JPH11214744A - Nitride semiconductor light-receiving element - Google Patents

Nitride semiconductor light-receiving element

Info

Publication number
JPH11214744A
JPH11214744A JP1386798A JP1386798A JPH11214744A JP H11214744 A JPH11214744 A JP H11214744A JP 1386798 A JP1386798 A JP 1386798A JP 1386798 A JP1386798 A JP 1386798A JP H11214744 A JPH11214744 A JP H11214744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
layer
substrate
reflecting mirror
grown
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1386798A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3301601B2 (en
Inventor
Shinichi Nagahama
Shuji Nakamura
Tomoya Yanagimoto
修二 中村
友弥 柳本
慎一 長濱
Original Assignee
Nichia Chem Ind Ltd
日亜化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chem Ind Ltd, 日亜化学工業株式会社 filed Critical Nichia Chem Ind Ltd
Priority to JP1386798A priority Critical patent/JP3301601B2/en
Publication of JPH11214744A publication Critical patent/JPH11214744A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3301601B2 publication Critical patent/JP3301601B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a laser element of a structure, wherein light which leaks mainly in the side of a substrate is effectively made to reflect to improve the light extraction efficiency of a light-emitting element and at the same time, effective reflecting mirrors, which are used as resonators, are provided in the interior of a semiconductor layer.
SOLUTION: First, reflecting mirrors 100, which are not grown with a nitride semiconductor film on the surfaces thereof or have a property to hardly grow the nitride semiconductor film on the surfaces thereof and make light emission from an active layer reflect, are partially formed on a base layer consisting of a first nitride semiconductor layer 2 formed on a heterosubstrate 1, consisting of a material different from a nitride semiconductor material. Moreover, a second nitride semiconductor layer 3 grown in such a way that the layer 3 reaches from the window parts of the mirrors 100 to the surface of the mirrors 100 is used as a substrate, and a plurality of nitride semiconductor layers including at least the active layer are laminated on the substrate, whereby the light emission from the active layer is made to be reflected upwards by the mirrors 100.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード(LE The present invention relates to a light emitting diode (LE
D)、レーザダイオード(LD)、スーパールミネッセントダイオード(SLD)等に使用される窒化物半導体(In a Al b Ga 1-ab N、0≦a、0≦b、a+b≦1) D), a laser diode (LD), a super luminescent diode (SLD) nitride is used such as a semiconductor (In a Al b Ga 1- ab N, 0 ≦ a, 0 ≦ b, a + b ≦ 1)
よりなる発光素子に関する。 Related to become more light-emitting element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】窒化物半導体は青色LED、緑色LED BACKGROUND ART nitride semiconductor blue LED, a green LED
として既に実用化されている。 It has already been put into practical use as a. これらLEDはサファイア基板上にn型、p型の窒化物半導体が積層されたダブルへテロ構造を有し、活性層は量子井戸構造の窒化物半導体層を有している。 These LED is n-type on a sapphire substrate having a heterostructure p-type double the nitride semiconductor are stacked, the active layer has a nitride semiconductor layer having a quantum well structure. LEDを構成する窒化物半導体発光素子は、このサファイア基板側を発光観測面側とする場合と、窒化物半導体層側を発光観測面側とする場合の2種類の態様に分けられる。 Nitride semiconductor light emitting device constituting the LED is the case of the sapphire substrate side and light emission observing surface side is divided into two aspects of the case where the nitride semiconductor layer side to the light emission observing surface side. 一般に窒化物半導体は正と負の電極が同一面側に設けられているため、サファイア基板側を発光観測面とした場合、例えばリードフレームのような支持体に電極を接続する際に、チップサイズが大きくなり、ハンドリング性も悪くなる欠点があるが、 Generally, since nitride semiconductor is positive and negative electrodes are provided on the same side, when the sapphire substrate side and light emission observing surface, for example, when connecting the electrode to a support such as a lead frame, chip size is increased, there is a handling property even worse drawback,
透明なサファイアの性質を積極的に利用しているので、 Because it is actively used the nature of the transparent sapphire,
光取り出し効率が良くなるという利点がある。 There is an advantage that the light extraction efficiency is improved. 一方、窒化物半導体側を発光観測面とする場合、チップサイズも小さくすることができ、ハンドリング性も前者の場合に比べて非常に優れているが、サファイア基板側に漏れる光は、例えばリードフレームの接着剤に吸収されて光取り出し効率が悪くなるという欠点がある。 On the other hand, if the light emission observing surface nitride semiconductor side, the chip size also can be made small, but the handling properties are also very good as compared with the former case, the light leaked to the sapphire substrate side, for example, a lead frame is absorbed into the adhesive has the disadvantage that the light extraction efficiency. 一般に市販されているLEDは、ハンドリング性の良い後者の方が選択されている。 Generally LED commercially available, the person of good handling property latter is selected.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】後者の場合、サファイア基板側に漏れる光を反射させるために、サファイア基板表面に光反射膜を形成する技術も提案されているが、 [SUMMARY OF THE INVENTION] In the latter case, in order to reflect light leaking to the sapphire substrate side, a technique has been proposed to form a light reflective layer on the sapphire substrate surface,
この技術では未だ十分満足できるものではなかった。 It was not something that can be still enough satisfied with this technology. また、面発光レーザ素子のような半導体層内部に反射鏡を形成する技術において、サファイア基板側に反射鏡を設けると活性層との距離が大きすぎて、反射鏡を共振器とするのが難しい傾向にある。 Further, in the technique of forming a reflector in the semiconductor layer such as a surface emitting laser element, the distance is too large between the active layer when providing the reflecting mirror on the sapphire substrate side, it is difficult to the reflector and the resonator There is a tendency.

【0004】本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、主として基板側に漏れる光を有効に反射させて、発光素子の光取り出し効率を向上させることにあり、また半導体層内部に共振器となる有効な反射鏡を有するレーザ素子を実現することにある。 [0004] The present invention was made in view of such circumstances, it is an object of the primarily light leaking toward the substrate effectively reflects, to improve the light extraction efficiency of the light emitting element to have, also to realize a laser device having an effective reflectors to be the semiconductor layer inside the resonator.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に形成された第1の窒化物半導体よりなる下地層の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか若しくは成長しにくい性質を有し、かつ活性層の発光を反射する第1の反射鏡が部分的に形成されており、さらにその第1の反射鏡の窓部から、その反射鏡の表面に至るように成長された第2の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする。 Light-emitting element of the present invention SUMMARY OF] is on the first nitride semiconductor than consisting underlayer formed on the hetero substrate made of different material from the nitride semiconductor, the nitride on the surface semiconductor There has grown either no or growth little aptitude, and a first reflecting mirror for reflecting the emission of the active layer are partially formed, further from the window portion of the first reflecting mirror, the reflecting mirror a second nitride semiconductor as a substrate grown to reach the surface of the plurality of nitride semiconductor layers including at least an active layer on the substrate is characterized by comprising stacked.

【0006】さらに、本発明の発光素子は、前記第2の窒化物半導体層の上に第2の反射鏡が部分的に形成され、その第2の反射鏡の窓部から、第2の反射鏡の表面に至るように成長された第3の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長されてなることを特徴とする。 Furthermore, the light emitting device of the present invention, the second reflecting mirror is partially formed on the second nitride semiconductor layer, through the window of the second reflecting mirror, a second reflection a third nitride semiconductor grown to reach the surface of the mirror as the substrate, and a plurality of nitride semiconductor layer containing at least an active layer are grown on the substrate.

【0007】前記第2の反射鏡は、第1の反射鏡の窓部の位置に対応した第2の窒化物半導体層の上に形成されていることが望ましい。 [0007] The second reflector is preferably formed on the second nitride semiconductor layer corresponding to the position of the window portion of the first reflecting mirror. なお、本発明において、異種基板、第1の反射鏡、下地層、第2の窒化物半導体より上の活性層を含む窒化物半導体層と第2の窒化物半導体とは必ずしも接して形成されている必要はなく、例えば窒化物半導体と異なる材料よりなる半導体層を、それらの間に成長させても良い。 In the present invention, the heterogeneous substrate, a first reflecting mirror, the base layer, a second nitride semiconductor layers including an active layer above the nitride semiconductor and the second nitride semiconductor is formed always in contact You need not have, for example, a semiconductor layer made of a material different from the nitride semiconductor may be grown between them.

【0008】また本発明の発光素子では、前記反射鏡の面積が、窓部の面積よりも大きいことを特徴とする。 [0008] In the light-emitting element of the present invention, the area of ​​the reflector, being larger than the area of ​​the window portion.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の発光素子において、異種基板から第2の窒化物半導体層を成長させるまでの各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的な断面図である。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In the light-emitting device of the present invention, schematic cross-section showing the structure of a nitride semiconductor wafer obtained in each step from the heterogeneous substrate to grow the second nitride semiconductor layer it is a diagram.

【0010】第2の窒化物半導体3よりなる基板を成長させるには、まず図1(a)に示すように、異種基板1 [0010] The growing substrate made of the second nitride semiconductor 3, first, as shown in FIG. 1 (a), the heterogeneous substrate 1
の上に第1の窒化物半導体よりなる下地層2を成長させ、その下地層2の上に第1の反射鏡100を部分的に形成する。 The undercoat layer 2 made of the first nitride semiconductor grown on a to form the first reflecting mirror 100 over the underlying layer 2 partially. 異種基板1は従来より提案されている窒化物半導体と異なる材料よりなり、その表面に例えばバッファ層を介して窒化物半導体が成長できる材料が選択される。 Heterogeneous substrate 1 is made of material different from the nitride semiconductor have been proposed, the nitride semiconductor on the surface thereof, for example, via the buffer layer material to grow are selected. その中でも、実用化されているサファイアの他、スピネル(MgAl 24 )、ZnO、GaAs、Si、S Among them, the other sapphire in practical use, spinel (MgAl 2 O 4), ZnO , GaAs, Si, S
iC、窒化物半導体と格子整合する酸化物系基板等が提案されている。 iC, oxide-based substrate or the like to the nitride semiconductor and the lattice matching is proposed.

【0011】下地層2は、例えば200℃〜900℃の低温において、Al X Ga 1-X N(0≦X≦1)よりなるバッファ層を介して、そのバッファ層よりも高温で窒化物半導体を成長させることによって成長できる。 The underlayer 2 may, for example, in a low temperature of 200 ℃ ~900 ℃, Al X Ga 1-X N via a buffer layer made of (0 ≦ X ≦ 1), a nitride semiconductor at a higher temperature than the buffer layer It can be grown by growing. 本発明では、バッファ層を含めた窒化物半導体を含んで下地層という。 In the present invention, that the base layer contains a nitride semiconductor including a buffer layer. つまり、下地層は複数の窒化物半導体層から成っていても良い。 In other words, the underlying layer may also consist of a plurality of nitride semiconductor layers. 但し、下地層は異種基板の上に成長されるため、異種基板と下地層との熱膨張係数差、格子不整合等の要因により結晶欠陥が非常に多く、例えば貫通転位が10 9個/cm 2以上あり、窒化物半導体基板とならない。 However, since the base layer is grown on a heterogeneous substrate, a difference in thermal expansion coefficient between the heterogeneous substrate and the underlayer, so many crystal defects due to factors lattice mismatching, for example, threading dislocations 10 9 pieces / cm There are two or more, not a nitride semiconductor substrate. 最も好ましい下地層としてはアンドープ若しくはn型不純物濃度が1×10 17 /cm 3以下のGaNをバッファ層を介して成長させる。 The most preferred undoped or n-type impurity concentration is grown to 1 × 10 17 / cm 3 or less of GaN through the buffer layer as a base layer. なお、下地層と異種基板との間に例えばZnO等の窒化物半導体と異なる半導体よりなるバッファ層を成長させることもできる。 It is also possible to grow a buffer layer made of different semiconductor nitride semiconductor such as ZnO, for example, in between the base layer and the dissimilar substrate.

【0012】下地層2の上に形成する第1の反射鏡10 [0012] The first reflecting mirror to be formed on the underlying layer 2 10
0は、活性層の発光を上部に反射させる作用を有すると共に、反射鏡の窓部から反射鏡の表面に至るように横方向に成長する第2の窒化物半導体層の結晶欠陥を少なくする作用を有する。 0 has an effect of reflecting the emission of the active layer on top, it acts to reduce the crystal defects of the second nitride semiconductor layer grown in the lateral direction to reach the surface of the reflector from the window portion of the reflector having. 反射鏡は、例えばストライプ状、ドット状、碁盤目状等、下地層の上に部分的に形成すればどのような形状でも良いが、好ましくはストライプ状に形成する。 Reflector, for example stripes, dots, grid form, etc., but it may be any shape if partially formed on the underlayer, preferably formed in a stripe shape. 反射鏡の材料としては、窒化物半導体がその反射鏡の表面に成長しないか若しくは成長しにくい性質を有する材料で、活性層の発光を活性層側に反射させる材料であれば、どのような材料でも良く、例えばSiO As the material of the reflector, a material having whether or growth little aptitude nitride semiconductor does not grow on the surface of the reflector, as long as the material reflects the light emission of the active layer to the active layer side, any material But well, for example SiO
2 、SixNy、TiO 2 、TixNy、ZrO 2等の誘電体より成る多層膜が選択できる。 2, SixNy, TiO 2, TixNy , multilayer film of dielectric such as ZrO 2 can be selected. これら誘電体を例えばλ These dielectric, for example, λ
/4n(λ:発光波長、n:誘電体の屈折率)となるように積層することにより反射鏡として作用する。 / 4n acts as a reflecting mirror by laminating such that (lambda:: emission wavelength, n: refractive index of dielectric). またP The P
t、Ni、Cr、Ag等のように、例えば銀白色の金属で活性層の発光を反射して、表面に窒化物半導体が成長しにくい性質を有する金属でもよい。 t, Ni, Cr, as such as Ag, for example, silver-white reflects light emitted from the metal in the active layer, the nitride semiconductor may be a metal having a growing small extent on the surface. なお、反射鏡は、 It should be noted that the reflection mirror,
誘電体多層膜、金属等が第2の窒化物半導体の成長温度に耐える融点を有している材料を選択することが望ましい。 Dielectric multilayer film, it is desirable to select a material such as metal has a melting point to withstand the second nitride semiconductor growth temperature.

【0013】第1の反射鏡100は図1に示すように異種基板1の上に成長した第1の窒化物半導体よりなる下地層の上に形成されているが、異種基板1の上に直接形成することもできる。 [0013] The first reflecting mirror 100 is formed on the first nitride semiconductor made of base layer grown on the heterogeneous substrate 1 as shown in FIG. 1, directly on the foreign substrate 1 form can also be. 例えば異種基板1にサファイアを使用した場合には、サファイアの上に第1の窒化物半導体2を成長させることが、より結晶欠陥の少ない第2の窒化物半導体3を成長させる上で望ましい。 For example when using a sapphire foreign substrate 1, to grow the first nitride semiconductor 2 on sapphire is desirable for growing a second nitride semiconductor 3 little more crystal defects. 一方、基板に窒化物半導体と格子整合した基板、格子定数の近い基板を用いる場合には、第1の反射鏡100を直接、異種基板に接して形成することも可能である。 On the other hand, the substrate was nitride semiconductor lattice matched to the substrate, in the case of using a substrate close lattice constant, the first reflecting mirror 100 directly, it is also possible to form in contact with the hetero-substrate.

【0014】次に図1(b)に示すように第2の窒化物半導体3を、前記反射鏡を形成した下地層の窓部から成長させる。 [0014] Then the second nitride semiconductor 3 as shown in FIG. 1 (b), grown from the window portion of the underlying layer forming the reflector. 反射鏡100は表面に窒化物半導体が成長しにくい性質を有しているため、第2の窒化物半導体3は窓部から成長しだし、(b)に示すように、第1の反射鏡100の上部では横方向に成長する。 Since the reflecting mirror 100 has a property of nitride semiconductor is difficult to grow on the surface, the second nitride semiconductor 3 began to grow from the window, as shown in (b), the first reflecting mirror 100 in the upper grows laterally. さらに成長を続けると、図1(c)に示すように、横方向及び縦方向に成長する第2の窒化物半導体がおよそ反射鏡中央部の上部で繋がって、窒化物半導体基板となる。 Further, when the growth is continued, as shown in FIG. 1 (c), connected by a second upper portion of the nitride semiconductor are approximately reflector central to the growth in the lateral direction and the longitudinal direction, the nitride semiconductor substrate. このように第2の窒化物半導体3を成長させると、下地層2の結晶欠陥が反射鏡で覆われていることにより、横方向に成長する第2の窒化物半導体の結晶欠陥は、下地層から伸びてこなくなる。 With such growing a second nitride semiconductor 3, by crystal defects of the base layer 2 is covered by the reflecting mirror, crystal defects of the second nitride semiconductor to be grown in the lateral direction, the base layer It will not come to extend from. また窓部から伸びてくる結晶欠陥が第2の窒化物半導体層の途中で止まるため、第2の窒化物半導体層成長後、表面に現れる結晶欠陥は非常に少なくなり、例えば10 8個/cm 2以下、さらには10 7個/cm 2以下になる。 Since the crystal defects coming extending through the window stops in the middle of the second nitride semiconductor layer, after growth of the second nitride semiconductor layer, crystal defects appearing on the surface becomes very small, for example 10 8 pieces / cm 2 or less, more becomes 10 7 / cm 2 or less. 第2の窒化物半導体3は、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×10 The second nitride semiconductor 3, an undoped or n-type impurity concentration of 1 × 10 17 /cm 3以下のGaNを成長させることが結晶性の良い基板を作製する上で最も好ましい。 Most preferred for it to grow a 17 / cm 3 or less of GaN to produce a good substrate crystallinity.

【0015】さらに好ましい態様として、図1(d)に示すように、第2の窒化物半導体層の上に、さらに第1 [0015] As a further preferred embodiment, as shown in FIG. 1 (d), on the second nitride semiconductor layer, further first
の反射鏡と同様に第2の反射鏡101を形成し、この第2の反射鏡101の上部に、第3の窒化物半導体層4を同様にして成長させる。 Likewise forming a second reflecting mirror 101 and the reflecting mirror, the top of the second reflecting mirror 101 is grown in the same manner of the third nitride semiconductor layer 4. 第2の反射鏡101を形成することにより、その第2の反射鏡の上部に成長させる第3 By forming the second reflecting mirror 101, a third growing on top of the second reflector
の窒化物半導体4の結晶欠陥がさらに少なくなる。 Crystal defects of the nitride semiconductor 4 is further reduced in. それは下地となる第2の窒化物半導体層3の結晶欠陥が少ないからである。 It is because a small crystal defect of the second nitride semiconductor layer 3 serving as a base. 好ましくは(d)に示すように、第2の反射鏡101の位置を、第1の反射鏡の窓部に対応した第2の窒化物半導体層3の表面に形成することにより、 Preferably, as shown in (d), the forming position of the second reflecting mirror 101, the second surface of the nitride semiconductor layer 3 corresponding to the window portion of the first reflecting mirror,
窒化物半導体層側から平面的に見て、全てが反射鏡で覆われた形となるため、光取り出し効率がさらに向上する。 A nitride semiconductor layer side in plan view, because all is a form covered by the reflecting mirror, the light extraction efficiency is further improved. また例えば第2の窒化物半導体3の結晶欠陥が窓部に現れている場合には、その窓部を第2の反射鏡でさらに覆うため、第2の反射鏡の上に横方向に成長される第3の窒化物半導体層の結晶欠陥がさらに少なくなる。 In the case for example where the crystal defects of the second nitride semiconductor 3 appears in the window portion, to further cover the window portion by the second reflecting mirror, is grown in the lateral direction on the second reflecting mirror crystal defects of the third nitride semiconductor layer is further reduced that. 即ち第2の反射鏡101は結晶欠陥が表面に現れている第1の窒化物半導体層3の上に形成することが最も好ましい。 That it is most preferred second reflecting mirror 101 is formed on the first nitride semiconductor layer 3 which crystal defects appearing on the surface. 但し、第3の反射鏡はランダムに形成してもよい。 However, the third reflector may be formed at random.

【0016】本発明の反射鏡の作用は次の通りである。 The action of the reflector of the present invention is as follows.
反射鏡の窓部から成長されて、反射鏡の表面で横方向に成長された窒化物半導体層は結晶欠陥が非常に少ない。 Is grown from the window of the reflector surface in a laterally grown nitride semiconductor layer of the reflector is very small crystal defects.
そのため、その窒化物半導体を基板とすることにより、 Therefore, by the nitride semiconductor substrate,
その基板の上に成長させる活性層を含む複数の窒化物半導体層の結晶欠陥が窒化物半導体基板と同じように少なくなる。 Crystal defects of the plurality of nitride semiconductor layers including an active layer grown on the substrate is reduced in the same way as nitride semiconductor substrate. 従って、発光素子を作製した際には、活性層に結晶欠陥が転位しないため、素子が長寿命となる。 Therefore, in the case of preparing a light emitting device, the crystal defects in the active layer is not dislocations element becomes long life. また逆方向の耐圧、リーク電流の電流特性等全ての面において向上する。 The reverse breakdown voltage is improved in all aspects current characteristics of the leakage current. しかも、反射鏡は活性層の発光を活性層側に反射させる作用もあるため、基板側に漏れる光が少なくなって、半導体側を発光観測面とする発光素子では光取り出し効率が向上する。 Moreover, the reflecting mirror is because some action to reflect the light emission of the active layer to the active layer side, is less light leaked to the substrate side, the light extraction efficiency can be improved in the light emitting element of the semiconductor side and light emission observing surface. そのため、窓部の面積よりも反射鏡の面積を大きくすることにより、反射部が大きくなって光取り出し効率が向上すると共に、窓部から伸びる結晶欠陥の数も少なくなり、さらに好ましい発光素子が実現できる。 Therefore, by increasing the area of ​​the reflector than the area of ​​the window portion, the reflective portion is increased with the light extraction efficiency is improved, the number of crystal defects extending from the window portion is also reduced, more preferably the light emitting element is realized it can. 好ましくは先にも述べたように、反射鏡を縦方向に二段階以上に並べることにより、平面上では反射鏡が実質的に全ての面を覆った形となるため、光取り出し効率はさらに向上する。 Preferably, as mentioned above, by arranging more than two stages in the vertical direction reflecting mirror, since the shape of the reflector is covered substantially all of the surfaces on a plane, the light extraction efficiency is further improved to. また、レーザ素子の場合には、第1の反射鏡100若しくは第2の反射鏡101 In the case of laser device, the first reflecting mirror 100 or the second reflecting mirror 101
が半導体層内部にあり、活性層との距離が近い一方の共振器として作用するため、窒化物半導体で面発光レーザ素子が実現できる。 There is inside the semiconductor layer, to act as one of the resonator length is close to the active layer, the surface-emitting laser element in the nitride semiconductor can be realized.

【0017】 [0017]

【実施例】[実施例1]図2は実施例1に係るLED素子の構造を示す模式断面図である。 EXAMPLES Example 1] FIG. 2 is a schematic sectional view showing the structure of an LED device according to Example 1. 以下この図を元に、 Below based on this figure,
実施例1を説明する。 Example 1 will be described. まず、サファイアよりなる異種基板1の上にMOVPE法を用いて、第1の窒化物半導体層2を成長させる。 First, using the MOVPE method on the heterogeneous substrate 1 made of sapphire, growing a first nitride semiconductor layer 2. 第1の窒化物半導体層2は異種基板側から順に、500℃で成長されたGaNよりなるバッファ層と、バッファ層の上に1050℃で成長されたG In order from the first nitride semiconductor layer 2 is different substrate, a buffer layer made of GaN which is grown at 500 ° C., G grown at 1050 ° C. on the buffer layer
aNからなる。 Consisting of aN.

【0018】次に反応容器からウェーハを取り出し、C [0018] then removed the wafer from the reaction vessel, C
VD装置により、第1の窒化物半導体層2の全面に、S The VD apparatus, in the first nitride semiconductor layer 2 over the entire surface, S
iO 2とSiNよりなる誘電体多層膜を単一膜厚がλ/ iO 2 and a single film thickness of the dielectric multilayer film made of SiN is lambda /
4nとなるように、交互に複数形成し、誘電体多層膜を形成する。 As a 4n, alternately forming a plurality, forming a dielectric multilayer film.

【0019】誘電体多層膜形成後、その誘電体多層膜の上の所定の位置にマスクを形成して、その誘電体多層膜を選択エッチングして、ストライプ幅10μm、ストライプ間隔(窓部)2μmとし、第1の反射鏡100とする。 [0019] After the dielectric multilayer film is formed, a mask is formed in a predetermined position on the dielectric multilayer film, the dielectric multilayer film is selectively etched, stripe width 10 [mu] m, the stripe interval (window) 2 [mu] m and then, the first reflecting mirror 100. このような第1の反射鏡100を誘電体多層膜で形成する際、最初に第1の窒化物半導体層の全面に誘電体多層膜を形成し、その後誘電体多層膜を選択エッチングして、所定の形状とする技術は、窒化物半導体層の上の所定の位置にマスクを形成して、その上から誘電体多層膜を形成して、その後リフトオフ法により、マスクを除去して誘電体多層膜のみを残す方法に比べて、均一な膜厚で誘電体多層膜が形成しやすい。 Such first reflecting mirror 100 when forming a dielectric multilayer film, first the entire surface of the first nitride semiconductor layer to form a dielectric multilayer film, then a dielectric multilayer film is selectively etched, to techniques predetermined shape, by forming a mask at a predetermined position on the nitride semiconductor layer, thereon to form a dielectric multilayer film, by the subsequent lift-off method, a dielectric multi-layer by removing the mask compared with the method to leave the film only, the dielectric multilayer film is easily formed in a uniform thickness. また、窓部の窒化物半導体層表面もエッチングされるため、表面に現れているエッチピット、結晶欠陥等を観察しやすい。 Further, since the nitride semiconductor layer surface of the window portion is etched, etch pits appearing on the surface, easily observe crystal defects or the like. この手法の利点は、第2の反射鏡101の場合も同様である。 The advantage of this approach is also the case for the second reflecting mirror 101.

【0020】次に第1の反射鏡100を形成した後、ウェーハをMOVPE反応容器内に戻し、1050℃でアンドープGaNよりなる第2の窒化物半導体層3を20 [0020] Then after forming a first reflecting mirror 100, return the wafer to the MOVPE reaction vessel, the second nitride semiconductor layer 3 made of undoped GaN at 1050 ° C. 20
μmの膜厚で成長させる。 It is grown to the thickness of μm.

【0021】第2の窒化物半導体層3成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、再度CVD装置にて、第2の窒化物半導体層3の全面にSiO 2とSiNよりなる誘電体多層膜を形成した後、選択エッチングより、ストライプ幅10μm、窓部2μmとし、第2の反射鏡102 [0021] After the second nitride semiconductor layer 3 grown retrieves the wafer from the reaction vessel, again by a CVD apparatus, a dielectric multilayer film made of SiO 2 and SiN on the entire surface of the second nitride semiconductor layer 3 after, from selective etching stripe width 10 [mu] m, and a window portion 2 [mu] m, the second reflecting mirror 102
とする。 To. 但し第2の反射鏡101の形成位置は、図2に示すように、第1の反射鏡100と第2の反射鏡101 However formation position of the second reflecting mirror 101, as shown in FIG. 2, the first reflecting mirror 100 and the second reflecting mirror 101
のストライプが平行になるように形成して、平面から見て、第1の反射鏡100の窓部が塞がるようにする。 Stripes formed so as to be parallel, as viewed from a plane, so that the window portion of the first reflecting mirror 100 is clogged.

【0022】次に、ウェーハを反応容器内に戻し、10 Next, return the wafer to the reaction vessel, 10
50℃でアンドープGaNよりなる第3の窒化物半導体層4を20μmの膜厚で成長させる。 The third nitride semiconductor layer 4 made of undoped GaN at 50 ° C. is grown to the thickness of 20 [mu] m.

【0023】続いて、1050℃でSiドープしたn型GaNよりなるn側コンタクト層11を4μm成長させ、その上にSi濃度がn側コンタクト層よりも少ないGaNよりなるn側クラッド層12を0.1μm成長させる。 [0023] Subsequently, the n-side contact layer 11 made of n-type GaN was doped with Si at 1050 ° C. to 4μm growth, an n-side cladding layer 12 Si concentration thereon becomes less GaN than the n-side contact layer 0 to .1μm growth.

【0024】次に800℃で、膜厚30オングストロームの単一量子井戸構造を有するアンドープIn 0.1 Ga [0024] In the next 800 ° C., an undoped an In 0.1 Ga having a single quantum well structure having a thickness of 30 Å
0.9 Nよりなる活性層13を成長させ、その上に105 It is grown an active layer 13 made of 0.9 N, 105 thereon
0℃でMgドープp型Al 0.1 Ga 0.9 Nよりなるp側クラッド層14を0.1μm成長させ、最後に、Mgドープp型GaNよりなるp側コンタクト層15を0.5μ The p-side cladding layer 14 composed of Mg-doped p-type Al 0.1 Ga 0.9 N at 0 ℃ is 0.1μm growth, finally, a p-side contact layer 15 made of Mg-doped p-type GaN 0.5 [mu]
m成長させる。 m is grown.

【0025】反応終了後、ウェーハを反応容器から取り出し、窒素雰囲気中700℃でアニーリングを行い、p [0025] After completion of the reaction, taking out the wafer from the reaction vessel and the annealing at 700 ℃ in a nitrogen atmosphere, p
型層をさらに低抵抗化した後、図2に示すようにp側コンタクト層15側からエッチングを行い、n側コンタクト層11の表面を露出させる。 After further reduce the resistance of the mold layer, etched from the p-side contact layer 15 side as shown in FIG. 2, to expose the surface of the n-side contact layer 11. その後、最上層のp側コンタクト層の表面のほぼ全面に透光性のオーミック用のp電極16を形成し、その上にボンディング用のpパッド電極17を形成する。 Thereafter, a p-electrode 16 for ohmic of translucent is formed on substantially the entire surface of the uppermost p-side contact layer to form a p-pad electrode 17 for bonding is formed thereon. 一方、先ほど露出させたn側コンタクト層18の表面には、W/Alよりなるn電極1 On the other hand, n electrode 1 on the surface of the n-side contact layer 18 is just exposed, consisting of W / Al
8を形成する。 8 to the formation.

【0026】最後に、サファイア基板を研磨して薄くした後、350μm角のチップに分離して青色LED素子としたところ、反射鏡を設けない従来のLED素子に比較して、出力で50%以上向上し、素子寿命で数倍以上に向上した。 [0026] Finally, after thinning by polishing the sapphire substrate, it was a blue LED element to separate the chip 350μm square, as compared to conventional LED devices without the reflecting mirror, an output more than 50% improved and enhanced to several times or more the element lifetime. また逆方向の耐圧も従来のものに比較して、50%以上向上した。 The reverse breakdown voltage as compared with the conventional and improved more than 50%. これは第2、第3の窒化物半導体が基板となっているために、素子自体の結晶欠陥が少なくなり、逆方向の耐圧、素子寿命が向上したものと推察できる。 This can be presumed that the second, to the third nitride semiconductor is in the substrate, crystal defects in the element itself is reduced to improve the reverse breakdown voltage, the device lifetime.

【0027】[実施例2]図3は本発明の実施例2に係るLD素子の構造を示す模式断面図であり、具体的には面発光レーザ素子の構造を示している。 [0027] is a schematic sectional view showing a structure of an LD device according to Example 2 of Embodiment 2] Figure 3 is the invention, and specifically shows the structure of the surface-emitting laser element. 以下この図を元に、実施例2を説明する。 Hereinafter based on this figure, the second embodiment will be described.

【0028】実施例1と同様にして、サファイアよりなる異種基板1の上に、GaNバッファ層、アンドープG [0028] In the same manner as in Example 1, on a heterogeneous substrate 1 made of sapphire, GaN buffer layer, an undoped G
aNよりなる第1の窒化物半導体層2、誘電体多層膜より成るストライプ状の第1の反射鏡100、アンドープGaNよりなる第2の窒化物半導体層3、誘電体多層膜より成るストライプ状の第2の反射鏡101、アンドープGaNよりなる第3の窒化物半導体層4を順に積層させる。 The first nitride semiconductor layer 2 made of aN, the first reflecting mirror 100 striped consisting dielectric multilayer film, the second nitride semiconductor layer 3 made of undoped GaN, striped consisting dielectric multilayer film the second reflecting mirror 101, to stack the third nitride semiconductor layer 4 made of undoped GaN in this order.

【0029】続いて、Siドープn型GaNよりなるn [0029] Subsequently, consisting of Si-doped n-type GaN n
側コンタクト層21を4μm成長させた後、膜厚25オングストロームのアンドープAl 0.15 Ga 0.85 N層と、 After the side contact layer 21 is 4μm growing an undoped Al 0.15 Ga 0.85 N layer thickness 25 Å,
膜厚25オングストロームのSiドープGaN層とを交互に積層して、総膜厚0.4μmの超格子より成るn側クラッド層22を成長させる。 A Si-doped GaN layer having a thickness of 25 angstroms are laminated alternately, to grow an n-side cladding layer 22 made of super lattice having a total thickness of 0.4 .mu.m.

【0030】次に、40オングストロームのアンドープIn 0.01 Ga 0.95 Nよりなる障壁層と40オングストロームのアンドープIn 0.2 Ga 0.8 Nよりなる井戸層とを交互に積層し、最後に障壁層で終わり、総膜厚440オングストロームの多重量子井戸構造(MQW)の活性層23を成長させる。 Next, a barrier layer and a 40 Angstrom undoped In 0.2 Ga 0.8 N consisting well layers made of 40 Å undoped In 0.01 Ga 0.95 N laminated alternately, and finally ends with a barrier layer, a total thickness 440 Å of growing the active layer 23 of multiple quantum well structure (MQW).

【0031】次に、25オングストロームのアンドープAl 0.15 Ga 0.85 N層と、25オングストロームのMg Next, an undoped Al 0.15 of 25 Å Ga 0.85 and N layer, 25 Å Mg
ドープGaN層とを交互に積層して、総膜厚0.4μm A doped GaN layer stacked alternately, a total thickness of 0.4μm
の超格子層よりなるp側クラッド層24を成長させる。 Growing a p-side cladding layer 24 made of super lattice layer.

【0032】p側クラッド層成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、円形を有するSiO 2よりなる保護膜をそのp型クラッド層の表面に形成する。 [0032] After the p-side cladding layer growth, taken out the wafer from the reaction vessel to form a protective film made of SiO 2 having a circular surface of the p-type cladding layer. 但し、そのマスクの位置は前記第2の反射鏡101よりも小さく、その反射鏡の真上になるように形成する。 However, the position of the mask is smaller than the second reflecting mirror 101 is formed so as to directly above the reflector.

【0033】保護膜形成後、再度、ウェーハを反応容器内に移し、その保護膜が形成されていないp側クラッド層24の表面にSiドープn型Al 0.1 Ga 0.9 Nよりなる電流阻止層26を0.4μmの膜厚で形成する。 [0033] After the protective film formation, again, transferred the wafer into the reaction vessel, the current blocking layer 26 made of Si-doped n-type Al 0.1 Ga 0.9 N on the surface of the p-side cladding layer 24 in which the protective film is not formed It is formed with a film thickness of 0.4μm. なおこの電流阻止層はZn、Cdのようなp型不純物をドープしてもp型になりにくいp型不純物をドープして、高抵抗なi型の窒化物半導体層としてもよいし、またAl Note the current blocking layer is doped Zn, a p-type impurity less likely to p-type well doped p-type impurities such as Cd, may be a nitride semiconductor layer having a high resistance i-type, also Al
混晶比をクラッド層よりも大きくして高抵抗なi型Al The mixed crystal ratio larger than that of the clad layer a high resistance i-type Al
GaNを形成することもできる。 It is also possible to form a GaN.

【0034】電流阻止層26形成後、ウェーハを反応容器から取り出し、保護膜を溶解除去した後、再び反応容器内において、その電流阻止層26の上にMgドープp [0034] After the current blocking layer 26 is formed, is taken out the wafer from the reaction vessel, after dissolving and removing the protective film, again in the reaction vessel, Mg-doped p over the current blocking layer 26
型GaNよりなるp側コンタクト層25を成長させる。 Growing a p-side contact layer 25 made of type GaN.

【0035】反応終了後、アニーリングを行いp層をさらに低抵抗化し、実施例1と同じく、エッチングによりn側コンタクト層22の一部を露出させ、露出したn側コンタクト層22にn電極28を形成する一方、p側コンタクト層の表面にp電極27を形成した後、ウェーハをチップに分離して図3に示すような構造のレーザ素子としたところ、室温において連続発振を示し、410n [0035] After completion of the reaction, further reduce the resistance of the p layer performs annealing, similarly to Example 1 by etching to expose part of the n-side contact layer 22, an n electrode 28 on the n-side contact layer 22 exposed while forming, after forming the p-electrode 27 on the surface of the p-side contact layer, was a laser device structure as shown in FIG. 3 by separating the wafer into chips, it shows a continuous oscillation at room temperature, 410n
mのレーザ光がサファイア基板側から観測された。 Laser light m was observed from the sapphire substrate side.

【0036】[実施例3]図4は本発明の実施例3に係るLD素子の構造を示す模式断面図であり、これもまた面発光レーザ素子の構造を示している。 [0036] [Embodiment 3] FIG. 4 is a schematic sectional view showing a structure of an LD device according to a third embodiment of the present invention, which also shows the structure of the surface-emitting laser element. 以下この図を元に、実施例3を説明する。 Hereinafter based on this figure, the third embodiment will be described.

【0037】実施例1において、サファイアよりなる異種基板1の上に、GaNバッファ層、アンドープGaN [0037] In Example 1, on a heterogeneous substrate 1 made of sapphire, GaN buffer layer, an undoped GaN
よりなる第1の窒化物半導体層2、誘電体多層膜より成るストライプ状の第1の反射鏡100を形成した後、第2の窒化物半導体層3を成長させる際に、Siを5×1 Become more first nitride semiconductor layer 2, after forming the first reflecting mirror 100 striped consisting dielectric multilayer film, when growing the second nitride semiconductor layer 3, the Si 5 × 1
16 /cm 3ドープしたGaNを60μmの膜厚で成長させる。 The 0 16 / cm 3 doped with GaN is grown to the thickness of 60 [mu] m. この第2の窒化物半導体層の膜厚を60μm以上にするのは、後に異種基板を除去して、第2の窒化物半導体層を基板とするためである。 The second to the thickness of the nitride semiconductor layer above 60μm are a heterogeneous substrate is removed after the second nitride semiconductor layer is to a substrate. 60μmよりも薄いと、異種基板除去中に第2の窒化物半導体層が割れて、 When thinner than 60 [mu] m, and the second nitride semiconductor layer cracks during foreign substrate removed,
素子作製が難しくなる傾向にある。 It tends to device fabrication difficult. さらにn型不純物を少量ドープするのは、異種基板を除去した後に、露出される第2の窒化物半導体層3、そのものをコンタクト層とするからである。 Further to lightly doped n-type impurities, after removing the heterogeneous substrate, the second nitride semiconductor layer 3 which is exposed, because the itself and the contact layer. さらに基板となる第2の窒化物半導体層、第3の窒化物半導体層にn型不純物をドープする場合、先にも述べたように1×10 17 /cm 3以下とすることが望ましい。 Further, the second nitride semiconductor layer serving as a substrate, when doped with an n-type impurity in the third nitride semiconductor layer, it is desirable to 1 × 10 17 / cm 3 or less as described earlier. それよりも多くすると窒化物半導体層中の結晶欠陥の数が多くなって、結晶性の良い基板となりにくいからである。 And it than most the increasingly number of crystal defects in the nitride semiconductor layer, is not easily become good crystallinity substrate.

【0038】第2の窒化物半導体層3成長後、実施例1 [0038] After the second nitride semiconductor layer 3 grown, Example 1
と同様にして、第2の反射鏡101を形成する。 In the same manner as to form a second reflecting mirror 101. 第2の反射鏡形成後、アンドープGaNよりなる第3の窒化物半導体層4を15μm成長させる。 After the second reflecting mirror forming a third nitride semiconductor layer 4 made of undoped GaN is 15μm growth.

【0039】次にSiをドープしたIn 0.05 Ga 0.95 [0039] In 0.05 doped with Si then Ga 0.95 N
より成るクラック防止層20を0.15μmの膜厚で成長させる。 The crack preventing layer 20 more made is grown to the thickness of 0.15 [mu] m. クラック防止層20はInを含む窒化物半導体とすることにより、この層が緩衝層となり、後に成長させるAlを含む窒化物半導体層にクラックが入りにくくなる。 Crack preventing layer 20 by a nitride semiconductor containing In, this layer serves as a buffer layer, cracks in the nitride semiconductor layer containing Al is grown is less likely to enter the post. なお、このクラック防止層は実施例2のレーザ素子に入れても良いことは言うまでもない。 Incidentally, the crack prevention layer that may be placed in the laser device of Example 2 is obvious.

【0040】あとは実施例2と同様にして、超格子よりなるn側クラッド層22、MQWの活性層23、超格子よりなるp側クラッド層24、電流阻止層26、p側コンタクト層25を積層する。 [0040] After in the same manner as in Example 2, n-side cladding layer 22, MQW active layer 23 made of super lattice, p-side cladding layer 24 composed of superlattices, the current blocking layer 26, p-side contact layer 25 laminated.

【0041】反応終了後、アニーリングを行いp層をさらに低抵抗化した後、サファイア側から研磨して、異種基板1、第1の窒化物半導体層2、第1の反射鏡101 [0041] After completion of the reaction, after further reduce the resistance of the p-layer perform annealing and polishing of sapphire side, the heterogeneous substrate 1, the first nitride semiconductor layer 2, the first reflecting mirror 101
を除去する。 It is removed. その後、露出させた第2の窒化物半導体層2の表面にリング状のn電極を設けた後、ウェーハをチップ状に分離して、図4に示すような構造のレーザ素子としたところ、室温において連続発振を示し、同じく4 Then, after providing the second nitride semiconductor layer 2 of the ring-shaped n-electrode on the surface of exposing the wafer to separate into chips, it was a laser device structure as shown in FIG. 4, at room temperature in shows the continuous wave, like 4
10nmのレーザ光が第2の窒化物半導体層3側から観測された。 Laser light of 10nm was observed from the second nitride semiconductor layer 3 side. なおn電極28を形成する際に、電極接触面のオーミックコンタクトを良くするために、イオンインプランテーション等の技術を用いて、第2の窒化物半導体層の表面にn型不純物を高濃度にドープしても良い。 Note that when forming the n-electrode 28, in order to improve the ohmic contact electrode contact surface, using techniques such as ion implantation, doped with an n-type impurity at a high concentration on the surface of the second nitride semiconductor layer it may be.

【0042】 [0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子では、反射鏡の窓部から成長されて、反射鏡の表面で横方向に成長された窒化物半導体層の結晶欠陥が非常に少なくなるために、その基板の上に成長させる活性層を含む複数の窒化物半導体層の結晶欠陥が少なくなり、素子の信頼性が向上する。 As described in the foregoing, the light emitting device of the present invention may be grown from the window of the reflector, is very low crystal defects grown nitride semiconductor layer in the lateral direction on the surface of the reflector to become, the crystal defects of the plurality of nitride semiconductor layers including an active layer grown on the substrate is reduced, thereby improving the reliability of the device. また、反射鏡が活性層の発光を数十μm以下という近い距離において、活性層側に反射させるので、発光素子の光取り出し効率が向上する。 The reflecting mirrors in the near distance of the light emitting several tens μm or less of the active layer, since the reflected into the active layer side, the light extraction efficiency of the light emitting element is improved. そのため、この反射鏡を積極的に利用すれば、面発光レーザ素子が実現できる。 Therefore, if positive use of the reflecting mirror, the surface emitting laser element can be realized.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の発光素子を製造する際の各工程を説明するためのウェーハの構造をそれぞれ部分的に示す模式断面図。 Figure 1 is a schematic sectional view showing a structure of a wafer, respectively partly for explaining each step of the manufacturing process of the light-emitting device of the present invention.

【図2】 実施例1の発光素子の構造を示す模式断面図。 Figure 2 is a schematic sectional view showing a structure of a light-emitting device of Example 1.

【図3】 実施例2の発光素子の構造を示す模式断面図。 Figure 3 is a schematic sectional view showing a structure of a light-emitting device of Example 2.

【図4】 実施例3の発光素子の構造を示す模式断面図。 Schematic cross-sectional view showing the structure of a light emitting device of FIG. 4 Example 3.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1・・・異種基板 2・・・第1の窒化物半導体層 3・・・第2の窒化物半導体層 4・・・第3の窒化物半導体層 11,21・・・n側コンタクト層 12,22・・・n側クラッド層 13,23・・・活性層 14,24・・・p側クラッド層 15,25・・・p側コンタクト層 20・・・クラック防止層 26・・・電流阻止層 16,27・・・p電極 17・・・pパッド電極 18,28・・・n電極 100・・・第1の反射鏡 101・・・第2の反射鏡 1 ... substrate different 2 ... first nitride semiconductor layer 3 ... second nitride semiconductor layer 4 ... third nitride semiconductor layer 11 and 21, ... n-side contact layer 12 , 22 ... n-side cladding layer 13, 23 ... active layer 14, 24 ... p-side cladding layer 15, 25 ... p-side contact layer 20 ... crack preventing layer 26 ... current blocking layers 16, 27.. p electrode 17 ... p pad electrodes 18, 28, ... n electrode 100 ... first reflecting mirror 101 ... second reflector

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に形成された第1の窒化物半導体よりなる下地層の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか若しくは成長しにくい性質を有し、かつ活性層の発光を反射する第1の反射鏡が部分的に形成されており、さらにその第1 On the 1. A first nitride semiconductor than consisting underlayer formed on the hetero substrate made of nitride semiconductor material different, have the difficult nature and whether or grown nitride semiconductor is not grown on the surface and, and a first reflecting mirror for reflecting the emission of the active layer are partially formed, further the first
    の反射鏡の窓部から、その反射鏡の表面に至るように成長された第2の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 The window portion of the reflector, the second nitride semiconductor grown to reach the surface of the reflecting mirror as the substrate, a plurality of nitride semiconductor layers including at least the active layer is laminated on the substrate nitride semiconductor light emitting device characterized by comprising.
  2. 【請求項2】 前記第2の窒化物半導体層の上に第2の反射鏡が部分的に形成され、その第2の反射鏡の窓部から、第2の反射鏡の表面に至るように成長された第3の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長されてなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 2. A second reflector is partially formed on the second nitride semiconductor layer, through the window of the second reflecting mirror, to reach the surface of the second reflecting mirror a third nitride semiconductor that is grown as a substrate, the nitride semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a plurality of the nitride semiconductor layer are grown to include at least the active layer on the substrate .
  3. 【請求項3】 前記第2の反射鏡は、第1の反射鏡の窓部の位置に対応した第2の窒化物半導体層の上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。 Wherein said second reflecting mirror, according to claim 2, characterized in that it is formed on the second nitride semiconductor layer corresponding to the position of the window portion of the first reflecting mirror the nitride semiconductor light emitting device.
  4. 【請求項4】 前記反射鏡の面積が、窓部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 4. A nitride semiconductor light emitting device according to claim 1, the area of ​​the reflector, being larger than the area of ​​the window portion.
JP1386798A 1998-01-27 1998-01-27 The nitride semiconductor light emitting device Expired - Fee Related JP3301601B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1386798A JP3301601B2 (en) 1998-01-27 1998-01-27 The nitride semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1386798A JP3301601B2 (en) 1998-01-27 1998-01-27 The nitride semiconductor light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11214744A true JPH11214744A (en) 1999-08-06
JP3301601B2 JP3301601B2 (en) 2002-07-15

Family

ID=11845203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1386798A Expired - Fee Related JP3301601B2 (en) 1998-01-27 1998-01-27 The nitride semiconductor light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3301601B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313440A (en) * 2000-04-27 2001-11-09 Sony Corp Nitride semiconductor light-emitting element
WO2003065464A1 (en) * 2002-01-28 2003-08-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US6803603B1 (en) 1999-06-23 2004-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element
EP1508922A1 (en) * 2002-05-15 2005-02-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and production method therefor
US7105857B2 (en) 2002-07-08 2006-09-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
US7301175B2 (en) 2001-10-12 2007-11-27 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2008166782A (en) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd Light-emitting element
JP2010135490A (en) * 2008-12-03 2010-06-17 Showa Denko Kk Group iii nitride semiconductor light emitting element, and method of manufacturing same
KR101028314B1 (en) * 2010-01-29 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and method for fabricating the same
JP2011082248A (en) * 2009-10-05 2011-04-21 Showa Denko Kk Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same, and lamp
JP5508539B2 (en) * 2010-09-30 2014-06-04 Dowaエレクトロニクス株式会社 Group III nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US9620677B2 (en) 2001-10-26 2017-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7122446B2 (en) 1999-06-23 2006-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element
US6803603B1 (en) 1999-06-23 2004-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element
JP2001313440A (en) * 2000-04-27 2001-11-09 Sony Corp Nitride semiconductor light-emitting element
US7390684B2 (en) 2001-10-12 2008-06-24 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
US7301175B2 (en) 2001-10-12 2007-11-27 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
US10032959B2 (en) 2001-10-26 2018-07-24 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
US9620677B2 (en) 2001-10-26 2017-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
US10326055B2 (en) 2001-10-26 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
WO2003065464A1 (en) * 2002-01-28 2003-08-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US6946683B2 (en) 2002-01-28 2005-09-20 Nichia Corporation Opposed terminal structure having a nitride semiconductor element
US6744071B2 (en) 2002-01-28 2004-06-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with a supporting substrate
US6916676B2 (en) 2002-01-28 2005-07-12 Nichia Corporation Method for producing a nitride semiconductor element
US7470608B2 (en) 2002-05-15 2008-12-30 Panasonics Corporation Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
EP1508922A4 (en) * 2002-05-15 2006-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting element and production method therefor
EP1508922A1 (en) * 2002-05-15 2005-02-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and production method therefor
EP1970969A1 (en) * 2002-05-15 2008-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and production method therefor
US7378334B2 (en) 2002-07-08 2008-05-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
US7105857B2 (en) 2002-07-08 2006-09-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
JP2008166782A (en) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd Light-emitting element
US8569944B2 (en) 2006-12-26 2013-10-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8405304B2 (en) 2006-12-26 2013-03-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emtting device
JP2010135490A (en) * 2008-12-03 2010-06-17 Showa Denko Kk Group iii nitride semiconductor light emitting element, and method of manufacturing same
US8642992B2 (en) 2008-12-03 2014-02-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light emitting device
JP2011082248A (en) * 2009-10-05 2011-04-21 Showa Denko Kk Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same, and lamp
KR101028314B1 (en) * 2010-01-29 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and method for fabricating the same
US8390006B2 (en) 2010-01-29 2013-03-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device including a plurality of GaN-based reflective layers
JP5508539B2 (en) * 2010-09-30 2014-06-04 Dowaエレクトロニクス株式会社 Group III nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US9263642B2 (en) 2010-09-30 2016-02-16 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. III nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3301601B2 (en) 2002-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yamada et al. InGaN-based near-ultraviolet and blue-light-emitting diodes with high external quantum efficiency using a patterned sapphire substrate and a mesh electrode
DE102005013580B4 (en) Light-emitting element
KR100586949B1 (en) Flip chip type nitride semiconductor light emitting diode
JP3557011B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP4063259B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101834250B (en) Method for manufacturing light-emitting element
CN1224113C (en) Semiconductor luminous element
CN102386294B (en) The light emitting element
US6249534B1 (en) Nitride semiconductor laser device
KR100631840B1 (en) Flip-chip nitride semiconductor light-emitting device
JP3439063B2 (en) The semiconductor light emitting device and a light emitting lamp
US8004006B2 (en) Nitride semiconductor light emitting element
EP1239524A2 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabrication
JP3436128B2 (en) Nitride semiconductor growth method and a nitride semiconductor device
US20050017254A1 (en) Light emitting diode and method of making the same
EP1686629A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2006054420A (en) Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, and light emitting device formed in flip chip structure equipped therewith
JP4368225B2 (en) Method for manufacturing nitride-based semiconductor light-emitting device
TWI303909B (en) Ridge waveguide semiconductor laser diode
JP2006128227A (en) Nitride semiconductor light emitting element
JP4507532B2 (en) Nitride semiconductor device
CN101645482B (en) Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20060001032A1 (en) Light-emitting semiconductor device and method of fabrication
JP4572270B2 (en) Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3864782B2 (en) Nitride semiconductor laser device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080426

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090426

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090426

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090426

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100426

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100426

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees