JPH11186671A - Light source device - Google Patents

Light source device

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JPH11186671A
JPH11186671A JP36651097A JP36651097A JPH11186671A JP H11186671 A JPH11186671 A JP H11186671A JP 36651097 A JP36651097 A JP 36651097A JP 36651097 A JP36651097 A JP 36651097A JP H11186671 A JPH11186671 A JP H11186671A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser
light source
source device
support
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JP36651097A
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Japanese (ja)
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Wataru Sato
亙 佐藤
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To raise heat dissipation property of a semiconductor laser and restrain wavelength variation, by holding a semiconductor laser to a supporter by making at least one portion of an outer circumferential surface of a stem of a semiconductor laser not in contact with a supporter. SOLUTION: Heat dissipation property of self-heat generation of a semiconductor laser can be raised by a lead pin arranged surface S40 of a stem part S10 of a semiconductor laser and an exposed surface of a portion which is relevant to a groove position of a laser holder of an outer circumferential surface S30. A hole part formed of a slit 43 of a lens holder 40 and a tubular part of the lens holder 40 and a groove part 17 of a laser holder 10 are conductive and air flowing there cools a semiconductor stem and raises heat dissipation property of a semiconductor laser. Therefore, even if a material of a laser holder which supports a semiconductor laser is resin which is inferior to metal, heat dissipation property of a semiconductor laser can be raised and wavelength variation can be restrained without requiring special processing and method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームプリ
ンタ・レーザファクシミリ等の画像記録装置や、半導体
レーザを利用する光デイスクのピックアップユニット等
に用いられる光源装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light source device used for an image recording apparatus such as a laser beam printer or a laser facsimile, and a pickup unit for an optical disk using a semiconductor laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザビームプリンタ、レーザファクシ
ミリ等の画像記録装置や、半導体レーザを利用する光デ
イスクのピックアップユニット等の光源装置は、半導体
レーザから発生されたレーザ光を平行化して所定の断面
形状のレーザ光を得るためのコリメータレンズや、半導
体レーザを駆動用IC等を搭載した回路基板と結合さ
れ、ユニット化される。図12は、上記画像記録装置の
一般的な構成を説明するもので、ユニット化された光源
装置E0から発生されたレーザ光J0はシリンドリカル
レンズC0を経てポリゴンミラーR0に照射され、これ
によって走査偏向され、結像レンズF0を経て折返しミ
ラーM0によって反射され、図示しない感光ドラムの表
面に結像される。感光ドラムに結像されるレーザ光は、
ポリゴンミラーR0の回転による主走査および感光ドラ
ムの回転による副走査によって静電潜像を形成する。ま
た、ポリゴンミラーR0によって偏向走査されたレーザ
光の一部分は検出ミラーB0によって走査開始信号検出
器D0へ導入され、走査開始信号検出器D0の出力信号
によって、光源装置E0の半導体レーザが書き込み変調
を開始する。なお、光源装置E0、ポリゴンミラーR
0、結像レンズF0、検出ミラーB0、走査開始信号検
出器D0、折り返しミラーM0等は筐体H0に取付けら
れ、筐体H0の上部開口は図示しないふたによって閉塞
される。
2. Description of the Related Art An image recording apparatus such as a laser beam printer and a laser facsimile, and a light source apparatus such as an optical disk pickup unit using a semiconductor laser collimate a laser beam generated from the semiconductor laser into a predetermined sectional shape. The semiconductor laser is coupled to a circuit board on which a driving IC and the like are mounted, and is made into a unit. FIG. 12 illustrates a general configuration of the image recording apparatus. A laser beam J0 generated from a unitized light source device E0 is applied to a polygon mirror R0 via a cylindrical lens C0, thereby performing scanning deflection. Then, the light is reflected by the turning mirror M0 via the imaging lens F0, and is imaged on the surface of a photosensitive drum (not shown). The laser light imaged on the photosensitive drum is
An electrostatic latent image is formed by main scanning by rotation of the polygon mirror R0 and sub-scanning by rotation of the photosensitive drum. A part of the laser beam deflected and scanned by the polygon mirror R0 is introduced by a detection mirror B0 to a scanning start signal detector D0, and the output signal of the scanning start signal detector D0 causes the semiconductor laser of the light source device E0 to perform write modulation. Start. The light source device E0 and the polygon mirror R
The imaging lens F0, the detection mirror B0, the scanning start signal detector D0, the folding mirror M0, and the like are attached to the housing H0, and the upper opening of the housing H0 is closed by a lid (not shown).

【0003】図13は、光源装置E0を拡大して示すも
のである。S1は、光源であるところの半導体レーザ。
P1は、半導体レーザS1を駆動するIC(不図示)を
有する回路基板。100は、円筒部111の内周部11
2の一端に前記半導体レーザS1を保持し、円筒部11
1の半導体レーザS1側には、筐体H1の嵌合穴H10
に嵌合する円筒部113と、筐体H1に光源装置E0を
ネジK10にて固定する取付け部114と、回路基板P
1と半導体レーザS1を接続しネジK20にて固定する
取付け部115を有するレーザホルダ。
FIG. 13 is an enlarged view of the light source device E0. S1 is a semiconductor laser which is a light source.
P1 is a circuit board having an IC (not shown) for driving the semiconductor laser S1. 100 is the inner peripheral portion 11 of the cylindrical portion 111
2, the semiconductor laser S1 is held at one end, and the cylindrical portion 11
1 is provided with a fitting hole H10 of the housing H1.
, A mounting portion 114 for fixing the light source device E0 to the housing H1 with screws K10, and a circuit board P.
A laser holder having a mounting portion 115 for connecting the semiconductor laser S1 to the semiconductor laser S1 and fixing the semiconductor laser S1 with a screw K20.

【0004】C1は、半導体レーザS1のレーザ光を平
行光化するコリメータレンズ。200は、コリメータレ
ンズC1を内蔵する取付け穴210と半導体レーザS1
のレーザ光を所定のスポット形状にする光学絞り220
を有するところのレンズ保持部230と、内周部250
をレーザホルダ100の円筒部111の半導体レーザ保
持部と反対側部位と外嵌し接着部となる円筒部240と
が一体的に形成されるところのレンズホルダ。
[0004] C1 is a collimator lens for converting the laser light of the semiconductor laser S1 into parallel light. Reference numeral 200 denotes a mounting hole 210 containing a collimator lens C1 and a semiconductor laser S1.
Optical stop 220 for converting the laser light into a predetermined spot shape
Lens holding portion 230 having an inner peripheral portion 250
A lens holder in which a cylindrical portion 240 which is externally fitted to a portion of the cylindrical portion 111 of the laser holder 100 opposite to the semiconductor laser holding portion and which is a bonding portion is integrally formed.

【0005】上記構成において、半導体レーザS1は、
レーザホルダ100の円筒部111の内周部112に、
直接圧入され固定保持される。コリメータレンズC1
は、レンズホルダ200の取付け穴210に嵌合され、
接着或いは熱溶着などで固定保持される。半導体レーザ
S1を保持するレーザホルダ100と、コリメータレン
ズC1を保持するレンズホルダ200は、レンズホルダ
200の内周部とレーザホルダ100の円筒部111の
外周部の径方向の隙間範囲で、半導体レーザS1のレー
ザ光とコリメータレンズC1の光軸合わせを行い、レン
ズホルダ200の光軸方向の摺動で、コリメータレンズ
C1の焦点合わせを行う。この後に、レンズホルダ20
0とレーザホルダ100を接着固定などで一体化して光
源装置となる。
In the above configuration, the semiconductor laser S1 is
On the inner peripheral portion 112 of the cylindrical portion 111 of the laser holder 100,
Directly press-fit and fixedly held. Collimator lens C1
Is fitted into the mounting hole 210 of the lens holder 200,
It is fixed and held by bonding or heat welding. The laser holder 100 for holding the semiconductor laser S1 and the lens holder 200 for holding the collimator lens C1 are located within the radial gap between the inner periphery of the lens holder 200 and the outer periphery of the cylindrical portion 111 of the laser holder 100. The optical axis of the laser beam S1 and the collimator lens C1 are aligned, and the collimator lens C1 is focused by sliding the lens holder 200 in the optical axis direction. After this, the lens holder 20
The light source device is formed by integrating the laser holder 100 with the laser holder 100 by bonding or the like.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】半導体レーザは、温度
上昇によって波長が長波長側に変動する特性を持つ。特
に、図14に示すように、半導体レーザの発光開始直後
からの短時間においては、半導体レーザの自己発熱によ
る温度上昇と、波長変動が顕著である。この半導体レー
ザの波長変動は、最終的なレーザ光の結像位置を変化さ
せるもので、潜像形状に悪影響を与える。これらの半導
体レーザの温度変化による影響を軽減するために、一般
的には、ペルチェ素子などで半導体レーザを温度制御し
たり、或いは温度補償系などを付加する発光方式などが
知られる。しかし、これらの方法は、新たな制御装置や
複雑の制御系が必要だったり、コスト・スペースなどの
問題がある。
A semiconductor laser has a characteristic that its wavelength fluctuates to a longer wavelength side due to a rise in temperature. In particular, as shown in FIG. 14, in a short time immediately after the start of light emission of the semiconductor laser, a temperature rise due to self-heating of the semiconductor laser and wavelength fluctuation are remarkable. This fluctuation in the wavelength of the semiconductor laser changes the final image formation position of the laser light, and adversely affects the latent image shape. In order to reduce the influence of the temperature change of these semiconductor lasers, generally, a light emitting system in which the temperature of the semiconductor laser is controlled by a Peltier element or the like or a temperature compensation system is added is known. However, these methods require new control devices and complicated control systems, and have problems such as cost and space.

【0007】一方、半導体レーザ自身を放熱・冷却する
ことである程度の半導体レーザの自己発熱を抑制するこ
とができる。したがって、半導体レーザを金属製の支持
体(レーザホルダ)で保持する事は、放熱性を有利にす
るものである。このレーザホルダについて言えば、コス
ト的には、成形品で一体的に形成することが求められ、
さらに、軽量化・寸法や面精度の点からは、金属製より
も樹脂製であることが望ましい。しかるに、放熱性で金
属より劣る樹脂を材質とすることに加え、従来例に示す
ようなレーザホルダに対する半導体レーザの保持方法で
は、放熱面として機能するのは、半導体レーザのステム
部のリードピンが配設される一面のみである。このため
に、上述した半導体レーザの自己発熱による波長変動に
よって、潜像形状を不安定にする。特に、高精細な画像
仕様の機種には適さないものとなる。
On the other hand, by radiating and cooling the semiconductor laser itself, a certain degree of self-heating of the semiconductor laser can be suppressed. Therefore, holding the semiconductor laser with a metal support (laser holder) is advantageous in heat dissipation. Speaking of this laser holder, in terms of cost, it is required to be formed integrally with a molded product,
Further, from the viewpoints of weight reduction, dimensions and surface accuracy, it is desirable that the material is made of resin rather than metal. However, in addition to using a resin that is less heat-dissipating than metal as a material, in the method of holding a semiconductor laser to a laser holder as shown in the conventional example, the lead pin of the stem portion of the semiconductor laser functions as a heat dissipation surface. Only one side is set. For this reason, the latent image shape becomes unstable due to the wavelength fluctuation due to the self-heating of the semiconductor laser described above. In particular, it is not suitable for a model with high definition image specifications.

【0008】そこで、本発明は、上記従来の技術に有す
る課題を解決し、樹脂製の支持体によっても、半導体レ
ーザの放熱性を高め、波長変動を抑制することができ、
安価で高性能・高精細な光源装置を提供することを目的
とするものである。
Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and can enhance the heat radiation of the semiconductor laser and suppress the wavelength fluctuation by using a resin support.
It is an object of the present invention to provide an inexpensive, high-performance, high-definition light source device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、光源装置をつぎのように構成したことを特
徴とするものである。すなわち、本発明の光源装置は、
光源である半導体レーザを圧入保持する支持体と、レー
ザ光を略平行光化するコリメータレンズを保持し、半導
体レーザと所定距離に配せられるレンズホルダで構成さ
れる光源装置において、前記半導体レーザを圧入保持す
る支持体が樹脂製の支持体からなり、該支持体に保持さ
れる前記半導体レーザのステム外周面に、少なくとも1
ヶ所以上、前記支持体に接触しない露出面を形成するよ
うにして、前記半導体レーザを前記支持体に保持するこ
とを特徴としている。また、本発明の光源装置は、前記
露出面が、前記支持体に設けられる半導体レーザのレー
ザ光光路となる円筒部と、該円筒部の光軸方向に延びる
内周面から半導体レーザ取付穴に連続的に形成される少
なくとも1ヶ所以上の溝によって形成されていることを
特徴としている。また、本発明の光源装置は、前記露出
面が、前記支持体のフランジ部に設けられる半導体レー
ザの取付穴円周上に、光軸方向に貫通する少なくとも1
ヶ所以上の貫通穴を有し、該貫通穴部1ヶ所につき、該
貫通穴部によって前記支持体と接触しない少なくとも半
導体レーザのステム面の外周面を含む3面以上によって
形成されていることを特徴としている。また、本発明の
光源装置は、前記支持体には、前記半導体レーザを駆動
する回路基板が設けられ、該回路基板には前記支持体の
フランジ部に設けられる貫通穴と同位置に孔部が形成さ
れていることを特徴としている。また、本発明の光源装
置は、前記露出面が、前記支持体のフランジ部に設けら
れる半導体レーザの取付穴を交差し、レーザ発光方向に
直交する平面上に延びる、少なくとも1ヶ所以上の溝に
よって形成されていることを特徴としている。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a light source device is constituted as follows. That is, the light source device of the present invention is:
In a light source device comprising a support for press-fitting and holding a semiconductor laser as a light source, and a collimator lens for substantially collimating the laser light, and a lens holder arranged at a predetermined distance from the semiconductor laser, The support for press-fitting and holding is made of a resin support, and at least one support is provided on the outer peripheral surface of the stem of the semiconductor laser held by the support.
The semiconductor laser is held on the support so as to form an exposed surface that does not contact the support at at least two places. Further, in the light source device according to the present invention, the exposed surface may be formed in a cylindrical portion serving as a laser light path of a semiconductor laser provided on the support, and an inner peripheral surface extending in an optical axis direction of the cylindrical portion to the semiconductor laser mounting hole. It is characterized by being formed by at least one or more continuously formed grooves. Further, in the light source device of the present invention, at least one of the exposed surfaces penetrates in the optical axis direction on a circumference of a mounting hole of the semiconductor laser provided on the flange portion of the support.
At least three through holes are provided, and each through hole portion is formed by three or more surfaces including at least the outer peripheral surface of the stem surface of the semiconductor laser that does not come into contact with the support by the through hole portion. And Further, in the light source device of the present invention, the support is provided with a circuit board for driving the semiconductor laser, and the circuit board has a hole at the same position as a through hole provided in a flange of the support. It is characterized by being formed. Further, in the light source device according to the present invention, the exposed surface intersects a mounting hole of the semiconductor laser provided on the flange portion of the support, and extends on a plane perpendicular to the laser emission direction by at least one or more grooves. It is characterized by being formed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように、半導
体レーザは、ステム外周面に、少なくとも1ヶ所以上の
樹脂製支持体(レーザホルダ)に接触しない露出面が形
成される様に、半導体レーザをレーザホルダに保持する
構成を採ることにより、半導体レーザのステムが外部雰
囲気に露出する面を増やすことが可能となり、半導体レ
ーザの放熱効果を高めることができる。また、本発明
は、レーザホルダに設けられる半導体レーザのレーザ光
光路となる円筒部、この円筒部の光軸方向に延びる内周
面から半導体レーザ取付穴に連続的に形成される少なく
とも1ヶ所以上の溝によって、半導体レーザのステム外
周面の露出面を形成する構成を採ることによって、溝を
風路とする空気流により半導体レーザのステムを冷却す
ることが可能となり、半導体レーザの放熱効果を高める
ことができる。また、本発明は、レーザホルダのフラン
ジ部に設けられる、半導体レーザの取付穴円周上に、光
軸方向に貫通する少なくとも1ヶ所以上の貫通穴を有
し、この貫通穴によって、半導体レーザのステム外周面
の露出面を形成し、あるいは、貫通穴と同位置に孔部を
有する回路基板を構成することによって、画像記録装置
内部の冷却用空気などの光源装置外部の空気流を半導体
レーザの冷却として用いることが可能となり、半導体レ
ーザの放熱効果を高めることができる。また、本発明
は、レーザホルダのフランジ部に設けられる半導体レー
ザの取付穴を交差し、レーザ発光方向に直交する平面上
に延びる、少なくとも1ヶ所以上の溝を有する構成を採
ることによって、画像記録装置内部の冷却用空気などの
光源装置外部でフランジに平行方向に流れる空気流を、
半導体レーザの冷却として用いることが可能となり、半
導体レーザの放熱効果を高めることができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, according to the present invention, a semiconductor laser is formed such that an exposed surface which does not contact at least one or more resin supports (laser holders) is formed on an outer peripheral surface of a stem. By employing a configuration in which the semiconductor laser is held by the laser holder, it is possible to increase the number of surfaces of the semiconductor laser that are exposed to the external atmosphere, thereby improving the heat radiation effect of the semiconductor laser. Further, the present invention provides a cylindrical portion serving as a laser light path of a semiconductor laser provided in a laser holder, at least one or more portions continuously formed in a semiconductor laser mounting hole from an inner peripheral surface of the cylindrical portion extending in the optical axis direction. By adopting a configuration in which an exposed surface of the outer peripheral surface of the stem of the semiconductor laser is formed by the groove, the stem of the semiconductor laser can be cooled by an airflow having the groove as an air passage, and the heat radiation effect of the semiconductor laser is enhanced. be able to. Further, the present invention has at least one through hole penetrating in the optical axis direction on the circumference of the mounting hole of the semiconductor laser provided on the flange portion of the laser holder. By forming an exposed surface of the outer peripheral surface of the stem or forming a circuit board having a hole at the same position as the through hole, an air flow outside the light source device, such as cooling air inside the image recording device, is applied to the semiconductor laser. It can be used for cooling, and the heat radiation effect of the semiconductor laser can be enhanced. Further, the present invention employs a configuration having at least one or more grooves that intersect a mounting hole of a semiconductor laser provided in a flange portion of a laser holder and extend on a plane orthogonal to a laser emission direction. The airflow that flows in the direction parallel to the flange outside the light source device, such as cooling air inside the device,
The semiconductor laser can be used for cooling, and the heat radiation effect of the semiconductor laser can be enhanced.

【0011】[0011]

【実施例】[実施例1]図1は、本発明における実施例
1の特徴を最も良く表す光源装置Eの模式断面図であ
る。図2は、図1のT−T矢視図を示す。Sは、光源で
あるところの半導体レーザ。半導体レーザSは、レーザ
チップ(不図示)を支持するステムS10とレーザチッ
プを保護するキャップS20を備える。S30は、ステ
ムS10の外周面。S40は、ステムS10のリードピ
ンが配設される底面。S50は、ステムS10のキャッ
プS20が配される上面。Pは、半導体レーザSを駆動
するIC(不図示)を有する回路基板。10は、内周部
11を半導体レーザのレーザ光光路とする円筒部12
と、円筒部11の一端に設けられる半導体レーザSを保
持する取付け穴13(図2に示す)を含み、レーザ光光
軸に直交する面に平板状なるフランジ14とが、一体的
に形成される樹脂性のレーザホルダ。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic sectional view of a light source device E which best shows the features of Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a view as viewed from the arrow TT in FIG. S is a semiconductor laser which is a light source. The semiconductor laser S includes a stem S10 for supporting a laser chip (not shown) and a cap S20 for protecting the laser chip. S30 is the outer peripheral surface of the stem S10. S40 is a bottom surface on which the lead pins of the stem S10 are provided. S50 is the upper surface of the stem S10 on which the cap S20 is arranged. P is a circuit board having an IC (not shown) for driving the semiconductor laser S. Reference numeral 10 denotes a cylindrical portion 12 having an inner peripheral portion 11 as a laser beam path of a semiconductor laser.
And a plate-like flange 14 including a mounting hole 13 (shown in FIG. 2) provided at one end of the cylindrical portion 11 for holding the semiconductor laser S and being orthogonal to the laser optical axis. Resin laser holder.

【0012】15(図2に示す)は、取付け穴13に配
せられる、半導体レーザSのステムS10の外周面S3
0と嵌合する内周面16を有する保持部。17は、内周
部11の内面から光軸方向に連続的に形成され、取付け
穴13の円周上に配せられる少なくとも1ヶ所以上の
溝。本実施例では、溝17は3ヶ所配せられ、この溝1
7によって、保持部15も3ヶ所の部位に分割される。
18は、円筒部12のフランジ14側に設けられる筐体
(不図示)の嵌合穴(不図示)に嵌合される円筒部。1
9は、フランジ14に配せられる、筐体に光源装置Eを
ねじK1によって、固定するための取付部。20は、フ
ランジ14に配せられる、半導体レーザSが接続された
回路基板Pを、ねじK2によって固定するための取付
部。
Reference numeral 15 (shown in FIG. 2) denotes an outer peripheral surface S3 of the stem S10 of the semiconductor laser S, which is provided in the mounting hole 13.
A holding portion having an inner peripheral surface 16 to be fitted with 0. Reference numeral 17 denotes at least one or more grooves formed continuously from the inner surface of the inner peripheral portion 11 in the optical axis direction and arranged on the circumference of the mounting hole 13. In this embodiment, three grooves 17 are provided.
7, the holding part 15 is also divided into three parts.
Reference numeral 18 denotes a cylindrical portion fitted into a fitting hole (not shown) of a housing (not shown) provided on the flange 14 side of the cylindrical portion 12. 1
Reference numeral 9 denotes an attachment portion provided on the flange 14 for fixing the light source device E to the housing with the screw K1. Reference numeral 20 denotes a mounting portion provided on the flange 14 for fixing the circuit board P to which the semiconductor laser S is connected, with the screw K2.

【0013】Cは、半導体レーザSのレーザ光を平行光
化するコリメータレンズ。40は、孔部41にコリメー
タレンズCを保持し、半導体レーザSのレーザ光を所定
のスポット形状にする光学絞り42と、光軸方向に延び
る少なくとも1ヶ所以上のスリット43を有し、レーザ
ホルダ10の円筒部11に外嵌し接着部となるところの
円筒部44とが一体的に形成されるレンズホルダ。
C is a collimator lens for converting the laser light of the semiconductor laser S into parallel light. Reference numeral 40 denotes a laser holder which holds a collimator lens C in the hole 41 and has an optical aperture 42 for forming the laser beam of the semiconductor laser S into a predetermined spot shape, and at least one slit 43 extending in the optical axis direction. A lens holder in which a cylindrical portion 44 which is externally fitted to the cylindrical portion 11 of FIG.

【0014】本実施例では、上記構成において、半導体
レーザSがレーザホルダ10に保持された状態では、半
導体レーザSのステムS10の外周面S30が3ヶ所の
保持部15の内周面16に嵌合し所定位置で保持され
る。半導体レーザSの外周面S30の保持部15と嵌合
せず、溝17の位置に当たる部位は、外部雰囲気に露出
する放熱面W1を形成する(図3参照)。
In this embodiment, in the above configuration, when the semiconductor laser S is held by the laser holder 10, the outer peripheral surface S 30 of the stem S 10 of the semiconductor laser S fits on the inner peripheral surface 16 of the three holding portions 15. And held at a predetermined position. A portion of the outer peripheral surface S30 of the semiconductor laser S, which does not fit with the holding portion 15 and hits the position of the groove 17, forms a heat radiation surface W1 exposed to the external atmosphere (see FIG. 3).

【0015】半導体レーザSを圧入保持したレーザホル
ダ10とコリメータレンズCを保持したレンズホルダ4
0はレンズホルダ40の円筒部44の内周部とレーザホ
ルダ10の円筒部11の外周部の隙間が許す範囲で移動
させて、半導体レーザSのレーザ光とコリメータレンズ
Cの光軸合わせを行い、レンズホルダ40を光軸方向へ
摺動させて、コリメータレンズCの焦点合わせを行う。
この後に、レーザホルダ10とレンズホルダ40は接着
などで固定され、レンズホルダ40とレーザホルダ10
を一体化して光源装置となる。
A laser holder 10 holding a semiconductor laser S by press fitting and a lens holder 4 holding a collimator lens C
Numeral 0 moves the laser beam of the semiconductor laser S and the optical axis of the collimator lens C by moving the laser beam within a range allowed by the gap between the inner peripheral portion of the cylindrical portion 44 of the lens holder 40 and the outer peripheral portion of the cylindrical portion 11 of the laser holder 10. The collimator lens C is focused by sliding the lens holder 40 in the optical axis direction.
Thereafter, the laser holder 10 and the lens holder 40 are fixed by bonding or the like, and the lens holder 40 and the laser holder 10 are fixed.
Are integrated into a light source device.

【0016】図3に、光源装置の断面模式図を示す。こ
のレーザホルダ10とレンズホルダ40が一体化された
状態において、レーザホルダ10の円筒部12の先端部
とレンズホルダ40のスリット43とで、孔部Qが形成
される。したがって、レーザホルダ10の溝17とレン
ズホルダ40のスリット43とレーザホルダ10の円筒
部で形成される孔部Qによって、矢印G1とG2に示す
様に半導体レーザSのレーザ光光路となる内周部11と
外部雰囲気とが導通する。
FIG. 3 is a schematic sectional view of the light source device. In a state where the laser holder 10 and the lens holder 40 are integrated, a hole Q is formed by the tip of the cylindrical portion 12 of the laser holder 10 and the slit 43 of the lens holder 40. Therefore, the groove 17 of the laser holder 10, the slit 43 of the lens holder 40, and the hole Q formed by the cylindrical portion of the laser holder 10 make the inner periphery of the laser light path of the semiconductor laser S as shown by arrows G 1 and G 2. The part 11 and the external atmosphere are conducted.

【0017】本実施例においては、上記構成によってつ
ぎの効果を奏する。本実施例の構成によると、半導体レ
ーザのステム部S10のリードピン配設面S40と、外
周面S30のレーザホルダの溝位置に相当する部位の露
出面とで、半導体レーザの自己発熱の放熱性を高めるこ
とができる。また、レンズホルダ40のスリット43と
レーザホルダ10の円筒部で形成される孔部と、レーザ
ホルダ10の溝部17とが導通し、これを流れる空気流
が半導体レーザのステムを冷却し、半導体レーザの放熱
性を高める。したがって、半導体レーザを支持するレー
ザホルダの材質を金属に比して劣る樹脂製としても、特
別な加工や手法を要することなく、半導体レーザの放熱
性を高め、波長変動を抑制できる。
In this embodiment, the following effects can be obtained by the above configuration. According to the configuration of this embodiment, the heat radiation of the self-heating of the semiconductor laser is reduced by the lead pin mounting surface S40 of the stem portion S10 of the semiconductor laser and the exposed surface of the outer peripheral surface S30 corresponding to the groove position of the laser holder. Can be enhanced. In addition, a hole formed between the slit 43 of the lens holder 40 and the cylindrical portion of the laser holder 10 and the groove 17 of the laser holder 10 conduct, and the air flow flowing through the groove cools the stem of the semiconductor laser, and Enhances the heat dissipation. Therefore, even if the material of the laser holder that supports the semiconductor laser is made of resin, which is inferior to metal, the heat radiation of the semiconductor laser can be increased and the wavelength fluctuation can be suppressed without requiring any special processing or method.

【0018】[実施例2]図4に、実施例2であるとこ
ろの光源装置の模式断面図を示す。図5に、図4のT−
T矢視図を示す。レーザホルダ10は、内周部11を半
導体レーザのレーザ光光路とする円筒部12と、円筒部
11の一端に設けられる半導体レーザSを保持する取付
け穴13を含み、レーザ光光軸に直交する面に平板状な
るフランジ14とが、一体的に形成される樹脂性のレー
ザホルダ。そして、15は、取付け穴13に配せられ
る、半導体レーザSのステムS10の外周面S30と嵌
合する内周面16を有する保持部。上述する構成は、実
施例1と同様である。21は、レーザホルダ10の円筒
部12の内周部11に設けられる段差部。段差部21よ
り、レーザ光発光方向の内周部11は、半導体レーザS
のキャップS20の外径より僅かに大きい内径である。
Embodiment 2 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a light source device according to Embodiment 2. FIG. 5 shows T-
FIG. The laser holder 10 includes a cylindrical portion 12 having an inner peripheral portion 11 as a laser light optical path of a semiconductor laser, and a mounting hole 13 provided at one end of the cylindrical portion 11 for holding a semiconductor laser S, and is orthogonal to the laser light optical axis. A resin-made laser holder in which a flat flange 14 is formed on the surface. Reference numeral 15 denotes a holding portion provided in the mounting hole 13 and having an inner peripheral surface 16 that fits with the outer peripheral surface S30 of the stem S10 of the semiconductor laser S. The configuration described above is the same as in the first embodiment. Reference numeral 21 denotes a step portion provided on the inner peripheral portion 11 of the cylindrical portion 12 of the laser holder 10. The inner peripheral portion 11 in the laser light emission direction from the step portion 21 is
Has an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the cap S20.

【0019】また、フランジ14には、取付穴13の円
周上に該円周上を中心とする光軸方向に貫通する貫通穴
22が配せられる。保持部15は、貫通穴22によって
分割され、本実施例では、円周等分に配せれらた3ヶ所
の貫通穴とこれにより分割された3ヶ所の保持部15と
なる。その他の、レーザホルダ10の構成とレンズホル
ダ40・半導体レーザSなどの構成は、実施例1と同様
である。
The flange 14 is provided with a through-hole 22 that penetrates the mounting hole 13 in the optical axis direction around the circumference of the mounting hole 13. The holding portion 15 is divided by the through hole 22, and in the present embodiment, the holding portion 15 is divided into three through holes arranged equally on the circumference and the three holding portions 15 divided thereby. Other configurations of the laser holder 10, the lens holder 40, the semiconductor laser S, and the like are the same as those in the first embodiment.

【0020】上記構成における光源装置の半導体レーザ
Sの保持部拡大図を図6に示す。レーザホルダ10に圧
入される半導体レーザSは、貫通穴22に分割された各
保持部15の内周面16と半導体レーザSのステムS1
0の外周面S30が嵌合する。また、半導体レーザSの
ステムS30のキャップS20側の上面S50と、レー
ザホルダ10の内周部11に設けられた段差部21の光
軸に直交なる面が当接し、半導体レーザSの光軸方向位
置を規制する。レーザホルダ10に設けられる貫通穴2
2を矢印G3の風路が形成され、この貫通穴22に相当
する半導体レーザS部位は、ステムS10の外周面S3
0と底面S40および上面S50がレーザホルダ10と
接触しない、外部雰囲気に露出する放熱面W2となる。
FIG. 6 is an enlarged view of the holding part of the semiconductor laser S of the light source device having the above configuration. The semiconductor laser S press-fitted into the laser holder 10 includes the inner peripheral surface 16 of each holding portion 15 divided into the through hole 22 and the stem S1 of the semiconductor laser S.
0 outer peripheral surface S30 is fitted. Further, the upper surface S50 of the stem S30 of the semiconductor laser S on the side of the cap S20 and the surface orthogonal to the optical axis of the step portion 21 provided on the inner peripheral portion 11 of the laser holder 10 abut, and the optical axis direction of the semiconductor laser S Regulate position. Through hole 2 provided in laser holder 10
2, an air path indicated by an arrow G3 is formed, and a portion of the semiconductor laser S corresponding to the through hole 22 is formed on an outer peripheral surface S3 of the stem S10.
0, the bottom surface S40, and the top surface S50 do not come into contact with the laser holder 10, and serve as a heat radiation surface W2 exposed to the external atmosphere.

【0021】本実施例においては、上記構成によってつ
ぎの効果を奏する。本実施例の構成によると、レーザホ
ルダ10に設けられた貫通穴22によって形成された風
路に、外部を流れる光走査装置の冷却ファンなどの低温
度の空気流を積極的に用いて、外部雰囲気に露出する上
記ステム外周面S10と底面S40および上面S50の
3面の放熱部位W2を冷却することにより、半導体レー
ザのステムの冷却効果を向上させることができる。ま
た、本実施例の構成によると、上記空気流をレーザホル
ダ10の内部に流すことなく、レーザホルダ10と接触
しない外部雰囲気に露出する上記3面の放熱部位W2を
冷却するだけであるので、半導体レーザの出射窓やコリ
メータレンズなどを、著しく汚染された外部雰囲気の空
気で汚染することが防止できる。
In the present embodiment, the following effects are obtained by the above configuration. According to the configuration of the present embodiment, a low-temperature airflow such as a cooling fan of an optical scanning device that flows outside is actively used in the air passage formed by the through hole 22 provided in the laser holder 10, and the external The cooling effect of the stem of the semiconductor laser can be improved by cooling the heat radiation sites W2 on the three surfaces of the outer peripheral surface S10, the bottom surface S40, and the upper surface S50 exposed to the atmosphere. Further, according to the configuration of the present embodiment, since the above-described air flow does not flow into the inside of the laser holder 10 but only cools the three heat-dissipating portions W2 exposed to the external atmosphere not in contact with the laser holder 10, It is possible to prevent the emission window of the semiconductor laser, the collimator lens, and the like from being contaminated by air in an extremely contaminated external atmosphere.

【0022】[実施例3]図7に、実施例3であるとこ
ろの光源装置の模式断面図を示す。図8に、図7のT矢
視図を示す。レーザホルダ10とレンズホルダ20およ
び、半導体レーザSなどの構成は、実施例2と同様であ
る。回路基板Pには、レーザホルダ10のフランジ14
に設けられる貫通穴22と同位置に設けられる穴P10
が配せられる。上記構成においては、半導体レーザSの
ステムS10を冷却する空気流が、矢印G4に示すよう
に、回路基板Pにある穴P10からレーザホルダ10の
貫通穴22へ流れる。
Third Embodiment FIG. 7 is a schematic sectional view of a light source device according to a third embodiment. FIG. 8 shows a view as seen from the arrow T in FIG. The configurations of the laser holder 10, the lens holder 20, the semiconductor laser S, and the like are the same as in the second embodiment. The circuit board P includes a flange 14 of the laser holder 10.
P10 provided at the same position as through hole 22 provided at
Is placed. In the above configuration, the airflow for cooling the stem S10 of the semiconductor laser S flows from the hole P10 in the circuit board P to the through hole 22 of the laser holder 10, as indicated by an arrow G4.

【0023】本実施例においては、上記構成によってつ
ぎの効果を奏する。本実施例の構成によると、光源装置
を含む光走査装置の温度上昇を抑制するための冷却ファ
ンなどが、回路基板側に設けられるとき、この空気流を
半導体レーザ冷却に積極的に用いることができ、冷却効
果を向上することができる。
In the present embodiment, the following effects are obtained by the above configuration. According to the configuration of the present embodiment, when a cooling fan or the like for suppressing the temperature rise of the optical scanning device including the light source device is provided on the circuit board side, it is possible to actively use this air flow for cooling the semiconductor laser. The cooling effect can be improved.

【0024】[実施例4]図9に、実施例4であるとこ
ろの光源装置の模式断面図を示す。図10に、レーザホ
ルダのフランジ面を回路基板側から見た状態図を示す。
レーザホルダ10は、内周部11を半導体レーザのレー
ザ光光路とする円筒部12と、円筒部11の一端に設け
られる半導体レーザSを保持する取付け穴13を含み、
レーザ光光軸に直交する面に平板状なるフランジ14と
が、一体的に形成される樹脂性のレーザホルダ。15
は、取付け穴13に配せられる、半導体レーザSのステ
ムS10の外周面S30と嵌合する内周面16を有する
保持部。上述するレーザホルダ10の構成は、実施例1
と同様である。
Fourth Embodiment FIG. 9 is a schematic sectional view of a light source device according to a fourth embodiment. FIG. 10 is a view showing a state where the flange surface of the laser holder is viewed from the circuit board side.
The laser holder 10 includes a cylindrical portion 12 having an inner peripheral portion 11 as a laser beam path of a semiconductor laser, and a mounting hole 13 provided at one end of the cylindrical portion 11 for holding a semiconductor laser S.
A resin laser holder in which a flat flange 14 is formed integrally with a surface orthogonal to the laser beam optical axis. Fifteen
Is a holder provided in the mounting hole 13 and having an inner peripheral surface 16 that fits with the outer peripheral surface S30 of the stem S10 of the semiconductor laser S. The configuration of the laser holder 10 described above is the same as that of the first embodiment.
Is the same as

【0025】23は、フランジ14の半導体レーザSの
取付穴13と交差し、光軸に直交する平面上に延びる少
なくとも1ヶ所以上の溝。保持部15は、溝23によっ
て分割され、本実施例では、2ヶ所の溝により、保持部
15は、4ヶ所の部位に分割される。24は、フランジ
14に設けられる筐体に光源装置をねじK1によって固
定するためのねじ穴。25は、フランジ14に設けられ
る、半導体レーザSが接続された回路基板PをねじK2
によって固定するタップ穴。その他の、レンズホルダと
半導体レーザなどの構成は、実施例1と同様である。
Reference numeral 23 denotes at least one or more grooves which intersect with the mounting holes 13 of the semiconductor laser S of the flange 14 and extend on a plane perpendicular to the optical axis. The holding portion 15 is divided by the groove 23. In the present embodiment, the holding portion 15 is divided into four portions by two grooves. Reference numeral 24 denotes a screw hole for fixing the light source device to a housing provided on the flange 14 with a screw K1. Reference numeral 25 denotes a screw K2 provided on the flange 14 for connecting the circuit board P to which the semiconductor laser S is connected.
Tapped holes to be fixed by. Other configurations such as the lens holder and the semiconductor laser are the same as those in the first embodiment.

【0026】半導体レーザSは、ステムS10の外周面
S30とレーザホルダ10の溝23によって分割された
保持部15の内周面16が嵌合し保持される。半導体レ
ーザSのステムS10の外周面S30の溝23の位置に
相当する部位は、外部雰囲気に露出する放熱面W3とな
る。回路基板Pは、レーザホルダ10のフランジ14の
半導体レーザS支持側面に当接した状態で固定される。
この状態において、半導体レーザSの底面S40は、レ
ーザホルダ10のフランジ14よりレーザ発光方向にあ
る位置関係である。したがって、回路基板Pがフランジ
14と当接し固定された状態において、半導体レーザS
の底面S40と回路基板Pとの間に空洞部Q1が形成さ
れる。半導体レーザSを保持した状態でも、取付穴13
を交差する各溝23と空洞部Q1により、矢印G5の方
向の風路が形成される。
In the semiconductor laser S, the outer peripheral surface S30 of the stem S10 and the inner peripheral surface 16 of the holding portion 15 divided by the groove 23 of the laser holder 10 are fitted and held. A portion corresponding to the position of the groove 23 on the outer peripheral surface S30 of the stem S10 of the semiconductor laser S becomes a heat radiation surface W3 exposed to the external atmosphere. The circuit board P is fixed in contact with the side surface of the flange 14 of the laser holder 10 that supports the semiconductor laser S.
In this state, the bottom surface S40 of the semiconductor laser S has a positional relationship in the laser emission direction from the flange 14 of the laser holder 10. Therefore, when the circuit board P is in contact with the flange 14 and is fixed, the semiconductor laser S
A cavity Q1 is formed between the bottom surface S40 and the circuit board P. Even when the semiconductor laser S is held, the mounting holes 13
, Each groove 23 and the cavity Q1 form an air path in the direction of arrow G5.

【0027】本実施例においては、上記構成によってつ
ぎの効果を奏する。本実施例の構成によると、レーザホ
ルダのフランジ面や回路基板に沿う方向に流れる空気流
によって、半導体レーザを冷却することができる。レー
ザホルダのフランジの広い面で回路基板を当接して固定
することができるので、レーザ発光方向のスペースに制
約があるときでも、半導体レーザの冷却効果を得ること
ができる。回路基板のレーザ発光方向の外力による回路
基板の変形や、これに伴う半導体レーザと回路基板の半
田付けなどによる接合部の信頼性を向上することができ
る。
In this embodiment, the following effects can be obtained by the above configuration. According to the configuration of the present embodiment, the semiconductor laser can be cooled by the airflow flowing in the direction along the flange surface of the laser holder and the circuit board. Since the circuit board can be abutted and fixed on the wide surface of the flange of the laser holder, the cooling effect of the semiconductor laser can be obtained even when the space in the laser emission direction is limited. It is possible to improve the deformation of the circuit board due to an external force in the laser emission direction of the circuit board, and the reliability of the joint part due to the soldering of the semiconductor laser and the circuit board accompanying the deformation.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明は、以上説明した構成により、つ
ぎのような効果を奏する。本発明は、支持体(レーザホ
ルダ)を一体成型が可能な樹脂によって、新たな加工を
施すことなく、支持体に接触しない露出面を半導体レー
ザのステム外周面に、少なくとも1ヶ所以上、形成する
ように構成することにより、半導体レーザの自己発熱の
放熱性を高め、半導体レーザの温度上昇を抑制すること
が可能となり、安価で高性能・高精細の光源装置を実現
することができる。また、本発明によると、上記温度上
昇を抑制するための、温度制御や温度補償系などの、新
たな機構や手法を用いることなく、画像記録装置内の空
気流を利用して、半導体レーザの温度上昇を抑制するこ
とができる。さらに、本発明の光源装置での半導体レー
ザの温度と波長およびピント位置変化(実線)と、従来
例の光源装置の各変化(点線)との関係は、図11に示
されるように、本発明においては温度と波長とも、従来
例に比べて相対的にその変化量は減少しており、この変
化に相当するピント位置の変動もまた抑制することがで
きる。したがって、本発明によると、半導体レーザの温
度上昇を抑制することにより、レーザ光のピント位置変
動を抑制することができ、最終的な潜像形状を安定的に
することができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained by the configuration described above. According to the present invention, at least one or more exposed surfaces that do not come into contact with the support are formed on the outer peripheral surface of the stem of the semiconductor laser without performing new processing by using a resin capable of integrally molding the support (laser holder). With such a configuration, it is possible to enhance the heat radiation of self-heating of the semiconductor laser and to suppress a rise in the temperature of the semiconductor laser, thereby realizing an inexpensive, high-performance, high-definition light source device. Further, according to the present invention, the semiconductor laser is controlled by utilizing the air flow in the image recording apparatus without using a new mechanism or method such as a temperature control or a temperature compensation system for suppressing the temperature rise. Temperature rise can be suppressed. Further, as shown in FIG. 11, the relationship between the temperature, wavelength, and focus position change (solid line) of the semiconductor laser in the light source device of the present invention and each change (dotted line) of the conventional light source device is shown in FIG. In the above, both the temperature and the wavelength are relatively smaller in the amount of change than in the conventional example, and the fluctuation of the focus position corresponding to this change can also be suppressed. Therefore, according to the present invention, by suppressing the temperature rise of the semiconductor laser, it is possible to suppress the fluctuation of the focus position of the laser light, and to stabilize the final latent image shape.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1における光源装置を示す模式
断面図。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a light source device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の光源装置のT−T矢視図。FIG. 2 is a TT arrow view of the light source device of FIG. 1;

【図3】本発明の実施例1における光源装置の作用を示
す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing the operation of the light source device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例2における光源装置を示す模式
断面図。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a light source device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4の光源装置のT−T矢視図。FIG. 5 is a view of the light source device of FIG.

【図6】本発明の実施例2における光源装置の作用を示
す断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing the operation of the light source device according to the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例3における光源装置を示す模式
断面図。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a light source device according to a third embodiment of the present invention.

【図8】図7の光源装置のT矢視図。。FIG. 8 is a view of the light source device of FIG. .

【図9】本発明の実施例4における光源装置を示す模式
断面図。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a light source device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】図9の光源装置のレーザホルダフランジ面説
明図。
FIG. 10 is an explanatory view of a laser holder flange surface of the light source device of FIG. 9;

【図11】光源装置の温度と波長及びピント位置変化を
表す図。
FIG. 11 is a diagram illustrating changes in temperature, wavelength, and focus position of the light source device.

【図12】画像記録装置全体の説明図。FIG. 12 is an explanatory diagram of the entire image recording apparatus.

【図13】従来例光源装置を示す模式断面図。FIG. 13 is a schematic sectional view showing a conventional light source device.

【図14】半導体レーザの温度と波長変化を表す図。FIG. 14 is a diagram showing temperature and wavelength change of a semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

J・J0・J1:レーザ光 E・E0・E1:光源装置 H・H0・H1:筐体 H10:嵌合穴 S・S1:半導体レーザ P・P0:回路基板 C・C1:コリメータレンズ 10・100:レーザホルダ 20・200:レンズホルダ 11:円筒部 13:取付穴 15:保持部 17・23:溝 22:貫通穴 Q・Q1:孔部 G:風路矢印 W:放熱面 J / J0 / J1: Laser light E / E0 / E1: Light source device H / H0 / H1: Housing H10: Fitting hole S / S1: Semiconductor laser P / P0: Circuit board C / C1: Collimator lens 10.100 : Laser holder 20 ・ 200: Lens holder 11: Cylindrical part 13: Mounting hole 15: Holding part 17 ・ 23: Groove 22: Through hole Q ・ Q1: Hole part G: Air flow arrow W: Heat radiation surface

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源である半導体レーザを圧入保持する
支持体と、レーザ光を略平行光化するコリメータレンズ
を保持し、半導体レーザと所定距離に配せられるレンズ
ホルダで構成される光源装置において、 前記半導体レーザを圧入保持する支持体が樹脂製の支持
体からなり、該支持体に保持される前記半導体レーザの
ステム外周面に、少なくとも1ヶ所以上、前記支持体に
接触しない露出面を形成するようにして、前記半導体レ
ーザを前記支持体に保持することを特徴とする光源装
置。
1. A light source device comprising: a support for press-fitting and holding a semiconductor laser as a light source; and a lens holder for holding a collimator lens for making a laser beam substantially parallel and arranged at a predetermined distance from the semiconductor laser. The support for press-fitting and holding the semiconductor laser is made of a resin support, and at least one or more exposed surfaces that do not contact the support are formed on the outer peripheral surface of the stem of the semiconductor laser held by the support. A light source device for holding the semiconductor laser on the support.
【請求項2】前記露出面が、前記支持体に設けられる半
導体レーザのレーザ光光路となる円筒部と、該円筒部の
光軸方向に延びる内周面から半導体レーザ取付穴に連続
的に形成される少なくとも1ヶ所以上の溝によって形成
されていることを特徴とする請求項1に記載の光源装
置。
2. The semiconductor laser mounting hole according to claim 2, wherein said exposed surface is formed continuously from a cylindrical portion provided on said support body as a laser light path of a semiconductor laser and an inner peripheral surface of said cylindrical portion extending in an optical axis direction. 2. The light source device according to claim 1, wherein the light source device is formed by at least one groove.
【請求項3】前記露出面が、前記支持体のフランジ部に
設けられる半導体レーザの取付穴円周上に、光軸方向に
貫通する少なくとも1ヶ所以上の貫通穴を有し、該貫通
穴部1ヶ所につき、該貫通穴部によって前記支持体と接
触しない少なくとも半導体レーザのステム面の外周面を
含む3面以上によって形成されていることを特徴とする
請求項1に記載の光源装置。
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the exposed surface has at least one through hole penetrating in the optical axis direction on a circumference of a mounting hole of the semiconductor laser provided on the flange portion of the support. 2. The light source device according to claim 1, wherein at least one light source device is formed by three or more surfaces including at least an outer peripheral surface of a stem surface of the semiconductor laser that does not contact the support by the through hole.
【請求項4】前記支持体には、前記半導体レーザを駆動
する回路基板が設けられ、該回路基板には前記支持体の
フランジ部に設けられる貫通穴と同位置に孔部が形成さ
れていることを特徴とする請求項3に記載の光源装置。
4. A circuit board for driving the semiconductor laser is provided on the support, and a hole is formed in the circuit board at the same position as a through hole provided in a flange of the support. The light source device according to claim 3, wherein:
【請求項5】前記露出面が、前記支持体のフランジ部に
設けられる半導体レーザの取付穴を交差し、レーザ発光
方向に直交する平面上に延びる、少なくとも1ヶ所以上
の溝によって形成されていることを特徴とする請求項1
に記載の光源装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the exposed surface is formed by at least one groove that intersects a mounting hole of the semiconductor laser provided on the flange portion of the support and extends on a plane perpendicular to a laser emission direction. 2. The method according to claim 1, wherein
The light source device according to item 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232057A (en) * 2001-01-31 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor laser device, and fastening method of lens position thereof
JP2015026066A (en) * 2013-06-21 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 Light source apparatus and optical engine using light source apparatus

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