JP2000322716A - Magneto-resistance effect type magnetic head and its manufacture - Google Patents

Magneto-resistance effect type magnetic head and its manufacture

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JP2000322716A
JP2000322716A JP11234136A JP23413699A JP2000322716A JP 2000322716 A JP2000322716 A JP 2000322716A JP 11234136 A JP11234136 A JP 11234136A JP 23413699 A JP23413699 A JP 23413699A JP 2000322716 A JP2000322716 A JP 2000322716A
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fuse
current
head
electrode pads
shield
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Chiharu Mitsumata
千春 三俣
Osamu Shimoe
治 下江
Satoshi Meguro
怜 目黒
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Hitachi Metals Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dielectric breakdown by electrically conducting one of the electrode films for guiding an electric current to a reproducing element, to a shield through a fuse to be melted and by releasing a short-circuit in an arbitrary process. SOLUTION: In the manufacturing process of a reproducing element, the electrode films 6a, 6b formed at both ends of a SAL bias type MR element 5 are connected to conductive films 6c, 6d respectively through fuses 5a, 5b. The conductive films 6c, 6d are connected to a bottom shield and a mid shield respectively through contacting terminals 9a, 9b. The electrode films 6a, 6b are provided with terminals 10a, 10b. These terminals 9a, 9b, 10a, 10b are each connected to an electrode pad formed by plating. By a fuse melting device, the fuse 5b is melted by causing an electric current to flow in such route as the terminal 9b/fuse 5b/terminal 10b, while the fuse 5a in such route as the terminal 9a/fuse 5a/terminal 10a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は記録ヘッドと再生ヘ
ッドを具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関し、特に
静電気による再生素子の破壊を防止する構造を設けた磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive magnetic head having a recording head and a reproducing head, and more particularly to a magnetoresistive magnetic head provided with a structure for preventing a reproducing element from being damaged by static electricity.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードディスク装置の記録密度は年々高
くなっており、使われる磁気ヘッドは誘導型ヘッドから
記録再生分離型ヘッドに急速に置き換わっている。記録
再生分離型ヘッドは再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドを
有する。この再生ヘッドには、磁気抵抗効果を有する再
生素子が用いられている。この特徴から記録再生分離型
ヘッドは、磁気抵抗効果型磁気ヘッドと呼ばれている。
以下、磁気抵抗効果を有する再生素子をMR素子と呼称
し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドをMRヘッドと呼称す
る。図19に従来のMRヘッドの一例を断面図で示す。
また、図20に従来のMRヘッドの一例を斜視図で説明
する。
2. Description of the Related Art The recording density of hard disk drives has been increasing year by year, and the magnetic heads used have rapidly been replaced by inductive heads with separate recording / reproducing heads. The recording / reproducing separation type head has a reproducing head and an inductive recording head. This reproducing head uses a reproducing element having a magnetoresistance effect. Because of this feature, the read / write separation type head is called a magnetoresistive effect type magnetic head.
Hereinafter, the reproducing element having the magnetoresistive effect is referred to as an MR element, and the magnetoresistive head is referred to as an MR head. FIG. 19 is a sectional view showing an example of a conventional MR head.
FIG. 20 is a perspective view illustrating an example of a conventional MR head.

【0003】図20では、アルミナ・チタンカーバイド
などで作られた非磁性基板95の上に、アルミナの絶縁
膜96、下部シールド94、絶縁膜、MR素子102、
絶縁膜、下部磁極としての機能を有する中間シールド9
3、記録ギャップとなる絶縁膜、上部磁極104を持
つ。下部シールド94、MR素子102、中間シールド
93の各々の間を絶縁する絶縁膜は図示を省略している
が、実際には各々の膜の間に充填されるものである。中
間シールド93と上部磁極104の間には、絶縁膜(記
録ギャップ)を有しており、誘導型記録ヘッドの磁気的
なギャップとして機能する。さらに、中間シールドと上
部磁極の間には絶縁膜を介して薄膜コイル100が取り
巻くように配置されている。また、中間シールド93と
下部シールド94は磁気シールドとして用いられる薄膜
であり、両者の間には、MR素子102と電極膜103
とバイアス膜101を包む絶縁膜からなる再生ギャップ
が設けられ、再生ヘッドの磁気的なギャップとしても機
能する。図19は、図20のような従来のMRヘッドを
媒体対向面からみたときの一部断面図に相当する。媒体
対向面は図中の矢印xに垂直な面(Y−Z平面)に相当
する。以下、磁気シールドとして機能する薄膜をシール
ドと呼称する。
In FIG. 20, an alumina insulating film 96, a lower shield 94, an insulating film, an MR element 102, and a nonmagnetic substrate 95 made of alumina / titanium carbide or the like are provided.
Intermediate shield 9 having a function as an insulating film and a lower magnetic pole
3. It has an insulating film serving as a recording gap and an upper magnetic pole 104. Although an insulating film for insulating between the lower shield 94, the MR element 102, and the intermediate shield 93 is not shown, it is actually filled between the respective films. An insulating film (recording gap) is provided between the intermediate shield 93 and the upper magnetic pole 104, and functions as a magnetic gap of the inductive recording head. Further, a thin-film coil 100 is arranged between the intermediate shield and the upper magnetic pole via an insulating film. The intermediate shield 93 and the lower shield 94 are thin films used as magnetic shields, and have an MR element 102 and an electrode film 103 therebetween.
And a reproducing gap formed of an insulating film surrounding the bias film 101, and also functions as a magnetic gap of the reproducing head. FIG. 19 is a partial cross-sectional view of the conventional MR head as shown in FIG. 20 when viewed from the medium facing surface. The medium facing surface corresponds to a plane (YZ plane) perpendicular to the arrow x in the figure. Hereinafter, a thin film that functions as a magnetic shield is referred to as a shield.

【0004】図20で説明したようなMRヘッドは、ウ
ェファと呼ばれる基板上に薄膜を積層することで、数千
個以上の数で形成される。このウェファを1個のMRヘ
ッドを付けた基板に切り分ける。基板においてMRヘッ
ドの媒体対向面と同一平面上に一致するように浮上面を
加工してスライダーを構成する。従って、MRヘッドの
製造工程は、薄膜を積層するウェファ工程と、このウェ
ファを切断し、浮上面を形成するスライダー工程とに大
別できる。さらに、スライダーはジンバルというサスペ
ンションに支持されて、ハードディスク装置に備えられ
る。ハードディスク装置において、支持されたスライダ
ーは回転する磁気ディスクの上を浮上して、MRヘッド
によって磁気的な情報の記録と再生を行う用途に用いら
れている。
The MR head described with reference to FIG. 20 is formed by laminating thin films on a substrate called a wafer, and is formed in a number of thousands or more. The wafer is cut into substrates each having one MR head. The slider is formed by processing the air bearing surface of the substrate so as to be flush with the medium facing surface of the MR head. Therefore, the manufacturing process of the MR head can be roughly classified into a wafer process for laminating thin films and a slider process for cutting the wafer to form a floating surface. Further, the slider is supported by a suspension called a gimbal and provided in a hard disk drive. In a hard disk drive, a supported slider flies above a rotating magnetic disk and is used for recording and reproducing magnetic information with an MR head.

【0005】MRヘッドの分野では、帯電防止に係る技
術として次のものが挙げられる。特開平9−91623
号公報には、MR素子を介さずに一対の電極間を短絡す
る短絡回路を設けたMRヘッドが開示されている。この
公報の図面には、変形させたシールドの凸部を直接に電
極膜に接合させる構造が記載されている。また、特開平
8−167123号公報には、複数のヘッド素子を電極
膜や上シールドや下シールドと電気的に接続して基板上
に形成し、形成された素子を1個づつ切り離す磁気ヘッ
ドの製造方法が開示されている。特開平10−2473
07号公報には、リードとシールドを電気的に接続する
抵抗素子を有する磁気ヘッドが開示されている。この抵
抗素子の電気抵抗値は100[kΩ]〜数[MΩ]とい
う範囲内の高い値に設定されている。
In the field of MR heads, the following techniques are known as antistatic techniques. JP-A-9-91623
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. Hei 11 (1995) discloses an MR head provided with a short circuit that short-circuits a pair of electrodes without using an MR element. The drawing of this publication describes a structure in which the deformed convex portion of the shield is directly joined to the electrode film. JP-A-8-167123 discloses a magnetic head in which a plurality of head elements are electrically connected to an electrode film, an upper shield and a lower shield, formed on a substrate, and the formed elements are separated one by one. A manufacturing method is disclosed. JP-A-10-2473
No. 07 discloses a magnetic head having a resistance element for electrically connecting a lead and a shield. The electric resistance value of this resistance element is set to a high value within the range of 100 [kΩ] to several [MΩ].

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】MRヘッドは磁性材料
や金属材料で構成した薄膜を用いている。これらの薄膜
は製造工程において帯電し易い。MRヘッドの小型化に
伴って、薄膜の厚さがより薄くなると、静電破壊が起こ
りやすくなる。特に再生素子とシールドの間で静電破壊
が起きて、MRヘッドにダメージを与える。静電破壊と
は、帯電した薄膜と他の薄膜の間の電位差が大きくなる
と、薄膜間に配置した薄い絶縁膜や薄膜自体に過剰な電
流が流れ、破壊される現象をいう。静電破壊は絶縁破壊
とも呼称される。従来のMRヘッドには、再生素子とシ
ールド間の静電破壊を防止すべく、短絡などを行ってい
るものもある。しかし、MRヘッドの製造工程にわたっ
て効果的な静電破壊防止を図るには至っていない。
The MR head uses a thin film made of a magnetic material or a metal material. These thin films are easily charged in the manufacturing process. As the thickness of the thin film becomes thinner with the miniaturization of the MR head, electrostatic breakdown easily occurs. In particular, electrostatic breakdown occurs between the read element and the shield, damaging the MR head. Electrostatic breakdown refers to a phenomenon in which when a potential difference between a charged thin film and another thin film increases, an excessive current flows through a thin insulating film disposed between the thin films or the thin film itself, and the thin film is destroyed. Electrostatic breakdown is also called dielectric breakdown. Some conventional MR heads are short-circuited or the like in order to prevent electrostatic breakdown between the reproducing element and the shield. However, effective prevention of electrostatic breakdown has not yet been achieved throughout the manufacturing process of the MR head.

