JPH11209474A - ケイ素系高分子化合物の製造方法 - Google Patents
ケイ素系高分子化合物の製造方法Info
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- JPH11209474A JPH11209474A JP2144998A JP2144998A JPH11209474A JP H11209474 A JPH11209474 A JP H11209474A JP 2144998 A JP2144998 A JP 2144998A JP 2144998 A JP2144998 A JP 2144998A JP H11209474 A JPH11209474 A JP H11209474A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 下記式（１）
（ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１）
（式中、Ｒ1及びＲ3は水素原子、置換もしくは非置換の
一価炭化水素基又はアルコキシ基、Ｒ2は（ｍ＋１）価
の置換もしくは非置換の炭化水素基、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍは０，１又は２、ｎは０，１，２又は３、ｐ
は１，２又は３である。）で示されるハロゲノシランの
１種又は２種以上のハロゲノシラン混合物を金属ナトリ
ウムの存在下に重合反応させて、ケイ素系高分子化合物
を製造する方法において、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０よ
り大きい最終の仕込み比率条件で上記式（１）のハロゲ
ノシランの重合反応を行うことを特徴とするケイ素系高
分子化合物の製造方法。 【効果】 本発明によれば、反応生成物中に残存ナトリ
ウムがないためにアルコールを用いたクエンチを行わな
くても安全に後処理をすることが可能である。
一価炭化水素基又はアルコキシ基、Ｒ2は（ｍ＋１）価
の置換もしくは非置換の炭化水素基、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍは０，１又は２、ｎは０，１，２又は３、ｐ
は１，２又は３である。）で示されるハロゲノシランの
１種又は２種以上のハロゲノシラン混合物を金属ナトリ
ウムの存在下に重合反応させて、ケイ素系高分子化合物
を製造する方法において、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０よ
り大きい最終の仕込み比率条件で上記式（１）のハロゲ
ノシランの重合反応を行うことを特徴とするケイ素系高
分子化合物の製造方法。 【効果】 本発明によれば、反応生成物中に残存ナトリ
ウムがないためにアルコールを用いたクエンチを行わな
くても安全に後処理をすることが可能である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲノシラン類
と金属ナトリウムを反応させるウルツカップリング法に
よるケイ素系高分子化合物の改良された製造方法に関す
る。
と金属ナトリウムを反応させるウルツカップリング法に
よるケイ素系高分子化合物の改良された製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】主鎖骨
格にケイ素−ケイ素結合を含有し、側鎖に有機基を有す
るケイ素系高分子化合物の製造方法としては、ハロゲノ
シラン類と金属ナトリウムを反応させるウルツカップリ
ング法が最も一般的な方法として知られている。通常、
この反応は金属ナトリウムを特公昭６２−９６１２号、
特開平２−２６３８３１号、特開平８−２０８８４４号
公報に記載されているように、一般にハロゲン原子に対
して当モル又は過剰に使用し、反応終了後に残存するナ
トリウムをアルコールを用いてクエンチする。しかしな
がら、この方法は、非常に激しい反応であるため、内容
物が発熱によりオーバーフローしたり、あるいは、内容
物が粘稠である場合などは、水素ガスの発泡により系か
らオーバーフローしたりするため、着火源が付近にある
場合などは非常に危険を伴う方法である。
格にケイ素−ケイ素結合を含有し、側鎖に有機基を有す
るケイ素系高分子化合物の製造方法としては、ハロゲノ
シラン類と金属ナトリウムを反応させるウルツカップリ
ング法が最も一般的な方法として知られている。通常、
この反応は金属ナトリウムを特公昭６２−９６１２号、
特開平２−２６３８３１号、特開平８−２０８８４４号
公報に記載されているように、一般にハロゲン原子に対
して当モル又は過剰に使用し、反応終了後に残存するナ
トリウムをアルコールを用いてクエンチする。しかしな
がら、この方法は、非常に激しい反応であるため、内容
物が発熱によりオーバーフローしたり、あるいは、内容
物が粘稠である場合などは、水素ガスの発泡により系か
らオーバーフローしたりするため、着火源が付近にある
場合などは非常に危険を伴う方法である。
【０００３】従って、水素の発生しない安全なケイ素系
高分子化合物の製造方法が望まれている。
高分子化合物の製造方法が望まれている。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記要望に応えるため鋭意検討を行った結
果、本発明に到達した。
発明者は、上記要望に応えるため鋭意検討を行った結
果、本発明に到達した。
【０００５】即ち、本発明は、下記式（１） （ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１） （式中、Ｒ1及びＲ3は水素原子、置換もしくは非置換の
一価炭化水素基又はアルコキシ基、Ｒ2は（ｍ＋１）価
の置換もしくは非置換の炭化水素基、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍは０，１又は２、ｎは０，１，２又は３、ｐ
は１，２又は３である。）で示されるハロゲノシランの
１種又は２種以上のハロゲノシラン混合物を金属ナトリ
ウムの存在下に重合反応させて、ケイ素系高分子化合物
を製造する方法において、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０よ
り大きい最終の仕込み比率条件で上記式（１）のハロゲ
ノシランの重合反応を行うことを特徴とするケイ素系高
分子化合物の製造方法、及び、（Ｂ）Ｘ／Ｎａのモル比
が１．０以下の条件で式（１）のハロゲノシランの重合
反応を行った後、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０より大きく
なるように式（１）のハロゲノシランを追加して再度重
合反応を行うことを特徴とする（Ａ）記載のケイ素系高
分子化合物の製造方法を提供する。
一価炭化水素基又はアルコキシ基、Ｒ2は（ｍ＋１）価
の置換もしくは非置換の炭化水素基、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍは０，１又は２、ｎは０，１，２又は３、ｐ
は１，２又は３である。）で示されるハロゲノシランの
１種又は２種以上のハロゲノシラン混合物を金属ナトリ
ウムの存在下に重合反応させて、ケイ素系高分子化合物
を製造する方法において、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０よ
り大きい最終の仕込み比率条件で上記式（１）のハロゲ
ノシランの重合反応を行うことを特徴とするケイ素系高
分子化合物の製造方法、及び、（Ｂ）Ｘ／Ｎａのモル比
が１．０以下の条件で式（１）のハロゲノシランの重合
反応を行った後、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０より大きく
なるように式（１）のハロゲノシランを追加して再度重
合反応を行うことを特徴とする（Ａ）記載のケイ素系高
分子化合物の製造方法を提供する。
【０００６】本発明においては、最終的に過剰量のクロ
ロシラン類をナトリウムと反応させることにより、金属
ナトリウムを完全に消失させることができる。また、ア
ルコール等で処理した場合でも水素ガスがほとんど発生
しないため安全に後処理を行うことができる。更にこの
方法によれば、過剰のクロロシランは回収し、原料とし
て利用することが可能である。
ロシラン類をナトリウムと反応させることにより、金属
ナトリウムを完全に消失させることができる。また、ア
ルコール等で処理した場合でも水素ガスがほとんど発生
しないため安全に後処理を行うことができる。更にこの
方法によれば、過剰のクロロシランは回収し、原料とし
て利用することが可能である。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のケイ素系高分子化合物の製造方法において、出
発原料としては、下記式（１） （ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１） で示されるハロゲノシランを使用する。
本発明のケイ素系高分子化合物の製造方法において、出
発原料としては、下記式（１） （ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１） で示されるハロゲノシランを使用する。
【０００８】ここで、Ｒ1，Ｒ3は水素原子、一価炭化水
素基、アルコキシ基である。一価炭化水素基としては、
炭素数１〜１８、特に１〜１２のものが好ましく、非置
換でも置換炭化水素基でもよく、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアル
キル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等の
アラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブ
テニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の
一部又は全部をアルコキシ基、アミノ基、シリル基など
で置換した基を挙げることができる。
素基、アルコキシ基である。一価炭化水素基としては、
炭素数１〜１８、特に１〜１２のものが好ましく、非置
換でも置換炭化水素基でもよく、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアル
キル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等の
アラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブ
テニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の
一部又は全部をアルコキシ基、アミノ基、シリル基など
で置換した基を挙げることができる。
【０００９】Ｒ2は（ｍ＋１）価の炭化水素基である。
この場合、ｍは０，１又は２であり、従ってｍ＝０の場
合は一価炭化水素基、ｍ＝１の場合は二価炭化水素基、
ｍ＝２の場合は三価炭化水素基である。
この場合、ｍは０，１又は２であり、従ってｍ＝０の場
合は一価炭化水素基、ｍ＝１の場合は二価炭化水素基、
ｍ＝２の場合は三価炭化水素基である。
【００１０】即ち、式（１）は、ｍの数に応じ、下記の
ように表すことができる。
ように表すことができる。
【００１１】
【化１】 （式中、Ｒ4は一価炭化水素基、Ｒ5は二価炭化水素基、
Ｒ6は三価炭化水素基である。）
Ｒ6は三価炭化水素基である。）
【００１２】ここで、Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6において、その炭
素数は１〜１２、特に１〜６であることが好ましく、一
価炭化水素基の場合はＲ1，Ｒ3と同様の基が挙げられ
る。二価炭化水素基の例としてはＣ2Ｈ4等のアルキレン
基、Ｃ6Ｈ4等のアリーレン基、チエニレン基等の複素環
基、これらの結合した基などが挙げられ、その水素原子
の一部又は全部は上記と同様の置換基で置換されていて
もよい。三価炭化水素基の例としては、ＣxＨ2x-1，Ｃ6
Ｈ3等の基が挙げられ、これはその水素原子の一部又は
全部が上記と同様の置換基で置換されていてもよい。
素数は１〜１２、特に１〜６であることが好ましく、一
価炭化水素基の場合はＲ1，Ｒ3と同様の基が挙げられ
る。二価炭化水素基の例としてはＣ2Ｈ4等のアルキレン
基、Ｃ6Ｈ4等のアリーレン基、チエニレン基等の複素環
基、これらの結合した基などが挙げられ、その水素原子
の一部又は全部は上記と同様の置換基で置換されていて
もよい。三価炭化水素基の例としては、ＣxＨ2x-1，Ｃ6
Ｈ3等の基が挙げられ、これはその水素原子の一部又は
全部が上記と同様の置換基で置換されていてもよい。
【００１３】Ｘはハロゲン原子であり、典型的には塩素
原子、臭素原子である。また、ｎは０，１，２又は３、
ｐは１，２又は３である。
原子、臭素原子である。また、ｎは０，１，２又は３、
ｐは１，２又は３である。
【００１４】本発明においては、上記式（１）のハロゲ
ノシラン類を金属ナトリウムの存在下に重合反応させる
が、この場合、ナトリウム金属を不活性溶剤中（トルエ
ン、キシレン、オクタン、デカン、ドデカン等）、ナト
リウム融点以上の温度において激しく撹拌することによ
りナトリウムディスパージョンを調製し、−１５０℃〜
２５０℃の反応温度条件下これに上記式（１）のハロゲ
ノシラン類を滴下して反応を行うことが好ましい。
ノシラン類を金属ナトリウムの存在下に重合反応させる
が、この場合、ナトリウム金属を不活性溶剤中（トルエ
ン、キシレン、オクタン、デカン、ドデカン等）、ナト
リウム融点以上の温度において激しく撹拌することによ
りナトリウムディスパージョンを調製し、−１５０℃〜
２５０℃の反応温度条件下これに上記式（１）のハロゲ
ノシラン類を滴下して反応を行うことが好ましい。
【００１５】本発明では、この重合反応を上記式（１）
で示されるハロゲノシラン類をＸ／Ｎａのモル比が１．
０より大きくなるように滴下し、十分なる時間反応させ
てケイ素系高分子化合物を製造するか、あるいは、Ｘ／
Ｎａのモル比が１．０以下の条件下で十分なる時間反応
させた後、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０より大きくなるよ
うに式（１）のハロゲノシラン類を追加して再度反応さ
せ、ケイ素系高分子化合物を製造する。これにより、ハ
ロゲノシラン類と金属ナトリウムとの反応によりポリシ
ランを製造する方法において、従来法ではアルコール類
を用いて未反応のナトリウムをクエンチしており、この
方法では水素が発生し、危険を伴うものであるが、最終
的に過剰量のクロロシラン類を反応させることで、金属
ナトリウムを完全に消失させることができ、アルコール
等で処理をした場合でも水素ガスがほとんど発生しない
ため安全に後処理を行うことができるものである。
で示されるハロゲノシラン類をＸ／Ｎａのモル比が１．
０より大きくなるように滴下し、十分なる時間反応させ
てケイ素系高分子化合物を製造するか、あるいは、Ｘ／
Ｎａのモル比が１．０以下の条件下で十分なる時間反応
させた後、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０より大きくなるよ
うに式（１）のハロゲノシラン類を追加して再度反応さ
せ、ケイ素系高分子化合物を製造する。これにより、ハ
ロゲノシラン類と金属ナトリウムとの反応によりポリシ
ランを製造する方法において、従来法ではアルコール類
を用いて未反応のナトリウムをクエンチしており、この
方法では水素が発生し、危険を伴うものであるが、最終
的に過剰量のクロロシラン類を反応させることで、金属
ナトリウムを完全に消失させることができ、アルコール
等で処理をした場合でも水素ガスがほとんど発生しない
ため安全に後処理を行うことができるものである。
【００１６】なお、重合反応後はヘキサン等のアルカン
類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール
類等のケイ素系高分子化合物に対し溶解性の乏しい有機
溶剤を添加し、ポリマーを沈殿させ、ポリマーを取り出
すことが好ましい。特にヘキサン等のアルカン類でポリ
マー取り出す方法は、原料シラン及びオリゴシランを回
収するのに好適である。
類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール
類等のケイ素系高分子化合物に対し溶解性の乏しい有機
溶剤を添加し、ポリマーを沈殿させ、ポリマーを取り出
すことが好ましい。特にヘキサン等のアルカン類でポリ
マー取り出す方法は、原料シラン及びオリゴシランを回
収するのに好適である。
【００１７】一方、ポリマーを取り除いた溶液は回収
し、次の重合において原料シランの一部として用いるこ
とができる。即ち、回収物は、未反応物及び一部反応物
（ハロゲノシラン類、ハロゲノオリゴシラン類）を含有
しており、再利用することによって収率が向上する。
し、次の重合において原料シランの一部として用いるこ
とができる。即ち、回収物は、未反応物及び一部反応物
（ハロゲノシラン類、ハロゲノオリゴシラン類）を含有
しており、再利用することによって収率が向上する。
【００１８】本発明は、上述したように、式（１） （ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１） のハロゲノシランの１種又は２種以上を金属ナトリウム
の存在下に重合反応させてなるケイ素系高分子化合物を
製造するものであるが、この場合、式（１）においてｍ
＝０の場合、即ちハロゲノシランが ＳｉＲ4Ｒ3 3-pＸp （１ａ） の場合、得られるケイ素系高分子化合物としては最も単
純な系として下記のものが例示される。
の存在下に重合反応させてなるケイ素系高分子化合物を
製造するものであるが、この場合、式（１）においてｍ
＝０の場合、即ちハロゲノシランが ＳｉＲ4Ｒ3 3-pＸp （１ａ） の場合、得られるケイ素系高分子化合物としては最も単
純な系として下記のものが例示される。
【００１９】
【化２】 （式中、Ｒ13，Ｒ14はＲ3，Ｒ4で定義したと同様の一価
炭化水素基である。また、ｚ及びｘ＋ｙはケイ素系高分
子化合物を所用の重量平均分子量とする数であるが、こ
の場合、ケイ素系高分子化合物の重量平均分子量は１０
０〜１０，０００，０００の範囲にあることが好まし
い。）
炭化水素基である。また、ｚ及びｘ＋ｙはケイ素系高分
子化合物を所用の重量平均分子量とする数であるが、こ
の場合、ケイ素系高分子化合物の重量平均分子量は１０
０〜１０，０００，０００の範囲にあることが好まし
い。）
【００２０】また、式（１）においてｍ＝１の場合、即
ち ＸnＲ1 3-nＳｉ−Ｒ5−ＳｉＲ3 3-pＸp （１ｂ） を用いる場合、以下のケイ素系高分子化合物を得ること
ができる。
ち ＸnＲ1 3-nＳｉ−Ｒ5−ＳｉＲ3 3-pＸp （１ｂ） を用いる場合、以下のケイ素系高分子化合物を得ること
ができる。
【００２１】
【化３】 （式中、Ｒ11，Ｒ13はＲ1，Ｒ3で定義したと同様の一価
炭化水素基、Ｒ15はＲ5で定義したと同様の二価炭化水
素基である。）
炭化水素基、Ｒ15はＲ5で定義したと同様の二価炭化水
素基である。）
【００２２】なお、ｍ＝０のハロゲノシランとｍ＝１の
ハロゲノシランを併用した場合、下記のケイ素系高分子
化合物を得ることができる。
ハロゲノシランを併用した場合、下記のケイ素系高分子
化合物を得ることができる。
【００２３】
【化４】
【００２４】更に、ｍ＝３の場合、例えば下記のケイ素
系高分子化合物を得ることができる。
系高分子化合物を得ることができる。
【００２５】
【化５】
【００２６】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
【００２７】〔実施例１〕窒素気流下、四つ口フラスコ
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン１１．５ｇ（６０ｍｍｏｌ）を１０
分で滴下したところ、反応は発熱的に進行し、溶液が紫
色に呈色した。滴下終了後、２時間還流・撹拌を行っ
た。反応終了後、濾過を行い、塩類を除去した。濾液に
ヘキサン１００ｍｌを用いてポリマーを沈殿させ、濾別
をすることにより、メチルフェニルポリシラン（Ｍｎ：
７，３００、Ｍｗ：２０，４００）を白色固体として
２．４ｇ得た。除去した塩類にアルコールを添加して
も、水素ガスは全く発生せずに安全に後処理することが
できた。
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン１１．５ｇ（６０ｍｍｏｌ）を１０
分で滴下したところ、反応は発熱的に進行し、溶液が紫
色に呈色した。滴下終了後、２時間還流・撹拌を行っ
た。反応終了後、濾過を行い、塩類を除去した。濾液に
ヘキサン１００ｍｌを用いてポリマーを沈殿させ、濾別
をすることにより、メチルフェニルポリシラン（Ｍｎ：
７，３００、Ｍｗ：２０，４００）を白色固体として
２．４ｇ得た。除去した塩類にアルコールを添加して
も、水素ガスは全く発生せずに安全に後処理することが
できた。
【００２８】〔実施例２〕窒素気流下、四つ口フラスコ
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）を１０分
で滴下したところ、反応は発熱的に進行し、溶液が紫色
に呈色した。滴下終了後、２時間還流・撹絆を行った。
更にフェニルメチルジクロロシラン１．９ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）を２分で滴下し、３０分反応させた。反応終了
後、濾過を行い、塩類を除去した。濾液にヘキサン１０
０ｍｌを用いてポリマーを沈殿させ、濾別をすることに
より、メチルフェニルポリシラン（Ｍｎ：１０，２０
０、Ｍｗ：３１，４２０）を白色固体として２．５ｇ得
た。除去した塩類にアルコールを添加しても、水素ガス
は全く発生せずに安全に後処理することができた。
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）を１０分
で滴下したところ、反応は発熱的に進行し、溶液が紫色
に呈色した。滴下終了後、２時間還流・撹絆を行った。
更にフェニルメチルジクロロシラン１．９ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）を２分で滴下し、３０分反応させた。反応終了
後、濾過を行い、塩類を除去した。濾液にヘキサン１０
０ｍｌを用いてポリマーを沈殿させ、濾別をすることに
より、メチルフェニルポリシラン（Ｍｎ：１０，２０
０、Ｍｗ：３１，４２０）を白色固体として２．５ｇ得
た。除去した塩類にアルコールを添加しても、水素ガス
は全く発生せずに安全に後処理することができた。
【００２９】〔実施例３〕実施例２において、ポリマー
を除いた濾液を濃縮し、クロロシラン類を回収した。こ
れをフェニルメチルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍ
ｏｌ）と混合し反応を実施例２と同様に行った結果、メ
チルフェニルポリシラン（Ｍｎ：１１，５００、Ｍｗ：
３３，２００）を白色固体として３．５ｇ得た。
を除いた濾液を濃縮し、クロロシラン類を回収した。こ
れをフェニルメチルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍ
ｏｌ）と混合し反応を実施例２と同様に行った結果、メ
チルフェニルポリシラン（Ｍｎ：１１，５００、Ｍｗ：
３３，２００）を白色固体として３．５ｇ得た。
【００３０】〔実施例４〕窒素気流下、四つ口フラスコ
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ビス
（ジメチルクロロシリル）ベンゼン２．６ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）を１０分で滴下したところ、反応は発熱的に進行
し、溶液が紫色に呈色した。滴下終了後、２時間還流・
撹拌を行った。反応終了後、濾過を行い、塩類を除去し
た。濾液にヘキサン１００ｍｌを用いてポリマーを沈殿
させ、濾別をすることにより、［（ＭｅＰｈＳｉ）
5（Ｍｅ2Ｓｉ−Ｃ6Ｈ4−ＳｉＭｅ2）1］n（Ｍｎ：１
１，０００、Ｍｗ：４６，０００）を白色固体として
３．２ｇ得た。除去した塩類にアルコールを添加して
も、水素ガスは全く発生せずに安全に後処理することが
できた。
に金属ナトリウム２．５３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、キシ
レン３０ｇを収め、１４０℃で加熱・撹拌して微細なナ
トリウムディスパージョンを形成させた後、フェニルメ
チルジクロロシラン９．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ビス
（ジメチルクロロシリル）ベンゼン２．６ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）を１０分で滴下したところ、反応は発熱的に進行
し、溶液が紫色に呈色した。滴下終了後、２時間還流・
撹拌を行った。反応終了後、濾過を行い、塩類を除去し
た。濾液にヘキサン１００ｍｌを用いてポリマーを沈殿
させ、濾別をすることにより、［（ＭｅＰｈＳｉ）
5（Ｍｅ2Ｓｉ−Ｃ6Ｈ4−ＳｉＭｅ2）1］n（Ｍｎ：１
１，０００、Ｍｗ：４６，０００）を白色固体として
３．２ｇ得た。除去した塩類にアルコールを添加して
も、水素ガスは全く発生せずに安全に後処理することが
できた。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、反応生成物中に残存ナ
トリウムがないためにアルコールを用いたクエンチを行
わなくても安全に後処理をすることが可能である。
トリウムがないためにアルコールを用いたクエンチを行
わなくても安全に後処理をすることが可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【化２】 （式中、Ｒ13，Ｒ14はＲ3，Ｒ4で定義したと同様の一価
炭化水素基である。また、ｚ及びｘ＋ｙはケイ素系高分
子化合物を所用の重量平均分子量とする数であるが、こ
の場合、ケイ素系高分子化合物の重量平均分子量は１０
０〜１０，０００，０００の範囲にあることが好まし
い。）
炭化水素基である。また、ｚ及びｘ＋ｙはケイ素系高分
子化合物を所用の重量平均分子量とする数であるが、こ
の場合、ケイ素系高分子化合物の重量平均分子量は１０
０〜１０，０００，０００の範囲にあることが好まし
い。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】更に、ｍ＝２の場合、例えば下記のケイ素
系高分子化合物を得ることができる。
系高分子化合物を得ることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記式（１） （ＸnＲ1 3-nＳｉ）m−Ｒ2−ＳｉＲ3 3-pＸp （１） （式中、Ｒ1及びＲ3は水素原子、置換もしくは非置換の
一価炭化水素基又はアルコキシ基、Ｒ2は（ｍ＋１）価
の置換もしくは非置換の炭化水素基、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍは０，１又は２、ｎは０，１，２又は３、ｐ
は１，２又は３である。）で示されるハロゲノシランの
１種又は２種以上のハロゲノシラン混合物を金属ナトリ
ウムの存在下に重合反応させて、ケイ素系高分子化合物
を製造する方法において、Ｘ／Ｎａのモル比が１．０よ
り大きい最終の仕込み比率条件で上記式（１）のハロゲ
ノシランの重合反応を行うことを特徴とするケイ素系高
分子化合物の製造方法。 - 【請求項２】 Ｘ／Ｎａのモル比が１．０以下の条件で
式（１）のハロゲノシランの重合反応を行った後、Ｘ／
Ｎａのモル比が１．０より大きくなるように式（１）の
ハロゲノシランを追加して再度重合反応を行うことを特
徴とする請求項１記載のケイ素系高分子化合物の製造方
法。 - 【請求項３】 有機溶剤と金属ナトリウムの微粒子の存
在する反応容器に式（１）のハロゲノシランを滴下し
て、重合反応を行う請求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 重合反応終了後、ケイ素系高分子化合物
に対し溶解性の乏しい有機溶剤を添加し、ポリマーを沈
殿させて取り出す請求項１、２又は３記載の製造方法。 - 【請求項５】 ポリマーを取り除いた有機溶剤中の未反
応物及び一部反応物を次の重合において原料ハロゲノシ
ランとして、あるいはその一部として用いる請求項４記
載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144998A JPH11209474A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144998A JPH11209474A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11209474A true JPH11209474A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=12055285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144998A Pending JPH11209474A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | ケイ素系高分子化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11209474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167438A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
| JP2007106894A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Nippon Soda Co Ltd | ポリシランの製造方法 |
| CN100455619C (zh) * | 2003-09-01 | 2009-01-28 | 三星电子株式会社 | 新颖的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的层间绝缘膜 |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP2144998A patent/JPH11209474A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167438A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
| CN100455619C (zh) * | 2003-09-01 | 2009-01-28 | 三星电子株式会社 | 新颖的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的层间绝缘膜 |
| JP2007106894A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Nippon Soda Co Ltd | ポリシランの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |