JPH11249090A

JPH11249090A - 光処理装置

Info

Publication number: JPH11249090A
Application number: JP6401998A
Authority: JP
Inventors: Mitsushi Yamada; 光志山田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1998-02-26
Filing date: 1998-02-26
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で構成の簡素な光処理装置を提供する。【解決手段】光処理装置１００において，光変調器１
１０は，エネルギ反射率Ｒ₁の第１端面１１２ａで，光
学系１３０によって光の入出力部を形成する光分離器１
２０と相互に接続されている。かかる光変調器１１０
は，第１端面１１２ａとエネルギ反射率Ｒ₂の第２端面
１１２ｂとに渡って，電界の印加によって光の吸収を行
うｉ層を備えた光導波路１１４が形成されている。かか
る光導波路１１４は，第１端面１１２ａで反射する光と
光導波路１１４を一往復して第１端面１１２ａから出射
される光との位相差がほぼπの奇数倍に成るように，設
定されている。したがって，光変調器１１０は，入射光
を，印加される電気信号Ｖｓに応じて波形が変化する光
導波路を往復する成分と波形が変化しない第１端面１１
２ａによって反射される成分との干渉によって，電気信
号Ｖｓの反転波形の光として第１端面１１２ａから出射
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，光処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】まずはじめに，本明細書において使用す
るいくつかの用語について簡単に説明する。本明細書に
おいては，ＲＺ（Ｒｅｔｕｒｎ−ｔｏ−Ｚｅｒｏ）信号
の反転信号を，ＲＵ（Ｒｅｔｕｒｎ−ｔｏ−Ｕｎｉｔ
ｙ）信号という。また，本明細書において，ＮＲＺ（Ｎ
ｏｎ−Ｒｅｔｕｒｎ−ｔｏ−Ｚｅｒｏ）信号の反転信号
は，ＮＲＵ（Ｎｏｎ−Ｒｅｔｕｒｎ−ｔｏ−Ｕｎｉｔ
ｙ）信号という。また，本明細書においては，ｏｆｆ−
ｓｔａｔｅレベルをベースとして一定時間ｏｎ−ｓｔａ
ｔｅレベルと成る波形のことをブライト波形といい，ブ
ライト波形とは逆に，ｏｎ−ｓｔａｔｅレベルをベース
として一定時間ｏｆｆ−ｓｔａｔｅレベルと成る波形の
ことをダーク波形という。

【０００３】近年，ダーク波形の光パルスは，ブライト
波形の光パルスに比べてパルス間の相互作用やジッタ
（信号の時間的な揺らぎ）が小さく，長距離の高速光通
信に適していることから，注目されている。従来，ダー
ク波形の光パルスを形成することができるいくつかの光
処理装置が提案されている。例えば，「ＤａｒｋＰｕ
ｌｓｅＧｅｎｅｒａｔｉｏｎａｎｄＤｅｔｅｃｔ
ｉｏｎＵｓｉｎｇＢｒｉｇｈｔ−ＤａｒｋＣｏｎ
ｖｅｒｓｉｏｎ」，Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｎ．Ｅｄ
ａｇａｗａ，Ｉ．ＭｏｒｉｔａａｎｄＳ．Ａ
ｋｉｂａ，Ｐｒｏｃ．２１ｓｔＥｕｒ．Ｃｏｎ
ｆ．ｏｎＯｐｔ．Ｃｏｍｍ．（ＥＣＯＣ’９
５）には，ブライトソリトンパルスを反転することによ
ってダークソリトンパルスを形成する光処理装置が開示
されている。

【０００４】ここで，上記従来の光処理装置２００につ
いて，図１２を参照しながら簡単に説明する。なお，図
１２は，光処理装置２００の模式的な構成説明図であ
る。光処理装置２００は，符号化されたＲＺ信号のブラ
イトソリトンパルス列と連続光との排他的論理和（Ｅｘ
ｃｌｕｓｉｖｅＯＲ）をとることによって，ブライト
ソリトンパルスを反転した波形のＲＵ信号のダークソリ
トンパルスを形成する，装置である。

【０００５】従来の光処理装置２００の主な構成につい
て説明すると，まず，光処理装置２００は，ブライトソ
リトンパルス列を発生させるための装置として，ＲＺ光
信号発生装置２０２を備えている。かかるＲＺ光信号発
生装置２０２は，ＲＺ光信号から成る，ＯＴＤＭ（Ｏｐ
ｔｉｃａｌＴｉｍｅ−ＤｉｖｉｓｉｏｎａｌＭｕｌ
ｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）のブライトソリトンパルス列を発
生させる装置である。なお，ＯＴＤＭとは，光信号を時
間軸上で多重化することである。

【０００６】光処理装置２００を構成するこのＲＺ光信
号発生装置２０２は，構成要素として，波長が１５５８
ｎｍのブライトソリトンパルス形成用の連続光を出力す
る装置と，ブライトソリトンパルス形成用の連続光を強
度変調してブライトソリトンパルス列を形成する電界吸
収型光変調器と，電界吸収型光変調器に正弦波電圧を供
給する正弦波電圧発生器とを，備えているものと考えら
れる。さらに，ＲＺ光信号発生装置は，他の構成要素と
して，ブライトソリトンパルス列を符号化するＬｉＮｂ
Ｏ３マッハツェンダ−干渉型光変調器と，ＬｉＮｂＯ３
マッハツェンダ−干渉型光変調器に符号化電気信号を供
給するパルス・パターン発生器とを，備えている。

【０００７】次に，従来の光処理装置２００は，連続光
を発生させるための装置として，連続波（Ｃｏｎｔｉｎ
ｕｏｕｓＷａｖｅ：ＣＷ）レーザ２０４を備えてい
る。連続波レーザ２０４は，波長が１５５５ｎｍの連続
光Ｓ２を出力することができる。

【０００８】次に，従来の光処理装置２００は，光に対
する排他的論理和ゲートとして機能する非線形光ループ
ミラー（ＮｏｎｌｉｎｅａｒＯｐｔｉｃａｌｌｏｏ
ｐＭｉｌｌｅｒ。以下，「ＮＯＬＭ」という。）２０６
を備えている。かかるＮＯＬＭ２０６は，第１の偏波コ
ントローラ２０８ａと第１の３ｄＢカプラ２１０ａとを
介装した長さ５ｋｍの分散シフトファイバ（ＤＳＦ）２
１２の両端が，第２の３ｄＢカプラ２１０ｂに接続され
ることによって，形成されている。

【０００９】以上説明した主構成を有する従来の光処理
装置２００の動作について説明すると，光処理装置２０
０の動作時において，ＲＺ光信号発生装置２０２から出
力されたブライトソリトンパルス列Ｓ１は，光ファイバ
増幅器（ＥＤＦＡ）２１４と第２の偏波コントローラ２
０８ｂと第１の光アイソレータ２１６ａとを介して，第
１の３ｄＢカプラ２１０ａからＮＯＬＭ２０６に入力さ
れる。また，ＲＺ光信号発生装置２０２からのブライト
ソリトンパルス列Ｓ１がＮＯＬＭに入力されると同時
に，連続波レーザ２０４から出力された連続光Ｓ２が，
第３の偏波コントローラ２０８ｃと第２の光アイソレー
タ２１６ｂと第３の３ｄＢカプラ２１０ｃとを介して，
第２の３ｄＢカプラ２１０ｂからＮＯＬＭ２０６に入力
される。

【００１０】結果として，従来の光処理装置２００にお
いては，ＮＯＬＭ２０６から第２の３ｄＢカプラ２１０
ｂを介して，出力光Ｓ３と出力光Ｓ４とが出力される。
かかる出力光の内，連続波レーザ２０４側に戻ってくる
出力光Ｓ３は，丁度，連続光Ｓ２からＲＺ信号のブライ
トソリトンパルス列Ｓ１を引いた様な形の波形を有する
ＲＵ信号のダークソリトンパルス列に成っている。した
がって，従来の光処理装置２００においては，符号化さ
れたブライトソリトンパルス列Ｓ１のｏｎ−ｓｔａｔｅ
とｏｆｆ−ｓｔａｔｅとが逆転した反転波形のダークソ
リトンパルス列を，第３の３ｄＢカプラ２１０ｃと第３
の光アイソレータ２１６ｃとを介して取り出すことがで
きる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従
来の光処理装置２００は，上述のように，少なくとも，
２つの連続光を発生する光源，２つの光変調器，正弦波
信号発生器，分散シフトファイバ及び３ｄＢカプラが必
要である。したがって，従来の光処理装置は構成部品が
多く，構成の複雑化や大型化等を避けることができず
に，イニシャルコストが上がり，占有面積も非常に大き
くなる。

【００１２】また，従来の光処理装置２００において，
使用されているＮＯＬＭ２０６の安定な動作のために，
分散シフトファイバ２１２の分散量の制御や連続光とＲ
Ｚ信号とのピークパワ−の制御及び偏波のコントロール
等が要求される。かかる要求の内でも，特に，分散シフ
トファイバ２１２の分散量の制御に関しては，分散シフ
トファイバ２１２が５ｋｍと長いために，外気温度の変
化によって分散シフトファイバ２１２の長さが変化し
て，その変化に起因する分散量変動や光損失変動や偏波
変動等が生じる可能性が非常に高い。したがって，ＮＯ
ＬＭ２０６の長期的な安定動作を実現するためには，Ｎ
ＯＬＭ２０６全体の温度コントロールも要求されるもの
と考えられる。すなわち，従来の光処理装置２００は，
大型化やコストの大幅な増加等を招き易いとともに，装
置全体の動作安定性や長期信頼性等の劣化が生じ易いと
いう問題がある。

【００１３】本発明は，上記従来の光処理装置の有する
問題点に鑑みて成されたものであり，小型で環境変化に
強く，安定した信頼性の高い動作によって，光通信への
応用が期待されるダークソリトンパルス等，ダーク波形
の光の形成が可能な，新規かつ改良された光処理装置を
提供することである。さらに，本発明の他の目的は，少
ない部材数で構成された，反転波形の光，例えばＲＵ光
信号やＮＲＵ光信号等を容易に形成することができる，
新規かつ改良された光処理装置を提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の発明は，少なくとも，所定の反射
率及び透過率を有する入出射端面と入出射端面からの光
を入出射端面に回帰させる光経路を形成する光導波路と
を備え，光導波路には，印加される入力信号に応じて光
を変調する光変調手段が設けられており，光導波路は，
外部から入出射端面に入射された入射光の内，入出射端
面によって反射される第１の成分と，入射光の内，入出
射端面を透過して，光導波路が形成する光経路を伝搬し
て入出射端面に回帰し，入出射端面から出射される，第
２の成分との位相差が，ほぼπの奇数倍に成るように調
整される構成を採用する。

【００１５】かかる構成を有する請求項１に記載の発明
によれば，入力信号の反転波形の被処理光を容易に形成
することができる。請求項１に記載の発明による，入力
信号の反転波形の被処理光形成について簡単に説明する
と，入出射端面に入射される連続光の一部は，所定の反
射率を有する入出射端面によって反射されて，第１の成
分に相当するほぼ強度が一定の第１の光が発生する。

【００１６】一方，連続光の他の一部は，入出射端面を
透過して光導波路によって形成された光経路を伝搬して
入出射端面から出射され，第２の成分に相当する第２の
光が発生する。かかる第２の光は，光経路を伝搬してい
る間に，光導波路に設けられた光変調手段によって変調
されるため，入力信号に対応した波形に成る。

【００１７】請求項１に記載の発明において，光導波路
は入射光の第１の成分と第２の成分との位相差はπの奇
数倍に成るように調整されるため，第１の光と第２の光
との相対的位相差はπの奇数倍に成る。したがって，ほ
ぼ強度が一定の第１の光と入力信号に対応する波形の第
２の光との干渉によって，入力信号を反転させた波形の
被処理光の形成が可能と成る。

【００１８】すなわち，請求項１に記載の発明によれ
ば，必要部材数の低減と小規模で温度変化等への耐環境
性能の向上とを実現した光処理装置によって，反転波形
の光を形成できる。したがって，請求項１に記載の発明
は，安定性及び信頼性の高い動作によってＲＵ光信号や
ＮＲＵ光信号の形成が可能に成り，ダーク波形の光パル
スや光信号を利用した光通信システムの構築に寄与する
ことができる。

【００１９】また，請求項２に記載の発明は，光導波路
は，所定の反射率を有する反射部で終端することによっ
て，入出射端面からの光を入出射端面に回帰させる光経
路を形成する構成を採用する。かかる構成を有する請求
項２に記載の発明においては，光経路が光導波路を往復
する構成であるため，短い光導波路によって，必要な光
経路の長さを確保することができる。したがって，請求
項２に記載の発明によれば，安定した信頼性の高い動作
をする，装置規模の更なる小型化が実現された光処理装
置を実現することができる。

【００２０】さらに，請求項３に記載の発明は，入出射
端面と光導波路とは，同一基板上に配されて，光変調器
を形成する構成を採用して，ダーク波形の光パルスの形
成が可能な光処理装置の素子化を可能とする。さらにま
た，請求項４に記載の発明は，入出射端面には，第１の
成分と第２の成分とを干渉させて出射光とする光線路が
接続されている構成を採用して，第１の成分と第２の成
分との干渉を保証するとともに，光線路によって光処理
装置からの出射光の確実な抽出を可能にする。

【００２１】さらにまた，請求項５に記載の発明は，入
出射端面には，光線路を介して，入出射端面への入射光
と入出射端面からの出射光とを分離する光分離器が接続
されている構成を採用して，形成される出射光を入射光
からの分離を保証する。なお，本発明において，光導波
路の調整は，請求項６に記載の発明のように，光導波路
の長さを調整したり，光導波路の等価屈折率を調整する
ことによって行うことができる。また，本発明において
は，請求項８に記載の発明のように，入射光の波長を調
整したり，請求項９に記載の発明のように，光導波路の
動作温度を調整することによって，光導波路の調整を行
うことも可能である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明の好適な一実施の形態について，図１に模式
的に構成を示す光処理装置１００を例示して詳細に説明
する。なお，以下の説明及び添付図面において，略同一
の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号
を付することにより，重複説明を省略する。

【００２３】まず，本実施の形態にかかる光処理装置１
００に適用される光変調器１１０について，図２〜図４
を参照しながら説明する。なお，図２は，光変調器１１
０の概略構成及び定性的動作を説明するための断面図で
あり，図３は，光変調器１１０の消光特性の説明図であ
り，図４は，光変調器１１０の消光特性を確認するため
の実験結果である。

【００２４】図２に示すように，光変調器１１０は，い
わゆる光導波路型半導体光変調器であり，積層構造を有
する光導波路１１４において電界吸収効果による導波光
の変調を行う。一般に，光導波路型半導体光変調器の光
導波路においては，コアとして機能するｉ層がクラッド
として機能するｐ型半導体層とｎ型半導体層とによって
挟まれて，いわゆるｐ−ｉ−ｎ接合の積層構造が形成さ
れている。このｐ−ｉ−ｎ接合の積層構造においては，
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とに逆バイアス方向の電位
差が生じると，コアに相当するｉ層に電界が印加されて
電界吸収効果と呼ばれる現象が生じる。なお，電界吸収
効果とは，電界が印加されている時には導波光の吸収が
生じるが，逆に電界が印加されていない時には導波光の
吸収が生じないという，現象である。

【００２５】光変調器１１０において，光導波路１１４
は，エネルギ反射率Ｒ₁を有する第１端面１１２ａとエ
ネルギ反射率Ｒ₂を有する第２端面１１２ｂとに渡って
形成されている。かかる構成によって，光変調器１１０
には，第１端面１１２ａ側から入射する光に対して，２
つの伝搬経路が形成される。

【００２６】光変調器１１０に形成される第１の伝搬経
路１１０ａは，入出射端面に相当する第１端面１１２ａ
で反射して，直接第１端面１１２ａ側の光変調器１１０
外部に出射される経路である。また，光変調器１１０に
形成される第２の伝搬経路１１０ｂは，まず第１端面１
１２ａを透過して光導波路１１４に結合して，次に反射
部に相当する第２端面１１２ｂで反射されることにより
光導波路１１４を往復して，最終的に第１端面１１２ａ
側の光変調器１１０外部に出射される，経路である。

【００２７】光変調器１１０において，光導波路１１４
は，第１の伝搬経路１１０ａを伝搬する光と光導波路１
１４を一往復して第１端面１１２ａから出射される第２
の伝搬経路１１０ｂを伝搬する光との第１端面１１２ａ
出射時の相対的位相差がほぼπの奇数倍に成るように，
設定されている。なお，かかる光導波路１１４の設定
は，光導波路１１４の長さと相関する光変調器１１０の
素子長や，第１端面１１２ａから入射される入射光の波
長，光導波路１１４の等価屈折率，或いは，光導波路１
１４の動作温度等を調整することによって，行うことが
できる。

【００２８】以上のように構成された光変調器１１０
に，第１端面１１２ａ側から入射光Ｐ１が入射される
と，入射光Ｐ１はエネルギ反射率Ｒ₁を有する第１端面
１１２ａで反射光Ｐｒと結合光Ｐｃとに分かれる。入射
光Ｐ１から分かれた光の内，第１の成分に相当する反射
光Ｐｒは，第１の伝搬経路１１０ａを伝搬する。つま
り，反射光Ｐｒは，光導波路１１２ａに結合することな
く第１端面１１２ａで反射されて，第１端面１１２ａ側
の光変調器１１０外部に出射される。

【００２９】一方の結合光Ｐｃは，第２の伝搬経路１１
０ｂを伝搬する。つまり，結合光Ｐｃは，光導波路１１
４に結合して，光導波路１１４を往復し，往復光Ｐｂと
して第１端面１１２ａ側の光変調器１１０外部に出射さ
れる。ここで，往復光Ｐｂについて説明する。一般に，
光導波路を伝搬する光は，光導波路の端面を介して一度
に全成分が出射される訳ではなく，光導波路を伝搬する
光の一部は，光導波路の端面によって反射されて光導波
路内に戻る。光変調器１００においても，光導波路１１
４を往復して第１端面１１２ａに戻って来た結合光Ｐｃ
の一部は，第１端面１１２ａにおいて反射されて光導波
路１１４内に戻る。この第１端面１１２ａで反射されて
光導波路１１４内に戻った結合光Ｐｃの成分は，光導波
路１１４の往復を繰り返す。

【００３０】したがって，光導波路１１４を往復して第
１端面１１２ａから出射される往復光Ｐｂは，光導波路
１１４を一往復して第１端面１１２ａから出射される結
合光Ｐｃの第２の成分に相当する成分と，光導波路１１
４を複数回往復して第１端面１１２ａから出射される結
合光Ｐｃの多重反射成分とが，重なり合った光であるこ
とが分かる。結果的に，光変調器１１０の第１端面１１
２ａ付近では，往復光Ｐｂと反射光Ｐｒとの干渉によっ
て，被処理光Ｐ２が形成される。

【００３１】すなわち，第１端面１１２ａ側から光変調
器１１０に入射される入射光Ｐ１は，光変調器１１０に
よって反射されて，被処理光Ｐ２として第１端面１１２
ａ側に戻ることに成る。次に，反射光Ｐｒと往復光Ｐｂ
との干渉によって形成される被処理光Ｐ２について，光
変調器１１０の消光特性と関連づけながら理論的に説明
する。

【００３２】発明者の知見によれば，被処理光Ｐ２の光
量は，反射光Ｐｒと往復光Ｐｂとの大小関係に依存し，
結合光Ｐｃの多重反射成分を考慮した光変調器１１０の
トータルの光反射量Ｒとして，Ｒ＝（Ｘ−Ｚ）／（Ｙ‐Ｚ）と表すことができる。ただし，Ｘ，Ｙ及びＺは，光導波
路１１４を往復せずに透過する場合における導波光の透
過率Ｇの関数であり，それぞれ，Ｘ＝（Ｒ₁ ^1/2＋ＧＲ₂ ^1/2）Ｙ＝｛１＋Ｇ（Ｒ₁Ｒ₂）^1/2｝Ｚ＝４（Ｒ₁Ｒ₂）^1/2Ｇｓｉｎ²（γ／２）で表される。

【００３３】なお，γは，反射光Ｐｒと光導波路１１４
を一往復して第１端面１１２ａから出射される結合光Ｐ
ｃの成分との相対的な位相差であり，上述したように光
導波路１１４の設定によってほぼπの奇数倍に成るた
め， γ〜（２ｍ＋１）π ［ｒａｄ］で表される。ただし，ｍ＝０，１，２，３・・・であ
る。したがって，光変調器１１０のトータルの反射量Ｒ
は，Ｒ＝（Ｒ₁ ^1/2−ＧＲ₂ ^1/2）²／｛１−Ｇ（Ｒ₁Ｒ₂）^1/2｝
² と表されることが分かる。

【００３４】以上のように表されるトータルの反射量Ｒ
を基にして，被処理光Ｐ２の光量について説明すると，
まず，透過率ＧがＧ＝約１の時，すなわち図２中の曲線
Ａに示すように光導波路１１４のｉ層における結合光Ｐ
ｃの吸収が無視できる時には，反射率Ｒは，Ｒ＝（Ｒ₁ ^1/2−Ｒ₂ ^1/2）²／｛１−（Ｒ₁Ｒ₂）^1/2｝² と成る。したがって，この時には，第１端面１１２ａの
エネルギ反射率Ｒ₁と第２端面１１２ｂのエネルギ反射
率Ｒ₂とを等しく設定しなければ，被処理光Ｐ２の光量
は有限の値に成ることが分かる。

【００３５】また，透過率ＧがＧ＝約０の時，すなわち
図２中の曲線Ｃに示すように光導波路１１４のｉ層にお
いて結合光Ｐｃの吸収が十分に成される時には，光変調
器１１０のトータルの反射量Ｒは，Ｒ＝Ｒ₁ と表される。したがって，被処理光Ｐ２の光量は，反射
光Ｐｒの光量と等しくなる。すなわち，この時には，入
射光Ｐ１は，光変調器１１０によって反射光Ｐｒの光量
にまで消光されることが分かる。

【００３６】さらに，光変調器１１０においては，図２
中の曲線Ｂに示すように０＜Ｇ＜１の範囲に，透過率Ｇ
が，Ｒ₁ ^1/2＝ＧＲ₂ ^1/2 の関係を満たすことがある。この時には，光変調器１１
０のトータルの反射量Ｒは，Ｒ＝０と成り，光変調器１１０に入射された入射光Ｐ１は干渉
現象によって完全に消光されることが分かる。なお，こ
の時には，相対的位相差がπの奇数倍である，反射光Ｐ
ｒの光量と光導波路１１４を一往復して第１端面１１２
ａから出射される結合光Ｐｃの成分の光量とがほぼ等し
くなっているものと考えられる。

【００３７】ところで，光変調器１１０において，透過
率Ｇは，主に光導波路１１４のｉ層のバンド間吸収によ
る導波光の減衰に起因して，変化する。光導波路１１４
において，コアであるｉ層に電界を印加した場合，ｉ層
のバンド間吸収はＦｒａｎｚ−ＫｅＬｄｙｓｈ効果や量
子閉じ込めシュタルク効果等の電界吸収効果によって，
急激に増大する。

【００３８】発明者の知見によれば，逆バイアス方向の
電圧による電界が印加されることによって光導波路１１
４のｉ層において電界吸収効果が生じている時には，透
過率Ｇは，Ｇ＝ｅｘｐ｛−Γα（Ｖ）Ｌ｝と表される。ただし，Ｖは，光変調器１１０に印加され
ている電圧を表し，α（Ｖ）は，光吸収層として機能す
るｉ層の光吸収係数を表している。また，Γは，光導波
路１１４におけるｉ層への導波光の閉じ込め係数を表
し，Ｌは，光導波路１１４の長さを表している。

【００３９】したがって，光変調器１１０においては，
光変調器１１０に印加する電圧Ｖを制御すれば，透過率
Ｇを制御できることが分かる。以上説明したように光変
調器１１０においては，ｉ層に印加する電界，すなわち
光変調器１１０に印加される電圧Ｖに応じて往復光Ｐｂ
の光量が変化する。一方，反射光Ｐｒは，ｉ層の電界が
変化しても光量が変化しないから，光変調器１１０で
は，反射光Ｐｒと往復光Ｐｂとの大小関係を印加する電
圧によって制御可能であり，結果，被処理光Ｐ２の光量
を制御できることが分かる。

【００４０】かかる光変調器１１０を用いれば，印加す
る電圧Ｖの初期値においてｉ層での光の吸収が無視でき
るとともに終値においてｉ層での光の吸収が十分に行わ
れるように設定すると，２つの特徴を持つ消光特性を得
ることができる。１つ目の特徴は，「印加する電圧の初
期値と終値とでは，完全な消光は行われずトータルの反
射量Ｒは有限の値が得られ，印加する電圧の初期値と終
値との間には，光が完全に消光される電圧Ｖが存在す
る。」という特徴である。また，２つ目の特徴は，「印
加する電圧の終値におけるトータルの反射量Ｒの値は，
第１端面１１２ａのエネルギ反射率Ｒ₁に等しい。」と
いう特徴である。

【００４１】図３には，光変調器１１０と略同一の基本
構造を持つある光変調器を想定し，想定した光変調器に
ついて具体的に計算した消光曲線を示す。この光変調器
の消光特性は，光変調器１１０の消光特性と類似する。
なお，想定した光変調器は，エネルギ反射率が２８．６
％と成るように第１端面１１２ａに相当する第１端面を
劈開して，エネルギ反射率が９８％と成るように第２端
面１１２ｂに相当する第２端面を高反射コーティングし
ているものである。また，想定した光変調器の光導波路
は，長さが１７０μｍである。さらに，想定した光変調
器において，光導波路の光吸収係数の印加電圧に対する
依存性は，端面を無反射コーティングした素子長１３０
μｍの光変調器について実際に測定した結果を基にし
て，決定している。さらに，想定した光変調器において
は，電圧を印加した場合の光導波路の屈折率変化は無視
している。

【００４２】図３によれば，想定した光変調器では印加
電圧が約−０．４５Ｖ付近の領域Ｂで，最大の消光が得
られており，被処理光の出力が最小と成ることが分か
る。また，図３によれば，印加電圧が−０．４５Ｖより
も順バイアス側の領域Ａと逆バイアス側の領域Ｃとで
は，ともに，想定した光変調器によって形成される被処
理光の強度が回復することが分かる。

【００４３】また，図４には，光変調器１１０と略同一
の基本構成を持つある光変調器について，実際に発明者
が行った実験の実験結果を示す。かかる実験では，入射
光波長１．５５８３μｍにおいて，本実験に用いた光変
調器の消光特性を表す反射量の印加電圧依存性が測定さ
れている。図４に示すように，本実験においては，本実
験にかかる光変調器に約−０．４５Ｖの電圧を印加した
場合に，最大の消光を得ることができた。かかる実験結
果は，図３に示した計算結果と非常に良く一致してい
る。

【００４４】次に，以上説明した光変調器１１０が適用
される本実施の形態にかかる光処理装置１００の構成に
ついて，図１を参照しながら説明する。なお，図１は，
本実施の形態にかかる光処理装置１００の概略構成を示
す模式図である。図１に示すように，本実施の形態にか
かる光処理装置１００は，光分離器１２０の合波ポート
１２２と光変調器１１０の第１端面１１２ａとが光学系
１３０によって相互に接続される基本構成を有してい
る。

【００４５】かかる光処理装置１００においては，接地
された定電圧源１５０と電気信号発生器１４０とが光変
調器１１０に直列に接続されており，光変調器１１０に
設けられた光導波路１１４のｉ層に電界を印加すること
ができる構成になっている。なお，光変調器１１０に接
続された定電圧源１５０はバイアス信号に相当するバイ
アス電圧Ｖｂを発生するものである。また，電気信号発
生器１４０は入力信号に相当する電気信号Ｖｓを発生す
るものである。かかる構成によって，光変調器１１０に
は，バイアス電圧Ｖｂに重畳した電気信号Ｖｓを印加す
ることが可能となり，結果，光変調器１１０の光導波路
１１４では，電気信号Ｖｓに応じた導波光の変調が可能
となる。

【００４６】光処理装置１００において，光分離器１２
０には，光学系１３０によって光変調器１１０の第１端
面１１２ａと相互に接続される合波ポート１２２以外に
も，光処理装置１００の光入力ポートとして機能する第
１分波ポート１２４ａと光処理装置１００の光出力ポー
トとして機能する第２分波ポート１２４ｂとが，設けら
れている。かかる光分離器１２０は，第１分波ポート１
２４ａから入力された光を合波ポート１２２から出力す
る機能と合波ポート１２２から入力された光を第２分波
ポート１２４ｂから出力する機能とを併せ持つ。これら
の機能を併せ持つ構成は，例えば光サーキュレータや光
ファイバカプラ等によって実現することができる。

【００４７】さらに，光処理装置１００に設置された光
学系１３０は，入出射端面に相当する第１端面１１２ａ
に形成された光導波路１１４端部と光分離器１２０の合
波ポート１２２とを，片方から出力された光が他方に結
合するように，光学的に接続する機能を持つ。かかる機
能は，例えば，合波ポート１２２に一端を接続した光フ
ァイバと，光ファイバの他端からの光をコリメートする
第１のレンズと，第１のレンズからの平行光を光導波路
１１４端部に集光する第２のレンズとによって，実現す
ることができる。他にも，かかる機能は，例えば，光フ
ァイバを単独で用いたり，先球ファイバを用いたり等，
様々な光学部品の組合わせによって実現することができ
る。

【００４８】なお，光処理装置１００においては，光変
調器１１０が十分に機能するように，光処理装置１００
へ入力する入力光のフォトンエネルギと光導波路１１４
のｉ層のバンドギャップエネルギとの関係を設定するこ
とが望ましい。かかる設定条件は，例えば，入力光のフ
ォトンエネルギと光導波路１１４のｉ層のバンドギャッ
プエネルギとの間に， λｇ＞λｐｈの関係が成立するように設定すれば，実現される。ただ
し，λｇは，光導波路１１４のｉ層のバンドギャップエ
ネルギを表しており，λｐｈは，光処理装置１００への
入力光のフォトンエネルギを表している。

【００４９】さらに，光処理装置１００においては，第
１端面１１２ａのエネルギ反射率Ｒ₁と第２端面１１２
ｂのエネルギ反射率Ｒ₂とを，光変調器１１０が所定の
消光特性を持つように設定することが望ましい。具体例
を挙げると，エネルギ反射率Ｒ₁は，例えば，０．１＜Ｒ₁＜０．６と設定することができる。また，エネルギ反射率Ｒ
₂は，例えば，高反射膜コーティングを施す等して，０．８＜Ｒ２＜１と設定することができる。

【００５０】以上のように構成された光処理装置１００
の動作時には，連続光Ｌ１が第１分波ポート１２４ａか
ら光分離器１２０に入力される。かかる連続光Ｌ１は，
光分離器１２０の合波ポート１２２から光学系１３０に
出力され，光学系１３０によって第１端面１１２ａ側か
ら光変調器１１０に入力される。

【００５１】さらに，連続光Ｌ１は，印加される電圧Ｖ
に応じてトータルの反射量Ｒが変化する光変調器１１０
によって反射されて，被処理光列Ｌ２として光学系１３
０に出力される。かかる被処理光列Ｌ２は，光学系１３
０によって合波ポート１２２から光分離器１２０に入力
され，光分離器１２０の第２分波ポート１２４ｂから光
処理装置１００外部に出力される。

【００５２】次に，本実施の形態にかかる光処理装置１
００の好適な用途について説明する。以下に説明する３
つの用途は，光処理装置１００によって入力信号の反転
波形を持つ被処理光列を形成する用途である。上述した
光処理装置１００の構成からも分かるように，光変調器
１１０に印加される電圧Ｖは，Ｖ＝Ｖｂ＋Ｖｓで表される。ただし，Ｖｂは，定電圧源１５０から光変
調器１１０に印加されるバイアス電圧であり，Ｖｓは，
信号発生器１４０から光変調器１１０に印加される電気
信号である。

【００５３】以下に説明する３つの用途全てにおいて，
光変調器１１０に印加される電圧の最大値は，光変調器
１１０による消光が最大に成る電圧よりも逆バイアス側
に設定する必要がある。すなわち，光変調器１１０に印
加される電圧Ｖの最大値Ｖｍａｘを，Ｖｍａｘ≦Ｖｄｉｐの関係を満たすように，設定する必要がある。ただし，
Ｖｄｉｐは，光変調器１１０が入射光を完全に消光する
場合の光変調器１１０に印加される電圧Ｖを表してい
る。

【００５４】図３に示す消光曲線（かかる消光曲線は，
光変調器１１０の消光曲線に類似している。）を参照す
れば，かかる設定条件においては，光変調器１１０に印
加される電圧Ｖが正方向に近付く程，光変調器１１０に
よる消光は大きくなることが分かる。したがって，以下
に説明する３つの用途全てにおいて，光変調器１１０の
トータルの反射量Ｒの大小は電気信号Ｖｓの値の大小と
反対に成る。結果として，かかる設定条件が満たされて
いれば，連続光Ｌ１から電気信号Ｖｓの反転波形を持つ
被処理光列Ｌ２を，光処理装置１００によって形成する
ことが可能となる。

【００５５】（第１の用途）まず，光処理装置１００の
第１の用途について，図５〜図７を参照しながら説明す
る。なお，図５は，本用途における光変調器１１０の動
作原理の説明図である。また，図６は，本用途における
光処理装置１００から発生する光信号の概略的な説明図
であり，図７は，本用途に関して発明者が行った実験の
実験結果である。

【００５６】図１に示す光処理装置１００において，本
用途では，定電圧源１５０から光変調器１１０に，バイ
アス電圧ＶｂとしてＤＣ電圧Ｖｂ１を印加する。また，
信号発生器１４０からは，電気信号Ｖｓとしてピークト
ゥピーク電圧がＶｐ−ｐのＮＲＺ電気信号Ｖｎｒｚを光
変調器１１０に印加する。したがって，本用途における
光変調器１１０に印加される電圧Ｖの最大値Ｖｍａｘ
は，Ｖｍａｘ＝Ｖｂ１＋Ｖｐ−ｐ／２≦Ｖｄｉｐと表される。

【００５７】なお，実際上は，被処理光列Ｌ２として形
成されるＮＲＵ光信号列Ｌｎｒｕの各ＮＲＵ光信号Ｐｎ
ｒｕついて，立ち上がり立ち下がり時間を小さくしたり
ｏｎ／ｏｆｆ比を大きく取りたい場合が考えられる。か
かる場合には，ＮＲＺ電気信号Ｖｎｒｚのピークトゥピ
ーク電圧Ｖｐ−ｐを許される範囲で大きくとるととも
に，バイアス電圧Ｖｂを，Ｖｂ＝Ｖｄｉｐ−Ｖｐ−ｐ／２と成るように調整する。

【００５８】図５には，本用途において光変調器１１０
に印加される電圧Ｖと光変調器１１０によって形成され
る被処理光Ｐ２ａとの概略的な関係を図３に示す消光曲
線を用いて説明する説明図を示す。図５に示すように，
光変調器１１０にＮＲＺ電気信号Ｖｎｒｚが印加されて
いる場合には，被処理光Ｐ２ａは，ＮＲＺ電気信号Ｖｎ
ｒｚのｏｎ−ｓｔａｔｅとｏｆｆ−ｓｔａｔｅとが反転
した波形のＮＲＺ光信号に成ることが分かる。

【００５９】したがって，図６に示すように，本用途に
おいてＮＲＺ電気信号Ｖｎｒｚとして例えば｛１１１０
１０１０｝パターンの電気信号を用いれば，連続光Ｌ１
が入力される光処理装置１００によって，｛０００１０
１０１｝パターンのＮＲＺ光信号列が被処理光列Ｌ２と
して形成されることになる。

【００６０】図７には，本用途の設定条件と略同一の設
定条件において，ある光変調器について発明者が行った
実験により得られた光波形を示す。なお，本実験は，光
信号発生実験である。本実験においては，ピークトゥピ
ーク電圧が約０．９Ｖに設定された１０Ｇｂ／ｓ“１１
１０１０１０”パターンの電気信号を，本実験に用いた
光変調器へ入力している。また，本実験においては，−
０．９Ｖのバイアス電圧を，本実験に用いた光変調器へ
入力している。

【００６１】図７に示すように，本実験では，入力した
電気信号の反転パターン“０００１０１０１”を持つ光
信号が得られている。したがって，本実験によって，本
用途の設定条件においてＮＲＺ電気信号からＮＲＵ光信
号が得られることが確認される。また，本実験における
変調帯域は約１５ＧＨｚである。なお，参考として，本
実験に用いた光変調器に印加するバイアス電圧を−０Ｖ
とした時の結果について簡単に説明すると，この時に
は，電気信号のパターンと同じく“１１１０１０１０”
のパターンを持つ光信号が得られ，また，この時得られ
た変調帯域は約１０ＧＨｚであった。

【００６２】（第２の用途）次に，光処理装置１００の
第２の用途について，図８〜図１０を参照しながら説明
する。なお，図８は，本用途における光変調器１１０の
動作原理の説明図である。また，図９は，本用途におけ
る光処理装置１００から発生する光信号の概略的な説明
図であり，図１０は，本用途における被処理光列Ｌ２に
ついての計算結果である。

【００６３】図１に示す光処理装置１００において，本
用途では，定電圧源１５０からは，バイアス電圧として
ＤＣ電圧Ｖｂ２を光変調器１００に印加する。また，信
号発生器１４０からは，電気信号Ｖｓとして所定の繰り
返し電圧，例えば，正弦波電圧である高周波信号Ｖ
（ｔ）を光変調器１１０に印加する。

【００６４】本用途において，光変調器１１０に印加さ
れる電圧Ｖは，Ｖ＝Ｖｂ２＋Ｖ（ｔ）＝Ｖｂ２＋Ｖｒｃｏｓ（ｗｔ）で表される。ただし，Ｖｒは，高周波信号Ｖ（ｔ）の片
側振幅であり，ｗは，高周波信号Ｖ（ｔ）の角周波数で
あり，ｔは，時間である。また，高周波信号Ｖ（ｔ）の
両側振幅をＶｓｗｉｎｇ＝２Ｖｒとする。したがって，
光変調器１１０に印加される電圧Ｖの最大値Ｖｍａｘ
は，Ｖｍａｘ＝Ｖｂ２＋Ｖｒ≦Ｖｄｉｐと表される。

【００６５】実際，本用途において，被処理光列Ｌ２と
して形成されるＲＵ光パルス列Ｌｐｒｕの各ＲＵ光パル
スは，デューティ比を小さくするとともにｏｎ／ｏｆｆ
比を大きく取りたい場合がある。かかる場合には，高周
波信号Ｖ（ｔ）の片側振幅Ｖｒを許される範囲で大きく
とるとともに，バイアス電圧Ｖｂ２を，Ｖｂ２＝Ｖｄｉｐ−Ｖｒと成るように，調整する。

【００６６】図８には，本用途において光変調器１１０
に印加される電圧Ｖと光変調器１１０によって形成され
る被処理光Ｐ２ｂとの概略的な関係を，図３に示す消光
曲線を用いて説明する説明図を示す。図８に示すよう
に，光変調器１１０に高周波信号Ｖ（ｔ）が印加されて
いる場合には，光変調器１１０によって，高周波信号Ｖ
（ｔ）の反転波形の被処理光Ｐ２ｂが形成される。かか
る被処理光Ｐ２ｂは，光変調器１１０の消光曲線の非線
形性によって，デューティ比が小さいＲＵ光信号に成る
ことが分かる。

【００６７】したがって，図９に示すように，電気信号
Ｖｓとして正弦波形状の高周波電気信号Ｖ（ｔ）を印加
する本用途においては，連続光Ｌ１が入力された光処理
装置１００によって，被処理光列Ｌ２としてＲＵ光パル
ス列が出力されることが分かる。

【００６８】図１０には，光変調器１１０と略同一の基
本構成を持ったある光変調器を想定して，想定した光変
調器によって形成されるＲＵ光パルス列の波形について
の計算結果を示す。なお，計算に用いた素子パラメータ
は，図３に消光曲線を示す光変調器と同様の想定であ
る。また，Ｖｒ＝４［Ｖ］，変調周波数１０ＧＨｚ，Ｖ
ｂ＝Ｖｄｉｐ−Ｖｒの動作条件において計算を行った。

【００６９】（第３の用途）次に，光処理装置１００の
第３の用途について，図１１を参照しながら説明する。
なお，図１１は，本用途における光処理装置１００から
発生する光信号の概略的な説明図である。本用途は，Ｒ
Ｕ光信号の形成する光処理装置１００の用途である。

【００７０】図１に示す光処理装置１００において，本
用途では，定電圧源１５０から光変調器１００にバイア
ス電圧としてＤＣ電圧Ｖｂ３を印加する。また，信号発
生器１４０からは，電気信号Ｖｓとして符号化された正
弦波であるＲＺ繰り返し電圧Ｖｒｚを光変調器１１０に
印加する。

【００７１】本用途において，光処理装置１００は，上
記第２の用途と基本的に同一の原理によって，被処理光
列Ｌ２が形成される。ただし，本用途においては，電気
信号Ｖｓが，予め符号化されている。したがって，本用
途において光処理装置１００により形成される被処理光
列Ｌ２は，図１１に示すように，上記第２の用途におい
て光処理装置１００によって形成される図９に示すＲＵ
光パルス列を符号化したＲＵ光信号に成る。

【００７２】以上説明したように本実施の形態によれ
ば，反射型の光変調器，一つの連続光を発生する装置，
パルスパターンや符号化信号の発生器，及び光サーキュ
レータ等の光分離器から構成される簡単かつ小型な装置
によって，ＮＲＵ光信号やＲＵ光パルスやＲＵ光信号
等，反転信号の発生を行うことができる。したがって，
本実施の形態によれば，ダークソリトンパルス等のダー
ク波形の光の発生には極めて有用な光処理装置を実現す
ることができる。

【００７３】また，本実施の形態においては，適用され
る反射型の光変調器の特性から，低電圧の印加によって
大きな消光比を達成することができる。さらに，本実施
の形態において適用されている反射型の光変調器では，
出力される光のｏｎ−ｓｔａｔｅの値が，光の入出力側
端面のエネルギ反射率に固定されるので，ｏｎ−ｓｔａ
ｔｅのレベル変動が極めて小さくなる。

【００７４】さらにまた，本実施の形態にかかる用途に
おいては，ｏｆｆ−ｓｔａｔｅに比べてｏｎ‐ｓｔａｔ
ｅの方がより深い逆バイアスが光変調器の吸収層（ｉ
層）に掛かっている。したがって，ｏｎ−ｓｔａｔｅの
方がより光変調器の素子容量を小さくすることが可能で
あるとともに，光変調器の吸収層からのフォトキャリア
の掃き出しが速い。結果として，本実施の形態において
は，光変調器のより一層の高速変調が可能となり，光処
理装置の高速動作を実現することができる。

【００７５】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。

【００７６】まず，上記実施の形態に適用した光変調器
については，導波路型の半導体光変調器であること以外
は，構造や寸法や材料等について何等限定されない。例
えば，上記実施の形態についての説明においては，光変
調器の特性を，光導波路の吸収層がｌｎＧａＡｓＰ系の
バルク材料で形成された光変調器についての実験結果を
基に説明しているが，本発明はかかる構成に限定されな
い。本発明には，例えば電界強度に対する吸収層自体の
励起子ピークシフトの大きな量子井戸や歪み量子井戸構
造等の光変調器も，適用することができる。

【００７７】また，上記実施の形態においては，端面コ
ーティングや劈開等によって反射率を持つ端面を形成し
た光変調器が適用されている例について説明したが，本
発明はかかる構成に限定されない。本発明に，光変調器
を適用する時には，その端面は，形成方法や層数の設計
・膜の材料の組み合わせ等について，何等限定されるの
ものではない。なお，反射部に相当する光変調器の端面
は，全反射膜であることが望ましい。

【００７８】さらに，本発明においては，上記実施の形
態に適用されている光変調器を所望の周波数で変調動作
させる場合に，インピーダンス調整回路を設けて，高周
波電気信号を印加する際のインピーダンス不整合を解消
したり，又は故意に共振現象を発生させて，高周波信号
を効率的に光変調器に印加させることが可能である。

【００７９】次に，上記実記の形態にかかる光処理装置
装置の構成については，上記説明の構成に限定されな
い。本発明は，例えば，半導体光変調器と光サーキュレ
ータの間に，検光子や偏波コントローラ，波長フィル
タ，あるいは光増幅器などを挿入する構成についても適
用することができる。

【００８０】また，上記実施の形態に適用されている入
力信号については，実際には，高周波を供給する回路，
伝送線路，および実装によって波形が歪む場合があり，
また，変調器の消光特性はそれぞれ異なる。従って，Ｒ
Ｚ電気信号としては，完全に正弦波である必要はない。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば，構成部材数が少なく簡
易で小規模の環境変化にも強い光処理装置によって，反
転波形の光を形成することが可能である。したがって，
本発明によれば，長距離の光通信に適するダーク波形の
光パルスや光信号等を，変動が少なく制御が容易な動作
によって形成可能な光変調器を提供することができる。
また，本発明によれば，光処理装置の動作条件を厳しく
せずに目的とする光処理を実現することができる。した
がって，本発明によれば，装置寿命の短期化を生じさせ
ずに光の高速処理を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能な光処理装置の概略構成を示
す模式図である。

【図２】図１に示す光処理装置に適用される光変調器の
概略構成及び定性的動作を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に示す光変調器の消光特性の説明図であ
る。

【図４】図３に示す消光特性を裏付ける実験結果である

【図５】図２に示す光変調器の動作原理の説明図であ
る。

【図６】図１に示す光処理装置によって形成される光信
号の概略的な説明図である。

【図７】発明者が行った実験の実験結果である。

【図８】図２に示す光変調器の他の動作原理の説明図で
ある。

【図９】図１に示す光処理装置によって形成される他の
光信号の概略的な説明図である。

【図１０】図１に示す光処理装置によって形成される他
の光信号の波形についての計算結果である。

【図１１】図１に示す光処理装置によって形成される他
の光信号の概略的な説明図である。

【図１２】従来の光処理装置の概略構成を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１００形成装置１１０光変調器１１２ａ，１１２ｂ端面１１４光導波路１２０光分離器１３０光学系Ｖ電圧Ｖｓ電気信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐｂ，Ｐｒ光Ｒ₁，Ｒ₂ エネルギ反射率

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも，所定の反射率及び透過率を
有する入出射端面と前記入出射端面からの光を前記入出
射端面に回帰させる光経路を形成する光導波路とを備
え，前記光導波路には，印加される入力信号に応じて光
を変調する光変調手段が設けられており，前記光導波路
は，前記光導波路の外部から入出射端面に入射された入
射光の内，前記入出射端面によって反射される第１の成
分と，前記入射光の内，前記入出射端面を透過して，前
記光経路を伝搬して前記入出射端面に回帰し，前記入出
射端面から出射される，第２の成分との位相差が，ほぼ
πの奇数倍に成るように調整されることを特徴とする，
光処理装置。
【請求項２】前記光導波路は，所定の反射率を有する
反射部で終端することによって，前記光経路を形成する
ことを特徴とする，請求項１に記載の光処理装置。
【請求項３】前記入出射端面と前記光導波路とは，同
一基板上に配されて，光変調器を形成することを特徴と
する，１又は２に記載の光処理装置。
【請求項４】前記入出射端面には，前記第１の成分と
前記第２の成分とを干渉させて出射光とする光線路が接
続されていることを特徴とする，請求項１，２又は３の
いずれかに記載の光処理装置。
【請求項５】前記入出射端面には，前記光線路を介し
て，前記入出射端面への入射光と前記入出射端面からの
出射光とを分離する光分離器が接続されていることを特
徴とする，請求項４に記載の光処理装置。
【請求項６】前記光導波路の調整は，前記光導波路の
長さを調整することによって行われることを特徴とす
る，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の光
処理装置。
【請求項７】前記光導波路の調整は，前記光導波路の
等価屈折率を調整することによって行われることを特徴
とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載
の光処理装置。
【請求項８】前記光導波路の調整は，前記入射光の波
長を調整することによって行われることを特徴とする，
請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の光処理
装置。
【請求項９】前記光導波路の調整は，前記光導波路の
動作温度を調整することによって行われることを特徴と
する，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の
光処理装置。