JPH11214967A - Variable delay circuit - Google Patents

Variable delay circuit

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Publication number
JPH11214967A
JPH11214967A JP10016965A JP1696598A JPH11214967A JP H11214967 A JPH11214967 A JP H11214967A JP 10016965 A JP10016965 A JP 10016965A JP 1696598 A JP1696598 A JP 1696598A JP H11214967 A JPH11214967 A JP H11214967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
delay
input signal
resistance elements
delay time
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP10016965A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Shibata
浩行 柴田
Yasunori Okimura
恭典 沖村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Priority to CN99101711A priority patent/CN1233107A/en
Publication of JPH11214967A publication Critical patent/JPH11214967A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K2005/00013Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
    • H03K2005/00019Variable delay

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a delay circuit capable of adjusting delay times with respect to the rise and fall of an input signal after it is manufactured. SOLUTION: This circuit includes plural switchable resistance elements, which are connected in parallel, consists of a delay element which delays an input signal via plural resistance elements and gets an output signal and a delay time controlling part 10 which selectively sends a switching control signal to plural resistance elements and controls delay time of the rise or fall of the input signal respectively by controlling ON/OFF of the resistance elements with a control signal from the part 10 and changing the resistance value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、可変遅延回路に関
し、特に製造後の、入力信号の立ち上がり及び立ち下が
りに対する遅延時間の調整が可能な遅延回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable delay circuit and, more particularly, to a delay circuit capable of adjusting a delay time for rising and falling of an input signal after manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体集積回路で内部信号のスキ
ュー(タイミングや位相のずれ)調整等に用いられてい
る遅延素子では、図7(A)に示すように、インバータ
の出力に容量素子を付加、または容量素子をスイッチン
グすることにより、次段への情報伝達時間を変化させて
遅延を得るもの、また図7(B)に示すように、FET
の導通状態を制御し、FETによる抵抗値により遅延を
得るもの、そして図7(C)に示すように、FETを縦
続接続することにより、インバータのドライブ能力を減
少させるとともに、前段への負荷を重くすることによ
り、次段への情報伝達時間を遅らせて遅延を得るもの等
がある。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 7A, a delay element used for adjusting the skew (timing and phase shift) of an internal signal in a conventional semiconductor integrated circuit has a capacitor connected to the output of an inverter. A method in which a delay is obtained by changing the information transmission time to the next stage by adding or switching a capacitive element. As shown in FIG.
And the delay is obtained by the resistance value of the FET. As shown in FIG. 7 (C), by cascading the FETs, the drive capability of the inverter is reduced and the load on the preceding stage is reduced. In some cases, the weight is increased to delay the information transmission time to the next stage to obtain a delay.

【0003】しかし、上記3つの回路はいずれも、遅延
素子の製造ばらつき等により、設計時の遅延値を必ずし
も実現できないばかりでなく、製造後の遅延時間の調整
が困難であり、また同一素子での入力信号の立ち上がり
及び立ち下がりに対する遅延時間の調整についても考慮
されていない。
However, all of the above three circuits cannot always realize the delay value at the time of design due to the manufacturing variation of the delay element and the like, and it is difficult to adjust the delay time after the manufacturing. No consideration is given to the adjustment of the delay time for the rise and fall of the input signal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点に鑑み、製造後の遅延時間の調整、入
力信号の立ち上がり及び立ち下がりに対する遅延時間の
調整が可能な遅延回路を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a delay circuit capable of adjusting a delay time after manufacturing and a delay time for rising and falling of an input signal in view of the above-mentioned problems of the prior art. To provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、並列に接続されたスイッチ可能な複数
の抵抗素子を含み、複数の抵抗素子を介して入力信号を
遅延させて出力信号を得る遅延素子と、前記複数の抵抗
素子にスイッチング制御信号を選択的に送出する遅延時
間制御部とより構成されており、遅延時間制御部よりの
制御信号によって抵抗素子のON/OFFを制御し、抵
抗値を変化させることにより、入力信号の立ち上がり及
び立ち下がりの遅延時間を別々に制御できることを特徴
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention includes a plurality of switchable resistance elements connected in parallel, and delays an input signal via the plurality of resistance elements. A delay element that obtains an output signal; and a delay time control section that selectively sends a switching control signal to the plurality of resistance elements. The control signal from the delay time control section turns on / off the resistance element. By controlling and changing the resistance value, the delay time of the rise and fall of the input signal can be controlled separately.

【0006】遅延時間制御部よりの制御信号により、任
意の抵抗素子がON又はOFFされる。この状態で入力
信号INを入力した場合、入力信号INと出力OUT間
の遅延時間として、入力の立ち上がりに関してはスイッ
チ可能な任意の抵抗値を持つ抵抗素子R1,n+1、R1,
n+2、・・・R1,2n及びR2,1、R2,2、・・・ R2,
nの内、ON状態の抵抗素子の抵抗値による遅延が得ら
れ、立ち下がりに関してはR1,1、R1,2・・・R1,n及
びR2,n+1、R2,n+2、・・・ R2,2nの内、ON状
態の抵抗素子の抵抗値による遅延時間が得られる。
An arbitrary resistance element is turned ON or OFF by a control signal from the delay time control unit. When the input signal IN is input in this state, as the delay time between the input signal IN and the output OUT, the resistance elements R1, n + 1, R1, each having an arbitrary switchable resistance value with respect to the rise of the input.
n + 2,... R1,2n and R2,1, R2,2,.
Among the n, a delay due to the resistance value of the ON-state resistance element is obtained, and with respect to the fall, R1,1, R1,2... R1, n and R2, n + 1, R2, n + 2,. Among them, the delay time due to the resistance value of the ON resistance element can be obtained.

【0007】したがって、遅延時間制御部によって並列
接続された抵抗素子をON/OFFすることにより、並
列接続された抵抗素子の抵抗値を調整し、入力信号の立
ち上がり及び立ち下がりに対し、任意の遅延時間を得る
ことができる。
Therefore, by turning ON / OFF the resistance elements connected in parallel by the delay time control unit, the resistance value of the resistance elements connected in parallel is adjusted, and an arbitrary delay is provided for the rise and fall of the input signal. You can get time.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図面を
参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】図1は第1実施形態の構成を示す電気回路
図である。本発明の第1実施形態である可変遅延回路
は、図1に示すように、遅延素子L1,H1とL2,H2を2
段直列接続した形をしている。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing the configuration of the first embodiment. As shown in FIG. 1, the variable delay circuit according to the first embodiment of the present invention includes two delay elements L1, H1 and L2, H2.
It is shaped like a series connection.

【0010】PチャンネルFET P1とNチャンネルF
ET N1のCMOSゲートが入力端子INに接続され、
またPチャンネルFET P1のソースは正の電源端子
に、PチャンネルFET P1のドレインは並列接続され
たスイッチ可能なPチャンネルFETよりなる遅延素子
L1(抵抗素子R1,1、R1,2・・・R1,nから成る)の
ソースに接続されている。NチャンネルFET N1のソ
ースは負の電源端子に、NチャンネルFET N1のドレ
インは並列接続されたスイッチ可能なNチャンネルFE
Tよりなる遅延素子H1 (抵抗素子R1,n+1、R1,n
+2、・・・R1,2nから成る)のソースに接続されてい
る。遅延素子L1およびH1のドレインは共にPチャンネ
ルFET P2とNチャンネルFET N2のCMOSゲー
トに接続されている。
A P-channel FET P1 and an N-channel F
The CMOS gate of ET N1 is connected to the input terminal IN,
The source of the P-channel FET P1 is a positive power supply terminal, and the drain of the P-channel FET P1 is a delay element L1 (resistance elements R1,1, R1,2... R1) composed of a switchable P-channel FET connected in parallel. , n). The source of N-channel FET N1 is connected to the negative power supply terminal, and the drain of N-channel FET N1 is connected in parallel to a switchable N-channel FE.
T delay element H1 (resistance elements R1, n + 1, R1, n
+2,... R1, 2n). The drains of delay elements L1 and H1 are both connected to the CMOS gates of P-channel FET P2 and N-channel FET N2.

【0011】また、PチャンネルFET P2のドレイン
は並列接続されたスイッチ可能なNチャンネルFETよ
りなる遅延素子H2(抵抗素子R2,1、R2,2、・・・R
2,nから成る)のソースに、PチャンネルFET P2の
ソースは正の電源端子に接続されている。そして、Nチ
ャンネルFET N2のドレインは並列接続されたスイッ
チ可能なPチャンネルFETよりなる遅延素子L2(抵
抗素子R2,n+1、R2,n+2、・・・R2,2nから成
る)のソースに、NチャンネルFET N2のソースは負
の電源端子に接続されている。遅延素子L2およびH2の
ドレインは出力端子OUTに接続されている。
The drain of the P-channel FET P2 is connected to a delay element H2 (resistance elements R2,1, R2,2,... R) composed of switchable N-channel FETs connected in parallel.
2, n) and the source of P-channel FET P2 is connected to the positive power supply terminal. The drain of the N-channel FET N2 is connected to the source of a delay element L2 (consisting of resistance elements R2, n + 1, R2, n + 2,... R2, 2n) composed of a switchable P-channel FET connected in parallel, and an N-channel FET. The source of FET N2 is connected to the negative power supply terminal. The drains of the delay elements L2 and H2 are connected to the output terminal OUT.

【0012】遅延時間制御部より入力信号INの立ち上
がり,立ち下がりに対する遅延時間を設定するための制
御信号HDLYiおよびLDLYi(1≦i≦n)が各遅延素子L
1,H1、L2,H2に出力される。立ち上がり時の制御信号
HDLYiの各々は各抵抗素子R1,n+iに接続され、信号H
DLYiをインバータ12で逆相にした制御信号の各々は各
抵抗素子R2,iに接続される。また立ち下がり時の制御
信号LDLYiの各々は抵抗素子R2,n+iに接続され、信
号LDLYiをインバータ12で逆相にした制御信号の各々
は各抵抗素子R1、Riに接続される。
Control signals HDLYi and LDLYi (1 ≦ i ≦ n) for setting delay times for the rise and fall of the input signal IN from the delay time control unit are transmitted to each delay element L.
1, H1, L2 and H2 are output. Control signal at rising
HDLYi is connected to each resistance element R1, n + i, and the signal HLYi
Each of the control signals whose DLYi is inverted by the inverter 12 is connected to each resistance element R2, i. Further, each of the control signals LDLYi at the time of the falling is connected to the resistance element R2, n + i, and each of the control signals obtained by making the signal LDLYi out of phase by the inverter 12 is connected to each of the resistance elements R1, Ri.

【0013】入力信号INの立ち上がりに対し、Nチャ
ンネルFET N1、並列接続されたNチャンネルFET
H1、PチャンネルFET P2及び並列接続されたPチ
ャンネルFET H2によって入力信号の立ち上がり時の
遅延時間が制御され、入力信号INの立ち下がりに対し
て、PチャンネルFET P1、並列接続されたPチャン
ネルFET L1、NチャンネルFET N2及び並列接続
されたNチャンネルFET L2によって入力信号の立ち
下がり時の遅延時間が制御される。入力信号INの立ち
上がり及び立ち下がりに対し、それぞれ最大2n−1通
りの遅延量を設定することが可能である。
When the input signal IN rises, an N-channel FET N1 and an N-channel FET connected in parallel
The delay time at the rise of the input signal is controlled by H1, the P-channel FET P2 and the P-channel FET H2 connected in parallel, and the P-channel FET P1 and the P-channel FET connected in parallel with respect to the fall of the input signal IN The delay time when the input signal falls is controlled by L1, N-channel FET N2 and N-channel FET L2 connected in parallel. It is possible to set up to 2 n -1 maximum delay amounts for the rising and falling edges of the input signal IN, respectively.

【0014】次に、第1実施形態における遅延時間制御
について説明する。
Next, the delay time control in the first embodiment will be described.

【0015】まず、入力信号INの立ち上がりに対する
遅延時間を設定する場合は、遅延時間制御部にて立ち上
がりに対する遅延時間を設定することにより、制御信号
HDLY中の任意の選択された信号がHigh/Lowとなり、各
信号に接続されたFET H1及びH2中のFETがON
/OFFされ、ON状態のFETの持つ抵抗値によりF
ET H1及びH2はそれぞれ最大2n−1通りの抵抗値と
なるので、入力の立ち上がりに対し最大2n−1通りの
遅延量を制御することができる。ここで、最大2n−1
通りとは、n個の抵抗素子それぞれがON/OFFの2
通りの状態をとり得ることから2n通りの組合せから、
全素子がOFFである場合の1通りを差し引いた数であ
る。
First, when setting the delay time with respect to the rise of the input signal IN, the delay time control section sets the delay time with respect to the rise, so that the control signal is controlled.
Any selected signal in HDLY becomes High / Low, and FETs H1 and H2 connected to each signal are turned on.
/ OFF, F is determined by the resistance value of the FET in the ON state.
Since each of ET H1 and H2 has a maximum of 2 n -1 resistance values, it is possible to control a maximum of 2 n -1 delay amounts with respect to the rising edge of the input. Here, at most 2 n -1
The street means that each of the n resistance elements is ON / OFF.
From 2 n possible combinations,
This is a number obtained by subtracting one pattern when all elements are OFF.

【0016】また、入力信号INの立ち下がりに対する
遅延時間を設定する場合は、遅延時間制御部にて立ち下
がりに対する遅延時間を設定することにより、制御信号
LDLY中の任意の選択された信号がHigh/Lowとなり、各
信号に接続されたFET L1及びL2中のFETがON
/OFFされ、ON状態のFETの持つ抵抗値によりF
ET L1及びL2はそれぞれ最大2n−1通りの抵抗値と
なるので、入力の立ち下がりに対し最大2n−1通りの
遅延量を制御することができる。
When the delay time for the fall of the input signal IN is set, the delay time for the fall is set by the delay time control unit so that the control signal can be set.
An arbitrary selected signal in LDLY becomes High / Low, and the FETs L1 and L2 connected to each signal are turned on.
/ OFF, F is determined by the resistance value of the FET in the ON state.
Since ET L1 and L2 each have a maximum of 2 n -1 resistance values, it is possible to control a maximum of 2 n -1 delay amounts with respect to the falling edge of the input.

【0017】また、上記2つを同時に設定することによ
り、入力信号INの立ち上がり及び立ち下がりに対する
遅延時間の制御を同時に行うことができる。
Further, by setting the two at the same time, it is possible to simultaneously control the delay time for the rise and fall of the input signal IN.

【0018】本発明の第2実施形態について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0019】図2は第2実施形態の構成を示す電気回路
図、図3(A)、(B)はそれぞれ、第2実施形態の一
部構成の変形例を示す図、図4(A)、(B)はそれぞ
れ、第2実施形態の一部構成の変形例を示す図である。
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing the configuration of the second embodiment, FIGS. 3A and 3B are diagrams each showing a modification of a partial configuration of the second embodiment, and FIG. 4A. (B) is a figure which shows the modification of some structure of 2nd Embodiment, respectively.

【0020】本実施形態は、図1の第1実施形態におけ
る並列接続されたFETを他のスイッチ可能な抵抗素子
で置き換えたものである。PチャネルFETよりなる抵
抗素子R1,1〜R1,n及びR2,1〜R2,n、及びNチャネ
ルFETよりなる抵抗素子R1,n+1〜R1,2n及びR2,
n+1〜R2,2nにより構成されており、各抵抗素子はP
チャンネルFETによる例で示せば、図3(A)のよう
にPチャンネルFETを複数個直列接続したもの、又は
図3(B)のように複数個並列接続したものである。N
チャンネルFETの場合についても同様である。
In the present embodiment, the FETs connected in parallel in the first embodiment of FIG. 1 are replaced with other switchable resistance elements. P-channel FET resistance elements R1,1 to R1, n and R2,1 to R2, n, and N-channel FET resistance elements R1, n + 1 to R1,2n and R2,
n + 1 to R2,2n, and each resistance element is P
As an example using a channel FET, a plurality of P-channel FETs are connected in series as shown in FIG. 3A, or a plurality of P-channel FETs are connected in parallel as shown in FIG. 3B. N
The same applies to the case of a channel FET.

【0021】図1の第1実施形態と同様に、入力信号I
Nの立ち上がり、立ち下がりに対し、それぞれ最大2n
−1通りの遅延量を制御することができる。
As in the first embodiment shown in FIG.
Up to 2 n each for rising and falling of N
One delay amount can be controlled.

【0022】また、図4(A)のように、並列接続され
たFETをCMOSゲートP1又はN1を介さずに直接、
正の電源側または負の電源側に接続した構成、又は図4
(B)のように、CMOSゲートを介するのと介さない
のとを組み合せた構成によっても、最大2n−1通りの
遅延を得ることができる。
Further, as shown in FIG. 4A, the FETs connected in parallel are directly connected without passing through the CMOS gate P1 or N1.
Configuration connected to the positive power supply side or negative power supply side, or FIG.
As shown in FIG. 3B, a maximum of 2.sup.n- 1 types of delay can be obtained by a configuration in which a CMOS gate is used and a CMOS gate is not used.

【0023】本発明の第3実施形態について説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.

【0024】図5は第3実施形態の構成を示す電気回路
図、図6は第3実施形態の変形例の構成を示す電気回路
図である。
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing a configuration of the third embodiment, and FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a configuration of a modification of the third embodiment.

【0025】第2実施形態でFET H1及びH2、及び
FET L1及びL2への制御信号を逆相としていたもの
(図2)を、制御信号数を増やし、逆相の制御信号を用
いることなく同相信号にて各々制御するようにしたもの
であり、FET H1及びH2、FET L1及びL2 中の
抵抗素子をNチャンネルFETのみまたはPチャンネル
FETのみによって構成することができる。
The second embodiment differs from the second embodiment in that the control signals to the FETs H1 and H2 and the FETs L1 and L2 are reversed in phase (FIG. 2). Each of the resistors is controlled by a phase signal, and the resistance elements in the FETs H1 and H2 and the FETs L1 and L2 can be constituted by only N-channel FETs or only P-channel FETs.

【0026】本実施形態では入力信号INの立ち上がり
及び立ち下がりに対し、前段で最大2n−1通り、後段
で最大2n−1通りの遅延を制御することができるた
め、本実施形態のように2段組みの場合は、最大(2n
−1)×(2n−1)通りの遅延制御が可能である。
The relative rise and fall of the input signal IN is in this embodiment, the maximum 2 n -1 kinds in the previous paragraph, it is possible to control a delay of up to 2 n -1 kinds later, as in this embodiment In the case of two columns, the maximum (2 n
-1) × (2 n -1) delay controls are possible.

【0027】図6は、FET H1、H2にてスイッチン
グに用いるFET、 及びFET L1、L2 にてスイッ
チングに用いるFETをそれぞれ同じチャンネルのもの
とすることにより、制御信号数を削除したものである
が、本実施形態においても最大2 n−1通りの遅延制御
が可能である。
FIG. 6 is a diagram showing switching between FETs H1 and H2.
The FETs used for switching and the switches L1 and L2
FETs used for switching are of the same channel
By removing the number of control signals.
However, also in this embodiment, a maximum of 2 n-1 delay control
Is possible.

【0028】これまで、遅延素子の2段直列接続した実
施形態について説明してきたが、本発明は2段に限るも
のでなく、1段だけでも、また3段以上であっても充分
に実施できることは当業者ならば容易に考えられること
である。
Although the embodiment in which two stages of delay elements are connected in series has been described above, the present invention is not limited to two stages, but can be implemented sufficiently with only one stage or three or more stages. Is easily considered by those skilled in the art.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、入力信号の立ち上がり
時のみの遅延値変更、立ち下がり時のみの遅延値変更、
または入力信号の立ち上がり,立ち下がり時の2つの遅
延値変更を同時に行うことが可能である。
According to the present invention, the delay value can be changed only when the input signal rises, the delay value can be changed only when the input signal falls,
Alternatively, it is possible to simultaneously change the two delay values when the input signal rises and falls.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態の構成を示す電気回路図FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a configuration of a first embodiment.

【図2】第2実施形態の構成を示す電気回路図FIG. 2 is an electric circuit diagram showing a configuration of a second embodiment.

【図3】(A),(B)それぞれ、第2実施形態の一部
構成の変形例を示す図
FIGS. 3A and 3B each show a modification of a partial configuration of the second embodiment; FIGS.

【図4】(A),(B)それぞれ、第2実施形態の一部
構成の変形例を示す図
FIGS. 4A and 4B each show a modification of a partial configuration of the second embodiment; FIGS.

【図5】第3実施形態の構成を示す電気回路図FIG. 5 is an electric circuit diagram showing a configuration of a third embodiment.

【図6】第3実施形態の変形例の構成を示す電気回路図FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a configuration of a modification of the third embodiment.

【図7】(A),(B),(C)それぞれ、従来技術の構
成を示す電気回路図
FIGS. 7A, 7B, and 7C are electric circuit diagrams each showing a configuration of a conventional technique;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,11 遅延時間制御部 12 インバータ H 入力信号の立ち上がり時の遅延素子 L 入力信号の立ち下がり時の遅延素子 R スイッチ可能なFET等から成る抵抗素子 10, 11 delay time control unit 12 inverter H delay element when input signal rises L delay element when input signal falls R resistance element such as switchable FET

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年3月11日[Submission date] March 11, 1999

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0005[Correction target item name] 0005

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、並列に接続されたスイッチ可能な複数
の抵抗素子を含み、これらの抵抗素子を介して入力信号
を遅延させて出力する立ち上がり用遅延素子及び/また
は立ち下がり用遅延素子をそれぞれ複数段直列に接続し
て設け立ち上がり、立ち下がりに対する遅延時間を設
定するための遅延時間制御部よりの正逆2つのスイッチ
ング制御信号によって前段及び後段の立ち上がり用遅延
素子に含まれる前記複数の抵抗素子及び/または前段及
び後段の立ち下がり用遅延素子に含まれる前記複数の
抗素子のそれぞれのON/OFFを選択的に制御し抵抗
値を変化させることにより、入力信号の立ち上がり及び
/または立ち下がりの遅延時間をそれぞれ制御すること
を特徴とする可変遅延回路であります。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a plurality of switchable resistance elements connected in parallel, and delays an input signal via these resistance elements. Output rising delay element and / or
Is connected in multiple stages of falling delay elements in series.
Te provided, and set the delay time rise, with respect to the falling
Forward and reverse two switches from the delay time control unit for the constant
Rise delay of upstream and downstream by ring control signal
Said plurality of resistive elements and / or preceding elements included in the element
By selectively controlling the ON / OFF of each of the plurality of resistive elements included in the falling delay element at the subsequent stage and changing the resistance value, the rising and falling of the input signal can be achieved.
This is a variable delay circuit that controls the delay time of the falling edge.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0029[Correction target item name] 0029

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、複数段の遅延素子を同
一の信号にて制御できるため、遅延時間制御部が一つで
よく、また遅延素子を複数段直列接続し、入力信号の立
ち上がり時のみの遅延値変更、立ち下がり時のみの遅延
値変更、または入力信号の立ち上がり、立ち下がり時の
2つの遅延値変更を同時に行うことが可能である。
According to the present invention, a plurality of stages of delay elements are
Since it can be controlled by one signal, only one delay time control unit is required.
Often, a plurality of delay elements are connected in series to change the delay value only when the input signal rises, to change the delay value only when the input signal falls, or to change two delay values when the input signal rises and falls simultaneously. It is possible.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 並列に接続されたスイッチ可能な複数の
抵抗素子を含み、複数の抵抗素子を介して入力信号を遅
延させて出力信号を得る遅延素子と、前記複数の抵抗素
子にスイッチング制御信号を選択的に送出する遅延時間
制御部とより構成されており、遅延時間制御部よりの制
御信号によって前記抵抗素子のON/OFFを制御し抵
抗値を変化させることにより、入力信号の立ち上がりの
遅延時間を制御することを特徴とする可変遅延回路。
1. A delay element including a plurality of switchable resistance elements connected in parallel, delaying an input signal via the plurality of resistance elements to obtain an output signal, and a switching control signal to the plurality of resistance elements. And a delay time control section for selectively transmitting the input signal, and controlling the ON / OFF of the resistance element by a control signal from the delay time control section to change the resistance value, thereby delaying the rise of the input signal. A variable delay circuit for controlling time.
【請求項2】 並列に接続されたスイッチ可能な複数の
抵抗素子を含み、複数の抵抗素子を介して入力信号を遅
延させて出力信号を得る遅延素子と、前記複数の抵抗素
子にスイッチング制御信号を選択的に送出する遅延時間
制御部とより構成されており、遅延時間制御部よりの制
御信号によって前記抵抗素子のON/OFFを制御し抵
抗値を変化させることにより、入力信号の立ち下がりの
遅延時間を制御することを特徴とする可変遅延回路。
2. A delay element including a plurality of switchable resistance elements connected in parallel, delaying an input signal via the plurality of resistance elements to obtain an output signal, and a switching control signal to the plurality of resistance elements. And a delay time control unit that selectively sends out the falling edge of the input signal by controlling ON / OFF of the resistance element by a control signal from the delay time control unit and changing the resistance value. A variable delay circuit for controlling a delay time.
【請求項3】 並列に接続されたスイッチ可能な複数の
抵抗素子を含み、複数の抵抗素子を介して入力信号を遅
延させて出力信号を得る遅延素子と、前記複数の抵抗素
子にスイッチング制御信号を選択的に送出する遅延時間
制御部とより構成されており、遅延時間制御部よりの制
御信号によって前記抵抗素子のON/OFFを制御し抵
抗値を変化させることにより、入力信号の立ち上がり及
び立ち下がりの遅延時間をそれぞれ制御することを特徴
とする可変遅延回路。
3. A delay element including a plurality of switchable resistance elements connected in parallel, and delaying an input signal via the plurality of resistance elements to obtain an output signal; and a switching control signal applied to the plurality of resistance elements. And a delay time control unit that selectively sends out the input signal. The control signal from the delay time control unit controls ON / OFF of the resistance element to change the resistance value, thereby causing the rise and rise of the input signal. A variable delay circuit for controlling a falling delay time.
【請求項4】 遅延時間制御部よりの制御信号が入力信
号の立ち上がり及び立ち下がりのそれぞれ制御において
逆相であることを特徴とする請求項3記載の可変遅延回
路。
4. The variable delay circuit according to claim 3, wherein the control signals from the delay time control section are in opposite phases in controlling the rising and falling of the input signal.
【請求項5】 2段以上の遅延素子を直列接続して設け
ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記
載の可変遅延回路。
5. The variable delay circuit according to claim 1, wherein two or more delay elements are connected in series.
【請求項6】 並列に接続されたスイッチ可能な複数の
抵抗素子が電界効果トランジスタから成ることを特徴と
する請求項1、2、3、5のいずれか1項に記載の可変
遅延回路。
6. The variable delay circuit according to claim 1, wherein the plurality of switchable resistance elements connected in parallel comprise field effect transistors.
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