JPH1124089A - Liquid crystal device - Google Patents

Liquid crystal device

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JPH1124089A
JPH1124089A JP17870397A JP17870397A JPH1124089A JP H1124089 A JPH1124089 A JP H1124089A JP 17870397 A JP17870397 A JP 17870397A JP 17870397 A JP17870397 A JP 17870397A JP H1124089 A JPH1124089 A JP H1124089A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode
protective film
substrate
metal
Prior art date
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Application number
JP17870397A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Tokunaga
博之 徳永
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH1124089A publication Critical patent/JPH1124089A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent corrosion of a metallic electrode by arranging a protective film, which is provided with a sheet resistance not less than a specific value and with a thickness less than a specific value, in the manner of covering the metallic electrode, and electrically connecting the metallic electrode to a transparent electrode through this protective film. SOLUTION: A liquid crystal device P3 is equipped with a pair of electrode base plates 30 disposed nearly parallelly. These base plates 30 are provided with a substrate 11 whose surface is formed with a number of striped metallic electrodes 12 detachedly from each other. In addition, a protective film 32 is formed nearly on the entire substrate 11 in the manner of covering these metallic electrodes 12, with the surface of this protective film 32 formed with a striped transparent electrode 6 along each metallic electrode. Further, each metallic electrode 12 and transparent electrode 6 are electrically connected by being faced opposite to each other through this protective film 32. This protective film 32 is a sheet resistance of 1.0×10<9> Ω or above, with a thickness of 1,500 Å or below.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相互に離間する金
属電極を備えた液晶素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device having metal electrodes separated from each other.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、液晶を用いて情報を表示する
液晶素子は種々の分野において使用されている。
2. Description of the Related Art Hitherto, liquid crystal elements for displaying information using liquid crystals have been used in various fields.

【0003】図1(a) は、従来の液晶素子の構造の一例
を示す図であるが、この液晶素子P1 は、略平行に配置
された一対のガラス基板1,1を備えており、これらの
ガラス基板1,1はシール材2によって貼り合わされ
て、その内部間隙には液晶3が保持されている。また、
各基板1,1の表面には、図1(b) に示すようなストラ
イプ状のITO(インジウム錫酸化物)等からなる透明
電極6が多数形成されており、これらの透明電極6の表
面には絶縁膜7や配向制御膜9が形成されている。そし
て、これらの透明電極6に所定のパルス信号を印加する
ことにより、液晶素子P1 を駆動するようになってい
た。
[0003] FIGS. 1 (a) is a diagram showing an example of the structure of a conventional liquid crystal element, the liquid crystal element P 1 is provided with a pair of glass substrates 1, 1 arranged generally parallel to, These glass substrates 1 and 1 are bonded together by a sealing material 2, and a liquid crystal 3 is held in an internal gap. Also,
On the surface of each of the substrates 1 and 1, a large number of transparent electrodes 6 made of ITO (indium tin oxide) or the like as shown in FIG. 1B are formed. Has an insulating film 7 and an orientation control film 9 formed thereon. Then, by applying a predetermined pulse signal to the transparent electrodes 6, it was supposed to drive the liquid crystal element P 1.

【0004】しかしながら、この透明電極6は体積抵抗
が200×10-8〜4000×10-8Ω・cmと大きい
ため、表示面積の大型化、高精細化、並びに液晶駆動の
高速化に伴い、液晶を駆動するためのパルス信号の電圧
波形の遅延が問題となっていた。
However, since the volume resistance of the transparent electrode 6 is as large as 200 × 10 −8 to 4000 × 10 −8 Ω · cm, the size of the display area is increased, the definition is increased, and the driving speed of the liquid crystal is increased. The delay of the voltage waveform of the pulse signal for driving the liquid crystal has been a problem.

【0005】なお、この透明電極6を厚くすることによ
って抵抗を下げることも考えられるが、透明電極6の成
膜に時間やコストがかかったり、ガラス基板1への密着
性が悪くなるという問題があり、実用的ではなかった。
Although it is conceivable to reduce the resistance by increasing the thickness of the transparent electrode 6, it takes time and cost to form the transparent electrode 6, and the adhesion to the glass substrate 1 is deteriorated. Yes, not practical.

【0006】このような問題を解決する液晶素子とし
て、低抵抗の金属電極を透明電極に併設したものが、特
開平2−63019号公報、特開平6−347810号
公報等に開示されている。
As a liquid crystal element that solves such a problem, a liquid crystal element in which a low-resistance metal electrode is provided in addition to a transparent electrode is disclosed in JP-A-2-63019 and JP-A-6-347810.

【0007】この液晶素子P2 は、図2(a) に示すよう
に、平行に配置された一対の電極基板10,10を備え
ており、これらの電極基板10,10はシール材2によ
って貼り合わされて、その内部間隙には液晶3が保持さ
れている。電極基板10は、同図(b) に詳示するよう
に、厚さが1mm程度で透明なガラス基板11を備えてお
り、このガラス基板11の表面には、ストライプ状の金
属電極12が相互に離間するように多数形成されてい
る。また、金属電極12相互の間隙には、絶縁層、具体
的には紫外線硬化樹脂(以下、“UV硬化樹脂”とす
る)13が配置されている。そして、このUV硬化樹脂
13は金属電極12と共にほぼ平滑な面を形成してお
り、該ほぼ平滑な面上には透明電極6が多数形成されて
いる。
As shown in FIG. 2A, the liquid crystal element P 2 has a pair of electrode substrates 10, 10 arranged in parallel, and these electrode substrates 10, 10 are bonded by a sealing material 2. The liquid crystal 3 is held in the internal gap. The electrode substrate 10 includes a transparent glass substrate 11 having a thickness of about 1 mm as shown in detail in FIG. Many are formed so as to be separated from each other. In addition, an insulating layer, specifically, an ultraviolet curable resin (hereinafter, referred to as “UV curable resin”) 13 is disposed between the metal electrodes 12. The UV-curable resin 13 forms a substantially smooth surface together with the metal electrode 12, and a large number of transparent electrodes 6 are formed on the substantially smooth surface.

【0008】この液晶素子P2 においては、各透明電極
6に電気的に接続するように、低抵抗の金属電極12が
それぞれ併設されているため、上述したような電圧波形
の遅延を低減できる。
In the liquid crystal element P 2 , since the low-resistance metal electrodes 12 are respectively provided so as to be electrically connected to the respective transparent electrodes 6, the delay of the voltage waveform as described above can be reduced.

【0009】ところで、上述した金属電極12の材料と
してはアルミニウムや銅や銀が考えられるが、このう
ち、低抵抗の点からは銅が好ましい(応用物理 61巻
11号1992)。
By the way, aluminum, copper or silver can be considered as a material of the above-mentioned metal electrode 12, and among them, copper is preferable from the viewpoint of low resistance (Applied Physics Vol. 61, No. 11, 1992).

【0010】しかし、銅は、酸化され易く拡散も起こり
易いなど耐久性が低いという問題点がある。
However, copper has a problem of low durability such as being easily oxidized and easily diffused.

【0011】このような問題を解決する方法として、安
定な金属による表面層を金属電極12の表面に設ける方
法や、金属電極12の表面にSiN膜を形成する方法
(特開平4−242960号公報)や、同じくTiN膜
を形成する方法(特開昭63−156341号公報)
や、Au層を形成する方法(特開平3−60186号公
報)がある。
As a method for solving such a problem, a method of providing a surface layer of a stable metal on the surface of the metal electrode 12 or a method of forming a SiN film on the surface of the metal electrode 12 (Japanese Patent Laid-Open No. 4-242960) ) Or a method of forming a TiN film (Japanese Patent Laid-Open No. 63-156341).
And a method of forming an Au layer (JP-A-3-60186).

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
では、配線側面又は配線だけに保護膜を形成するために
メッキなどの特殊かつ複雑な成膜方法や、フォトリソ工
程を用いる必要があり、製造コストが増加するという問
題があった。
However, in these methods, it is necessary to use a special and complicated film formation method such as plating or a photolithography process in order to form a protective film only on the side surface of the wiring or only on the wiring. There was a problem that cost increased.

【0013】そこで、本発明は、金属電極の腐食を防止
できる液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal element capable of preventing corrosion of a metal electrode.

【0014】また、本発明は、製造工程が簡略化でき製
造コストも低減できる液晶素子を提供することを目的と
するものである。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal device which can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.

【0015】さらに、本発明は、いわゆる電圧波形の遅
延の問題が解消されて大面積化及び高精細化に対応可能
な液晶素子を提供することを目的とするものである。
A further object of the present invention is to provide a liquid crystal device which can solve the problem of so-called voltage waveform delay and can cope with an increase in area and definition.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶を挟持す
ると共に相対向するように配置された一対の基板と、こ
れら一対の基板の少なくともいずれか一方に相互に離間
するように複数形成された金属電極と、1つ1つの金属
電極と電気的に接続されるように配置された透光性を有
する複数の透明電極と、を備えた液晶素子において、前
記金属電極を覆うように、1.0×109 Ω□以上のシ
ート抵抗で1500Å未満の厚さの保護膜を配置し、前
記金属電極と前記透明電極とが、この保護膜を介して電
気的に接続される、ことを特徴とする液晶素子を提供す
る。
According to the present invention, there is provided a pair of substrates which sandwich a liquid crystal and are arranged so as to face each other, and a plurality of substrates are formed on at least one of the pair of substrates so as to be separated from each other. A liquid crystal device comprising a metal electrode and a plurality of translucent transparent electrodes disposed so as to be electrically connected to the respective metal electrodes. A protective film having a sheet resistance of at least 0.010 9 Ω □ and a thickness of less than 1500 ° is disposed, and the metal electrode and the transparent electrode are electrically connected via the protective film. Provided is a liquid crystal element.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。なお、図2に示すものと
同一部分は同一符号を付して説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the same parts as those shown in FIG.

【0018】まず、本発明の第1の実施の形態につい
て、図3乃至図7を参照して説明する。
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0019】本実施の形態にて製造される液晶素子P3
は、図3に示すように、略平行に配置された一対の電極
基板30,30を備えている。これらの電極基板30,
30はシール材2によって貼り合わされており、これら
の電極基板30,30の間隙にはスペーサー31が多数
配置されていて該間隙を規定するように構成されてい
る。また、この基板間隙には、強誘電性を示す液晶(以
下、“強誘電性液晶”とする)や、強誘電性及び反強誘
電性を示す液晶(以下、“反強誘電性液晶”とする)等
の液晶3が挟持されている。
The liquid crystal element P 3 manufactured in the present embodiment
Has a pair of electrode substrates 30, 30 arranged substantially in parallel, as shown in FIG. These electrode substrates 30,
Numeral 30 is adhered by the sealing material 2, and a large number of spacers 31 are arranged in a gap between the electrode substrates 30, 30 so as to define the gap. In addition, a liquid crystal exhibiting ferroelectricity (hereinafter referred to as “ferroelectric liquid crystal”) and a liquid crystal exhibiting ferroelectricity and antiferroelectricity (hereinafter referred to as “antiferroelectric liquid crystal”) are provided in the gap between the substrates. ) Is sandwiched.

【0020】この電極基板30は、図4(a) 及び(b) に
詳示するように基板11を有しており、基板11の表面
には、ストライプ状の金属電極12が相互に離間するよ
うに多数形成されている。また、これらの金属電極12
を覆うように基板11のほぼ全体に保護膜32が形成さ
れており、この保護膜32の表面には、1つ1つの金属
電極12に沿うようにストライプ状の透明電極6が形成
されている。そして、各金属電極12と透明電極6と
は、この保護膜32を介して対向することにより電気的
に接続されるようになっている。さらに、透明電極6等
を覆うように絶縁膜(不図示)や配向制御膜9が形成さ
れている。なお、2枚の電極基板30,30は、透明電
極6(金属電極12)が互いに直交する位置関係となる
ように配置されている。
The electrode substrate 30 has a substrate 11 as shown in detail in FIGS. 4A and 4B. On the surface of the substrate 11, striped metal electrodes 12 are separated from each other. Many are formed like this. In addition, these metal electrodes 12
A protective film 32 is formed on substantially the entire surface of the substrate 11 so as to cover the transparent electrodes 6. On the surface of the protective film 32, a stripe-shaped transparent electrode 6 is formed along each metal electrode 12. . Each metal electrode 12 and the transparent electrode 6 are electrically connected to each other by facing each other via the protective film 32. Further, an insulating film (not shown) and an orientation control film 9 are formed so as to cover the transparent electrode 6 and the like. Note that the two electrode substrates 30 are arranged such that the transparent electrodes 6 (metal electrodes 12) have a positional relationship orthogonal to each other.

【0021】保護膜32は、透明な酸化物からなり、各
金属電極12の表面を覆うように形成され、電極間隙に
おいては基板11を覆うように形成されている。また、
この保護膜32は、1.0×109 Ω□以上のシート抵
抗であって、1500Å以下の厚さである。
The protective film 32 is made of a transparent oxide, and is formed so as to cover the surface of each metal electrode 12 and to cover the substrate 11 between the electrodes. Also,
The protective film 32 has a sheet resistance of 1.0 × 10 9 Ω □ or more and a thickness of 1500 ° or less.

【0022】基板11としては、光を透過する透光性基
板が好ましく、両面が研磨されて平行度の良好なもの
で、かつ厚さが0.5〜2mm程度であれば良く、具体的
には、ガラス、石英、樹脂、セラミック等を用いれば良
い。
The substrate 11 is preferably a light-transmitting substrate that transmits light. Both substrates are polished on both sides and have good parallelism, and may have a thickness of about 0.5 to 2 mm. May be made of glass, quartz, resin, ceramic, or the like.

【0023】金属電極12としては、抵抗値が小さく、
厚さ0.3〜5μm程度に成膜することが容易で、さら
に透光性基板11への密着性が良好な材料であれば何で
も良いが、銅、銅合金、銀、又は銀合金が好ましい。
The metal electrode 12 has a small resistance value,
Any material that can be easily formed into a film with a thickness of about 0.3 to 5 μm and has good adhesion to the light-transmitting substrate 11 may be used, but copper, a copper alloy, silver, or a silver alloy is preferable. .

【0024】透明電極6としては、透光性に優れた材
料、例えば、ITO(indium Tin Oxide;酸化インジウ
ムに酸化スズを5〜10%程度混合した物)や、インジ
ウムオキサイドや、ティンオキサイド等が好ましい。
The transparent electrode 6 is made of a material having excellent translucency, for example, ITO (indium tin oxide; a mixture of indium oxide and tin oxide of about 5 to 10%), indium oxide, tin oxide and the like. preferable.

【0025】なお、図3においては、金属電極12及び
保護膜32は両方の基板に形成するものとしたが、もち
ろんこれに限る必要はなく、一方の基板のみに形成する
ようにしてもよい。
In FIG. 3, the metal electrode 12 and the protective film 32 are formed on both substrates. However, the present invention is not limited to this, and may be formed on only one substrate.

【0026】また、両基板の配向制御膜9は互いに異な
る材料からなるものであっても良い。
The orientation control films 9 of both substrates may be made of different materials.

