JPH11194581A - Ion generator and electrophotographic recorder - Google Patents

Ion generator and electrophotographic recorder

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Publication number
JPH11194581A
JPH11194581A JP36082397A JP36082397A JPH11194581A JP H11194581 A JPH11194581 A JP H11194581A JP 36082397 A JP36082397 A JP 36082397A JP 36082397 A JP36082397 A JP 36082397A JP H11194581 A JPH11194581 A JP H11194581A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
electrode
ion generator
photoconductor
temperature control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP36082397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsukasa Sugano
司 菅野
Shiro Ezaki
史郎 江崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp, Toshiba AVE Co Ltd filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP36082397A priority Critical patent/JPH11194581A/en
Publication of JPH11194581A publication Critical patent/JPH11194581A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve temperature control characteristics. SOLUTION: First electrodes 2 and second electrodes 4 are laminated across a dielectric layer 3 on the surface of an insulating substrate 1, the insulating substrate 1 is made narrow in width while securing a sufficient ion generated quantity, and temperature control heaters 6 are provided on the surface of the insulating substrate 1. The reaction rate by the control of the temperature control heaters 6 at an ion generating portion, i.e., the peripheral portion of the gap G between the first electrodes 2 and the second electrodes 4 is increased, and a temperature control characteristic is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン発生装置お
よび電子写真記録装置に関する。
[0001] The present invention relates to an ion generator and an electrophotographic recording apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、複写機やレーザプリンタ等の電子
写真記録装置においては、帯電装置や転写装置として、
タングステンワイヤ等を主体とするコロナチャージャが
一般に用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an electrophotographic recording apparatus such as a copying machine or a laser printer, a charging device or a transfer device is used as a charging device or a transfer device.
A corona charger mainly comprising a tungsten wire or the like is generally used.

【0003】これに対し、近年、絶縁基板上に形成され
た2つの電極間に交流電圧を印加し、2つ電極間の放電
により付近の空気をイオン化させるイオン発生装置が開
発されている。このようなイオン発生装置は、例えば、
特開昭63−159883号公報、特開平5−2782
58号公報、特開平6−75457号公報、特開平8−
82980号公報に開示されている。また、これらの各
公報には、そのようなイオン発生装置を電子写真記録装
置における帯電装置等に利用することが開示されてい
る。このようなイオン発生装置の一例を図7に基づいて
説明する。
On the other hand, in recent years, an ion generator has been developed which applies an AC voltage between two electrodes formed on an insulating substrate and ionizes nearby air by discharging between the two electrodes. Such an ion generator, for example,
JP-A-63-159883, JP-A-5-2782
No. 58, JP-A-6-75457, JP-A-8-75
No. 82980. Each of these publications discloses that such an ion generator is used as a charging device in an electrophotographic recording device. An example of such an ion generator will be described with reference to FIG.

【0004】図7は、従来のイオン発生装置の一例を示
す縦断正面図である。まず、絶縁基板101の上に誘導
電極102が膜状形成され、この誘導電極102と共に
絶縁基板101が誘電体層103に覆われている。この
誘電体層103の上には2つの放電領域を有するイオン
発生電極104が膜状形成されており、誘導電極102
とイオン発生電極104の間には、誘電体層103を挟
んでギャップGが形成されている。そして、誘電体層1
03及びイオン発生電極104は、保護層105で覆わ
れているのが一般的である。
FIG. 7 is a vertical sectional front view showing an example of a conventional ion generator. First, an induction electrode 102 is formed in a film on an insulating substrate 101, and the insulating substrate 101 is covered with a dielectric layer 103 together with the induction electrode 102. An ion generating electrode 104 having two discharge regions is formed on the dielectric layer 103 in a film-like manner.
A gap G is formed between the electrode and the ion generation electrode 104 with the dielectric layer 103 interposed therebetween. And the dielectric layer 1
03 and the ion generating electrode 104 are generally covered with a protective layer 105.

【0005】このようにして形成されたイオン発生装置
は、電子写真記録装置の感光体106に所定の間隔を開
けて対向配置され使用される。つまり、帯電装置として
使用する場合、高周波電源107によって誘導電極10
2とイオン発生電極104との間に高周波電圧を印加す
ると、誘導電極102とイオン発生電極104との間の
放電によってギャップGの近傍に高密度の正負イオンが
発生する(図7中、矢印で示す)。そして、イオン発生
電極104と感光体106との間に直流電源108より
負のバイアス電圧を印加すると、発生した正負イオンの
うちの負イオンが感光体106に作用し、これにより感
光体106が一様帯電される。この場合、感光体106
の帯電電位は、イオン発生電極104と感光体106と
の間に印加するバイアス電圧を調節することによって設
定可能である。
[0005] The ion generator thus formed is used by being opposed to the photosensitive member 106 of the electrophotographic recording apparatus at a predetermined interval. That is, when used as a charging device, the induction electrode 10 is
When a high-frequency voltage is applied between the electrode 2 and the ion generating electrode 104, high-density positive and negative ions are generated in the vicinity of the gap G due to the discharge between the induction electrode 102 and the ion generating electrode 104 (in FIG. Shown). When a negative bias voltage is applied from the DC power supply 108 between the ion generating electrode 104 and the photoconductor 106, negative ions of the generated positive and negative ions act on the photoconductor 106, thereby causing the photoconductor 106 to Charged. In this case, the photoconductor 106
Can be set by adjusting a bias voltage applied between the ion generating electrode 104 and the photoconductor 106.

【0006】次いで、誘導電極102とイオン発生電極
104との間の放電によってより効率よくイオンを発生
させるためには、イオン発生装置を適正温度に昇温させ
ておく必要がある。このため、絶縁基板101にヒータ
等を設けてイオン発生装置を温度制御するように構成す
るのが一般的である。例えば、特開昭63−15988
3号公報には絶縁基板の表面に発熱抵抗体層を形成する
ことが、特開平5−278258号公報には絶縁基板の
裏面に発熱抵抗体層を形成することがそれぞれ開示され
ている。
Next, in order to generate ions more efficiently by the discharge between the induction electrode 102 and the ion generation electrode 104, it is necessary to raise the temperature of the ion generator to an appropriate temperature. For this reason, it is common to provide a heater or the like on the insulating substrate 101 to control the temperature of the ion generator. For example, JP-A-63-15988
No. 3 discloses forming a heating resistor layer on the surface of an insulating substrate, and JP-A-5-278258 discloses forming a heating resistor layer on the back surface of an insulating substrate.

【0007】一方、図7に例示するようなイオン発生装
置は、電子写真記録装置において帯電装置や転写装置等
として利用され、この場合には小型であるという利点が
活かされて感光体回りの小型化に寄与する。例えば帯電
装置として利用される場合、イオン発生装置は感光体に
対して1mm程度の間隔を開けて対向配置される。この
場合、イオン発生装置の保持構造としては、イオン発生
装置の長手方向両端部を保持部材に保持させるのが一般
的であるが、それではイオン発生装置の両端部を保持す
る保持部材が感光体の両端から突出し、小型であるとい
うイオン発生装置の利点が損なわれてしまう。また、イ
オン発生装置はそれ自体ある程度の柔軟性を有するた
め、その両端を保持する構造では感光体とイオン発生装
置との対向間隔が場所によって変動し、均一な帯電等を
行なうことができなくなってしまう。その反面、あまり
広い接触面積をもってイオン発生装置を保持するように
すると、保持部材の熱容量によって、イオン発生装置を
適正温度まで昇温させるのに多くの時間が必要になって
しまう。このようなことから、従来、図8に例示するよ
うな構造のイオン発生装置の保持構造が考え出されてい
る。図8は、ホルダと一体化されたイオン発生装置の正
面図である。図8に示すように、イオン発生装置は、図
7に図示しない誘導電極102とイオン発生電極104
とのパターンにより形成されたイオン発生面109を表
面側に向けられた状態でホルダ110に保持されてい
る。このホルダ110は、イオン発生装置の両側部を一
対の保持溝111で挿入保持する構造である。また、イ
オン発生装置にはその裏面側に発熱パターン112が形
成されており、この発熱パターン112を含むイオン発
生装置の裏面とホルダ110との間には放熱空間113
が形成されている。この放熱空間113は、イオン発生
装置からホルダ110への熱伝導を妨げてイオン発生装
置の熱容量を小さくするためのものである。
On the other hand, an ion generator as exemplified in FIG. 7 is used as a charging device or a transfer device in an electrophotographic recording device. In this case, the advantage of the small size is utilized to take advantage of the small size around the photoreceptor. Contributes to For example, when used as a charging device, the ion generating device is opposed to the photosensitive member at an interval of about 1 mm. In this case, as a holding structure of the ion generator, it is common to hold both ends in the longitudinal direction of the ion generator with a holding member. In this case, the holding members holding the both ends of the ion generator are provided on the photosensitive member. The advantages of the ion generator, which is protruded from both ends and is small, are impaired. In addition, since the ion generator itself has a certain degree of flexibility, the opposing distance between the photoreceptor and the ion generator varies depending on the location in a structure that holds both ends of the ion generator, so that uniform charging or the like cannot be performed. I will. On the other hand, if the ion generator is held with an excessively large contact area, much time is required to raise the temperature of the ion generator to an appropriate temperature due to the heat capacity of the holding member. For this reason, a holding structure of an ion generator having a structure as illustrated in FIG. 8 has been conventionally devised. FIG. 8 is a front view of the ion generator integrated with the holder. As shown in FIG. 8, the ion generator includes an induction electrode 102 and an ion generation electrode 104 not shown in FIG.
Are held by the holder 110 in a state where the ion generation surface 109 formed by this pattern is directed to the front surface side. The holder 110 has a structure in which both sides of the ion generator are inserted and held by a pair of holding grooves 111. A heat generating pattern 112 is formed on the back side of the ion generator, and a heat radiation space 113 is provided between the back surface of the ion generator including the heat generating pattern 112 and the holder 110.
Are formed. The heat radiating space 113 prevents heat conduction from the ion generator to the holder 110 to reduce the heat capacity of the ion generator.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来のイオン発生装置
では、所望の温度を維持するために定常(収束)状態で
所望の温度特性になるようにヒータに通電することにな
る。この場合、特開平5−278258号公報に記載さ
れた発明のようにヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶縁
基板の裏面に設けられていると、昇温制御が必要な絶縁
基板表面について一般的に要求されている温度立ち上が
り時間を実現することができない。また、実際に温度制
御したい絶縁基板表面の温度変化に対して制御遅延が発
生してしまい、温度制御を精度良く行うことが困難であ
る。これに対し、特開昭63−159883号公報に記
載された発明では、ヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶
縁基板表面に形成されているが、イオン発生部におい
て、誘導電極とイオン発生電極とに相当する2つの電極
が2次元上に並列に配置されているという構造上、十分
なイオン発生量を得ようとするとどうしても絶縁基板の
幅が広くなってしまい、特開平5−278258号公報
に記載された発明と同様の問題が生じてしまう。
In the conventional ion generator, in order to maintain a desired temperature, the heater is energized so as to have a desired temperature characteristic in a steady (convergent) state. In this case, if a heating resistor having a heater function is provided on the back surface of the insulating substrate as in the invention described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-278258, the surface of the insulating substrate that needs to be heated is generally controlled. The required temperature rise time cannot be achieved. In addition, a control delay occurs with respect to a temperature change on the surface of the insulating substrate that the user actually wants to control, and it is difficult to control the temperature accurately. On the other hand, in the invention described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-159883, a heating resistor having a heater function is formed on the surface of the insulating substrate. Due to the structure in which the corresponding two electrodes are arranged in two dimensions in parallel, if an attempt is made to obtain a sufficient amount of generated ions, the width of the insulating substrate is inevitably increased, which is described in JP-A-5-278258. The same problem as in the invention of the present invention occurs.

【0009】また、図8に例示するようなホルダ110
によるイオン発生装置の保持構造は、空間113を設け
てイオン発生装置における絶縁基板の熱容量を小さくす
るという工夫がなされている。これは、絶縁基板を温度
制御する際に、必要とする温度まで絶縁基板を昇温する
ための時間を短縮することができるという利点を考慮し
たものである。ところが、イオン発生装置では、調節す
る温度が比較的常温に近いため、図8に例示するような
絶縁基板の保持構造を採用して絶縁基板の熱容量を小さ
くすると、常温よりも高いが常温に近い温度領域での温
度調節が困難になってしまうという問題が生ずる。これ
は、周囲温度と温調温度とが近いため、ヒータオフ時の
放熱が遅く、一度上がった温度がなかなか下がらなくな
るためである。
A holder 110 as shown in FIG.
Is designed to provide a space 113 to reduce the heat capacity of the insulating substrate in the ion generator. This takes into account the advantage of reducing the time required to raise the temperature of the insulating substrate to a required temperature when controlling the temperature of the insulating substrate. However, in the ion generator, the temperature to be adjusted is relatively close to normal temperature. Therefore, when the heat capacity of the insulating substrate is reduced by employing an insulating substrate holding structure as illustrated in FIG. 8, the temperature is higher than normal temperature but close to normal temperature. There is a problem that it becomes difficult to control the temperature in the temperature range. This is because the ambient temperature and the temperature regulation temperature are close to each other, so that the heat radiation when the heater is turned off is slow, and the temperature once increased hardly decreases.

【0010】本発明の目的は、イオン発生装置において
温度制御特性を向上させることである。
An object of the present invention is to improve the temperature control characteristics in an ion generator.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のイオン発
生装置は、少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基板
と;絶縁基板上に形成された第1電極と;絶縁基板およ
び第1電極を覆う誘電体層と;誘電体層上に形成され、
第1電極との間で放電を生起させ得る第2電極と;第2
電極を覆う保護層と;絶縁基板の表面側に設けられた温
度制御用ヒータと;を備える。したがって、第1電極と
第2電極との間に高周波電圧を印加すると、第1電極と
第2電極との間の放電によって高密度の正負イオンが発
生する。そこで、本発明のイオン発生装置を例えば感光
体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャッ
プを感光体に対向させて第2電極と感光体との間に負の
バイアス電圧を印加する。これにより、ギャップ近傍に
発生した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用し
て感光体が一様帯電される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an ion generating apparatus comprising: an insulating substrate having at least a surface having an insulating property; a first electrode formed on the insulating substrate; and covering the insulating substrate and the first electrode. A dielectric layer; formed on the dielectric layer;
A second electrode capable of causing a discharge between the first electrode and the second electrode;
A protection layer covering the electrodes; and a temperature control heater provided on the front surface side of the insulating substrate. Therefore, when a high-frequency voltage is applied between the first electrode and the second electrode, high-density positive and negative ions are generated by the discharge between the first electrode and the second electrode. Therefore, when the ion generator of the present invention is used as, for example, a charging device for charging a photoconductor, a negative bias voltage is applied between the second electrode and the photoconductor with the gap facing the photoconductor. As a result, the negative ions of the positive and negative ions generated near the gap act on the photoconductor, and the photoconductor is uniformly charged.

【0012】そして、請求項1記載のイオン発生装置で
は、温度制御用ヒータが絶縁基板の表面側に設けられて
いるために、温度制御用ヒータの動作状態に対する絶縁
基板表面に設けられたイオン発生部分の温度反応速度が
高まる。しかも、第1電極と第2電極とが積層構造とな
っているために電極間密度が高まり、絶縁基板を幅広に
することなく十分なイオン発生量が得られる。この面か
らも、温度制御用ヒータの動作状態に対するイオン発生
部分の温度反応速度が高まる。よって、イオン発生部分
の温度制御が高精度に行われ、温度制御特性が向上す
る。
According to the first aspect of the present invention, since the temperature control heater is provided on the surface side of the insulating substrate, the ion generating device provided on the surface of the insulating substrate with respect to the operation state of the temperature control heater is provided. The temperature reaction rate of the part increases. Moreover, since the first electrode and the second electrode have a laminated structure, the density between the electrodes is increased, and a sufficient amount of ions can be obtained without increasing the width of the insulating substrate. From this aspect as well, the temperature response speed of the ion generating portion with respect to the operation state of the temperature control heater increases. Therefore, the temperature control of the ion generating portion is performed with high accuracy, and the temperature control characteristics are improved.

【0013】ここで、請求項1記載の発明において、
「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用いられ、
この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスクリーン
印刷により形成されている。「第1電極」および「第2
電極」は、例えば銀系(銀/パラジウム、銀/白金等)
や金系の厚膜導体である。「誘電体層」は、例えばガラ
ス絶縁層(ホウ珪酸鉛系ガラスやアルミナフィラーを含
有するホウ珪酸鉛系ガラス等)であり、その厚さは例え
ば20〜40μm程度に形成されている。「保護層」と
しては、ガラス系(ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等)ま
たは樹脂系(ポリイミド、エポキシ、シリコーン)等が
用いられ、その厚さは例えば10μm程度以下である。
そして、「温度制御用ヒータ」は、例えば銀系(銀/パ
ラジウム、銀/白金等)の厚膜導体により形成されてい
る。
Here, in the first aspect of the present invention,
As the “insulating substrate”, for example, alumina or the like is used,
Each part laminated on the insulating substrate is formed by, for example, screen printing. "First electrode" and "second electrode"
The “electrode” is, for example, silver (silver / palladium, silver / platinum, etc.)
Or a thick metal conductor. The “dielectric layer” is, for example, a glass insulating layer (lead borosilicate glass, lead borosilicate glass containing an alumina filler, or the like), and has a thickness of, for example, about 20 to 40 μm. As the “protective layer”, a glass type (lead borosilicate glass, silica, etc.) or a resin type (polyimide, epoxy, silicone) or the like is used, and its thickness is, for example, about 10 μm or less.
The "temperature control heater" is formed of, for example, a thick-film conductor of silver (silver / palladium, silver / platinum, etc.).

【0014】請求項2記載の発明は、請求項1記載のイ
オン発生装置において、温度制御用ヒータは、絶縁基板
の長手方向に沿い、少なくとも一部が絶縁基板の中央部
から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形
成されている。したがって、温度制御用ヒータの発熱温
度はその両端ほど高まるため、両端ほど放熱が大きくな
る絶縁基板の温度特性が補完され、イオン発生部分の温
度制御がイオン発生部分のどの部分においても均等に行
われる。この場合、温度制御ヒータのテーパは、その中
央から絶縁基板長の1〜49%、例えば20%程度の位
置から始まり、温度制御ヒータ中の最も幅広の部分を1
00%とした場合に、テーパによる絞り率は5〜70
%、例えば30%程度に設定されている。
According to a second aspect of the present invention, in the ion generator according to the first aspect, the temperature control heater extends along the longitudinal direction of the insulating substrate, and at least a part thereof approaches the central portion of the insulating substrate from both ends. It is formed in a narrow tapered shape. Therefore, since the heat generation temperature of the temperature control heater increases at both ends, the temperature characteristics of the insulating substrate, in which heat dissipation increases at both ends, are complemented, and the temperature control of the ion generating portion is performed uniformly in any portion of the ion generating portion. . In this case, the taper of the temperature control heater starts from a position of 1 to 49%, for example, about 20% of the length of the insulating substrate from its center, and the widest part in the temperature control heater is 1
When it is set to 00%, the drawing ratio by the taper is 5 to 70.
%, For example, about 30%.

【0015】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載のイオン発生装置において、温度制御用ヒータは、
誘電体層または保護層に埋設されている。これにより、
温度制御用ヒータの動作状態に対する絶縁基板表面の温
度反応速度が一層高まり、イオン発生装置におけるイオ
ン発生部分の温度制御がより高精度に行われる。
The third aspect of the present invention provides the first or second aspect.
In the ion generator described, the temperature control heater is:
It is embedded in a dielectric layer or a protective layer. This allows
The temperature reaction speed of the surface of the insulating substrate with respect to the operation state of the temperature control heater is further increased, and the temperature control of the ion generating portion in the ion generator is performed with higher accuracy.

【0016】請求項4記載のイオン発生装置は、少なく
とも表面が絶縁性を有する絶縁基板と;絶縁基板上に形
成された第1電極と;絶縁基板および第1電極を覆う誘
電体層と;誘電体層上に形成され、第1電極との間で放
電を生起させ得る第2電極と;第2電極を覆う保護層
と;絶縁基板の表面積の50%以上の接触面積をもって
絶縁基板を保持するホルダと;を備える。したがって、
第1電極と第2電極との間に高周波電圧を印加すると、
第1電極と第2電極との間の放電によって高密度の正負
イオンが発生する。そこで、本発明のイオン発生装置を
例えば感光体を帯電させる帯電装置として用いる場合に
は、ギャップを感光体に対向させて第2電極と感光体と
の間に負のバイアス電圧を印加する。これにより、ギャ
ップ近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光
体に作用して感光体が一様帯電される。ここで、絶縁基
板のホルダとの接触領域は、各電極の延在方向に沿って
一様に分布していることが好ましい。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an ion generator, wherein at least a surface has an insulating property; a first electrode formed on the insulating substrate; a dielectric layer covering the insulating substrate and the first electrode; A second electrode formed on the body layer and capable of causing a discharge between the first electrode and the first electrode; a protective layer covering the second electrode; and holding the insulating substrate with a contact area of 50% or more of the surface area of the insulating substrate. And a holder. Therefore,
When a high-frequency voltage is applied between the first electrode and the second electrode,
High-density positive and negative ions are generated by the discharge between the first electrode and the second electrode. Therefore, when the ion generator of the present invention is used as, for example, a charging device for charging a photoconductor, a negative bias voltage is applied between the second electrode and the photoconductor with the gap facing the photoconductor. As a result, the negative ions of the positive and negative ions generated near the gap act on the photoconductor, and the photoconductor is uniformly charged. Here, the contact area of the insulating substrate with the holder is preferably uniformly distributed along the extending direction of each electrode.

【0017】ここで、好ましくは、絶縁基板のホルダと
の接触領域は、各電極の延在方向に沿って一様に分布し
ているのが望ましい。
Here, it is preferable that the contact area of the insulating substrate with the holder is uniformly distributed along the extending direction of each electrode.

【0018】そして、請求項4記載のイオン発生装置で
は、絶縁基板がその表面積の50%以上の接触面積をも
ってホルダに保持されている。したがって、イオン発生
装置全体としての熱容量がある程度大きくなり、一度昇
温した温度が急激に下がらない。このため、イオン発生
装置では調節する温度が比較的常温に近いため、常温よ
りも高いが常温に近い温度領域での温度調節が極めて容
易となる。これにより、イオン発生装置におけるイオン
発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度制御が
なされる。
In the ion generator according to the fourth aspect, the insulating substrate is held by the holder with a contact area of 50% or more of the surface area. Therefore, the heat capacity of the ion generator as a whole increases to some extent, and the temperature once heated does not suddenly decrease. For this reason, in the ion generator, since the temperature to be adjusted is relatively close to normal temperature, it is extremely easy to control the temperature in a temperature range higher than normal temperature but close to normal temperature. Thereby, the temperature control of the ion generating portion in the ion generator becomes easy, and the temperature control with high accuracy is performed.

【0019】ここで、請求項4記載の発明において、
「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用いられ、
この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスクリーン
印刷により形成されている。「第1電極」および「第2
電極」あるいは「電極」は、例えば銀系(銀/パラジウ
ム、銀/白金等)や銅系の厚膜導体である。「誘電体
層」は、例えばガラス絶縁層(ホウ珪酸鉛系ガラスやア
ルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等)であ
り、その厚さは例えば20〜40μm程度に形成されて
いる。「保護層」としては、ガラス系(ホウ珪酸鉛系ガ
ラス、シリカ等)または樹脂系(ポリイミド、エポキ
シ、シリコーン)等が用いられ、その厚さは例えば10
μm程度以下である。
Here, in the invention according to claim 4,
As the “insulating substrate”, for example, alumina or the like is used,
Each part laminated on the insulating substrate is formed by, for example, screen printing. "First electrode" and "second electrode"
The “electrode” or “electrode” is, for example, a silver-based (silver / palladium, silver / platinum, etc.) or copper-based thick film conductor. The “dielectric layer” is, for example, a glass insulating layer (lead borosilicate glass, lead borosilicate glass containing an alumina filler, or the like), and has a thickness of, for example, about 20 to 40 μm. As the “protective layer”, a glass type (lead borosilicate glass, silica, etc.) or a resin type (polyimide, epoxy, silicone) or the like is used.
It is about μm or less.

【0020】ところで、請求項4記載のイオン発生装置
において、ホルダを樹脂により形成することが好まし
い。この場合、絶縁基板の裏面に対するホルダの接触面
積は、絶縁基板の裏面の100%であっても良い。この
ようにすることで、柔軟で形状保持性が弱い絶縁基板が
形状精度良く保持され、例えば帯電装置や転写装置に適
用された場合に感光体との間の微少ギャップが高精度か
つ均一に確保される。ここで、ホルダをピーク材、PP
S、液晶ポリマー等により形成した場合には、耐摩耗性
及び耐熱性に優れた理想的なホルダが得られる。また、
ホルダの材料として、ピーク材のように硬度が高い材料
を用いる場合にはそのまま用い、ポリカーボネートのよ
うに柔軟性が高い材料を用いる場合には、例えばアルミ
ニウムを貼り合わせて硬度を確保するようにすると良
い。
Incidentally, in the ion generator according to the fourth aspect, it is preferable that the holder is formed of resin. In this case, the contact area of the holder with respect to the back surface of the insulating substrate may be 100% of the back surface of the insulating substrate. In this way, an insulating substrate that is flexible and has a weak shape retention property is held with good shape accuracy, and when applied to, for example, a charging device or a transfer device, a minute gap between the photoconductor and the device is secured with high accuracy and uniformity. Is done. Here, the holder is peak material, PP
When formed of S, a liquid crystal polymer, or the like, an ideal holder having excellent wear resistance and heat resistance can be obtained. Also,
When using a material having high hardness such as a peak material as the material of the holder, it is used as it is, and when using a material having high flexibility such as polycarbonate, it is preferable to secure the hardness by bonding aluminum, for example. good.

【0021】請求項5記載の発明は、請求項4記載のイ
オン発生装置において、ホルダを基板接触面に絶縁処理
が施された金属により形成した。この場合、絶縁基板の
裏面に対するホルダの接触面積は、金属としてアルミニ
ウムを用いる場合には、例えば60%程度とする。そし
て、その表面にはアルマイト処理等を施し、絶縁性ばか
りでなく耐食性をも向上させておくことが望ましい。
According to a fifth aspect of the present invention, in the ion generating device of the fourth aspect, the holder is formed of a metal having a substrate contact surface insulated. In this case, the contact area of the holder with the back surface of the insulating substrate is, for example, about 60% when aluminum is used as the metal. It is desirable that the surface is subjected to an alumite treatment or the like to improve not only the insulating property but also the corrosion resistance.

【0022】請求項6記載の電子写真記録装置は、請求
項1ないし5のいずれか一記載のイオン発生装置を、感
光体を帯電させる帯電装置として利用する電子写真記録
装置である。すなわち、この電子写真記録装置は、感光
体と;請求項1ないし7のいずれか一記載のイオン発生
装置により形成され、感光体を一様に帯電させる帯電装
置と;帯電装置により一様帯電された感光体を露光して
静電潜像を形成するイメージ露光装置と;感光体に形成
された静電潜像にトナーを付着させて現像する現像装置
と;感光体に形成された現像画像を転写媒体に転写する
転写装置と;転写媒体上の転写画像を定着する定着装置
と;を備える。
An electrophotographic recording apparatus according to a sixth aspect is an electrophotographic recording apparatus using the ion generator according to any one of the first to fifth aspects as a charging device for charging a photosensitive member. That is, the electrophotographic recording apparatus comprises: a photoreceptor; a charging device formed by the ion generator according to any one of claims 1 to 7 for uniformly charging the photoreceptor; An image exposing device that exposes the photoconductor to form an electrostatic latent image; a developing device that attaches toner to the electrostatic latent image formed on the photoconductor and develops the image; A transfer device for transferring to a transfer medium; and a fixing device for fixing a transferred image on the transfer medium.

【0023】したがって、請求項6記載の電子写真記録
装置によれば、感光体に対する帯電、露光、現像、転写
という電子写真の基本的なプロセスを経て画像記録が行
なわれる。この際、感光体の帯電位置でギャップを感光
体に対向させてイオン発生装置を配置し、第1電極と第
2電極との間または電極間に高周波電圧を印加する。こ
れにより、第1電極と第2電極との間または電極間の放
電によってギャップの近傍に高密度の正負イオンが発生
する。そして、第2電極または電極と感光体との間に負
のバイアス電圧を印加することで、ギャップ近傍に発生
した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用して感
光体が一様帯電される。この際、帯電装置は、請求項1
ないし5のいずれか一記載のイオン発生装置が奏する作
用を奏する。
Therefore, according to the electrophotographic recording apparatus of the present invention, image recording is performed through the basic processes of electrophotography such as charging, exposure, development, and transfer of the photosensitive member. At this time, the ion generator is arranged with the gap facing the photoconductor at the charging position of the photoconductor, and a high-frequency voltage is applied between the first electrode and the second electrode or between the electrodes. Accordingly, high-density positive and negative ions are generated in the vicinity of the gap due to discharge between the first electrode and the second electrode or between the electrodes. Then, by applying a negative bias voltage between the second electrode or the electrode and the photoreceptor, negative ions of the positive and negative ions generated near the gap act on the photoreceptor to uniformly charge the photoreceptor. You. In this case, the charging device is a first charging device.
The operation of the ion generator according to any one of the first to fifth aspects is achieved.

【0024】なお、請求項1ないし5のいずれか一記載
のイオン発生装置を、感光体に形成された現像画像を転
写媒体に転写する転写装置として利用しても良い。つま
り、転写位置でギャップを介して感光体にイオン発生装
置を対向配置し、第1電極と第2電極との間または電極
間に高周波電圧を印加する。これにより、第1電極と第
2電極との間または電極間の放電によってギャップの近
傍に高密度の正負イオンが発生する。そして、第2電極
または電極と感光体との間に正のバイアス電圧を印加す
ることで、現像プロセスを経て感光体上に形成された現
像画像が転写位置で転写媒体に転写される。この際、転
写装置は、請求項1ないし5のいずれか一記載のイオン
発生装置が奏する作用を奏する。
The ion generator according to any one of claims 1 to 5 may be used as a transfer device for transferring a developed image formed on a photoreceptor to a transfer medium. In other words, the ion generator is arranged to face the photoconductor with a gap at the transfer position, and a high-frequency voltage is applied between the first electrode and the second electrode or between the electrodes. Accordingly, high-density positive and negative ions are generated in the vicinity of the gap due to discharge between the first electrode and the second electrode or between the electrodes. Then, by applying a positive bias voltage between the second electrode or the electrode and the photoconductor, the developed image formed on the photoconductor through the development process is transferred to the transfer medium at the transfer position. At this time, the transfer device has the function of the ion generator according to any one of claims 1 to 5.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明のイオン発生装置の第1の
実施の形態を図1ないし図3に基づいて説明する。図1
はイオン発生装置の縦断正面図、図2はその平面図、図
3は温度制御用ヒータを拡大して示す平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the ion generator of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a vertical sectional front view of the ion generator, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is an enlarged plan view showing a temperature control heater.

【0026】まず、絶縁性を有する絶縁基板1が設けら
れ、この絶縁基板1上には、第1電極である誘導電極
2、誘電体層3、第2電極であるイオン発生電極4、お
よび保護層5がスクリーン印刷によって順に積層形成さ
れている。この場合、誘電体層3は誘導電極2と共に絶
縁基板1の表面全体を覆い、イオン発生電極4は誘電体
層3の上に形成されて誘導電極2との間にギャップGを
形成する。そして、イオン発生電極4はこのイオン発生
電極4および誘電体層3を覆う保護層5によって保護さ
れている。また、絶縁基板1上には、温度制御用ヒータ
6も膜状形成されている。
First, an insulating substrate 1 having an insulating property is provided. On the insulating substrate 1, an induction electrode 2 as a first electrode, a dielectric layer 3, an ion generating electrode 4 as a second electrode, and a protection The layers 5 are sequentially laminated by screen printing. In this case, the dielectric layer 3 covers the entire surface of the insulating substrate 1 together with the induction electrode 2, and the ion generating electrode 4 is formed on the dielectric layer 3 to form a gap G with the induction electrode 2. The ion generating electrode 4 is protected by a protective layer 5 that covers the ion generating electrode 4 and the dielectric layer 3. A temperature control heater 6 is also formed on the insulating substrate 1 in a film form.

【0027】ここで、図1および図2から明らかなよう
に、誘導電極2は3本の並列パターン、イオン発生電極
4は4本の並列パターンに形成され、温度制御用ヒータ
6はそれらの誘導電極2およびイオン発生電極4を取り
囲むようなパターンに形成されている。そして、図2に
示すように、誘導電極2およびイオン発生電極4は、絶
縁基板1の表面に形成された給電電極7に接続されてい
る。
Here, as is clear from FIGS. 1 and 2, the induction electrode 2 is formed in three parallel patterns, the ion generation electrode 4 is formed in four parallel patterns, and the temperature control heater 6 is used to guide these induction patterns. It is formed in a pattern surrounding the electrode 2 and the ion generating electrode 4. Then, as shown in FIG. 2, the induction electrode 2 and the ion generation electrode 4 are connected to a power supply electrode 7 formed on the surface of the insulating substrate 1.

【0028】次いで、絶縁基板1は、アルミナを材料と
する長さ360mmの扁平の矩形部材である。誘導電極
2およびイオン発生電極4は、例えば銀系(銀/パラジ
ウム、銀/白金等)の導体により形成されている。誘電
体層3は、例えばガラス絶縁層(ホウ珪酸鉛系ガラスや
アルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等)で
あり、厚さ20〜40μm程度に形成されている。保護
層5は、ガラス系(ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等)ま
たは樹脂系(ポリイミド、エポキシ、シリコーン)の材
料によって形成され、厚さ10μm程度以下に形成され
ている。また、温度制御用ヒータ6は、銀系(銀/パラ
ジウム、銀/白金等)の厚膜導体により形成されてい
る。このような温度制御用ヒータ6は、図3に示すよう
に、中央部よりも両端部が幅狭となるようなテーパ形状
に形成されている。より詳しくは、テーパ部分の始まり
は、温度制御用ヒータ6の中央部から絶縁基板1の長さ
の20%の位置から始まっており、また、温度制御用ヒ
ータ6の最も幅広の部分を100%とした場合に、温度
制御用ヒータ6のテーパ形状によって最も幅狭となる部
分は70%程度であり、したがって、その絞り率は30
%程度である。
Next, the insulating substrate 1 is a 360 mm long flat rectangular member made of alumina. The induction electrode 2 and the ion generation electrode 4 are formed of, for example, a silver (silver / palladium, silver / platinum, etc.) conductor. The dielectric layer 3 is, for example, a glass insulating layer (such as a lead borosilicate glass or a lead borosilicate glass containing an alumina filler), and is formed to a thickness of about 20 to 40 μm. The protective layer 5 is formed of a glass (lead borosilicate glass, silica, etc.) or resin (polyimide, epoxy, silicone) material and is formed to a thickness of about 10 μm or less. The temperature control heater 6 is formed of a silver-based (silver / palladium, silver / platinum, etc.) thick film conductor. As shown in FIG. 3, such a temperature control heater 6 is formed in a tapered shape such that both ends are narrower than the center. More specifically, the start of the tapered portion starts at a position 20% of the length of the insulating substrate 1 from the center of the temperature control heater 6, and the widest portion of the temperature control heater 6 is set at 100%. In this case, the narrowest portion is about 70% due to the tapered shape of the temperature control heater 6, so that the aperture ratio is 30%.
%.

【0029】ついで、図1に示すように、絶縁基板1は
ホルダ8に保持されている。このホルダ8は、絶縁基板
1と同じ長さである360mmの長さでピーク材により
形成され、絶縁基板1の裏面に100%の接触面積率で
面接触する接触面9を備える。このようなホルダ8は、
溝10に絶縁基板1を嵌合させるような溝保持形式で絶
縁基板1を保持する。なお、ホルダ8の材料としては、
PPSや液晶ポリマー等を用いることもできる。
Next, as shown in FIG. 1, the insulating substrate 1 is held by a holder 8. The holder 8 is formed of a peak material having a length of 360 mm, which is the same length as the insulating substrate 1, and includes a contact surface 9 that is in surface contact with the back surface of the insulating substrate 1 at a contact area ratio of 100%. Such a holder 8
The insulating substrate 1 is held in a groove holding format in which the insulating substrate 1 is fitted into the groove 10. In addition, as a material of the holder 8,
PPS, liquid crystal polymer, or the like can also be used.

【0030】このような構成において、誘導電極2とイ
オン発生電極4との間に高周波電圧を印加すると、誘導
電極2とイオン発生電極4との間の放電によってギャッ
プGの近傍に高密度の正負イオンが発生する。そこで、
本実施の形態のイオン発生装置を、例えば図示しない感
光体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャ
ップGを感光体に対向させてイオン発生電極4と感光体
との間に負のバイアス電圧を印加する。すると、ギャッ
プG近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光
体に作用して感光体が一様帯電される。
In such a configuration, when a high-frequency voltage is applied between the induction electrode 2 and the ion generation electrode 4, a discharge between the induction electrode 2 and the ion generation electrode 4 causes high-density positive and negative charges near the gap G. Ions are generated. Therefore,
When the ion generator of the present embodiment is used, for example, as a charging device for charging a photoconductor (not shown), a negative bias voltage is applied between the ion generating electrode 4 and the photoconductor with the gap G facing the photoconductor. Is applied. Then, the negative ions of the positive and negative ions generated near the gap G act on the photoconductor, and the photoconductor is uniformly charged.

【0031】ここで、本実施の形態のイオン発生装置で
は、温度制御用ヒータ6が絶縁基板1の表面側に設けら
れているために、温度制御用ヒータ6の動作状態に対す
る絶縁基板6表面に形成されたイオン発生部分、つま
り、誘導電極2とイオン発生電極4との間のギャップG
部分周辺の温度反応速度が高まる。しかも、誘導電極2
とイオン発生電極4とが積層構造となっているために電
極間密度が高まり、絶縁基板1を幅広にすることなく十
分なイオン発生量が得られる。この面からも、温度制御
用ヒータ6の動作状態に対するイオン発生部分の温度反
応速度が高まる。よって、イオン発生部分の温度制御が
高精度に行われる。
Here, in the ion generator of the present embodiment, since the temperature control heater 6 is provided on the front surface side of the insulating substrate 1, the temperature control heater 6 is provided on the surface of the insulating substrate 6 with respect to the operating state of the temperature control heater 6. The formed ion generating portion, that is, the gap G between the induction electrode 2 and the ion generating electrode 4
The temperature reaction rate around the part increases. Moreover, the induction electrode 2
Since the electrode and the ion generating electrode 4 have a laminated structure, the density between the electrodes is increased, and a sufficient amount of ions can be obtained without increasing the width of the insulating substrate 1. From this aspect as well, the temperature response speed of the ion generating portion with respect to the operation state of the temperature control heater 6 increases. Therefore, the temperature control of the ion generating portion is performed with high accuracy.

【0032】また、図2に示すような温度制御用ヒータ
6は、そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高ま
るようになっている。このため、両端ほど熱容量が小さ
くなる絶縁基板1の温度特性が補完され、イオン発生部
分が均等に加熱されることになる。したがって、イオン
発生装置のどの部分においても均等にイオンが発生し、
品質が均一化する。
The temperature control heater 6 as shown in FIG. 2 has a taper shape such that the heat generation temperature increases toward both ends. For this reason, the temperature characteristic of the insulating substrate 1 whose heat capacity becomes smaller at both ends is complemented, and the ion generating portion is heated evenly. Therefore, ions are generated evenly in any part of the ion generator,
Quality is uniform.

【0033】また、本実施の形態のイオン発生装置で
は、絶縁基板1がその表面積の50%以上の接触面積を
もってホルダ8に保持されている。したがって、イオン
発生装置全体としての熱容量がある程度大きくなり、一
度昇温した温度が急激に下がらない。このため、イオン
発生装置として望まれる常温よりも高いが常温に近い温
度領域での温度調節が極めて容易となる。これにより、
イオン発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度
制御がなされる。しかも、ホルダ8は樹脂により形成さ
れているので、絶縁基板1の裏面に対するホルダ8の接
触面積を広く取ることができ、これにより、柔軟で形状
保持性が弱い絶縁基板1が形状精度良く保持され、例え
ば帯電装置や転写装置に適用した場合に感光体との間の
微少ギャップを高精度かつ均一に確保することが可能と
なる。加えて、本実施の形態のイオン発生装置は、絶縁
基板1の裏面に給電機構やヒータ構造等の構造物が存在
しない構造となっている。このため、装置全体の小型化
が図られるばかりでなく、ホルダ8の接触面積を広く取
り易いという利点もある。
In the ion generator of the present embodiment, the insulating substrate 1 is held by the holder 8 with a contact area of 50% or more of the surface area. Therefore, the heat capacity of the ion generator as a whole increases to some extent, and the temperature once heated does not suddenly decrease. For this reason, it is extremely easy to adjust the temperature in a temperature range higher than the normal temperature but close to the normal temperature desired for the ion generator. This allows
The temperature control of the ion generating portion becomes easy, and the temperature control is performed with high accuracy. In addition, since the holder 8 is formed of resin, the contact area of the holder 8 with the back surface of the insulating substrate 1 can be made large, so that the insulating substrate 1 that is flexible and has poor shape retention can be held with good shape accuracy. For example, when the present invention is applied to a charging device or a transfer device, it is possible to ensure a minute gap between the photoconductor and the photoconductor with high accuracy and uniformity. In addition, the ion generator of the present embodiment has a structure in which no structure such as a power supply mechanism or a heater structure exists on the back surface of the insulating substrate 1. Therefore, there is an advantage that not only the size of the entire apparatus can be reduced, but also the contact area of the holder 8 can be easily increased.

【0034】なお、実施にあたっては、ホルダ8とし
て、絶縁基板1に対する接触面に絶縁処理が施された金
属、例えばアルミニウムにポリカーボネートを貼り合わ
せたもの等を用いても良い。この場合、絶縁基板1の裏
面に対するホルダ8の接触面積は、金属としてアルミニ
ウムを用いる場合には、例えば60%程度とする。そし
て、その表面にはアルマイト処理等を施し、絶縁性ばか
りでなく耐食性をも向上させておくことが望ましい。
In the embodiment, a metal in which a contact surface with the insulating substrate 1 is insulated, for example, a material obtained by bonding polycarbonate to aluminum may be used as the holder 8. In this case, the contact area of the holder 8 with the back surface of the insulating substrate 1 is, for example, about 60% when aluminum is used as the metal. It is desirable that the surface is subjected to an alumite treatment or the like to improve not only the insulating property but also the corrosion resistance.

【0035】また、本実施の形態のホルダ8は、溝10
に絶縁基板1を嵌合保持する構造となっているが、実施
にあたっては、弾性を有する爪で絶縁基板1を押え込む
ように構成しても良い。
Further, the holder 8 of the present embodiment
Although the structure is such that the insulating substrate 1 is fitted and held, the insulating substrate 1 may be configured to be held down by elastic claws.

【0036】本発明のイオン発生装置の第2の実施の形
態を図4に基づいて説明する。図4はイオン発生装置の
縦断正面図である。第1の実施の形態と同一または相当
する部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施の形
態では、温度制御用ヒータ6が誘電体層3に埋設されて
いる。つまり、絶縁基板1上に膜状形成された誘導電極
2と温度制御用ヒータ6とに誘電体層3が積層形成され
ている。これにより、温度制御用ヒータ6の動作状態に
対するイオン発生部分の温度反応速度が一層高まり、イ
オン発生部分の温度制御がより高精度に行われる。
A second embodiment of the ion generator of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a vertical sectional front view of the ion generator. Portions that are the same as or correspond to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, the temperature control heater 6 is embedded in the dielectric layer 3. That is, the dielectric layer 3 is formed by laminating the induction electrode 2 and the temperature control heater 6 which are formed in a film on the insulating substrate 1. Thus, the temperature response speed of the ion generating portion with respect to the operation state of the temperature control heater 6 is further increased, and the temperature control of the ion generating portion is performed with higher accuracy.

【0037】本発明のイオン発生装置の第3の実施の形
態を図5に基づいて説明する。図5はイオン発生装置の
縦断正面図である。第1の実施の形態と同一又は相当す
る部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施の形態
では、温度制御用ヒータ6が保護層5に埋設されてい
る。つまり、誘電体層3上にはイオン発生電極4および
温度制御用ヒータ6が膜状形成され、これらのイオン発
生電極4および温度制御用ヒータ6の上に保護層5が積
層形成されている。これにより、温度制御用ヒータ6の
動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が一層
高まり、イオン発生部分の温度制御がより高精度に行わ
れる。
A third embodiment of the ion generator according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a vertical sectional front view of the ion generator. Portions that are the same as or correspond to those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, the temperature control heater 6 is embedded in the protective layer 5. That is, the ion generation electrode 4 and the temperature control heater 6 are formed on the dielectric layer 3 in the form of a film, and the protection layer 5 is formed on the ion generation electrode 4 and the temperature control heater 6 by lamination. Thus, the temperature response speed of the ion generating portion with respect to the operation state of the temperature control heater 6 is further increased, and the temperature control of the ion generating portion is performed with higher accuracy.

【0038】本発明の電子写真記録装置の一実施の形態
を図6に基づいて説明する。図6は電子写真記録装置を
示す概略側面図である。なお、図1ないし図5に基づい
て説明した部分と同一部分は同一符号で示し説明も省略
する。
One embodiment of the electrophotographic recording apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic side view showing the electrophotographic recording apparatus. The same parts as those described with reference to FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0039】まず、転写媒体としての転写紙11を収納
する給紙装置12と図示しない排紙部とを連絡する通紙
経路13が設けられ、この通紙経路13中には定着装置
14を含む画像プロセス部15が設けられている。
First, a paper feed path 13 is provided for connecting a paper feed device 12 for storing transfer paper 11 as a transfer medium and a discharge unit (not shown). The paper feed path 13 includes a fixing device 14. An image processing unit 15 is provided.

【0040】画像プロセス部15は、感光ドラム構成の
感光体16を主体として構成される。この感光体16の
周囲には、帯電装置17、現像装置18、転写装置1
9、剥離装置20、クリーニング装置21が順に配設さ
れている。そして、帯電装置17と現像装置18との間
が露光位置EXとなり、画像プロセス部15には、その
露光位置EXにレーザビーム(以下、レーザ光という)
を照射する図示しないイメージ露光装置が設けられてい
る。
The image processing section 15 is mainly composed of a photosensitive drum 16 having a photosensitive drum configuration. Around the photoconductor 16, a charging device 17, a developing device 18, a transfer device 1
9, a peeling device 20, and a cleaning device 21 are arranged in this order. An exposure position EX is defined between the charging device 17 and the developing device 18, and the image processing unit 15 supplies a laser beam (hereinafter, referred to as a laser beam) to the exposure position EX.
An image exposure device (not shown) for irradiating light is provided.

【0041】ここで、帯電装置17、転写装置19およ
び剥離装置20として、第1の実施の形態に示されたイ
オン発生装置が用いられている。つまり、帯電装置17
では、ギャップGを感光体16に対向させてイオン発生
装置を配置し、イオン発生電極4と感光体16との間に
負のバイアス電圧を印加するようにする。これにより、
ギャップG近傍に発生した正負イオンのうちの負イオン
が感光体16に作用して感光体16が一様帯電される。
また、転写装置19では、ギャップGを感光体16に対
向させてイオン発生装置を配置し、イオン発生電極4と
感光体16との間に正のバイアス電圧を印加するように
する。これにより、現像装置18による現像プロセスを
経て感光体16上に形成された現像画像が転写位置で転
写紙11に転写される。そして、剥離装置20では、ギ
ャップGを感光体16に対向させてイオン発生装置を配
置し、イオン発生電極4と感光体16との間のバイアス
電圧を0にする。これにより、ギャップGに発生した正
負のイオンで転写紙11の電荷が除電され、転写紙11
が感光体16から剥離する。
Here, the ion generator described in the first embodiment is used as the charging device 17, the transfer device 19, and the peeling device 20. That is, the charging device 17
In this embodiment, an ion generator is arranged so that the gap G faces the photoconductor 16, and a negative bias voltage is applied between the ion generating electrode 4 and the photoconductor 16. This allows
The negative ions of the positive and negative ions generated in the vicinity of the gap G act on the photoconductor 16 to uniformly charge the photoconductor 16.
In the transfer device 19, an ion generator is arranged with the gap G facing the photoconductor 16, and a positive bias voltage is applied between the ion generation electrode 4 and the photoconductor 16. Thus, the developed image formed on the photoconductor 16 through the developing process by the developing device 18 is transferred to the transfer paper 11 at the transfer position. Then, in the peeling device 20, the ion generator is disposed with the gap G facing the photoconductor 16, and the bias voltage between the ion generating electrode 4 and the photoconductor 16 is set to zero. Thereby, the charge of the transfer paper 11 is eliminated by the positive and negative ions generated in the gap G, and the transfer paper 11
Is separated from the photoconductor 16.

【0042】次に、画像プロセス部15を構成する各部
のうち、一部はユニット化されて電子写真プロセス装置
22となっている。この電子写真プロセス装置22は、
感光体16、帯電装置17、転写装置19および剥離装
置20から構成されている。
Next, a part of each part constituting the image processing unit 15 is unitized to form an electrophotographic processing device 22. This electrophotographic process device 22 includes:
It comprises a photoreceptor 16, a charging device 17, a transfer device 19 and a peeling device 20.

【0043】このような構成において、画像プロセス部
15では、帯電装置17の帯電によって感光体16をマ
イナス極性に一様に帯電する。そして、感光体16は露
光位置EXにおいて一様に帯電されているため、この露
光位置EXにイメージ露光装置から画像情報に応じて光
ビームを照射することで、感光体16に静電潜像が形成
される。つまり、感光体16では、その帯電電位との電
位差が光ビームの照射部分に生じ、この部分が静電潜像
となる。現像装置18は、露光位置EXで感光体16に
形成された静電潜像にこの静電潜像と電位差を持つトナ
ーを付着させて顕像化する。転写装置19は、顕像化さ
れた感光体16上の現像画像を電位差によって吸引し、
その現像画像を転写紙11に転写させる。剥離装置20
は、現像画像転写後の転写紙11を感光体16から剥離
させる。クリーニング装置21は、転写プロセス後の感
光体16に残留するトナーを掻き落す等の方法でクリー
ニングする。そして、定着装置14は、通紙経路13中
において転写装置19の下流側に配置されており、転写
装置19を通過した後の転写紙11に付着する未定着ト
ナーを加熱・加圧作用によって定着する。
In such a configuration, the image processing unit 15 uniformly charges the photosensitive member 16 to a negative polarity by charging the charging device 17. Since the photoconductor 16 is uniformly charged at the exposure position EX, an electrostatic latent image is formed on the photoconductor 16 by irradiating the exposure position EX with a light beam from an image exposure apparatus according to image information. It is formed. That is, in the photoconductor 16, a potential difference from the charged potential is generated in a portion irradiated with the light beam, and this portion becomes an electrostatic latent image. The developing device 18 visualizes the electrostatic latent image formed on the photoreceptor 16 by attaching toner having a potential difference to the electrostatic latent image on the photosensitive member 16 at the exposure position EX. The transfer device 19 sucks the developed image on the photoconductor 16 by a potential difference,
The developed image is transferred to the transfer paper 11. Stripping device 20
Removes the transfer paper 11 after the transfer of the developed image from the photoconductor 16. The cleaning device 21 performs cleaning by, for example, scraping off toner remaining on the photoconductor 16 after the transfer process. The fixing device 14 is disposed downstream of the transfer device 19 in the paper passage path 13 and fixes unfixed toner adhering to the transfer paper 11 after passing through the transfer device 19 by a heating / pressing action. I do.

【0044】このように、本実施の形態の電子写真記録
装置によれば、感光体16に対する帯電、露光、現像、
転写という電子写真の基本的なプロセスを経て画像記録
が行なわれる。この際、帯電装置17、転写装置19お
よび剥離装置20において、第1の実施の形態に示され
たイオン発生装置の作用効果が奏される。つまり、高精
度な温度制御特性等の効果が得られる。
As described above, according to the electrophotographic recording apparatus of the present embodiment, charging, exposure, development,
Image recording is performed through a basic process of electrophotography called transfer. At this time, in the charging device 17, the transfer device 19, and the peeling device 20, the operation and effect of the ion generating device described in the first embodiment are exerted. That is, effects such as high-precision temperature control characteristics can be obtained.

【0045】なお、実施に当たっては、帯電装置17、
転写装置19および剥離装置20として、第2の実施の
形態又は第3の実施の形態に示されたイオン発生装置を
用いるようにしても良い。この場合、各実施の形態のイ
オン発生装置が奏する作用効果が得られる。
In implementation, the charging device 17,
As the transfer device 19 and the peeling device 20, the ion generator described in the second embodiment or the third embodiment may be used. In this case, the operation and effect of the ion generator of each embodiment can be obtained.

【0046】また、第1の実施の形態、第2の実施の形
態または第3の実施の形態に示したイオン発生装置を、
画像プロセス部15において転写工程後の感光体16を
除電する除電装置に適用してもよい。
Further, the ion generator shown in the first embodiment, the second embodiment or the third embodiment is
The image processing unit 15 may be applied to a static eliminator for neutralizing the photoconductor 16 after the transfer process.

【0047】[0047]

【発明の効果】請求項1記載のイオン発生装置は、第1
電極と第2電極とを積層構造とし、絶縁基板の表面側に
温度制御用ヒータを設けたので、温度制御用ヒータの状
態に対するイオン発生部分の温度反応速度を速めること
ができ、したがって、イオン発生装置におけるイオン発
生部分の温度制御を高精度に行うことができ、その温度
制御特性を向上させることができる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided an ion generator comprising:
Since the electrode and the second electrode have a laminated structure and the heater for temperature control is provided on the surface side of the insulating substrate, the temperature reaction speed of the ion generating portion with respect to the state of the heater for temperature control can be increased, and therefore, the ion generation The temperature control of the ion generating portion in the apparatus can be performed with high accuracy, and the temperature control characteristics can be improved.

【0048】請求項2記載の発明は、請求項1記載のイ
オン発生装置において、温度制御用ヒータを、絶縁基板
の長手方向に沿い、少なくとも一部が絶縁基板の中央部
から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形
成したので、両端ほど発熱温度が高くなる温度制御用ヒ
ータによって両端ほど放熱が大きくなる絶縁基板の温度
特性を補完することができ、したがって、イオン発生部
分の温度制御を均一に行うことができる。
According to a second aspect of the present invention, in the ion generator according to the first aspect, the temperature control heater is provided along the longitudinal direction of the insulating substrate, and at least a part thereof approaches from the center to the both ends of the insulating substrate. Since it is formed in a tapered shape with a narrow width, it is possible to complement the temperature characteristics of the insulating substrate, in which heat dissipation increases at both ends by a temperature control heater in which the heat generation temperature increases at both ends. It can be performed uniformly.

【0049】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載のイオン発生装置において、温度制御用ヒータを誘
電体層または保護層に埋設したので、温度制御用ヒータ
の動作状態に対する絶縁基板表面の温度反応速度を一層
高めることができ、したがって、イオン発生装置におけ
るイオン発生部分の温度制御をより一層高精度に行うこ
とができる。
The third aspect of the present invention is the first or second aspect.
In the ion generator described above, the temperature control heater is embedded in the dielectric layer or the protective layer, so that the temperature response speed of the insulating substrate surface with respect to the operation state of the temperature control heater can be further increased, and therefore, the ion generator can be used. , The temperature of the ion generating portion can be controlled with higher accuracy.

【0050】請求項4記載のイオン発生装置は、絶縁基
板をその表面積の50%以上の接触面積をもってホルダ
に保持させたので、イオン発生装置全体としての熱容量
をある程度大きくし、一度昇温した温度が急激に下がら
ないようにすることができ、したがって、常温よりも高
いが常温に近い温度領域での温度調節を極めて容易にす
ることができる。その結果、イオン発生装置におけるイ
オン発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度制
御を行うことができる。
In the ion generator according to the fourth aspect, since the insulating substrate is held by the holder with a contact area of 50% or more of the surface area, the heat capacity of the entire ion generator is increased to some extent, and the temperature once raised is increased. Can be prevented from dropping abruptly, and therefore, it is extremely easy to adjust the temperature in a temperature range higher than room temperature but close to room temperature. As a result, the temperature control of the ion generating portion in the ion generating device is facilitated, and highly accurate temperature control can be performed.

【0051】請求項5記載の発明は、請求項4記載のイ
オン発生装置において、ホルダを基板接触面に絶縁処理
が施された金属により形成したので、ホルダの剛性を高
めることができ、したがって、柔軟で形状保持性が弱い
絶縁基板を形状精度良く保持することができ、例えば、
帯電装置や転写装置に適用した場合に、感光体との間の
微少ギャップを高精度かつ均一に確保することができ
る。
According to a fifth aspect of the present invention, in the ion generator of the fourth aspect, since the holder is formed of a metal having an insulating treatment applied to the substrate contact surface, the rigidity of the holder can be increased. It can hold an insulating substrate that is flexible and weak in shape retention with good shape accuracy, for example,
When applied to a charging device or a transfer device, a minute gap between the photosensitive member and the photosensitive member can be secured with high accuracy and uniformity.

【0052】そして、請求項1ないし5のいずれか一記
載のイオン発生装置は、電子写真記録装置における感光
体を帯電させる帯電装置(請求項6)等に利用すること
ができ、これらの帯電装置や転写装置は、請求項1ない
し5のいずれか一記載のイオン発生装置と同様の効果を
奏する。
The ion generator according to any one of claims 1 to 5 can be used as a charging device for charging a photoreceptor in an electrophotographic recording device (claim 6). The transfer device has the same effect as the ion generator according to any one of the first to fifth aspects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のイオン発生装置の第1の実施の形態を
示す縦断正面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional front view showing a first embodiment of an ion generator of the present invention.

【図2】その平面図である。FIG. 2 is a plan view thereof.

【図3】温度制御用ヒータを拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a temperature control heater.

【図4】本発明のイオン発生装置の第2の実施の形態を
示す縦断正面図である。
FIG. 4 is a vertical sectional front view showing a second embodiment of the ion generator of the present invention.

【図5】本発明のイオン発生装置の第3の実施の形態を
示す縦断正面図である。
FIG. 5 is a vertical sectional front view showing a third embodiment of the ion generator of the present invention.

【図6】本発明の電子写真記録装置の一実施の形態を示
す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing an embodiment of the electrophotographic recording apparatus of the present invention.

【図7】従来のイオン発生装置の一例を示す縦断正面図
である。
FIG. 7 is a vertical sectional front view showing an example of a conventional ion generator.

【図8】ホルダに保持されたイオン発生装置の正面図で
ある。
FIG. 8 is a front view of the ion generator held by the holder.

【符号の説明】 1: 絶縁基板 2: 第1電極(誘導電極) 3: 誘電体層 4: 第2電極(イオン発生電極) 5: 保護層 6: 温度制御用ヒータ 8: ホルダ 11: 転写媒体 14: 定着装置 16: 感光体 17: 帯電装置 18: 現像装置 19: 転写装置 G: ギャップ[Description of Signs] 1: Insulating substrate 2: First electrode (induction electrode) 3: Dielectric layer 4: Second electrode (ion generation electrode) 5: Protective layer 6: Temperature control heater 8: Holder 11: Transfer medium 14: Fixing device 16: Photoconductor 17: Charging device 18: Developing device 19: Transfer device G: Gap

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基
板と;前記絶縁基板上に形成された第1電極と;前記絶
縁基板および前記第1電極を覆う誘電体層と;前記誘電
体層上に形成され、前記第1電極との間で放電を生起さ
せ得る第2電極と;前記第2電極を覆う保護層と;前記
絶縁基板の表面側に設けられた温度制御用ヒータと、;
を備えることを特徴とするイオン発生装置。
An insulating substrate having at least an insulating surface; a first electrode formed on the insulating substrate; a dielectric layer covering the insulating substrate and the first electrode; A second electrode formed and capable of causing a discharge between the first electrode; a protective layer covering the second electrode; a temperature control heater provided on a surface side of the insulating substrate;
An ion generator comprising:
【請求項2】 温度制御用ヒータは、絶縁基板の長手方
向に沿い、少なくとも一部が前記絶縁基板の中央部から
両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載のイオン発生装
置。
2. The temperature control heater is characterized in that at least a part thereof is formed in a tapered shape along the longitudinal direction of the insulating substrate, wherein at least a part thereof becomes narrower from a central portion of the insulating substrate toward both ends. The ion generator according to claim 1.
【請求項3】 温度制御用ヒータは、誘電体層または保
護層に埋設されていることを特徴とする請求項1または
2記載のイオン発生装置。
3. The ion generator according to claim 1, wherein the temperature control heater is embedded in a dielectric layer or a protective layer.
【請求項4】 少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基
板と;前記絶縁基板上に形成された第1電極と;前記絶
縁基板および前記第1電極を覆う誘電体層と;前記誘電
体層上に形成され、前記第1電極との間で放電を生起さ
せ得る第2電極と;前記第2電極を覆う保護層と;前記
絶縁基板の表面積の50%以上の接触面積をもって前記
絶縁基板を保持するホルダと;を備えることを特徴とす
るイオン発生装置。
An insulating substrate having at least a surface insulating; a first electrode formed on the insulating substrate; a dielectric layer covering the insulating substrate and the first electrode; A second electrode formed and capable of causing a discharge between the first electrode; a protective layer covering the second electrode; and holding the insulating substrate with a contact area of 50% or more of a surface area of the insulating substrate. And an ion generator.
【請求項5】 ホルダは、基板接触面に絶縁処理が施さ
れた金属により形成されていることを特徴とする請求項
4記載のイオン発生装置。
5. The ion generator according to claim 4, wherein the holder is formed of a metal having a substrate contact surface insulated.
【請求項6】 感光体と;請求項1ないし5のいずれか
一記載のイオン発生装置により形成され、前記感光体を
一様に帯電させる帯電装置と;前記帯電装置により一様
帯電された前記感光体を露光して静電潜像を形成するイ
メージ露光装置と;前記感光体に形成された静電潜像に
トナーを付着させて現像する現像装置と;前記感光体に
形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置と;
前記転写媒体上の転写画像を定着する定着装置と;を備
えることを特徴とする電子写真記録装置。
6. A photoconductor, a charging device formed by the ion generator according to claim 1, and configured to uniformly charge the photoconductor, wherein the charging device is uniformly charged by the charging device. An image exposure device that exposes a photoconductor to form an electrostatic latent image; a developing device that applies toner to the electrostatic latent image formed on the photoconductor to develop the image; and a developed image formed on the photoconductor A transfer device for transferring the image onto a transfer medium;
And a fixing device for fixing the transferred image on the transfer medium.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7256979B2 (en) 2001-08-01 2007-08-14 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generator, and electric apparatus and air conditioning apparatus incorporating the same
JP2009230093A (en) * 2008-02-29 2009-10-08 Sharp Corp Ion generating element, charging device and image forming apparatus
JP2009300597A (en) * 2008-06-11 2009-12-24 Sharp Corp Ion generating element, charging device, and image forming apparatus
JP2010145970A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Sharp Corp Ion generating device, charging device and image forming apparatus
US7764298B2 (en) 2007-06-29 2010-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating element, with independent heating electrode, and charging device and image forming apparatus using ion generating element
US7778561B2 (en) 2007-06-29 2010-08-17 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device for charging charge receiving material, image forming apparatus including the same, control method of the charging device and computer-readable storage medium recording control program for the charging device
US7796903B2 (en) 2007-06-28 2010-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus with a discharge electrode having a plurality of sharp-pointed portions

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7256979B2 (en) 2001-08-01 2007-08-14 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generator, and electric apparatus and air conditioning apparatus incorporating the same
US7796903B2 (en) 2007-06-28 2010-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus with a discharge electrode having a plurality of sharp-pointed portions
US7764298B2 (en) 2007-06-29 2010-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating element, with independent heating electrode, and charging device and image forming apparatus using ion generating element
US7778561B2 (en) 2007-06-29 2010-08-17 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device for charging charge receiving material, image forming apparatus including the same, control method of the charging device and computer-readable storage medium recording control program for the charging device
JP2009230093A (en) * 2008-02-29 2009-10-08 Sharp Corp Ion generating element, charging device and image forming apparatus
JP4538509B2 (en) * 2008-02-29 2010-09-08 シャープ株式会社 Ion generating element, charging device and image forming apparatus
US8055157B2 (en) 2008-02-29 2011-11-08 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating element, charging device and image forming apparatus
JP2009300597A (en) * 2008-06-11 2009-12-24 Sharp Corp Ion generating element, charging device, and image forming apparatus
US8068768B2 (en) 2008-06-11 2011-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating element, charging device, and image forming apparatus
JP2010145970A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Sharp Corp Ion generating device, charging device and image forming apparatus
US8073365B2 (en) 2008-12-22 2011-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating device, charging device, and image forming apparatus

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