JPH11232940A - Manufacture of transparent conductor and transparent conductive film thereof - Google Patents

Manufacture of transparent conductor and transparent conductive film thereof

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JPH11232940A
JPH11232940A JP3021098A JP3021098A JPH11232940A JP H11232940 A JPH11232940 A JP H11232940A JP 3021098 A JP3021098 A JP 3021098A JP 3021098 A JP3021098 A JP 3021098A JP H11232940 A JPH11232940 A JP H11232940A
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JP
Japan
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group
transparent
conductive material
metal
producing
Prior art date
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Pending
Application number
JP3021098A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Sakakibara
義夫 榊原
Yukio Shinagawa
幸雄 品川
Yasuo Kuraki
康雄 椋木
Taku Nakamura
卓 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JPH11232940A publication Critical patent/JPH11232940A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily provide a transparent conductive material with an arbitrary pattern at a low temperature by applying chemical treatment and/or light energy for patterning surface polarity of a transparent base body and applying hydrophilic/hydrophobic liquid containing conductive material onto the surface for forming the conductive material into a shape which is in matching with the patterning. SOLUTION: As a transparent film arranged on a transparent base body, a polymer film showing adhesiveness with the base body or a photosensitive polymer, such as resist polymer is used. In optical patterning, various kinds of light beams are radiated via a photomask, and the surface characteristic can be patterned. For a light beam, an ultraviolet beam, an electron beam, a laser beam, a glow discharge light beam, or an arc discharge light beam is preferable. In chemical patterning, patterned photoresist etching is carried out on a hydrophilic base body, and then a hydrophobic liquid containing a conductive material is added, for example.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は導電性素材の付与法
およびそれによって得られるフィルムに関する。特に簡
便に透明導電体が得られる製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for applying a conductive material and a film obtained by the method. In particular, the present invention relates to a method for easily producing a transparent conductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶表示素子、エレクトロルミネ
ッセンス素子などの表示素子類の電極や、CRT などの電
磁波シールド材料として可視光に対して透明な導電性材
料が使用されている。このような透明導電性材料として
は例えば酸化錫/酸化アンチモン系(ATO) や、酸化イン
ジウム/酸化錫系(ITO) などが知られている。これらの
金属酸化物はガラスやセラミック基板上に皮膜を形成
し、透明導電膜を与える。このような透明導電膜の形成
方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、CVD 法、及び塗工法などが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, conductive materials transparent to visible light have been used as electrodes for display devices such as liquid crystal display devices and electroluminescence devices, and as electromagnetic wave shielding materials such as CRTs. As such a transparent conductive material, for example, tin oxide / antimony oxide (ATO) and indium oxide / tin oxide (ITO) are known. These metal oxides form a film on a glass or ceramic substrate to give a transparent conductive film. As a method for forming such a transparent conductive film, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a CVD method, a coating method, and the like are known.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記方法において真空
蒸着法、スパッタリング法、CVD 法はその膜形成方法が
複雑でかつ、高価であるため、コストおよび生産面にお
いて問題がある。また、塗工法としてゾルゲル法が種々
提案されているがこれらの方法はまだ性能上不十分な点
が多い。一方、上記金属酸化物を任意のパターンで付与
する場合、いわゆるフォトリソグラフィーや印刷などの
手段が用いられることがあるが、前者は金属酸化物のエ
ッチングに強酸を用いなくてはならないなどという安全
衛生上の問題があり、また、後者は印刷精度の点から微
細パターンには不適であるという問題がある。
Among the above methods, the vacuum deposition method, the sputtering method, and the CVD method have problems in cost and production because the film formation method is complicated and expensive. In addition, various sol-gel methods have been proposed as coating methods, but these methods are still insufficient in performance. On the other hand, when applying the metal oxide in an arbitrary pattern, means such as so-called photolithography or printing may be used, but the former requires safety and health, such as that a strong acid must be used for etching the metal oxide. There is a problem in that the latter is not suitable for a fine pattern in terms of printing accuracy.

【0004】さらにより高い導電性を必要とするとき、
所謂銀ペーストを用いたり、電磁波シールド用には繊維
に金属メッキを施したメッシュ状の織物が用いられるこ
とがあるが、前者は500 ℃以上の高温熱処理が必要で通
常の樹脂フィルム支持体には不適であるし、また後者は
工程が特殊かつ複雑であったり、任意のパターンが得ら
れないという問題がある。従って、本発明の目的は、低
温(200℃以下)で透明導電性素材を任意のパターンで簡
便に付与する方法を提供することである。
When higher conductivity is required,
In some cases, so-called silver paste is used, or a mesh-like woven fabric with metal plating on fibers is used for electromagnetic wave shielding.The former requires high-temperature heat treatment at 500 ° C or higher, and is usually used for resin film supports. It is not suitable, and the latter has a problem that the process is special and complicated, and an arbitrary pattern cannot be obtained. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for easily applying a transparent conductive material in an arbitrary pattern at a low temperature (200 ° C. or lower).

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。 透明基体の表面極性を、化学的処理および/または光
エネルギーを付与することによってパターニングし、該
表面に導電性素材を含有する親水性液体または疎水性液
体を付与して該パターニングに対応した形状に導電性素
材を形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。 透明基体が透明フィルム支持体または透明塗膜が塗設
された透明フィルム支持体であることを特徴とするに
記載の透明導電体の製造方法。 光エネルギーが紫外線、電子線、レーザー光、コロナ
放電光、グロー放電光の中から選ばれることを特徴とす
るまたはに記載の透明導電体の製造方法。
The above object is achieved by the present invention described below. The surface polarity of the transparent substrate is patterned by chemical treatment and / or application of light energy, and a hydrophilic or hydrophobic liquid containing a conductive material is applied to the surface to form a shape corresponding to the patterning. A method for producing a transparent conductor, comprising forming a conductive material. 4. The method for producing a transparent conductor according to claim 1, wherein the transparent substrate is a transparent film support or a transparent film support coated with a transparent coating film. The method for producing a transparent conductor according to or above, wherein the light energy is selected from ultraviolet light, electron beam, laser light, corona discharge light, and glow discharge light.

【0006】導電性素材が下記一般式(I)で表され
る金属含有化合物を加熱して得られるものであることを
特徴とする乃至に記載の透明導電体の製造方法。 一般式(I) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(I)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素を表す。L は炭素―炭素三重結合
とA とを連結する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表
す。k およびn は、それぞれ1以上の整数である。また
m は0 以上の整数である。)
The method for producing a transparent conductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive material is obtained by heating a metal-containing compound represented by the following general formula (I). Formula (I) (R. (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (I), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, L represents a chemical bond or a (k + m) -valent group connecting a carbon-carbon triple bond and A. k and n are each an integer of 1 or more.
m is an integer greater than or equal to zero. )

【0007】導電性素材が下記一般式(II)で表され
る金属含有化合物を周期律表8族もしくは1B 族元素の
存在下に加熱して得られるものであることを特徴とする
乃至に記載の透明導電体の製造方法。 一般式(II) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(II)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素、水素原子、カルボキシル基また
はその塩、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、または
複素環基を表す。L は炭素―炭素三重結合とA とを連結
する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表す。k およびn
は、それぞれ1以上の整数である。またm は0 以上の整
数である。)
The conductive material is obtained by heating a metal-containing compound represented by the following general formula (II) in the presence of a Group 8 or 1B element of the periodic table. A method for producing a transparent conductor. Formula (II) (R · (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (II), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, a hydrogen atom, a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a heterocyclic group, and L represents a carbon-carbon triple bond. Represents a chemical bond or a (k + m) -valent group linking A. k and n
Is an integer of 1 or more. M is an integer of 0 or more. )

【0008】導電性素材が金属または酸化物半導体で
あることを特徴とする乃至に記載の透明導電体の製
造方法。 パターニングが格子状であることを特徴とする乃至
に記載の透明導電体の製造方法。 乃至に記載の方法で作成された基体がフィルムで
ある透明導電性フィルム。
[0008] The method for producing a transparent conductor according to any one of the above, wherein the conductive material is a metal or an oxide semiconductor. The method for producing a transparent conductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the patterning is performed in a grid pattern. A transparent conductive film, wherein the substrate produced by the method described in any one of the above is a film.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態を挙げて本
発明を更に詳細に説明する。本発明において使用される
透明基体は実質的に透明なものであれば何でも良いが、
透明合成樹脂フィルム、例えば、アクリル系樹脂、塩化
ビニル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリウレタン樹脂、メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート系樹脂、
ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、
ポリアリレート系樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、
セルロース系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリビニルア
ルコール系樹脂、ノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹
脂、または熱硬化性樹脂、もしくは光硬化性樹脂などが
用いられる。具体的にはポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチ
レン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリロニ
トリル、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテート、ポリエーテ
ルスルホン、ポリメチル(メタ)アクリレート、などが
用いられる。これらの樹脂フィルムの厚みは10μm 〜50
0 μm が好ましく、50μm 〜200 μm がさらに好まし
い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments of the present invention. The transparent substrate used in the present invention may be anything as long as it is substantially transparent.
Transparent synthetic resin film, for example, acrylic resin, vinyl chloride resin, styrene resin, polyurethane resin, melamine resin, epoxy resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin,
Polyolefin resin, polyacrylonitrile resin,
Polyarylate resin, fluorine resin, silicone resin,
A thermoplastic resin such as a cellulose resin, a polysulfone resin, a polyvinyl alcohol resin, a norbornene resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or the like is used. Specifically, polyethylene terephthalate,
Polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, polyamide, polycarbonate, polyacrylonitrile, polyarylate, polyvinyl chloride, cellulose triacetate, cellulose diacetate, polyether sulfone, polymethyl (meth) acrylate, and the like are used. The thickness of these resin films is 10 μm to 50
0 μm is preferable, and 50 μm to 200 μm is more preferable.

【0010】また、上記透明基体上に設置される透明塗
膜としては透明なポリマー膜なら何でも良いが、例え
ば、表面に光によって酸を発生させたり、架橋させるこ
とにより極性や親和性を変化させたり、架橋によって導
電性素材を含む液の速度を変化させたりすることができ
る。いわゆる下引き層などの、上記基体と易接着性を示
すポリマー膜や、ポジ型またはネガ型フォトレジストポ
リマーなどの感光性ポリマーなどが挙げられる。これら
のポリマー膜は単膜でも良いし、複層膜でも良い。これ
らのポリマー膜の厚みは0.001 μm 〜10μm が好まし
く、0.01μm 〜2 μm がさらに好ましい。
Any transparent polymer film may be used as the transparent coating film provided on the transparent substrate. For example, an acid is generated on the surface by light or cross-linked to change the polarity or affinity. Alternatively, the speed of the liquid containing the conductive material can be changed by crosslinking. Examples include a polymer film exhibiting easy adhesion to the substrate, such as a so-called undercoat layer, and a photosensitive polymer such as a positive or negative photoresist polymer. These polymer films may be a single film or a multilayer film. The thickness of these polymer films is preferably from 0.001 μm to 10 μm, more preferably from 0.01 μm to 2 μm.

【0011】光学的なパターニング法としてはいわゆる
フォトマスクを介して各種光線を照射して光エネルギー
を付与し、表面特性をパターン化することができる。光
線種としては紫外線、ガンマ線、X線、電子線、 可視
光、赤外光、レーザー光の他、グロー放電光や、アーク
放電光、なども用いられる。紫外線、電子線、レーザー
光、グロー放電光や、アーク放電光が好ましい。光照射
により例えば疎水性的な極性を持つ表面の結合の一部が
切断されたり、結合や極性基の回転で表面を親水性にす
ることができる。
As an optical patterning method, various light beams are irradiated through a so-called photomask to apply light energy to pattern the surface characteristics. Glow discharge light, arc discharge light, and the like, as well as ultraviolet light, gamma rays, X-rays, electron beams, visible light, infrared light, and laser light, are used as light rays. Ultraviolet light, electron beam, laser light, glow discharge light and arc discharge light are preferred. For example, a part of a bond on a surface having hydrophobic polarity can be cut by light irradiation, or the surface can be made hydrophilic by rotation of the bond or polar group.

【0012】基体上に化学的にパターニングする方法と
しては何でも良いが、例えば親水性基体の上にパターン
付与したフォトレジストエッチングを行い、その後に導
電性素材を含む疎水性液を付与するとか、逆に疎水性基
体の上にパターン付与したフォトレジストエッチングを
行い、その後に導電性素材を含む親水性液を付与するな
どの手法が可能である。このようにして基体表面上に親
水/疎水パターンを作成した上に上記導電性素材を付与
できる。本発明は、パターンを点で形成し、その点をは
じく液体を用いて導電体が連続するパターンを形成する
こともできる。
Although any method may be used for chemically patterning the substrate, for example, a patterned photoresist is etched on a hydrophilic substrate and then a hydrophobic liquid containing a conductive material is applied. For example, a method may be used in which a patterned photoresist is etched on a hydrophobic substrate, and then a hydrophilic liquid containing a conductive material is applied. In this way, the conductive material can be provided after forming the hydrophilic / hydrophobic pattern on the substrate surface. According to the present invention, a pattern in which conductors are continuous can be formed by forming a pattern with dots and using a liquid that repels the points.

【0013】次に付与する導電性素材について説明す
る。本発明に用いる導電性素材は導電性を有する物質で
あっても、加熱等の処理によって導電性を発揮する化合
物であってもよい。導電性素材として特公平7−537
77に挙げられている化合物が用いられる。即ち、下記
一般式(I)で表される化合物であるが加熱することに
よって導電性を発揮する化合物が得られる。 一般式(I) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(I)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素を表す。L は炭素―炭素三重結合
とA とを連結する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表
す。k およびn は、それぞれ1以上の整数である。また
m は0 以上の整数である。)
Next, the conductive material to be applied will be described. The conductive material used in the present invention may be a substance having conductivity or a compound exhibiting conductivity by a treatment such as heating. Tokiko 7-537 as conductive material
The compounds listed in No. 77 are used. That is, a compound which is a compound represented by the following general formula (I) but exhibits conductivity when heated is obtained. Formula (I) (R. (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (I), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, L represents a chemical bond or a (k + m) -valent group connecting a carbon-carbon triple bond and A. k and n are each an integer of 1 or more.
m is an integer greater than or equal to zero. )

【0014】また、下記一般式(II)で表される金属含
有化合物を周期律表8族もしくは1B 族元素の存在下に
加熱しても導電性を発揮する化合物が得られる。 一般式(II) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(II)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素、水素原子、カルボキシル基また
はその塩、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、または
複素環基を表す。L は炭素―炭素三重結合とA とを連結
する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表す。k およびn
は、それぞれ1以上の整数である。またm は0 以上の整
数である。)
Further, a compound which exhibits conductivity even when a metal-containing compound represented by the following general formula (II) is heated in the presence of a Group 8 or 1B element of the periodic table is obtained. Formula (II) (R · (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (II), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, a hydrogen atom, a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a heterocyclic group, and L represents a carbon-carbon triple bond. Represents a chemical bond or a (k + m) -valent group linking A. k and n
Is an integer of 1 or more. M is an integer of 0 or more. )

【0015】一般式(I)および(II)について更に説
明する。一般式(I)、(II)における金属元素として
は水素を除く1A族(アルカリ金属)、1B族(銅
族)、2A族(アルカリ土類金属)、2B族(亜鉛
族)、ホウ素を除く3B族、炭素とケイ素を除く4B
族、8族(鉄族および白金族)、3A族、4A族、5A
族、6A族および7A族に属する元素とアンチモン、ビ
スマス、ポロニウムが含まれる。また一般式(II)で表
わされる化合物を用いるときに存在させる周期律表8族
元素としては、例えばニッケル、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、白金等が挙げられ、また1B族元素と
しては、銅、銀、金が挙げられる。なかでも一般式
(I)、(II)におけるRは銀原子であることが好まし
く、この場合銀原子と炭素−炭素三重結合との間の結合
はσ結合であってもπ結合であってもよい。特にπ結合
である場合は後に詳述するように銀鏡膜の形成が可能と
なる。
The general formulas (I) and (II) will be further described. As the metal elements in the general formulas (I) and (II), excluding hydrogen, excluding group 1A (alkali metal), group 1B (copper group), group 2A (alkaline earth metal), group 2B (zinc group), and boron Group 3B, 4B excluding carbon and silicon
Group, group 8 (iron group and platinum group), group 3A, group 4A, group 5A
Group, 6A and 7A and antimony, bismuth and polonium. Examples of Group 8 elements in the periodic table that are present when the compound represented by the general formula (II) is used include nickel, ruthenium, rhodium, palladium, platinum, and the like. Examples of Group 1B elements include copper and silver. , Gold. Among them, R in the general formulas (I) and (II) is preferably a silver atom. In this case, the bond between the silver atom and the carbon-carbon triple bond may be a σ bond or a π bond. Good. In particular, in the case of a π bond, a silver mirror film can be formed as described later in detail.

【0016】一般式(I)、(II)においてLは炭素−
炭素三重結合とAを連結する化学結合もしくは(K+m) 価
の基、例えば各々置換されていてもよいアルキレン基、
アリーレン基、アラルキレン基、ビニレン基、シクロア
ルキレン基、グルタロイル基、フタロイル基、ヒドラゾ
基、ウレイレン基、チオ基、カルボニル基、オキシ基、
イミノ基、スルフィニル基、スルホニル基、チオカルボ
ニル基、オキザリル基、アゾ基などを表わし、これらの
2種以上の組合せであってもよい。
In the general formulas (I) and (II), L represents carbon-
A chemical bond or a (K + m) -valent group connecting a carbon triple bond and A, for example, an alkylene group each of which may be substituted,
Arylene group, aralkylene group, vinylene group, cycloalkylene group, glutaroyl group, phthaloyl group, hydrazo group, ureylene group, thio group, carbonyl group, oxy group,
It represents an imino group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a thiocarbonyl group, an oxalyl group, an azo group, etc., and may be a combination of two or more of these.

【0017】また、AおよびLは、それぞれ、さらに、
水酸基、アミノ基、メルカプト基、スルフィノ基もしく
はその塩、スルホ基もしくはその塩、カルボキシル基も
しくはその塩、または重合性の基で置換されていてもよ
い。重合性の基としては、例えば、グリシジル基、ビニ
ル基、イソシアナート基等が挙げられる。また、一般式
(II)におけるRとしてのアルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラル
キル基および複素環基はそれぞれ置換されていてもよ
い。k、nは1以上の整数であるが、kは1〜4、nは
1〜2であることが好ましい。またmは0以上の整数で
あるが、1〜3であることが好ましい。上述のように、
一般式(I)または(II)で表わされる化合物は、その
分子中に、ポリオキシエーテル基、ポリアミノエーテル
基およびポリチオエーテル基のうち少なくとも一つを含
むものである。特に、ポリオキシエーテル基を含むこと
が好ましい。このような基を有するアセチレン化合物を
用いることにより、この化合物それ自体で、また「金属
元素との混合物」として、有機溶媒に対して高い溶解性
を示すので、均一な膜や繊維の形態をした金属含有重合
体を容易に得ることができる。以下に好ましい具体的モ
ノマーを挙げるが、これらに限定されるものではない。
また本発明においては、金属塩モノマーであってもよ
い。
A and L are each
It may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a sulfino group or a salt thereof, a sulfo group or a salt thereof, a carboxyl group or a salt thereof, or a polymerizable group. Examples of the polymerizable group include a glycidyl group, a vinyl group, an isocyanate group, and the like. Further, the alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, aralkyl group and heterocyclic group as R in the general formula (II) may be substituted. k and n are integers of 1 or more, and preferably k is 1 to 4 and n is 1 or 2. In addition, m is an integer of 0 or more, and preferably 1 to 3. As mentioned above,
The compound represented by the general formula (I) or (II) contains at least one of a polyoxyether group, a polyaminoether group and a polythioether group in its molecule. In particular, it preferably contains a polyoxyether group. By using an acetylene compound having such a group, the compound itself has high solubility in an organic solvent as a “mixture with a metal element”, and thus has a uniform film or fiber form. A metal-containing polymer can be easily obtained. Preferred specific monomers are listed below, but are not limited thereto.
Further, in the present invention, a metal salt monomer may be used.

【0018】[0018]

【化1】 Embedded image

【0019】これらのモノマーであるアセチレン化合物
は一般に次のようにして合成することができる。すなわ
ち、炭素−炭素三重結合を有する化合物、例えばプロピ
オール酸、臭化プロパギル、プロパギルアルコール等と
その他の必要な官能基を有する化合物、例えばテトラエ
チレングリコールモノエチルエーテル、マレイン酸無水
物、ブタンサルトン、エピクロルヒドリン、アクリル酸
クロリド等を縮合すれば良い。
The acetylene compound as these monomers can be generally synthesized as follows. That is, compounds having a carbon-carbon triple bond, for example, propiolic acid, propargyl bromide, compounds having other necessary functional groups such as propargyl alcohol, and the like, for example, tetraethylene glycol monoethyl ether, maleic anhydride, butane sultone, epichlorohydrin And acrylic acid chloride may be condensed.

【0020】以下に合成法の一例を挙げる。 例示化合物(1)の合成 テトラエチレングリコールモノエチルエーテル107
g、臭化プロパギル107g、無水炭酸カリウム300
gの混合物を水浴上で20時間加熱攪拌する。冷却後、
不溶物を冷却濾過し、その濾液を減圧蒸留する。収量1
20g、無色透明液体、沸点115℃/3mmHg また、Rとして金属元素を有するものは(H-(C≡C)l )
k -(L)-(A)m で示されるアセチレン化合物と、対応する
上記元素の金属塩とを公知の方法で反応させることによ
って容易に得ることができる。例えば、本発明において
好ましく用いられるRとして銀を有するものは、水、メ
タノールなど適当な溶媒中で硝酸銀、酢酸銀もしくは四
フッ化ホウ素酸銀と上記のモノマーであるアセチレン化
合物とを混合することより得ることができる。またその
銀塩はσ錯体、π錯体またはその混合物でもよい。この
ような銀塩をはじめとする金属塩は、NMRスペクトル
およびIRスペクトルにより同定することができる。
The following is an example of the synthesis method. Synthesis of Exemplified Compound (1) Tetraethylene glycol monoethyl ether 107
g, propargyl bromide 107 g, anhydrous potassium carbonate 300
g of the mixture was heated and stirred on a water bath for 20 hours. After cooling,
The insolubles are cooled and filtered, and the filtrate is distilled under reduced pressure. Yield 1
20 g, colorless and transparent liquid, boiling point 115 ° C./3 mmHg Further, those having a metal element as R are (H- (C≡C) l )
It can be easily obtained by reacting an acetylene compound represented by k- (L)-(A) m with a corresponding metal salt of the above-mentioned element by a known method. For example, those having silver as R preferably used in the present invention can be prepared by mixing silver nitrate, silver acetate or silver tetrafluoroborate with the acetylene compound as the above monomer in an appropriate solvent such as water or methanol. Obtainable. The silver salt may be a σ complex, a π complex or a mixture thereof. Such a metal salt such as a silver salt can be identified by an NMR spectrum and an IR spectrum.

【0021】一般式(II)で表わされる化合物を用いる
場合に存在させる「周期律表8族もしくは1B族元素」
は、金属塩や金属錯体として用いる。このような金属塩
としては、硝酸銀、酢酸銀、四フッ化ホウ素酸銀、塩化
パラジウム、塩化第1銅、塩化白金などが好ましい。ま
たこれらの金属錯体としては、ジ−μ−クロロビス(η
−2−メチルアリル)ジパラジウム(II)錯体、テトラ
キス(トリフェニルホスフィン)パラジウム錯体、ジ−
μ−クロロテトラカルボニルジロジウム(I)錯体、
1,4,7,10,13−ペンタオキシシクロドデカン
・ナトリウムテトラクロルパナジナイト、ジシクロペン
タジエン−金(I)クロリドなどが挙げられる。モノマ
ーと金属塩ないし金属錯体との存在比はモル比で1:
0.5〜1:4、好ましくは1:1〜1:2とすればよ
い。このように、本発明においては、モノマーを用いて
金属含有重合体を形成してもよく、また、これらの化合
物のダイマー、トリマー、オリゴマー等を用いてもよ
い。さらに、2種以上のモノマーを用いてもよい。
"Group 8 or 1B element of the periodic table" to be present when the compound represented by the general formula (II) is used.
Is used as a metal salt or a metal complex. As such a metal salt, silver nitrate, silver acetate, silver tetrafluoroboronate, palladium chloride, cuprous chloride, platinum chloride and the like are preferable. These metal complexes include di-μ-chlorobis (η
-2-methylallyl) dipalladium (II) complex, tetrakis (triphenylphosphine) palladium complex, di-
μ-chlorotetracarbonyldirhodium (I) complex,
Examples thereof include 1,4,7,10,13-pentaoxycyclododecane / sodium tetrachlorpanadinite, dicyclopentadiene-gold (I) chloride, and the like. The molar ratio of the monomer to the metal salt or metal complex is 1: 1:
0.5 to 1: 4, preferably 1: 1 to 1: 2. As described above, in the present invention, a metal-containing polymer may be formed using a monomer, or a dimer, trimer, oligomer, or the like of these compounds may be used. Further, two or more monomers may be used.

【0022】上記一般式(I)、一般式(II)を用いる
とき、溶媒としては溶解するものなら何でもよいが、溶
媒として水、メタノールのようなアルコール類の親水性
溶剤の他、アセトン、メチルエチルケトンのようなケト
ン類、クロロホルム、塩化メチレンのようなハロゲン化
合物、酢酸エチルのようなエステル類、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロ
リドンのようなアミド類、アセトニトリルのようなニト
リル類などの疎水性溶剤が用いられる。上記導電性素材
は上記溶剤中に必ずしも溶解されていなくてもよく、分
散されていてもよい。これらの溶液中または分散液中の
固形分濃度は0.1〜80%、好ましくは20〜70%
である。また、塗布後の加熱温度は80〜200℃が好
ましい。支持体の耐熱性にもよるが、温度が高い方が導
電性には有利であり、温度が低い方が支持体の変形の影
響がない。
When using the above general formulas (I) and (II), any solvent may be used as long as it can be dissolved. In addition to water, hydrophilic solvents such as alcohols such as methanol, acetone and methyl ethyl ketone Ketones, such as chloroform, halogen compounds such as methylene chloride, esters such as ethyl acetate, amides such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and nitriles such as acetonitrile. Is used. The conductive material need not necessarily be dissolved in the solvent, and may be dispersed. The solids concentration in these solutions or dispersions is 0.1-80%, preferably 20-70%
It is. The heating temperature after the application is preferably from 80 to 200 ° C. Although depending on the heat resistance of the support, a higher temperature is advantageous for conductivity, and a lower temperature is not affected by the deformation of the support.

【0023】本発明の導電性素材を含む親水性液体また
は疎水性液体とは、主として上記親水性溶剤または疎水
性溶剤を用いた溶液または分散液で分類することができ
る。しかし、親水性溶剤および疎水性溶剤の用語は化学
常識的に使われているが厳密な区分はない。そのため、
本発明の作用からパターンに親和性がある液体を用いれ
ば発明を発現することができる。なお、導電性素材は、
前述する素材および後述する素材も含めて、前記濃度で
用いることが好ましい。
The hydrophilic liquid or the hydrophobic liquid containing the conductive material of the present invention can be mainly classified into a solution or a dispersion using the above-mentioned hydrophilic solvent or hydrophobic solvent. However, the terms hydrophilic solvent and hydrophobic solvent are used in chemical common sense, but there is no strict classification. for that reason,
The invention can be realized by using a liquid having an affinity for the pattern from the operation of the present invention. The conductive material is
It is preferable to use the material at the above-mentioned concentration, including the above-described materials and the materials described below.

【0024】導電性素材として他に導電性を有する酸化
物の微粒子を用いても良い。例えば導電性を有する酸化
物半導体として、In2O3,SnO2,ZnO,CdO,TiO2,CdIn2O4,In
2O3-ZnO などが用いられるが、特に透明性がよいものと
して、錫をドープした酸化インジウム(ITO) 、Sbをドー
プしたSnO2、AlをドープしたZnO などが一般に広く用い
られている。ドープされる元素の量は1〜15wt% が好ま
しい。これらの酸化物の他に導電性素材として、TiN や
ZrN 、HfN などの窒化物、LaB6などのホウ化物、MgIn
O4,CaGa4などのスピネル化合物などがある。これらの導
電性素材は微粒子として用いられるのが好ましい。微粒
子のサイズとしては1nm 〜数100 μm であるが、透明性
からは数10nm以下が好ましい。また形状は球状の他、針
状、層状などなんでも良いが球状が好ましい。
As the conductive material, fine particles of an oxide having conductivity may be used. For example, as an oxide semiconductor having conductivity, In 2 O 3 , SnO 2 , ZnO, CdO, TiO 2 , CdIn 2 O 4 , In
Although 2 O 3 -ZnO and the like are used, in particular, tin-doped indium oxide (ITO), Sb-doped SnO 2 , Al-doped ZnO, and the like are widely used as having particularly good transparency. The amount of the element to be doped is preferably 1 to 15% by weight. In addition to these oxides, conductive materials such as TiN and
ZrN, nitrides such as HfN, borides such as LaB 6, MgIn
There are spinel compounds such as O 4 and CaGa 4 . These conductive materials are preferably used as fine particles. The size of the fine particles is from 1 nm to several hundreds μm, but is preferably several tens nm or less from the viewpoint of transparency. The shape may be any shape such as a needle shape or a layer shape other than a spherical shape, but a spherical shape is preferred.

【0025】導電性素材としてまた、金属のコロイド溶
液を用いても良い。金属の種類としてはAu,Ag,Pd,Pt,R
h,Ru,Ir,Os などのいわゆる貴金属が好ましい。これら
の金属微粒子が凝集、沈殿などせず溶液中に分散してお
り、コロイドの粒径はものによって異なるが、おおよそ
10〜200A くらいである。コロイドの安定性付与の
ため界面活性剤や保護コロイドを微量添加しても良い。
金属コロイドの合成法としては種々報告されているが金
属塩溶液を水素化ホウ素ナトリウムやヒドラジンなどの
還元剤で還元して金属にする方法が一般的である。その
他導電性素材として銀や銅などの金属ペーストなども使
用できる。
A metal colloid solution may be used as the conductive material. Au, Ag, Pd, Pt, R
So-called noble metals such as h, Ru, Ir, Os are preferred. These fine metal particles are dispersed in the solution without agglomeration or precipitation, and the particle size of the colloid varies depending on the type, but is about 10 to 200A. A trace amount of a surfactant or a protective colloid may be added for imparting stability of the colloid.
Although various methods have been reported for synthesizing metal colloids, a method of reducing a metal salt solution with a reducing agent such as sodium borohydride or hydrazine to form a metal is generally used. In addition, a metal paste such as silver or copper can be used as the conductive material.

【0026】本発明の透明導電性フイルムはディスプレ
イ用透明電極、調光デバイス、大要電池、タッチパネ
ル、その他の種々の透明導電膜に使用できるが、CRT や
プラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレ
イにつける電磁波シールドフィルターとして用いるのが
好ましい。特に電磁波シールド用フィルムとして用いる
とき、導電性を付与してなおかつ透明性を高くするため
には導電性素材を格子状にパターニングして付与するこ
とが好ましい。このときの格子線幅としては20〜10
0μm 、開口部スペーシングとして50〜600μm 程
度が好ましい。線幅が太く、かつスペーシングが小さい
ほど電磁波シールド効果は高いが透明性は低下するし、
逆に線幅が細く、かつスペーシングが大きいほど電磁波
シールド効果は低いが透明性は良化する。本発明におい
て格子状とは、縦と横の直線から構成される規則正しい
格子縞である必要はなく、曲線で構成されていてもよ
い。導電性素材が存在しない部分が点状に存在しないよ
うにすればよい。また、導電性素材自体の透明性が高い
ほどフイルムとしての透明性が良化する。目的に応じた
設定が可能である。本発明の導電層素材の付与方法にて
上記格子が付与できる。
The transparent conductive film of the present invention can be used for a transparent electrode for a display, a light control device, a battery, a touch panel, and various other transparent conductive films. It is preferably used as a shield filter. In particular, when used as an electromagnetic wave shielding film, in order to impart conductivity and increase transparency, it is preferable to apply a conductive material in a lattice pattern. The grid line width at this time is 20 to 10
Preferably, the opening spacing is about 50 to 600 μm. The wider the line width and the smaller the spacing, the higher the electromagnetic wave shielding effect, but the lower the transparency,
Conversely, the narrower the line width and the greater the spacing, the lower the electromagnetic wave shielding effect but the better the transparency. In the present invention, the lattice shape does not need to be a regular lattice pattern composed of vertical and horizontal straight lines, and may be composed of a curved line. What is necessary is just to make sure that the portion where the conductive material does not exist does not exist in the form of dots. Further, the higher the transparency of the conductive material itself, the better the transparency as a film. Settings can be made according to the purpose. The grid can be provided by the method for applying a conductive layer material according to the present invention.

【0027】[0027]

【実施例】以下に実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0028】実施例1 厚さ40μm の鋼箔をフォトエッチングして作成した線
幅100μm 、スペーシング300μm の網状格子フィ
ルターを、厚さ100μm のポリエチレンナフタレート
(PEN)フイルム片面に密着させ、処理雰囲気圧力
0.2Torr、雰囲気気体中のH2 O分圧75%、放
電周波数30kHz、出力2500W、処理強度0.5
kV・A・分/m2 でグロー放電処理を施した。上記P
ENフィルムに下記組成の液を#5のバーでバーコート
塗布を行い、170 ℃で3分間熱処理したところ、上記鋼
箔網状格子フィルター格子と同じパターンで銀含有重合
体が析出した。 化合物例(1) 280g AgNO3 粉末 220g トルエン 70g この格子パターンフィルムのエッジ部でグロー照射され
てなくて銀含有重合体が連続的に形成されている部分の
表面導電性を4探針法にて測定したところ、1Ω/□を
示した。また格子部全面の透過率を測定したところ55
%であった。
Example 1 A mesh filter having a line width of 100 μm and a spacing of 300 μm, prepared by photo-etching a steel foil having a thickness of 40 μm, was brought into close contact with one side of a 100 μm-thick polyethylene naphthalate (PEN) film. Pressure 0.2 Torr, partial pressure of H 2 O in atmosphere gas 75%, discharge frequency 30 kHz, output 2500 W, processing intensity 0.5
Glow discharge treatment was performed at kV · A · min / m 2 . The above P
The EN film was bar-coated with a liquid having the following composition using a # 5 bar, and heat-treated at 170 ° C. for 3 minutes. As a result, a silver-containing polymer was deposited in the same pattern as the above-mentioned steel foil mesh grid filter grid. Compound Example (1) 280 g AgNO 3 powder 220 g Toluene 70 g The surface conductivity of the portion of the lattice pattern film where the silver-containing polymer is continuously formed without being glow-irradiated is measured by a four-probe method. The measurement showed 1 Ω / □. Further, the transmittance of the entire grating portion was measured.
%Met.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上により本発明によれば、従来のよう
に高温(200℃を越える) ではなく低温(200℃以下)で透
明導電性素材を任意のパターンで簡便に付与する方法が
提供される。
As described above, according to the present invention, there is provided a method for easily applying a transparent conductive material in an arbitrary pattern at a low temperature (200 ° C. or less) instead of at a high temperature (200 ° C.) as in the prior art. You.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 卓 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Taku Nakamura 210 Nakanakanuma, Minamiashigara, Kanagawa Prefecture Fuji Photo Film Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基体の表面極性を、化学的処理およ
び/または光エネルギーを付与することによってパター
ニングし、該表面に導電性素材を含有する親水性液体ま
たは疎水性液体を付与して該パターニングに対応した形
状に導電性素材を形成することを特徴とする透明導電体
の製造方法。
1. Patterning the surface polarity of a transparent substrate by applying a chemical treatment and / or applying light energy, and applying a hydrophilic liquid or a hydrophobic liquid containing a conductive material to the surface. A method for producing a transparent conductor, comprising forming a conductive material in a shape corresponding to the above.
【請求項2】 透明基体が透明フィルム支持体または透
明塗膜が塗設された透明フィルム支持体であることを特
徴とする請求項1に記載の透明導電体の製造方法。
2. The method for producing a transparent conductor according to claim 1, wherein the transparent substrate is a transparent film support or a transparent film support provided with a transparent coating.
【請求項3】 光エネルギーが紫外線、電子線、レーザ
ー光、コロナ放電光、グロー放電光の中から選ばれるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電体の
製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the light energy is selected from ultraviolet light, electron beam, laser light, corona discharge light, and glow discharge light.
【請求項4】 導電性素材が下記一般式(I)で表され
る金属含有化合物を加熱して得られるものであることを
特徴とする請求項1乃至3に記載の透明導電体の製造方
法。 一般式(I) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(I)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素を表す。L は炭素―炭素三重結合
とA とを連結する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表
す。k およびn は、それぞれ1 以上の整数である。また
m は0 以上の整数である。)
4. The method for producing a transparent conductor according to claim 1, wherein the conductive material is obtained by heating a metal-containing compound represented by the following general formula (I). . Formula (I) (R. (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (I), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, L represents a chemical bond or a (k + m) -valent group connecting a carbon-carbon triple bond and A. k and n are each an integer of 1 or more.
m is an integer greater than or equal to zero. )
【請求項5】 導電性素材が下記一般式(II)で表され
る金属含有化合物を周期律表8族もしくは1B 族元素の
存在下に加熱して得られるものであることを特徴とする
請求項1乃至3に記載の透明導電体の製造方法。 一般式(II) (R・(C≡C)n)k-(L)-(A)m (上記一般式(II)において、A はポリオキシエーテル
基、ポリアミノエーテル基、またはポリチオエーテル基
を表す。R は金属元素、水素原子、カルボキシル基また
はその塩、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、または
複素環基を表す。L は炭素―炭素三重結合とA とを連結
する化学結合もしくは(k+m) 価の基を表す。k およびn
は、それぞれ1以上の整数である。またm は0 以上の整
数である。)
5. The conductive material is obtained by heating a metal-containing compound represented by the following general formula (II) in the presence of a Group 8 or 1B element of the periodic table. Item 4. The method for producing a transparent conductor according to items 1 to 3. Formula (II) (R · (C≡C) n) k- (L)-(A) m (In the above formula (II), A represents a polyoxyether group, a polyaminoether group, or a polythioether group. R represents a metal element, a hydrogen atom, a carboxyl group or a salt thereof, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, or a heterocyclic group, and L represents a carbon-carbon triple bond. Represents a chemical bond or a (k + m) -valent group linking A. k and n
Is an integer of 1 or more. M is an integer of 0 or more. )
【請求項6】 導電性素材が金属または酸化物半導体で
あることを特徴とする請求項1乃至3に記載の透明導電
体の製造方法。
6. The method for producing a transparent conductor according to claim 1, wherein the conductive material is a metal or an oxide semiconductor.
【請求項7】 パターニングが格子状であることを特徴
とする請求項1乃至6に記載の透明導電体の製造方法。
7. The method for producing a transparent conductor according to claim 1, wherein the patterning is performed in a grid pattern.
【請求項8】 上記請求項1乃至7に記載の方法で作成
された基体がフィルムである透明導電性フィルム。
8. A transparent conductive film, wherein the substrate produced by the method according to claim 1 is a film.
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