【0007】従来技術の特開平9−91623号公報や
特開平8−167123号公報は、再生素子の電極とシ
ールド間を短絡している。しかしながら、この短絡の回
路を機械加工で切断しなくてはならず、切断のタイミン
グはウェファを切断する工程に制限されてしまう。ま
た、従来技術の特開平10−247307号公報は、短
絡回路の機械的な切断を行わないが、電気抵抗値の高い
抵抗素子を残留させている。この残留させた抵抗素子が
再生素子にノイズをもたらす並列回路となってしまう。
そこで、本発明の目的は、短絡回路の開放をウェファや
スライダーの切断工程に依存することなく、静電破壊を
防止するMRヘッドを提供することにある。
In the prior arts of JP-A-9-91623 and JP-A-8-167123, the electrode of the reproducing element and the shield are short-circuited. However, the short circuit must be cut by machining, and the timing of cutting is limited to the step of cutting the wafer. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-247307 does not mechanically cut a short circuit, but leaves a resistive element having a high electric resistance value. The remaining resistance element becomes a parallel circuit that causes noise to the reproduction element.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an MR head which prevents electrostatic breakdown without depending on the step of cutting a wafer or a slider to open a short circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のMRヘッドは、
磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜を介して2つの
シールドの間に設けられたMRヘッドにおいて、前記再
生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一つが、
溶断するヒューズを介して前記シールドと電気的に導通
していることを特徴とする。ここで前記電流は再生素子
から出力を得るために流すものである。この磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを製造する際に、前記ヒューズに電気的
なパルスを供給することによって前記ヒューズを溶断す
ることができる。また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を製造する際に、レーザーを前記ヒューズに照射するこ
とによって前記ヒューズを溶断することができる。
An MR head according to the present invention comprises:
In an MR head in which a reproducing element having a magnetoresistive effect is provided between two shields via an insulating film, at least one of an electrode film for guiding a current to the reproducing element has
It is characterized by being electrically connected to the shield via a fuse to be blown. Here, the current flows to obtain an output from the reproducing element. When manufacturing the magneto-resistance effect type magnetic head, the fuse can be blown by supplying an electric pulse to the fuse. Further, when manufacturing the magneto-resistance effect type magnetic head, the fuse can be blown by irradiating the fuse with the laser.

【0009】本発明の他のMRヘッドは、磁気抵抗効果
を有する再生素子が絶縁膜を介して2つのシールドの間
に設けられた構造を有し、前記再生素子に電流を導くた
めの電極膜の少なくとも一つが、溶断するヒューズを介
して前記シールドと電気的に導通している構造を有する
MRヘッドであって、前記ヒューズが溶断された残痕を
有することを特徴とする。ここで残痕とは、溶断されて
主要部の接続が切れたヒューズ、溶解されたヒューズの
断片、ヒューズを被覆していた絶縁膜に残った溝または
孔または切り欠き、前記の溝に膜として付着したヒュー
ズ材料、電極膜あるいはシールドにバリの様にくっつい
たヒューズの溶け残り等も含む。また、ヒューズの大部
分が溶解されているが、非常に細い線としてヒューズの
接続が残っている状態も残痕と称す。この場合の残痕
は、ヒューズの抵抗値が1[MΩ]以上であって、実質
的にヒューズを介して分流する電流が無視できる状態で
ある。
Another MR head of the present invention has a structure in which a reproducing element having a magnetoresistive effect is provided between two shields via an insulating film, and an electrode film for guiding a current to the reproducing element. At least one of the MR heads has a structure in which the fuse is electrically connected to the shield via a fuse to be blown, wherein the fuse has a residual mark that has been blown. Here, the residue means a fuse that has been blown to disconnect the main part, a fragment of the melted fuse, a groove or a hole or a notch remaining in the insulating film covering the fuse, and a film in the groove. It also includes the adhered fuse material, undissolved fuses attached to the electrode film or shield like burrs, and the like. A state in which most of the fuse is melted but the connection of the fuse remains as a very thin line is also referred to as a residual mark. The residue in this case is a state where the resistance value of the fuse is 1 [MΩ] or more and the current shunted through the fuse can be substantially ignored.

【0010】本発明の他のMRヘッドは、再生素子ある
いは記録素子に外部から通電するため、少なくとも4個
以上の電極パッドを有し、前記電極パッドの内少なくと
も2つの電極パッドの間に電流あるいは電圧を加えるこ
とにより、前記2つの電極パッドに接続されたヒューズ
が溶断されることを特徴とする。なお前記電極パッドと
ヒューズの接続は、直接な接続あるいは他の導電性の部
材を介した間接的な接続のどちらでもよい。
Another MR head according to the present invention has at least four or more electrode pads for externally supplying current to a reproducing element or a recording element, and a current or current is supplied between at least two of the electrode pads. By applying a voltage, a fuse connected to the two electrode pads is blown. The connection between the electrode pad and the fuse may be either a direct connection or an indirect connection via another conductive member.

【0011】また、本発明の他のMRヘッドは、記録素
子に通電する電極パッドと再生素子に通電する電極パッ
ドとを合わせてM個有し、ヒューズへの通電またはヒュ
ーズの検査に用いる電極パッドをN個有し、Mが4個以
上であり、Nが2個以上である。ヒューズへの通電また
は検査の際には、N個の内の1個の電極パッドと、M個
の内の1個の電極パッドの間に電流を流す。
Another MR head according to the present invention has a total of M electrode pads for energizing a recording element and an electrode pad for energizing a reproducing element, and is used for energizing a fuse or inspecting a fuse. , M is 4 or more, and N is 2 or more. When the fuse is energized or tested, a current is applied between one of the N electrode pads and one of the M electrode pads.

【0012】例えば、スピンバルブ型MRヘッドはM≧
4かつN≧2であり、トンネル接合型MRヘッドはM≧
4かつN≧2である。なお、Mの値には、スライダーの
研磨量の測定、スライダーまたはMR素子の歪みの測
定、スライダーまたはMR素子の温度の測定などに係わ
る測定素子であって、MRヘッドに併設された測定素子
に接続した電極パッドを含んでもよい。
For example, for a spin valve type MR head, M ≧
4 and N ≧ 2, and the tunnel junction type MR head has M ≧
4 and N ≧ 2. The value of M is a measuring element related to measurement of the amount of polishing of the slider, measurement of the distortion of the slider or the MR element, measurement of the temperature of the slider or the MR element, and the like. It may include connected electrode pads.

【0013】本発明の他のMRヘッドは、再生素子ある
いは記録素子に外部から通電するため、少なくとも4個
以上の電極パッドを有し、前記電極パッドの内少なくと
も2つの電極パッドの間に電流あるいは電圧を加えるこ
とにより、前記2つの電極パッドに接続されたヒューズ
を溶断することが可能なMRヘッドであって、前記ヒュ
ーズが溶断された残痕を有することを特徴とする。
Another MR head of the present invention has at least four or more electrode pads in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element, and a current or current is supplied between at least two of the electrode pads. An MR head capable of blowing a fuse connected to the two electrode pads by applying a voltage, wherein the fuse has a blown residue.

【0014】本発明の他のMRヘッドは、再生素子ある
いは記録素子に外部から通電するため、少なくとも4個
以上の電極パッドを有し、前記4個以上の電極パッドの
内、少なくとも2個以上が再生素子に接続されており、
前記電極パッドの内少なくとも2つの電極パッドの間に
電流あるいは電圧を加えることにより、前記2つの電極
パッドに接続されたヒューズが溶断されることを特徴と
する。
Another MR head of the present invention has at least four or more electrode pads in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element, and at least two or more of the four or more electrode pads are used. Connected to the playback element,
A fuse connected to the two electrode pads is blown by applying a current or a voltage between at least two of the electrode pads.

【0015】本発明のMRヘッドの製造方法は、再生素
子あるいは記録素子に外部から通電するため、少なくと
も4個以上の電極パッドを有し、前記電極パッドの内少
なくとも2つの電極パッドの間に電流あるいは電圧を加
えることにより、前記2つの電極パッドに接続されたヒ
ューズが溶断されるMRヘッドの製造方法で、MRヘッ
ドを製造する途中の工程あるいは製造工程終了後に電流
パルスまたは電圧パルスを用いて前記ヒューズを溶断
し、その後に前記再生素子と前記シールドの間の短絡あ
るいは絶縁耐圧を検査することを特徴とする。
According to the method of manufacturing an MR head of the present invention, at least four or more electrode pads are provided in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element, and a current is supplied between at least two of the electrode pads. Alternatively, by applying a voltage, in a method of manufacturing an MR head in which a fuse connected to the two electrode pads is blown, a current pulse or a voltage pulse is used by using a current pulse or a voltage pulse during the process of manufacturing the MR head or after the manufacturing process is completed. The method is characterized in that a fuse is blown, and thereafter, a short circuit or a withstand voltage between the read element and the shield is inspected.

【0016】ここで、MRヘッドを製造する途中の工程
とは、例えばMRヘッドを設けたウェファからローバー
やスライダーを切り出す工程、ローバーからスライダー
を切り出す工程などが挙げられる。もちろん、製造する
途中の工程あるいは製造工程終了後の任意の機会にヒュ
ーズの溶断を行うことも可能である。これらの工程で
は、外形あるいは外観を変えることなく、ヒューズを溶
断する。
Here, the steps in the course of manufacturing the MR head include, for example, a step of cutting a row bar or a slider from a wafer provided with the MR head, a step of cutting a slider from the row bar, and the like. Of course, the fuse can be blown at any time during the manufacturing process or at any time after the end of the manufacturing process. In these steps, the fuse is blown without changing the outer shape or appearance.

【0017】本発明の他のMRヘッドの製造方法は、磁
気抵抗効果を有する再生素子が、絶縁膜を介して2つの
シールドの間に設けられた構造を有し、前記再生素子に
電流を導くための電極膜の少なくとも一つが、溶断する
ヒューズを介して前記シールドと電気的に導通している
構造を有するMRヘッドの製造方法で、MRヘッドを製
造する途中の工程あるいは製造工程終了後に電流パルス
または電圧パルスを用いて前記ヒューズを溶断すること
を特徴とする。さらに、その後に前記再生素子と前記シ
ールドの間の短絡あるいは絶縁耐圧を検査することが望
ましい。
According to another MR head manufacturing method of the present invention, a reproducing element having a magnetoresistive effect has a structure provided between two shields via an insulating film, and a current is led to the reproducing element. Method for manufacturing an MR head having a structure in which at least one of the electrode films is electrically connected to the shield via a fuse that is blown. Alternatively, the fuse is blown using a voltage pulse. Further, it is desirable that a short circuit or a withstand voltage between the read element and the shield be inspected thereafter.

【0018】本発明の他のMRヘッドの製造方法は、再
生素子あるいは記録素子に外部から通電するため、少な
くとも4個以上の電極パッドを有し、前記電極パッドの
内少なくとも2つの電極パッドの間に電流あるいは電圧
を加えることにより、前記2つの電極パッドに接続され
たヒューズを溶断することが可能で、前記ヒューズが溶
断された残痕を有することを特徴とするMRヘッドの製
造方法であって、MRヘッドを製造する途中の工程ある
いは製造工程終了後に電流パルスまたは電圧パルスを用
いて前記ヒューズを溶断し、その後に前記再生素子と前
記シールドの間の短絡あるいは絶縁耐圧を検査すること
を特徴とする。
According to another method of manufacturing an MR head of the present invention, at least four or more electrode pads are provided in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element, and between at least two of the electrode pads. A fuse connected to the two electrode pads can be blown by applying a current or a voltage to the fuse, and the fuse has a blown residue. Melting the fuse using a current pulse or a voltage pulse during a process of manufacturing the MR head or after completion of the manufacturing process, and thereafter inspecting a short circuit or a dielectric strength between the reproducing element and the shield. I do.

【0019】上記の本発明によれば、MR素子と同時に
薄膜で構成したヒューズを形成できる。すなわち、製造
工程を増やさなくとも、レチクルを交換するだけでヒュ
ーズとなる薄膜あるいは多層膜を形成できる。レチクル
とは、薄膜の形成に用いるフォトリソグラフィーという
工程で使用するフォトマスクのことである。
According to the present invention, a fuse formed of a thin film can be formed simultaneously with the MR element. That is, a thin film or a multilayer film serving as a fuse can be formed simply by replacing the reticle without increasing the number of manufacturing steps. The reticle is a photomask used in a process called photolithography used for forming a thin film.

【0020】本発明では、再生素子の両側に配置された
電極膜から導電性部材(ヒューズ)を介してシールドに
接地を行う。接地とは、電気的に導通させることをい
う。後でこの導電性部材を切断する必要があるため、本
発明では導電性部材がヒューズの役割を果たすように形
状や電気抵抗を設計する。ただし、ヒューズの切断に際
して再生素子にダメージを与えることを避けるため、ヒ
ューズを含む電気回路に電流を流すときに、ヒューズで
消費される電力が、その他の部材(再生素子を含む)で
消費される電力より大きくなるようにする。よって、ヒ
ューズの電気抵抗値が再生素子の電気抵抗値よりも大き
く設定されていることが望ましい。
In the present invention, the shield is grounded from the electrode films arranged on both sides of the read element via a conductive member (fuse). Grounding refers to electrical conduction. Since it is necessary to cut the conductive member later, in the present invention, the shape and the electric resistance are designed so that the conductive member functions as a fuse. However, in order to avoid damaging the read element when the fuse is blown, the power consumed by the fuse is consumed by other members (including the read element) when a current is supplied to an electric circuit including the fuse. Make it larger than the power. Therefore, it is desirable that the electric resistance value of the fuse is set to be larger than the electric resistance value of the reproducing element.

【0021】ヒューズとなる導電性部材の電気抵抗を再
生素子の電気抵抗より大きくするために、MR素子より
幅の狭いヒューズを用いることが望ましい。ここでいう
幅とは、電流を流す方向に対して垂直な向きの幅であ
る。幅を狭くすることで、MR素子と同じ膜構成、同じ
組成で構成したとしても、MR素子に比べてヒューズの
電気抵抗を大きくすることができる。従って、MR素子
を介してヒューズに電流を流した時に、ヒューズの電気
抵抗値をMR素子よりも大きくすると、ヒューズが先に
加熱され溶断するが、MR素子は過剰に加熱されること
なく、ダメージを受けない。MR素子よりもヒューズの
電気抵抗値を小さくするために、選択的なエッチングで
ヒューズを削って薄くする方法を用いてもよい。なお、
MR素子を介さないでヒューズに電流パルスを流す場合
には、MR素子の電気抵抗がヒューズの電気抵抗より大
きくても問題にはならない。
In order to make the electric resistance of the conductive member serving as the fuse larger than the electric resistance of the reproducing element, it is desirable to use a fuse narrower than the MR element. Here, the width is a width in a direction perpendicular to the direction in which the current flows. By reducing the width, the electrical resistance of the fuse can be increased as compared with the MR element, even if the fuse has the same film configuration and the same composition as the MR element. Therefore, if the electric resistance of the fuse is made larger than that of the MR element when a current flows through the fuse through the MR element, the fuse is heated first and blows, but the MR element is not overheated and damaged. Not receive. In order to make the electric resistance of the fuse smaller than that of the MR element, a method of shaving the fuse by selective etching to reduce the thickness may be used. In addition,
When a current pulse is supplied to the fuse without passing through the MR element, there is no problem even if the electric resistance of the MR element is larger than the electric resistance of the fuse.

【0022】再生素子(MR素子)のシールドに対する
電気的な接続は、再生素子とシールド間に電位差が生じ
ることを防止し、再生素子とシールドの間の静電破壊に
起因して再生素子に電流が流れる現象を制御するもので
ある。この技術は、特に再生素子の静電破壊に対して有
効な防止手段となり、MRヘッドの製造工程の途中工程
における帯電の影響を排除することができる。
The electrical connection of the read element (MR element) to the shield prevents a potential difference from occurring between the read element and the shield, and causes a current to flow through the read element due to electrostatic breakdown between the read element and the shield. This controls the phenomenon of flowing. This technique is an effective means for preventing electrostatic destruction of the reproducing element in particular, and can eliminate the influence of charging in the middle of the manufacturing process of the MR head.

【0023】しかし、MRヘッドをHDD装置で使用す
るときに、再生素子とシールドの間に導通があると、再
生素子とシールド間に微弱な電流が流れ、再生信号に対
するノイズの原因となる。よって、再生素子とシールド
間の導通は、製造工程途中では接地(接続)されてお
り、製造工程を経た後では絶縁されていることが望まし
い。加えて、再生素子とシールドが絶縁された状態で
は、装置を取り扱うときに発生する静電破壊を防止する
ために、所望の絶縁耐圧を保証する必要がある。よっ
て、製造工程の最終段階で再生素子とシールドを絶縁
し、絶縁耐圧の測定を行う必要がある。ここに挙げた再
生素子の接地は公知の技術であるが、製造工程の途中か
ら製造工程が終了するまでの間にMR素子の接地を行
い、外観を変形させることなく接地を開放して絶縁状態
とする方法は、これまでにない新しい技術である。
However, when the MR head is used in the HDD device, if there is continuity between the reproducing element and the shield, a weak current flows between the reproducing element and the shield, causing noise to the reproduced signal. Therefore, it is desirable that the continuity between the reproducing element and the shield is grounded (connected) during the manufacturing process and is insulated after the manufacturing process. In addition, in a state where the reproducing element and the shield are insulated, it is necessary to guarantee a desired withstand voltage in order to prevent electrostatic breakdown which occurs when handling the device. Therefore, it is necessary to insulate the read element from the shield at the final stage of the manufacturing process and measure the withstand voltage. Although the grounding of the reproducing element mentioned here is a known technique, the MR element is grounded during the middle of the manufacturing process until the manufacturing process is completed, and the grounding is released without deforming the appearance and the insulating state is established. Is an unprecedented new technology.

【0024】ヒューズの切断原理は一般の電気ヒューズ
と同様に、ヒューズに流れる電流による発熱を利用して
ヒューズを溶断するものである。しかし、一般の場合と
異なるのは、主に切断に用いる電流が定常電流ではなく
電流パルスである点である。定常電流を用いた場合、ヒ
ューズを切断した直後に、再生素子とシールドの間に電
圧がかかることになり、再生素子とシールドの静電破壊
を引き起こす恐れがあるためである。これは本発明のヒ
ューズの目的に反して、再生素子を破壊してしまう結果
となる。これに対して電流パルスを用いた場合には、適
切なパルス幅の条件でヒューズを溶断した直後には再生
素子とシールドの間に電圧が加わることがなく、所望の
絶縁を保つことが可能となる。
The principle of cutting a fuse is to blow the fuse using heat generated by current flowing through the fuse, similarly to a general electric fuse. However, the difference from the general case is that the current mainly used for cutting is not a steady current but a current pulse. This is because, when a steady current is used, a voltage is applied between the reproducing element and the shield immediately after the fuse is cut, which may cause electrostatic breakdown of the reproducing element and the shield. This results in destroying the read element, contrary to the purpose of the fuse of the present invention. On the other hand, when a current pulse is used, the desired insulation can be maintained without applying a voltage between the reproducing element and the shield immediately after the fuse is blown under an appropriate pulse width condition. Become.

【0025】上記の本発明において、MRヘッドは磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを指す呼称であり、磁気抵抗効果
を利用した再生素子を含む磁気ヘッドを包含する。従っ
て、前記再生素子に併せて光を利用した記録あるいは再
生を行う素子を備えるヘッドに置換することも可能であ
る。また、「溶断するヒューズ」という用語は、単にヒ
ューズという用語、あるいは溶断することが可能なヒュ
ーズという用語として使用する。「電気的に導通してい
る」という用語は、電気的に接触しているという意味、
あるいは双方の間に電流を流すことができるという意味
を包含するものとして使用する。また、シールドは、単
にシールドとして機能するものと、シールド以外の機能
も備えるものを含む。また、通電は、電流を流すことあ
るいは電圧を印加することを意味する。「磁気抵抗効果
を有する再生素子」とは、磁界を印加されると電気抵抗
値が変化することを利用した再生素子を含む用語として
用いる。
In the present invention, the MR head is a name indicating a magneto-resistance effect type magnetic head, and includes a magnetic head including a reproducing element utilizing a magneto-resistance effect. Therefore, it is also possible to replace the head with an element for recording or reproducing using light in addition to the reproducing element. Further, the term “fuse to be blown” is used simply as a term for a fuse or a term for a fuse that can be blown. The term "electrically conductive" means in electrical contact,
Alternatively, it is used to include the meaning that a current can flow between the two. Further, the shield includes one that simply functions as a shield and one that also has a function other than the shield. Also, energization means flowing a current or applying a voltage. The “reproducing element having a magnetoresistive effect” is used as a term including a reproducing element utilizing the fact that the electric resistance changes when a magnetic field is applied.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明に係る
MRヘッドを示す。図1は本発明のMRヘッドの再生素
子の一実施形態を説明する平面図である。図2は図1の
MRヘッドの製造工程を説明する断面図である。図3と
図4は、本発明のMRヘッドでヒューズを切断する回路
を説明する模式図である。図5は、本発明に係る他のM
Rヘッドの再生素子の一実施形態を説明する平面図であ
る。図6は、ヒューズ溶断装置の等価回路図である。図
7は本発明のMRヘッドの再生素子の1実施形態の平面
図である。図8と図9は、本発明のMRヘッドのスライ
ダーの斜視図であって、スライダーに設けた電極パッド
を説明する。図10は、本発明のMRヘッドに適用でき
るスピンバルブ素子の断面図である。図11はヒューズ
の電気抵抗値と印加電圧をの関係を説明するグラフであ
る。図12はヒューズに印加する電流パルス幅とピーク
電流の関係を説明するグラフである。図13ないし図1
8は、ヒューズ幅Wとヒューズ長さLに対するVb、Vb
f、Jbfの各々の関係を示すグラフである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An MR head according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view illustrating an embodiment of a reproducing element of an MR head according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the MR head of FIG. 3 and 4 are schematic diagrams illustrating a circuit for cutting a fuse by the MR head of the present invention. FIG. 5 shows another M according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating an embodiment of a reproducing element of an R head. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the fuse blowing device. FIG. 7 is a plan view of one embodiment of the reproducing element of the MR head of the present invention. FIGS. 8 and 9 are perspective views of the slider of the MR head according to the present invention, and illustrate electrode pads provided on the slider. FIG. 10 is a sectional view of a spin valve element applicable to the MR head of the present invention. FIG. 11 is a graph illustrating the relationship between the electric resistance value of the fuse and the applied voltage. FIG. 12 is a graph illustrating the relationship between the current pulse width applied to the fuse and the peak current. 13 to 1
8 is Vb, Vb with respect to the fuse width W and the fuse length L.
It is a graph which shows each relation of f and Jbf.

【0027】(実施例1)図1において、MRヘッドの
再生素子の構成を説明する。このMR素子にはSALバ
イアス型MR素子を用いた。図示を省略したが、SAL
バイアス型MR素子は、軟磁性バイアス膜(SAL
膜)、非磁性金属膜、磁気抵抗効果を示す軟磁性膜(M
R膜)を積層した3層膜と、この3層膜の両端に設けた
永久磁石バイアス膜を備える。MR素子5の両端の各々
には電極膜6a、6bを設けた。電極膜6a、6bの各
々は、ヒューズ5a、5bを介して導電膜6c、6dに
接続した。導電膜6cには、接触用端子9aを介してシ
ールド3(ボトムシールド)を接続した。導電膜6dに
は、接触用端子9bを介してシールド8(ミッドシール
ド)を接続した。電極膜6a、6bの各々には端子10
a、10bを設けた。ヒューズ5a、5bの幅dは、M
R素子の深さ方向の幅d0より狭い寸法に形成した。い
わゆるトラック幅Twは、doに対して垂直な方向のM
R素子の幅である。この再生素子を備えるMRヘッドの
全体の構成は、図19と同様とした。
(Embodiment 1) Referring to FIG. 1, the structure of a reproducing element of an MR head will be described. As this MR element, a SAL bias type MR element was used. Although not shown, SAL
The bias type MR element has a soft magnetic bias film (SAL
Film), a non-magnetic metal film, and a soft magnetic film (M
R film) and a permanent magnet bias film provided at both ends of the three-layer film. Electrode films 6a and 6b were provided on both ends of the MR element 5, respectively. Each of the electrode films 6a and 6b was connected to the conductive films 6c and 6d via fuses 5a and 5b. The shield 3 (bottom shield) was connected to the conductive film 6c via the contact terminal 9a. The shield 8 (mid shield) was connected to the conductive film 6d via the contact terminal 9b. A terminal 10 is provided on each of the electrode films 6a and 6b.
a and 10b were provided. The width d of the fuses 5a and 5b is M
The R element was formed to have a dimension smaller than the width d0 in the depth direction. The so-called track width Tw is M in the direction perpendicular to do.
This is the width of the R element. The overall configuration of the MR head including this reproducing element was the same as that shown in FIG.

【0028】図2により、図1の再生素子を有するMR
ヘッドの製造工程を説明する。まず、アルミナチタンカ
ーバイドからなる非磁性基板1の上にアルミナの絶縁膜
2をスパッタで成膜した(a)。絶縁膜2の上にCoT
aZrの軟磁性膜をスパッタで成膜し、この軟磁性膜を
フォトリソグラフィー技術でパターニングして、シール
ド3を得た(b)。シールド3の上にアルミナの絶縁膜
4をスパッタで成膜した。続けて、MR素子を構成する
多層の磁性膜をスパッタで成膜した。絶縁膜4上に形成
したこの磁性膜をパターニングして、MR素子5と、ヒ
ューズ5a、5bの各々をストライプ状に形成した
(c)。
FIG. 2 shows that the MR having the reproducing element of FIG.
The head manufacturing process will be described. First, an insulating film 2 of alumina was formed on a nonmagnetic substrate 1 made of alumina titanium carbide by sputtering (a). CoT on insulating film 2
An aZr soft magnetic film was formed by sputtering, and the soft magnetic film was patterned by photolithography to obtain a shield 3 (b). An alumina insulating film 4 was formed on the shield 3 by sputtering. Subsequently, a multilayer magnetic film constituting the MR element was formed by sputtering. This magnetic film formed on the insulating film 4 was patterned to form the MR element 5 and each of the fuses 5a and 5b in a stripe shape (c).

【0029】次に、絶縁膜4の一部をイオンミリングで
エッチングして、接触用孔をあけた。続けて導電性の金
属膜をスパッタで形成し、これをパターニングして電極
膜6a、6bと導電膜6c、6dを同時に形成した。接
続用孔の中に充填した導電膜6dの一部は端子9aとし
た。電極膜6a、6bの各々はヒューズ5a、5bを介
してMR素子と導通させる。導電膜6dはシールド3と
電気的に接合させた(d)。次に、第2の絶縁膜7を成
膜して、その一部に接触用孔をあけた。この接触用孔を
通すようにシールド8を電気メッキで成膜して、シール
ド8と導電膜6cを電気的に接続させた(e)。
Next, a part of the insulating film 4 was etched by ion milling to form a contact hole. Subsequently, a conductive metal film was formed by sputtering, and this was patterned to form electrode films 6a and 6b and conductive films 6c and 6d simultaneously. A part of the conductive film 6d filled in the connection hole was a terminal 9a. Each of the electrode films 6a and 6b conducts with the MR element via the fuses 5a and 5b. The conductive film 6d was electrically connected to the shield 3 (d). Next, a second insulating film 7 was formed, and a contact hole was made in a part thereof. The shield 8 was formed by electroplating so as to pass through the contact hole, and the shield 8 was electrically connected to the conductive film 6c (e).

【0030】次に第2のシールドの上に記録ヘッドの構
造を形成した。すなわち、第2のシールドの上に、ギャ
ップ膜と、レジストの絶縁膜と、薄膜コイルと、レジス
トの絶縁膜と、上部磁極膜を順に形成した。記録ヘッド
の構造は、図11及び図12の構成と同様である。さら
に、電極膜の端子10a及び10bと、シールド(下部
シールドあるいはミッドシールド)とヒューズとを結ぶ
端子9a及び9bと、薄膜コイルの両端は、他の導電部
材(リード膜)を介して電極パッドに電気的に導通させ
た。電極パッドは、電気メッキで形成した。この電極パ
ッドの周囲とMRヘッドの上を覆うようにアルミナの保
護膜を被覆した。
Next, the structure of the recording head was formed on the second shield. That is, on the second shield, a gap film, a resist insulating film, a thin film coil, a resist insulating film, and an upper magnetic pole film were sequentially formed. The structure of the recording head is the same as the configuration shown in FIGS. Further, the terminals 10a and 10b of the electrode film, the terminals 9a and 9b connecting the shield (lower shield or mid shield) and the fuse, and both ends of the thin film coil are connected to the electrode pad via another conductive member (lead film). It was made electrically conductive. The electrode pads were formed by electroplating. An alumina protective film was coated so as to cover the periphery of the electrode pad and the top of the MR head.

【0031】(実施例2)本発明のMRヘッドにおい
て、ヒューズに電流パルスを流す回路の模式図を図3に
示す。本実施例では、MRヘッドを設けたスライダーを
作製した後に、ヒューズに電流パルスを流して切断する
際に、MR素子を含む回路を用いた。すなわち、ヒュー
ズ溶断装置21によって、端子9b/ヒューズ5b/電
極膜6b/MR素子5/電極膜6a/ヒューズ5a/端
子9aを通る回路に電流パルスを流し、ヒューズを溶断
した。図3中の記載を省略したが、ヒューズ溶断装置2
1と端子の間には、電流を導くための導電部材(リード
膜)や、スライダーの側面に露出される電極パッドを介
して通電させた。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a schematic diagram of a circuit for supplying a current pulse to a fuse in the MR head of the present invention. In the present embodiment, a circuit including an MR element was used when a current pulse was applied to a fuse after cutting a slider provided with an MR head. That is, the fuse blower 21 blows a current pulse through a circuit passing through the terminal 9b / fuse 5b / electrode film 6b / MR element 5 / electrode film 6a / fuse 5a / terminal 9a to blow the fuse. Although not shown in FIG. 3, the fuse blowing device 2
Electric current was passed between the terminal 1 and the terminal via a conductive member (lead film) for guiding a current or an electrode pad exposed on the side surface of the slider.

【0032】この方法では、溶断用の電流パルスを流し
た後に、同じ回路の電気抵抗値を測定した。溶断後に測
定した電気抵抗値は擬似的に無限大となり、測定装置は
回路が開放されていると判断した。従って、ヒューズ溶
断装置21と、電気抵抗値を測定する検査装置を兼ねた
一つの装置で作業を行うことも可能である。この回路は
MR素子5を通るため、2個のヒューズ5b、5aを同
時に切断する。ただし、MR素子を損傷する恐れのない
電流パルスあるいは電圧パルスをもって、ヒューズの切
断を行うことが必須となる。なお、パルス最初に通過す
るヒューズの溶断が、パルスが次ぎに通過するヒューズ
の溶断よりも先に開始されるため、ヒューズの溶断状態
が少々異なる。ここで流した電流パルスは、後述する。
In this method, an electric resistance value of the same circuit was measured after a current pulse for fusing was passed. The electric resistance value measured after fusing was pseudo-infinite, and the measuring device determined that the circuit was open. Therefore, it is also possible to perform the operation with one device that also serves as the fuse blowing device 21 and the inspection device that measures the electric resistance value. Since this circuit passes through the MR element 5, the two fuses 5b and 5a are cut at the same time. However, it is essential that the fuse be cut with a current pulse or a voltage pulse that does not damage the MR element. Since the blow of the fuse that passes first is started before the blow of the fuse that passes next, the blow state of the fuse is slightly different. The current pulse applied here will be described later.

【0033】(実施例3)ヒューズに電流パルスを流す
他の回路の模式図を図4に示す。図4では、ヒューズ溶
断装置22によって、端子9b/ヒューズ5b/電極膜
の端子10bの間に電流パルスを流し、一方のヒューズ
5bを溶断した。続けて、端子9a/ヒューズ5a/電
極膜の端子10aの間にも電流パルスを流し、他方のヒ
ューズ5aを溶断した。この方法は、ヒューズごとに電
流パルスあるいは電圧パルスを印加するため、MR素子
に電流が流れることはない。実施例2の方法に比べて二
つのヒューズの溶断状態を均一にすることができる。ま
た、2個のヒューズ溶断装置を用意して、ヒューズ5a
とヒューズ5bを同時に溶断すると、工程を短くでき
る。
(Embodiment 3) FIG. 4 is a schematic diagram of another circuit for supplying a current pulse to a fuse. In FIG. 4, a current pulse was caused to flow between the terminal 9b / fuse 5b / terminal 10b of the electrode film by the fuse blowing device 22 to blow one of the fuses 5b. Subsequently, a current pulse was also applied between the terminal 9a / fuse 5a / terminal 10a of the electrode film to blow the other fuse 5a. In this method, a current pulse or a voltage pulse is applied to each fuse, so that no current flows through the MR element. Compared to the method of the second embodiment, the blown state of the two fuses can be made uniform. Also, two fuse blowing devices are prepared, and a fuse 5a is provided.
If the fuse 5b is blown at the same time, the process can be shortened.

【0034】(実施例4)図5に本発明に係る他のMR
ヘッドの再生素子の一実施形態を説明する平面図であ
る。このMRヘッドは、電極膜6aと電極膜6bを両端
に接続したMR素子5を、シールド3bとシールド8b
の間に設けた構成を有する。そして、電極膜6bとシー
ルド8bを電気的に接続し、かつシールド8b(ミッド
シールド)とシールド3b(ボトムシールド)を電気的
に接続した構成を加えたものである。図5において、シ
ールド3bは絶縁膜を介してMR素子5の下に配置さ
せ、シールド8bは絶縁膜を介してMR素子5の上に配
置させた。電極膜延長部6fと接続膜6gの間には、ヒ
ューズ5cを設けた。電極膜延長部6fは電極膜6bに
一体として設けた。接続膜6gはシールド8bに導通さ
せた。シールド3bとシールド8bは絶縁膜を貫通する
接続部9nで電気的に接続させた。シールド8bと接続
膜6gは絶縁膜を貫通する接続部9mで電気的に接続さ
せた。この再生素子を含む構造をウェファ上に設けた
後、ウェファを切り分けてローバーを得た。このローバ
ーを研磨加工して、A−A線より上側を除去した。従っ
て、スライダーの状態では、ヒューズ5cが除去され
た。実施例4の構成は、ローバー工程でヒューズ5cを
機械的に除去したが、ヒューズ5cをMR素子の近くに
配置したため、ウェハ工程においてMR素子の静電破壊
をより効果的に防止することができた。
Embodiment 4 FIG. 5 shows another MR according to the present invention.
FIG. 3 is a plan view illustrating an embodiment of a reproducing element of a head. This MR head includes an MR element 5 having an electrode film 6a and an electrode film 6b connected to both ends, and a shield 3b and a shield 8b.
It has a configuration provided between them. Further, a configuration is added in which the electrode film 6b and the shield 8b are electrically connected, and the shield 8b (mid shield) and the shield 3b (bottom shield) are electrically connected. In FIG. 5, the shield 3b is arranged below the MR element 5 via an insulating film, and the shield 8b is arranged above the MR element 5 via an insulating film. A fuse 5c was provided between the electrode film extension 6f and the connection film 6g. The electrode film extension 6f was provided integrally with the electrode film 6b. The connection film 6g was electrically connected to the shield 8b. The shield 3b and the shield 8b were electrically connected at a connection portion 9n penetrating the insulating film. The shield 8b and the connection film 6g were electrically connected at a connection portion 9m penetrating the insulating film. After the structure including the reproducing element was provided on the wafer, the wafer was cut to obtain a row bar. This row bar was polished to remove the portion above the line AA. Therefore, in the state of the slider, the fuse 5c was removed. In the configuration of the fourth embodiment, the fuse 5c is mechanically removed in the row bar process. However, since the fuse 5c is arranged near the MR element, the electrostatic breakdown of the MR element can be more effectively prevented in the wafer process. Was.

【0035】図6に本発明に係るヒューズ溶断装置の等
価回路図を示す。このヒューズ溶断装置21の動作を説
明する。まず、スイッチを端子bに接続することで、可
変電源VcによってコンデンサーCに所定の電荷量を充
電する。次にスイッチを端子aに切り替えると、抵抗R
を通してコンデンサーCに蓄えた電荷量を電流パルスと
して放出することができる。ヒューズ溶断装置の出力V
outは、電流パルスを加える溶断回路とRの比によって
変わるものである。本発明に係る実施例ではここで示し
た等価回路と同等のヒューズ溶断装置を用いた。コンデ
ンサーCの値は1〜100[nF]程度に設定した。抵
抗Rの値は150〜500[Ω]程度に設定した。ヒュ
ーズの初期抵抗値Roは100[Ω]程度以下であり、
溶断の工程の後に測定したヒューズの抵抗値Raが1*
10[Ω]以上であれば、ヒューズが溶断したと判断
した。
FIG. 6 shows an equivalent circuit diagram of the fuse blowing device according to the present invention. The operation of the fuse blowing device 21 will be described. First, by connecting the switch to the terminal b, the capacitor C is charged to a predetermined amount by the variable power supply Vc. Next, when the switch is switched to the terminal a, the resistance R
, The amount of charge stored in the capacitor C can be released as a current pulse. Output V of fuse blowing device
out changes depending on the ratio of R to the fusing circuit for applying the current pulse. In the embodiment according to the present invention, a fuse blowing device equivalent to the equivalent circuit shown here was used. The value of the condenser C was set to about 1 to 100 [nF]. The value of the resistor R was set to about 150 to 500 [Ω]. The initial resistance value Ro of the fuse is about 100 [Ω] or less,
The resistance value Ra of the fuse measured after the fusing step is 1 *
If it is 10 6 [Ω] or more, it is determined that the fuse has blown.

【0036】(実施例5)図7に他の実施例を示す。こ
のMRヘッドの再生素子では、MR素子5と電極膜が絶
縁膜を介してシールド3、8の間に配置され、ヒューズ
の大部分がシールド3、8の間から外に配置された構造
とした。電極膜と端子の間を接続したヒューズの大部分
をシールドの間に配置する場合、電流パルスによってヒ
ューズに発生させた熱がシールドに奪われる。この熱の
損失を見込んで、より多くのエネルギーを電流パルスと
してヒューズに供給しないと、ヒューズの溶断が難し
い。
(Embodiment 5) FIG. 7 shows another embodiment. In the reproducing element of this MR head, the MR element 5 and the electrode film are arranged between the shields 3 and 8 via the insulating film, and most of the fuses are arranged outside from between the shields 3 and 8. . When most of the fuse connecting the electrode film and the terminal is arranged between the shields, heat generated in the fuse by the current pulse is taken by the shield. Unless more energy is supplied to the fuse as a current pulse in anticipation of this heat loss, it is difficult to blow the fuse.

【0037】そこで、図7の構成とすることで、シール
ド3、8に熱を奪われることが抑制され、より少ないエ
ネルギーの電流パルスでヒューズを溶断することができ
た。シールドの外に配置したヒューズの形状は直線状に
限らず、複数の直線の組合せ、曲線状、曲線と直線の組
合せ、L字型などとしてもよい。U字型ヒューズの場合
には、端子9a及び端子9bをシールドの一部で構成す
ることもできた。直線型ヒューズの場合には、端子9a
及び9bと、端子とシールドを接続する導電膜とを、シ
ールドとは別に設けた。
Therefore, by adopting the configuration shown in FIG. 7, it is possible to prevent heat from being taken away by the shields 3 and 8, and to blow the fuse with a current pulse having less energy. The shape of the fuse disposed outside the shield is not limited to a straight line, but may be a combination of a plurality of straight lines, a curved line, a combination of a curve and a straight line, or an L-shape. In the case of the U-shaped fuse, the terminal 9a and the terminal 9b could be constituted by a part of the shield. In the case of a straight fuse, the terminal 9a
And 9b, and a conductive film for connecting the terminal and the shield were provided separately from the shield.

【0038】(実施例6)図8に本発明のMRヘッド3
7を設けたスライダー38の斜視図を示す。同図中、左
側の円盤は多数のMR素子を形成したウェファ30であ
る。このウェファ30から切り出したスライダー38は
6個の電極パッドを有する。電極パッド31及び32
は、磁極を励磁する薄膜コイルに記録電流を供給するた
めに用いた。電極パッド33及び34は、電極膜を介し
てMR素子に再生電流を供給するために用いた。電極パ
ッド35及び36は、電極膜とシールドの間に設けられ
たヒューズに電流パルスまたは電圧パルスを供給するた
めに用いた。この構成は、ウェファ上にMR素子を形成
する工程からスライダーを作製する工程までの間、MR
素子とシールドの静電破壊を防止でき、スライダーを作
製した時点で、ヒューズを溶断することができた。
Embodiment 6 FIG. 8 shows an MR head 3 according to the present invention.
7 shows a perspective view of a slider 38 provided with 7. In the figure, the disk on the left is a wafer 30 on which a number of MR elements are formed. The slider 38 cut out from the wafer 30 has six electrode pads. Electrode pads 31 and 32
Was used to supply a recording current to a thin film coil that excites the magnetic pole. The electrode pads 33 and 34 were used to supply a reproduction current to the MR element via the electrode film. The electrode pads 35 and 36 were used for supplying a current pulse or a voltage pulse to a fuse provided between the electrode film and the shield. In this configuration, the MR element is formed on the wafer until the slider is formed.
The element and the shield were prevented from being electrostatically damaged, and the fuse was blown when the slider was manufactured.

【0039】なお、このスライダーにジンバルなどを設
けてHGA(ヘッド ジンバル アッセンブリ)を作製
した後に、ヒューズを溶断するということも可能であ
る。ヒューズを溶断する際には、異なる電極パッドの組
合せを選択することができる。すなわち、図3に対応す
る方法では、電極パッド35と電極パッド36の間に電
流パルスを通電して、一括してヒューズを溶断した。図
4に対応する方法では、電極パッド35と電極パッド3
4の間に通電して一方のヒューズを溶断し、続けて電極
パッド36と電極パッド33の間に通電した他方のヒュ
ーズを溶断した。
It is also possible to provide a gimbal or the like on the slider to produce an HGA (head gimbal assembly) and then blow the fuse. When blowing the fuse, a combination of different electrode pads can be selected. That is, in the method corresponding to FIG. 3, a current pulse is applied between the electrode pad 35 and the electrode pad 36 to blow the fuse at once. In the method corresponding to FIG. 4, the electrode pad 35 and the electrode pad 3
4 and one of the fuses was blown, and then the other of the fuses that was passed between the electrode pad 36 and the electrode pad 33 was blown.

【0040】(実施例7)図9に本発明に係る他のスラ
イダーの斜視図を示す。同図中、左側の円盤は多数のM
R素子を形成したウェファ40である。このウェファ4
0から切り出したスライダー48aは6個の電極パッド
を有する。電極パッド41及び42は、磁極を励磁する
薄膜コイルに記録電流を供給するために用いた。電極パ
ッド43及び44は、電極膜を介してMR素子に再生電
流を供給するために用いた。電極パッド45及び46
は、電極膜とシールドの間に設けられたヒューズに電流
パルスまたは電圧パルスを供給するために用いた。
(Embodiment 7) FIG. 9 is a perspective view of another slider according to the present invention. In the figure, the disk on the left has many M's.
This is a wafer 40 on which an R element is formed. This wafer 4
The slider 48a cut out from 0 has six electrode pads. The electrode pads 41 and 42 were used to supply a recording current to a thin-film coil for exciting the magnetic pole. The electrode pads 43 and 44 were used to supply a reproduction current to the MR element via the electrode film. Electrode pads 45 and 46
Was used to supply a current pulse or a voltage pulse to a fuse provided between the electrode film and the shield.

【0041】この構成では、ウェファ上にMR素子を形
成する工程において、MR素子とシールドの静電破壊を
防止できる。図9中、点線はスライダー48aからスラ
イダー片48bを切り離す切断線を示す。スライダー4
8aの下面(図では見えず)には、浮上面を形成した。
ウェファ40から切り出す直前にヒューズを溶断し、ウ
ェファの切断と同時に点線に沿ってスライダー片48b
を切り離すことも可能である。しかし、ウェファ40を
切り分ける前の段階でヒューズを溶断すると、スライダ
ーを加工する工程で、MR素子を静電破壊する可能性が
あった。そこで、スライダーの加工工程を終了した後に
点線に沿ってスライダーを切り分けた。
With this configuration, in the step of forming the MR element on the wafer, the electrostatic breakdown of the MR element and the shield can be prevented. In FIG. 9, a dotted line indicates a cutting line separating the slider piece 48b from the slider 48a. Slider 4
An air bearing surface was formed on the lower surface of 8a (not visible in the figure).
The fuse is blown just before cutting from the wafer 40, and the slider piece 48b is cut along the dotted line simultaneously with the cutting of the wafer.
Can also be separated. However, if the fuse is blown before the wafer 40 is cut, there is a possibility that the MR element is electrostatically damaged in the process of processing the slider. Therefore, the slider was cut along the dotted line after finishing the slider processing step.

【0042】次に、本発明に係るヒューズを検討した実
験について図11に説明する。幅d=1[μm]のヒュ
ーズパターン素子(長さ当たりの電気抵抗が13〜15
[Ω/μm])に対して、時間幅5[μs]の電流パル
スを加えてヒューズパターン素子が溶断する電圧を調べ
た。ここで、ヒューズパターン素子とは、MR素子と同
様の多層膜で構成したヒューズをいう。図11は縦軸を
ヒューズ抵抗[Ω]にして、横軸を印加電圧[V]にし
た。同図中、1から4までの番号を付けたサンプルに係
るヒューズパターン素子は、印加電圧8〜12[V]の
範囲で溶断した。パルス幅5[μs]、電圧10[V]
の時のピーク電流値は約17[mA]であり、0.85
[μWs]のエネルギーを消費した。再生素子を製造す
るウェファ工程において、MR素子のトラック幅は最終
寸法よりも幅広に形成される。これは、ローバー工程あ
るいはスライダ工程で再生素子幅を加工して狭くするた
めである。ウェファ工程でMR素子と同様の形状のヒュ
ーズを形成した場合、ヒューズの幅は4〜5[μm]程
度であり、図11のヒューズパターン素子幅の4〜5倍
の幅を持つ。図11の実験と同じ電流密度を広幅のヒュ
ーズで確保するためには、70[mA]程度のピーク電
流が必要であり、溶断に必要なエネルギーとして3.4
[μWs]を消費する。そこで、ウェファ工程の終了時
点で10[V]程度の印加電圧で電流パルスを流すと、
ヒューズが切断されるとともに、再生素子には影響がな
いことが分かった。
Next, an experiment in which the fuse according to the present invention was studied will be described with reference to FIG. Fuse pattern element with width d = 1 [μm] (electrical resistance per length is 13 to 15)
[Ω / μm]), a current pulse having a time width of 5 μs was applied, and the voltage at which the fuse pattern element was blown was examined. Here, the fuse pattern element refers to a fuse formed of a multilayer film similar to the MR element. In FIG. 11, the vertical axis represents the fuse resistance [Ω] and the horizontal axis represents the applied voltage [V]. In the figure, the fuse pattern elements according to the samples numbered from 1 to 4 were blown within the applied voltage range of 8 to 12 [V]. Pulse width 5 [μs], voltage 10 [V]
Is about 17 [mA], and 0.85
[ΜWs] of energy was consumed. In the wafer process for manufacturing the reproducing element, the track width of the MR element is formed wider than the final dimension. This is because the width of the reproducing element is reduced in the row bar process or the slider process. When a fuse having the same shape as the MR element is formed in the wafer process, the width of the fuse is about 4 to 5 [μm], which is 4 to 5 times the width of the fuse pattern element shown in FIG. In order to secure the same current density as that of the experiment of FIG. 11 with a wide fuse, a peak current of about 70 [mA] is required, and 3.4 energy is required as the energy required for fusing.
[ΜWs] is consumed. Therefore, when a current pulse is applied at an applied voltage of about 10 [V] at the end of the wafer process,
It was found that the fuse was blown and the read element was not affected.

【0043】電流パルスによるヒューズの切断につい
て、パルス幅とピーク電流をパラメータとして行った切
断実験の結果を図12に示す。同図の縦軸は電流パルス
の最大値であるピーク電流[A]を示し、横軸は電流パ
ルスの半値幅であるパルス幅[sec]を示した。縦
軸、横軸の目盛りはともに指数表示であり、例えば−7
は10−7を表す。同図にはヒューズのパターン幅d=
1[μm]とd=4[μm]の場合について示した。パ
ルス幅が小さくなるに従って、溶断に必要なピーク電流
の大きさは増加した。
FIG. 12 shows the results of a cutting experiment performed by using a pulse width and a peak current as parameters for cutting a fuse by a current pulse. The vertical axis of the figure shows the peak current [A] which is the maximum value of the current pulse, and the horizontal axis shows the pulse width [sec] which is the half width of the current pulse. Both the vertical and horizontal scales are indicated by exponents, for example, -7.
Represents 10 -7 . The figure shows the fuse pattern width d =
The case where 1 [μm] and d = 4 [μm] are shown. As the pulse width decreased, the magnitude of the peak current required for fusing increased.

【0044】パターン幅について比較するとd=4[μ
m]のピーク電流はd=1[μm]のピーク電流の4倍
になっており、パターン幅に比例して必要なピーク電流
が増加していることが分かった。この関係はパルス幅が
5*10−9[sec]以上では一定に保たれた。ヒュ
ーズの機能する範囲と再生素子に切断パルスが影響を及
ぼさないピーク電流の閾値を図12中の斜線で示した範
囲で設定することができる。
When the pattern width is compared, d = 4 [μ]
m] is four times the peak current of d = 1 [μm], and it has been found that the required peak current increases in proportion to the pattern width. This relationship was kept constant when the pulse width was 5 * 10 -9 [sec] or more. The range in which the fuse functions and the threshold value of the peak current at which the cutting pulse does not affect the read element can be set in the range shown by the hatched area in FIG.

【0045】(実施例8)上記の本発明のMRヘッドの
再生素子において、SALバイアス型MR素子に代え
て、スピンバルブ型MR素子、2つの軟磁性膜で絶縁膜
を挟む構成のトンネル接合型MR素子、非磁性膜と磁性
膜を交互に積層させたGMR素子等を用いることができ
る。これらのMR素子は、記録密度が6[Gb/i
]程度以上の記録媒体に対応すべく、小型化・薄膜
化する必要があり、トラック幅Twは数[μm]以下に
規定されている。従って、上記のヒューズを適用したと
ころ、より効果的に静電破壊を防止するができた。
(Embodiment 8) In the reproducing element of the MR head of the present invention described above, instead of the SAL bias type MR element, a spin valve type MR element, and a tunnel junction type in which an insulating film is sandwiched between two soft magnetic films. An MR element, a GMR element in which a nonmagnetic film and a magnetic film are alternately stacked, or the like can be used. These MR elements have a recording density of 6 [Gb / i
It is necessary to reduce the size and thickness of the recording medium in order to correspond to a recording medium of about n 2 ] or more, and the track width Tw is specified to be several [μm] or less. Therefore, when the above fuse was applied, electrostatic breakdown could be more effectively prevented.

【0046】スピンバルブ型MR素子は、反磁性膜と磁
性膜と非磁性金属膜と磁性膜を備える4層構造を基本と
する。図10に本発明の一実施形態であるスピンバルブ
型MR素子を示す。このスピンバルブ型MR素子は、C
rMnPtの反強磁性膜82aと、NiFeCoの磁性
膜82bと、Cuの非磁性金属膜82cと、NiFeの
磁性膜82dを順に積層した4層膜と、この4層膜の両
端部をエッチングで削ることで形成した斜面と、この斜
面に接合させたバイアス印加用の永久磁石膜81を有す
る。永久磁石膜81の各々には電極膜83を設けた。ス
ピンバルブ型MR素子として、図10の構成を改良した
ものを用いることが可能である。具体的には、磁性膜を
金属材料あるいは磁性材料からなる多層膜としたもの、
反強磁性膜82aあるいは磁性膜82dを共有させて二
つのスピンバルブ型MR素子を対に積層させたデュアル
スピンバルブ素子等を用いることができる。
The spin valve type MR element has a four-layer structure including a diamagnetic film, a magnetic film, a non-magnetic metal film and a magnetic film. FIG. 10 shows a spin-valve MR element according to an embodiment of the present invention. This spin-valve MR element has a C
A four-layer film in which an antiferromagnetic film 82a of rMnPt, a magnetic film 82b of NiFeCo, a nonmagnetic metal film 82c of Cu, and a magnetic film 82d of NiFe are sequentially laminated, and both ends of the four-layer film are etched. And a bias application permanent magnet film 81 bonded to the inclined surface. An electrode film 83 was provided on each of the permanent magnet films 81. As the spin-valve MR element, an element obtained by improving the configuration in FIG. 10 can be used. Specifically, the magnetic film is a multilayer film made of a metal material or a magnetic material,
A dual spin-valve element in which two spin-valve MR elements are stacked in pairs with the anti-ferromagnetic film 82a or the magnetic film 82d being shared can be used.

【0047】(実施例9)ストライプ状のヒューズの長
さL[μm]と幅W[μm]について、L/W=10/1、
5/1、2.5/1の3通りのパターンを形成した。ストライプ
状としたとき、多層膜のヒューズは、Ta(5nm)/N
iFe(5nm)/CoFe(1nm)/Cu(2.5nm)
/CoFe(2nm)/CrMnPt(22.5nm)/T
a(3nm)を順に積層したものを用いた。これはスピン
バルブ型MRヘッドにおけるヒューズの構成である。こ
れらのヒューズについてパルス電流を流したところ、ヒ
ューズを溶断することができた。なお、このようなヒュ
ーズの電気的な特性について、シミュレーションで検討
したデータを図13ないし図18に説明する。
(Embodiment 9) For a length L [μm] and a width W [μm] of a stripe-shaped fuse, L / W = 10/1,
Three patterns of 5/1 and 2.5 / 1 were formed. When formed in a stripe shape, the fuse of the multilayer film is Ta (5 nm) / N
iFe (5 nm) / CoFe (1 nm) / Cu (2.5 nm)
/CoFe(2nm)/CrMnPt(22.5nm)/T
a (3 nm) was used. This is the configuration of the fuse in the spin valve type MR head. When a pulse current was applied to these fuses, the fuses could be blown. 13 to 18 show data obtained by examining the electrical characteristics of such a fuse by simulation.

【0048】図13にVbのヒューズ幅依存性を示し、
図14にVbのヒューズ長さ依存性を示す。Vbは溶断装
置内のコンデンサーCに充電した電圧であってヒューズ
の溶断に要する値である。図13によると、ヒューズ幅
を大きくすると、これに比例してVbを大きくする必要
ある。図14によると、ヒューズ長さLが1[μm]程
度より大きくなると、Vbはさほど増加せず、ほぼ一定
と見なしてよいことが判る。Lが0.6[μm]より小
さくなると、より高いVbを要する。なお、図13と図
15と図17は、L=0.6[μm]とL=1.0[μ
m]の二つの場合についてシミュレーションしている。
図14と図16と図18は、W=1.0[μm]とW=
1.5[μm]の二つの場合についてシミュレーション
している。
FIG. 13 shows the fuse width dependence of Vb.
FIG. 14 shows the dependence of Vb on the fuse length. Vb is the voltage charged to the capacitor C in the fusing device and is a value required for fusing the fuse. According to FIG. 13, when the fuse width is increased, it is necessary to increase Vb in proportion thereto. FIG. 14 shows that when the fuse length L is larger than about 1 [μm], Vb does not increase so much and can be regarded as substantially constant. When L is smaller than 0.6 [μm], higher Vb is required. 13, 15 and 17 show that L = 0.6 [μm] and L = 1.0 [μm].
m] are simulated.
FIGS. 14, 16 and 18 show that W = 1.0 [μm] and W =
The simulation is performed for two cases of 1.5 [μm].

【0049】図15にVbfのヒューズ幅依存性を示し、
図16にVbfのヒューズ長さ依存性を示す。Vbfはヒュ
ーズを溶断するときにヒューズにかかる電圧である。図
15によると、ヒューズ自体に係るVbfは幅Wを変えて
もほぼ一定であることが判る。図16によると、長さL
が1[μm]程度より大きくなるとVbfも大きくなるこ
とが判る。次に、図17にJbfのヒューズ幅依存性を示
し、図18にJbfのヒューズ長さ依存性を示す。Jbfは
ヒューズを溶断するときのヒューズの電流密度である。
図17によると、ヒューズに流す電流密度Jbfは幅Wを
変えてもほぼ一定であることが判る。図18によると、
長さLが1[μm]程度より大きくなるとJbfも大きく
なることが判る。
FIG. 15 shows the dependence of Vbf on the fuse width.
FIG. 16 shows the dependence of Vbf on the fuse length. Vbf is a voltage applied to the fuse when the fuse is blown. FIG. 15 shows that Vbf relating to the fuse itself is substantially constant even when the width W is changed. According to FIG.
Is larger than about 1 [μm], Vbf is also increased. Next, FIG. 17 shows the dependence of Jbf on the fuse width, and FIG. 18 shows the dependence of Jbf on the fuse length. Jbf is the current density of the fuse when the fuse is blown.
According to FIG. 17, it is found that the current density Jbf flowing through the fuse is substantially constant even when the width W is changed. According to FIG.
It can be seen that when the length L is larger than about 1 [μm], Jbf becomes larger.

【0050】上記のシミュレーションから次のことが言
える。即ち、Lが小さすぎるとヒューズと電極パッドの
間を結ぶ回路で発熱エネルギーを取られてしまうため、
より高いJbfを要すると考えられる。従って、Lは1
[μm]以上にすることが望ましい。例えば、15[μ
m]程度にすることも可能である。一方、Vbは外部回
路の抵抗によって制御できるため、ヒューズのみに着目
すれば、Wは0.5〜2[μm]の範囲について自由に
選択可能である。さらにヒューズを成膜する際の精度を
考慮すると、長さL=2〜3[μm]程度、、幅W=1
[μm]程度とすることが好ましい。なお、シミュレー
ションによると、電流密度を高くするとヒューズ内の温
度は、L=5〜15[μm]で150〜300℃に相当
する。但し、この温度はヒューズを溶断するエネルギー
として消費されて、MRヘッドを構成する他の部材には
影響を及ぼさない。
The following can be said from the above simulation. That is, if L is too small, heat generated by a circuit connecting the fuse and the electrode pad is taken, so that
It is believed that higher Jbf is required. Therefore, L is 1
[Μm] or more is desirable. For example, 15 [μ
m]. On the other hand, since Vb can be controlled by the resistance of the external circuit, W can be freely selected in the range of 0.5 to 2 [μm] by focusing only on the fuse. Further, in consideration of the accuracy in forming the fuse, the length L = about 2 to 3 [μm] and the width W = 1
[Μm] is preferable. According to the simulation, when the current density is increased, the temperature in the fuse is equivalent to 150 to 300 ° C. when L = 5 to 15 μm. However, this temperature is consumed as energy for blowing the fuse, and does not affect other members constituting the MR head.

【0051】(実施例10)他の手段でヒューズを溶断
する実施例を説明する。図7のMR素子について、MR
ヘッドを形成した後、ヒューズ5a、5bに対してレー
ザーを照射して、ヒューズを溶断させた。この方法は、
ウェファ工程あるいはスライダー工程以降の任意の工程
において、ヒューズを溶断することができる。この場
合、ヒューズからスライダーの表面に導かれる電極パッ
ドは、ヒューズの溶断/接続を電気的に確認する検査手
段として用いる。なお、MRヘッドに設けるアルミナの
保護膜を介してヒューズにレーザーを照射する場合、前
記レーザーの波長は、アルミナ膜を損傷せず、かつヒュ
ーズを構成する材料を溶断することが望ましい。
(Embodiment 10) An embodiment in which a fuse is blown by another means will be described. The MR element shown in FIG.
After forming the head, the fuses 5a and 5b were irradiated with a laser to blow the fuses. This method
In any step after the wafer step or the slider step, the fuse can be blown. In this case, the electrode pad led from the fuse to the surface of the slider is used as an inspection means for electrically confirming the fusing / connection of the fuse. When irradiating a laser to the fuse through an alumina protective film provided on the MR head, it is desirable that the wavelength of the laser does not damage the alumina film and melts the material forming the fuse.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成を用
いることにより、MRヘッドの製造工程において、任意
の工程で短絡回路の開放を行うことができ、静電破壊を
防止したMRヘッドを得ることができた。
As described above, by using the structure of the present invention, it is possible to open a short circuit in an arbitrary step in a manufacturing process of an MR head, and to provide an MR head in which electrostatic breakdown is prevented. I got it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のMRヘッドの再生素子の平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view of a reproducing element of an MR head according to the present invention.

【図2】本発明のMRヘッドの製造工程を説明する断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the MR head of the present invention.

【図3】本発明のMRヘッドでヒューズを溶断する回路
を説明する概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a circuit for blowing a fuse with the MR head of the present invention.

【図4】本発明のMRヘッドでヒューズを溶断する回路
を説明する概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a circuit for blowing a fuse in the MR head of the present invention.

【図5】本発明に係る他のMRヘッドの再生素子の一実
施形態を説明する平面図である。
FIG. 5 is a plan view illustrating an embodiment of a reproducing element of another MR head according to the present invention.

【図6】本発明に係るヒューズ溶断装置の等価回路図で
ある。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the fuse blowing device according to the present invention.

【図7】本発明のMRヘッドの再生素子の一実施形態の
平面図である。
FIG. 7 is a plan view of an embodiment of the reproducing element of the MR head of the present invention.

【図8】本発明のMRヘッドのスライダーの斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view of a slider of the MR head of the present invention.

【図9】本発明のMRヘッドのスライダーの斜視図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view of a slider of the MR head of the present invention.

【図10】本発明のMRヘッドに適用できるスピンバル
ブ素子の断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a spin valve element applicable to the MR head of the present invention.

【図11】ヒューズの電気抵抗値と印加電圧をの関係を
説明するグラフである。
FIG. 11 is a graph illustrating a relationship between an electric resistance value of a fuse and an applied voltage.

【図12】ヒューズに印加する電流パルス幅とピーク電
流の関係を説明するグラフである。
FIG. 12 is a graph illustrating a relationship between a current pulse width applied to a fuse and a peak current.

【図13】Vbのヒューズ幅W依存性を示すグラフであ
る。
FIG. 13 is a graph showing the dependence of Vb on the fuse width W.

【図14】Vbのヒューズ長さL依存性を示すグラフで
ある。
FIG. 14 is a graph showing the dependence of Vb on the fuse length L.

【図15】Vbfのヒューズ幅W依存性を示すグラフであ
る。
FIG. 15 is a graph showing the dependence of Vbf on the fuse width W.

【図16】Vbfのヒューズ長さL依存性を示すグラフで
ある。
FIG. 16 is a graph showing the dependence of Vbf on the fuse length L.

【図17】Jbfのヒューズ幅W依存性を示すグラフであ
る。
FIG. 17 is a graph showing the dependence of Jbf on the fuse width W.

【図18】Jbfのヒューズ長さL依存性を示すグラフで
ある。
FIG. 18 is a graph showing the dependence of Jbf on the fuse length L.

【図19】従来のMRヘッドの断面図である。FIG. 19 is a sectional view of a conventional MR head.

【図20】従来のMRヘッドの斜視図である。FIG. 20 is a perspective view of a conventional MR head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 非磁性基板、2 絶縁膜、3 3b シールド、4
絶縁膜、5 MR素子、5a 5b 5c ヒュー
ズ、6a 6b 電極膜、6c 6d 導電膜、6f
電極膜延長部、6g 接続膜、7 第2の絶縁膜、8
8b シールド、9a 9b 端子、9m 9n 接続
部、10a 10b 端子、21 22 ヒューズ溶断
装置、30 40 ウェファ、31 32 41 42
電極パッド、33 34 43 44 電極パッド、
35 36 45 46 電極パッド、37 MRヘッ
ド38 スライダー、48a スライダー、 48b
スライダー片、82a 反強磁性膜、 82b 磁性
膜、 82c 非磁性金属膜、82d 磁性膜、 81
永久磁石膜、 83 電極膜。
1 non-magnetic substrate, 2 insulating film, 3 3b shield, 4
Insulating film, 5 MR element, 5a 5b 5c fuse, 6a 6b electrode film, 6c 6d conductive film, 6f
Electrode film extension, 6g Connection film, 7 Second insulating film, 8
8b shield, 9a 9b terminal, 9m 9n connection portion, 10a 10b terminal, 21 22 fuse blowing device, 30 40 wafer, 31 32 41 42
Electrode pad, 33 34 43 44 electrode pad,
35 36 45 46 Electrode pad, 37 MR head 38 slider, 48a slider, 48b
Slider piece, 82a antiferromagnetic film, 82b magnetic film, 82c nonmagnetic metal film, 82d magnetic film, 81
Permanent magnet film, 83 electrode film.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜
を介して2つのシールドの間に設けられた磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記再生素子に電流を導くため
の電極膜の少なくとも一つが、溶断するヒューズを介し
て前記シールドと電気的に導通していることを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
In a magnetoresistive head in which a reproducing element having a magnetoresistive effect is provided between two shields via an insulating film, at least one of an electrode film for leading a current to the reproducing element is provided. And a magnetic head electrically connected to the shield via a fuse to be blown.
【請求項2】 磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜
を介して2つのシールドの間に設けられた磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記再生素子に電流を導くため
の電極膜の少なくとも一つが、溶断するヒューズを介し
て前記シールドと電気的に導通している構造を有する磁
気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記ヒューズが溶断
された残痕を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。
2. A magnetoresistive head in which a reproducing element having a magnetoresistive effect is provided between two shields via an insulating film, wherein at least one of the electrode films for guiding a current to the reproducing element is provided. A magnetoresistive magnetic head having a structure electrically connected to said shield via a fuse to be blown, wherein said fuse has a residual mark that has been blown. head.
【請求項3】 再生素子あるいは記録素子に外部から通
電するため、少なくとも4個以上の電極パッドを有し、
前記電極パッドの内少なくとも2つの電極パッドの間に
電流あるいは電圧を加えることにより、前記2つの電極
パッドに接続されたヒューズが溶断されることを特徴と
する磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. The apparatus has at least four or more electrode pads in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element.
A magneto-resistive magnetic head, wherein a fuse connected to the two electrode pads is blown by applying a current or a voltage between at least two of the electrode pads.
【請求項4】 再生素子あるいは記録素子に外部から通
電するため、少なくとも4個以上の電極パッドを有し、
前記電極パッドの内少なくとも2つの電極パッドの間に
電流あるいは電圧を加えることにより、前記2つの電極
パッドに接続されたヒューズを溶断することが可能な磁
気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記ヒューズが溶断
された残痕を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。
4. A device having at least four or more electrode pads for supplying a current to a reproducing element or a recording element from the outside,
A magnetoresistive effect type magnetic head capable of blowing a fuse connected to the two electrode pads by applying a current or a voltage between at least two of the electrode pads; Characterized by having a fusing residue.
【請求項5】 再生素子あるいは記録素子に外部から通
電するため、少なくとも4個以上の電極パッドを有し、
前記4個以上の電極パッドの内、少なくとも2個以上が
再生素子に接続されており、前記電極パッドの内少なく
とも2つの電極パッドの間に電流あるいは電圧を加える
ことにより、前記2つの電極パッドに接続されたヒュー
ズが溶断されることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
5. In order to externally supply current to a reproducing element or a recording element, at least four or more electrode pads are provided.
At least two or more of the four or more electrode pads are connected to a reproducing element, and a current or a voltage is applied between at least two of the electrode pads, so that the two electrode pads are A magnetoresistance effect type magnetic head, wherein a connected fuse is blown.
【請求項6】 再生素子あるいは記録素子に外部から通
電するため、少なくとも4個以上の電極パッドを有し、
前記電極パッドの内少なくとも2つの電極パッドの間に
電流あるいは電圧を加えることにより、前記2つの電極
パッドに接続されたヒューズが溶断される磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造方法で、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を製造する途中の工程あるいは製造工程終了後に電流パ
ルスまたは電圧パルスを用いて前記ヒューズを溶断し、
その後に前記再生素子と前記シールドの間の短絡あるい
は絶縁耐圧を検査することを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法。
6. It has at least four or more electrode pads in order to externally supply current to a reproducing element or a recording element,
A method of manufacturing a magnetoresistive head in which a fuse connected to the two electrode pads is blown by applying a current or a voltage between at least two of the electrode pads. Blowing the fuse using a current pulse or a voltage pulse after the process of manufacturing the magnetic head or after the manufacturing process is completed,
A method for manufacturing a magnetoresistive magnetic head, further comprising inspecting a short circuit or a dielectric strength between the reproducing element and the shield.
【請求項7】 磁気抵抗効果を有する再生素子が絶縁膜
を介して2つのシールドの間に設けられた構造を有し、
前記再生素子に電流を導くための電極膜の少なくとも一
つが、溶断するヒューズを介して前記シールドと電気的
に導通している構造を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法であって、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造
する途中の工程あるいは製造工程終了後に電流パルスま
たは電圧パルスを用いて前記ヒューズを溶断し、その後
に前記再生素子と前記シールドの間の短絡あるいは絶縁
耐圧を検査することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法。
7. A structure in which a reproducing element having a magnetoresistance effect is provided between two shields via an insulating film,
A method for manufacturing a magneto-resistance effect type magnetic head having a structure in which at least one of an electrode film for guiding a current to the read element is electrically connected to the shield via a fuse that blows, The method is characterized in that the fuse is blown using a current pulse or a voltage pulse during the process of manufacturing the effect type magnetic head or after the manufacturing process is completed, and thereafter, a short circuit or a withstand voltage between the reproducing element and the shield is inspected. Of manufacturing a magnetoresistive magnetic head.
【請求項8】 再生素子あるいは記録素子に外部から通
電するため、少なくとも4個以上の電極パッドを有し、
前記電極パッドの内少なくとも2つの電極パッドの間に
電流あるいは電圧を加えることにより、前記2つの電極
パッドに接続されたヒューズを溶断することが可能で、
前記ヒューズが溶断された残痕を有することを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法であって、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを製造する途中の工程あるいは製
造工程終了後に電流パルスまたは電圧パルスを用いて前
記ヒューズを溶断し、その後に前記再生素子と前記シー
ルドの間の短絡あるいは絶縁耐圧を検査することを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
8. A device having at least four or more electrode pads for externally supplying current to a reproducing element or a recording element,
By applying a current or voltage between at least two of the electrode pads, it is possible to blow a fuse connected to the two electrode pads,
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a magneto-resistance effect type magnetic head, comprising: a step of manufacturing a magneto-resistance effect type magnetic head; And fusing the fuse, and then inspecting for a short circuit or dielectric strength between the read element and the shield.
【請求項9】 請求項1に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを製造する方法であって、レーザーを前記ヒューズ
に照射することによって前記ヒューズを溶断することを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
9. The method for manufacturing a magnetoresistive head according to claim 1, wherein the fuse is blown by irradiating the fuse with a laser. Manufacturing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007114127A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Fujitsu Ltd Charging amount evaluation element
US7291279B2 (en) 2004-04-30 2007-11-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of making a read sensor while protecting it from electrostatic discharge (ESD) damage

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