JPH11233480A - Substrate drying device and its method - Google Patents

Substrate drying device and its method

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JPH11233480A
JPH11233480A JP4441298A JP4441298A JPH11233480A JP H11233480 A JPH11233480 A JP H11233480A JP 4441298 A JP4441298 A JP 4441298A JP 4441298 A JP4441298 A JP 4441298A JP H11233480 A JPH11233480 A JP H11233480A
Authority
JP
Japan
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substrate
gas
nozzle
cleaning liquid
discharge
Prior art date
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Pending
Application number
JP4441298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeya Morinishi
健也 森西
Masami Otani
正美 大谷
Akihiko Morita
彰彦 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4441298A priority Critical patent/JPH11233480A/en
Publication of JPH11233480A publication Critical patent/JPH11233480A/en
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To sufficiently bring out effect that cleaning liquid by means of spraying prescribed gas is splashed and to shorten the time required for drying a substrate. SOLUTION: An electric motor rotates to turn a support arm 57. A N2 discharge nozzle 71 is moved to a start position S, and the discharge of N2 is started from a discharge pot 71a. Discharged N2 is sprayed toward the rotary center O of a substrate 11. Thus, cleaning liquid adhered to the vicinity of the rotary center O of the substrate 11 is plashed toward a peripheral part. When the support arm 57 turns by the electric motor, the N2 discharge nozzle 71 gradually moves in the direction of an arrow G along an arc form the start position S. The spray position of N2 gradually moves toward the peripheral part from the rotary center O of the substrate 11, and cleaning liquid adhered to the surface of the substrate 11 is splashed much more toward the peripheral part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称す
る)を洗浄液によって洗浄した後に、その基板を乾燥さ
せる技術に関するものである。
The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate) with a cleaning liquid, and then cleaning the substrate. The present invention relates to a technique for drying a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来において、洗浄液によって洗浄され
た基板を乾燥させる装置としては、例えば、洗浄された
基板を高速に回転させて、その基板に付いている洗浄液
を遠心力により飛散させることにより、基板を乾燥させ
る装置が知られている。なお、この種の基板乾燥装置
は、通常、基板を洗浄液によって洗浄するための基板洗
浄装置と一体的に構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an apparatus for drying a substrate cleaned by a cleaning liquid, for example, a cleaning substrate is rotated at a high speed, and the cleaning liquid attached to the substrate is scattered by centrifugal force. Devices for drying a substrate are known. It should be noted that this type of substrate drying apparatus is generally configured integrally with a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate with a cleaning liquid.

【0003】しかしながら、上記したような基板乾燥装
置においては、基板に付いている洗浄液を遠心力によっ
て飛散させているため、遠心力の働かない基板の回転中
心に付いている洗浄液を飛散させることができなかっ
た。
However, in the above-described substrate drying apparatus, since the cleaning liquid attached to the substrate is scattered by centrifugal force, it is possible to scatter the cleaning liquid attached to the rotation center of the substrate that does not work with centrifugal force. could not.

【0004】そこで、従来においては、基板の回転前ま
たは回転中に、窒素ガス(N2)を吐出して、基板の回
転中心に向かって吹き付けることより、基板の回転中心
に付いている洗浄液を飛散させる装置が提案されてい
る。
Therefore, conventionally, before or during the rotation of the substrate, nitrogen gas (N 2 ) is discharged and sprayed toward the center of rotation of the substrate to thereby remove the cleaning liquid attached to the center of rotation of the substrate. A scattering device has been proposed.

【0005】図4はそのようなN2の吹き付けにより基
板を乾燥させることが可能な基板乾燥装置を示す平面図
である。なお、図4に示す基板乾燥装置も、前述したと
同様に、基板洗浄装置と一体的に構成されているが、図
4においては、基板乾燥装置200の主要部分のみを示
している。
FIG. 4 is a plan view showing a substrate drying apparatus capable of drying a substrate by blowing such N 2 . Although the substrate drying apparatus shown in FIG. 4 is also configured integrally with the substrate cleaning apparatus as described above, FIG. 4 shows only a main part of the substrate drying apparatus 200.

【0006】図4に示す装置においては、まず、洗浄す
べき基板211を、スピンチャック221上において支
持ピン221aにより支持させた上で、スピンチャック
221と共に回転させる。そして、洗浄液吐出用ノズル
(図示せず)から洗浄液を、基板211の表面に向かっ
て吐出させて、基板211の表面を回転ブラシ(図示せ
ず)によりブラッシングして洗浄する。このとき、洗浄
液がスピンチャック221の周辺に飛散しないように、
スピンチャック221の周囲には飛散防止カップ231
が配備されている。
In the apparatus shown in FIG. 4, first, a substrate 211 to be cleaned is supported by support pins 221a on a spin chuck 221 and then rotated together with the spin chuck 221. Then, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid discharge nozzle (not shown) toward the surface of the substrate 211, and the surface of the substrate 211 is cleaned by brushing with a rotating brush (not shown). At this time, the cleaning liquid is prevented from scattering around the spin chuck 221.
A scattering prevention cup 231 is provided around the spin chuck 221.
Has been deployed.

【0007】こうして、基板211の洗浄が完了した
ら、ノズル支持体273によって支持されたN2吐出用
ノズル271の吐出口271aより、N2を吐出させ、
基板211の回転中心Oに向かって吹き付ける。これに
よって、基板211の回転中心Oに付いていた洗浄液は
基板211の周囲に向かって飛散する。その後、基板2
11の回転速度を早めて、基板211を高速に回転させ
る。これによって、基板211に付いていた洗浄液は、
遠心力によって周辺に飛散する。従って、基板211の
表面全体から洗浄液を取り除くことができるので、基板
211を或る程度早く乾燥させることができる。
After the cleaning of the substrate 211 is completed, N 2 is discharged from the discharge port 271 a of the N 2 discharge nozzle 271 supported by the nozzle support 273.
It is sprayed toward the rotation center O of the substrate 211. As a result, the cleaning liquid attached to the rotation center O of the substrate 211 scatters around the substrate 211. Then, the substrate 2
The substrate 211 is rotated at a high speed by increasing the rotation speed of the substrate 11. As a result, the cleaning liquid attached to the substrate 211 becomes
Spatters around due to centrifugal force. Accordingly, since the cleaning liquid can be removed from the entire surface of the substrate 211, the substrate 211 can be dried to a certain extent quickly.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の基板乾燥装置200においては、N2
吐出するN2吐出用ノズル271がノズル支持体273
を介して基台201に固定されており、その上、N2
出用ノズル271は、基板211のスピンチャック22
1への着脱に支障をきたさないようにするために、基板
211の周辺に配備されている。従って、N2吐出用ノ
ズル271の吐出口271aから基板211の回転中心
Oまでの距離が非常に長くなるため、吐出口271aよ
り吐出されたN2が基板211の回転中心Oまで十分届
かず、それ故、N2の吹き付けによる洗浄液を飛散させ
る効果は十分には得られなかった。
[SUMMARY OF THE INVENTION However, in the conventional apparatus for drying a substrate 200 as described above, N 2 discharge nozzle 271 nozzle carrier 273 for discharging the N 2
And the N 2 discharge nozzle 271 is connected to the spin chuck 22 of the substrate 211.
It is arranged around the substrate 211 so as not to hinder the attachment / detachment to / from the substrate 1. Therefore, since the distance from the discharge port 271a of the N 2 discharge nozzle 271 to the rotation center O of the substrate 211 is very long, N 2 discharged from the discharge port 271a does not reach the rotation center O of the substrate 211 sufficiently. Therefore, the effect of scattering the cleaning liquid by spraying N 2 was not sufficiently obtained.

【0009】このため、基板211の表面全体から洗浄
液を取り除くためには、その分長く、基板211を回転
させて、遠心力により洗浄液を飛散させる必要があり、
従って、基板乾燥に要する時間を十分には短縮すること
はできなかった。
For this reason, in order to remove the cleaning liquid from the entire surface of the substrate 211, it is necessary to rotate the substrate 211 for a correspondingly long time to disperse the cleaning liquid by centrifugal force.
Therefore, the time required for drying the substrate could not be sufficiently reduced.

【0010】従って、本発明の目的は、上記した従来技
術の問題点を解決し、所定のガスの吹き付けによる洗浄
液を飛散させる効果を十分に引き出して、基板乾燥に要
する時間を短縮することかできる基板乾燥装置及びその
方法を提供することにある。
[0010] Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to sufficiently draw out the effect of spraying the cleaning liquid by spraying a predetermined gas, thereby shortening the time required for substrate drying. An object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus and a method thereof.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記した目的の少なくとも一部を達成するために、本発明
の基板乾燥装置は、洗浄液によって洗浄された基板を回
転させ、前記基板に付いている前記洗浄液を遠心力によ
り飛散させることにより、前記基板を乾燥させることが
可能な基板乾燥装置であって、前記基板の回転前,回転
中または回転後に、ガス吐出口より所定のガスを吐出し
て前記基板に吹き付け、前記基板に付いている前記洗浄
液を前記ガスによって飛散させるノズルと、該ノズル
を、少なくとも前記基板の外縁よりも外側に設定された
待機位置と前記基板の回転中心付近との間で移動させる
ノズル移動手段と、を備えることを要旨とする。
In order to achieve at least a part of the above object, a substrate drying apparatus according to the present invention rotates a substrate cleaned with a cleaning liquid and attaches the substrate to the substrate. A substrate drying apparatus capable of drying the substrate by scattering the cleaning liquid by centrifugal force, wherein a predetermined gas is discharged from a gas discharge port before, during or after the rotation of the substrate. A nozzle for spraying the cleaning liquid attached to the substrate by the gas, and a nozzle at a standby position set at least outside the outer edge of the substrate and near a rotation center of the substrate. And a nozzle moving means for moving between nozzles.

【0012】このように、本発明の基板乾燥装置では、
ノズルは、基板の回転前,回転中または回転後に、ガス
吐出口より所定のガスを吐出して基板に吹き付けて、基
板に付いている洗浄液を飛散させる。ノズル移動手段
は、ノズルを、基板の外縁よりも外側に設定された待機
位置から基板の回転中心付近に移動させる。
As described above, in the substrate drying apparatus of the present invention,
The nozzle discharges a predetermined gas from a gas discharge port before, during, or after the rotation of the substrate and sprays the gas on the substrate to scatter the cleaning liquid attached to the substrate. The nozzle moving means moves the nozzle from a standby position set outside the outer edge of the substrate to near the center of rotation of the substrate.

【0013】従って、本発明の基板乾燥装置によれば、
ノズルを基板の回転中心付近まで移動させることができ
るので、ガスの吹き付けによる洗浄液を飛散させる効果
を十分に引き出すことができる。よって、基板を回転さ
せ遠心力により洗浄液を飛散させる時間を短くすること
ができ、基板乾燥に要する時間を短縮することができ
る。
Therefore, according to the substrate drying apparatus of the present invention,
Since the nozzle can be moved to the vicinity of the center of rotation of the substrate, the effect of scattering the cleaning liquid by blowing gas can be sufficiently obtained. Therefore, the time for rotating the substrate and scattering the cleaning liquid by the centrifugal force can be shortened, and the time required for drying the substrate can be shortened.

【0014】本発明の基板乾燥装置において、前記ノズ
ル移動手段は、前記ガスの吹き付け位置を前記基板の回
転中心から前記基板の周辺に向かって変化させるように
ノズルを移動させることが好ましい。
[0014] In the substrate drying apparatus of the present invention, it is preferable that the nozzle moving means moves the nozzle so as to change a spraying position of the gas from a rotation center of the substrate toward a periphery of the substrate.

【0015】ガスの吹き付け位置をこのように変化させ
ることによって、ガスの吹き付けにより飛散する洗浄液
も基板の周辺に向かって効率的に移動させることがで
き、ガスの吹き付けによる洗浄液を飛散させる効果も、
基板の表面全体に及ぼすことができるので、基板乾燥に
要する時間をさらに短縮することができる。
By changing the gas spray position in this manner, the cleaning liquid scattered by the gas spray can be efficiently moved toward the periphery of the substrate, and the effect of scattering the cleaning liquid by the gas spray can be improved.
Since it can affect the entire surface of the substrate, the time required for drying the substrate can be further reduced.

【0016】本発明の基板乾燥装置において、前記ノズ
ルにおける前記ガスの吐出方向は、該ガスの吹き付け位
置の変化方向とほぼ同一の方向に設定されていることが
好ましい。
In the substrate drying apparatus of the present invention, it is preferable that a discharge direction of the gas from the nozzle is set to be substantially the same as a change direction of a spray position of the gas.

【0017】ガスの吐出方向をこのように設定すること
によって、飛散する洗浄液の後を追いながら、ガスをさ
らに吹き付けることができるので、洗浄液をさらに効率
よく飛散させることができ、基板乾燥に要する時間をさ
らに短縮することができる。
By setting the gas discharge direction in this manner, the gas can be further sprayed while following the scattered cleaning liquid, so that the cleaning liquid can be scattered more efficiently, and the time required for drying the substrate can be improved. Can be further reduced.

【0018】本発明の基板乾燥装置において、前記ノズ
ルは前記基板の回転中に前記ガスを吐出すると共に、前
記ノズル移動手段は、前記基板の回転中に前記ガスの吹
き付け位置を変化させるように前記ノズルを移動させる
ことが好ましい。
In the substrate drying apparatus according to the present invention, the nozzle discharges the gas during rotation of the substrate, and the nozzle moving means changes the spray position of the gas during rotation of the substrate. It is preferable to move the nozzle.

【0019】このように、基板回転中に、ガスを吐出さ
せ吹き付け位置を変化させることにより、基板の回転に
より発生する遠心力と、ガスの吹き付けと、の相乗効果
によって、洗浄液をさらに効率よく飛散させることがで
きるので、基板乾燥に要する時間をさらに短縮すること
ができる。
As described above, by discharging the gas during the rotation of the substrate and changing the blowing position, the cleaning liquid is more efficiently scattered by the synergistic effect of the centrifugal force generated by the rotation of the substrate and the blowing of the gas. Therefore, the time required for drying the substrate can be further reduced.

【0020】本発明の基板乾燥装置において、前記ノズ
ルにおける前記ガス吐出口の高さ位置を変化させるガス
吐出口高さ位置可変手段をさらに備えるようにしても良
い。また、前記ノズルにおける前記ガスの吐出方向を変
化させるガス吐出方向可変手段をさらに備えるようにし
ても良い。
In the substrate drying apparatus of the present invention, a gas discharge port height position changing means for changing a height position of the gas discharge port in the nozzle may be further provided. Further, a gas discharge direction changing means for changing a discharge direction of the gas in the nozzle may be further provided.

【0021】さらに、本発明の基板乾燥装置において、
前記ノズルから吐出される前記ガスの吐出圧を変化させ
るガス吐出圧可変手段をさらに備えるようにしても良
い。また、前記ノズルから吐出される前記ガスの吐出量
を変化させるガス吐出量可変手段をさらに備えるように
しても良い。
Further, in the substrate drying apparatus of the present invention,
The apparatus may further include a gas discharge pressure varying unit that changes a discharge pressure of the gas discharged from the nozzle. Further, a gas discharge amount changing means for changing a discharge amount of the gas discharged from the nozzle may be further provided.

【0022】このような各手段を備えることによって、
例えば、乾燥性の異なる種々の基板に対して、適切なガ
スの吐出条件を設定することができる。従って、ガスの
使用量を少なくできたり、基板乾燥に要する時間をさら
に短くすることができる。
By providing such means,
For example, appropriate gas discharge conditions can be set for various substrates having different drying properties. Therefore, the amount of gas used can be reduced, and the time required for drying the substrate can be further reduced.

【0023】本発明の基板乾燥方法は、洗浄液によって
洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥方法であって、
(a)洗浄された前記基板を回転させて、該基板に付い
ている前記洗浄液を遠心力により飛散させる工程と、
(b)所定のガスを前記基板に吹き付けながら、前記ガ
スの吹き付け位置を前記基板の回転中心から前記基板の
周辺に向かって変化させて、前記基板に付いている前記
洗浄液を前記ガスによって飛散させる工程と、を備える
ことを要旨とする。
The substrate drying method of the present invention is a substrate drying method for drying a substrate washed with a cleaning liquid,
(A) rotating the washed substrate to scatter the cleaning solution attached to the substrate by centrifugal force;
(B) changing the spraying position of the gas from the center of rotation of the substrate toward the periphery of the substrate while spraying a predetermined gas on the substrate, so that the cleaning liquid attached to the substrate is scattered by the gas; And a step.

【0024】このように、本発明の基板乾燥方法では、
工程(a)において、基板を回転させて、洗浄液を遠心
力により飛散させると共に、工程(b)において、所定
のガスを基板に吹き付けながら、吹き付け位置を基板の
回転中心から周辺に向かって変化させて、洗浄液をガス
によって飛散させている。
As described above, according to the substrate drying method of the present invention,
In the step (a), the substrate is rotated to scatter the cleaning liquid by centrifugal force, and in the step (b), the spray position is changed from the rotation center of the substrate toward the periphery while blowing a predetermined gas on the substrate. Thus, the cleaning liquid is scattered by the gas.

【0025】従って、本発明の基板乾燥装置によれば、
基板の回転による遠心力と、ガスの吹き付けと、によっ
て洗浄液を効率よく飛散させることができると共に、ガ
スの吹き付け位置を上記のように変化させることによっ
て、ガスの吹き付けにより飛散する洗浄液も基板の周辺
に向かって徐々に移動させることができ、ガスの吹き付
けによる洗浄液を飛散させる効果も、基板の表面全体に
及ぼすことができるので、基板乾燥に要する時間をさら
に短縮することができる。
Therefore, according to the substrate drying apparatus of the present invention,
The cleaning liquid can be efficiently scattered by the centrifugal force due to the rotation of the substrate and the gas blowing, and the cleaning liquid scattered by the gas blowing can also be scattered around the substrate by changing the gas blowing position as described above. , And the effect of spraying the cleaning liquid by blowing gas can also be exerted on the entire surface of the substrate, so that the time required for drying the substrate can be further reduced.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。図1は本発明の一実施例として
の基板乾燥装置の概略構成を示すブロック図であり、図
2は図1に示す基板乾燥装置の平面図である。本実施例
の基板乾燥装置100も、前述した従来例と同様に、実
際には基板洗浄装置と一体的に構成されているが、図1
及び図2においては、基板乾燥装置100の主要部分の
みを示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below based on examples. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate drying apparatus as one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the substrate drying apparatus shown in FIG. Although the substrate drying apparatus 100 of the present embodiment is actually configured integrally with the substrate cleaning apparatus as in the above-described conventional example, FIG.
2 shows only the main part of the substrate drying apparatus 100.

【0027】これら図に示すように、円盤状のスピンチ
ャック21の上面には、基板11を支持するための6本
の支持ピン21aが立設されており、その下面には、回
転軸23を介して電動モータ25が連結されており、ス
ピンチャック21はこの電動モータ25によってOを回
転中心として矢印A方向に回転されるようになってい
る。
As shown in these figures, six support pins 21a for supporting the substrate 11 are erected on the upper surface of the disk-shaped spin chuck 21, and the rotating shaft 23 is provided on the lower surface thereof. The spin chuck 21 is rotated by the electric motor 25 in the direction of arrow A about O as the center of rotation.

【0028】スピンチャック21の周囲には、洗浄液が
スピンチャック21の周辺部の外側に飛散しないように
するための飛散防止カップ31が配備されている。この
飛散防止カップ31は、矢印B方向に昇降可能となって
おり、基板11をスピンチャック21に着脱する際には
下方に降下して、基板11の着脱に支障をきたさないよ
うになっている。
A scattering prevention cup 31 is provided around the spin chuck 21 so as to prevent the cleaning liquid from scattering outside the periphery of the spin chuck 21. The scattering prevention cup 31 can be moved up and down in the direction of arrow B. When the substrate 11 is attached to and detached from the spin chuck 21, it falls downward so as not to hinder attachment and detachment of the substrate 11. .

【0029】一方、図1において、スピンチャック21
の上方には、ノズル支持体73に取り付けられたN2
出用ノズル71が配備されており、ノズル支持体73は
回転軸65を介して電動モータ61に連結されている。
従って、電動モータ61が回転駆動すると、回転軸65
が回転し、N2吐出用ノズル71が矢印F方向に回動す
る。これによって、水平面に対するN2吐出用ノズル7
1の傾き角度を変化させることができる。なお、電動モ
ータ61にはエンコーダ63が配備されており、電動モ
ータ61の回転軸65の回転量を検出して、制御部13
1にフィードバックし、制御部131はこれに基づいて
電動モータ61の駆動を制御している。
On the other hand, in FIG.
An N 2 discharge nozzle 71 attached to a nozzle support 73 is provided above the nozzle support 73, and the nozzle support 73 is connected to the electric motor 61 via a rotating shaft 65.
Therefore, when the electric motor 61 is driven to rotate, the rotating shaft 65
Rotates, and the N 2 discharge nozzle 71 rotates in the direction of arrow F. Thereby, the N 2 discharge nozzle 7 with respect to the horizontal plane
1 can be changed. The electric motor 61 is provided with an encoder 63, which detects the amount of rotation of the rotary shaft 65 of the electric motor 61 and
The control unit 131 controls the driving of the electric motor 61 based on the feedback.

【0030】電動モータ61及びエンコーダ63はとも
に支持アーム57上に配備されている。なお、本実施例
においては、N2吐出用ノズル71の中心軸と支持アー
ム57の中心軸とがほぼ直交するように、電動モータ6
1は支持アーム57に取り付けられている。また、この
支持アーム57は回転軸55を介して電動モータ51に
連結されている。従って、電動モータ51が回転駆動す
ると、回転軸55が回転し、それによって、支持アーム
57がPを回転中心として矢印D方向に回動する。これ
によって、N2吐出用ノズル71の吐出口71aの、水
平面上における位置を変化させることができる。なお、
電動モータ51の下部にもエンコーダ53が配備されて
おり、電動モータ51の回転軸55の回転量を検出し
て、制御部131にフィードバックし、制御部131は
これに基づいて電動モータ51の駆動を制御するように
している。
The electric motor 61 and the encoder 63 are both arranged on a support arm 57. In this embodiment, the electric motor 6 is set so that the center axis of the N 2 discharge nozzle 71 and the center axis of the support arm 57 are substantially orthogonal to each other.
1 is attached to the support arm 57. The support arm 57 is connected to the electric motor 51 via a rotation shaft 55. Therefore, when the electric motor 51 is driven to rotate, the rotation shaft 55 rotates, whereby the support arm 57 rotates in the direction of arrow D with P as the center of rotation. Thereby, the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzles 71, it is possible to change the position on the horizontal plane. In addition,
An encoder 53 is also provided below the electric motor 51, and detects the amount of rotation of the rotating shaft 55 of the electric motor 51 and feeds it back to the control unit 131. Based on this, the control unit 131 drives the electric motor 51 based on this. To control.

【0031】また、電動モータ51及びエンコーダ53
はともに昇降ベース49上に配備されている。この昇降
ベース49は、立設されたガイド軸47に摺動自在に嵌
め付けられていると共に、ガイド軸47に並設され、電
動モータ41の回転軸に結合しているポールネジ45に
螺合されている。従って、電動モータ41が回転駆動す
ると、ポールネジ45が回転し、それによって、昇降ベ
ース49が矢印C方向に昇降する。これにより、N2
出用ノズル71の吐出口71aの高さを変化させること
ができる。なお、電動モータ41の下部にもエンコーダ
43が配備されており、電動モータ41の回転軸の回転
量を検出して、制御部131にフィードバックし、制御
部131はこれに基づいて電動モータ41を制御するよ
うにしている。
The electric motor 51 and the encoder 53
Are arranged on a lifting base 49. The elevating base 49 is slidably fitted on the guide shaft 47 erected, and is screwed to a pole screw 45 that is provided side by side with the guide shaft 47 and is connected to the rotating shaft of the electric motor 41. ing. Accordingly, when the electric motor 41 is driven to rotate, the pole screw 45 rotates, whereby the lifting base 49 moves up and down in the arrow C direction. Thus, it is possible to change the height of the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzles 71. An encoder 43 is also provided below the electric motor 41, detects the amount of rotation of the rotating shaft of the electric motor 41, and feeds it back to the control unit 131. The control unit 131 controls the electric motor 41 based on this. I try to control.

【0032】一方、ノズル支持体73にはN2供給用チ
ューブ75が連結されており、N2供給用チューブ75
はオン/オフバルブ81,マスフロコントローラ91,
電空レギュレータ113及びフィルタ121を順次介し
て工場ラインなどのN2供給源に接続されている。
On the other hand, the nozzle support body 73 and N 2 supply tube 75 is connected, N 2 supply tube 75
Is an on / off valve 81, a mass flow controller 91,
It is connected to an N 2 supply source such as a factory line via an electropneumatic regulator 113 and a filter 121 in order.

【0033】このうち、オン/オフバルブ81は制御部
131によってオン/オフ制御され、N2吐出用ノズル
71に対しN2を供給したり、その供給を止めたりして
いる。また、マスフロコントローラ91は、その内部に
流量計及び流量調整用バルブ(図示せず)を備えてい
る。流量計はN2供給用チューブ75内を流れるN2の流
量を測定して、その検出結果を制御部131にフィード
バックする。制御部131はその検出結果に基づいて流
量調整用バルブを制御して、N2供給用チューブ75内
を流れるN2の流量を調整する。
The ON / OFF valve 81 is controlled on / off by the control unit 131 to supply N 2 to the N 2 discharge nozzle 71 or to stop the supply. In addition, the mass flow controller 91 includes a flow meter and a flow control valve (not shown) therein. The flow meter measures the flow rate of N 2 flowing through the N 2 supply tube 75, and feeds back the detection result to the control unit 131. The control unit 131 controls the flow regulating valve based on the detection result, adjusting the flow rate of N 2 through the N 2 supply tube 75.

【0034】また、電空レギュレータ113にはモータ
115が接続されており、電空レギュレータ113はそ
のモータ115が回転駆動することにより、N2供給用
チューブ75内のN2の圧力を変化させることができ
る。また、電空レギュレータ113とマスフロコントロ
ーラ91との間には圧力計111が接続されている。こ
の圧力計111は、N2供給用チューブ75内のN2の圧
力を測定して、その検出結果を制御部131にフィード
バックする。制御部131は、その検出結果に基づいて
モータ115の回転駆動を制御して、電空レギュレータ
113によりN2供給用チューブ75内のN2の圧力を調
整する。また、フィルタ121は、N2供給源から供給
されたN2中に含まれている不純物を取り除くために配
備されている。
Further, the electropneumatic regulator 113 is connected motor 115, by the electropneumatic regulator 113 to the motor 115 is driven to rotate, changing the pressure of N 2 in the N 2 supply tube 75 Can be. A pressure gauge 111 is connected between the electropneumatic regulator 113 and the mass flow controller 91. The pressure gauge 111 measures the pressure of N 2 in the N 2 supply tube 75 and feeds back the detection result to the control unit 131. Control unit 131 controls the rotation driving of the motor 115 based on the detection result, to adjust the pressure of N 2 in the N 2 supply tube 75 within the electropneumatic regulator 113. The filter 121 is deployed to remove impurities contained in the N 2 supplied from the N 2 supply source.

【0035】また、制御部131には、前述したよう
に、各種構成要素が接続されている他、図1に示すよう
に、指示部141及びメモリ151が接続されている。
このうち、メモリ151にはレシピと呼ばれる洗浄処理
及び乾燥処理用のプログラムが格納されており、制御部
131はそのレシピに従って、各種構成要素を制御して
洗浄処理及び乾燥処理を行なう。指示部141はそのレ
シピを作成するための指示を入力したり、作成した複数
のレシピのうち、所望のレシピを選択するために用いら
れる。
As described above, the control unit 131 is connected to various components, and as shown in FIG. 1, is connected to an instruction unit 141 and a memory 151.
Of these, the memory 151 stores a program for a cleaning process and a drying process called a recipe, and the controller 131 controls the various components according to the recipe to perform the cleaning process and the drying process. The instruction unit 141 is used to input an instruction for creating the recipe or to select a desired recipe from a plurality of created recipes.

【0036】なお、レシピは、例えば、基板11の種類
毎に作成され、洗浄処理中の動作条件や乾燥処理中の動
作条件などのデータが含まれている。なお、乾燥処理中
の動作条件としては、N2吐出用ノズル71の吐出口7
1aの高さ,N2吐出用ノズル71の傾き角度、N2吐出
用ノズル71の移動速度、N2吐出用ノズル71の移動
範囲、及びN2吐出用ノズル71の吐出口71aから吐
出されるN2の吐出圧や吐出量などが挙げられる。
The recipe is created, for example, for each type of the substrate 11 and includes data such as operating conditions during the cleaning process and operating conditions during the drying process. The operating conditions during the drying process include the discharge port 7 of the N 2 discharge nozzle 71.
1a height, discharged inclination angle of the N 2 discharge nozzles 71, the moving speed of N 2 discharge nozzles 71, the moving range of the N 2 discharge nozzles 71, and from the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzles 71 The discharge pressure and discharge amount of N 2 are exemplified.

【0037】さて、以上のような構成において、制御部
131が、指示部141によって選択されたレシピに従
って、基板洗浄処理を開始すると、まず、図示せざる搬
送手段が洗浄すべき基板11をスピンチャック21上に
載置し、スピンチャック21上面の6本の支持ピン21
aが基板11の周辺部を当接支持する。その上で、電動
モータ25がスピンチャック21を回転駆動することよ
り、基板11はOを回転中心として水平面内で矢印A方
向に回転する。このとき、基板洗浄装置の構成要素とし
ては、図示せざる洗浄液吐出用ノズル及び回転ブラシが
別にそれぞれ配備されており、基板11が回転すると、
洗浄液吐出用ノズルが洗浄液を基板211の表面に向か
って吐出すると共に、回転ブラシが回転して基板11の
表面をブラッシングして洗浄する。なお、洗浄処理の際
には、N2吐出用ノズル71は、図2において、一点鎖
線で示す基板11の外縁及び飛散防止カップ31よりも
外側に設定された所定の待機位置Wに移動しており、洗
浄処理の妨げとならないように、その位置で待機してい
る。
In the above-described configuration, when the control unit 131 starts the substrate cleaning process in accordance with the recipe selected by the instruction unit 141, first, the transport unit (not shown) applies the spin chuck to the substrate 11 to be cleaned. And six support pins 21 on the upper surface of the spin chuck 21.
“a” abuts and supports the peripheral portion of the substrate 11. Then, the electric motor 25 drives the spin chuck 21 to rotate, so that the substrate 11 rotates around O in the horizontal direction in the direction of arrow A in the horizontal plane. At this time, as a component of the substrate cleaning apparatus, a cleaning liquid discharge nozzle (not shown) and a rotary brush are separately provided, and when the substrate 11 rotates,
The cleaning liquid discharge nozzle discharges the cleaning liquid toward the surface of the substrate 211, and the rotating brush rotates to brush and clean the surface of the substrate 11. During the cleaning process, the N 2 discharge nozzle 71 is moved to a predetermined standby position W set outside the outer edge of the substrate 11 and the scattering prevention cup 31 shown by a dashed line in FIG. And stands by at that position so as not to hinder the cleaning process.

【0038】こうして、一連の基板洗浄処理が完了する
と、次に、制御部131は、上記したレシピに従って、
本発明に関わる基板乾燥処理を開始する。まず、制御部
131による制御によって、電動モータ41が回転して
昇降ベース49を昇降すると共に、電動モータ61が回
転してノズル支持体73を回動し、これによって、N2
吐出用ノズル71の吐出口71aの高さ及びN2吐出用
ノズル71の傾き角度が、レシピに書き込まれている動
作条件に応じた所定の高さ及び傾き角度に設定される。
When the series of substrate cleaning processes is completed in this way, the control unit 131 next proceeds according to the above-described recipe.
The substrate drying process according to the present invention is started. First, the control of the control unit 131, together with the electric motor 41 to elevate the elevating base 49 rotates, the nozzle support body 73 rotates the electric motor 61 is rotated, thereby, N 2
Height and inclination angle of the N 2 discharge nozzles 71 of the discharge port 71a of the discharging nozzle 71 is set to a predetermined height and tilt angle according to the operating conditions written in the recipe.

【0039】次に、電動モータ51が回転して支持アー
ム57を回動し、N2吐出用ノズル71を前述した待機
位置Wから図2において実線で示した基板の回転中心付
近のガス吹き付け位置である開始位置Sに移動させる。
Next, the electric motor 51 rotates to rotate the support arm 57, and the N 2 discharge nozzle 71 is moved from the standby position W described above to a gas blowing position near the rotation center of the substrate indicated by a solid line in FIG. To the start position S.

【0040】こうして、N2吐出用ノズル71が開始位
置Sに位置したら、オン/オフバルブ81がオンして、
2吐出用ノズル71へのN2の供給を開始する。そし
て、これと並行して、電動モータ25が回転速度を早め
て、基板11を高速に回転させる。
When the N 2 discharge nozzle 71 is located at the start position S, the on / off valve 81 is turned on.
The supply of N 2 to the N 2 discharge nozzle 71 is started. In parallel with this, the electric motor 25 increases the rotation speed and rotates the substrate 11 at high speed.

【0041】図3は図1に示すN2吐出用ノズル71の
移動方向及びN2の吹き付けによって飛散する洗浄液1
3の様子を示す説明図である。
[0041] Figure 3 cleaning liquid 1 scattered by blowing of the moving direction and N 2 of N 2 discharge nozzles 71 shown in FIG. 1
It is explanatory drawing which shows the situation of No.3.

【0042】開始位置SにあるN2吐出用ノズル71の
吐出口71aからN2が吐出されると、吐出されたN
2は、図3に示すように基板11の表面のうち、基板1
1の回転中心Oに向かって吹き付けられる。これによっ
て、基板11の回転中心Oの近傍に付いている洗浄液1
3は周辺部に向かって飛散する。また、基板11が高速
に回転することにより、基板11の周辺部に付いていた
洗浄液は、遠心力によって周辺に飛散する。
When N 2 is discharged from the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzle 71 at the start position S, the discharged N 2
2 is the substrate 1 of the surface of the substrate 11 as shown in FIG.
It is sprayed toward one rotation center O. As a result, the cleaning liquid 1 attached near the rotation center O of the substrate 11
3 scatters toward the periphery. Further, as the substrate 11 rotates at a high speed, the cleaning liquid attached to the peripheral portion of the substrate 11 is scattered to the periphery by centrifugal force.

【0043】また、このとき、制御部131は、上記し
たレシピに従って、マスフロコントローラ91内の流量
調整用バルブを制御すると共に、モータ115を介して
電空レギュレータ113を制御して、N2供給用チュー
ブ75内を流れるN2の流量及び圧力を調整する。これ
によって、N2吐出用ノズル71の吐出口71aから吐
出されるN2の吐出圧及び吐出量が、上記レシピに書き
込まれている動作条件に応じた所定の吐出圧及び吐出量
となるように調整される。
At this time, the control section 131 controls the flow rate adjusting valve in the mass flow controller 91 and controls the electropneumatic regulator 113 via the motor 115 in accordance with the above-described recipe, thereby controlling the N 2 supply. The flow rate and pressure of N 2 flowing through the tube 75 are adjusted. Thereby, the discharge pressure and the discharge amount of N 2 discharged from the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzle 71 become the predetermined discharge pressure and the discharge amount according to the operating conditions written in the recipe. Adjusted.

【0044】続いて、電動モータ51によって支持アー
ム57がさらに回動すると、N2吐出用ノズル71は、
図2に示すように、開始位置Sから円弧上に沿って矢印
G方向に向かって徐々に移動する。これに伴って、N2
吐出用ノズル71から吐出されたN2の吹き付け位置
も、図3に示すように、基板11の回転中心Oから周辺
に向かって徐々に移動し、基板11の表面に付いている
洗浄液13はさらに周辺部に向かって飛散する。このと
き、制御部131は、上記したレシピに従って電動モー
タ51を制御して、N2吐出用ノズル71の移動速度
が、レシピに書き込まれている動作条件に応じた所定の
速度となるようにする。
Subsequently, when the support arm 57 is further rotated by the electric motor 51, the N 2 discharge nozzle 71 is
As shown in FIG. 2, it gradually moves from the start position S along the arc in the direction of arrow G. Accordingly, N 2
The spray position of N 2 discharged from the discharge nozzle 71 also gradually moves from the rotation center O of the substrate 11 toward the periphery as shown in FIG. 3, and the cleaning liquid 13 attached to the surface of the substrate 11 further increases. Fly toward the periphery. At this time, the control unit 131 controls the electric motor 51 in accordance with the above-described recipe so that the moving speed of the N 2 discharge nozzle 71 becomes a predetermined speed according to the operating condition written in the recipe. .

【0045】そして、支持アーム57の回動によって、
ついに、N2吐出用ノズル71が終了位置Eまで到達す
ると、この終了位置Eにおいて、N2吐出用ノズル71
の吐出口71aから吐出されたN2は、図3に示すよう
に、基板11の最周辺部Qに向かって吹き付けられる。
これによって、基板11の回転中心Oから移動してきた
洗浄液13は、基板11から吹き飛ばされて取り除かれ
る。
Then, by the rotation of the support arm 57,
Finally, when the N 2 discharge nozzle 71 reaches the end position E, the N 2 discharge nozzle 71
N 2 discharged from the discharge port 71a of the substrate 11 is sprayed toward the outermost peripheral portion Q of the substrate 11 as shown in FIG.
Thus, the cleaning liquid 13 that has moved from the rotation center O of the substrate 11 is blown off from the substrate 11 and removed.

【0046】N2吐出用ノズル71が終了位置Eまで来
ると、その後、オン/オフバルブ81はオフして、N2
吐出用ノズル71へのN2の供給が停止され、N2吐出用
ノズル71からN2は吐出されなくなる。また、これと
並行して、電動モータ25も回転を停止して、基板11
の回転も停止される。
[0046] When the N 2 discharge nozzle 71 comes to the end position E, then, on / off valve 81 is turned off, N 2
The supply of N 2 into the discharge nozzle 71 is stopped, N 2 from the N 2 discharge nozzle 71 is no longer discharged. At the same time, the electric motor 25 also stops rotating and the substrate 11
Is also stopped.

【0047】このようにして、基板11に対するN2
吹き付けと基板11の高速回転による遠心力とにより、
基板11の表面に付いていた洗浄液13がすべて吹き飛
ばされることによって、基板11は速やかに乾燥され
る。
As described above, the blowing of N 2 on the substrate 11 and the centrifugal force of the high-speed rotation of the substrate 11
The substrate 11 is quickly dried by blowing off all the cleaning liquid 13 attached to the surface of the substrate 11.

【0048】以上の一連の基板乾燥処理が完了すると、
その後、電動モータ51は引き続き回転して、支持アー
ム57はさらに回動する。そして、N2吐出用ノズル7
1は終了位置Eを越えて再び待機位置Wまで戻される。
その上で、スピンチャック21の支持ピン21aが基板
11の当接支持を解除すると、図示せざる搬送手段によ
って、基板11はスピンチャック21上から取り去られ
る。
When the above series of substrate drying processes is completed,
Thereafter, the electric motor 51 continues to rotate, and the support arm 57 further rotates. And the N 2 discharge nozzle 7
1 is returned to the standby position W again beyond the end position E.
Then, when the support pins 21a of the spin chuck 21 release the contact support of the substrate 11, the substrate 11 is removed from the spin chuck 21 by a transport unit (not shown).

【0049】以上説明したように、本実施例によれば、
2の吹き付け位置を変化させることができるので、N2
の吹き付けによる洗浄液を飛散させる効果を十分に引き
出すことができる。従って、基板11を回転させ遠心力
により洗浄液を飛散させる時間を短くすることができ、
基板乾燥に要する時間を短縮することができる。
As described above, according to this embodiment,
It is possible to change the spraying position of N 2, N 2
The effect of scattering the cleaning liquid by spraying can be sufficiently obtained. Therefore, the time for rotating the substrate 11 and scattering the cleaning liquid by centrifugal force can be shortened,
The time required for drying the substrate can be reduced.

【0050】また、本実施例によれば、N2の吹き付け
位置を基板11の回転中心Oから最周辺部Qに向かって
移動させているので、N2の吹き付けにより飛散する洗
浄液も基板11の周辺に向かって効率的に移動させるこ
とができ、N2の吹き付けにより洗浄液を飛散させる効
果も、基板11の表面全体に及ぼすことができる。
[0050] Further, according to this embodiment, the blowing position of the N 2 from the rotation center O of the substrate 11 so that is moved towards the outermost periphery Q, of the cleaning liquid even substrate 11 scattered by blowing N 2 The cleaning liquid can be efficiently moved toward the periphery, and the effect of scattering the cleaning liquid by blowing N 2 can also be exerted on the entire surface of the substrate 11.

【0051】また、本実施例においては、図2に示すよ
うに、N2吐出用ノズル71はその中心軸が支持アーム
57の中心軸とほぼ直交するように取り付けられている
と共に、N2吐出用ノズル71は支持アーム57の回動
動作によって円弧上を移動するので、N2吐出用ノズル
71の吐出口71aから吐出されるN2の吐出方向は、
2吐出用ノズル71の移動方向(即ち、N2の吹き付け
位置の変化方向)とほぼ同一方向となっている。従っ
て、図3に示すように、飛散する洗浄液13の後を追い
ながら、N2をさらに吹き付けることができるので、洗
浄液をさらに効率よく飛散させることができる。
[0051] In the present embodiment, as shown in FIG. 2, N 2 discharge nozzle 71 with its central axis is mounted so as to be substantially perpendicular to the central axis of the support arm 57, N 2 discharge Nozzle 71 moves on an arc by the pivotal movement of the support arm 57. Therefore, the discharge direction of N 2 discharged from the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzle 71 is
The direction is substantially the same as the moving direction of the N 2 discharge nozzle 71 (that is, the direction in which the N 2 blowing position changes). Accordingly, as shown in FIG. 3, while following the following splashed cleaning liquid 13, it is possible to further blowing N 2, it is possible to scatter the washing liquid more efficiently.

【0052】また、本実施例においては、N2吐出用ノ
ズル71の位置を移動させることができる他、N2吐出
用ノズル71の吐出口71aの高さ,N2吐出用ノズル
71の傾き角度、N2吐出用ノズル71の移動速度、N2
吐出用ノズル71の移動範囲、及びN2吐出用ノズル7
1の吐出口71aから吐出されるN2の吐出圧や吐出量
などを変化させることができるので、例えば、乾燥性の
異なる種々の基板に対して、適切なN2の吐出条件を設
定することができる。従って、N2の使用量を少なくで
きたり、基板乾燥に要する時間をさらに短くすることが
できる。
[0052] In the present embodiment, except that it is possible to move the position of the N 2 discharge nozzles 71, the discharge port 71a of the height of the N 2 discharge nozzles 71, the inclination angle of the N 2 discharge nozzles 71 , N 2 discharge nozzle 71 moving speed, N 2
The moving range of the discharge nozzle 71 and the N 2 discharge nozzle 7
Since the discharge pressure and discharge amount of N 2 discharged from one discharge port 71a can be changed, for example, it is necessary to set appropriate N 2 discharge conditions for various substrates having different drying properties. Can be. Therefore, the amount of N 2 used can be reduced, and the time required for drying the substrate can be further reduced.

【0053】なお、本発明は上記した実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様にて実施することが可能である。
The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, but can be implemented in various modes without departing from the scope of the invention.

【0054】上記した実施例においては、電動モータ6
1の回転駆動によって水平面に対するN2吐出用ノズル
71の傾き角度は変化させることができるが、支持アー
ム57の中心軸に対するN2吐出用ノズル71の中心軸
の方向(即ち、支持アーム57の中心軸に対するN2
吐出方向)はほぼ90度と固定になっている。しかしな
がら、本発明はこれに限定されるものではなく、新たに
電動モータなどを設けるようにして、支持アーム57の
中心軸に対するN2吐出用ノズル71の中心軸の方向に
ついても、変化させることができるようにしても良い。
In the above embodiment, the electric motor 6
The rotation angle of the N 2 discharge nozzle 71 with respect to the horizontal plane can be changed by the one rotation drive, but the direction of the center axis of the N 2 discharge nozzle 71 with respect to the center axis of the support arm 57 (ie, the center of the support arm 57) The discharge direction of N 2 with respect to the axis) is fixed at approximately 90 degrees. However, the present invention is not limited to this, and the direction of the center axis of the N 2 discharge nozzle 71 with respect to the center axis of the support arm 57 may be changed by newly providing an electric motor or the like. You may be able to.

【0055】また、上記した実施例において、N2吐出
用ノズル71からのN2の吐出を開始する開始位置S及
び終了する終了位置Eは、それぞれ、固定されていた
が、この開始位置S及び終了位置Eは基板11の種類な
どに応じて変えるようにしても良い。
In the above-described embodiment, the start position S at which the discharge of N 2 from the N 2 discharge nozzle 71 is started and the end position E at which the discharge is completed are fixed. The end position E may be changed according to the type of the substrate 11 or the like.

【0056】また、上記実施例においては、N2吐出用
ノズル71を基板11の回転中心付近のガス吹き付け位
置である開始位置Sから基板11の周辺の終了位置Eへ
移動させるようにしていたが、所定の待機位置Wから移
動の後、開始位置Sにおいて移動させずに、基板11に
対してN2を吹き付けるようにしても良い。この場合
も、N2吐出ノズル71の吐出口71aと基板11との
距離は近接しているので、従来と比較して乾燥効果は高
くなる。
In the above embodiment, the N 2 discharge nozzle 71 is moved from the start position S, which is the gas blowing position near the rotation center of the substrate 11, to the end position E around the substrate 11. Alternatively, after moving from the predetermined standby position W, N 2 may be sprayed on the substrate 11 without moving at the start position S. Also in this case, since the distance between the discharge port 71a of the N 2 discharge nozzle 71 and the substrate 11 is short, the drying effect is higher than in the related art.

【0057】また、上記した実施例においては、N2
出用ノズル71を支持アーム57による回動動作によっ
て円弧上を移動させていたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、水平面にX−Y座標を想定
し、リニアモータあるいはベルト駆動によってN2吐出
用ノズル71を、X方向及びY方向にそれぞれ搬送する
X−Yノズル搬送手段を設けて、水平面内をN2吐出用
ノズル71が自由に移動できるようにしても良い。
In the above-described embodiment, the N 2 discharge nozzle 71 is moved on the circular arc by the rotation of the support arm 57. However, the present invention is not limited to this. assuming X-Y coordinate in a horizontal plane, the N 2 discharge nozzle 71 by a linear motor or a belt drive, provided X-Y nozzle conveying means for conveying in the X and Y directions, in the horizontal plane N 2 for discharge The nozzle 71 may be freely movable.

【0058】また、上記した実施例においては、基板1
1の位置は固定であり、N2吐出用ノズル71の位置や
角度を変化させることによって、N2の吹き付け位置を
変化させていたが、逆に、N2吐出用ノズル71の位置
や角度を固定して、基板11の位置や角度を変化させる
ことによって、N2の吹き付け位置を変化させるように
しても良い。
In the above embodiment, the substrate 1
The position of No. 1 is fixed, and by changing the position and angle of the N 2 discharge nozzle 71, the blowing position of N 2 is changed. Conversely, the position and angle of the N 2 discharge nozzle 71 are changed. fixed to, by changing the position and angle of the substrate 11, it may be to vary the blowing position of N 2.

【0059】また、上記した実施例においては、基板に
吹き付けるガスはN2であったが、本発明はこれに限定
されるものではなく、基板に影響を及ぼさないガスであ
れば用いることができ、例えば、エアーなどを用いるよ
うにしても良い。
In the above embodiment, the gas blown to the substrate is N 2 , but the present invention is not limited to this, and any gas that does not affect the substrate can be used. For example, air may be used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例としての基板乾燥装置の概略
構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate drying apparatus as one embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す基板乾燥装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate drying apparatus shown in FIG.

【図3】図1に示すN2吐出用ノズル71の移動方向及
びN2の吹き付けによって飛散する洗浄液13の様子を
示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a moving direction of an N 2 discharge nozzle 71 shown in FIG. 1 and a state of a cleaning liquid 13 scattered by blowing N 2 .

【図4】N2の吹き付けにより基板を乾燥させることが
可能な基板乾燥装置を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a substrate drying apparatus capable of drying a substrate by blowing N 2 .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基板 13…洗浄液 21…スピンチャック 21a…支持ピン 23…回転軸 25…電動モータ 31…飛散防止カップ 41…電動モータ 43…エンコーダ 45…ポールネジ 47…ガイド軸 49…昇降ベース 51…電動モータ 53…エンコーダ 55…回転軸 57…支持アーム 61…電動モータ 63…エンコーダ 65…回転軸 71…N2吐出用ノズル 71a…吐出口 73…ノズル支持体 81…オン/オフバルブ 91…マスフロコントローラ 100…基板乾燥装置 111…圧力計 113…電空レギュレータ 115…モータ 121…フィルタ 131…制御部 141…指示部 151…メモリ 200…基板乾燥装置 201…基台 211…基板 221…スピンチャック 221a…支持ピン 231…飛散防止カップ 271…N2吐出用ノズル 271a…吐出口 273…ノズル支持体 E…終了位置 O…回転中心 Q…最周辺部 S…開始位置 W…待機位置DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Substrate 13 ... Cleaning liquid 21 ... Spin chuck 21a ... Support pin 23 ... Rotating shaft 25 ... Electric motor 31 ... Scatter prevention cup 41 ... Electric motor 43 ... Encoder 45 ... Pole screw 47 ... Guide shaft 49 ... Elevating base 51 ... Electric motor 53 ... encoder 55 ... rotating shaft 57 ... supporting arm 61 ... electric motor 63 ... encoder 65 ... rotating shaft 71 ... N 2 discharge nozzles 71a ... discharge port 73 ... nozzle support 81 ... on / off valve 91 ... mass flow controller 100 ... substrate Drying device 111 ... Pressure gauge 113 ... Electro-pneumatic regulator 115 ... Motor 121 ... Filter 131 ... Control unit 141 ... Instruction unit 151 ... Memory 200 ... Substrate drying device 201 ... Base 211 ... Substrate 221 ... Spin chuck 221a ... Support pin 231 ... scattering prevention cup 271 ... N 2 discharge Nozzles 271a ... discharge port 273 ... nozzle carrier E ... end position O ... center of rotation Q ... outermost peripheral portion S ... starting position W ... standby position

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄液によって洗浄された基板を回転さ
せ、前記基板に付いている前記洗浄液を遠心力により飛
散させることにより、前記基板を乾燥させることが可能
な基板乾燥装置であって、 前記基板の回転前,回転中または回転後に、ガス吐出口
より所定のガスを吐出して前記基板に吹き付け、前記基
板に付いている前記洗浄液を前記ガスによって飛散させ
るノズルと、 該ノズルを、少なくとも前記基板の外縁よりも外側に設
定された待機位置と前記基板の回転中心付近との間で移
動させるノズル移動手段と、 を備える基板乾燥装置。
1. A substrate drying apparatus capable of drying a substrate by rotating a substrate cleaned by a cleaning liquid and scattering the cleaning liquid attached to the substrate by centrifugal force, wherein the substrate is dried. Before, during or after the rotation of the nozzle, a nozzle that discharges a predetermined gas from a gas discharge port and sprays the gas on the substrate, and the cleaning liquid attached to the substrate is scattered by the gas. And a nozzle moving means for moving between a standby position set outside an outer edge of the substrate and near a rotation center of the substrate.
【請求項2】 請求項1に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記ノズル移動手段は、前記ノズルを、前記ガスの吹き
付け位置が前記基板の回転中心から前記基板の周辺に向
かって変化するように移動させることを特徴とする基板
乾燥装置。
2. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein the nozzle moving unit moves the nozzle such that a position at which the gas is blown changes from a rotation center of the substrate toward a periphery of the substrate. A substrate drying apparatus, characterized in that:
【請求項3】 請求項2に記載の基板乾燥装置におい
て、 前記ノズルにおける前記ガスの吐出方向は、該ガスの吹
き付け位置の変化方向とほぼ同一の方向に設定されてい
ることを特徴とする基板乾燥装置。
3. The substrate drying apparatus according to claim 2, wherein the discharge direction of the gas from the nozzle is set to be substantially the same as the direction in which the gas is sprayed. Drying equipment.
【請求項4】 請求項2または請求項3に記載の基板乾
燥装置において、 前記ノズルは前記基板の回転中に前記ガスを吐出すると
共に、 前記ノズル移動手段は、前記基板の回転中に前記ガスの
吹き付け位置を変化させるように前記ノズルを移動させ
ることを特徴とする基板乾燥装置。
4. The substrate drying apparatus according to claim 2, wherein the nozzle discharges the gas during rotation of the substrate, and the nozzle moving unit rotates the gas during rotation of the substrate. Wherein the nozzle is moved so as to change the spray position of the substrate.
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のうちの任意の
一つに記載の基板乾燥装置において、 前記ノズルにおける前記ガス吐出口の高さ位置を変化さ
せるガス吐出口高さ位置可変手段をさらに備えることを
特徴とする基板乾燥装置。
5. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein a gas discharge port height position changing unit that changes a height position of the gas discharge port in the nozzle is provided. A substrate drying device, further comprising:
【請求項6】 請求項1ないし請求項4のうちの任意の
一つに記載の基板乾燥装置において、 前記ノズルにおける前記ガスの吐出方向を変化させるガ
ス吐出方向可変手段をさらに備えることを特徴とする基
板乾燥装置。
6. The substrate drying apparatus according to claim 1, further comprising a gas discharge direction changing unit that changes a discharge direction of the gas from the nozzle. Substrate drying equipment.
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のうちの任意の
一つに記載の基板乾燥装置において、 前記ノズルから吐出される前記ガスの吐出圧を変化させ
るガス吐出圧可変手段をさらに備えることを特徴とする
基板乾燥装置。
7. The substrate drying apparatus according to claim 1, further comprising a gas discharge pressure changing unit that changes a discharge pressure of the gas discharged from the nozzle. A substrate drying apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 請求項1ないし請求項6のうちの任意の
一つに記載の基板乾燥装置において、 前記ノズルから吐出される前記ガスの吐出量を変化させ
るガス吐出量可変手段をさらに備えることを特徴とする
基板乾燥装置。
8. The substrate drying apparatus according to claim 1, further comprising a gas discharge amount changing unit that changes a discharge amount of the gas discharged from the nozzle. A substrate drying apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項9】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せる基板乾燥方法であって、 (a)洗浄された前記基板を回転させて、該基板に付い
ている前記洗浄液を遠心力により飛散させる工程と、 (b)所定のガスを前記基板に吹き付けながら、前記ガ
スの吹き付け位置を前記基板の回転中心から前記基板の
周辺に向かって変化させて、前記基板に付いている前記
洗浄液を前記ガスによって飛散させる工程と、 を備える基板乾燥方法。
9. A substrate drying method for drying a substrate washed with a cleaning liquid, comprising: (a) rotating the washed substrate to scatter the cleaning liquid attached to the substrate by centrifugal force; (B) changing the spraying position of the gas from the center of rotation of the substrate toward the periphery of the substrate while spraying a predetermined gas onto the substrate, so that the cleaning liquid attached to the substrate is scattered by the gas; A substrate drying method, comprising:
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