JPH11233805A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH11233805A JPH11233805A JP10031127A JP3112798A JPH11233805A JP H11233805 A JPH11233805 A JP H11233805A JP 10031127 A JP10031127 A JP 10031127A JP 3112798 A JP3112798 A JP 3112798A JP H11233805 A JPH11233805 A JP H11233805A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- capacitor
- polarity
- voltage
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換素子へのバイアス印加を光給電によ
り行うことで光電変換装置を小型化することである。 【解決手段】 光ファイバ４から光電変換素子１に照射
されるレーザ光が無変調の場合には、光電変換素子１に
順バイアス（無バイアス）電圧が加えられて光給電素子
機能１Ａを果し、上記にレーザ光が変調光の場合には極
性反転スイッチ３によりコンデンサ２の極性が反転され
て光電変換素子１に逆バイアス電圧が印加され、光電変
換素子１は光検出素子機能１Ｂを果す構成を特徴として
いる。
り行うことで光電変換装置を小型化することである。 【解決手段】 光ファイバ４から光電変換素子１に照射
されるレーザ光が無変調の場合には、光電変換素子１に
順バイアス（無バイアス）電圧が加えられて光給電素子
機能１Ａを果し、上記にレーザ光が変調光の場合には極
性反転スイッチ３によりコンデンサ２の極性が反転され
て光電変換素子１に逆バイアス電圧が印加され、光電変
換素子１は光検出素子機能１Ｂを果す構成を特徴として
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を電気信号
に変換する光電変換装置に関するものである。
に変換する光電変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の光電変換装置の構成を示す
ブロック図である。この図で、１は光電変換素子、４は
光信号を伝送し光電変換素子１に入力させる入力手段と
しての光ファイバ、６は抵抗、７はバイパスコンデン
サ、８は出力端子、９はバイアス電源、１０は供給電
源、１１は給電線を示す。図５に示すように、光電変換
素子１はバイアス電源９により逆バイアス電圧が印加さ
れてフォトダイオード動作状態になる。またバイアス電
源９への電源供給は供給電源１０から給電線１１を経由
して行なわれている。光ファイバ４から変調された光信
号が光電変換素子１に照射された場合には変換された電
流が抵抗６により電圧に変換されてバイパスコンデンサ
７により直流成分が取り除かれて出力端子８に出力され
る。
ブロック図である。この図で、１は光電変換素子、４は
光信号を伝送し光電変換素子１に入力させる入力手段と
しての光ファイバ、６は抵抗、７はバイパスコンデン
サ、８は出力端子、９はバイアス電源、１０は供給電
源、１１は給電線を示す。図５に示すように、光電変換
素子１はバイアス電源９により逆バイアス電圧が印加さ
れてフォトダイオード動作状態になる。またバイアス電
源９への電源供給は供給電源１０から給電線１１を経由
して行なわれている。光ファイバ４から変調された光信
号が光電変換素子１に照射された場合には変換された電
流が抵抗６により電圧に変換されてバイパスコンデンサ
７により直流成分が取り除かれて出力端子８に出力され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
バイアス電源９により光電変換素子１に逆バイアス電圧
を印加してフォトダイオード動作をさせるためには供給
電源１０や給電線１１が必要となるために、光電変換装
置の小型化や設置性の向上ができない問題があった。
バイアス電源９により光電変換素子１に逆バイアス電圧
を印加してフォトダイオード動作をさせるためには供給
電源１０や給電線１１が必要となるために、光電変換装
置の小型化や設置性の向上ができない問題があった。
【０００４】本発明は光電変換素子へのバイアス印加を
光給電により行うことで、電源回路の小型化と、給電線
の削除による光電変換装置の小型化と設置性の向上を目
的とする。
光給電により行うことで、電源回路の小型化と、給電線
の削除による光電変換装置の小型化と設置性の向上を目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、光信号を電気
信号に変換する光電変換素子と、前記光信号を前記光電
変換素子に入力する入力手段と、前記光電変換素子で変
換された電気信号の直流成分を蓄電するコンデンサと、
前記コンデンサの極性を反転する極性反転スイッチとを
具備し、前記コンデンサと前記光電変換素子とを極性を
反転する前記極性反転スイッチを介して接続し、無変調
の光信号が前記光電変換素子に入力される時は無バイア
スで太陽電池動作をさせて前記コンデンサに蓄電し、変
調された光信号が入力された場合には前記極性反転スイ
ッチにより前記コンデンサの極性を反転させて逆バイア
ス電圧を前記光電変換素子に印加してフォトダイオード
動作をさせて変調成分を検出するようにしたものであ
る。
信号に変換する光電変換素子と、前記光信号を前記光電
変換素子に入力する入力手段と、前記光電変換素子で変
換された電気信号の直流成分を蓄電するコンデンサと、
前記コンデンサの極性を反転する極性反転スイッチとを
具備し、前記コンデンサと前記光電変換素子とを極性を
反転する前記極性反転スイッチを介して接続し、無変調
の光信号が前記光電変換素子に入力される時は無バイア
スで太陽電池動作をさせて前記コンデンサに蓄電し、変
調された光信号が入力された場合には前記極性反転スイ
ッチにより前記コンデンサの極性を反転させて逆バイア
ス電圧を前記光電変換素子に印加してフォトダイオード
動作をさせて変調成分を検出するようにしたものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。
施形態を説明する。
【０００７】図１は、本発明の基本構成を示すブロック
図である。この図において、図５と同じ符号は同じもの
を示し、２はコンデンサ、３は極性反転スイッチであ
る。光電変換素子１はバイアス電圧によって光給電素子
機能１Ａと光検出素子機能１Ｂに切り替えることができ
る。図１の動作を説明する前に、光電変換素子１の特性
について説明する。
図である。この図において、図５と同じ符号は同じもの
を示し、２はコンデンサ、３は極性反転スイッチであ
る。光電変換素子１はバイアス電圧によって光給電素子
機能１Ａと光検出素子機能１Ｂに切り替えることができ
る。図１の動作を説明する前に、光電変換素子１の特性
について説明する。
【０００８】図２は、光電変換素子１の電流―電圧特性
と動作モードを示した図である。バイアス電圧がゼロ以
上の順バイアス電圧では太陽電池動作をし、バイアス電
圧がブレークダウン電圧（ＶＢ）付近迄の逆バイアス電
圧ではフォトダイオード動作をし、バイアス電圧がブレ
ークダウン電圧（ＶＢ）付近ではＡＰＤ（アバランシフ
ォトダイオード）動作をそれぞれする。このような特性
を有する光電変換素子１とコンデンサ２は極性反転スイ
ッチ３を介して接続される。
と動作モードを示した図である。バイアス電圧がゼロ以
上の順バイアス電圧では太陽電池動作をし、バイアス電
圧がブレークダウン電圧（ＶＢ）付近迄の逆バイアス電
圧ではフォトダイオード動作をし、バイアス電圧がブレ
ークダウン電圧（ＶＢ）付近ではＡＰＤ（アバランシフ
ォトダイオード）動作をそれぞれする。このような特性
を有する光電変換素子１とコンデンサ２は極性反転スイ
ッチ３を介して接続される。
【０００９】次に、図１の動作について説明する。光フ
ァイバ４から光電変換素子１に照射されるレーザ光が無
変調の場合には光電変換素子１に順バイアス（無バイア
ス）電圧が加えられて光給電素子（太陽電池）として機
能し、コンデンサ２に蓄電を行う。一方、光ファイバ４
から光電変換素子１に変調光が照射される場合には、極
性反転スイッチ３によりコンデンサ２の極性が反転され
て光電変換素子１に印加される。コンデンサ２に蓄電さ
れた電荷により光電変換素子１には逆バイアス電圧が付
加される。この場合には光電変換素子１は光検出素子と
して機能するため変調成分が出力端子８から出力され
る。
ァイバ４から光電変換素子１に照射されるレーザ光が無
変調の場合には光電変換素子１に順バイアス（無バイア
ス）電圧が加えられて光給電素子（太陽電池）として機
能し、コンデンサ２に蓄電を行う。一方、光ファイバ４
から光電変換素子１に変調光が照射される場合には、極
性反転スイッチ３によりコンデンサ２の極性が反転され
て光電変換素子１に印加される。コンデンサ２に蓄電さ
れた電荷により光電変換素子１には逆バイアス電圧が付
加される。この場合には光電変換素子１は光検出素子と
して機能するため変調成分が出力端子８から出力され
る。
【００１０】〔実施例〕図３は、本発明の一実施例の構
成を示した図である。図３で、５はツェナーダイオー
ド、３１〜３４は切替えスイッチであって、図１の極性
反転スイッチ３を構成している。ａ，ｂは接点、ｃは接
片である。その他図１と同じ符号は同一部分を示す。
成を示した図である。図３で、５はツェナーダイオー
ド、３１〜３４は切替えスイッチであって、図１の極性
反転スイッチ３を構成している。ａ，ｂは接点、ｃは接
片である。その他図１と同じ符号は同一部分を示す。
【００１１】次に図３の実施例の動作について、図４を
参照して説明する。光電変換素子（以下フォトダイオー
ドという）１とツェナーダイオード５はスイッチ３１と
スイッチ３２とを介して接続される。ツェナーダイオー
ド５とコンデンサ２はスイッチ３３とスイッチ３４とを
介して接続される。抵抗６はスイッチ３２とスイッチ３
３で接続され、出力端子８はバイパスコンデンサ７を介
して抵抗６に接続される。
参照して説明する。光電変換素子（以下フォトダイオー
ドという）１とツェナーダイオード５はスイッチ３１と
スイッチ３２とを介して接続される。ツェナーダイオー
ド５とコンデンサ２はスイッチ３３とスイッチ３４とを
介して接続される。抵抗６はスイッチ３２とスイッチ３
３で接続され、出力端子８はバイパスコンデンサ７を介
して抵抗６に接続される。
【００１２】さて、光ファイバ４から無変調の光信号が
フォトダイオード１に照射されるときはスイッチ３１、
スイッチ３２、スイッチ３３とスイッチ３４はそれぞれ
ｂ−ｃ間が接続される。図４（ａ）に示すようにフォト
ダイオード１は無バイアス状態なので太陽電池として動
作し、変換された電気信号はコンデンサ２に蓄電され
る。ツェナーダイオード５はコンデンサ２の電圧を光電
変換素子１がフォトダイオード動作をする電圧に設定す
るために用いられる。
フォトダイオード１に照射されるときはスイッチ３１、
スイッチ３２、スイッチ３３とスイッチ３４はそれぞれ
ｂ−ｃ間が接続される。図４（ａ）に示すようにフォト
ダイオード１は無バイアス状態なので太陽電池として動
作し、変換された電気信号はコンデンサ２に蓄電され
る。ツェナーダイオード５はコンデンサ２の電圧を光電
変換素子１がフォトダイオード動作をする電圧に設定す
るために用いられる。
【００１３】光ファイバ４から変調された光信号がフォ
トダイオード１に照射されるときはスイッチ３１，スイ
ッチ３２，スイッチ３３とスイッチ３４はそれぞれａ−
ｃ間が接続される。蓄電されたコンデンサ２は極性が反
転されてフォトダイオード１に印加されるので、フォト
ダイオード１には逆バイアス電圧が加えられる。図４
（ｂ）に示すように逆バイアス電圧が加えられた場合に
は光電変換素子１がフォトダイオードとして動作するた
めに、光電変換された変調電流は抵抗６により電圧に変
換されてバイパスコンデンサ７を介して出力端子８から
出力される。
トダイオード１に照射されるときはスイッチ３１，スイ
ッチ３２，スイッチ３３とスイッチ３４はそれぞれａ−
ｃ間が接続される。蓄電されたコンデンサ２は極性が反
転されてフォトダイオード１に印加されるので、フォト
ダイオード１には逆バイアス電圧が加えられる。図４
（ｂ）に示すように逆バイアス電圧が加えられた場合に
は光電変換素子１がフォトダイオードとして動作するた
めに、光電変換された変調電流は抵抗６により電圧に変
換されてバイパスコンデンサ７を介して出力端子８から
出力される。
【００１４】なお、スイッチ３１〜３４の駆動を自動化
する方法として、例えば、スイッチのしきい値高い値
（ツエナーダイオード５の基準電圧）Ｅ１と、低い値Ｅ
２とを定めておき、Ｅ２→Ｅ１の間は太陽電池動作をす
るようにスイッチ３１〜３４を駆動し、Ｅ１に達したと
ころでスイッチ３１〜３４を反転をえさせ、Ｅ１→Ｅ２
の間はフォトダイオード動作をさせ、Ｅ２に達したとこ
ろで再びスイッチ３１〜３４を反転させるという動作を
くり返すことで自動駆動が可能である。
する方法として、例えば、スイッチのしきい値高い値
（ツエナーダイオード５の基準電圧）Ｅ１と、低い値Ｅ
２とを定めておき、Ｅ２→Ｅ１の間は太陽電池動作をす
るようにスイッチ３１〜３４を駆動し、Ｅ１に達したと
ころでスイッチ３１〜３４を反転をえさせ、Ｅ１→Ｅ２
の間はフォトダイオード動作をさせ、Ｅ２に達したとこ
ろで再びスイッチ３１〜３４を反転させるという動作を
くり返すことで自動駆動が可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる光
電変換装置は、光電変換素子を無変調光が照射される場
合には光給電素子として用い、変調光が照射される場合
にはフォトダイオード動作をさせて光検出素子として用
いることで、電源回路の小型化および給電線の削除が可
能となるため電源回路の簡易化が可能となり、光電変換
装置の小型化と設置性の向上が実現できる。
電変換装置は、光電変換素子を無変調光が照射される場
合には光給電素子として用い、変調光が照射される場合
にはフォトダイオード動作をさせて光検出素子として用
いることで、電源回路の小型化および給電線の削除が可
能となるため電源回路の簡易化が可能となり、光電変換
装置の小型化と設置性の向上が実現できる。
【図１】本発明の基本構成を示すブロック図である。
【図２】図１で用いる光電変換素子の電流―電圧特性と
動作モードを示した図である。
動作モードを示した図である。
【図３】本発明の一実施例の構成を示した図である。
【図４】図３の実施例における動作原理を示した図であ
る。
る。
【図５】従来の光電変換装置の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
１ 光電変換素子（フォトダイオード） ２ コンデンサ ３ 極性反転スイッチ ４ 光ファイバ ５ ツェナーダイオード ６ 抵抗 ７ バイパスコンデンサ ８ 出力端子 ９ バイアス電源 ３１，３２，３３，３４ スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する光電変換素
子と、前記光信号を前記光電変換素子に入力する入力手
段と、前記光電変換素子で変換された電気信号の直流成
分を蓄電するコンデンサと、前記コンデンサの極性を反
転する極性反転スイッチとを具備し、前記コンデンサと
前記光電変換素子とを極性を反転する前記極性反転スイ
ッチを介して接続し、無変調の光信号が前記光電変換素
子に入力される時は無バイアスで太陽電池動作をさせて
前記コンデンサに蓄電し、変調された光信号が入力され
た場合には前記極性反転スイッチにより前記コンデンサ
の極性を反転させて逆バイアス電圧を前記光電変換素子
に印加してフォトダイオード動作をさせて変調成分を検
出することを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031127A JPH11233805A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031127A JPH11233805A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233805A true JPH11233805A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12322770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10031127A Pending JPH11233805A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233805A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007318111A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
| KR20170130638A (ko) * | 2014-03-03 | 2017-11-28 | 솔라리틱스, 인크. | 광전 변환 소자 관리 시스템 및 방법 |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP10031127A patent/JPH11233805A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007318111A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
| KR20170130638A (ko) * | 2014-03-03 | 2017-11-28 | 솔라리틱스, 인크. | 광전 변환 소자 관리 시스템 및 방법 |
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