 80 ° C. for 15 minutes, and then baked at 560 ° C. for 15 minutes to form a partition. The firing causes a shrinkage of about 30%.
【0082】露光・現像を行って形成したパターンの焼
成前の形状を電子顕微鏡観察したところ、高さ182μ
m、パターン上部の線幅28μm、パターン中部の線幅
37μm、パターン下部の線幅48μmであった。焼成
後、得られた隔壁は高さ122μm、パターン上部の線
幅18μm、パターン中部の線幅24μm、パターン下
部の線幅31μmである良好なものであった。また、露
光量は、1.0J/cm2±20%の範囲で同様のパタ
ーン形状であった。The shape of the pattern formed by exposure and development before firing was observed with an electron microscope.
m, the line width at the top of the pattern was 28 μm, the line width at the center of the pattern was 37 μm, and the line width at the bottom of the pattern was 48 μm. After baking, the obtained partition walls had a good height of 122 μm, a line width of 18 μm at the top of the pattern, a line width of 24 μm at the middle of the pattern, and a line width of 31 μm at the bottom of the pattern. The same pattern shape was obtained at an exposure amount of 1.0 J / cm 2 ± 20%.
【0083】実施例2 紫外線吸収剤として、インドール系の吸収剤であるBO
NASORB UA−3901(オリエント化学社製)
(吸収極大波長:395nm)を用いた他は実施例1と
同様に行った。膜厚50μmにおけるペーストの透過限
界波長は430nm、波長傾斜幅は25nmであった。
露光量は、1.2J/cm2とした。得られたパターン
断面形状は、高さ181μm、パターン上部の線幅30
μm、パターン中部の線幅40μm、パターン下部の線
幅51μmであった。焼成後、得られた隔壁は高さ11
8μm、パターン上部の線幅19μm、パターン中部の
線幅26μm、パターン下部の線幅33μmである良好
なものであった。また、露光量は、1.2J/cm2±
20%変えても同様のパターン形状であった。Example 2 As an ultraviolet absorber, BO which is an indole-based absorber was used.
NASORB UA-3901 (Orient Chemical Co., Ltd.)
(Absorptive maximum wavelength: 395 nm) was performed in the same manner as in Example 1. The transmission limit wavelength of the paste at a film thickness of 50 μm was 430 nm, and the wavelength gradient width was 25 nm.
The exposure amount was 1.2 J / cm 2 . The obtained pattern cross-section has a height of 181 μm and a line width of 30 at the top of the pattern.
μm, the line width at the center of the pattern was 40 μm, and the line width at the bottom of the pattern was 51 μm. After firing, the resulting partitions have a height of 11
8 μm, the line width at the upper part of the pattern was 19 μm, the line width at the middle part of the pattern was 26 μm, and the line width at the lower part of the pattern was 33 μm. The exposure amount is 1.2 J / cm 2 ±
The same pattern shape was obtained even when changed by 20%.
【0084】実施例3 光重合開始剤としてカンファーキノン5.2重量部を用
いる他は実施例1と同様に行った。膜厚50μmにおけ
るペーストの透過限界波長は420nm、波長傾斜幅は
30nmであった。露光量は、3.4J/cm2とし
た。得られたパターン断面形状は、高さ180μm、パ
ターン上部の線幅26μm、パターン中部の線幅38μ
m、パターン下部の線幅46μmであった。焼成後、得
られた隔壁は高さ119μm、パターン上部の線幅18
μm、パターン中部の線幅24μm、パターン下部の線
幅32μmである良好なものであった。また、露光量
は、3.4J/cm2±15%変えても同様のパターン
形状であった。Example 3 The same procedure as in Example 1 was carried out except that 5.2 parts by weight of camphorquinone was used as a photopolymerization initiator. The transmission limit wavelength of the paste at a film thickness of 50 μm was 420 nm, and the wavelength gradient width was 30 nm. The exposure amount was 3.4 J / cm 2 . The obtained pattern cross-section has a height of 180 μm, a line width of 26 μm above the pattern, and a line width of 38 μm in the middle of the pattern.
m, and the line width under the pattern was 46 μm. After baking, the obtained partition had a height of 119 μm and a line width of 18 at the top of the pattern.
