JPH11245133A - Jig for manufacturing slider - Google Patents

Jig for manufacturing slider

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Publication number
JPH11245133A
JPH11245133A JP4752698A JP4752698A JPH11245133A JP H11245133 A JPH11245133 A JP H11245133A JP 4752698 A JP4752698 A JP 4752698A JP 4752698 A JP4752698 A JP 4752698A JP H11245133 A JPH11245133 A JP H11245133A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
jig
slider
layer
square
conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP4752698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadao Kawada
貞夫 川田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
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Publication of JPH11245133A publication Critical patent/JPH11245133A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent electrical breakdown of a magnetic resistance effect element layer in a thin-film element by forming a jig for retaining slider having a thin-film element out of semiconductive material. SOLUTION: A jig 15 is formed out of conductive plastic, example, and the surface resistance of the jig 15 is adjusted suitably so as to be from 1×10<6> (Ω/square) to 1×10<12> (Ω/square) exclusive. Even if a slider 14 having a thin-film element 13 is jointed to the fixture 15, no electrostatic polarization occurs at a metallic layer in the thin-film element 13, so that no discharging occurs between the metallic layers, which was found in the past. Thus, a magnetic resistance effect element layer can be protected from electrical breakdown.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、記録/再生用の薄
膜素子を有するスライダを所定形状に形成する際に、前
記スライダを保持する治具に係り、特に前記薄膜素子の
電気的な破壊を防止することができるスライダ製造用治
具に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a jig for holding a slider having a thin film element for recording / reproducing when a slider having the thin film element is formed into a predetermined shape. The present invention relates to a jig for manufacturing a slider which can be prevented.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードディスク装置などに使用される磁
気ヘッドは、板ばね材料で形成された支持部材の先端
に、セラミック材料で形成されたスライダが設けられて
おり、このスライダのトレーリング側に薄膜素子が成膜
されている。この薄膜素子は、磁性材料のパーマロイ
(Ni―Fe系合金)や絶縁材料のアルミナなどが積層
されたものであり、磁気記録媒体に記録された磁気記録
信号を再生する磁気検出部、または磁気記録媒体に磁気
信号を記録する磁気記録部、あるいは磁気検出部と磁気
記録部の双方を含むものである。磁気検出部は例えば磁
気抵抗効果素子(MR素子)により構成されたMRヘッ
ドである。また磁気記録部は、コイルとコアがパターン
形成されたインダクティブヘッドにより構成される。
2. Description of the Related Art A magnetic head used in a hard disk drive or the like has a slider made of a ceramic material provided at the tip of a support member made of a leaf spring material, and a thin film is formed on the trailing side of the slider. An element has been deposited. This thin-film element is formed by laminating a magnetic material such as permalloy (Ni—Fe alloy) or an insulating material such as alumina, and has a magnetic detection unit for reproducing a magnetic recording signal recorded on a magnetic recording medium, or a magnetic recording unit. It includes a magnetic recording unit for recording a magnetic signal on a medium, or both a magnetic detection unit and a magnetic recording unit. The magnetic detection unit is, for example, an MR head including a magnetoresistive element (MR element). Further, the magnetic recording section is constituted by an inductive head in which a coil and a core are patterned.

【0003】ところで、前記スライダの母材となるセラ
ミック材は、まず円板状に形成され、その後、前記セラ
ミック材上に、前記薄膜素子が並列に複数個パターン形
成される。そして前記セラミック材が角材状にスライダ
バーとして切断され、このスライダバーが図7に示す治
具30に固定される。
The ceramic material serving as the base material of the slider is first formed in a disk shape, and then the plurality of thin film elements are formed in parallel on the ceramic material. Then, the ceramic material is cut into a square bar shape as a slider bar, and the slider bar is fixed to a jig 30 shown in FIG.

【0004】図7は、治具及びこの治具に固定されたス
ライダバーの斜視図、図8は図7の平面図である。図7
に示すように治具30には、その先端部に複数の溝部3
1が形成されている。なおこの治具30は、例えば絶縁
性のセラミックスなどで形成されている。
FIG. 7 is a perspective view of a jig and a slider bar fixed to the jig, and FIG. 8 is a plan view of FIG. FIG.
As shown in the figure, the jig 30 has a plurality of grooves 3 at its tip.
1 is formed. The jig 30 is made of, for example, an insulating ceramic.

【0005】まず、前記治具30のスライダバー40と
の接合面にワックスなどを塗布し、図7に示すように、
前記スライダバー40を前記治具30に接合する。なお
符号41は、前述した薄膜素子である。その後、図8に
示すように、各溝部31に対して平行な矢印方向から、
冷却水を噴射しながら、回転砥石などにより、前記スラ
イダバー40を切断する。この切断工程によって、1つ
のスライダバー40から、複数個のスライダを得ること
ができる。
First, wax or the like is applied to the surface of the jig 30 to be joined to the slider bar 40, and as shown in FIG.
The slider bar 40 is joined to the jig 30. Reference numeral 41 denotes the above-described thin film element. Then, as shown in FIG. 8, from the direction of the arrow parallel to each groove 31,
While spraying the cooling water, the slider bar 40 is cut by a rotating grindstone or the like. By this cutting step, a plurality of sliders can be obtained from one slider bar 40.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
前述したように図7に示す治具30は、例えば絶縁性の
セラミックスなどで形成されている。しかし、前記治具
30が表面抵抗の高い絶縁体で形成されていると、スラ
イダバー40が前記治具30に接合されたとき、前記ス
ライダバー40の端面に形成されている薄膜素子41内
の金属層の電荷が分極(静電分極)を起こし、前記薄膜
素子41内部で放電が起こりやすく、この放電により、
磁気検出部の磁気抵抗効果素子層が熱で破壊されてしま
うといった問題が生じていた。
By the way, conventionally,
As described above, the jig 30 shown in FIG. 7 is formed of, for example, an insulating ceramic. However, when the jig 30 is formed of an insulator having a high surface resistance, when the slider bar 40 is joined to the jig 30, the inside of the thin-film element 41 formed on the end face of the slider bar 40 is reduced. The electric charge of the metal layer causes polarization (electrostatic polarization), and a discharge easily occurs inside the thin film element 41. By this discharge,
There has been a problem that the magnetoresistive element layer of the magnetic detection unit is destroyed by heat.

【0007】また前記治具30が、表面抵抗の低い導電
体で形成されていると、スライダバー40が前記治具3
0に接合されたとき、前記治具30から、磁気抵抗効果
素子層に過大な電流が流れ、これにより、前記磁気抵抗
効果素子層が破壊されてしまうといった問題があった。
When the jig 30 is formed of a conductor having a low surface resistance, the slider bar 40 is
When it is bonded to zero, there is a problem that an excessive current flows from the jig 30 to the magnetoresistive element layer, thereby destroying the magnetoresistive element layer.

【0008】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、薄膜素子を有するスライダを保持するため
の治具を半導電性の材質で形成して、前記薄膜素子内の
磁気抵抗効果素子層の電気的な破壊を防止できるように
したスライダ製造用治具を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. A jig for holding a slider having a thin film element is formed of a semiconductive material, and a magnetoresistive effect in the thin film element is provided. It is an object of the present invention to provide a jig for manufacturing a slider which can prevent electrical destruction of an element layer.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、記録/再生用
の薄膜素子を有するスライダを、所定形状に形成する際
に用いられる治具であって、前記治具の表面抵抗は、1
×106(Ω/square)以上1×1012(Ω/s
quare)未満の範囲内であることを特徴とするもの
である。
According to the present invention, there is provided a jig used for forming a slider having a thin film element for recording / reproducing into a predetermined shape.
× 10 6 (Ω / square) or more and 1 × 10 12 (Ω / s)
(quer).

【0010】本発明では、前記治具は、半導電性のセラ
ミックス(イオン導電性セラミックなど)で形成されて
いてもよいし、あるいは半導電性のプラスチック(イオ
ン導電性高分子など)で形成されていてもよい。
In the present invention, the jig may be formed of semiconductive ceramics (such as ionic conductive ceramics), or may be formed of semiconductive plastic (such as ionic conductive polymers). May be.

【0011】あるいはカーボン粉末や導電性フィラーが
高分子材料中に混入された複合導電材料であってもよ
い。
Alternatively, a composite conductive material in which carbon powder or a conductive filler is mixed in a polymer material may be used.

【0012】また前記治具は、絶縁体の表面に界面活性
剤を付着して形成されていてもよいし、あるいは絶縁体
の表面に水分を付着して形成されていてもよい。
The jig may be formed by attaching a surfactant to the surface of the insulator, or may be formed by attaching moisture to the surface of the insulator.

【0013】なお本発明では、前記治具は、スライダバ
ーを個々のスライダに切断する際に、前記スライダバー
を保持するためのものであったり、あるいはスライダ表
面に浮上面を形成する際に、前記スライダを保持するた
めのものである。
In the present invention, the jig is used to hold the slider bar when cutting the slider bar into individual sliders, or when forming a floating surface on the slider surface. This is for holding the slider.

【0014】従来では、図7に示すスライダバー40を
個々のスライダに切断する際に用いられる治具30は、
例えばセラミックなどの絶縁体で形成されていた。
Conventionally, a jig 30 used to cut a slider bar 40 shown in FIG.
For example, it was formed of an insulator such as ceramic.

【0015】図7に示すようにスライダバー40の端面
(トレーリング側端面)には薄膜素子41が形成されて
いる。
As shown in FIG. 7, a thin film element 41 is formed on the end face (trailing side end face) of the slider bar 40.

【0016】この薄膜素子41は、磁気抵抗効果素子
層、SHUNT層、SAL層の3層から成るAMR膜、
あるいはフリー磁性層、非磁性導電層、固定磁性層、及
び反強磁性層から成るスピンバルブ膜などの磁気抵抗効
果素子層を有するMRヘッド(磁気検出部)と、コアと
コイルとから成るインダクティブヘッド(磁気記録部)
とからなり、前記MRヘッド及びインダクティブヘッド
は、例えばパーマロイなどで形成された金属層と、絶縁
層との積層構造となっている。
The thin-film element 41 has an AMR film composed of three layers of a magnetoresistive element layer, a SHUNT layer and a SAL layer;
Alternatively, an MR head (magnetic detection section) having a magnetoresistive element layer such as a spin valve film composed of a free magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, a fixed magnetic layer, and an antiferromagnetic layer, and an inductive head composed of a core and a coil (Magnetic recording section)
The MR head and the inductive head have a laminated structure of a metal layer formed of, for example, permalloy and an insulating layer.

【0017】ところで従来では、図7に示すように、絶
縁性の治具30にスライダバー40が接合されると、薄
膜素子41のMRヘッドにおける磁気抵抗効果素子層が
熱破壊を起こすといった問題があった。
Conventionally, as shown in FIG. 7, when the slider bar 40 is bonded to the insulating jig 30, there is a problem that the magnetoresistive element layer in the MR head of the thin film element 41 is thermally destroyed. there were.

【0018】図5は、MRヘッドを構成する各金属層の
模式図であり、図5を参照して、磁気抵抗効果素子層2
の熱破壊のメカニズムを以下に説明する。
FIG. 5 is a schematic view of each metal layer constituting the MR head. Referring to FIG.
The mechanism of thermal destruction is described below.

【0019】前述したように治具30は絶縁体であるの
で、図5に示すように、仮に、前記治具30がプラスの
電荷に帯電しているとすると、MRヘッドを構成する下
部シールド層1(例えばパーマロイなどで形成されてい
る)のマイナス電荷は、治具30側に引き寄せられ、プ
ラス電荷とマイナス電荷とが図5に示すように静電分極
した状態となる。
Since the jig 30 is an insulator as described above, as shown in FIG. 5, if the jig 30 is charged to a positive charge, as shown in FIG. The negative charge of 1 (formed of, for example, permalloy) is attracted to the jig 30 side, and the positive charge and the negative charge are electrostatically polarized as shown in FIG.

【0020】同様に、下部シールド層1の上に絶縁層
(図示しない)を介して形成されている磁気抵抗効果素
子層2のマイナス電荷も、下部シールド層1の上層部に
分極したプラス電荷に引き寄せられることにより、プラ
ス電荷とマイナス電荷が静電分極する。
Similarly, the negative charge of the magnetoresistive element layer 2 formed on the lower shield layer 1 via an insulating layer (not shown) also becomes a positive charge polarized in the upper layer of the lower shield layer 1. By being attracted, positive charges and negative charges are electrostatically polarized.

【0021】また図5に示すように、前記磁気抵抗効果
素子層2の両側に形成されている符号3は、例えばCo
−Pt(コバルト−白金)合金などで形成されたハード
バイアス層3であり、符号4は、Cr(クロム)などで
形成されている導電層4であるが、これらの層も、図5
に示すように、プラス電荷とマイナス電荷とが静電分極
した状態となる。
As shown in FIG. 5, reference numeral 3 formed on both sides of the magnetoresistive element layer 2 denotes, for example, Co.
5 is a hard bias layer 3 made of a Pt (cobalt-platinum) alloy or the like, and reference numeral 4 is a conductive layer 4 made of Cr (chromium) or the like.
As shown in (1), the positive and negative charges are electrostatically polarized.

【0022】さらに、前記導電層4の上に絶縁層(図示
しない)を介して形成されているパーマロイなどで形成
された上部シールド層5のマイナス電荷も、磁気抵抗効
果素子層2及び導電層4の上層部に分極したプラス電荷
に引き寄せられ、プラス電荷とマイナス電荷とが静電分
極した状態となる。
Further, the negative charge of the upper shield layer 5 made of permalloy or the like formed on the conductive layer 4 with an insulating layer (not shown) interposed between the magnetoresistive element layer 2 and the conductive layer 4 Is attracted to the positive charges polarized in the upper layer, and the positive charges and the negative charges are electrostatically polarized.

【0023】このようにMRヘッドの各金属層が図5に
示すような静電分極した状態にあり、各金属層間の電位
差が層間の距離や材料で決定される絶縁破壊電圧を越え
ると、この間で放電が発生し、この放電の発生箇所で電
流が集中し、金属層が熱によって溶融してしまう。
As described above, each metal layer of the MR head is in an electrostatically polarized state as shown in FIG. 5, and when the potential difference between the respective metal layers exceeds the dielectric breakdown voltage determined by the distance between the layers and the material, during this time, Then, a current is concentrated at a location where the discharge occurs, and the metal layer is melted by heat.

【0024】特に、各金属層間の電位差が、500V以
上になると、この間で放電が起こると考えられ、この放
電により前記磁気抵抗効果素子層2が熱で破壊されてし
まう。
In particular, when the potential difference between the metal layers becomes 500 V or more, it is considered that a discharge occurs during this period, and the discharge destroys the magnetoresistive element layer 2 by heat.

【0025】また治具30に用いられる材質を絶縁体に
代えて、表面抵抗の低い導電体で形成しても、絶縁体の
治具30を使用した場合と同様に、磁気抵抗効果素子2
が熱により破壊されてしまうことがある。この現象を図
6で説明する。
Even when the material used for the jig 30 is formed of a conductor having a low surface resistance in place of the insulator, the magnetoresistive effect element 2 can be formed in the same manner as when the insulator jig 30 is used.
May be destroyed by heat. This phenomenon will be described with reference to FIG.

【0026】磁気抵抗硬化素子層2の上下に積層されて
いる下部ギャップ層6と上部ギャップ層7は絶縁材料で
形成されているため、成膜時の摩擦や外部電荷の影響に
より、各ギャップ層6,7に静電気による電荷が帯電す
ることがある。例えば、図6に示すように、上下のギャ
ップ層6,7にプラス電荷が帯電していると、前記下部
ギャップ層6の上に形成されている磁気抵抗効果素子層
2及びハードバイアス層3の下層側には、マイナス電荷
が引き寄せられる。
Since the lower gap layer 6 and the upper gap layer 7 which are laminated on the upper and lower sides of the magnetoresistive hardening element layer 2 are formed of an insulating material, each gap layer is affected by friction during film formation and an external charge. 6 and 7 may be charged with static electricity. For example, as shown in FIG. 6, when the upper and lower gap layers 6 and 7 are charged with a positive charge, the magnetoresistive element layer 2 and the hard bias layer 3 formed on the lower gap layer 6 are removed. Negative charges are attracted to the lower layer side.

【0027】同様に磁気抵抗効果素子層2及び導電層4
の上層部にマイナス電荷が引き寄せられる。
Similarly, the magnetoresistive element layer 2 and the conductive layer 4
The negative charge is attracted to the upper layer portion.

【0028】このようにハードバイアス層3及び磁気抵
抗効果素子層2の下層側、及び導電層4及び磁気抵抗効
果素子層2の上層側に、マイナス電荷が引き寄せられる
ことにより、図6に示すように、ハードバイアス層3と
導電層4との間、及び磁気抵抗効果素子層2の中間は、
プラス電荷が支配的となって平衡状態となる。
As described above, the negative charges are attracted to the lower layer side of the hard bias layer 3 and the magnetoresistive element layer 2 and the upper layers of the conductive layer 4 and the magnetoresistive element layer 2 as shown in FIG. In addition, between the hard bias layer 3 and the conductive layer 4 and in the middle of the magnetoresistive element layer 2,
Positive charge becomes dominant and becomes in an equilibrium state.

【0029】このような静電分極が発生しているとき
に、導電性の治具がハードバイアス層4などに接触する
と、治具の電子が、導電層4のプラス電荷が支配的とな
っている部分から入り込んで、過大な電流が導電層4か
ら磁気抵抗効果素子層2に流れて、磁気抵抗効果素子層
2にジュール熱による発熱が生じ、層間のマイグレーシ
ョンが発生して劣化したり、あるいは熱による溶融破壊
を生じることがある。
When the conductive jig comes into contact with the hard bias layer 4 or the like while such electrostatic polarization is occurring, the electrons of the jig are dominated by the positive charge of the conductive layer 4. An excessive current flows from the conductive layer 4 to the magnetoresistive element layer 2, and heat is generated in the magnetoresistive element layer 2 by Joule heat, and migration occurs between layers to cause deterioration or Melt fracture may occur due to heat.

【0030】本発明では、上述した静電分極のメカニズ
ムに基づいて、薄膜素子を有するスライダを保持する治
具は、絶縁体に比べて帯電しにくく、しかも磁気抵抗効
果素子層などの静電分極を徐々に解消して素子に過大な
電流が流れない、いわゆる半導電体の材質で形成されて
いる。
According to the present invention, based on the above-described electrostatic polarization mechanism, the jig holding the slider having the thin-film element is less likely to be charged than the insulator, and the electrostatic polarization of the magneto-resistance effect element layer and the like is reduced. Is gradually eliminated to prevent an excessive current from flowing through the element, that is, a so-called semiconductive material.

【0031】ここで、導電体、半導電体、絶縁体の定義
であるが、一般的には、導電体としての表面抵抗は、0
以上1×106(Ω/square)未満、半導電体と
しての表面抵抗は、1×106(Ω/square)以
上1×1012(Ω/square)未満、絶縁体として
の表面抵抗は、1×1012(Ω/square)以上で
ある。
Here, the conductor, the semiconductor, and the insulator are defined. Generally, the surface resistance of the conductor is 0%.
Is less than 1 × 10 6 (Ω / square), the surface resistance as a semiconductor is 1 × 10 6 (Ω / square) or more and less than 1 × 10 12 (Ω / square), and the surface resistance as an insulator is It is 1 × 10 12 (Ω / square) or more.

【0032】そこで本発明では、薄膜素子を有するスラ
イダを保持する治具は、その表面抵抗が、1×10
6(Ω/square)以上1×1012(Ω/squa
re)未満の範囲内であることを必要条件としている。
Therefore, in the present invention, the jig for holding the slider having the thin film element has a surface resistance of 1 × 10
6 (Ω / square) or more and 1 × 10 12 (Ω / square)
re)).

【0033】本発明では、表面抵抗が1×106以上1
×1012(Ω/square)未満の範囲内であれば、
前記治具の材質はどのようなものであってもよい。
In the present invention, the surface resistance is 1 × 10 6 or more and 1
If it is within the range of less than × 10 12 (Ω / square),
The material of the jig may be any material.

【0034】前記治具は、例えば導電性のセラミックス
で形成されている。導電性のセラミックスとしては、Z
rO2―Y23の組成式などで形成されるイオン導電体
を挙げることができる。
The jig is made of, for example, conductive ceramics. As conductive ceramics, Z
An ionic conductor formed by a composition formula of rO 2 —Y 2 O 3 or the like can be given.

【0035】また導電性セラミックスに代えて、導電性
のプラスチックを用いることができる。導電性のプラス
チックとしては、ポリアセチレンなどの導電性高分子、
プラスチックに金属粉末などのフィラーを混合させた導
電性フィラー、あるいはイオン伝導性高分子を挙げるこ
とができる。
In place of the conductive ceramic, a conductive plastic can be used. As conductive plastic, conductive polymers such as polyacetylene,
A conductive filler obtained by mixing a filler such as a metal powder with a plastic, or an ion conductive polymer can be used.

【0036】さらに本発明では、従来から治具として使
用されている絶縁性のセラミックス表面に界面活性剤や
水分を付着させて、前記治具の表面抵抗が、1×106
(Ω/square)以上1×1012(Ω/squar
e)未満の範囲内となるように、適性に調節してもよ
い。
Further, according to the present invention, a surface active agent or moisture is attached to the surface of an insulating ceramic which has been conventionally used as a jig, so that the jig has a surface resistance of 1 × 10 6.
(Ω / square) or more and 1 × 10 12 (Ω / square)
e) It may be adjusted appropriately so as to fall within the range of less than e).

【0037】例えば図7に示す治具30にスライダバー
40をワックスを介して接合した状態で、前記スライダ
バー40を個々のスライダに切断した後、界面活性剤を
用いて前記スライダを治具30から取り外す。
For example, in a state where the slider bar 40 is bonded to the jig 30 shown in FIG. 7 via wax, the slider bar 40 is cut into individual sliders, and the slider is then attached to the jig 30 using a surfactant. Remove from

【0038】本発明では、界面活性剤が付着したままの
状態で、治具を保存し、あるいは、治具に水分や界面活
性剤を付着させて、前記治具の表面抵抗が、1×106
(Ω/square)以上1×1012(Ω/squar
e)未満の範囲内となるようにしている。
In the present invention, the surface resistance of the jig is reduced to 1 × 10 by storing the jig in a state where the surfactant remains attached, or by attaching moisture or a surfactant to the jig. 6
(Ω / square) or more and 1 × 10 12 (Ω / square)
e) It is set to be within the range below.

【0039】なお本発明は、薄膜素子を有するスライダ
を所定形状に形成する際に、前記スライダを保持する全
ての治具に適用される。
The present invention is applied to all jigs for holding the slider when the slider having the thin film element is formed in a predetermined shape.

【0040】例えば前記治具は、スライダを所定形状に
切断する際に、前記スライダを保持するためのものであ
ったり、あるいはスライダ表面に浮上面を形成する際
に、前記スライダを保持するためのものである。
For example, the jig is for holding the slider when cutting the slider into a predetermined shape, or for holding the slider when forming a floating surface on the slider surface. Things.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】図1は、ハードディスクなどに搭
載される本発明のスライダを記録媒体との対向面(AB
S面;浮上面)を上向きにして示した斜視図である。図
1に示したスライダ8は、アルミナ・チタンカーバイ
ト、またはSi(シリコン)などのセラミック材料によ
り形成されており、記録媒体であるハードディスクとの
対向部にエアーグルーブ9が形成され、その両側にレー
ル部10,10が形成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a slider of the present invention mounted on a hard disk or the like, which has a surface (AB) facing a recording medium.
FIG. 2 is a perspective view showing an S surface (floating surface) facing upward. The slider 8 shown in FIG. 1 is formed of a ceramic material such as alumina / titanium carbide or Si (silicon). Air grooves 9 are formed in a portion facing a hard disk as a recording medium, and on both sides thereof. Rail portions 10, 10 are formed.

【0042】図1に示すように、前記レール部10,1
0は所定のクラウン形状で形成されており、前記レール
部10,10の表面は、記録媒体との対向面(ABS
面;浮上面)11,11となっている。また、前記レー
ル部10,10のリーディング側A端部には傾斜部1
2,12が形成されている。スライダ8のトレーリング
側Aの端面(端部)には、薄膜素子13が設けられてい
る。前記薄膜素子13は、AMR素子やスピンバルブ型
薄膜素子などの磁気抵抗効果素子層を有する再生用のM
Rヘッドと、磁性材料のコアとコイルとで形成される記
録用のインダクティブヘッドとが積層されたものであ
る。
As shown in FIG. 1, the rail portions 10, 1
0 is formed in a predetermined crown shape, and the surfaces of the rail portions 10 and 10 are provided with a surface facing the recording medium (ABS).
Surface; air bearing surface) 11,11. An inclined portion 1 is provided at the leading end A of the rails 10 and 10.
2, 12 are formed. A thin film element 13 is provided on an end surface (end portion) of the slider 8 on the trailing side A. The thin film element 13 is a reproducing M layer having a magnetoresistive element layer such as an AMR element or a spin valve thin film element.
An R head, a recording inductive head formed of a magnetic material core and a coil are stacked.

【0043】図2は、記録用のMRヘッドの構造を示す
断面図ある。図2に示す符号1は、センダストやNi―
Fe系合金(パーマロイ)などにより形成された下部シ
ールド層である。なおこの下部シールド層1は、図1に
示すスライダ8のトレーリングB側の端面上に設けられ
ている。この下部シールド層1の上に、Al23(アル
ミナ)などの非磁性材料による下部ギャップ層6が形成
され、さらにその上に磁気抵抗効果素子層2が成膜され
る。
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a recording MR head. The symbol 1 shown in FIG.
The lower shield layer is made of an Fe-based alloy (Permalloy) or the like. The lower shield layer 1 is provided on the trailing B side end surface of the slider 8 shown in FIG. A lower gap layer 6 made of a non-magnetic material such as Al 2 O 3 (alumina) is formed on the lower shield layer 1, and a magnetoresistive element layer 2 is further formed thereon.

【0044】前記磁気抵抗効果素子層2は、AMR(am
isotropic magnetoresistive)素子やスピンバルブ膜に
代表されるGMR(giant magnetoresistive)素子から
成り、記録媒体からの漏れ磁界を抵抗変化としてとら
え、電圧変化として出力可能とする。前記磁気抵抗効果
素子2の両側には、縦バイアス層としてハードバイアス
層3が形成され、さらに前記ハードバイアス層3の上に
Cu(銅)、W(タングステン)などの電気抵抗の小さ
い非磁性導電性材料の導電層4が形成される。
The magnetoresistive element layer 2 is made of AMR (am
It is composed of an isotropic magnetoresistive (GMT) element and a GMR (giant magnetoresistive) element typified by a spin-valve film, and detects a leakage magnetic field from a recording medium as a resistance change, and can output it as a voltage change. On both sides of the magnetoresistive element 2, a hard bias layer 3 is formed as a vertical bias layer, and a nonmagnetic conductive material such as Cu (copper) or W (tungsten) having a low electric resistance is formed on the hard bias layer 3. A conductive layer 4 of a conductive material is formed.

【0045】そして、図2に示すように前記導電層4の
上には、アルミナなどの非磁性材料による上部ギャップ
層7が形成され、さらに前記上部ギャップ層7の上に
は、センダストやパーマロイなどによる上部シールド層
5が形成される。図1に示すスライダ8には、その下面
側、すなわち記録媒体との対向面(ABS面;浮上面)
の逆面側に、板ばね材料で形成されたフレキシャやロー
ドビームによる支持部材が取付けられ、磁気ヘッド装置
が完成する。前記磁気ヘッド装置は、CSS方式などに
よって作動するものであり、図1に示すスライダ8が記
録媒体から一定量浮上した状態で、薄膜素子13による
記録・再生が行われる。
Then, as shown in FIG. 2, an upper gap layer 7 made of a non-magnetic material such as alumina is formed on the conductive layer 4, and on the upper gap layer 7, sendust, permalloy or the like is formed. The upper shield layer 5 is formed. The slider 8 shown in FIG. 1 has a lower surface side, that is, a surface facing the recording medium (ABS surface; floating surface).
A support member such as a flexure or a load beam made of a leaf spring material is attached to the opposite side of the magnetic head device, thereby completing the magnetic head device. The magnetic head device operates according to the CSS system or the like, and performs recording / reproduction by the thin film element 13 in a state where the slider 8 shown in FIG.

【0046】ところで、図1に示すスライダ8は、その
母材となるセラミック材が、最初、円板状に形成され
る。その後、前記セラミック材の上に、薄膜素子13
が、並列に複数個パターン形成され、さらに前記セラミ
ック材が、スライス状に切断されると、図3に示すよう
なスライダバー14が、1つの円板状のセラミック材か
ら複数個形成される。なおこのとき、図3に示すよう
に、スライダバー14の端面には、複数個の薄膜素子1
3が成膜されている。
In the slider 8 shown in FIG. 1, a ceramic material as a base material is first formed in a disk shape. Thereafter, the thin film element 13 is placed on the ceramic material.
When a plurality of patterns are formed in parallel, and the ceramic material is cut into slices, a plurality of slider bars 14 as shown in FIG. 3 are formed from one disk-shaped ceramic material. At this time, as shown in FIG.
3 is formed.

【0047】図3に示す符号15は、前記スライダバー
14を個々のスライダ8に切断する際に、前記スライダ
バー14を保持するための治具である。この治具15に
は、その先端に段差部16が形成されている。図3に示
すように、前記段差部16には、複数個の溝部17が形
成されており、この溝部17が前記スライダバー14
を、例えば回転砥石で切断したときの、前記回転砥石の
逃げ溝となっている。前記スライダバー14を個々のス
ライダ8に切断する際には、前記治具15の段差部16
の接合面18に、例えばワックスなどを塗布し、前記ス
ライダバー14を、前記ワックスを介して治具15の接
合面18に接合する。
Reference numeral 15 shown in FIG. 3 is a jig for holding the slider bar 14 when the slider bar 14 is cut into individual sliders 8. The jig 15 has a step 16 at its tip. As shown in FIG. 3, the step 16 has a plurality of grooves 17 formed therein.
Is, for example, a relief groove of the rotary grindstone when cut with a rotary grindstone. When cutting the slider bar 14 into individual sliders 8, a step 16
The slider bar 14 is bonded to the bonding surface 18 of the jig 15 via the wax, for example, by applying wax or the like to the bonding surface 18.

【0048】図4は、スライダバー14が治具15に接
合された状態を示す平面図である。図4に示すように、
スライダバー14が治具15に接合されると、溝部17
に対して平行な矢印方向から、例えば回転砥石などによ
り、前記スライダバー14を個々のスライダ8に切断す
る。
FIG. 4 is a plan view showing a state where the slider bar 14 is joined to the jig 15. As shown in FIG.
When the slider bar 14 is joined to the jig 15, the groove 17
The slider bar 14 is cut into individual sliders 8 by, for example, a rotating grindstone from the direction of the arrow parallel to the slider bar 14.

【0049】ところで本発明では、前記治具15の表面
抵抗は、1×106以上1012未満(Ω/squar
e)の範囲内となっている。この範囲内であると、前記
治具15は、いわゆる半導電性の性質を有し、図4に示
すように、前記治具15にスライダバー14を接合した
とき、前記スライダバー14の端面に形成されている薄
膜素子13内の磁気抵抗効果素子層2(図2参照)を電
気的な破壊から防止することが可能である。
In the present invention, the surface resistance of the jig 15 is not less than 1 × 10 6 and less than 10 12 (Ω / square).
e). Within this range, the jig 15 has a so-called semi-conductive property. As shown in FIG. 4, when the slider bar 14 is joined to the jig 15, It is possible to prevent the magnetoresistive element layer 2 (see FIG. 2) in the formed thin film element 13 from being electrically damaged.

【0050】すなわち本発明では、前記治具15を、絶
縁体のように高い表面抵抗を有する材質で形成せず、前
記治具15の帯電を極力抑えることができるため、図2
に示す下部シールド層1、磁気抵抗効果素子層2、ハー
ドバイアス層3、導電層4、及び上部シールド層5に、
図5に示すような静電分極は発生しにくい。従って磁気
抵抗効果素子層2と、下部シールド層1との間、及び磁
気抵抗効果素子層2と上部シールド層5との間で、静電
分極による放電は起こらず、前記磁気抵抗効果素子層2
を保護することができる。
That is, in the present invention, the jig 15 is not formed of a material having a high surface resistance such as an insulator, and the charging of the jig 15 can be suppressed as much as possible.
The lower shield layer 1, the magnetoresistive element layer 2, the hard bias layer 3, the conductive layer 4, and the upper shield layer 5 shown in FIG.
Electrostatic polarization as shown in FIG. 5 does not easily occur. Therefore, no discharge occurs due to electrostatic polarization between the magnetoresistive element layer 2 and the lower shield layer 1 and between the magnetoresistive element layer 2 and the upper shield layer 5.
Can be protected.

【0051】また本発明では、前記治具15を、導電体
のように低い表面抵抗を有する材質で形成しないため、
図6に示すように帯電している絶縁層6,7に挟まれた
磁気抵抗効果素子層2、ハードバイアス層3、及び導電
層4に治具15が接触しても、従来のように磁気抵抗効
果素子層2に過大な電流が流れにくく、前記磁気抵抗効
果素子層2を保護することができる。
In the present invention, since the jig 15 is not formed of a material having a low surface resistance such as a conductor,
As shown in FIG. 6, even if the jig 15 comes into contact with the magnetoresistive element layer 2, the hard bias layer 3, and the conductive layer 4 sandwiched between the charged insulating layers 6 and 7, the magnetic field is maintained as in the related art. An excessive current does not easily flow through the resistance effect element layer 2, and the magnetoresistance effect element layer 2 can be protected.

【0052】本発明では、1×106(Ω/squar
e)以上1×1012(Ω/square)未満の範囲内
の表面抵抗を有する半導電性の材料として、まず導電性
のセラミックスを提示することができる。導電性のセラ
ミックスとしては、例えばZrO2−Y23、Bi23
−Y23、PbCl2、Li14Mg(GeO44、PbF
2、Li3N(単結晶)、Na−β−アルミナ(多結
晶)、7CuBr・C6124CH3Br、H3PW12
40・29H2O、Na−β−アルミナ(単結晶)、Rb
Ag45などに代表されるイオン導電体を例示できる。
In the present invention, 1 × 10 6 (Ω / square)
e) As a semiconductive material having a surface resistance in a range of not less than 1 × 10 12 (Ω / square), first, a conductive ceramic can be presented. Examples of conductive ceramics include ZrO 2 —Y 2 O 3 and Bi 2 O 3
-Y 2 O 3, PbCl 2, Li 14 Mg (GeO 4) 4, PbF
2 , Li 3 N (single crystal), Na-β-alumina (polycrystal), 7CuBr · C 6 H 12 N 4 CH 3 Br, H 3 PW 12 O
40 · 29H 2 O, Na-β-alumina (single crystal), Rb
An ionic conductor represented by Ag 4 I 5 or the like can be exemplified.

【0053】また本発明では、前記導電性のセラミック
スの他に、導電性のプラスチックを使用してもよい。導
電性のプラスチックとしては、例えばポリアセチレン、
ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリ−2.5−チュニ
レンビニレン、ポリ−p−フェニレン、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリイソチアナフテ
ン、ポリベリナフタレンなどに代表される導電性高分
子、プラスチックマトリクスにカーボンブラック、金属
粉末、あるいは金属メッキ無機物などの金属系フィラー
を複合した導電性フィラー、ポリエチレンオキサイド+
LiClO4(12:1)、γ線照射によるポリエチレ
ンオキサイド架橋体+LiClO4(1:8)、ポリプ
ロピレン+LiCF3SO3(9:1)、ポリエチレン・
アジペイ酸誘導体+LiCF3SO3(4:1)、ポリエ
チレン・コハク酸誘導体+LiB¢4(6:1)、ポリ
フォスファゼン(ME7P)+LiCF2SO3(16:
1)、ポリフォスゼン架橋体(1XMP)+LiCF3
SO3(32:1)、直錯状ポリシロキサン(PMM5
7)+LiClO4(25:1)、不飽和ウレタンを架
橋させたトリオール型ポリエチレンオキサイド+LiC
lO4(50:1)、3つの官能基を持つウレタンを架
橋させたPEO―PPO―PEOブロックコポリマー+
LiClO4(20:1)などのイオン伝導性高分子を
例示できる。
In the present invention, a conductive plastic may be used in addition to the conductive ceramic. As the conductive plastic, for example, polyacetylene,
Poly-p-phenylenevinylene, poly-2.5-tunylenevinylene, poly-p-phenylene, polypyrrole,
Conductive polymer represented by polythiophene, polyaniline, polyisothianaphthene, polyberinaphthalene, etc .; conductive filler in which metal matrix such as carbon black, metal powder or metal-plated inorganic substance is mixed with plastic matrix, polyethylene oxide +
LiClO 4 (12: 1), crosslinked polyethylene oxide by gamma irradiation + LiClO 4 (1: 8), polypropylene + LiCF 3 SO 3 (9: 1), polyethylene
Adipic acid derivative + LiCF 3 SO 3 (4: 1), polyethylene succinic acid derivative + LiB ¢ 4 (6: 1), polyphosphazene (ME7P) + LiCF 2 SO 3 (16:
1), crosslinked polyphosphene (1XMP) + LiCF 3
SO 3 (32: 1), linear complex polysiloxane (PMM5
7) + LiClO 4 (25: 1), triol-type polyethylene oxide cross-linked with unsaturated urethane + LiC
lO 4 (50: 1), 3 one was crosslinked urethane having a functional group PEO-PPO-PEO block copolymer +
An ion conductive polymer such as LiClO 4 (20: 1) can be exemplified.

【0054】また本発明では、治具15を従来と同様に
絶縁体で形成した場合であっても、前記治具15の表面
に、界面活性剤や水分を付着させておくことで、前記治
具15の表面抵抗を1×106(Ω/square)以
上1×1012(Ω/square)未満の範囲内とする
ことができる。
According to the present invention, even when the jig 15 is formed of an insulating material as in the prior art, the surface of the jig 15 is made to adhere to a surface active agent or moisture so that the jig 15 is formed. The surface resistance of the tool 15 can be in the range of 1 × 10 6 (Ω / square) or more and less than 1 × 10 12 (Ω / square).

【0055】また本発明では、スライダ8の製造工程で
使用される前記スライダ8を保持するための治具とし
て、図3に示すようなスライダバー14を個々のスライ
ダ8に切断する際に使用される治具15を挙げたが、本
発明は、薄膜素子13を有するスライダ8を保持するた
めの全ての治具に適用されるものである。
In the present invention, a jig for holding the slider 8 used in the manufacturing process of the slider 8 is used when the slider bar 14 as shown in FIG. The present invention is applied to all jigs for holding the slider 8 having the thin film element 13.

【0056】図3に示す治具15以外としては、例えば
図1に示すように、スライダ8表面にエアグルーブ9が
形成され、前記エアグルーブ9よりも一段高い位置に記
録媒体との対向面(ABS面;浮上面)11が形成され
ているが、このABS面11を形成する際に、前記スラ
イダ8の両側面を保持するための治具も、その表面抵抗
が1×106(Ω/square)以上1×1012(Ω
/square)未満の範囲内にしておく必要がある。
Except for the jig 15 shown in FIG. 3, for example, as shown in FIG. 1, an air groove 9 is formed on the surface of the slider 8, and the surface facing the recording medium (step) higher than the air groove 9 is formed. Although the ABS 11 is formed, a jig for holding both side surfaces of the slider 8 when forming the ABS 11 also has a surface resistance of 1 × 10 6 (Ω / Ω). square) or more and 1 × 10 12 (Ω)
/ Square).

【0057】以上のように本発明では、スライダ8を保
持する際に用いられる治具の表面抵抗を1×106(Ω
/square)以上1×1012(Ω/square)
未満の範囲内となるようにしているので、前記スライダ
の端面に形成された薄膜素子13内の金属層に、静電分
極が発生しにくく、従って静電分極によって起こる放電
や、過大な電流による磁気抵抗効果素子層2の破壊を防
止することができる。
As described above, in the present invention, the surface resistance of the jig used to hold the slider 8 is 1 × 10 6 (Ω)
/ Square) or more and 1 × 10 12 (Ω / square)
The electrostatic polarization is hardly generated in the metal layer in the thin film element 13 formed on the end face of the slider, and therefore, the discharge caused by the electrostatic polarization and the excessive current The destruction of the magnetoresistive element layer 2 can be prevented.

【0058】[0058]

【実施例】本発明では、導電性ジルコニア、絶縁性ジル
コニア、及びアルミナによって、スライダを保持するた
めの治具を作製し、各治具の表面抵抗、接地漏洩抵抗、
及び摩擦帯電圧を測定した。なお表面抵抗は、各治具の
表面に2つの導電性ゴムを有する測定電極を接触させた
状態で、前記測定電極間の抵抗を測定して行われた。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, jigs for holding a slider are made of conductive zirconia, insulating zirconia, and alumina, and the surface resistance, ground leakage resistance,
And the triboelectric voltage was measured. The surface resistance was measured by measuring the resistance between the measurement electrodes in a state where two measurement electrodes having conductive rubber were in contact with the surface of each jig.

【0059】また接地漏洩抵抗は、各治具の表面に導電
性ゴムを有する測定電極を接触させ、接地極をアースに
落した状態で、前記測定電極と接地極との間の抵抗を測
定して行われた。なお接地漏洩抵抗とは、物体自体の抵
抗、電極等の接地抵抗、接地抵抗等をすべて総合した、
物体と大地間の抵抗のことである。なお前記表面抵抗、
及び接地漏洩抵抗の測定は、測定電圧を15Vとして行
われた。
The ground leakage resistance is obtained by measuring the resistance between the measurement electrode and the ground electrode while the measurement electrode having conductive rubber is in contact with the surface of each jig and the ground electrode is dropped to the ground. Was done. The earth leakage resistance is the sum of the resistance of the object itself, the ground resistance of the electrodes, and the ground resistance.
The resistance between an object and the earth. The surface resistance,
The measurement of the ground leakage resistance was performed with the measurement voltage set to 15V.

【0060】また摩擦帯電圧は、布などによって、各治
具の表面をこすり、その後、非接触表面電位計によって
測定した。実験では、まず導電性ジルコニア、絶縁性ジ
ルコニア、及びアルミナによって形成された治具の表面
に、界面活性剤を塗布した状態(以下、IPA洗浄前と
いう)で、各治具における表面抵抗、接地漏洩抵抗、及
び摩擦帯電圧を測定した。次に、IPAによって、各治
具の表面から前記界面活性剤を洗い流し(以下、IPA
洗浄後という)、その後、各治具における表面抵抗、接
地漏洩抵抗、及び摩擦帯電圧を測定した。その実験結果
を表1ないし表3に示す。
The frictional charged voltage was measured by rubbing the surface of each jig with a cloth or the like, and then using a non-contact surface electrometer. In the experiment, first, the surface resistance of each jig and the ground leakage were measured in a state where a surfactant was applied to the surface of the jig formed of conductive zirconia, insulating zirconia, and alumina (hereinafter referred to as “before IPA cleaning”). The resistance and the triboelectric voltage were measured. Next, the surfactant is washed away from the surface of each jig by IPA (hereinafter referred to as IPA).
After that, the surface resistance, the ground leakage resistance, and the frictional charged voltage of each jig were measured. The experimental results are shown in Tables 1 to 3.

【0061】[0061]

【表1】 [Table 1]

【0062】表1に示すように、導電性ジルコニアで形
成された治具の場合、IPA洗浄前(界面活性剤が付着
した状態)、及びIPA洗浄後(界面活性剤が付着して
いない状態)のどちらの場合であっても、前記治具の表
面抵抗及び接地漏洩抵抗は1×106(Ω/squar
e)以上1×1012(Ω/square)未満の範囲内
となっている。また摩擦帯電圧は、IPA洗浄前、及び
IPA洗浄後のどちらの場合であっても0(V)となっ
ている。このため、例えば図3に示す治具15を、導電
性ジルコニアで形成すれば、界面活性剤を付着させても
付着させなくてもよい。
As shown in Table 1, in the case of a jig made of conductive zirconia, before IPA cleaning (in a state where a surfactant is attached) and after IPA cleaning (in a state where no surfactant is attached). In either case, the surface resistance and ground leakage resistance of the jig are 1 × 10 6 (Ω / square).
e) It is in the range of not less than 1 × 10 12 (Ω / square). Further, the friction band voltage is 0 (V) before and after the IPA cleaning. For this reason, for example, if the jig 15 shown in FIG. 3 is made of conductive zirconia, the surfactant may or may not be attached.

【0063】[0063]

【表2】 [Table 2]

【0064】[0064]

【表3】 [Table 3]

【0065】次に表2及び表3に示すように、絶縁性ジ
ルコニア及びアルミナで形成された治具の場合、界面活
性剤が付着している状態での前記治具の表面抵抗及び接
地漏洩抵抗は、1×106(Ω/square)以上1
×1012(Ω/square)未満の範囲内となってい
る。また摩擦帯電圧も比較的低い値となっていることが
わかる。
Next, as shown in Tables 2 and 3, in the case of a jig made of insulating zirconia and alumina, the surface resistance and the ground leakage resistance of the jig in a state where the surfactant is attached. Is 1 × 10 6 (Ω / square) or more and 1
It is within the range of less than × 10 12 (Ω / square). It can also be seen that the friction band voltage has a relatively low value.

【0066】これに対し、IPAで界面活性剤を除去し
た後の前記治具の表面抵抗及び接地漏洩抵抗は、1×1
12(Ω/square)よりも大きくなっており、摩
擦帯電圧も、IPA洗浄前に比べて高い値となっている
ことがわかる。すなわち、絶縁性ジルコニア及びアルミ
ナなどの絶縁体で、例えば図3に示す治具15を形成し
た場合、前記治具15に界面活性剤を付着させて使用す
れば、、前記治具15の表面抵抗を1×106(Ω/s
quare)以上1×1012(Ω/square)未満
の範囲内に収めることができる。
On the other hand, the surface resistance and the ground leakage resistance of the jig after removing the surfactant by IPA were 1 × 1.
0 12 (Ω / square), indicating that the frictional band voltage is also higher than before the IPA cleaning. That is, for example, when the jig 15 shown in FIG. 3 is formed of an insulator such as insulating zirconia and alumina, the surface resistance of the jig 15 can be obtained by attaching a surfactant to the jig 15. To 1 × 10 6 (Ω / s
(quare) or more and less than 1 × 10 12 (Ω / square).

【0067】[0067]

【発明の効果】以上詳述したように本発明では、薄膜素
子を有するスライダを所定形状に形成する際に、前記ス
ライダを保持するための治具の表面抵抗を、1×106
(Ω/square)以上1×1012(Ω/squar
e)未満の範囲内にしているので、前記薄膜素子内の金
属層に静電分極は発生しにくく、従って従来のように、
金属層間での放電や、過大な電流による磁気抵抗効果素
子層の破壊を防止することができる。
As described above in detail, according to the present invention, when a slider having a thin film element is formed in a predetermined shape, the surface resistance of a jig for holding the slider is set to 1 × 10 6.
(Ω / square) or more and 1 × 10 12 (Ω / square)
e), the electrostatic polarization is hardly generated in the metal layer in the thin film element.
Discharge between the metal layers and destruction of the magnetoresistive element layer due to excessive current can be prevented.

【0068】本発明では前記治具を、例えば導電性のセ
ラミックスで形成し、あるいは導電性のプラスチックで
形成する。
In the present invention, the jig is formed of, for example, conductive ceramics or conductive plastic.

【0069】さらに本発明では、従来から治具として使
用されている絶縁体の表面に、界面活性剤や水分を付着
させて、治具の表面抵抗を1×106(Ω/squar
e)以上1×1012(Ω/square)未満の範囲内
にすることも可能である。
Further, according to the present invention, a surface active agent or moisture is attached to the surface of an insulator conventionally used as a jig to reduce the surface resistance of the jig to 1 × 10 6 (Ω / square).
e) It is also possible to set it within the range of not less than 1 × 10 12 (Ω / square).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ハードディスクなどに搭載される本発明のスラ
イダを記録媒体との対向面(ABS面;浮上面)を上向
きにして示した斜視図、
FIG. 1 is a perspective view showing a slider of the present invention mounted on a hard disk or the like with a surface facing a recording medium (ABS surface; floating surface) facing upward;

【図2】記録用のMRヘッドの構造を示す断面図、FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a recording MR head.

【図3】1実施例として、スライダバーを保持するため
の治具の構造を示す斜視図、
FIG. 3 is a perspective view showing a structure of a jig for holding a slider bar as one embodiment;

【図4】図3に示す治具とスライダバーとの接合状態を
示す平面図、
FIG. 4 is a plan view showing a joint state between the jig and the slider bar shown in FIG. 3;

【図5】薄膜素子を有するスライダと絶縁体の治具とが
接合された場合における、前記薄膜素子内の金属層の電
荷の分布を示す模式図、
FIG. 5 is a schematic diagram showing a distribution of charges of a metal layer in the thin film element when a slider having a thin film element and an insulator jig are joined;

【図6】薄膜素子を有するスライダと導電体の治具とが
接合された場合における、前記薄膜素子内の金属層と絶
縁層との電荷の分布を示す模式図、
FIG. 6 is a schematic diagram showing a distribution of electric charge between a metal layer and an insulating layer in the thin film element when a slider having a thin film element and a conductor jig are joined;

【図7】従来の治具に、スライダバーが接合された状態
を示す斜視図、
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which a slider bar is joined to a conventional jig;

【図8】図7の平面図、8 is a plan view of FIG. 7,

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 下部シールド層 2 磁気抵抗効果素子層 3 ハードバイアス層 4 導電層 5 上部シールド層 6 下部ギャップ層 7 上部ギャップ層 8 スライダ 9 エアグルーブ 10 レール部 11 対向面(ABS面;浮上面) 12 傾斜面 13 薄膜素子 14 スライダバー 15 治具 16 段差部 17 溝部 18 接合面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower shield layer 2 Magnetoresistive element layer 3 Hard bias layer 4 Conductive layer 5 Upper shield layer 6 Lower gap layer 7 Upper gap layer 8 Slider 9 Air groove 10 Rail part 11 Opposing surface (ABS surface; air bearing surface) 12 Slope 13 Thin film element 14 Slider bar 15 Jig 16 Step 17 Groove 18 Joining surface

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 記録/再生用の薄膜素子を有するスライ
ダを、所定形状に形成する際に用いられる治具であっ
て、前記治具の表面抵抗は、1×106(Ω/squa
re)以上1×1012(Ω/square)未満の範囲
内であることを特徴とするスライダ製造用治具。
1. A jig used for forming a slider having a thin film element for recording / reproducing into a predetermined shape, wherein the jig has a surface resistance of 1 × 10 6 (Ω / square).
j) A jig for manufacturing a slider, wherein the jig is in a range of at least re) and less than 1 × 10 12 (Ω / square).
【請求項2】 前記治具は、半導電性のセラミックスで
形成されている請求項1記載のスライダ製造用治具。
2. The slider manufacturing jig according to claim 1, wherein said jig is formed of semiconductive ceramics.
【請求項3】 前記治具は、半導電性のプラスチックで
形成されている請求項1記載のスライダ製造用治具。
3. The slider manufacturing jig according to claim 1, wherein said jig is formed of semiconductive plastic.
【請求項4】 前記治具は、絶縁体の表面に界面活性剤
を付着して形成される請求項1記載のスライダ製造用治
具。
4. The jig for manufacturing a slider according to claim 1, wherein the jig is formed by attaching a surfactant to a surface of an insulator.
【請求項5】 前記治具は、絶縁体の表面に水分を付着
して形成される請求項1記載のスライダ製造用治具。
5. The slider manufacturing jig according to claim 1, wherein said jig is formed by attaching moisture to a surface of an insulator.
【請求項6】 前記治具は、スライダバーを個々のスラ
イダに切断する際に、前記スライダバーを保持するため
のものである請求項1ないし請求項5のいずれかに記載
のスライダ製造用治具。
6. The slider manufacturing jig according to claim 1, wherein the jig is for holding the slider bar when the slider bar is cut into individual sliders. Utensils.
【請求項7】 前記治具は、スライダ表面に浮上面を形
成する際に、前記スライダを保持するためのものである
請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のスライダ製
造用治具。
7. The slider manufacturing jig according to claim 1, wherein the jig is for holding the slider when forming a floating surface on the slider surface.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091146B2 (en) 2002-09-12 2006-08-15 Sodick Co., Ltd. Enhanced ceramic material for precision alignment mechanism

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US7091146B2 (en) 2002-09-12 2006-08-15 Sodick Co., Ltd. Enhanced ceramic material for precision alignment mechanism

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