New! View global litigation for patent families

JPH11239965A - Chemical and mechanical polishing, and manufacture of integrated circuit using chemical and mechanical polishing system - Google Patents

Chemical and mechanical polishing, and manufacture of integrated circuit using chemical and mechanical polishing system

Info

Publication number
JPH11239965A
JPH11239965A JP34087098A JP34087098A JPH11239965A JP H11239965 A JPH11239965 A JP H11239965A JP 34087098 A JP34087098 A JP 34087098A JP 34087098 A JP34087098 A JP 34087098A JP H11239965 A JPH11239965 A JP H11239965A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
example
carrier
fixed
substance
mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34087098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Annette Margaret Crevasse
William Graham Easter
John Albert Maze Iii
John Thomas Sowell
マーガレット クリヴァッセ アネット
グラハム イースター ウィリアム
アルバート メイツ,サード ジョン
トーマス ソウェル ジョン
Original Assignee
Lucent Technol Inc
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemical and mechanical polishing method in general, that is a chemical and mechanical polishing method using a carrier fixed substance in detail. SOLUTION: A carrier fixed substance is used in this manufacturing method for an integrated circuit. Since the carrier fixed substance does not include a carrier groove or a passage to lead slurry to a substrate being polished, and as a result, a rim adjacent to the substrate is eliminated, a damage to the substrate is deleted. In addition, a carrier fixed substance having an inside support part (130 for example) which is brought into contact with a substrate (200 for example) during CMP process and is combined with a circular member (120 for example), is provided. A carrier fixed substance having an inside support part (130 for example) and an outside support part (125 for example) combined with a circular member (120 for example), is also provided.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、化学的機械的な研磨、より詳細には、担体固定物を使用する化学的機械的な研磨に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention generally chemical mechanical polishing, and more particularly, relates to chemical mechanical polishing using the carrier fixture.

【0002】 本発明の背景化学的機械的な研磨(CMP)は、半導体デバイスの製造において専ら使用されている。 BACKGROUND chemical mechanical polishing of the present invention (CMP) has been used exclusively in the manufacture of semiconductor devices. 典型的なCMPシステムは、1992年1月14日付でMiller他により出版された、「化学的機械的なプレーナー化端点の検出のための装置及び技術のもとの場所での検討(IN S A typical CMP systems have been published by Miller et al in January 14, 1992, "Study on the device and the original location of the technology for the detection of chemical mechanical planarization endpoint (IN S
ITU MONITORING TECHNIQUE ITU MONITORING TECHNIQUE
AND APPARATUS FOR CHEMICA AND APPARATUS FOR CHEMICA
L/MECHANICAL PLANARIZATIO L / MECHANICAL PLANARIZATIO
N ENDPOINT DETECTION)」と題される米国特許番号5,081,421中で示されている。 N ENDPOINT DETECTION) "and US are shown in Patent No. 5,081,421, entitled.
この特許は、化学的機械的な研磨に関してのその教授についての参照文献によりこの中に組み込まれている。 This patent is incorporated herein by reference for its teaching with respect to chemical mechanical polishing. 図4及び5は、化学的機械的な研磨(CMP)のための担体固定物510中に位置された基板500を示す。 4 and 5 show the substrate 500 which is positioned in carrier fixture 510 for the chemical mechanical polishing (CMP). 基板500は、例えば、平坦な縁502を有して生成される6インチのウェーハーである。 Substrate 500 is, for example, a wafer 6 inches generated has a flat edge 502. 担体固定物510は、化学的機械的な研磨器(示されてはいない)の中に取り付けられる。 Carrier fixture 510 is mounted in a chemical mechanical polishing device (shown not). 担体固定物510は、CMPプロセスの間、 Carrier fixture 510 during the CMP process,
開口部515中で基板500を支持し、基板500が回転するのを可能とする。 Supporting the substrate 500 in the opening 515, the substrate 500 to allow for rotation. 担体固定物510は、スラリーが担体固定物510の外部から、基板500がCMPプロセスの間配置される開口部515まで導かれるのを可能とする搬送溝520を含む。 Carrier fixture 510 includes an external of the slurry carrier fixture 510, the conveying groove 520 in which the substrate 500 is to allow the guided to the opening 515 is disposed between the CMP process. すなわち、搬送溝は、担体固定物510の外部から開口部515までの通路である。 That is, the transport groove is a passage from the outside of the carrier fixture 510 to the opening 515. 担体固定物510を使用するCMPプロセスの間、 During the CMP process using the carrier fixture 510,
基板500は傷つけられる可能性があり、したがって放棄されねばならない。 Substrate 500 may be damaged, and therefore must be abandoned. それ故に、基板の損傷の発生を抑えるCMPプロセスを開発するのが都合がよいであろう。 Therefore, to develop a CMP process to suppress the occurrence of damage to the substrate it may be advantageous.

【0003】 本発明の要旨本発明は、担体固定物を使用する集積回路の製造の方法に関する。 [0003] SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a process for the manufacture of integrated circuits using a carrier fixture. 担体固定物は、スラリーを研磨されつつある基板まで導くための搬送溝又は通路を含まず、結果として、基板に近接する縁が排除されるので、基板に対する損傷を減少させる。 Carrier fixture does not include conveying groove or passage for guiding to the substrate that is being polished slurry, as a result, the edge proximate to the substrate are eliminated, reducing the damage to the substrate. 発明者らは、基板500が、CMP We, the substrate 500, CMP
プロセスの間、従来技術の担体固定物510に刻み目を付け、搬送溝520の縁525に引っかかる傾向を有するということを認識している。 During the process, scored on a support fixture 510 of the prior art, it recognizes that it has a tendency to snag on the edge 525 of the transfer groove 520. 6インチ基板500については、基板の平坦な縁は、縁525に引っかかる傾向を有する。 For 6-inch substrate 500, a flat edge of the substrate has a tendency to snag on the edge 525. 結果として、基板500は、割れ目ができるか壊れる可能性がある。 As a result, the substrate 500 is likely to break or may crack. 本発明は、さらに、CMPプロセスの間、基板と接触する環状部材へと結合された内側の支持部を有する担体固定物を提供する。 The present invention further provides a carrier fixture having an inner support portion coupled with during CMP process, the annular member in contact with the substrate. 本発明は、また、環状部材に結合された内側及び外側の支持部を有する担体固定物を提供する。 The present invention also provides a carrier fixture having a support portion of the inner and outer coupled to the annular member.

【0004】本発明は、環状部材を含む研磨器のための担体固定物を提供する。 [0004] The present invention provides a carrier fixture for polishing instrument comprises an annular member. 環状部材は、内側の領域及び外側の領域を含む。 The annular member includes an inner region and outer region. 外側の支持部は外側の領域に接して形成され、連続的な内側の支持部は内側の領域に接して形成される。 Outer support portion is formed in contact with the outer region, the continuous inner support portions are formed in contact with the inner region. 結果として、内側の支持部が連続的であるという理由により、基板に近接する縁が排除されるので、 As a result, for the reason that the support portion of the inner is continuous, since the edge adjacent to the substrate is eliminated,
基板に対する損傷は減少する。 Damage to the substrate is reduced. 発明者らは、CMPプロセスの間、基板が従来技術の担体固定物510に刻み目をいれ、搬送溝520の縁525に引っかかる傾向を有するということを認識している。 Inventors have recognized that during the CMP process, the substrate is scored on a support fixture 510 of the prior art have a tendency to snag on the edge 525 of the transfer groove 520. 6インチ基板500に対して、基板の平坦な縁は、縁525に引っかかる傾向を有する。 Against six inches substrate 500, a flat edge of the substrate has a tendency to snag on the edge 525. 結果として、基板500は、割れ目が入るか又は壊れる可能性がある。 As a result, the substrate 500 is likely to break or fracture from entering.

【0005】本発明は、さらに、CMPプロセスの間、 [0005] The present invention further during the CMP process,
基板に接触している環状部材に結合された内側の支持部を有する担体固定物も提供する。 Carrier fixture having an inner support portion coupled to the annular member in contact with the substrate is also provided. 本発明は、また、環状部材に結合されている内側及び外側の支持部を有する担体固定物を提供する。 The present invention also provides a carrier fixture having a support portion of the inner and outer coupled to the annular member. 本発明は、また、スラリーを研磨されつつある基板に導くための搬送溝又は通路を含まない担体固定物を提供し、結果として、基板に近接する縁が排除されるので、基板に対する損傷を減少させる。 The present invention also provides a carrier fixture without the conveying groove or passage for guiding the substrate that is being polished slurry, as a result, the edge proximate to the substrate are eliminated, reducing the damage to the substrate make. 前述の一般的な記述及び以下の詳細な記述は、本発明に関して限定的ではなく、例示的であるということが理解され得るであろう。 General description and the following detailed description of the foregoing, but is not limited with respect to the present invention, it will be said to be illustrative may be understood.

【0006】 本発明の詳細な説明本発明は、添付図面と共に読むとき、以下の詳細な説明から最もよく理解されるであろう。 [0006] DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, when read in conjunction with the accompanying drawings, will be best understood from the following detailed description. 半導体産業における共通の経験によれば、図面の様々な特徴を比べてみることは不可能であるということが強調される。 According to a common experience in the semiconductor industry, it is emphasized that it is impossible Comparing the various features of the drawing. 一方、様々な特徴の寸法は、明瞭のため任意に拡張され又は縮小される。 On the other hand, the dimensions of the various features are in or reduced arbitrarily expanded for clarity.

【0007】図を参照すると、ここで、同様の指示のための数字は終始同様の要素を指し、図1は、集積回路の製造の間使用される研磨器(示されてはいない)を含む研磨システムにおいて使用される担体固定物110である。 [0007] With reference to the figures, wherein, refers to numbers throughout like elements for similar instructions, Figure 1 includes polisher used during the manufacture of integrated circuits (shown not) a carrier fixture 110 used in the polishing system. 研磨器は、例えば、Aurigaプレーナー化システム、Auriga−Cプレーナー化システム、又はC Polisher, for example, Auriga planar system, Auriga-C Planar system, or C
MP5であり、7406西デトロイト、チャンドラー、 Is a MP5, 7406 West Detroit, Chandler,
アリゾナ85228のSpeedfamから各々入手可能である。 They are each available from Speedfam Arizona 85228. 研磨器は、例えば、化学的機械的な研磨を使用して、図2に示される基板200を研磨するのに使用される。 Polisher, for example, using chemical mechanical polishing, is used to polish a substrate 200 shown in FIG. 研磨の間、基板200は、担体固定物110中に置かれ、スラリーを接触させて担体固定物110中に配置された基板を回転させることにより研磨される。 During the polishing, the substrate 200 is placed in the carrier fixture 110, the slurry is contacted with and is polished by rotating the substrate disposed in a carrier fixture 110. 基板200は、当業者に知られたシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素又は他の物質のような材料から形成され得る。 Substrate 200, silicon is known to those skilled in the art, germanium, gallium Motomata may be formed from a material such as other substances. 担体固定物110は、(デルリンTMとして知られる)アセタール樹脂、セラミクス及びポリフェニレンの硫化物のような材料から形成され得る。 Carrier fixture 110 may be formed of a material such as acetal resin, sulfides ceramics and polyphenylene (known as Delrin TM).

【0008】担体固定物110は、担体固定物110を研磨器に取り付けるためのクリップ、ネジボルト又は留め金を受けとめる開口部115を有する。 [0008] The carrier fixture 110 has an opening 115 catch clips, threaded bolts or clasp for attaching the carrier fixture 110 in the polisher. 図2及び3に示されるように、担体固定物110の底部112は、スラリーを基板200に供給するための上記スラリー溝を有さない環状部材120を含む。 As shown in FIGS. 2 and 3, the bottom 112 of the carrier fixture 110 includes an annular member 120 without the slurry grooves for supplying the slurry to the substrate 200. スラリー溝が、研磨の間、スラリーを基板200に導くのに必要ではないということが分かっている。 The slurry grooves, it has been found that during polishing slurry that is not necessary to guide the substrate 200. 研磨の間、十分な量のスラリーが、内側の支持部130の下を基板200まで通過する。 During polishing, a sufficient amount of slurry, passes under the inner support portion 130 to the substrate 200.

【0009】1ないしはそれ以上の外側の支持部125 [0009] 1 or more outer support portion 125
は、環状部材120の外側の領域又は外面において、底部112に接して形成される。 , In the area outside or outer surface of the annular member 120 is formed in contact with the bottom portion 112. 研磨プロセスの間、外側の支持部125は環状部材120を安定させる。 During the polishing process, the outer support portion 125 stabilizes the annular member 120. スラリーが内側支持部130の周囲の領域127まで導かれ得るように、外側の領域に沿って外側の支持部125の間隔を開けるようにする。 As the slurry can be guided to the peripheral region 127 of the inner support portion 130, so that spacing of the outer support portion 125 along the outside of the region. 各々の外側の支持部125は、 Each outer support portion 125,
例えば30゜であるθの弧に沿って延びている。 For example, extends along an arc of 30 ° is theta. 各々の外側の支持部125は、例えば、30゜であるφの弧に沿って広がる領域により間隔を開けられる。 Each outer support portion 125, for example, be spaced by a region extending along an arc of φ is 30 °. 外側の支持部125の厚さX 1は、例えば0.25 インチ(6.3 The thickness X 1 of the outer support portion 125, for example, 0.25 inch (6.3
5 mm)である。 Is 5 mm). 外側の支持部125及び内側の支持部130は、従来技術におけるような搬送溝は形成しない。 Outer support portion 125 and the inner support portion 130, the transport groove as in the prior art is not formed. 環状部材120の直径X 4は、例えば、8.625 Diameter X 4 of the annular member 120, for example, 8.625
インチ(219.8 mm)である。 It is an inch (219.8 mm). 開口部140の直径X 3は、例えば、5.975 インチ(151.77 m Diameter X 3 of the opening 140, for example, 5.975 inches (151.77 m
m)である。 A m).

【0010】内側の支持部130は、環状部材120の内側の領域又は内側の表面に接している。 [0010] inner support portion 130 is in contact with the inner area or inner surfaces of the annular member 120. 内側の支持部130は、開口部140の周囲に環を形成する。 Inner support portion 130 forms a ring around the opening 140. 内側の支持部130の厚さX 2は、その柔軟性を増加させるために減少され得る。 The thickness X 2 of the inner support portion 130 can be reduced in order to increase its flexibility. 増加させられた柔軟性は、研磨の間、基板200が内側の支持部130と接触する際に、 Flexibility is increased during the polishing, when the substrate 200 is in contact with the inner support portion 130,
基板200に対する損傷を回避するのに望ましい。 Desirable to avoid damage to the substrate 200. 厚さX 2は、例えば、0.25インチ(6.35 mm)である。 The thickness X 2 is, for example, 0.25 inches (6.35 mm).

【0011】内側の支持部130及び外側の支持部12 [0011] The inner support portion 130 and the outer support part 12
5は、環状部材120の表面の上方に、実質上、同じ長さZ 2突き出している。 5, above the surface of the annular member 120, are substantially projects the same length Z 2. 長さZ 2は、例えば、0.25 The length Z 2 is, for example, 0.25
インチ(6.35 mm)である。 It is an inch (6.35 mm). 環状部材120の高さZ 1は、例えば、0.45 インチ(11.42 mm)である。 Height Z 1 of the annular member 120 is, for example, 0.45 inches (11.42 mm).

【0012】処理の間、基板200は、例えば、化学的機械的な研磨(CMP)を使用して基板200上に形成された物質の除去のために、担体固定物110中の開口部140の中に配置される。 [0012] During processing, the substrate 200 is, for example, for the removal of material formed on the substrate 200 using chemical mechanical polishing (CMP), the opening 140 in the carrier fixture 110 They are placed in. 研磨の間、近似的に基板2 During the polishing, approximately the substrate 2
00の12から17%が、内側の支持部130の底部1 12 to 17% of the 00, the bottom 1 of the inner support portion 130
50を超えて突き出している。 It protrudes beyond the 50. 基板200上に形成される物質とは、例えば、伝導性の物質、酸化物、シリコン、又は基板200上に形成され得るあらゆる他の物質である。 The material formed on the substrate 200, for example, conductive material, an oxide, silicon, or any other material that can be formed on the substrate 200. 伝導性の物質の洗浄のために使用されるスラリーは、典型的にはタングステンであるが、これは、研磨用の成分及び酸化剤を含む。 Slurry used for cleaning the conductive material is typically a tungsten, which includes components for polishing and oxidizing agent. 都合の良い実施例において、アルミニウム酸化物及び鉄の硝酸塩は、スラリー中でそれぞれ研磨剤及び酸化剤として使用される。 In Good Example convenient, nitrates aluminum oxide and iron are used respectively as abrasive and an oxidizing agent in the slurry. 知られているように、他のスラリーは、シリコン及び酸化物のような物質を研磨するのに使用され得る。 As is known, the other slurry, may be used to polish materials such as silicon and oxides.

【0013】CMPプロセスにおいて、伝導物質は、物理的な結合すなわち機械的な摩耗及び、化学的すなわちエッチングプロセスにより除去される。 [0013] In the CMP process, the conductive material is physically bonded i.e. mechanical wear and are removed by chemical i.e. etching process. スラリー及び研磨器のパッド(示されてはいない)が、伝導物質に押し付けられるとき、近似的に6から8psiの圧力において、典型的に、スラリー中の酸化のための成分は、金属酸化物の薄い層を形成するために伝導物質を酸化する。 Slurry and polisher pad (shown not) it is, when it is pressed against the conductive material, at a pressure of 8psi from approximately 6, typically ingredients for oxidation in the slurry, the metal oxide oxidizing the conductive material to form a thin layer.
基板200が、パッドに関して回転するので、金属酸化物は、それから、スラリー研磨用の成分により容易に除去される。 Substrate 200, since the rotation with respect to the pad, the metal oxide may then be easily removed by components of the slurry polishing. このプロセスは、物質が基板200から除去されるまで繰り返される。 This process is repeated until the material is removed from the substrate 200.

【0014】担体固定物110が、基板200上に形成されたタングステンを研磨するために研磨器中で使用されたとき、210秒間の間、各々化学的機械的な研磨をされた725個の基板に関して、基板の破損箇所は観測されなかった。 [0014] The carrier fixture 110 is, when used in the polisher to polish the tungsten formed on the substrate 200, 210 seconds period of 725 pieces of substrates each chemical mechanical polishing with respect to, damage portion of the substrate was observed. 比較すると、従来技術の担体固定物51 By comparison, prior art carrier fixture 51
0は、各々わずか40秒間の間、500個のウェーハーを研磨した後、基板の破損箇所を生じた。 0 are each just 40 seconds period of, after polishing the 500 wafers, resulting in a breach of the substrate. すなわち、担体固定物は、従来技術の担体固定物と比較して425% That is, the carrier fixture, as compared with prior art carrier fixture 425%
の増加した継続時間の間、42%多くのウェーハーを首尾良く研磨するのに使用された。 Between increased duration, it was used to successfully polish 42% more wafer.

【0015】本発明は、例示的な実施例を参照することにより記述されてきたが、本発明は、それらの実施例に制限されるものではない。 [0015] The present invention has been described by reference to exemplary embodiments, the present invention is not limited to these examples. むしろ、書き添えられた特許請求の範囲は、本発明の真意及び範囲から離れることなく当業者によってなされ得る、本発明の他の形態及び実施例を包含するように構築されるはずである。 Rather, the scope of the claims which are mention may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention, it should be constructed to include other embodiments and examples of the present invention.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の例示的な実施例による担体固定物の上面図である。 1 is a top view of a carrier fixture according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図2】担体固定物の底面図である。 Figure 2 is a bottom view of the carrier fixture.

【図3】担体固定物の透視図である。 3 is a perspective view of a carrier fixture.

【図4】従来技術による担体固定物の底面図である。 4 is a bottom view of a prior art carrier fixture.

【図5】線分5−5に沿った従来技術の担体固定物の概略的な図解である。 5 is a schematic illustration of a conventional taken along line 5-5 art carrier fixture.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン アルバート メイツ,サード アメリカ合衆国 32837 フロリダ,オー ランド,スポーツ クラブ ウェイ 14236 (72)発明者 ジョン トーマス ソウェル アメリカ合衆国 32837 フロリダ,オー ランド,ニュート ストリート 2226 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor John Albert Mates, third-United States 32837 Florida, O land, Sports Club way 14236 (72) inventor John Thomas Soweru United States 32837 Florida, O land, Newt Street 2226

Claims (14)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 集積回路を製造する方法であって、 (a)基板(例えば200)の用意;及び(b)内側の領域、外側の領域、該外側の領域に接して形成される外側の支持部(例えば125)、及び該内側の領域に接して形成される内側の支持部(例えば130)を有する環状部材(例えば120)中への該基板(例えば200)の配置の各ステップからなる方法。 1. A method of manufacturing an integrated circuit, (a) providing a substrate (e.g., 200); the outer formed in contact and (b) an inner region, the outer region, the outer region consisting the steps of the arrangement of the supporting portion (e.g. 125), and the annular member (e.g., 120) the substrate into having an inner support portion formed in contact with the inner region (e.g. 130) (e.g., 200) Method.
  2. 【請求項2】 さらに、ステップ(c)該基板(例えば2 2. A further step (c) the substrate (e.g., 2
    00)の研磨を含む請求項1記載の方法。 The method of claim 1, including a grinding 00).
  3. 【請求項3】 該環状部材が第一の表面を有し、該外側の支持部(例えば125)及び該内側の支持部(例えば130)が該第一の表面に接して形成される請求項1記載の方法。 Wherein said annular member has a first surface, the claims support part of the outer (e.g. 125) and the inner support portions (e.g., 130) is formed in contact with said first surface the method of 1, wherein the.
  4. 【請求項4】 該内側の支持部(例えば130)及び該外側の支持部(例えば125)が、該第一の表面の上方に実質的に該同じ距離突き出している請求項3記載の方法。 4. A supporting portion of the inner (e.g. 130) and the support portion of the outer side (for example 125), substantially of identity Ji distance protrudes method of claim 3 and above the said first surface.
  5. 【請求項5】 該内側の支持部(例えば130)が環を形成する請求項1記載の方法。 5. The method of claim 1, wherein the support portions of the inner (e.g. 130) to form a ring.
  6. 【請求項6】 さらに複数の外側の支持部(例えば12 6. Yet more outer support portion (e.g., 12
    5)を含む請求項1記載の方法。 The method of claim 1 further comprising 5).
  7. 【請求項7】 該内側の支持部(例えば130)が連続的である請求項1記載の方法。 7. The method of claim 1, wherein the supporting portion of the inner (e.g. 130) is continuous.
  8. 【請求項8】 該外側の支持部(例えば125)が該内側の支持部(例えば130)と分離している請求項1記載の方法。 8. A supporting portion of the outer (e.g. 125) of the inner support portion (e.g., 130) and method of claim 1 wherein separating.
  9. 【請求項9】 (a)基板(例えば200)の用意;及び 9. prepared in (a) a substrate (e.g., 200); and
    (b)搬送溝を有しない環状部材(例えば120)中への該基板の配置の各ステップからなる集積回路の製造方法。 (B) method of manufacturing an integrated circuit comprising the steps of placement of the substrate into the annular member does not have a conveying groove (e.g. 120) in.
  10. 【請求項10】 (a)内側の領域及び外側の領域; (b)該外側の領域に接して形成される外側の支持部(例えば125);及び(c)該内側の領域に接して形成される連続的な内側の支持部(例えば130)を含む環状部材(例えば120)を含む研磨器のための担体固定物。 10. (a) an inner region and an outer region; forming in contact with and (c) of the inner region; (b) an outer support portion which is formed in contact with the outer region (e.g., 125) continuous inner support portions (e.g., 130) annular member (e.g. 120) the carrier fixture for polisher including being.
  11. 【請求項11】 該環状部材(例えば120)が第一の表面を有し、該外側の支持部(例えば125)及び該連続的な内側の支持部(例えば130)が該第一の表面に接して形成される請求項10記載の該担体固定物。 11. have annular members (e.g., 120) of the first surface, the supporting portions of the outer (e.g. 125) and said continuous inner support portions (e.g., 130) to the said first surface carrier fixture of claim 10 wherein formed in contact.
  12. 【請求項12】 該連続的な内側の支持部(例えば13 12. The continuous inner support portion (e.g., 13
    0)及び該外側の支持部(例えば125)が、該第一の表面の上方に実質的に該同じ距離突き出している請求項10記載の該担体固定物。 0) and the support portion of the outer side (for example 125), substantially of identity Ji carrier fixed object distance projecting and claim 10, wherein above the said first surface.
  13. 【請求項13】 該連続的な内側の支持部(例えば13 13. The continuous inner support portion (e.g., 13
    0)が環を形成する請求項10記載の該担体固定物。 0) is the carrier fixture of claim 10, wherein forming the ring.
  14. 【請求項14】 さらに複数の外側の支持部(例えば1 14. Furthermore plurality of outer support portions (e.g., 1
    25)を含む請求項10記載の該担体固定物。 Carrier fixture of claim 10 further comprising: 25).
JP34087098A 1997-12-01 1998-12-01 Chemical and mechanical polishing, and manufacture of integrated circuit using chemical and mechanical polishing system Pending JPH11239965A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/982109 1997-12-01
US08/980943 1997-12-01
US08980943 US5951382A (en) 1997-12-01 1997-12-01 Chemical mechanical polishing carrier fixture and system
US08982109 US5967885A (en) 1997-12-01 1997-12-01 Method of manufacturing an integrated circuit using chemical mechanical polishing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11239965A true true JPH11239965A (en) 1999-09-07

Family

ID=27130610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34087098A Pending JPH11239965A (en) 1997-12-01 1998-12-01 Chemical and mechanical polishing, and manufacture of integrated circuit using chemical and mechanical polishing system

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0923122B1 (en)
JP (1) JPH11239965A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100876381B1 (en) 2000-07-31 2008-12-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate holding apparatus and a substrate polishing apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63283859A (en) * 1987-05-13 1988-11-21 Hitachi Ltd Wafer polishing jig
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100876381B1 (en) 2000-07-31 2008-12-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate holding apparatus and a substrate polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date Type
EP0923122A3 (en) 1999-12-29 application
EP0923122B1 (en) 2011-09-07 grant
EP0923122A2 (en) 1999-06-16 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5976267A (en) Method and apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers
US6068548A (en) Mechanically stabilized retaining ring for chemical mechanical polishing
US5558111A (en) Apparatus and method for carrier backing film reconditioning
US5690749A (en) Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material
US5679065A (en) Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5841624A (en) Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5522965A (en) Compact system and method for chemical-mechanical polishing utilizing energy coupled to the polishing pad/water interface
US6221774B1 (en) Method for surface treatment of substrates
US6254460B1 (en) Fixed abrasive polishing pad
US5783022A (en) Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet
US5727990A (en) Method for mirror-polishing chamfered portion of wafer and mirror-polishing apparatus
US5320706A (en) Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
US6165056A (en) Polishing machine for flattening substrate surface
US6543080B1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate
US5545076A (en) Apparatus for gringing a semiconductor wafer while removing dust therefrom
US6550091B1 (en) Double-sided wafer edge scrubbing apparatus and method for using the same
US5032544A (en) Process for producing semiconductor device substrate using polishing guard
US5683289A (en) CMP polishing pad conditioning apparatus
US5725414A (en) Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer
US6180020B1 (en) Polishing method and apparatus
US5868857A (en) Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
US6113721A (en) Method of bonding a semiconductor wafer
US6352927B2 (en) Semiconductor wafer and method for fabrication thereof
US6465328B1 (en) Semiconductor wafer manufacturing method
US20060115986A1 (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer