JPH11211933A - 光回路／光ファイバ接続方法 - Google Patents
光回路／光ファイバ接続方法Info
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- JPH11211933A JPH11211933A JP2638598A JP2638598A JPH11211933A JP H11211933 A JPH11211933 A JP H11211933A JP 2638598 A JP2638598 A JP 2638598A JP 2638598 A JP2638598 A JP 2638598A JP H11211933 A JPH11211933 A JP H11211933A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバの調芯の時間を短縮することが可
能な光回路／光ファイバ接続方法を提供する。 【解決手段】 基板１１０表面に基板表面と平行方向に
光ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光ファイバ
接続方法は，マスクを用いてパターニングされた基板表
面に，光ファイバ１３０の直径と略同一の幅を有し，か
つ側面が垂直な垂直側壁１１０ａを形成する工程と，垂
直側壁の底部に，基板内部に進むにつれて幅が狭くなる
傾斜のついた傾斜側壁１１０ｂを，垂直側壁と略同一方
向に形成する工程とを含むことを特徴とする。傾斜側壁
が形成された部分におさまった光ファイバは，垂直側壁
により位置ずれが防止される。従って，光ファイバは高
い精度で溝におさまり，調芯の時間を短縮することが可
能である。
能な光回路／光ファイバ接続方法を提供する。 【解決手段】 基板１１０表面に基板表面と平行方向に
光ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光ファイバ
接続方法は，マスクを用いてパターニングされた基板表
面に，光ファイバ１３０の直径と略同一の幅を有し，か
つ側面が垂直な垂直側壁１１０ａを形成する工程と，垂
直側壁の底部に，基板内部に進むにつれて幅が狭くなる
傾斜のついた傾斜側壁１１０ｂを，垂直側壁と略同一方
向に形成する工程とを含むことを特徴とする。傾斜側壁
が形成された部分におさまった光ファイバは，垂直側壁
により位置ずれが防止される。従って，光ファイバは高
い精度で溝におさまり，調芯の時間を短縮することが可
能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，光通信に適用され
る光回路／光ファイバ接続方法にかかり，特に，プレー
ナ光波回路における光回路／光ファイバ接続方法に関す
る。
る光回路／光ファイバ接続方法にかかり，特に，プレー
ナ光波回路における光回路／光ファイバ接続方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光回路基板の材質をシリコンとして，そ
の上に光導波路及び他の電気回路を形成する光回路は，
今後の光通信の分野で広く用いられようとしている。こ
の光回路基板と光ファイバとを結合する方式として，シ
リコン基板の選択エッチング（結晶異方性エッチング）
によって得られるＶ溝と呼ばれる凹部に光ファイバを載
せることにより光回路基板に接続する方式が，文献「マ
イクロマシーニングとマイクロメカトロニクス（培風
館，１９９２）」に示されている。
の上に光導波路及び他の電気回路を形成する光回路は，
今後の光通信の分野で広く用いられようとしている。こ
の光回路基板と光ファイバとを結合する方式として，シ
リコン基板の選択エッチング（結晶異方性エッチング）
によって得られるＶ溝と呼ばれる凹部に光ファイバを載
せることにより光回路基板に接続する方式が，文献「マ
イクロマシーニングとマイクロメカトロニクス（培風
館，１９９２）」に示されている。
【０００３】上記文献に示された従来技術にかかる光回
路／光ファイバ接続方法について，図３を参照しながら
説明する。まず，図３（Ａ）に示した（１００）面Ｓｉ
基板３１０を準備し，Ｓｉ基板３１０上にＳｉＮｘ膜３
２０を形成する（図３（Ｂ）参照のこと）。次いで，ホ
トリソグラフィにより，ＳｉＮｘ膜３２０をパターニン
グする（図３（Ｃ）参照のこと）。
路／光ファイバ接続方法について，図３を参照しながら
説明する。まず，図３（Ａ）に示した（１００）面Ｓｉ
基板３１０を準備し，Ｓｉ基板３１０上にＳｉＮｘ膜３
２０を形成する（図３（Ｂ）参照のこと）。次いで，ホ
トリソグラフィにより，ＳｉＮｘ膜３２０をパターニン
グする（図３（Ｃ）参照のこと）。
【０００４】次に，パターニングされたＳｉＮｘ膜３２
０をマスクとして，ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液で
Ｓｉ基板３１０を異方性エッチングし，（１１１）側面
を有するＶ溝３１０ａを形成する（図３（Ｄ）参照のこ
と）。ＳｉＮｘ膜３２０を除去し（図３（Ｅ）参照のこ
と），次いで，光ファイバ３３０をＶ溝３１０ａにはめ
て，樹脂等で光ファイバ３３０とＳｉ基板３１０とを固
定する（図３（Ｆ）参照のこと）。
０をマスクとして，ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液で
Ｓｉ基板３１０を異方性エッチングし，（１１１）側面
を有するＶ溝３１０ａを形成する（図３（Ｄ）参照のこ
と）。ＳｉＮｘ膜３２０を除去し（図３（Ｅ）参照のこ
と），次いで，光ファイバ３３０をＶ溝３１０ａにはめ
て，樹脂等で光ファイバ３３０とＳｉ基板３１０とを固
定する（図３（Ｆ）参照のこと）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，上述の従来
技術にかかる光回路／光ファイバ接続方法においては，
エッチング速度や一括形成する場合の基板面内での速度
不均一性などにより，溝の深さ方向の精度はあまりよく
ない。このため，損失が少なく，ばらつきの少ない光結
合を実現するため，光端部を微動して光結合が最良とな
る位置に光ファイバを移動（以下「調芯」と称する。）
し，その後に固定する必要があり，Ｖ溝と光ファイバと
の調芯に時間がかかるという問題点があった。
技術にかかる光回路／光ファイバ接続方法においては，
エッチング速度や一括形成する場合の基板面内での速度
不均一性などにより，溝の深さ方向の精度はあまりよく
ない。このため，損失が少なく，ばらつきの少ない光結
合を実現するため，光端部を微動して光結合が最良とな
る位置に光ファイバを移動（以下「調芯」と称する。）
し，その後に固定する必要があり，Ｖ溝と光ファイバと
の調芯に時間がかかるという問題点があった。
【０００６】本発明は，従来の光回路／光ファイバ接続
方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，
本発明の目的は，溝の深さ方向の精度を向上させ，溝と
光ファイバとの調芯の時間を短縮することが可能な，新
規かつ改良された光回路／光ファイバ接続方法を提供す
ることである。
方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，
本発明の目的は，溝の深さ方向の精度を向上させ，溝と
光ファイバとの調芯の時間を短縮することが可能な，新
規かつ改良された光回路／光ファイバ接続方法を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の記載によれば，基板表面に基板表面と平
行方向に光ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光
ファイバ接続方法であって，マスクを用いてパターニン
グされた基板表面に，光ファイバの直径と略同一の幅を
有し，かつ側面が垂直な第一の側壁を形成する工程と，
第一の側壁の底部に，基板内部に進むにつれて幅が狭く
なる傾斜のついた第二の側壁を，第一の側壁と略同一方
向に形成する工程とを含むことを特徴とする光回路／光
ファイバ接続方法が提供される。なお，基板は，請求項
４に記載のようにＳｉＯ２基板であってもよい。
に，請求項１の記載によれば，基板表面に基板表面と平
行方向に光ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光
ファイバ接続方法であって，マスクを用いてパターニン
グされた基板表面に，光ファイバの直径と略同一の幅を
有し，かつ側面が垂直な第一の側壁を形成する工程と，
第一の側壁の底部に，基板内部に進むにつれて幅が狭く
なる傾斜のついた第二の側壁を，第一の側壁と略同一方
向に形成する工程とを含むことを特徴とする光回路／光
ファイバ接続方法が提供される。なお，基板は，請求項
４に記載のようにＳｉＯ２基板であってもよい。
【０００８】かかる方法によれば，側面が垂直な側壁が
形成された後，傾斜のついた側壁が形成されるため，傾
斜のついた側壁が形成された部分におさまった光ファイ
バは，側面が垂直な側壁により位置ずれが防止される。
従って，光ファイバは，高い精度で溝におさまるため，
調芯の時間を短縮することが可能である。
形成された後，傾斜のついた側壁が形成されるため，傾
斜のついた側壁が形成された部分におさまった光ファイ
バは，側面が垂直な側壁により位置ずれが防止される。
従って，光ファイバは，高い精度で溝におさまるため，
調芯の時間を短縮することが可能である。
【０００９】さらに，第一の側壁を形成する工程は，請
求項２に記載のように，試料の温度を常温に保持して行
ってもよい。かかる方法によれば，容易に側面が垂直な
側壁を形成することが可能である。
求項２に記載のように，試料の温度を常温に保持して行
ってもよい。かかる方法によれば，容易に側面が垂直な
側壁を形成することが可能である。
【００１０】さらに，第二の側壁を形成する工程は，請
求項３に記載のように，試料の温度を１５度〜マイナス
３０度に保持して行ってもよい。かかる方法によれば，
容易に側面が垂直な側壁を形成することが可能である。
求項３に記載のように，試料の温度を１５度〜マイナス
３０度に保持して行ってもよい。かかる方法によれば，
容易に側面が垂直な側壁を形成することが可能である。
【００１１】また，請求項５の記載によれば，基板表面
に基板表面と平行方向に光ファイバ位置決め用溝を形成
する光回路／光ファイバ接続方法であって，マスクを用
いてパターニングされた基板表面に，基板表面の開口部
の幅は光ファイバの直径より広く，基板内部に進むにつ
れて幅が狭くなり，光ファイバの直径と略同一になる傾
斜のついた第一の側壁を形成する工程と，第一の側壁の
底部に，光ファイバの直径と略同一の幅を有し，かつ側
面が垂直な第二の側壁を，第一の側壁と略同一方向に形
成する工程とを含むことを特徴とする光回路／光ファイ
バ接続方法が提供される。なお，基板は，請求項８に記
載のようにＳｉＯ２基板であってもよい。
に基板表面と平行方向に光ファイバ位置決め用溝を形成
する光回路／光ファイバ接続方法であって，マスクを用
いてパターニングされた基板表面に，基板表面の開口部
の幅は光ファイバの直径より広く，基板内部に進むにつ
れて幅が狭くなり，光ファイバの直径と略同一になる傾
斜のついた第一の側壁を形成する工程と，第一の側壁の
底部に，光ファイバの直径と略同一の幅を有し，かつ側
面が垂直な第二の側壁を，第一の側壁と略同一方向に形
成する工程とを含むことを特徴とする光回路／光ファイ
バ接続方法が提供される。なお，基板は，請求項８に記
載のようにＳｉＯ２基板であってもよい。
【００１２】かかる方法によれば，基板表面の開口部の
幅が，光ファイバの直径より広く，傾斜のついた側壁が
形成される。光ファイバは，広い開口部から傾斜のつい
た側壁を伝わり，側面が垂直な側壁におさまるため，高
い精度で溝におさまる。従って，調芯の時間を短縮する
ことが可能である。
幅が，光ファイバの直径より広く，傾斜のついた側壁が
形成される。光ファイバは，広い開口部から傾斜のつい
た側壁を伝わり，側面が垂直な側壁におさまるため，高
い精度で溝におさまる。従って，調芯の時間を短縮する
ことが可能である。
【００１３】さらに，第一の側壁を形成する工程は，請
求項６に記載のように，試料の温度を１５度〜マイナス
３０度に保持して行ってもよい。かかる方法によれば，
容易に側面が垂直な側壁を形成することが可能である。
求項６に記載のように，試料の温度を１５度〜マイナス
３０度に保持して行ってもよい。かかる方法によれば，
容易に側面が垂直な側壁を形成することが可能である。
【００１４】さらに，第二の側壁を形成する工程は，請
求項７に記載のように，試料の温度を常温に保持して行
ってもよい。かかる方法によれば，容易に側面が垂直な
側壁を形成することが可能である。
求項７に記載のように，試料の温度を常温に保持して行
ってもよい。かかる方法によれば，容易に側面が垂直な
側壁を形成することが可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかる光回路／光ファイバ接続方法の好適な実
施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び
図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより重複説明
を省略する。
本発明にかかる光回路／光ファイバ接続方法の好適な実
施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び
図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより重複説明
を省略する。
【００１６】（第１の実施の形態）以下では，第１の実
施の形態にかかる光回路／光ファイバ接続方法を，図１
を参照しながら説明する。以下の実施の形態において
は，一例として，基板にＳｉＯ２基板を用いるものと
し，マスク材料として絶縁膜であるＳｉＮｘを用いるも
のとする。まず，図１（Ａ）に示したＳｉＯ２基板１１
０上に，ＳｉＮｘ膜１２０（厚さ０．５μｍ〜２．０μ
ｍ）をプラズマＣＶＤ法等によって形成し（図１（Ｂ）
参照のこと），ＳｉＮｘ膜１２０を通常のホトリソグラ
フィ工程によりパターニングする（図１（Ｃ）参照のこ
と）。なお，第１の実施の形態においては，ＳｉＯ２基
板１１０表面の溝の幅は，光ファイバ１３０の直径Ｒと
略同一で，光ファイバ１３０が完全に収容できる幅であ
るように形成される。
施の形態にかかる光回路／光ファイバ接続方法を，図１
を参照しながら説明する。以下の実施の形態において
は，一例として，基板にＳｉＯ２基板を用いるものと
し，マスク材料として絶縁膜であるＳｉＮｘを用いるも
のとする。まず，図１（Ａ）に示したＳｉＯ２基板１１
０上に，ＳｉＮｘ膜１２０（厚さ０．５μｍ〜２．０μ
ｍ）をプラズマＣＶＤ法等によって形成し（図１（Ｂ）
参照のこと），ＳｉＮｘ膜１２０を通常のホトリソグラ
フィ工程によりパターニングする（図１（Ｃ）参照のこ
と）。なお，第１の実施の形態においては，ＳｉＯ２基
板１１０表面の溝の幅は，光ファイバ１３０の直径Ｒと
略同一で，光ファイバ１３０が完全に収容できる幅であ
るように形成される。
【００１７】上述のパターニング工程について説明す
る。まず，ＳｉＮｘ膜１２０上にレジストを約１．０μ
ｍスピンコートする（図示せず）。その後，Ｏ２雰囲気
での反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ，以下「ＲＩＥ」と称する。）法に
よって，不図示のレジストのパターニングを行い，さら
にＣＦ４ガス雰囲気でのＲＩＥ法を実施してＳｉＮｘ膜
１２０を選択的にエッチングする。その後，残存してい
る不図示のレジストをＯ２雰囲気でのＲＩＥ法により除
去する。
る。まず，ＳｉＮｘ膜１２０上にレジストを約１．０μ
ｍスピンコートする（図示せず）。その後，Ｏ２雰囲気
での反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ，以下「ＲＩＥ」と称する。）法に
よって，不図示のレジストのパターニングを行い，さら
にＣＦ４ガス雰囲気でのＲＩＥ法を実施してＳｉＮｘ膜
１２０を選択的にエッチングする。その後，残存してい
る不図示のレジストをＯ２雰囲気でのＲＩＥ法により除
去する。
【００１８】ＳｉＮｘ膜１２０のパターニングの後，Ｓ
ｉＯ２基板１１０のエッチングを行う。以下の実施の形
態においては，通常のエッチング装置を用いることと
し，処理ガスはＣＨＦ３，流量は２ｓｃｃｍ〜２００ｓ
ｃｃｍ，圧力雰囲気は１０Ｔｏｒｒ以下，ＲＦパワーは
２Ｗ〜１５００Ｗという条件によりエッチングを行うも
のとする。
ｉＯ２基板１１０のエッチングを行う。以下の実施の形
態においては，通常のエッチング装置を用いることと
し，処理ガスはＣＨＦ３，流量は２ｓｃｃｍ〜２００ｓ
ｃｃｍ，圧力雰囲気は１０Ｔｏｒｒ以下，ＲＦパワーは
２Ｗ〜１５００Ｗという条件によりエッチングを行うも
のとする。
【００１９】チャンバ内の試料の載置台は，電極または
サーキュレータ（冷却器）等により温度調整が可能であ
り，エッチング工程を常温（１５度〜３５度の範囲，好
ましくは２５度程度）とした場合を「常温エッチング」
と称する。上述した条件における常温エッチングにおい
ては，側面が垂直な側壁（以下，「垂直側壁」と称す
る。）が形成される。また，載置台を１５度〜マイナス
３０度の範囲で冷やした場合を「低温エッチング」と称
する。上述した条件における低温エッチングにおいて
は，側面に傾斜（テーパ）のついた側壁（以下，「傾斜
側壁」と称する。）が形成される。なお，以下の実施の
形態においては，常温エッチングにより垂直側壁を形成
し，低温エッチングにより傾斜側壁を形成する場合の一
例につき説明するが，本発明はかかる場合に限定されな
い。
サーキュレータ（冷却器）等により温度調整が可能であ
り，エッチング工程を常温（１５度〜３５度の範囲，好
ましくは２５度程度）とした場合を「常温エッチング」
と称する。上述した条件における常温エッチングにおい
ては，側面が垂直な側壁（以下，「垂直側壁」と称す
る。）が形成される。また，載置台を１５度〜マイナス
３０度の範囲で冷やした場合を「低温エッチング」と称
する。上述した条件における低温エッチングにおいて
は，側面に傾斜（テーパ）のついた側壁（以下，「傾斜
側壁」と称する。）が形成される。なお，以下の実施の
形態においては，常温エッチングにより垂直側壁を形成
し，低温エッチングにより傾斜側壁を形成する場合の一
例につき説明するが，本発明はかかる場合に限定されな
い。
【００２０】本実施の形態においては，まず，垂直側壁
を形成し（図１（Ｄ）参照のこと），次いで，傾斜側壁
を形成することにより溝を形成することを特徴とする
（図１（Ｅ）参照のこと）。形成された溝の形状につい
て，図１（Ｅ），図２（Ｆ）を参照しながら説明する。
溝の幅をＷとすると，基板表面では，Ｗは光ファイバ１
３０の直径Ｒと略同一で，光ファイバ１３０が完全に収
容できる幅である。基板表面から内部に進むにつれて，
垂直側壁１１０ａが形成されている部分の間は，Ｗは一
定である。さらに内部に進むと，傾斜側壁１１０ｂが形
成されている部分となり，傾斜側壁１１０ｂが形成され
ている部分の間は，Ｗは徐々に小さくなっていき，最終
的にはＷは０になる。ＳｉＯ２基板１１０に上述のよう
に溝を形成した後，ＳｉＮｘ膜１２０を除去し，光ファ
イバ１３０を溝に接続する。
を形成し（図１（Ｄ）参照のこと），次いで，傾斜側壁
を形成することにより溝を形成することを特徴とする
（図１（Ｅ）参照のこと）。形成された溝の形状につい
て，図１（Ｅ），図２（Ｆ）を参照しながら説明する。
溝の幅をＷとすると，基板表面では，Ｗは光ファイバ１
３０の直径Ｒと略同一で，光ファイバ１３０が完全に収
容できる幅である。基板表面から内部に進むにつれて，
垂直側壁１１０ａが形成されている部分の間は，Ｗは一
定である。さらに内部に進むと，傾斜側壁１１０ｂが形
成されている部分となり，傾斜側壁１１０ｂが形成され
ている部分の間は，Ｗは徐々に小さくなっていき，最終
的にはＷは０になる。ＳｉＯ２基板１１０に上述のよう
に溝を形成した後，ＳｉＮｘ膜１２０を除去し，光ファ
イバ１３０を溝に接続する。
【００２１】本実施の形態にかかる光回路／光ファイバ
接続方法により，以下のような優れた効果を奏すること
が可能である。すなわち，上記工程により形成された光
ファイバ溝においては，垂直側壁１１０ａが形成された
後，傾斜側壁１１０ｂが形成されるため，傾斜側壁１１
０ｂが形成された部分におさまった光ファイバ１３０
は，垂直側壁１１０ａにより位置ずれが防止される。従
って，光ファイバは，高い精度で溝におさまるため，調
芯の時間を短縮することが可能である。
接続方法により，以下のような優れた効果を奏すること
が可能である。すなわち，上記工程により形成された光
ファイバ溝においては，垂直側壁１１０ａが形成された
後，傾斜側壁１１０ｂが形成されるため，傾斜側壁１１
０ｂが形成された部分におさまった光ファイバ１３０
は，垂直側壁１１０ａにより位置ずれが防止される。従
って，光ファイバは，高い精度で溝におさまるため，調
芯の時間を短縮することが可能である。
【００２２】（第２の実施の形態）以下では，第２の実
施の形態にかかる光回路／光ファイバ接続方法を，図２
を参照しながら説明する。まず，ＳｉＯ２基板２１０上
に，ＳｉＮｘ膜２２０（厚さ０．５μｍ〜２．０μｍ）
を成膜し，その後にパターニングを行う工程は，第１の
実施の形態と同様である。なお，第１の実施の形態にお
いては，ＳｉＯ２基板２１０表面の側壁の幅は，光ファ
イバの直径より大きくなるように形成される。
施の形態にかかる光回路／光ファイバ接続方法を，図２
を参照しながら説明する。まず，ＳｉＯ２基板２１０上
に，ＳｉＮｘ膜２２０（厚さ０．５μｍ〜２．０μｍ）
を成膜し，その後にパターニングを行う工程は，第１の
実施の形態と同様である。なお，第１の実施の形態にお
いては，ＳｉＯ２基板２１０表面の側壁の幅は，光ファ
イバの直径より大きくなるように形成される。
【００２３】さらに，第１の実施の形態と同様に，ＲＩ
Ｅ装置にて，例えばＣＦ４／Ｏ２混合ガスにてＳｉＮｘ
膜２２０のエッチングを行う。第１の実施の形態におい
ては，まず，「常温エッチング」を行い，側面が垂直な
垂直側壁１１０ａを得た後に，「低温エッチング」を行
い，傾斜（テーパ）のついた傾斜側壁１１０ｂを得てい
た。本実施の形態においては，まず，傾斜側壁を形成
し，次いで，垂直側壁を形成することにより溝を形成す
ることを特徴とする。
Ｅ装置にて，例えばＣＦ４／Ｏ２混合ガスにてＳｉＮｘ
膜２２０のエッチングを行う。第１の実施の形態におい
ては，まず，「常温エッチング」を行い，側面が垂直な
垂直側壁１１０ａを得た後に，「低温エッチング」を行
い，傾斜（テーパ）のついた傾斜側壁１１０ｂを得てい
た。本実施の形態においては，まず，傾斜側壁を形成
し，次いで，垂直側壁を形成することにより溝を形成す
ることを特徴とする。
【００２４】形成された溝の形状について，図２
（Ｅ），図２（Ｆ）を参照しながら説明する。溝の幅を
Ｗとすると，基板表面では，Ｗは光ファイバ２３０の直
径Ｒよりも大きい。基板表面から内部に進むにつれて，
傾斜側壁２１０ｂが形成されている部分の間は，Ｗは徐
々に小さくなっていく。Ｗが光ファイバ２３０の直径Ｒ
と略同一で，光ファイバ２３０が完全に収容できる幅に
なると，垂直側壁２１０ａが形成されている部分とな
り，垂直側壁２１０ａが形成されている部分の間は，Ｗ
は一定である。ＳｉＯ２基板２１０に上述のように溝を
形成した後，ＳｉＮｘ膜２２０を除去し，光ファイバ２
３０を溝に接続する。
（Ｅ），図２（Ｆ）を参照しながら説明する。溝の幅を
Ｗとすると，基板表面では，Ｗは光ファイバ２３０の直
径Ｒよりも大きい。基板表面から内部に進むにつれて，
傾斜側壁２１０ｂが形成されている部分の間は，Ｗは徐
々に小さくなっていく。Ｗが光ファイバ２３０の直径Ｒ
と略同一で，光ファイバ２３０が完全に収容できる幅に
なると，垂直側壁２１０ａが形成されている部分とな
り，垂直側壁２１０ａが形成されている部分の間は，Ｗ
は一定である。ＳｉＯ２基板２１０に上述のように溝を
形成した後，ＳｉＮｘ膜２２０を除去し，光ファイバ２
３０を溝に接続する。
【００２５】本実施の形態にかかる光回路／光ファイバ
接続方法により，以下のような優れた効果を奏すること
が可能である。すなわち，光ファイバ２３０は，広い開
口部から傾斜側壁２１０ｂを伝わり，垂直側壁２１０ａ
におさまるため，高い精度で溝におさまる。従って，調
芯の時間を短縮することが可能である。
接続方法により，以下のような優れた効果を奏すること
が可能である。すなわち，光ファイバ２３０は，広い開
口部から傾斜側壁２１０ｂを伝わり，垂直側壁２１０ａ
におさまるため，高い精度で溝におさまる。従って，調
芯の時間を短縮することが可能である。
【００２６】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる光回路／光ファイバ接続方法の好適な実施形態につ
いて説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当
業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想
の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得
ることは明らかであり，それらについても当然に本発明
の技術的範囲に属するものと了解される。
かる光回路／光ファイバ接続方法の好適な実施形態につ
いて説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当
業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想
の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得
ることは明らかであり，それらについても当然に本発明
の技術的範囲に属するものと了解される。
【００２７】例えば，本発明は導波路を応用した光ファ
イバモジュール作製に適用した例を説明したが，光ファ
イバ接続を行うあらゆる方法について適用可能である。
イバモジュール作製に適用した例を説明したが，光ファ
イバ接続を行うあらゆる方法について適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように，請求項１，２，３
または４のいずれかに記載の発明によれば，垂直側壁が
形成された後，傾斜側壁が形成されるため，傾斜側壁が
形成された部分におさまった光ファイバは，垂直側壁に
より位置ずれが防止される。従って，光ファイバは，高
い精度で溝におさまるため，調芯の時間を短縮すること
が可能である。
または４のいずれかに記載の発明によれば，垂直側壁が
形成された後，傾斜側壁が形成されるため，傾斜側壁が
形成された部分におさまった光ファイバは，垂直側壁に
より位置ずれが防止される。従って，光ファイバは，高
い精度で溝におさまるため，調芯の時間を短縮すること
が可能である。
【００２９】さらに，請求項５，６，７または８のいず
れかに記載の発明によれば，基板表面の開口部の幅が，
光ファイバの直径より広く，傾斜のついた側壁が形成さ
れる。光ファイバは，広い開口部から傾斜のついた側壁
を伝わり，側面が垂直な側壁におさまるため，高い精度
で溝におさまる。従って，調芯の時間を短縮することが
可能である。
れかに記載の発明によれば，基板表面の開口部の幅が，
光ファイバの直径より広く，傾斜のついた側壁が形成さ
れる。光ファイバは，広い開口部から傾斜のついた側壁
を伝わり，側面が垂直な側壁におさまるため，高い精度
で溝におさまる。従って，調芯の時間を短縮することが
可能である。
【図１】本発明にかかる光回路／光ファイバ接続方法の
一の実施の形態にかかる工程図であり，図１（Ａ）は基
板を示し，図１（Ｂ）は絶縁膜が成膜された状態を示
し，図１（Ｃ）は絶縁膜がエッチングされた状態を示
し，図１（Ｄ）は基板に垂直側壁が形成された状態を示
し，図１（Ｅ）は基板に傾斜側壁が形成された状態を示
し，図１（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続された状態を
示している。
一の実施の形態にかかる工程図であり，図１（Ａ）は基
板を示し，図１（Ｂ）は絶縁膜が成膜された状態を示
し，図１（Ｃ）は絶縁膜がエッチングされた状態を示
し，図１（Ｄ）は基板に垂直側壁が形成された状態を示
し，図１（Ｅ）は基板に傾斜側壁が形成された状態を示
し，図１（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続された状態を
示している。
【図２】本発明にかかる光回路／光ファイバ接続方法の
別の実施の形態にかかる工程図であり，図２（Ａ）は基
板を示し，図２（Ｂ）は絶縁膜が成膜された状態を示
し，図２（Ｃ）は絶縁膜がエッチングされた状態を示
し，図２（Ｄ）は基板に傾斜側壁が形成された状態を示
し，図２（Ｅ）は基板に垂直側壁が形成された状態を示
し，図２（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続された状態を
示している。
別の実施の形態にかかる工程図であり，図２（Ａ）は基
板を示し，図２（Ｂ）は絶縁膜が成膜された状態を示
し，図２（Ｃ）は絶縁膜がエッチングされた状態を示
し，図２（Ｄ）は基板に傾斜側壁が形成された状態を示
し，図２（Ｅ）は基板に垂直側壁が形成された状態を示
し，図２（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続された状態を
示している。
【図３】従来技術にかかる光回路／光ファイバ接続方法
の工程図であり，図３（Ａ）は基板を示し，図３（Ｂ）
は絶縁膜が成膜された状態を示し，図３（Ｃ）は絶縁膜
がエッチングされた状態を示し，図３（Ｄ）は基板にＶ
溝が形成された状態を示し，図３（Ｅ）は絶縁膜を除去
した状態を示し，図３（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続
された状態を示している。
の工程図であり，図３（Ａ）は基板を示し，図３（Ｂ）
は絶縁膜が成膜された状態を示し，図３（Ｃ）は絶縁膜
がエッチングされた状態を示し，図３（Ｄ）は基板にＶ
溝が形成された状態を示し，図３（Ｅ）は絶縁膜を除去
した状態を示し，図３（Ｆ）は，光ファイバが溝に接続
された状態を示している。
１１０ ＳｉＯ２基板 １１０ａ 垂直側壁 １１０ｂ 傾斜側壁 １２０ ＳｉＮｘ膜 １３０ 光ファイバ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板表面に前記基板表面と平行方向に光
ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光ファイバ接
続方法であって；マスクを用いてパターニングされた前
記基板表面に，光ファイバの直径と略同一の幅を有し，
かつ側面が垂直な第一の側壁を形成する工程と，前記第
一の側壁の底部に，基板内部に進むにつれて幅が狭くな
る傾斜のついた第二の側壁を，前記第一の側壁と略同一
方向に形成する工程と，を含むことを特徴とする，光回
路／光ファイバ接続方法。 - 【請求項２】 前記第一の側壁を形成する工程は，試料
の温度を常温に保持して行われることを特徴とする，請
求項１に記載の光回路／光ファイバ接続方法。 - 【請求項３】 前記第二の側壁を形成する工程は，試料
の温度を１５度〜マイナス３０度に保持して行われるこ
とを特徴とする，請求項１または２に記載の光回路／光
ファイバ接続方法。 - 【請求項４】 前記基板はＳｉＯ２基板であることを特
徴とする，請求項１２または３のいずれかに記載の光回
路／光ファイバ接続方法。 - 【請求項５】 基板表面に前記基板表面と平行方向に光
ファイバ位置決め用溝を形成する光回路／光ファイバ接
続方法であって；マスクを用いてパターニングされた前
記基板表面に，前記基板表面の開口部の幅は光ファイバ
の直径より広く，基板内部に進むにつれて幅が狭くな
り，前記光ファイバの直径と略同一になる傾斜のついた
第一の側壁を形成する工程と，前記第一の側壁の底部
に，前記光ファイバの直径と略同一の幅を有し，かつ側
面が垂直な第二の側壁を，前記第一の側壁と略同一方向
に形成する工程と，を含むことを特徴とする，光回路／
光ファイバ接続方法。 - 【請求項６】 前記第一の側壁を形成する工程は，試料
の温度を１５度〜マイナス３０度に保持して行われるこ
とを特徴とする，請求項５に記載の光回路／光ファイバ
接続方法。 - 【請求項７】 前記第二の側壁を形成する工程は，試料
の温度を常温に保持して行われることを特徴とする，請
求項５または６に記載の光回路／光ファイバ接続方法。 - 【請求項８】 前記基板はＳｉＯ２基板であることを特
徴とする，請求項５，６または７のいずれかに記載の光
回路／光ファイバ接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2638598A JPH11211933A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 光回路／光ファイバ接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2638598A JPH11211933A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 光回路／光ファイバ接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211933A true JPH11211933A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12192076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2638598A Withdrawn JPH11211933A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 光回路／光ファイバ接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11211933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029914A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Dispositif optique, système optique et procédé de fabrication de dispositif optique |
| WO2010024547A3 (ko) * | 2008-08-27 | 2010-06-10 | (주)웨이옵틱스 | 복심 광섬유 어레이 소자 및 그 제조방법 |
| KR101059800B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2011-08-26 | (주)웨이옵틱스 | 복심 광섬유 어레이 소자 및 그 제조방법 |
| JP2018530013A (ja) * | 2015-10-12 | 2018-10-11 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 導波路アクセス不可能スペースを有する光フェルール |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP2638598A patent/JPH11211933A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029914A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Dispositif optique, système optique et procédé de fabrication de dispositif optique |
| US8260095B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-09-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical device, optical system, and method of manufacturing optical device |
| WO2010024547A3 (ko) * | 2008-08-27 | 2010-06-10 | (주)웨이옵틱스 | 복심 광섬유 어레이 소자 및 그 제조방법 |
| KR101059800B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2011-08-26 | (주)웨이옵틱스 | 복심 광섬유 어레이 소자 및 그 제조방법 |
| JP2018530013A (ja) * | 2015-10-12 | 2018-10-11 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 導波路アクセス不可能スペースを有する光フェルール |
| US11307362B2 (en) | 2015-10-12 | 2022-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Optical ferrules with waveguide inaccessible space |
| US11880072B2 (en) | 2015-10-12 | 2024-01-23 | 3M Innovative Properties Company | Optical ferrules with waveguide inaccessible space |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |