JPH11233460A - Slice base peeling equipment - Google Patents

Slice base peeling equipment

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Publication number
JPH11233460A
JPH11233460A JP3328998A JP3328998A JPH11233460A JP H11233460 A JPH11233460 A JP H11233460A JP 3328998 A JP3328998 A JP 3328998A JP 3328998 A JP3328998 A JP 3328998A JP H11233460 A JPH11233460 A JP H11233460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
slice base
slice
cassette
unit
Prior art date
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Pending
Application number
JP3328998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Nakaura
健一 中浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable sure peeling a slice base from a wafer by using compact constitution. SOLUTION: A wafer Ws with a slice base which is taken out from a cassette 22 with a take-out equipment 26 is brush-cleaned with a cleaning equipment 70, mounted on a heat plate 102 and heated. When adhesive agent is sufficiently and thermally softened, a part of the slice base S is pressed with a pressure plate 114, so that the slice base S is peeled from the wafer W. The wafer W from which the slice base S is peeled is accommodated in a cassette 122 with an accommodating equipment 126.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はスライスベース剥離
装置に係り、特に内周刃式スライシングマシン等で枚葉
切断されたウェーハを一枚一枚洗浄してスライスベース
を剥離するスライスベース剥離装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a slice base peeling apparatus, and more particularly to a slice base peeling apparatus for peeling a slice base by cleaning wafers cut one by one by an inner peripheral blade slicing machine or the like. .

【0002】[0002]

【従来の技術】内周刃式スライシングマシン等でインゴ
ットからウェーハを切り出す場合、その切り終わり部分
の欠損を防止するために、インゴットの外周部にスライ
スベースを接着して切断する。このため、切り出された
ウェーハにはスライスベースが接着されている。このス
ライスベースは、後の面取工程や研磨工程では不要なも
のとなるため、切断後はウェーハから剥離される。
2. Description of the Related Art When a wafer is cut from an ingot by an inner peripheral blade type slicing machine or the like, a slice base is adhered to an outer peripheral portion of the ingot and cut in order to prevent a defect at a cut end portion. Therefore, the slice base is adhered to the cut wafer. Since this slice base is unnecessary in the subsequent chamfering step and polishing step, it is separated from the wafer after cutting.

【0003】一般に、ウェーハからスライスベースを剥
離する方法としては、ウェーハを熱水(約90℃)中に
浸透させることにより、ウェーハとスライスベースを接
着している接着剤を熱軟化させたのち、ウェーハを熱水
から引き上げてスライスベースを剥離する方法が採用さ
れている。
[0003] In general, as a method of peeling a slice base from a wafer, the wafer is immersed in hot water (about 90 ° C) to thermally soften an adhesive bonding the wafer and the slice base. A method is employed in which a wafer is pulled up from hot water and a slice base is peeled off.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ごとく熱水を用いてスライスベースを剥離すると、熱水
から発生した水蒸気により、装置が故障してしまうとい
う欠点があった。この熱水から発生した水蒸気は、排気
ダクト等の設置によって多少抑制することもできるが、
このような排気システムを設置すると、装置自体が大型
化するという欠点がある。
However, when the slice base is peeled off using hot water as described above, there is a drawback that the apparatus is broken down by steam generated from the hot water. The water vapor generated from this hot water can be somewhat suppressed by installing exhaust ducts, etc.
When such an exhaust system is installed, there is a disadvantage that the device itself becomes large.

【0005】また、熱水を用いた場合には加熱温度に限
界があるため、接着剤の種類によっては熱軟化させるの
に必要な温度が得られず、剥離不良を起こしてウェーハ
に欠けや割れが生じるという欠点もある。また、熱水か
ら引き上げ、剥離するまでの間に温度低下を起こして剥
離不良を生じるという欠点もある。さらに、カセットに
収納されたウェーハを連続的に処理していく装置では、
ウェーハを熱水から引き上げた後に装置が停止すると、
その熱水から引き上げたウェーハを熱水中に戻すことが
できないため、再起動と同時に連続処理を再開すること
ができないという不便さがあった。
In addition, when hot water is used, the heating temperature is limited, so that the temperature required for thermal softening cannot be obtained depending on the type of the adhesive, resulting in poor peeling and chipping or cracking of the wafer. There is also a drawback that occurs. In addition, there is also a disadvantage that the temperature is lowered between hot water and peeling to cause poor peeling. Furthermore, in an apparatus that continuously processes wafers stored in a cassette,
When the equipment stops after the wafer is pulled out of hot water,
Since the wafer pulled up from the hot water cannot be returned to the hot water, there is an inconvenience that continuous processing cannot be resumed simultaneously with the restart.

【0006】本発明は、このような事情を鑑みてなされ
たもので、コンパクトな構成でウェーハからスライスベ
ースを確実に剥離することができるスライスベース剥離
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a slice base peeling apparatus capable of reliably peeling a slice base from a wafer with a compact configuration.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、インゴットから切り出されたウェーハの
周縁に接着されているスライスベースをウェーハから剥
離するスライスベース剥離装置において、スライスベー
ス付きウェーハが多数収納された供給カセットと、スラ
イスベースが剥離されたウェーハが回収される回収カセ
ットと、前記供給カセットからスライスベース付きウェ
ーハを一枚ずつ取り出す取出手段と、前記スライスベー
ス付きウェーハを洗浄する洗浄手段と、前記取出手段で
取り出されたスライスベース付きウェーハを前記洗浄手
段に搬送する第1搬送手段と、前記スライスベース付き
ウェーハを加熱して前記スライスベースと前記ウェーハ
とを接着している接着剤を熱軟化させる加熱手段と、前
記加熱手段で加熱して接着剤を熱軟化させたスライスベ
ース付きウェーハのスライスベースを押圧してウェーハ
から剥離する剥離手段と、前記洗浄手段によって洗浄さ
れたスライスベース付きウェーハを前記加熱手段に搬送
する第2搬送手段と、前記スライスベースが剥離された
ウェーハを前記回収カセットに一枚ずつ収納する収納手
段と、前記剥離手段によってスライスベースが剥離され
たウェーハを前記収納手段に搬送する第3搬送手段と、
からなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a slice base peeling apparatus for peeling a slice base adhered to the periphery of a wafer cut from an ingot from the wafer. A supply cassette in which a large number of wafers are stored, a collection cassette in which the wafers from which the slice base has been peeled are collected, an extraction unit for taking out the wafers with slice bases one by one from the supply cassette, and cleaning the wafers with slice bases Cleaning means, first transport means for transporting the wafer with a slice base taken out by the removal means to the cleaning means, and bonding for heating the wafer with a slice base and bonding the slice base to the wafer Heating means for thermally softening the agent, and heating by the heating means Peeling means for pressing the slice base of the wafer with a slice base having the adhesive thermally softened to peel the wafer from the wafer, and second transport means for transporting the wafer with the slice base washed by the cleaning means to the heating means. A storage unit for storing the wafer from which the slice base has been peeled one by one in the collection cassette, and a third transport unit for transporting the wafer from which the slice base has been peeled by the peeling unit to the storage unit,
It is characterized by consisting of.

【0008】本発明によれば、供給カセットに多数収納
されたスライスベース付きウェーハは、取出手段によっ
て一枚ずつ供給カセットから取り出され、第1搬送手段
によって洗浄手段に搬送される。そして、その洗浄手段
で洗浄されたのち、第2搬送手段によって加熱手段に搬
送される。加熱手段では、スライスベース付きウェーハ
を加熱し、スライスベースとウェーハとを接着している
接着剤を熱軟化させる。そして、その接着剤を熱軟化さ
せたスライスベース付きウェーハのスライスベースを剥
離手段で押圧してウェーハからスライスベースを剥離す
る。スライスベースが剥離されたウェーハは、第3搬送
手段によって剥離手段から収納手段に搬送され、その搬
送手段によって回収カセットに収納される。
According to the present invention, a large number of wafers with slice bases stored in the supply cassette are taken out of the supply cassette one by one by the take-out means, and transferred to the cleaning means by the first transfer means. Then, after being washed by the washing means, it is conveyed to the heating means by the second conveying means. The heating means heats the wafer with the slice base and thermally softens the adhesive bonding the slice base and the wafer. Then, the slice base of the wafer with a slice base having the adhesive thermally softened is pressed by a peeling means to peel the slice base from the wafer. The wafer from which the slice base has been peeled is transported from the peeling means to the storage means by the third transport means, and is stored in the collection cassette by the transport means.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るスライスベース剥離装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。図1、図2は、それぞれ本実施の形態のス
ライスベース剥離装置の全体構成を示す正面図と平面図
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a slice-based peeling apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are a front view and a plan view, respectively, showing the overall configuration of a slice-based peeling apparatus according to the present embodiment.

【0010】同図に示すように、前記スライスベース剥
離装置10は、供給部12、反転部14、洗浄部16、
剥離部18及び回収部20を主要部として構成されてい
る。以下、各構成部ごとに分けて説明する。前記供給部
12は、カセット22に収納されたスライスベース付き
ウェーハW S をカセット22から一枚ずつ取り出し、順
次次工程に供給する。この供給部12は、カセット22
を位置決めするカセット位置決め装置24と、そのカセ
ット位置決め装置24によって所定位置に位置決めされ
たカセット22からスライスベース付きウェーハWS
取り出す取出装置26とから構成されている。
[0010] As shown in FIG.
The separation device 10 includes a supply unit 12, a reversing unit 14, a cleaning unit 16,
The separation unit 18 and the recovery unit 20 are configured as main parts.
You. Hereinafter, each component will be described separately. The supply section
12 has a slice base stored in the cassette 22
Wafer W SOut of the cassette 22 one by one,
Supply to the next process. The supply unit 12 includes a cassette 22
And a cassette positioning device 24 for positioning the cassette.
Is positioned at a predetermined position by the
Wafer W with slice base from cassette 22STo
And a take-out device 26.

【0011】まず、カセット位置決め装置24の構成に
ついて説明する。図1に示すように、スライスベース剥
離装置本体10Aの左側部には、支持部材28を介して
ベース30が垂直に取り付けられている。このベース3
0の正面部には、図3に示すように、ガイドレール3
2、32が垂直に敷設されており、該ガイドレール3
2、32上をスライドテーブル34がスライド自在に支
持されている。
First, the configuration of the cassette positioning device 24 will be described. As shown in FIG. 1, a base 30 is vertically attached via a support member 28 to the left side of the slice base peeling apparatus main body 10A. This base 3
0, a guide rail 3 as shown in FIG.
2 and 32 are laid vertically, and the guide rail 3
A slide table 34 is slidably supported on 2 and 32.

【0012】前記スライドテーブル34には、第1カセ
ット載台36Aと第2カセット載台36Bが所定の間隔
をもって水平に配設されている。スライスベース付きウ
ェーハWS が収納されたカセット22、22は、この第
1カセット載台36Aと第2カセット載台36Bの上に
セットされ、図示しないロック手段によってロックされ
る。
On the slide table 34, a first cassette mounting table 36A and a second cassette mounting table 36B are horizontally disposed at a predetermined interval. Cassette 22, 22 slice base wafer with W S is housed, a first cassette loading table 36A is set on the second cassette load platform 36B, it is locked by locking means not shown.

【0013】なお、同図に示すようにカセット22は立
方形状をしており、その内部には多数段の収納室22
a、22a、…が仕切板22b、22b、…によって仕
切られて形成されている。スライスベース付きウェーハ
S は、各収納室22a、22a、…内に一枚一枚分離
された状態で載置され、収納されている。また、前記ベ
ース30の背面部にはモータ38が設けられており、該
モータ38の出力軸には垂直に配設されたネジ棒40が
連結されている。このネジ棒40には、前記スライドテ
ーブル34の背面部に設けられたナット部材34aが螺
合されており、このネジ棒40を前記モータ38で回転
させることにより、スライドテーブル34が上下動す
る。そして、このスライドテーブル34が上下動するこ
とにより、前記カセット載台36A、36B上にセット
されたカセット22、22が上下動する。
The cassette 22 has a cubic shape as shown in FIG.
a, 22a,... are partitioned by partition plates 22b, 22b,. Slice base with the wafer W S is the storage chamber 22a, 22a, is placed in a state of being separated one by one in ... in, are housed. A motor 38 is provided on the back surface of the base 30, and an output shaft of the motor 38 is connected to a vertically disposed screw bar 40. A nut member 34 a provided on the back surface of the slide table 34 is screwed to the screw bar 40. The rotation of the screw bar 40 by the motor 38 causes the slide table 34 to move up and down. When the slide table 34 moves up and down, the cassettes 22 set on the cassette mounting tables 36A and 36B move up and down.

【0014】次に、取出装置26の構成について説明す
る。図1及び図2に示すように、取出装置26は、前記
ベース30の上端部に支持部材42を介して水平に設置
されている。この取出装置26は、プッシャ44を有し
ており、該プッシャ44は取出装置本体26Aに備えら
れた図示しない駆動手段によって水平にスライド移動す
る。
Next, the configuration of the take-out device 26 will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the take-out device 26 is installed horizontally at the upper end of the base 30 via a support member 42. The take-out device 26 has a pusher 44, and the pusher 44 slides horizontally by driving means (not shown) provided in the take-out device main body 26A.

【0015】以上のように構成された供給部12は、次
のようにしてスライスベース付きウェーハWS を供給す
る。オペレータがカセット位置決め装置24の第1カセ
ット載台36Aと第2カセット載台36B上にカセット
22、22をセットすると、モータ38が駆動されて一
番初めにカセット22から取り出すスライスベース付き
ウェーハWS の位置決めがなされる。この位置決めは、
前記第1カセット載台36A上にセットされているカセ
ット22の最上段の収納室22aに収納されているスラ
イスベース付きウェーハWS が所定の取出位置に位置す
るように位置決めされる。
The supply unit 12 constructed as described above, supplies the slice base wafer with W S in the following manner. When the operator sets the cassettes 22, 22 on the first cassette mounting base 36A and the second cassette mounting base 36B of the cassette positioning device 24, the motor 38 is driven and the wafer W S with the slice base to be taken out of the cassette 22 first is taken out. Is determined. This positioning is
It said first cassette loading table 36A on the slice base wafer with W S accommodated in the uppermost storage chamber 22a of the cassette 22 which has been set is positioned so as to be positioned at a predetermined take-out position.

【0016】一番初めにカセット22から取り出すスラ
イスベース付きウェーハWS 、すなわち、前記第1カセ
ット載台36A上にセットされているカセット22の最
上段の収納室22aに収納されているスライスベース付
きウェーハWS が、前記取出位置に位置すると、次い
で、プッシャ44が図示しない駆動手段に駆動されて前
方(カセット22の方向)に向けて水平にスライド移動
する。
A wafer W S with a slice base to be taken out of the cassette 22 first, ie, with a slice base stored in the uppermost storage chamber 22a of the cassette 22 set on the first cassette mounting table 36A. When the wafer W S is located at the unloading position, the pusher 44 is driven by a driving unit (not shown) to horizontally slide forward (toward the cassette 22).

【0017】プッシャ44が前方にスライド移動する
と、このスライド移動したプッシャ44に押されてスラ
イスベース付きウェーハWS が前方に押され、これによ
り、スライスベース付きウェーハWS がカセット22か
ら取り出される。前記のごとくスライスベース付きウェ
ーハWS がカセット22から取り出されると、プッシャ
44はカセット22から退避し、元の状態に復帰する。
[0017] pusher 44 is slid forward, the slide is pushed by the pusher 44 which moves the slice base wafer with W S is pushed forward, thereby, slice base wafer with W S is taken out from the cassette 22. When slice base wafer with W S as the is taken out from the cassette 22, the pusher 44 is retracted from the cassette 22 to return to the original state.

【0018】一方、前記プッシャ44がカセット22か
ら退避すると、カセット位置決め装置24のモータ38
が駆動され、次にカセット22から取り出すスライスベ
ース付きウェーハWS の位置決めがなされる。すなわ
ち、前記第1カセット載台36A上にセットされている
カセット22の2段目の収納室22aに収納されている
スライスベース付きウェーハWS が取出位置に位置する
ように位置決めされる。そして、同様の方法でカセット
22から取り出される。
On the other hand, when the pusher 44 retracts from the cassette 22, the motor 38 of the cassette positioning device 24
There is driven, then the positioning of the slice base wafer with W S is taken out from the cassette 22 is made. That is, the first cassette load platform slice base wafer with W S housed in the second stage of the housing chamber 22a of the cassette 22 is set on the 36A is positioned so as to be positioned in the removal position. Then, it is taken out of the cassette 22 in the same manner.

【0019】このように、カセット位置決め装置24は
上段のスライスベース付きウェーハWS がカセット22
から取り出され次第、順次カセット22を上昇させ、カ
セット22に収納されているスライスベース付きウェー
ハWS を取出位置に位置させる。なお、このときのカセ
ット22の上昇量は、カセット22内に収納されている
スライスベース付きウェーハWS 、WS 、…の上下の間
隔と同一に設定する。
[0019] In this way, the cassette positioning device 24 is the top of the slice base with wafer W S cassette 22
Upon retrieved from, increased sequentially cassette 22 to position the slice base wafer with W S contained in the cassette 22 in the removal position. Note that the amount of elevation of the cassette 22 at this time is set to be equal to the vertical interval between the wafers W S with slice bases W S , W S ,.

【0020】また、第1カセット載台36Aにセットさ
れたカセット22内のスライスベース付きウェーハWS
が全て取り出されたところで、前記第2カセット載台3
6A上にセットされているカセット22の最上段の収納
室22aに収納されているスライスベース付きウェーハ
S が、前記取出位置に位置するように位置決めがなさ
れ、同様の手順で順次取り出しが行われる。
The wafer W S with a slice base in the cassette 22 set on the first cassette mounting table 36A.
Is completely removed, the second cassette mounting table 3
The wafer W S with slice base stored in the uppermost storage chamber 22a of the cassette 22 set on 6A is positioned so as to be located at the extraction position, and is sequentially extracted in the same procedure. .

【0021】また、前記カセット22内に収納されてい
るスライスベース付きウェーハWSは全てそのスライス
ベースSの方向が一定になるようにして収納されてい
る。すなわち、押し出される方向にスライスベースSが
位置するようにして収納されている。次に、反転部14
について説明する。反転部14は、供給部12から供給
されたスライスベース付きウェーハWS を洗浄部16に
搬送するとともに、スライスベース付きウェーハWS
180°回転させ、スライスベースSの方向を搬送方向
とは逆向きにさせる。すなわち、供給部12から供給さ
れてくるスライスベース付きウェーハWS は、前述した
ようにスライスベースSの向きが搬送方向と同方向に向
いた状態で供給されてくるので、これを180°回転さ
せて搬送方向と逆方向に向かせる。これは、スライスベ
ースSの向きが搬送方向と同方向に向いていることによ
り、そのスライスベースSに部材が引っ掛かり、スムー
ズな搬送が阻害されるのを防止するため、及び、後に説
明するスライスベース付きウェーハWS の位置決めを容
易に行うようにするためである。
Further, the slice base with wafers housed in the cassette 22 W S is the direction of all the slice base S are accommodated so as to become constant. That is, the slice base S is accommodated so as to be located in the pushing direction. Next, the reversing unit 14
Will be described. Inverting unit 14, conveys the slice base wafer with W S supplied from the supply unit 12 to the cleaning unit 16, a slice base wafer with W S is rotated 180 °, opposite to the conveying direction in the direction of slice base S Orient it. That is, since the slice base-equipped wafer W S supplied from the supply unit 12 is supplied in a state where the direction of the slice base S is oriented in the same direction as the transport direction as described above, the wafer is rotated by 180 °. In the direction opposite to the transport direction. This is because the slice base S is oriented in the same direction as the transport direction, so that the members are prevented from being caught on the slice base S and the smooth transport is hindered. in order that the easy to position the wafer W S per.

【0022】以上の反転部14は、図1及び図2に示す
ように、スライスベース付きウェーハWS を搬送する搬
送装置50と、スライスベース付きウェーハWS を回転
させる回転装置52とから構成されている。まず、搬送
装置50の構成について説明する。スライスベース剥離
装置本体10A上に垂直に立設された支柱54の上端部
には、丸ベルトコンベア56が水平に設置されている。
前記供給部12のカセット22からプッシャ44によっ
て押し出されたスライスベース付きウェーハWS は、こ
の丸ベルトコンベア56のベルト56A、56A上に載
置され、該丸ベルトコンベア56によって洗浄部16に
搬送される。
The above inversion section 14, as shown in FIGS. 1 and 2, a conveying device 50 for conveying the slice base wafer with W S, is composed of the rotating device 52 for rotating the slice base wafer with W S ing. First, the configuration of the transport device 50 will be described. A round belt conveyor 56 is horizontally installed at the upper end of a column 54 vertically erected on the slice base peeling apparatus main body 10A.
The wafer W S with slice base pushed out of the cassette 22 of the supply unit 12 by the pusher 44 is placed on the belts 56A, 56A of the round belt conveyor 56, and is conveyed to the cleaning unit 16 by the round belt conveyor 56. You.

【0023】前記丸ベルトコンベア56の両側には、ガ
イド材58、58が配設されており、該ガイド材58、
58は前記支柱54の上端部に水平に支持されている。
前記丸ベルトコンベア56によって搬送されるスライス
ベース付きウェーハWS は、このガイド材58、58に
ガイドされながら搬送される。次に、回転装置52の構
成について説明する。図4に示すように、前記丸ベルト
コンベア56の上方位置には、前記支柱54に垂直に設
けられた支持ブラケット60を介してシリンダ62が設
けられている。このシリンダ62のロッドは、前記丸ベ
ルトコンベア56に対して垂直に進退移動し、その先端
部にモータブラケット63が連結されている。
Guide members 58, 58 are provided on both sides of the round belt conveyor 56.
Reference numeral 58 is horizontally supported by the upper end of the support 54.
The slice base-equipped wafer W S conveyed by the round belt conveyor 56 is conveyed while being guided by the guide members 58. Next, the configuration of the rotating device 52 will be described. As shown in FIG. 4, a cylinder 62 is provided at a position above the round belt conveyor 56 via a support bracket 60 provided vertically to the support column 54. The rod of the cylinder 62 advances and retreats vertically with respect to the round belt conveyor 56, and a motor bracket 63 is connected to the end thereof.

【0024】モータブラケット63にはモータ64が支
持されており、このモータ64の出力軸には吸着パッド
66が連結されている。吸着パッド66は、前記モータ
ブラケット63に設けられた軸受部材68に回動自在に
支持されており、前記モータ64を駆動することにより
回転する。以上のように構成された回転装置52では、
吸着パッド66はシリンダ62を駆動することにより上
下動し、モータ64を駆動することにより回転する。
A motor 64 is supported by the motor bracket 63, and a suction pad 66 is connected to an output shaft of the motor 64. The suction pad 66 is rotatably supported by a bearing member 68 provided on the motor bracket 63, and is rotated by driving the motor 64. In the rotating device 52 configured as described above,
The suction pad 66 moves up and down by driving the cylinder 62, and rotates by driving the motor 64.

【0025】次に、前記のごとく構成された反転部14
によるスライスベース付きウェーハWS の搬送方法及び
反転方法について説明する。前記供給部12のプッシャ
44によってカセット22からスライスベース付きウェ
ーハWS が押し出されると、その押し出されたスライス
ベース付きウェーハWS は、丸ベルトコンベア56上に
載置される。
Next, the reversing section 14 constructed as described above is used.
Described transfer method and the inversion method of the slice base with the wafer W S by. When slice base wafer with W S from the cassette 22 is pushed out by the pusher 44 of the feeding section 12, the extruded slice base with the wafer W S is placed on the round belt conveyor 56.

【0026】丸ベルトコンベア56上にスライスベース
付きウェーハWS が載置されると、丸ベルトコンベア5
6が駆動され、スライスベース付きウェーハWS が洗浄
部16に向けて搬送される。なお、スライスベース付き
ウェーハWS が丸ベルトコンベア56上に載置されたこ
とは、図示しないセンサによって検出される。そして、
このセンサの検出により、丸ベルトコンベア56が駆動
される。
[0026] When the round belt conveyor 56 on the slice base with wafer W S is placed, the round belt conveyor 5
6 is driven, slice base wafer with W S is conveyed toward the cleaning portion 16. Note that the slice base wafer with W S is mounted on the round belt conveyor 56 is detected by a sensor (not shown). And
The round belt conveyor 56 is driven by the detection of this sensor.

【0027】丸ベルトコンベア56によってスライスベ
ース付きウェーハWS が所定の反転位置(吸着パッド6
6の真下の位置)まで搬送されると、その丸ベルトコン
ベア56の駆動は一時停止される。そして、その停止
後、シリンダ62に駆動された吸着パッド66が所定量
下降し、丸ベルトコンベア56上のスライスベース付き
ウェーハWS を吸着保持する。
The slice base wafer with W S by a round belt conveyor 56 a predetermined reversing position (the suction pads 6
6), the driving of the round belt conveyor 56 is temporarily stopped. After the stop, the suction pad 66 which is driven into the cylinder 62 by a predetermined amount downward, suction-holds the slice base wafer with W S on round belt conveyor 56.

【0028】スライスベース付きウェーハWS を保持し
た吸着パッド66は、再びシリンダ62によって所定量
上昇し、丸ベルトコンベア56上からスライスベース付
きウェーハWS を引き上げる。そして、モータ64によ
って180°回転させられる。この結果、スライスベー
ス付きウェーハWS は、そのスライスベースSの向きが
搬送方向と逆方向になる。
The suction pad 66 holding the wafer W S with slice base is again raised by a predetermined amount by the cylinder 62, and lifts the wafer W S with slice base from the round belt conveyor 56. Then, it is rotated 180 ° by the motor 64. As a result, the orientation of the slice base S of the wafer W S with slice base is opposite to the transport direction.

【0029】吸着パッド66はモータ64によって18
0°回転させられた後、再びシリンダ62に駆動されて
下降し、丸ベルトコンベア56上にスライスベース付き
ウェーハWS を載置する。そして、丸ベルトコンベア5
6上に載置されたスライスベース付きウェーハWS は、
その丸ベルトコンベア56によって洗浄部14に向けて
搬送される。
The suction pad 66 is moved by the motor 64 to the position 18.
0 after being ° rotated, it descends again driven in the cylinder 62 to place the slice base wafer with W S on the round belt conveyor 56. And round belt conveyor 5
The wafer W S with the slice base placed on 6 is
The round belt conveyor 56 conveys the cleaning unit 14 toward the cleaning unit 14.

【0030】なお、スライスベース付きウェーハWS
反転位置に搬送されたことは、図示しないセンサによっ
て検出される。そして、このセンサの検出により、丸ベ
ルトコンベア56の駆動が停止される。次に、洗浄部1
6について説明する。洗浄部16は、スライスベース付
きウェーハWS の洗浄を行う。この洗浄部16は、洗浄
装置70とウェーハ位置決め装置72とから構成されて
いる。
[0030] Note that the slice base wafer with W S is conveyed to the reverse position is detected by a sensor (not shown). The drive of the round belt conveyor 56 is stopped by the detection of this sensor. Next, the cleaning unit 1
6 will be described. Cleaning unit 16, to clean the slice base with wafer W S. The cleaning unit 16 includes a cleaning device 70 and a wafer positioning device 72.

【0031】まず、洗浄装置70の構成について説明す
る。スライスベース剥離装置本体10A上に設置された
架台74上には、図5に示すように、洗浄槽76が設置
されている。この洗浄槽76の内部には、図6に示すよ
うに上下一対の洗浄ブラシ78、78が回動自在に設け
られている。この一対の洗浄ブラシ78、78は、図示
しない駆動手段に駆動されて回転する。そして、スライ
スベース付きウェーハWS は、この一対の洗浄ブラシ7
8、78の間を通過することにより、その両面をブラシ
洗浄される。
First, the configuration of the cleaning device 70 will be described. As shown in FIG. 5, a cleaning tank 76 is provided on a gantry 74 provided on the slice base peeling apparatus main body 10A. As shown in FIG. 6, a pair of upper and lower cleaning brushes 78, 78 are rotatably provided inside the cleaning tank 76. The pair of cleaning brushes 78, 78 is driven and rotated by driving means (not shown). The wafer W S with the slice base is provided with the pair of cleaning brushes 7.
By passing between 8, 78, both sides are brush-cleaned.

【0032】また、前記洗浄ブラシ78、78の近傍に
は、それぞれ洗浄液噴射ノズル80、80が設置されて
おり、スライスベース付きウェーハWS は、この洗浄液
噴射ノズル80、80から洗浄液を噴射されながらブラ
シ洗浄される。前記洗浄ブラシ78、78の前段及び後
段位置には、それぞれ上下一対からなる搬送ローラ82
A、82Bが設置されている。搬送ローラ82A、82
Bは、それぞれ図示しない駆動手段に駆動されて回転
し、この回転する一対の搬送ローラ82A、82Bによ
ってスライスベース付きウェーハWS が搬送される。
Further, the in the vicinity of the cleaning brush 78 are each cleaning solution spray nozzles 80 and 80 are installed, slice base with the wafer W S while being injected cleaning liquid from the cleaning liquid injection nozzle 80, 80 Brush washed. A pair of upper and lower conveying rollers 82 is provided at the front and rear positions of the cleaning brushes 78 and 78, respectively.
A and 82B are installed. Transport rollers 82A, 82
B is rotated by being driven by a driving means (not shown), respectively, the rotating pair of conveying rollers 82A, the slice base with wafer W S by 82B is conveyed.

【0033】また、前記搬送ローラ82A、82Bの後
段位置には、上下一対からなるエアノズル84、84が
設置されており、前記洗浄ブラシ78、78によってブ
ラシ洗浄されたスライスベース付きウェーハWS は、こ
のエアノズル84、84から噴射される圧縮エアによっ
て、その表面に付着した洗浄液が吹き飛ばされる。次
に、ウェーハ位置決め装置72の構成について説明す
る。図5に示すように、前記エアノズル84の後段位置
には、丸ベルトコンベア86が設置されている。前記搬
送ローラ82A、82Bによって搬送されたスライスベ
ース付きウェーハWS は、この丸ベルトコンベア86上
に移送され、該丸ベルトコンベア86によって図5中右
方向に搬送される。
Further, a pair of upper and lower air nozzles 84, 84 are provided at the rear position of the transport rollers 82A, 82B, and the wafer W S with slice base, which has been brush-cleaned by the cleaning brushes 78, 78, The cleaning liquid attached to the surface is blown off by the compressed air jetted from the air nozzles 84, 84. Next, the configuration of the wafer positioning device 72 will be described. As shown in FIG. 5, a round belt conveyor 86 is installed at a position subsequent to the air nozzle 84. The conveying roller 82A, the wafer W S with slice base carried by 82B is transported on the round belt conveyor 86, it is conveyed by the round belt conveyor 86 to the right in FIG.

【0034】前記丸ベルトコンベア86の両側部には、
それぞれガイド材88、88が配設されており、このガ
イド材88、88によって、丸ベルトコンベア86によ
って搬送されるスライスベース付きウェーハWS がガイ
ドされる。また、前記丸ベルトコンベア86の後段位置
には、7本の位置決めピン90、90、…が円弧状に配
設されており、この位置決めピン90、90、…に丸ベ
ルトコンベア86によって搬送されたスライスベース付
きウェーハWS の周縁が当接することにより、スライス
ベース付きウェーハWS が所定の受渡位置に位置決めさ
れる。
On both sides of the round belt conveyor 86,
Each guide member 88 is disposed, by the guide member 88, the slice base wafer with W S conveyed by the round belt conveyor 86 is guided. .. Are arranged in an arc shape at the subsequent position of the round belt conveyor 86, and are conveyed by the round belt conveyor 86 to the positioning pins 90, 90,. The wafer W S with a slice base is positioned at a predetermined delivery position by abutting the peripheral edge of the wafer W S with a slice base.

【0035】なお、前記スライスベース付きウェーハW
S が前記位置決めピン90、90、…に当接すると、丸
ベルトコンベア86の駆動が停止され、スライスベース
付きウェーハWS は受渡位置に位置決めされた状態で停
止する。このスライスベース付きウェーハWS の位置決
めピン90、90、…への当接は、図示しないセンサに
よって検出し、この検出により丸ベルトコンベア86の
駆動を停止する。
The wafer W with the slice base
S is the positioning pins 90, 90 and abuts ... to the drive of the round belt conveyor 86 is stopped, slice base with the wafer W S is stopped in a state of being positioned in the delivery position. Positioning pins 90, 90 of the slice base wafer with W S, ... contact to detects by a sensor (not shown) stops driving the round belt conveyor 86 by the detection.

【0036】次に、剥離部18について説明する。この
剥離部18は、スライスベース付きウェーハWS からス
ライスベースSを剥離し、加熱装置92、剥離・搬送装
置94とから構成されている。まず、加熱装置92の構
成について説明する。図7に示すように、スライスベー
ス剥離装置本体10A上に設置された架台98上には、
ブラケット100を介してヒートプレート102が水平
に設置されている。前記洗浄部16で洗浄されたスライ
スベース付きウェーハWS は、次述する剥離・搬送装置
94によってこのヒートプレート102上に移載され
る。そして、このヒートプレート102によって加熱さ
れる。
Next, the peeling section 18 will be described. The peeling section 18 peels the slice base S from the wafer WS with the slice base, and includes a heating device 92 and a peeling / transporting device 94. First, the configuration of the heating device 92 will be described. As shown in FIG. 7, on a pedestal 98 installed on the slice base peeling apparatus main body 10A,
A heat plate 102 is installed horizontally via a bracket 100. The cleaned in the cleaning unit 16 slice base with the wafer W S is transferred onto the heat plate 102 by the peeling and conveying device 94 which will be described next. Then, it is heated by the heat plate 102.

【0037】次に、剥離・搬送装置94の構成について
説明する。図9、図10、図11は、それぞれ剥離・搬
送装置94の正面図、側面図、平面図である。同図に示
すように、スライスベース剥離装置本体10A上に垂直
に立設された支柱104には、水平スライドユニット1
06が設けられている。この水平スライドユニット10
6は、前記支柱104に水平に配設された水平スライド
レール106Aと、その水平スライドレール106A上
を図示しない駆動手段に駆動されてスライド移動する水
平スライドブロック106Bとから構成されている。
Next, the configuration of the peeling / transporting device 94 will be described. 9, 10, and 11 are a front view, a side view, and a plan view of the peeling / transporting device 94, respectively. As shown in the figure, a horizontal slide unit 1 is provided on a support column 104 vertically erected on a slice base peeling apparatus main body 10A.
06 is provided. This horizontal slide unit 10
Reference numeral 6 denotes a horizontal slide rail 106A disposed horizontally on the column 104, and a horizontal slide block 106B which is slid and moved on the horizontal slide rail 106A by driving means (not shown).

【0038】水平スライドブロック106Bには、垂直
スライドユニット108が設けられており、該垂直スラ
イドユニット108は、前記水平スライドブロック10
6Bに垂直に配設された垂直スライドレール108A
と、その垂直スライドレール108A上を図示しない駆
動手段に駆動されてスライド移動する垂直スライドブロ
ック108Bとから構成されている。
The horizontal slide block 106B is provided with a vertical slide unit 108, and the vertical slide unit 108
Vertical slide rail 108A vertically disposed on 6B
And a vertical slide block 108B that slides on the vertical slide rail 108A by driving means (not shown).

【0039】この垂直スライドブロック108Bには、
更にスライドプレート110が設けられており、該スラ
イドプレート110は前記水平スライドブロック106
Bをスライドさせることにより水平方向に移動し、前記
垂直スライドブロック108Bをスライドさせることに
より垂直方向に移動する。前記のごとくスライド移動す
るスライドプレート110の先端部には、剥離用シリン
ダ112が設置されており、該剥離用シリンダ112の
ロッド先端部には押圧板114が水平に固着されてい
る。この押圧板114は、図11に示すように三日月状
に形成されており、この押圧板114で前記ヒートプレ
ート102上に載置されたスライスベース付きウェーハ
S のスライスベースSを押圧することにより、スライ
スベースSをウェーハWから剥離する。
The vertical slide block 108B has
Further, a slide plate 110 is provided, and the slide plate 110 is
B moves in the horizontal direction by sliding, and the vertical slide block 108B moves in the vertical direction by sliding. A peeling cylinder 112 is provided at the tip of the slide plate 110 that slides as described above, and a pressing plate 114 is horizontally fixed to the rod tip of the peeling cylinder 112. The pressing plate 114 is formed in a crescent shape as shown in FIG. 11, and the pressing plate 114 presses the slice base S of the wafer W S with the slice base placed on the heat plate 102. Then, the slice base S is separated from the wafer W.

【0040】また、前記スライドプレート110には、
第1吸着パッド116Aと第2吸着パッド116Bとが
所定の間隔をもって配設されている。ウェーハWは、こ
の第1吸着パッド116Aと第2吸着パッド116Bに
よって吸着保持され、この状態で前記スライドプレート
110を垂直、水平方向にスライド移動させることによ
り搬送する。
The slide plate 110 has
The first suction pad 116A and the second suction pad 116B are arranged at a predetermined interval. The wafer W is sucked and held by the first suction pad 116A and the second suction pad 116B, and in this state, the slide plate 110 is transferred by being slid vertically and horizontally.

【0041】なお、第1吸着パッド116Aは、前述し
た洗浄部16の受渡位置からヒートプレート102上に
スライスベース付きウェーハWS を搬送し、第2吸着パ
ッド116Bは、ヒートプレート102上から後述する
収納部20のウェーハ搬送テーブル128上にスライス
ベース剥離後のウェーハを搬送する。以上のように構成
された剥離部18は、次のようにしてスライスベース付
きウェーハWS からスライスベースSを剥離する。
[0041] The first suction pad 116A carries the slice base wafer with W S on the heat plate 102 from the delivery position of the cleaning unit 16 described above, the second suction pad 116B will be described later from above the heat plate 102 The wafer after the slice base is peeled is transferred onto the wafer transfer table 128 in the storage section 20. The peeling unit 18 configured as described above peels the slice base S from the wafer WS with a slice base as follows.

【0042】ブラシ洗浄が終了して、所定の受渡位置に
スライスベース付きウェーハが搬送されると、剥離・搬
送装置94のスライドプレート110が図1中左方向に
所定距離水平移動する。この結果、スライドプレート1
10に設けられた第1吸着パッド116Aが、洗浄部1
6の受渡位置の真上に位置する(図1に二点破線で示す
状態)。
When the wafer with the slice base is transported to a predetermined delivery position after the brush cleaning is completed, the slide plate 110 of the peeling / transporting device 94 is horizontally moved a predetermined distance to the left in FIG. As a result, the slide plate 1
The first suction pad 116A provided on the cleaning unit 1
6 is located directly above the delivery position (the state shown by the two-dot broken line in FIG. 1).

【0043】次に、スライドプレート110が、垂直下
向きに所定距離移動する。この結果、前記第1吸着パッ
ド116Aがスライスベース付きウェーハWS の上面に
当接する。この状態で第1吸着パッド116Aが稼働さ
れ、該第1吸着パッド116Aによってスライスベース
付きウェーハWS が吸着保持される。次に、再びスライ
ドプレート110が垂直上向きに所定距離移動し、その
後、図1中右方向に所定距離水平移動する。この結果、
スライスベース付きウェーハWS を吸着保持した第1吸
着パッド116Aがヒートプレート102の真上に位置
する(図1に実線で示す状態)。
Next, the slide plate 110 moves vertically downward by a predetermined distance. As a result, the first suction pad 116A abuts against the upper surface of the slice base with wafer W S. This condition first suction pad 116A is running, slice base wafer with W S by the first suction pad 116A is held by suction. Next, the slide plate 110 again moves vertically upward by a predetermined distance, and then horizontally moves rightward in FIG. 1 by a predetermined distance. As a result,
The first suction pad 116A which the slice base wafer with W S sucked and held is positioned directly above the heat plate 102 (the state shown by the solid line in FIG. 1).

【0044】次に、スライドプレート110が、垂直下
向きに所定距離移動する。この結果、前記第1吸着パッ
ド116Aに吸着保持されたスライスベース付きウェー
ハW S がヒートプレート102上に載置される。前記ヒ
ートプレート102上に載置されたスライスベース付き
ウェーハWS は、前記第1吸着パッド116Aに吸着保
持されたままヒートプレート102によって加熱され
る。そして、このヒートプレート102によってスライ
スベース付きウェーハWS が加熱されることによって、
スライスベースSとウェーハWとを接着している接着剤
が熱軟化する。
Next, the slide plate 110 is moved vertically downward.
Move a predetermined distance in the direction. As a result, the first suction package
Way with Slice Base Adsorbed on Hold 116A
C W SIs placed on the heat plate 102. Said hi
With a slice base placed on the plate 102
Wafer WSIs held on the first suction pad 116A by suction.
While being held by the heat plate 102
You. Then, the heat plate 102
Wafer W with squareSIs heated,
Adhesive for bonding slice base S and wafer W
Heat softens.

【0045】前記スライスベース付きウェーハWS がヒ
ートプレート102上に載置されてから所定時間(接着
剤が熱軟化するのに十分な時間)が経過すると、剥離用
シリンダ112が駆動され、そのロッド先端に固着され
ている押圧板114が垂直下向きに下降する。スライス
ベース付きウェーハWS は、その下降した押圧板114
によってスライスベースSの部分を押圧され、この結
果、ウェーハWからスライスベースSが剥離される。
[0045] When the predetermined time from the slice base wafer with W S is placed on the heat plate 102 (the adhesive sufficient time to heat soften) has elapsed, a release cylinder 112 is driven, the rod The pressing plate 114 fixed to the leading end descends vertically downward. The wafer W S with the slice base is moved by its lowered pressing plate 114.
As a result, the portion of the slice base S is pressed, and as a result, the slice base S is separated from the wafer W.

【0046】なお、押圧板114は三日月状に形成され
ているので(図11参照)、図8に示すように、ヒート
プレート102上にスライスベース付きウェーハWS
角度ズレを起こして載置されている場合であっても(図
8において符号SO がヒートプレート102上に正規に
載置されたスライスベース付きウェーハWS のスライス
ベースであり、符号SX がヒートプレート102上に角
度ズレを起こして載置されたスライスベース付きウェー
ハWS のスライスベースである。)、確実にスライスベ
ースSを押圧して剥離することができる。
[0046] The pressing plate 114 because it is formed into a crescent shape (see FIG. 11), as shown in FIG. 8, the wafer W S with a slice base on the heat plate 102 is mounted causing the angular deviation even if it has (8 code S O is the slice base mounting slice base with wafer W S to the normal on the heat plate 102, code S X is the angular deviation on the heat plate 102 raised by a slice-based placed on the slice base wafer with W S.), may be stripped reliably press the slice base S.

【0047】以上のようにしてスライスベース付きウェ
ーハWS のウェーハWからスライスベースSが剥離され
る。なお、剥離されたスライスベースSは、ヒートプレ
ート102の下方位置に設置されたスライスベース回収
箱118に自重で落下して回収される。このスライスベ
ース回収箱118は、スライスベース剥離装置本体10
Aに着脱自在に設けられており、オペレータは、スライ
スベースSがある程度回収されたところで、スライスベ
ース剥離装置本体10Aから取り外して回収したスライ
スベースSを廃棄する。
[0047] The above manner, the slice base S from the wafer W of the slice base with wafer W S is peeled off. The peeled slice base S falls under its own weight into the slice base collection box 118 installed below the heat plate 102 and is collected. The slice base recovery box 118 is used for the slice base peeling apparatus main body 10.
When the slice base S has been collected to some extent, the operator removes the collected slice base S from the slice base peeling apparatus body 10A and discards the collected slice base S.

【0048】次に、回収部20について説明する。回収
部20は、スライスベースSが剥離されたウェーハWを
カセットの所定位置に一枚ずつ収納する。この回収部2
0は、カセット122を位置決めするカセット位置決め
装置124と、そのカセット位置決め装置124によっ
て所定位置に位置決めされたカセット122にウェーハ
Wを一枚ずつ収納する収納装置126とから構成されて
いる。
Next, the collecting section 20 will be described. The collection unit 20 stores the wafers W from which the slice bases S have been peeled one by one at predetermined positions of the cassette. This collection unit 2
Reference numeral 0 denotes a cassette positioning device 124 for positioning the cassette 122, and a storage device 126 for storing the wafers W one by one in the cassette 122 positioned at a predetermined position by the cassette positioning device 124.

【0049】なお、カセット位置決め装置124の構成
については、前述した供給部12のカセット位置決め装
置24と同一構成なので、その説明については、供給部
12のカセット位置決め装置24と同じ符号を付して省
略する。また、カセット122の構成も前述した供給部
12にセットするカセット22と同じ構成なので、その
構成の説明は省略する。
Since the configuration of the cassette positioning device 124 is the same as that of the above-described cassette positioning device 24 of the supply unit 12, the description thereof is omitted by attaching the same reference numerals as those of the cassette positioning device 24 of the supply unit 12. I do. Also, the configuration of the cassette 122 is the same as that of the cassette 22 set in the supply unit 12 described above, and the description of the configuration will be omitted.

【0050】したがって、ここでは、収納装置126の
構成についてのみ説明する。図7及び図8に示すよう
に、収納装置126は、前記ヒートプレート102が設
けられた架台98上に設置されており、ウェーハWが載
置されるウェーハ搬送テーブル128と、そのウェーハ
搬送テーブル128を水平移動させるロッドレスシリン
ダ130とから構成されている。
Therefore, only the structure of the storage device 126 will be described here. As shown in FIGS. 7 and 8, the storage device 126 is installed on a pedestal 98 on which the heat plate 102 is provided, and includes a wafer transfer table 128 on which the wafer W is mounted, and a wafer transfer table 128. And a rodless cylinder 130 for horizontally moving.

【0051】ウェーハ搬送テーブル128は、図8に示
すように、ウェーハ載置部128Aと爪部128Bとか
ら構成されており、ウェーハWは、ウェーハ載置部12
8Aに載置される。爪部128Bは、ウェーハ搬送テー
ブル128のスライド移動時にウェーハWの周縁に係合
してウェーハWを支持する。このため、爪部128B
は、V字状に形成されている。
As shown in FIG. 8, the wafer transfer table 128 is composed of a wafer mounting portion 128A and a claw portion 128B.
8A. The claw portion 128B engages with the peripheral edge of the wafer W when the wafer transfer table 128 slides and supports the wafer W. For this reason, the claw portion 128B
Are formed in a V-shape.

【0052】また、前記ロッドレスシリンダ130は、
前記架台98上に水平に設置されている。ウェーハ搬送
テーブル128は、このロッドレスシリンダ130に支
持部材132を介して水平に支持されており、このロッ
ドレスシリンダ130を駆動することにより、水平にス
ライド移動する。前記収納装置126の両側には、それ
ぞれガイド材134、134が配設されており、ウェー
ハ搬送テーブル128によって搬送されるウェーハW
は、このガイド材134、134によって両縁部をガイ
ドされる。
The rodless cylinder 130 is
It is installed horizontally on the gantry 98. The wafer transfer table 128 is horizontally supported by the rodless cylinder 130 via a support member 132, and slides horizontally by driving the rodless cylinder 130. Guide members 134 and 134 are provided on both sides of the storage device 126, respectively.
Are guided on both edges by the guide members 134, 134.

【0053】以上のように構成された回収部20は、次
のようにしてウェーハWをカセット122内に収納す
る。スライスベースSの剥離が終了すると、剥離・搬送
装置94のスライドプレート110が図1中左方向に所
定距離水平移動する。この結果、スライドプレート11
0に設けられた第2吸着パッド116Bが、ヒートプレ
ート102の真上に位置する。
The collection unit 20 configured as described above stores the wafer W in the cassette 122 as follows. When the peeling of the slice base S is completed, the slide plate 110 of the peeling / transporting device 94 horizontally moves a predetermined distance to the left in FIG. As a result, the slide plate 11
The second suction pad 116 </ b> B provided at 0 is located directly above the heat plate 102.

【0054】次に、スライドプレート110が、垂直下
向きに所定距離移動する。この結果、前記第2吸着パッ
ド116Bがヒートプレート102上のウェーハWの上
面に当接する。この状態で第2吸着パッド116Bが駆
動され、該第2吸着パッド116BによってウェーハW
が吸着保持される。次に、再びスライドプレート110
が垂直上向きに所定距離移動し、移動後、図1中右方向
に所定距離水平移動する。この結果、ウェーハWを吸着
保持した第2吸着パッド116Bがウェーハ搬送テーブ
ル128の真上に位置する。
Next, the slide plate 110 moves vertically downward by a predetermined distance. As a result, the second suction pad 116B comes into contact with the upper surface of the wafer W on the heat plate 102. In this state, the second suction pad 116B is driven, and the wafer W is moved by the second suction pad 116B.
Is held by suction. Next, the slide plate 110 is again
Moves vertically upward by a predetermined distance, and after the movement, horizontally moves rightward in FIG. 1 by a predetermined distance. As a result, the second suction pad 116B holding the wafer W by suction is positioned right above the wafer transfer table 128.

【0055】次に、スライドプレート110が、垂直下
向きに所定距離移動し、この結果、前記第2吸着パッド
116Bに吸着保持されたウェーハWが、ウェーハ搬送
テーブル128から所定高さの位置に移動する。移動
後、第2吸着パッド116Bの駆動が停止され、これに
より、ウェーハWが第2吸着パッド116Bから開放さ
れてウェーハ搬送テーブル128上に落下し、載置され
る。
Next, the slide plate 110 moves vertically downward by a predetermined distance, and as a result, the wafer W sucked and held by the second suction pad 116B moves to a position at a predetermined height from the wafer transfer table 128. . After the movement, the driving of the second suction pad 116B is stopped, whereby the wafer W is released from the second suction pad 116B, falls on the wafer transfer table 128, and is placed.

【0056】ウェーハ搬送テーブル128上にウェーハ
Wが載置されると、次いで、ロッドレスシリンダ130
が駆動され、ウェーハ搬送テーブル128がカセット1
22に向かってスライド移動する。この結果、ウェーハ
搬送テーブル128上のウェーハWが、図12(a)に
示すように、カセット122の収納室122aのほぼ中
央位置に収納される。
When the wafer W is placed on the wafer transfer table 128, the rodless cylinder 130
Is driven, and the wafer transfer table 128 is
The slide moves toward 22. As a result, the wafer W on the wafer transfer table 128 is stored at a substantially central position of the storage chamber 122a of the cassette 122 as shown in FIG.

【0057】ウェーハWがカセット122の収納室12
2aのほぼ中央位置に挿入されると、次いでカセット位
置決め装置124のモータ38が駆動され、図12
(b)に示すように、カセット122が所定量上昇す
る。この結果、カセット122の仕切板122b、12
2b上にウェーハWが載置され、収納が完了する。な
お、カセット122は、前記のごとく所定量上昇するこ
とにより、同時に次にウェーハWを収納する収納室12
2aの位置決めが行われる。
The wafer W is stored in the storage chamber 12 of the cassette 122.
12a, the motor 38 of the cassette positioning device 124 is driven, and FIG.
As shown in (b), the cassette 122 rises by a predetermined amount. As a result, the partition plates 122b and 12
The wafer W is placed on 2b, and the storage is completed. Note that the cassette 122 is moved up by a predetermined amount as described above, so that the
The positioning of 2a is performed.

【0058】また、ウェーハ搬送テーブル128は、カ
セット122の上昇後、ロッドレスシリンダ130に駆
動されてカセット122内から退避する。前記のごとく
構成された本発明に係るスライスベース剥離装置10の
実施の形態の作用は次の通りである。まず、オペレータ
は、供給部12のカセット位置決め装置24の第1カセ
ット載台36Aと第2カセット載台36B上にスライス
ベース付きウェーハWS が多数収納されたカセット2
2、22をセットする。これと同時に、オペレータは、
回収部12のカセット位置決め装置124の第1カセッ
ト載台36Aと第2カセット載台36B上に空のカセッ
ト122、122をセットする。そして、以上のセッテ
ィングが完了したところでスライスベース剥離装置10
を稼働する。
After the cassette 122 is lifted, the wafer transfer table 128 is driven by the rodless cylinder 130 and retracts from the cassette 122. The operation of the embodiment of the slice-based peeling apparatus 10 according to the present invention configured as described above is as follows. First, the operator, the cassette 2 in which the first cassette loading table 36A and the slice base with wafer W S on the second cassette load platform 36B of the cassette positioning device 24 of the supply portion 12 is a large number stored
Set 2 and 22. At the same time, the operator
The empty cassettes 122, 122 are set on the first cassette mounting table 36A and the second cassette mounting table 36B of the cassette positioning device 124 of the collection unit 12. Then, when the above setting is completed, the slice-based peeling device 10
To work.

【0059】まず、供給部12のカセット位置決め装置
24のモータ38が駆動されて一番初めにカセット22
から取り出すスライスベース付きウェーハWS (最上段
の収納室22aに収納されているスライスベース付きウ
ェーハWS )の位置決めがなされる。これと同時に、回
収部20のカセット位置決め装置24のモータ38が駆
動されて一番初めにウェーハWが収納される収納室12
2a(最上段の収納室122a)の位置決めがなされ
る。
First, the motor 38 of the cassette positioning device 24 of the supply unit 12 is driven to
Positioning the slice base with the wafer W S (wafer with slice base is housed in the top of the housing chamber 22a W S) is taken out from is made. At the same time, the motor 38 of the cassette positioning device 24 of the collection unit 20 is driven to initially store the wafer W in the storage chamber 12.
2a (the uppermost storage chamber 122a) is positioned.

【0060】位置決めが終了すると、取出装置26のプ
ッシャ44がスライド移動し、カセット22内からスラ
イスベース付きウェーハWS を押し出す。押し出された
スライスベース付きウェーハWS は、搬送部14の丸ベ
ルトコンベア56上に載置される。なお、カセット22
からスライスベース付きウェーハWS を押し出すと、プ
ッシャ44はカセット22から退避し、元の状態に復帰
する。
[0060] When the positioning is completed, the pusher 44 of the take-out device 26 is slid to push the slice base wafer with W S from the cassette 22. The extruded wafer W S with slice base is placed on the round belt conveyor 56 of the transfer unit 14. The cassette 22
When extruding a slice base wafer with W S from the pusher 44 is retracted from the cassette 22 to return to the original state.

【0061】また、プッシャ44がカセット22から退
避すると、カセット位置決め装置24のモータ38が駆
動され、次に取り出すスライスベース付きウェーハWS
の位置決めがなされる。すなわち、カセット22の2段
目の収納室22aに収納されているスライスベース付き
ウェーハWS が取出位置に位置するように位置決めされ
る。
When the pusher 44 retracts from the cassette 22, the motor 38 of the cassette positioning device 24 is driven, and the slice base-equipped wafer W S to be taken out next is taken.
Is determined. That is, slice base wafer with W S housed in the second stage of the housing chamber 22a of the cassette 22 is positioned so as to be positioned in the removal position.

【0062】丸ベルトコンベア56上にスライスベース
付きウェーハWS が載置されると、丸ベルトコンベア5
6が駆動され、その丸ベルトコンベア56によってスラ
イスベース付きウェーハWS が反転位置まで搬送され
る。スライスベース付きウェーハWS が反転位置まで搬
送されると、丸ベルトコンベア56の駆動は一時停止さ
れ、次いで、吸着パッド66が所定量下降する。そし
て、その丸ベルトコンベア56上のスライスベース付き
ウェーハWS を吸着保持する。
[0062] When the round belt conveyor 56 on the slice base with wafer W S is placed, the round belt conveyor 5
6 is driven, the slice base with wafer W S by a round belt conveyor 56 is conveyed to the reversing position. When slice base wafer with W S is conveyed to the reversing position, the drive of the round belt conveyor 56 is suspended, then the suction pad 66 by a predetermined amount downward. Then, the suction holding the slice base wafer with W S on the round belt conveyor 56.

【0063】スライスベース付きウェーハWS を保持し
た吸着パッド66は所定量上昇し、丸ベルトコンベア5
6上からスライスベース付きウェーハWS を引き上げ
る。そして、その吸着保持したスライスベース付きウェ
ーハWS を180°回転させる。この結果、スライスベ
ース付きウェーハWS のスライスベースSの向きが、搬
送方向と逆方向になる。
[0063] suction pads 66, which holds the slice base wafer with W S rises a predetermined amount, the round belt conveyor 5
6. Lift the wafer W S with slice base from above. Then, the wafer W S with slice base held by suction is rotated by 180 °. As a result, the direction of the slice base S of the wafer W S with slice base is opposite to the transport direction.

【0064】スライスベース付きウェーハWS を180
°回転させた吸着パッド66は、再び下降して丸ベルト
コンベア56上にスライスベース付きウェーハWS を載
置する。そして、その丸ベルトコンベア56上にスライ
スベース付きウェーハWS が載置されると、丸ベルトコ
ンベア56は再び駆動され、スライスベース付きウェー
ハWS を洗浄部16に向けて搬送する。
The wafer W S with the slice base is set to 180
° rotated suction pad 66, places the slice base wafer with W S on round belt conveyor 56 is lowered again. When the round belt conveyor 56 on the slice base wafer with W S is placed, round belt conveyor 56 is driven again to convey the slice base wafer with W S to the cleaning unit 16.

【0065】丸ベルトコンベア56によって洗浄部16
に搬送されてきたスライスベース付きウェーハWS は、
その洗浄部16の搬送ローラ82A、82Bに受け渡さ
れ、洗浄装置70内を搬送される。そして、その過程で
表面に付着した汚れが取り除かれる。すなわち、スライ
スベース付きウェーハWS は、前記搬送ローラ82A、
82Bに搬送されることによって、洗浄液供給ノズル8
0、80から洗浄液を供給されながら、回転する一対の
洗浄ブラシ78、78間を通過し、これによって表面を
ブラシ洗浄される。そして、ブラシ洗浄されたスライス
ベース付きウェーハW S は、エアノズル84、84から
噴射される圧縮エアによって表面に付着した洗浄液が吹
き飛ばされ、これによって乾燥される。
The cleaning unit 16 is rotated by the round belt conveyor 56.
Wafer with slice base W transferred toSIs
It is delivered to the transport rollers 82A and 82B of the cleaning section 16.
Then, it is transported in the cleaning device 70. And in the process
Dirt adhering to the surface is removed. That is,
Wafer W with squareSIs the transport roller 82A,
82B, the cleaning liquid supply nozzle 8
While the cleaning liquid is supplied from 0 and 80, a pair of rotating
It passes between the cleaning brushes 78, 78, thereby cleaning the surface.
Brush washed. And brush-washed slices
Wafer with base W SFrom the air nozzles 84, 84
The cleaning liquid adhering to the surface is blown out by the compressed air
It is blown off and dried by this.

【0066】前記のごとく洗浄されたスライスベース付
きウェーハWS は、搬送ローラ82A、82Bからウェ
ーハ位置決め装置の丸ベルトコンベア86上に移送さ
れ、該丸ベルトコンベア86によって受渡位置まで搬送
される。スライスベース付きウェーハWS が受渡位置ま
で搬送されると、スライスベース付きウェーハWS は、
その受渡位置に配設された7本の位置決めピン90、9
0、…に当接して停止する。また、これと同時に丸ベル
トコンベア86の駆動が停止される。
The wafer W S with the slice base washed as described above is transferred from the transfer rollers 82A and 82B onto the round belt conveyor 86 of the wafer positioning device, and is transferred to the delivery position by the round belt conveyor 86. When the wafer W S with slice base is transported to the delivery position, the wafer W S with slice base becomes
The seven positioning pins 90, 9 arranged at the delivery position
Stop by contacting 0,. At the same time, the driving of the round belt conveyor 86 is stopped.

【0067】スライスベース付きウェーハWS が受渡位
置に搬送されると、剥離部18のスライドプレート11
0が所定距0水平移動する。この結果、スライドプレー
ト110に設けられている第1吸着パッド116Aが受
渡位置の真上に位置する。次いで、スライドプレート1
10は所定量下降し、この結果、スライスベース付きウ
ェーハWS の上面に第1吸着パッド116Aが当接す
る。第1吸着パッド116Aは、当接したスライスベー
ス付きウェーハWS を吸着保持する。
[0067] When the slice base wafer with W S is conveyed to the transfer position, the slide plate 11 of the release portion 18
0 moves a predetermined distance 0 horizontally. As a result, the first suction pad 116A provided on the slide plate 110 is located directly above the delivery position. Next, slide plate 1
10 by a predetermined amount downward, as a result, the first suction pad 116A abuts against the upper surface of the slice base with wafer W S. The first suction pad 116A is sucking and holding the contact slice base wafer with W S.

【0068】第1吸着パッド116Aにスライスベース
付きウェーハWS が吸着保持されると、スライドプレー
ト110は再び所定量上昇し、その後、所定距0水平移
動する。この結果、第1吸着パッド116Aに吸着保持
されたスライスベース付きウェーハWS がヒートプレー
ト102の真上に位置する。スライドプレート110
は、次いで所定量下降し、この結果、第1吸着パッド1
16Aに吸着保持されたスライスベース付きウェーハW
S がヒートプレート102上に載置される。スライスベ
ース付きウェーハWS は、第1吸着パッド116Aに吸
着保持された状態でヒートプレート102に加熱され、
これにより、スライスベースSを接着している接着剤が
熱軟化する。
[0068] When the first suction pad 116A to the slice base wafer with W S is held by suction, slide plate 110 is raised again the predetermined amount, then the predetermined distance 0 horizontal movement. As a result, the wafer W S with slice base suction-held by the first suction pad 116A is positioned directly above the heat plate 102. Slide plate 110
Is then lowered by a predetermined amount. As a result, the first suction pad 1
Wafer W with slice base held by suction at 16A
S is placed on the heat plate 102. The slice base-equipped wafer W S is heated by the heat plate 102 while being held by suction on the first suction pad 116A,
As a result, the adhesive bonding the slice base S is softened by heat.

【0069】なお、このヒートプレート102でスライ
スベース付きウェーハWS を加熱している間に、二枚目
のスライスベース付きウェーハWS がカセット22から
取り出され、上記と同様の工程を経て洗浄部12の受渡
位置まで搬送されてきている。スライスベース付きウェ
ーハWS がヒートプレート102上に載置されてから所
定時間経過すると、剥離用シリンダ112が駆動され、
そのロッド先端に固着されている押圧板114が下降す
る。そして、その下降した押圧板114が、ウェーハW
に接着されているスライスベースSを押圧する。これに
より、ウェーハWからスライスベースSが剥離される。
[0069] Note that during the heating of the slice base wafer with W S in the heat plate 102, slice base wafer with W S of handsome is taken out of the cassette 22, the cleaning unit through the same process steps as just It has been transported to 12 delivery positions. When a predetermined time elapses after the wafer W S with a slice base is placed on the heat plate 102, the peeling cylinder 112 is driven,
The pressing plate 114 fixed to the tip of the rod descends. Then, the lowered pressing plate 114 moves the wafer W
Press the slice base S adhered to. Thereby, the slice base S is separated from the wafer W.

【0070】なお、ウェーハWから剥離されたスライス
ベースSは、自重で落下してスライスベース回収箱11
8に回収される。スライスベースSの剥離が終了する
と、第1吸着パッド116Aは、ウェーハWの吸着を解
除する。そして、その解除の後、スライドプレート11
0が所定量上昇する。上昇後、スライドプレート110
は所定距離水平移動し、この結果、第1吸着パッド11
6Aが受取位置の真上に位置するとともに、第2吸着パ
ッド116Bが、ヒートプレート102の真上に位置す
る。
The slice base S peeled off from the wafer W falls under its own weight and falls in the slice base collection box 11.
Collected in 8. When the peeling of the slice base S is completed, the first suction pad 116A releases the suction of the wafer W. After the release, the slide plate 11
0 increases by a predetermined amount. After ascending, slide plate 110
Moves horizontally by a predetermined distance, and as a result, the first suction pad 11
6A is located directly above the receiving position, and the second suction pad 116B is located directly above the heat plate 102.

【0071】スライドプレート110は、次いで所定量
下降し、この結果、第1吸着パッド116Aが受取位置
に位置したスライスベース付きウェーハWS の上面に当
接するとともに、第2吸着パッド116Bがヒートプレ
ート102上のウェーハWの上面に当接する。そして、
第1吸着パッド116Aは受取位置に位置したスライス
ベース付きウェーハWS を吸着保持し、第2吸着パッド
116Bは、ヒートプレート102上のウェーハWを吸
着保持する。
[0071] Slide plate 110, then a predetermined amount downward, as a result, the first suction pad 116A abuts against the upper surface of the slice base wafer with W S located in the receiving position, the second suction pad 116B is heat plate 102 It contacts the upper surface of the upper wafer W. And
The first suction pad 116A is attracted and held a slice base wafer with W S located in the receiving position, the second suction pad 116B adsorbs holds the wafer W on the heat plate 102.

【0072】各吸着パッド116A、116Bにウェー
ハWS 、Wが吸着保持されると、再びスライドプレート
110が所定量上昇し、その後、所定距離水平移動す
る。この結果、スライスベース付きウェーハWS を吸着
保持した第1吸着パッド116Aがヒートプレート10
2の真上に位置するとともに、ウェーハWを吸着保持し
た第2吸着パッド116Bがウェーハ搬送テーブル12
8の真上に位置する。
When the wafers W S and W are sucked and held on the suction pads 116A and 116B, the slide plate 110 rises again by a predetermined amount, and thereafter moves horizontally by a predetermined distance. As a result, the first suction pad 116A is heat plate 10 that attracts and holds the slice base wafer with W S
The second suction pad 116 </ b> B, which is located directly above the wafer 2 and holds the wafer W by suction,
It is located directly above 8.

【0073】スライドプレート110は次いで所定量下
降し、この結果、前記第1吸着パッド116Aに吸着保
持されたスライスベース付きウェーハWS がヒートプレ
ート102上に載置されるとともに、第2吸着パッド1
16Bに吸着保持されたウェーハWがウェーハ搬送テー
ブル128上から所定高さの位置に位置する。ここで、
ヒートプレート102上に載置されたスライスベース付
きウェーハW S は、前述したように、前記第1吸着パッ
ド116Aに吸着保持されたままヒートプレート102
によって加熱される。
The slide plate 110 is then moved down by a predetermined amount.
As a result, the first suction pad 116A holds the suction.
Held wafer W with slice baseSIs a heat pre
The second suction pad 1 is placed on the
The wafer W sucked and held by the wafer 16B is transferred to the wafer transfer table.
It is located at a predetermined height from above the bull 128. here,
With slice base placed on the heat plate 102
Wafer W SAs described above, the first suction package
Heat plate 102 while being held by suction
Heated by

【0074】また、このヒートプレート102で二枚目
のスライスベース付きウェーハWSを加熱している間
に、三枚目のスライスベース付きウェーハWS がカセッ
ト22から取り出され、上記と同様の工程を経て洗浄部
12の受渡位置まで搬送されてくる。一方、ウェーハ搬
送テーブル128の上方位置に移送されたウェーハW
は、その位置で第2吸着パッド116Bの駆動が解除さ
れ、ウェーハ搬送テーブル128上に落下する。ウェー
ハWがウェーハ搬送テーブル128上に落下し、載置さ
れると、ウェーハ搬送テーブル128がスライド移動
し、これにより、カセット122の収納室122a内に
ウェーハWが収納される。
[0074] Also, while heating the slice base wafer with W S of handsome in the heat plate 102, slice base wafer with W S of comedian is taken out of the cassette 22, the same process steps as just And is conveyed to the delivery position of the washing unit 12. On the other hand, the wafer W transferred to a position above the wafer transfer table 128
The drive of the second suction pad 116B is released at that position, and the wafer drops onto the wafer transfer table 128. When the wafer W falls on the wafer transfer table 128 and is placed thereon, the wafer transfer table 128 slides and moves, whereby the wafer W is stored in the storage chamber 122 a of the cassette 122.

【0075】なお、ウェーハWを開放した第2吸着パッ
ド116Bは、ウェーハ搬送テーブル128から所定高
さの位置に位置しているので、ウェーハ搬送テーブル1
28がスライド移動しても、ウェーハ搬送テーブル12
8が接触することはない。また、前述したように、カセ
ット122は、ウェーハ搬送テーブル128からウェー
ハWを受け取る際所定量上昇し、これにより、次にウェ
ーハWを収納する収納室の22aの位置決めを同時に行
う。また、ウェーハ搬送テーブル128は、カセット1
22の上昇後、ロッドレスシリンダ130に駆動されて
カセット122内から退避する。
Since the second suction pad 116B, which has released the wafer W, is located at a predetermined height from the wafer transfer table 128, the wafer transfer table 1
Even if 28 slides, wafer transfer table 12
8 does not touch. Further, as described above, the cassette 122 rises by a predetermined amount when receiving the wafer W from the wafer transfer table 128, thereby simultaneously positioning the storage chamber 22a for storing the next wafer W. The wafer transfer table 128 is provided for the cassette 1
After ascending, the rodless cylinder 130 drives the rodless cylinder 130 to retreat from the cassette 122.

【0076】以上一連の工程により、一枚目のウェーハ
の剥離作業が終了し、以下同様の工程を経ることによ
り、二枚目、三枚目のウェーハの剥離作業を進行してゆ
く。そして、供給部12のカセット22に収納されてい
る全てのスライスベース付きウェーハWS からスライス
ベースSが剥離され、回収部20のカセット122内に
収納されたところで剥離作業は終了する。終了後、オペ
レータは、回収部20のカセット位置決め装置124か
らカセット122、122を取り外し、次の処理工程に
カセット122、122ごと搬送する。
With the above-described series of steps, the peeling operation of the first wafer is completed, and thereafter, through the same steps, the peeling operation of the second and third wafers proceeds. The slice base S is peeled off from all the slice base wafer with W S contained in the cassette 22 of the feed section 12, the peeling work where stored in the cassette 122 of the recovery unit 20 is completed. After completion, the operator removes the cassettes 122 from the cassette positioning device 124 of the collection unit 20 and transports the cassettes 122 and 122 together in the next processing step.

【0077】このように、本実施の形態のスライスベー
ス剥離装置10では、カセット22内に収納されている
スライスベース付きウェーハWS を自動で取り出し、自
動で洗浄した後、スライスベースSを剥離して自動でカ
セット122内に収納することができる。したがって、
人手を要せず効率的なスライスベースの剥離作業を行う
ことができる。
[0077] Thus, the slice base peeling apparatus 10 of this embodiment, taken out slice base wafer with W S accommodated in the cassette 22 in an automatic, washed with automatically stripping the slice base S Can be automatically stored in the cassette 122. Therefore,
Efficient slice-based peeling work can be performed without requiring human intervention.

【0078】また、本実施の形態のスライスベース剥離
装置10では、スライスベースSの剥離にヒートプレー
ト102を利用することにより、次の効果を得ることが
できる。すなわち、熱水を用いた場合は、熱水から発生
した水蒸気により装置が故障してしまうという欠点があ
るが、ヒートプレート102の場合は、水蒸気は発生し
ないので、このような問題点がなくなる。
In the slice base peeling apparatus 10 of the present embodiment, the following effects can be obtained by using the heat plate 102 for peeling the slice base S. That is, when hot water is used, there is a drawback that the device is broken by steam generated from the hot water. However, in the case of the heat plate 102, since no steam is generated, such a problem is eliminated.

【0079】また、熱水を用いた場合、水蒸気を処理す
る排気ダクト等を設置する必要が無くなるので、装置が
コンパクトになる。また、熱水を用いた場合、接着剤を
熱軟化させるのに必要な温度が得られず、剥離不良を起
こす場合もあるが、ヒートプレート102の場合は、加
熱温度に制限がないので、接着剤の種類によらず十分な
温度でウェーハを加熱することができる。したがって、
剥離不良を起こすこともない。
When hot water is used, there is no need to install an exhaust duct or the like for treating steam, so that the apparatus becomes compact. In addition, when hot water is used, a temperature required for heat-softening the adhesive cannot be obtained, and a peeling failure may occur. However, in the case of the heat plate 102, the heating temperature is not limited. The wafer can be heated at a sufficient temperature regardless of the type of the agent. Therefore,
No peeling failure occurs.

【0080】さらに、本実施の形態のスライスベース剥
離装置10は、ウェーハWS をヒートプレート102に
載置したまま、すなわち、加熱したまま、スライスベー
スSを押圧板114で押圧してスライスベースSを剥離
するようにしている。このため、熱水の場合のように熱
水から引き上げ、搬送している間に冷えて剥離不良を起
こすようなこともない。また、装置が停止しても、熱水
の場合のようにウェーハを再び熱水中に戻す必要もない
ので、効率的な剥離作業を実行することができる。
[0080] Further, the slice base peeling apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W S while placed on the heat plate 102, i.e., while heating, sliced to press the slice base S by the pressing plate 114 base S Is to be peeled off. For this reason, unlike the case of hot water, there is no possibility that the resin is cooled during transporting and conveyed to cause peeling failure. Further, even if the apparatus is stopped, there is no need to return the wafer to the hot water again as in the case of hot water, so that an efficient peeling operation can be performed.

【0081】なお、本実施の形態では、スライスベース
付きウェーハWS を加熱する手段としてヒートプレート
102を用いているが、スライスベース付きウェーハW
S を加熱する手段としては、乾式のものであればこれに
限定されるものではない。たとえば、テーブル上に保持
されたスライスベース付きウェーハWS に熱風を吹きか
けて加熱したり、赤外線等を用いて加熱するようにして
もよい。
[0081] In the present embodiment uses the heat plate 102 as means for heating the slice base wafer with W S, slice base with wafer W
The means for heating S is not limited to this as long as it is a dry type. For example, the wafer W S with the slice base held on the table may be heated by blowing hot air or heated using infrared rays or the like.

【0082】また、本実施の形態のスライスベース剥離
装置10では、洗浄部16から剥離部18、及び剥離部
18から回収部20へのウェーハの搬送を一つの剥離・
搬送装置94が兼用しているので、効率的な剥離作業を
実現することができる。すなわち、本実施の形態のスラ
イスベース剥離装置10では、剥離を終えたウェーハW
をヒートプレート102からウェーハ搬送テーブル12
8上に移送すると、これと同時に予め洗浄部12の受渡
位置に待機させておいたスライスベース付きウェーハW
S がヒートプレート102上に移載される。これによ
り、装置の無駄な動きを省くことができ、効率的にウェ
ーハの処理を行うことができる。また、これにより装置
自体のコンパクト化も図ることができる。
Further, in the slice-based peeling apparatus 10 of the present embodiment, the transfer of the wafer from the cleaning section 16 to the peeling section 18 and the transport of the wafer from the peeling section 18 to the collecting section 20 are performed by one peeling and separating step.
Since the transfer device 94 is also used, an efficient peeling operation can be realized. That is, in the slice-based peeling apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W
From the heat plate 102 to the wafer transfer table 12
8, the wafer W with the slice base which has been waiting at the delivery position of the cleaning unit 12 at the same time
S is transferred onto the heat plate 102. As a result, useless movement of the apparatus can be omitted, and wafer processing can be performed efficiently. This also makes it possible to reduce the size of the device itself.

【0083】なお、洗浄部16から剥離部18にウェー
ハを搬送する搬送装置と、剥離部18から回収部20に
ウェーハを搬送する搬送装置は、別々に設けてもよい。
また、供給部12から反転部14、反転部14から洗浄
部16、洗浄部16から剥離部18、及び剥離部18か
ら収納部20へのウェーハの搬送を一台の搬送装置、例
えば装置の天井部を走行する搬送装置で行うようにして
もよい。
The transfer device for transferring the wafer from the cleaning unit 16 to the separation unit 18 and the transfer device for transferring the wafer from the separation unit 18 to the collection unit 20 may be provided separately.
In addition, the transfer of the wafer from the supply unit 12 to the reversing unit 14, the reversing unit 14 to the cleaning unit 16, the cleaning unit 16 to the peeling unit 18, and the wafer from the peeling unit 18 to the storage unit 20 is performed by a single transfer device, for example, the ceiling of the device. The transfer may be performed by a transport device that travels through the section.

【0084】[0084]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接着剤の種類によらず確実にウェーハからスライスベー
スを剥離することができる。また、熱水のように水蒸気
が発生することもないので、装置が故障することもな
い。さらに、水蒸気対策の装置を別途設ける必要もなく
なるので、装置自体のコンパクト化が図れる。
As described above, according to the present invention,
The slice base can be reliably peeled from the wafer regardless of the type of the adhesive. Further, since no steam is generated as in hot water, the apparatus does not break down. Further, since there is no need to separately provide a device for preventing water vapor, the device itself can be made compact.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るスライスベース剥離装置の実施の
形態の全体構成を示す正面図
FIG. 1 is a front view showing an overall configuration of an embodiment of a slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係るスライスベース剥離装置の実施の
形態の全体構成を示す平面図
FIG. 2 is a plan view showing an overall configuration of an embodiment of a slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図3】カセット位置決め装置の側面図FIG. 3 is a side view of the cassette positioning device.

【図4】反転部の構成を示す側面図FIG. 4 is a side view showing a configuration of a reversing unit.

【図5】洗浄部の構成を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a cleaning unit.

【図6】洗浄装置の内部構成を示す正面図FIG. 6 is a front view showing the internal configuration of the cleaning device.

【図7】加熱装置と収納装置の構成を示す正面図FIG. 7 is a front view showing a configuration of a heating device and a storage device.

【図8】加熱装置と収納装置の構成を示す平面図FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a heating device and a storage device.

【図9】剥離・搬送装置の構成を示す正面図FIG. 9 is a front view showing the configuration of a peeling / transporting device.

【図10】剥離・搬送装置の構成を示す側面図FIG. 10 is a side view showing the configuration of a peeling / transporting device.

【図11】剥離・搬送装置の構成を示す平面図FIG. 11 is a plan view showing a configuration of a peeling / transporting device.

【図12】ウェーハをカセットに収納する方法の説明図FIG. 12 is an explanatory diagram of a method for storing a wafer in a cassette.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…スライスベース剥離装置 12…供給部 14…反転部 16…洗浄部 18…剥離部 20…回収部 22…カセット 24…カセット位置決め装置 26…取出装置 50…搬送装置 52…回転装置 70…洗浄装置 72…ウェーハ位置決め装置 92…加熱装置 94…剥離・搬送装置 102…ヒートプレート 124…カセット位置決め装置 126…収納装置 WS …スライスベース付きウェーハ W…ウェーハ S…スライスベースDESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Slice base peeling apparatus 12 ... Supply part 14 ... Reversing part 16 ... Cleaning part 18 ... Peeling part 20 ... Recovering part 22 ... Cassette 24 ... Cassette positioning device 26 ... Take-out device 50 ... Transport device 52 ... Rotating device 70 ... Cleaning device 72 ... wafer positioning apparatus 92 ... heater 94 ... peeling and transfer apparatus 102 ... heat plate 124 ... cassette positioner 126 ... storage device W S ... slice base wafer with W ... wafer S ... slice base

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 インゴットから切り出されたウェーハの
周縁に接着されているスライスベースをウェーハから剥
離するスライスベース剥離装置において、 スライスベース付きウェーハが多数収納された供給カセ
ットと、 スライスベースが剥離されたウェーハが回収される回収
カセットと、 前記供給カセットからスライスベース付きウェーハを一
枚ずつ取り出す取出手段と、 前記スライスベース付きウェーハを洗浄する洗浄手段
と、 前記取出手段で取り出されたスライスベース付きウェー
ハを前記洗浄手段に搬送する第1搬送手段と、 前記スライスベース付きウェーハを加熱して前記スライ
スベースと前記ウェーハとを接着している接着剤を熱軟
化させる加熱手段と、 前記加熱手段で加熱して接着剤を熱軟化させたスライス
ベース付きウェーハのスライスベースを押圧してウェー
ハから剥離する剥離手段と、 前記洗浄手段によって洗浄されたスライスベース付きウ
ェーハを前記加熱手段に搬送する第2搬送手段と、 前記スライスベースが剥離されたウェーハを前記回収カ
セットに一枚ずつ収納する収納手段と、 前記剥離手段によってスライスベースが剥離されたウェ
ーハを前記収納手段に搬送する第3搬送手段と、からな
ることを特徴とするスライスベース剥離装置。
In a slice base peeling apparatus for peeling a slice base adhered to a peripheral edge of a wafer cut from an ingot from a wafer, a supply cassette containing a large number of wafers with a slice base and a slice base are peeled. A collection cassette from which the wafers are collected, an extraction unit for extracting the wafers with slice bases one by one from the supply cassette, a cleaning unit for cleaning the wafers with slice bases, and a wafer with slice bases extracted by the extraction unit. A first transfer unit that transfers the wafer to the cleaning unit; a heating unit that heats the wafer with the slice base to thermally soften an adhesive bonding the slice base and the wafer; Heated adhesive base with slice base A peeling unit that presses the slice base of c to peel the wafer from the wafer; a second transporting unit that transports the wafer with the slice base cleaned by the cleaning unit to the heating unit; A slice base peeling apparatus, comprising: a storage unit that stores the wafers one by one in a collection cassette; and a third transport unit that transports the wafer, from which the slice base has been peeled by the peeling unit, to the storage unit.
【請求項2】 前記第1搬送手段は、前記スライスベー
ス付きウェーハを回転させることにより、そのスライス
ベースの向きを搬送方向と逆向きにさせる回転手段を備
えていることを特徴とする請求項1記載のスライスベー
ス剥離装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the first transfer unit includes a rotation unit that rotates the wafer with the slice base so that the direction of the slice base is opposite to the transfer direction. A slice-based peeling device as described.
【請求項3】 前記剥離手段は、前記ウェーハから剥離
されたスライスベースを回収するスライスベース回収手
段を備えていることを特徴とする請求項1記載のスライ
スベース剥離装置。
3. The slice base separating apparatus according to claim 1, wherein said separating means includes a slice base collecting means for collecting a slice base separated from said wafer.
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