JPH11233587A - Ic transferring fork - Google Patents

Ic transferring fork

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JPH11233587A
JPH11233587A JP4099598A JP4099598A JPH11233587A JP H11233587 A JPH11233587 A JP H11233587A JP 4099598 A JP4099598 A JP 4099598A JP 4099598 A JP4099598 A JP 4099598A JP H11233587 A JPH11233587 A JP H11233587A
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JP
Japan
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wafer
fork
mounting portion
vacuum mechanism
degrees
Prior art date
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Application number
JP4099598A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Tsujimoto
健一 辻本
Tetsuya Endo
哲哉 遠藤
Teruhiro Mizutari
彰宏 水足
Michio Sasaki
道雄 佐々木
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Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication of JPH11233587A publication Critical patent/JPH11233587A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To do so that a wafer can be surely supported without substantially contacting the wafer back face by providing specified slope on a mount to support the semiconductor wafer in substantially a line contact, without contacting the wafer back face. SOLUTION: Mounting parts 12a, 12b for supporting a wafer are formed near the front ends and roots of fork foots 13, it has front and rear mounting parts 12a, 12b, each like a circular arc and disposed to face the periphery of an Si wafer 1. Esp. the mounting parts 12a, 12b are sloped so that the inside of the fork is recessed and its slope angle B ranges between 3 and 45 deg.. By setting the slope angle B of the mounting parts 12a, 12b in this range, the wafer 1 can be supported in a substantially line contact, without contacting the wafer back face. From such view point the slope angle B more pref. ranges between 5 and 20 deg..

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハを
載置部に載せて搬送する構成のウエハ移載用フォークに
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer fork having a configuration for transferring a semiconductor wafer by mounting it on a mounting portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハ移載用フォークは、キャリア、ボ
ート、ウエハ検査装置等の間で半導体ウエハを搬送する
ために用いられる。
2. Description of the Related Art A wafer transfer fork is used to transfer a semiconductor wafer between a carrier, a boat, a wafer inspection device, and the like.

【0003】従来のウエハ移載用フォークを、ウエハの
支持形態で分けると、次の2つのタイプに大別できる。
1つは、ピン状部材で載置部を形成し、ウエハを複数の
小さなスポットで支持するタイプである。もう1つは、
フォークの平坦面で載置部を形成し、ウエハを広い領域
で支持するタイプである。
[0003] Conventional wafer transfer forks can be broadly classified into the following two types by dividing them according to the type of wafer support.
One is a type in which a mounting portion is formed by a pin-shaped member and a wafer is supported by a plurality of small spots. The other is
This is a type in which a mounting portion is formed on a flat surface of a fork and a wafer is supported in a wide area.

【0004】いずれのタイプのフォークにおいても、ウ
エハの裏面が、載置部の支持領域で直に支持される。
[0004] In either type of fork, the back surface of the wafer is directly supported by the support area of the mounting portion.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、径が3
00mm以上のシリコンウエハの場合には両面がミラー
面となるため、裏面を直に支持することは好ましくな
い。
However, when the diameter is 3
In the case of a silicon wafer of 00 mm or more, since both surfaces are mirror surfaces, it is not preferable to directly support the back surface.

【0006】勿論、裏面を吸着支持することも品質上良
くない。
Of course, supporting the back surface by suction is not good in quality.

【0007】そこで、本発明は、ウエハ裏面と実質的に
非接触でウエハを確実に支持できるウエハ移載用フォー
クを提供することを目的としている。
It is an object of the present invention to provide a wafer transfer fork capable of securely supporting a wafer substantially in non-contact with the back surface of the wafer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願発明は、半導体ウエ
ハを載置部に載せて搬送する構成のウエハ移載用フォー
クにおいて、載置部(12a、12b)に3度以上45
度未満の傾斜を与え、実質的に線接触により且つウエハ
裏面に非接触で半導体ウエハ(1)を支持することを特
徴とするウエハ移載用フォークを要旨としている。
According to the present invention, there is provided a wafer transfer fork having a configuration in which a semiconductor wafer is mounted on a mounting portion and transported thereon.
The gist of the present invention is to provide a wafer transfer fork characterized in that the semiconductor wafer (1) is provided with an inclination of less than degrees and substantially in line contact and without contact with the back surface of the wafer.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明のウエハ載置用フォーク
は、半導体ウエハを載置部に載せて搬送する構成のウエ
ハ移載用フォークにおいて、載置部に3度以上45度未
満の傾斜を与え、実質的に線接触により且つウエハ裏面
に非接触で半導体ウエハを支持する構成になっている。
この傾斜が3度未満では、フォーク底部とウエハ裏面の
隙間が0.5mmほどしかなく、ウエハの自重によるた
わみが0.1〜0.2mmあることを考慮すると、両者
の接触の可能性が高まるからであり、46度以上では、
ウエハのベベル面の角度が45度のため、本発明の効果
が得られにくくなるからである。45度未満であれば、
ウエハのたわみの方向からして本発明の効果は得られる
が、この角度は42度以下とすればさらに線接触が明確
となる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A wafer mounting fork according to the present invention is a wafer transfer fork having a configuration in which a semiconductor wafer is mounted and transported on a mounting section, wherein the mounting section has an inclination of not less than 3 degrees and less than 45 degrees. In this case, the semiconductor wafer is supported substantially in line contact and non-contact with the back surface of the wafer.
If the inclination is less than 3 degrees, the gap between the bottom of the fork and the back of the wafer is only about 0.5 mm, and the possibility of contact between the two increases, considering that the deflection due to the weight of the wafer is 0.1 to 0.2 mm. And above 46 degrees,
This is because the effect of the present invention is hardly obtained because the angle of the bevel surface of the wafer is 45 degrees. If it is less than 45 degrees,
Although the effect of the present invention can be obtained from the direction of the deflection of the wafer, if this angle is set to 42 degrees or less, the line contact becomes clearer.

【0010】載置部にバキューム機構を配置することに
よって、ウエハの浮き上がりを防止することができる。
[0010] By arranging the vacuum mechanism on the mounting portion, it is possible to prevent the wafer from floating.

【0011】載置部に静電チャック部を配置することに
よって、ウエハの浮き上がりを防止することができる。
By arranging the electrostatic chuck section on the mounting section, it is possible to prevent the wafer from floating.

【0012】載置部の内側の領域にバキューム機構を配
置することによって、ウエハの浮き上がりを防止するこ
とができる。
By arranging the vacuum mechanism in the area inside the mounting portion, it is possible to prevent the wafer from floating.

【0013】このように、バキューム機構や静電チャッ
クを用いてウエハの浮き上がりを防止することにより、
ウエハのズレや落下の危険が皆無となり、ウエハの搬送
速度を速くすることができる。
As described above, by using a vacuum mechanism or an electrostatic chuck to prevent the wafer from being lifted,
There is no risk of the wafer being shifted or dropped, and the wafer transfer speed can be increased.

【0014】[0014]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は本発明によるウエハ移載用フォーク
を示す上面図である。図2はその側面図であり、図3は
図2のAの部分を示す拡大断面図である。
FIG. 1 is a top view showing a wafer transfer fork according to the present invention. FIG. 2 is a side view, and FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a portion A in FIG.

【0016】ウエハ移載用フォーク10は全体的に平板
形状であり、フォーク本体11と前方に伸びた2本の足
13から構成される。
The wafer transfer fork 10 has a generally flat plate shape and comprises a fork body 11 and two legs 13 extending forward.

【0017】フォーク10の後端部には、搬送ロボット
のアームを接続するための接続部14が形成されてい
る。接続部14には、複数の接続用貫通穴が設けられて
いる。
At the rear end of the fork 10, a connecting portion 14 for connecting the arm of the transfer robot is formed. The connection portion 14 is provided with a plurality of connection through holes.

【0018】フォーク10は、例えば、長さ435m
m、幅140mm、肉厚5mmの寸法で形成できる。こ
のように厚さが5mmであると、縦型ボートのピッチ内
のどこでも挿入できる。
The fork 10 has a length of, for example, 435 m.
m, a width of 140 mm, and a thickness of 5 mm. When the thickness is 5 mm in this way, it can be inserted anywhere within the pitch of the vertical boat.

【0019】ただし、縦型ボートの下から順番にウエハ
を取り除き、また、反対に上から順番にウエハを載置し
ていくのであれば、フォークの厚みが5mmを超えても
支障はない。
However, if the wafers are sequentially removed from the bottom of the vertical boat and the wafers are placed sequentially from the top, there is no problem even if the thickness of the fork exceeds 5 mm.

【0020】フォーク10の材質は、SiC、Al2
3 、TiB2 等のセラミックを基体とし、これにCVD
−SiC、CVD−Si3 4 、CVD−TiB2 等の
被膜を形成したものである。
The material of the fork 10 is SiC, Al 2 O
3. A ceramic base such as TiB 2
-SiC, is obtained by forming a CVD-Si 3 N 4, CVD -TiB 2 and the like of the coating.

【0021】これらの膜は、硬度が高く且つ耐摩耗性に
優れており、高純度でもある。それゆえ、使用時に、膜
やウエハが損傷または摩耗して、パーティクルが発生す
る恐れは殆どない。
These films have high hardness, excellent abrasion resistance, and high purity. Therefore, there is almost no risk of particles being generated due to damage or abrasion of the film or wafer during use.

【0022】足13の前端部と付根付近には、ウエハを
支持するための載置部12が形成されている。図面で
は、前方の載置部を符号12aで示し、後方の載置部を
符号12bで示している。
A mounting portion 12 for supporting a wafer is formed near the front end and the base of the leg 13. In the drawings, the front mounting portion is denoted by reference numeral 12a, and the rear mounting portion is denoted by reference numeral 12b.

【0023】各載置部12a、12bは円弧形であり、
シリコンウエハ1の外周部に対応するように配置されて
いる。
Each of the mounting portions 12a and 12b has an arc shape,
It is arranged so as to correspond to the outer peripheral portion of silicon wafer 1.

【0024】載置部12表面の表面粗さRaは、0.5
〜10μmにすることが好ましい。表面粗さRaをこの
ような範囲にすることで、パーティクルの発生をより確
実に防止できる。
The surface roughness Ra of the surface of the mounting portion 12 is 0.5
It is preferable that the thickness be 10 μm to 10 μm. By setting the surface roughness Ra within such a range, generation of particles can be more reliably prevented.

【0025】載置部12は、フォークの内側が低くなる
ように傾斜している。その傾斜角Bは3度〜45度にな
っている。
The mounting portion 12 is inclined so that the inside of the fork becomes lower. The inclination angle B is 3 degrees to 45 degrees.

【0026】載置部12の傾斜角Bを前記範囲に設定す
ることにより、実質的に線接触で且つウエハ裏面に非接
触でウエハを支持することが可能となる。ウエハ1は、
図3に示すように、その外周エッジ部が線接触となり、
ベベル保持される。
By setting the inclination angle B of the mounting portion 12 within the above range, it is possible to support the wafer substantially in line contact and not in contact with the back surface of the wafer. Wafer 1
As shown in FIG. 3, the outer peripheral edge portion is in line contact,
Bevel retained.

【0027】このような観点から、より好ましい傾斜角
Bは5度以上20度以下である。
From such a viewpoint, the more preferable inclination angle B is 5 degrees or more and 20 degrees or less.

【0028】各載置部12a、12bのテーパは途中で
角度が変化していても良く、載置したウエハがガタつか
ず、実質的な線接触が得られる限り問題はない。
The angles of the tapered portions 12a and 12b may be changed in the middle, and there is no problem as long as the mounted wafer does not rattle and substantial line contact is obtained.

【0029】次に、図4〜図6を参照して本発明の別の
実施例を説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0030】図4の実施例では、載置部12aにバキュ
ーム機構21が配置されている。バキューム装置21
は、吸引作用によって、ウエハ1の浮き上がりを防止す
るものである。それゆえ、ウエハの搬送速度を速くして
も、ウエハのズレや落下は起らない。
In the embodiment shown in FIG. 4, a vacuum mechanism 21 is arranged on the mounting portion 12a. Vacuum device 21
Is to prevent the wafer 1 from being lifted by the suction action. Therefore, even if the transfer speed of the wafer is increased, the wafer does not shift or drop.

【0031】バキューム機構21は、載置部12aに形
成した複数の小孔15から吸引を行う構成になっている
(矢印C)。そのための排気系は、フォーク本体11を
経てバキューム源に接続される。バキューム機構21
は、ネジ18を利用して構成することができる。
The vacuum mechanism 21 is configured to perform suction from a plurality of small holes 15 formed in the mounting portion 12a (arrow C). The exhaust system for that purpose is connected to a vacuum source via the fork body 11. Vacuum mechanism 21
Can be configured using the screw 18.

【0032】後方の載置部12bにも、同様のバキュー
ム機構が配置されている。
A similar vacuum mechanism is also arranged on the rear mounting portion 12b.

【0033】図5の実施例では、載置部12aに静電チ
ャック部(静電用電極)16が配置されている。静電チ
ャック部16は、静電作用によって、ウエハ1の浮き上
がりを防止する。
In the embodiment shown in FIG. 5, an electrostatic chuck section (electrostatic electrode) 16 is arranged on the mounting section 12a. The electrostatic chuck unit 16 prevents the wafer 1 from floating by an electrostatic action.

【0034】後方の載置部12bにも、同様の静電チャ
ック部16が配置されている。
A similar electrostatic chuck 16 is also arranged on the rear mounting portion 12b.

【0035】図6の実施例では、フォーク11の前方載
置部12aと後方載置部12bの内側の領域に、バキュ
ーム機構22が配置されている。バキューム機構22
は、フォーク11の足13に形成した複数の小孔17か
ら吸引を行う構成になっている(矢印D)。
In the embodiment shown in FIG. 6, a vacuum mechanism 22 is arranged in a region inside the front mounting portion 12a and the rear mounting portion 12b of the fork 11. Vacuum mechanism 22
Is configured to perform suction from a plurality of small holes 17 formed in the foot 13 of the fork 11 (arrow D).

【0036】バキューム機構22は、小孔15とウエハ
1裏面の間を負圧化することによって、ウエハを確実に
保持することができる。
The vacuum mechanism 22 can reliably hold the wafer by reducing the pressure between the small hole 15 and the back surface of the wafer 1.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明のウエハ移載用フォークによれ
ば、載置部が3度以上45度未満の傾斜を有するので、
実質的に線接触により且つウエハ裏面に非接触でウエハ
を支持できる。それゆえ、径が300mm以上の両面が
ミラー面のシリコンウエハの場合にも、ウエハ裏面にダ
メージを与えずに移載することが可能である。
According to the wafer transfer fork of the present invention, since the mounting portion has an inclination of 3 degrees or more and less than 45 degrees,
The wafer can be supported substantially by line contact and non-contact with the back surface of the wafer. Therefore, even when a silicon wafer having a mirror surface on both sides having a diameter of 300 mm or more can be transferred without damaging the back surface of the wafer.

【0038】また、フォークの載置部にバキューム機構
や静電チャックを設ける場合には、搬送中のウエハのズ
レや落下を防止し、フォークの搬送速度を上げることが
できる。
Further, when a vacuum mechanism or an electrostatic chuck is provided on the mounting portion of the fork, it is possible to prevent the wafer from being shifted or dropped during the transfer and to increase the transfer speed of the fork.

【0039】フォークの載置部の内側にバキューム機構
を設ける場合も同様である。
The same applies to the case where a vacuum mechanism is provided inside the mounting portion of the fork.

【0040】なお、本発明は前述の実施例に限定されな
い。すなわち、フォークの基本的な形状、あるいは、バ
キューム装置及び静電チャックの形態は、フォークの使
用目的に応じて様々な変形が可能である。例えば、フォ
ークは、全体的に矩形で、足のない形状のものでも良
い。
The present invention is not limited to the above embodiment. That is, the basic shape of the fork or the form of the vacuum device and the electrostatic chuck can be variously modified according to the purpose of use of the fork. For example, the fork may be generally rectangular and have no legs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のウエハ移載用フォークの1つの実施例
を示す上面図。
FIG. 1 is a top view showing one embodiment of a wafer transfer fork of the present invention.

【図2】図1の移載用フォークを示す側面図。FIG. 2 is a side view showing the transfer fork of FIG. 1;

【図3】図2のAの部分を示す拡大断面図。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a portion A in FIG. 2;

【図4】本発明の他の実施例の載置部付近を示す側面
図。
FIG. 4 is a side view showing the vicinity of a mounting portion according to another embodiment of the present invention.

【図5】本発明のさらに他の実施例の載置部付近を示す
側面図。
FIG. 5 is a side view showing the vicinity of a mounting portion according to still another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のさらに他の実施例の載置部付近を示す
側面図。
FIG. 6 is a side view showing the vicinity of a mounting portion according to still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハ 10 ウエハ移載用フォーク 11 フォーク本体 12a、12b 載置部 13 足 14 接続部 16 静電チャック部 21、22 バキューム機構 B 傾斜角 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 10 Wafer transfer fork 11 Fork main body 12a, 12b Mounting part 13 Leg 14 Connection part 16 Electrostatic chuck part 21, 22 Vacuum mechanism B Tilt angle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 道雄 愛知県刈谷市小垣江町南藤1番地 東芝セ ラミックス株式会社刈谷製造所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Michio Sasaki 1 Minami Fuji, Ogakie-cho, Kariya-shi, Aichi Prefecture Toshiba Ceramics Co., Ltd. Kariya Works

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを載置部に載せて搬送する
構成のウエハ移載用フォークにおいて、載置部(12
a、12b)に3度以上45度未満の傾斜を与え、実質
的に線接触により且つウエハ裏面に非接触で半導体ウエ
ハ(1)を支持することを特徴とするウエハ移載用フォ
ーク。
In a wafer transfer fork having a configuration in which a semiconductor wafer is mounted on a mounting portion and transported, the mounting portion (12)
a, 12b) having an inclination of at least 3 degrees and less than 45 degrees to support the semiconductor wafer (1) substantially in line contact and non-contact with the back surface of the wafer.
【請求項2】 載置部(12a、12b)にバキューム
機構(21)を配置し、バキューム機構(21)によっ
てウエハの浮き上がりを防止することを特徴とする請求
項1に記載のウエハ移載用フォーク。
2. The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein a vacuum mechanism (21) is arranged on the mounting portions (12a, 12b), and the wafer is prevented from floating by the vacuum mechanism (21). fork.
【請求項3】 載置部(12a、12b)に静電チャッ
ク部(22)を配置し、静電チャック部(16)によっ
てウエハの浮き上がりを防止することを特徴とする請求
項1に記載のウエハ移載用フォーク。
3. An apparatus according to claim 1, wherein an electrostatic chuck section is disposed on the mounting section, and the wafer is prevented from being lifted by the electrostatic chuck section. Wafer transfer fork.
【請求項4】 載置部(12a、12b)の内側の領域
にバキューム機構(22)を配置し、バキューム機構
(22)によってウエハの浮き上がりを防止することを
特徴とする請求項に記載のウエハ移載用フォーク。
4. A wafer according to claim 1, wherein a vacuum mechanism (22) is arranged in a region inside the mounting portions (12a, 12b), and the vacuum mechanism (22) prevents the wafer from being lifted. Transfer fork.
JP4099598A 1998-02-09 1998-02-09 Ic transferring fork Pending JPH11233587A (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358191A (en) * 2000-06-09 2001-12-26 Asm Japan Kk Substrate support plate for semiconductor manufacturing apparatus
US6464790B1 (en) * 1997-07-11 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member
JP2009543374A (en) * 2006-07-07 2009-12-03 インテグリス・インコーポレーテッド Wafer cassette
WO2010113881A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer device and substrate processing device
JP2015020874A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 オークラ輸送機株式会社 Transport device
CN110854008A (en) * 2019-10-31 2020-02-28 苏州长光华芯光电技术有限公司 Tray and etching machine

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6464790B1 (en) * 1997-07-11 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member
JP2001358191A (en) * 2000-06-09 2001-12-26 Asm Japan Kk Substrate support plate for semiconductor manufacturing apparatus
JP2009543374A (en) * 2006-07-07 2009-12-03 インテグリス・インコーポレーテッド Wafer cassette
WO2010113881A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer device and substrate processing device
JP2015020874A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 オークラ輸送機株式会社 Transport device
CN110854008A (en) * 2019-10-31 2020-02-28 苏州长光华芯光电技术有限公司 Tray and etching machine
CN110854008B (en) * 2019-10-31 2022-06-07 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 Tray and etching machine

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