μm, the line width at the center of the pattern was 24 μm, and the line width at the bottom of the pattern was 32 μm. The same pattern shape was obtained even when the exposure amount was changed by 3.4 J / cm 2 ± 15%.
【0085】比較例 紫外線吸収剤を用いず、露光量を変化させた他は実施例
1と同様に行った。膜厚50μmにおけるペーストの透
過限界波長は380nm、波長傾斜幅:60nmであっ
た。露光量0.4J/cm2で得られたパターン断面形
状は、高さ180μm、パターン上部の線幅46μm、
パターン中部の線幅36μm、パターン下部の線幅27
μmで、パターンに蛇行が生じた。さらに、現像時間を
30秒追加すると、パターンが基板から剥離した。露光
量0.5J/cm2で得られたパターン断面形状は、高
さ180μm、パターン上部の線幅48μm、パターン
中部の線幅42μmで、パターン下部は、隣接するパタ
ーン同士が結びついたものであった。また、現像時間を
180秒追加したが、パターン断面形状は変化しなかっ
た。Comparative Example The same operation as in Example 1 was performed except that the amount of exposure was changed without using an ultraviolet absorber. The transmission limit wavelength of the paste at a film thickness of 50 μm was 380 nm, and the wavelength gradient width was 60 nm. The pattern cross-sectional shape obtained at an exposure dose of 0.4 J / cm 2 has a height of 180 μm, a line width of 46 μm above the pattern,
Line width 36 μm in the middle of the pattern, line width 27 in the lower part of the pattern
At μm, the pattern wandered. Further, when the developing time was added for 30 seconds, the pattern was separated from the substrate. The cross-sectional shape of the pattern obtained at an exposure dose of 0.5 J / cm 2 was a height of 180 μm, a line width of the upper part of the pattern was 48 μm, a line width of the middle part of the pattern was 42 μm, and the lower part of the pattern was formed by connecting adjacent patterns. Was. Further, although the developing time was added for 180 seconds, the pattern cross-sectional shape did not change.
【0086】[0086]
【発明の効果】本発明の感光性ペーストにおいては、3
00〜400nmの波長領域に吸収極大を持つ紫外線吸
収剤を添加することによって、露光機の改造をすること
なく、高アスペクト比かつ高精度のパターン加工が可能
になると共に、パターン形状が良好となり、焼成後に形
成される隔壁をより優れたものにすることができる。こ
れによって、ディスプレイ、回路材料などの厚膜、高精
度のパターン加工が可能になり、精細性の向上、工程の
簡略化が可能になる。特に、簡便に高精度のプラズマデ
ィスプレイパネルの隔壁を形成することができる。According to the photosensitive paste of the present invention, 3
By adding an ultraviolet absorber having an absorption maximum in a wavelength region of 00 to 400 nm, a high-aspect ratio and high-precision pattern processing can be performed without modifying the exposure apparatus, and the pattern shape becomes favorable. Partitions formed after firing can be made more excellent. As a result, it becomes possible to process a thick film such as a display or a circuit material, and to perform high-precision pattern processing, thereby improving the definition and simplifying the process. In particular, a highly accurate partition wall of a plasma display panel can be formed easily.
Claims (12)
収極大を持つ紫外線吸収剤、(b)酸化防止剤、(c)
無機微粒子、(d)感光性化合物を含むことを特徴とす
る感光性ペースト。(1) an ultraviolet absorber having an absorption maximum in a wavelength region of 300 to 400 nm, (b) an antioxidant, and (c)
A photosensitive paste comprising: inorganic fine particles; and (d) a photosensitive compound.
シアノアクリレート系化合物、ベンゾトリアゾール系化
合物、インドール系化合物から選ばれたものであること
を特徴とする請求項1記載の感光性ペースト。2. The method according to claim 1, wherein the ultraviolet absorber is a benzophenone compound.
The photosensitive paste according to claim 1, wherein the photosensitive paste is selected from a cyanoacrylate compound, a benzotriazole compound, and an indole compound.
の透過限界波長が400nm以上であることを特徴とす
る請求項1もしくは2記載の感光性ペースト。3. The photosensitive paste according to claim 1, wherein a transmission limit wavelength of the photosensitive paste film at a film thickness of 50 μm is 400 nm or more.
の透過限界波長が400nm以上であり、かつ波長傾斜
幅が50nm以下であることを特徴とする請求項1〜3
のいずれかに記載の感光性ペースト。4. The photosensitive paste film having a thickness of 50 μm has a transmission limit wavelength of 400 nm or more and a wavelength gradient width of 50 nm or less.
A photosensitive paste according to any one of the above.
重量%含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれ
かに記載の感光性ペースト。5. An antioxidant is added to the paste in an amount of 0.01 to 30.
The photosensitive paste according to any one of claims 1 to 4, wherein the photosensitive paste is contained by weight%.
ガラス粉末の平均屈折率が1.5〜1.65の範囲にあ
ることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の感
光性ペースト。6. The photosensitive material according to claim 1, wherein glass powder is used as the inorganic fine particles, and the glass powder has an average refractive index in the range of 1.5 to 1.65. paste.
ウムのうち少なくとも1種類を3〜10重量%含むガラ
ス粉末を用いることを特徴とする請求項1〜6のいずれ
かに記載の感光性ペースト。7. The photosensitive paste according to claim 1, wherein a glass powder containing 3 to 10% by weight of at least one of lithium oxide, sodium oxide and potassium oxide is used.
記載の感光性ペースト。8. The glass powder is expressed in terms of oxide as lithium oxide: 3 to 10% by weight Silicon oxide: 10 to 30% by weight Boron oxide: 20 to 40% by weight Barium oxide: 2 to 15% by weight Aluminum oxide: 10 to 10% The photosensitive paste according to claim 1, comprising 25% by weight.
0℃、ガラス軟化点が470〜580℃であることを特
徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の感光性ペース
ト。9. A glass powder having a glass transition point of 430 to 50.
The photosensitive paste according to any one of claims 1 to 8, wherein the glass paste has a glass softening point of 470 to 580 ° C.
持つ重量平均分子量300〜10万のポリマーを用いる
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の感光
性ペースト。10. The photosensitive paste according to claim 1, wherein a polymer having a carboxyl group and a weight average molecular weight of 300 to 100,000 is used as the photosensitive compound.
合を持つ重量平均分子量300〜10万のポリマーを用
いることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載
の感光性ペースト。11. The photosensitive paste according to claim 1, wherein a polymer having a weight average molecular weight of 300 to 100,000 having a carbon-carbon double bond is used as the photosensitive compound.