【0027】次に、本実施の形態に係る液晶素子P3
製造方法について、図5を参照して説明する。 〈金属電極形成工程〉透光性基板11の表面に、真空蒸
着法やスパッタリング法によって電極薄膜を形成し、そ
の後、フォトリソ法によるパターニングを行って、相互
に離間する多数の金属電極12を形成する(図5(a) 参
照。以下、透光性基板11に金属電極12を形成した構
造体を“金属電極付き基板B1 ”とし、この金属電極付
き基板B1 において金属電極12が形成された側の面を
“電極面15”とする)。 〈保護膜形成工程〉次に、一般的な成膜方法によって保
護膜32を形成する(同図(b) 参照)。なお、この保護
膜32は基板11の全体に形成すれば良いので、フォト
リソ法等によるパターニングを行う必要は無い。 〈透明電極形成工程等〉そして、上述のようにして形成
した金属電極12を覆うように、基板11のほぼ全体に
ITO膜等をスパッタリング法等によって形成し、フォ
トリソ・エッチング法によってパターニングを行い、上
述した形状の透明電極6を形成する(同図(c) 参照)。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal device P 3 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. <Metal electrode forming step> An electrode thin film is formed on the surface of the light-transmitting substrate 11 by a vacuum evaporation method or a sputtering method, and thereafter, patterning is performed by a photolithography method to form a large number of metal electrodes 12 separated from each other. (See FIG. 5A. Hereinafter, the structure in which the metal electrode 12 is formed on the translucent substrate 11 is referred to as “substrate B 1 with metal electrode”, and the metal electrode 12 is formed on the substrate B 1 with metal electrode. The side surface is referred to as “electrode surface 15”). <Protective Film Forming Step> Next, the protective film 32 is formed by a general film forming method (see FIG. 3B). Since the protective film 32 may be formed over the entire substrate 11, there is no need to perform patterning by photolithography or the like. <Transparent electrode forming step> Then, an ITO film or the like is formed on substantially the entire substrate 11 by a sputtering method or the like so as to cover the metal electrode 12 formed as described above, and is patterned by a photolithographic etching method. The transparent electrode 6 having the above-described shape is formed (see FIG. 3C).

【0028】その後、これらの透明電極6等を覆うよう
に絶縁膜(不図示)や配向制御膜9を形成し、この配向
制御膜9のラビング処理を行って電極基板30を作成す
る。
Thereafter, an insulating film (not shown) and an orientation control film 9 are formed so as to cover the transparent electrodes 6 and the like, and a rubbing process of the orientation control film 9 is performed to form an electrode substrate 30.

【0029】そして、以上のようにして作成した一対の
電極基板30,30を用意し、一方の電極基板30の表
面にスペーサー31を散布すると共にシール材2を塗布
し、電極基板30,30を貼り合わせる。その後、基板
間隙に液晶3を注入して、液晶素子P3 を作成する。
Then, a pair of electrode substrates 30, 30 prepared as described above is prepared, a spacer 31 is sprayed on the surface of one of the electrode substrates 30, and a sealing material 2 is applied. to paste together. Then injecting a liquid crystal 3 to substrate gap, creating a liquid crystal element P 3.

【0030】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
Next, effects of the present embodiment will be described.

【0031】本実施の形態によれば、抵抗値の小さい金
属電極12が、保護膜32を介して1つ1つの透明電極
6に電気的に接続されているため、低抵抗で電圧波形の
遅延の問題が無く、大面積化並びに高精細化に対応可能
な電極基板及び液晶素子を得ることができる。
According to the present embodiment, since the metal electrodes 12 having a small resistance value are electrically connected to the respective transparent electrodes 6 via the protective films 32, the resistance of the voltage waveform is low with low resistance. It is possible to obtain an electrode substrate and a liquid crystal element that can cope with a large area and a high definition without the problem described above.

【0032】また、各金属電極12の表面は保護膜32
によって覆われているため、該電極の腐食等を防止でき
る。
The surface of each metal electrode 12 is covered with a protective film 32.
Since it is covered by the electrode, corrosion and the like of the electrode can be prevented.

【0033】さらに、保護膜32は、上述のように基板
11の全体に形成するようにしているため、パターニン
グ工程を省略できる。したがって、製造工程を簡略化で
きると共に製造コストも低減できる。なお、保護膜32
は透光性のある材料にて形成したため、これを金属電極
相互の間隙に配置していても、液晶素子自体の透光性を
阻害することは無い。また、保護膜32のシート抵抗は
1.0×109 Ω□以上と高いので、この保護膜32を
介して隣接し合う電極同士がショートすることも無い。
Further, since the protective film 32 is formed on the entire substrate 11 as described above, the patterning step can be omitted. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. The protective film 32
Is formed of a translucent material, so that even if it is arranged in the gap between the metal electrodes, the transmissivity of the liquid crystal element itself is not hindered. Further, since the sheet resistance of the protective film 32 is as high as 1.0 × 10 9 Ω □ or more, adjacent electrodes do not short-circuit through the protective film 32.

【0034】ところで、上述の高抵抗な保護膜32と液
晶3とは、電気的には直列の容量と見なすことができ
る。ここで、保護膜32の誘電率がある程度高くて膜厚
が薄ければ、駆動電圧のほとんどは液晶層に分配され、
このような保護膜32の存在にかかわらず液晶素子を駆
動することができる。
The high-resistance protective film 32 and the liquid crystal 3 can be electrically regarded as a series capacitance. Here, if the dielectric constant of the protective film 32 is high to some extent and the film thickness is small, most of the driving voltage is distributed to the liquid crystal layer,
The liquid crystal element can be driven regardless of the presence of such a protective film 32.

【0035】そこで、本発明者は、液晶素子の駆動を阻
害しないような保護膜32の膜厚の上限を決定すべく、
実験を行った。実験に用いた液晶素子は、一つの液晶画
素のサイズを100×300μm(1画素分の配線部上
面の面積は10×300μm)とし、セル厚2μmとし
た。液晶3には、比誘電率5のカイラルスメチック液晶
を用いた。そして、その実験結果によると、図6に示し
たように、保護膜32の容量が液晶層の容量の0.3以
下(30%以下)の時、液晶素子は駆動可能であった。
ここで、保護膜32として用いる材料の比誘電率は3〜
8なので、保護膜32の膜厚は1500Å以下が好まし
く、特に1000Å以下が好ましいことが分かる。
The inventor of the present invention has determined the upper limit of the thickness of the protective film 32 so as not to hinder the driving of the liquid crystal element.
An experiment was performed. In the liquid crystal element used in the experiment, the size of one liquid crystal pixel was 100 × 300 μm (the area of the upper surface of the wiring portion for one pixel was 10 × 300 μm), and the cell thickness was 2 μm. As the liquid crystal 3, a chiral smectic liquid crystal having a relative dielectric constant of 5 was used. According to the experimental results, as shown in FIG. 6, when the capacity of the protective film 32 was 0.3 or less (30% or less) of the capacity of the liquid crystal layer, the liquid crystal element was drivable.
Here, the relative dielectric constant of the material used for the protective film 32 is 3 to
Since it is 8, it is understood that the thickness of the protective film 32 is preferably 1500 ° or less, and particularly preferably 1000 ° or less.

【0036】一方、保護膜32のシート抵抗は1.0×
109 Ω□以上(特に、1.0×1010以上)が有効で
あることは実験により求めた。以下、その実験の内容に
ついて説明する。
On the other hand, the protective film 32 has a sheet resistance of 1.0 ×
It was experimentally determined that a value of 10 9 Ω □ or more (in particular, 1.0 × 10 10 or more) was effective. Hereinafter, the contents of the experiment will be described.

【0037】実験に用いた液晶素子においては、透光性
基板11を100mm×100mmのガラス基板とし、
金属電極12を3000Åの厚さのCuとし、そのピッ
チを40μm、電極幅を10μmとした。また、保護膜
32には、SbドープのSnO2 膜を用い、透明電極6
には、1000Åの厚さのITOを用いた。さらに、配
向制御膜9には100Åの厚さのポリイミド膜を用い、
液晶3には強誘電性液晶を用いた。また、スペーサー3
1の粒径を2μmとした。そして、このような構造の液
晶素子を製造するに当たり、SnO2 の成膜条件(具体
的には、ターゲット中のSbの濃度)を変えて、保護膜
32のシート抵抗を変化させ、製造した各液晶素子にお
いて、電極間のリーク電流による表示部の乱れを調べ
た。図7は、その実験結果を示したものであるが、本実
験により、保護膜32のシート抵抗が1.0×109 Ω
□以上であれば、駆動可能電圧の範囲(駆動マージン)
は十分に広く、コントラストも低下しないことが分か
る。
In the liquid crystal device used in the experiment, the translucent substrate 11 was a 100 mm × 100 mm glass substrate,
The metal electrode 12 was made of Cu with a thickness of 3000 °, the pitch was 40 μm, and the electrode width was 10 μm. Further, as the protective film 32, an Sb-doped SnO 2 film is used, and the transparent electrode 6 is used.
In this case, ITO having a thickness of 1000 ° was used. Further, a polyimide film having a thickness of 100 ° is used for the orientation control film 9.
As the liquid crystal 3, a ferroelectric liquid crystal was used. Spacer 3
The particle size of No. 1 was 2 μm. In manufacturing a liquid crystal element having such a structure, the sheet resistance of the protective film 32 is changed by changing the SnO 2 film forming conditions (specifically, the concentration of Sb in the target), and In a liquid crystal element, disturbance of a display portion due to a leak current between electrodes was examined. FIG. 7 shows the results of the experiment. According to the experiment, the sheet resistance of the protective film 32 was 1.0 × 10 9 Ω.
□ If above, range of drivable voltage (driving margin)
Is sufficiently wide and the contrast does not decrease.

【0038】次いで、本発明の第2の実施の形態につい
て、図8乃至図10を参照して説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0039】本実施の形態に係る液晶素子P4 は、図8
(a) 及び(b) に示すように、略平行に配置された一対の
電極基板50,50を備えている。これらの電極基板5
0,50は、上述した電極基板30,30と同様に、シ
ール材2によって貼り合わされると共に、スペーサー3
1によって基板間隙が規定されている。
The liquid crystal element P 4 according to the present embodiment is the same as that shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a pair of electrode substrates 50, 50 arranged substantially in parallel is provided. These electrode substrates 5
Reference numerals 0 and 50 are attached with the sealing material 2 and the spacers 3 are provided in the same manner as the electrode substrates 30 and 30 described above.
1 defines the substrate gap.

【0040】また、電極基板50は基板11を有してお
り、基板11の表面には、上述した電極基板30と同様
に、金属電極12や保護膜32が形成されている。そし
て、金属電極12の相互の間隙(正確には、保護膜32
の凹部)には、電極相互間の絶縁並びに平坦化を行う絶
縁層13Sが配置されており、透明電極6は、これら保
護膜32及び絶縁層13Sの表面に形成されている。
The electrode substrate 50 has the substrate 11, and the metal electrodes 12 and the protective film 32 are formed on the surface of the substrate 11, similarly to the electrode substrate 30 described above. The gap between the metal electrodes 12 (more precisely, the protective film 32
An insulating layer 13S for insulating and flattening between the electrodes is disposed in the (concave portion), and the transparent electrode 6 is formed on the surface of the protective film 32 and the insulating layer 13S.

【0041】絶縁層13Sの形成には、何らかの外部刺
激に反応して硬化する物質であって、硬化前においては
流動性に富み、硬化後においては光を透過する材質の物
を用いる。例えば、紫外線(以下、“UV光”とする)
の照射を受けて硬化する紫外線硬化型樹脂(以下、“U
V硬化樹脂”とする)や、熱が加えられた場合に硬化す
る熱硬化樹脂や、2液反応硬化型樹脂等が挙げられる
(以下、硬化される前のものを“絶縁材料13L”と
し、硬化された後のものを“絶縁層13S”とする)。
For the formation of the insulating layer 13S, a material which is hardened in response to some external stimulus and has a high fluidity before hardening and a material which transmits light after hardening is used. For example, ultraviolet light (hereinafter referred to as “UV light”)
UV-curable resin (hereinafter referred to as “U”)
V-cured resin), a thermosetting resin that cures when heat is applied, a two-component reaction-curable resin, and the like (hereinafter, the one before being cured is referred to as an “insulating material 13L” The cured product is referred to as “insulating layer 13S”).

【0042】このうち、UV硬化樹脂としては、モノマ
ー、オリゴマー及び光開始剤の混合組成物であり、アク
リル系、エポキシ系、エン・チオール系等いかなる重合
方式のものでも良いが、後の製造工程(例えば、透明電
極を形成する工程や、配向制御膜を焼成する工程)に耐
え得るよう、耐熱性、耐薬品性、耐洗浄性を具備してい
る必要がある。したがって、例えば、主成分である反応
性オリゴマーに耐熱性のある分子構造を導入したもの
や、多官能モノマーにより架橋密度を高めたものが好ま
しい。
Among them, the UV-curable resin is a mixed composition of a monomer, an oligomer and a photoinitiator, and may be of any polymerization type such as an acrylic type, an epoxy type, or an ene / thiol type. (For example, a step of forming a transparent electrode or a step of firing an alignment control film), it is necessary to have heat resistance, chemical resistance, and washing resistance. Therefore, for example, it is preferable to use a reactive oligomer which is a main component, in which a heat-resistant molecular structure is introduced, or a resin in which a crosslinking density is increased by a polyfunctional monomer.

【0043】次に、本実施の形態に係る液晶素子の製造
方法について、図9及び図10を参照して説明する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0044】上述した第1の実施の形態と同様に、基板
11の表面に金属電極12を形成し(図9(a) 参照)、
その後、この金属電極12を覆うように保護膜32を形
成する(同図(b) 参照)。
As in the first embodiment, the metal electrode 12 is formed on the surface of the substrate 11 (see FIG. 9A).
Thereafter, a protective film 32 is formed so as to cover the metal electrode 12 (see FIG. 3B).

【0045】なお、本実施の形態においては、電極面1
5にシランカップリング処理等の密着処理を行ない、後
工程で形成する絶縁層13Sが良好に密着するようにし
ても良い。 〈絶縁材料塗布工程〉次に、絶縁材料13Lを、金属電
極付き基板B1 の電極面15に塗布し(同図(c) 参
照)、この電極面15に板状の部材16(以下、“平滑
板16”とする)を重ね合わせて積層体B2 を作成する
(同図(d) 参照。以下、この積層体B2 を“被加圧体B
2 ”とする)。
In this embodiment, the electrode surface 1
5 may be subjected to an adhesion treatment such as a silane coupling treatment so that the insulating layer 13S formed in a later step adheres well. <Insulating material deposition process> Next, an insulating material 13L, (see FIG. (C)) is applied to the electrode surface 15 of the metal substrate with electrode B 1, to the electrode surface 15 the plate member 16 (hereinafter, " smoothing plate 16 "by superimposing a) to create a laminate B 2 (FIG see (d). hereinafter, the laminate B 2" the pressing body B
2 ").

【0046】なお、平滑板16には、上下両面が平滑で
剛性に富み、表面硬度が硬い板状の部材を使用すれば良
く、その材質としては、金属やセラミックやガラス等が
好ましい。また、この平滑板16には、予めフッ素系或
はシリコン系等からなる離型剤を塗布しておき、平滑板
16と絶縁層13Sとの剥離(詳細は後述)を円滑に行
えるようにしても良い。
The smooth plate 16 may be a plate-like member having smooth upper and lower surfaces, rich in rigidity, and having a hard surface hardness, and is preferably made of metal, ceramic, glass or the like. In addition, a release agent made of a fluorine-based or silicon-based material is applied to the smooth plate 16 in advance so that the smooth plate 16 can be smoothly separated from the insulating layer 13S (details will be described later). Is also good.

【0047】さらに、絶縁材料13Lは、電極面15で
はなく平滑板16に塗布するようにしてもよい。
Further, the insulating material 13L may be applied to the smooth plate 16 instead of the electrode surface 15.

【0048】またさらに、被加圧体B2 を作成するに際
しては、絶縁材料13Lに気泡が巻き込まれないよう
に、平滑板16と金属電極付き基板B1 との重ね合わせ
をゆっくりと行う点に注意する必要がある。 〈絶縁材料充填工程〉本工程においては、上述の被加圧
体B2 をプレス手段によって押圧する(図10(a) 参
照)。これにより、平滑板16は保護膜32に密着され
て、絶縁材料13Lは保護膜32の表面から排除される
と共に金属電極12の間隙(保護膜32の凹部)に充填
される。
[0048] Furthermore, when creating a target pressure body B 2, as the bubbles are not involved in insulating material 13L, the superposition of the smooth plate 16 and the metal electrode with the substrate B 1 in that performing slowly You need to be careful. In <insulating material filling step> In this step, the target pressure body B 2 described above will be pressed by the pressing means (see FIG. 10 (a)). Thereby, the smoothing plate 16 is brought into close contact with the protective film 32, and the insulating material 13L is removed from the surface of the protective film 32 and is filled in the gaps between the metal electrodes 12 (recesses of the protective film 32).

【0049】プレス手段としては、図10(a) に示すよ
うに、接離自在に構成された上下一対の板状のプレス部
材(以下、“プレス板”とする)19a,19bを有
し、これらのプレス板19a,19bの間に被加圧体B
2 を配置してその加圧を行うものであっても良く、回転
自在なプレス用ローラを少なくとも一つ有し、プレス用
ローラによって被加圧体B2 を押圧すると共にプレス用
ローラを被加圧体B2 の面方向に相対移動させる方式の
ものであっても良い。
As shown in FIG. 10 (a), the pressing means includes a pair of upper and lower plate-like pressing members (hereinafter, referred to as "press plates") 19a and 19b which are configured to be freely contactable and detachable. The pressurized object B is placed between these press plates 19a and 19b.
May be one that performs its pressure by placing 2 has at least one rotatable pressing roller, the pressure to press the roller as well as presses the pressure body B 2 by press rollers the surface direction of the pressure body B 2 may be of a type that is relatively moved.

【0050】前者のプレス手段としては、機械式のプレ
ス機の他、油圧や空気圧や水圧にて駆動するものを挙げ
ることができる。その圧力は、1〜50kg/cm2、特に5
〜20kg/cm2の範囲が好ましい。 〈絶縁材料硬化工程〉次に、この被加圧体B2 をプレス
手段から取り出し、絶縁材料硬化手段によって絶縁材料
13Lを硬化させて絶縁層13Sを形成する(同図(b)
参照)。
As the former pressing means, there can be mentioned a means driven by hydraulic pressure, air pressure or water pressure, in addition to a mechanical press machine. The pressure is 1-50 kg / cm 2 , especially 5
It is preferably in the range of 2020 kg / cm 2 . <Insulating material curing step> Next, take out the target pressure body B 2 from the press section, an insulating material curing means curing the insulating material 13L by forming the insulating layer 13S (FIG. (B)
reference).

【0051】この絶縁材料硬化手段の種類は、使用する
絶縁材料に応じて選択すれば良く、例えば、絶縁材料が
熱硬化樹脂の場合には熱源を使用し、絶縁材料がUV硬
化樹脂の場合にはUV光源を使用すれば良い。また、U
V光以外の光で硬化する絶縁材料を用いる場合には、そ
の材料に応じて可視光や赤外線等を照射する光源を用い
れば良い。ここで、熱源には、オーブンやホットプレー
トを用いれば良く、UV光源には、高圧水銀灯や、低圧
水銀灯や、キセノンランプ等を用いれば良い。なお、硬
化すべき絶縁材料13Lは、透光性基板11と平滑板1
6とによって挟持された状態にあるため、熱源の熱や光
源の光は、これらの透光性基板11や平滑板16におい
てロスが生じる。したがって、絶縁材料硬化手段は、こ
れらのロスを考慮した上で充分な熱量又は照度を有し、
熱や光が絶縁材料13Lにまで確実に到達して該絶縁材
料13Lを確実に硬化させるものであることが好まし
い。
The type of the insulating material curing means may be selected according to the insulating material to be used. For example, when the insulating material is a thermosetting resin, a heat source is used, and when the insulating material is a UV curing resin, the heat source is used. May use a UV light source. Also, U
In the case where an insulating material that is cured by light other than V light is used, a light source that emits visible light, infrared light, or the like may be used depending on the material. Here, an oven or a hot plate may be used as the heat source, and a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like may be used as the UV light source. The insulating material 13L to be cured includes the light transmitting substrate 11 and the smooth plate 1.
6, the heat of the heat source and the light of the light source cause a loss in the translucent substrate 11 and the smooth plate 16. Therefore, the insulating material curing means has a sufficient amount of heat or illuminance in consideration of these losses,
It is preferable that the heat or light surely reaches the insulating material 13L and hardens the insulating material 13L.

【0052】ところで、上述した平滑板16は、不図示
の離型装置によって金属電極付き基板B1 から剥離する
必要がある。
By the way, the smooth plate 16 described above, it is necessary to peel from the metal substrate with electrode B 1 by releasing device (not shown).

【0053】また、この平滑板16の剥離を、絶縁材料
13Lをある程度硬化させた後に行い、平滑板16を剥
離した後に再度熱や光を加えて絶縁材料13Lを完全に
硬化させても良い。
The peeling of the smoothing plate 16 may be performed after the insulating material 13L is cured to some extent, and after the smoothing plate 16 is peeled off, heat or light may be applied again to completely cure the insulating material 13L.

【0054】本実施の形態によれば、金属電極12相互
の間隙に絶縁層13Sを配置して、絶縁層13Sと金属
電極12とがほぼ平坦な面を形成するようにしているた
め、表示品質の悪化や、クロストークの発生を防止でき
る。また、上述した第1の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。
According to the present embodiment, the insulating layer 13S is arranged in the gap between the metal electrodes 12 so that the insulating layer 13S and the metal electrode 12 form a substantially flat surface. And the occurrence of crosstalk can be prevented. Further, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0055】ついで、本発明の第3の実施の形態につい
て、図11(a) 及び(b) を参照して説明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 (a) and 11 (b).

【0056】図11(a) は、本実施の形態に係る液晶素
子の構造を示す断面図であるが、この液晶素子P5 は、
略平行に配置された一対の電極基板50,60を備えて
いる。これらの電極基板50,60は、上述した電極基
板30,30と同様に、シール材2によって貼り合わさ
れると共に、スペーサー31によって基板間隙が規定さ
れている。なお、下側の電極基板50の構造は、上述し
た第2実施の形態のものと同様である。
[0056] FIG. 11 (a), is a cross-sectional view showing a structure of a liquid crystal device according to the present embodiment, the liquid crystal element P 5 is
It has a pair of electrode substrates 50 and 60 arranged substantially in parallel. These electrode substrates 50 and 60 are bonded together with the sealing material 2 as in the case of the above-described electrode substrates 30 and 30, and a substrate gap is defined by the spacer 31. The structure of the lower electrode substrate 50 is the same as that of the above-described second embodiment.

【0057】また、上側の電極基板60は、図11(b)
に詳示するように基板11を有しており、基板11の表
面にはカラーフィルター61が形成されている。そし
て、このカラーフィルター61の表面には、ストライプ
状の金属電極12が相互に離間するように多数形成され
ており、これらの金属電極12を覆うように基板11の
ほぼ全体に保護膜32が形成されている。また、金属電
極12の相互の間隙(正確には、保護膜32の凹部)に
は、電極相互間の絶縁並びに平坦化を行う絶縁層13S
が配置されており、透明電極6は、これら保護膜32及
び絶縁層13Sの表面に形成されている。
The upper electrode substrate 60 is formed as shown in FIG.
As shown in detail in FIG. 1, a substrate 11 is provided, and a color filter 61 is formed on the surface of the substrate 11. A large number of striped metal electrodes 12 are formed on the surface of the color filter 61 so as to be separated from each other, and a protective film 32 is formed on almost the entire substrate 11 so as to cover these metal electrodes 12. Have been. In addition, in the gap between the metal electrodes 12 (accurately, the concave portion of the protective film 32), an insulating layer 13S for insulating and flattening between the electrodes is provided.
Are arranged, and the transparent electrode 6 is formed on the surface of the protective film 32 and the insulating layer 13S.

【0058】なお、上側の電極基板60と下側の電極基
板50とは、金属電極12が互いに直交する位置関係と
なるように貼り合わされている。
The upper electrode substrate 60 and the lower electrode substrate 50 are bonded so that the metal electrodes 12 have a positional relationship orthogonal to each other.

【0059】本実施の形態によれば、上述した第2の実
施の形態と同様の効果を有するカラー液晶素子を得るこ
とができる。
According to the present embodiment, it is possible to obtain a color liquid crystal element having the same effect as in the above-described second embodiment.

