JP3644806B2

JP3644806B2 - Substrate cleaning method and apparatus

Info

Publication number: JP3644806B2
Application number: JP28673097A
Authority: JP
Inventors: 健也森西; 正美大谷; 譲一西村; 彰彦森田
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-10-20
Filing date: 1997-10-20
Publication date: 2005-05-11
Anticipated expiration: 2017-10-20
Also published as: JPH11121421A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に対して、超音波振動が付与された洗浄液をノズルから吐出させて基板を洗浄する基板洗浄方法及びその装置に係り、特に、基板面内の洗浄液の供給位置が少なくとも基板中心と基板周縁との間を通るようにノズルを移動させながら洗浄処理を施す技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板洗浄装置として、例えば、基板を回転自在に支持する回転支持機構と、一定出力、かつ、一定周波数の超音波振動が付与された洗浄液を吐出するノズルと、基板上においてこのノズルを一定速度で移動させる移動機構とを備えているものが挙げられる。このような装置では、基板を一定速度で回転させつつ、基板面内での洗浄液の供給位置が少なくとも基板中心と基板周縁との間を移動するようにノズルを往復移動させることによって基板の表面全体にわたって超音波振動が付与された洗浄液を吐出させ、基板表面に付着しているパーティクルやゴミを超音波振動により離脱させて洗浄除去するようになっている。
【０００３】
なお、洗浄液に付与する超音波の周波数あるいは出力は洗浄効果に大きく影響する洗浄条件の一つであるので、パーティクルやゴミの付着度合いが異なる基板のロット毎、あるいは基板の種類や基板１枚ごとに微調整している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
【０００５】
すなわち、基板は回転している関係上、その基板の中心部においてはノズルに対する相対移動速度が遅く、周縁部に向かうにしたがって速くなっているので、相対移動速度の遅い基板の中心部では洗浄液に付与された超音波振動による衝撃を過度に受けることがある。そこで、洗浄条件の一つである超音波の出力は、基板の中心部で最も適した洗浄度合いとなるように一般的に設定されているが、このように中心部にあわせて設定すると相対移動速度が速い基板の周縁部では十分に洗浄を行うことができず、洗浄ムラが生じて後の基板処理に悪影響を与えるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板面内を移動する洗浄液の供給位置に応じて洗浄条件を変えることによって、基板の全面にわたって均一に洗浄処理を施すことができる基板洗浄方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板洗浄方法は、回転している基板に対して、超音波振動が付与された洗浄液をノズルから吐出させ、その吐出された洗浄液の基板面内における供給位置が、少なくとも基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄方法において、洗浄液に付与する超音波の周波数、出力の少なくとも一方を、基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に変更するようにしたことを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項２に記載の基板洗浄方法は、請求項１に記載の基板洗浄方法において、前記超音波の出力を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くしたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項３に記載の基板洗浄方法は、請求項１に記載の基板洗浄方法において、前記超音波の出力を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くしたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項４に記載の基板洗浄方法は、請求項１に記載の基板洗浄方法において、前記超音波の周波数を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くしたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項５に記載の基板洗浄方法は、請求項１に記載の基板洗浄方法において、前記超音波の周波数を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くしたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項６に記載の基板洗浄装置は、回転支持手段上で回転している基板に対して、超音波振動が付与された洗浄液をノズルから吐出させ、その吐出された洗浄液の基板面内における供給位置が、少なくとも基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装置において、前記超音波の出力を可変する出力可変手段と、洗浄液に付与される超音波の出力を基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に可変するように前記出力可変手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項７に記載の基板洗浄装置は、請求項６に記載の基板洗浄装置において、前記制御手段は、超音波の出力を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くするように前記出力可変手段を制御することを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項８に記載の基板洗浄装置は、請求項６に記載の基板洗浄装置において、前記制御手段は、超音波の出力を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くするように前記出力可変手段を制御することを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項９に記載の基板洗浄装置は、回転支持手段上で回転している基板に対して、超音波振動が付与された洗浄液をノズルから吐出させ、その吐出された洗浄液の基板面内における供給位置が、少なくとも基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装置において、前記超音波の周波数を可変する周波数可変手段と、洗浄液に付与される超音波の周波数を基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に可変するように前記周波数可変手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項１０に記載の基板洗浄装置は、請求項９に記載の基板洗浄装置において、前記制御手段は、超音波の周波数を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くするように前記周波数可変手段を制御することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項１１に記載の基板洗浄装置は、請求項９に記載の基板洗浄装置において、前記制御手段は、超音波の周波数を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くするように前記周波数可変手段を制御することを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項１２に記載の基板洗浄装置は、請求項６から請求項１１のいずれかに記載の基板洗浄装置において、基板面内を移動する洗浄液の供給位置を検出する位置検出手段を備え、前記制御手段は前記位置検出手段が検出した位置に基づいて制御を行うようにしたことを特徴とするものである。
【００１９】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
洗浄度合いに係わる超音波の周波数、出力の少なくとも一方の洗浄条件を、基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に変えることにより、回転支持手段上で回転している基板の全面にわたって洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明によれば、超音波の出力を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くすることによって、基板の中心部側と周縁部側との洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明によれば、一定出力で洗浄すると中心部側ほど洗浄度合いが低下するような場合に、超音波の出力を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くすることによって、基板の中心部側と周縁部側との洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２２】
また、請求項４に記載の発明によれば、超音波の周波数を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くすることによって、洗浄度合いを基板の全面にわたってほぼ一定化できる。
【００２３】
また、請求項５に記載の発明のように、超音波の周波数を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くしてもよい。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明によれば、洗浄液に付与される超音波の出力を可変する出力可変手段を、基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に変えるように制御する。これによって回転支持手段上で回転している基板の全面にわたって洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２５】
また、請求項７に記載の発明によれば、超音波の出力を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くするように制御することによって、基板の中心部側と周縁部側との洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２６】
また、請求項８に記載の発明のよれば、一定出力で洗浄すると中心部側ほど洗浄度合いが低下するような場合に、超音波の出力を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くするように制御することによって、基板の中心部側と周縁部側との洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２７】
また、請求項９に記載の発明によれば、洗浄液に付与される超音波の周波数を可変する周波数可変手段を、基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に変えるように制御する。これによって回転支持手段上で回転する基板の全面にわたって洗浄度合いを一定にすることができる。
【００２８】
また、請求項１０に記載の発明によれば、超音波の周波数を基板の中心部側で低くし、基板の周縁部側で高くするように制御することによって、洗浄度合いを基板の全面にわたってほぼ一定化できる。
【００２９】
また、請求項１１に記載の発明のように、超音波の周波数を基板の中心部側で高くし、基板の周縁部側で低くするように制御してもよい。
【００３０】
また、請求項１２に記載の発明によれば、位置検出手段が検出した基板面内の洗浄液の供給位置に基づいて制御手段が制御することにより、正確に検出された位置に応じて洗浄条件を調節することができ、洗浄度合いをより一定化することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板洗浄装置の概略構成を示すブロック図であり、図２はその平面図である。
【００３２】
円筒状に形成されてなる６個の支持ピン１ａが立設された円板状のスピンチャック１は、底面に連結された回転軸３を介して電動モータ５で回転駆動されるようになっている。この回転駆動により、支持ピン１ａで周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐａ周りに水平面内で回転される。上記のスピンチャック１の周囲には、超音波式のノズル７から吐出された洗浄液Ｓが飛散することを防止するための飛散防止カップ９が配備されている。この飛散防止カップ９は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１に載置したり、図示していない搬送手段が洗浄済の基板Ｗをスピンチャック１から受け取る際に図中に矢印で示すようにスピンチャック１に対して昇降するように構成されている。なお、上記のスピンチャック１と、回転軸３と、電動モータ５とが本発明における回転支持手段に相当する。
【００３３】
ノズル７は、超音波振動を付与された洗浄液Ｓをその吐出孔７ａから基板Ｗの表面に供給するように構成されているとともに、昇降／移動機構１１によってその供給位置が回転中心Ｐａを通って揺動するように構成されている。その胴部７ｂには支持アーム８が取り付けられており、これを介して回転モータ１１ａの回転軸１１ｂに連結されている。この回転モータ１１ａは回転中心Ｐｂ周りにノズル７を基板Ｗ上で揺動するためのものであり、その回転量がエンコーダ１１ｃによって検出されて後述するコントローラ２９にフィードバックされるようになっている。
【００３４】
なお、これらの回転モータ１１ａと、回転軸１１ｂと、エンコーダ１１ｃとは基板Ｗ上で、ノズル７を移動させるものであり、本発明の移動手段に相当する。また、エンコーダ１１ｃは、本発明の位置検出手段に相当するものであり、直接的にはノズル７の位置を検出することにより、基板面内を移動する洗浄液の供給位置を検出している。
【００３５】
回転モータ１１ａとエンコーダ１１ｃを搭載している昇降ベース１１ｄは、立設されたガイド軸１１ｅに摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド軸１１ｅに並設されているボールネジ１１ｆに螺合されている。このボールネジ１１ｆは、昇降モータ１１ｇの回転軸に連動連結されており、その昇降量は回転量としてエンコーダ１１ｈによって検出されて後述するコントローラ２９にフィードバックされる。なお、上述した昇降／移動機構１１によりノズル７が昇降および揺動移動されるが、基板Ｗに洗浄液Ｓを吐出していない状態では、図２中に点線で示す待機位置に移動され、飛散防止カップ９に隣接して配備された待機ポット１３内にて待機するように構成されている。
【００３６】
ノズル７に連通接続された配管１５には、圧縮空気の圧力を、コントローラ２９から入力された電気信号に対応する圧力に変換する電空変換弁１７と、この電空変換弁１７からの圧力に応じて洗浄液供給源からの洗浄液の圧力を調節する圧力調節弁１９と、流通する洗浄液の流量をコントローラ２９の指示に応じて調節する流量調節弁２１と、洗浄液の圧力Ｐを検出する圧力センサ２３と、洗浄液の流量Ｑを検出する流量センサ２５と、コントローラ２９からの指示に応じて流路の開放／閉止を切り換えてノズル７からの洗浄液の吐出／停止を切り換える開閉弁２７とを介して洗浄液供給源からの洗浄液が供給される。
【００３７】
電空変換弁１７には、本発明の制御手段に相当するコントローラ２９から電気信号が入力され、この電気信号に応じた圧力に空気圧が調整されるが、調整された圧力は圧力調節弁１９に配備された圧力センサによって検出されてコントローラ２９にフィードバックされる。また、圧力センサ２３と流量センサ２５の検出信号Ｐ，Ｑもコントローラ２９にフィードバックされ、その信号に応じて電空変換弁１７と流量調節弁２１とが制御される。
【００３８】
超音波振動を付与した洗浄液を吐出するためのノズル７は、例えば、図３および図４に示すように構成されている。なお、図３はノズル７の一部破断縦断面図であり、図４は図３のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００３９】
胴部７ｂ内には、逆Ｌの字状に流路７ｃが形成されており、これに連通するように胴部７ｂの側面に配管１５が取り付けられている。また、胴部７ｂの下端部には、外観先細り形状を呈し、その下面に吐出孔７ａを形成されてなる先端部７ｄが固着されている。上記の流路７ｃの上部内側面には、洗浄液に超音波振動を付与するための発振体７ｅが配管１５に対向するように３個（発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 ）配設されている。これら３個の発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 は、例えば、それぞれ１．５ＭＨｚ，１．７ＭＨｚ，１．９ＭＨｚの共振周波数を有するものであり、それぞれの共振周波数が異なるように選定されている。各発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 には、高周波電圧を印加するためのケーブル７ｆが接続されており、胴部７ｂの上部から導出されている。これらのケーブル７ｆは、後述する発振体切換器３５に接続されており、いずれか１つのケーブル７ｆのみに高周波電圧が印加される。
【００４０】
なお、上記の発振体７ｅは、圧電効果や電気ひずみ効果を有する材料を、所望の機械共振周波数（上記の１．５ＭＨｚ，１．７ＭＨｚ，１．９ＭＨｚなどの超音波と呼ばれる周波数）を得られるような形状に成形したもので、例えば、圧電効果の大きな結晶や、電気ひずみ効果の大きなチタン酸ジルコン酸鉛磁器などのセラミックスなどで構成されている。
【００４１】
上記の各発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 には、コントローラ２９によって制御される発振器３１と増幅器３３を介して一定の周波数ｆ（上述した３種類の共振周波数の中のいずれか）の高周波電圧が出力ｐｗ（または振幅）で印加されるようになっている。上述したように各発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 のそれぞれは共振周波数が異なるものであるので、周波数ｆに合わせてコントローラ２９が発振体切換器３５を切り換え、周波数ｆとほぼ同一の共振周波数を有する発振体７ｅにのみ高周波電圧が印加されるように制御する。
【００４２】
上記の発振器３１は、コントローラ２９からの入力信号に応じた任意の周波数で発振するように構成されており、また上記の増幅器３３は発振器３１からの高周波小信号をコントローラ２９からの入力信号に応じた振幅に増幅するように構成されている。つまり、コントローラ２９からの指示に基づき、超音波の周波数と出力が調整可能に構成されている。
【００４３】
なお、上記の発振器３１が本発明の周波数可変手段に相当し、上記の増幅器３３が本発明の出力可変手段に相当する。
【００４４】
また、コントローラ２９には、洗浄液Ｓに付与される超音波振動の出力ｐｗを含む洗浄条件を所望するように指示して洗浄処理プログラム（レシピーとも呼ばれる）を作成したり、作成した複数の洗浄処理プログラムの中から所望のものを選択指示するため等に用いられる指示部３７がさらに接続されている。また、作成された洗浄処理プログラムを格納するためのメモリ３９もコントローラ２９に接続されている。
【００４５】
上記の洗浄処理プログラムは、基板の種類ごとなどに作成されており、例えば、図５の模式図に示すように、洗浄処理中における基板Ｗの『回転数』、洗浄処理中におけるノズル７の『移動速度』、基板Ｗ上で揺動移動させるノズル７の『移動範囲』、３個の発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 のうちのいずれを使用するかを示し、洗浄液に付与する超音波振動の『周波数』と、洗浄液に付与する超音波振動の出力ｐｗを示し、基板Ｗ面内の洗浄液の供給位置に応じた出力ｐｗである『出力データ』を含むものである。
【００４６】
出力データは、例えば、図６に示すように設定されている。
このデータでは、基板Ｗとノズル７との相対移動速度が遅い基板Ｗの中心部側では出力ｐｗをｐｗ１に低く設定しておき、次いでｐｗ２に上げ、基板Ｗの周縁部側ではｐｗ３に上げ、相対移動速度が速い周縁部側に向かうにしたがって段階的に出力ｐｗを高くしてゆくように設定されている。
【００４７】
したがって、洗浄のためにノズル７を揺動移動した際、エンコーダ１１ｃでノズル７の位置を通じて検出される基板Ｗ面内における洗浄液供給位置と、上記出力データとに基づいてコントローラ２９が増幅器３３の出力を、周波数ｆを一定に保持したまま調整することにより、基板Ｗに吐出される洗浄液の出力が図６に示した出力データのように調節される。その結果、相対移動速度が遅い基板Ｗの中心部側と、相対移動速度が速い基板Ｗの周縁部側とにおいて、基板Ｗの表面が受ける洗浄度合いを基板の全面にわたってほぼ一定にすることができる。このように超音波振動の出力ｐｗを調節するだけで洗浄度合いをほぼ一定にできるので、比較的容易に基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００４８】
また、予め作成されてメモリ３９に格納されている洗浄処理プログラムと洗浄液の出力データとが上述したように関連付けられているので、指示部３７から洗浄処理プログラムを指示するだけで基板に適切な超音波振動の出力による洗浄処理を施すことができるとともに、基板の全面にわたってほぼ均一に洗浄を行うことができる。
【００４９】
なお、上記の説明では、基板Ｗ面内の洗浄液供給位置に応じて『段階的』に超音波振動の出力ｐｗを変えるようにしたが、図７中に実線で示すように基板Ｗ面内の洗浄液供給位置に応じて『直線的』に出力ｐｗを可変するようにしてもよい。
【００５０】
また、上記の説明では、ノズル７と基板Ｗ面との相対移動速度だけに着目し、超音波振動の出力が一定であれば基板の周縁部ほど洗浄度合いが低下するとしている。しかしながら、パーティクルの種類や基板の表面状態によっては、一定出力で洗浄すると中心部側ほど洗浄度合いが低下する事態も考えられる。このような場合には、図７中に点線で示すように、基板Ｗの周縁部に向かうにしたがって洗浄液の出力ｐｗを低下させるようにすればよい。
【００５１】
さらに洗浄度合いを調節可能な洗浄条件としては、超音波振動の周波数ｆがある。この場合には、発振器３１および発振体切換器３５を制御して、図８に示すように基板Ｗ面内の洗浄液供給位置に応じて洗浄液に付与する超音波振動の周波数ｆを、出力ｐｗを一定に保持したままで調節する。具体例を挙げると、図中に実線で示すように中心部側から周縁部側に向かって段階的に周波数ｆを高めてゆく。つまり、発振体切換器３５を制御して増幅器３３から出力されている高周波電圧が印加される発振体７ｅを発振体７ｅ1 ，７ｅ2 ，７ｅ3 の順に切り換えてゆくとともに、発振体７ｅのそれぞれに固有の共振周波数に合わせて周波数ｆを切り換えてゆく。このように周波数を切り換えてゆくことによっても洗浄度合いを基板Ｗの全面にわたってほぼ一定化できる。
【００５２】
なお、上記の説明では、洗浄条件である超音波振動の出力ｐｗ，周波数ｆを個々に変える構成を例に採って説明したが、本発明は少なくとも一方の洗浄条件を基板Ｗ上のノズル７の位置、すなわち基板Ｗ面内の洗浄液供給位置に応じて変えれば良く、例えば、出力ｐｗと周波数ｆ組み合わせて変えるようにしてもよい。
【００５３】
なお、上記の実施例では、基板面内における洗浄液供給位置を位置検出手段であるエンコーダ１１ｃによって検出し、これに基づいて出力ｐｗなどの洗浄条件を変えるようにしたが、本発明の位置検出手段はこのような構成に限定されるものではなく種々の変形実施が可能である。例えば、位置検出手段としてＣＣＤカメラを使い、ノズル７から基板面内における実際の洗浄液の供給位置を検出し、これに基づいて超音波振動の出力パワーや、周波数を変えるようにしてもよい。また、例えば、基板面内における洗浄液供給位置の移動速度と移動範囲が判れば移動開始時点からの経過時間を測定することにより基板面内での洗浄液供給位置を知ることができるので、これに基づいて吐出圧などの洗浄条件を調節するような構成としてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、洗浄度合いに係わる超音波の周波数、出力のうち少なくとも一方の洗浄条件を基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に変えることによって、洗浄度合いを一定にすることができる。したがって、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００５５】
また、請求項６に記載の発明によれば、超音波の出力を基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に可変することで洗浄度合いを一定にすることができ、比較的容易に基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００５６】
また、請求項９に記載の発明によれば、超音波の周波数を基板の中心部側と周縁部側とで段階的に、または直線的に可変することで浄度合いを一定にすることができ、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００５７】
また、請求項１２に記載の発明によれば、正確に洗浄液供給位置を検出することができるので、基板面内のそれぞれの洗浄液供給位置に応じて正確に洗浄条件を可変することができて洗浄度合いを一定化できる。したがって、基板の全面にわたってより均一に洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板洗浄装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板洗浄装置の平面図である。
【図３】ノズルの一部破断縦断面図である。
【図４】図３に示したノズルのＡ−Ａ矢視断面図である。
【図５】メモリに格納された洗浄処理プログラムを示す模式図である。
【図６】出力データを示す模式図である。
【図７】出力データの他の例を示す模式図である。
【図８】周波数データを示す模式図である。
【符号の説明】
Ｗ … 基板
Ｓ … 洗浄液
１ … スピンチャック（回転支持手段）
１ａ … 支持ピン
５ … 電動モータ（回転支持手段）
７ … ノズル
７ａ … 吐出孔
９ … 飛散防止カップ
１１ … 昇降／移動機構
１１ｃ … エンコーダ（位置検出手段）
１３ … 待機ポット
２９ … コントローラ（制御手段）
３１ … 発振器（周波数可変手段）
３３ … 増幅器（出力可変手段）
３５ … 発振体切換器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate) from a nozzle. The present invention relates to a substrate cleaning method and apparatus for cleaning a substrate by discharging, and in particular, a technique for performing a cleaning process while moving a nozzle so that the supply position of the cleaning liquid in the substrate surface passes at least between the substrate center and the substrate periphery. About.
[0002]
[Prior art]
As this type of conventional substrate cleaning apparatus, for example, a rotation support mechanism that rotatably supports a substrate, a nozzle that discharges a cleaning liquid to which ultrasonic vibration of a constant output and a constant frequency is applied, And a moving mechanism that moves the nozzle at a constant speed. In such an apparatus, while rotating the substrate at a constant speed, the entire surface of the substrate is moved by reciprocating the nozzle so that the supply position of the cleaning liquid in the substrate surface moves at least between the substrate center and the substrate periphery. A cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is discharged, and particles and dust adhering to the substrate surface are separated by ultrasonic vibration to be cleaned and removed.
[0003]
In addition, since the frequency or output of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid is one of the cleaning conditions that greatly affect the cleaning effect, each lot of substrates with different degrees of adhesion of particles and dust, or each substrate type and each substrate Fine adjustment to
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
[0005]
In other words, because the substrate is rotating, the relative movement speed with respect to the nozzle is slow at the center of the substrate and increases toward the peripheral edge. May be excessively impacted by the applied ultrasonic vibration. Therefore, the ultrasonic output, which is one of the cleaning conditions, is generally set so as to achieve the most suitable cleaning level at the center of the substrate. There is a problem that the peripheral portion of the substrate having a high speed cannot be sufficiently cleaned, resulting in uneven cleaning and adversely affecting subsequent substrate processing.
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to uniformly perform the cleaning process over the entire surface of the substrate by changing the cleaning conditions in accordance with the supply position of the cleaning liquid moving in the substrate surface. An object of the present invention is to provide a substrate cleaning method and an apparatus for the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, in the substrate cleaning method according to claim 1, the cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is discharged from the nozzle to the rotating substrate, and the supply position of the discharged cleaning liquid in the substrate surface is: to move at least between the substrate center and the substrate periphery, in the substrate cleaning method for performing a cleaning process by moving by the moving means the nozzle, the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid frequency, at least one output, the substrate The center side and the peripheral side are changed stepwise or linearly .
[0008]
The substrate cleaning method according to claim 2 is characterized in that, in the substrate cleaning method according to claim 1, the output of the ultrasonic wave is lowered on the center side of the substrate and increased on the peripheral side of the substrate. It is what.
[0009]
The substrate cleaning method according to claim 3 is characterized in that, in the substrate cleaning method according to claim 1, the output of the ultrasonic wave is increased on the central portion side of the substrate and decreased on the peripheral portion side of the substrate. It is what.
[0010]
The substrate cleaning method according to claim 4 is characterized in that, in the substrate cleaning method according to claim 1, the frequency of the ultrasonic wave is lowered on the central portion side of the substrate and is increased on the peripheral portion side of the substrate. It is what.
[0011]
The substrate cleaning method according to claim 5 is characterized in that, in the substrate cleaning method according to claim 1, the frequency of the ultrasonic wave is increased on the central portion side of the substrate and decreased on the peripheral portion side of the substrate. It is what.
[0012]
Further, in the substrate cleaning apparatus according to claim 6 , the cleaning liquid to which the ultrasonic vibration is applied is discharged from the nozzle to the substrate rotating on the rotation support means, and the substrate surface of the discharged cleaning liquid is within the substrate surface. In the substrate cleaning apparatus for performing the cleaning process by moving the nozzle by the moving means so that the supply position in the substrate moves at least between the substrate center and the substrate periphery, output variable means for changing the output of the ultrasonic wave And a control means for controlling the output variable means so as to change the output of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate . It is characterized by.
[0013]
The substrate cleaning apparatus according to claim 7 is the substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein the control means lowers the output of the ultrasonic wave at the center portion side of the substrate and increases it at the peripheral portion side of the substrate. Thus, the output variable means is controlled.
[0014]
The substrate cleaning apparatus according to claim 8 is the substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein the control means increases the output of the ultrasonic wave on the center side of the substrate and decreases on the peripheral edge side of the substrate. Thus, the output variable means is controlled.
[0015]
Further, the substrate cleaning apparatus according to claim 9 causes the cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate rotating on the rotation support means to be discharged from the nozzle, and the substrate surface of the discharged cleaning liquid is within the substrate surface. In the substrate cleaning apparatus for performing the cleaning process by moving the nozzle by the moving means so that the supply position in at least moves between the center of the substrate and the peripheral edge of the substrate, a frequency variable means for changing the frequency of the ultrasonic wave; And a control means for controlling the frequency varying means so as to vary the frequency of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid stepwise or linearly between the central part side and the peripheral part side of the substrate . It is characterized by.
[0016]
The substrate cleaning apparatus according to claim 10 is the substrate cleaning apparatus according to claim 9, wherein the control means lowers the frequency of the ultrasonic wave at the center portion side of the substrate and increases it at the peripheral portion side of the substrate. In this way, the frequency variable means is controlled.
[0017]
The substrate cleaning apparatus according to claim 11 is the substrate cleaning apparatus according to claim 9, wherein the control means increases the frequency of the ultrasonic wave on the center portion side of the substrate and decreases it on the peripheral portion side of the substrate. In this way, the frequency variable means is controlled.
[0018]
A substrate cleaning apparatus according to a twelfth aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to any one of the sixth to eleventh aspects, further comprising a position detection unit that detects a supply position of the cleaning liquid that moves in the substrate plane. The control means performs control based on the position detected by the position detection means.
[0019]
[Action]
The operation of the first aspect of the invention is as follows.
Rotating on the rotation support means by changing at least one of the ultrasonic frequency and output cleaning conditions related to the degree of cleaning stepwise or linearly on the central side and the peripheral side of the substrate . The degree of cleaning can be made constant over the entire surface of the substrate.
[0020]
According to the invention described in claim 2, cleaning of the central portion side and the peripheral portion side of the substrate is performed by lowering the output of the ultrasonic wave on the central portion side of the substrate and increasing the output on the peripheral portion side of the substrate. The degree can be made constant.
[0021]
According to the third aspect of the present invention, when the degree of cleaning decreases toward the center side when cleaning is performed at a constant output, the output of the ultrasonic wave is increased on the center side of the substrate, and the peripheral portion of the substrate By making it low on the side, the degree of cleaning on the central side and the peripheral side of the substrate can be made constant.
[0022]
According to the fourth aspect of the present invention, the degree of cleaning can be made substantially constant over the entire surface of the substrate by lowering the frequency of the ultrasonic wave on the center side of the substrate and increasing it on the peripheral edge side of the substrate.
[0023]
Further, as in the invention described in claim 5, the frequency of the ultrasonic wave may be increased on the central portion side of the substrate and may be decreased on the peripheral portion side of the substrate.
[0024]
According to the invention described in claim 6 , the output variable means for changing the output of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid is changed stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate. To control. As a result, the degree of cleaning can be made constant over the entire surface of the substrate rotating on the rotation support means.
[0025]
According to the invention described in claim 7, by controlling the output of the ultrasonic wave to be low on the central portion side of the substrate and high on the peripheral portion side of the substrate, the central portion side and the peripheral portion of the substrate are controlled. The degree of cleaning with the side can be made constant.
[0026]
According to the eighth aspect of the present invention, when cleaning is performed at a constant output and the degree of cleaning decreases toward the central portion, the output of the ultrasonic wave is increased on the central portion side of the substrate, and the peripheral portion of the substrate By controlling so as to be lowered on the side, the degree of cleaning on the central side and the peripheral side of the substrate can be made constant.
[0027]
According to the ninth aspect of the present invention, the frequency varying means for varying the frequency of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid is changed stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate. To control. As a result, the degree of cleaning can be made constant over the entire surface of the substrate rotating on the rotation support means.
[0028]
Further, according to the invention described in claim 10, by controlling the ultrasonic frequency to be lower on the central portion side of the substrate and higher on the peripheral portion side of the substrate, the degree of cleaning is substantially increased over the entire surface of the substrate. Can be fixed.
[0029]
Further, as in the invention described in claim 11, the ultrasonic frequency may be controlled to be higher on the center side of the substrate and lower on the peripheral side of the substrate.
[0030]
According to the twelfth aspect of the present invention, the control unit controls the cleaning condition based on the position of the cleaning liquid supplied within the substrate surface detected by the position detecting unit, so that the cleaning condition can be set according to the accurately detected position. The degree of cleaning can be made more constant.
[0031]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment, and FIG. 2 is a plan view thereof.
[0032]
A disc-shaped spin chuck 1 having six support pins 1a formed in a cylindrical shape is rotatively driven by an electric motor 5 via a rotating shaft 3 connected to the bottom surface. Yes. By this rotational driving, the substrate W whose peripheral portion is abutted and supported by the support pins 1a is rotated in the horizontal plane around the rotation center Pa. Around the spin chuck 1, a splash prevention cup 9 is provided for preventing the cleaning liquid S discharged from the ultrasonic nozzle 7 from splashing. The anti-scattering cup 9 is configured so that an uncleaned substrate W is placed on the spin chuck 1 or when an unillustrated transport means receives the cleaned substrate W from the spin chuck 1 as indicated by an arrow in the figure. The spin chuck 1 is configured to move up and down. The spin chuck 1, the rotating shaft 3, and the electric motor 5 correspond to the rotation support means in the present invention.
[0033]
The nozzle 7 is configured to supply the cleaning liquid S to which ultrasonic vibration is applied to the surface of the substrate W from the discharge hole 7a, and the supply position thereof passes through the rotation center Pa by the lifting / moving mechanism 11. It is configured to swing. A support arm 8 is attached to the trunk portion 7b, and is connected to the rotary shaft 11b of the rotary motor 11a via this. The rotary motor 11a is for swinging the nozzle 7 on the substrate W around the rotation center Pb. The rotation amount is detected by the encoder 11c and fed back to the controller 29 described later.
[0034]
The rotary motor 11a, the rotary shaft 11b, and the encoder 11c move the nozzle 7 on the substrate W and correspond to the moving means of the present invention. The encoder 11c corresponds to the position detecting means of the present invention, and directly detects the position of the nozzle 7 to detect the supply position of the cleaning liquid that moves within the substrate surface.
[0035]
The elevating base 11d on which the rotary motor 11a and the encoder 11c are mounted is slidably fitted to the standing guide shaft 11e and is screwed to a ball screw 11f provided in parallel with the guide shaft 11e. ing. The ball screw 11f is interlocked and connected to the rotating shaft of the lifting motor 11g. The lifting amount is detected by the encoder 11h as a rotating amount and fed back to the controller 29 described later. The nozzle 7 is moved up and down and swinged by the above-described lifting / moving mechanism 11, but when the cleaning liquid S is not discharged onto the substrate W, the nozzle 7 is moved to a standby position indicated by a dotted line in FIG. It is comprised so that it may stand by in the waiting pot 13 arrange | positioned adjacent to the cup 9. FIG.
[0036]
In the pipe 15 connected to the nozzle 7, an electropneumatic conversion valve 17 that converts the pressure of the compressed air into a pressure corresponding to an electric signal input from the controller 29, and a pressure from the electropneumatic conversion valve 17. Accordingly, a pressure adjusting valve 19 that adjusts the pressure of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source, a flow rate adjusting valve 21 that adjusts the flow rate of the flowing cleaning liquid according to an instruction from the controller 29, and a pressure sensor 23 that detects the pressure P of the cleaning liquid. And the flow rate sensor 25 for detecting the flow rate Q of the cleaning liquid, and the opening / closing valve 27 for switching the opening / closing of the flow path to switch the discharge / stop of the cleaning liquid from the nozzle 7 in accordance with an instruction from the controller 29. A cleaning liquid is supplied from a supply source.
[0037]
An electric signal is input to the electropneumatic conversion valve 17 from a controller 29 corresponding to the control means of the present invention, and the air pressure is adjusted to a pressure corresponding to the electric signal. The adjusted pressure is supplied to the pressure adjusting valve 19. It is detected by the deployed pressure sensor and fed back to the controller 29. Further, the detection signals P and Q of the pressure sensor 23 and the flow rate sensor 25 are also fed back to the controller 29, and the electropneumatic conversion valve 17 and the flow rate adjustment valve 21 are controlled according to the signals.
[0038]
The nozzle 7 for discharging the cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is configured as shown in FIGS. 3 and 4, for example. 3 is a partially broken longitudinal sectional view of the nozzle 7, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
[0039]
A channel 7c is formed in an inverted L shape in the body portion 7b, and a pipe 15 is attached to the side surface of the body portion 7b so as to communicate therewith. Moreover, the front-end | tip part 7d which shows the appearance taper shape at the lower end part of the trunk | drum 7b and in which the discharge hole 7a is formed in the lower surface is adhering. Three oscillators 7e (oscillators 7e1, 7e2, 7e3) are provided on the inner surface of the upper portion of the flow path 7c so as to face the pipe 15 for applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid. These three oscillators 7e1, 7e2, and 7e3 have resonance frequencies of, for example, 1.5 MHz, 1.7 MHz, and 1.9 MHz, respectively, and are selected so that the respective resonance frequencies are different. A cable 7f for applying a high-frequency voltage is connected to each of the oscillators 7e1, 7e2, 7e3, and is led out from the upper part of the body part 7b. These cables 7f are connected to an oscillator switching device 35 described later, and a high frequency voltage is applied only to any one of the cables 7f.
[0040]
The oscillator 7e can obtain a desired mechanical resonance frequency (a frequency called an ultrasonic wave such as the above 1.5 MHz, 1.7 MHz, 1.9 MHz, etc.) from a material having a piezoelectric effect or an electrostrictive effect. For example, it is composed of a crystal having a large piezoelectric effect or a ceramic such as a lead zirconate titanate ceramic having a large electrostrictive effect.
[0041]
Each of the oscillators 7e1, 7e2, and 7e3 outputs a high-frequency voltage having a constant frequency f (any one of the three resonance frequencies described above) via an oscillator 31 and an amplifier 33 controlled by the controller 29. It is applied at pw (or amplitude). As described above, since each of the oscillators 7e1, 7e2, 7e3 has a different resonance frequency, the controller 29 switches the oscillator switch 35 according to the frequency f and has a resonance frequency substantially the same as the frequency f. Control is performed so that a high-frequency voltage is applied only to the oscillator 7e.
[0042]
The oscillator 31 is configured to oscillate at an arbitrary frequency according to an input signal from the controller 29, and the amplifier 33 receives a small high-frequency signal from the oscillator 31 according to an input signal from the controller 29. It is configured to amplify to a certain amplitude. That is, based on an instruction from the controller 29, the ultrasonic frequency and output can be adjusted.
[0043]
The oscillator 31 corresponds to the frequency variable means of the present invention, and the amplifier 33 corresponds to the output variable means of the present invention.
[0044]
In addition, the controller 29 is instructed to desire a cleaning condition including the output pw of the ultrasonic vibration applied to the cleaning liquid S, and a cleaning processing program (also called a recipe) is created, or a plurality of cleaning processing created An instruction unit 37 used to select and instruct a desired one from among the programs is further connected. A memory 39 for storing the created cleaning program is also connected to the controller 29.
[0045]
The above-described cleaning processing program is created for each type of substrate. For example, as shown in the schematic diagram of FIG. 5, the “rotation number” of the substrate W during the cleaning processing and the “7” of the nozzle 7 during the cleaning processing. "Movement speed", "Movement range" of the nozzle 7 to be oscillated on the substrate W, which of the three oscillators 7e1, 7e2, 7e3 is used, and the ultrasonic vibration " “Frequency” and an output pw of ultrasonic vibration applied to the cleaning liquid, and includes “output data” which is an output pw corresponding to the supply position of the cleaning liquid in the surface of the substrate W.
[0046]
The output data is set as shown in FIG. 6, for example.
In this data, the output pw is set low at pw1 on the center side of the substrate W where the relative movement speed between the substrate W and the nozzle 7 is slow, then raised to pw2, and then raised to pw3 on the peripheral edge side of the substrate W. The output pw is set so as to increase stepwise as it goes toward the peripheral side where the relative movement speed is fast.
[0047]
Therefore, when the nozzle 7 is swung and moved for cleaning, the controller 29 outputs the output of the amplifier 33 based on the cleaning liquid supply position in the surface of the substrate W detected by the encoder 11c through the position of the nozzle 7 and the output data. Is adjusted with the frequency f kept constant, the output of the cleaning liquid discharged onto the substrate W is adjusted as shown in the output data shown in FIG. As a result, the degree of cleaning received by the surface of the substrate W can be made substantially constant over the entire surface of the substrate W at the center portion side of the substrate W having a low relative movement speed and the peripheral portion side of the substrate W having a high relative movement speed. . As described above, since the degree of cleaning can be made almost constant only by adjusting the output pw of the ultrasonic vibration, the entire surface of the substrate can be cleaned relatively easily.
[0048]
In addition, since the cleaning process program prepared in advance and stored in the memory 39 and the output data of the cleaning liquid are associated as described above, the superimposition appropriate for the substrate can be performed simply by instructing the cleaning process program from the instruction unit 37. The cleaning process can be performed by the output of the sonic vibration and the cleaning can be performed almost uniformly over the entire surface of the substrate.
[0049]
In the above description, the ultrasonic vibration output pw is changed “stepwise” in accordance with the cleaning liquid supply position in the substrate W plane. However, as shown by the solid line in FIG. The output pw may be varied “linearly” in accordance with the cleaning liquid supply position.
[0050]
In the above description, only the relative movement speed between the nozzle 7 and the substrate W surface is focused on, and if the output of the ultrasonic vibration is constant, the degree of cleaning decreases as the peripheral edge of the substrate. However, depending on the type of particles and the surface condition of the substrate, there is a possibility that the degree of cleaning decreases toward the center when cleaning is performed at a constant output. In such a case, as indicated by a dotted line in FIG. 7, the output pw of the cleaning liquid may be decreased toward the peripheral edge of the substrate W.
[0051]
Further, as a cleaning condition capable of adjusting the cleaning degree, there is a frequency f of ultrasonic vibration. In this case, the oscillator 31 and the oscillator switching unit 35 are controlled, and the frequency f of the ultrasonic vibration applied to the cleaning liquid according to the cleaning liquid supply position in the substrate W surface as shown in FIG. Adjust while keeping constant. As a specific example, the frequency f is gradually increased from the center side toward the peripheral side as indicated by a solid line in the figure. That is, the oscillator switching device 35 is controlled to switch the oscillator 7e to which the high frequency voltage output from the amplifier 33 is applied in the order of the oscillators 7e1, 7e2, 7e3, and each oscillator 7e has its own characteristic. The frequency f is switched according to the resonance frequency. The degree of cleaning can be made almost constant over the entire surface of the substrate W by switching the frequency in this way.
[0052]
In the above description, the configuration in which the ultrasonic vibration output pw and the frequency f, which are cleaning conditions, are individually changed has been described as an example. However, in the present invention, at least one cleaning condition is applied to the nozzle 7 on the substrate W. What is necessary is just to change according to a position, ie, the washing | cleaning liquid supply position in the board | substrate W surface, for example, you may make it change in combination with the output pw and the frequency f.
[0053]
In the above-described embodiment, the cleaning liquid supply position in the substrate surface is detected by the encoder 11c as the position detection means, and the cleaning conditions such as the output pw are changed based on the detected position. Is not limited to such a configuration, and various modifications can be made. For example, a CCD camera may be used as the position detection means, and the actual cleaning liquid supply position within the substrate surface may be detected from the nozzle 7, and the output power and frequency of the ultrasonic vibration may be changed based on the detected position. Further, for example, if the moving speed and moving range of the cleaning liquid supply position in the substrate surface are known, the cleaning liquid supply position in the substrate surface can be known by measuring the elapsed time from the movement start time. The cleaning conditions such as the discharge pressure may be adjusted.
[0054]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, at least one of the cleaning conditions of the ultrasonic frequency and output related to the degree of cleaning is performed on the central side and the peripheral side of the substrate. The degree of cleaning can be made constant by changing the position or linearly . Therefore, it is possible to perform cleaning uniformly over the entire surface of the substrate.
[0055]
According to the sixth aspect of the present invention, the degree of cleaning can be made constant by changing the output of the ultrasonic wave stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate. The substrate can be cleaned uniformly over the entire surface relatively easily.
[0056]
Further, according to the invention described in claim 9 , the degree of cleanliness can be made constant by changing the frequency of the ultrasonic wave stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate. The substrate can be uniformly cleaned over the entire surface.
[0057]
According to the invention described in claim 12 , since the cleaning liquid supply position can be accurately detected, the cleaning conditions can be accurately changed according to the respective cleaning liquid supply positions in the substrate surface, and the cleaning is performed. The degree can be made constant. Therefore, cleaning can be performed more uniformly over the entire surface of the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the substrate cleaning apparatus.
FIG. 3 is a partially broken longitudinal sectional view of a nozzle.
4 is a cross-sectional view of the nozzle shown in FIG.
FIG. 5 is a schematic diagram showing a cleaning processing program stored in a memory.
FIG. 6 is a schematic diagram showing output data.
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating another example of output data.
FIG. 8 is a schematic diagram showing frequency data.
[Explanation of symbols]
W ... Substrate S ... Cleaning liquid 1 ... Spin chuck (rotation support means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a ... Support pin 5 ... Electric motor (rotation support means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 7 ... Nozzle 7a ... Discharge hole 9 ... Anti-scattering cup 11 ... Elevating / moving mechanism 11c ... Encoder (position detection means)
13 ... Standby pot 29 ... Controller (control means)
31 ... Oscillator (frequency variable means)
33 ... Amplifier (output variable means)
35 ... Oscillator switching device

Claims

The cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is discharged from the nozzle to the rotating substrate, and the supply position of the discharged cleaning liquid within the substrate surface moves at least between the substrate center and the substrate periphery. Further, in the substrate cleaning method of performing the cleaning process by moving the nozzle by the moving means,
A substrate cleaning method, wherein at least one of the frequency and output of an ultrasonic wave applied to the cleaning liquid is changed stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate.

The substrate cleaning method according to claim 1,
A method for cleaning a substrate, characterized in that the output of the ultrasonic wave is lowered at the center side of the substrate and increased at the peripheral edge side of the substrate.

The substrate cleaning method according to claim 1,
A substrate cleaning method, wherein the output of the ultrasonic wave is increased on the center side of the substrate and decreased on the periphery side of the substrate.

The substrate cleaning method according to claim 1,
A method for cleaning a substrate, characterized in that the frequency of the ultrasonic wave is lowered on the center side of the substrate and increased on the peripheral edge side of the substrate.

The substrate cleaning method according to claim 1,
A method for cleaning a substrate, characterized in that the frequency of the ultrasonic wave is increased on the center side of the substrate and decreased on the periphery side of the substrate.

The cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is discharged from the nozzle to the substrate rotating on the rotation support means, and the supply position of the discharged cleaning liquid in the substrate surface is at least between the substrate center and the substrate peripheral edge. In the substrate cleaning apparatus for performing the cleaning process by moving the nozzle by the moving means so as to move between,
Output varying means for varying the output of the ultrasonic wave;
Control means for controlling the output variable means so as to change the output of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate ;
A substrate cleaning apparatus comprising:

The substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein
The substrate cleaning apparatus characterized in that the control means controls the output variable means so as to lower the output of the ultrasonic wave on the center side of the substrate and increase it on the peripheral edge side of the substrate.

The substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein
The substrate cleaning apparatus, wherein the control means controls the output variable means so that the output of the ultrasonic wave is increased on the center side of the substrate and decreased on the peripheral edge side of the substrate.

The cleaning liquid to which ultrasonic vibration is applied is discharged from the nozzle to the substrate rotating on the rotation support means, and the supply position of the discharged cleaning liquid in the substrate surface is at least between the substrate center and the substrate peripheral edge. In the substrate cleaning apparatus for performing the cleaning process by moving the nozzle by the moving means so as to move between,
A frequency variable means for varying the frequency of the ultrasonic wave;
Control means for controlling the frequency varying means so as to vary the frequency of the ultrasonic wave applied to the cleaning liquid stepwise or linearly between the central portion side and the peripheral portion side of the substrate ;
A substrate cleaning apparatus comprising:

The substrate cleaning apparatus according to claim 9, wherein
The substrate cleaning apparatus characterized in that the control means controls the frequency varying means so as to lower the frequency of the ultrasonic wave at the center side of the substrate and increase it at the peripheral edge side of the substrate.

The substrate cleaning apparatus according to claim 9, wherein
The substrate cleaning apparatus, wherein the control means controls the frequency varying means so that the frequency of the ultrasonic wave is increased on the center side of the substrate and decreased on the peripheral edge side of the substrate.

In the substrate cleaning apparatus according to claim 11 claim 6, comprising a position detecting means for detecting the feed position of the cleaning liquid moving to the substrate surface, in a position the control means which detects said position detecting means A substrate cleaning apparatus, wherein control is performed based on the control.