性ペーストを基板上に塗布後、フォトリソグラフィ法で
隔壁パターンを形成し、該隔壁パターンを焼成して隔壁
を形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製
造方法。12. A method of applying the photosensitive paste according to claim 1 on a substrate, forming a partition pattern by photolithography, and baking the partition pattern to form a partition. Manufacturing method of a plasma display.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055177A JPH11249293A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Manufacture of photosensitive paste and plasma display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055177A JPH11249293A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Manufacture of photosensitive paste and plasma display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11249293A true JPH11249293A (en) | 1999-09-17 |
Family
ID=12991454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10055177A Pending JPH11249293A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Manufacture of photosensitive paste and plasma display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11249293A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6777165B2 (en) | 1998-08-29 | 2004-08-17 | Lg Electronics Inc. | Photopolymerization type photosensitive phosphor paste composition and method for forming fluorescent film in PDP by using the same |
JP2007073279A (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Toray Ind Inc | Paste for forming dielectric layer of plasma display member and method of manufacturing plasma display panel member using it |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5749106A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-20 | Nippon Electric Co | Insulating paste composition |
JPH04134065A (en) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Orient Chem Ind Ltd | Indole-based compound and use thereof |
JPH05179226A (en) * | 1991-05-07 | 1993-07-20 | Nippon Kagaku Kogyosho:Kk | Lightproof agent |
JPH08259708A (en) * | 1995-03-27 | 1996-10-08 | Showa Techno Kooto Kk | Polyester film for laminating onto support |
JPH08315778A (en) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Showa Techno Kooto Kk | Fluorescent lamp tube covering material |
JPH09218508A (en) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
JPH09304923A (en) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
JPH09304922A (en) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
JPH09306341A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Manufacture of plasma display |
JPH09312135A (en) * | 1995-06-12 | 1997-12-02 | Toray Ind Inc | Plasma display |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP10055177A patent/JPH11249293A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5749106A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-20 | Nippon Electric Co | Insulating paste composition |
JPH04134065A (en) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Orient Chem Ind Ltd | Indole-based compound and use thereof |
JPH05179226A (en) * | 1991-05-07 | 1993-07-20 | Nippon Kagaku Kogyosho:Kk | Lightproof agent |
JPH08259708A (en) * | 1995-03-27 | 1996-10-08 | Showa Techno Kooto Kk | Polyester film for laminating onto support |
JPH08315778A (en) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Showa Techno Kooto Kk | Fluorescent lamp tube covering material |
JPH09312135A (en) * | 1995-06-12 | 1997-12-02 | Toray Ind Inc | Plasma display |
JPH09218508A (en) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
JPH09306341A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Manufacture of plasma display |
JPH09304923A (en) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
JPH09304922A (en) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | Photosensitive paste |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6777165B2 (en) | 1998-08-29 | 2004-08-17 | Lg Electronics Inc. | Photopolymerization type photosensitive phosphor paste composition and method for forming fluorescent film in PDP by using the same |
JP2007073279A (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Toray Ind Inc | Paste for forming dielectric layer of plasma display member and method of manufacturing plasma display panel member using it |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4228467B2 (en) | Photosensitive paste, display member manufacturing method, and plasma display | |
JP3567591B2 (en) | Manufacturing method of plasma display | |
JP2007183595A (en) | Photosensitive paste, pattern forming method, and method for producing flat display panel | |
JP4449179B2 (en) | Photosensitive paste, display member using the same, and method for manufacturing display member | |
JP3239759B2 (en) | Photosensitive paste | |
JPH09110466A (en) | Photosensitive insulating glass paste | |
JP2008224940A (en) | Photosensitive paste and plasma display member | |
JP4797683B2 (en) | Negative photosensitive paste and its manufacturing method, pattern forming method, and flat panel display manufacturing method. | |
JPH107432A (en) | Photosensitive paste | |
JP2010092785A (en) | Photosensitive paste, manufacturing method of plasma display member using the same, and plasma display | |
JPH11249293A (en) | Manufacture of photosensitive paste and plasma display | |
JP2000010268A (en) | Photosensitive paste, production of plasma display using the same, and member for plasma display | |
JP3520663B2 (en) | Photosensitive paste | |
JPH11149862A (en) | Manufacture of partition wall for plasma display panel | |
JPH1173874A (en) | Manufacture of plasma display | |
JP2000204130A (en) | Photo-sensitive paste and production of display material using the same | |
JP3873338B2 (en) | Photosensitive paste and method of manufacturing plasma display using the same | |
JP3520762B2 (en) | Photosensitive paste | |
JPH11135005A (en) | Manufacture of plasma display panel | |
JP2000082394A (en) | Manufacture of plasma display panel | |
JPH10275564A (en) | Plasma display panel and its manufacture | |
JP4151141B2 (en) | Glass paste and plasma display panel manufacturing method using the same | |
JPH10333324A (en) | Photosensitive paste | |
JPH10171117A (en) | Photosensitive paste and production of plasma display | |
JP2006261005A (en) | Method for forming barrier rib for flat display and method for manufacturing flat display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080311 |