【0060】[0060]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 (実施例1)本実施例においては、図3に示す液晶素子
3 を作成した。透光性基板11として、100mm×
100mmのガラス基板を用い、金属電極12として、
厚さ100ÅのNiMo層、厚さ2000ÅのCu層、
及び厚さ200ÅのNiMo層からなる3層構造のもの
を用いた。なお、金属電極12の幅は10μmとし、ピ
ッチは100μmとした。また、保護膜32としては、
厚さが500ÅのSnO2 を用い、透明電極6として
は、厚さが1000ÅのITOを用いた。
Embodiments of the present invention will be described below. EXAMPLE 1 In this Example, was prepared a liquid crystal element P 3 shown in FIG. 100 mm ×
A 100 mm glass substrate was used as the metal electrode 12.
A 100 mm thick NiMo layer, a 2000 mm thick Cu layer,
And a three-layer structure composed of a 200 .mu.m thick NiMo layer was used. The width of the metal electrode 12 was 10 μm, and the pitch was 100 μm. Further, as the protective film 32,
SnO 2 having a thickness of 500 ° was used, and ITO having a thickness of 1000 ° was used as the transparent electrode 6.

【0061】本実施例によれば、80℃の温度及び90
%の湿度の環境下で、500時間の耐久テストを行った
が、金属電極12に腐食は見られなかった。
According to this embodiment, a temperature of 80.degree.
A 500-hour endurance test was performed in an environment with a relative humidity of%, but no corrosion was observed on the metal electrode 12.

【0062】なお、本発明者は、本実施例の効果を確認
すべく実験を行った。すなわち、保護膜32が無く、そ
れ以外の構成は上述したものと同じ電極基板を作成し、
この電極基板について、80℃の温度・90%の湿度の
環境下で、500時間の耐久テストを行った。この場合
には、金属電極12の側面の一部から腐食が発生してい
た。 (実施例2)本実施例においては、透光性基板11とし
て、100mm×100mmの石英基板を用い、保護膜
32には、800Åの厚さのAl23 を用いた。それ
以外の構造及び製造方法は、上述実施例1と同様とし
た。
The inventor conducted an experiment to confirm the effect of this embodiment. That is, there is no protective film 32, and the other structure is the same as that of the above-described electrode substrate.
This electrode substrate was subjected to a 500-hour durability test in an environment at a temperature of 80 ° C. and a humidity of 90%. In this case, corrosion occurred from a part of the side surface of the metal electrode 12. In Example 2 In this example, as the translucent substrate 11, a quartz substrate of 100 mm × 100 mm, the protective film 32, Al 2 O 3 was used having a thickness of 800 Å. Other structures and manufacturing methods were the same as those in the first embodiment.

【0063】この基板を、80℃湿度90%の環境で、
500時間の耐久テストを行ったが、金属電極12に腐
食は見られなかった。 (実施例3)本実施例においては、透光性基板11とし
て、100mm×100mmのプラスチック基板を用
い、保穫膜32には、300Åの厚さのSiO2 を用い
た。また、金属電極12には、厚さ100ÅのCr層、
厚さ2000ÅのCu層及び厚さ200ÅのCr層から
なる積層構造のものを用いた。なお、この金属電極12
は、ピッチを100μmとし、電極幅を10μmとし
た。それ以外の構造及び製造方法は、上述実施例1と同
様とした。
This substrate was placed in an environment of 80 ° C. and 90% humidity,
A 500-hour durability test was performed, but no corrosion was observed on the metal electrode 12. (Embodiment 3) In this embodiment, a plastic substrate of 100 mm × 100 mm was used as the light-transmitting substrate 11, and SiO 2 having a thickness of 300 ° was used as the protective film 32. The metal electrode 12 has a Cr layer having a thickness of 100 °,
A laminated structure having a 2000-mm-thick Cu layer and a 200-mm-thick Cr layer was used. The metal electrode 12
Has a pitch of 100 μm and an electrode width of 10 μm. Other structures and manufacturing methods were the same as those in the first embodiment.

【0064】この基板を、80℃湿度90%の環境で、
500時間の耐久テストを行ったが、金属電極12に腐
食は見られなかった。 (実施例4)本実施例においては、保護膜32には、8
00Åの厚さのZnO2 を用い、金属電極12には、厚
さ200ÅのNiMo層、厚さ2000ÅのAg層及び
厚さ200ÅのNiMo層からなるものを用いた。な
お、この金属電極12は、ピッチを100μmとし、電
極幅を10μmとした。それ以外の構造及び製造方法
は、上述実施例1と同様とした。
This substrate was placed in an environment of 80 ° C. and 90% humidity,
A 500-hour durability test was performed, but no corrosion was observed on the metal electrode 12. (Embodiment 4) In this embodiment, the protective film 32
Using ZnO 2 having a thickness of Å, the metal electrode 12, NiMo layer having a thickness of 200Å, was used consisting of NiMo layer of Ag layer and the thickness 200Å thick 2000 Å. The metal electrode 12 had a pitch of 100 μm and an electrode width of 10 μm. Other structures and manufacturing methods were the same as those in the first embodiment.

【0065】この基板を、80℃湿度90%の環境で、
500時間の耐久テストを行ったが、金属電極12に腐
食は見られなかった。 (実施例5)本実施例においては、図8に示した液晶素
子P4 を以下のように作成した。
This substrate was placed in an environment of 80 ° C. and 90% humidity,
A 500-hour durability test was performed, but no corrosion was observed on the metal electrode 12. In Example 5 This example was prepared as follows crystal element P 4 shown in FIG.

【0066】金属電極12には、厚さ100ÅのNiM
o層、厚さ2000ÅのCu層、及び厚さ200ÅのN
iMo層からなる3層構造のものを用いた。
The metal electrode 12 is made of NiM having a thickness of 100 °.
o layer, 2000 Å thick Cu layer, and 200 N thick N
A three-layer structure composed of an iMo layer was used.

【0067】また、保護膜32には、シート抵抗が4.
0×1010で、600Åの厚さのSnO2 を用い、透明
電極6としては、厚さが1000ÅのITOを用いた。
The protective film 32 has a sheet resistance of 4.
SnO 2 of 0 × 10 10 and a thickness of 600 ° was used, and ITO having a thickness of 1000 ° was used as the transparent electrode 6.

【0068】さらに、絶縁材料13Lとしては、アクリ
ル系のUV硬化樹脂(ペンタエリストールトリアクリレ
ート50重量部、ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト50重量部、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン2重量部からなるUV硬化樹脂組成物)を用い
た。
Further, as the insulating material 13L, an acrylic UV curable resin (a UV curable resin composed of 50 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 50 parts by weight of neopentyl glycol diacrylate, and 2 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone) is used. Composition) was used.

【0069】次に、本実施例における電極基板50の製
造方法について説明する。 〈金属電極形成工程〉本工程においては、透光性基板1
1の表面にスパッタリング法にて3層のメタル層(厚さ
100ÅのNiMo層と、厚さ2000ÅのCu層と、
厚さ200ÅのNiMo層)を形成し、このメタル層を
フォトリソ・エッチング法(エッチング液;塩化第二鉄
・塩化第一鉄の混合液)によってパターニングし、上述
した形状の金属電極12を形成した。 〈保護膜形成工程〉次に、RFスパッタによって保護膜
32を形成した。なお、このときの基板温度を80℃と
し、スパッタガスをArとO2 の混合ガス(流量比:A
r/O2 =50/50)とし、圧力を10mTorrと
し、放電電力を7.0×10-3W/cm2 とした。
Next, a method for manufacturing the electrode substrate 50 in this embodiment will be described. <Metal electrode forming step> In this step, the transparent substrate 1
On the surface of No. 1, three metal layers (a NiMo layer having a thickness of 100 mm, a Cu layer having a thickness of 2000 mm,
A 200-nm-thick NiMo layer was formed, and the metal layer was patterned by a photolitho-etching method (etching solution; a mixed solution of ferric chloride and ferrous chloride) to form the metal electrode 12 having the above-described shape. . <Protective Film Forming Step> Next, the protective film 32 was formed by RF sputtering. The substrate temperature at this time was 80 ° C., and the sputtering gas was a mixed gas of Ar and O 2 (flow rate ratio: A
r / O 2 = 50/50), the pressure was 10 mTorr, and the discharge power was 7.0 × 10 −3 W / cm 2 .

【0070】そして、保護膜32を形成した金属電極付
き基板B1 にUV照射オゾン処理を5分間行い、その
後、保護膜32の表面にカップリング処理剤をスピンコ
ートし、100℃の温度で20分間熱処理して密着処理
を施した。本実施例では、カップリング処理剤として、
シランカップリング剤(日本ユニカー社製のA−17
4)1重量部、エチルアルコール40重量部からなるも
のを用いた。 〈絶縁材料塗布工程〉本工程においては、不図示のディ
スペンサーによって保護膜32の表面に液状の絶縁材料
13Lを滴下した。 〈被加圧体形成工程〉そして、金属電極付き基板B1
電極面15に平滑板16に、気泡が巻き込まれないよう
にゆっくりと重ね合わせ、被加圧体B2 を作成した。 〈絶縁材料充填工程〉次に、一対の金属製プレス板19
a,19bを有する30トン油圧プレス機を使用し、被
加圧体B2 をプレス板19a,19bのほぼ中央にセッ
トして加圧を行なった。これにより、平滑板16は保護
膜32に密着されて、絶縁材料13Lは保護膜32の表
面から排除されると共に金属電極12の間隙に充填され
る。なお、加圧力を20kg/cm2 、加圧時間を3分間と
した。 〈絶縁材料硬化工程〉次に、被加圧体B2 をプレス機1
9から取り出して、中心波長365nmのUV光(光強
度200mJ/cm2 )の照射を行い、絶縁材料13L
を硬化して絶縁層13Sを形成した。
Then, the substrate B 1 with the metal electrode on which the protective film 32 is formed is subjected to UV irradiation ozone treatment for 5 minutes, and thereafter, the surface of the protective film 32 is spin-coated with a coupling agent, and the surface of the A heat treatment was performed for a minute to perform an adhesion treatment. In this embodiment, as the coupling agent,
Silane coupling agent (Nippon Unicar A-17
4) A mixture comprising 1 part by weight and 40 parts by weight of ethyl alcohol was used. <Insulating Material Application Step> In this step, a liquid insulating material 13L was dropped on the surface of the protective film 32 by a dispenser (not shown). The <object pressurizer forming step>, smooth plate 16 to the electrode surface 15 of the metal substrate with electrode B 1, superimposed slowly so as to prevent bubbles caught, I was prepared to be pressure body B 2. <Insulating Material Filling Step> Next, a pair of metal press plates 19
a, using 30 tons hydraulic press machine having a 19b, a press plate 19a to be pressure body B 2, was carried out under pressure is set approximately in the center of 19b. Thereby, the smoothing plate 16 is brought into close contact with the protective film 32, and the insulating material 13 </ b> L is removed from the surface of the protective film 32 and is filled in the gap between the metal electrodes 12. The pressing force was 20 kg / cm 2 and the pressing time was 3 minutes. <Insulating material curing step> Next, press 1 to be pressure body B 2
9 and irradiated with UV light having a center wavelength of 365 nm (light intensity: 200 mJ / cm 2 ), thereby obtaining an insulating material 13 L.
Was cured to form an insulating layer 13S.

【0071】そして、絶縁材料13Lの硬化が終了した
後に、離型装置によって平滑板16を剥離した。 〈透明電極形成工程〉そして、DCスパッタリング法を
用いてITO膜を700Åの厚さに形成し、フォトリソ
・エッチング法によるパターニングを行って、透明電極
6を形成した。 〈その他の工程〉その後、これらの透明電極6等を覆う
ように絶縁膜(不図示)や配向制御膜9を形成し、電極
基板50を作成した。
After the hardening of the insulating material 13L was completed, the smoothing plate 16 was peeled off by a mold release device. <Transparent Electrode Forming Step> Then, an ITO film was formed to a thickness of 700 ° using a DC sputtering method, and was patterned by a photolithographic etching method to form a transparent electrode 6. <Other Steps> Thereafter, an insulating film (not shown) and an orientation control film 9 were formed so as to cover the transparent electrodes 6 and the like, and an electrode substrate 50 was formed.

【0072】そして、一対の電極基板50,50を貼り
合わせ、基板間隙にカイラルスメクチック液晶3を注入
して、液晶素子P4 を作成した。
[0072] Then, bonding a pair of electrode substrates 50 and 50, by injecting a chiral smectic liquid crystal 3 in the gap between the substrates, was prepared a liquid crystal element P 4.

【0073】本実施例にて作成した液晶素子P4 を、8
0℃の温度で90%の湿度の環境下に放置して、500
時間の耐久テストを行ったが、金属電極12に腐食は見
られなかった。 (実施例6)本実施例においては、図11に示す液晶素
子P5 を作成した。
The liquid crystal element P 4 produced in this embodiment is
Leave it in a 90% humidity environment at a temperature of 0 ° C.
A time durability test was performed, but no corrosion was observed on the metal electrode 12. In Example 6 This example was prepared a liquid crystal element P 5 shown in FIG. 11.

【0074】なお、透光性基板11には、300mm×
300mmの両面研磨されたガラス板を用い、金属電極
12としては、厚さ100ÅのCr層、厚さ1μmのC
u層、及び厚さ200ÅのCr層からなる3層構成のも
のを下側の電極基板50に用い、上側の電極基板60に
は、厚さが100ÅのCr層、厚さが2000ÅのCu
層、及び厚さが200ÅのCr層からなる3層構成のも
のを用いた。さらに、保護膜32としては、上下両基板
共に、厚さが400ÅのAl23 を用いた。また、上
下側の電極基板50,60の絶縁層13Sには、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート50重量部、ネオペン
チルグリコールジアクリレート50重量部、1−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトン2重量部からなるア
クリル系のUV硬化樹脂組成物を用いた。
The transparent substrate 11 has a size of 300 mm ×
A 300 mm double-side polished glass plate was used. As the metal electrode 12, a 100-mm-thick Cr layer,
The lower electrode substrate 50 has a three-layer structure composed of a u layer and a 200-mm thick Cr layer, and the upper electrode substrate 60 has a 100-mm thick Cr layer and a 2000-mm thick Cu layer.
A three-layer structure composed of a layer and a Cr layer having a thickness of 200 ° was used. Further, as the protection film 32, Al 2 O 3 having a thickness of 400 ° was used for both the upper and lower substrates. An acrylic UV-curing composed of 50 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 50 parts by weight of neopentyl glycol diacrylate, and 2 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone is formed on the insulating layers 13S of the upper and lower electrode substrates 50 and 60. A resin composition was used.

【0075】さらに、透明電極6には、上下両基板共
に、厚さが700ÅのITO(インジウム ティン オ
キサイド)を用いた。
Further, the transparent electrode 6 was made of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 700 ° on both the upper and lower substrates.

【0076】また、配向制御膜9としては、下側の電極
基板50には、厚さが50Åのポリイミド膜を用い、上
側の電極基板60には、厚さが2000ÅのSnO2
散シロキサン膜を用いた。さらに、カラーフィルター6
1には顔料系のカラーフィルターを用いた。その上に、
カラーフィルタの平坦化膜17としてアクリル系平坦化
剤(新日鉄社製、V259)を用いた。
As the orientation control film 9, a polyimide film having a thickness of 50 ° is used for the lower electrode substrate 50, and a SnO 2 dispersed siloxane film having a thickness of 2000 ° is used for the upper electrode substrate 60. Using. Furthermore, color filter 6
For No. 1, a pigment-based color filter was used. in addition,
An acrylic flattening agent (V259, manufactured by Nippon Steel Corporation) was used as the flattening film 17 of the color filter.

【0077】また、シール材2には、エポキシ系シール
材を用い、スペーサー31の粒径を2.3μmφとし
た。さらに、液晶3には、下記化学式の強誘電性液晶A
を用いた。
Further, an epoxy-based sealing material was used as the sealing material 2, and the particle size of the spacer 31 was 2.3 μmφ. Further, the liquid crystal 3 has a ferroelectric liquid crystal A of the following chemical formula.
Was used.

【0078】[0078]

【化1】 なお、本実施例に係る液晶素子P5 の製造方法は、カラ
ーフィルタ−61を形成する以外は、上述した第1の実
施の形態にて説明した製造方法と同一である。但し、ポ
リイミド膜からなる配向制御膜9(下側の電極基板50
の配向制御膜)には、コットン植毛布によるラビング処
理を施した。
Embedded image The manufacturing method of the liquid crystal element P 5 according to this embodiment, except for forming a color filter -61, is identical to the manufacturing method described in the first embodiment described above. However, the alignment control film 9 made of a polyimide film (the lower electrode substrate 50)
Rubbing treatment with a cotton flocking cloth.

【0079】本実施例にて作成した液晶素子P5 を、最
大電圧20Vの信号で駆動したところ、クロストークの
ない鮮明な画像を表示することができた。また、この液
晶素子を、45℃の温度で90%の湿度の環境下で、5
00時間の耐久テストを行ったが、異常は見られなかっ
た。
When the liquid crystal element P 5 produced in this example was driven by a signal having a maximum voltage of 20 V, a clear image without crosstalk could be displayed. Further, this liquid crystal element is subjected to 5 ° C. in an environment of 45 ° C. and 90% humidity.
A durability test for 00 hours was performed, but no abnormality was observed.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
金属電極を覆うように保護膜を配置しているため、該電
極の腐食等を防止できる。
As described above, according to the present invention,
Since the protective film is disposed so as to cover the metal electrode, corrosion of the electrode can be prevented.

【0081】また、本発明によれば、抵抗値の小さい金
属電極が、保護膜を介して1つ1つの透明電極に容量結
合的に接続されているため、低抵抗で電圧波形の遅延の
問題が無く、大面積化並びに高精細化に対応可能な液晶
素子を得ることができる。
Further, according to the present invention, since the metal electrodes having a small resistance value are each capacitively connected to each transparent electrode via the protective film, there is a problem of low resistance and delay of the voltage waveform. Therefore, a liquid crystal element which can cope with a large area and high definition can be obtained.

【0082】一方、前記複数の金属電極相互の間隙に絶
縁層を配置して、該絶縁層と該金属電極とがほぼ平坦な
面を形成するようにした場合には、表示品質の悪化や、
クロストークの発生を防止できる。
On the other hand, when an insulating layer is arranged in the gap between the plurality of metal electrodes so that the insulating layer and the metal electrode form a substantially flat surface, the display quality deteriorates,
The occurrence of crosstalk can be prevented.

【0083】また、いずれか一方の基板にカラーフィル
ターを形成した場合には、上述した種々の効果を有する
カラー液晶素子を得ることができる。
When a color filter is formed on one of the substrates, a color liquid crystal device having the various effects described above can be obtained.

【0084】さらに、前記保護膜を基板の全体に形成す
るようにした場合には、パターニング工程を省略して製
造工程を簡略化でき、製造コストも低減できる。
Further, when the protective film is formed on the entire substrate, the manufacturing process can be simplified by omitting the patterning process, and the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の液晶素子の構造の一例を示す図であり、
(a) は断面図、(b) は透明電極の形状を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an example of the structure of a conventional liquid crystal element.
(a) is a sectional view, and (b) is a view showing a shape of a transparent electrode.

【図2】従来の液晶素子の構造の他の例を示す図であ
り、(a) は断面図、(b) は電極基板の構造を示す詳細断
面図。
2A and 2B are diagrams showing another example of the structure of a conventional liquid crystal element, in which FIG. 2A is a cross-sectional view, and FIG. 2B is a detailed cross-sectional view showing the structure of an electrode substrate.

【図3】本発明の液晶素子の一実施の形態の構造を示す
断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of one embodiment of a liquid crystal element of the present invention.

【図4】図3に示す液晶素子に用いる電極基板の構造を
示す図であり、(a) は断面図、(b) は平面図。
4A and 4B are diagrams illustrating a structure of an electrode substrate used for the liquid crystal element illustrated in FIG. 3, wherein FIG. 4A is a cross-sectional view and FIG.

【図5】図3に示す液晶素子の製造方法を説明するため
の図。
FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing the liquid crystal element illustrated in FIG.

【図6】本発明の効果を示す図。FIG. 6 is a diagram showing the effect of the present invention.

【図7】本発明の効果を示す図。FIG. 7 is a diagram showing the effect of the present invention.

【図8】本発明の液晶素子の他の実施の形態の構造を示
す断面図。
FIG. 8 is a sectional view showing the structure of another embodiment of the liquid crystal element of the present invention.

【図9】図8に示す液晶素子の製造方法を説明するため
の図。
FIG. 9 is a diagram illustrating a method for manufacturing the liquid crystal element illustrated in FIG.

【図10】図8に示す液晶素子の製造方法を説明するた
めの図。
FIG. 10 is a diagram illustrating a method for manufacturing the liquid crystal element illustrated in FIG.

【図11】本発明の液晶素子の他の実施の形態の構造を
示す断面図。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of another embodiment of the liquid crystal element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 液晶 6 透明電極 10 電極基板 11 透光性基板 12 金属電極 13L 絶縁材料 13S 絶縁層 16 平滑板 30 電極基板 32 保護膜 50 電極基板 60 電極基板 61 カラーフィルター B2 被加圧体 P1 液晶素子 P2 液晶素子 P3 液晶素子 P4 液晶素子 P5 液晶素子Reference Signs List 3 liquid crystal 6 transparent electrode 10 electrode substrate 11 translucent substrate 12 metal electrode 13L insulating material 13S insulating layer 16 smooth plate 30 electrode substrate 32 protective film 50 electrode substrate 60 electrode substrate 61 color filter B 2 pressed body P 1 liquid crystal element P 2 crystal element P 3 crystal element P 4 crystal element P 5 a liquid crystal element

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を挟持すると共に相対向するように
配置された一対の基板と、これら一対の基板の少なくと
もいずれか一方に相互に離間するように複数形成された
金属電極と、1つ1つの金属電極と電気的に接続される
ように配置された透光性を有する複数の透明電極と、を
備えた液晶素子において、 前記金属電極を覆うように、1.0×109 Ω□以上の
シート抵抗で1500Å未満の厚さの保護膜を配置し、 前記金属電極と前記透明電極とが、この保護膜を介して
電気的に接続される、ことを特徴とする液晶素子。
1. A pair of substrates arranged so as to sandwich a liquid crystal and face each other, a plurality of metal electrodes formed on at least one of the pair of substrates so as to be separated from each other, and one by one. A plurality of translucent transparent electrodes disposed so as to be electrically connected to one of the metal electrodes, wherein at least 1.0 × 10 9 Ω □ is covered so as to cover the metal electrodes. A liquid crystal element, wherein a protective film having a sheet resistance of less than 1500 ° is disposed with a sheet resistance of, and the metal electrode and the transparent electrode are electrically connected via the protective film.
【請求項2】 前記複数の金属電極相互の間隙に絶縁層
が配置されて、該絶縁層と該金属電極とがほぼ平坦な面
を形成する、 ことを特徴とする請求項1に記載の液晶素子。
2. The liquid crystal according to claim 1, wherein an insulating layer is disposed in a gap between the plurality of metal electrodes, and the insulating layer and the metal electrodes form a substantially flat surface. element.
【請求項3】 一対の基板のいずれか一方にカラーフィ
ルターが形成された、 ことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶素子。
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein a color filter is formed on one of the pair of substrates.
【請求項4】 前記保護膜が、透光性を有すると共に、
前記基板のほぼ全体に形成された、 ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載
の液晶素子。
4. The protective film has translucency,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the liquid crystal device is formed on substantially the entirety of the substrate.
【請求項5】 前記保護膜が、酸化物である、 ことを特徴とする請求項4に記載の液晶素子。5. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the protective film is an oxide. 【請求項6】 前記金属電極が、銅、銅合金、銀、又は
銀合金により形成された、 ことを特徴とする請求項5に記載の液晶素子。
6. The liquid crystal device according to claim 5, wherein the metal electrode is formed of copper, a copper alloy, silver, or a silver alloy.
【請求項7】 前記液晶が強誘電性又は反強誘電性を示
す液晶である、 ことを特徴とする請求項6に記載の液晶素子。
7. The liquid crystal device according to claim 6, wherein the liquid crystal is a liquid crystal exhibiting ferroelectricity or antiferroelectricity.
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JP2018522377A (en) * 2016-01-04 2018-08-09 エルジー・ケム・リミテッド Circuit board manufacturing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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