JPH11214453A

JPH11214453A - 接続基材および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11214453A
Application number: JP10015181A
Authority: JP
Inventors: Hideo Yamanaka; 英雄山中
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-01-28
Filing date: 1998-01-28
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】リード部と半導体素子のパッド部との機械的
・電気的接続を良好にしかも容易に行うことのできる接
続基材、およびこれを用いた半導体装置の製造方法の提
供が望まれている。【解決手段】絶縁基体２上にリード部３と回路部４と
が設けられ、リード部３の先端部が絶縁基体２上から延
出して形成されてなり、リード部３の先端接続部に、リ
ード部３を形成する材料によってバンプ１２が形成され
てなる接続基材１を用意し、半導体素子（チップ）１９
のパッド部１９ａに、接続基材１におけるリード部３の
先端接続部のバンプ１２を接続する半導体装置の製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子との機
械的・電気的接続を得るための接続基材とそれを用いた
半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、所定の回路が形成された
チップ状の半導体素子と、この半導体素子の回路と外部
との電気的な接続を行うためのリード部材（リード部）
と、半導体素子を封止するためのパッケージ部分とから
構成されている。ところで、近年では半導体パッケージ
としてより高密度実装に適合した高密度パッケージが強
く求められており、中でもＴＡＢ応用パッケージとして
のＴ−ＢＧＡ（Tape- Ball Grid Array ）とＣＳＰ（Ch
ip Size Package ）とが最も期待されている。

【０００３】しかして、これらＴ−ＢＧＡやＣＳＰを用
いた場合、そのリード部とチップ（半導体素子）のパッ
ド部との接続が技術的に難しく、そのため従来では前記
リード部の先端にＡｕ（金）またはＡｌ（アルミニウ
ム）からなるバンプを転写によって設けたり、あるいは
金メッキとはんだとを積層してなるバンプや、金のスタ
ッドバンプなどをチップのパッド部に形成する、などと
いった工夫がなされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
転写バンプ方式では、リード部の先端にアライメントに
よって金またはＡｌからなるバンプを転写し、その後超
音波併用熱圧着のインナーリードボンダーで１リードず
つ接合するので、位置合わせなどを高精度に行うには難
があり、また工数も多くなってしまうといった不都合が
ある。

【０００５】また、チップのパッド部にメッキバンプを
形成する方式では、Ａｌ上にＣｕまたはＮｉ膜を形成す
る必要があることから、この膜の形成のためスパッタリ
ングやエッチングを行わなくてはならず、工数が多くな
ってしまう。さらに、チップのパッド部にスタッドバン
プを形成する方式でも、ＡｕまたはＡｌのワイヤーボン
ディングおよびカッティングが必要となることから、位
置合わせなどを高精度に行うには難があり、また工数も
多くなってしまう。

【０００６】また、従来のＴ−ＢＧＡでは、インナーリ
ード（リード部）にテープ支持部がないため、インナー
リードに曲がりやあおり等の不具合が起こりやすく、ギ
ャングボンドやシングルポイントボンドの不良（コンタ
クト不良、ショート不良）が発生し易い。そして、この
ような不良の発生は多ピンでピッチが小さくなればなる
ほど顕著となり、歩留の低下および品質低下を招く一因
となっている。

【０００７】このような不都合を解消するため本発明者
は、インナーリードを支持するフィルム部を設け、少な
くともチップのパッド部に相当する領域に異方性導電膜
／接着剤を形成することにより、インナーリードの曲が
りやあおり等の不具合をなくすことを提案した（特開平
７−２６３４８６号公報）。しかしながら、このような
技術にあっても、ＣｕやＡｌからなるインナーリードの
先端切断面が露出しているため、ここが水分によって腐
食し、電気的、あるいは機械的な接合の不良を発生して
しまうことがあった。

【０００８】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、リード部と半導体素子の
パッド部との機械的・電気的接続を良好にしかも容易に
行うことのできる接続基材、およびこれを用いた半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の接続基材では、絶縁基体上にリード部と回路部と
が設けられ、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から
延出して形成されてなり、前記リード部の先端接続部
に、該リード部を形成する材料によってバンプが形成さ
れてなることを前記課題の解決手段とした。

【００１０】この接続基材によれば、リード部の先端接
続部に該リード部を形成する材料によってバンプが形成
されているので、該接続基材と半導体素子のパッド部と
を接続する際、リード部の先端接続部に転写やメッキな
どでバンプを形成する工程が不要になり、したがってリ
ード部の先端接続部におけるバンプ位置が安定するとと
もに、工数の削減が可能となる。

【００１１】請求項４記載の接続基材では、絶縁基体上
にリード部と回路部とが設けられてなり、該リード部の
先端部が前記絶縁基体上から延出して形成され、かつ該
リード部の先端接続部を除いた前記リード部のほぼ全体
が、絶縁体からなる補強材で覆われたことにより補強さ
れてなることを前記課題の解決手段とした。

【００１２】この接続基材によれば、リード部の先端接
続部を除いたリード部のほぼ全体が、絶縁体からなる補
強材で覆われて補強されているので、該リード部に曲が
りやあおり等の不具合が起こるのが防止され、さらに水
分による腐食も防止される。

【００１３】請求項１３記載の半導体装置の製造方法で
は、絶縁基体上にリード部と回路部とが設けられ、該リ
ード部の先端部が前記絶縁基体上から延出して形成され
てなり、前記リード部の先端接続部に、該リード部を形
成する材料によってバンプが形成されてなる接続基材を
用意し、半導体素子のパッド部に、前記接続基材におけ
るリード部の先端接続部のバンプを接続することを前記
課題の解決手段とした。

【００１４】この半導体装置の製造方法によれば、接続
基材としてリード部の先端接続部に該リード部を形成す
る材料によってバンプが形成されているものを用いるの
で、該接続基材と半導体素子のパッド部とを接続する
際、リード部の先端接続部にバンプを形成する工程が不
要になり、したがってリード部の先端接続部におけるバ
ンプ位置が安定するとともに、工数の削減が可能とな
る。

【００１５】請求項１４記載の半導体装置の製造方法で
は、絶縁基体上にリード部と回路部とが設けられてな
り、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から延出して
形成され、かつ該リード部の先端接続部を除いた、前記
リード部のほぼ全体が絶縁体からなる補強材で覆われた
ことにより補強されてなる接続基材を用意し、半導体素
子のパッド部に、前記接続基材におけるリード部の先端
接続部を接続することを前記課題の解決手段とした。

【００１６】この半導体装置の製造方法によれば、接続
基材としてリード部の先端接続部を除いた、リード部の
ほぼ全体が絶縁体からなる補強材で覆われて補強されて
いるものを用いるので、前記リード部に曲がりやあおり
等の不具合が起こるのが防止され、さらに水分による腐
食も防止される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は本発明における請求項１記載の接続基材を、Ｔ−
ＢＧＡ用の接続基材に適用した場合の一実施形態例を示
す図であり、図１中符号１は接続基材である。この接続
基材１は、ポリイミドシートからなる絶縁基体２上にリ
ード部３と回路部４とが設けられ、該リード部３の先端
部が前記絶縁基体２上から延出して形成されたものであ
る。

【００１８】絶縁基体２は、チップ状の半導体素子（以
下、チップと称する）を配置するための平面視矩形状の
開口部５を形成したもので、その裏面（下面）にはエポ
キシ系等の接着剤６を介してスティフナ７が貼合されて
いる。リード部３および回路部４は、基本的には絶縁基
体２側からＣｕスパッタ膜８−Ａｌスパッタ膜９−Ｃｕ
スパッタ膜１０−Ｃｕメッキ膜１１の順に積層されてな
る４層構造を有したものである。

【００１９】ただし、リード部３の、前記絶縁基体２上
から開口部５内に延出した先端部３ａは、後述するよう
に前記４層構造のうちの最下層であるＣｕスパッタ膜８
が除去され、その上層のＡｌスパッタ膜９が露出せしめ
られていることにより３層構造となっている。また、こ
のリード部３の先端部３ａは、後述するように特にその
最先端側の下面がチップのパッド部に接続するための先
端接続部３ｂとなっており、この先端接続部３ｂにはバ
ンプ１２が形成されている。バンプ１２は、リード部３
の先端部３ａの最先端部分が下に凸となることによって
形成されたもので、リード部３の先端部３ａと同一構成
に形成されたものであり、したがって絶縁基体２側から
Ａｌスパッタ膜９−Ｃｕスパッタ膜１０−Ｃｕメッキ膜
１１の順に積層されてなる３層構造のものとなってい
る。

【００２０】リード部３および回路部４には、リード部
３の先端接続部３ｂを除いたリード部３および回路部４
のほぼ全体が、エポキシやポリイミド樹脂等の絶縁体か
らなる補強材１３で覆われており、これによってリード
部３および回路部４は、機械的にもまた耐湿性の点でも
補強されたものとなっている。補強材１３には、リード
部３、回路部４のそれぞれの所定箇所に通じる孔１４が
形成されている。これら孔１４内には、それぞれリード
部３あるいは回路部４の導電部に接続した状態でＮｉメ
ッキ１５が設けられており、さらにこのＮｉメッキ１５
上には、はんだボール１６が形成されている。

【００２１】このような構成の接続基材１を作製するに
は、まず、図２（ａ）に示すように絶縁体２となる厚さ
５０μｍ程度のポリイミドシート２ａを用意し、さらに
このポリイミドシート２ａにフォトレジストコート、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離からなる一連の公
知プロセスを行って所定箇所に凹部１７を形成する。こ
の凹部１７は、図１に示したリード部３の先端接続部３
ｂに形成されたバンプ１２に対応する位置および形状・
大きさのもので、開口径が５０〜１００μｍ程度、深さ
が１０〜２０μｍ程度のものである。

【００２２】次に、このようにして凹部１７を形成した
ポリイミドシート２ａの凹部１７形成面に、図２（ｂ）
に示すようにスパッタ法によってＣｕを堆積し、厚さ１
μｍ程度のＣｕスパッタ膜８を形成する。続いて、この
Ｃｕスパッタ膜８上に、スパッタ法によってＡｌを堆積
し、厚さ５〜１０μｍ程度のＡｌスパッタ膜９を形成す
る。なお、このＡｌスパッタ膜９の形成にあたっては、
得られるＡｌスパッタ膜９中に、１％程度のＳｉ、また
は数％程度のＣｕ、または１０ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ程
度のＮｉが含有されるよう、使用するターゲットとして
これらの元素が予め所定量加えられたものを用いる。さ
らに、このＡｌスパッタ膜９上に、スパッタ法によって
再度Ｃｕを堆積し、厚さ２〜３μｍ程度のＣｕスパッタ
膜１０を形成する。

【００２３】次いで、電気メッキを施して図２（ｃ）に
示すようにＣｕスパッタ膜１０の上に厚さ２５〜３０μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜１１を形成し、Ｃｕスパッタ膜８
−Ａｌスパッタ膜９−Ｃｕスパッタ膜１０−Ｃｕメッキ
膜１１の４層構造を得る。なお、Ｃｕスパッタ膜８はポ
リイミドシートとの密着性向上のために形成しており、
また、Ｃｕスパッタ膜１０はＣｕメッキ膜１１形成のた
めの下地として形成している。

【００２４】次いで、このようにしてポリイミドシート
２ａ上に形成した４層構造を、フォトレジストコート、
露光、現像、エッチング、レジスト剥離からなる一連の
公知プロセスを行い、図２（ｄ）に示すようにリード部
３および回路部４をそれぞれ形成する。次いで、リード
部３、回路部４を覆ってポリイミドシート２ａ上に感光
性のエポキシ樹脂をコーティングして図２（ｅ）に示す
ように補強材層（補強材１３）を厚さ２０〜３０μｍ程
度に形成し、さらにこれに露光、現像、ポストベークを
行って所定箇所に孔１４を形成する。

【００２５】次いで、電気メッキによって孔１４内に厚
さ１２０μｍ程度のＮｉメッキ１５を形成し、続いて厚
さ２５０μｍ程度にはんだメッキを形成する。そして、
２５０℃程度ではんだメッキをリフロー処理し、はんだ
ボール１６を形成する。次いで、高熱伝導性であり高耐
湿性の接着剤であるエポキシ系またはオレフィン系の熱
硬化性または熱可塑性接着剤６を用いて、ポリイミドシ
ート２ａの裏面（下面）に矩形の開口部７ａを形成した
スティフナ７を貼合する。ここで、このスティフナ７の
貼合については、その開口部７ａが図１に示した絶縁基
体２の開口部５と対応するように、すなわち該開口部７
ａ内の直上に前記リード部３の先端部３ａが配置される
ようにその位置決めを行う。また、これとは別に、前記
補強材層（補強材１３）、はんだボール１６を覆ってレ
ジスト層１８を形成し、これら補強材層（補強材１
３）、はんだボール１６を保護する。

【００２６】次いで、スティフナ７の開口部７ａ内に臨
むポリイミドシート２ａをアルカリ系エッチング液でエ
ッチングして図１に示したように該ポリイミドシート２
ａに開口部５を形成し、これにより該ポリイミドシート
２ａを絶縁基体２とする。このとき、Ｃｕスパッタ膜８
はＡｌスパッタ膜９の保護膜として機能している。続い
て、開口部７ａ内、開口部５内にそれぞれ臨むリード部
３の先端部３ａにおける、Ｃｕスパッタ膜８を酸系エッ
チング液でエッチングし、Ａｌスパッタ膜９を露出させ
る。その後、レジスト層１８を剥離除去し、図１に示し
た接続基材１を得る。

【００２７】このようにして作製した接続基材１を用
い、これのリード部３をチップ（半導体素子）のパッド
部に接続して半導体装置を得るには、図３に示すように
チップ１９を開口部７ａおよび開口部５の内部に配置
し、その状態でリード部３のバンプ１２におけるＡｌス
パッタ膜９とチップ１９のパッド部１９ａとをインナー
リードボンダーやシングルポイントボンダーなどで接合
する。その後、エポキシ系樹脂等の熱硬化型モールド樹
脂Ｍによってチップ１９およびリード部３とその近傍部
分をモールディングする。

【００２８】このような接続基材１にあっては、リード
部３の先端接続部３ｂにリード部３の形成材料によって
バンプ１２が形成されているので、該接続基材１とチッ
プ１９のパッド部１９ａとを接続する際、リード部３の
先端接続部３ｂに転写やメッキなどでバンプを形成する
工程が必要なくなり、このためバンプ１２の位置が安定
してパッド部１９ａとの接続を確実に行うことができる
ようになり、またバンプ形成のための工程がなくなるこ
とにより全体の工数を削減することもでき、さらにはチ
ップ１９のパッド部１９ａへのメッキバンプ形成も不要
となるので材料のコストダウンを図ることができる。

【００２９】また、リード部３のＡｌスパッタ膜９に１
％程度のＳｉ、または数％程度のＣｕ、または１０ｐｐ
ｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが添加されてなるので、耐
湿性が向上し、これにより該接続基材１を用いることに
よって得られる半導体装置の信頼性を高めることができ
る。また、リード部３が補強材１３で補強されているの
で、リード部３に曲がりやあおりがなくなり、したがっ
てリード部３のバンプ１２とチップ１９のパッド部１９
ａとをシングルポイントボンディングあるいはギャング
ボンディングによって確実に接合することができる。ま
た、バンプ１２の形成部となっているリード部３の先端
部３ａが、Ａｌスパッタ膜９、Ｃｕスパッタ膜１０、Ｃ
ｕメッキ膜１１の順に積層されてなる３層構造を有して
いるので、これら膜間において相互に密着性が高く、し
たがって品質および信頼性が向上したものとなる。

【００３０】そして、このような接続基材１を用いた半
導体装置の製造方法にあっては、従来に比べリード部３
とチップ１９のパッド部１９ａとの電気的・機械的接続
を良好にしかも容易に行うことができ、したがって品質
および信頼性を向上することができるとともに、コスト
の低減化を図ることができる。

【００３１】図４は本発明における請求項１記載の接続
基材を、ＣＳＰ用の接続基材に適用した場合の一実施形
態例を示す図であり、図４中符号２０は接続基材であ
る。この接続基材２０は、図１に示した接続基材１と同
様にポリイミドシートからなる絶縁基体２１上にリード
部２２と回路部２３とが設けられ、該リード部２２の先
端部が前記絶縁基体２１上から延出して形成されたもの
である。

【００３２】絶縁基体２１は、その裏面（下面）側にチ
ップ１９を配置するとともに、チップ１９の周辺部に設
けられたパッド部１９ａとリード部２２の先端接続部２
２ｂとの間を機械的・電気的に接続するべく、チップ１
９の外周部形状に対応した開口部２４を形成したもので
ある。また、この絶縁基体２１には、その開口部２４の
外側の裏面（下面）に、熱可塑性ポリイミドからなる接
着剤２５を介してスティフナ２６が貼合されている。

【００３３】なお、リード部２２および回路部２３は、
図１に示した接続基材１と同様に、基本的には絶縁基体
２１側からＣｕスパッタ膜２７−Ａｌスパッタ膜２８−
Ｃｕスパッタ膜２９−Ｃｕメッキ膜３０の順に積層され
てなる４層構造を有したものである。ただし、この例に
おいても、リード部２２の先端部２２ａはＣｕスパッタ
膜２７が除去され、その上層のＡｌスパッタ膜２８が露
出せしめられていることにより３層構造となっている。
また、このリード部２２の先端部２２ａは、特にその最
先端側の下面がチップ１９のパッド部１９ａに接続する
ための先端接続部２２ｂとなっており、この先端接続部
２２ｂには図１に示した例と同様のバンプ３１が形成さ
れている。

【００３４】リード部２２および回路部２３には、図１
に示した例と同様にリード部２２の先端接続部２２ｂを
除いたリード部２２および回路部２３のほぼ全体が、エ
ポキシ樹脂等の絶縁体からなる補強材３２で覆われてお
り、これによってリード部２２および回路部２３は、機
械的にもまた耐湿性の点でも補強されたものとなってい
る。補強材３２には、リード部２２、回路部２３のそれ
ぞれの所定箇所に通じる孔３３が形成されている。これ
ら孔３３内には、それぞれリード部２２あるいは回路部
２３の導電部に接続した状態でＮｉメッキ３４が設けら
れており、さらにこのＮｉメッキ３４上には、はんだボ
ール３５が形成されている。

【００３５】このような構成の接続基材２０を作製する
には、まず、図５（ａ）に示すように絶縁体２１となる
厚さ５０μｍ程度のポリイミドシート２１ａを用意し、
さらにこのポリイミドシート２１ａに一連の公知プロセ
スを行って所定箇所に凹部３６を形成する。

【００３６】次に、このようにして凹部３６を形成した
ポリイミドシート２１ａの凹部３６形成面と反対側の面
に、熱可塑性ポリイミドを介してステンレスプレート製
で矩形の開口部２６ａを形成したスティフナ２６を熱圧
着によって貼合する。ここで、このスティフナ２６の貼
合については、その開口部２６ａが図４に示した絶縁基
体２１の開口部２４と対応するように、すなわち該開口
部２６ａ周縁部の内側近傍直上に前記リード部２２の先
端部２２ａが配置されるようにその位置決めを行う。

【００３７】次に、図５（ｂ）に示すようにスパッタ法
によってＣｕを堆積し、厚さ１μｍ程度のＣｕスパッタ
膜２７を形成する。続いて、このＣｕスパッタ膜２７上
に、スパッタ法によってＡｌを堆積し、厚さ５〜１０μ
ｍ程度のＡｌスパッタ膜２８を形成する。なお、このＡ
ｌスパッタ膜２８の形成にあたっては、得られるＡｌス
パッタ膜２８中に、１％程度のＳｉ、または数％程度の
Ｃｕ、または１０ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが含
有されるよう、使用するターゲットとしてこれらの元素
が予め所定量加えられたものを用いる。さらに、このＡ
ｌスパッタ膜２８上に、スパッタ法によって再度Ｃｕを
堆積し、厚さ２〜３μｍ程度のＣｕスパッタ膜２９を形
成する。

【００３８】次いで、電気メッキを施してＣｕスパッタ
膜２９の上に厚さ２５〜３０μｍ程度のＣｕメッキ膜３
０を形成し、Ｃｕスパッタ膜２７−Ａｌスパッタ膜２８
−Ｃｕスパッタ膜２９−Ｃｕメッキ膜３０の４層構造を
得る。なお、Ｃｕスパッタ膜２７はポリイミドシートと
の密着性向上、およびＡｌスパッタ膜２８表面のポリイ
ミドエッチング時のダメージ防止のために形成してお
り、また、Ｃｕスパッタ膜２９はＣｕメッキ膜３０形成
のための下地として形成している。

【００３９】次いで、このようにしてポリイミドシート
２１ａ上に形成した４層構造を、フォトレジストコー
ト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離からなる一
連の公知プロセスを行い、図５（ｃ）に示すようにリー
ド部２２および回路部２３をそれぞれ形成する。次い
で、リード部２２、回路部２３を覆ってポリイミドシー
ト２１ａ上に感光性のエポキシ樹脂をコーティングして
図５（ｄ）に示すように補強材層３２ａ（補強材３２）
を形成し、さらにこれに露光、現像、ポストベークを行
って所定箇所に孔３３を形成する。

【００４０】次いで、図１に示した例と同様にして孔３
３内にＮｉメッキ３４を形成し、続いてはんだメッキを
形成する。そして、はんだメッキをリフロー処理し、は
んだボール３５を形成する。次いで、ポリイミドシート
２１ａの両面それぞれの側にレジストを塗布し、続いて
裏面側（スティフナ２６を設けた側）のみを露光しさら
に現像し、得られたレジストパターンをマスクにしてポ
リイミドシート２１ａをアルカリ系エッチング液でエッ
チングして図５（ｅ）に示したように該ポリイミドシー
ト２１ａに開口部２４を形成し、これにより該ポリイミ
ドシート２１ａを絶縁基体２１とする。このとき、Ｃｕ
スパッタ膜２７はＡｌスパッタ膜２８の保護膜として機
能している。

【００４１】続いて、開口部２６ａ内、開口部２４内に
それぞれ臨むリード部２２の先端部２２ａにおける、Ｃ
ｕスパッタ膜２７を酸系エッチング液でエッチングし、
Ａｌスパッタ膜２８を露出させる。その後、レジストを
剥離除去し、図４に示した接続基材２０を得る。

【００４２】このようにして作製した接続基材２０を用
い、これのリード部２２をチップ１９のパッド部１９ａ
に接続して半導体装置を得るには、図６に示すようにチ
ップ１９を開口部２６ａ内に配置するとともにそのパッ
ド部１９ａを開口部２４内に臨ませる。そして、この状
態でリード部２２の先端接続部２２ｂにおけるＡｌスパ
ッタ膜２８とチップ１９のパッド部１９ａとをインナー
リードボンダーで接合する。その後、エポキシ系樹脂等
の熱硬化型モールド樹脂Ｍによってチップ１９およびリ
ード部２２とその近傍部分をモールディングする。

【００４３】このような接続基材２０にあっては、リー
ド部２２の先端接続部２２ｂにリード部２２の形成材料
によってバンプ３１が形成されているので、前記接続基
材１と同様に、該接続基材２０とチップ１９のパッド部
１９ａとを接続する際、リード部２２の先端接続部２２
ｂに転写やメッキなどでバンプを形成する工程が必要な
くなり、このためバンプ３１の位置が安定してパッド部
１９ａとの接続を確実に行うことができるようになり、
またバンプ形成のための工程がなくなることにより全体
の工数を削減することもでき、さらにはチップ１９のパ
ッド部１９ａへのメッキバンプ形成も不要となるので材
料のコストダウンを図ることができる。

【００４４】したがって、このような接続基材１を用い
た半導体装置の製造方法にあっては、従来に比べリード
部３とチップ１９のパッド部１９ａとの電気的・機械的
接続を良好にしかも容易に行うことができ、したがって
品質および信頼性を向上することができるとともに、コ
ストの低減化を図ることができる。

【００４５】図７は本発明における請求項４記載の接続
基材を、Ｔ−ＢＧＡ用の接続基材に適用した場合の一実
施形態例を示す図であり、図７中符号４０は接続基材で
ある。この接続基材４０は、ポリイミド膜からなる絶縁
基体４１上にリード部４２と回路部４３とが設けられ、
該リード部４２の先端部が前記絶縁基体４１上から延出
して形成されたものである。

【００４６】絶縁基体４１は、図１に示した接続基材１
と同様に、チップ１９を配置するための平面視矩形状の
開口部４４を形成したもので、その裏面（下面）側には
スティフナ４５が一体化されている。リード部４２およ
び回路部４３は、基本的には絶縁基体４１側からＣｕス
パッタ膜４６−Ａｌスパッタ膜４７−Ｃｕスパッタ膜４
８−Ｃｕメッキ膜４９の順に積層されてなる４層構造を
有したものである。

【００４７】ただし、リード部４２の、前記絶縁基体４
１上から開口部４４内に延出した先端部４２ａは、後述
するように前記４層構造のうちの最下層であるＣｕスパ
ッタ膜４６が除去され、その上層のＡｌスパッタ膜４７
が露出せしめられていることにより、絶縁基体２側から
Ａｌスパッタ膜４７−Ｃｕスパッタ膜４８−Ｃｕメッキ
膜４９の順に積層されてなる３層構造のものとなってい
る。

【００４８】リード部４２および回路部４３には、リー
ド部４２の先端接続部４２ｂを除いたリード部４２およ
び回路部４３のほぼ全体が、図１に示した接続基材１と
同様にエポキシ樹脂等の絶縁体からなる補強材５０で覆
われており、これによってリード部４２および回路部４
３は、機械的にもまた耐湿性の点でも補強されたものと
なっている。補強材５０には、リード部４２、回路部４
３のそれぞれの所定箇所に通じる孔５１が形成されてい
る。これら孔５１内には、それぞれリード部４２あるい
は回路部４３の導電部に接続した状態でＮｉメッキ５２
が設けられており、さらにこのＮｉメッキ５２上には、
はんだボール５３が形成されている。

【００４９】このような構成の接続基材４０を作製する
には、まず、図８（ａ）に示すように０．２５ｍｍ程度
の厚さのＣｕ板からなるスティフナ材４５ａ上にポリイ
ミド絶縁膜４１ａを厚さ２０μｍ程度にコーティング
し、２００℃で２時間程度ベークする。続いて、このポ
リイミド絶縁膜４１ａ上にスパッタ法によってＣｕを堆
積し、厚さ１μｍ程度のＣｕスパッタ膜４６を形成す
る。続いて、このＣｕスパッタ膜４６上に、スパッタ法
によってＡｌを堆積し、厚さ５〜１０μｍ程度のＡｌス
パッタ膜４７を形成する。なお、このＡｌスパッタ膜４
７の形成にあたっても、得られるＡｌスパッタ膜４７中
に、１％程度のＳｉ、または数％程度のＣｕ、または１
０ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが含有されるよう、
使用するターゲットとしてこれらの元素が予め所定量加
えられたものを用いる。さらに、このＡｌスパッタ膜４
７上に、スパッタ法によって再度Ｃｕを堆積し、厚さ２
μｍ程度のＣｕスパッタ膜４８を形成する。

【００５０】次いで、電気メッキを施して図８（ｂ）に
示すようにＣｕスパッタ膜４８の上に厚さ２５〜３０μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜４９を形成し、Ｃｕスパッタ膜４
６−Ａｌスパッタ膜４７−Ｃｕスパッタ膜４８−Ｃｕメ
ッキ膜４９の４層構造を得る。次いで、このようにして
ポリイミド絶縁膜４１ａ上に形成した４層構造を、フォ
トレジストコート、露光、現像、エッチング、レジスト
剥離からなる一連の公知プロセスを行い、図８（ｃ）に
示すようにリード部４２および回路部４３をそれぞれ形
成する。

【００５１】次いで、リード部４２、回路部４３を覆っ
てポリイミド絶縁膜４１ａ上に感光性のポリイミド樹脂
を厚さ３０μｍ程度にコーティングして図８（ｄ）に示
すように補強材層５０ａ（補強材５０）を形成し、さら
にこれに露光、現像、ポストベークを行って所定箇所に
開口径５００μｍ程度の孔５１を形成する。次いで、図
８（ｅ）に示すように電気メッキによって孔５１内に厚
さ１２０μｍ程度のＮｉメッキ５２を形成し、続いて厚
さ２５０μｍ程度にはんだメッキを形成する。そして、
２５０℃程度ではんだメッキをリフロー処理し、はんだ
ボール５３を形成する。

【００５２】次いで、ポリイミド絶縁膜４１ａとスティ
フナ材４５ａ側にレジストを塗布し、続いてスティフナ
材４５ａ側のみを露光しさらに現像し、得られたレジス
トパターンをマスクにして図８（ｆ）に示すようにステ
ィフナ材４５ａに開口部４５ｂを形成し、これによって
スティフナ４５を得る。続いて、開口部４５ｂ内に臨む
ポリイミド絶縁膜４１ａをアルカリ系エッチング液でエ
ッチングして図７に示したように該ポリイミド絶縁膜４
１ａに開口部４４を形成し、これにより該ポリイミドシ
ート４１ａを絶縁基体４１とする。このとき、Ｃｕスパ
ッタ膜４６はＡｌスパッタ膜４７の保護膜として機能し
ている。

【００５３】続いて、開口部４５ｂ内、開口部４４内に
それぞれ臨むリード部４２の先端部４２ａにおける、Ｃ
ｕスパッタ膜４６を酸系エッチング液でエッチングし、
Ａｌスパッタ膜４７を露出させる。その後、レジストを
剥離除去し、さらに必要に応じてリード部４２の先端部
４２ａにおける先端接続部４２ｂにＡｌあるいはＡｕか
らなるバンプ５４を転写法等によって形成し、接続基材
４０を得る。ここで、ＡｌあるいはＡｕからなるバンプ
５４を転写法等によって形成した場合、リード部４２が
補強材５０で補強されているため、バンプ５４の転写等
が容易になるとともに位置ずれや接着力のバラツキおよ
びその低下がなく、したがって従来のバンプ５４の形成
に伴う不都合が解消する。

【００５４】このようにして作製した接続基材４０を用
い、これのリード部４２をチップ１９のパッド部１９ａ
に接続して半導体装置を得るには、図９（ａ）に示すよ
うにチップ１９を開口部４５ｂおよび開口部４４の内部
に配置し、その状態でリード部４２のバンプ５４とチッ
プ１９のパッド部１９ａとをインナーリードボンダーで
接合する。

【００５５】次いで、エポキシ系樹脂等の熱硬化性モー
ルド樹脂Ｍによってチップ１９およびリード部４２とそ
の近傍部分をモールディングする。その後、図９（ｂ）
に示すようにスティフナ４５およびチップ１９の底面
に、エポキシ系やシリコーン系の高熱伝導性接着剤５５
を介して無酸素銅または高熱伝導銅合金などからなるヒ
ートスプレッダーＳを貼合し、半導体装置を得る。

【００５６】このような接続基材４０にあっては、リー
ド部４２の先端接続部４２ｂを除いたリード部４２のほ
ぼ全体を補強材５０で覆って補強しているので、該リー
ド部に曲がりやあおり等の不具合が起こるのを防ぐこと
ができ、さらに水分による腐食も防止することができ、
これによりリード部４２とチップ１９のパッド部１９ａ
とを確実に接合することができる。また、リード部４２
のＡｌスパッタ膜４７に１％程度のＳｉ、または数％程
度のＣｕ、または１０ｐｐｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉ
が添加されてなるので、耐湿性が向上し、これにより該
接続基材４０を用いることによって得られる半導体装置
の信頼性を高めることができる。

【００５７】また、リード部４２の先端部４２ａが、Ａ
ｌスパッタ膜４７、Ｃｕスパッタ膜４８、Ｃｕメッキ膜
４９の順に積層されてなる３層構造を有しているので、
これら膜間において相互に密着性が高く、したがって品
質および信頼性が向上したものとなる。また、このよう
な接続基材４０を作製するにあたっては、全工程に亘っ
てスティフナ材４５ａ（スティフナ４５）でサポートし
ているため、作業性が良くなり、したがって歩留および
品質を向上することができる。

【００５８】そして、このような接続基材４０を用いた
半導体装置の製造方法にあっても、従来に比べリード部
４２とチップ１９のパッド部１９ａとの電気的・機械的
接続を良好にしかも容易に行うことができ、したがって
品質および信頼性を向上することができるとともに、コ
ストの低減化を図ることができる。なお、前記例ではス
ティフナ４５（スティフナ材４５ａ）としてＣｕ板を用
いたが、他に例えば、高熱伝導銅合金やステンレス鋼を
用いてもよい。

【００５９】また、前記図７、図８に示した接続基材４
０では、その作製に際して当初からスティフナ材４５ａ
（スティフナ４５）を用いているが、本発明はこれに限
定されることなく、以下に述べるようにリード部４２、
回路部４３を形成した後、絶縁基体４１となるポリイミ
ド絶縁膜４１ａにスティフナ４５を貼合するようにして
もよい。すなわち、この場合には、まず、図１０（ａ）
に示すように厚さ５０μｍ程度のポリイミドシートから
なるポリイミド絶縁体４１ａ上に、Ｃｕスパッタ膜４
６、Ａｌスパッタ膜４７、Ｃｕスパッタ膜４８を順次形
成する。続いて、これら３層構造の上に電気メッキを施
して図１０（ｂ）に示すようにＣｕメッキ膜４９を形成
し、４層構造を得る。

【００６０】次いで、この４層構造に対してフォトレジ
ストコート、露光、現像、エッチング、レジスト剥離か
らなる一連の公知プロセスを行い、図１０（ｃ）に示す
ようにリード部４２および回路部４３をそれぞれ形成す
る。次いで、リード部４２、回路部４３を覆ってポリイ
ミド絶縁膜４１ａ上に感光性のポリイミド樹脂を厚さ３
０μｍ程度にコーティングして図１０（ｄ）に示すよう
に補強材層５０ａ（補強材５０）を形成し、さらにこれ
に露光、現像、ポストベークを行って所定箇所に孔５１
を形成する。

【００６１】また、これとは別に、高熱伝導性であり高
耐熱性の接着剤５５を用いて、予め開口部４５ｂを形成
してなるスティフナ４５を貼合する。ここで、このステ
ィフナ４５の貼合については、その開口部４５ｂが図７
に示した絶縁基体４１の開口部４４と対応するように、
すなわち該開口部４５ａ内の直上に前記リード部４２の
先端部４２ａが配置されるようにその位置決めを行う。
次いで、図１０（ｅ）に示すように電気メッキによって
孔５１内にＮｉメッキ５２およびはんだメッキを形成
し、さらにリフロー処理してはんだボール５３を形成す
る。

【００６２】次いで、図１０（ｆ）に示すようにポリイ
ミド絶縁膜４１ａの上面側のみにレジスト層５６を形成
し、その状態でスティフナ４５の開口部４５ｂ内に臨む
ポリイミド絶縁膜４１ａをアルカリ系エッチング液でエ
ッチングして図７に示すように該ポリイミド絶縁膜４１
ａに開口部４４を形成し、これにより該ポリイミドシー
ト４１ａを絶縁基体４１とする。

【００６３】続いて、開口部４５ｂ内、開口部４４内に
それぞれ臨むリード部４２の先端部４２ａにおける、Ｃ
ｕスパッタ膜４６を酸系エッチング液でエッチングし、
Ａｌスパッタ膜４７を露出させる。その後、レジスト層
５６を剥離除去し、さらに必要に応じてリード部４２の
先端部４２ａにおける先端接続部４２ｂにＡｌからなる
バンプ５４を転写法等によって形成し、図７に示した接
続基材４０を得る。

【００６４】また、図８（ａ）〜（ｆ）に示した例、あ
るいは図１０（ａ）〜（ｆ）に示した作製方法による接
続基材４０では、そのリード部４２の先端接続部４２ｂ
にＡｌからなるバンプ５４を形成したが、該バンプ５４
を形成することなく、チップ１９との接合時において、
図１１（ａ）に示すようにこの先端接続部４２ｂに異方
性導電膜５７を仮圧着し、あるいは異方性導電ペースト
（図示略）を塗布するようにしてもよい。

【００６５】そして、その場合には、このようにチップ
１９との接合時に異方性導電膜５７を仮圧着しあるいは
異方性導電ペースト（図示略）を塗布した後、図１１
（ｂ）に示すように異方性導電膜５７あるいは異方性導
電ペーストを介してリード部４２の先端接続部４２ｂと
チップ１９のパッド部１９ａとをシングルポイントボン
ダーで接合し、その後モールディングし、ヒートスプレ
ッダーを貼合して半導体装置を得る。

【００６６】図１２は本発明における請求項４記載の接
続基材を、ＣＳＰ用の接続基材に適用した場合の一実施
形態例を示す図であり、図１２中符号６０は接続基材で
ある。この接続基材６０は、図７に示した接続基材４０
と同様にポリイミドシートからなる絶縁基体６１上にリ
ード部６２と回路部６３とが設けられ、該リード部６２
の先端部が前記絶縁基体６１上から延出して形成された
ものである。

【００６７】絶縁基体６１は、その裏面（下面）側にチ
ップ１９を配置するとともに、チップ１９の周辺部に設
けられたパッド部１９ａとリード部６２の先端接続部６
２ｂとの間を機械的・電気的に接続するべく、チップ１
９の外周部形状に対応した開口部６４を形成したもので
ある。なお、リード部６２および回路部６３は、図７に
示した接続基材４０と同様に、基本的には絶縁基体６１
側からＣｕスパッタ膜６５−Ａｌスパッタ膜６６−Ｃｕ
スパッタ膜６７−Ｃｕメッキ膜６８の順に積層されてな
る４層構造を有したものである。

【００６８】ただし、この例においても、リード部６２
の先端部６２ａはＣｕスパッタ膜６５が除去され、その
上層のＡｌスパッタ膜６６が露出せしめられていること
により３層構造となっている。また、このリード部６２
の先端部６２ａは、特にその最先端側の下面がチップ１
９のパッド部１９ａに接続するための先端接続部６２ｂ
となっている。

【００６９】リード部６２および回路部６３の一部に
は、リード部６２の先端接続部６２ｂを除いたリード部
６２のほぼ全体および回路部２３の一部が、ポリイミド
樹脂等の絶縁体からなる補強材６９で覆われており、こ
れによってリード部６２および回路部６３は、機械的に
もまた耐湿性の点でも補強されたものとなっている。補
強材６９には、リード部６２、回路部６３のそれぞれの
所定箇所に通じる孔７０が形成されている。これら孔７
０内には、それぞれリード部６２あるいは回路部６３の
導電部に接続した状態でＮｉメッキ７１が設けられてお
り、さらにこのＮｉメッキ７１上には、はんだボール７
２が形成されている。なお、リード部６２の先端部６２
ａにおける先端接続部６２ｂには、ＡｌあるいはＡｕか
らなるバンプ（図示略）が転写法等によって形成され、
あるいは異方性導電膜または異方性接着剤が設けられて
いる。

【００７０】このような構成の接続基材６０を作製する
には、まず、図１３（ａ）に示すように厚さ５０μｍ程
度のポリイミドシートからなるポリイミド絶縁体６１ａ
上に、Ｃｕスパッタ膜６５、Ａｌスパッタ膜６６、Ｃｕ
スパッタ膜６７を順次形成する。続いて、これら３層構
造の上に電気メッキを施して図１３（ｂ）に示すように
Ｃｕメッキ膜６８を形成し、４層構造を得る。

【００７１】次いで、この４層構造に対してフォトレジ
ストコート、露光、現像、エッチング、リンス、レジス
ト剥離からなる一連の公知プロセスを行い、図１３
（ｃ）に示すようにリード部６２および回路部６３をそ
れぞれ形成する。次いで、リード部６２、回路部６３を
覆ってポリイミド絶縁膜６１ａ上に感光性のポリイミド
樹脂を厚さ２０μｍ程度にコーティングし、さらにこれ
に露光、現像、ポストベークを行って所定箇所に孔７０
を形成するとともに、一部の回路部６３上のポリイミド
樹脂を除去して、図１３（ｄ）に示すようにリード部６
２の先端面を覆った状態に補強材６９を形成する。

【００７２】次いで、図１３（ｅ）に示すように電気メ
ッキによって孔７０内にＮｉメッキ７１およびはんだメ
ッキを形成し、さらにリフロー処理してはんだボール７
２を形成する。次いで、ポリイミド絶縁体６１ａの両面
それぞれの側にレジストを塗布し、さらに裏面側のみを
露光し現像して図１３（ｆ）に示すようにレジストパタ
ーン７３を得る。そして、このレジストパターン７３を
マスクにしてポリイミドシート６１ａをアルカリ系エッ
チング液でエッチングし、該ポリイミド絶縁体６１ａに
開口部６４を形成して該ポリイミド絶縁体６１ａを絶縁
基体６１とする。このとき、Ｃｕスパッタ膜６５はＡｌ
スパッタ膜６６の保護膜として機能している。

【００７３】続いて、開口部６４内に臨むリード部６２
の先端部６２ａにおける、Ｃｕスパッタ膜６５を酸系エ
ッチング液でエッチングし、Ａｌスパッタ膜６６を露出
させる。その後、レジストを剥離除去し、図１２に示し
た接続基材６０を得る。なお、レジスト剥離除去後にＣ
ｕスパッタ膜６５をエッチングするようにしてもよい。

【００７４】このようにして作製した接続基材６０を用
い、これのリード部６２をチップ１９のパッド部１９ａ
に接続して半導体装置を得るには、図１４（ａ）に示す
ようにチップ１９のパッド部１９ａが開口部６４内に臨
むように配置する。そして、この状態で絶縁基体６１の
底面に高熱伝導性でありかつ高耐湿性の接着剤７３を介
してチップ１９をダイボンディングするとともに、リー
ド部６２に設けたバンプまたは異方性導電膜（あるいは
異方性接着剤）７４とチップ１９のパッド部１９ａとを
インナーリードボンダーで接合する。その後、図１４
（ｂ）に示すようにエポキシ系樹脂等の熱硬化型モール
ド樹脂Ｍによってチップ１９およびリード部６２とその
近傍部分をモールディングする。

【００７５】このような接続基材６０にあっても、図７
に示した接続基材４０と同様にリード部６２の先端接続
部６２ｂを除いたリード部６２のほぼ全体を補強材６９
で覆って補強しているので、該リード部に曲がりやあお
り等の不具合が起こるのを防ぐことができ、さらに水分
による腐食も防止することができ、これによりリード部
４２とチップ１９のパッド部１９ａとを確実に接合する
ことができる。

【００７６】したがって、このような接続基材６０を用
いた半導体装置の製造方法にあっても、従来に比べリー
ド部６２とチップ１９のパッド部１９ａとの電気的・機
械的接続を良好にしかも容易に行うことができ、したが
って品質および信頼性を向上することができるととも
に、コストの低減化を図ることができる。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載の接続基材は、リード部の先端接続部に該リー
ド部を形成する材料によってバンプを形成したものであ
るから、該接続基材と半導体素子のパッド部とを接続す
る際、リード部の先端接続部に転写やメッキなどでバン
プを形成する工程が不要になり、したがってリード部の
先端接続部におけるバンプ位置を安定化することができ
るとともに、全体の工数の削減を図ることができる。

【００７８】請求項４記載の接続基材は、リード部の先
端接続部を除いたリード部のほぼ全体を、絶縁体からな
る補強材で覆って補強したものであるから、該リード部
に曲がりやあおり等の不具合が起こるのを防止すること
ができるのはもちろん、水分による腐食も防止すること
ができ、これによりリード部と半導体素子のパッド部と
を確実に接合することができる。

【００７９】請求項１３記載の半導体装置の製造方法
は、接続基材としてリード部の先端接続部に該リード部
を形成する材料によってバンプが形成されているものを
用いる方法であるから、該接続基材と半導体素子のパッ
ド部とを接続する際、リード部の先端接続部にバンプを
形成する工程を不要にすることができ、これによりリー
ド部の先端接続部におけるバンプ位置を安定化してリー
ド部と半導体素子のパッド部との電気的・機械的接続を
良好にしかも容易に行うことができ、したがって品質お
よび信頼性を向上することができるとともに、コストの
低減化を図ることができる。

【００８０】請求項１４記載の半導体装置の製造方法
は、接続基材としてリード部の先端接続部を除いた、リ
ード部のほぼ全体を絶縁体からなる補強材で覆って補強
したものを用いる方法であるから、前記リード部に曲が
りやあおり等の不具合が起こるのを防止することがで
き、さらに水分による腐食も防止することができ、これ
により品質および信頼性を向上することができるととも
に、コストの低減化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接続基材をＴ−ＢＧＡ用の接続基材に
適用した場合の一実施形態例の概略構成を示す要部側断
面図である。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した接続基材の作
製方法を工程順に説明するための要部側断面図である。

【図３】図１に示した接続基材を用いた半導体装置の製
造方法を説明するための要部側断面図である。

【図４】本発明の接続基材をＣＳＰ用の接続基材に適用
した場合の一実施形態例の概略構成を示す要部側断面図
である。

【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図４に示した接続基材の作
製方法を工程順に説明するための要部側断面図である。

【図６】図４に示した接続基材を用いた半導体装置の製
造方法を説明するための要部側断面図である。

【図７】本発明の接続基材をＴ−ＢＧＡ用の接続基材に
適用した場合の一実施形態例の概略構成を示す要部側断
面図である。

【図８】（ａ）〜（ｆ）は、図７に示した接続基材の作
製方法を工程順に説明するための要部側断面図である。

【図９】（ａ）、（ｂ）は、図７に示した接続基材を用
いた半導体装置の製造方法を工程順に説明するための要
部側断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｆ）は、図７に示した接続基材の
作製方法の変形例を工程順に説明するための要部側断面
図である。

【図１１】（ａ）、（ｂ）は、図７に示した接続基材を
用いた半導体装置の製造方法の変形例を工程順に説明す
るための要部側断面図である。

【図１２】本発明の接続基材をＣＳＰ用の接続基材に適
用した場合の一実施形態例の概略構成を示す要部側断面
図である。

【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、図４に示した接続基材の
作製方法を工程順に説明するための要部側断面図であ
る。

【図１４】（ａ）、（ｂ）は、図１２に示した接続基材
を用いた半導体装置の製造方法を工程順に説明するため
の要部側断面図である。

【符号の説明】

１，２０，４０，６０…接続基材、２，２１，４１，６
１…絶縁基体、３，２２，４２，６２…リード部、４，
２３，４３，６３…回路部、７，２６，４５…スティフ
ナ、８，２７，４６，６５…Ｃｕスパッタ膜、９，２
８，４７，６６…Ａｌスパッタ膜、１０，２９，４８，
６７…Ｃｕスパッタ膜、１１，３０，４９，６８…Ｃｕ
メッキ膜、１２，３１…バンプ、１３，３２，５０，６
９…補強材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基体上にリード部と回路部とが設け
られ、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から延出し
て形成されてなり、前記リード部の先端接続部に、該リード部を形成する材
料によってバンプが形成されてなることを特徴とする接
続基材。
【請求項２】前記バンプの形成部が、前記絶縁基体側
からＡｌスパッタ膜−Ｃｕスパッタ膜−Ｃｕメッキ膜の
順に積層されてなる３層構造を有していることを特徴と
する請求項１記載の接続基材。
【請求項３】前記３層構造のＡｌスパッタ膜中に、１
％程度のＳｉ、または数％程度のＣｕ、または１０ｐｐ
ｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが添加されてなることを特
徴とする請求項１記載の接続基材。
【請求項４】絶縁基体上にリード部と回路部とが設け
られてなり、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から
延出して形成され、かつ該リード部の先端接続部を除い
た前記リード部のほぼ全体が、絶縁体からなる補強材で
覆われたことにより補強されてなることを特徴とする接
続基材。
【請求項５】前記リード部の先端接続部に、異方性導
電膜または異方性接着剤が設けられてなることを特徴と
する請求項４記載の接続基材。
【請求項６】前記リード部の先端接続部に、アルミニ
ウムあるいは金からなるバンプが設けられてなることを
特徴とする請求項４記載の接続基材。
【請求項７】前記リード部の先端部が、前記絶縁基体
側からＡｌスパッタ膜−Ｃｕスパッタ膜−Ｃｕメッキ膜
の順に積層されてなる３層構造を有していることを特徴
とする請求項４記載の接続基材。
【請求項８】前記３層構造のＡｌスパッタ膜中に、１
％程度のＳｉ、または数％程度のＣｕ、または１０ｐｐ
ｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが添加されてなることを特
徴とする請求項７記載の接続基材。
【請求項９】前記回路部が、前記絶縁基体側からＣｕ
スパッタ膜−Ａｌスパッタ膜−Ｃｕスパッタ膜−Ｃｕメ
ッキ膜の順に積層されてなる４層構造となっていること
を特徴とする請求項４記載の接続基材。
【請求項１０】前記４層構造のＡｌスパッタ膜中に、
１％程度のＳｉ、または数％程度のＣｕ、または１０ｐ
ｐｍ〜数１０ｐｐｍ程度のＮｉが添加されてなることを
特徴とする請求項９記載の接続基材。
【請求項１１】前記絶縁基体の下面に、スティフナが
設けられてなることを特徴とする請求項４記載の接続基
材。
【請求項１２】前記リード部の先端接続部に、該リー
ド部を形成する材料によってバンプが形成されてなるこ
とを特徴とする請求項４記載の接続基材。
【請求項１３】絶縁基体上にリード部と回路部とが設
けられ、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から延出
して形成されてなり、前記リード部の先端接続部に、該
リード部を形成する材料によってバンプが形成されてな
る接続基材を用意し、半導体素子のパッド部に、前記接続基材におけるリード
部の先端接続部のバンプを接続することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項１４】絶縁基体上にリード部と回路部とが設
けられてなり、該リード部の先端部が前記絶縁基体上か
ら延出して形成され、かつ該リード部の先端接続部を除
いた、前記リード部のほぼ全体が絶縁体からなる補強材
で覆われたことにより補強されてなる接続基材を用意
し、半導体素子のパッド部に、前記接続基材におけるリード
部の先端接続部を接続することを特徴とする半導体装置
の製造方法。