JPH11213922A

JPH11213922A - 平面型表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11213922A
Application number: JP1402698A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Uno; 茂樹宇野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-01-27
Filing date: 1998-01-27
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、高密度の画素を有するとともに封着
部材の気密性を保持して高い真空を維持できる平面型表
示装置およびその製造方法を提供することを課題とす
る。【解決手段】複数の電子放出素子１５およびこの電子放
出素子１５に夫々電子放出動作を行わせる複数の電極１
１、１３を有する電圧を有する第１の基板１と、電子放
出素子１５から放出された電子を受けて発光する蛍光体
２２を有し第１の基板１に対向離間して配置された第２
の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に配置
されこれら基板１、２に接合して両方の基板を封着する
封着部材３と、第１の基板１と第２の基板２との間にお
いて封着部材３より基板内部側に配置されて第１の基板
１の電極１１、１３に夫々電圧を印加する駆動回路素子
４とを具備することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば電界放出型カ
ソードなどの電子放出素子を用いた平面型表示装置およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、電界放出型マイクロカソードを用
いたフィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤ
と称する。）型の平面型表示装置の開発が進められてい
る。このＦＥＤ型の平面型表示装置は、円錐形の電界放
出型マイクロカソードから電子を放出して蛍光体を励起
することにより表示を行なう極めて薄型の表示装置であ
る。

【０００３】このＦＥＤ型の平面型表示装置は、電子放
出素子である電界放出型マイクロカソード（以下電界放
出型カソードと称する。）を有する第１の基板と蛍光体
を有する第２の基板とを対向して配置し、両基板間を封
着部材で封着したものである。すなわち、ガラスからな
る第１の基板の表面には複数の線条をなすカソード電極
がストライブ状に並べて形成され、この複数のカソード
電極の表面上には絶縁層が第１の基板の全面にわたり形
成され、この絶縁層の表面上には複数の線条をなすゲー
ト電極がカソード電極に対して直交する方向にストライ
ブ状に並べて形成されている。

【０００４】これら複数のカソード電極と複数のゲート
電極が交差する各交差部には夫々各電極および絶縁層を
貫通する複数の孔が分散して形成されており、これら各
交差部に形成された各孔の内部にはカソードにおいて円
錐形をなす電界放出型カソードが夫々形成されている。

【０００５】また、ガラスからなる第２の基板の表面に
は複数の透明電極がストライブ状に並べて形成されてお
り、これら複数の透明電極の表面にはＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の蛍光体が夫々形成されている。第１
の基板と第２の基板は夫々の電極形成面を向い合わせて
所定間隔を存して対向配置される。これら第１の基板と
第２の基板との間には枠形をなすガラスからなる封着部
材が介在されており、この封着部材により第１の基板と
第２の基板が封着されている。そして、第１の基板と第
２の基板と封着部材と形成された容器の内部は高い真空
に保持されている。

【０００６】このように構成される平面型表示装置は次
に述べる方法により製造する。第１の基板の表面に、ス
パッタリング、真空蒸着などの方法によりカソード電極
をパターニング形成し、次いでカソード電極上に絶縁層
を積層形成し、その後絶縁層上にゲート電極をパターニ
ング形成する。その後、ウエットエッジングなどの方法
によりカソード電極とゲート電極との交差部に各電極お
よび絶縁層を貫通する複数の孔を形成し、さらに蒸着あ
るいはスパッタリングなどの方法によりに孔の内部にゲ
ート電極上で円錐形をなす電界放出型カソードを形成す
る。

【０００７】また、第２の基板の表面にスパッタリン
グ、真空蒸着などの方法により透明電極をパターニング
形成し、次いで透明電極上にＲＧＢの蛍光体をパターニ
ング形成する。

【０００８】そして、第１の基板における電極形成面の
周縁部および第２の基板における電極形成面の周縁部の
いずれか一方、または両方に、ディスペンサまたはスク
リーン印刷などの方法により封着部材、例えば封着ガラ
スペーストを塗布する。次に、封着部材を塗布した基板
を仮焼成して封着部材に含まれるバインダを分解、燃焼
させた後、第１の基板と第２の基板とを夫々の電極形成
面を向き合わせて対向配置し封着部材を介して貼付け焼
成する。

【０００９】これにより封着部材が第１の基板と第２の
基板とを封着して密閉容器を製作する。その後、第１の
基板と第２の基板に夫々形成した各電極および蛍光体な
どの脱ガスを行うために、密閉容器の内部を真空引きし
ながら封止する。

【００１０】このように構成される平面型表示装置を発
光させるためには、通常複数のカソード電極をアドレス
ラインとし、複数のゲート電極をデータラインとして設
定し、このアドレスラインである複数のカソード電極に
走査信号を、データラインであるゲート電極にゲート信
号を夫々時系列に入力して第二の基板全体を発光させる
方法が採用されている。そして、第１の基板におけるゲ
ート電極と電界放出型カソードとの間に電解を印加する
と、電界放出型カソードの先端から電界放出効果により
電子が放出され、この時電界放出型カソードに対向する
透明電極に伝案津を印加すると、蛍光体に前記の電子が
照射されて蛍光体が励起して発光することにより表示が
行なわれる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】平面型表示装置では、
複数のカソード電極と複数のゲート電極に夫々信号電圧
を印加するために駆動用回路素子を用いており、各カソ
ード電極と各ゲート電極は夫々駆動回路素子に接続され
ている。従来の平面型表示装置は、駆動回路素子として
平面型表示装置とは別に設けられた回路基板に実装され
た駆動用集積回路（集積回路）に接続している。

【００１２】そこで、従来は図７に示すように第１の基
板１０１の周縁部全体を第２の基板１０２の周縁部より
外側へ突出させ、第１の基板１０１に形成した多数の各
カソード電極１０３と多数多数の各ゲート電極１０４に
接続される多数の外部取り出し線１０６を第１の基板１
０１の周縁部まで延ばして形成している。さらに、各カ
ソード電極用と各ゲート電極用の外部取り出し線１０６
は適宜な線部材を介して集積回路を実装した回路基板に
電気的に接続している。そして、封着部材１０５は第２
の基板１０２の周縁部に沿って形成して両基板１０１、
１０２を封着している。これにより各カソード電極用と
各ゲート電極用の多数の各外部取り出し線１０６は第二
の基板１０２の周縁に沿って封着部材１０５と第１の基
板１０１との接合部を通過して外側へ延出することにな
る。

【００１３】ところで、この構造の平面型表示装置で
は、画素数すなわち電界放出型カソードの数を増大する
場合には、各カソード電極用と各ゲート電極用の外部取
り出し線１０６の数を増大することになる。そして、こ
のためには基板の面積を抑えつつ画素数を増大すると、
各カソード電極用と各ゲート電極用の各外部取り出し線
１０６の夫々の線幅を狭くするとともに、各カソード電
極用と各ゲート電極用のの各外部取り出し線１０６の相
互の間隔を狭くすることになる。ところが、このように
多くの細い線条をなす各カソード電極用と各ゲート電極
用の各外部取り出し線１０６が封着部材１０５と第１の
基板１０１との接合部を通過すると、その電極の凹凸の
多さおよび電極の間隔の狭さ故に、封着部材１０５と第
１の基板１０１および各外部取り出し線１０６との接合
部において接合が不確実な部分が発生しやすくなり、あ
るいは不確実な部分が多々発生する。この結果、第１の
基板１０１と第２の基板１０２と封着部材１０５とで形
成された密閉容器の内部における高い真空を維持できな
い問題が生じている。

【００１４】本発明は前記事情に基づいてなされたもの
で、高密度の画素を有するとともに封着部材の気密性を
保持して高い真空を維持できる平面型表示装置を提供す
ることを課題とする。

【００１５】本発明は、高密度の画素を有するととも
に、且つ封着部材の気密性を保持して高い真空を維持で
きる平面型表示装置を製造する製造方法を提供すること
を課題とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明の平面型
表示装置は、複数の電子放出素子およびこの電子放出素
子に夫々電子放出動作を行わせる複数の電極を有する第
１の基板と、前記電子放出素子から放出された電子を受
けて発光する蛍光体を有し前記第１の基板に対向離間し
て配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に配置されこれら基板に接合して両方の基
板を封着する封着部材と、前記第１の基板と前記第２の
基板との間において前記封着部材より基板内部側に配置
されて前記第１の基板の電極に夫々電圧を印加する駆動
回路素子とを具備することを特徴とする。

【００１７】この発明の構成によれば、第１の基板に形
成した複数の電極とこの電極に電圧を印加する駆動回路
素子とが封着部材で囲まれた基板内部側の箇所で接続さ
れるので、駆動回路素子から封着部材と第１の基板との
接合部を通過して基板外部側へ延出する外部取り出し用
の配線は駆動回路素子を作動させる信号を送るためのご
く少数の線のみとなる。このため、封着部材と第１の基
板との接合部を通過して基板外部側へ延出する外部取り
出し用の配線の幅、間隔を余裕をもって広く設定するこ
とができ、封着部材と第１の基板、外部取り出し用の配
線との接合が確実で、この接合部の気密を確実に保持で
きる。従って、第１の基板における画素（電子放射素
子）の数および電極の数を増大して高密度化された表示
装置であっても、封着部材と第１の基板、外部取り出し
用の配線との接合が確実で気密性を保持できる。

【００１８】請求項２の発明は、請求項１に記載の平面
型表示装置において、前記第１の基板の電極はカソード
電極およびゲート電極であることを特徴とする。この発
明の構成によれば、前記第１の基板の電極がカソード電
極およびゲート電極である場合には、駆動回路素子と接
続する電極の数が多いので、請求項１の発明の適用が特
に有効である。

【００１９】請求項３の発明は、請求項１に記載の平面
型表示装置において、前記駆動回路素子は集積回路であ
ることを特徴とする。この発明の構成によれば、駆動回
路素子として集積回路を用いる場合に請求項１の発明を
適用すると有効である。

【００２０】請求項４の発明は、請求項１に記載の平面
型表示装置において、前記駆動回路素子は薄膜トランジ
スタであることを特徴とする。この発明の構成によれ
ば、駆動回路素子として薄膜トランジスタを用いる場合
に請求項１の発明を適用すると有効であるとともに、電
極と薄膜トランジスタとを接続する線を薄膜で形成でき
るために、集積回路を用いた場合に比較して一層高密度
化を図ることができる。

【００２１】請求項５の発明の平面型表示装置の製造方
法は、第１の基板に電子放出素子および電極を形成する
工程と、前記第１の基板における封着部材接合位置より
基板内部側の箇所に集積回路を配置固定する工程と、第
二の基板に蛍光体を形成する工程と、封着部材を前記集
積回路より基板外部側に配置して前記第１の基板と前記
第二の基板とを封着する工程とを具備することを特徴と
する。

【００２２】請求項６の発明の平面型表示装置の製造方
法は、第１の基板における封着部材接合位置より基板内
部側の箇所に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記
第１の基板に電子放出素子および電極を形成する工程
と、第二の基板に蛍光体を形成する工程と、封着部材を
前記薄膜トランジスタより基板外部側に配置して前記第
１の基板と前記第二の基板とを封着する工程とを具備す
ることを特徴とする。

【００２３】このような請求項５および請求項６の発明
の構成によれば、高密度の画素（電子放出素子を有しつ
つ封着部材の気密性を保持して内部の高い真空を維持で
きる平面型表示装置を製造することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を参照して説明する。この実施の形態の平面型表示装
置の構造について図１ないし図５を参照して説明する。
図１は平面型表示装置の断面図、図２は同斜視図、図３
は同一部を拡大して示す分解斜視図、図４は平面型表示
装置における電界放出型カソードと蛍光体との関係を示
す断面図、図５は平面型表示装置電界放出型カソードと
蛍光体との関係を示す斜視図である。

【００２５】この実施の形態の平面型表示装置は、図１
に示すように電子放出素子である電界放出型マイクロカ
ソード（以下電界放出型カソードと称する。）を有する
四角形をなす第１の基板１と蛍光体を有する四角形をな
す第２の基板２とを対向して配置し、両基板１、２を封
着部材３で封着したものである。ここで、第２の基板２
の面積は、後述するように所定の数の透明電極および蛍
光体を形成するスペースと集積回路を配置するスペース
を含んだ大きさである。第１の基板１は、第２の基板２
の面積に加えて、第２の基板２１の周縁から全周にわた
り外側へ向けて所定長さだけ張り出して、集積回路から
外部へ延ばされる外部取り出し用線を形成できるスペー
スを確保した張り出し部１ａを形成している。封着部材
３は第２の基板２の周縁部に全体に沿って配置されてお
り、第１の基板１は封着部材３を介して外部側の張り出
し部１ａと封着部材３に囲まれる内部とに区分される。

【００２６】図２に示すように第１の基板１は四角形を
なすもので、この第１の基板１は例えばソーダガラスに
より形成されている。図１ないし図５に示すように第１
の基板１の一方の面（内面）には、複数のカソード電極
１１が夫々ストライブ状に並べて形成されており、この
カソード電極１１は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形
成されている。図１ないし図５に示すように複数のカソ
ード電極１１の表面上には例えば酸化けい素（ＳｉＯ
₂ ）からなる絶縁層１２が第１の基板１の全面にわたり
形成されている。この絶縁層１２の表面上には複数のゲ
ート電極１３が夫々カソード電極１１に対して直交する
方向にストライブ状に並べて形成されており、このゲー
ト電極１３は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成され
ている。ここで、複数のカソード電極１１をアドレスラ
インとし、複数のゲート電極１３をデータラインとして
設定されている。

【００２７】図１ないし図５に示すようにこれら複数の
カソード電極１１と複数のゲート電極１２が交差する各
交差部には、夫々絶縁層１２およびゲート電極１３を貫
通する複数の孔１４が夫々形成されている。これら各交
差部に形成された各孔１４の内部にはカソード電極１１
上において円錐形をなす電界放出型マイクロカソード
（以下電界放出型カソードと称する。）１５が夫々形成
されている。すなわち、電界放出型カソード１５は孔１
４の開口に面している。電界放出型カソード１５は例え
ばモリブデンにより形成されている。

【００２８】そして、図１に示すようにこれらカソード
電極１１およびゲート電極１３は全て第１の基板１にお
いて封着部材３により区分された内部側の部分の収めて
形成されている。また、第１の基板１の面における封着
部材３に囲まれた内部側の部分には、後述する駆動回路
素子４を配置するためのスペースおよび集積回路に接続
する各線を形成するスペースが確保されている。

【００２９】図１に示すようにこのスペースには各カソ
ード電極１１および各ゲート電極１３の夫々と駆動回路
素子４とを接続する接続線１６と、駆動回路素子４から
第１の基板１の張り出し部１ａに至る外部取り出し線１
７が形成されている。

【００３０】接続線１６は各カソード電極１１および各
ゲート電極１３の端部と駆動回路素子４の配置位置との
間に配線されて形成され、駆動回路素子４は各電界放出
型ロカソード１５を駆動するために各カソード電極１１
および各ゲート電極１３に順次信号を印加するためのも
のであり、各カソード電極１１の数と各ゲート電極１３
の数の合計の本数が形成される。接続線１６は、例えば
１０００本以上の本数で形成される。外部取り出し線１
７は駆動回路素子４の配置位置と封着部材３と第１の基
板１との接合部を通過して第１の基板１の張り出し部１
ａの縁との間に形成され、外部に設けた回路基板から駆
動回路素子４へ信号を流すためのもので、カソード電極
１１用の数本とゲート電極１３用の数本が夫々形成され
る。

【００３１】外部取り出し線１７は、例えば図２示すよ
うに各電極用に夫々５本づつ各電極の長さ方向に沿って
形成される。すなわち、外部取り出し線１７は接続線１
６に比較して１／１００以下という大変数が少ない。こ
のため、封着部材３の内部から封着部材３と第１の基板
１との接合部を通過して外部へ延びる外部取り出し線１
７は本数が従来に比較して大幅に少なく、且つ線幅およ
び間隔を広く設定している。

【００３２】駆動回路素子４は、図示しない回路基板に
設けた回路からの情報を受けて各カソード電極１１と各
ゲート電極１３に適宜電圧を印加して各電界放出型カソ
ード１５を適宜駆動する駆動回路を備えたものである。
駆動回路素子４は、第１の基板１において封着部材３に
より区分された内部側の部分に設定された配置位置に配
置されている。そして、駆動回路素子４は自身が有する
接続端子の一部が第１の基板１に形成した各カソード電
極１１および各ゲート電極１３用の多数の接続線１６に
はんだ付けバンプを用いたはんだ付けにより接続固定さ
れているとともに、接続端子の残りの部分が少数の外部
取り出し線１７にはんだ付けバンプを用いたはんだ付け
により接続固定されている。このようにして駆動回路素
子４は封着部材３により囲まれる内側の部分に設けられ
る。

【００３３】第２の基板２は四角形をなすもので、これ
は例えばガラスにより形成されている。第２の基板２の
表面には複数の線条をなす透明電極２１がストライブ状
に並べて形成されており、この透明電極２１は例えばＩ
ＴＯにより形成されている。これら複数の透明電極２１
の表面には夫々Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の蛍光体
２２が形成されている。

【００３４】そして、図１および図２に示すように第１
の基板１と第２の基板２は夫々の電極形成面を向い合わ
せて所定間隔を存して対向配置される。ここで、ストラ
イブ状の透明電極２１と蛍光体２２は例えばゲート電極
１３と対向されている。第１の基板１と第２の基板２に
は第２の基板２の周縁部に沿ってガラスからなる封着部
材３が配置されており、この封着部材３が第１の基板１
の面および外部取り出し線１７と接合するとともに第２
の基板２の面に接合して第１の基板１と第２の基板２を
気密に封着している。

【００３５】また、封着部材３で囲まれた第１の基板１
と第２の基板２との間には複数のスペーサ５が配置され
ており、このスペーサ５は各基板１、２の電極形成面に
接合して両基板１、２の間隔を保持している。これによ
り第１の基板１と第２の基板２と封着部材３とにより密
閉された容器が構成され、この容器は内部が１０^-8Ｔｏ
ｒｒ程度の真空にされている。

【００３６】この平面型表示装置を製造する方法につい
て説明する。まず、第１の基板１の製造について説明す
る。第１の基板１を用意する。次いで、第１の基板１の
表面に、スパッタリング、真空蒸着、ホトリソグラフイ
などの方法によりＭｏからなる複数のカソード電極１１
と、この各カソード電極１１に接続する接続線１６およ
びこの接続線に対応する外部取り出し線１７を所定のパ
ターンで形成し、次いでカソード電極１１上にスパッタ
リング、真空蒸着などの方法によりＳｉＯ₂ からなる絶
縁層１２を例えば２μｍの厚さで積層形成する。その
後、絶縁層１１上にスパッタリング、真空蒸着などの方
法によりＭｏからからなる複数のゲート電極１３、この
各ゲート電極１３に夫々接続する接続線１６および所定
本数の外部取り出し線１７をを所定パターンで形成す
る。その後、ウエットエッジングなどの方法によりカソ
ード電極１１とゲート電極１３との交差部に電極１３お
よび絶縁層１２を貫通する複数の孔１４を形成し、さら
に各孔１４の内部にカソード電極１１上で円錐形をなす
電界放出型カソード１５を夫々形成する。この場合、例
えば斜め蒸着によりアルミニウム（Ａｌ）を堆積した後
にＭｏを蒸着してＡｌを除去することにより電界放出型
カソード１５を形成する。

【００３７】第２の基板２の製造について説明する。ま
ず、第２の基板２を用意し、第２の基板２の表面にスパ
ッタリング、真空蒸着などの方法により透明電極２１を
パターニングにより形成し、次いで、透明電極２１上に
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各蛍光体２２を夫
々パターニングにより形成する。

【００３８】次いで、第２の基板２の周縁部に封着部材
３のためのガラスを塗布し、このガラスを仮焼成した後
に本焼成して封着部材３を作製する。また、第２の基板
２にスペーサ５を配置する。

【００３９】次いで、図示しないが第１の基板１上に位
置合わせ治具を用いて第２の基板２を載せる。そして、
第１の基板１と第二の基板２を焼成炉の内部に入れて支
持台上に載せ、荷重体を上側に載せた状態にし、さらに
所定温度に一定時間保持して封着部材３を焼成した。そ
の後、第１および第２の基板１、２と封着部材３とから
なる密閉容器の内部の排気を行ない容器内部を真空とす
る。このようにして平面型表示装置を製造する。

【００４０】このように構成した平面型表示装置では、
第１の基板１の張り出し部１ａに形成された外部取り出
し線１７には、図示しない接続部材を介して回路基板に
接続する。そして、回路基板の回路から出力される信号
は接続部材を介して外部取り出し線１７を通り駆動回路
素子４に入力される。駆動回路素子４はアドレスライン
である複数のカソード電極に走査信号を、データライン
であるゲート電極にゲート信号を夫々時系列に入力す
る。第１の基板１におけるゲート電極１３と電界放出型
カソード１５との間に電解を印加すると、電界放出型カ
ソード１５の先端から電界放出効果により電流が放出さ
れる。この時、電界放出型カソード１５に対向する第２
の基板２における透明電極２１に電圧を印加すると、蛍
光体２２に電子が照射されて蛍光体２２が励起して発光
して表示が行なわれる。

【００４１】このような構成をなす平面型表示装置は、
第１の基板１に形成した複数のカソード電極１１および
複数のゲート電極１３に電圧を印加する駆動回路素子４
が封着部材３で囲まれた基板内部側の箇所に設けられ、
各電極１１、１３と駆動回路素子４とが封着部材３で囲
まれた基板内部側の箇所で接続される。このため、駆動
回路素子４から封着部材３と第１の基板１との接合部を
通過して基板外部側へ延出する外部取り出し線１７は、
駆動回路素子４を作動させる信号を送るためのごく少数
の線のみとなる。これにより封着部材３と第１の基板１
との接合部を通過して基板外部側へ延出する外部取り出
し線１７の幅、間隔を余裕をもって広く設定することが
でき、封着部材３と第１の基板１、外部取り出し線１７
との接合が確実でこの接合部の気密を確実に保持でき
る。

【００４２】従って、表示装置において第１の基板にお
ける画素（電界放出型カソード１５）の数および電極１
１、１３の数を増大して高密度化されたものであって
も、封着部材３と第１の基板１、外部取り出し用線１７
との接合が確実で気密性を保持できる。すなわち、基板
の面積の増大および気密性の低下を押えつつ電極１１、
１３の数を増大して高密度化を図ることができる。

【００４３】特にこの実施の形態では、第１の基板１の
電極がカソード電極１１およびゲート電極１３であるた
めに、駆動回路素子４と接続する電極１１、１３の数が
多くて高密度化され特に有効である。

【００４４】さらに、前述した製造方法によれば、高密
度の画素（電界放出型カソード１５）を有しつつ封着部
材３と各基板１、２との接合部の気密性を保持して内部
の高い真空を維持できる平面型表示装置を得ることがで
きる。

【００４５】次に第２の実施の形態について図６を参照
して説明する。この実施の形態は、駆動回路素子として
図１に示した集積回路の代りに薄膜トランジスタを用い
たもので、その他の部分は図１に示す構成と同じであ
る。図６において図１と同じ部分は同じ符号を付して説
明する。

【００４６】図６において３１は駆動回路素子としての
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）である。この薄膜トランジス３１
は、薄膜状の半導体に流れる電流を、それに垂直な電界
を加えて制御するもので、電界効果トランジスタの一種
である。半導体には硫化カドウミウムなどを、絶縁層に
は酸化けい素などを、電極基板にはアルミニウムやイン
ジウムなどをいずれも蒸着により形成する。この実施の
形態では、薄膜トランジスタ３１としてＰ−ＳｉＴＦＴ
を用いる。

【００４７】薄膜トランジスタ３１は、第１の実施の形
態と同様に第１の基板１と第２の基板２との間における
封着部材３に囲まれた内側部分に設定された駆動回路素
子配置位置に形成され、各カソード電極１１およびゲー
ト電極１３毎の多数の接続線１６と少数の外部取り出し
線１７とに夫々接続されている。

【００４８】この構成をなす平面型表示装置を製造する
方法について説明する。まず、第１基板１の面にＰ−Ｓ
ｉをプラズマＣＶＤ法により堆積し、レーザアニールで
ｐ−Ｓｉ膜を形成する。ｎ−ｃｈおよびｐ−ｃｈ形成の
ためにＡｓおよびＰをイオンシャワーで選択的に注入し
てラピッドサーマルアニールで活性化した。この後、ゲ
ート絶縁膜として減圧ＣＶＤ法としてＳｉＯ₂ 膜を堆積
して電極パットを形成し、さらにＭｏを配線して薄膜ト
ランジスタ３１を得た。このＰ−Ｓｉ薄膜トランジスタ
３１は移動度も１０−４０ｃｍ² ／Ｖ・ｓｅｃと大きく
且つＶｔｈも±６Ｖ以下と充分な性能を有している。な
お、Ｍｏ電極を形成する際に接続線１６および外部取り
出し線１７を形成した。

【００４９】それ以降は、第１の実施の形態と同様に第
１基板１に複数の各電界放出型カソード１５を形成し
た。また、第２の基板２に透明電極２１と蛍光体２２を
形成した。そして、第２の基板２と第２の基板２とを封
着部材３により封着して密閉容器を形成し、この密閉容
器の内部を高い真空にした。

【００５０】この構成の平面型表示装置では、第１の実
施の形態の平面型表示装置と同様に、封着部材３と第１
の基板１との間の接合部を通過する外部取り出し線１７
の本数が従来に比較して大幅に少なく、各外部取り出し
線１７の線幅および間隔を広くすることができるため
に、封着部材３と第１の基板１、外部取り出し線１７と
の接合が確実でこの接合部の気密を確実に保持できる。

【００５１】従って、封着部材３と第１の基板１、外部
取り出し用線１７との接合が確実で気密性を保持しなが
ら、表示装置において第１の基板における画素（電界放
出型カソード１５）の数および電極１１、１３の数を増
大して高密度化を図ることができる。

【００５２】そして、この構成によれば、各カソード電
極１１およびゲート電極１３と、薄膜トランジスタ３１
と、接続線１６および外部取り出し用線１７を夫々薄膜
法により形成できるために、これらの各線を一層高い密
度により形成することができる。なお、本発明は前述し
た実施の形態に限定されずに、種々変形して実施するこ
とができる。

【００５３】

【発明の効果】請求項１の発明の平面型表示装置によれ
ば、第１の基板に形成した多数の電極とこの電極に電圧
を印加する駆動回路素子とが封着部材で囲まれた基板内
部側の箇所で接続されるので、駆動回路素子から封着部
材と第１の基板との接合部を通過して基板外部側へ延出
する外部取り出し線は駆動回路素子を作動させる信号を
送るためのごく少数の配線のみとなり、このため封着部
材と第１の基板との接合部を通過して基板外部側へ延出
する外部取り出し線の線幅および間隔を余裕をもって広
く設定することができ、封着部材と第１の基板、外部取
り出し用の配線との接合が確実で、この接合部の気密を
確実に保持できる。

【００５４】従って、平面型表示装置では、第１の基板
における画素（電子放射素子）の数および電極の数を増
大して高密度化した場合であっても、封着部材と第１の
基板と外部取り出し用線との接合が確実で気密性を保持
できる。

【００５５】請求項２および請求項３の発明によれば、
請求項１の発明の適用が特に有効である。請求項４の発
明によれば、駆動回路素子として薄膜トランジスタを用
いる場合に請求項１の発明を有効に適用することができ
るとともに、電極と薄膜トランジスタとを接続する配線
を薄膜で形成できるために集積回路素子を用いた場合に
比較して一層高密度化を図ることができる。

【００５６】請求項５および請求項６の発明の平面型表
示装置の製造方法によれば、高密度の画素（電子放出素
子）を有しつつ封着部材の気密性を保持して内部の高い
真空を維持できる平面型表示装置を製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における平面型表示
装置を示す断面図。

【図２】同実施の形態における平面型表示装置を示す斜
視図。

【図３】同実施の形態における平面型表示装置を拡大し
て示す分解斜視図。

【図４】同実施の形態における平面型表示装置における
電子放出素子を設けた部分を拡大して示す断面図。

【図５】同実施の形態における平面型表示装置における
電子放出素子を設けた部分を拡大して示す斜視図。

【図６】本発明の第２の実施の形態における平面型表示
装置を示す断面図。

【図７】従来の形態における平面型表示装置を示す斜視
図。

【符号の説明】

１…第１の基板、２…第２の基板、３…封着部材、４…駆動回路素子、５…スペーサ、１１…カソード電極、１２…絶縁層、１３…ゲート電極、１４…孔、１５…電界放出型ダイオード、１６…接続線、１７…外部取り出し線、２１…透明電極、２２…蛍光体、３１…薄膜トランジスタ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電子放出素子およびこの電子放出
素子に夫々電子放出動作を行わせる複数の電極を有する
第１の基板と、前記電子放出素子から放出された電子を
受けて発光する蛍光体を有し前記第１の基板に対向離間
して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に配置されこれら基板に接合して両方の
基板を封着する封着部材と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間において前記封着部材より基板内部側に配
置されて前記第１の基板の電極に夫々電圧を印加する駆
動回路素子とを具備することを特徴とする平面型表示装
置。
【請求項２】前記第１の基板の電極はカソード電極お
よびゲート電極であることを特徴とする請求項１に記載
の平面型表示装置。
【請求項３】前記駆動回路素子は集積回路であること
を特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】前記駆動回路素子は薄膜トランジスタで
あることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装
置。
【請求項５】第１の基板に電子放出素子および電極を
形成する工程と、前記第１の基板における封着部材接合
位置より基板内部側の箇所に集積回路を配置固定する工
程と、第二の基板に蛍光体を形成する工程と、封着部材
を前記集積回路より基板外部側に配置して前記第１の基
板と前記第二の基板とを封着する工程とを具備すること
を特徴とする平面型表示装置の製造方法。
【請求項６】第１の基板における封着部材接合位置よ
り基板内部側の箇所に薄膜トランジスタを形成する工程
と、前記第１の基板に電子放出素子および電極を形成す
る工程と、第二の基板に蛍光体を形成する工程と、封着
部材を前記薄膜トランジスタより基板外部側に配置して
前記第１の基板と前記第二の基板とを封着する工程とを
具備することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。