JPH11237600A - Information storing medium and information writer - Google Patents

Information storing medium and information writer

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JPH11237600A
JPH11237600A JP10037811A JP3781198A JPH11237600A JP H11237600 A JPH11237600 A JP H11237600A JP 10037811 A JP10037811 A JP 10037811A JP 3781198 A JP3781198 A JP 3781198A JP H11237600 A JPH11237600 A JP H11237600A
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information
layer
liquid crystal
storage layer
storage medium
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Hiroshi Arisawa
宏 有沢
Hideo Kobayashi
英夫 小林
Takeo Kakinuma
武夫 柿沼
Haruo Harada
陽雄 原田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to rewritably record unvisible information in one information storing medium with the same device, and to display and rewritably record visible information. SOLUTION: A non-display storing layer 8A consisting of a cholesteric liquid crystal(LC) layer for selectively reflecting ultraviolet rays and a display storing layer 8B consisting of a cholesteric LC layer for selectively reflecting light of specific wavelength out of visible light are laminated through a separation board 4 between two substrates 2, 3 and a light absorbing layer 6 is formed on the rear face of the substrate 3 arranged on the opposite side of an external light incident side. The phase changing threshold electric field intensity of the cholesteric LC forming the layer 8A is made different from that of the cholesteric LC forming the layer 8B. An information writer 20 is formed independently of an information storing medium 1 and constituted of writing electrodes 21, 22 for holding the medium 1 and a driving circuit 23 for impressing a write signal between the electrodes 21, 22. Consequently unvisible information can be recorded in the layer 8A and visible information can be displayed and recorded in the layer 8B.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、不可視情報、ま
たは不可視情報と可視情報を、書き換え可能に記録する
ことができる情報記憶媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information storage medium capable of rewritably recording invisible information or invisible information and visible information.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種データなどの不可視情報を書き換え
可能に記録することができる情報記憶媒体としては、磁
気カードやICカードなどが考えられている。
2. Description of the Related Art As an information storage medium on which invisible information such as various data can be recorded in a rewritable manner, a magnetic card and an IC card are considered.

【0003】画像などの可視情報を書き換えて表示する
ことができる表示記録媒体としても、種々のものが考え
られているが、多くは、可逆表示素子をカードなどの基
材上に印刷や貼付などの方法で形成して、表示記録部を
構成している。
Various types of display recording media capable of rewriting and displaying visible information such as images have been considered, but in many cases, reversible display elements are printed or pasted on a substrate such as a card. To form a display recording unit.

【0004】例えば、熱のみで表示するものとして、特
開昭61−258853号には、サーマルヘッドで加熱
することによって、透明モードと白濁モードを切り替え
る、高分子と低分子の複合樹脂からなる表示記録媒体が
示されており、そのほか、サーマルヘッドによる加熱で
発色し、ヒートロールで消色する、ロイコ染料を用いた
表示記録媒体、同様にサーマルヘッドで白濁し、ヒート
ロールで透明になる、高分子液晶からなる表示記録媒体
などが考えられている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-25885 discloses a display composed of a high-molecular and low-molecular composite resin that switches between a transparent mode and a cloudy mode by heating with a thermal head. A recording medium is shown, and in addition, a display recording medium using a leuco dye, which develops color by heating with a thermal head and decolorizes with a heat roll, similarly becomes cloudy with a thermal head and becomes transparent with a heat roll, Display recording media made of molecular liquid crystals and the like have been considered.

【0005】また、熱と電界を必要とするものとして、
特開平8−272297号には、液晶と高分子の複合膜
からなる表示記録媒体が示され、特開平5−16578
号には、垂直磁気と水平磁気によって明暗の差を記録す
る磁性粉体からなる表示記録媒体が示されている。
[0005] Further, as those requiring heat and electric field,
JP-A-8-272297 discloses a display recording medium comprising a composite film of a liquid crystal and a polymer.
No. 1 discloses a display recording medium made of a magnetic powder that records a difference in brightness between vertical and horizontal magnetism.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、不可視
情報を書き換え可能に記録する、磁気カードやICカー
ドなどの、従来の情報記憶媒体は、情報自体は目視でき
ないものの、情報を記録した媒体であることや、情報が
記録された部分が、一見して明確に分かり、そのため、
情報の改ざんや媒体の不正使用の危険が大きい欠点があ
る。
However, a conventional information storage medium, such as a magnetic card or an IC card, which records invisible information in a rewritable manner, is a medium on which information is recorded although the information itself cannot be viewed. And the part where the information was recorded is clearly apparent at first glance,
There is a disadvantage that the risk of information falsification and unauthorized use of the medium is great.

【0007】また、可視情報を書き換えて表示する、上
述した従来の表示記録媒体は、いずれも、不可視情報を
書き換え可能に記録することができず、あるいは記録で
きるとしても、可視情報と不可視情報の記録は別の原理
および手段によるため、可視情報および不可視情報の記
録ないし書き換えは、別の装置ないし方法で行わなけれ
ばならず、情報の記録ないし書き換えに時間がかかると
ともに、媒体および書き込み装置が高価になる欠点があ
る。
Further, any of the above-described conventional display recording media for rewriting and displaying visible information cannot record rewritable invisible information, or even if it can record, it is difficult to record visible information and invisible information. Since recording is based on another principle and means, recording or rewriting of visible information and invisible information must be performed by another device or method, and it takes time to record or rewrite information, and the medium and the writing device are expensive. There is a disadvantage.

【0008】そこで、この発明の第1の目的は、情報を
記録した媒体であることや、情報が記録された部分が、
一見して分からず、情報の改ざんや媒体の不正使用の危
険が少なくなる、不可視情報を書き換え可能に記録する
ことができる情報記憶媒体を提供することにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to provide a medium on which information is recorded, and a part in which the information is recorded,
It is an object of the present invention to provide an information storage medium capable of recording invisible information in a rewritable manner, which is less obvious at first glance and reduces the risk of information tampering and unauthorized use of the medium.

【0009】この発明の第2の目的は、不可視情報を書
き換え可能に記録することができ、かつ不可視情報につ
いては、第1の目的と同様に、情報を記録した媒体であ
ることや、情報が記録された部分が、一見して分から
ず、情報の改ざんや媒体の不正使用の危険が少なくなる
とともに、同一の媒体に可視情報を書き換えて表示する
ことができ、しかも不可視情報および可視情報の記録な
いし書き換えを、同一の原理および手段によって、同一
の装置ないし方法で、一括して高速に行うことができ、
媒体および書き込み装置を低コスト化できるようにする
ことにある。
A second object of the present invention is to record invisible information in a rewritable manner, and for the invisible information, as in the first object, to be a medium on which information is recorded, The recorded part is not apparent at first glance, reducing the risk of information tampering and unauthorized use of the medium, and also allows the visible information to be rewritten and displayed on the same medium, and also records the invisible information and the visible information Or rewriting can be performed collectively and at high speed by the same principle and means, using the same device or method,
An object of the present invention is to reduce the cost of a medium and a writing device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明の情報記
憶媒体は、一対の基板間に、可視光以外の波長の光を選
択反射し、不可視情報を記憶する、透明なコレステリッ
ク液晶層からなる非表示記憶層を形成したものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an information storage medium comprising a transparent cholesteric liquid crystal layer which selectively reflects light having a wavelength other than visible light and stores invisible information between a pair of substrates. Is formed.

【0011】この場合、非表示記憶層を形成するコレス
テリック液晶層は、高分子を含むものとすることが望ま
しく、また、非表示記憶層を形成するコレステリック液
晶の選択反射波長は、紫外線領域とすることが望まし
い。
In this case, it is preferable that the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer contains a polymer, and the cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer has a selective reflection wavelength in an ultraviolet region. desirable.

【0012】請求項5の発明の情報記憶媒体は、一対の
基板間に、可視光以外の波長の光を選択反射し、不可視
情報を記憶する、透明なコレステリック液晶層からなる
非表示記憶層と、可視光中の特定波長の光を選択反射
し、可視情報を記憶する、コレステリック液晶層からな
る表示記憶層とを、積層して形成したものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an information storage medium comprising: a non-display storage layer made of a transparent cholesteric liquid crystal layer for selectively reflecting light having a wavelength other than visible light and storing invisible information between a pair of substrates; And a display storage layer composed of a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light of a specific wavelength in visible light and stores visible information.

【0013】この場合、非表示記憶層を形成するコレス
テリック液晶層、および表示記憶層を形成するコレステ
リック液晶層は、それぞれ高分子を含むものとすること
が望ましい。また、非表示記憶層を形成するコレステリ
ック液晶の選択反射波長は、紫外線領域とすることが望
ましい。
In this case, it is desirable that the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer and the cholesteric liquid crystal layer forming the display storage layer each contain a polymer. Further, it is desirable that the selective reflection wavelength of the cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer be in the ultraviolet region.

【0014】また、非表示記憶層を形成するコレステリ
ック液晶と、表示記憶層を形成するコレステリック液晶
の、相変化しきい電界強度を異ならせることが望まし
い。
It is desirable that the cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer and the cholesteric liquid crystal forming the display storage layer have different phase-change threshold electric field intensities.

【0015】[0015]

【作用】液晶分子が螺旋構造を持つコレステリック液晶
は、螺旋軸に平行に入射した光を右旋光と左旋光に分
け、螺旋の捩じれ方向に一致する円偏光成分をブラッグ
反射し、残りの光を透過させる選択反射現象を起こす。
反射光の中心波長λは、螺旋ピッチをp、螺旋軸に直交
する平面内の平均屈折率をnとすると、λ=n・pで表
される。
The cholesteric liquid crystal having a helical structure of liquid crystal molecules divides light incident parallel to the helical axis into right-handed and left-handed light, and Bragg-reflects a circularly polarized light component that matches the helix direction of the helical light. Causes a selective reflection phenomenon that transmits light.
The center wavelength λ of the reflected light is represented by λ = n · p, where p is a helical pitch and n is an average refractive index in a plane perpendicular to the helical axis.

【0016】この反射中心波長λを可視光領域外とする
ことによって、コレステリック液晶層は、人の目で見れ
ば透明であるが、赤外線または紫外線を選択反射する状
態とすることができる。
By setting the reflection center wavelength λ outside the visible light region, the cholesteric liquid crystal layer can be made transparent to human eyes, but can selectively reflect infrared rays or ultraviolet rays.

【0017】正の誘電率異方性を有するコレステリック
液晶は、図13(A)に示すように、螺旋軸がセル表面
に垂直になり、入射光に対して上記の選択反射現象を生
じるプレーナー相、同図(B)に示すように、螺旋軸が
ほぼセル表面に平行になり、入射光を少し前方散乱させ
ながら透過させるフォーカルコニック相、および同図
(C)に示すように、螺旋構造がほどけて液晶ダイレク
タが電界方向を向き、入射光をほぼ完全に透過させるホ
メオトロピック相、の3つの状態を示す。
A cholesteric liquid crystal having a positive dielectric anisotropy has a helical axis perpendicular to the cell surface as shown in FIG. As shown in FIG. 4B, the helical axis is substantially parallel to the cell surface, and the focal conic phase transmits the incident light while slightly scattering the light forward, and as shown in FIG. The liquid crystal director faces the direction of the electric field when released, and shows a homeotropic phase in which incident light is transmitted almost completely.

【0018】上記の3つの相のうち、プレーナー相とフ
ォーカルコニック相は、無電界で双安定に存在すること
ができる。したがって、コレステリック液晶の相状態
は、液晶層に印加される電界強度に対して一義的に決ま
らず、プレーナー相が初期状態の場合には、電界強度の
増加に伴って、プレーナー相、フォーカルコニック相、
ホメオトロピック相の順に変化し、フォーカルコニック
相が初期状態の場合には、電界強度の増加に伴って、フ
ォーカルコニック相、ホメオトロピック相の順に変化す
る。
Of the above three phases, the planar phase and the focal conic phase can exist bistable without an electric field. Therefore, the phase state of the cholesteric liquid crystal is not uniquely determined with respect to the electric field intensity applied to the liquid crystal layer. When the planar phase is in the initial state, the planar state and the focal conic phase are increased with the electric field intensity. ,
It changes in the order of the homeotropic phase, and when the focal conic phase is in the initial state, changes in the order of the focal conic phase and the homeotropic phase as the electric field intensity increases.

【0019】一方、電界強度を急激にゼロにした場合に
は、プレーナー相とフォーカルコニック相はそのままの
状態を維持し、ホメオトロピック相はプレーナー相に相
変化する。
On the other hand, when the electric field intensity is suddenly reduced to zero, the planar phase and the focal conic phase are maintained as they are, and the homeotropic phase changes to the planar phase.

【0020】したがって、パルス信号を印加した直後の
コレステリック液晶層は、図14に示すようなスイッチ
ング挙動を示し、印加されたパルス信号の電界強度が、
Efh,90以上のときには、ホメオトロピック相から
プレーナー相に相変化した選択反射状態となり、Ep
f,10とEfh,10の間のときには、フォーカルコ
ニック相による透過状態となり、Epf,90以下のと
きには、パルス信号印加前の状態を継続した状態、すな
わちプレーナー相による選択反射状態またはフォーカル
コニック相による透過状態となる。
Therefore, the cholesteric liquid crystal layer immediately after the application of the pulse signal shows a switching behavior as shown in FIG. 14, and the electric field intensity of the applied pulse signal becomes
When Efh is 90 or more, the selective reflection state changes from the homeotropic phase to the planar phase, and Ep
When between f, 10 and Efh, 10, the transmission state is caused by the focal conic phase, and when Epf, 90 or less, the state before application of the pulse signal is continued, that is, the state is selectively reflected by the planar phase or is caused by the focal conic phase. It becomes a transmission state.

【0021】ただし、図中、縦軸は正規化反射率であ
り、最大反射率を100、最小反射率を0として、反射
率を正規化している。また、プレーナー相、フォーカル
コニック相およびホメオトロピック相の各状態間には、
遷移領域が存在するため、正規化反射率が90以上の場
合を選択反射状態、正規化反射率が10以下の場合を透
過状態と定義し、プレーナー相とフォーカルコニック相
の相変化のしきい電界強度を、遷移領域の前後に対し
て、それぞれEpf,90、Epf,10とし、フォー
カルコニック相とホメオトロピック相の相変化のしきい
電界強度を、遷移領域の前後に対して、それぞれEf
h,10、Efh,90とする。
In the drawing, the vertical axis represents the normalized reflectance. The reflectance is normalized with the maximum reflectance being 100 and the minimum reflectance being 0. In addition, between the states of the planar phase, the focal conic phase and the homeotropic phase,
Since the transition region exists, the case where the normalized reflectance is 90 or more is defined as the selective reflection state, and the case where the normalized reflectance is 10 or less is defined as the transmission state, and the threshold electric field of the phase change between the planar phase and the focal conic phase is defined. The intensities are set to Epf, 90 and Epf, 10, respectively, before and after the transition region, and the threshold electric field intensities of the phase change between the focal conic phase and the homeotropic phase are set to Ef, respectively, before and after the transition region.
h, 10, and Efh, 90.

【0022】特に、コレステリック液晶に高分子を添加
したPNCLC(PolymerNetwork Ch
olesteric Liquid Crystal)
構造またはPDCLC(Polymer Disper
sed Cholesteric Liquid Cr
ystal)構造の液晶層においては、コレステリック
液晶と高分子の界面での干渉によって、プレーナー相と
フォーカルコニック相の無電界での双安定性が向上し、
長期間に渡ってパルス信号印加直後の状態を保持するこ
とができ、メモリ効果が著しく大きくなる。
In particular, PNCLC (Polymer Network Ch) obtained by adding a polymer to cholesteric liquid crystal.
olesteric Liquid Crystal)
Structure or PDCLC (Polymer Disper)
sed Cholesteric Liquid Cr
In the liquid crystal layer having a ystal) structure, the bistability of the planar phase and the focal conic phase in an electric field-free state is improved by interference at the interface between the cholesteric liquid crystal and the polymer.
The state immediately after the application of the pulse signal can be maintained for a long time, and the memory effect is significantly increased.

【0023】請求項1の発明では、このコレステリック
液晶の双安定現象を利用して、特に可視光以外の波長の
光を選択反射するコレステリック液晶層を非表示記憶層
として形成し、そのコレステリック液晶層につき、プレ
ーナー相による選択反射状態と、フォーカルコニック相
による透過状態とを、スイッチングすることによって、
そのコレステリック液晶層に不可視情報を書き込む。
According to the first aspect of the present invention, a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light having a wavelength other than visible light is formed as a non-display storage layer by utilizing the bistable phenomenon of the cholesteric liquid crystal. By switching between the selective reflection state by the planar phase and the transmission state by the focal conic phase,
Invisible information is written in the cholesteric liquid crystal layer.

【0024】したがって、無電界でのメモリ性を有する
ように不可視情報を記録し、かつ書き換えることができ
る。
Therefore, the invisible information can be recorded and rewritten so as to have a memory property without an electric field.

【0025】また、非表示記憶層としてのコレステリッ
ク液晶層は透明であるので、非表示記憶層は単なる透明
膜にしか見えず、情報を記録した媒体であることや、情
報が記録された部分が、一見して分からないので、情報
の改ざんや媒体の不正使用の危険が少なくなる。
Further, since the cholesteric liquid crystal layer as the non-display storage layer is transparent, the non-display storage layer can be seen only as a mere transparent film, and is a medium on which information is recorded. At first glance, the risk of information tampering and unauthorized use of the medium is reduced.

【0026】ただし、コレステリック液晶は、その螺旋
軸に対して斜めの方向から観察した場合、その傾斜角に
応じて、選択反射光のスペクトルが短波長側に変化する
ので、非表示記憶層としてのコレステリック液晶層の選
択反射波長を赤外線領域とする場合には、媒体を観察す
る方向によっては、これに記録された不可視情報が、赤
外光より短波長側の赤の色光などとして見えてしまうこ
とがある。
However, when the cholesteric liquid crystal is observed from a direction oblique to the helical axis, the spectrum of the selectively reflected light changes to the shorter wavelength side according to the inclination angle. When the selective reflection wavelength of the cholesteric liquid crystal layer is in the infrared region, the invisible information recorded on the medium may be seen as red color light having a shorter wavelength than the infrared light, depending on the direction in which the medium is viewed. There is.

【0027】これに対して、上述したように非表示記憶
層としてのコレステリック液晶層の選択反射波長を紫外
線領域とする場合には、紫外光より短波長側には可視光
が存在しないので、媒体をいかなる方向から観察して
も、これに記録された不可視情報が見えてしまうことは
ない。
On the other hand, when the selective reflection wavelength of the cholesteric liquid crystal layer as the non-display storage layer is in the ultraviolet region as described above, since visible light does not exist on the shorter wavelength side than ultraviolet light, the medium No matter what direction is observed, the invisible information recorded in the image will not be seen.

【0028】請求項5の発明では、同様にコレステリッ
ク液晶の双安定現象を利用して、可視光以外の波長の光
を選択反射するコレステリック液晶層を非表示記憶層と
して、可視光中の特定波長の光を選択反射するコレステ
リック液晶層を表示記憶層として、積層して形成し、そ
れぞれのコレステリック液晶層につき、プレーナー相に
よる選択反射状態と、フォーカルコニック相による透過
状態とを、スイッチングすることによって、非表示記憶
層としてのコレステリック液晶層には不可視情報を書き
込み、表示記憶層としてのコレステリック液晶層には可
視情報を表示し、書き込む。
According to the fifth aspect of the present invention, a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light having a wavelength other than visible light is used as a non-display storage layer by utilizing the bistable phenomenon of cholesteric liquid crystal. A cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light is stacked and formed as a display storage layer, and for each cholesteric liquid crystal layer, switching between a selective reflection state by a planar phase and a transmission state by a focal conic phase is performed. Invisible information is written in the cholesteric liquid crystal layer as the non-display storage layer, and visible information is displayed and written in the cholesteric liquid crystal layer as the display storage layer.

【0029】したがって、非表示記憶層としてのコレス
テリック液晶層には、無電界でのメモリ性を有するよう
に不可視情報を記録し、かつ書き換えることができると
ともに、表示記憶層としてのコレステリック液晶層に
は、可視情報を表示し、無電界でのメモリ性を有するよ
うに記録し、かつ書き換えることができる。
Therefore, in the cholesteric liquid crystal layer as a non-display storage layer, invisible information can be recorded and rewritten so as to have a memory property without an electric field, and the cholesteric liquid crystal layer as a display storage layer can be rewritten. It can display and display visible information, and can be recorded and rewritten so as to have a memory property without an electric field.

【0030】この場合、非表示記憶層を形成するコレス
テリック液晶と、表示記憶層を形成するコレステリック
液晶の、相変化しきい電界強度を異ならせるとともに、
その非表示記憶層と表示記憶層の積層体に、それぞれの
コレステリック液晶の相変化しきい電界強度を境界とす
る複数段階の電界強度から選定された電界強度となる書
き込み信号を印加することによって、(1)非表示記憶
層および表示記憶層が、ともにプレーナー相による選択
反射状態、(2)非表示記憶層および表示記憶層が、と
もにフォーカルコニック相による透過状態、(3)非表
示記憶層がプレーナー相による選択反射状態、表示記憶
層がフォーカルコニック相による透過状態、(4)非表
示記憶層がフォーカルコニック相による透過状態、表示
記憶層がプレーナー相による選択反射状態、の4つの状
態が得られ、一画素内で、非表示記憶層への不可視情報
の書き込みと、表示記憶層への可視情報の表示および書
き込みとを、独立かつ同時に行うことができる。
In this case, the cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer and the cholesteric liquid crystal forming the display storage layer have different phase change threshold electric field intensities.
By applying a write signal having an electric field intensity selected from a plurality of electric field intensities having a boundary between the phase change threshold electric field intensities of the respective cholesteric liquid crystals to the stacked body of the non-display storage layer and the display storage layer, (1) The non-display storage layer and the display storage layer are both in a selective reflection state by the planar phase, (2) both the non-display storage layer and the display storage layer are in the transmission state by the focal conic phase, and (3) the non-display storage layer is Four states are obtained: a selective reflection state by the planar phase, a display storage layer in a transmission state by the focal conic phase, (4) a non-display storage layer by a transmission state by the focal conic phase, and a display storage layer by a selective reflection state in the planar phase. The writing of invisible information to the non-display storage layer and the display and writing of visible information to the display storage layer are independent within one pixel. One can be carried out at the same time.

【0031】したがって、この場合には、非表示記憶層
および表示記憶層のそれぞれに駆動電極や駆動回路を設
けることなく、非表示記憶層と表示記憶層の積層体の両
側の電極間、または積層体の片側の電極と外部の電極と
の間、もしくは外部の一対の電極間に、共通の駆動回路
から共通の信号を印加することによって、非表示記憶層
への不可視情報の書き込みと、表示記憶層への可視情報
の表示および書き込みとを、一括して高速に行うことが
できるとともに、媒体および書き込み装置を低コスト化
することができる。
Therefore, in this case, without providing a drive electrode or a drive circuit for each of the non-display storage layer and the display storage layer, the non-display storage layer and the display storage layer may be provided between the electrodes on both sides of the stacked body of the non-display storage layer and the display storage layer. By applying a common signal from a common driving circuit between an electrode on one side of the body and an external electrode, or between a pair of external electrodes, writing of invisible information to a non-display storage layer and display storage The display and writing of the visible information on the layer can be collectively performed at high speed, and the cost of the medium and the writing device can be reduced.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】〔請求項1の発明の実施形態〕図
1は、請求項1の発明の情報記憶媒体の一例を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example of an information storage medium according to the first aspect of the present invention.

【0033】情報記憶媒体1は、この例では、基板2,
3間に、紫外光を選択反射するコレステリック液晶層か
らなる非表示記憶層8Aを、スペーサー9Aを挿入して
形成し、外光入射側と反対側の基板3の裏面に、光吸収
層6を設けたものである。
In this example, the information storage medium 1
A non-display storage layer 8A made of a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects ultraviolet light is formed between the three by inserting a spacer 9A, and a light absorption layer 6 is formed on the back surface of the substrate 3 on the side opposite to the outside light incident side. It is provided.

【0034】基板2,3は、ガラスやシリコン、または
ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリ
塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、ポリサルホンな
どの高分子フィルムを用いることができ、少なくとも外
光入射側の基板2は、少なくとも紫外光を透過させる材
料により形成する。
The substrates 2 and 3 can be made of glass, silicon, or a polymer film such as polyethylene, polystyrene, polyethylene terephthalate, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polyvinyl chloride, polyimide, polyamide, and polysulfone. The substrate 2 on the side is formed of a material that transmits at least ultraviolet light.

【0035】基板2,3の厚みは、数10μm〜数10
0μmで、自己支持性と可とう性を併せ持つことが好ま
しい。また、非表示記憶層8Aへの分圧比を大きくする
ため、できるだけ誘電率の大きいことが好ましい。ま
た、必要に応じて、その表面に、液晶配向層、耐摩耗
層、情報記憶媒体1内へのガスの混入を防止するバリア
層などの公知の機能性膜を形成してもよい。
The thickness of the substrates 2 and 3 ranges from several tens μm to several tens
When the thickness is 0 μm, it is preferable to have both self-supporting property and flexibility. In order to increase the partial pressure ratio to the non-display storage layer 8A, it is preferable that the dielectric constant is as large as possible. If necessary, a known functional film such as a liquid crystal alignment layer, a wear-resistant layer, or a barrier layer for preventing gas from entering the information storage medium 1 may be formed on the surface.

【0036】スペーサー9Aは、ガラスやプラスチック
などからなるボール型またはシリンダー型のものを用い
ることができ、非表示記憶層8Aの厚みを数μm〜数1
0μmに制御する。特に基板2,3に可とう性を有する
材料を用いる場合には、基板2,3の変形によって非表
示記憶層8Aの厚みが大きく変化しないように、周囲に
接着成分が塗布されたスペーサー9Aを用いて、基板
2,3間を接着することが好ましい。
As the spacer 9A, a ball type or a cylindrical type made of glass, plastic, or the like can be used, and the thickness of the non-display storage layer 8A is set to several μm to several tens.
Control to 0 μm. In particular, when a flexible material is used for the substrates 2 and 3, the spacer 9A coated with an adhesive component is provided around the substrate 2 and 3 so that the thickness of the non-display storage layer 8A does not greatly change due to deformation of the substrates 2 and 3. It is preferable to bond between the substrates 2 and 3 by using.

【0037】また、スペーサー9Aの代わりに、基板2
または3の表面に、非表示記憶層8Aの厚みを制御しう
る突起物などを形成してもよい。
In place of the spacer 9A, the substrate 2
Alternatively, a protrusion or the like that can control the thickness of the non-display storage layer 8A may be formed on the surface of No. 3.

【0038】光吸収層6は、非表示記憶層8Aを透過し
た紫外光を吸収するものであれば、特に限定されるもの
ではなく、例えば、カーボンブラックなどの色素が含有
された高分子膜を用いることができる。
The light absorbing layer 6 is not particularly limited as long as it absorbs ultraviolet light transmitted through the non-display storage layer 8A. For example, a polymer film containing a dye such as carbon black may be used. Can be used.

【0039】なお、外光入射側と反対側の基板3の裏面
に光吸収層6を形成する代わりに、基板3と非表示記憶
層8Aとの間に光吸収層6を形成し、または基板3をブ
ラック染料などで着色して基板3に紫外光吸収性を持た
せ、光吸収層6を省略することもできる。
Instead of forming the light absorbing layer 6 on the back surface of the substrate 3 on the side opposite to the external light incident side, the light absorbing layer 6 is formed between the substrate 3 and the non-display storage layer 8A. 3 can be colored with a black dye or the like to give the substrate 3 an ultraviolet absorbing property, and the light absorbing layer 6 can be omitted.

【0040】非表示記憶層8Aを構成するコレステリッ
ク液晶は、シッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、安息香酸エステル系、トラン
系、ピリミジン系、シクロヘキサンカルボン酸エステル
系、フェニルシクロヘキサン系、ジオキサン系などの正
の誘電率異方性を有するネマチック液晶、またはこれら
の混合物に、エステル誘導体、シアノビフェニル誘導
体、ビスアニール誘導体などの、不斉炭素を有するカイ
ラル剤を添加した材料を用いることができる。
The cholesteric liquid crystal constituting the non-display storage layer 8A includes Schiff base, azo, azoxy, biphenyl, terphenyl, benzoate, tolan, pyrimidine, cyclohexanecarboxylate, phenyl Use a nematic liquid crystal having a positive dielectric anisotropy such as a cyclohexane-based or dioxane-based material, or a material obtained by adding a chiral agent having an asymmetric carbon such as an ester derivative, a cyanobiphenyl derivative, or a bis-annealed derivative to a mixture thereof. be able to.

【0041】コレステリック液晶の螺旋ピッチは、ネマ
チック液晶に対するカイラル剤の添加量で調整し、選択
反射の中心波長が300nm〜400nmの範囲となる
ようにする。
The helical pitch of the cholesteric liquid crystal is adjusted by the amount of the chiral agent added to the nematic liquid crystal so that the central wavelength of selective reflection is in the range of 300 to 400 nm.

【0042】また、コレステリック液晶の螺旋ピッチの
温度依存性を補償するために、捩じれ方向が異なる、ま
たは逆の温度依存性を示す複数のカイラル剤を添加する
公知の手法を用いてもよい。
In order to compensate for the temperature dependence of the helical pitch of the cholesteric liquid crystal, a known method of adding a plurality of chiral agents having different twist directions or exhibiting opposite temperature dependences may be used.

【0043】情報書き込み装置20は、情報記憶媒体1
とは別体に形成し、この例では、情報記憶媒体1を挟持
する書き込み電極21,22と、この電極21,22間
に書き込み信号を印加する駆動回路23とによって構成
する。駆動回路23は、図では省略したが、駆動電源
と、入力された不可視情報に基づいて、電極21,22
間に印加する信号を制御する制御部とによって構成す
る。
The information writing device 20 includes the information storage medium 1
In this example, the write electrodes 21 and 22 sandwich the information storage medium 1 and the drive circuit 23 that applies a write signal between the electrodes 21 and 22. Although not shown in the figure, the drive circuit 23 is provided with electrodes 21 and 22 based on a drive power supply and input invisible information.
And a control unit for controlling a signal to be applied therebetween.

【0044】情報書き込み装置20は、例えば、電極2
1,22間に情報記憶媒体1の厚み分の間隙を有し、不
可視情報の書き込み時には、その間隙内に情報記憶媒体
1を所定位置まで差し込んで、後述するように情報記憶
媒体1に不可視情報を書き込み、または、電極21側を
電極22側に対して開閉できるようにして、電極21側
を開いて情報記憶媒体1を所定位置に挿入した後、電極
21側を閉じて情報記憶媒体1に不可視情報を書き込
む、などの構成とすることができる。
The information writing device 20 includes, for example, the electrode 2
A gap corresponding to the thickness of the information storage medium 1 is provided between the information storage medium 1 and the information storage medium 1 at the time of writing the invisible information. Or the electrode 21 side can be opened and closed with respect to the electrode 22 side. After the electrode 21 side is opened and the information storage medium 1 is inserted into a predetermined position, the electrode 21 side is closed and the information storage medium 1 is inserted into the information storage medium 1. It is possible to write invisible information.

【0045】なお、この例の情報書き込み装置20は、
この例の情報記憶媒体1に対して、外部から書き込み信
号を印加できるものであればよく、例えば、画素サイズ
の電極を備えるペン書き込み型の書き込み装置、一次元
に電極が配置されたライン走査書き込み型の書き込み装
置、二次元に電極が配置された面書き込み型の書き込み
装置、またはこれらの形態でイオン流を発生させる書き
込み装置など、特に限定されるものではない。
Note that the information writing device 20 of this example
Any device capable of externally applying a write signal to the information storage medium 1 of this example may be used. For example, a pen writing type writing device having a pixel-sized electrode, a line scanning writing device having one-dimensionally arranged electrodes There is no particular limitation on a writing device of a type, a writing device of a surface writing type having two-dimensionally arranged electrodes, or a writing device of generating an ion current in these forms.

【0046】図1の例は、情報記憶媒体1が内部に電界
印加用の電極や配線を全く持たない場合であるが、図2
に示す例のように、情報記憶媒体1の一方の基板側に共
通電極7を設けてもよい。
FIG. 1 shows an example in which the information storage medium 1 has no internal electrodes or wirings for applying an electric field at all.
The common electrode 7 may be provided on one substrate side of the information storage medium 1 as in the example shown in FIG.

【0047】共通電極7は、非表示記憶層8Aへの分圧
比を大きくするために、一方の基板の内側、例えば、外
光入射側と反対側の基板3の内側、すなわち基板3と非
表示記憶層8Aとの間に形成することが望ましく、その
厚みは、数μm程度とすることが好ましい。
In order to increase the voltage division ratio to the non-display storage layer 8A, the common electrode 7 is provided inside one of the substrates, for example, inside the substrate 3 on the side opposite to the external light incidence side, that is, when the substrate 3 is not displayed. It is desirable to form it between the storage layer 8A and the thickness thereof is preferably about several μm.

【0048】この場合、情報書き込み装置20には、不
可視情報の書き込み時に、この情報記憶媒体1の共通電
極7と接触して電気的に接続される接触子を設け、不可
視情報の書き込み時、情報書き込み装置20の書き込み
電極21と情報記憶媒体1の共通電極7との間に書き込
み信号を印加する。
In this case, the information writing device 20 is provided with a contact which is in contact with and electrically connected to the common electrode 7 of the information storage medium 1 when writing invisible information. A write signal is applied between the write electrode 21 of the writing device 20 and the common electrode 7 of the information storage medium 1.

【0049】この場合、印刷物10の印刷面11とは反
対側の面に情報記憶媒体1を貼り付けてもよい。
In this case, the information storage medium 1 may be attached to a surface of the printed material 10 opposite to the printing surface 11.

【0050】図1および図2の例は、非表示記憶層8A
を形成するコレステリック液晶層をコレステリック液晶
のみからなるLC構造とした場合であるが、非表示記憶
層8Aを形成するコレステリック液晶層は、コレステリ
ック液晶の連続相中に網目状の高分子を含むPNLC
(Polymer Network Liquid C
rystal)構造や、高分子の骨格中にコレステリッ
ク液晶がドロップレット状に分散されたPDLC(Po
lymer Dispersed LiquidCry
stal)構造とすることもできる。
FIGS. 1 and 2 show the non-display storage layer 8A.
The cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer 8A is a cholesteric liquid crystal layer forming only the cholesteric liquid crystal.
(Polymer Network Liquid C
cholesteric liquid crystal dispersed in a droplet structure in a polymer (skeleton) or polymer skeleton.
lymer Dispersed LiquidCry
sta) structure.

【0051】非表示記憶層8AをPNLC構造やPDL
C構造とすることによって、コレステリック液晶と高分
子の界面にアンカリング効果が発生し、無電界でのプレ
ーナー相またはフォーカルコニック相の保持状態を、よ
り安定にすることができる。
The non-display storage layer 8A has a PNLC structure or a PDL.
With the C structure, an anchoring effect is generated at the interface between the cholesteric liquid crystal and the polymer, and the holding state of the planar phase or the focal conic phase without an electric field can be further stabilized.

【0052】図1または図2の例の情報記憶媒体1で
は、その非表示記憶層8Aを形成するコレステリック液
晶層の、図14に示したようなプレーナー相とフォーカ
ルコニック相の相変化のしきい電界強度Epf,10
と、フォーカルコニック相とホメオトロピック相の相変
化のしきい電界強度Efh,10との間の電界強度を第
1の電界強度Eaとし、フォーカルコニック相とホメオ
トロピック相の相変化のしきい電界強度Efh,90以
上の電界強度を第2の電界強度Ebとする。
In the information storage medium 1 of the example of FIG. 1 or FIG. 2, the threshold of the phase change between the planar phase and the focal conic phase as shown in FIG. 14 of the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer 8A. Electric field strength Epf, 10
And a first electric field intensity Ea between the threshold electric field intensity Efh, 10 of the phase change between the focal conic phase and the homeotropic phase, and a threshold electric field intensity of the phase change between the focal conic phase and the homeotropic phase. Efh, an electric field strength of 90 or more is defined as a second electric field strength Eb.

【0053】そして、外部の情報書き込み装置20によ
って、図8(A)に示すような(同図にはリフレッシュ
期間Trも示しているが、この例ではリフレッシュ期間
Trは不要である)、交流パルスのセレクト期間Ts
と、その後の無電界の表示期間Tdとによって構成さ
れ、そのセレクト期間Tsでの電界強度Esが、不可視
情報に基づいて、上記の電界強度Ea,Ebから選定さ
れた電界強度となる書き込み信号、または、同図(B)
に示すような(同様に、この例ではリフレッシュ期間T
rは不要である)、直流パルスのセレクト期間Tsと、
その後の無電界の表示期間Tdとによって構成され、そ
のセレクト期間Tsでの電界強度Esが、不可視情報に
基づいて、上記の電界強度Ea,Ebから選定された電
界強度となる書き込み信号を、上記の情報記憶媒体1に
印加する。
Then, the external information writing device 20 generates an AC pulse as shown in FIG. 8A (the refresh period Tr is also shown in FIG. 8A, but the refresh period Tr is unnecessary in this example). Select period Ts
And a write signal in which the electric field strength Es in the select period Ts is the electric field strength selected from the electric field strengths Ea and Eb based on the invisible information. Or the same figure (B)
(Similarly, in this example, the refresh period T
r is unnecessary), the select period Ts of the DC pulse,
And a write signal in which the electric field strength Es in the select period Ts becomes the electric field strength selected from the electric field strengths Ea and Eb based on the invisible information. To the information storage medium 1.

【0054】これによって、非表示記憶層8Aとしての
コレステリック液晶層は、(1)プレーナー相による紫
外光を選択反射する状態、(2)フォーカルコニック相
による紫外光をも透過させる状態、とを取りうるように
なり、非表示記憶層8Aに不可視情報が書き込まれる。
As a result, the cholesteric liquid crystal layer as the non-display storage layer 8A has a state of (1) a state of selectively reflecting ultraviolet light of the planar phase and a state of (2) of transmitting ultraviolet light of the focal conic phase. The invisible information is written to the non-display storage layer 8A.

【0055】このように記録された不可視情報を読み取
るには、図3に示すように、基板2側から情報記憶媒体
1に、ブラックライト蛍光ランプのような紫外線ランプ
などからの、紫外光からなる、または紫外光を十分に含
む入射光31を照射する。
In order to read the invisible information recorded in this manner, as shown in FIG. 3, the information storage medium 1 is made of ultraviolet light from an ultraviolet lamp such as a black light fluorescent lamp or the like from the substrate 2 side. Or an incident light 31 which sufficiently contains ultraviolet light.

【0056】これによって、プレーナー相による選択反
射状態とされた画素からは、紫外光の反射光32が得ら
れる。この反射光32を、紫外光を感知するCCDセン
サなどの光検出器によって検出することによって、情報
記憶媒体1に記録された不可視情報を読み取ることがで
きる。
As a result, reflected light 32 of ultraviolet light is obtained from the pixels which are selectively reflected by the planar phase. The invisible information recorded on the information storage medium 1 can be read by detecting the reflected light 32 with a photodetector such as a CCD sensor that senses ultraviolet light.

【0057】紫外光の反射光32を波長変換素子によっ
て可視光に変換し、その変換後の光をCCDセンサなど
の光検出器によって検出するようにしてもよい。
The ultraviolet reflected light 32 may be converted into visible light by a wavelength conversion element, and the converted light may be detected by a photodetector such as a CCD sensor.

【0058】〔請求項5の発明の実施形態〕図4は、請
求項5の発明の情報記憶媒体の一例を示す。
[Fifth Embodiment of the Invention] FIG. 4 shows an example of the information storage medium of the fifth invention.

【0059】情報記憶媒体1は、この例では、基板2,
3間に、紫外光を選択反射するコレステリック液晶層か
らなる非表示記憶層8A、および可視光中の特定波長の
光を選択反射するコレステリック液晶層からなる表示記
憶層8Bを、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8Bに
はスペーサー9Aおよび9Bを挿入し、非表示記憶層8
Aと表示記憶層8Bの間には分離基板4を介して積層
し、外光入射側と反対側の基板3の裏面に、光吸収層6
を設けたものである。
In this example, the information storage medium 1
3, a non-display storage layer 8A made of a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects ultraviolet light and a display storage layer 8B made of a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light of a specific wavelength in visible light, In addition, spacers 9A and 9B are inserted into the display storage layer 8B, and the non-display storage layer 8B is inserted.
A and the display storage layer 8B are laminated with a separation substrate 4 interposed therebetween, and the light absorption layer 6
Is provided.

【0060】基板2,3は、上述したものを用いること
ができ、少なくとも外光入射側の基板2は、紫外光と可
視光を透過させる材料により形成する。
The substrates 2 and 3 described above can be used. At least the substrate 2 on the external light incident side is formed of a material that transmits ultraviolet light and visible light.

【0061】この場合も、基板2,3の厚みは、数10
μm〜数100μmで、自己支持性と可とう性を併せ持
つことが好ましい。また、非表示記憶層8Aおよび表示
記憶層8Bへの分圧比を大きくするため、できるだけ誘
電率の大きいことが好ましい。また、必要に応じて、そ
の表面に、液晶配向層、耐摩耗層、情報記憶媒体1内へ
のガスの混入を防止するバリア層などの公知の機能性膜
を形成してもよい。
Also in this case, the thickness of the substrates 2 and 3 is
It is preferably from μm to several hundred μm, having both self-supporting property and flexibility. In order to increase the voltage division ratio to the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B, it is preferable that the dielectric constant is as large as possible. If necessary, a known functional film such as a liquid crystal alignment layer, a wear-resistant layer, or a barrier layer for preventing gas from entering the information storage medium 1 may be formed on the surface.

【0062】分離基板4は、基板2,3と同様の高分子
フィルムを用いることができ、光透過性を有する材料に
より形成する。その厚みは、数μm〜数10μmで、可
とう性を有することが好ましい。また、基板2,3と同
様に、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8Bへの分圧
比を大きくするため、できるだけ誘電率の大きいことが
好ましい。また、必要に応じて、その表面に、液晶配向
層などの公知の機能性膜を形成してもよい。
The separation substrate 4 can use the same polymer film as the substrates 2 and 3 and is formed of a material having light transmittance. It preferably has a thickness of several μm to several tens μm and has flexibility. Similarly to the substrates 2 and 3, it is preferable that the dielectric constant be as large as possible in order to increase the partial pressure ratio to the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B. If necessary, a known functional film such as a liquid crystal alignment layer may be formed on the surface.

【0063】スペーサー9A,9Bは、それぞれ、図1
または図2の例のスペーサー9Aと同様である。また、
スペーサー9A,9Bの代わりに、基板2,3および分
離基板4の表面に、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層
8Bの厚みを制御しうる突起物などを形成してもよい。
The spacers 9A and 9B are respectively shown in FIG.
Or, it is the same as the spacer 9A in the example of FIG. Also,
Instead of the spacers 9A and 9B, protrusions or the like that can control the thickness of the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B may be formed on the surfaces of the substrates 2 and 3 and the separation substrate 4.

【0064】光吸収層6は、非表示記憶層8Aおよび表
示記憶層8Bを透過した紫外光および可視光を吸収する
ものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、
上述したカーボンブラックなどの色素が含有された高分
子膜を用いることができる。
The light absorbing layer 6 is not particularly limited as long as it absorbs ultraviolet light and visible light transmitted through the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B.
A polymer film containing a dye such as the above-described carbon black can be used.

【0065】なお、外光入射側と反対側の基板3の裏面
に光吸収層6を形成する代わりに、基板3と基板3上に
形成される表示記憶層8Bとの間に光吸収層6を形成
し、または基板3をブラック染料などで着色して基板3
に光吸収性を持たせ、光吸収層6を省略することもでき
る。
Instead of forming the light absorbing layer 6 on the back surface of the substrate 3 on the side opposite to the external light incident side, the light absorbing layer 6 is placed between the substrate 3 and the display storage layer 8B formed on the substrate 3. Or by coloring the substrate 3 with a black dye or the like.
The light absorbing layer 6 may be omitted, and the light absorbing layer 6 may be omitted.

【0066】非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8Bを
構成するコレステリック液晶は、図1の例の非表示記憶
層8Aと同様の材料を用いることができる。コレステリ
ック液晶の螺旋ピッチは、ネマチック液晶に対するカイ
ラル剤の添加量で調整し、非表示記憶層8Aについて
は、選択反射の中心波長が300nm〜400nmの範
囲となり、表示記憶層8Bについては、選択反射の中心
波長が例えば500nm〜600nmの範囲となるよう
にする。また、コレステリック液晶の螺旋ピッチの温度
依存性を補償するために、図1の例で示した手法を用い
てもよい。
The cholesteric liquid crystal constituting the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B can use the same material as the non-display storage layer 8A in the example of FIG. The helical pitch of the cholesteric liquid crystal is adjusted by the amount of the chiral agent added to the nematic liquid crystal. For the non-display storage layer 8A, the central wavelength of selective reflection is in the range of 300 nm to 400 nm. The center wavelength is, for example, in the range of 500 nm to 600 nm. Further, in order to compensate for the temperature dependence of the helical pitch of the cholesteric liquid crystal, the method shown in the example of FIG. 1 may be used.

【0067】この例でも、情報書き込み装置20は、情
報記憶媒体1とは別体に形成し、情報記憶媒体1を挟持
する書き込み電極21,22と、この電極21,22間
に書き込み信号を印加する駆動回路23とによって構成
する。そのほか、情報書き込み装置20については、図
1の例と同様に構成することができる。
Also in this example, the information writing device 20 is formed separately from the information storage medium 1 and applies write signals between the write electrodes 21 and 22 sandwiching the information storage medium 1 and between the electrodes 21 and 22. And a driving circuit 23 that performs the driving. In addition, the information writing device 20 can be configured similarly to the example of FIG.

【0068】図4の例は、図1の例と同様に情報記憶媒
体1が内部に電界印加用の電極や配線を全く持たない場
合であるが、図5に示す例のように、情報記憶媒体1の
一方の基板側に共通電極7を設けてもよい。共通電極7
については、図2の例と同様に構成する。
The example of FIG. 4 is a case where the information storage medium 1 does not have any electrodes or wirings for applying an electric field inside, as in the example of FIG. 1. However, as shown in FIG. The common electrode 7 may be provided on one substrate side of the medium 1. Common electrode 7
Is configured similarly to the example of FIG.

【0069】図4または図5の例は、非表示記憶層8A
および表示記憶層8Bを形成するコレステリック液晶層
をコレステリック液晶のみからなるLC構造とした場合
であるが、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8Bを形
成するコレステリック液晶層は、上述したPNLC構造
やPDLC構造とすることもできる。
FIG. 4 or FIG. 5 shows an example of the non-display storage layer 8A.
And the cholesteric liquid crystal layer forming the display storage layer 8B has an LC structure composed of only cholesteric liquid crystal. However, the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B has the above-described PNLC structure or PDLC. It can also be structured.

【0070】非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8Bを
PNLC構造やPDLC構造とすることによって、コレ
ステリック液晶と高分子の界面にアンカリング効果が発
生し、無電界でのプレーナー相またはフォーカルコニッ
ク相の保持状態を、より安定にすることができる。さら
に、表示記憶層8Bについては、コレステリック液晶層
の厚みむらに起因する、グランジャンテクスチャの表示
欠陥を防止することもできる。
When the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B have the PNLC structure or the PDLC structure, an anchoring effect occurs at the interface between the cholesteric liquid crystal and the polymer, and the planar or focal conic phase in the absence of an electric field. The holding state can be made more stable. Further, with respect to the display storage layer 8B, it is possible to prevent a display defect of the Grand Jean texture caused by uneven thickness of the cholesteric liquid crystal layer.

【0071】PNLC構造やPDLC構造は、高分子と
液晶を相分離させる公知の方法、例えば、アクリル系、
チオール系、エポキシ系などの、熱や光によって重合す
る高分子前駆体と液晶を混合し、均一相の状態から重合
させて相分離させるPIPS(Polymerizat
ion Induced Phase Separat
ion)法、ポリビニルアルコールなどの、液晶の溶解
度が低い高分子と液晶を混合し、攪拌懸濁させて、液晶
を高分子中にドロップレット分散させるエマルジョン
法、熱可塑性高分子と液晶を混合し、均一相に加熱した
状態から冷却して相分離させるTIPS(Therma
lly Induced Phase Separat
ion)法、高分子と液晶をクロロフォルムなどの溶媒
に溶かし、溶媒を蒸発させて高分子と液晶を相分離させ
るSIPS(Solvent Induced Pha
se Separation)法などによって形成する
ことができるが、その製造方法は特に限定されるもので
はない。
The PNLC structure and the PDLC structure are formed by a known method for separating a polymer and a liquid crystal, for example, an acrylic type,
PIPS (Polymerizat) that mixes a liquid crystal with a polymer precursor such as a thiol-based or epoxy-based polymer that is polymerized by heat or light, and polymerizes from a uniform phase to separate phases.
ion Induced Phase Separat
Ion) method, Emulsion method in which liquid crystal is mixed with a polymer having low solubility in liquid crystal such as polyvinyl alcohol, and the liquid crystal is droplet-dispersed in the polymer by stirring and suspending, and liquid crystal is mixed with thermoplastic polymer. , TIPS (Therma) which is cooled from a state heated to a uniform phase and separated into phases.
lly Induced Phase Separat
ion) method, a polymer and liquid crystal are dissolved in a solvent such as chloroform, and the solvent is evaporated to separate the polymer and the liquid crystal.
(Se Separation) method or the like, but the manufacturing method is not particularly limited.

【0072】特に、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層
8BをPDLC構造とする場合には、それぞれのコレス
テリック液晶層のコレステリック液晶が高分子に包括さ
れて、分離基板4を設けなくても、それぞれのコレステ
リック液晶層のコレステリック液晶が互いに混ざり合う
ことが無いので、分離基板4を省略することができる。
また、バーコート法、スピンコート法、ロールコート法
などの、膜厚を規定することができる塗布方法を用いて
PDLC構造を形成する場合には、スペーサー9A,9
Bの一方または両方を省略することができる。
In particular, when the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B have the PDLC structure, the cholesteric liquid crystal of each cholesteric liquid crystal layer is covered by the polymer, and even if the separation substrate 4 is not provided, Since the cholesteric liquid crystal of the cholesteric liquid crystal layer does not mix with each other, the separation substrate 4 can be omitted.
When the PDLC structure is formed using a coating method capable of regulating the film thickness, such as a bar coating method, a spin coating method, and a roll coating method, the spacers 9A, 9
One or both of B can be omitted.

【0073】図6は、このように非表示記憶層8Aおよ
び表示記憶層8BをPDLC構造とした場合の情報記憶
媒体の例を示し、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8
Bは、それぞれ高分子マトリックス31Aおよび31B
中にコレステリック液晶32Aおよび32Bをドロップ
レット分散させたもので、非表示記憶層8Aおよび表示
記憶層8Bにはスペーサーを挿入することなく、かつ非
表示記憶層8Aと表示記憶層8Bの間には分離基板を介
することなく、積層形成した場合である。
FIG. 6 shows an example of an information storage medium when the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B have a PDLC structure, and the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8 are shown.
B represents polymer matrices 31A and 31B, respectively.
The cholesteric liquid crystals 32A and 32B are droplet-dispersed therein. No spacer is inserted between the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B, and there is no space between the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B. This is a case where the layers are formed without interposing the separation substrate.

【0074】図7に、図4〜図6の例の情報記憶媒体
の、外部の情報書き込み装置20によって印加された電
界強度に対する、非表示記憶層8Aおよび表示記憶層8
Bのスイッチング挙動を示す。
FIG. 7 shows the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8 of the information storage medium of the examples of FIGS. 4 to 6 with respect to the electric field intensity applied by the external information writing device 20.
4 shows the switching behavior of B.

【0075】これらの例の情報記憶媒体は、非表示記憶
層8Aおよび表示記憶層8Bの、プレーナー相とフォー
カルコニック相の状態間の遷移領域、およびフォーカル
コニック相とホメオトロピック相の状態間の遷移領域
が、同じ電界強度で存在しないように構成し、非表示記
憶層8Aおよび表示記憶層8Bのうちの、相変化しきい
電界強度が大きい方の層をH層、小さい方の層をL層と
した場合、L層のEpf,90以下の電界強度をEa、
L層のEpf,10とH層のEpf,90との間の電界
強度をEb、H層のEpf,10とL層のEfh,10
との間の電界強度をEc、L層のEfh,90とH層の
Efh,10との間の電界強度をEd、H層のEfh,
90以上の電界強度をEeとする。
The information storage medium of these examples includes a transition area between the planar phase and the focal conic phase and a transition between the focal conic phase and the homeotropic phase in the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B. The non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B are configured so that the regions do not exist with the same electric field strength, and the layer having the larger phase change threshold electric field strength of the non-display storage layer 8A and the display storage layer 8B is the L layer. , The electric field strength of 90 or less is Ea,
The electric field strength between Epf, 10 of the L layer and Epf, 90 of the H layer is represented by Eb, and Epf, 10 of the H layer and Efh, 10 of the L layer.
Is the electric field strength between Efh, 90 of the L layer and Efh, 90 of the H layer.
An electric field strength of 90 or more is defined as Ee.

【0076】そして、外部の情報書き込み装置20によ
って、図8(A)に示すような、少なくとも、それぞれ
交流パルスのリフレッシュ期間Trおよびセレクト期間
Tsと、その後の無電界の表示期間Tdとによって構成
され、そのリフレッシュ期間Trおよびセレクト期間T
sでの電界強度ErおよびEsが、Er>Esの関係を
もって、不可視情報および可視情報に基づいて、上記の
5段階の電界強度Ea〜Eeから選定された電界強度と
なる書き込み信号、または、同図(B)に示すような、
少なくとも、それぞれ直流パルスのリフレッシュ期間T
rおよびセレクト期間Tsと、その後の無電界の表示期
間Tdとによって構成され、そのリフレッシュ期間Tr
およびセレクト期間Tsでの電界強度ErおよびEs
が、Er>Esの関係をもって、不可視情報および可視
情報に基づいて、上記の5段階の電界強度Ea〜Eeか
ら選定された電界強度となる書き込み信号を、上記の情
報記憶媒体に印加する。
As shown in FIG. 8A, the external information writing device 20 includes at least a refresh period Tr and a select period Ts of an AC pulse, and a subsequent display period Td without an electric field. , Its refresh period Tr and select period T
a write signal in which the electric field strengths Er and Es at s have an electric field strength selected from the above five levels of electric field strengths Ea to Ee based on the invisible information and the visible information in a relationship of Er> Es, or As shown in FIG.
At least the DC pulse refresh period T
r, a select period Ts, and a subsequent display period Td in which no electric field is applied.
And electric field strengths Er and Es in the select period Ts
Applies a write signal having an electric field strength selected from the above five levels of electric field strengths Ea to Ee based on the invisible information and the visible information in a relationship of Er> Es to the information storage medium.

【0077】図9は、この場合のリフレッシュ電界強度
Erとセレクト電界強度Esとの組み合わせによる、H
層およびL層の相変化の様子を示したもので、「p」は
プレーナー相による選択反射状態、「f」はフォーカル
コニック相による透過状態、「?」は書き込み信号の印
加前の状態に依存する未確定状態、をそれぞれ表わし、
L層およびH層の順に示している。
FIG. 9 shows the relationship between the refresh electric field intensity Er and the select electric field intensity Es in this case.
Shows the state of phase change of the layer and the L layer, where “p” is a selective reflection state by a planar phase, “f” is a transmission state by a focal conic phase, and “?” Depends on a state before application of a write signal. To be determined, respectively,
The L layer and the H layer are shown in this order.

【0078】これから明らかなように、上記の情報記憶
媒体および情報書き込み方法によれば、(1)H層およ
びL層がともにフォーカルコニック相の状態、(2)H
層およびL層がともにプレーナー相の状態、(3)H層
がフォーカルコニック相で、L層がプレーナー相の状
態、(4)H層がプレーナー相で、L層がフォーカルコ
ニック相の状態、の4種類の相変化状態が得られる。
As is clear from the above, according to the information storage medium and the information writing method described above, (1) both the H layer and the L layer are in a focal conic phase, and
Both the layer and the L layer are in a planar phase, (3) the H layer is in a focal conic phase, the L layer is in a planar phase, and (4) the H layer is in a planar phase and the L layer is in a focal conic phase. Four types of phase change states are obtained.

【0079】したがって、例えば、紫外光を選択反射す
る非表示記憶層8AがH層、グリーン色光を選択反射す
る表示記憶層8BがL層となるように構成した場合に
は、図10に示すように(同図中の「T」は、対応する
層がフォーカルコニック相による透過状態であることを
示す)、(1)Er=Ec,Es=Eaの書き込み信号
によって、黒が表示され、紫外光も反射しない状態、
(2)例えば、Er=Ee,Es=Eaの書き込み信号
によって、グリーンが表示され、紫外線も反射する状
態、(3)Er=Ed,Es=Eaの書き込み信号によ
って、グリーンが表示されるが、紫外光は反射しない状
態、(4)Er=Ee,Es=Ebの書き込み信号によ
って、黒が表示されるが、紫外光が反射する状態、の4
つの状態を取りうるようになり、一画素内で、不可視情
報を記録することができるとともに、可視情報を表示
し、記録することができる。
Therefore, for example, when the non-display storage layer 8A for selectively reflecting ultraviolet light is configured as an H layer and the display storage layer 8B for selectively reflecting green light is configured as an L layer, as shown in FIG. (“T” in the figure indicates that the corresponding layer is in a transmission state by the focal conic phase). (1) Black is displayed by a write signal of Er = Ec and Es = Ea, and ultraviolet light is displayed. No reflection,
(2) For example, green is displayed by a write signal of Er = Ee, Es = Ea, and a state in which ultraviolet light is reflected. (3) Green is displayed by a write signal of Er = Ed, Es = Ea. (4) Black state is displayed by the write signal of Er = Ee, Es = Eb, but the ultraviolet light is reflected.
In one state, invisible information can be recorded and visible information can be displayed and recorded within one pixel.

【0080】非表示記憶層8Aに記録された不可視情報
の読み取りは、図3において上述した方法によればよ
い。
The reading of the invisible information recorded in the non-display storage layer 8A may be performed according to the method described above with reference to FIG.

【0081】図4〜図6の例は、非表示記憶層8Aを外
光入射側とした場合であるが、逆に表示記憶層8Bを外
光入射側としてもよい。また、表示記憶層8Bをレッド
またはブルーの色光を選択反射するコレステリック液晶
層としてもよい。さらに、表示記憶層として、それぞれ
レッド、グリーン、ブルーの色光を選択反射する3層の
コレステリック液晶層を積層して形成してもよい。
The examples of FIGS. 4 to 6 show the case where the non-display storage layer 8A is on the outside light incident side. Conversely, the display storage layer 8B may be on the outside light incidence side. Further, the display storage layer 8B may be a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects red or blue color light. Further, the display storage layer may be formed by laminating three cholesteric liquid crystal layers that selectively reflect red, green, and blue color light, respectively.

【0082】〔実施例〕この発明の情報記憶媒体を試作
し、その特性を測定した。
Example An information storage medium according to the present invention was prototyped and its characteristics were measured.

【0083】(実施例1)実施例1では、PNLC構造
の非表示記憶層のみを有する情報記憶媒体を作製し、記
録特性を測定した。
(Example 1) In Example 1, an information storage medium having only a non-display storage layer having a PNLC structure was manufactured, and recording characteristics were measured.

【0084】紫外光を選択反射するPNLC構造のコレ
ステリック液晶層を形成する、コレステリック液晶と高
分子前駆体の混合溶液として、正の誘電率異方性を有す
るネマチック液晶BL012(メルク社製)50.0w
t%、右旋性カイラル剤CB15(メルク社製)25.
0wt%および右旋性カイラル剤CE2(メルク社製)
25.0wt%を混合した溶液に、チオール系UV重合
高分子前駆体NOA65(ノーランド社製)を15wt
%添加した。
50. A nematic liquid crystal BL012 (manufactured by Merck) having a positive dielectric anisotropy as a mixed solution of a cholesteric liquid crystal and a polymer precursor to form a cholesteric liquid crystal layer having a PNLC structure that selectively reflects ultraviolet light. 0w
25%, dextrorotatory chiral agent CB15 (Merck) 25.
0 wt% and dextrorotatory chiral agent CE2 (Merck)
To a solution obtained by mixing 25.0 wt%, 15 wt% of a thiol-based UV polymer precursor NOA65 (manufactured by Norland)
% Was added.

【0085】基板3を形成する75μm厚のPETフィ
ルムルミラー(東レ社製)の上に、接着剤付の5μm径
の球状スペーサーハヤビーズL−25(早川ゴム社製)
を湿式散布し、上記の混合溶液を滴下して、基板2を形
成する75μm厚のPETフィルムルミラー(東レ社
製)を密着させた。
On a 75 μm-thick PET film lumirror (manufactured by Toray Industries, Inc.) forming the substrate 3, a 5 μm-diameter spherical spacer hayabeads L-25 (manufactured by Hayakawa Rubber Co., Ltd.) with an adhesive.
Was wet-sprayed, and the above-mentioned mixed solution was dropped, and a 75 μm-thick PET film mirror (manufactured by Toray Industries, Inc.) forming the substrate 2 was brought into close contact therewith.

【0086】以上の工程を60℃で行った後、スペーサ
ーとフィルムを接着するため、110℃に加熱して、3
0分間保持した。再び60℃の環境に戻して、高圧水銀
ランプをフィルタリングした50mW/cm2(365
nm)のUV光を60秒照射した。基板3を形成するP
ETフィルムルミラーの裏面に光吸収層6を形成して、
紫外光を選択反射するPNLC構造の非表示記憶層を有
する情報記憶媒体を得た。
After performing the above steps at 60 ° C., the film is heated to 110 ° C. to bond the spacer and the film.
Hold for 0 minutes. Returning to the environment of 60 ° C. again, the high-pressure mercury lamp was filtered to 50 mW / cm 2 (365 mW / cm 2 ).
nm) of UV light for 60 seconds. P forming the substrate 3
Forming a light absorbing layer 6 on the back surface of the ET film mirror,
An information storage medium having a non-display storage layer having a PNLC structure that selectively reflects ultraviolet light was obtained.

【0087】得られた情報記憶媒体を、パルス発生器お
よび高圧電源装置に接続された一対のアルミ電極間に挟
持し、50Hz、250ms期間の交流セレクト信号と
無電界の表示期間からなる書き込み信号を印加し、電極
間から取り出して、暗室で紫外線ランプの光を当て、反
射面に蛍光印刷物を置いて、紫外光反射の有無を観察し
た。アルミ電極間に印加したセレクト信号の電界強度E
sと、紫外光反射の有無を、図11に示す。
The obtained information storage medium is sandwiched between a pair of aluminum electrodes connected to a pulse generator and a high-voltage power supply, and an AC select signal of 50 Hz and 250 ms and a write signal consisting of a display period of no electric field are transmitted. The light was applied, taken out from between the electrodes, irradiated with light from an ultraviolet lamp in a dark room, and the fluorescent printed matter was placed on the reflection surface, and the presence or absence of ultraviolet light reflection was observed. Electric field strength E of select signal applied between aluminum electrodes
FIG. 11 shows s and the presence or absence of ultraviolet light reflection.

【0088】(実施例2)実施例2では、非表示記憶層
および表示記憶層を有し、それぞれがPNLC構造の情
報記憶媒体を作製した。
Example 2 In Example 2, an information storage medium having a non-display storage layer and a display storage layer, each having a PNLC structure, was manufactured.

【0089】紫外光を選択反射するコレステリック液晶
層を形成するコレステリック液晶として、正の誘電率異
方性を有するネマチック液晶ZLI4389(メルク社
製)65.0wt%、右旋性カイラル剤CB15(メル
ク社製)17.5wt%および右旋性カイラル剤CE2
(メルク社製)17.5wt%を混合し、グリーン色光
を選択反射するコレステリック液晶層を形成するコレス
テリック液晶として、正の誘電率異方性を有するネマチ
ック液晶E186(メルク社製)72.2wt%、右旋
性カイラル剤CB15(メルク社製)13.9wt%お
よび右旋性カイラル剤CE2(メルク社製)13.9w
t%を混合し、それぞれチオール系UV重合高分子前駆
体NOA65(ーランド社製)を15wt%添加した。
As a cholesteric liquid crystal forming a cholesteric liquid crystal layer for selectively reflecting ultraviolet light, a nematic liquid crystal ZLI4389 having a positive dielectric anisotropy (manufactured by Merck) 65.0 wt%, a dextrorotatory chiral agent CB15 (merck company) 17.5 wt% and dextrorotatory chiral agent CE2
As a cholesteric liquid crystal for forming a cholesteric liquid crystal layer for selectively reflecting green light, a nematic liquid crystal E186 having a positive dielectric anisotropy (manufactured by Merck) 72.2 wt%. 13.9 wt% of dextrorotatory chiral agent CB15 (manufactured by Merck) and 13.9 w of dextrorotatory chiral agent CE2 (manufactured by Merck)
Then, 15% by weight of each of the thiol-based UV-polymerized polymer precursors NOA65 (manufactured by Netherlands) was added.

【0090】基板3を形成する75μm厚のPETフィ
ルムルミラー(東レ社製)の上に、接着剤付の5μm径
の球状スペーサーハヤビーズL−25(早川ゴム社製)
を湿式散布し、上記のグリーン色光用の混合溶液を滴下
して、片面に接着剤付の5μm径の球状スペーサーハヤ
ビーズL−25(早川ゴム社製)を湿式散布した4.5
μ厚のPETフィルムルミラー(東レ社製)を、スペー
サーの非散布面が接触するように密着させた。
On a 75 μm-thick PET film lumirror (manufactured by Toray Industries, Inc.) forming the substrate 3, a 5 μm diameter spherical spacer hayabeads L-25 (manufactured by Hayakawa Rubber Co., Ltd.)
Was wet-sprayed, and the above mixed solution for green light was dropped, and a spherical spacer hayabeads L-25 (manufactured by Hayakawa Rubber Co., Ltd.) having a diameter of 5 μm and having an adhesive on one surface was wet-sprayed.
A μ-thick PET film mirror (manufactured by Toray Industries, Inc.) was brought into close contact with the non-scattering surface of the spacer.

【0091】さらに、この上に、上記の紫外光用の混合
溶液を滴下し、基板2を形成する75μm厚のPETフ
ィルムルミラー(東レ社製)を密着させた。
Further, the above-mentioned mixed solution for ultraviolet light was dropped thereon, and a 75 μm-thick PET film mirror (manufactured by Toray Industries, Inc.) for forming the substrate 2 was adhered thereto.

【0092】以上の工程を70℃で行った後、スペーサ
ーと各フィルムを接着するため、110℃に加熱して、
30分間保持した。再び70℃の環境に戻して、高圧水
銀ランプをフィルタリングした50mW/cm2(36
5nm)のUV光を60秒照射した。基板3を形成する
PETフィルムルミラーの裏面に光吸収層6を形成し
て、外光入射側から、それぞれPNLC構造である、紫
外光を選択反射する非表示記憶層8A、およびグリーン
を表示する表示記憶層8Bが積層された情報記憶媒体を
得た。
After performing the above steps at 70 ° C., the film is heated to 110 ° C. in order to bond the spacer and each film.
Hold for 30 minutes. After returning to the environment of 70 ° C. again, the high-pressure mercury lamp was filtered to 50 mW / cm 2 (36
5 nm) for 60 seconds. A light absorbing layer 6 is formed on the back surface of the PET film mirror forming the substrate 3, and a non-display storage layer 8A having a PNLC structure, which selectively reflects ultraviolet light, and a display for displaying green from the external light incident side. An information storage medium on which the storage layer 8B was laminated was obtained.

【0093】得られた情報記憶媒体を、パルス発生器お
よび高圧電源装置に接続された一対のアルミ電極間に挟
持し、50Hz、250ms期間の交流リフレッシュ信
号、50Hz、250ms期間の交流セレクト信号、お
よび無電界の表示期間からなる書き込み信号を印加し、
電極間から取り出して、表示色を観察するとともに、暗
室で紫外線ランプの光を当て、反射面に蛍光印刷物を置
いて、紫外光反射の有無を観察した。アルミ電極間に印
加したリフレッシュ信号およびセレクト信号の電界強度
ErおよびEsと、表示色および紫外光反射の有無を、
図12に示す。
The obtained information storage medium is sandwiched between a pair of aluminum electrodes connected to a pulse generator and a high-voltage power supply, and an AC refresh signal for 50 Hz and 250 ms, an AC select signal for 50 Hz and 250 ms, and Apply a write signal consisting of a display period with no electric field,
It was taken out from between the electrodes, and the display color was observed. At the same time, the light of an ultraviolet lamp was applied in a dark room, the fluorescent printed matter was placed on the reflection surface, and the presence or absence of ultraviolet light reflection was observed. The electric field strengths Er and Es of the refresh signal and the select signal applied between the aluminum electrodes, and the display color and the presence or absence of ultraviolet light reflection are determined.
As shown in FIG.

【0094】これらの書き込みを1000回以上繰り返
しても、表示色および紫外光反射の有無と、表示および
紫外光反射に必要なリフレッシュ信号およびセレクト信
号の電界強度に、変化は見られなかった。また、不可視
情報および可視情報の記録は、ともに十分なメモリ性を
有し、30日以上経過しても変化は見られなかった。さ
らに、情報記憶媒体は200μm以下の厚みで可とう性
を有していた。
Even when these writing operations were repeated 1,000 times or more, no change was observed in the display color and the presence or absence of reflection of ultraviolet light, and the electric field strength of the refresh signal and select signal required for display and reflection of ultraviolet light. The recording of the invisible information and the visible information both had sufficient memory properties, and no change was observed even after 30 days or more. Further, the information storage medium had flexibility at a thickness of 200 μm or less.

【0095】[0095]

【発明の効果】上述したように、請求項1の発明によれ
ば、情報を記録した媒体であることや、情報が記録され
た部分が、一見して分からず、情報の改ざんや媒体の不
正使用の危険が少なくなる、不可視情報を書き換え可能
に記録することができる情報記憶媒体を実現することが
できる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the fact that the medium is a medium on which information is recorded, the part on which the information is recorded is not apparent at a glance, It is possible to realize an information storage medium in which the danger of use is reduced and invisible information can be recorded in a rewritable manner.

【0096】請求項5の発明によれば、不可視情報を書
き換え可能に記録することができ、かつ不可視情報につ
いては、上記と同様であるとともに、同一の媒体に可視
情報を書き換えて表示することができ、しかも不可視情
報および可視情報の記録ないし書き換えを、同一の原理
および手段によって、同一の装置ないし方法で、一括し
て高速に行うことができ、媒体および書き込み装置を低
コスト化できるようになる。
According to the fifth aspect of the present invention, the invisible information can be recorded in a rewritable manner, and the invisible information is the same as the above, and the visible information can be rewritten and displayed on the same medium. Recording and rewriting of invisible information and visible information can be performed collectively and at high speed by the same principle and means, using the same device or method, and the cost of the medium and the writing device can be reduced. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】請求項1の発明の情報記憶媒体の第1の例と情
報書き込み装置の例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first example of an information storage medium and an example of an information writing device according to the present invention.

【図2】請求項1の発明の情報記憶媒体の第2の例と情
報書き込み装置の例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a second example of the information storage medium of the invention of claim 1 and an example of an information writing device.

【図3】図1の情報記憶媒体に記録された不可視情報を
読み出す方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of reading invisible information recorded on the information storage medium of FIG. 1;

【図4】請求項2の発明の情報記憶媒体の第1の例と情
報書き込み装置の例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a first example of an information storage medium and an example of an information writing device according to the invention of claim 2;

【図5】請求項2の発明の情報記憶媒体の第2の例と情
報書き込み装置の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a second example of the information storage medium and an example of the information writing device according to the second aspect of the present invention.

【図6】請求項2の発明の情報記憶媒体の第3の例と情
報書き込み装置の例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a third example of the information storage medium and an example of the information writing device according to the second aspect of the present invention.

【図7】図4〜6の情報記憶媒体のスイッチング挙動を
示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a switching behavior of the information storage medium of FIGS.

【図8】この発明の情報記憶媒体に対する書き込み信号
の例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of a write signal to the information storage medium of the present invention.

【図9】図7に示すスイッチング挙動を行う情報記憶媒
体の各層の相状態を示す図である。
9 is a diagram showing a phase state of each layer of the information storage medium performing the switching behavior shown in FIG.

【図10】図7に示すスイッチング挙動を行う情報記憶
媒体の反射状態を示す図である。
10 is a diagram illustrating a reflection state of the information storage medium that performs the switching behavior illustrated in FIG. 7;

【図11】実施例1の情報記憶媒体に情報を書き込んだ
場合の電界強度と紫外光反射の有無を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing the electric field intensity and the presence or absence of ultraviolet light reflection when information is written to the information storage medium of Example 1.

【図12】実施例2の情報記憶媒体に情報を書き込んだ
場合の電界強度と表示色および紫外光反射の有無を示す
図である。
FIG. 12 is a diagram showing electric field strength, display colors, and the presence or absence of ultraviolet light reflection when information is written to the information storage medium of Example 2.

【図13】正の誘電率異方性を有するコレステリック液
晶の相変化を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a phase change of a cholesteric liquid crystal having a positive dielectric anisotropy.

【図14】正の誘電率異方性を有するコレステリック液
晶のパルス信号に対するスイッチング挙動の例を示す図
である。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a switching behavior of a cholesteric liquid crystal having a positive dielectric anisotropy with respect to a pulse signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 情報記憶媒体 2,3 基板 4 分離基板 6 光吸収層 7 共通電極 8A 非表示記憶層 8B 表示記憶層 9A,9B スペーサー 20 情報書き込み装置 21,22 書き込み電極 23 駆動回路 31A,31B 高分子マトリックス 32A,32B コレステリック液晶 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Information storage medium 2, 3 Substrate 4 Separation substrate 6 Light absorption layer 7 Common electrode 8A Non-display storage layer 8B Display storage layer 9A, 9B Spacer 20 Information writing device 21, 22, Writing electrode 23 Drive circuit 31A, 31B Polymer matrix 32A , 32B cholesteric liquid crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 陽雄 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい富士ゼロックス株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Haruo Harada 430 Border, Nakai-cho, Ashigarakami-gun, Kanagawa Prefecture Inside Green Tech Nakai Fuji Xerox Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一対の基板間に、可視光以外の波長の光を
選択反射し、不可視情報を記憶する、透明なコレステリ
ック液晶層からなる非表示記憶層が形成された情報記憶
媒体。
1. An information storage medium having a non-display storage layer made of a transparent cholesteric liquid crystal layer for selectively reflecting light having a wavelength other than visible light and storing invisible information between a pair of substrates.
【請求項2】請求項1の情報記憶媒体において、 前記非表示記憶層を形成するコレステリック液晶層が、
高分子を含むことを特徴とする情報記憶媒体。
2. The information storage medium according to claim 1, wherein the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer comprises:
An information storage medium comprising a polymer.
【請求項3】請求項1または2の情報記憶媒体におい
て、 前記非表示記憶層は、外部の情報書き込み装置から電界
が印加されることによって不可視情報が書き込まれるも
のであることを特徴とする情報記憶媒体。
3. The information storage medium according to claim 1, wherein said non-display storage layer is for writing invisible information by applying an electric field from an external information writing device. Storage medium.
【請求項4】請求項3の情報記憶媒体において、 一方の基板側に共通電極が設けられていることを特徴と
する情報記憶媒体。
4. The information storage medium according to claim 3, wherein a common electrode is provided on one of the substrates.
【請求項5】一対の基板間に、可視光以外の波長の光を
選択反射し、不可視情報を記憶する、透明なコレステリ
ック液晶層からなる非表示記憶層と、可視光中の特定波
長の光を選択反射し、可視情報を記憶する、コレステリ
ック液晶層からなる表示記憶層とが、積層されて形成さ
れた情報記憶媒体。
5. A non-display storage layer composed of a transparent cholesteric liquid crystal layer for selectively reflecting light having a wavelength other than visible light and storing invisible information between a pair of substrates, and a light of a specific wavelength in visible light. And a display storage layer composed of a cholesteric liquid crystal layer that selectively reflects light and stores visible information.
【請求項6】請求項5の情報記憶媒体において、 前記非表示記憶層を形成するコレステリック液晶層、お
よび前記表示記憶層を形成するコレステリック液晶層
が、それぞれ高分子を含むことを特徴とする情報記憶媒
体。
6. The information storage medium according to claim 5, wherein the cholesteric liquid crystal layer forming the non-display storage layer and the cholesteric liquid crystal layer forming the display storage layer each include a polymer. Storage medium.
【請求項7】請求項5または6の情報記憶媒体におい
て、 前記非表示記憶層を形成するコレステリック液晶と、前
記表示記憶層を形成するコレステリック液晶の、相変化
しきい電界強度が異なることを特徴とする情報記憶媒
体。
7. The information storage medium according to claim 5, wherein a cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer and a cholesteric liquid crystal forming the display storage layer have different phase change threshold electric field intensities. Information storage medium.
【請求項8】請求項5〜7のいずれかの情報記憶媒体に
おいて、 前記非表示記憶層および表示記憶層は、外部の情報書き
込み装置から電界が印加されることによって不可視情報
および可視情報が書き込まれるものであることを特徴と
する情報記憶媒体。
8. The information storage medium according to claim 5, wherein the invisible information and the visible information are written to the non-display storage layer and the display storage layer by applying an electric field from an external information writing device. An information storage medium characterized by being stored.
【請求項9】請求項8の情報記憶媒体において、 一方の基板側に共通電極が設けられていることを特徴と
する情報記憶媒体。
9. The information storage medium according to claim 8, wherein a common electrode is provided on one substrate side.
【請求項10】請求項1〜9のいずれかの情報記憶媒体
において、 前記非表示記憶層を形成するコレステリック液晶の選択
反射波長が紫外線領域であることを特徴とする情報記憶
媒体。
10. The information storage medium according to claim 1, wherein the cholesteric liquid crystal forming the non-display storage layer has a selective reflection wavelength in an ultraviolet region.
【請求項11】請求項7の情報記憶媒体に情報を書き込
む装置において、 前記非表示記憶層と前記表示記憶層の積層体に、前記そ
れぞれのコレステリック液晶の相変化しきい電界強度を
境界とする複数段階の電界強度から選定された電界強度
となる書き込み信号を印加することによって、前記非表
示記憶層に不可視情報を書き込み、前記表示記憶層に可
視情報を書き込むことを特徴とする情報書き込み装置。
11. The apparatus for writing information to an information storage medium according to claim 7, wherein a boundary between the non-display storage layer and the display storage layer is a phase change threshold electric field strength of each of the cholesteric liquid crystals. An information writing apparatus, wherein an invisible information is written to the non-display storage layer and a visible information is written to the display storage layer by applying a write signal having an electric field intensity selected from a plurality of levels of electric field intensity.
【請求項12】請求項5〜9のいずれかの情報記憶媒体
に情報を書き込む方法において、 前記不可視情報として、前記可視情報に関連したデジタ
ル情報を書き込むことを特徴とする情報書き込み方法。
12. The information writing method according to claim 5, wherein digital information related to the visible information is written as the invisible information.
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