JP2008052917A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】MIM方式のカソードをマトリクス状に配置した表示装置で、走査線と上部電極との接続を確実に行うとともに、該走査線と他の走査線との絶縁を確実におこなう。
【解決手段】ガラス基板上に信号線8と同層で電極パターン39を形成する。走査線を、絶縁膜を挟んで、信号線8と直角方向に第1走査線層36と第2走査線層37の複数の導電膜で形成する。走査線は、庇部38によって他の走査線と絶縁される。しかし、走査線は電極パターン39によって、電子源10の上部電極と接続する。走査線と電子源10の上部電極との接続と、走査線と他の走査線との絶縁を別構成としたので、信頼性の高い、かつ、製造歩留まりの高い表示装置を得ることができる。
【選択図】図5
【解決手段】ガラス基板上に信号線8と同層で電極パターン39を形成する。走査線を、絶縁膜を挟んで、信号線8と直角方向に第1走査線層36と第2走査線層37の複数の導電膜で形成する。走査線は、庇部38によって他の走査線と絶縁される。しかし、走査線は電極パターン39によって、電子源10の上部電極と接続する。走査線と電子源10の上部電極との接続と、走査線と他の走査線との絶縁を別構成としたので、信頼性の高い、かつ、製造歩留まりの高い表示装置を得ることができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、平板状の画像表示装置に係り、特にMIM構造の電子源をマトリクス状に配した自発光型の平面画像表示装置に関するものである。
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性をもつと共に軽量、省スペースの平面型画像表示装置(フラット・パネル・ディスプレイ、FPD)の要求が高まっている。
その典型例として液晶表示装置、プラズマ表示装置などが実用化されている。又、特に、
高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した自発光型表示装置(例えば、電子放出型画像表示装置や電界放出型画像表示装置等と呼ばれるもの)や、低消費電力を特徴とする有機ELディスプレイなど、種々の平面型画像表示装置の実用化も図られている。
高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した自発光型表示装置(例えば、電子放出型画像表示装置や電界放出型画像表示装置等と呼ばれるもの)や、低消費電力を特徴とする有機ELディスプレイなど、種々の平面型画像表示装置の実用化も図られている。
平面型画像表示装置の中、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、電子源をマトリクス状に配置した構成が知られている。
自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、その冷陰極に、スピント型、表面伝導型、カーボンナノチューブ型、金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal-Insulato
r-Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semiconductor
)型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などが用いられる。
r-Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semiconductor
)型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などが用いられる。
平面型画像表示装置は、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電極を形成する陽極を備えた前面基板とを対向させ、両基板の対向する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠となる支持体とで構成される表示パネルが知られている。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて平面型画像表示装置を動作させる。
例えば、MIM型電子源を有する画像表示装置では、第1の方向に延在して第1の方向と交差する第2の方向に並設された多数の第1電極(例えば、カソード電極、映像信号線)と、この第1電極を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第2の方向に延在して前記第1の方向に並設された多数の第2電極(例えば、ゲート電極、走査線)と、前記第1電極と前記第2電極との交叉部付近に設けられた電子源とを有する背面基板を備え、この背面基板は絶縁材からなる基板を有し、この基板上に前記電極が形成されている。
この構成で前記走査線には前記第1の方向に走査信号が順次印加される。又、この基板上には走査線と映像信号線の各交差部付近に上記の電子源が設けられ、これら両電極と電子源とは給電電極で接続され、電子源に電流が供給される。この背面基板と対向して、前記対向する内面に複数色の蛍光体層と第3電極(アノード電極、陽極)とを備えた前面基板を有している。前面基板は、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。そして、画像表示装置は両基板の貼り合せ内周縁に封止枠となる支持体を介挿して封止し、当該背面基板と前面基板及び支持体で形成される内部を真空にして構成される。
電子源は前述のように第1電極と第2電極の交差部付近に有し、第1電極と第2電極との間の電位差で電子源からの電子の放出量(放出のオン・オフを含む)が制御される。放出された電子は、前面基板に有する陽極に印加される高電圧で加速され、同じく前面基板に有する蛍光体層に射突して励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。
個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤(R)、
緑(G)、青(B)の3色の単位画素で一つの画素(カラー画素、ピクセル)が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素(サブピクセル)とも呼ばれる。
緑(G)、青(B)の3色の単位画素で一つの画素(カラー画素、ピクセル)が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素(サブピクセル)とも呼ばれる。
前述したような平面型の画像表示装置では、一般的に背面基板と前面基板間の前記支持体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材(以下スペーサと言う)が配置固定され、前記両基板間の間隔を前記支持体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
又、封止枠となる支持体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と支持体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば10-3〜10-5Paである。
支持体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された第1電極につながる第1電極引出端子や第2電極につながる第2電極引出端子が貫通する。通常、封止枠となる支持体はフリットガラスなどの封着部材で前記背面基板及び前面基板に固着される。第1電極引出端子や第2電極引出端子が封止枠と背面基板の気密封着部である封止領域を通して引き出されている。
本発明は上記した表示装置におけるMIM構造の電子放出部に関連する。図15は従来のMIMカソード付近の平面図である。図15において、ガラス基板上に形成された映像信号線8は縦方向に延在し、絶縁膜を介して走査線9が横方向に延在する。MIM電子源は映像信号線8上に形成される。
図16は図15のA−A断面図でMIM電子源の断面構造を示す。MIM電子源は映像信号線8上に形成される。映像信号線8上に形成された薄いトンネル絶縁膜32を挟んで形成される上部電極31に電圧を印加すると、ホットエレクトロンが上部電極31より放出される。電子放出源以外では第1層間絶縁膜34および第2層間絶縁膜35が形成され、電子放出は無い。
図17は図15のB−B断面図である。走査線9は第1走査線層36と第2走査線層37の積層構造となっている。上部電極31は基板全面にスパッタリング等で形成するが、第1層間絶縁膜34および第2層間絶縁膜35に形成されたテーパー部を通して電圧が供給される。
以上のような従来技術を記載したものとしては下記のような特許文献が挙げられる。
以上のような従来技術を記載したものとしては下記のような特許文献が挙げられる。
図17において、MIM電子源の上部電極31には走査信号が供給されるが、上部電極31を形成する際、走査線9(第1走査線層36と第2走査線層37の積層)およびテーパー部にも上部電極膜をスパッタリングあるいは蒸着することによって上部電極31と走査線9が電気的に接続される。一方、走査線の電子源とは反対側には第1走査線層36と第2走査線層37との間で、庇部38が形成され、この庇部38には上部電極31はスパッタリングあるいは蒸着されないため、該走査線9と他の走査線9との導通は防止することができる。
しかしながら、このような従来の構造では、第1走査線層36と第2走査線層37を形成する際、MIM電子源側にはテーパー部361を、その反対側には庇部38を形成しなければならない。このような加工は第1走査線層36と第2走査線層37のパターン位置をずらすとともに、第1走査線層36と第2走査線層37のパターンのエッチング速度の差を利用しておこなうが、制御が難しい。庇部38による上部電極31の分離が難しく、製造歩留まりを低下させる要因になっていた。
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたもので、具体的には以下の手段を用いる。
(1)映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、走査線は映像信号線とは絶縁層を挟んで第2の方向に延在して第1の方向に配列しており、上部電極と下部電極、および前記上部電極と前記下部電極の間のトンネル絶縁膜を有し、前記上部電極と前記下部電極との間に電圧を印加することにより前記上部電極から電子を放出させる電子源がマトリクス状に配置され、前記下部電極は映像信号線と導通し、前記上部電極は走査線と導通し、前記上部電極は前記走査線とは、前記映像信号線と同層で設けられた電極パターンを介して導通することを特徴とする表示装置。
(2)前記電子源の前記下部電極は前記映像信号線と同一であることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記電子源の前記上部電極と同一の膜によって、前記電極パターンと前記上部電極が導通することを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記電極パターンと前記上部電極を導通させる第2のスルーホールが形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの幅は前記電極パターンの幅よりも大きく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(6)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの領域は、前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に略略等しく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(7)前記映像信号線と前記走査線の間には前記絶縁膜とは別な絶縁膜が形成されていることを特徴とする(4)または(5)に記載の表示装置。
(8)前記電極パターン上に形成された、前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする、(4)に記載の表示装置。
(9)前記電極パターンの断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする(5)または(6)に記載の表示装置。
(10)前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は20度以下であることを特徴とする(5)または(6)に記載の表示装置。
(11)前記映像信号線と前記電極パターンとは同一の材料で形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(2)前記電子源の前記下部電極は前記映像信号線と同一であることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記電子源の前記上部電極と同一の膜によって、前記電極パターンと前記上部電極が導通することを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記電極パターンと前記上部電極を導通させる第2のスルーホールが形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの幅は前記電極パターンの幅よりも大きく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(6)前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの領域は、前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に略略等しく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(7)前記映像信号線と前記走査線の間には前記絶縁膜とは別な絶縁膜が形成されていることを特徴とする(4)または(5)に記載の表示装置。
(8)前記電極パターン上に形成された、前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする、(4)に記載の表示装置。
(9)前記電極パターンの断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする(5)または(6)に記載の表示装置。
(10)前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は20度以下であることを特徴とする(5)または(6)に記載の表示装置。
(11)前記映像信号線と前記電極パターンとは同一の材料で形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(12)映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、走査線は映像信号線とは絶縁層を挟んで第2の方向に延在して第1の方向に配列しており、前記映像信号線と前記走査線との交差部付近に電子源が配置され、前記電子源は前記映像信号線からの信号と、前記走査線からの信号によって動作する表示装置であって、前記電子源への前記走査信号は前記映像信号線と同層で形成された電極パターンを介して供給されることを特徴とする表示装置。
(13)前記映像信号線は前記走査線よりも下層に形成されていることを特徴とする(12)に記載の表示装置。
(13)前記映像信号線は前記走査線よりも下層に形成されていることを特徴とする(12)に記載の表示装置。
(14)映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、前記映像信号線の上には絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に、走査線が前記第2の方向に延在して、前記第1の方向に配列し、前記映像信号線と前記走査線との交差部付近に電子源が配置され、前記電子源は前記映像信号線からの信号と、前記走査線からの信号によって動作する表示装置であって、前記電子源に対する走査信号は、前記映像信号線と同層で形成された電極パターンを介して供給され、前記電極パターンは前記走査線とは前記絶縁層に形成された第1のスルーホールによって接続され、前記電極パターンは前記電子源とは前記絶縁層に形成された第2のスルーホールによって接続されていることを特徴とする表示装置。
本発明によれば、MIM電子源上部電極と走査線の接続のために電極パターンを設けるので、MIM電子源の上部電極と走査線との導通のために、走査線にテーパー部を形成する必要がない。走査線には、他の走査線と分離するためのオーバーハング部のみを形成すればよいので、オーバーハングのための最適な構成およびプロセスとすればよく、プロセスの裕度が上がり、製造歩留まりも向上する。また、本発明ではMIM電子源上部電極と走査線の接続のために電極パターンを設けるので、走査線と上部電極との接続も確実に行うことができ、製品の信頼性が向上する。
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
図1乃至図4は本発明の画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図1(a)は
前面基板側から見た平面図、図1(b)は図1(a)の側面図、図2は図1の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図、図3は図1のA−A線に沿った模式断面図、図4は図2のB−B線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
前面基板側から見た平面図、図1(b)は図1(a)の側面図、図2は図1の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図、図3は図1のA−A線に沿った模式断面図、図4は図2のB−B線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
これら図1乃至図4において、参照符号1は背面基板、2は前面基板で、これら両基板1、2は厚さ数mm、例えば3mm程度のガラス板から構成されている。3は支持体で、この支持体3は厚さ数mm、例えば3mm程度のガラス板或はフリットガラスの燒結体から構成されている。4は排気管で、この排気管4は前記背面基板1に固着されている。前記支持体3は前記両基板1、2間の周縁部に周回して介挿され、両基板1、2とフリットガラスのような封着部材5を介して気密封着されている。前記両基板1、2は重畳方向(
Z方向)で同軸配置されている。
Z方向)で同軸配置されている。
この支持体3と両基板1、2及び封着部材5で囲まれた空間は前記排気管4を介して排気され、例えば10-3〜10-5Paの真空を保持して表示領域6を構成している。又前記排
気管4は背面基板1を貫通して穿設された貫通孔7と略同軸で連通し、前述のように前記背面基板1の外表面に取り付けられ、排気完了後封止される。
気管4は背面基板1を貫通して穿設された貫通孔7と略同軸で連通し、前述のように前記背面基板1の外表面に取り付けられ、排気完了後封止される。
参照符号8は映像信号線で、この映像信号線8は背面基板1の内面に一方向(Y方向)に延在し他方向(X方向)に並設されている。この映像信号線8は端部に映像信号線引出端子81を有しており、この端子の先端部は支持体3と背面基板1との気密封着
部を気密に貫通して背面基板1の端部まで延在している。
部を気密に貫通して背面基板1の端部まで延在している。
次に、参照符号9は走査線で、この走査線9は前記映像信号線8上でこれと交差する前記他方向(X方向)に延在し前記一方向(Y方向)に並設されている。この走査線9は端部に走査線引出端子91を有しており、この端子の先端部は前記支持体3と背面基板1との気密封着部を気密に貫通して背面基板1の端部まで延在している。又、これら映像信号線8及び走査線9と貫通孔7とは少なくとも3mm以上の間隔が確保出来るように設定する。この寸法より近接すると電極寸法に変動が生じる恐れがある。
次に、参照符号10は電子源で、この電子源10は前記走査線9と映像信号線8の各交差部近傍に設けられ、この電子源10は前記走査線9と接続電極11で接続されている。又、前記映像信号線8と、電子源10及び前記走査線9間には層間絶縁膜が配置されている。ここで、前記映像信号線8は例えばAl/Nd膜、走査線9は例えばIr、Pt、Au膜等が用いられる。
次に、参照符号12はスペーサで、このスペーサ12はセラミックス材から構成されており、長方形の薄板形状に整形され、この実施例では走査線9上に1本おきに直立配置され、接着部材13で両基板1、2と固定している。このスペーサ12は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
このスペーサ12の寸法は基板寸法、支持体3の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した支持体3と略同一寸法、厚さは数十μm〜数mm以下、長さは20mm乃至200mm程度、好ましくは80mm乃至120mm程度が実用的な値となる。又、このスペーサ12は108〜109Ω・cm程度の抵抗値を有している。
次に、参照符号14はカップ状の陽極端子で、この陽極端子14は例えばクロム合金等から構成され前記前面基板2の背面基板1側の内面の後述する位置に植設配置されている。すなわち、陽極端子14の配置位置は、両基板1、2をZ軸方向に同軸で重畳した際、前記表示領域6内で、かつ正規の表示に支障を与えない支持体3に近接した位置に配置された前記排気管4と略同軸で前面基板2に埋め込まれている。この埋め込みは、陽極端子14の閉止端面側の一部にガラス巻きを施すような処理を行った後、開口端側の一部を背面基板1側の内面に露呈させて埋め込みを行う方法等が可能である。この埋め込みはガラス板の時点で行い、埋め込み後洗浄等の前処理を行い、その後所定の製造工程に投入する。
又、この陽極端子14が植設配置された前記前面基板2の同一面内に赤色、緑色、青色用の蛍光体層15が遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜16で区画されて配置され、更にこれらを覆うように例えば蒸着方法で設けられた金属薄膜からなるメタルバック17が形成され、これらにより蛍光面が構成されている。
次に、参照符号18は陽極引出線で、この陽極引出線18は一端側181を前記陽極端子14に着脱自在に接続し、他端側182を支持体3に略平行に背面基板1側へ延在させ貫通孔7を挿通した後、排気管4と気密封着して外部に引き出されている。この陽極引出線18は、一端側181を押圧して変形させてカップ状の陽極端子14内に挿入し前記押圧を解除することで拡張、弾接させて陽極端子14と確実に接触する構造のばね状構成としている。このばね状構成は、例えば450℃程度の熱処理でもばね性が損なわれない特性が要求される。又、他端側182は例えばジュメット線のような熱膨張係数が排気管4と略等しい材料からなる線状構造とし、貫通孔8を挿通した後、排気管4のチップオフ時に同時に気密封着している。
次に、参照符号19は接続用の導電厚膜で、この導電厚膜19は前記蛍光面のBM(ブラックマトリクス)膜16及びメタルバック17と前記陽極端子14間に塗布され、この陽極端子14とBM膜16及びメタルバック17とを電気的に接続している。この導電厚膜19は例えば黒鉛を主成分とした黒鉛ペーストが用いられ、その膜厚は数μm乃至二十数μmとし、接続の信頼性を確保可能な厚膜としている。
又、前記蛍光体層15の蛍光体材料としては、例えば赤色としてY2O2S:Eu(P22−R)を、緑色としてZnS:Cu,Al(P22−G)、青色としてZnS:Ag,
Cl(P22−B)を用いることができる。この蛍光面構成で、前記電子源10から放射される電子を加速し、対応する画素を構成する蛍光体層15に射突させる。これにより、該蛍光体層15が所定の色光で発光し、他の画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。又、メタルバック17は面状として示してあるが、走査線9と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状とすることもできる。
Cl(P22−B)を用いることができる。この蛍光面構成で、前記電子源10から放射される電子を加速し、対応する画素を構成する蛍光体層15に射突させる。これにより、該蛍光体層15が所定の色光で発光し、他の画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。又、メタルバック17は面状として示してあるが、走査線9と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状とすることもできる。
図5ないし図8は本発明によるMIM電子源10付近の詳細平面図である。図5において縦方向に延在する映像信号線8の上にMIM電子源10が形成されている。層間絶縁膜を介して映像信号線8と直角方向に走査線9が延在している。映像信号線8のピッチは200μmであり、映像信号線8の幅は130μmである。ピッチに対して線幅の割合が大きいのは、出来るだけ映像信号線8の抵抗を小さくして、信号が劣化するのを防止するためである。また、走査線9のピッチは500μmであり、走査線9の幅は300μmである。走査線9のピッチに対して走査線9の幅が大きいのは、映像信号線8の場合と同様で、できるだけ走査線9の抵抗を小さくするためである。
MIM電子源の大きさは、映像信号線8と平行な方向が100μm、走査線9と平行な方向が50μmであり、縦長の構成となっている。これは対応する蛍光面の画素構造が縦長、あるいはストライプとなっていることに対応するものである。
図5における走査線9の実線部分は第2走査線層37であり、破線部分は第1走査線層36である。すなわち、第2走査線層37が第1走査線層36に対してオーバーハングしている形となっている。この様子を図7に示す。すなわち、第2走査線層37によって走査線9の両側に庇が形成されているため、本発明においては走査電極の上に形成された上部電極31とMIM電子源の上部電極31とは連続した膜とはなっていない。すなわち、上部電極31は走査線9とMIM電子源との電気的接続の役割は持っていない。
図5において、本発明の特徴である電極パターン39が映像信号線8と平行に形成されている。なお、図5の電極パターン39は走査線9の下のみ点線で示し、それ以外は実線で示している。この電極パターン39は映像信号線8と同層であり、映像信号線8と同時にスパッタリング等で背面基板1に堆積され、その後映像信号線8と同時にパターニングされる。電極パターン39の幅は50μmであり、映像信号線8との間隔は10μmである。映像信号線8との間隔は小さいが、電極パターン39は映像信号線8と同層で形成されており、マスクあわせの必要がないので、十分な間隔である。電極パターン39はAlまたはAl合金で形成され、膜厚は約600nmである。本発明ではこの電極パターン39が走査線9とMIM電子源の上部電極31を電気的に接続する役割を持つ。
図6は図5のA−A断面である。第1層間絶縁膜34は映像信号線8であるAlまたはAl合金を陽極酸化して形成される。膜厚はたとえば、200nmである。ここで、電極パターン39には陽極酸化膜は形成されない。電極パターン39は映像信号線8とは電気的には接続していないので陽極酸化のための電圧が印加されないからである。また、電極パターン39の目的からして、陽極酸化膜を形成する必要も無い。陽極酸化膜の上には第2層間絶縁膜35が形成される。第2層間絶縁膜35は例えば、窒化シリコンあるいは酸化シリコンが用いられる。第2層間絶縁膜35の役割は第1層間絶縁膜34であるアルミナにピンホール等が存在した場合の絶縁不良を防止するためである。第2層間絶縁膜の膜厚は例えば、200nm程度である。第2層間絶縁膜35は電極パターン39上にも形成される。
図8に示すように、第2層間絶縁膜35形成後、電極パターン39の上に少なくとも2箇所スルーホールが形成される。第1のスルーホール41は走査線9と導通をとるためであり、第2のスルーホール42はMIM電子源の上部電極31と導通をとるためである。この第1のスルーホール41、第2のスルーホール42を形成する際に、MIM電子源の開口を形成してもよい。ただし、MIM電子源の部分を以後のプロセスでのコンタミネーションから保護したい場合は、走査電極形成後に、MIM電子源の開口を形成すればよい。
その後、第1走査線層36と第2走査線層37がスパッタリング等で堆積され、続いて、ウェットエッチングでパターニングされる。ここで、第1走査線層36の材料は例えば、Crが使用され、第2走査線層37はAlまたはAl合金が用いられる。第1走査線層36と第2走査線層37とで材料を違えるのは、選択エッチングをするためである。第1走査線層36の膜厚は200nm、第2走査線層37の膜厚は4.5μmである。レジストを用いてまず第2走査線層37をエッチングしてパターン形成する。その後、第2走査線層37をマスクとして、第1走査線層36をエッチングにより形成する。
第1走査線層36を形成するエッチング液は第2走査線層37よりも第1走査線層36のエッチングスピードが早いエッチング液を用いる。この選択エッチング効果と、第2走査線層37の膜厚が第1走査線層36の膜厚よりもはるかに厚いという効果が重なって、第1走査線層36と第2走査線層37の両側面に庇部38が形成される。この庇部38の奥行きddは100nm程度は必要であるが、好ましくは300nm以上とするのがよい。
この庇部38の効果により、MIM電子源の上部電極31を基板全面に蒸着またはスパッタリングしても各走査線9ごとに、絶縁が保たれる。従来技術では、第1走査線層36に対し、MIM電子源側にはテーパーを形成し、MIM電子源と反対側には庇部38を形成するという相反する形状を形成する必要があったため、膜材料、厚さ、エッチング条件に大きな制約があった。本発明によれは、第1走査線層36および第2走査線層37のエッチングプロセスでは、庇部38のみ形成すればよいので、プロセスの裕度が飛躍的に増大し、歩留まりも上げることができる。
その後、図7に示すように、MIM電子源部分の第2層間絶縁膜35および第1層間絶縁膜34にスルーホールを形成してMIM電子源の下電極となる映像信号線8を露出させ、この部分に約10nmの陽極酸化膜を形成してこれをトンネル絶縁膜32とする。MIM電子源の上部電極31には例えば、Ir、Pt、Auの積層膜をスパッタリングで形成する。この積層膜の合計膜厚は例えば、3nmである。Ir、Pt、Auの積層膜はパターニングの必要は無い。走査線9に形成された庇部38によって、走査線9ごとに絶縁されるからである。
走査線9からの走査信号をMIM電子源の上部電極31に与えるのは電極パターン39の役割である。すなわち、図8に示すように、走査線9と電極パターン39が第1のスルーホール41によって接続され、電極パターン39とMIM電子源とが第2のスルーホール42を介して上部電極31によって接続される。
本実施例において注意が必要なのは、第2のスルーホール42の断面形状である。この部分の拡大図を図9に示す。第2層間絶縁膜35の膜厚は200nmであるのに対して、上部電極31膜の膜厚は3nm程度であるため、図9に示すテーパーが大きいと上部電極31膜が段切れを起こし、導通がとれなくなる。したがって、図9に示す第2層間絶縁膜35のスルーホールでのテーパー角度は30度以下とするのがよい。
本発明の構成によれば、走査線9とMIM電子源との接続は第1走査線層36および第2走査線層37の膜構造にたよる必要はない。そして、第1走査線層36および第2走査線層37の膜構造は個々の走査線9と他の電極を分離するための庇部38の形成に最適な構成とすればよいので、表示装置の製造が容易となり、製造歩留まりおよび製品の信頼性を向上することができる。
図10ないし図12に本発明の第2の実施例を示す。図10は実施例2の平面図である。映像信号線8のピッチ、映像信号線8の幅、走査線9のピッチ、走査線9の幅等は実施例1と同じである。また、第1層間絶縁膜34、第2層間絶縁膜35、第1走査線層36、第2走査線層37、トンネル絶縁膜32、MIM電子源上部電極31等の膜厚、材料等も実施例1と同じである。
実施例2の特徴は、実施例1における第2層間絶縁膜35のスルーホール2を、映像信号線8と走査線9で囲まれる領域のほぼ全域に拡大したことである。電極パターン39の役割はMIM電子源の上部電極31と走査線9を接続することである。走査線9と電極パターン39の接続は、実施例1のように、第1のスルーホール41によってなされる。電極パターン39とMIM電子源の上部電極31との接続は、上部電極31を基板全面にスパッタリングすることによって、上部電極膜自体によってなされる。したがって、電極パターン39と上部電極31膜との接続は、電極パターン39上に設けられた小さな第2層間絶縁膜35の開口部に限る必要はない。本実施例のように、第2層間絶縁膜35に対して、映像信号線8と走査線9で囲まれる領域のほぼ全域にスルーホールを設ければ、露出した電極パターン39全体をMIM電子源の上部電極31との導通に用いることができるので、接続の信頼性が向上する。
図11は図10のA−A断面図である。電極パターン39の周りには第2層間絶縁膜35は形成されていない。したがって、MIM電子源の上部電極31との接続は電極パターン39の上面のみでなく、側面も利用することが出来る。
図12は図10のB−B断面である。第2層間絶縁膜35は走査線9の近傍を除いて除去されている。したがって、MIM電子源の上部電極31との接続は露出した電極パターン39全体を使用することができる。図12では、第2層間絶縁膜35を走査線9近傍の幅dのみ残したが、走査線9と映像信号線8の絶縁が保たれる限り、dの幅はゼロでもよい。
本実施例において注意が必要なのは、電極パターン39の断面形状である。電極パターン39の膜厚は600nmであるのに対し、MIM電子源の上部電極膜31の膜厚は3nmと薄い。したがって、図13に示す電極パターン39のテーパーφが大きいと上部電極膜の段切れをおこし、MIM電子源の上部電極31との導通がとれなくなる。したがって、電極パターン39のテーパー部は小さくする必要がある。図13に示すφの値は好ましくは30度以下がよい。
本発明の構成によれば、走査線9とMIM電子源との接続は第1走査線層36および第2走査線層37の膜構造にたよる必要はない。そして、第1走査線層36および第2走査線層37の膜構造は個々の走査線9と他の電極を分離するための庇部38の形成に最適な構成とすればよいので、表示装置の製造が容易となり、製造歩留まりおよび製品の信頼性を向上することができる。MIM電子源の上部電極31と電極パターン39との接続、ひいては、走査線9との接続をより確実とすることができ、信頼性をさらに向上することができる。
次に、図14は本発明の構成を適用した画像表示装置の等価回路例の説明図である。図9中に破線で示した領域は表示領域6であり、この表示領域6にn本の映像信号線8とm本の走査線9が互いに交差して配置されてn×mのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の3つの単位画素(あるいは、副画素)"R","G","B"の1グループでカラー1画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。映像信号線(カソード電極)8は、映像信号線引出端子81で映像信号駆動回路DDRに接続され、走査線(ゲート電極)9は走査線引出端子91で走査信号駆動回路SDRに接続されている。映像信号駆動回路DDRには外部信号源から映像信号NSが入力され、走査信号駆動回路SDRには同様に走査信号SSが入力される。
これにより、順次選択される走査線9に交差する映像信号線8に映像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の画像表示装置が実現される。
1・・・背面基板、2・・・前面基板、3・・・支持体、4・・・排気管、5・・・封着部材、6・・・表示領域、7・・・貫通孔、8・・・映像信号線、81・・・映像信号線引出端子、9・・・走査線、91・・・走査線引出端子 、10・・・電子源、11・・・接続電極、12・・・間隔保持部材、13・・・接着部材、14・・・陽極端子、15・・・蛍光体層、16・・・ブラックマトリクス膜、17・・・メタルバック(陽極電極)、18・・・陽極引出線、19・・・導電厚膜、31・・上部電極、32・・・トンネル絶縁膜、33・・・下部電極、34・・・第1層間絶縁膜、35・・・第2層間絶縁膜、36・・・第1走査線層、37・・・第2走査線層、38・・・庇部、39・・・電極パターン、41・・・第1のスルーホール、42・・・第2のスルーホール。
Claims (14)
- 映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、走査線は映像信号線とは絶縁層を挟んで第2の方向に延在して第1の方向に配列しており、
上部電極と下部電極、および前記上部電極と前記下部電極の間のトンネル絶縁膜を有し、前記上部電極と前記下部電極との間に電圧を印加することにより前記上部電極から電子を放出させる電子源がマトリクス状に配置され、前記下部電極は映像信号線と導通し、前記上部電極は走査線と導通し、前記上部電極は前記走査線とは、前記映像信号線と同層で設けられた電極パターンを介して導通することを特徴とする表示装置。 - 前記電子源の前記下部電極は前記映像信号線と同一であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記電子源の前記上部電極と同一の膜によって、前記電極パターンと前記上部電極が導通することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記電極パターンと前記上部電極を導通させる第2のスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの幅は前記電極パターンの幅よりも大きく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記電極パターンの上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜は前記電極パターン上で前記走査線と前記電極パターンを導通させる第1のスルーホールが形成され、前記絶縁膜は前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に第2のスルーホールが形成され、前記第2のスルーホールの領域は、前記走査線と前記映像信号線とで囲まれた領域に略略等しく、前記第2のスルーホールは前記電極パターンと前記電子源の上部電極を導通させることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記映像信号線と前記走査線の間には前記絶縁膜とは別な絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の表示装置。
- 前記電極パターン上に形成された、前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記電極パターンの断面のテーパー角度は30度以下であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の表示装置。
- 前記第2のスルーホール部の前記絶縁膜の断面のテーパー角度は20度以下であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の表示装置。
- 前記映像信号線と前記電極パターンとは同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、走査線は映像信号線とは絶縁層を挟んで第2の方向に延在して第1の方向に配列しており、前記映像信号線と前記走査線との交差部付近に電子源が配置され、前記電子源は前記映像信号線からの信号と、前記走査線からの信号によって動作する表示装置であって、前記電子源への前記走査信号は前記映像信号線と同層で形成された電極パターンを介して供給されることを特徴とする表示装置。
- 前記映像信号線は前記走査線よりも下層に形成されていることを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
- 映像信号線は第1の方向に延在して、第1の方向と直角方向の第2の方向に配列し、前記映像信号線の上には絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に、走査線が前記第2の方向に延在して、前記第1の方向に配列し、前記映像信号線と前記走査線との交差部付近に電子源が配置され、前記電子源は前記映像信号線からの信号と、前記走査線からの信号によって動作する表示装置であって、前記電子源に対する走査信号は、前記映像信号線と同層で形成された電極パターンを介して供給され、前記電極パターンは前記走査線とは前記絶縁層に形成された第1のスルーホールによって接続され、前記電極パターンは前記電子源とは前記絶縁層に形成された第2のスルーホールによって接続されていることを特徴とする表示装置。
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