JPH11214908A - Dielectric resonator and dielectric resonator device - Google Patents

Dielectric resonator and dielectric resonator device

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Publication number
JPH11214908A
JPH11214908A JP1551598A JP1551598A JPH11214908A JP H11214908 A JPH11214908 A JP H11214908A JP 1551598 A JP1551598 A JP 1551598A JP 1551598 A JP1551598 A JP 1551598A JP H11214908 A JPH11214908 A JP H11214908A
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JP
Japan
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dielectric resonator
dielectric
electrode
resonator
mounting substrate
Prior art date
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Application number
JP1551598A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Sayanagi
和也 佐柳
Koichi Sakamoto
孝一 坂本
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11214908A publication Critical patent/JPH11214908A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric resonator which readily enhances the positional accuracy of the dielectric resonator, especially against a mounted substrate and also enhances productivity and a dielectric resonator device that uses it. SOLUTION: This dielectric resonator 2 in a TE010 mode is configured by forming electrodes which has opening parts that face opposite to each other on both principal planes of a dielectric plate 22 and plural conductive projecting parts for jointing are formed on the electrodes of the dielectric plate. The resonator 2 is mounted on electrodes 29 for mounting on the plate 1 through the conductive projecting parts for joining.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯や
ミリ波帯で使用される誘電体共振器およびそれを用いた
誘電体共振器装置に関する。
The present invention relates to a dielectric resonator used in a microwave band or a millimeter wave band and a dielectric resonator device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の移動体通信システムの需要の拡大
および伝送情報量の拡大に伴って、通信帯域がマイクロ
波帯からミリ波帯へ拡大されようとしている。このよう
な高周波帯域において発振器を構成する場合、その共振
器として誘電体共振器が用いられている。
2. Description of the Related Art With the recent increase in demand for mobile communication systems and the amount of transmitted information, the communication band is being expanded from the microwave band to the millimeter wave band. When configuring an oscillator in such a high frequency band, a dielectric resonator is used as the resonator.

【0003】図8は従来の発振器の構成を示す分解斜視
図である。同図において1は実装基板であり、その表面
にマイクロストリップ線路8などの各種導電体パターン
を形成し、FET7を実装することによって発振回路を
構成し、さらに実装基板1の上面に支持台43を介して
誘電体共振器42を配置している。このような実装基板
1をステム40に載置し、キャップ41を被せることに
よって誘電体基板1の周囲全体をシールドしている。
FIG. 8 is an exploded perspective view showing the structure of a conventional oscillator. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a mounting board, on which a variety of conductor patterns such as microstrip lines 8 are formed, and an FET 7 is mounted thereon to form an oscillation circuit. The dielectric resonator 42 is arranged through the intermediary. By mounting such a mounting substrate 1 on the stem 40 and covering with a cap 41, the entire periphery of the dielectric substrate 1 is shielded.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなTE01δ
モードの誘電体共振器を用いた従来の発振器において
は、誘電体共振器の共振周波数が円柱形状の誘電体の比
誘電率と外形寸法によって決定され、またマイクロスト
リップ線路との結合が、相互間の距離によって決定され
るため、誘電体共振器42と支持台43に高い寸法精度
が要求され、さらに誘電体基板1上への誘電体共振器4
2の高い位置決め精度が要求される。しかもマイクロス
トリップ線路8と誘電体共振器42との結合を変化させ
る場合、誘電体共振器42の磁界分布が周囲に広がって
いるため、誘電体共振器42の位置を変化させると、誘
電体共振器42はマイクロストリップ線路8以外の他の
線路とも結合して発振条件が変化するため、誘電体共振
器42とマイクロストリップ線路8との結合を独立して
変化させられない。そのため誘電体共振器42とマイク
ロストリップ線路8との位置関係による結合度の再現性
が悪く、安定した特性が得にくいという問題があった。
また、TE01δモードの誘電体共振器は誘電体部分へ
のエネルギの閉じ込め性が比較的低いため、所定のマイ
クロストリップ線路以外の線路との不要結合を防止する
ために、ある程度の間隔を設けなければならず、全体に
小型化が困難になるという問題もあった。
SUMMARY OF THE INVENTION Such TE01δ
In a conventional oscillator using a mode dielectric resonator, the resonance frequency of the dielectric resonator is determined by the relative permittivity and the outer dimensions of the cylindrical dielectric, and the coupling with the microstrip line is established between the dielectric resonators. , High dimensional accuracy is required for the dielectric resonator 42 and the support 43, and the dielectric resonator 4 is placed on the dielectric substrate 1.
2 high positioning accuracy is required. In addition, when the coupling between the microstrip line 8 and the dielectric resonator 42 is changed, the magnetic field distribution of the dielectric resonator 42 spreads around. Since the resonator 42 is coupled to other lines other than the microstrip line 8 and the oscillation condition is changed, the coupling between the dielectric resonator 42 and the microstrip line 8 cannot be changed independently. Therefore, there is a problem that the reproducibility of the coupling degree due to the positional relationship between the dielectric resonator 42 and the microstrip line 8 is poor, and it is difficult to obtain stable characteristics.
In addition, since the TE01δ mode dielectric resonator has a relatively low energy confinement property in the dielectric portion, a certain distance must be provided to prevent unnecessary coupling with a line other than a predetermined microstrip line. In addition, there is a problem that miniaturization becomes difficult as a whole.

【0005】そこで、本願出願人は特願平7−6262
5号(特開平8−265015号)でこれらの問題を解
消した加工精度に優れた誘電体共振器および誘電体フィ
ルタを提案している。
Accordingly, the applicant of the present application has filed a Japanese Patent Application No. 7-6262.
No. 5 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-265015) proposes a dielectric resonator and a dielectric filter which solve these problems and are excellent in processing accuracy.

【0006】上記出願に係る誘電体共振器および誘電体
フィルタは誘電体板の両主面に電極を形成することによ
って、誘電体板の一部を誘電体共振器として用いるもの
である。このような誘電体共振器は、その誘電体板に形
成されている電極をアース電極として用いることができ
るので、実装基板にマイクロストリップ線路等を形成し
て、上記誘電体共振器を実装することによって、誘電体
共振器と電子部品とを含む発振器等の高周波モジュール
を構成することができる。その構成例を図9に示す。
(A)は斜視図、(B)は断面図であり、誘電体板22
の両主面に、互いに対向する円形の開口部25,26を
有する電極23,24を形成している。これにより電極
開口部部分にTE010モードの誘電体共振器が構成さ
れる。
In the dielectric resonator and the dielectric filter according to the above-mentioned application, a part of the dielectric plate is used as a dielectric resonator by forming electrodes on both main surfaces of the dielectric plate. In such a dielectric resonator, an electrode formed on the dielectric plate can be used as a ground electrode. Therefore, it is necessary to form a microstrip line or the like on a mounting substrate and mount the dielectric resonator. Thereby, a high-frequency module such as an oscillator including the dielectric resonator and the electronic component can be configured. FIG. 9 shows an example of the configuration.
(A) is a perspective view, (B) is a sectional view, and the dielectric plate 22 is shown.
The electrodes 23, 24 having circular openings 25, 26 facing each other are formed on both main surfaces of the electrodes 23, 24. Thus, a TE010-mode dielectric resonator is formed at the electrode opening.

【0007】このような誘電体共振器を、たとえば図1
0に示すように、実装基板1上に形成した実装用の電極
29に対して導電性接着剤を介して誘電体共振器2を実
装すれば、発振器等の誘電体共振器装置が構成される。
この状態で実装基板1に形成した線路8と誘電体共振器
2とが電磁界結合することになる。
Such a dielectric resonator is, for example, shown in FIG.
As shown in FIG. 0, when the dielectric resonator 2 is mounted on the mounting electrode 29 formed on the mounting substrate 1 via a conductive adhesive, a dielectric resonator device such as an oscillator is configured. .
In this state, the line 8 formed on the mounting substrate 1 and the dielectric resonator 2 are electromagnetically coupled.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、導電性接着
剤はその粘性が比較的小さく、硬化プロセスも必要とな
るため、このように誘電体板に形成した誘電体共振器を
導電性接着剤を用いて実装基板に実装する際、実装基板
に対する誘電体共振器の実装位置の精度および接着剤の
厚み寸法の精度をある程度以上に高めることが困難とな
る。そのため誘電体共振器と線路との結合度のばらつき
が生じることになる。また、導電性接着剤が共振器部分
を構成する電極開口部内にはみ出して、共振周波数が変
化する等の特性を損ねる恐れもある。
However, since the conductive adhesive has a relatively low viscosity and requires a curing process, the dielectric resonator formed on the dielectric plate as described above is replaced with the conductive adhesive. When mounting on a mounting substrate by using the same, it is difficult to increase the accuracy of the mounting position of the dielectric resonator with respect to the mounting substrate and the accuracy of the thickness dimension of the adhesive to a certain degree or more. Therefore, the degree of coupling between the dielectric resonator and the line varies. In addition, the conductive adhesive may protrude into the electrode opening constituting the resonator portion, and may impair characteristics such as a change in resonance frequency.

【0009】この発明の目的は、上述した従来の各種問
題点を解消し、特に実装基板に対する誘電体共振器の位
置精度を容易に高められるようにし、且つ生産性を高め
られるようにした誘電体共振器およびそれを用いた誘電
体共振器装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned various problems in the prior art, and in particular, to improve the positional accuracy of a dielectric resonator with respect to a mounting substrate easily and to enhance the productivity. An object of the present invention is to provide a resonator and a dielectric resonator device using the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明の誘電体共振器
は、誘電体板の両主面に、互いに対向する開口部を有す
る電極を形成して、当該開口部を共振器部としたもので
あって、誘電体板の電極上に複数の接合用導電体突起部
を形成する。
According to the present invention, there is provided a dielectric resonator in which electrodes having openings facing each other are formed on both main surfaces of a dielectric plate, and the openings are used as resonator portions. And forming a plurality of bonding conductor protrusions on the electrodes of the dielectric plate.

【0011】この構造の誘電体共振器を用いれば、実装
基板上の電極に対して上記接合用導電体突起部を介して
容易に接合できるようになる。また、誘電体共振器と実
装基板とが対向する間隙に樹脂を充填すれば、両者の接
合強度が増し、その信頼性を高めることができる。
By using the dielectric resonator having this structure, the dielectric resonator can be easily bonded to the electrode on the mounting substrate via the bonding conductor protrusion. Further, if the gap between the dielectric resonator and the mounting substrate facing each other is filled with resin, the bonding strength between the two can be increased, and the reliability thereof can be improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】この発明の第1の実施形態に係る
発振器の構成を図1〜図4を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration of an oscillator according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0013】図1は発振器の分解斜視図である。同図に
おいて40はステムであり、図における下方へピン1
6,17,18をそれぞれ絶縁状態で突出させている。
また同方向に固定用のネジ20,21を突出させてい
る。このステム40の上部には、各種の導電体パターン
を形成し、部品を実装した実装基板1を載置している。
またステム40の上部にキャップ41を被せることによ
って、実装基板1周囲をシールドしている。
FIG. 1 is an exploded perspective view of the oscillator. In the figure, reference numeral 40 denotes a stem, and a pin 1 moves downward in the figure.
6, 17, and 18 are projected in an insulated state.
The fixing screws 20 and 21 project in the same direction. On the upper portion of the stem 40, a mounting substrate 1 on which various conductive patterns are formed and components are mounted is placed.
In addition, a cap 41 is placed over the stem 40 to shield the periphery of the mounting substrate 1.

【0014】実装基板1の図における下面には、ピン1
6,17,18が通る部分を避けてほぼ全面にアース電
極を形成している。
On the lower surface of the mounting board 1 in the drawing,
A ground electrode is formed on almost the entire surface, avoiding a portion where 6, 17, 18 pass.

【0015】同図において2は、誘電体板22の両主面
に、互いに対向する円形の開口部を有する電極を形成し
てなるTE010モードの誘電体共振器である。同図に
おける23は誘電体板22上面の電極であり、円形の開
口部25をその中央に設けている。
In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a TE010-mode dielectric resonator in which electrodes having circular openings facing each other are formed on both main surfaces of a dielectric plate 22. 23 is an electrode on the upper surface of the dielectric plate 22, and has a circular opening 25 at the center thereof.

【0016】実装基板1の上面において、8はマイクロ
ストリップ線路を構成し、その所定位置で誘電体共振器
2のTE010モードと結合する。7はFETであり、
マイクロストリップ線路8の一方の端部とマイクロスト
リップ線路4,11にそれぞれ接続している。5はアー
ス電極であり、マイクロストリップ線路4との間にチッ
プ抵抗6を実装している。マイクロストリップ線路4と
3との間には基板上に静電容量を形成していて、マイク
ロストリップ線路3から延びる電極15を出力電極とし
てピン17に接続している。マイクロストリップ線路1
1と入力電極14との間はインダクタとしてのマイクロ
ストリップ線路12で接続している。入力電極14とア
ース電極5との間にはチップコンデンサ13を実装して
いる。10はアース電極であり、マイクロストリップ線
路8の他方の端部とアース電極10との間に終端抵抗と
してのチップ抵抗9を実装している。
On the upper surface of the mounting substrate 1, reference numeral 8 denotes a microstrip line, which is coupled to the TE010 mode of the dielectric resonator 2 at a predetermined position. 7 is an FET,
One end of the microstrip line 8 is connected to the microstrip lines 4 and 11, respectively. Reference numeral 5 denotes a ground electrode, and a chip resistor 6 is mounted between the ground electrode 5 and the microstrip line 4. A capacitance is formed on the substrate between the microstrip lines 4 and 3, and an electrode 15 extending from the microstrip line 3 is connected to the pin 17 as an output electrode. Microstrip line 1
1 and the input electrode 14 are connected by a microstrip line 12 as an inductor. The chip capacitor 13 is mounted between the input electrode 14 and the ground electrode 5. Reference numeral 10 denotes an earth electrode, and a chip resistor 9 as a terminating resistor is mounted between the other end of the microstrip line 8 and the earth electrode 10.

【0017】実装基板1の上面にはさらに誘電体共振器
2の実装用電極29を形成している。30はこの実装用
電極29と実装基板1の裏面側のアース電極との間を導
通させるスルーホールである。
On the upper surface of the mounting substrate 1, a mounting electrode 29 of the dielectric resonator 2 is further formed. Numeral 30 is a through hole for conducting between the mounting electrode 29 and the ground electrode on the back side of the mounting substrate 1.

【0018】図2の(B)は誘電体共振器2の電磁界分
布を示す図である。同図において、曲線は磁界分布につ
いて示している。このように、誘電体板の両主面に、互
いに対向する円形の開口部を有する電極を形成すること
によって、TE010モードの誘電体共振器として作用
する。
FIG. 2B is a diagram showing an electromagnetic field distribution of the dielectric resonator 2. In the figure, the curves show the magnetic field distribution. Thus, by forming electrodes having circular openings facing each other on both main surfaces of the dielectric plate, the dielectric plate functions as a TE010 mode dielectric resonator.

【0019】図2の(A)は誘電体共振器の斜視図であ
る。ここでは、実装基板に対する実装面を上面にして表
している。同図において28は誘電体板22の図におけ
る上面の電極24と下面の電極との間を導通させるスル
ーホールである。また27はそれぞれ所定高さだけ突出
する接合用導電体突起部(バンプ)である。この接合用
導電体突起部27は電極24に対してメッキを行うこと
により形成することができる。たとえば電極24をAu
電極とし、接合用導電体突起部形成位置を開口させたレ
ジスト膜を形成し、電気メッキを行うことによってAu
電極またはCu電極を所定のメッキ厚だけ付与して、そ
の後レジスト膜を除去すればよい。
FIG. 2A is a perspective view of the dielectric resonator. Here, the mounting surface for the mounting substrate is shown as the upper surface. In the figure, reference numeral 28 denotes a through hole for conducting between the electrode 24 on the upper surface and the electrode on the lower surface of the dielectric plate 22 in the figure. Reference numeral 27 denotes bonding conductor protrusions (bumps) that protrude by a predetermined height. The bonding conductor projection 27 can be formed by plating the electrode 24. For example, if the electrode 24 is Au
A resist film is formed as an electrode, and an opening is formed at a position where a conductive projection for bonding is formed.
An electrode or Cu electrode may be applied by a predetermined plating thickness, and then the resist film may be removed.

【0020】図3は実装基板に対する誘電体共振器の実
装状態を示す部分断面図である。実装基板1の下面側の
アース電極19と上面側の実装用電極29との間はスル
ーホール30を介して接続している。この実装用電極2
9の表面に接合用導電体突起部27を介して誘電体共振
器2を実装する。その際、熱圧着、超音波圧着、または
その両者を併用した超音波熱圧着法により接合を行う。
また、その際に接合用導電体突起部27が一定量だけつ
ぶれて、実装基板1上の線路8と誘電体共振器2との間
隔が定まる。この間隔によって誘電体共振器と線路との
結合度が変化するので、圧着時の接合用導電体突起部2
7の潰れ寸法を考慮して、あらかじめその高さ(厚み寸
法)を定めれば、結合度を一定にできる。さらには、こ
の圧着時の接合用導電体突起部27の潰れ寸法を制御す
ることで、誘電体共振器と線路との結合度を積極的に変
えてもよい。すなわち所定の結合度が得られるように、
圧着時の加圧力、加熱量、および超音波エネルギーの注
入量を制御してもよい。
FIG. 3 is a partial sectional view showing a state where the dielectric resonator is mounted on the mounting substrate. The ground electrode 19 on the lower surface side of the mounting substrate 1 and the mounting electrode 29 on the upper surface side are connected via a through hole 30. This mounting electrode 2
The dielectric resonator 2 is mounted on the surface of the substrate 9 via the bonding conductor protrusion 27. At this time, bonding is performed by thermocompression bonding, ultrasonic compression bonding, or an ultrasonic thermocompression bonding method using both of them.
In addition, at this time, the bonding conductor protrusion 27 is crushed by a certain amount, and the distance between the line 8 on the mounting substrate 1 and the dielectric resonator 2 is determined. Since the degree of coupling between the dielectric resonator and the line changes depending on this distance, the joining conductor protrusion 2 at the time of crimping is used.
If the height (thickness dimension) is determined in advance in consideration of the collapse size of 7, the degree of coupling can be made constant. Further, the degree of coupling between the dielectric resonator and the line may be positively changed by controlling the crushing size of the bonding conductive projection 27 during the pressure bonding. That is, so as to obtain a predetermined degree of coupling,
The pressure, the amount of heating, and the amount of ultrasonic energy injected during the pressing may be controlled.

【0021】図4は上記発振器の全体の等価回路図であ
る。図中の番号は図1に示した各部の番号に対応してい
る。図4に示すように、線路8の一端は抵抗9により終
端され、他端はFET7のゲートに接続されている。電
源入力電圧はチップコンデンサ13とインダクタ12に
よるフィルタを介してFET7のドレインに印加され
る。発振信号はコンデンサを介してFET7のソースか
ら出力端子へ取り出される。このようにして帯域反射型
発振回路を構成する。
FIG. 4 is an overall equivalent circuit diagram of the oscillator. The numbers in the figure correspond to the numbers of the respective parts shown in FIG. As shown in FIG. 4, one end of the line 8 is terminated by a resistor 9, and the other end is connected to the gate of the FET 7. The power supply input voltage is applied to the drain of the FET 7 through a filter including the chip capacitor 13 and the inductor 12. The oscillation signal is extracted from the source of the FET 7 to the output terminal via the capacitor. Thus, a band reflection type oscillation circuit is formed.

【0022】図5は第2の実施形態に係る誘電体共振器
装置の主要部の断面図である。図3に示した例では誘電
体共振器と結合する線路を誘電体共振器の実装面側に設
けたが、この図5に示すように実装基板1の裏面(誘電
体共振器2の実装面とは反対側の面)に線路8を形成し
て、結合させるようにしてもよい。この場合、線路8は
その両側のアース電極19とともにコプレーナ線路を構
成するようにしてもよい。
FIG. 5 is a sectional view of a main part of the dielectric resonator device according to the second embodiment. In the example shown in FIG. 3, the line coupled to the dielectric resonator is provided on the mounting surface side of the dielectric resonator, but as shown in FIG. 5, the back surface of the mounting substrate 1 (the mounting surface of the dielectric resonator 2) Alternatively, the line 8 may be formed on the surface on the side opposite to the above) and coupled. In this case, the line 8 may constitute a coplanar line together with the ground electrodes 19 on both sides thereof.

【0023】図6は第3の実施形態に係る誘電体共振器
装置の主要部の断面図である。実装基板1と共振器2の
構造は図3に示したものと同様であるが、この例では実
装基板1に対して共振器2を接合用導電体突起部27を
介して接合した後に、誘電体共振器2と実装基板1との
対向する間隙に、たとえばエポキシ系樹脂51を充填す
ることによって、接合用導電体突起部による接合部全体
を樹脂封止している。この構造によって実装基板1と誘
電体共振器2との全体の接合強度が高まり、その信頼性
が高まる。
FIG. 6 is a sectional view of a main part of the dielectric resonator device according to the third embodiment. Although the structures of the mounting substrate 1 and the resonator 2 are the same as those shown in FIG. 3, in this example, after the resonator 2 is bonded to the mounting substrate 1 via the bonding conductive protrusion 27, the dielectric By filling the gap between the body resonator 2 and the mounting substrate 1 facing each other with, for example, an epoxy-based resin 51, the entire joining portion formed by the joining conductor protrusions is resin-sealed. With this structure, the overall bonding strength between the mounting substrate 1 and the dielectric resonator 2 is increased, and the reliability thereof is increased.

【0024】図7は第4の実施形態に係るVCOの等価
回路図である。第1〜第3の実施形態では、単一の線路
を誘電体共振器に結合させたが、同様にして実装基板上
に2つの線路を形成しておき、誘電体共振器を実装した
状態で、その2つの線路と誘電体共振器とが結合するよ
うに、その2つの線路を配置すれば、図7に示すように
VCOとして用いることもできる。図7において線路8
が主線路、線路31が副線路として作用し、インダクタ
34,抵抗35およびコンデンサ37がRFフィルタと
して作用し、制御入力電圧によってバラクタダイオード
32の静電容量が変化し、これにより副線路31の装荷
容量が変化することになり、それに応じてFET7によ
る発振周波数が変化する。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the VCO according to the fourth embodiment. In the first to third embodiments, a single line is coupled to the dielectric resonator. However, two lines are formed on the mounting board in the same manner, and the dielectric resonator is mounted. By arranging the two lines so that the two lines are coupled to the dielectric resonator, the two lines can be used as a VCO as shown in FIG. Line 8 in FIG.
, The line 31 acts as a sub-line, the inductor 34, the resistor 35 and the capacitor 37 act as an RF filter, and the capacitance of the varactor diode 32 changes according to the control input voltage. The capacitance changes, and the oscillation frequency of the FET 7 changes accordingly.

【0025】なお、上述の例では、メッキ法によって、
接合用導電体突起部を形成したが、その他に、たとえば
接合用導電体突起部の高さまで一定厚さの電極を形成し
た後、接合用導電体突起部とすべき箇所以外を所定量だ
けエッチングすることによって、接合用導電体突起部を
形成してもよい。また、たとえば予め仮の基板上にバン
プを形成し、そのバンプを誘電体共振器の電極面上に転
写することによって接合用導電体突起部を設けてもよ
い。また接合用導電体突起部の材料としてSn−Pb半
田またはIn−Pb半田を用い、誘電体共振器の実装時
に、その半田の加熱溶融によって実装基板上に誘電体共
振器を実装するようにしてもよい。さらには、ワイヤボ
ンダを用い、Auワイアの先端に放電によってボールを
形成し、これを誘電体共振器の電極上に圧着し、その後
引きちぎることによって誘電体共振器の電極上にAuバ
ンプを形成してもよい。
In the above example, the plating method
In addition to the formation of the joining conductor protrusion, after forming an electrode having a constant thickness up to, for example, the height of the joining conductor protrusion, etching is performed by a predetermined amount except for a portion to be the joining conductor protrusion. By doing so, the joining conductor protrusion may be formed. Alternatively, for example, a bump may be formed on a temporary substrate in advance, and the bump may be transferred onto the electrode surface of the dielectric resonator to provide a bonding conductor protrusion. Also, Sn-Pb solder or In-Pb solder is used as the material of the conductor projection for bonding, and when the dielectric resonator is mounted, the dielectric resonator is mounted on the mounting substrate by heating and melting the solder. Is also good. Furthermore, using a wire bonder, a ball is formed at the tip of the Au wire by electric discharge, this is pressed on the electrode of the dielectric resonator, and then torn off to form an Au bump on the electrode of the dielectric resonator. Is also good.

【0026】各実施形態では誘電体板の両主面に、互い
に対向する円形の開口部を設けてTE010モードの誘
電体共振器を構成したが、矩形等の他の形状の開口部を
設けてもよい。また実施形態では実装基板上の線路に重
なる位置に誘電体共振器を実装する例を示したが、実装
基板上の線路に近接して誘電体共振器を実装するように
してもよい。
In each of the embodiments, the TE010-mode dielectric resonator is formed by providing circular openings facing each other on both main surfaces of the dielectric plate. However, openings having other shapes such as rectangles are provided. Is also good. Further, in the embodiment, the example in which the dielectric resonator is mounted at a position overlapping with the line on the mounting board has been described, but the dielectric resonator may be mounted close to the line on the mounting board.

【0027】さらに、実施形態では、ステムからピンが
突出したピンタイプの誘電体共振器装置を示したが、実
装基板および誘電体共振器を収納するケースとして、実
装用の電極が外部に露出するものを用いて、表面実装型
の誘電体共振器装置を構成してもよい。
Further, in the embodiment, the pin type dielectric resonator device in which the pins protrude from the stem is shown. However, as a case for housing the mounting substrate and the dielectric resonator, the mounting electrodes are exposed to the outside. A surface-mount type dielectric resonator device may be formed by using such a device.

【0028】[0028]

【発明の効果】請求項1および2に記載の発明によれ
ば、実装基板上の電極に対して上記接合用導電体突起部
を介して、誘電体共振器を容易に実装できるようにな
る。
According to the first and second aspects of the present invention, the dielectric resonator can be easily mounted on the electrode on the mounting substrate via the bonding conductor protrusion.

【0029】また、請求項3に記載の発明によれば、誘
電体共振器と実装基板との接合強度が増し、その信頼性
を高めることができる。
According to the third aspect of the present invention, the bonding strength between the dielectric resonator and the mounting substrate is increased, and the reliability thereof can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施形態に係る発振器の構成を示す分解
斜視図
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a configuration of an oscillator according to a first embodiment.

【図2】誘電体共振器の斜視図および電磁界分布の様子
を示す図
FIG. 2 is a perspective view of a dielectric resonator and a diagram showing a state of an electromagnetic field distribution.

【図3】実装基板に対する誘電体共振器の実装状態での
部分断面図
FIG. 3 is a partial cross-sectional view in a state where a dielectric resonator is mounted on a mounting substrate.

【図4】発振器の等価回路図FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of an oscillator.

【図5】第2の実施形態に係る誘電体共振器装置の部分
断面図
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a dielectric resonator device according to a second embodiment.

【図6】第3の実施形態に係る誘電体共振器装置の部分
断面図
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a dielectric resonator device according to a third embodiment.

【図7】第4の実施形態に係るVCOの等価回路図FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a VCO according to a fourth embodiment.

【図8】従来の発振器の構成を示す分解斜視図FIG. 8 is an exploded perspective view showing a configuration of a conventional oscillator.

【図9】誘電体共振器の斜視図および断面図FIG. 9 is a perspective view and a sectional view of a dielectric resonator.

【図10】同誘電体共振器を用いた装置の主要部の断面
FIG. 10 is a sectional view of a main part of an apparatus using the dielectric resonator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−実装基板 2−誘電体共振器 3,4−マイクロストリップ線路 5−アース電極 6−チップ抵抗 7−FET 8−線路(主線路) 9−チップ抵抗 10−アース電極 11,12−マイクロストリップ線路 13−チップコンデンサ 14−入力電極 15−出力電極 16〜18−ピン 19−アース電極 20,21−ネジ 22−誘電体板 23,24−電極 25,26−開口部 27−接合用導電体突起部 28−スルーホール 29−実装用電極 30−スルーホール 31−マイクロストリップ線路(副線路) 32−バラクタダイオード 40−ステム 41−キャップ 42−誘電体共振器 43−支持台 Reference Signs List 1-Mounting substrate 2-Dielectric resonator 3,4-Microstrip line 5-Earth electrode 6-Chip resistance 7-FET 8-Line (main line) 9-Chip resistance 10-Earth electrode 11,12-Microstrip line 13-chip capacitor 14-input electrode 15-output electrode 16-18-pin 19-ground electrode 20,21-screw 22-dielectric plate 23,24-electrode 25,26-opening 27-joining conductor protrusion 28-through hole 29-mounting electrode 30-through hole 31-microstrip line (sub line) 32-varactor diode 40-stem 41-cap 42-dielectric resonator 43-support base

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体板の両主面に、互いに対向する開
口部を有する電極を形成して、当該開口部を共振器部と
した誘電体共振器において、 前記誘電体板の電極上に複数の接合用導電体突起部を形
成したことを特徴とする誘電体共振器。
1. A dielectric resonator in which electrodes having openings facing each other are formed on both main surfaces of a dielectric plate, and the openings are used as resonator portions. A dielectric resonator comprising a plurality of bonding conductor protrusions.
【請求項2】 請求項1に記載の誘電体共振器を実装基
板上の電極に対して前記導電体突起部を介して接合して
成る誘電体共振器装置。
2. A dielectric resonator device formed by joining the dielectric resonator according to claim 1 to an electrode on a mounting substrate via the conductive projection.
【請求項3】 前記誘電体共振器と前記実装基板とが対
向する間隙に樹脂を充填したことを特徴とする請求項2
に記載の誘電体共振器装置。
3. A resin is filled in a gap between the dielectric resonator and the mounting board facing each other.
3. The dielectric resonator device according to claim 1.
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